JP2022007446A - 極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ照射位置調整を行える極端紫外光生成システムを提供する。【解決手段】極端紫外光生成システム１１０は、チャンバ内の所定領域に向かって進むレーザ光の光路軸に直交し所定領域と交差する平面内でレーザ光の照射位置を調整する照射位置調整機構と、生成される極端紫外光のエネルギを計測する極端紫外光センサと、ターゲットによるレーザ光の反射光のうちレーザ光路を逆行する戻り光のエネルギを計測する戻り光センサ３３２と、照射位置調整機構を制御するプロセッサ５とを備える。プロセッサは、平面内の複数の照射位置のそれぞれにレーザ光を照射することにより、極端紫外光エネルギと戻り光エネルギとのそれぞれの計測結果を照射位置と対応付けて記憶し、戻り光エネルギと閾値との比較に基づき照射位置の移動領域を制限し、戻り光エネルギが閾値を超えない領域内で、照射位置と極端紫外光エネルギとの対応関係から目標照射位置を決定する。【選択図】図７

Description

本開示は、極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるLaser Produced Plasma（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。

特開２０１２－１０４８６１号公報 米国特許第１０３０３０６１号 米国特許第１０１２２１４５号

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、チャンバと、チャンバ内の所定領域にターゲットを供給するターゲット供給器と、ターゲットに照射されるレーザ光を出力するレーザ装置と、レーザ光を所定領域へと導くレーザ光路を形成する光学系と、所定領域に向かって進むレーザ光の光路軸に直交し所定領域と交差する平面内でターゲットに対するレーザ光の照射位置を調整する照射位置調整機構と、ターゲットにレーザ光が照射されることによって生成される極端紫外光のエネルギを計測する極端紫外光センサと、ターゲットによるレーザ光の反射光のうちレーザ光路を逆行する戻り光のエネルギを計測する戻り光センサと、照射位置調整機構を制御するプロセッサと、を備え、プロセッサは、平面内で照射位置を移動させ、複数の照射位置のそれぞれにレーザ光を照射することにより、極端紫外光センサで計測される極端紫外光エネルギと戻り光センサで計測される戻り光エネルギとのそれぞれの計測結果を照射位置と対応付けて記憶し、戻り光エネルギと閾値との比較に基づき照射位置の移動領域を制限し、戻り光エネルギが閾値を超えない領域内で、記憶された照射位置と極端紫外光エネルギとの対応関係から目標照射位置を決定し、目標照射位置に応じて照射位置調整機構を制御する。

本開示の他の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバ内の所定領域にターゲットを供給するターゲット供給器と、ターゲットに照射されるレーザ光を出力するレーザ装置と、レーザ光を所定領域へと導くレーザ光路を形成する光学系と、所定領域に向かって進むレーザ光の光路軸に直交し所定領域と交差する平面内でターゲットに対するレーザ光の照射位置を調整する照射位置調整機構と、ターゲットにレーザ光が照射されることによって生成される極端紫外光のエネルギを計測する極端紫外光センサと、ターゲットによるレーザ光の反射光のうちレーザ光路を逆行する戻り光のエネルギを計測する戻り光センサと、照射位置調整機構を制御するプロセッサと、を備え、プロセッサは、平面内で照射位置を移動させ、複数の照射位置のそれぞれにレーザ光を照射することにより、極端紫外光センサで計測される極端紫外光エネルギと戻り光センサで計測される戻り光エネルギとのそれぞれの計測結果を照射位置と対応付けて記憶し、戻り光エネルギと閾値との比較に基づき照射位置の移動領域を制限し、戻り光エネルギが閾値を超えない領域内で、記憶された照射位置と極端紫外光エネルギとの対応関係から目標照射位置を決定し、目標照射位置に応じて照射位置調整機構を制御する、極端紫外光生成システムを用いて極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図３は、照射位置調整処理の例を示すフローチャートである。 図４は、図３に示された照射位置調整処理に適用される照射位置水準群を例示する図表である。 図５は、図４に示された照射位置水準群に基づいて作成されたＥＵＶエネルギ分布図を例示的に示す図表である。 図６は、図５に示されたＥＵＶエネルギ分布図から求められた近似曲線を例示する図である。 図７は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成システムの構成例を概略的に示す。 図８は、ＥＵＶ光生成システムにおけるレーザ光の照射位置調整処理の例を示すフローチャートである。 図９は、低出力のレーザ照射によるＥＵＶエネルギ分布図の例を示す。 図１０は、低出力のレーザ照射による戻り光出力分布図の例を示す。 図１１は、第１戻り光閾値に基づいて水準の走査領域を制限した場合の例を示す。 図１２は、高出力のレーザ照射によるＥＵＶエネルギ分布図の例を示す。 図１３は、高出力のレーザ照射による戻り光出力分布図の例を示す。 図１４は、実施形態２に係るＥＵＶ光生成システムにおけるレーザ光の照射位置調整処理の例を示すフローチャートである。 図１５は、実施形態２に適用される照射位置水準群の走査の例を示す。 図１６は、照射位置の走査領域の制限無しでレーザ光の照射を実施した場合に得られるＥＵＶエネルギ分布図の例を示す。 図１７は、照射位置の走査領域の制限無しでレーザ光の照射を実施した場合に得られる戻り光出力分布図の例を示す。 図１８は、実施形態２により高出力での照射位置調整時に、戻り光出力に第２戻り光閾値を設けて調整範囲を制限した場合に得られるＥＵＶエネルギ分布図の例を示す。 図１９は、実施形態２により高出力での照射位置調整時に、戻り光出力に第２戻り光閾値を設けて調整範囲を制限した場合に得られる戻り光出力分布図の例を示す。 図２０は、実施形態３に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２１は、照射位置調整処理のメインルーチンの例を示すフローチャートである。 図２２は、図２１のステップＳ６１及びステップＳ６２に適用されるサブルーチンの例を示すフローチャートである。 図２３は、ＥＵＶ光生成システムと接続された露光装置の構成を概略的に示す。

実施形態

－目次－
１．用語の説明
２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．比較例に係るＥＵＶ光生成システムの概要
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ レーザ照射位置調整の概要
３．４ 照射位置調整処理の例
３．５ 課題
４．実施形態１
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ ＥＵＶエネルギ分布図及び戻り光出力分布図の例
４．４ 作用・効果
５．実施形態２
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ ＥＵＶエネルギ分布図及び戻り光出力分布図の例
５．３．１ 照射位置の走査領域を制限しない場合の分布図の例
５．３．２ 戻り光出力に閾値を設けて走査領域を制限した場合の分布図の例
５．４ 作用・効果
６．実施形態３
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ レーザ照射位置調整の例
６．３．１ プリパルスレーザ照射位置調整
６．３．２ メインパルスレーザ照射位置調整
６．４ 作用・効果
７．ＥＵＶ光生成システムを用いた電子デバイスの製造方法の例
８．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．用語の説明
「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。

「ドロップレット」は、チャンバ内に供給されたターゲットの一形態である。ドロップレットは、溶融したターゲット物質の表面張力によってほぼ球状となった滴状のターゲットを意味し得る。

「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。

「パルスレーザ光」は、複数のパルスを含むレーザ光を意味し得る。レーザ光の光路を「レーザ光路」という。レーザ光路について「上流」側とは、レーザ光路においてレーザ光の光源に近い側をいう。

「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。

「Ｚ軸方向」は、チャンバ内に導入されたレーザ光がプラズマ生成領域２５に向かって進行する際の当該レーザ光の進行方向である。Ｚ軸方向は、ＥＵＶ光生成装置がＥＵＶ光を出力する方向と略同一であってもよい。

「Ｙ軸方向」は、ターゲット供給器がチャンバ内にターゲットを出力する方向の逆方向であり、Ｚ軸方向に垂直な方向である。「Ｘ軸方向」は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に垂直な方向である。

「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。「極端紫外光生成システム」は「ＥＵＶ光生成システム」と表記される。

本明細書における「平行」という用語には、技術的意義において実質的に平行と同等の範囲と見做しうる略平行の概念が含まれてよい。また、本明細書における「垂直」又は「直交」という用語には、技術的意義において実質的に垂直又は実質的に直交と同等の範囲と見做しうる略垂直又は略直交の概念が含まれてよい。

２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、ターゲット供給器２６とを含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給器２６は、ターゲット物質をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。

チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。

ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度のうち少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収器２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。

２．２ 動作
図１を参照して、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、レーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。

ターゲット供給器２６は、ターゲット物質によって形成されたターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御してもよい。さらに、プロセッサ５は、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

３．比較例に係るＥＵＶ光生成システムの概要
３．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。

ＥＵＶ光生成システム１１は、チャンバ２と、メインパルスレーザシステム３０１と、ビームステアリングシステム３４Ａと、プロセッサ５とを含む。メインパルスレーザシステム３０１は、発振器３１０と、アイソレータ３１２と、増幅器３１４と、エネルギセンサ３１６とを含む。

メインパルスレーザシステム３０１はさらに、レーザ光路上に高反射ミラー３２１、ビームスプリッタ３２２、高反射ミラー３２３及びその他の図示しない光学素子を含む。これらのミラー等の光学素子は、レーザ光を伝送及び／又は整形するように構成される。発振器３１０と増幅器３１４とは主発振器出力増幅器（Master Oscillator Power Amplifier：ＭＯＰＡ）を構成する。メインパルスレーザシステム３０１はレーザ装置３の一例である。

アイソレータ３１２は、発振器３１０から増幅器３１４までのレーザ光路に配置され、プロセッサ５からの指示によってレーザ光の透過（開）と遮断（閉）とを行うように構成される。アイソレータ３１２は、例えば電気光学（Electro-optic：ＥＯ）素子や音響光学（Acousto-optic：ＡＯ）素子を含んだポッケルスセルでもよい。

ビームスプリッタ３２２は、増幅器３１４から出力されたパルスレーザ光の一部を高反射ミラー３２３に向けて反射させ、増幅器３１４から出力されたパルスレーザ光の他の一部をエネルギセンサ３１６に向けて透過させる。エネルギセンサ３１６は、ビームスプリッタ３２２を透過したパルスレーザ光の光路上に配置される。エネルギセンサ３１６は、ビームスプリッタ３２２を透過したパルスレーザ光のエネルギを計測し、その計測値をプロセッサ５に送信する。

ビームステアリングシステム３４Ａは、増幅器３１４から出力されたレーザ光をチャンバ２内のターゲット２７に照射するように構成される。ビームステアリングシステム３４Ａは、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１と、高反射ミラー３４２、３４３、３４４とを含む。ビームステアリングシステム３４Ａは、図示しないレーザ集光光学系を含む。レーザ集光光学系は、凸面ミラーとレーザ光集光ミラーとを含んでよい。凸面ミラーは、楕円ミラーであってもよい。レーザ光集光ミラーは軸外放物面ミラーであってもよい。レーザ集光光学系の一部又は全部はチャンバ２の内部に配置されてもよい。

アクチュエータ付き高反射ミラー３４１は、プロセッサ５からの指示によってアクチュエータ３４１Ａを駆動し、高反射ミラー３４１Ｂの位置及び／又は姿勢を制御可能に構成される。高反射ミラー３４１Ｂは、メインパルスレーザシステム３０２から出力されるメインパルスレーザ光の波長を高反射するミラーである。アクチュエータ付き高反射ミラー３４１は、レーザ集光光学系内に配置されてもよく、レーザ光集光ミラーを兼ねてもよい。

チャンバ２は、ターゲット供給器２６と、ターゲットセンサ４と、ＥＵＶセンサ８と、図示しないＥＵＶ光集光ミラーとを含む。ＥＵＶセンサ８は、ＥＵＶ光のエネルギを計測するエネルギセンサであってよい。

プロセッサ５は、ターゲット供給器２６と、ターゲットセンサ４と、ＥＵＶセンサ８と、発振器３１０と、アイソレータ３１２と、エネルギセンサ３１６と、アクチュエータ３４１Ａとに接続される。

本開示のプロセッサ５とは、制御プログラムが記憶された記憶装置と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）とを含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。

３．２ 動作
ＥＵＶ光を出力する場合、露光装置６からのＥＵＶ光出力指令によって、プロセッサ５はターゲット供給器２６にターゲット２７を出力させる。このときプロセッサ５は露光装置６から目標ＥＵＶエネルギを受信してもよい。

ターゲット供給器２６は、ターゲット物質によって形成されたターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するように構成される。ターゲット供給器２６は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりターゲット２７としてドロップレットを生成する。

ターゲットセンサ４はターゲット２７を検出し、通過タイミング信号をプロセッサ５に出力する。

プロセッサ５は、通過タイミング信号に対して所定の遅延時間を付加して生成する発光トリガ信号をメインパルスレーザシステム３０１の発振器３１０とアイソレータ３１２とに出力する。

発振器３１０は発光トリガ信号が入力されるとレーザ光を出力し、アイソレータ３１２は発振器３１０から出力されたレーザ光の到達タイミングに同期してレーザ光を透過させる。これに先立ってプロセッサ５は、増幅器３１４をレーザ光増幅可能な状態としておく。

アイソレータ３１２を透過したレーザ光は、増幅器３１４によって増幅され、ビームステアリングシステム３４Ａを経由してチャンバ２内のターゲット２７に照射される。メインパルスレーザシステム３０１から出力されるレーザ光のエネルギは数ｋＷ～数十ｋＷに達する。

レーザ光を集光照射されたターゲット２７は、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。このとき、ターゲット２７に照射されるレーザ光の照射径（スポット直径）はターゲット２７の径より大きくてもよい。

ＥＵＶセンサ８は、生成されたＥＵＶ光のエネルギを検出してプロセッサ５に送信する。プロセッサ５は検出したＥＵＶエネルギが目標ＥＵＶエネルギとなるように発振器３１０及び／又は増幅器３１４によってレーザ光のエネルギを調整してもよい。

３．３ レーザ照射位置調整の概要
ＥＵＶ光生成システム１１は、高い変換効率でＥＵＶ光を生成するために、ターゲット２７に対するレーザ光の照射位置を調整する。この調整動作は、ＥＵＶ光を露光装置６に出力する前に行われてもよい。プロセッサ５は、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１を駆動してレーザ光の照射位置を、ＸＹ平面内で走査（スキャン）しながらＥＵＶエネルギを記録する。以下、照射位置の調整に関して「ＸＹ平面」という記載は、プラズマ生成領域２５と交差するＸＹ平面を意味する。

例えば、後述する図４のように、ＸＹ平面における照射位置の水準をＸ軸方向に関して７水準、Ｙ軸方向に関して７水準の合計で７×７のマトリクス状に規定された照射位置水準が用いられてもよい。この水準は、過去に設定したレーザ照射位置を原点（中心）として規定されてもよいし、あるいは設計上の最適位置を原点として規定されてもよい。Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの方向についての照射位置を走査する範囲（領域）、水準の刻み幅及び水準の個数などは、図４に示す例に限らない。Ｘ軸方向とＹ軸方向とで水準の刻み幅や水準の個数を異ならせてもよい。なお、図４に例示されるような、照射位置の走査範囲を定めた水準の集まりを「照射位置水準群」と呼ぶ。また、ＸＹ平面上の位置を座標（ｘ，ｙ）で表す。

プロセッサ５は、レーザ光の照射位置を調整する場合、レーザ光の照射位置がプラズマ生成領域２５と交差するＸＹ平面上で走査されるように、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１を制御する。そして、プロセッサ５は、照射位置毎にＥＵＶセンサ８の計測結果を取得する。

すなわち、プロセッサ５は、照射位置水準で定められた各照射位置にレーザ光を照射して、検出されるＥＵＶエネルギを照射位置と対応付けて記録する。照射位置ごとに記録されるＥＵＶエネルギは、複数パルスあるいは複数バーストの平均値でもよい。プロセッサ５は、ある照射位置でレーザ光を照射後、次の照射位置にレーザ光が照射されるようにアクチュエータ３４１Ａを駆動してＥＵＶエネルギの計測値を取得する動作を繰り返す。プロセッサ５は、照射位置水準群のマトリクスの各位置（各水準）について順次、ＥＵＶエネルギの計測値を取得し、計測結果をマッピングしてゆく。ここでの「マッピング」はＥＵＶエネルギの分布図を作成することを含む。ＥＵＶエネルギ分布図は、照射位置とＥＵＶエネルギとの対応関係をマップ画像化したものである。

こうして得られたＥＵＶエネルギ分布図の中から、高いＥＵＶエネルギを実現できる照射位置を選択してレーザ照射位置とする。このとき、プロセッサ５は、カーブフィッティング等により、最も高いＥＵＶエネルギを実現できる照射位置を特定してもよい。

３．４ 照射位置調整処理の例
図３から図６を用いて、照射位置調整処理の例について説明する。図３は、照射位置調整処理の例を示すフローチャートである。図４は、図３に示された照射位置調整処理に適用される照射位置水準群を例示する図表である。図５は、図４に示された照射位置水準群に基づいて作成されたＥＵＶエネルギ分布図を例示的に示す図表である。図６は、図５に示されたＥＵＶエネルギ分布図から求められた近似曲線を例示する図である。

図３のステップＳ１１において、プロセッサ５は照射位置の水準を読み込む。具体的には、プロセッサ５は、例えばレーザ光の照射位置Ｓｍ（ｘ，ｙ）を走査させる場合、図４に例示されるような照射位置水準群に基づいて走査させる。図４中の矢印は、走査によりレーザ光を照射する位置の移動順序、つまり、走査による水準の進行順番を示している。プロセッサ５は、例えば、図４のような２次元配列による照射位置水準に従ってＸ軸方向に照射位置を移動させた後、Ｙ軸方向に照射位置を移動させて、照射位置の調整を実施する。

照射位置水準群は、図４に例示されるように、調整前のＳｍ（０，０）を中心としてマトリックス状に配列されたテーブルを用いて作成されてもよい。図４では、Ｓｍ（０，０）を中心にして、Ｘ軸方向とＹ軸方向の各方向について「－６０μｍ」から「＋６０μｍ」まで「２０μｍ」の刻み幅で７段階に照射位置の水準が規定され、７×７のマトリクス状に並ぶ４９箇所の照射位置水準の範囲内で照射位置を変更する例が示されている。

プロセッサ５は、予め複数の照射位置水準群を保持し、レーザ光の出力条件及びスポット直径Ｄに応じて、適用する照射位置水準を読み込んでもよい。プロセッサ５は、レーザ光の出力条件及びスポット直径Ｄに応じて複数の照射位置水準群を保持して適用してもよい。

ステップＳ１２において、プロセッサ５は読み込んだ照射位置水準に基づいて、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１を駆動させる。すなわち、プロセッサ５は、照射位置Ｓｍ（ｘ，ｙ）が走査されるように、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１のアクチュエータ３４１Ａを駆動させる。

ステップＳ１３において、プロセッサ５は通過タイミング信号に同期してトリガ信号をメインパルスレーザシステム３０１に送信することで、ＥＵＶ光２５２を生成させる。

ステップＳ１４において、プロセッサ５はＥＵＶセンサ８の計測結果を取得する。

プロセッサ５は、複数のＥＵＶセンサ８から送信された複数の計測値に統計処理を施し、ＥＵＶ光２５２のエネルギ及び必要に応じてそのばらつきを取得してもよい。ＥＵＶ光２５２のエネルギは、複数のＥＵＶセンサ８から送信された複数の計測値の平均値であってもよい。ＥＵＶ光２５２のエネルギのばらつきは、例えば３σであってもよい（σは標準偏差である）。

プロセッサ５は、ＥＵＶ光２５２のエネルギ及びそのばらつきを、ＥＵＶセンサ８の計測結果として取得し、各照射位置水準に対応付けて記憶する。

なお、プロセッサ５は、１つの照射位置水準においてＥＵＶセンサ８の計測結果を取得するために、１００パルス以上１００，０００パルス以下のパルス数のＥＵＶ光２５２を生成させてもよい。１００，０００パルスのＥＵＶ光２５２を生成させる場合のＥＵＶ光生成装置１の運転条件は、デューティサイクルを５０％、１バースト当たりのＥＵＶ光２５２のパルス数を１０，０００パルスとし、１０バーストだけ運転させるような条件であってもよい。なお、バーストとは、所定時間の間、ＥＵＶ光２５２を所定繰り返し周波数で生成させるようなＥＵＶ光生成装置１の運転動作であってもよい。デューティサイクルは、ＥＵＶ光２５２が所定繰り返し周波数で生成される上記所定時間と単位時間との比であってもよい。

ステップＳ１５において、プロセッサ５は読み込まれた照射位置水準群に含まれる全ての照射位置水準が走査されたか否かを判定する。

ステップＳ１５の判定結果がＮＯ判定である場合、すなわち、全ての照射位置水準の走査を完了していなければ、プロセッサ５はステップＳ１２に戻る。

ステップＳ１２からステップＳ１５を繰り返すことにより、照射位置水準ごとのＥＵＶエネルギ計測値（ＥＵＶセンサ８の計測結果）のデータが蓄積されていく。プロセッサ５は、各照射位置水準に対応付けて記憶されたＥＵＶセンサ８の計測結果に基づいて、ＥＵＶ光２５２のエネルギの分布図を作成する。

一方、ステップＳ１５の判定結果がＹＥＳ判定である場合、すなわち、全ての照射位置水準が走査されたならば、プロセッサ５はステップＳ１６に進む。

ステップＳ１６に進む場合、各照射位置水準に対応付けて記憶されたＥＵＶセンサ８の計測結果に基づいて、図５に例示されるようなＥＵＶ光２５２のエネルギの分布図が得られている。プロセッサ５は、ステップＳ１２からステップＳ１５を繰り返す過程で、順次に分布図の作成を進めてもよいし、ステップＳ１５の判定結果がＹＥＳ判定となった段階で分布図を作成してもよい。

図５は、照射位置Ｓｍ（ｘ，ｙ）のセルにＥＵＶ平均エネルギの値が入力された分布図の例である。ここで、ＥＵＶ平均エネルギの単位は［ｍＪ］である。図５の各照射位置のセルに示された数値は、複数のＥＵＶセンサ８の計測結果から算出されるエネルギ重心位置における平均エネルギを表す。図５のような分布図を「ＥＵＶエネルギ分布図」という。

図３のステップＳ１６において、プロセッサ５は得られたＥＵＶエネルギ分布図に基づいて、レーザ光の照射位置Ｓｍ（ｘ，ｙ）の最適位置Ｓｍｏｐｔ（ｘ，ｙ）を計算し、最適位置を記憶する。例えば、プロセッサ５は、作成されたＥＵＶエネルギ分布図のデータを用いた数値解析によって最適位置Ｓｍｏｐｔ（ｘ，ｙ）を決定してもよい。例えば、プロセッサ５は、図６に例示されるように、ＥＵＶ光２５２のエネルギが最大である照射位置水準及びその付近の照射位置水準と、これらの照射位置水準に対応付けられたＥＵＶ光２５２のエネルギとを、解析対象として特定してもよい。

そして、プロセッサ５は、ＥＵＶ光２５２のエネルギ分布を、例えば最小二乗法を用いてガウス分布曲線又は２次曲線に近似してもよい。プロセッサ５は、近似曲線の最大値に対応するＸ座標及びＹ座標を、最適位置Ｓｍｏｐｔ（ｘ，ｙ）に決定してもよい。最適位置Ｓｍｏｐｔ（ｘ，ｙ）は、目標照射位置として設定され、プロセッサ５内のメモリに記憶される。

なお、図６のような最適位置の計算方法の代わりに、プロセッサ５は、作成されたＥＵＶエネルギ分布図のうちでＥＵＶ光２５２のエネルギが最大である照射位置水準の照射位置Ｓｍ（ｘ，ｙ）を、最適位置Ｓｍｏｐｔ（ｘ，ｙ）に決定してもよい。

ステップＳ１７において、プロセッサ５は、最適位置Ｓｍｏｐｔ（ｘ，ｙ）にレーザ光が照射されるように、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１のミラー角度を調整する。具体的には、プロセッサ５は、レーザ照射位置が最適位置Ｓｍｏｐｔ（ｘ，ｙ）になるように、アクチュエータ３４１Ａを駆動させる。これにより、レーザ光の照射位置Ｓｍは、最適位置Ｓｍｏｐｔに調整される。

ステップＳ１８において、プロセッサ５はアクチュエータ付き高反射ミラー３４１の調整量が許容値Ｒｍ以下であるか否かを判定する。

プロセッサ５は、調整後のレーザ光の照射位置Ｓｍａと、調整前のレーザ光の照射位置Ｓｍｂとの差分の絶対値｜Ｓｍａ－Ｓｍｂ｜を、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１の調整量としてもよい。

プロセッサ５は、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１の調整量が許容値Ｒｍ以下であれば、本処理を終了してよい。許容値Ｒｍは、例えばスポット直径Ｄに相関して決定されてもよい。一方、プロセッサ５は、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１の調整量が許容値Ｒｍを超えるのであれば、ステップＳ１９に進む。

ステップＳ１９において、プロセッサ５は現在の照射位置水準群を、最適位置Ｓｍｏｐｔを中心とした照射位置水準群に更新し、ステップＳ１１に戻る。

３．５ 課題
レーザ照射位置調整は、ＸＹ平面における原点位置からの距離がＲｍ以下の範囲内でＥＵＶ性能（ＥＵＶエネルギ）が高まるように行われる。調整中の照射位置水準走査は、戻り光が増加する方向へも制限なく行うため、戻り光出力が過大となる水準でレーザ光を照射し、素子損傷が発生するリスクがある。戻り光は、ターゲット２７によるレーザ光の反射光であり、レーザ光路を発振器３１０側に向けて逆行する。多くの場合、戻り光は、伝搬中に減衰するので問題となることはないが、条件によっては増幅器３１４を逆行して増幅され、アイソレータ３１２などにダメージを及ぼすことがある。

４．実施形態１
４．１ 構成
図７は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成システム１１０の構成例を概略的に示す。図７に示す構成について、図２に示す構成と異なる点を説明する。実施形態１に係るＥＵＶ光生成システム１１０は、図２に示すメインパルスレーザシステム３０１に代えて、メインパルスレーザシステム３０２を備える。メインパルスレーザシステム３０２は、発振器３１０と、アイソレータ３１２と、ビームスプリッタ３３０と、戻り光センサ３３２と、増幅器３１４と、エネルギセンサ３１６と、ビームスプリッタ３２２と、高反射ミラー３２４とを備える。

ビームスプリッタ３３０は、アイソレータ３１２から増幅器３１４の間のいずれかの高反射ミラーの代わりに配置される。例えば、図２に示す高反射ミラー３２１に代えて、ビームスプリッタ３３０が配置される。ビームスプリッタ３３０は、レーザ光路を逆行した光の一部を透過するように構成され、入射したレーザ光の一部を透過し、他の一部を反射するように構成される。

戻り光センサ３３２は、レーザ光路を逆行してビームスプリッタ３３０を透過した光を受光する位置に配置される。ビームスプリッタ３３０と戻り光センサ３３２との間に、図示しない光学系が配置されてもよい。光学系はコリメート光学系や集光光学系であってもよい。戻り光センサ３３２は、例えば、エネルギ計測を行うエネルギセンサである。なお、戻り光センサ３３２として、パワー計測を行うパワーセンサを用いてもよい。戻り光のエネルギあるいはパワーを「戻り光出力」という。戻り光出力は「戻り光量」と言い換えてもよい。戻り光センサ３３２は、プロセッサ５に戻り光出力の検出値を送信する。

４．２ 動作
実施形態１に係るＥＵＶ光生成システム１１０の場合、レーザ光の照射位置を調整する際に、ターゲット２７に照射するレーザ光のパルスエネルギを相対的に低いエネルギ（低出力）に設定し、この低出力のレーザ光を用いて照射位置の水準を走査し、戻り光出力の分布図を生成する。こうして得られた低出力の戻り光出力分布図を基にして、高エネルギ（高出力）のレーザ光を用いる照射位置調整の際の走査領域を制限する。走査領域とは、照射位置の移動領域である。

図８は、ＥＵＶ光生成システム１１０におけるレーザ光の照射位置調整処理の例を示すフローチャートである。ステップＳ３０において、プロセッサ５はレーザ光のエネルギを、戻り光によるリスクの低いレーザエネルギの値に設定する。プロセッサ５は、レーザ光のエネルギを低い値に設定する信号を発振器３１０に送信する。このときの低エネルギ設定値は、露光装置６での露光時に必要なレーザエネルギ値（露光時出力）よりも低くする。また、低エネルギ設定値は、想定される最大の戻り光出力の場合でも増幅器３１４より上流の光学素子のレーザ耐力（レーザ耐性強度）を超えないようなレーザエネルギ値とする。例えば、定格出力に対して２５％～３０％程度の出力に設定することが好ましく、露光時出力が２０ｋＷのレーザ装置３であれば、低エネルギ設定値は５ｋＷ程度とするとよい。ステップＳ３０にて設定されるレーザエネルギは本開示における「第１レーザエネルギ」の一例である。

ステップＳ３１からステップＳ３３は、図３のステップＳ１１からステップＳ１３と同様の処理である。

ステップＳ３１において、プロセッサ５は照射位置の水準を読み込む。照射位置の水準の設定に関しては、図４で説明した例と同様であってよい。

ステップＳ３２において、プロセッサ５は水準の１つに照射位置を合わせるようにアクチュエータ付き高反射ミラー３４１を駆動させる。

ステップＳ３３において、プロセッサ５は通過タイミング信号に同期してトリガ信号をメインパルスレーザシステム３０２に送信することで、ＥＵＶ光２５２を生成させる。

ステップＳ３４において、プロセッサ５はＥＵＶセンサ８の計測値（ＥＵＶエネルギ）と、戻り光センサ３３２の計測値（戻り光出力）とを取得して、それぞれの計測値を水準位置に関連付けてマッピングする。つまり、プロセッサ５は、ＥＵＶエネルギの計測結果をマッピングする際に、各照射位置におけるＥＵＶエネルギと共に戻り光出力も記録する。戻り光出力は複数バーストの平均値でもよい。このとき、レーザ光は低エネルギ値に設定されており、各照射位置で同一のレーザエネルギ条件である。

ステップＳ３５において、プロセッサ５は読み込まれた照射位置水準群に含まれる全ての照射位置水準が走査されたか否かを判定する。ステップＳ３５の判定結果がＮＯ判定である場合、すなわち、全ての照射位置水準が走査されていなければ、プロセッサ５はステップＳ３２に戻り、照射位置を変更してステップＳ３２～Ｓ３５を繰り返す。こうして、ＸＹ面内の照射位置に対するＥＵＶエネルギ分布図（図９参照）と戻り光出力分布図（図１０参照）とが得られる。これらはいずれも低出力のレーザ照射によるマッピングである。

ステップＳ３５の判定結果がＹＥＳ判定である場合、すなわち、全ての照射位置水準が走査されると、プロセッサ５はステップＳ３６に進む。全ての照射位置水準の走査が完了すると、図９に示すようなＥＵＶエネルギ分布図と、図１０に示すような戻り光出力分布図が得られる。戻り光出力分布図は、照射位置と戻り光出力との対応関係をマップ画像化したものである。

図８のステップＳ３６において、プロセッサ５は第１戻り光閾値に基づいて高出力の走査範囲を決定する。プロセッサ５は戻り光出力に関して、第１戻り光閾値を設定し、戻り光出力分布図の中から戻り光出力が第１戻り光閾値を超えない領域を、高出力マッピング領域として設定する。高出力マッピング領域とは、ステップＳ３０にて設定した低エネルギ値よりも高いレーザエネルギのレーザ照射によって照射位置を変えながらＥＵＶエネルギを計測する照射位置の走査範囲を意味する。つまり、高出力マッピング領域は、高出力のレーザ照射による照射位置調整の水準走査を実施する際の走査領域であり、「高出力スキャン領域」、あるいは「高出力のレーザ照射によるレーザ照射位置の調整範囲」などと言い換えてもよい。

高出力のレーザ照射による走査領域を決定することは、高出力のレーザ照射による走査を禁止する（非実施とする、制限する）領域を決定すること、つまり、高出力のレーザ照射の非照射領域（非走査範囲）を決定することの概念を含む。

第１戻り光閾値は、増幅器３１４よりも上流の光学素子のレーザ耐力に基づいて決定してもよい。例えば、第１戻り光閾値は以下の式から決定してもよい。

第１戻り光閾値＝（増幅器上流光学素子のレーザ耐力）×（安全率）×（ビームサイズ）×（低エネルギ値）／（露光時レーザエネルギ値）
ここで、第１戻り光閾値の単位は［Ｊ］、増幅器上流光学素子のレーザ耐力の単位は［Ｊ／ｃｍ^２］、安全率は無単位で０から１の間の数値、ビームサイズの単位は［ｃｍ^２］、低エネルギ値及び露光時レーザエネルギ値の単位は［ｍＪ］であってよい。ビームサイズは、増幅器上流光学素子におけるビームサイズとしてもよい。「増幅器上流光学素子」とは、増幅器３１４よりも上流に配置される光学素子をいう。増幅器上流素子は、例えばアイソレータ３１２である。増幅器上流光学素子はポッケルスセルのＥＯ結晶であってもよい。

図１０に示す戻り光出力分布図に対して、第１戻り光閾値として例えば、０．０５［ｍＪ］が設定された場合、戻り光出力が０．０５［ｍＪ］を超える照射位置水準に対して、プロセッサ５は、高出力のレーザ照射による走査を制限する。図１０に示す戻り光出力分布図は本開示における「第１分布データ」の一例である。

図１１は、第１戻り光閾値に基づいて水準の走査領域を制限した場合の例を示す。図１１は、図１０に示す戻り光出力分布図に対して、第１戻り光閾値０．０５［ｍＪ］を設定した場合の高出力による走査領域と非走査領域とを塗り分けした図表である。

図１０において、第１戻り光閾値０．０５［ｍＪ］を超える戻り光出力が計測された照射位置は高出力によるレーザ照射の走査を禁止する非走査領域に設定され、第１戻り光閾値０．０５を超えない戻り光出力が観測された照射位置は、高出力によるレーザ照射を実施する走査領域に設定される。第１戻り光閾値は本開示における「閾値」、「第１閾値」の一例である。図１１に示す高出力マッピング領域は本開示における「第１領域」の一例である。

図８のステップＳ４０において、プロセッサ５はレーザ光のエネルギを、露光時に必要なレーザエネルギの値に設定する。すなわち、プロセッサ５はレーザ光のエネルギを露光時に必要なレーザエネルギの値に設定する信号を発振器３１０に送信する。露光時に必要なレーザエネルギの値は、ステップＳ３０にて設定した低エネルギ値よりも高いエネルギ値である。ステップＳ４０にて設定されるレーザエネルギは本開示における「第２レーザエネルギ」の一例である。

ステップＳ４１において、プロセッサ５は照射位置水準の読み込みを行う。プロセッサ５は、ステップＳ３６にて決定された走査領域、つまり第１戻り光閾値によって制限された高出力マッピング領域内の照射位置水準を読み込む。

ステップＳ４２において、プロセッサ５はステップＳ４１にて読み込んだ走査領域の中の水準の１つに照射位置を合わせるようにアクチュエータ付き高反射ミラー３４１を駆動させる。

ステップＳ４３において、プロセッサ５は通過タイミング信号に同期してトリガ信号をメインパルスレーザシステム３０２に送信することで、ＥＵＶ光２５２を生成させる。

ステップＳ４４において、プロセッサ５はＥＵＶセンサ８の計測値と、戻り光センサ３３２の計測値とを取得して、それぞれの計測値を照射位置（水準）に対応付けてマッピングする。すなわち、プロセッサ５は、露光時レーザエネルギ値のレーザ照射によるＥＵＶエネルギ分布図と戻り光出力分布図とを作成する。使用される照射位置水準は、高出力マッピング領域（図１１参照）に限定されるため、この制限された領域内のＥＵＶエネルギ分布図と戻り光出力分布図が作成される。なお、ステップＳ４４において、各照射位置における戻り光出力を記録しているが、戻り光出力分布図の作成を省略してもよい。

ステップＳ４５において、プロセッサ５は読み込んだ照射位置水準群に含まれる全ての照射位置水準が走査されたか否かを判定する。ステップＳ４５の判定結果がＮＯ判定である場合、すなわち、読み込んだ全ての照射位置水準が走査されていなければ、プロセッサ５はステップＳ４２に戻り、照射位置を変更してステップＳ４２～Ｓ４４を繰り返す。こうして、高出力マッピング領域に限定されたＥＵＶエネルギ分布図と、戻り光出力分布図とが得られる（図１２及び図１３参照）。

ステップＳ４５の判定結果がＹＥＳ判定である場合、すなわち、読み込んだ全ての照射位置水準が走査されたならば、プロセッサ５はステップＳ４６に進む。

ステップＳ４６において、プロセッサ５は得られたＥＵＶエネルギ分布図の中から、高いＥＵＶエネルギを実現できる照射位置（最適位置）を選択してレーザ照射位置とする。このとき、カーブフィッティング等により高いＥＵＶエネルギを実現できる照射位置を照射位置水準間隔によらず特定してもよい。例えば、ＥＵＶエネルギが最大となる照射位置を最適位置として決定してもよい。照射位置水準の間隔が５μｍ程度で細かい場合は、ＥＵＶエネルギ分布図の中から、より高いエネルギとなった照射位置水準を最適位置として選択してもよい。

さらに、露光に十分なＥＵＶエネルギを得られる照射位置が複数ある場合は、それらの中で戻り光出力が最も低い照射位置をレーザ照射位置として設定してもよい。このレーザ照射位置は本開示における「目標照射位置」の一例である。プロセッサ５は、決定した最適位置にレーザ光を照射するようにアクチュエータ付き高反射ミラー３４１を制御して、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１を駆動させる。

ステップＳ４６の後、プロセッサ５は図８のフローチャートを終了する。

戻り光はレーザエネルギに相関して増加するので、上記のように低出力マッピングによって戻り光出力が危険なレベルに達する照射位置の領域を特定して高出力マッピング時には当該領域を避けるようにする。

アクチュエータ付き高反射ミラー３４１は本開示における「照射位置調整機構」、「アクチュエータ付きミラー」の一例である。ビームステアリングシステム３４Ａの高反射ミラー３４２、３４３、３４４等は本開示における「光学系」の一例である。ＸＹ平面の平面内は本開示における「平面内」の一例である。ＥＵＶセンサ８は本開示における「極端紫外光センサ」の一例である。

図８のステップＳ３０からステップＳ３６の処理は本開示における「第１計測処理」の一例である。ステップＳ４０からステップＳ４５の処理は本開示における「第２計測処理」の一例である。Ｘ軸とＹ軸とは本開示における「第１軸」と「第２軸」との一例であり、Ｘ軸方向とＹ軸方向とは本開示における「第１方向」と「第２方向」の一例である。

４．３ ＥＵＶエネルギ分布図及び戻り光出力分布図の例
図１２は、高出力のレーザ照射によるＥＵＶエネルギ分布図の例を示す。図１２に示すＥＵＶエネルギ分布図は本開示における「第２分布データ」の一例である。図１３は、高出力のレーザ照射による戻り光出力分布図の例を示す。図１２及び図１３において数値が記録されていないセル（「－」表示のセル）は、高出力のレーザ照射が禁止された走査領域の照射位置を示している。

４．４ 作用・効果
実施形態１に係るＥＵＶ光生成システム１１０によれば、戻り光出力が過大となる照射位置を特定し、これを避けて照射位置調整を行うことができる。これにより照射位置調整中に戻り光による素子損傷のリスクを低減できる。

５．実施形態２
５．１ 構成
実施形態２に係るＥＵＶ光生成システム１１０の構成は、図７に示した実施形態１の構成と同様であってよい。

５．２ 動作
図１４は、実施形態２に係るＥＵＶ光生成システム１１０におけるレーザ光の照射位置調整処理の例を示すフローチャートである。図８で説明したフローチャートは、低出力のレーザ照射による戻り光出力分布を基にして、高出力のレーザ照射による走査領域を制限して照射位置の調整を行うという方法であった。

これに対し、実施形態２では、低出力のレーザ照射による走査を実施することなく、高出力のレーザ照射による走査を行い、その際に戻り光出力をモニタして第２戻り光閾値との比較によって走査領域を制限しながら照射位置を調整する方法が採用される。

実施形態２においては、図４と同様に、照射位置水準の２次元配列に従ってＸ軸方向とＹ軸方向とのそれぞれに照射位置を移動させる走査を実施してもよいが、このような走査方法の代わりに、原点から放射方向に照射位置を移動させる走査を実施してもよい。

プロセッサ５は、例えばレーザ光の照射位置Ｓｍ（ｘ，ｙ）を走査させる場合、例えば図１５に例示されるような照射位置水準群に基づいて走査させる。図１５中の序数及び矢印は、走査によりレーザ光を照射する位置の移動順序を示す。プロセッサ５は、例えば、最初に原点である［１］の水準から近接する矢印方向に走査して矢印の終点まで走査し、次に［２］の水準から近接する矢印方向に走査するようにする。このように走査することで、原点から次第に遠ざかるように照射位置を走査するようにしてもよい。あるいは、原点から徐々に遠くなるように渦巻き状に水準を走査するようにしてもよい。

図１４に示すレーザ照射位置調整の処理が開始されると、ステップＳ５０において、プロセッサ５はレーザ光のエネルギを、露光時に必要なレーザエネルギに設定する。

プロセッサ５は、レーザ光のエネルギを露光時に必要なレーザエネルギ値に設定する信号を発振器３１０に送信する。さらに、プロセッサ５は、戻り光出力に関する第２戻り光閾値を設定する。第２戻り光閾値は、増幅器上流光学素子のレーザ耐力に基づいて決定してもよい。第２戻り光閾値は、例えば以下の式によって決定してもよい。

第２戻り光閾値＝（増幅器上流光学素子のレーザ耐力）×（安全率）×（ビームサイズ）
ここで、第２戻り光閾値の単位は［Ｊ］、増幅器上流光学素子のレーザ耐力の単位は［Ｊ／ｃｍ^２］、安全率は無単位で０から１の間の数値、ビームサイズの単位は［ｃｍ^２］であってよい。ビームサイズは、増幅器上流光学素子におけるビームサイズとしてもよい。「増幅器上流光学素子」とは、増幅器３１４よりも上流に配置される光学素子をいう。増幅器上流光学素子は、例えばアイソレータ３１２である。増幅器上流光学素子はポッケルスセルのＥＯ結晶であってもよい。

ステップＳ５１において、プロセッサ５は照射位置水準を読み込む。

ステップＳ５２において、プロセッサ５は読み込んだ水準の１つにレーザ光の照射位置を合わせるようにアクチュエータ付き高反射ミラー３４１を駆動させる。

ステップＳ５３において、プロセッサ５は通過タイミング信号に同期してトリガ信号をメインパルスレーザシステム３０２に送信することで、ＥＵＶ光２５２を生成させる。

ステップＳ５４において、プロセッサ５はＥＵＶセンサ８の計測値と、戻り光センサ３３２の計測値とを取得して、それぞれの計測値を水準位置に関連付けてマッピングする。プロセッサ５は、ＥＵＶエネルギの計測結果をマッピングする際に、各照射位置における戻り光出力を記録すると同時に、戻り光出力と第２戻り光閾値とを比較する。なお、ここでの「戻り光出力」は複数バーストの平均値でもよい。

ステップＳ５５において、プロセッサ５は戻り光出力が第２戻り光閾値未満であるか否かを判定する。ステップＳ５５の判定結果がＹＥＳ判定である場合、すなわち、戻り光出力が第２戻り光閾値未満である場合、プロセッサ５はステップＳ５７に進む。

その一方で、ステップＳ５５の判定結果がＮＯ判定である場合、すなわち、戻り光出力が第２戻り光閾値以上である場合、プロセッサ５はステップＳ５６に進む。

ステップＳ５６において、プロセッサ５は現在の照射位置水準と同じ走査ラインにおける走査方向と同方向の先にある未照射水準に対するレーザ照射を伴う走査を打ち切る。つまり、戻り光出力＞第２戻り光閾値の場合、原点に対してその水準より先の照射位置についてはマッピングを実施せず、レーザ光を出力しないことにする。その水準より先の照射位置とは、同一走査ライン上であって次に照射が予定された水準の照射位置と言い換えてもよい。

これにより、第２戻り光閾値を超えた戻り光エネルギが計測された照射位置よりも原点に対して遠い、同一の走査方向におけるその先の照射位置水準に対するレーザ光の照射が禁止される。

ステップＳ５６の後、プロセッサ５はステップＳ５７に進む。

ステップＳ５７において、プロセッサ５は読み込まれた照射位置水準群に含まれる全ての照射位置水準が終了したか否かを判定する。ステップＳ５７の判定結果がＮＯ判定である場合、プロセッサ５はステップＳ５２に戻り、照射位置を変更してステップＳ５２～Ｓ５７を繰り返す。

こうして、結果として、戻り光出力が第２戻り光閾値を大幅に超えない照射位置範囲のみでのＥＵＶエネルギ分布図が得られる。この時のレーザエネルギは、露光時相当のものとなる。

ステップＳ５７の判定結果がＹＥＳ判定である場合、プロセッサ５はステップＳ５８に進む。ステップＳ５８において、プロセッサ５は得られたＥＵＶエネルギ分布図の中から、高いＥＵＶエネルギを実現できる照射位置（最適位置）を選択してレーザ照射位置とする。このとき、カーブフィッティング等により高いＥＵＶエネルギを実現できる照射位置を照射水準間隔によらず特定してもよい。照射位置水準の間隔が５μｍ程度で細かい場合は、より高いエネルギとなった照射位置水準を最適位置として選択してもよい。

さらに、ＥＵＶエネルギ分布図において、露光に十分なＥＵＶエネルギを得られる照射位置が複数ある場合は、それらの中で戻り光出力が最も低い照射位置をレーザ照射位置として設定してもよい。

以上のように、実施形態２においては、戻り光出力をモニタしながら第２戻り光閾値によって走査領域を制限して高出力マッピングを実施する。実施形態２の場合、実施形態１で実施した低出力マッピングは実施しなくともよい。

５．３ ＥＵＶエネルギ分布図及び戻り光出力分布図の例
５．３．１ 照射位置の走査領域を制限しない場合の分布図の例
図１６及び図１７は、後述する図１８及び図１９との比較のために示す。図１６は、照射位置の走査領域の制限無しでレーザ光の照射を実施した場合に得られるＥＵＶエネルギ分布図の例である。図１７は、照射位置の走査領域の制限無しでレーザ光の照射を実施した場合に得られる戻り光出力分布図の例である。実施形態２で説明した戻り光出力と第２戻り光閾値との比較に基づく走査領域の制限を実施せずに、高出力のレーザ照射で照射位置の水準振りを実施した場合、図１６に示すようなＥＵＶエネルギ分布図と図１７に示すような戻り光出力分布図が得られる。

５．３．２ 戻り光出力に閾値を設けて走査領域を制限した場合の分布図の例
図１８及び図１９は、実施形態２により高出力での照射位置調整時に、戻り光出力に閾値（第２戻り光閾値）を設けて調整範囲を制限した場合に得られるＥＵＶエネルギ分布図及び戻り光出力分布図の例である。図１８及び図１９は、第２戻り光閾値が０．２４［ｍＪ］に設定された場合の例を示す。例えば、図４と同様の走査のときに図１９に示す７×７のマトリクス状の照射位置水準群における第１行目（Ｙ＝６０μｍ）の水準をＸ軸のプラス方向に順次走査する場合、照射位置（２０,６０）での戻り光出力が０．２５ｍＪになると、この値は第２戻り光閾値０．２４ｍＪを超えているため、この照射位置（２０，６０）から先の同方向の照射位置（４０，６０）、（６０，６０）への移動が打ち切りとなる。

よって、次は、第２行目（Ｙ＝４０μｍ）の左端の水準である照射位置（－６０，４０）に移動する。そして、第２行目の水準をＸ軸のプラス方向に順次走査することになる。第２行目の照射位置（４０,４０）での戻り光出力が０．３２ｍＪになると、この値は第２戻り光閾値０．２４ｍＪを超えているため、この照射位置（４０，４０）から先の同方向（プラスＸ軸方向）の照射位置（６０，４０）への移動が打ち切りとなる。以下、第３行目以降についても同様の処理が行われ、図１８及び図１９に示すように走査領域が制限された高出力マッピングが行われる。第２戻り光閾値は本開示における「閾値」、「第２閾値」の一例である。

５．４ 作用・効果
実施形態２によれば、戻り光出力が過大となる照射位置を避けながら高出力で照射位置調整を行うことができる。これにより照射位置調整時間を短縮できる。

６．実施形態３
６．１ 構成
図２０は、実施形態３に係るＥＵＶ光生成システム１１３の構成を概略的に示す。図２０に示す構成について、図７と異なる点を説明する。

図２０に示すＥＵＶ光生成システム１１３は、メインパルスレーザシステム３０２の他に、プリパルスレーザ３００と、アクチュエータ付き高反射ミラー３５１と、ビームコンバイナ３５２とを備える。

プリパルスレーザ３００は、ピコ秒［ｐｓ］オーダ又はナノ秒［ｎｓ］オーダのパルス幅のプリパルスレーザ光を出力するレーザ装置である。プリパルスレーザ光は、メインパルスレーザシステム３０２から出力されるメインパルスレーザ光と異なる波長のレーザ光であってよく、メインパルスレーザ光が照射される前のターゲット２７に照射される。

アクチュエータ付き高反射ミラー３５１は、ビームステアリングシステム３４Ｂに含まれる。ビームステアリングシステム３４Ｂは、図７で説明したビームステアリングシステム３４Ａの構成の他に、アクチュエータ付き高反射ミラー３５１とビームコンバイナ３５２とを含む。

アクチュエータ付き高反射ミラー３５１は、プリパルスレーザ３００とビームコンバイナ３５２との間のプリパルスレーザ光の光路上に配置される。アクチュエータ付き高反射ミラー３５１は、プリパルスレーザ光をビームコンバイナ３５２に向けて反射する。アクチュエータ付き高反射ミラー３５１は、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１と同様に、アクチュエータ３５１Ａと高反射ミラー３５１Ｂとを含む。

高反射ミラー３５１Ｂは、プリパルスレーザ光の波長を高反射するミラーである。アクチュエータ付き高反射ミラー３５１は、プロセッサ５からの指示によってアクチュエータ３５１Ａを駆動し、高反射ミラー３５１Ｂの位置及び／又は姿勢を制御可能に構成される。

ビームコンバイナ３５２は、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１の反射光の光路と、アクチュエータ付き高反射ミラー３５１の反射光の光路との交点に配置される。ビームコンバイナ３５２は、例えば、プリパルスレーザ光の波長を高反射し、メインパルスレーザ光の波長を高透過するダイクロイックミラーであってよい。

またＥＵＶ光生成システム１１３は、ターゲットセンサ４及びＥＵＶセンサ８の他に、ミストサイズセンサ３７０を備える。ミストサイズセンサ３７０は、ミストターゲットを撮像するよう構成されたカメラである。ミストターゲットはターゲット２７が微粒子化して空間に拡散した状態の２次ターゲットである。ミストサイズセンサ３７０はプロセッサ５に接続され、プロセッサ５はミストサイズセンサ３７０が出力する画像からミストターゲットの大きさを算出する。

メインパルスレーザシステム３０２は本開示における「メインパルスレーザ」の一例である。アクチュエータ付き高反射ミラー３５１は本開示における「プリパルスレーザ照射位置調整機構」の一例である。アクチュエータ付き高反射ミラー３４１は本開示における「メインパルスレーザ照射位置調整機構」の一例である。

６．２ 動作
ターゲットセンサ４は、ターゲット２７を検出し通過タイミング信号をプロセッサ５に出力する。

プロセッサ５は、通過タイミング信号に対して第１遅延時間を付加してプリパルス発光トリガ信号をプリパルスレーザ３００に出力する。さらに、第１遅延時間より長い第２遅延時間を通過タイミング信号に付加してメインパルス発光トリガ信号をメインパルスレーザシステム３０２の発振器３１０とアイソレータ３１２とに出力する。

プリパルスレーザ３００は、プリパルス発光トリガ信号が入力されるとプリパルスレーザ光を出力する。

発振器３１０はメインパルス発光トリガ信号が入力されるとメインパルスレーザ光を出力し、アイソレータ３１２は出力されたメインパルスレーザ光の到達タイミングに同期してメインパルスレーザ光を透過させる。これに先立ってプロセッサ５は、増幅器３１４をレーザ光増幅可能な状態としておく。

プリパルスレーザ光は、アクチュエータ付き高反射ミラー３５１を経てビームコンバイナ３５２及び高反射ミラー３４２、３４３、３４４で順次反射され、チャンバ２内のターゲット２７に照射され、ミストターゲットを形成する。ミストターゲットはミストサイズセンサ３７０によって撮像され、プロセッサ５はミストサイズを算出する。ミストサイズは「ミストターゲットサイズ」と同義である。

一方、アイソレータ３１２を透過したメインパルスレーザ光は増幅器３１４によって増幅され、ビームステアリングシステム３４Ｂを経由してチャンバ２内のミストターゲットに照射される。

メインパルスレーザ光を集光照射されたミストターゲットはプラズマ化してＥＵＶ光を放射する。このとき放射されるＥＵＶエネルギは、プリパルスレーザ３００がない場合よりも高いエネルギとなる。

６．３ レーザ照射位置調整の例
図２１及び図２２を用いて、照射位置調整処理の例について説明する。図２１は、照射位置調整処理のメインルーチンの例を示すフローチャートである。

図２１のステップＳ６１において、プロセッサ５はプリパルスレーザ照射位置調整を行う。プリパルスレーザ照射位置調整は、プリパルスレーザ光の照射位置を調整する処理である。その後、ステップＳ６２において、プロセッサ５はメインパルスレーザ照射位置調整を行う。メインパルスレーザ照射位置調整は、メインパルスレーザ光の照射位置を調整する処理である。

ステップＳ６２の後、プロセッサ５は図２１のフローチャートを終了する。

図２２は、図２１のステップＳ６１及びステップＳ６２に適用されるサブルーチンの例を示すフローチャートである。

プリパルスレーザ照射位置調整（ステップＳ６１）とメインパルスレーザ照射位置調整（ステップＳ６２）とのそれぞれに適用されるサブルーチンに関して、調整アルゴリズムは共通しており、同様のサブルーチンが適用される。戻り光センサ３３２は、メインパルスレーザ光の戻り光を検出する点は、プリパルスレーザ照射位置調整とメインパルスレーザ照射位置調整とにおいて共通する。

プリパルスレーザ照射位置調整とメインパルスレーザ照射位置調整とで異なる点は、分布図を作成する調整指標と、水準リスト（照射位置水準群）と、駆動ミラーとである。プリパルスレーザ照射位置調整における調整指標はミストターゲットのミストサイズであるのに対し、メインパルスレーザ照射位置調整における調整指標はＥＵＶエネルギである点で相違する。

プリパルスレーザ照射位置調整とメインパルスレーザ照射位置調整とでは調整の範囲や調整の刻み幅は異なるものであってよい。つまり、プリパルスレーザ照射位置調整に適用される照射位置水準群とメインパルスレーザ照射位置調整に適用される照射位置水準群とでは異なる水準群が採用されてよい。

プリパルスレーザ照射位置調整にて調整対象として動かすミラーは高反射ミラー３５１Ｂであるのに対し、メインパルスレーザ照射位置調整にて調整対象として動かすミラーは高反射ミラー３４１Ｂである。プリパルスレーザ照射位置調整とメインパルスレーザ照射位置調整とのそれぞれにおいて調整対象のみを独立して動かす。

例えば、プリパルスレーザ光の照射位置の調整中は、メインパルスレーザ光の照射位置は固定とし、メインパルスレーザ光の照射位置の調整中は、プリパルスレーザ光の照射位置は固定とする。

図２２には、レーザ照射位置調整アルゴリズムの例として、実施形態２と同様の方法を示しているが、実施形態１で説明した方法を適用してもよい。また、図２２に示すフローチャートを複数回繰り返しても良く、プリパルスレーザ照射位置調整の処理と、メインパルスレーザ照射位置調整の処理とを適宜の順番で、適宜の組み合わせで実施してもよい。

６．３．１ プリパルスレーザ照射位置調整
プロセッサ５は、プリパルスレーザ照射位置を調整する際に、図２２に示すサブルーチンを適用して、次のように動作する。

ステップＳ７０において、プロセッサ５はメインパルスレーザ光のエネルギを露光時に必要なメインパルスレーザエネルギ値に設定する信号を発振器３１０に送信する。また、プロセッサ５は、戻り光出力の閾値としての第２戻り光閾値を設定する。第２戻り光閾値は、実施形態２と同様に決定してもよい。

ステップＳ７１において、プロセッサ５はプリパルスレーザ光の照射位置の水準を読み込む。

ステップＳ７２において、プロセッサ５は読み込んだ水準の１つにプリパルスレーザ光の照射位置を合わせるようにアクチュエータ付き高反射ミラー３５１を駆動させる。

ステップＳ７３において、プロセッサ５は通過タイミング信号に同期してプリパルスレーザ３００とメインパルスレーザシステム３０２とにそれぞれトリガ信号を送信することで、ＥＵＶ光２５２を生成させる。

ステップＳ７４において、プロセッサ５は調整指標の計測値と、戻り光センサ３３２の計測値（戻り光出力）とを取得して、それぞれの計測値を水準位置に関連付けてマッピングする。プリパルスレーザ照射位置調整における「調整指標」はミストサイズであり、プロセッサ５は、ミストサイズの計測結果をマッピングする際に、各照射位置における戻り光出力を記録すると同時に、戻り光出力と第２戻り光閾値とを比較する。なお、ここでの「戻り光出力」は複数バーストの平均値でもよい。

ステップＳ７５において、プロセッサ５は戻り光出力が第２戻り光閾値未満であるか否かを判定する。ステップＳ７５の判定結果がＹＥＳ判定である場合、すなわち、戻り光出力が第２戻り光閾値未満である場合、プロセッサ５はステップＳ７７に進む。

その一方で、ステップＳ７５の判定結果がＮＯ判定である場合、すなわち、戻り光出力が第２戻り光閾値以上に大きくなった場合、プロセッサ５はステップＳ７６に進む。

ステップＳ７６において、プロセッサ５は現在の照射位置水準と同じ走査ラインにおける走査方向と同方向の先にある未照射の水準に対する走査を打ち切る。つまり、戻り光出力＞第２戻り光閾値の場合、原点に対してその水準より先の（原点から遠い）照射位置についてはマッピングを実施せず、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を出力しないことにする。

ステップＳ７６の後、プロセッサ５はステップＳ７７に進む。

ステップＳ７７において、プロセッサ５は読み込んだ照射位置水準群に含まれる全ての照射位置水準が終了したか否かを判定する。ステップＳ７７の判定結果がＮＯ判定である場合、すなわち、全ての照射位置水準を終了していない場合、プロセッサ５はステップＳ７２に戻り、照射位置を変更してステップＳ７２～Ｓ７７を繰り返す。

こうして、結果として、戻り光出力が第２戻り光閾値を大幅に超えない照射位置範囲のみでのミストサイズ分布図が得られる。この時のメインパルスレーザ光のエネルギは、露光時相当のものとなる。

ステップＳ７７の判定結果がＹＥＳ判定である場合、すなわち、全ての照射位置水準を終了した場合、プロセッサ５はステップＳ７８に進む。ステップＳ７８において、プロセッサ５は得られたミストサイズ分布図の中から、大きいミストサイズを実現できるプリパルス照射位置（最適位置）を選択してプリパルスレーザ照射位置とする。このとき、カーブフィッティング等により大きいミストサイズを実現できる照射位置を照射水準間隔によらず特定してもよい。例えば、ミストサイズが最大となる照射位置をプリパルス照射位置として決定してもよい。照射位置水準の間隔が５μｍ程度で細かい場合は、より大きいミストサイズとなった照射位置水準をプリパルス照射位置として設定してもよい。

さらに、ミストサイズ分布図において、十分なミストサイズを得られる照射位置が複数ある場合は、それらの中で戻り光出力が最も低い照射位置をプリパルスレーザ照射位置として設定してもよい。プリパルス照射位置として設定される照射位置（最適位置）は本開示における「第１目標照射位置」の一例である。

６．３．２ メインパルスレーザ照射位置調整
プロセッサ５は、メインパルスレーザ照射位置を調整する際に、図２２に示すサブルーチンを適用して、ステップＳ７０～Ｓ７８と同様の工程を実施する。

プリパルスレーザ照射位置調整と異なる点は、メインパルスレーザ照射位置調整の場合、ステップＳ７２において駆動させるミラーがアクチュエータ付き高反射ミラー３４１となり、そのためステップＳ７１の水準の読み込みもメインパルスレーザ光の照射位置水準となる。また、ステップＳ７４における調整指標はＥＵＶエネルギとなる。

つまり、プリパルスレーザ照射位置調整におけるミストサイズマッピングの代わりに、実施形態２の場合と同様に、メインパルスレーザ光についてＥＵＶエネルギマッピングを実施して、メインパルスレーザ照射位置を決定する。このメインパルスレーザ光によるＥＵＶエネルギマッピングの過程では、アクチュエータ付き高反射ミラー３４１を駆動してメインパルスレーザ光のみ照射位置をスキャンする。プリパルスレーザ光の光路上に配置されたアクチュエータ付き高反射ミラー３５１は駆動させず、プリパルスレーザ光の照射位置は、プリパルスレーザ照射位置調整の工程で得た最適位置（プリパルスレーザ照射位置）に保持される。

メインパルスレーザ照射位置調整の処理によって、メインパルス照射位置として設定される照射位置（最適位置）は本開示における「第２目標照射位置」の一例である。

以上のように、１つのターゲット２７に複数のレーザ光を照射する場合、各レーザ光の照射位置を順次調整するようにする。このとき、各レーザ光の照射位置を個別に調整するアクチュエータを備えるのが望ましい。しかし、照射位置又は照射タイミングが近い複数のレーザ光の調整は１つのアクチュエータで兼用してもよい。

６．４ 作用・効果
実施形態３によれば１つのターゲット２７に複数のレーザ光を照射するＥＵＶ光生成システム１１３において、照射位置調整中に戻り光による素子損傷のリスクを低減できる。

７．ＥＵＶ光生成システムを用いた電子デバイスの製造方法の例
図２３は、ＥＵＶ光生成システム１１０と接続された露光装置６の構成を概略的に示す。図２３において、露光装置６は、マスク照射部６０２とワークピース照射部６０４とを含む。マスク照射部６０２は、ＥＵＶ光生成システム１１０から入射したＥＵＶ光２５２によって、反射光学系６０３を介してマスクテーブルＭＴ上に配置された図示しないマスクのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０４は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系６０５を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにマスクパターンを転写後、複数の工程を経ることで半導体デバイスを製造できる。半導体デバイスは本開示における「電子デバイス」の一例である。ＥＵＶ光生成システム１１０に限らず、ＥＵＶ光生成システム１１３などを用いてもよい。

８．その他
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。

本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内の所定領域にターゲットを供給するターゲット供給器と、
   前記ターゲットに照射されるレーザ光を出力するレーザ装置と、
   前記レーザ光を前記所定領域へと導くレーザ光路を形成する光学系と、
   前記所定領域に向かって進む前記レーザ光の光路軸に直交し前記所定領域と交差する平面内で前記ターゲットに対する前記レーザ光の照射位置を調整する照射位置調整機構と、
   前記ターゲットに前記レーザ光が照射されることによって生成される極端紫外光のエネルギを計測する極端紫外光センサと、
   前記ターゲットによる前記レーザ光の反射光のうち前記レーザ光路を逆行する戻り光のエネルギを計測する戻り光センサと、
   前記照射位置調整機構を制御するプロセッサと、を備え、
   前記プロセッサは、
   前記平面内で前記照射位置を移動させ、複数の前記照射位置のそれぞれに前記レーザ光を照射することにより、前記極端紫外光センサで計測される極端紫外光エネルギと前記戻り光センサで計測される戻り光エネルギとのそれぞれの計測結果を前記照射位置と対応付けて記憶し、
   前記戻り光エネルギと閾値との比較に基づき前記照射位置の移動領域を制限し、
   前記戻り光エネルギが前記閾値を超えない領域内で、前記記憶された前記照射位置と前記極端紫外光エネルギとの対応関係から目標照射位置を決定し、
   前記目標照射位置に応じて前記照射位置調整機構を制御する、
   極端紫外光生成システム。
2. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記プロセッサは、
   前記記憶された前記戻り光エネルギと前記照射位置との対応関係から前記戻り光エネルギが前記閾値を超えない領域を特定し、
   前記戻り光エネルギが前記閾値を超える領域への前記照射位置の移動を制限する、
   極端紫外光生成システム。
3. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記プロセッサは、
   前記レーザ装置から出力される前記レーザ光のエネルギを第１レーザエネルギに設定し、前記第１レーザエネルギに設定された前記レーザ光の照射によって前記極端紫外光エネルギと前記戻り光エネルギとのそれぞれの計測結果を前記照射位置と対応付けて記憶する第１計測処理と、
   前記第１計測処理にて記憶された前記戻り光エネルギと前記照射位置との対応関係を示す第１分布データに基づき、前記戻り光エネルギが前記閾値としての第１閾値を超えない領域を第１領域として特定する処理と、
   前記レーザ装置から出力される前記レーザ光のエネルギを前記第１レーザエネルギよりも高エネルギの第２レーザエネルギに設定し、前記第１領域の範囲内で前記レーザ光の照射位置を移動させ、前記第１領域内の複数の前記照射位置のそれぞれに前記第２レーザエネルギに設定された前記レーザ光の照射によって前記極端紫外光エネルギと前記戻り光エネルギとのそれぞれの計測結果を前記照射位置と対応付けて記憶する第２計測処理と、
   前記第２計測処理にて記憶された前記極端紫外光エネルギと前記照射位置との対応関係を示す第２分布データに基づき前記目標照射位置を決定する処理とを行う、
   極端紫外光生成システム。
4. 請求項３に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記第１レーザエネルギは、前記第２レーザエネルギの２５％～３０％である、
   極端紫外光生成システム。
5. 請求項３に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記第２レーザエネルギは、露光装置での露光に用いる前記極端紫外光を生成する際に設定される前記レーザ光のエネルギと同等である、
   極端紫外光生成システム。
6. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記プロセッサは、前記平面内で互いに直交する第１軸及び第２軸のそれぞれの軸方向について複数の前記照射位置を定める照射位置水準を設定し、
   前記照射位置水準に従って前記照射位置を移動させるように、前記照射位置調整機構を制御する、
   極端紫外光生成システム。
7. 請求項６に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記プロセッサは、前記照射位置水準に従って前記第１軸に沿った第１方向に前記照射位置を移動させた後、前記第２軸に沿った第２方向に前記照射位置を移動させるように、前記照射位置調整機構を制御する、
   極端紫外光生成システム。
8. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記レーザ装置は、発振器と、増幅器と、を含み、
   前記戻り光センサは、前記増幅器を通過した前記戻り光を受光する、
   極端紫外光生成システム。
9. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記照射位置調整機構は、前記レーザ光路上に配置されたアクチュエータ付きミラーを含む、
   極端紫外光生成システム。
10. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記極端紫外光エネルギが最大となる照射位置を前記目標照射位置に決定する、
    極端紫外光生成システム。
11. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記戻り光エネルギが前記閾値を超えた場合に、前記閾値を超えた前記戻り光エネルギが計測された前記照射位置よりも前記平面内の原点に対して遠い照射位置への移動を制限するように、前記照射位置調整機構を制御する、
    極端紫外光生成システム。
12. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、
    前記レーザ装置から出力される前記レーザ光のエネルギを、露光装置での露光に使用する前記極端紫外光を生成する際に設定される前記レーザ光のエネルギと同等の第２レーザエネルギに設定し、
    前記第２レーザエネルギによる前記レーザ光の照射によって前記極端紫外光エネルギと前記戻り光エネルギとのそれぞれの計測結果を前記照射位置と対応付けて記憶し、
    前記戻り光エネルギの計測結果と前記閾値としての第２閾値との比較に基づいて前記移動領域を制限する、
    極端紫外光生成システム。
13. 請求項１２に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記第２閾値は、前記第２レーザエネルギの前記レーザ光を照射した際の前記戻り光エネルギについて定められた閾値である、
    極端紫外光生成システム。
14. 請求項１２に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記平面内に定められた原点を中心にして前記平面内において互いに直交する第１軸及び第２軸のそれぞれの軸方向について複数の前記照射位置を定める照射位置水準を設定し、
    前記照射位置水準に従って前記原点から次第に遠ざかるように前記照射位置を走査するように、前記照射位置調整機構を制御する、
    極端紫外光生成システム。
15. 請求項１４に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記平面内における前記照射位置水準の２次元配列に従う走査方向に前記照射位置を順次に移動させる走査を行い、
    前記走査の際にそれぞれの前記照射位置で前記戻り光エネルギと前記第２閾値とを比較し、
    前記第２閾値を超えた前記戻り光エネルギが計測された前記照射位置よりも前記原点に対して遠い、同一の走査方向の先の照射位置水準に対する前記レーザ光の照射を禁止する、
    極端紫外光生成システム。
16. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記レーザ装置は、
    プリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、
    メインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、を含み、
    前記照射位置調整機構は、
    前記プリパルスレーザ光の照射位置を調整するプリパルスレーザ照射位置調整機構と、
    前記メインパルスレーザ光の照射位置を調整するメインパルスレーザ照射位置調整機構と、を含み、
    前記光学系は、前記プリパルスレーザ光の光路と前記メインパルスレーザ光の光路との交点に配置されるビームコンバイナを含む、
    極端紫外光生成システム。
17. 請求項１６に記載の極端紫外光生成システムであって、さらに、
    前記ターゲットに前記プリパルスレーザ光が照射されることによって生成されるミストターゲットを撮像するミストサイズセンサを含み、
    前記プロセッサは、前記ミストサイズセンサを用いて計測されるミストターゲットサイズを前記照射位置と対応付けて記憶する、
    極端紫外光生成システム。
18. 請求項１６に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、
    前記プリパルスレーザ照射位置調整機構を制御して前記プリパルスレーザ光の照射位置を第１目標照射位置に調整するプリパルスレーザ照射位置調整の処理と、
    前記メインパルスレーザ照射位置調整機構を制御して前記メインパルスレーザ光の照射位置を第２目標照射位置に調整するメインパルスレーザ照射位置調整の処理と、を行う、
    極端紫外光生成システム。
19. 請求項１６に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、
    前記プリパルスレーザ照射位置調整機構を制御して前記プリパルスレーザ光の照射位置を最適位置に調整した後に、
    前記メインパルスレーザ照射位置調整機構を制御して前記メインパルスレーザ光の照射位置を調整する、
    極端紫外光生成システム。
20. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバ内の所定領域にターゲットを供給するターゲット供給器と、
    前記ターゲットに照射されるレーザ光を出力するレーザ装置と、
    前記レーザ光を前記所定領域へと導くレーザ光路を形成する光学系と、
    前記所定領域に向かって進む前記レーザ光の光路軸に直交し前記所定領域と交差する平面内で前記ターゲットに対する前記レーザ光の照射位置を調整する照射位置調整機構と、
    前記ターゲットに前記レーザ光が照射されることによって生成される極端紫外光のエネルギを計測する極端紫外光センサと、
    前記ターゲットによる前記レーザ光の反射光のうち前記レーザ光路を逆行する戻り光のエネルギを計測する戻り光センサと、
    前記照射位置調整機構を制御するプロセッサと、を備え、
    前記プロセッサは、
    前記平面内で前記照射位置を移動させ、複数の前記照射位置のそれぞれに前記レーザ光を照射することにより、前記極端紫外光センサで計測される極端紫外光エネルギと前記戻り光センサで計測される戻り光エネルギとのそれぞれの計測結果を前記照射位置と対応付けて記憶し、
    前記戻り光エネルギと閾値との比較に基づき前記照射位置の移動領域を制限し、
    前記戻り光エネルギが前記閾値を超えない領域内で、前記記憶された前記照射位置と前記極端紫外光エネルギとの対応関係から目標照射位置を決定し、
    前記目標照射位置に応じて前記照射位置調整機構を制御する、極端紫外光生成システムを用いて前記極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光すること
    を含む電子デバイスの製造方法。

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