JP2010536142A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】改良された放射源をもつリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィシステムが、放射を発生するように構成された放射源であって、放射源は、カソードおよびアノードを含み、カソードおよびアノードは、放電空間内に配置された燃料内に放電を生成してプラズマを発生するように構成され、放電空間は、使用中、プラズマによる放射放出を調節してプラズマによって画定される容積を制御するように構成された物質を含む、放射源と、パターニングデバイスを保持するように構成されたパターンサポートであって、パターニングデバイスは、放射にパターン形成してパターン付き放射ビームを形成する、パターンサポートと、基板を支持するように構成された基板サポートと、パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムとを含む。
【選択図】 図３

Description

[0001] 本発明はリソグラフィ装置および方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] フォトリソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスならびに／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。現在、同様の精度、速度、および経済的な生産性で所望のパターンアーキテクチャを提供する代替技術はないようである。しかしながら、フォトリソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、フォトリソグラフィは小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を非常に大量に製造可能にするには、最も重大な、最もでないにしても重大な障害の１つになりつつある。
[0004] パターンプリンティングの限界の理論推定値は、式（１）に示されるような解像度についてのレイリー（Rayleigh）基準によって与えることができる：

ここで、λは、用いられる放射の波長であり、ＮＡＰＳは、パターンのプリントに用いられる投影システムの開口数であり、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれる、プロセス依存型調節係数であり、ＣＤは、プリントされたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。
[0005] 式（１）から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、３つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数ＮＡＰＳを大きくすること、またはｋ１の値を小さくすることによって得ることができることが分かる。
[0006] 露光波長を大幅に縮小する、したがって最小プリント可能なピッチを縮小するためには、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。約１９３ｎｍより大きい放射波長を出力するように構成された従来の紫外線源と対照的に、ＥＵＶ放射源は、約１３ｎｍの放射波長を出力するように構成される。したがって、ＥＵＶ放射源は、小さなフィーチャのプリンティングの実現に向けて重要なステップを構成しうる。このような放射は、極限紫外線または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。
[0007] ＥＵＶ放射源によって放射されるパワーは、放射源のサイズに依存する。通常、放射源によって放出されたパワーを可能な限り多く収集することが望ましい。放射されたパワーの収集効率が大きければ、放射源に供給されるパワーは少なくすることができ、これは放射源の寿命に有益だからである。放射源のサイズは収集角と共に放射源のエタンデュを形成する。放射源のエタンデュ内で放出された放射のみが考慮され、パターニングデバイスを照明するために用いられうる。
[0008] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置において使用するための放射を発生させる方法であって、カソードとアノードとの間に配置される放電空間に燃料を供給することと、燃料内でカソードとアノードとの間に放電を生成してプラズマを形成することと、プラズマによる放射放出を制御してプラズマにより画定される容積を調節することとを含み、調節することは、プラズマに物質を供給して放射放出を制御することを含む、方法が提供される。
[0009] 例えば、一実施形態では、物質は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、またはＡｌのうち少なくとも１つを含んでよい。一実施形態では、例えば、燃料は、Ｓｎ、Ｘｅ、またはＬｉのうち少なくとも１つを含んでよい。
[0010] 一実施形態では、物質および燃料は、放電空間に別々に供給されてよい。
[0011] 一実施形態では、物質は、前記燃料を含む混合体の一部であってよい。例えば、非限定的な一実施形態では、混合体は、固体または液体であってよい。更に、例えば、この方法は、放電を生成する前に、混合体をカソードに供給することを更に含んでよい。
[0012] 一実施形態では、物質は、所定の波長範囲における放射放出を増加するように選択されてよい。
[0013] 一実施形態では、プラズマにより画定される容積を調節することは、プラズマの半径方向のサイズを減少させることを含んでよい。
[0014] 一実施形態では、調節することは、プラズマを発生させるように構成された放射源のエタンデュがリソグラフィ装置のエタンデュと実質的に一致するように、プラズマによって画定される容積を制御することを含んでよい。
