JP2003133100A - Ｘ線照射装置における飛散物除去方法及び装置 - Google Patents
Ｘ線照射装置における飛散物除去方法及び装置Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 プラズマＸ線源における高速飛散物の除去方
法に、Ｘ線吸収率の低いガス又はフィルターを配置する
方法がある。この方法は、飛散物を除去できるが、Ｘ線
も吸収する。飛散物除去のためには、衝突媒質は長く、
高密度状態が要求されるが、Ｘ線の吸収も大きくなり、
Ｘ線強度も低下する。本願発明の目的は、Ｘ線の強度を
損なわずに飛散物を除去することにある。 【解決手段】 レーザー生成プラズマ、ピンチプラズマ
又は細管に閉じ込められた放電プラズマからの飛散物
は、レーザー生成プラズマを飛散物の被衝突物質として
選ぶことにより、有効に除去ができる。両者は、プラズ
マにより生成される飛散物のため、同程度の速度であ
り、飛散物除去用のレーザー生成プラズマが高速シャッ
ターとして機能する。また、Ｘ線パルス幅は非常に短
く、Ｘ線速度は飛散物より圧倒的に速いため、Ｘ線は、
上記高速シャッターの動作前に完全に透過し、減衰は全
くない。
法に、Ｘ線吸収率の低いガス又はフィルターを配置する
方法がある。この方法は、飛散物を除去できるが、Ｘ線
も吸収する。飛散物除去のためには、衝突媒質は長く、
高密度状態が要求されるが、Ｘ線の吸収も大きくなり、
Ｘ線強度も低下する。本願発明の目的は、Ｘ線の強度を
損なわずに飛散物を除去することにある。 【解決手段】 レーザー生成プラズマ、ピンチプラズマ
又は細管に閉じ込められた放電プラズマからの飛散物
は、レーザー生成プラズマを飛散物の被衝突物質として
選ぶことにより、有効に除去ができる。両者は、プラズ
マにより生成される飛散物のため、同程度の速度であ
り、飛散物除去用のレーザー生成プラズマが高速シャッ
ターとして機能する。また、Ｘ線パルス幅は非常に短
く、Ｘ線速度は飛散物より圧倒的に速いため、Ｘ線は、
上記高速シャッターの動作前に完全に透過し、減衰は全
くない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、プラズマＸ線源
を用いて、真空紫外から軟Ｘ線に至るまでのＸ線（本願
明細書においては、単に「Ｘ線」という。）を利用する
技術分野に関するものである。例えば、プラズマＸ線源
を利用したEUVリソグラフィー装置及びＸ線光電子分光
装置等がこれに該当する。
を用いて、真空紫外から軟Ｘ線に至るまでのＸ線（本願
明細書においては、単に「Ｘ線」という。）を利用する
技術分野に関するものである。例えば、プラズマＸ線源
を利用したEUVリソグラフィー装置及びＸ線光電子分光
装置等がこれに該当する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＸ線源は、小型、高輝度、高繰
り返し動作、高Ｘ線までの高エネルギーＸ線を輻射でき
るなど優れた特徴を有している。しかし、プラズマ生成
に対して避けることができないプラズマからの飛散物、
レーザー照射における照射標的材からの飛散物、放電プ
ラズマにおける電極材料からの飛散物等がＸ線輻射と同
時に生成され、Ｘ線光学鏡に付着、注入され蒸着、損傷
による性能の劣化を引き起こしている。また、Ｘ線を用
いた分析装置では試料組成の変化を引き起こす。
り返し動作、高Ｘ線までの高エネルギーＸ線を輻射でき
るなど優れた特徴を有している。しかし、プラズマ生成
に対して避けることができないプラズマからの飛散物、
レーザー照射における照射標的材からの飛散物、放電プ
ラズマにおける電極材料からの飛散物等がＸ線輻射と同
時に生成され、Ｘ線光学鏡に付着、注入され蒸着、損傷
による性能の劣化を引き起こしている。また、Ｘ線を用
いた分析装置では試料組成の変化を引き起こす。
【０００３】この飛散物を除去するため、従来から物質
と衝突させ減少させる方法が考案されている。例えば、
特開平９―３２０７９２「Ｘ線発生装置」においては、
飛散物をＸ線吸収率の低いガスに衝突させることによ
り、飛散物の除去を行っている。この場合、ガスは、線
源と被Ｘ線照射物の間に存在するため、Ｘ線自身も吸収
されることになり、その線量が低下している。ガスをジ
ェット状にして高速に吹き出すシャッターにする方法も
考案されているが、プラズマからの高速飛散物とガスの
膨張速度が数桁異なることから実用的な高速シャッター
とはなり得ない。
と衝突させ減少させる方法が考案されている。例えば、
特開平９―３２０７９２「Ｘ線発生装置」においては、
飛散物をＸ線吸収率の低いガスに衝突させることによ
り、飛散物の除去を行っている。この場合、ガスは、線
源と被Ｘ線照射物の間に存在するため、Ｘ線自身も吸収
されることになり、その線量が低下している。ガスをジ
ェット状にして高速に吹き出すシャッターにする方法も
