TWI451814B - 輻射系統、微影裝置及用於抑制輻射系統中之碎片的方法 - Google Patents

輻射系統、微影裝置及用於抑制輻射系統中之碎片的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI451814B
TWI451814B TW098113068A TW98113068A TWI451814B TW I451814 B TWI451814 B TW I451814B TW 098113068 A TW098113068 A TW 098113068A TW 98113068 A TW98113068 A TW 98113068A TW I451814 B TWI451814 B TW I451814B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
radiation
magnetic field
plasma
concentrator
gas
Prior art date
Application number
TW098113068A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201012304A (en
Inventor
Vadim Yevgenyevich Banine
Erik Roelof Loopstra
Vladimir Vitalevich Ivanov
Vladimir Mihailovitch Krivtsun
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201012304A publication Critical patent/TW201012304A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI451814B publication Critical patent/TWI451814B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component

Description

輻射系統、微影裝置及用於抑制輻射系統中之碎片的方法
本發明係關於一種輻射系統及一種微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。
微影術被廣泛地認為係製造IC及其他器件及/或結構時之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影術所製造之特徵的尺寸變得更小，微影術變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更臨界因素。
圖案列印限度之理論估計可由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示：
其中λ為所使用之輻射的波長，NAPS 為用以列印圖案之投影系統的數值孔徑，k1 為過程依賴性調整因數(亦被稱作瑞立常數)，且CD為經列印特徵之特徵尺寸(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可列印尺寸的減少：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NAPS ，或藉由降低k1 之值。
為了縮短曝光波長且因此減少最小可列印尺寸，已提議使用遠紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射源經組態以輸出約13nm之輻射波長。因此，EUV輻射源可構成針對達成小特徵列印之重要步驟。該輻射被稱作遠紫外線或軟x射線，且可能源包括(例如)雷射產生之電漿源、放電電漿源，或來自電子儲存環之同步加速器輻射。
當前EUV源使用機械器件及氣體或磁場，以便終止電漿、中性及離子碎片。當前，碎片之抑制(特別係在雷射產生之電漿(LPP)源中)為不充分的(高達10nm/Mshot錫沈積)。
需要提供一種用於微影裝置之改良型輻射系統。亦需要提供一種可減少收集於輻射系統之集光器上之碎片量的用於微影裝置之輻射系統。
根據本發明之一實施例，提供一種經組態以產生輻射光束之輻射系統，輻射系統包含：輻射源，輻射源經組態以產生發射輻射及碎片之電漿；輻射集光器，輻射集光器用以將經收集輻射引導至輻射光束發射孔徑；及磁場產生器，磁場產生器經組態以產生具有磁場強度梯度之磁場以將電漿引導遠離於輻射集光器。
根據本發明之一實施例，提供一種用於抑制輻射系統中之碎片的方法，輻射系統包含輻射源及輻射集光器，方法包含：產生發射輻射及碎片之電漿；使用輻射集光器而收集輻射；及在輻射系統內產生磁場梯度以將電漿引導遠離於輻射集光器。
根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，微影裝置包含：輻射系統，輻射系統經組態以產生輻射光束，輻射系統包含：輻射源，輻射源經組態以產生發射輻射及碎片之電漿；輻射集光器，輻射集光器用以將經收集輻射引導至輻射光束發射孔徑；磁場產生器，磁場產生器經組態以產生磁場梯度以將電漿引導遠離於輻射集光器；照明系統，照明系統經建構及配置以自輻射光束發射孔徑接收經收集輻射，且將經收集輻射調節成輻射光束；支撐件，支撐件經建構及配置以支撐圖案化器件，圖案化器件經組態以向輻射光束之橫截面賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；及投影系統，投影系統經建構及配置以將經圖案化輻射光束投影至基板上。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪可為或包括本發明之一實施例之微影裝置的實施例。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構或圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或主光罩)MA且連接至經組態以精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以精確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以視圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