[0015] 本発明の一態様では、デバイス製造方法であって、放射ビームを発生させることと、放射ビームにパターン形成してパターン付き放射ビームを形成することと、パターン付き放射ビームを基板に投影することとを含み、発生させることは、カソードとアノードとの間に配置される放電空間に燃料を供給することと、燃料内でカソードとアノードとの間に放電を生成してプラズマを形成することと、プラズマによる放射放出を制御してプラズマにより画定される容積を調節することとを含み、調節することは、プラズマに物質を供給して放射放出を制御することを含む、方法が提供される。
[0016] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置用の放射を発生させるように構成された放射源であって、カソードおよびアノードを含み、カソードおよびアノードは、放電空間内に配置された燃料内に放電を生成してプラズマを発生させるように構成され、放電空間は、使用中、プラズマによる放射放出を調節してプラズマによって画定される容積を制御するように構成された物質を含む、放射源が提供される。
[0017] 本発明の一態様では、放射を発生させるように構成された放射源であって、放射源は、カソードおよびアノードを含み、カソードおよびアノードは、放電空間内に配置された燃料内に放電を生成してプラズマを発生させるように構成され、放電空間は、使用中、プラズマによる放射放出を調節してプラズマによって画定される容積を制御するように構成された物質を含む、放射源と、パターニングデバイスを保持するように構成されたパターンサポートであって、パターニングデバイスは、放射にパターン形成してパターン付き放射ビームを形成する、パターンサポートと、基板を支持するように構成された基板サポートと、パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムとを含む、リソグラフィシステムが提供される。
[0018] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0019] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。 [0020] 図２は、図１のリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明システムおよび投影光学系の側面図を概略的に示す。 [0021] 図３は、本発明の一実施形態によるＥＵＶ源の概略図を示す。 [0022] 図４は、本発明の一実施形態によるＥＵＶ源の概略図を示す。 [0023] 図５は、本発明の一実施形態によるＥＵＶ源の概略図を示す。
[0024] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示している。このリソグラフィ装置１は、放射を発生するように構成された放射源ＳＯと、放射源ＳＯから受けた放射から放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備える。放射源ＳＯは、別個のユニットとして設けられてよい。サポートまたはパターンサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されている。基板テーブルまたは基板サポート（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結されている。投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。
[0025] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0026] サポートは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0027] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
[0028] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームをさまざまな方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。
[0029] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、または液浸液の使用もしくは真空の使用といった他の要因に適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0030] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。あるいは、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[0031] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[0032] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができる型のものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで、当該技術分野においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
[0033] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステム（図１には図示せず）とともに、放射システムと呼んでもよい。
[0034] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成された調節デバイスを含みうる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサ（図１には図示せず）といったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせうる。
