JP2004247293A - プラズマによる強力短波放射線の発生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、プラズマにより強力放射線、特に、軟X線放射線から極紫外線(EUV)放射線までの、短波放射線を発生する装置に関する。本発明の目的は、プラズマから発生する放射線を発生する新たな可能性を見いだすことであり、ここで、質量制限ターゲットの利点が保持されるとともに、プラズマに変換される個別パルス・エネルギー、したがって使用可能な放射線出力がかなりの程度増加する。本発明によれば、この目的は、ターゲット発生器が、複数の別個のオリフィスを備えたマルチプル・チャネル・ノズル有することよって達成され、この場合、オリフィスが、複数のターゲット・ジェットを発生し、プラズマを発生する励起放射線が、同時に、少しずつ、ターゲット・ジェットに向けられる。
【選択図】 図1
Description
−たとえば濃縮キセノンを含む連続材料ジェット(ターゲット・ジェット)(たとえば特許文献1参照)
−極微の液滴を含む液滴の濃霧(たとえば特許文献2参照)
−クラスタ・ターゲット(たとえば特許文献3参照)
−極微の液滴(たとえば特許文献4参照)
−スプレー使用による氷晶(特許文献5参照)
2 ターゲット発生器
21 ノズル
22 オリフィス
23 列
24 交差部
25 平行集合
26 平行集合
3 ターゲット・ジェット
4 励起放射線源
41 (励起放射線の)集光された放射線スポット
42 エネルギー・ビーム
43 投射方向
44 光円錐
45 (励起放射線の)個別ビーム
46 (個別ビーム焦点の)線状配列
47 線状焦点
48 (エネルギー・ビームの)法平面
Claims (30)
- プラズマにより強力放射線を発生する装置であって、
プラズマ生成のためのターゲット流を定量供給し、方向づけるためのノズルを備えたターゲット発生器と、
真空チャンバとを含み、
高エネルギー励起放射線が真空チャンバ内の前記ターゲット流に向けられて、前記ターゲット流が、前記励起放射線の所定のパルス・エネルギーによって、所望の波長領域における強力放射線のための高変換効率を有するプラズマに少しずつ完全に変換され、
前記ターゲット発生器の前記ノズルが、複数の個別オリフィスを備えたマルチプル・チャネル・ノズルであり、前記オリフィスが、複数のターゲット・ジェットを発生し、プラズマを生成するための前記励起放射線が、同時に、少しずつ前記ターゲット・ジェットに向けられている装置。 - 前記ノズルから出る全ての前記ターゲット・ジェット上に前記励起放射線により集束された放射線スポットが、平行ターゲット・ジェットにより、空間的には本質的に均一に塞がれ、全ての前記ターゲット・ジェットがその径にわたり完全に照射されるように、前記ノズルの前記個別オリフィスが配列されている、請求項1に記載の装置。
- 前記ノズルの前記個別オリフィスが、少なくとも一列に配列されている、請求項2に記載の装置。
- 前記ターゲット・ジェットが、隙間も重畳もなく、前記励起放射線の前記放射線スポットを満たすように、前記ノズルの前記個別オリフィスが配列され、前記ノズルの前記オリフィスが、前記放射線スポットにおいて互いに隣接して現れる前記ターゲット・ジェットへの前記励起放射線の方向に対して、オフセット配列されている、請求項2に記載の装置。
- 前記ノズルの前記個別オリフィスが一列に配列され、オリフィスの前記列が、前記励起放射線の投射方向に関し、45度〜90度の角度をなす、請求項2に記載の装置。
- 前記ノズルの前記個別オリフィスが、互いにオフセットとなるように、複数の列で配列されている、請求項4に記載の装置。
- 前記オリフィスが、前記ノズルの前記オリフィス間で等しい間隔を備えた平行列として設けられ、前記列が、前記励起放射線の前記投射方向に対して前後になるように配列され、前記列が、前後になるように配列された列の数量に依って、前記オリフィス間の間隔の一部だけ互いにオフセット配列されている、請求項6に記載の装置。
- 前記ノズルの前記オリフィスが2つの平行列で配列され、これらの列が、前記励起放射線の方向に直角になるような向きにされ、前記オリフィスの間隔の半分だけ互いにオフセットされている、請求項7に記載の装置。
- 前記オリフィスの列が交差し、交差する列が、それらの最初または最後のオリフィスを共通の交差部として共有し、前記励起放射線の投射方向に対して、交差部の等しい角度で、鏡面対称の向きにある、請求項6に記載の装置。
- オリフィスの2つの交差する列が、前記励起放射線の投射方向に対してV字形の向きにある、請求項9に記載の装置。
- 前記V字形が、その先端を、前記励起放射線の投射方向に向けている、請求項10に記載の装置。
- 前記V字形が、その開口部を、前記励起放射線の投射方向の反対に向けている、請求項10に記載の装置。
- パルス・エネルギー・ビームが励起放射線として供給され、前記エネルギー・ビームが有する焦点の断面積が、隣接する全ターゲット・ジェットの幅に同時に及んでいる、請求項1に記載の装置。
- 前記エネルギー・ビームが、パルス・レーザーによって発生される、請求項13に記載の装置。
- 前記エネルギー・ビームが、粒子ビーム、特に電子ビームである、請求項13に記載の装置。
- 前記エネルギー・ビームが、粒子ビーム、特にイオン・ビームである、請求項13に記載の装置。
- 前記エネルギー・ビームが、適切なオプティクスを介して、前記ターゲット・ジェットの方向と直角の向きにある焦点線上のターゲット・ジェット上に集束される、請求項13に記載の装置。
- 前記エネルギー・ビームが複数の個別エネルギー・ビームより構成され、前記エネルギー・ビームが、適切な光学素子による準連続的な焦点線に合わせて、前記ターゲット・ジェットの方向と直角の列に配列され、前記ターゲット・ジェットに同時に当たる、請求項13に記載の装置。
- 前記エネルギー・ビームが複数の個別エネルギー・ビームより構成され、前記個別エネルギー・ビームのそれぞれが、1つのターゲット・ジェット上に集束され、全てのターゲット・ジェットが同時に照射される、請求項13に記載の装置。
- ビーム分割光学素子を備えたレーザーが、個別エネルギー・ビームの列を発生するために設けられている、請求項18に記載の装置。
- 複数の同時に動作するレーザーが、個別エネルギー・ビームの列を発生するために設けられている、請求項18に記載の装置。
- 前記エネルギー・ビームが、プレパルスおよびメイン・パルスを含むマルチ・パルス、特に二重パルスの使用によりエネルギーを結合する効率に関し、最適化される、請求項18に記載の装置。
- 前記マルチプル・チャネル・ノズルの前記オリフィスから発する前記ターゲット・ジェットが、前記励起放射線との相互作用領域において、連続的なジェットである、請求項1に記載の装置。
- 前記マルチプル・チャネル・ノズルの前記オリフィスから発する前記ターゲット・ジェットが、遅くとも前記励起放射線との相互作用領域において、液滴になる、請求項1に記載の装置。
- 前記ターゲット・ジェットが、液体ジェットである、請求項1に記載の装置。
- 前記ターゲット・ジェットが、前記ノズルから前記真空チャンバに出るとき、凍結固体ジェットである、請求項1に記載の装置。
- 前記ターゲット・ジェットが、濃縮キセノンから生成される、請求項23に記載の装置。
- 前記ターゲット・ジェットが、金属塩の水溶液から生成される、請求項23に記載の装置。
- 請求項1に記載の装置を用いる方法であって、ソフトX線放射線と赤外線スペクトル領域との間の波長領域において、プラズマから発生する放射線を発生するステップを有する方法。
- 請求項1に記載の装置を用いる方法であって、半導体リソグラフィ、特に13.5nm領域におけるEUVリソグラフィのデバイス用に、1nm〜20nmの波長領域のEUV放射線を発生するステップを有する方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10306668A DE10306668B4 (de) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | Anordnung zur Erzeugung von intensiver kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Plasmas |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004247293A true JP2004247293A (ja) | 2004-09-02 |
JP2004247293A5 JP2004247293A5 (ja) | 2005-08-04 |
Family
ID=32747961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004012104A Pending JP2004247293A (ja) | 2003-02-13 | 2004-01-20 | プラズマによる強力短波放射線の発生装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6995382B2 (ja) |
JP (1) | JP2004247293A (ja) |
DE (1) | DE10306668B4 (ja) |
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- 2003-02-13 DE DE10306668A patent/DE10306668B4/de not_active Expired - Fee Related
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2004
- 2004-01-20 JP JP2004012104A patent/JP2004247293A/ja active Pending
- 2004-02-12 US US10/777,616 patent/US6995382B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE10306668A1 (de) | 2004-08-26 |
US20040159802A1 (en) | 2004-08-19 |
DE10306668B4 (de) | 2009-12-10 |
US6995382B2 (en) | 2006-02-07 |
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---|---|---|---|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090324 |