JP2003133100A - X線照射装置における飛散物除去方法及び装置 - Google Patents

X線照射装置における飛散物除去方法及び装置

Info

Publication number
JP2003133100A
JP2003133100A JP2001327783A JP2001327783A JP2003133100A JP 2003133100 A JP2003133100 A JP 2003133100A JP 2001327783 A JP2001327783 A JP 2001327783A JP 2001327783 A JP2001327783 A JP 2001327783A JP 2003133100 A JP2003133100 A JP 2003133100A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scattered
plasma
ray
rays
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001327783A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3790814B2 (ja
Inventor
Hidehiko Yashiro
英彦 屋代
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2001327783A priority Critical patent/JP3790814B2/ja
Priority to EP02257391A priority patent/EP1309234B1/en
Priority to US10/279,854 priority patent/US6724004B2/en
Publication of JP2003133100A publication Critical patent/JP2003133100A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3790814B2 publication Critical patent/JP3790814B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 プラズマX線源における高速飛散物の除去方
法に、X線吸収率の低いガス又はフィルターを配置する
方法がある。この方法は、飛散物を除去できるが、X線
も吸収する。飛散物除去のためには、衝突媒質は長く、
高密度状態が要求されるが、X線の吸収も大きくなり、
X線強度も低下する。本願発明の目的は、X線の強度を
損なわずに飛散物を除去することにある。 【解決手段】 レーザー生成プラズマ、ピンチプラズマ
又は細管に閉じ込められた放電プラズマからの飛散物
は、レーザー生成プラズマを飛散物の被衝突物質として
選ぶことにより、有効に除去ができる。両者は、プラズ
マにより生成される飛散物のため、同程度の速度であ
り、飛散物除去用のレーザー生成プラズマが高速シャッ
ターとして機能する。また、X線パルス幅は非常に短
く、X線速度は飛散物より圧倒的に速いため、X線は、
上記高速シャッターの動作前に完全に透過し、減衰は全
くない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願発明は、プラズマX線源
を用いて、真空紫外から軟X線に至るまでのX線(本願
明細書においては、単に「X線」という。)を利用する
技術分野に関するものである。例えば、プラズマX線源
を利用したEUVリソグラフィー装置及びX線光電子分光
装置等がこれに該当する。
【0002】
【従来の技術】プラズマX線源は、小型、高輝度、高繰
り返し動作、高X線までの高エネルギーX線を輻射でき
るなど優れた特徴を有している。しかし、プラズマ生成
に対して避けることができないプラズマからの飛散物、
レーザー照射における照射標的材からの飛散物、放電プ
ラズマにおける電極材料からの飛散物等がX線輻射と同
時に生成され、X線光学鏡に付着、注入され蒸着、損傷
による性能の劣化を引き起こしている。また、X線を用
いた分析装置では試料組成の変化を引き起こす。
【0003】この飛散物を除去するため、従来から物質
と衝突させ減少させる方法が考案されている。例えば、
特開平9―320792「X線発生装置」においては、
飛散物をX線吸収率の低いガスに衝突させることによ
り、飛散物の除去を行っている。この場合、ガスは、線
源と被X線照射物の間に存在するため、X線自身も吸収
されることになり、その線量が低下している。ガスをジ
ェット状にして高速に吹き出すシャッターにする方法も
考案されているが、プラズマからの高速飛散物とガスの
膨張速度が数桁異なることから実用的な高速シャッター
とはなり得ない。
【0004】また、極薄膜のフィルターにより飛散物を
除去する方法が考案されている。この方法は、ガス同様
にX線の吸収が生じるため、X線の性能を著しく損なう
ものである。
【0005】このように従来の衝突による飛散物除去の
方式においては、X線の性能を落とさず、飛散物の除去
ができる方式は存在していない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】プラズマX線源におけ
る高速飛散物を除去する方法として、X線吸収率の低い
ガス又はフィルターをX線源とX線光学系の間に配置す
る方法が公知であるが、この方法は、飛散物を除去する
ことはできるが、同時にX線もある程度吸収することに
なる。そして、飛散物をより多く除去するためには、衝
突する媒質は厚く、高密度状態が要求されるが、それに
つれて、X線の吸収は大きくなり、X線強度も低下す
る。本願発明の目的は、X線の強度を損なうことなく、
飛散物を除去することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】標的にレーザーを照射す
ることにより生成したプラズマ(この明細書においては
「レーザー生成プラズマ」という。)、ピンチプラズマ
又は細管に閉じ込められた放電プラズマからの飛散物
は、レーザー生成プラズマ自身を飛散物の被衝突物質と
して選ぶことにより、有効に除去することができる。X
線源プラズマからの飛散物も飛散物除去用のプラズマか
らの飛散物も、共にプラズマにより生成される飛散物で
あり、同程度の速度であるので、飛散物除去用のレーザ
ー生成プラズマは、高速度シャッターとして機能する。
また、X線のパルス幅は、非常に短く、X線の速度は、
飛散物に比べ圧倒的に速いため、X線は、上記高速度シ
ャッターが動作する前に完全に透過し、減衰することは
全くない。
【0008】
【作用】本願発明においては、プラズマX線源からのX
線の強度を全く損なうことなく、飛散物の中で、最も問
題となる高速飛散物を他のプラズマとの衝突により除去
することができる。このため、X線光学鏡の長寿命化が
実現でき、非常に高額なX線光学鏡に費やす費用を減額
することができると共に、X線源におけるX線光学系の
複雑な光学設定の回数が減少され、長寿命化以上の効果
を引き出すことができる。また、X線を用いた分析装置
においては、長時間のX線照射に伴い発生する飛散物に
よる組成変化が無視できる機構を実現することができ
る。
【0009】
【実施の態様】X線照射装置としては、微少領域照射装
置と広立体角照射装置が考えられる。微少領域照射装置
の概要を図1に示し、広立体角照射装置の概要を図2に
示す。
【0010】プラズマX線源は、レーザー生成プラズ
マ、ピンチプラズマ又は細管に閉じ込められた放電プラ
ズマである。X線生成用のレーザーとしては、短波長で
高繰り返し動作が可能な、高出力レーザーが用いられ
る。例えば、YAGレーザー(2倍波、3倍波を含
む。)、KrFレーザー及びTiサファイアレーザー等
が対象となる。パルス幅は、10ns〜300ns位の
YAGレーザー、数10ns位のKrFレーザー、1p
s以下又は圧縮しない数100ps程度のTiサファイ
アレーザーが考えられる。また、パルス間隔は、高繰り
返し動作が念頭にあるので、数10kHzを最高として10Hz
位までが対象である。従って、最小の間隔は、数10msで
ある。レーザー生成プラズマにおけるX線源の標的には
X線光学鏡として高反射率が得られる波長を輻射するA
l、Xe、Snが候補として考えられる。また多層膜が製作
可能で狭帯域の大きな遷移確率のスペクトル線が存在す
るB、C、Al、Cuも用いることが出来る。また、上記元素
を主成分とする化合物も用いることができる。一方、ピ
ンチプラズマにおけるX線光源にはXeガスが用いられ
る。また、飛散物制御プラズマ用標的には、Siの他、A
r、Zn、Ga、Kr、Mo、In、Sn、Xe、Pb若しくはHg及びそ
れらを主成分とする化合物を用いることができる。広立
体角の照射装置の場合には、固体のSn又は固体若しくは
液体のXeが好ましい。
【0011】飛散物抑制用プラズマの方は、特に指定し
ないが、X線がリソグラフィーに使用される場合には、
プラズマX線源の標的として、Sn、 Xeが候補なので、
抑制用にも同じ物質の方が制御しやすい。また、飛散物
が付着した場合には、融点及び沸点が低い物質、蒸気圧
が高い物質Zn等が剥離しやすい物質である。さらに、直
ちに気化することを考慮すると、In、Hg、 Ga等の低融
点物質も候補である。希ガスは、当然、直ちに気化して
化合しないので、最も有望な候補であるが、密度を高め
るために液体、固体の状態にする必要があるのと、衝突
に対して軽いガスではSnの様な重い元素の飛散物の軌道
を変えるのは困難である。その意味においても、吸収率
の低いKr又は線源にも使われるXe等が候補である。
【0012】
【実施例1】実施例1として、微少な領域にX線照射を
行う場合を以下に示す。図1において、1は、X線源生
成用パルスレーザーであり、YAGレーザーを用いた。
2は、該パルスレーザーをプラズマX線源用標的3(標
的はSn)に照射した際に発生するプラズマX線源であ
る。5は、飛散物除去用プラズマ生成用パルスレーザー
であり、1と同じくYAGレーザーを用いた。勿論これ
らのレーザーは、その他のレーザーであってもかまわな
い。7は、飛散物除去用プラズマのための標的であり、
Snを用いた。図1に示すように、パルスレーザーを標的
に照射してプラズマX線源を発生させる方式において、
微少領域の試料にX線を照射させる場合、X線源からの
X線は照射領域設定用窓を通過して試料に照射される。
この時、同時にX線源プラズマにおいて発生する飛散物
は、飛散物除去用プラズマと衝突しX線光の軌道から分
離されるため、衝突領域設定用窓より進入して試料を汚
染、破壊することはない。また、飛散物除去用のプラズ
マからの飛散物は標的の照射点が照射領域設定窓から幾
何学的に見えないよう傾斜するか、遮蔽物で覆われてい
る構造となっている。このため、飛散物除去用プラズマ
からの飛散物は直接試料に到達することはない。
【0013】X線源プラズマから制御用のプラズマまで
60mm程度(もっと短い距離でも十分である。)、検出器
まで160mm程度の配置で実験を行ったところ、高速の成
分の飛散物(X線源プラズマからの多価イオン)は1%
以下程度に抑制することができた。除去用プラズマを遠
くに設置し遠方にて高速飛散物と衝突させるに連れ、そ
の効果はやや弱まる傾向にあるが、10mmまでの配置にお
いても十分な減衰効果が得られた。
【0014】
【実施例2】次に、広立体角にX線照射を行う場合を説
明する。図2において、X線生成用パルスレーザー2を
プラズマX線源用標的3に照射しプラズマX線源を生成
する。そのX線は、隔壁9の間隙をとおりX線光学鏡1
0に到達し、反射される。その際、飛散物除去用プラズ
マ生成用パルスレーザー5からのレーザー光は、シリン
ドリカルレンズにより線状に収束され、飛散物除去用プ
ラズマのための標的3に照射される。その結果、該標的
からは、線状の飛散物除去用プラズマが生成される。言
い換えると、図2に示すように、パルスレーザーを標的
に照射してプラズマX線源を発生させる方式において、
広立体角で輻射するX線光をX線光学鏡で反射する場
合、X線源から輻射したX線は、プラズマが存在する位
置から放射状に延長する面に形成される隔壁の隙間を通
過しX線光学鏡を照射しその後反射される。つまり、X
線は、壁の厚みが無視できるなら100%捕らえることが出
来る構造である。一方、軌道を曲げられた飛散物は、該
隔壁に衝突し、捕らえられるか、さらに弾かれ別の壁に
当たる仕組みである。その構造に基本的に該当するの
は、図2に示すような複数の扇状の隔壁である。勿論、
円錐、三角錐、四角錐、六角錘でハニカム状に積み重ね
る構造であってもよい。また、大きな錐体の中に順々に
小さな錐体を入れ子状にはめ込んだものでもよい。
【0015】X線と同時にX線源プラズマから発生する
飛散物は、図2に示すように、四方に放出される。この
放出された飛散物を広立体角で除去できるように、飛散
物除去用のレーザーは、線状に集光され標的に照射され
る。プラズマは、主として、標的の法線方向に膨張する
ため、線状方向の軸とプラズマの膨張方向の軸とで形成
される面状に生成する。このため、該面状に膨張生成し
たプラズマは、X線源とX線光学鏡の中心を結ぶ線に垂
直であり、中心の隔壁と垂直であることが好ましい。
【0016】このような構成にすると、飛散物除去用プ
ラズマと衝突した飛散物は、X線の照射される軌道とは
異なった軌道に進行を変更され、X線光学鏡の前に設け
られた隔壁に複数回衝突し、隔壁に付着もしくは注入さ
れることになる。したがって、該高速飛散物は、X線光
学鏡に到達することはなく、該光学鏡を汚染することは
ない。
【0017】
【発明の効果】本願発明によれば、プラズマX線源より
X線と同時に発生した高速飛散物を別のレーザー生成プ
ラズマと衝突させることで、高速なシャッターを実現
し、全く損失のないX線強度を得られるだけでなく、こ
の高速飛散物の軌道を衝突によりX線と分離することで
微少な被X線照射試料への組成変化を行うことなく長時
間のX線露光が可能となる。さらに、X線源からの立体
角を減じないような構成の隔壁と組み合わせることによ
り広立体角でのX線捕集においてもプラズマX線源から
の高速飛散物を除去することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 微小領域X線照射装置の模式図
【図2】 広立体角X線照射装置の模式図
【符号の説明】
1 X線源発生用パルスレーザー 2 プラズマX線源 3 プラズマX線源用標的 4 照射領域設定用窓 5 飛散物除去用プラズマ生成用パルスレーザー 6 飛散物除去用プラズマ 7 飛散物除去用プラズマ用標的 8 被X線照射用試料 9 隔壁 10X線光学鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G21K 5/08 H05G 1/00 K H01L 21/027 R H05G 1/00 H01L 21/30 531S 503G