[0035] 放射ビームＢは、サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡによって反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを投影する。第２位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポートＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0036] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[0037] ステップモードでは、サポートＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
[0038] スキャンモードでは、サポートＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポートＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
[0039] 別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポートＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0040] 上述の使用モードの組合せおよび／もしくはバリエーション、または完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0041] 図２は、放射システム４２、照明光学ユニット４４、および投影システムＰＳを含む投影装置１をより詳細に示す。放射システム４２は、放電プラズマによって形成されうる放射源ＳＯを含む。ＥＵＶ放射が、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気、またはＳｎ蒸気といったガスまたは蒸気によって生成されてよく、ガスまたは蒸気内で非常に高温のプラズマが生成されて、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲における放射が放出される。この非常に高温のプラズマは、例えば、放電によって少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こすことにより生成される。例えば、１０Ｐａの部分圧のＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または任意の他の好適なガスまたは蒸気が、放射の効率のよい発生には必要となりうる。放射源ＳＯから放出される放射は、放射源チャンバ４７からコレクタチャンバ４８へと、放射源チャンバ４７内の開口内またはその背後に位置決めされるガスバリアまたは汚染トラップ４９を介して渡される。汚染トラップ４９はチャネル構造を含んでもよい。汚染トラップ４９は更に、ガスバリア、または、ガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。一実施形態では、図３に示すように、Ｓｎ源がＥＵＶ源として適用される。
[0042] コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタによって形成されうる放射コレクタ５０を含む。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａと下流放射コレクタ側５０ｂを有する。放射コレクタ５０は、図２に示すように、リフレクタ１４２、１４３、および外側リフレクタ１４６といったさまざまなリフレクタを含む。コレクタ５０によって渡される放射は、格子スペクトルフィルタ５１から反射されて、コレクタチャンバ４８におけるアパーチャにある仮想放射源点５２に焦点が合わされることが可能である。コレクタチャンバ４８からは、放射ビーム５６が、照明光学ユニット４４内で、法線入射リフレクタ５３、５４を介してサポートＭＴ上に位置決めされたパターニングデバイスＭＡ上に反射される。パターン付きビーム５７が形成され、このビームは、投影システムＰＳ内で反射素子５８、５９を介して、ウェハステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像される。通常、図示するよりも多くの素子が照明光学ユニット４４および投影システムＰＳ内に存在しうる。格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプに依存して任意選択的に存在してよい。更に、図２に示すよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、５８、５９以外に１〜４個より多い反射素子が存在してもよい。
[0043] 放射コレクタ５０は、例えば、保護ホルダ、ヒータ等の更なる特徴を、外側リフレクタ１４６の外面上に、または、外側リフレクタ１４６の周りに有してもよいことは理解すべきである。参照番号１８０は、２つのリフレクタ間、例えば、リフレクタ１４２と１４３との間の空間を示す。各リフレクタ１４２、１４３、１４６は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでよく、放射源ＳＯからより離れた反射面は、放射源ＳＯにより近い反射面よりも光軸Ｏに対してより小さい角度で配置される。このようにすると、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝播するＥＵＶ放射ビームを発生するように構成される。
[0044] かすめ入射ミラーをコレクタミラー５０として使用する代わりに、法線入射ミラーを利用してもよい。コレクタミラー５０は、本明細書において、一実施形態において、リフレクタ１４２、１４３、および１４６を有するネスト状のコレクタとしてより詳細に説明するように、また、特に図２に概略的に示すように、コレクタ（またはコレクタミラー）の一例として更に用いられる。ここでは、適用可能である場合には、かすめ入射コレクタとしてのコレクタミラー５０は、一般的なコレクタとして解釈されてもよく、また、特定の実施形態では、法線入射コレクタとして解釈されてもよい。
[0045] 更に、図２に概略的に示す格子５１の代わりに、透過型光学フィルタを利用してもよい。ＥＵＶを透過しかつＵＶ放射はあまり透過しないまたはそれを実質的に吸収する光学フィルタは当技術において知られている。したがって、本明細書における「格子スペクトル純度フィルタ」は更に「スペクトル純度フィルタ」としても示され、このスペクトル純度フィルタは、格子または透過型フィルタを含んでよい。図２には示していないが、任意選択の光エレメントとして含まれるのは、例えば、コレクタミラー５０の上流に配置されるＥＵＶ透過型光学フィルタ、または、照明ユニット４４および／または投影システムＰＳ内の光学ＥＵＶ透過型フィルタであってよい。
[0046] 図１および図２の実施形態では、リソグラフィ装置１はマスクレスリソグラフィ装置であり、この装置内のパターニングデバイスＭＡはプログラマブルミラーアレイである。このようなアレイの一例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックスアドレス指定可能面である。このような装置の背後にある基本原理は、例えば、反射面のアドレス指定された領域が入射放射を回折放射として反射する一方で、アドレス指定されない領域が入射放射を非回折放射として反射するということである。適切なフィルタを用いることで、非回折放射を反射ビームから除去して回折放射のみを残すことができる。このようにして、マトリックスアドレス指定可能面のアドレス指定パターンに応じてビームにパターンが付けられる。プログラマブルミラーアレイの代替実施形態では、小型ミラーのマトリックス配置が用いられ、小型ミラーはそれぞれ、好適な局所電界を印加することによってまたはピエゾ電気アクチュエータを用いることによって軸について個々に傾斜されることが可能である。ここでも、これらのミラーは、アドレス指定されたミラーが入射放射ビームを、アドレス指定されないミラーとは異なる方向に反射するようにマトリックスアドレス指定可能である。このようにして、反射ビームは、マトリックスアドレス指定可能なミラーのアドレス指定パターンに応じてパターンが付けられる。必要なマトリックスアドレス指定は、好適な電子機器を用いて行うことができる。上述したどちらの場合においても、パターニングデバイスは、１以上のプログラマブルミラーアレイを含むことができる。ここに述べたミラーアレイに関する詳細は、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号および第５，５２３，１９３号、およびＰＣＴ公報ＷＯ９８／３８５８７およびＷＯ９８／３３０９６から分かる。プログラマブルミラーアレイの場合、サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルとして具現化されてよい。
[0047] プログラマブルミラーアレイ内のミラーのサイズは、通常、従来の（反射型または透過型）マスクにあるパターンのクリティカルディメンションより大きい。したがって、マスクレスリソグラフィ装置は、通常、非マスクレスリソグラフィ装置の縮小率（de-multiplication factor）よりも高い縮小率を有する投影レンズを必要とする。例えば、マスクレスリソグラフィ装置の縮小率は約１００であるのに対して、非マスクレスリソグラフィ装置の縮小率は約４である。したがって、所与の開口数の投影システムに関して、マスクレスリソグラフィ装置内の投影システムＰＳによって収集されるパターン付き放射ビームは、従来の（反射型または透過型）マスクを用いたリソグラフィ装置のパターン付き放射ビームより相当に小さい。これは、ひいては、マスクレスリソグラフィ装置のエタンデュを制限する。
[0048] 従来のパターニングデバイス用途のために開発された既存のＥＵＶ源は、マスクレスリソグラフィ装置の放射源エタンデュより相当に大きい放射源エタンデュを有しうるということになる。放射源のエタンデュが、リソグラフィ装置のエタンデュより大きい場合、放射は失われうる。放射の損失を補償するために、基板の露光時間が増加されうる。しかし、これは基板スループットに影響を及ぼしうる。
[0049] マスクレス装置のエタンデュが小さいことにより、放射源ＳＯによって放出された放射が全てリソグラフィ装置１によって収集されて放射損失を制限することが望ましい。放射源ＳＯによって放出された実質的に全ての放射が確実にパターニングデバイスＭＡを照射し、また、投影システムＰＳによって収集されるために、放射源ＳＯのエタンデュをリソグラフィ装置１のエタンデュと一致させることが望ましい。例えば、図１および図２の実施形態では、放射源のエタンデュを約０．０３ｍｍ２ステラジアンより低い範囲に制限することが望ましい。
[0050] 図３は、本発明の一実施形態による、図１および図２のリソグラフィ装置において用いるためのプラズマ源３００を示す。プラズマの半径方向および／または軸方向の有効サイズがプラズマ源のエタンデュを左右する。プラズマ源３００のエタンデュを調節し（例えば小さくし）、それによりプラズマ源のエタンデュをリソグラフィ装置１のエタンデュと一致させるために、プラズマ源３００は、プラズマの半径方向および／または軸方向のサイズが放電中に制御されるように、例えば小さくされるように構成される。
[0051] 図３に示すように、プラズマ源３００は、カソード３０５、アノード３１０、および、アノードとカソードとの間に配置される放電空間３１５を含む。カソード３０５およびアノード３１０は、それぞれ、共通ｚ軸を実質的に中心としたほぼ円筒形である。図３ではｚ軸は放電軸と呼ぶ。
