JP2005197456A - 光源装置及びそれを用いた露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外光を発生する光源装置であって、ターゲットとなる物質を供給するターゲット供給部3、4と、ターゲットにレーザビームを照射することによりプラズマを発生させるレーザ部1、2と、プラズマから放出される極端紫外光を集光して出射する集光光学系5と、プラズマから放出される荷電粒子をトラップするために、電流が供給されたときに集光光学系内に磁場を発生させる磁場発生手段6、7とを具備する。
【選択図】 図1
Description
本発明に係る露光装置は、上記いずれかの光源装置と、光源装置によって発生された極端紫外光を複数のミラーを用いてマスクに集光する照明光学系と、マスクから反射された極端紫外光を用いて対象物を露光させる投影光学系とを具備する。
図1に、本発明の第1の実施形態に係る光源装置の構成を示す。この光源装置は、レーザ部として、レーザビームを発生する駆動用レーザ1と、駆動用レーザ1が発生するレーザビームを集光する照射光学系とを含んでいる。本実施形態においては、この照射光学系が、集光レンズ2によって構成されている。集光レンズ2としては、平凸レンズやシリンドリカルレンズ、又は、それらレンズの組み合わせが使用される。
sinθ>(BMIN/BMAX)1/2 ・・・(1)
ここで、BMINは、コイル6及び7の中間における最も低い磁束密度であり、BMAXは、コイル6及び7の近傍における最も高い磁束密度であり、θは、磁束密度がBMINとなる位置におけるイオンの速度ベクトルとZ軸とが成す角度である。なお、BMIN及びBMAXは、コイル6及び7の形状等によって決定される。
照明光学系30は、光源装置20によって発生されたEUV光を、複数の集光ミラーによって、マスクに集光する。なお、照明光学系30は、全て反射系で構成されており、トータルの反射率は、約65%となっている。
Claims (9)
- ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外光を発生する光源装置であって、
前記ターゲットとなる物質を供給するターゲット供給部と、
前記ターゲットにレーザビームを照射することによりプラズマを発生させるレーザ部と、
前記プラズマから放出される極端紫外光を集光して出射する集光光学系と、
前記プラズマから放出される荷電粒子をトラップするために、電流が供給されたときに前記集光光学系内に磁場を発生させる磁場発生手段と、
を具備する光源装置。 - 前記磁場発生手段が、前記集光光学系を挟む1対のミラーコイルを含む、請求項1記載の光源装置。
- 前記磁場発生手段が、集光光学系を内包するベースボールコイルを含む、請求項1記載の光源装置。
- 前記集光光学系内に定常磁場を発生させるように前記磁場発生手段に電流を供給する電流供給手段をさらに具備する請求項1〜3のいずれか1項記載の光源装置。
- 前記磁場発生手段に電流を供給する電流供給手段と、
前記集光光学系内にパルス磁場を発生させるように前記電流供給手段を制御するタイミング制御手段と、
をさらに具備する請求項1〜3のいずれか1項記載の光源装置。 - 前記集光光学系の周辺に電場を発生させるための電極と、
前記電極に正の電位を印加する電圧供給手段と、
をさらに具備する請求項1〜3のいずれか1項記載の光源装置。 - 前記磁場発生手段に電流を供給する電流供給手段と、
前記集光光学系内にパルス磁場を発生させるように前記電流供給手段を制御すると共に、前記集光光学系の周辺にパルス電場を発生させるように前記電圧供給手段を制御するタイミング制御手段と、
をさらに具備する請求項6記載の光源装置。 - 前記プラズマから放出される中性粒子に紫外線を照射することにより中性粒子をイオン化又は帯電させる荷電手段をさらに具備する請求項1〜7のいずれか1項記載の光源装置。
- 請求項1〜8のいずれか1項記載の光源装置と、
前記光源装置によって発生された極端紫外光を複数のミラーを用いてマスクに集光する照明光学系と、
前記マスクから反射された極端紫外光を用いて対象物を露光させる投影光学系と、
を具備する露光装置。
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