JP5612579B2 - 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5612579B2 JP5612579B2 JP2011524841A JP2011524841A JP5612579B2 JP 5612579 B2 JP5612579 B2 JP 5612579B2 JP 2011524841 A JP2011524841 A JP 2011524841A JP 2011524841 A JP2011524841 A JP 2011524841A JP 5612579 B2 JP5612579 B2 JP 5612579B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- target material
- light
- plasma
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 85
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 81
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 64
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 claims 19
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 description 143
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 75
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 75
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 35
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 25
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 5
- 101100398792 Caenorhabditis elegans ldp-1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 101001126226 Homo sapiens Polyisoprenoid diphosphate/phosphate phosphohydrolase PLPP6 Proteins 0.000 description 3
- 101000609849 Homo sapiens [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 1, mitochondrial Proteins 0.000 description 3
- 102100039169 [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 1, mitochondrial Human genes 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 101000609860 Homo sapiens [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 2, mitochondrial Proteins 0.000 description 2
- 102100039167 [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 2, mitochondrial Human genes 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 101150083802 LPD2 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100032139 Neuroguidin Human genes 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
まず、本開示の実施の形態1について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明では、LPP方式によるEUV光源装置を例に挙げるが、これに限定されるものではなく、DPP方式やSR方式のEUV光源装置などであってもよい。また、本実施の形態1では、1段階のレーザ照射によってターゲット物質をプラズマ化するケースを例に挙げるが、これに限定されるものではなく、たとえば2段階以上のレーザ照射によってターゲット物質をプラズマ化するケースであってもよい。さらに、本実施の形態1は、レーザ装置やレーザ加工装置などにも適用されてもよい。
1)連続発光運転(期間)とは、EUV光を連続して出力する運転(期間)をいう。
2)連続発光停止運転(期間)とは、EUV光の出力を停止する運転(期間)をいう。
3)バースト運転(期間)とは、連続発光運転と連続発光停止運転との交互運転(期間)をいう。
1)EUVチャンバ10内の光学素子、たとえばEUV集光ミラーM3などへのダメージを低減する。この結果、EUV光源装置の寿命が延びる。
2)バースト運転中はドライバレーザ1を連続発光運転するため、ドライバレーザ1の光学系が熱的に安定する。これにより、ドロップレット13に対して安定した位置及びエネルギーでレーザパルス光L1が照射される。この結果、安定したEUV光L10が出力される。
3)バースト運転中はドライバレーザ1を連続発光運転するため、ドライバレーザ1の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ1に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
1)連続発光期間T2の先頭時に、光学素子などに急激な熱負荷変動が生じる。
2)連続発光期間T2と連続発光停止期間T1とのデューティ比が変更されたときにも急激な熱負荷変動が生じる。
3)これらが原因でレーザパルス光L1の集光状態が不安定になったり、エネルギー制御の追従性が悪くなる。その結果、安定したEUV発光が得られない。
これに対し、この実施の形態1では、バースト運転中、レーザパルス光L1が常に連続発振されているため、連続発光期間T2におけるレーザパルス光L1の集光状態を安定させ、エネルギー制御の追従性を良好にすることが可能となり、その結果、安定したEUV発光制御を行うことができる。
上述した実施の形態1では、レーザパルス光L1の発振タイミングをずらすことで、レーザパルス光L1を連続発振しつつEUV光L10の生成を停止した。ただし、これに限らず、たとえばレーザパルス光L1の光軸をずらすことで、レーザパルス光L1を連続発振しつつEUV光L10の生成を停止することも可能である。以下、このケースを、本実施の形態1の変形例1として説明する。
1)EUVチャンバ10内の光学素子、たとえばEUV集光ミラーM3などへのダメージを低減する。この結果、EUV光源装置の寿命が延びる。
2)バースト運転中はドライバレーザ1を連続発光運転するため、ドライバレーザ1の光学系が熱的に安定する。これにより、ドロップレット13に対して安定した位置及びエネルギーでレーザパルス光L1が照射される。この結果、安定したEUV光L10が出力される。