術語「投影系統」可涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可能需要將真空用於EUV或電子束輻射，因為其他氣體可能吸收過多輻射或電子。因此，可借助於真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。源SO可為輻射系統3(亦即，輻射產生單元3)之一部分。輻射系統3與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射系統3形成微影裝置之一部分，且輻射光束係借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射系統3之源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，輻射源可為微影裝置之整體部分。
可以各種方式來組態輻射系統3之源SO。舉例而言，源SO可為雷射產生之電漿源(LPP源)(例如，錫LPP源(本身已知該等LPP源))或放電產生之電漿源(DPP源)。源SO亦可為不同類型之輻射源。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器及聚光器。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由圖案化器件圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑來精確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2示意性地展示EUV微影裝置之另一實施例，其具有類似於圖1之實施例中所展示之裝置之操作的操作原理。在圖2之實施例中，裝置包括源集光器模組或輻射單元3(在本文中亦被稱作輻射系統)、照明系統IL及投影系統PS。根據一實施例，輻射單元3具備輻射源SO，較佳地為雷射產生之電漿(「LPP」)源。在本實施例中，由輻射源SO所發射之輻射可經由氣體障壁或「箔捕捉器」9而自源腔室7傳遞至腔室8中。在圖2中，腔室8包括輻射集光器10。
圖2描繪掠入射集光器10之應用。然而，集光器可為正入射集光器(特別係在源為LPP源之情況下)。
輻射可自腔室8中之孔徑聚焦於虛擬源點12(亦即，中間焦點IF)中。自腔室8，輻射光束16係在照明系統IL中經由正入射反射器13、14而反射至定位於支撐結構或圖案化器件支撐件(例如，主光罩或光罩台)MT上之圖案化器件(例如，主光罩或光罩)上。形成經圖案化光束17，經圖案化光束17係由投影系統PS經由反射元件18、19而成像至晶圓平台或基板台WT上。通常，比所示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。
反射元件19中之一者可在其前方具有數值孔徑(NA)圓盤20，NA圓盤20具有穿過其中之孔徑21。在經圖案化輻射光束17撞擊基板台WT時，孔徑21之尺寸判定由經圖案化輻射光束17所對向之角度αi 。
在其他實施例中，輻射集光器為以下集光器中之一或多者：經組態以將經收集輻射聚焦至輻射光束發射孔徑中之集光器；具有與源重合之第一焦點及與輻射光束發射孔徑重合之第二焦點的集光器；正入射集光器；具有單一大體上橢球輻射收集表面截面之集光器；及具有兩個輻射收集表面之Schwarzschild集光器。
又，在另一實施例中，輻射源SO可為雷射產生之電漿(LPP)源，LPP源包括經組態以將預定波長之相干光束聚焦至燃料上的光源。
舉例而言，圖3以橫截面展示包括正入射集光器70之輻射源單元3的實施例。集光器70具有橢圓形組態，橢圓形組態具有兩個自然橢圓焦點F1、F2。特定言之，正入射集光器包括具有單一輻射收集表面70s之集光器，單一輻射收集表面70s具有橢球之截面之幾何形狀。換言之：橢球輻射收集表面截面沿著虛擬橢球(其一部分係藉由圖式中之虛線E而描繪)而延伸。
熟習此項技術者應瞭解，在集光器鏡面70為橢球體(亦即，包括沿著橢球而延伸之反射表面70s)的情況下，其將輻射自一焦點F1聚焦至另一焦點F2中。焦點係以離橢圓之中心之距離f=(a2-b2)1/2而位於橢球之長軸上，其中2a及2b分別為主軸及次軸之長度。在圖1所示之實施例包括LPP輻射源SO的情況下，集光器可為如圖3所示之單一橢球體鏡面，其中光源SO定位於鏡面之一焦點(F1)中，且中間焦點IF建立於鏡面之另一焦點(F2)中。自位於第一焦點(F1)中之輻射源朝向反射表面70s所發出之輻射及由該表面朝向第二焦點F2所反射之經反射輻射係藉由圖式中之線r而描繪。舉例而言，根據一實施例，所提及之中間焦點IF可位於微影裝置之集光器與照明系統IL(見圖1、圖2)之間，或必要時位於照明系統IL中。
圖4以橫截面示意性地展示根據本發明之一實施例的輻射源單元3'，其包括集光器170。在此情況下，集光器包括兩個正入射集光器部分170a、170b，每一部分170a、170b較佳地(但未必)具有大體上橢球輻射收集表面截面。特定言之，圖4之實施例包括較佳地由兩個鏡面170a、170b組成之Schwarzschild集光器設計。源SO可位於第一焦點F1中。舉例而言，第一集光器鏡面部分170a可具有凹入反射表面(例如，橢球或拋物線形狀)，凹入反射表面經組態以聚焦自第一焦點F1朝向第二集光器鏡面部分170b(特別係朝向第二焦點F2)所發出之輻射。第二鏡面部分170b可經組態以朝向另一焦點IF(例如，中間焦點)聚焦由第一鏡面部分170a朝向第二焦點F2所引導之輻射。第一鏡面部分170a包括孔徑172，輻射(由第二鏡面170b所反射)可經由孔徑172而朝向另一焦點IF進行透射。舉例而言，可有益地結合DPP輻射源而使用圖4之實施例。