[0052] 動作中、高温の放電プラズマがカソード３０５とアノード３１０との間の燃料に放電を印加することによって発生されうる。プラズマを発生させるために用いられる燃料は、放電空間３１５内に配置される。燃料は、固体、液体、または気体であってよい。例えば、図３の実施では、燃料は、カソード３０５の上部３０７に配置されるスズ（Ｓｎ）の薄層３０６から構成されてよい。別の実施では、燃料は、Ｘｅといったガスを含んでよい。更なる実施では、リチウムまたはインジウムといったさまざまな物質を燃料物質として用いてよい。プラズマ放電の点火は、図３に示すようにレーザ源３２５を用いて行われてよい。レーザ源３２５によって出力される放射ビーム３３０の焦点は、開口３３５を通してカソード３０５の上部３０７に合わせられる。薄層３０６におけるレーザエネルギーの吸収によって、Ｓｎが蒸発されて部分的にイオン化される。
[0053] プラズマ３２０は、カソード３０５とアノード３１０との間での放電中に、燃料物質とカソードとアノードとの間に存在する電界とによって画定される経路に沿って膨張する。特に、レーザアブレーション後、約３０〜１００ナノ秒で、燃料蒸気が膨張してアノード３１０の端に到達し、カソード３０５とアノード３１０との間に伝導路が形成される。伝導路が一旦形成されると、アノード３０５とカソード３１０との間の放電がトリガされ、それにより、プラズマ３２０内の更なるイオン化および加熱が引き起こされる。
[0054] 点火後、プラズマ３２０は、オーミック加熱によって維持される。このオーミック加熱では、カソード３０５とアノード３１０との間に流れる電流によって発生される磁界によってプラズマ中に更なるイオン化が生成される。磁界によって、ローレンツ（Lorentz）力がプラズマ３２０の粒子に作用し、それにより粒子の衝突およびイオン化が生成される。プラズマ３２０のサイズは、２つの相反する力、すなわち、プラズマ内の熱圧力とプラズマに作用する磁気圧力によって平衡状態に保たれる。磁気圧力は、Ｉ２に比例する。ここで、Ｉは放電電流である。放電電流Ｉが増加するにつれて、磁気圧力は熱圧力に対して増加する。その際に、圧力平衡は崩れ、プラズマ３２０は半径方向（すなわち、ｚ軸または放電軸に垂直）に圧縮する傾向がある。このプロセスは、ピンチ効果とも呼ばれ、これは、ＥＵＶ放射を放出する高密度且つ高温度のプラズマ柱の形成をもたらす。不安定性に起因して、このプラズマ柱は、通常、複数のエレメンタリプラズマ柱またはエレメンタリＥＵＶ源に分かれる。
[0055] 実際に、以下プラズマピンチとも呼ぶプラズマ３２０は、放電軸に沿って配置される複数のエレメンタリ源を含む。これらのエレメンタリ源は、熱点またはＥＵＶ放射点（ＥＲＰ）とも呼ばれる。これらのエレメンタリ源の特性は、例えば、プラズマを生成するために使用した燃料（Ｓｎ、Ｉｎ、Ｘｅ、…）、エレメンタリ源の形状（例えば、カソードおよびアノードのサイズ、カソードとアノードとの間の距離）、エレメンタリ源に供給されるパワーに依存しうる。ＥＵＶ放射点の半径方向のサイズと軸方向のサイズは、互いに比例してよい。例えば、プラズマ燃料がスズ（Ｓｎ）から構成される場合、ＥＵＶ放射点の半径方向のサイズおよび軸方向のサイズは、それぞれ、約０．０２ｃｍと０．０５ｃｍであってよい。
[0056] 当然であるが、これらのＥＵＶ源の最終的な半径方向サイズｒｐは、プラズマの放射特性によって決められる。実質的には、透明プラズマのオーミック加熱および放射パワーは、１／ｒｐ ２に比例する一方で、光学的に厚いプラズマの放射パワーはｒｐに比例する。ここでｒｐはピンチ柱の半径である。放射パワーは、線放射によるプラズマからのエネルギー損失として定義されうる。用語「透明プラズマ」とは、プラズマ中で燃焼された光子の平均自由工程がプラズマの特性サイズより大幅に大きい（すなわち、光子はプラズマから容易に漏れ出す）ことを意味する。用語「光学的に厚いプラズマ」とは、プラズマ中で燃焼された光子の平均自由工程が、プラズマの特性サイズより大幅に小さい状況を指す。
[0057] ある時点において、放射パワーがオーミック加熱により得られるパワーより大きくなると、プラズマは、オーミック加熱と放射パワーとの平衡に戻るよう収縮する。このプロセス中に、プラズマは、その密度（〜１／ｒｐ ２）がその半径よりも高速に増加するので光学的に厚くなる。光学的に厚いプラズマの収縮によって、放射パワーが減少する一方で、オーミック加熱により得られるパワーは増加する。プラズマの収縮は、これらの２つのパワーが等しくなると停止する。このプロセスをｚピンチの「放射崩壊」と呼んでもよい。
[0058] プラズマピンチ３００の半径方向および／または軸方向のサイズを縮小すると、リソグラフィ装置によって収集される放射量が増加しうる。例えば、図３に示すように、プラズマピンチ３００の半径方向のサイズの縮小、すなわち、ｚ軸に実質的に垂直な方向におけるプラズマピンチ３００の縮小は、アノード３１０および／またはｚ軸に近接して配置されうる任意の他の要素によって遮断される放射の量を縮小しうる。アノード３１０によって遮断される放射が少ないので、プラズマ源に供給されるパワーは少なくてすみ、これは、プラズマ源の寿命に有益である。
[0059] プラズマ３２０の半径方向および／または軸方向のサイズを制御する、例えば、縮小するために、プラズマ源３００は、プラズマ３２０による放射損失または放射放出を増加するように構成される（すなわち、放射パワーが増加される）。例えば、ＳｎおよびＩｎプラズマは異なる波長で放射する。その結果、透明ＳｎおよびＩｎ混合体の放射損失は、透明Ｓｎプラズマにおけるよりも大きい。これは、オーミック加熱と放射パワーとの間に平等を確立するためにプラズマ柱はより小さい半径に収縮することを意味する。