3)バースト運転中はドライバレーザ1を連続発光運転するため、ドライバレーザ1の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ1に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
また、レーザパルス光L1のフォーカスをずらすことで、レーザパルス光L1を連続発振しつつEUV光L10の生成を停止することも可能である。以下、このケースを、本実施の形態1の変形例2として説明する。
1)EUVチャンバ10内の光学素子、たとえばEUV集光ミラーM3などへのダメージを低減する。この結果、EUV光源装置の寿命が延びる。
2)バースト運転中はドライバレーザ1を連続発光運転するため、ドライバレーザ1の光学系が熱的に安定する。これにより、ドロップレット13に対して安定した位置及びエネルギーでレーザパルス光L1が照射される。この結果、安定したEUV光L10が出力される。
3)バースト運転中はドライバレーザ1を連続発光運転するため、ドライバレーザ1の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ1に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
つぎに、この開示の実施の形態2について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態2では、2段階のレーザ照射によってターゲット物質をプラズマ化するケースを例に挙げる。なお、本実施の形態2は、レーザ装置やレーザ加工装置などにも適用されてもよい。
1)EUVチャンバ10内の光学素子、たとえばEUV集光ミラーM3などへのダメージを低減する。この結果、EUV光源装置の寿命が延びる。
2)バースト運転中はドライバレーザ1を連続発光運転するため、ドライバレーザ1の光学系が熱的に安定する。これにより、ドロップレット13に対して安定した位置及びエネルギーでレーザパルス光L1が照射される。この結果、安定したEUV光L10が出力される。
3)バースト運転中はドライバレーザ1を連続発光運転するため、ドライバレーザ1の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ1に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
上述した実施の形態2では、プリパルス光LPを発振しないことで、EUV光L10の生成を停止した。ただし、これに限らず、たとえば実施の形態1のレーザパルス光L1と同じように、プリパルス光LPの発振タイミングをずらすことで(図18(a)参照)、レーザパルス光L1を連続発振しつつEUV光L10の生成を停止することも可能である。(図18(b)参照)。以下、このケースを、本実施の形態2の変形例1として説明する。
1)EUVチャンバ10内の光学素子、たとえばEUV集光ミラーM3などへのダメージを低減する。この結果、EUV光源装置の寿命が延びる。
2)バースト運転中はドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転するため、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30の光学系が熱的に安定する。安定したレーザパルス光L1およびプリパルス光LPの出力によって安定したEUV光L10を出力することができる。
3)バースト運転中はドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転するため、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
上述した実施の形態2の変形例1では、プリパルス光LPの発振タイミングを変更することで、プリパルス光LPおよびレーザパルス光L1を連続発振しつつEUV光L10の生成を停止した。これに対し、この実施の形態2の変形例2では、実施の形態1の変形例1におけるレーザパルス光L1と同じように、プリパルス光LPの光軸CI1を光軸CI1aにずらす(図21(a)参照)。この制御によっても、レーザパルス光L1が発振されていても、プリプラズマPPが発生しないため、EUV光L10の生成を停止できる(図21(b)参照)。なお、プリパルス光LPの光軸CI1上に配置されたレーザダンパPDP1の他に、光軸CI1a上にレーザダンパPDP2を設けてもよい。
1)EUVチャンバ10内の光学素子、たとえばEUV集光ミラーM3などへのダメージを低減する。この結果、EUV光源装置の寿命が延びる。
2)バースト運転中はドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転するため、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30の光学系が熱的に安定する。安定したレーザパルス光L1およびプリパルス光LPの出力によって安定したEUV光L10を出力することができる。
3)バースト運転中はドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転するため、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
また、実施の形態1の変形例2のレーザパルス光L1と同じように、プリパルス光LPのフォーカスF10をF10aにずらすことで(図24(a)参照)、レーザパルス光L1およびプリパルス光LPを連続発振しつつ、EUV光L10の生成を停止することも可能である(図24(b)参照)。以下、このケースを、本実施の形態2の変形例3として説明する。
1)EUVチャンバ10内の光学素子、たとえばEUV集光ミラーM3などへのダメージを低減する。この結果、EUV光源装置の寿命が延びる。
2)バースト運転中はドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転するため、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30の光学系が熱的に安定する。安定したレーザパルス光L1およびプリパルス光LPの出力によって安定したEUV光L10を出力することができる。
3)バースト運転中はドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転するため、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
つぎに、この開示の実施の形態3について説明する。この実施の形態3では、実施の形態2と同様に、プリパルスレーザ30を用いてプリパルス光LPを発振し、生成されたプリプラズマPPにレーザパルス光L1を照射することによって、EUV光L10を生成するEUV光源装置を例に挙げる。本実施の形態3では、このようなEUV光源装置において、バースト運転中、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転させた状態で、連続発光停止期間T1中にドロップレット13の吐出を停止させることで、EUV光L10の生成を停止させる。なお、本実施の形態3は、実施の形態1と同様に、プリパルス光LPを用いないEUV光源装置に適用してもよい。
1)EUVチャンバ10内の光学素子、たとえばEUV集光ミラーM3などへのダメージを低減する。この結果、EUV光源装置の寿命が延びる。
2)バースト運転中はドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転するため、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30の光学系が熱的に安定する。安定したレーザパルス光L1およびプリパルス光LPの出力によって安定したEUV光L10を出力することができる。
3)バースト運転中はドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転するため、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
4)連続発光停止期間T1中はドロップレットが吐出されないので、ドロップレットの消費量を低減できる。
上述した実施の形態3では、ドロップレット13の吐出を停止させることでEUV光L10の生成を停止した。ただし、これに限らず、ドロップレット13の生成タイミングをずらすことで、プリパルス光LPおよびレーザパルス光L1を連続発振しつつEUV光L10の生成を停止することも可能である。以下、このケースを、本実施の形態3の変形例1として説明する。
1)EUVチャンバ10内の光学素子、たとえばEUV集光ミラーM3などへのダメージを低減する。この結果、EUV光源装置の寿命が延びる。
2)バースト運転中はドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転するため、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30の光学系が熱的に安定する。安定したレーザパルス光L1およびプリパルス光LPの出力によって安定したEUV光L10を出力することができる。
3)バースト運転中はドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30を連続発光運転するため、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ1およびプリパルスレーザ30に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
また、ドロップレット13を吐出後に加速あるいは減速することによっても、プリパルス光LPのドロップレット13への照射を回避して、EUV光L10の生成を停止することも可能である。以下、このケースを、本実施の形態3の変形例3として説明する。
また、帯電されたドロップレット13に軌道ずれを生じさせることによって、プリパルス光LPがドロップレット13に照射させないように構成してもよい。以下、このケースを、本実施の形態3の変形例3として説明する。
2 オシレータ
3 プリアンプ
4 メインアンプ
10 EUVチャンバ
11 ターゲット供給部
12 撮像装置
13 ドロップレット
20 露光装置
30 プリパルスレーザ
40 帯電電極
41 吐出用帯電電極
50 加減速機構
51 加速電極
60,61 偏向機構
100、100A、200、200D、300A、300C、300D EUV光源装置
1000 情報処理装置
1001 CPU
1002 記録媒体
1002a プログラム
M1,M4 ミラー
M2 集光ミラー
M2a,M5a ミラーアクチュエータ
M3 EUV集光ミラー
M5 集光ミラー
M6 ビームスプリッタ
W1,W2 ウィンドウ
C EUV光源コントローラ
C1 バースト制御部
C2 レーザコントローラ
C3 ミラーコントローラ
C4 帯電電圧コントローラ
C5 加減速コントローラ
C6 偏向コントローラ
LDP1,LPD2,PDP1,PDP2 レーザダンパ
DP1,DP2 ターゲット回収装置
CI レーザパルス光L1の光軸
CI1 プリパルス光LPの光軸
CIa ずれたレーザパルス光の光軸
CI1a すれたプリパルス光の光軸
C100 偏向した軌道
C101a プリプラズマ生成サイトの存在しない直線の軌道
F1 レーザパルス光のフォーカス位置
F1a ずれたレーザパルス光のフォーカス位置
FS 飛散空間
L 光
L10 EUV光
L1 レーザパルス光
LP プリパルス光
P10,P20 プラズマ生成サイト
P11、P11a プリプラズマ生成サイト
PP プリプラズマ
PH ピンホール
S1 バースト発光指示信号
S2 発振タイミング制御信号
S3,S3a,S6 ミラー駆動制御信号
S4 ターゲット生成信号
S5 プリパルスレーザ駆動制御信号
S7 帯電電極用電圧印加信号
S8 加速用電界印加信号
S9 偏向用電界印加信号
Claims (19)
- レーザ装置からのレーザ光をターゲット物質に照射して該ターゲット物質をプラズマ化し、該プラズマ化したターゲット物質から放射した極端紫外光を出力する極端紫外光源装置であって、
前記極端紫外光を連続パルス発光する場合、前記レーザ装置に連続的にパルス出力させたレーザ光をターゲット物質に照射し、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ装置に前記レーザ光を連続的にパルス出力させつつ該レーザ光による前記ターゲット物質のプラズマ化を回避する制御を行うバースト制御部を備えることを特徴とする極端紫外光源装置。 - 前記ターゲット物質は、移動しており、
前記バースト制御部は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ光と前記ターゲット物質との相対的な位置をずらすことで該ターゲット物質のプラズマ化を回避することを特徴とする請求項1に記載の極端紫外光源装置。 - 前記バースト制御部は、前記レーザ光の光軸および/または前記ターゲット物質の軌道をずらすことで該レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項2に記載の極端紫外光源装置。
- 前記バースト制御部は、前記レーザ光の発振タイミングおよび/または前記ターゲット物質の供給タイミングをずらすことで前記レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項2に記載の極端紫外光源装置。
- 前記バースト制御部は、前記ターゲット物質を加速または減速することで前記レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項2に記載の極端紫外光源装置。
- 前記バースト制御部は、前記レーザ光の焦点をずらすことで該レーザ光が前記ターゲット物質に照射されるエネルギーを下げることを特徴とする請求項1に記載の極端紫外光源装置。
- 前記レーザ光は、前記ターゲット物質をプリプラズマ化または破片化する第1レーザ光と、該プリプラズマ化または破片化したターゲット物質をプラズマ化する第2レーザ光と、を含み、
前記ターゲット物質は、移動しており、前記第1レーザ光が照射された後、前記第2レーザ光が照射されることでプラズマ化し、
前記バースト制御部は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記第1および/または第2レーザ光と前記ターゲット物質との相対的な位置をずらすことで該ターゲット物質の破片化またはプリプラズマ化、ならびにプラズマ化を回避することを特徴とする請求項1に記載の極端紫外光源装置。 - 前記バースト制御部は、前記第1および/または第2レーザ光の光軸および/または前記ターゲット物質の軌道をずらすことで該第1および/または第2レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項7に記載の極端紫外光源装置。
- 前記バースト制御部は、前記第1および/または第2レーザ光の発振タイミングおよび/または前記ターゲット物質の供給タイミングをずらすことで前記第1および/または第2レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項7に記載の極端紫外光源装置。
- 前記バースト制御部は、前記ターゲット物質を加速または減速することで前記第1および/または第2レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項7に記載の極端紫外光源装置。
- 前記バースト制御部は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記第1レーザ光の発振を停止することを特徴とする請求項7に記載の極端紫外光源装置。
- 前記バースト制御部は、前記第1および/または第2レーザ光の焦点をずらすことで該第1および/または第2レーザ光が前記ターゲット物質に照射されるエネルギーを下げることを特徴とする請求項7に記載の極端紫外光源装置。
- 前記バースト制御部は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記ターゲット物質の供給を停止することを特徴とする請求項1に記載の極端紫外光源装置。
- レーザ装置からのレーザ光をターゲット物質に照射して該ターゲット物質をプラズマ化し、該プラズマ化したターゲット物質から放射した極端紫外光を出力する光源装置の制御方法であって、
前記極端紫外光を連続パルス発光する場合、前記レーザ装置から連続的にパルス出力されたレーザ光をターゲット物質に照射し、
前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ装置に前記レーザ光を連続的にパルス出力させつつ該レーザ光による前記ターゲット物質のプラズマ化を回避する
ことを含むことを特徴とする光源装置の制御方法。 - レーザ装置からのレーザ光をターゲット物質に照射して該ターゲット物質をプラズマ化し、該プラズマ化したターゲット物質から放射した極端紫外光を出力する光源装置を制御するためのプログラムを記録した記録媒体であって、
前記極端紫外光を連続パルス発光する場合、前記レーザ装置に連続的にパルス出力させたレーザ光をターゲット物質に照射させ、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ装置に前記レーザ光を連続的にパルス出力させつつ該レーザ光による前記ターゲット物質のプラズマ化を回避させる制御を前記光源装置に実行させるためのプログラムを記録した記録媒体。 - 前記ターゲット物質は、移動しており、
前記制御は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ光と前記ターゲット物質との相対的な位置をずらすことで該ターゲット物質のプラズマ化を回避させることを特徴とする請求項15に記載のプログラムを記録した記録媒体。 - 前記レーザ光は、前記ターゲット物質をプリプラズマ化または破片化する第1レーザ光と、該プリプラズマ化または破片化したターゲット物質をプラズマ化する第2レーザ光と、を含み、
前記ターゲット物質は、移動しており、前記第1レーザ光が照射された後、前記第2レーザ光が照射されることでプラズマ化し、
前記制御は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記第1および/または第2レーザ光と前記ターゲット物質との相対的な位置をずらすことで該ターゲット物質の破片化またはプリプラズマ化、ならびにプラズマ化を回避させることを特徴とする請求項15に記載のプログラムを記録した記録媒体。 - 前記制御は、前記第1および/または第2レーザ光の焦点をずらすことで該第1および/または第2レーザ光が前記ターゲット物質に照射されるエネルギーを下げることを特徴とする請求項15に記載のプログラムを記録した記録媒体。
- 前記制御は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記ターゲット物質の供給を停止させる請求項15に記載のプログラムを記録した記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011524841A JP5612579B2 (ja) | 2009-07-29 | 2010-07-29 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009177063 | 2009-07-29 | ||
JP2009177063 | 2009-07-29 | ||
JP2011524841A JP5612579B2 (ja) | 2009-07-29 | 2010-07-29 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
PCT/JP2010/062854 WO2011013779A1 (ja) | 2009-07-29 | 2010-07-29 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014176405A Division JP5856258B2 (ja) | 2009-07-29 | 2014-08-29 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011013779A1 JPWO2011013779A1 (ja) | 2013-01-10 |
JP5612579B2 true JP5612579B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=43529430
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011524841A Active JP5612579B2 (ja) | 2009-07-29 | 2010-07-29 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
JP2014176405A Active JP5856258B2 (ja) | 2009-07-29 | 2014-08-29 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
JP2015241546A Pending JP2016096148A (ja) | 2009-07-29 | 2015-12-10 | 極端紫外光源装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014176405A Active JP5856258B2 (ja) | 2009-07-29 | 2014-08-29 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
JP2015241546A Pending JP2016096148A (ja) | 2009-07-29 | 2015-12-10 | 極端紫外光源装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8502178B2 (ja) |
JP (3) | JP5612579B2 (ja) |
WO (1) | WO2011013779A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8653437B2 (en) | 2010-10-04 | 2014-02-18 | Cymer, Llc | EUV light source with subsystem(s) for maintaining LPP drive laser output during EUV non-output periods |
DE102010047419B4 (de) * | 2010-10-01 | 2013-09-05 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von EUV-Strahlung aus einem Gasentladungsplasma |
US10966308B2 (en) * | 2010-10-04 | 2021-03-30 | Asml Netherlands B.V. | EUV light source with subsystem(s) for maintaining LPP drive laser output during EUV non-output periods |
JP5726587B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2015-06-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置 |
JP2012199512A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
US8993976B2 (en) | 2011-08-19 | 2015-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Energy sensors for light beam alignment |
US9310689B2 (en) * | 2011-09-02 | 2016-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source and lithographic apparatus |
CN104488362B (zh) * | 2012-05-21 | 2017-05-10 | Asml荷兰有限公司 | 辐射源 |
JP6099241B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2017-03-22 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
US9392678B2 (en) * | 2012-10-16 | 2016-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source |
JP6010438B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2016-10-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子ビーム生成装置、量子ビーム生成方法、及び、レーザ核融合装置 |
TWI618453B (zh) * | 2013-01-10 | 2018-03-11 | Asml荷蘭公司 | 用以調整雷射光束脈衝時序以調節極端紫外光劑量之方法及系統 |
US8872122B2 (en) | 2013-01-10 | 2014-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Method of timing laser beam pulses to regulate extreme ultraviolet light dosing |
US8872123B2 (en) | 2013-01-10 | 2014-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Method of timing laser beam pulses to regulate extreme ultraviolet light dosing |
US8791440B1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Target for extreme ultraviolet light source |
WO2014147901A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法、並びにパルスレーザ光の集光ビーム計測装置及び集光ビーム計測方法 |
JP6195474B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-09-13 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システムにおけるレーザシステムの制御方法 |
JP6220879B2 (ja) * | 2013-08-27 | 2017-10-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システム |
JP6283684B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2018-02-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成装置の制御方法 |
WO2015071066A1 (en) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
JP6418966B2 (ja) | 2015-01-29 | 2018-11-07 | キヤノン株式会社 | 画像形成システム、画像形成装置、該システムの制御方法、及びプログラム |
WO2017077584A1 (ja) * | 2015-11-03 | 2017-05-11 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2017130323A1 (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
WO2017154111A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2017208340A1 (ja) | 2016-05-31 | 2017-12-07 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成装置の制御方法 |
JP6845035B2 (ja) * | 2017-02-15 | 2021-03-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極紫外放射源 |
WO2019092831A1 (ja) | 2017-11-09 | 2019-05-16 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
CN114355735A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-04-15 | 广东省智能机器人研究院 | 极紫外光产生方法和系统 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317559A (ja) * | 1999-03-10 | 1999-11-16 | Nikon Corp | レーザ制御方泡レーザ装置、露光方泡露光装置、及び半導体装置製造方法 |
JP2002217099A (ja) * | 2001-11-26 | 2002-08-02 | Nikon Corp | エキシマレーザ制御装置及び露光システム |
JP2003224052A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Canon Inc | プラズマ発光光源装置、露光装置およびその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2141621C3 (de) | 1971-08-19 | 1976-01-02 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von rohrförmigen Leitern, insbes. für supraleitende Kabel |
US4969169A (en) * | 1986-04-15 | 1990-11-06 | Hampshire Instruments, Inc. | X-ray lithography system |
US4866517A (en) * | 1986-09-11 | 1989-09-12 | Hoya Corp. | Laser plasma X-ray generator capable of continuously generating X-rays |
IT1238333B (it) | 1990-01-22 | 1993-07-12 | Pirelli Cavi Spa | Amplificatore ottico di potenza a fibra attiva drogata |
US6567450B2 (en) | 1999-12-10 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
JP4656266B2 (ja) | 1999-04-16 | 2011-03-23 | 戸田工業株式会社 | 磁性トナー用黒色磁性酸化鉄粒子粉末及びその製造法 |
JP2001015636A (ja) | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面実装基板 |
US6304630B1 (en) | 1999-12-24 | 2001-10-16 | U.S. Philips Corporation | Method of generating EUV radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, EUV radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit |
US6724608B2 (en) * | 2000-01-14 | 2004-04-20 | Paul Hensley | Method for plasma charging a probe |
WO2001096028A1 (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-20 | Ati Properties, Inc. | Methods and apparatus for spray forming, atomization and heat transfer |
DE10045265A1 (de) | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Zeiss Carl | Vorrichtung zum Bündeln der Strahlung einer Lichtquelle |
FR2814599B1 (fr) | 2000-09-27 | 2005-05-20 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif laser de forte puissance crete et application a la generation de lumiere dans l'extreme ultra violet |
JP4877692B2 (ja) | 2001-03-21 | 2012-02-15 | 株式会社小松製作所 | 注入同期式又はmopa方式のレーザ装置 |
US7439530B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-10-21 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
US7405416B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
US7491954B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-02-17 | Cymer, Inc. | Drive laser delivery systems for EUV light source |
US7928416B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-04-19 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
US7598509B2 (en) * | 2004-11-01 | 2009-10-06 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
JP2003008119A (ja) | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Komatsu Ltd | 注入同期式又はmopa方式のレーザ装置 |
FR2837990B1 (fr) | 2002-03-28 | 2007-04-27 | Commissariat Energie Atomique | Cavite laser de forte puissance crete et association de plusieurs de ces cavites, notamment pour exciter un generateur de lumiere dans l'extreme ultraviolet |
US6792076B2 (en) * | 2002-05-28 | 2004-09-14 | Northrop Grumman Corporation | Target steering system for EUV droplet generators |
US6855943B2 (en) | 2002-05-28 | 2005-02-15 | Northrop Grumman Corporation | Droplet target delivery method for high pulse-rate laser-plasma extreme ultraviolet light source |
EP1606980B1 (en) * | 2003-03-18 | 2010-08-04 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Device for and method of generating extreme ultraviolet and/or soft x-ray radiation by means of a plasma |
DE10314849B3 (de) * | 2003-03-28 | 2004-12-30 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Stabilisierung der Strahlungsemission eines Plasmas |
US7217940B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Collector for EUV light source |
JP2004327213A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Komatsu Ltd | Euv光発生装置におけるデブリ回収装置 |
US6973164B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-12-06 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement |
US7003003B2 (en) | 2003-07-21 | 2006-02-21 | Coherent, Inc. | Method and apparatus for providing multiple independently controllable beams from a single laser output beam |
JP4223887B2 (ja) | 2003-08-11 | 2009-02-12 | 株式会社小松製作所 | 2ステージレーザのパルスエネルギー制御装置及び2ステージレーザシステム |
FR2859545B1 (fr) * | 2003-09-05 | 2005-11-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de lithographie par rayonnement dans l'extreme utraviolet |
DE10352047A1 (de) | 2003-11-07 | 2005-06-16 | Oerlikon Contraves Pyrotec Ag | Vorrichtung zur Bestimmung der Geschossgeschwindigkeit, insbesondere im Mündungsbereich eines Waffenrohres |
JP4478440B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | ロードロック装置および方法 |
JP4535732B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-09-01 | 株式会社小松製作所 | 光源装置及びそれを用いた露光装置 |
JP2005197454A (ja) | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 冷却装置 |
US7164144B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-01-16 | Cymer Inc. | EUV light source |
US7087914B2 (en) * | 2004-03-17 | 2006-08-08 | Cymer, Inc | High repetition rate laser produced plasma EUV light source |
US20050265407A1 (en) * | 2004-05-14 | 2005-12-01 | Braun Alan M | Compact semiconductor-based chirped-pulse amplifier system and method |
DE102004036441B4 (de) * | 2004-07-23 | 2007-07-12 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Dosieren von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung |
DE102004037521B4 (de) | 2004-07-30 | 2011-02-10 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung |
JP4578883B2 (ja) * | 2004-08-02 | 2010-11-10 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
JP4578901B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-11-10 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
KR100597668B1 (ko) | 2004-11-22 | 2006-07-07 | 주식회사 네오엠텔 | 멀티미디어 콘텐츠의 갱신 및 재생이 가능한이동통신단말기 및 그 재생방법 |
JP5301165B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2013-09-25 | サイマー インコーポレイテッド | レーザ生成プラズマeuv光源 |
JP4875879B2 (ja) | 2005-10-12 | 2012-02-15 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置の初期アライメント方法 |
JP5156192B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2013-03-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP4885587B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-02-29 | 株式会社小松製作所 | ターゲット供給装置 |
US7916307B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-03-29 | Lockheed Martin Corporation | Pre-amplifier for detection lasers within laser ultrasonic inspection systems |
JP5179776B2 (ja) | 2007-04-20 | 2013-04-10 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源用ドライバレーザ |
JP2009091195A (ja) | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 一酸化珪素の製造装置及び製造方法 |
JP5280066B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-09-04 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP2009246345A (ja) | 2008-03-12 | 2009-10-22 | Komatsu Ltd | レーザシステム |
JP5675127B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-02-25 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置および極端紫外光源装置 |
JP5765730B2 (ja) | 2010-03-11 | 2015-08-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
-
2010
- 2010-07-29 JP JP2011524841A patent/JP5612579B2/ja active Active
- 2010-07-29 WO PCT/JP2010/062854 patent/WO2011013779A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-01-12 US US13/349,355 patent/US8502178B2/en active Active
-
2014
- 2014-08-29 JP JP2014176405A patent/JP5856258B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-10 JP JP2015241546A patent/JP2016096148A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317559A (ja) * | 1999-03-10 | 1999-11-16 | Nikon Corp | レーザ制御方泡レーザ装置、露光方泡露光装置、及び半導体装置製造方法 |
JP2002217099A (ja) * | 2001-11-26 | 2002-08-02 | Nikon Corp | エキシマレーザ制御装置及び露光システム |
JP2003224052A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Canon Inc | プラズマ発光光源装置、露光装置およびその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8502178B2 (en) | 2013-08-06 |
JP2015015251A (ja) | 2015-01-22 |
JP5856258B2 (ja) | 2016-02-09 |
JP2016096148A (ja) | 2016-05-26 |
JPWO2011013779A1 (ja) | 2013-01-10 |
US20120175533A1 (en) | 2012-07-12 |
WO2011013779A1 (ja) | 2011-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5856258B2 (ja) | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 | |
JP5073146B2 (ja) | X線発生方法および装置 | |
JP5454881B2 (ja) | 極端紫外光源装置及び極端紫外光の発生方法 | |
US7608846B2 (en) | Extreme ultra violet light source device | |
US7615766B2 (en) | Target supplier | |
JP4937643B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP5597885B2 (ja) | Lpp、euv光源駆動レーザシステム | |
EP2167193B1 (en) | Laser produced plasma euv light source | |
US8455850B2 (en) | Extreme ultraviolet light source apparatus and method of generating extreme ultraviolet light | |
US8067756B2 (en) | Extreme ultraviolet light source apparatus | |
TWI643209B (zh) | 用於形成極紫外光源的經定形標靶之方法、形成發射極紫外光的電漿之方法及極紫外光源 | |
WO2015068230A1 (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成装置の制御方法 | |
CN108348763B (zh) | 用于在lpp euv光源中控制源激光器激发的系统和方法 | |
WO2017154528A1 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP5036118B2 (ja) | 高ピーク出力レーザ装置および該装置の極紫外線光生成への適用 | |
JP2007258069A (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP2002139758A (ja) | 光短波長化装置 | |
US11366390B2 (en) | Extreme ultraviolet light generation system and electronic device manufacturing method | |
WO2020003517A1 (ja) | 極端紫外光生成装置、極端紫外光生成方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2022007446A (ja) | 極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法 | |
WO2019092831A1 (ja) | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 | |
JPH10260300A (ja) | 光学装置及び光短波長化方法 | |
WO2018016034A1 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP2004227952A (ja) | X線発生装置及び発生方法 | |
KR101628168B1 (ko) | 튜브형 타겟을 구비한 레이저 유도 중성자 발생장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130610 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140904 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5612579 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |