JP6649958B2 - 極端紫外光生成システム - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外光生成システムに関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２０００−３１１８４５号公報 特表２０１４−５３１７４３号公報 特開２０１１−２１０７０４号公報

概要

本開示の一態様による極端紫外光生成システムは、パルスレーザ光の照射を受けてプラズマ化したターゲットから発せられる極端紫外光を繰り返し出力する極端紫外光生成システムであって、チャンバと、チャンバ内に設定されたプラズマ生成領域へターゲットを順次供給するターゲット供給部と、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を集光させるレーザ光集光システムと、レーザ光集光システムに接続されてパルスレーザ光の集光位置を調整するアクチュエータと、バーストパターンに基づいて極端紫外光を出力するよう極端紫外光生成システムを制御する極端紫外光生成コントローラと、バーストパターンに基づいた極端紫外光の出力中に生じる、プラズマ生成領域に供給されたターゲットに対するパルスレーザ光の集光位置のずれを補償するように前記アクチュエータをフィードフォワード制御するアクチュエータコントローラとを備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＬＰ式の極端紫外光生成システムの概略構成を示す図である。 図２は、バースト動作を構成する各期間を示す図である。 図３は、比較例に係る極端紫外光生成システムの概略構成を示す一部断面図である。 図４は、比較例に係る極端紫外光生成システムにおけるパルスレーザ光を集光させる構成の一部を拡大して示す図である。 Ａ、Ｂは、比較例に係るバースト動作中に生じるパルスレーザ光の集光位置のずれとＥＵＶ光のエネルギとの関係を示す図である。 図６は、実施形態１に係る極端紫外光生成システムの概略構成を示す一部断面図である。 図７は、実施形態１に係る極端紫外光生成システムにおけるパルスレーザ光を集光する構成の一部を拡大して示す図である。 Ａ〜Ｅは、実施形態１に関しバースト動作中のＥＵＶ光のエネルギとレーザ集光位置のＹ方向のずれ量と各アクチュエータの制御量との関係を示す図である。 図９は、実施形態２、３に係る極端紫外光生成システムの概略構成を示す一部断面図である。 Ａ〜Ｅは、実施形態２に関しバースト動作中のＥＵＶ光のエネルギとレーザ集光位置のＹ方向のずれ量と各アクチュエータの制御量との関係を示す図である。 図１１は、プラズマの重心を求める計算例を示す図である。 Ａ〜Ｅは、実施形態２の変形例１に関しバースト期間中にＥＵＶ光のエネルギを検出できなくなる場合の制御パターンの作成について示す図である。 実施形態２の変形例２に関し集光位置検出部として撮像装置を採用した場合について示す図である。 Ａ〜Ｅは、実施形態３に関しバースト動作中のＥＵＶ光のエネルギとレーザ集光位置のＹ方向のずれ量と各アクチュエータの制御量との関係を示す図である。

実施形態

＜目次＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．用語の説明
３．比較例
３．１ 比較例の構成
３．２ 比較例の動作
３．３ 比較例の課題
４．実施形態１
４．１ 実施形態１の構成
４．２ 実施形態１の動作
４．３ 実施形態１の作用・効果
４．４ 実施形態１の補足の動作例
５．実施形態２
５．１ 実施形態２の構成
５．２ 実施形態２の動作
５．３ 実施形態２の作用、効果
５．４ プラズマ位置（プラズマの重心）の計算例
６．実施形態２の変形例１
６．１ 実施形態２の変形例１における制御パターンの作成例
６．２ 実施形態２の変形例１の動作
６．３ 実施形態２の変形例１の作用、効果
７．実施形態２の変形例２
７．１ 実施形態２の変形例２における集光位置検出部の構成
７．２ 実施形態２の変形例２の動作
８．実施形態３
８．１ 実施形態３の構成
８．２ 実施形態３の動作
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。

以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

以下の説明においては、「極端紫外光」を省略して「ＥＵＶ光」とも言う。

１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。図１に示すＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウィンドウ２１が設けられてもよく、ウィンドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成コントローラ５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向コントローラ３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収器２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向コントローラ３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

１．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向コントローラ３４を経て、パルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからプラズマ放射光２５１が放射され得る。プラズマ放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成コントローラ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成コントローラ５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成コントローラ５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

２．用語の説明
図２は、バースト動作を構成する各期間を示す図であり、縦軸はＥＵＶ光のエネルギの大きさ、横軸は経過時間を示している。なお、「ＥＵＶ光のエネルギ」は、省略して、「ＥＵＶエネルギ」ともいう。

本開示において使用される用語は以下のように定義される。

バースト動作：ＥＵＶ光生成システムは、バースト動作によってＥＵＶ光を出力することがある。図２に示すように、バースト動作は、ある期間一定繰返し周波数でＥＵＶ光を出力するバースト期間と、所定の期間ＥＵＶ光を出力しない休止期間とを繰り返す動作である。バースト期間中は、パルスレーザ光が出力される。休止期間中はパルスレーザ光の出力が停止されるか、またはプラズマ生成領域へのパルスレーザ光の伝搬が抑制される。バーストパターン：バーストパターンは、以下のうち、いずれか、または複数を含んだデータによって定義される。バースト期間中の目標となるＥＵＶ光のエネルギ、バースト期間中のＥＵＶ光の出力の繰り返し周波数、バースト期間中のＥＵＶ光の出力パルス数またはバースト期間の長さ、バースト期間の数、バースト休止期間の長さ。なお、バーストパターンは露光装置によって指示される。

プラズマ生成領域：ＥＵＶ光を出力するためのプラズマの生成が開始される領域を意味する。プラズマ生成領域においてプラズマの生成が開始されるためには、プラズマ生成領域にターゲットが供給され、かつ、ターゲットがプラズマ生成領域に到達するタイミングでプラズマ生成領域にパルスレーザ光が集光される必要がある。以下の説明においては、プラズマ生成領域にパルスレーザ光が照射されるタイミングでターゲットがプラズマ生成領域に供給されているものとする。

３．比較例
３．１ 比較例の構成
図３に比較例のＥＵＶ光生成システムを示す。この比較例についても、実施形態と同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

ＥＵＶ光生成システム１１ｈは、ＥＵＶ光を内部で生成するチャンバ２を備えてもよい。

チャンバ２の内部には、レーザ光集光ユニット２２ｈと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収器２８とが備えられてもよい。

また、チャンバ２は、ターゲット２７を導入するためのターゲット供給部２６を備えてもよい。ターゲット供給部２６はチャンバ２を貫通するように備えられてもよい。

ターゲット供給部２６の内部には、溶融されたターゲット物質が貯蔵されてもよい。加圧ガス源６１から供給されたガスは、圧力調節器６２を通して圧力が調節され、ターゲット供給部２６に提供されてもよい。加圧ガス源６１から供給されたアルゴンガスの圧力によりターゲット供給部２６からターゲット２７が放出されるように構成してもよい。

さらに、チャンバ２は、ターゲット供給部２６から順次供給されるターゲット２７が所定位置を通過するタイミングを検出するターゲットセンサ４を備えてもよい。ターゲットセンサ４は、照明部４０と受光部４５とを備えてもよい。

照明部４０は、ＣＷレーザ光源４１と照明光学系４２を含んでもよい。この照明部４０は、ターゲット軌道上の所定位置Ｒに照明光Ｓｋを出力するように構成・配置されてもよい。

なお、ターゲット軌道は、ターゲット供給部２６から出力されるターゲット２７の理想的な進行経路、あるいは、ターゲット供給部２６の設計に従ったターゲット２７の進行経路であってもよい。このターゲット軌道の延長線上にターゲット回収器２８を備えてもよい。

受光部４５は、受光光学系４６と光センサ４７を含んでもよく、照明部４０から出力されてターゲット軌道上の所定位置Ｒを通過した照明光Ｓｋを受光するように構成・配置されてもよい。

ＣＷレーザ光源４１から出力されて照明光学系４２およびチャンバ２の壁面に設けられたウィンドウ２１ａを透過した照明光Ｓｋは、ターゲット軌道上の所定位置Ｒを通るように伝搬する。所定位置Ｒを通った照明光Ｓｋは、ウィンドウ２１ａに対向するチャンバ２の壁面に設けられたウィンドウ２１ｂ及び受光光学系４６を透過して光センサ４７に到達し受光されてもよい。

チャンバ２の外部には、ターゲット２７をプラズマ化してＥＵＶ光を生成するためのレーザ装置３を備えてもよい。

また、チャンバ２の外部には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１を伝搬しその進行方向を定めるレーザ光進行方向コントローラ３４ｈを備えてもよい。

また、チャンバ２の内部に備えられた上記レーザ光集光ユニット２２ｈは、レーザ光進行方向コントローラ３４ｈから出力されたパルスレーザ光３２を集光してもよい。

レーザ光集光システム７０ｈは、チャンバ２の外部に配されたレーザ光進行方向コントローラ３４ｈと、チャンバ２の内部に配されたレーザ光集光ユニット２２ｈとを備えてもよい。

レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向コントローラ３４ｈに入射して、チャンバ２の壁面に配されたウィンドウ２１を透過しレーザ光集光ユニット２２ｈを介することでプラズマ生成領域２５へ向けて集光されてもよい。

なお、ターゲットセンサ４の受光部４５、レーザ装置３、ターゲット供給部２６、圧力調節器６２等に接続されるＥＵＶ光生成コントローラ５ｈを備えてもよい。

３．２ 比較例の動作
ＥＵＶ光生成コントローラ５ｈの指令によりターゲット供給部２６はプラズマ生成領域２５に向けてターゲット２７を出力してもよい。ここで、ターゲット２７は、液滴であってもよい。なお、この液滴状のターゲットをドロップレットともいう。ターゲット２７が所定位置Ｒを通過して照明光Ｓｋの一部を遮ることにより、受光部４５による照明光Ｓｋの受光光量が低下するように構成してもよい。

ＥＵＶ光生成コントローラ５ｈは、受光部４５による照明光Ｓｋの受光光量が閾値以下となったタイミングに対して所定の遅延時間を付加したレーザ発振トリガ信号Ｔｒを出力してよい。

この遅延時間は、ターゲット２７の速度と、所定位置Ｒからプラズマ生成領域２５までの距離と、レーザ装置３へのレーザ発振トリガ信号Ｔｒの入力から、それにより出力されたパルスレーザ光３１がプラズマ生成領域２５に到達するまでの時間とに基づいて定めてもよい。

レーザ発振トリガ信号Ｔｒが入力されたレーザ装置３はパルスレーザ光３１を出力してもよい。

パルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向コントローラ３４ｈ、レーザ光集光ユニット２２ｈを介して、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７に集光照射されてもよい。

パルスレーザ光３３の照射を受けたターゲット２７はプラズマ化してＥＵＶ光を放射し得る。

３．３ 比較例の課題
図４は、レーザ光集光ユニットの構成を拡大して示す図である。

レーザ光集光システム７０ｈを構成するレーザ光進行方向コントローラ３４ｈ、およびレーザ光集光ユニット２２ｈの備える光学素子は、パルスレーザ光３２の照射によって生じた熱で変形したり変位したりし得る。

例えば、レーザ光集光ユニット２２ｈが、図４に示すように構成される場合があってもよい。すなわち、レーザ光集光ユニット２２ｈは、パルスレーザ光３２を集光する凹面ミラー２２２を含んでもよく、この凹面ミラー２２２は軸外放物面ミラーでもよい。レーザ光集光ユニット２２ｈはさらに、凹面ミラー２２２に対向する位置に凸面ミラー２２１を含んでもよく、凸面ミラー２２１は楕円ミラーであってもよい。

凸面ミラー２２１と凹面ミラー２２２とに反射されることで、パルスレーザ光３３は高いＮＡでプラズマ生成領域２５に向けて集光されてもよい。レーザ光集光ユニット２２ｈは、凸面ミラー２２１と凹面ミラー２２２とが配置されたプレート２２３を含んでもよい。プレート２２３は、チャンバ２に保持されてもよい。

また、レーザ光進行方向コントローラ３４ｈは、第１反射ミラー３４１、中間の反射ミラー３４２、第２反射ミラー３４３を含んでもよい。

レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、第１、中間、第２反射ミラー３４１、３４２、３４３、凸面ミラー２２１、凹面ミラー２２２をこの順に通ってもよい。

プラズマ生成領域２５に連続して供給されるターゲット２７の各々にパルスレーザ光３３を次々と照射することでプラズマが連続して生成されてよい。連続して生成されるプラズマからは、ＥＵＶ光２５２を含むプラズマ放射光２５１が連続して放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４を通過したプラズマ放射光２５１は、凹面ミラー２２２を連続して加熱することがあり得る。

この凹面ミラー２２２は、パルスレーザ光３２の波長に対して高い反射率を持つよう構成されてよい。凹面ミラー２２２は、プラズマ放射光２５１に含まれる、パルスレーザ光３２の波長以外の光に対しては低い反射率を持つ場合があり、これらの光を吸収して加熱され得る。

加熱された凹面ミラー２２２は熱変形するため、その反射面を通って集光されたパルスレーザ光３３の集光位置がプラズマ生成領域２５からずれてしまうことがあり得る。例えば、プラズマ生成領域２５に供給されるターゲット２７に対して、パルスレーザ光３３の集光位置が、次第に離れて行くことがあり得る。そのため、パルスレーザ光３３の照射を受けたターゲット２７のプラズマ化により放射されるＥＵＶ光２５２のエネルギが低下することがあり得る。この現象は、バースト動作の継続中に顕著に現われ得る。

図５のＡ、Ｂは、プラズマ生成領域に供給されたターゲットに対するパルスレーザ光の集光位置のずれと、そのずれを伴って放射されたＥＵＶエネルギとの関係を示す図である。図５のＡにおける縦軸はＥＵＶエネルギ、横軸は時間経過を示す。また、図５のＢにおける縦軸はプラズマ生成領域に供給されたターゲットとパルスレーザ光の集光位置とのずれ量、横軸は時間を示す。

図５のＡ、Ｂに示すように、第１回目のバースト期間の先頭のＥＵＶ光の出力時には、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７に対してパルスレーザ光３３が適正に照射されるので所定のＥＵＶエネルギが出力され得る。しかしながら、時間の経過とともに、供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３３の集光位置のずれが大きくなり、それに応じてＥＵＶエネルギが低下し得る。特にバースト期間の後半にはＥＵＶエネルギが大きく低下し得る。

休止期間を間に挟んで実施される第２回目のバースト期間の先頭のＥＵＶ光のエネルギは、第１回目のバースト期間の先頭のＥＵＶ光のエネルギよりも小さくなり得る。

休止期間中には、加熱された凹面ミラー２２２等の温度が低下するので、次のバースト期間が始まるまでに、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲットとパルスレーザ光の集光位置とのずれが元の状態に近づき得る。

しかしながら、休止期間中に、上記のずれが完全には元の状態に戻らない場合、次のバースト期間の先頭のＥＵＶエネルギは、前のバースト期間の先頭のＥＵＶエネルギよりも低下し得る。

集光位置のずれは、予め定められたプラズマ生成領域に供給されたターゲットの位置に対するパルスレーザ光の集光位置のずれとしてもよい。また、この集光位置のずれは、予め定められたプラズマ生成領域の位置に対するパルスレーザ光の集光位置のずれとしてもよい。さらに、この集光位置のずれは、予め定められたプラズマ生成領域の位置に対する、パルスレーザ光の照射を受けたターゲットのプラズマ化により放射されるＥＵＶ光の生成位置のずれとしてもよい。なお、ターゲットの位置は、ターゲットの重心位置としてもよい。また、プラズマ生成領域の位置はプラズマ生成領域の中心位置としてもよい。

なお、レーザ光集光ユニット２２ｈを構成する光学素子のみならず、その光学素子の保持部は、光学素子の場合と同様にプラズマ放射光２５１やパルスレーザ光３２の散乱光等により熱せられて、変形したり変位したりし得る。

レーザ光進行方向コントローラ３４ｈについても、レーザ光集光ユニット２２ｈの場合と同様に、光学素子やその保持部が熱せられて変形したり変位したりし得る。なお、上記変位は、位置や傾き等の姿勢の変化であってもよい。

以上説明したように、レーザ光集光システム７０ｈを構成する光学素子やその保持部が熱せられて変形したり変位したりするため、パルスレーザ光３１を伝搬させる光路が適正な光路から外れ得る。

そのような原因により、パルスレーザ光の照射を受けたターゲットから発生するＥＵＶエネルギが低下するという課題があり得る。

４．実施形態１
４．１ 実施形態１の構成
図６は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成システムの概略構成を示す一部断面図である。図７は、実施形態１に係るレーザ光集光ユニットの構成を拡大して示す図である。

実施形態１のＥＵＶ光生成システム１１ａは、比較例のＥＵＶ光生成システム１１ｈにおけるＥＵＶ光生成コントローラ５ｈ、レーザ光集光システム７０ｈの構成を変更したものでよい。その他のＥＵＶ光生成システム１１ａの構成については、比較例のＥＵＶ光生成システム１１ｈの構成と同様としてもよい。

このＥＵＶ光生成システム１１ａは、パルスレーザ光の照射を受けてプラズマ化したターゲットから発せられるＥＵＶ光を繰り返し出力させるＥＵＶ光生成システムとしてもよい。

ＥＵＶ光生成システム１１ａは、チャンバ２と、チャンバ２内に設定されたプラズマ生成領域２５へターゲット２７を順次供給するターゲット供給部２６と、パルスレーザ光３１を出力するレーザ装置３とを備えてもよい。

また、ＥＵＶ光生成システム１１ａは、出力されたパルスレーザ光３１を集光させるレーザ光集光システム７０ａと、レーザ光集光システム７０ａに接続されてパルスレーザ光３３の集光位置を調整する各アクチュエータ３４５、３４６、２２５とを備えてもよい。なお、第１アクチュエータ３４５、第２アクチュエータ３４６、アクチュエータ２２５をまとめて各アクチュエータ３４５、３４６、２２５ともいう。また、第１アクチュエータ３４５と、第２アクチュエータ３４６とをミラーアクチュエータともいう。また、アクチュエータ２２５をユニットアクチュエータともいう。

さらに、ＥＵＶ光生成システム１１ａは、このＥＵＶ光生成システム１１ａをバーストパターンに基づいて制御するＥＵＶ光生成コントローラ５ａを備えてもよい。また、ＥＵＶ光生成システム１１ａは、バースト動作中に生じる、プラズマ生成領域２５に対するパルスレーザ光３３の集光位置のずれを補償するように各アクチュエータをフィードフォワード制御するアクチュエータコントローラ６５を備えてもよい。

前記集光位置のずれは、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲットに対するパルスレーザ光３３の集光位置のずれとしてもよい。

また、アクチュエータコントローラ６５は、予め、ずれを補償するための制御パターンを上記バーストパターンに対応付けて記憶部６６に記憶してもよい。この記憶部６６はアクチュエータコントローラ６５が備えるものとしてもよい。さらに、アクチュエータコントローラ６５は、バーストパターンに基づいてＥＵＶ光生成システム１１ａが制御される際に、バーストパターンに対応付けられた上記制御パターンを用いてずれを補償するように上記各アクチュエータをフィードフォワード制御してもよい。

レーザ光集光システム７０ａは、パルスレーザ光３２の進行方向を規定するための反射ミラーを含むレーザ光進行方向コントローラ３４ａを備えてもよい。また、レーザ光集光システム７０ａは、パルスレーザ光３２を集光させるための反射ミラーを含むレーザ光集光ユニット２２ａを備えてもよい。レーザ光進行方向コントローラ３４ａは、レーザ光集光ユニット２２ａの上流側に配置されてもよい。アクチュエータ２２５は、レーザ光集光ユニット２２ａに接続されてレーザ光の集光位置を調整してよい。第１、第２アクチュエータ３４５、３４６は、レーザ光進行方向コントローラ３４ａに接続されて、パルスレーザ光の集光位置を調整してよい。ミラーアクチュエータである第１、第２アクチュエータ３４５、３４６の応答速度は、ユニットアクチュエータであるアクチュエータ２２５の応答速度よりも高速でよい。

アクチュエータ２２５は、レーザ光集光ユニット２２ａのプレート２２３を移動可能に保持してもよい。アクチュエータ２２５を駆動することで、レーザ光集光ユニット２２ａの凸面ミラー２２１と凹面ミラー２２２とは、例えば図７におけるＸ、Ｙ、Ｚ軸それぞれに平行に移動するよう構成されてもよい。アクチュエータ２２５はチャンバに保持されてもよい。

第１、第２アクチュエータ３４５、３４６は、それぞれレーザ光進行方向コントローラ３４ａの第１、第２反射ミラー３４１，３４３に接続されてもよい。第１、第２アクチュエータ３４５、３４６を駆動することで、第１、第２反射ミラー３４１，３４３の反射面の位置および／または傾きを調整するよう構成されてもよい。第１、第２反射ミラー３４１，３４３は、いずれも平面反射ミラーとしてもよい。

また、レーザ光進行方向コントローラ３４ａは、第１、第２反射ミラー３４１，３４３を通る光路中に、光路の向きを変えるための中間反射ミラー３４２を含んでもよい。

第１、第２アクチュエータ３４５、３４６は、第１、第２反射ミラー３４１，３４３それぞれの傾きを個別に調整して、パルスレーザ光３３の集光位置を、互いに異なる方向へ独立して移動させるものとしてもよい。

すなわち、第１、第２アクチュエータ３４５、３４６は、プラズマ生成領域２５内を通るターゲット２７の軌道を含む平面上（図６中のＸ―Ｙ平面）の互いに異なる方向へ、パルスレーザ光３３の集光位置を移動させるものとしてよい。さらに、その異なる向きは、互いに直交するＹ方向とＸ方向としてもよい。なお、図６中に示すＹ方向は、プラズマ生成領域２５内を通るターゲット２７の軌道に対して平行となるように設定してもよい。

アクチュエータ２２５は，レーザ光集光ユニット２２ａのプレート２２３の位置および／または傾きを変更することで、プレート２２３に保持された凸面ミラー２２１と凹面ミラー２２２とによって反射されたパルスレーザ光の集光位置を移動してもよい。

アクチュエータ２２５は、プレート２２３の位置を図７中の矢印Ｙ方向に移動させるとともに、Ｘ-Ｙ平面に対するプレート２２３の傾きを変更可能とするＸ-Ｙ-θステージとしてもよい。なお、Ｘ-Ｙ-θステージを駆動するアクチュエータには、ピエゾ素子、ロータリアクチュエータ、リニアモータ等を用いてもよい。

また、アクチュエータ２２５は、プレート２２３を図６中のＸ-Ｙ平面に対して平行移動させることで、パルスレーザ光３３の集光位置をＸ―Ｙ平面上で移動させてもよい。Ｘ―Ｙ平面は、プラズマ生成領域２５内を通るターゲット２７の軌道を含む平面であってもよい。また、アクチュエータ２２５は、プレート２２３を図７のＹ方向に平行移動することで、パルスレーザ光３３の集光位置をＹ方向に移動させてもよい。Ｙ方向は、プラズマ生成領域２５内を通るターゲット２７の軌道と平行なＹ方向であってもよい。

レーザ光進行方向コントローラ３４ａに接続された第１、第２アクチュエータ３４５、３４６、および、レーザ光集光ユニット２２ａに接続されたアクチュエータ２２５それぞれは、アクチュエータコントローラ６５に接続されてもよい。

なお、記憶部６６には、外部から入力される制御パターンが記憶されてもよい。また、この制御パターンは特定のバーストパターンに対応付けられたものとしてもよい。

４．２ 実施形態１の動作
露光装置等の外部装置は、ＥＵＶ光生成コントローラ５ａに対してＥＵＶ光を生成する際に用いるバーストパターンを指定してもよい。このバーストパターンは、ＥＵＶ光生成コントローラ５ａに記憶されたバーストパターンから選択されてもよい。あるいは、そのバーストパターンはオペレータがＥＵＶ光生成コントローラ５ａに入力したものでもよい。

アクチュエータコントローラ６５の備える記憶部６６は、パルスレーザ光３３の集光位置のずれを抑制するための制御パターンと、所定のバーストパターンとを対応付けて予め記憶していてもよい。記憶部６６に記憶される制御パターンの制御量は、実験や計算機シミュレーションによって得られたものでもよい。

なお、ＥＵＶ光生成コントローラ５ａが指定されるバーストパターンは１つでもよく、それに対応付けられた制御パターン１つが記憶部６６に記憶されていてもよい。また、ＥＵＶ光生成コントローラ５ａが指定されるバーストパターンは複数でもよく、そのそれぞれに対応付けられた制御パターンが記憶部６６に記憶されていてもよい。

ＥＵＶ光生成コントローラ５ａは、アクチュエータコントローラ６５に対して指定されたバーストパターンを通知してもよい。アクチュエータコントローラ６５は通知されたバーストパターンに対応付けられた制御パターンを記憶部６６から取得してもよい。

ＥＵＶ光生成システム１１ａがバーストパターンに基づく動作を実行する際に、アクチュエータコントローラ６５が、そのバーストパターンに対応付けられた制御パターンの制御量に応じて第１、第２アクチュエータ３４５、３４６、およびアクチュエータ２２５をフィードフォワード制御してもよい。

このフィードフォワード制御によって、バースト期間を開始する前に、第１、第２反射ミラー３４１，３４３の各反射面の位置および／または傾きが制御パターンの制御量に応じた所定の状態に調整されてもよい。同様に、バースト期間開始前に、凸面ミラー２２１と凹面ミラー２２２とが配置されたプレート２２３の位置および／または傾きが制御パターンの制御量に応じた所定の状態に調整されてもよい。

その後、バースト期間に移ると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１が、レーザ光集光システム７０ａを通り、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７を照射してもよい。

この照射によりターゲット２７はプラズマ化してＥＵＶ光が放射されてもよい。

バースト期間中、アクチュエータコントローラ６５は、制御パターンに従って各アクチュエータ３４５、３４６、２２５をフィードフォワード制御してもよい。

アクチュエータコントローラ６５は、少なくともバースト動作に含まれる各バースト期間中の先頭のＥＵＶ光出力時にフィードフォワード制御を実施してもよい。アクチュエータコントローラ６５は、バースト動作に含まれる各バースト期間中の先頭から複数回のＥＵＶ光出力時にフィードフォワード制御を実施してもよい。

アクチュエータコントローラ６５は、バースト動作に含まれる各バースト期間中の先頭の極端紫外光の出力時にのみフィードフォワード制御を実施してもよい。なお、アクチュエータコントローラ６５は、上記のような種々のフィードフォワード制御を実施するために必要な同期信号をＥＵＶ光生成コントローラ５ａから取得してもよい。

４．３ 実施形態１の作用・効果
このような構成、動作により、プラズマ生成領域に対するパルスレーザ光の集光位置の位置ずれが抑制されるので、安定したＥＵＶ光を得ることができる。

４．４ 実施形態１の補足の動作例
フィードフォワード制御の一例として、バースト期間中に、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲットに対するパルスレーザ光の集光位置が、図６，７中に示す矢印Ｙ方向に徐々にずれる場合について図８のＡ〜Ｅを参照して説明する。

図８のＡ〜Ｅは、所定のバーストパターンに応じて実行されるバースト動作中の様子を示す。ここでは、第１反射ミラー３４１のθ１方向の傾き，第２反射ミラー３４３のθ２方向の傾き、およびプレート２２３のＹ方向における位置を３つのパラメータとしてフィードフォワード制御の対象としてもよい。

図８のＡに示すように、バースト動作開始後の各バースト期間において、ＥＵＶエネルギは略一定となる。

また、図８のＢに示すように、プラズマ生成領域に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３３の集光位置のＹ方向のずれ量には多少の変動が認められるが、そのずれ量は小さく抑えられている。

また、図８のＣ〜Ｅに示すように、バースト期間中の第１反射ミラー３４１のθ１の傾き、第２反射ミラー３４３のθ２の傾き、およびプレート２２３のＹ方向の位置は、制御パターンにしたがって変化している。

また、休止期間中には、次に始まるバースト期間の先頭のＥＵＶ光の出力に対応する制御パターンに従って、第１、第２反射ミラー３４１、３４３の傾き、およびプレート２２３の位置が大きく変更されている。

このような第１、第２アクチュエータ３４５、３４６、およびアクチュエータ２２５をフィードフォワード制御するための制御パターンの制御量は、バーストパターンに対応付けられて予め作成されてよい。

なお、制御パターンは、バーストパターンに応じて異なるものが複数作成されてもよく、互いに異なる複数の制御パターンが記憶部６６に記憶されてもよい。また、バーストパターンに応じて１つの制御パターンだけが記憶部６６に記憶されてもよい。また、バーストパターンは露光装置６によって指示されるものとしてもよい。

バーストパターンに対応付けて定められる制御パターンは、以下のようなデータを含むものであってもよい。

１）制御パターンの制御量は、バースト動作開始からのＥＵＶ光の繰り返し出力数に対応付けられた各アクチュエータの制御量としてもよい。なお、ＥＵＶ光の繰り返し出力数は、パルス出力されるＥＵＶ光のパルス数としてもよい。

２）制御パターンの制御量は、バースト動作開始からのバースト期間の数に対応付けられた各アクチュエータの制御量としてもよい。

３）制御パターンは、バースト動作開始からのバースト期間の数と、バースト期間中に繰り返されるＥＵＶ光の出力数に対応付けられた各アクチュエータの制御量としてもよい。

４）制御パターンは、バースト動作開始からの時間経過に対応付けた各アクチュエータの制御量としてもよい。

実施形態１のフィードフォワード制御の説明として、ターゲットに対するパルスレーザ光の集光位置が、バースト期間中に図６，７中に示す矢印Ｙ方向にずれる場合について例示したが、実際にパルスレーザ光の集光位置がずれる方向はＹ方向のみでなくてよい。従って、図６に図示した第１、第２反射ミラー３４１，３４３の制御に対応する回転軸やプレート２２３の制御に対応する直進軸以外の制御軸についても、上記の場合と同様に、バーストパターンに対応付けた制御パターンを作成して、バースト動作時に適用してもよい。理解を容易にするために、以降説明する他の実施形態に於いても、パルスレーザ光の集光位置がＹ方向にずれる場合を例示して説明するが、Ｙ方向に加えてＸ方向やＺ方向にもずれる場合についても、同様に制御パターンを作成して、バースト動作時に適用するとよい。例えば、第１反射ミラー３４１についてはθ１方向の傾き，第２反射ミラー３４３についてはθ２方向と直交する方向の傾き、そしてプレート２２３についてはＸ方向およびＹ方向における位置をパラメータとして制御パターンを作成してもよい。または、第１反射ミラー３４１についてはθ１方向と直交する方向の傾き，第２反射ミラー３４３についてはθ２方向の傾き、そしてプレート２２３についてはＸ方向およびＹ方向及びＺ方向における位置をパラメータとして制御パターンを作成してもよい。

また、表１に示すように、ＥＵＶ光生成コントローラ５ａは、露光装置６から指示されるバーストパターン毎に符号を割り振って表１のような態様で記憶部６６に保持してもよい。

表１に記載のバーストパターンを構成するパラメータは以下に示すようなものでもよい。すなわち、発生させるＥＵＶエネルギの目標値、バースト期間中に繰り返されるＥＵＶ光の出力の繰り返し周波数、バースト休止期間の長さであってもよい。

例えば、表１中の最上部の符号１１１に対応するバーストパターンは、ＥＵＶエネルギ目標値：Ｅ１、バースト期間の繰り返し周波数：１００（ｋＨｚ）、バースト休止期間の長さ：Ｔ１（ｍｓ）である。

また、アクチュエータコントローラ６５は、表２に示すように、バーストパターンの符号に対応する制御パターンの制御量を記憶部６６に記憶してもよい。

各バーストパターンにおいて、バーストパターンに対応付けられた制御量の並びを、制御パターンとして記憶していてもよい。

ここでは、１例として、「バーストＮｏ．」と「バースト先頭からのパルスＮｏ．」とに対応付けて、第１反射ミラー３４１の傾きθ１，第２反射ミラー３４３傾きθ２の制御量を制御パターンとして記憶していてもよい。ここで、「バーストＮｏ．」はバースト動作開始からのバーストの序数、「バースト先頭からのパルスＮｏ．」は各バースト期間におけるバースト先頭からのパルス序数を示す。

表２中のθ１の制御パターンを示す表の最上部には符号１１１のバーストパターンに対応する制御パターンの制御量が示されている。

より詳しくは、この符号１１１に対応する制御パターンの制御量の並びは、バーストＮｏ．「１」、バースト先頭からのパルスＮｏ．「１」におけるθ１の制御量としてデータ「α１１１−１−１」が示されている。また、バーストＮｏ．「１」、バースト先頭からのパルスＮｏ．「２」におけるθ１の制御量としてデータ「α１１１−１−２」が示されている。さらに、バーストＮｏ．「１」、バースト先頭からのパルスＮｏ．「３」におけるθ１の制御量としてデータ「α１１１−１−３」が示されている。

このような「バーストＮｏ．」、「バースト先頭からのパルスＮｏ．」に対応する制御パターンの制御量を順次適用して、第１、第２アクチュエータ３４５、３４６を制御し、第１、第２反射ミラー３４１、３４３それぞれの傾きを調整し得る。これにより、第１、第２反射ミラー３４１、３４３を介した第１、第２アクチュエータ３４５、３４６の制御により、パルスレーザ光の集光位置をフィードフォワード制御し得る。

５．実施形態２
５．１ 実施形態２の構成
図９は、実施形態２のＥＵＶ光生成システムの構成を示す図である。

実施形態２のＥＵＶ光生成システム１１ｂは、実施形態１のＥＵＶ光生成システム１１に対して、集光位置のずれを検出する集光位置検出部５５をさらに備えたものとしてよい。さらに、このＥＵＶ光生成システム１１ｂは、集光位置検出部５５により検出した集光位置のずれから制御パターンが求められるようにしたものであってもよい。
他の構成については実施形態１の場合と同様であってもよい。

ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、集光位置検出部５５が検出した集光位置のずれから制御パターン作成するものとしてもよい。また、集光位置検出部５５は、パルスレーザ光３３の照射を受けたターゲット２７のプラズマ化により放射されるプラズマ放射光２５１を検出するものとしてもよい。集光位置検出部５５は、プラズマ放射光２５１の光エネルギを検出するものとしてもよい。

集光位置検出部５５が検出する光エネルギは、プラズマ放射光２５１に含まれるＥＵＶ光のエネルギでもよい。例えば、集光位置検出部５５は、互いに異なる位置からＥＵＶエネルギの大きさを検出するＥＵＶセンサ５５１、５５２としてもよい。

ここで、パルスレーザ光３３の集光位置は、ターゲット２７へのパルスレーザ光３３照射によるプラズマの生成位置とみなしてもよい。また、プラズマの生成位置は、プラズマ放射光２５１の一部をなすＥＵＶ光の生成位置とみなしてよい。したがって、このＥＵＶ光の生成位置を複数のＥＵＶセンサの検出結果に基づいて算出することにより、パルスレーザ光３３の集光位置を求めるようにしてもよい。そして、パルスレーザ光３３の集光位置と、予め定められたプラズマ生成領域２５の位置との差に基づいて、パルスレーザ光３３の集光位置のずれ量を算出してもよい。

ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、バーストパターンに基づくＥＵＶ光の繰り返し出力時にＥＵＶセンサ５５１、５５２で検出したＥＵＶエネルギに基づいて、パルスレーザ光３３の集光位置のずれ量を求めて、制御パターンを作成してもよい。さらに、このＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、上記バーストパターンに対応付けて作成した制御パターンを、アクチュエータコントローラ６５の記憶部６６に記憶させるようにしてもよい。

５．２ 実施形態２の動作
図１０のＡ〜Ｅは、ＥＵＶセンサ５５１，５５２によるＥＵＶエネルギの検出に基づいて、ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂが、パルスレーザ光３３の集光位置のＹ方向のずれ量を求める様子を示す図である。

１）ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、アクチュエータコントローラ６５による制御を行なうことなく、所定のバーストパターンに従って、バースト期間中にパルスレーザ光３３を繰り返しターゲット２７に照射してＥＵＶ光を所定回数繰り返し出力させてもよい。

図１０のＣ〜Ｅに示すように、バースト動作中の全期間に亘って、第１、第２反射ミラー３４１、３４３の傾き、およびプレート２２３の位置は、固定したままにしてもよい。また、この時、チャンバ２から露光装置６へＥＵＶ光を出力しないように、不図示のシャッタは閉じてもよい。

２）複数のＥＵＶセンサ５５１，５５２それぞれは、バースト期間中に、プラズマ放射光２５１に含まれるＥＵＶ光のエネルギを検出して、その検出値をＥＵＶ光生成コントローラ５ｂに出力してもよい。このとき検出されるＥＵＶエネルギは、図１０のＡに示すように、バースト期間中に徐々に低下するものとなり得る。

３）ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、各ＥＵＶセンサ５５１，５５２によるＥＵＶエネルギの検出値に基づいて、ＥＵＶ光の生成位置を計算し、バースト期間におけるプラズマの生成位置の変化を求めてもよい。この計算方式については後述する。

４）ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、上記ＥＵＶエネルギの検出値から求めたプラズマの生成位置と、予め定められたプラズマ生成領域２５の位置との差に基づいて、パルスレーザ光３３の集光位置のずれ量を算出してもよい。このずれ量は、図１０のＢに示すようにバースト期間中に徐々に増加するものとなり得る。

なお、上述のようにプラズマの生成位置とプラズマ生成領域２５の位置との空間座標上における位置の差を、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３３の集光位置のずれ量としてもよい。

５）ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、このようにして求めた集光位置のずれ量から、この集光位置のずれを抑制するフィードフォワード制御を行なうための制御パターンを求めてもよい。すなわち、第１、第２反射ミラー３４１、３４３の傾き、およびプレート２２３の位置を各アクチュエータ３４５、３４６、２２５で調整して集光位置のずれを抑制するための制御パターンを、ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂが求めてもよい。

６）ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂが求めた制御パターンは、所定のバーストパターンに対応付けられてアクチュエータコントローラ６５の記憶部６６に記憶されてもよい。

７）アクチュエータコントローラ６５は、上記所定のバーストパターンに従うバースト動作時に、上記制御パターンを用いたフィードフォワード制御を行ってよい。このような制御パターンに基づいて行うフィードフォワード制御は、既に、実施形態１において図８のＡ〜Ｅ等を参照して説明した制御と同様のものであってもよい。

８）ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、バースト動作時における集光位置のずれ量が許容範囲以内か否かを調べるために、ＥＵＶエネルギの検出に基づいてずれ量を算出してもよい。集光位置のずれ量が許容範囲以内である場合には、制御パターンを確定してもよい。

一方、制御パターンを用いてフィードフォワード制御を行なったにもかかわらず、ずれ量が許容範囲を超えた場合には、制御パターンを修正し、再度、この修正した制御パターンを用いて上記バーストパターンに応じたＥＵＶ光の出力を実行してもよい。このバースト動作時に出力されたＥＵＶ光を検出して、再度、集光位置のずれ量が許容範囲以内か否かを調べてもよい。この動作を、ずれ量が許容範囲以内となるまで繰り返して制御パターンを確定してもよい。

９）制御パターンが確定したら、ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、この制御パターンを上記所定のバーストパターンに対応付けて、記憶部６６に記憶させ得る。

１０）次のバースト動作時には、アクチュエータコントローラ６５が、そのバーストパターンに対応付けられた制御パターンを記憶部６６から取得してもよい。アクチュエータコントローラ６５はこの制御パターンの示す制御量に応じて第１、第２アクチュエータ３４５、３４６、およびアクチュエータ２２５をフィードフォワード制御してもよい。

なお、チャンバ２から露光装置６へＥＵＶ光を出力する際には、不図示のシャッタを開としてもよい。

制御パターンによる制御に関し、第１、第２反射ミラー３４１，３４３の回転軸や、プレート２２３のＹ方向への移動軸以外の制御可能な軸について、上記の場合と同様の手法により制御パターンを作成してもよい。

５．３ 実施形態２の作用、効果
ＥＵＶ光生成システム１１ｂが、自身で制御パターンを作成し得る。そのため、露光装置６によって様々なバーストパターンが指定されたときにも、各バーストパターンについて適切な制御パターンを容易に作成し得る。
５．４ プラズマ位置（プラズマの重心）の計算例
図１１は、ＥＵＶ光を放射するプラズマの重心を求める計算例を示す図である。

例えば、図１１のように３つのＥＵＶセンサをＺ軸と直交するＹ−Ｘ平面内に配置した場合の、各ＥＵＶセンサの計測値が以下のような値であったと仮定してもよい。この計測値は、ＥＵＶエネルギの値としてもよい。
第１ＥＵＶセンサ５５ｅ１による計測値：Ｅ１
第２ＥＵＶセンサ５５ｅ２による計測値：Ｅ２
第３のＥＵＶセンサ５５ｅ３による計測値：Ｅ３
ここで、Ｙ′−Ｘ′座標を、上記３つのＥＵＶセンサの位置を通る座標系とする場合、Ｙ′−Ｘ′座標におけるＥＵＶ光を放射するプラズマの重心（ＣｅｎｔＸ′，ＣｅｎｔＹ′）は以下のように表現し得る。
ＣｅｎｔＸ′＝（Ｅ２-Ｅ３）/（Ｅ２＋Ｅ３）・・・（１）
ＣｅｎｔＹ′＝（Ｅ１-Ｅ３）/（Ｅ１＋Ｅ３）・・・（２）

例えば、Ｘ軸とＸ′軸とのなす角度がθ［ｒａｄ］である場合、上記式（１）、（２）を変換してＹ−Ｘ座標におけるＥＵＶ光の重心（ＣｅｎｔＸ，ＣｅｎｔＹ）を得てもよい。

なお、Ｙ−Ｘ座標は、ＥＵＶセンサの位置を調整するステージ等の機械的な基準となる座標系であってよい。

６．実施形態２の変形例１
６．１ 実施形態２の変形例１における制御パターンの作成例
図１２のＡ〜Ｅは、バースト期間中のＥＵＶエネルギの低下によりＥＵＶセンサがＥＵＶエネルギを検出できなくなる場合における制御パターンの作成について示す図である。図１２のＡは、バースト期間中のレーザ発振トリガ信号を示す図である。図１２のＢ〜Ｅは、バースト動作時に制御パターンを用いた制御を可能にする期間を延ばす様子を示す図である。

バースト期間が長い場合、あるいはバースト期間中におけるパルスレーザ光３３の集光位置のずれが大きい場合には、バースト期間中に検出されるＥＵＶエネルギの値がＥＵＶセンサの検出限界を下回ってしまう場合があり得る。その原因は、パルスレーザ光３３の集光位置がプラズマ生成領域２５の位置からずれ過ぎてしまい、ターゲット２７がパルスレーザ光３３に照射されなくなる場合、あるいは照射されていたとしてもプラズマの生成が不十分である場合が考えられ得る。

そのような場合には、以下のようにしてバースト期間の全体に亘る制御パターンを作成するようにしてもよい。

６．２ 実施形態２の変形例１の動作
１）図１２のＢに示すように、ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、バースト期間の開始から制御なしで、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７に対してパルスレーザ光３３を次々と照射してもよい。すなわち、ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、パルスレーザ光３３の集光位置を調整する制御を行なわずに、連続して供給されるターゲット２７に対してパルスレーザ光３３を繰り返し照射してもよい。パルスレーザ光３３の集光位置が徐々にターゲット２７からずれてＥＵＶセンサ５５１，５５２がＥＵＶエネルギを検出できなくなるまで、パルスレーザ光３３によるターゲット２７の照射が継続されてもよい。

２）ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、バースト期間の開始からＥＵＶエネルギを検出できなくなるまでに集光位置検出部５５で検出されたＥＵＶエネルギの値から、集光位置のずれ量を算出してもよい。さらに、ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、その算出したずれ量を用いて、バースト期間の開始からＥＵＶエネルギを検出できなくなるまでの第１の期間Ｇ１に用いる第１の制御パターンを求めてもよい。

３）次に、図１２のＣに示すように、第１の期間Ｇ１内は、上記第１の制御パターンを用いたフィードフォワード制御等を実行しつつ、ターゲット２７へのパルスレーザ光３３の照射を繰り返してもよい。

４）その後、第１の期間Ｇ１よりも後のバースト期間については、再度、制御なしでターゲット２７へのパルスレーザ光３３の照射を繰り返してもよい。パルスレーザ光３３の集光位置がプラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７からずれてＥＵＶセンサがＥＵＶエネルギを検出できなくなるまで、その繰り返し照射を継続してもよい。

５）第１の期間Ｇ１よりも後のバースト期間について、ＥＵＶエネルギを検出できなくなるまでに検出されたＥＵＶエネルギの値から集光位置のずれ量を算出してもよい。その算出したずれ量を用いて、第１の期間Ｇ１の終了後からＥＵＶエネルギを検出できなくなるまでの第２の期間Ｇ２に用いる第２の制御パターンを求めてもよい。

６）次に、図１２のＤに示すように、第１の期間Ｇ１および第２の期間Ｇ２内は上記の第１の制御パターンおよび第２の制御パターンを用いたフィードフォワード制御等を実行しつつ、ターゲット２７へのパルスレーザ光３３の照射を繰り返してもよい。

７）その後、第２の期間Ｇ２よりも後のバースト期間については、再度、制御なしでターゲット２７へのパルスレーザ光３３の照射を繰り返してもよい。パルスレーザ光３３の集光位置がターゲット２７からずれて、ＥＵＶセンサがＥＵＶエネルギを検出できなくなるまで、その繰り返し照射を継続してもよい。

８）第２の期間Ｇ２よりも後のバースト期間について、ＥＵＶエネルギを検出できなくなるまでに検出されたＥＵＶエネルギの値から集光位置のずれ量を算出してもよい。その算出したずれ量を用いて、第２の期間Ｇ２の終了後からＥＵＶエネルギを検出できなくなるまでの第３の期間Ｇ３に用いる第３の制御パターンを求めてもよい。

このような手法により、図１２のＥに示すように、バースト期間の全期間に亘ってフィードフォワード制御を実行するための制御パターンを取得し得る。

６．３ 実施形態２の変形例１の作用、効果
このように、バースト期間内においてパルスレーザ光３３の集光位置が大きくずれてＥＵＶセンサがＥＵＶエネルギを検出できなくなるような場合でも、バースト期間の全期間に亘って制御パターンを作成することができ得る。

７．実施形態２の変形例２
７．１ 実施形態２の変形例２における集光位置検出部の構成
図１３は、実施形態２の変形例２の構成を示す図としてもよい。この実施形態２の変形例２は、実施形態２の集光位置検出部５５に替えて以下の構成を備えた集光位置検出部５５ｂを備えてもよい。この変形例２におけるその他の構成は、説明済みの実施形態２と同様の構成としてもよい。

チャンバ２に配置された集光位置検出部５５ｂは、パルスレーザ光の照射を受けたターゲット２７のプラズマ化によるプラズマ発光を撮像する撮像装置としてもよい。撮像装置による撮像波長は可視光波長を含んでもよい。

この撮像装置は、プラズマ発光を異なる位置から撮像するように複数配置されてもよい。例えば、撮像装置は、第１撮像部５５３、第２撮像部５５４の２つでもよく、プラズマ発光を撮像する際の２つの撮像方向が互いに９０度をなすように配置してもよい。

７．２ 実施形態２の変形例２の動作
第１、第２撮像部５５３、５５４は、バースト期間中に繰り返されるプラズマ発光を撮像して得られた画像をＥＵＶ光生成コントローラ５ｂに送信してもよい。

ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、第１、第２撮像部５５３、５５４によって撮像されたプラズマ発光の画像からプラズマの発光位置を算出し、バースト期間中に連続して生成されるプラズマの発光位置の変化を求めてもよい。

ＥＵＶ光生成コントローラ５ｂは、上記画像から求めたプラズマの発光位置と予め定められたプラズマ生成領域２５の位置とから、プラズマ生成領域２５に対するパルスレーザ光３３の集光位置のずれ量を算出してもよい。

その後の作用については、上述のＥＵＶセンサ５５１，５５２を用いて集光位置のずれ量を算出する実施形態２の場合と同様であってもよい。

８．実施形態３
８．１ 実施形態３の構成
実施形態３のＥＵＶ光生成システム１１ｃは、ＥＵＶ光生成コントローラ、アクチュエータコントローラ以外の構成については実施形態２の場合と同様であってもよい。ここでは、実施形態２の説明において用いた図９を参照して実施形態３について説明し得る。

アクチュエータコントローラ６５ｃは、フィードフォワード制御が実施されたバースト期間中の先頭側のＥＵＶ光の出力に続く、バースト期間中の後尾側のＥＵＶの出力について、各アクチュエータをフィードバック制御してもよい。この制御は、このバースト期間中に集光位置検出部５５によって既に検出された集光位置のずれを補正するように、各アクチュエータ３４５、３４６、２２５をフィードバック制御するものであってもよい。このアクチュエータコントローラ６５ｃによるフィードバック制御により、パルスレーザ光３３の集光位置のずれが補償されるように、第１、第２反射ミラー３４１，３４３、およびプレート２２３が調整されてもよい。

以後の説明において、フィードフォワード制御を省略してＦＦ制御ともいう。また、フィードバック制御を省略してＦＢ制御ともいう。

８．２ 実施形態３の動作
１）アクチュエータコントローラ６５ｃは、最初のバースト期間に移る前に、予め記憶部５２に記憶された制御パターンを用いて、第１、第２アクチュエータ３４５、３４６、およびアクチュエータ２２５をＦＦ制御してもよい。このＦＦ制御により、第１、第２反射ミラー３４１，３４３の各反射面、およびプレート２２３の位置が制御パターンに応じた所定の状態に調整されてもよい。

２）その後、バースト期間に移ると、レーザ装置３から出力されレーザ光集光システム７０ａを通って集光されたパルスレーザ光３３が、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７へ照射され得る。このパルスレーザ光３３の照射によるターゲット２７のプラズマ化により先頭のＥＵＶ光が出力されてもよい。

ＦＦ制御により集光位置のずれを抑制しつつ出力されるＥＵＶ光は、先頭のＥＵＶ光のみであってもよい。あるいは、図１４のＡ〜Ｅに示すように、ＦＦ制御により出力されるＥＵＶ光は、先頭のＥＵＶ光の出力を含む数回までのＥＵＶ光の出力としてもよい。

３）ＦＦ制御による先頭側のＥＵＶ光の出力に続く、バースト期間中の後続側のＥＵＶ光は、図１４のＡ〜Ｅに示すようにＦＢ制御により集光位置のずれが抑制されて出力されてもよい。

４）図１４のＡ〜Ｅに示すよう、休止期間を間に挟む３回のバースト期間それぞれにおいて、先頭側のＥＵＶ光の出力はＦＦ制御により出力され、後続側のＥＵＶ光の出力はＦＢ制御により出力されてもよい。

５）結果として、図１４のＡに示すように、ＦＦ制御とＦＢ制御の組み合わせにより各バースト期間におけるＥＵＶエネルギはいずれも略一定となり得る。また、図１４のＢに示すように、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７とパルスレーザ光３３の集光位置とのＹ方向の位置ずれ量は、常に所定範囲内に抑えられ得る。

以下に、上記作用に係る種々の態様について示す。

ＦＦ制御の制御パターンは、予め実験によって決定されてもよい。あるいは実施形態２のように、実施形態３においてもＥＵＶ光生成コントローラ５ｃにより制御パターンを求めるようにしてもよい。

アクチュエータコントローラ６５ｃは、バースト期間終了後の休止期間中の何時でも、次のバースト期間の先頭のＥＵＶ光の出力に対するＦＦ制御の準備を行なってもよい。すなわち、第１、第２反射ミラー３４１，３４３、およびプレート２２３は、休止期間中の何時でも、次のバースト期間の先頭のＥＵＶ光の出力時に定められた傾きや位置に調整されてもよい。

なお、バースト期間中にＦＦ制御とＦＢ制御を組み合わせてＥＵＶ光の出力を繰り返す際、ＦＦ制御における制御パターンの制御量は、以下の様なデータを含むものであってよい。

ａ．特定のバースト期間の先頭のＥＵＶ光の出力に対応付けられた各アクチュエータの制御量。

ｂ．特定のバースト期間の先頭のＥＵＶ光の出力、及びその後の数回のＥＵＶ光の出力に対応付けられた各アクチュエータの制御量。

ｃ．バースト動作開始からの各バースト期間の先頭のＥＵＶ光の出力に対応付けられた各アクチュエータの制御量。

ｄ．バースト動作開始からの各バースト期間の先頭のＥＵＶ光の出力、及びその後の数回のＥＵＶ光の出力に対応付けられた各アクチュエータの制御量。

ｅ．バースト動作開始からの時間経過に対応付けられた各アクチュエータの制御量。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ ＥＵＶ光生成装置
２ チャンバ
３ レーザ装置
４ ターゲットセンサ
５、５ｈ、５ａ、５ｂ、５ｃ ＥＵＶ光生成コントローラ
６ 露光装置
１１、１１ｈ、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ ＥＵＶ光生成システム
２１、２１ａ、２１ｂ ウィンドウ
２２ レーザ光集光ミラー
２２ｈ、２２ａ レーザ光集光ユニット
２３ ＥＵＶ集光ミラー
２４ 貫通孔
２５ プラズマ生成領域
２６ ターゲット供給部
２７ ターゲット
２８ ターゲット回収器
２９ 接続部
３１、３２、３３ パルスレーザ光
３４、３４ｈ、３４ａ レーザ光進行方向コントローラ
４０ 照明部
４１ ＣＷレーザ光源
４２ 照明光学系
４５ 受光部
４６ 受光光学系
４７ 光センサ
５２ 記憶部
５５、５５ｂ 集光位置検出部
５５ｅ１ 第１ＥＵＶセンサ
５５ｅ２ 第２ＥＵＶセンサ
５５ｅ３ 第３ＥＵＶセンサ
６１ 加圧ガス源
６２ 圧力調節器
６５、６５ｃ アクチュエータコントローラ
６６ 記憶部
７０、７０ｈ、７０ａレーザ光集光システム
２２３ プレート
２２２ 凹面ミラー
２２１ 凸面ミラー
２５１ プラズマ放射光
２５２ ＥＵＶ光
２９１ 壁
２９２ 中間集光点
２９３ アパーチャ
３４１ 第１反射ミラー
３４２ 中間の反射ミラー
３４３ 第２反射ミラー
３４５ 第１アクチュエータ
３４６ 第２アクチュエータ
５５１ ＥＵＶセンサ
５５２ ＥＵＶセンサ
５５３ 第１撮像装置
５５４ 第２撮像装置
Ｒ 所定位置
Ｓｋ 照明光
Ｔｒ レーザ発振トリガ信号

Claims (3)

1. パルスレーザ光の照射を受けてプラズマ化したターゲットから発せられる極端紫外光を繰り返し出力する極端紫外光生成システムであって、
   チャンバと、
   前記チャンバ内に設定されたプラズマ生成領域へターゲットを順次供給するターゲット供給部と、
   前記パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
   前記レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を集光させるレーザ光集光システムと、
   前記レーザ光集光システムに接続されて前記パルスレーザ光の集光位置を調整するアクチュエータと、
   バーストパターンに基づいて極端紫外光を出力するよう前記極端紫外光生成システムを制御する極端紫外光生成コントローラと、
   前記バーストパターンに基づいた極端紫外光の出力中に生じる、前記プラズマ生成領域に供給されたターゲットに対する前記パルスレーザ光の集光位置のずれを補償するように前記アクチュエータをフィードフォワード制御するアクチュエータコントローラと、
   を備え、
   前記アクチュエータコントローラは、前記集光位置のずれを補償するための制御パターンを前記バーストパターンに対応付けて記憶する記憶部を備え、
   前記極端紫外光生成コントローラが前記バーストパターンに基づいて前記極端紫外光を出力する際に、前記アクチュエータコントローラは、前記記憶部が記憶した前記制御パターンを用いて前記集光位置のずれを補償するように前記アクチュエータをフィードフォワード制御するよう構成され、
   前記記憶部は、前記制御パターンにおける前記アクチュータの制御量と、前記バーストパターンにおけるバースト休止期間の長さとを対応付けて記憶するよう構成され、
   前記アクチュエータコントローラは、バースト期間中の先頭の極端紫外光の出力時にのみ前記フィードフォワード制御を実施するよう構成される
   極端紫外光生成システム。
2. 前記レーザ光集光システムは、
   前記パルスレーザ光の進行方向を規定するための反射ミラーを含むレーザ光進行方向コントローラと
   前記パルスレーザ光を集光させるための反射ミラーを含むレーザ光集光ユニットと、
   を備え、
   前記レーザ光進行方向コントローラは、前記レーザ光集光ユニットの上流側に配置される請求項１記載の極端紫外光生成システム。
3. 前記アクチュエータは、
   前記レーザ光進行方向コントローラに接続されるミラーアクチュエータと、
   前記レーザ光集光ユニットに接続されるユニットアクチュエータと、
   を含み、
   前記ミラーアクチュエータの応答速度は、前記ユニットアクチュエータの応答速度よりも高速である
   請求項２記載の極端紫外光生成システム。

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