[0060] 図３の実施形態では、放射損失は、燃料に１以上の物質、混合剤、または元素を添加することによりプラズマ３２０中で増加される。物質、混合剤、または元素は、所望のまたは所定の波長範囲またはスペクトル内の放射損失または放出を増加させるその適性によって添加される。この文脈において、表現「所望のまたは所定の波長範囲またはスペクトル」とは、「帯域内放射」範囲とも呼ばれる、ＥＵＶリソグラフィに用いられるスペクトル範囲より広い、「帯域外ＥＵＶ放射」範囲とも呼ばれるスペクトル範囲を意味する。例えば、１３．５ｎｍにおけるＥＵＶプラズマ源の最適な電子温度Ｔｃは、約３０〜５０ｅＶである。この電子温度Ｔｃにおいて、プラズマは、原則的に、約０．５〜５ｋＴｅの範囲内の光子エネルギーで効果的に放出しうる。つまり、「帯域外ＥＵＶ」波長範囲は、約５〜１００ｎｍである。この範囲において効果的に放射しうる元素を添加することで、プラズマの放射損失を増加しうる。例えば、一実施形態では、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）または鉛（Ｐｂ）といった低融点元素を用いて、プラズマピンチ３２０における放射損失を増加しうる。
[0061] 物質、混合剤、または元素の選択は、プラズマ３２０を発生するために用いられた燃料の性質に基づいてよい。特に、物質、混合剤、または元素の選択は、放射損失がプラズマの放出サイズまたは面に主に影響を与える検討下の燃料用の波長範囲またはスペクトルに基づいてよい。例えば、スズ（Ｓｎ）の場合、スペクトルの小さい部分（約１３．０ｎｍから約１４．０ｎｍまで）しか放射損失によって占められない。５〜１００ｎｍの範囲に属する波長範囲におけるプラズマインチにおける放射損失または放射放出を増加する場合、均衡が乱され、プラズマピンチの半径方向および／または軸方向のサイズが制御される、例えば、縮小される。
[0062] したがって、本発明の一実施形態では、プラズマピンチの半径方向および／または軸方向のサイズの制御、例えば縮小は、以下の方法に応じて行われてよい。第一に、燃料が、帯域内ＥＵＶ放射を与えるその特性によって選択される。この方法は、次に、帯域外ＥＵＶ範囲内の放射放出を生成するように適応された物質が選択される第２の手順に進む。この第２の手順後、この物質は燃料に添加されて、プラズマピンチの半径方向および／または軸方向のサイズが制御される、例えば縮小される。
[0063] 更に、プラズマピンチ３２０の半径方向および／または軸方向のサイズを制御する、例えば縮小することに加えて、物質、混合剤、または元素がプラズマ源の動作温度を相当に減少しうる。このこともプラズマ源の寿命を有効に延長する。例えば、ＳｎおよびＩｎの燃料混合体を含むプラズマ源は、約２５０℃の動作温度を有する。その一方で、Ｓｎのみを含む従来のプラズマ源は、約３００℃の動作温度を有する。同様に、ＳｎおよびＧａの燃料混合体を含むプラズマ源は、約２０℃〜２５℃（すなわち、室温）の動作温度を有する。別の例として、ＳｎおよびＡｌの燃料混合体を含むプラズマ源は、約５００℃の動作温度を有する。
[0064] 一実施形態では、物質、混合剤、または元素は、燃料が放電空間３１５内に導入される前に燃料と混合されてよい。例えば、図３の実施形態では、燃料は、薄層３０６の一部であってよい。この構成では、薄層３０６は固体であっても液体であってもよい。別の例として、物質、混合剤、または元素は、図４に示すように液体燃料供給源に添加されてよい。
[0065] 図４は、本発明の一実施形態によるプラズマ源４００を示す。プラズマ源４００は、カソード４０５、アノード４１０、および、カソード４０５とアノード４１０との間に配置された放電空間４１５を含む。カソード４０５およびアノード４１０は円筒形であってよく、また、それぞれ、各々のシャフト４２０ａ、ｂに回転可能に取り付けられてよい。シャフト４２０ａ、ｂは、駆動ユニット（図４には図示せず）によって駆動されてカソード４０５およびアノード４１０を回転させる。
[0066] 図４に示すように、プラズマ源４００は、燃料４３５をカソード４０５に供給するように構成された燃料供給源４２５も含む。燃料供給源４２５は、燃料４３５を含む容器４３０を含む。プラズマ源４００は更に、放射ビーム４５０を出力するように構成されたレーザ源４４５を更に含む。動作中、燃料４３５の層またはコーティング４４０が、カソード４０５の回転によってカソード４０５の外面上に形成される。カソード４０５およびアノード４１０上に形成された燃料コーティング４４０は、カソード４０５およびアノード４１０を冷却するおよび／または保護するための冷却および／または保護層を維持する働きをする。カソード４０５およびアノード４１０の回転速度は、コーティング４００の所望の厚さに基づいて調節されてよい。
[0067] プラズマ放電の点火は、図３の実施形態におけるのと同様にレーザ源４４５を用いて行われる。特に、レーザ源４４５によって出力された放射ビーム４４５の焦点が、コーティング４４０上に合わされる。コーティングにおけるレーザエネルギーの吸収によって、燃料４３５は蒸発されて部分的にイオン化されて、プラズマ４５５が形成される。プラズマ４５５は、カソード４０５とアノード４１０との間の放電中に、カソードとアノードとの間の電界と燃料物質によって画定される経路に沿って膨張する。
[0068] プラズマ４５５のサイズまたは容積の制御は、図４の実施形態では、１以上の物質、混合剤、または元素を、放射ビーム４５０によってイオン化されるコーティング４４０の一部が燃料４３５と物質、混合剤、または元素との実質的に均質的な混合体を含むように燃料供給源４２５に添加することによって行われる。燃料４３５と物質、混合剤、または元素とのイオン化された均質な混合体は、プラズマ４５５のサイズまたは容積がプラズマ放電中に実質的に制御可能であるようにカソード４０５とアノード４１０との間を伝播する。
[0069] あるいは、物質、混合剤、または元素は、燃料が放電空間４１５内に導入されるそのときにまたは導入後に添加されてもよい。さらに、物質、混合剤、または元素は、プラズマの点火前または点火後に燃料供給源に添加されてもよい。また、プラズマによって決められる容積の制御、例えば縮小は、燃料供給源内の混合剤の濃度を調節することによって行われてもよい。
[0070] 図５は、本発明の一実施形態による、図１および図２のリソグラフィ装置において使用するためのプラズマ源５００を示す。プラズマ源５００は、カソード５０５、アノード５１０、および、アノードとカソードとの間に配置される放電空間５１５を含む。プラズマ源は更に、放射ビーム５３０を出力するように構成されたレーザ源５２５を含む。カソード５０５およびアノード５１０は、それぞれ、共通ｚ軸を実質的に中心としたほぼ円筒形であってよい。図５ではｚ軸は放電軸と呼ぶ。図３と同様に、燃料は、カソード５０５の最上部に設けられてよい。あるいは、燃料は、供給ノズル（図５には図示せず）を介して放電空間５１５内に導入されるガスであってもよい。
[0071] プラズマ源５００は更に、放電空間５１５内に物質、混合剤、または元素を供給するように構成された供給ユニット５２０を含む。物質、混合剤、または元素５３５は、例えば、ガス、液体、または固体といったようにさまざまな形態で放電空間５１５内に導入されてよい。
[0072] 図３乃至図５の実施形態では、物質、混合剤、または元素の濃度および／または圧力は、プラズマピンチ５４５の所望の半径方向および／または軸方向のサイズに基づいて決定され且つ調節されてよい。この濃度は、当業者には理解されるように較正によって決定されてよい。あるいは、混合剤または元素の濃度および／または圧力を動的に変更して、プラズマピンチの半径方向および／または軸方向のサイズを調節しうる。例えば、一実施形態では、供給ユニット５２０は、混合剤または元素の濃度および／または圧力を調節するコントローラ５５０と連通してよい。コントローラ５５０は、放電中にプラズマピンチ５４５をモニタリングするように構成されたモニタリングユニット（例えば、カメラ、図５に図示せず）に動作可能に連結されてもよい。モニタリングユニットを用いて、プラズマピンチの（軸方向および／または半径方向の）サイズを決定しうる。モニタリングユニットの結果に基づいて、コマンド５５５をコントローラ５５０に入力して、物質、混合剤、または元素の初期濃度および／または圧力を調節し、それにより、プラズマピンチ５４５の半径方向および／または軸方向のサイズを変更する、例えば、減少または増加する。
[0073] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を含むフラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよいことは理解されよう。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0074] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途に使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。
[0075] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
[0076] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
[0077] 本発明の実施形態は、リソグラフィ装置の用途またはリソグラフィ装置における使用に限定されない。さらに、図面は、通常、本発明の実施形態を理解するのに必要な構成要素および特徴のみを含む。それ以外は、リソグラフィ装置の図面は概略的でありまた縮尺が取られているわけではない。本発明の実施形態は、概略図に示すこれらの構成要素（例えば、概略図に示すミラー数）に限定されない。更に、本発明の実施形態は、図１および図２に関連して説明したリソグラフィ装置に限定されない。

Claims (43)

  1. リソグラフィ装置において使用するための放射を発生させる方法であって、
    カソードとアノードとの間に配置される放電空間に燃料を供給することと、
    前記燃料内で前記カソードと前記アノードとの間に放電を生成してプラズマを形成することと、
    前記プラズマによる放射放出を制御して前記プラズマにより画定される容積を調節することと、
    を含み、
    前記調節することは、前記プラズマに物質を供給して前記放射放出を制御することを含む、方法。
  2. 前記物質は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、またはＡｌのうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記燃料は、Ｓｎ、Ｘｅ、またはＬｉのうち少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の方法。
  4. 前記物質および前記燃料は、前記放電空間に別々に供給される、先行する請求項のうちいずれかに記載の方法。
  5. 前記物質は、前記燃料を含む混合体の一部である、先行する請求項のうちいずれかに記載の方法。
  6. 前記混合体は、固体または液体である、請求項５に記載の方法。
  7. 前記放電を生成する前に、前記混合体を前記カソードに供給することを更に含む、請求項５または６に記載の方法。
  8. 前記物質は、所定の波長範囲における放射放出を増加するように選択される、先行する請求項のうちいずれかに記載の方法。
  9. 前記プラズマにより画定される容積を調節することは、前記プラズマの半径方向のサイズを減少することを含む、先行する請求項のうちいずれかに記載の方法。
  10. 前記調節することは、前記プラズマを発生させるように構成された放射源のエタンデュが前記リソグラフィ装置のエタンデュと実質的に一致するように、前記プラズマによって画定される前記容積を制御することを含む、先行する請求項のうちいずれかに記載の方法。
  11. デバイス製造方法であって、
    放射ビームを発生することと、
    前記放射ビームにパターン形成してパターン付き放射ビームを形成することと、
    前記パターン付き放射ビームを基板に投影することと、
    を含み、
    前記発生することは、
    カソードとアノードとの間に配置される放電空間に燃料を供給することと、
