JP2006186373A - リソグラフィ装置、照明システム、およびデブリ粒子を抑制するための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によれば、所定の周波数で放射線バーストを生成するための放射源と、放射線を条件付けるための照明システムと、放射線にパターンを付与するためのパターン化デバイスと、パターンを付与された放射線を基板に投射するための投影システムとを有し、照明システムが、放射線の生成により放出されるデブリ粒子を抑制するためのデブリ抑制システムを含むリソグラフィ装置が提供される。このデブリ抑制システムは、所定の周波数に基づいて、動的適用可能コンディションを適用し、このコンディションにデブリ粒子は暴露される。
【選択図】図2a
Description
(1)ステップ・モード
マスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射線ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影される(すなわち単一の静止露光)。次に、基板テーブルWTがXおよび/またはY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モード
放射線ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間にマスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)およびイメージ反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによってターゲット部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
(3)その他のモード
プログラム可能パターン化デバイスを保持するようにマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射線ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間に基板テーブルWTが移動もしくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、あるいは連続する放射線パルスと放射線パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用したマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
B 磁界
BG バッファ・ガス
B1、B2 ガスを含有したボトル
C 基板のターゲット部分
CA コンディション・アプリケータ
D デブリ抑制システム
DP デブリ粒子
E 電界
EG 電子銃
F 周波数発生器(周波数モニタ)
FDP 高速デブリ粒子
GS ガス・サプライ
GR ガス排気
H 加熱器
IF1、IF2 位置センサ
IG イオン銃
IL 照明システム(イルミネータ)
L ランプ
MA パターン化デバイス(マスク)
MI ミラー
MT 支持構造(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
P プラズマ
PG プラズマ発生器
PM 第1のポジショナ
PS 投影システム
PW 第2のポジショナ
P1、P2 基板アライメント・マーク
R、R1、R2 領域
SDP より低速のデブリ粒子
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (33)
- 所定の周波数で放射線バーストを生成するための放射源と、
前記放射線を条件付けるための照明システムと、
前記放射線にパターンを付与するためのパターン化デバイスと、
パターンが付与された前記放射線を基板に投射するための投影システムと
を有するリソグラフィ装置であって、
前記照明システムが、前記放射線の生成により放出されるデブリ粒子を抑制するためのデブリ抑制システムを有していること、および
前記デブリ抑制システムは、前記所定の周波数に基づいて、動的適用可能コンディションを適用するように構成されており、前記デブリ粒子はこの動的適用可能コンディションに暴露されるようになっていること
を特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記デブリ抑制システムは、前記放射源から延びる経路の所定の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には前記領域における抑制のための前記コンディションが強化されるように、また前記領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には前記領域における抑制のための前記コンディションが緩和されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用するように構成されている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射源から延びる経路の複数の位置に対しても前記コンディションを動的に適用することができる請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記デブリ抑制システムは、前記放射源から延びる経路の第1の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には前記第1の領域における抑制のための前記コンディションが強化されるように、また前記経路の第2の領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には前記第2の領域における抑制のための前記コンディションが緩和されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用するように構成されている請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記デブリ抑制システムが、バッファ・ガスを提供するためのガス・サプライを有し、前記バッファ・ガスの存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ガス・サプライは、分子の重量が相対的に重いガス分子を有する第1のガス源と、分子の重量が相対的に軽いガス分子を有する第2のガス源とを有し、前記バッファ・ガスの組成が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記デブリ抑制システムが、前記デブリ粒子をイオン化するための電子銃またはイオン銃であって、電子ビームまたはイオン・ビームをそれぞれ生成する電子銃またはイオン銃を有し、前記電子ビームまたは前記イオン・ビームの存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記デブリ抑制システムが、前記デブリ粒子を加熱するための加熱器を有し、前記デブリ粒子が晒される温度が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記デブリ抑制システムが、プラズマを生成するためのプラズマ発生器を有し、前記プラズマの存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記デブリ抑制システムが、電界を生成するための電界発生器を有し、前記電界の存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記デブリ抑制システムが、磁界を生成するための磁界発生器を有し、前記磁界の存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置内の放射線を条件付けるように構成された照明システムであって、前記照明システムは、前記放射線の生成により放出されるデブリ粒子を抑制するためのデブリ抑制システムを有し、前記デブリ抑制システムは、前記照明システムによって条件付けされる前記放射線のバーストを放射源が生成する所定の周波数に基づいて、動的適用可能コンディションを提供するように構成されており、前記デブリ粒子はこの動的適用可能コンディションに暴露されるようになっている照明システム。