考案されているが、プラズマからの高速飛散物とガスの
膨張速度が数桁異なることから実用的な高速シャッター
とはなり得ない。
【０００４】また、極薄膜のフィルターにより飛散物を
除去する方法が考案されている。この方法は、ガス同様
にＸ線の吸収が生じるため、Ｘ線の性能を著しく損なう
ものである。
除去する方法が考案されている。この方法は、ガス同様
にＸ線の吸収が生じるため、Ｘ線の性能を著しく損なう
ものである。
【０００５】このように従来の衝突による飛散物除去の
方式においては、Ｘ線の性能を落とさず、飛散物の除去
ができる方式は存在していない。
方式においては、Ｘ線の性能を落とさず、飛散物の除去
ができる方式は存在していない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】プラズマＸ線源におけ
る高速飛散物を除去する方法として、Ｘ線吸収率の低い
ガス又はフィルターをＸ線源とＸ線光学系の間に配置す
る方法が公知であるが、この方法は、飛散物を除去する
ことはできるが、同時にＸ線もある程度吸収することに
なる。そして、飛散物をより多く除去するためには、衝
突する媒質は厚く、高密度状態が要求されるが、それに
つれて、Ｘ線の吸収は大きくなり、Ｘ線強度も低下す
る。本願発明の目的は、Ｘ線の強度を損なうことなく、
飛散物を除去することである。
る高速飛散物を除去する方法として、Ｘ線吸収率の低い
ガス又はフィルターをＸ線源とＸ線光学系の間に配置す
る方法が公知であるが、この方法は、飛散物を除去する
ことはできるが、同時にＸ線もある程度吸収することに
なる。そして、飛散物をより多く除去するためには、衝
突する媒質は厚く、高密度状態が要求されるが、それに
つれて、Ｘ線の吸収は大きくなり、Ｘ線強度も低下す
る。本願発明の目的は、Ｘ線の強度を損なうことなく、
飛散物を除去することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】標的にレーザーを照射す
ることにより生成したプラズマ（この明細書においては
「レーザー生成プラズマ」という。）、ピンチプラズマ
又は細管に閉じ込められた放電プラズマからの飛散物
は、レーザー生成プラズマ自身を飛散物の被衝突物質と
して選ぶことにより、有効に除去することができる。Ｘ
線源プラズマからの飛散物も飛散物除去用のプラズマか
らの飛散物も、共にプラズマにより生成される飛散物で
あり、同程度の速度であるので、飛散物除去用のレーザ
ー生成プラズマは、高速度シャッターとして機能する。
また、Ｘ線のパルス幅は、非常に短く、Ｘ線の速度は、
飛散物に比べ圧倒的に速いため、Ｘ線は、上記高速度シ
ャッターが動作する前に完全に透過し、減衰することは
全くない。
ることにより生成したプラズマ（この明細書においては
「レーザー生成プラズマ」という。）、ピンチプラズマ
又は細管に閉じ込められた放電プラズマからの飛散物
は、レーザー生成プラズマ自身を飛散物の被衝突物質と
して選ぶことにより、有効に除去することができる。Ｘ
線源プラズマからの飛散物も飛散物除去用のプラズマか
らの飛散物も、共にプラズマにより生成される飛散物で
あり、同程度の速度であるので、飛散物除去用のレーザ
ー生成プラズマは、高速度シャッターとして機能する。
また、Ｘ線のパルス幅は、非常に短く、Ｘ線の速度は、
飛散物に比べ圧倒的に速いため、Ｘ線は、上記高速度シ
ャッターが動作する前に完全に透過し、減衰することは
全くない。
【０００８】
【作用】本願発明においては、プラズマＸ線源からのＸ
線の強度を全く損なうことなく、飛散物の中で、最も問
題となる高速飛散物を他のプラズマとの衝突により除去
することができる。このため、Ｘ線光学鏡の長寿命化が
実現でき、非常に高額なＸ線光学鏡に費やす費用を減額
することができると共に、Ｘ線源におけるＸ線光学系の
複雑な光学設定の回数が減少され、長寿命化以上の効果
を引き出すことができる。また、Ｘ線を用いた分析装置
においては、長時間のＸ線照射に伴い発生する飛散物に
よる組成変化が無視できる機構を実現することができ
る。
線の強度を全く損なうことなく、飛散物の中で、最も問
題となる高速飛散物を他のプラズマとの衝突により除去
することができる。このため、Ｘ線光学鏡の長寿命化が
実現でき、非常に高額なＸ線光学鏡に費やす費用を減額
することができると共に、Ｘ線源におけるＸ線光学系の
複雑な光学設定の回数が減少され、長寿命化以上の効果
を引き出すことができる。また、Ｘ線を用いた分析装置
においては、長時間のＸ線照射に伴い発生する飛散物に
よる組成変化が無視できる機構を実現することができ
る。
【０００９】
【実施の態様】Ｘ線照射装置としては、微少領域照射装
置と広立体角照射装置が考えられる。微少領域照射装置
の概要を図１に示し、広立体角照射装置の概要を図２に
示す。
置と広立体角照射装置が考えられる。微少領域照射装置
の概要を図１に示し、広立体角照射装置の概要を図２に
示す。
【００１０】プラズマＸ線源は、レーザー生成プラズ
マ、ピンチプラズマ又は細管に閉じ込められた放電プラ
ズマである。Ｘ線生成用のレーザーとしては、短波長で
高繰り返し動作が可能な、高出力レーザーが用いられ
る。例えば、ＹＡＧレーザー（２倍波、３倍波を含
む。）、ＫｒＦレーザー及びＴｉサファイアレーザー等
が対象となる。パルス幅は、１０ｎｓ〜３００ｎｓ位の
ＹＡＧレーザー、数１０ｎｓ位のＫｒＦレーザー、１ｐ
ｓ以下又は圧縮しない数１００ｐｓ程度のＴｉサファイ
アレーザーが考えられる。また、パルス間隔は、高繰り
返し動作が念頭にあるので、数10kHzを最高として10Hz
位までが対象である。従って、最小の間隔は、数10msで
ある。レーザー生成プラズマにおけるＸ線源の標的には
Ｘ線光学鏡として高反射率が得られる波長を輻射するA
l、Xe、Snが候補として考えられる。また多層膜が製作
可能で狭帯域の大きな遷移確率のスペクトル線が存在す
るB、C、Al、Cuも用いることが出来る。また、上記元素
を主成分とする化合物も用いることができる。一方、ピ
ンチプラズマにおけるＸ線光源にはXeガスが用いられ
る。また、飛散物制御プラズマ用標的には、Siの他、A
r、Zn、Ga、Kr、Mo、In、Sn、Xe、Pb若しくはHg及びそ
れらを主成分とする化合物を用いることができる。広立
体角の照射装置の場合には、固体のSn又は固体若しくは
液体のXeが好ましい。
マ、ピンチプラズマ又は細管に閉じ込められた放電プラ
ズマである。Ｘ線生成用のレーザーとしては、短波長で
高繰り返し動作が可能な、高出力レーザーが用いられ
る。例えば、ＹＡＧレーザー（２倍波、３倍波を含
む。）、ＫｒＦレーザー及びＴｉサファイアレーザー等
が対象となる。パルス幅は、１０ｎｓ〜３００ｎｓ位の
ＹＡＧレーザー、数１０ｎｓ位のＫｒＦレーザー、１ｐ
ｓ以下又は圧縮しない数１００ｐｓ程度のＴｉサファイ
アレーザーが考えられる。また、パルス間隔は、高繰り
返し動作が念頭にあるので、数10kHzを最高として10Hz
位までが対象である。従って、最小の間隔は、数10msで
ある。レーザー生成プラズマにおけるＸ線源の標的には
Ｘ線光学鏡として高反射率が得られる波長を輻射するA
l、Xe、Snが候補として考えられる。また多層膜が製作
可能で狭帯域の大きな遷移確率のスペクトル線が存在す
るB、C、Al、Cuも用いることが出来る。また、上記元素
を主成分とする化合物も用いることができる。一方、ピ
ンチプラズマにおけるＸ線光源にはXeガスが用いられ
る。また、飛散物制御プラズマ用標的には、Siの他、A
r、Zn、Ga、Kr、Mo、In、Sn、Xe、Pb若しくはHg及びそ
れらを主成分とする化合物を用いることができる。広立
体角の照射装置の場合には、固体のSn又は固体若しくは
液体のXeが好ましい。
【００１１】飛散物抑制用プラズマの方は、特に指定し
ないが、Ｘ線がリソグラフィーに使用される場合には、
プラズマＸ線源の標的として、Sn、 Xeが候補なので、
抑制用にも同じ物質の方が制御しやすい。また、飛散物
が付着した場合には、融点及び沸点が低い物質、蒸気圧
が高い物質Zn等が剥離しやすい物質である。さらに、直
ちに気化することを考慮すると、In、Hg、 Ga等の低融
点物質も候補である。希ガスは、当然、直ちに気化して
化合しないので、最も有望な候補であるが、密度を高め
るために液体、固体の状態にする必要があるのと、衝突
に対して軽いガスではSnの様な重い元素の飛散物の軌道
を変えるのは困難である。その意味においても、吸収率
の低いKr又は線源にも使われるXe等が候補である。
ないが、Ｘ線がリソグラフィーに使用される場合には、
プラズマＸ線源の標的として、Sn、 Xeが候補なので、
抑制用にも同じ物質の方が制御しやすい。また、飛散物
が付着した場合には、融点及び沸点が低い物質、蒸気圧
が高い物質Zn等が剥離しやすい物質である。さらに、直
ちに気化することを考慮すると、In、Hg、 Ga等の低融
点物質も候補である。希ガスは、当然、直ちに気化して
化合しないので、最も有望な候補であるが、密度を高め
るために液体、固体の状態にする必要があるのと、衝突
に対して軽いガスではSnの様な重い元素の飛散物の軌道
を変えるのは困難である。その意味においても、吸収率
の低いKr又は線源にも使われるXe等が候補である。
【００１２】
【実施例１】実施例１として、微少な領域にＸ線照射を
行う場合を以下に示す。図１において、１は、Ｘ線源生
成用パルスレーザーであり、ＹＡＧレーザーを用いた。
２は、該パルスレーザーをプラズマＸ線源用標的３（標
的はＳｎ）に照射した際に発生するプラズマＸ線源であ
る。５は、飛散物除去用プラズマ生成用パルスレーザー
であり、１と同じくＹＡＧレーザーを用いた。勿論これ
らのレーザーは、その他のレーザーであってもかまわな
い。７は、飛散物除去用プラズマのための標的であり、
Snを用いた。図１に示すように、パルスレーザーを標的
に照射してプラズマＸ線源を発生させる方式において、
微少領域の試料にＸ線を照射させる場合、Ｘ線源からの
Ｘ線は照射領域設定用窓を通過して試料に照射される。
この時、同時にＸ線源プラズマにおいて発生する飛散物
は、飛散物除去用プラズマと衝突しＸ線光の軌道から分
離されるため、衝突領域設定用窓より進入して試料を汚
染、破壊することはない。また、飛散物除去用のプラズ
マからの飛散物は標的の照射点が照射領域設定窓から幾
何学的に見えないよう傾斜するか、遮蔽物で覆われてい
る構造となっている。このため、飛散物除去用プラズマ
からの飛散物は直接試料に到達することはない。
行う場合を以下に示す。図１において、１は、Ｘ線源生
成用パルスレーザーであり、ＹＡＧレーザーを用いた。
２は、該パルスレーザーをプラズマＸ線源用標的３（標
的はＳｎ）に照射した際に発生するプラズマＸ線源であ
る。５は、飛散物除去用プラズマ生成用パルスレーザー
であり、１と同じくＹＡＧレーザーを用いた。勿論これ
らのレーザーは、その他のレーザーであってもかまわな
い。７は、飛散物除去用プラズマのための標的であり、
Snを用いた。図１に示すように、パルスレーザーを標的
に照射してプラズマＸ線源を発生させる方式において、
微少領域の試料にＸ線を照射させる場合、Ｘ線源からの
Ｘ線は照射領域設定用窓を通過して試料に照射される。
この時、同時にＸ線源プラズマにおいて発生する飛散物
は、飛散物除去用プラズマと衝突しＸ線光の軌道から分
離されるため、衝突領域設定用窓より進入して試料を汚
染、破壊することはない。また、飛散物除去用のプラズ
マからの飛散物は標的の照射点が照射領域設定窓から幾
何学的に見えないよう傾斜するか、遮蔽物で覆われてい
る構造となっている。このため、飛散物除去用プラズマ
からの飛散物は直接試料に到達することはない。
【００１３】Ｘ線源プラズマから制御用のプラズマまで
60mm程度（もっと短い距離でも十分である。）、検出器
まで160mm程度の配置で実験を行ったところ、高速の成
分の飛散物（Ｘ線源プラズマからの多価イオン）は１％
以下程度に抑制することができた。除去用プラズマを遠
くに設置し遠方にて高速飛散物と衝突させるに連れ、そ
の効果はやや弱まる傾向にあるが、10mmまでの配置にお
いても十分な減衰効果が得られた。
60mm程度（もっと短い距離でも十分である。）、検出器
まで160mm程度の配置で実験を行ったところ、高速の成
分の飛散物（Ｘ線源プラズマからの多価イオン）は１％
以下程度に抑制することができた。除去用プラズマを遠
くに設置し遠方にて高速飛散物と衝突させるに連れ、そ
の効果はやや弱まる傾向にあるが、10mmまでの配置にお
いても十分な減衰効果が得られた。
【００１４】
【実施例２】次に、広立体角にＸ線照射を行う場合を説
明する。図２において、Ｘ線生成用パルスレーザー２を
プラズマＸ線源用標的３に照射しプラズマＸ線源を生成
する。そのＸ線は、隔壁９の間隙をとおりＸ線光学鏡１
０に到達し、反射される。その際、飛散物除去用プラズ
マ生成用パルスレーザー５からのレーザー光は、シリン
ドリカルレンズにより線状に収束され、飛散物除去用プ
ラズマのための標的３に照射される。その結果、該標的
からは、線状の飛散物除去用プラズマが生成される。言
い換えると、図２に示すように、パルスレーザーを標的
に照射してプラズマＸ線源を発生させる方式において、
広立体角で輻射するＸ線光をＸ線光学鏡で反射する場
合、Ｘ線源から輻射したＸ線は、プラズマが存在する位
置から放射状に延長する面に形成される隔壁の隙間を通
過しＸ線光学鏡を照射しその後反射される。つまり、Ｘ
線は、壁の厚みが無視できるなら100%捕らえることが出
来る構造である。一方、軌道を曲げられた飛散物は、該
隔壁に衝突し、捕らえられるか、さらに弾かれ別の壁に
当たる仕組みである。その構造に基本的に該当するの
は、図２に示すような複数の扇状の隔壁である。勿論、
円錐、三角錐、四角錐、六角錘でハニカム状に積み重ね
る構造であってもよい。また、大きな錐体の中に順々に
小さな錐体を入れ子状にはめ込んだものでもよい。
明する。図２において、Ｘ線生成用パルスレーザー２を
プラズマＸ線源用標的３に照射しプラズマＸ線源を生成
する。そのＸ線は、隔壁９の間隙をとおりＸ線光学鏡１
０に到達し、反射される。その際、飛散物除去用プラズ
マ生成用パルスレーザー５からのレーザー光は、シリン
ドリカルレンズにより線状に収束され、飛散物除去用プ
ラズマのための標的３に照射される。その結果、該標的
からは、線状の飛散物除去用プラズマが生成される。言
い換えると、図２に示すように、パルスレーザーを標的
に照射してプラズマＸ線源を発生させる方式において、
広立体角で輻射するＸ線光をＸ線光学鏡で反射する場