    前記燃料内で前記カソードと前記アノードとの間に放電を生成してプラズマを形成することと、
    前記プラズマによる放射放出を制御して前記プラズマにより画定される容積を調節することと、
    を含み、
    前記調節することは、前記プラズマに物質を供給して前記放射放出を制御することを含む、方法。
  12. 前記物質は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、またはＡｌのうち少なくとも１つを含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記燃料は、Ｓｎ、Ｘｅ、またはＬｉのうち少なくとも１つを含む、請求項１１または１２に記載の方法。
  14. 前記物質および前記燃料は、前記放電空間に別々に供給される、請求項１１から１３のうちいずれかに記載の方法。
  15. 前記物質は、所定の波長範囲における放射放出を増加するように選択される、請求項１１から１４のうちいずれかに記載の方法。
  16. 前記調節することは、前記プラズマを発生するように構成された放射源のエタンデュが前記放射ビームにパターン形成するように構成されたリソグラフィ装置のエタンデュと実質的に一致するように、前記プラズマによって画定される前記容積を減少することを含む、請求項１１から１５のうちいずれかに記載の方法。
  17. リソグラフィ装置用の放射を発生させる放射源であって、
    カソードおよびアノードを含み、前記カソードおよび前記アノードは、放電空間内に配置された燃料内に放電を生成してプラズマを発生させる構成され、前記放電空間は、使用中、前記プラズマによる放射放出を調節して前記プラズマによって画定される容積を制御する物質を含む、放射源。
  18. 前記物質は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、またはＡｌのうち少なくとも１つを含む、請求項１７に記載の放射源。
  19. 前記燃料は、Ｓｎ、Ｘｅ、またはＬｉのうち少なくとも１つを含む、請求項１７または１８に記載の放射源。
  20. 前記放電空間に前記燃料を供給する燃料供給源を更に含む、請求項１７から１９のうちいずれかに記載の放射源。
  21. 前記放電空間に前記物質を供給する供給源を更に含む、請求項１７から２０のうちいずれかに記載の放射源。
  22. 前記物質および前記燃料は、前記放電空間に別々に供給される、請求項２１に記載の放射源。
  23. 前記物質は、前記燃料を含む混合体の一部である、請求項１７から２２のうちいずれかに記載の放射源。
  24. 前記混合体は、固体または液体である、請求項２３に記載の放射源。
  25. 前記混合体は、前記カソード上に配置される、請求項２３または２４に記載の放射源。
  26. 前記物質は、所定の波長範囲における前記放射放出を増加するように選択される、請求項１７から２５のうちいずれかに記載の放射源。
  27. 前記物質は、前記プラズマの半径方向のサイズを減少させる、請求項１７から２６のいずれかに記載の放射源。
  28. 前記放電空間に前記燃料と前記物質の両方を供給する供給源を更に含む、請求項１７から２７のうちいずれかに記載の放射源。
  29. 前記放射源のエタンデュは前記リソグラフィ装置のエタンデュと実質的に一致する、請求項１７から２８のうちいずれかに記載の放射源。
  30. 放射を発生させる放射源であって、前記放射源は、カソードおよびアノードを含み、前記カソードおよび前記アノードは、放電空間内に配置された燃料内に放電を生成してプラズマを発生させ、前記放電空間は、使用中、前記プラズマによる放射放出を調節して前記プラズマによって画定される容積を制御する物質を含む、放射源と、
    パターニングデバイスを保持するパターンサポートであって、前記パターニングデバイスは、前記放射にパターン形成してパターン付き放射ビームを形成する、パターンサポートと、
    基板を支持する基板サポートと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板上に投影する投影システムと、
    を含む、リソグラフィシステム。
  31. 前記物質は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、またはＡｌのうち少なくとも１つを含む、請求項３０に記載の装置。
  32. 前記燃料は、Ｓｎ、Ｘｅ、またはＬｉのうち少なくとも１つを含む、請求項３０または３１に記載の装置。
  33. 前記放電空間に前記燃料を供給する燃料供給源を更に含む、請求項３０から３２のうちいずれかに記載の装置。
  34. 前記放電空間に前記物質を供給する供給源を更に含む、請求項３０から３３のうちいずれかに記載の装置。
  35. 前記物質および前記燃料は、前記放電空間に別々に供給される、請求項３０から３４のいずれかに記載の装置。
  36. 前記物質は、前記燃料を含む混合体の一部である、請求項３０から３５に記載の装置。
  37. 前記混合体は、固体または液体である、請求項３６に記載の装置。
  38. 前記混合体は、前記カソード上に配置される、請求項３６または３７に記載の装置。
  39. 前記物質は、所定の波長範囲における前記放射放出を増加するように選択される、請求項３０から３８のいずれかに記載の装置。
  40. 前記物質は、前記プラズマの半径方向のサイズを減少するように構成される、請求項３０から３９のうちいずれかに記載の装置。
  41. 前記放電空間に前記燃料と前記物質の両方を供給する供給源を更に含む、請求項３０から４０のいずれかに記載の装置。
  42. 前記放射源のエタンデュは、前記リソグラフィ装置のエタンデュに実質的に一致する、請求項３０から４１のいずれかに記載の装置。
  43. 前記パターニングデバイスは、プログラマブルミラーアレイを含む、請求項３０から４２のいずれかに記載の装置。
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