- 前記デブリ抑制システムが、前記放射源から延びる経路の所定の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には前記領域における抑制のための前記コンディションが強化されるように、また前記領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には前記領域における抑制のための前記コンディションが緩和されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用するように構成されている請求項12に記載の照明システム。
- 前記放射源から延びる経路の複数の位置に対しても前記コンディションを動的に適用することができる請求項12に記載の照明システム。
- 前記デブリ抑制システムが、前記放射源から延びる経路の第1の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には前記第1の領域における抑制のための前記コンディションが強化されように、また前記経路の第2の領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には前記第2の領域における抑制のための前記コンディションが緩和されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用するように構成されている請求項14に記載の照明システム。
- 前記デブリ抑制システムが、バッファ・ガスを提供するためのガス・サプライを有し、前記バッファ・ガスの存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項12に記載の照明システム。
- 前記ガス・サプライは、分子の重量が相対的に重いガス分子を有する第1のガス源と、分子の重量が相対的に軽いガス分子を有する第2のガス源とを有し、前記バッファ・ガスの組成が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項16に記載の照明システム。
- 前記デブリ抑制システムが、前記デブリ粒子をイオン化するための電子銃またはイオン銃であって、電子ビームまたはイオン・ビームをそれぞれ生成する電子銃またはイオン銃を有し、前記電子ビームまたは前記イオン・ビームの存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項12に記載の照明システム。
- 前記デブリ抑制システムが、前記デブリ粒子を加熱するための加熱器を有し、前記デブリ粒子が晒される温度が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項12に記載の照明システム。
- 前記デブリ抑制システムが、プラズマを生成するためのプラズマ発生器を有し、前記プラズマの存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項12に記載の照明システム。
- 前記デブリ抑制システムが、電界を生成するための電界発生器を有し、前記電界の存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項12に記載の照明システム。
- 前記デブリ抑制システムが、磁界を生成するための磁界発生器を有し、前記磁界の存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である請求項12に記載の照明システム。
- リソグラフィに使用するための放射線の生成により放出されるデブリ粒子を抑制するための方法であって、前記放射線のバーストが生成される周波数である所定の周波数に基づいて、デブリ粒子を抑制するための動的コンディションを適用するステップを含む方法。
- 前記適用ステップは、放射線が伝搬する経路あるいは放射線が伝搬した経路の所定の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には前記領域における抑制のための前記コンディションが強化されるように、また前記領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には前記領域における抑制のための前記コンディションが緩和されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用するステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記適用ステップは、放射線が伝搬する経路あるいは放射線が伝搬した経路の複数の位置に対しても前記コンディションを動的に適用するステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記適用ステップは、放射線が伝搬する経路あるいは放射線が伝搬した経路の第1の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には前記第1の領域における抑制のための前記コンディションが強化されるように、また前記経路の第2の領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には前記第2の領域における抑制のための前記コンディションが緩和されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用するステップを含む請求項25に記載の方法。
- 前記コンディションを適用する前記ステップが、ガス・サプライを使用して前記デブリ粒子にバッファ・ガスを供給するステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記コンディションを適用する前記ステップが、組成が動的に変化するバッファ・ガスを供給するステップを含む請求項27に記載の方法。
- 前記コンディションを適用する前記ステップが、電子銃またはイオン銃を使用して前記デブリ粒子をイオン化するために、電子ビームまたはイオン・ビームをそれぞれ生成するステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記コンディションを適用する前記ステップが、加熱器を使用して前記デブリ粒子を加熱するステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記コンディションを適用する前記ステップが、プラズマ発生器を使用してプラズマを生成するステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記コンディションを適用する前記ステップが電界を生成するステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記コンディションを適用する前記ステップが磁界を生成するステップを含む請求項23に記載の方法。
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