合、Ｘ線源から輻射したＸ線は、プラズマが存在する位
置から放射状に延長する面に形成される隔壁の隙間を通
過しＸ線光学鏡を照射しその後反射される。つまり、Ｘ
線は、壁の厚みが無視できるなら100%捕らえることが出
来る構造である。一方、軌道を曲げられた飛散物は、該
隔壁に衝突し、捕らえられるか、さらに弾かれ別の壁に
当たる仕組みである。その構造に基本的に該当するの
は、図２に示すような複数の扇状の隔壁である。勿論、
円錐、三角錐、四角錐、六角錘でハニカム状に積み重ね
る構造であってもよい。また、大きな錐体の中に順々に
小さな錐体を入れ子状にはめ込んだものでもよい。
【００１５】Ｘ線と同時にＸ線源プラズマから発生する
飛散物は、図２に示すように、四方に放出される。この
放出された飛散物を広立体角で除去できるように、飛散
物除去用のレーザーは、線状に集光され標的に照射され
る。プラズマは、主として、標的の法線方向に膨張する
ため、線状方向の軸とプラズマの膨張方向の軸とで形成
される面状に生成する。このため、該面状に膨張生成し
たプラズマは、Ｘ線源とＸ線光学鏡の中心を結ぶ線に垂
直であり、中心の隔壁と垂直であることが好ましい。
飛散物は、図２に示すように、四方に放出される。この
放出された飛散物を広立体角で除去できるように、飛散
物除去用のレーザーは、線状に集光され標的に照射され
る。プラズマは、主として、標的の法線方向に膨張する
ため、線状方向の軸とプラズマの膨張方向の軸とで形成
される面状に生成する。このため、該面状に膨張生成し
たプラズマは、Ｘ線源とＸ線光学鏡の中心を結ぶ線に垂
直であり、中心の隔壁と垂直であることが好ましい。
【００１６】このような構成にすると、飛散物除去用プ
ラズマと衝突した飛散物は、Ｘ線の照射される軌道とは
異なった軌道に進行を変更され、Ｘ線光学鏡の前に設け
られた隔壁に複数回衝突し、隔壁に付着もしくは注入さ
れることになる。したがって、該高速飛散物は、Ｘ線光
学鏡に到達することはなく、該光学鏡を汚染することは
ない。
ラズマと衝突した飛散物は、Ｘ線の照射される軌道とは
異なった軌道に進行を変更され、Ｘ線光学鏡の前に設け
られた隔壁に複数回衝突し、隔壁に付着もしくは注入さ
れることになる。したがって、該高速飛散物は、Ｘ線光
学鏡に到達することはなく、該光学鏡を汚染することは
ない。
【００１７】
【発明の効果】本願発明によれば、プラズマＸ線源より
Ｘ線と同時に発生した高速飛散物を別のレーザー生成プ
ラズマと衝突させることで、高速なシャッターを実現
し、全く損失のないＸ線強度を得られるだけでなく、こ
の高速飛散物の軌道を衝突によりＸ線と分離することで
微少な被Ｘ線照射試料への組成変化を行うことなく長時
間のＸ線露光が可能となる。さらに、Ｘ線源からの立体
角を減じないような構成の隔壁と組み合わせることによ
り広立体角でのＸ線捕集においてもプラズマＸ線源から
の高速飛散物を除去することが可能である。
Ｘ線と同時に発生した高速飛散物を別のレーザー生成プ
ラズマと衝突させることで、高速なシャッターを実現
し、全く損失のないＸ線強度を得られるだけでなく、こ
の高速飛散物の軌道を衝突によりＸ線と分離することで
微少な被Ｘ線照射試料への組成変化を行うことなく長時
間のＸ線露光が可能となる。さらに、Ｘ線源からの立体
角を減じないような構成の隔壁と組み合わせることによ
り広立体角でのＸ線捕集においてもプラズマＸ線源から
の高速飛散物を除去することが可能である。
【図１】 微小領域Ｘ線照射装置の模式図
【図２】 広立体角Ｘ線照射装置の模式図
１ Ｘ線源発生用パルスレーザー
２ プラズマＸ線源
３ プラズマＸ線源用標的
４ 照射領域設定用窓
５ 飛散物除去用プラズマ生成用パルスレーザー
６ 飛散物除去用プラズマ
７ 飛散物除去用プラズマ用標的
８ 被Ｘ線照射用試料
９ 隔壁
１０Ｘ線光学鏡
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ２１Ｋ 5/08 Ｈ０５Ｇ 1/00 Ｋ
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｒ
Ｈ０５Ｇ 1/00 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ｓ
５０３Ｇ
Claims (17)
- 【請求項１】 Ｘ線照射装置における飛散物除去方法に
おいて、Ｘ線の発生と共に発生する高速飛散物を、飛散
物除去用プラズマと衝突させることにより、該Ｘ線の強
度を損なうことなく、該Ｘ線と該飛散物との軌道を分離
することを特徴とするＸ線照射装置における飛散物除去
方法。 - 【請求項２】 上記請求項１記載のＸ線照射装置におけ
る飛散物除去方法において、上記Ｘ線は、レーザー生成
プラズマ、ピンチプラズマ又は細管に閉じ込められた放
電プラズマにより生成されることを特徴とするＸ線照射
装置における飛散物除去方法。 - 【請求項３】 上記請求項１又は２記載のＸ線照射装置
における飛散物除去方法において、上記飛散物除去用プ
ラズマは、レーザー生成プラズマであることを特徴とす
るＸ線照射装置における飛散物除去方法。 - 【請求項４】 上記請求項１乃至３のいずれかに記載の
Ｘ線照射装置における飛散物除去方法において、上記Ｘ
線が通過した後、該Ｘ線に後続する上記飛散物と上記飛
散物除去用プラズマとを衝突させることを特徴とするＸ
線照射装置における飛散物除去方法。 - 【請求項５】 Ｘ線照射装置における飛散物除去装置に
おいて、Ｘ線の発生と共に発生する高速飛散物を、飛散
物除去用プラズマと衝突させることにより、該Ｘ線と該
飛散物との軌道を分離することを特徴とするＸ線照射装
置における飛散物除去装置。 - 【請求項６】 上記請求項５記載のＸ線照射装置におけ
る飛散物除去装置において、上記飛散物除去用プラズマ
は、レーザー生成プラズマであることを特徴とするＸ線
照射装置における飛散物除去装置。 - 【請求項７】 上記請求項５又は６記載のＸ線照射装置
における飛散物除去装置において、上記Ｘ線が通過した
後、該Ｘ線に後続する上記飛散物と上記飛散物除去用プ
ラズマとを衝突させることを特徴とするＸ線照射装置に
おける飛散物除去装置。 - 【請求項８】 上記請求項５乃至７のいずれかに記載の
Ｘ線照射装置における飛散物除去装置において、上記Ｘ
線は、レーザー生成プラズマ、ピンチプラズマ又は細管
に閉じ込められた放電プラズマにより生成されたもので
あることを特徴とするＸ線照射装置における飛散物除去
装置。 - 【請求項９】 上記請求項５乃至８のいずれかに記載の
Ｘ線照射装置における飛散物除去装置において、上記飛
散物除去用プラズマを生成するための標的としてSi、A
r、Zn、Ga、Kr、Mo、In、Sn、Xe、Pb若しくはHg又はそ
れらを主成分とした化合物を用いたことを特徴とするＸ
線照射装置における飛散物除去装置。 - 【請求項１０】 上記請求項８又は９記載のＸ線照射装
置における飛散物除去装置において、Ｘ線源用の上記レ
ーザー生成プラズマを生成のための標的としてB、C、A
l、Cu、Xe若しくはSn又はそれらを主成分とした化合物
を用いたことを特徴とするＸ線照射装置における飛散物
除去装置。 - 【請求項１１】 上記請求項８又は９記載のＸ線照射装
置における飛散物除去装置において、上記ピンチプラズ
マを構成する物質としてXeを用いたことを特徴とするＸ
線照射装置における飛散物除去装置。 - 【請求項１２】 上記請求項５乃至１１のいずれかに記
載のＸ線照射装置における飛散物除去装置において、レ
ーザー光線を標的上に点状に集光することにより、上記
飛散物除去用プラズマを形成することを特徴とするＸ線
照射装置における飛散物除去装置。 - 【請求項１３】 上記請求項５乃至１１のいずれかに記
載のＸ線照射装置における飛散物除去装置において、レ
ーザー光線を標的上に線状に集光することにより、上記
飛散物除去用プラズマを面上に形成することを特徴とす
るＸ線照射装置における飛散物除去装置。 - 【請求項１４】 上記請求項５乃至１３のいずれかに記
載のＸ線照射装置における飛散物除去装置において、上
記飛散物除去用プラズマを発生させるためのレーザー照
射標的の面を傾斜させることにより、上記飛散物除去用
プラズマからの飛散物がＸ線被照射物への立体角に入ら
ないように設定されていることを特徴とするＸ線照射装
置における飛散物除去装置。 - 【請求項１５】 上記請求項５乃至１３のいずれかに記
載のＸ線源の飛散物除去装置において、上記飛散物除去
用プラズマとＸ線被照射物との間に遮蔽物を設けること
により、上記飛散物除去用プラズマからの飛散物がＸ線
被照射物への立体角に入らないように設定されているこ
とを特徴とするＸ線照射装置における飛散物除去装置。 - 【請求項１６】 上記請求項５乃至１５のいずれかに記
載のＸ線照射装置における飛散物除去装置において、Ｘ
線源から放射状に延びる面を形成する隔壁を構成し、Ｘ
線の立体角は隔壁の厚み以外に損失がない構造におい
て、上記高速飛散物は、上記飛散物除去用プラズマと衝
突後、該隔壁と衝突し、Ｘ線光学鏡に到達しない構造と
したことを特徴とするＸ線照射装置における飛散物除去
装置。 - 【請求項１７】 上記請求項１６記載のＸ線照射装置に
おける飛散物除去装置において、上記隔壁は、上記プラ
ズマＸ線源を頂点とした複数の円錐の側面又は複数の多
角錘の側面を重ね合わせた構造としたことを特徴とする
Ｘ線照射装置における飛散物除去装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327783A JP3790814B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | Ｘ線照射装置における飛散物除去方法及び装置 |
| EP02257391A EP1309234B1 (en) | 2001-10-25 | 2002-10-24 | Method and apparatus for elimination of high energy ions from EUV radiating device |
| US10/279,854 US6724004B2 (en) | 2001-10-25 | 2002-10-25 | Method and apparatus for elimination of high energy ion from EUV radiating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327783A JP3790814B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | Ｘ線照射装置における飛散物除去方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133100A true JP2003133100A (ja) | 2003-05-09 |
| JP3790814B2 JP3790814B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=19143957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001327783A Expired - Lifetime JP3790814B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | Ｘ線照射装置における飛散物除去方法及び装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6724004B2 (ja) |
| EP (1) | EP1309234B1 (ja) |
| JP (1) | JP3790814B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006408A1 (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
| US7741616B2 (en) | 2004-06-24 | 2010-06-22 | Nikon Corporation | EUV light source, EUV exposure equipment, and semiconductor device manufacturing method |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3782736B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2006-06-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びその制御方法 |
| JP4102180B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2008-06-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 高速粒子発生方法及び高速粒子発生装置 |
| EP1491963A3 (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-17 | ASML Netherlands B.V. | Laser produced plasma radiation system with contamination barrier |
| TWI237733B (en) | 2003-06-27 | 2005-08-11 | Asml Netherlands Bv | Laser produced plasma radiation system with foil trap |
| JP2005268035A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Canon Inc | Ｅｕｖ光源の評価用評価装置、およびそれを用いた評価方法 |
| DE102004028943B4 (de) | 2004-06-11 | 2006-10-12 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung zur zeitlich stabilen Erzeugung von EUV-Strahlung mittels eines laserinduzierten Plasmas |
| WO2006075535A1 (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Nikon Corporation | レーザプラズマｅｕｖ光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びｅｕｖ露光装置 |
| US8018574B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation system and device manufacturing method |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01143385A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Nec Corp | Ｘ線レーザー発振源 |
| US6038279A (en) * | 1995-10-16 | 2000-03-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generating device, and exposure apparatus and semiconductor device production method using the X-ray generating device |
| JPH09320792A (ja) | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置 |
| US6064072A (en) * | 1997-05-12 | 2000-05-16 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source |
| NL1008352C2 (nl) * | 1998-02-19 | 1999-08-20 | Stichting Tech Wetenschapp | Inrichting, geschikt voor extreem ultraviolet lithografie, omvattende een stralingsbron en een verwerkingsorgaan voor het verwerken van de van de stralingsbron afkomstige straling, alsmede een filter voor het onderdrukken van ongewenste atomaire en microscopische deeltjes welke door een stralingsbron zijn uitgezonden. |
-
2001
- 2001-10-25 JP JP2001327783A patent/JP3790814B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-24 EP EP02257391A patent/EP1309234B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-25 US US10/279,854 patent/US6724004B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006408A1 (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
| US7491955B2 (en) | 2004-06-24 | 2009-02-17 | Nikon Corporation | EUV light source, EUV exposure system, and production method for semiconductor device |
| US7741616B2 (en) | 2004-06-24 | 2010-06-22 | Nikon Corporation | EUV light source, EUV exposure equipment, and semiconductor device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1309234A2 (en) | 2003-05-07 |
| EP1309234A3 (en) | 2009-04-01 |
| JP3790814B2 (ja) | 2006-06-28 |
| US20030080302A1 (en) | 2003-05-01 |
| US6724004B2 (en) | 2004-04-20 |
| EP1309234B1 (en) | 2011-10-05 |
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