如圖5所說明，在本實施例中，源SO為LPP源，LPP源與經組態以產生具有預定波長之雷射相干光束的雷射源相關聯。在雷射產生之電漿過程中，將雷射光LB聚焦至燃料源SO上(燃料(例如)係由燃料供應商供應且(例如)包括燃料小液滴(例如，錫小液滴))以自此產生輻射。在此實施例中，所得輻射可為EUV輻射。在一非限制性實施例中，雷射光之預定波長為10.6微米(亦即，μm)。舉例而言，熟習此項技術者應瞭解，燃料可為錫(Sn)或不同類型之燃料。
輻射集光器70可經組態以收集由源SO所產生之輻射，且將經收集輻射聚焦至腔室3之下游輻射光束發射孔徑60。
舉例而言，源SO可經組態以發射發散輻射，且集光器70可經配置以反射該發散輻射以提供朝向發射孔徑60會聚之會聚輻射光束(如在圖3及圖4中)。特定言之，集光器70可將輻射聚焦至系統之光軸O上的焦點IF上(見圖2)，該焦點IF位於發射孔徑60中。
發射孔徑60可為圓形孔徑，或具有另一形狀(例如，橢圓形、正方形或另一形狀)。發射孔徑60較佳地較小，例如，具有小於約10公分(較佳地小於1公分)之直徑(在與輻射透射方向T橫向之方向上量測，例如，在孔徑60具有圓形橫截面的情況下，在徑向方向上量測)。較佳地，光軸O經由孔徑60而在中心延伸，然而，此並非必需的。
可認為可由輻射源SO產生之碎片(排除微粒子)係由電漿(相互作用離子及電子)、離子(非相互作用離子)及中性粒子(所謂的「中性物」)組成。為了減輕碎片且大體上防止碎片收集於集光器之反射表面或鏡面上，可提供碎片減輕系統200。碎片減輕系統可包括磁場產生器，磁場產生器經建構及配置以在輻射源SO及集光器70附近產生磁場。
如圖6所說明，由輻射源所產生之電漿210可藉由磁場梯度而偏離於集光器之反射表面70(例如，ML鏡面)而進入低磁場之方向上。在圖5、圖6及圖7所說明之實施例中，由磁場產生器所產生之磁場在集光器鏡面之集光器側之反射表面附近具有高磁值(亦即，較強)且遠離於集光器具有較低磁值(亦即，較弱)，使得存在形成於磁場內之梯度。此係藉由圖中之磁場線220的分離而說明。此等磁場線220離集光器70愈遠分開得愈大。亦即，鄰近於集光器之磁場的值高於更遠離於該集光器之磁場的值。藉由具有在集光器附近較強且在遠離於集光器之距離處較弱的磁場，磁場產生器經組態以在平行於輻射集光器之中心光軸的方向上以至少一分量而將電漿引導遠離於集光器。較佳地，如所說明，在遠離於輻射集光器之方向上大體上平行於中心光軸而引導電漿。電漿(彼此相互作用之電子與離子的集合)之性質為：其將趨向於朝向較低磁場而移動。因此，考慮本發明之磁場產生器的另一方式為：其經組態以在電漿之每一側上產生不同強度之磁場。磁場強度在電漿與輻射集光器之間比在電漿之其他側(亦即，更遠離於輻射集光器之彼等側)上強。
如圖6及圖7所示，氣體供應源230可經組態以將諸如氫氣(H2 )或氘氣(D2 )或氦氣(He)之氣體供應至磁場220中，亦即，至產生電漿之容積(腔室3)中。氣體可與電漿210相互作用。因為氣體具有質量，所以電漿210之偏離流動(亦即，電漿歸因於磁梯度而遠離於集光器之移動)可能減慢，但可能不停止。氣體供應源可經組態以供應氣體，使得在產生電漿之容積中，氣體具有大於10Pa、30Pa或50Pa(理想地大於75Pa或大於100Pa)之壓力。
因為電漿210將流動遠離於磁場220之具有較高磁力的部分，所以可認為磁場係泵，亦即，磁泵(圖7)。此以下列方式而工作。當電漿移動遠離於集光器時，在其中留下真空。來自氣體供應源之氣體移動以填充該真空。以此方式，在遠離於集光器之方向上藉由磁場而產生氣體流動。亦藉由此流動而抽走氣體中所捕捉之任何碎片。氣體可捕捉中性粒子(例如，錫)以及帶正電離子(諸如，錫離子)兩者。中性粒子不受磁場影響，而帶電粒子將受磁場影響且將在大體上垂直於集光器之光軸的方向上沿著磁通量線或磁場線而行進。
在將錫用作源中之燃料的情況下，錫(Sn)離子可與由氣體供應源所供應之氣體相互作用，且氣體可與經抽走之錫中性粒子及其他粒子相互作用。儘管中性粒子不與磁場相互作用，但由氣體供應源所提供之氣體可與中性粒子相互作用且將質量添加至中性粒子，使得甚至可抽走中性粒子。在一實施例中，可離子化錫中性粒子，使得其可受磁場影響。藉由以磁場而利用諸如氫氣之氣體，甚至可磁性地抽走錫中性物。
當中性錫粒子移動遠離於電漿(在每一方向上)時，中性錫粒子與氫原子碰撞。氫原子顯著地輕於錫粒子(原子)，使得錫原子不偏離於其路線。然而，除去錫粒子之能量，使得其減慢。圖8展示離子在穿過氫氣時將如何偏離之路徑。針對中性粒子之結果可能為類似的。因此，氫氣之存在意謂中性粒子將在其遠離於電漿之軌跡中減慢。中性粒子將足夠地減慢，使得其受由磁泵所導致之氣體流動影響。藉此，將在電漿之後抽走氫氣中之中性粒子。
關於已逃逸電漿之離子，此等離子將在大體上垂直於集光器之光軸的方向上圍繞磁場線而螺旋。然而，此等離子亦將藉由與氫原子之碰撞而減慢。因為粒子圍繞磁場線而螺旋，所以粒子將在離電漿之比在粒子具有筆直軌跡之情況下顯著地短的距離內減慢。藉此，離子減慢，且如同中性粒子，離子可與由磁泵所抽汲之氣體一起被運走。本發明可被視為在所需方向上將EUV電漿(及其能量)用於電漿加速以用於電漿及碎片在磁場梯度中之處置，此導致周圍氣體在此方向上之運動，因此形成抽汲效應且自EUV源區域移除碎片。
亦可存在電子。電子將被吸引至電漿(其具有正電荷)，且將藉此當電子在電漿係歸因於磁梯度而移動時遵循遠離於集光器之電漿時亦趨向於在大體上平行於光軸之方向上被移除遠離於集光器。然而，此並非極為重要，因為電子通常具有太小能量而不能損害組件。
可將由磁場所產生之磁壓計算為B2 /2μo ，其中B為磁場強度且μo 為相對磁導率。為了比較起見，約1T之磁場可產生作用於電漿之約4巴的磁壓。此壓力顯著地高於供應至容積之氣體的壓力且可為用於電漿限制之主要驅動者。
此外，歸因於梯度磁場，收縮於磁場中之構成電漿的氣泡可移動至較低磁場方向，藉此自身留下空白空間，且因此，供應至系統之任何氣體均可以音速(亦即，磁泵)而被吸入至此空白空間中。此可有助於停止來自先前發射之其餘錫及歸因於氣體中之再充電而未受磁場影響的粒子或中性物。在磁場梯度中膨脹及移動之電漿雲(其含有Sn及氣體(例如，H2 或D2 或He)離子)可在電漿雲傳遞時在小液滴之後形成具有降低壓力之氣體區域，藉此在該區域中形成具有大約音波之速度的氣體流動。可遵循渦流狀氣體。
電漿區域之尺寸可由公式表示，諸如：
Pmagnetic *V(γ-1) =Epulse
其中Pmagnetic 為壓力，V為氣體之容積，γ為絕熱常數，且Epulse 為脈衝之能量。舉例而言，對於1T及0.1J脈衝，所含氣泡之尺寸將為約1.5毫米。為該尺寸之十倍的更大氣泡亦可工作，此意謂仍有用之磁場可為小30x(且未必為超導磁鐵)。
一旦抽出大量電漿，剩餘之一定量的離子便將不再構成電漿且可因此僅被認為係離子。在磁場中無氣體之情況下，離子可在磁場內循環且沿著磁場線而移動。若磁場線係遠離於集光器之反射表面，則離子之路徑可偏離於反射表面。若在離子沿著磁場線而移動時引入氣體，則離子可與氣體相互作用且如以上所描述而減速及抽出。
在氣體為所謂的「重」氣體(諸如，氬氣(Ar))的實施例中，離子可散射且在每一碰撞之後可在隨機方向上離開磁場線，此意謂離子可垂直於磁場而漫射至鏡面。因此，磁場之效應與供應至集光器之氣體的效應可能不會相乘，但可能實際上起反作用。此為氫氣或氘氣被首選作為氣體之原因。
在氣體為所謂的「輕」氣體(諸如，氫氣(H2 )、氘氣(D2 )或氦氣(He))的實施例中，離子可能不同樣地散射，但可能減速。離子可繼續沿著磁場線而移動且沿著磁場線而減速，直到離子變得緩慢且可接著藉由氣體流動而抽走為止。歸因於沿著磁場之軌跡長於在無磁場之情況下之軌跡的事實(因為離子圍繞磁場線而螺旋)，停止離子之效率可更高。
圖8說明在52Pa下H2 中之3kEV離子的停止長度。在100Pa下，預期停止長度小於5公分。因此，拉長離子之行進路徑(藉由使離子沿著磁場線而螺旋)可證明針對離子抑制之改良。總而言之，電漿之預期效應可為10000x至100000x且對於離子為額外10x。據預期，對於更高氫壓，所存在之離子將具有更低能量(歸因於增加之碰撞)而無大量散射。
圖9說明根據本發明之一實施例之磁場產生器100的實施例。如所說明，磁場產生器包含複數個線圈102及位於線圈之間的鐵磁材料106。鐵磁材料106可經組態以在磁場內形成梯度。鐵磁材料106可為管路(例如，鋼圓錐體)，或其可為軛中之兩個金屬片。圖10中之線表示由線圈102所產生之場線。儘管以橫截面而僅展示兩個線圈，但可使用額外線圈。因為鐵磁材料106之磁性質可在經加熱時劣化，所以可提供冷卻系統108。冷卻系統108可經建構及配置以冷卻鐵磁材料106，使得鐵磁材料106之磁性質可甚至在曝光至輻射時亦保持大體上不變。
顯而易見，除了圖5至圖7所說明之磁場以外的其他磁場可用以將電漿210引導遠離於集光器70。若磁場在電漿與集光器之間的位置處比在電漿之其他側上強，則此將具有相同效應。舉例而言，在該配置中，磁場可實際上在集光器70處並非如此強。圖10中說明一實施例。此處，強磁場係產生於電漿之比電漿之其他側(在該等側上，磁場較弱)更接近於集光器的側上。在圖10之實施例中，電漿將通常在平行於輻射集光器之中心光軸的方向上再次移動。然而，未必始終為此情況。
圖5至圖7之實施例具有垂直於磁場線之磁場強度梯度。然而，亦有可能在平行於磁場線之方向上變化磁場強度。該系統可更易於實施且更有效，因為電漿易於沿著磁場線而移動。在其他情況下，當電漿垂直於磁場線而移動時，可在電漿中產生某種不穩定性。
根據本發明之一實施例，提供一種經組態以產生輻射光束之輻射系統。輻射系統包括：輻射源，輻射源經組態以產生發射輻射及碎片之電漿；及輻射集光器，輻射集光器包括反射表面，反射表面經組態以收集由源所產生之輻射且將經收集輻射引導至輻射光束發射孔徑。氣體供應源經組態以將氣體供應至包括電漿之容積，且磁場產生器經組態以產生磁場以將碎片引導遠離於輻射集光器之反射表面。
根據本發明之一實施例，提供一種用於抑制輻射系統中之碎片的方法。輻射系統包括輻射源及輻射集光器。方法包括供應氣體以與以由輻射源所產生之輻射所產生的碎片粒子相互作用，及在輻射系統內產生磁場以將碎片粒子引導遠離於輻射集光器之反射表面。
根據本發明之一實施例，提供一種藉由輻射系統而產生輻射之方法。輻射系統包括輻射源及集光器。方法包括：藉由輻射源而產生電漿，電漿發射輻射及碎片粒子；及藉由集光器而收集輻射且將經收集輻射引導至輻射光束發射孔徑。方法亦包括供應氣體以與碎片粒子相互作用，及在輻射系統內產生磁場以將碎片粒子引導遠離於集光器之反射表面。
根據本發明之一實施例，提供一種包括經組態以產生輻射光束之輻射系統的微影裝置。輻射系統包括：輻射源，輻射源經組態以產生發射輻射及碎片之電漿；及輻射集光器，輻射集光器包括反射表面，反射表面經組態以收集由源所產生之輻射且將經收集輻射引導至輻射光束發射孔徑。氣體供應源經組態以將氣體供應至包含電漿之容積，且磁場產生器經組態以產生磁場以將碎片引導遠離於輻射集光器之反射表面。裝置亦包括：照明系統，照明系統經建構及配置以自輻射光束發射孔徑接收經收集輻射，且將經收集輻射調節成輻射光束；及支撐件，支撐件經建構及配置以支撐圖案化器件。圖案化器件經組態以向輻射光束之橫截面賦予圖案以形成經圖案化輻射光束。裝置亦包括投影系統，投影系統經建構及配置以將經圖案化輻射光束投影至基板上。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5nm至20nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
應理解，在本申請案中，術語「包括」不排除其他元件或步驟。又，術語「一」不排除複數個。申請專利範圍中之任何參考標號不應被解釋為限制申請專利範圍之範疇。
3．．．輻射源單元
3'．．．輻射源單元
7．．．源腔室
8．．．腔室
9．．．氣體障壁或「箔捕捉器」
10．．．輻射集光器
12．．．虛擬源點
13．．．正入射反射器
14．．．正入射反射器
16．．．輻射光束
17．．．經圖案化光束
18．．．反射元件
19．．．反射元件
20．．．數值孔徑(NA)圓盤
21．．．孔徑
60．．．下游輻射光束發射孔徑
70．．．輻射集光器
70s．．．單一輻射收集表面/反射表面
100．．．磁場產生器
102．．．線圈
106．．．鐵磁材料
108．．．冷卻系統
170．．．集光器
170a．．．正入射集光器部分
170b．．．正入射集光器部分
172．．．孔徑
200．．．碎片減輕系統
210．．．電漿
220．．．磁場線
230．．．氣體供應源
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
E．．．橢球之一部分
F1．．．第一焦點
F2．．．第二焦點
IF．．．中間焦點
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統
LB．．．雷射光
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構或圖案化器件支撐件
O．．．光軸
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
αi ．．．由經圖案化輻射光束17所對向之角度
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖3描繪根據本發明之一實施例的輻射源及正入射集光器；
圖4描繪根據本發明之一實施例的輻射源及Schwarzschild類型正入射集光器；
圖5描繪根據本發明之一實施例的輻射源及正入射集光器；
圖6描繪根據本發明之一實施例的輻射源及正入射集光器；
圖7描繪根據本發明之一實施例的輻射源及正入射集光器；
圖8描繪根據本發明之一實施例說明輻射系統中之離子之停止長度的兩個曲線；
圖9描繪根據本發明之一實施例的磁場產生器；及
圖10描繪根據本發明之另一實施例的輻射源及正入射集光器。
3‧‧‧輻射源單元
7‧‧‧源腔室
8‧‧‧腔室
9‧‧‧氣體障壁或「箔捕捉器」
10‧‧‧輻射集光器
12‧‧‧虛擬源點
13‧‧‧正入射反射器
14‧‧‧正入射反射器
16‧‧‧輻射光束
17‧‧‧經圖案化光束
18‧‧‧反射元件
19‧‧‧反射元件
20‧‧‧數值孔徑(NA)圓盤
21‧‧‧孔徑
IL‧‧‧照明系統
MT‧‧‧支撐結構或圖案化器件支撐件
O‧‧‧光軸
PS‧‧‧投影系統
SO‧‧‧輻射源
WT‧‧‧基板台
αi ‧‧‧由經圖案化輻射光束17所對向之角度

Claims (47)

  1. 一種經組態以產生一輻射光束之輻射系統，該輻射系統包含：一輻射源，該輻射源經組態以產生發射輻射及碎片之一電漿；一輻射集光器(collector)，該輻射集光器用以將經收集之輻射引導至一輻射光束發射孔徑；一磁場產生器，該磁場產生器經組態以產生具有一磁場強度梯度之一磁場以將該電漿引導遠離於該輻射集光器；及一氣體供應源，該氣體供應源經組態以將一氣體供應至包含該電漿之一容積(volume)，其中該氣體供應源及該磁場產生器作為一磁泵(magnetic pump)，其組態以將該碎片之中性粒子引導遠離於該集光器。
  2. 如請求項1之輻射系統，其中該磁場在該電漿與該集光器之間的一位置處比在該電漿之其他側上強。
  3. 如請求項1之輻射系統，其中該磁場產生器經組態以在平行於該輻射集光器之一中心光軸的一方向上以至少一分量而引導該電漿。
  4. 如請求項1之輻射系統，其中該輻射集光器包含一反射表面，該反射表面經組態以收集由該源所產生之該輻射，且該磁場產生器經組態以將該碎片引導遠離於該反射表面。
  5. 如請求項1之輻射系統，其中該氣體包含氫氣及/或氘氣及/或氦氣。
  6. 如請求項1之輻射系統，其中該氣體基本上由氫氣或氘氣組成。
  7. 如請求項1之輻射系統，其中該氣體供應源經組態以供應氣體，使得該容積中之氣體具有大於10Pa之一壓力。
  8. 如請求項7之輻射系統，其中該容積中之該氣體具有大於30Pa之一壓力。
  9. 如請求項1之輻射系統，其中該氣體供應源經組態以減速該磁場中以帶電離子之形式的碎片，使得接著藉由該磁泵而移除該等碎片。
  10. 如請求項1之輻射系統，其中該輻射包含遠紫外線輻射。
  11. 如請求項1之輻射系統，其中該輻射源為一雷射產生之電漿源。
  12. 如請求項11之輻射系統，其中該輻射源包含一雷射，該雷射經建構及配置以提供引導至一燃料小液滴之一雷射光束。
  13. 如請求項12之輻射系統，其中該燃料包含Sn。
  14. 如請求項1之輻射系統，其中該磁場經組態以大體上防止該電漿與該輻射集光器之組件進行接觸。
  15. 如請求項1之輻射系統，其中該磁場產生器包含經建構及配置以產生該磁場之複數個線圈。
  16. 如請求項15之輻射系統，其中該磁場產生器進一步包含 在該等線圈之間的一鐵磁材料，該鐵磁材料經建構及配置以在該磁場內形成一梯度。
  17. 如請求項1之輻射系統，其中該磁場產生器包含一鐵磁管路，該鐵磁管路用於使該磁場在該電漿與該集光器之間比在該電漿之其他側上強。
  18. 如請求項17之輻射系統，其進一步包含用以冷卻該鐵磁管路之一冷卻系統。
  19. 一種用於抑制一輻射系統中之碎片的方法，該輻射系統包含一輻射源及一輻射集光器，該方法包含：產生發射輻射及碎片之一電漿；使用該輻射集光器而收集該輻射；藉由一磁場產生器在該輻射系統內產生一磁場梯度以將該電漿引導遠離於該輻射集光器；及藉由一氣體供應源將一氣體供應至包含該電漿之一容積，其中該氣體供應源及該磁場產生器作為一磁泵，其組態以將該碎片之中性粒子引導遠離於該集光器。
  20. 如請求項19之方法，其中該磁場在該電漿與該集光器之間的一位置處比在該電漿之其他側上強。
  21. 如請求項19之方法，其中該磁場產生器在平行於該輻射集光器之一中心光軸的一方向上以至少一分量而引導該電漿。
  22. 如請求項19之方法，其進一步包含供應一氣體以與所產生之碎片粒子相互作用。
  23. 如請求項22之方法，其中該氣體包含氫氣及/或氘氣及/或氦氣。
  24. 如請求項23之方法，其中該氣體基本上由氫氣及/或氘氣及/或氦氣組成。
  25. 如請求項19之方法，其中藉由一鐵磁材料產生磁場強度變化。
  26. 如請求項25之方法，其進一步包含冷卻該鐵磁材料。
  27. 如請求項19之方法，其中該產生包含將一雷射光束引導至該輻射源之一位置，同時將一燃料提供至該位置，使得該雷射光束之至少一部分與該燃料碰撞以產生該電漿。
  28. 如請求項27之方法，其中該燃料包含Sn。
  29. 如請求項19之方法，其進一步包含使用該磁場而大體上防止該電漿與該輻射集光器之組件進行接觸。
  30. 一種微影裝置，其包含：一輻射系統，該輻射系統經組態以產生一輻射光束，該輻射系統包含：一輻射源，該輻射源經組態以產生發射輻射及碎片之一電漿，一輻射集光器，該輻射集光器用以將經收集輻射引導至一輻射光束發射孔徑，一磁場產生器，該磁場產生器經組態以產生一磁場梯度以將該電漿引導遠離於該輻射集光器；一照明系統，該照明系統經建構及配置以自該輻射光 束發射孔徑接收該經收集輻射，且將該經收集輻射調節成一輻射光束；一支撐件，該支撐件經建構及配置以支撐一圖案化器件，該圖案化器件經組態以向該輻射光束之一橫截面賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；及一投影系統，該投影系統經建構及配置以將該經圖案化輻射光束投影至一基板上；及一氣體供應源，該氣體供應源經組態以將一氣體供應至包含該電漿之一容積，其中該氣體供應源及該磁場產生器作為一磁泵，藉此將該碎片之中性粒子引導遠離於該集光器。
  31. 如請求項30之微影裝置，其中該磁場在該電漿與該集光器之間的一位置處比在該電漿之其他側上強。
  32. 如請求項30之微影裝置，其中該磁場產生器經組態以在平行於該輻射集光器之一中心光軸的一方向上以至少一分量而引導該電漿。
  33. 如請求項30之微影裝置，其中該輻射集光器包含一反射表面，該反射表面經組態以收集由該源所產生之該輻射，且該磁場產生器經組態以將該碎片引導遠離於該反射表面。
  34. 如請求項30之微影裝置，其中該氣體包含氫氣及/或氘氣及/或氦氣。
  35. 如請求項30之微影裝置，其中該氣體基本上由氫氣組成。
  36. 如請求項30之微影裝置，其中該氣體供應源經組態以供應氣體，使得該容積中之氣體具有大於10Pa之一壓力。
  37. 如請求項36之微影裝置，其中該容積中之該氣體具有大於30Pa之一壓力。
  38. 如請求項30之微影裝置，其中該氣體供應源經組態以減速該磁場中以帶電離子之形式的碎片，使得接著藉由該磁泵而移除該等碎片。
  39. 如請求項30之微影裝置，其中該輻射包含遠紫外線輻射。
  40. 如請求項30之微影裝置，其中該輻射源為一雷射產生之電漿源。
  41. 如請求項40之微影裝置，其中該輻射源包含一雷射，該雷射經建構及配置以提供引導至一燃料小液滴之一雷射光束。
  42. 如請求項41之微影裝置，其中該燃料包含Sn。
  43. 如請求項30之微影裝置，其中該磁場經組態以大體上防止該電漿與該輻射集光器之組件進行接觸。
  44. 如請求項30之微影裝置，其中該磁場產生器包含經建構及配置以產生該磁場之複數個線圈。
  45. 如請求項44之微影裝置，其中該磁場產生器進一步包含在該等線圈之間的一鐵磁材料，該鐵磁材料經建構及配置以在該磁場內形成一梯度。
  46. 如請求項30之微影裝置，其中該磁場產生器包含一鐵磁管路，該鐵磁管路用於使該磁場在該電漿與該集光器之 間比在該電漿之其他側上強。
  47. 如請求項46之微影裝置，其進一步包含一冷卻系統，該冷卻系統經建構及配置以冷卻該鐵磁材料。
TW098113068A 2008-09-09 2009-04-20 輻射系統、微影裝置及用於抑制輻射系統中之碎片的方法 TWI451814B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13649408P 2008-09-09 2008-09-09
US13683308P 2008-10-07 2008-10-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201012304A TW201012304A (en) 2010-03-16
TWI451814B true TWI451814B (zh) 2014-09-01

Family

ID=40848287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098113068A TWI451814B (zh) 2008-09-09 2009-04-20 輻射系統、微影裝置及用於抑制輻射系統中之碎片的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9411250B2 (zh)
JP (1) JP5669736B2 (zh)
KR (1) KR101613924B1 (zh)
CN (2) CN104714374A (zh)
NL (1) NL1036803A (zh)
TW (1) TWI451814B (zh)
WO (1) WO2010028704A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5687488B2 (ja) 2010-02-22 2015-03-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US8993976B2 (en) * 2011-08-19 2015-03-31 Asml Netherlands B.V. Energy sensors for light beam alignment
JP2014534559A (ja) * 2011-10-07 2014-12-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源
WO2013174525A1 (en) * 2012-05-25 2013-11-28 Eth Zurich Method and apparatus for generating electromagnetic radiation
US8791440B1 (en) * 2013-03-14 2014-07-29 Asml Netherlands B.V. Target for extreme ultraviolet light source
JP2016519769A (ja) * 2013-04-01 2016-07-07 ハーランド，ピーター 放射性同位元素の準中性のプラズマ発生
US9989758B2 (en) * 2013-04-10 2018-06-05 Kla-Tencor Corporation Debris protection system for reflective optic utilizing gas flow
US10237960B2 (en) * 2013-12-02 2019-03-19 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source
US9301382B2 (en) * 2013-12-02 2016-03-29 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source
US9989863B2 (en) * 2014-02-24 2018-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic system
US9544986B2 (en) 2014-06-27 2017-01-10 Plex Llc Extreme ultraviolet source with magnetic cusp plasma control
US9155178B1 (en) 2014-06-27 2015-10-06 Plex Llc Extreme ultraviolet source with magnetic cusp plasma control
US9578729B2 (en) 2014-11-21 2017-02-21 Plex Llc Extreme ultraviolet source with dual magnetic cusp particle catchers
US9538628B1 (en) * 2015-06-11 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for EUV power improvement with fuel droplet trajectory stabilization
US9776218B2 (en) * 2015-08-06 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Controlled fluid flow for cleaning an optical element
US10128016B2 (en) * 2016-01-12 2018-11-13 Asml Netherlands B.V. EUV element having barrier to hydrogen transport
US10638594B2 (en) * 2016-10-20 2020-04-28 Paul Scherrer Institut Multi-undulator spiral compact light source
US11153957B2 (en) * 2018-10-31 2021-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method for generating an electromagnetic radiation
WO2020160929A1 (en) * 2019-02-08 2020-08-13 Asml Netherlands B.V. Radiation system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050167618A1 (en) * 2004-01-07 2005-08-04 Hideo Hoshino Light source device and exposure equipment using the same
US20060132046A1 (en) * 2003-05-30 2006-06-22 Siegfried Schwarzl Device for generating and/or influencing electromagnetic radiation from a plasma
US20070228303A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Canon Kabushiki Kaisha Light source
TW200821771A (en) * 2006-09-27 2008-05-16 Asml Netherlands Bv Radiation system and lithographic apparatus comprising the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2552433B2 (ja) 1994-06-30 1996-11-13 関西電力株式会社 レーザープラズマｘ線源のデブリス除去方法及び装置
JPH08195533A (ja) * 1995-01-18 1996-07-30 Rikagaku Kenkyusho Ｘ線発生装置
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
TWI255394B (en) 2002-12-23 2006-05-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus with debris suppression means and device manufacturing method
US7251012B2 (en) 2003-12-31 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a debris-mitigation system, a source for producing EUV radiation having a debris mitigation system and a method for mitigating debris
US7423275B2 (en) * 2004-01-15 2008-09-09 Intel Corporation Erosion mitigation for collector optics using electric and magnetic fields
US7087914B2 (en) 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
US7504643B2 (en) * 2005-12-22 2009-03-17 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
JP4904809B2 (ja) * 2005-12-28 2012-03-28 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
JP5156202B2 (ja) 2006-07-10 2013-03-06 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US8766212B2 (en) * 2006-07-19 2014-07-01 Asml Netherlands B.V. Correction of spatial instability of an EUV source by laser beam steering
US7889312B2 (en) * 2006-09-22 2011-02-15 Asml Netherlands B.V. Apparatus comprising a rotating contaminant trap
US8071963B2 (en) 2006-12-27 2011-12-06 Asml Netherlands B.V. Debris mitigation system and lithographic apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060132046A1 (en) * 2003-05-30 2006-06-22 Siegfried Schwarzl Device for generating and/or influencing electromagnetic radiation from a plasma
US20050167618A1 (en) * 2004-01-07 2005-08-04 Hideo Hoshino Light source device and exposure equipment using the same
US20070228303A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Canon Kabushiki Kaisha Light source
TW200821771A (en) * 2006-09-27 2008-05-16 Asml Netherlands Bv Radiation system and lithographic apparatus comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
US9411250B2 (en) 2016-08-09
TW201012304A (en) 2010-03-16
KR20110070858A (ko) 2011-06-24
KR101613924B1 (ko) 2016-04-20
CN102144192A (zh) 2011-08-03
JP2012502414A (ja) 2012-01-26
US20110170079A1 (en) 2011-07-14
NL1036803A (nl) 2010-03-15
WO2010028704A1 (en) 2010-03-18
JP5669736B2 (ja) 2015-02-12
CN104714374A (zh) 2015-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI451814B (zh) 輻射系統、微影裝置及用於抑制輻射系統中之碎片的方法
KR101710433B1 (ko) 액적 가속기를 포함하는 ｅｕｖ 방사선 소스 및 리소그래피 장치
KR101495208B1 (ko) 극자외 방사선을 생성하는 방법 및 모듈
TWI534553B (zh) 收集器鏡總成及產生極紫外光輻射之方法
US8368040B2 (en) Radiation system and lithographic apparatus
US20130015373A1 (en) EUV Radiation Source and EUV Radiation Generation Method
KR20140060554A (ko) 방사선 소스
US20150264791A1 (en) Method and Apparatus for Generating Radiation
JP4758468B2 (ja) リソグラフィ装置、照明システム、およびデブリ粒子を抑制するための方法
US9632419B2 (en) Radiation source
NL2017692A (en) Euv source chamber and gas flow regime for lithographic apparatus, multi-layer mirror and lithographic apparatus
US8319200B2 (en) Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2014527273A (ja) 放射源及びリソグラフィ装置
US8730454B2 (en) EUV radiation source and method of generating EUV radiation
NL2004977A (en) Euv radiation source and lithographic apparatus.
NL2011306A (en) Method and apparatus for generating radiation.
NL2010232A (en) Method and apparatus for generating radiation.
NL2007861A (en) Radiation source and lithographic apparatus.

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees