JP2009032791A - 飛散粒子除去装置、飛散粒子の低減方法、光源装置、露光装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＥＵＶ光の光量を低下させることなく、飛散粒子を効率良く除去する。
【解決手段】 ＥＵＶ光の通る光路内に荷電粒子を照射して、飛散粒子を低減する飛散粒子除去装置において、所定の立体角で荷電粒子を射出し、光路内における荷電粒子の照射領域を拡大させる射出部と、照射された荷電粒子によって帯電した飛散粒子を回収する回収部と、を備える。
【選択図】 図２

Description

本発明はターゲット材料をプラズマ化したときに生じるデブリ（debris）と呼ばれる飛散粒子を除去する飛散粒子除去装置及び飛散粒子の低減方法、並びに飛散粒子除去装置を備えた光源装置、露光装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。

従来、半導体プロセスの微細化に伴う光リソグラフィー技術に対する要求が高まってきている。周知のように、光リソグラフィー技術は、マスクに形成された回路パターンをレジストが塗布されたウェハ基板に露光する技術であり、このような光リソグラフィー技術に用いられる光源としてＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光源が挙げられる。最近では、ＥＵＶ光源を用いた露光装置が提案されている（特許文献１など）。

ＥＵＶ光源としては、真空中でレーザ光をターゲット材料に照射することで生成されるプラズマを利用するレーザ励起型の光源や、放電によって生成されるプラズマを利用する放電型の光源などが挙げられる。特に、レーザ励起型の光源の場合には、プラズマ密度を大きくすることで極めて高い輝度が得られ、また、用いるターゲット材料の種類によって必要な波長帯の発光を行うことができるなどの利点がある。
特許第3696163号公報

このような利点があるものの、レーザ励起型の光源の場合には、プラズマを生成する際に汚染物質分子、イオンなどの飛散粒子が発生してしまうことから、これら飛散粒子がマスクを傷つける、又はＥＵＶ光源とマスクとの間に配置された光学系に付着して光学系の性能を低下させるなどの問題がある。このような問題を解決する方法としては、例えば真空中に流入させたガスを吸引することで飛散粒子を除去することが考えられるが、流入したガスの吸引時に飛散粒子を効率良く除去することができない上に、プラズマから発生されるＥＵＶ光が流入されたガスに吸収されてしまうため、ＥＵＶ光の光量を低下させてしまうという問題がある。

本発明は、このような問題を解決するために発明されたものであり、ＥＵＶ光の光量を低下させることなく、飛散粒子を効率良く除去する又は低減することができるようにした飛散粒子除去装置、飛散粒子の低減方法、光源装置、露光装置及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の飛散粒子除去装置は、ＥＵＶ光の通る光路内に荷電粒子を照射して、飛散粒子を低減させる飛散粒子除去装置において、所定の立体角で前記荷電粒子を射出し、前記光路内における前記荷電粒子の照射領域を拡大させる射出部と、照射された前記荷電粒子によって帯電した前記飛散粒子を回収する回収部と、を備えることを特徴とする。

また、前記ＥＵＶ光の光路内に射出される前記荷電粒子の照射領域を拡大させる第１の電子光学系を備えたことを特徴とする。

また、前記第１の電子光学系は、電磁レンズ又は静電レンズのいずれか一方を備えていることを特徴とする。

また、前記第１の電子光学系は、静電偏向器又は電磁偏向器のいずれか一方を備えていることを特徴とする。

また、帯電した前記飛散粒子を偏向させる第２の電子光学系を備えていることを特徴とする。

また、前記第２の電子光学系は、電磁レンズ又は静電レンズのいずれか一方を備えていることを特徴とする。

また、前記第２の電子光学系は、静電偏向器又は電磁偏向器のいずれか一方を備えていることを特徴とする。

また、前記回収部は、前記第２の電子光学系の近傍に配置されることを特徴とする。

また、前記回収部は、前記飛散粒子を前記ＥＵＶ光の光路外へ回収する回収機構を有することを特徴とする。

本発明の飛散粒子の低減方法は、ＥＵＶ光の通る光路内に荷電粒子を照射して、飛散粒子を低減する方法において、前記光路内に所定の立体角で前記荷電粒子を射出するステップと、照射された前記荷電粒子によって帯電した前記飛散粒子を回収するステップと、を備えることを特徴とする。

また、前記光路内に射出される前記荷電粒子の照射領域を拡大させるステップを備えたことを特徴とする。

また、前記荷電粒子によって帯電した前記飛散粒子を偏向させるステップをさらに備えたことを特徴とする。

本発明の光源装置は、上記記載の飛散粒子除去装置を備えるとともに、ターゲット材料を供給する供給部と、前記ターゲット材料からプラズマを生成し、当該プラズマから発生するＥＵＶ光を放出するプラズマ生成部と、を備えたことを特徴とする。

本発明の露光装置は、上記記載の飛散粒子除去装置を備えるとともに、ターゲットをプラズマ化し、生成されたプラズマからＥＵＶ光を放射する光源部と、前記光源部から放射されるＥＵＶ光を被照射面に照射する照明光学系と、前記被照射面を介した前記ＥＵＶ光を感光性基板に露光転写する投影光学系と、を備えたことを特徴とする。

本発明の電子デバイスの製造方法は、リソグラフィー工程を含む電子デバイスの製造方法であって、前記リソグラフィー工程において、上記記載の露光装置を用いるものである。

本発明の飛散粒子除去装置及び光源装置によれば、荷電粒子をＥＵＶ光の光路内に広範囲で照射することで、ＥＵＶ光の光量を低下させることなく、光路内に飛散する飛散粒子を効率良く回収することができる。

また、本発明の光源装置を用いた露光装置では、プラズマの生成時に発生する飛散粒子を、照明光学系や投影光学系に付着させずに済むことから、これら光学系に付着する飛散粒子の影響を低減させる、或いは抑止することができる。ひいては、露光装置のスループットを向上させることができる。

図１は、露光装置１０の構成の概略を示している。この露光装置１０は、真空チャンバ１１と、この真空チャンバ１１に取り付けられる光源装置１２を備えている。この真空チャンバ１１の内部には、レチクルステージ１５及びウェハステージ１６などが配置されている。光源装置１２で発生したＥＵＶ光は、真空チャンバ１１の内部に設けられた照明光学系１７に入射された後、レチクルステージ１５の下部に配置されるレチクル１８に導かれる。レチクル１８で反射されたＥＵＶ光は、投影光学系１９を介してウェハステージ１６の上面に載置されたウェハなどの感光性基板２０に照射される。これにより、レチクル１８に形成されたパターンが感光性基板２０に露光される。このような露光装置１０においては、レチクルステージ１５及びウェハステージ１６を移動させてスキャン露光が実行される。なお、符号２１は制御装置であり、この制御装置２１によって露光装置１０が制御される。

光源装置１２は、ターゲット材料４０からプラズマを生成し、生成されたプラズマから得られるＥＵＶ光を真空チャンバ１１に向けて照射する。ターゲット材料４０としては、例えば液体、気体或いは固体のＸｅ、ＳｎやＳｎ化合物などが挙げられる。本実施形態では、ターゲット材料４０として液化Ｘｅを用いた場合について説明する。ここで、本実施形態におけるＥＵＶ光とは、概ね５ｎｍ〜５０ｎｍの波長を有する光をいう。

この光源装置１２は、レーザ装置３０、レーザ光学系３１、プラズマ生成部３２を有している。レーザ装置３０は例えばＹＡＧレーザ光を発生させる。レーザ光学系３１は、例えば２枚の反射ミラー３５，３６とレンズ３７とから構成される。レーザ装置３０からのレーザ光は、反射ミラー３５，３６により反射された後、レンズ３７により集光され、後述する真空チャンバ４５に導かれる。

プラズマ生成部３２は、ターゲット材料４０をプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させる。このプラズマ生成部３２は、真空チャンバ４５を備えている。この真空チャンバ４５は、その内部が真空状態に維持される。

この真空チャンバ４５の内部には、ＥＵＶ光を反射する集光ミラー４６と、ＥＵＶ光を検出するＥＵＶ光検出器４７が配置される。真空チャンバ４５の上部には、ターゲット材料４０を供給するターゲット供給部５０が配置される。このターゲット供給部５０は、真空チャンバ４５の内部に差し込まれたノズル５０ａを備えている。このノズル５０ａを介して液体のターゲット材料４０が供給される。なお、このターゲット供給部５０と、上述したレーザ装置３０とは、光源制御装置５１によって制御される。

真空チャンバ４５の下部には、ターゲット材料４０を回収する回収部５２が設けられている。また、真空チャンバ４５の側部には、レーザ光学系３１によって導光されるレーザ光を真空チャンバ４５の内部に導くレーザ導入窓４５ａが設けられている。このレーザ導入窓４５ａとは反対側には、集光ミラー４６によって集光されたＥＵＶ光を照明光学系１７に向けて導く光路４５ｂが設けられている。この光路４５ｂには、真空チャンバ４５の内部を真空状態に維持するための真空ポンプ５３が設けられている。

図２に示すように、真空チャンバ４５の光路４５ｂには、真空ポンプ５３の他に、デブリ除去装置５５が設けられる。このデブリ除去装置５５は、ターゲット材料４０にレーザ光を照射することでプラズマ化したときに発生し、真空チャンバ４５の内部を浮遊するデブリ８０（図５参照）を除去又は低減する装置である。

デブリ除去装置５５は、真空チャンバ４５の光路４５ｂの下部に設けられる射出部６０及び拡大光学系６１と、光路４５ｂの上部に設けられる縮小光学系６２とを備えている。射出部６０、拡大光学系６１及び縮小光学系６２は、例えば図２のように、ＥＵＶ光の光軸Ｌ１と交差する方向にそれぞれ配置される。なお、拡大光学系６１と縮小光学系６２とは、例えば図２のように互いに対向させた位置に配置してもよいし、互いに対向していない位置に配置してもよい。

射出部６０としては電子銃などが用いられ、この射出部６０からＨ^＋、Ｈ_２ ^＋、Ｈ_３ ^＋、Ｈｅ^＋、等の荷電粒子６５（図５参照）を射出する。また、射出部６０は、荷電粒子６５を発散させる程度の所定の立体角で荷電粒子６５を射出可能なように構成されている。この構成により、射出部６０は、光路内に照射される荷電粒子６５の照射範囲を拡大させることが可能である。なお、これら射出部６０、拡大光学系６１、縮小光学系６２は光源制御装置５１によってそれぞれ制御される。

ここで、本実施形態における立体角とは、空間上での球体の中心から出た直線の周りに作られた円錐で区切られた部分をいう。例えば半径１の球体で円錐が切り取った表面積の大きさを錐面とすると、立体角は錐面で表わすことができ、全立体角は４π[ｓｒ（ステラジアン）]となる。なお、頂角の半角がθの円錐の場合、立体角Ωは、Ω＝２π（１−ｃｏｓθ）で表わせる。ここで、θは頂角の半角なので、θの範囲は０≦θ≦１８０°である。また、本実施形態においては、頂角が２０°から４５°程度の立体角で荷電粒子６５の照射範囲を拡大させることが望ましい。ここで、頂角の半角θが１０°の場合、立体角Ωは約０．０３π[ｓｒ]である。さらに、頂角の半角θが２２．５°の場合、立体角Ωは約０．１５π[ｓｒ]である。従って、本実施形態における所定の立体角は、概ね０．０３π[ｓｒ]から０．１５π[ｓｒ]の範囲であることが望ましい。なお、頂角とは、三角形の底辺に対する角又は円錐の底面に対する角である。

拡大光学系６１は、電磁レンズ７０と電磁偏向器７１とから構成される。電磁レンズ７０は、例えば、コイルを巻いた磁石等の磁性体に電流を流すことによって発生する不均一な磁場により電子線を拡大させるものである。つまり、拡大光学系６１は、不均一な磁場によって、荷電粒子６５を光路４５ｂに発散させ、荷電粒子の照射領域を拡大させるものである。

図３は、電磁レンズ７０を用いて電子線を拡大させるときの磁束密度分布の一例を示している（電磁レンズ７０を用いて荷電粒子６５を発散させる場合の磁束密度分布の一例である）。この図３においては、縦軸を磁束密度Ｂ、横軸を電磁レンズ７０のレンズ場Ｘ１としており、また、レンズ場Ｘ１は電子線の入射側をＸ１＝０、電子線の出射側をＸ１＝１としている。例えば、電磁レンズ７０により電子線を４倍に拡大する場合には、Ｘ１＝０．１となるときの磁束密度Ｂが最大となるように磁場を形成させる。このように、不均一な磁場を形成させることによって、電子線を曲げる（例えば、発散方向へ曲げる）ことができる。なお、図３では、便宜上、最大となる磁束密度ＢをＢ＝１としている。

電磁偏向器７１は、コイルに電流を流すことにより発生する磁場を用いて電子線を偏向させる。つまり、本実施形態では、電磁偏向器７１を電磁レンズ７０の下流側に配置することで、電磁レンズ７０によって拡大された電子線を電磁偏向器７１によって偏向する。さらにコイルに流す電流の値を変動させることで拡大された電子線の照射範囲をずらす（電子線を図５に示す点線に示す範囲から二点差線に示す範囲までの間で偏向させる）ことにより、電子線をさらに広範囲に照射する。つまり、電磁偏向器７１によって、荷電粒子６５は、偏向され、光路４５ｂに広範囲に照射されることになる。

縮小光学系６２は、静電レンズ７５と静電偏向器７６とから構成され、光路４５ｂに照射された電子線が衝突することで励起されたデブリ８０を偏向又は集束させる。この縮小光学系６２としては、例えば一対の電極を２組有する静電レンズ７５が用いられる。この静電レンズ７５は、電極に電圧を印加する（電極に電位差を発生させる）ことで電界を発生させ、この発生された電界によって励起されたデブリ８０を偏向又は集束させる。なお、図２では、図の煩雑さを解消するために、一対の電極を１組のみ示している。また、一対の電極の組数を３組以上備えた静電レンズであってもよい。

静電偏向器７６は、電極間に生じる電位差から電界を発生させて電子線を偏向させる。本実施形態においては、静電偏向器７６によって、電子線を静電レンズ７５又は後述する回収部８５へ偏向させる。

図４は、一対の電極を２組有する静電レンズ７５を用いて電子線を偏向又は集束させる場合の電位分布の一例を示す（静電レンズ７５を用いて荷電粒子６５を集束させる場合の電位分布の一例である）。この図４においては、縦軸を電位Ｖ、横軸を静電レンズのレンズ場Ｘ２としており、また、レンズ場Ｘ２は電子線の入射側をＸ２＝０、電子線の出射側をＸ２＝１としている。例えば０＜Ｘ２＜０．８の範囲が１組目の電極における電位を示し、０．８＜Ｘ２＜１の範囲が２組目の電極における電位を示している。また、それぞれの電極間の電位差を（Ｖ１−Ｖ２）となるように、それぞれの電極に電圧を印加することで、この静電レンズ７５を通過する電子線は１／４に偏向又は集束される。つまり、縮小光学系６２は、光路４５ｂに照射された荷電粒子６５によって励起されたデブリ８０を偏向又は集束させるものである。

図２に戻って、縮小光学系６２の下流側には、デブリ８０を回収する回収部８５が設けられている。この回収部８５には、真空ポンプ５３の排気口８６が設けられており、縮小光学系６２によって偏向又は集束されたデブリ８０が回収部８５に向けて移動する。なお、回収部８５に真空ポンプ５３の排気口８６が設けられることで、デブリ８０は回収部８５の側壁面に付着するか、排気口８６を介して回収される。これにより、デブリ８０が除去される。なお、回収部８５は、縮小光学系６２に近接して配置されることが望ましいが、ＥＵＶ光に影響しない位置に設けられていればよい。