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 X線照射装置における飛散物除去方法に
    おいて、X線の発生と共に発生する高速飛散物を、飛散
    物除去用プラズマと衝突させることにより、該X線の強
    度を損なうことなく、該X線と該飛散物との軌道を分離
    することを特徴とするX線照射装置における飛散物除去
    方法。
  2. 【請求項2】 上記請求項1記載のX線照射装置におけ
    る飛散物除去方法において、上記X線は、レーザー生成
    プラズマ、ピンチプラズマ又は細管に閉じ込められた放
    電プラズマにより生成されることを特徴とするX線照射
    装置における飛散物除去方法。
  3. 【請求項3】 上記請求項1又は2記載のX線照射装置
    における飛散物除去方法において、上記飛散物除去用プ
    ラズマは、レーザー生成プラズマであることを特徴とす
    るX線照射装置における飛散物除去方法。
  4. 【請求項4】 上記請求項1乃至3のいずれかに記載の
    X線照射装置における飛散物除去方法において、上記X
    線が通過した後、該X線に後続する上記飛散物と上記飛
    散物除去用プラズマとを衝突させることを特徴とするX
    線照射装置における飛散物除去方法。
  5. 【請求項5】 X線照射装置における飛散物除去装置に
    おいて、X線の発生と共に発生する高速飛散物を、飛散
    物除去用プラズマと衝突させることにより、該X線と該
    飛散物との軌道を分離することを特徴とするX線照射装
    置における飛散物除去装置。
  6. 【請求項6】 上記請求項5記載のX線照射装置におけ
    る飛散物除去装置において、上記飛散物除去用プラズマ
    は、レーザー生成プラズマであることを特徴とするX線
    照射装置における飛散物除去装置。
  7. 【請求項7】 上記請求項5又は6記載のX線照射装置
    における飛散物除去装置において、上記X線が通過した
    後、該X線に後続する上記飛散物と上記飛散物除去用プ
    ラズマとを衝突させることを特徴とするX線照射装置に
    おける飛散物除去装置。
  8. 【請求項8】 上記請求項5乃至7のいずれかに記載の
    X線照射装置における飛散物除去装置において、上記X
    線は、レーザー生成プラズマ、ピンチプラズマ又は細管
    に閉じ込められた放電プラズマにより生成されたもので
    あることを特徴とするX線照射装置における飛散物除去
    装置。
  9. 【請求項9】 上記請求項5乃至8のいずれかに記載の
    X線照射装置における飛散物除去装置において、上記飛
    散物除去用プラズマを生成するための標的としてSi、A
    r、Zn、Ga、Kr、Mo、In、Sn、Xe、Pb若しくはHg又はそ
    れらを主成分とした化合物を用いたことを特徴とするX
    線照射装置における飛散物除去装置。
  10. 【請求項10】 上記請求項8又は9記載のX線照射装
    置における飛散物除去装置において、X線源用の上記レ
    ーザー生成プラズマを生成のための標的としてB、C、A
    l、Cu、Xe若しくはSn又はそれらを主成分とした化合物
    を用いたことを特徴とするX線照射装置における飛散物
    除去装置。
  11. 【請求項11】 上記請求項8又は9記載のX線照射装
    置における飛散物除去装置において、上記ピンチプラズ
    マを構成する物質としてXeを用いたことを特徴とするX
    線照射装置における飛散物除去装置。
  12. 【請求項12】 上記請求項5乃至11のいずれかに記
    載のX線照射装置における飛散物除去装置において、レ
    ーザー光線を標的上に点状に集光することにより、上記
    飛散物除去用プラズマを形成することを特徴とするX線
    照射装置における飛散物除去装置。
  13. 【請求項13】 上記請求項5乃至11のいずれかに記
    載のX線照射装置における飛散物除去装置において、レ
    ーザー光線を標的上に線状に集光することにより、上記
    飛散物除去用プラズマを面上に形成することを特徴とす
    るX線照射装置における飛散物除去装置。
  14. 【請求項14】 上記請求項5乃至13のいずれかに記
    載のX線照射装置における飛散物除去装置において、上
    記飛散物除去用プラズマを発生させるためのレーザー照
    射標的の面を傾斜させることにより、上記飛散物除去用
    プラズマからの飛散物がX線被照射物への立体角に入ら
    ないように設定されていることを特徴とするX線照射装
    置における飛散物除去装置。
  15. 【請求項15】 上記請求項5乃至13のいずれかに記
    載のX線源の飛散物除去装置において、上記飛散物除去
    用プラズマとX線被照射物との間に遮蔽物を設けること
    により、上記飛散物除去用プラズマからの飛散物がX線
    被照射物への立体角に入らないように設定されているこ
    とを特徴とするX線照射装置における飛散物除去装置。
  16. 【請求項16】 上記請求項5乃至15のいずれかに記
    載のX線照射装置における飛散物除去装置において、X
    線源から放射状に延びる面を形成する隔壁を構成し、X
    線の立体角は隔壁の厚み以外に損失がない構造におい
    て、上記高速飛散物は、上記飛散物除去用プラズマと衝
    突後、該隔壁と衝突し、X線光学鏡に到達しない構造と
    したことを特徴とするX線照射装置における飛散物除去
    装置。
  17. 【請求項17】 上記請求項16記載のX線照射装置に
    おける飛散物除去装置において、上記隔壁は、上記プラ
    ズマX線源を頂点とした複数の円錐の側面又は複数の多
    角錘の側面を重ね合わせた構造としたことを特徴とする
    X線照射装置における飛散物除去装置。
JP2001327783A 2001-10-25 2001-10-25 X線照射装置における飛散物除去方法及び装置 Expired - Lifetime JP3790814B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001327783A JP3790814B2 (ja) 2001-10-25 2001-10-25 X線照射装置における飛散物除去方法及び装置
EP02257391A EP1309234B1 (en) 2001-10-25 2002-10-24 Method and apparatus for elimination of high energy ions from EUV radiating device
US10/279,854 US6724004B2 (en) 2001-10-25 2002-10-25 Method and apparatus for elimination of high energy ion from EUV radiating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001327783A JP3790814B2 (ja) 2001-10-25 2001-10-25 X線照射装置における飛散物除去方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003133100A true JP2003133100A (ja) 2003-05-09
JP3790814B2 JP3790814B2 (ja) 2006-06-28

Family

ID=19143957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001327783A Expired - Lifetime JP3790814B2 (ja) 2001-10-25 2001-10-25 X線照射装置における飛散物除去方法及び装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6724004B2 (ja)
EP (1) EP1309234B1 (ja)
JP (1) JP3790814B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006006408A1 (ja) * 2004-06-24 2006-01-19 Nikon Corporation Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
US7741616B2 (en) 2004-06-24 2010-06-22 Nikon Corporation EUV light source, EUV exposure equipment, and semiconductor device manufacturing method

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3782736B2 (ja) * 2002-01-29 2006-06-07 キヤノン株式会社 露光装置及びその制御方法
JP4102180B2 (ja) * 2002-12-20 2008-06-18 浜松ホトニクス株式会社 高速粒子発生方法及び高速粒子発生装置
TWI237733B (en) 2003-06-27 2005-08-11 Asml Netherlands Bv Laser produced plasma radiation system with foil trap
EP1491963A3 (en) * 2003-06-27 2005-08-17 ASML Netherlands B.V. Laser produced plasma radiation system with contamination barrier
JP2005268035A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Canon Inc Euv光源の評価用評価装置、およびそれを用いた評価方法
DE102004028943B4 (de) 2004-06-11 2006-10-12 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung zur zeitlich stabilen Erzeugung von EUV-Strahlung mittels eines laserinduzierten Plasmas
JPWO2006075535A1 (ja) * 2005-01-12 2008-06-12 株式会社ニコン レーザプラズマeuv光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びeuv露光装置
US8018574B2 (en) 2005-06-30 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation system and device manufacturing method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01143385A (ja) * 1987-11-30 1989-06-05 Nec Corp X線レーザー発振源
US6038279A (en) * 1995-10-16 2000-03-14 Canon Kabushiki Kaisha X-ray generating device, and exposure apparatus and semiconductor device production method using the X-ray generating device
JPH09320792A (ja) 1996-05-27 1997-12-12 Nikon Corp X線発生装置
US6064072A (en) * 1997-05-12 2000-05-16 Cymer, Inc. Plasma focus high energy photon source
NL1008352C2 (nl) * 1998-02-19 1999-08-20 Stichting Tech Wetenschapp Inrichting, geschikt voor extreem ultraviolet lithografie, omvattende een stralingsbron en een verwerkingsorgaan voor het verwerken van de van de stralingsbron afkomstige straling, alsmede een filter voor het onderdrukken van ongewenste atomaire en microscopische deeltjes welke door een stralingsbron zijn uitgezonden.

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006006408A1 (ja) * 2004-06-24 2006-01-19 Nikon Corporation Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
US7491955B2 (en) 2004-06-24 2009-02-17 Nikon Corporation EUV light source, EUV exposure system, and production method for semiconductor device
US7741616B2 (en) 2004-06-24 2010-06-22 Nikon Corporation EUV light source, EUV exposure equipment, and semiconductor device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1309234A2 (en) 2003-05-07
EP1309234B1 (en) 2011-10-05
US20030080302A1 (en) 2003-05-01
JP3790814B2 (ja) 2006-06-28
US6724004B2 (en) 2004-04-20
EP1309234A3 (en) 2009-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6799645B2 (ja) レーザ生成プラズマ極端紫外線光源のターゲット
JP7016840B2 (ja) 極紫外光源
KR102597847B1 (ko) 고휘도 lpp 소스 및 방사선 생성과 잔해 완화를 위한 방법
JP5075389B2 (ja) 極端紫外光源装置
US20060215712A1 (en) Method and arrangement for the efficient generation of short-wavelength radiation based on a laser-generated plasma
US20110266467A1 (en) Extreme ultraviolet light source apparatus
EP1232516A1 (en) Method and radiation generating system using microtargets
KR102649379B1 (ko) 고휘도 레이저로 생성된 플라즈마 광원
JP2008218600A (ja) 極端紫外光源装置
JP2008277529A (ja) 極端紫外光源装置の光学素子洗浄方法及び光学素子洗浄装置
WO2005094318A2 (en) Morphology and spectroscopy of nanoscale regions using x-rays generated by laser produced plasma
JP2004247293A (ja) プラズマによる強力短波放射線の発生装置
JP2003133100A (ja) X線照射装置における飛散物除去方法及び装置
JP2000098098A (ja) X線発生装置
WO2018029759A1 (ja) 極端紫外光生成方法
WO2022050875A1 (en) Short- wavelength radiation source with multisectional collector module
JP4617127B2 (ja) X線発生方法、x線発生装置
JP2005276673A (ja) Lpp型euv光源装置
JP2009049151A (ja) レーザプラズマ光源
JPH10223395A (ja) X線発生装置
RU2776025C1 (ru) Высокояркостный источник на основе лазерной плазмы и способ генерации и сбора излучения
JP3677548B2 (ja) X線発生装置
Bollanti et al. Progress report on a 14.4-nm micro-exposure tool based on a laser-produced-plasma: debris mitigation system results and other issues
JP3187329B2 (ja) 自由電子レーザ同位体分離装置
JPH08273892A (ja) X線発生装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051005

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060111

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060307

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3790814

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term