上述した露光装置１０では、ターゲット供給部５０のノズル５０ａの先端から例えば液化Ｘｅなどのターゲット材料４０を間歇的に噴出させる。噴出されたターゲット材料４０が所定の位置（集光ミラーの焦点）に到達したときに、レーザ装置３０からレーザ光が出射される。出射されたレーザ光は、レーザ光学系３１のレンズ３７によって集光され、ターゲット材料４０に照射される。レーザ光がターゲット材料４０に照射されることで、ターゲット材料４０をプラズマ化する。

プラズマ９０から放出されたＥＵＶ光は集光ミラー４６により集光され、真空チャンバ１１の内部に配置された照明光学系１７に導かれる。照明光学系１７から出射されたＥＵＶ光は、レチクルステージ１５に設けられたレチクル１８に入射して反射される。レチクル１８からの反射光は、投影光学系１９に入射され、レジストが塗布されたウェハなどの感光性基板２０上に結像する。

上述したように、ターゲット供給部５０から噴出されたターゲット材料４０は、レーザ光によってプラズマ化される。このプラズマ化されるときに、デブリ８０が発生する。このデブリ８０は、回収部５２にてターゲット材料４０とともに回収されるか、真空チャンバ４５の内部を浮遊する。

光源制御装置５１は、ターゲット供給部５０、レーザ装置３０を制御する際に、デブリ除去装置５５を制御している。つまり、ターゲット材料４０をプラズマ化しているとき（露光装置１０が作動しているとき）には、射出装置６０から荷電粒子６５が放出されている。放出された荷電粒子６５は拡大光学系６１によって発散、及び偏向される。さらに拡大光学系６１の電磁偏向器７１に流す電流値を変動させて、荷電粒子６５の偏向量を変動させることで、荷電粒子６５は真空チャンバ４５の光路４５ｂに広範囲で照射される。

上述したように、真空チャンバ４５にはデブリ８０が浮遊していることから、照射される荷電粒子６５はデブリ８０に衝突し、デブリ８０を励起させる。縮小光学系６２の集束レンズ７５は電界を発生させていることから、励起されたデブリ８０は集束レンズ７５に向けて移動する。これら励起したデブリ８０は、収束レンズ７５を通過する過程で偏向又は集束された後、回収部８５の側壁面に付着するか、排気口８６を介して回収される。これにより、荷電粒子６５を広範囲で照射することによって多くのデブリ８０を励起させることができ、また、励起したデブリ８０を確実に偏向又は集束させることで真空チャンバ４５の内部に浮遊するデブリ８０を効率良く回収することができる。このようにデブリ８０を効率良く回収することで、デブリ８０が照明光学系１７に付着することを抑止でき、デブリ８０の付着に起因する照明光学系１７の光学性能の低下を防止することができる。

以下、本発明に係る電子デバイスの製造方法の実施の形態の例を説明する。図６は、本発明の電子デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。この例の製造工程は以下の各主工程を含む。
（１）ウェハを製造するウェハ製造工程（又はウェハを準備するウェハ準備工程）
（２）露光に使用するマスクを制作するマスク製造工程（又はマスクを準備するマスク準備工程）
（３）ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程
（４）ウェハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
（５）チップを検査するチップ検査工程
なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程からなっている。

これらの主工程の中で、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウェハプロセッシング工程である。この工程では設計された回路パターンをウェ波状に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。このウェハプロセッシング工程は、以下の各工程を含む。
（１）絶縁層となる誘電体薄膜や、配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリングなどを用いる）
（２）この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程
（３）薄膜層やウェハ基板などを選択的に加工するためにマスク（レクチル）を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィー工程
（４）レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程
（例えばドライエッチング技術を用いる）
（５）イオン・不純物注入拡散工程
（６）レジスト薄利工程
（７）さらに加工されたウェハを検査する検査工程
なお、ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する電子デバイスを製造する。

本実施の形態である電子デバイスの製造方法においては、リソグラフィー工程に本発明の実施形態である露光装置を使用している。よって、微細な線幅のパターンの露光を行うことができると同時に、高スループットで露光を行うことができ、効率良く電子デバイスを製造することができる。

本実施形態では、デブリ除去装置５５は、図２のようにＥＵＶ光の進行方向と交差する方向に配置されているが、ＥＵＶ光の進行方向と逆方向に交差する方向に配置されてもよい。つまり、デブリ８０の移動方向に概ね対向する方向に荷電粒子６５を照射するように配置してもよい。さらに、デブリ除去装置５５は、ＥＵＶ光の進行方向と略垂直方向に配置されてもよい。

また、本実施形態では、デブリ除去装置５５を、光路４５ｂの下部に射出部６０と拡大光学系６１を、光路４５ｂの上部に縮小光学系６２及び回収部８５をそれぞれ配置しているが、これに限定される必要はなく、図３において紙面の前後方向にデブリ除去装置５５を構成する各部を配置することも可能である。

なお、本実施形態において、射出部６０から射出される荷電粒子６５は、拡大光学系６１によって発散方向に偏向され、さらに平行に偏向されて照射領域が拡大されてＥＵＶ光の通る光路内に照射される。すなわち、ＥＵＶ光の通る光路内において、荷電粒子６５の照射領域が拡大されて照射されていればよく、荷電粒子６５は発散方向に照射されてもよいし、荷電粒子６５の照射領域が拡大されていれば、荷電粒子６５は平行方向又は集束方向に照射されてもよい。

なお、本実施形態における所定の立体角は、上述のように概ね０．０３π[ｓｒ]から０．１５π[ｓｒ]の範囲が望ましいが、上述のように全立体角を４π[ｓｒ]とすると、その立体角は０≦Ω≦２π[ｓｒ]の範囲でもよい。

本実施形態におけるデブリ除去装置５５は、荷電粒子６５の照射領域を拡大させるために、所定の立体角で荷電粒子６５を射出可能な射出部６０と、拡大光学系６１とを備えているが、射出部６０のみで荷電粒子６５の照射領域を拡大させてもよいし、拡大光学系６１のみで荷電粒子６５の照射領域を拡大させてもよいし、射出部６０と拡大光学系６１との組合せでもよい。また、拡大光学系６１のみで荷電粒子６５の照射領域を拡大させる場合、射出部６０は、上述の立体角に限定されないが、ＥＵＶ光の光路内に向けて荷電粒子６５を射出することが望ましい。

本実施形態では、拡大光学系として、電磁レンズと電磁偏向器との組み合わせとしているが、電磁レンズ単体としても良いし、電磁偏向器単体としても良い。また、拡大光学系の構成は、電磁レンズと電磁偏向器との組み合わせの他に、静電レンズと静電偏向器との組み合わせ、或いは、静電レンズ単体であってもよいし、静電偏向器単体であってもよい。さらに、電磁レンズと電極間に生じる電位差から電界を発生させて電子線を偏向させる、所謂静電偏向器との組み合わせや、静電レンズと電磁偏向器との組み合わせから拡大光学系を構成することも可能である。

本実施形態では、縮小光学系として静電レンズと静電偏向器との組み合わせとしているが、静電レンズ単体としても良いし、静電偏向器単体としても良い。また、縮小光学系の構成は、静電レンズと静電偏向器との組み合わせの他に、電磁レンズと電磁偏向器との組み合わせ、或いは、電磁レンズ単体であってもよいし、電磁偏向器単体であってもよい。さらに、電磁レンズと静電偏向器との組み合わせや、静電レンズと電磁偏向器との組み合わせから縮小光学系を構成することも可能である。

本実施形態では、レーザ光をターゲット材料に照射することでプラズマを発生させるレーザ励起型の光源装置としているが、これに限定されるものではなく、放電を用いてプラズマを発生させる放電型の光源装置を用いることも可能である。

本実施形態では、回収部に真空ポンプの排気口を設けている実施形態としているが、これに限定される必要はなく、回収部とは別に真空ポンプの排気口を設けることも可能である。

本発明の露光装置を示す概略図である。 真空チャンバに設けられたデブリ除去装置の構成を示す説明図である。 電磁レンズを拡大レンズとして用いる場合の電磁レンズの磁束密度分布を示す説明図である。 静電レンズを縮小レンズとして用いる場合の静電レンズの電位の分布を示す説明図である。 デブリ除去装置によるデブリの除去の過程を示す説明図である。 電子デバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。

符号の説明

１０…露光装置，１２…光源装置，３２…プラズマ生成部，５０…ターゲット供給部，５３…真空ポンプ，５５…デブリ除去装置，６０…射出部，６１…拡大光学系，６２…縮小光学系，６５…荷電粒子，７０…電磁レンズ，７１…電磁偏向器，７５…静電レンズ，７６…静電偏向器，８０…デブリ，８５…回収部，８６…排気口

Claims (15)

1. ＥＵＶ光の通る光路内に荷電粒子を照射して、飛散粒子を低減させる飛散粒子除去装置において、
   所定の立体角で前記荷電粒子を射出し、前記光路内における前記荷電粒子の照射領域を拡大させる射出部と、
   照射された前記荷電粒子によって帯電した前記飛散粒子を回収する回収部と、
   を備えることを特徴とする飛散粒子除去装置。
2. 請求項１記載の飛散粒子除去装置において、
   前記光路内に射出される前記荷電粒子の照射領域を拡大させる第１の電子光学系を備えたことを特徴とする飛散粒子除去装置。
3. 請求項２記載の飛散粒子除去装置において、
   前記第１の電子光学系は、電磁レンズ又は静電レンズのいずれか一方を備えていることを特徴とする飛散粒子除去装置。
4. 請求項２又は３記載の飛散粒子除去装置において、
   前記第１の電子光学系は、静電偏向器又は電磁偏向器のいずれか一方を備えていることを特徴とする飛散粒子除去装置。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の飛散粒子除去装置において、
   帯電した前記飛散粒子を偏向させる第２の電子光学系を備えていることを特徴とする飛散粒子除去装置。
6. 請求項５に記載の飛散粒子除去装置において、
   前記第２の電子光学系は、電磁レンズ又は静電レンズのいずれか一方を備えていることを特徴とする飛散粒子除去装置。
7. 請求項５又は６記載の飛散粒子除去装置において、
   前記第２の電子光学系は、静電偏光器又は電磁偏光器のいずれか一方を備えていることを特徴とする飛散粒子除去装置。
8. 請求項５〜７のいずれか１項に記載の飛散粒子除去装置において、
   前記回収部は、前記第２の電子光学系の近傍に配置されることを特徴とする飛散粒子除去装置。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の飛散粒子除去装置において、
   前記回収部は、前記飛散粒子を前記ＥＵＶ光の光路外へ回収する回収機構を有することを特徴とする飛散粒子除去装置。
10. ＥＵＶ光の通る光路内に荷電粒子を照射して、飛散粒子を低減する方法において、
    所定の立体角で前記荷電粒子を射出するステップと、
    照射された前記荷電粒子によって帯電した前記飛散粒子を回収する回収部と、
    を備えることを特徴とする飛散粒子の低減方法。
11. 請求項１０記載の飛散粒子の低減方法において、
    前記光路内に射出される前記荷電粒子の照射領域を拡大させるステップを備えたことを特徴とする飛散粒子の低減方法。
12. 請求項１０又は１１記載の飛散粒子の低減方法において、
    前記荷電粒子によって帯電した前記飛散粒子を偏向させるステップをさらに備えたことを特徴とする飛散粒子の低減方法。
13. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の飛散粒子除去装置を備えるとともに、
    ターゲット材料を供給する供給部と、
    前記ターゲット材料からプラズマを生成し、当該プラズマから発生するＥＵＶ光を放出するプラズマ生成部と、
    を備えたことを特徴とする光源装置。
14. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の飛散粒子除去装置を備えるとともに、
    ターゲット材料をプラズマ化し、生成されたプラズマからＥＵＶ光を放射させる光源部と、
    前記光源部から放射されるＥＵＶ光を被照射面に照射する照明光学系と、
    前記被照射面を介したＥＵＶ光を感光性基板に露光転写する投影光学系と、
    を備えたことを特徴とする露光装置。
15. リソグラフィー工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
    前記リソグラフィー工程において、請求項１４に記載の露光装置を用いる電子デバイスの製造方法。

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