JP2000311845A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
露光方法及び露光装置Info
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- JP2000311845A JP2000311845A JP11120063A JP12006399A JP2000311845A JP 2000311845 A JP2000311845 A JP 2000311845A JP 11120063 A JP11120063 A JP 11120063A JP 12006399 A JP12006399 A JP 12006399A JP 2000311845 A JP2000311845 A JP 2000311845A
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- exposure
- laser beam
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ光の光軸ずれの調節精度を高めること
ができる露光方法及び露光装置を提供することである。 【解決手段】 パターンが形成されたマスクRを介して
レーザ光で基板Wを露光する露光方法において、レーザ
光の発振デューティを求め、求めた発振デューティに基
づきレーザ光の光軸調整を行うようにする。発振デュー
ティは例えば露光光源12内に設けられるデューティ検
出器60によって検出される。
ができる露光方法及び露光装置を提供することである。 【解決手段】 パターンが形成されたマスクRを介して
レーザ光で基板Wを露光する露光方法において、レーザ
光の発振デューティを求め、求めた発振デューティに基
づきレーザ光の光軸調整を行うようにする。発振デュー
ティは例えば露光光源12内に設けられるデューティ検
出器60によって検出される。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、その他のマイクロデバ
イスなどをリソグラフィ技術を用いて製造する際に使用
される露光方法、及び露光装置に関する。
液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、その他のマイクロデバ
イスなどをリソグラフィ技術を用いて製造する際に使用
される露光方法、及び露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程の一つである
フォトリソグラフィー工程においては、マスク又はレチ
クルに形成されているパターンをフォトレジストが塗布
されたウエハ上に転写するための露光装置として、マス
クのパターンの像をウエハ上のショット領域に縮小投影
するステッパーが多く用いられている。
フォトリソグラフィー工程においては、マスク又はレチ
クルに形成されているパターンをフォトレジストが塗布
されたウエハ上に転写するための露光装置として、マス
クのパターンの像をウエハ上のショット領域に縮小投影
するステッパーが多く用いられている。
【0003】ステッパーとしては、パターンをウエハ上
のショット領域に一括露光し、順次ウエハを移動して他
のショット領域に対して一括露光を繰り返すステップ・
アンド・リピート方式のもの、あるいは最近では露光範
囲の拡大や露光性能の向上等の観点から、マスクとウエ
ハとを同期移動して、矩形その他の形状のスリット光で
走査・照明してウエハ上のショット領域を逐次露光し、
順次ウエハを移動して他のショット領域に対して走査・
露光を繰り返すステップ・アンド・スキャン方式のもの
も開発され、実用に供されるようになっている。
のショット領域に一括露光し、順次ウエハを移動して他
のショット領域に対して一括露光を繰り返すステップ・
アンド・リピート方式のもの、あるいは最近では露光範
囲の拡大や露光性能の向上等の観点から、マスクとウエ
ハとを同期移動して、矩形その他の形状のスリット光で
走査・照明してウエハ上のショット領域を逐次露光し、
順次ウエハを移動して他のショット領域に対して走査・
露光を繰り返すステップ・アンド・スキャン方式のもの
も開発され、実用に供されるようになっている。
【0004】この種の投影露光装置においては、露光光
としては、水銀ランプのg線(波長436nm)やi線
(波長365nm)などが使用されているが、最近では
マイクロデバイスのさらなる微細化に対応すべく短波長
化が進行し、KrF(波長248nm)やArF(波長
193nm)などのエキシマレーザ光が使用され、ある
いはその使用が検討されている。
としては、水銀ランプのg線(波長436nm)やi線
(波長365nm)などが使用されているが、最近では
マイクロデバイスのさらなる微細化に対応すべく短波長
化が進行し、KrF(波長248nm)やArF(波長
193nm)などのエキシマレーザ光が使用され、ある
いはその使用が検討されている。
【0005】露光装置におけるエキシマレーザの使用で
は、バースト発振と呼ばれる、数十〜数百パルス単位で
のまとまったパルス群を間欠的に発振しては休止する、
というパターンが基本である。
は、バースト発振と呼ばれる、数十〜数百パルス単位で
のまとまったパルス群を間欠的に発振しては休止する、
というパターンが基本である。
【0006】休止には、チップ毎のステッピングの間の
短い休止と、ウエハ交換中の長い休止との2種類があ
る。このような休止を挟む発振パターンは、エキシマレ
ーザのエネルギーコントロールや中心波長安定化に独特
の学習制御等を要求するものであり、リソグラフィ用の
エキシマレーザに必要不可欠の技術となっている。
短い休止と、ウエハ交換中の長い休止との2種類があ
る。このような休止を挟む発振パターンは、エキシマレ
ーザのエネルギーコントロールや中心波長安定化に独特
の学習制御等を要求するものであり、リソグラフィ用の
エキシマレーザに必要不可欠の技術となっている。
【0007】エキシマ光の光生成では、KrFやArF
のような励起2量子体を例えばKr及びF2 の混合ガ
ス中で放電現象により生成する過程が必要となる。この
過程では、光生成効率を上げるために、通常、予備電離
方式が採用される。放電に際して放出されるエネルギー
の大部分は熱に変換されるため、エキシマレーザの放電
チャンバには、発生する熱の処理を行うための冷却機構
が設けられる。
のような励起2量子体を例えばKr及びF2 の混合ガ
ス中で放電現象により生成する過程が必要となる。この
過程では、光生成効率を上げるために、通常、予備電離
方式が採用される。放電に際して放出されるエネルギー
の大部分は熱に変換されるため、エキシマレーザの放電
チャンバには、発生する熱の処理を行うための冷却機構
が設けられる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】露光装置におけるスル
ープットの増大に伴い、ウエハの交換時間、ステッピン
グ時間、及びウエハのアライメントに要する時間は短縮
化の傾向にある。その結果、レーザ光源の休止時間が短
くなり、レーザの発振デューティ(Duty)が高くな
る傾向にある。ここで、発振デューティは、単位時間当
たりの発振時間をその発振時間と非発振時間との和で除
して得られる値として定義される。
ープットの増大に伴い、ウエハの交換時間、ステッピン
グ時間、及びウエハのアライメントに要する時間は短縮
化の傾向にある。その結果、レーザ光源の休止時間が短
くなり、レーザの発振デューティ(Duty)が高くな
る傾向にある。ここで、発振デューティは、単位時間当
たりの発振時間をその発振時間と非発振時間との和で除
して得られる値として定義される。
【0009】例えば、エキシマレーザの発振デューティ
が高くなった場合、発振に伴う発熱が増大する。このと
き、冷却系により除去することができない熱量が増える
ため、エキシマレーザの放電チャンバや狭帯域化素子そ
の他の構成部品は熱応力を受け、変形する。これはレー
ザ共振器の変形に他ならないため、共振の様子が変化
し、レーザの発振モードが変化することになる。その結
果、レーザ光源から放出されるレーザビームの角度等が
変化し、露光装置内においてはレーザビームの角度ずれ
及び位置ずれが生じる。
が高くなった場合、発振に伴う発熱が増大する。このと
き、冷却系により除去することができない熱量が増える
ため、エキシマレーザの放電チャンバや狭帯域化素子そ
の他の構成部品は熱応力を受け、変形する。これはレー
ザ共振器の変形に他ならないため、共振の様子が変化
し、レーザの発振モードが変化することになる。その結
果、レーザ光源から放出されるレーザビームの角度等が
変化し、露光装置内においてはレーザビームの角度ずれ
及び位置ずれが生じる。
【0010】ところで、光源と露光本体部の相対位置変
化などによる光軸のずれを調整するため、光ビームの光
軸の変動を検出して、光路上に設けられているミラーや
ハービングなどの姿勢をそのずれを相殺するようにフィ
ードバック制御することが一般に行われている。そし
て、上述した光源の温度上昇に伴う光軸のずれは、その
ような調整機構によって結果的に調整されているのが現
状である。
化などによる光軸のずれを調整するため、光ビームの光
軸の変動を検出して、光路上に設けられているミラーや
ハービングなどの姿勢をそのずれを相殺するようにフィ
ードバック制御することが一般に行われている。そし
て、上述した光源の温度上昇に伴う光軸のずれは、その
ような調整機構によって結果的に調整されているのが現
状である。
【0011】しかし、レーザ光源の発熱に伴う光軸の変
動は比較的に大きい場合があり、かかるフィードバック
制御に予定されている動作範囲を越えてしまって制御不
能となったり、あるいは十分に安定に追従することがで
きず、光軸ずれの調整精度が低い場合があるという問題
があった。
動は比較的に大きい場合があり、かかるフィードバック
制御に予定されている動作範囲を越えてしまって制御不
能となったり、あるいは十分に安定に追従することがで
きず、光軸ずれの調整精度が低い場合があるという問題
があった。
【0012】エキシマレーザにおける通常の発振デュー
ティは30%程度であり、この程度の発振デューティで
は上述の問題は生じにくいが、低感度レジストを使用す
る場合や高解像技術としてのいわゆる変形照明(例え
ば、輪帯、四つ目)を使用する場合等のように発振デュ
ーティが50%以上になると、レーザ光源の発熱に伴う
光軸ずれが大きくなり、光軸ずれの調整精度が低くなっ
てしまう。
ティは30%程度であり、この程度の発振デューティで
は上述の問題は生じにくいが、低感度レジストを使用す
る場合や高解像技術としてのいわゆる変形照明(例え
ば、輪帯、四つ目)を使用する場合等のように発振デュ
ーティが50%以上になると、レーザ光源の発熱に伴う
光軸ずれが大きくなり、光軸ずれの調整精度が低くなっ
てしまう。
【0013】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
レーザ光源の発熱等に伴う光軸ずれの調整精度を高める
ところにある。
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
レーザ光源の発熱等に伴う光軸ずれの調整精度を高める
ところにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】以下、この項に示す説明
では、本発明を、実施形態を表す図面に示す部材符号に
対応付けて説明するが、本発明の各構成要件は、これら
部材符号を付した図面に示す部材に限定されるものでは
ない。
では、本発明を、実施形態を表す図面に示す部材符号に
対応付けて説明するが、本発明の各構成要件は、これら
部材符号を付した図面に示す部材に限定されるものでは
ない。
【0015】1.上記目的を達成するため、本発明の第
1の観点による露光方法は、パターンが形成されたマス
ク(R)を介してレーザ光で基板(W)を露光する露光
方法において、レーザ光の発振デューティを求め、求め
た発振デューティに基づきレーザ光の光軸調整を行うこ
とを特徴とする。
1の観点による露光方法は、パターンが形成されたマス
ク(R)を介してレーザ光で基板(W)を露光する露光
方法において、レーザ光の発振デューティを求め、求め
た発振デューティに基づきレーザ光の光軸調整を行うこ
とを特徴とする。
【0016】この方法によれば、発振デューティに依存
して変動するレーザ光源の諸特性のうち例えばビーム角
度及びビーム位置の変動を発振デューティの関数として
予測することができるので、フィードフォワード制御に
よりレーザ光の最適な光軸を設定することができ、本発
明の目的が達成される。
して変動するレーザ光源の諸特性のうち例えばビーム角
度及びビーム位置の変動を発振デューティの関数として
予測することができるので、フィードフォワード制御に
よりレーザ光の最適な光軸を設定することができ、本発
明の目的が達成される。
【0017】特に、光軸調整がされた後のレーザ光の光
軸の所定の基準位置からの変位を計測し、計測した変位
に基づきフィードバック制御によりレーザ光の光軸調整
をさらに行うことによって、フィードフォワード制御に
よる粗調整とフィードバック制御による微調整との効果
的な組み合わせにより、光軸の調整精度をより高めるこ
とができる。
軸の所定の基準位置からの変位を計測し、計測した変位
に基づきフィードバック制御によりレーザ光の光軸調整
をさらに行うことによって、フィードフォワード制御に
よる粗調整とフィードバック制御による微調整との効果
的な組み合わせにより、光軸の調整精度をより高めるこ
とができる。
【0018】2.上記目的を達成するため、本発明の第
2の観点による露光装置は、マスク(R)に形成された
パターンの像を基板(W)上に投影することによって前
記基板を露光する露光装置において、レーザ光を発生す
る光源(12)と、前記レーザ光のもとで前記マスク
(R)のパターンを前記基板(W)上に転写するための
露光本体部(11)と、前記レーザ光の発振デューティ
を検出する検出装置(60)と、前記検出装置(60)
により検出した発振デューティに基づき前記レーザ光の
光軸調整を行う調整装置(23,24)とを備えたこと
を特徴とする。本発明によると、上記本発明の第1の観
点による露光方法を実施するために好適な露光装置が提
供される。
2の観点による露光装置は、マスク(R)に形成された
パターンの像を基板(W)上に投影することによって前
記基板を露光する露光装置において、レーザ光を発生す
る光源(12)と、前記レーザ光のもとで前記マスク
(R)のパターンを前記基板(W)上に転写するための
露光本体部(11)と、前記レーザ光の発振デューティ
を検出する検出装置(60)と、前記検出装置(60)
により検出した発振デューティに基づき前記レーザ光の
光軸調整を行う調整装置(23,24)とを備えたこと
を特徴とする。本発明によると、上記本発明の第1の観
点による露光方法を実施するために好適な露光装置が提
供される。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【0020】図1は本発明の実施形態のステップ・アン
ド・スキャン方式の投影露光装置の全体の概略構成図で
ある。同図において、11は露光装置の本体部(露光本
体部)であり、12は露光本体部11に対して露光エネ
ルギービームとしてのArFエキシマレーザ光を供給す
る露光光源(ビーム源)である。なお、光源12として
は、KrFエキシマレーザ光やその他のパルス発光光源
であっても良い。
ド・スキャン方式の投影露光装置の全体の概略構成図で
ある。同図において、11は露光装置の本体部(露光本
体部)であり、12は露光本体部11に対して露光エネ
ルギービームとしてのArFエキシマレーザ光を供給す
る露光光源(ビーム源)である。なお、光源12として
は、KrFエキシマレーザ光やその他のパルス発光光源
であっても良い。
【0021】これらの露光本体部11及び露光光源12
は、互いに独立的に構成されて、不図示のクリーンルー
ム内の同一の床面上に設置されている。なお、露光光源
12は、クリーンルームの外の同一若しくは異なる床面
上に設置され、又はクリーンルームの床面の下側に画成
されたユーティリティースペース(機械室)に設置され
る場合もある。これらの露光本体部11及び露光光源1
2は、それぞれ防振装置を介して設置されている。露光
本体部11と露光光源12との間には、これらを光学的
に接続するための接続ユニット13が設けられている。
は、互いに独立的に構成されて、不図示のクリーンルー
ム内の同一の床面上に設置されている。なお、露光光源
12は、クリーンルームの外の同一若しくは異なる床面
上に設置され、又はクリーンルームの床面の下側に画成
されたユーティリティースペース(機械室)に設置され
る場合もある。これらの露光本体部11及び露光光源1
2は、それぞれ防振装置を介して設置されている。露光
本体部11と露光光源12との間には、これらを光学的
に接続するための接続ユニット13が設けられている。
【0022】次に、露光本体部11の構成について説明
する。以下の説明においては、投影光学系14の光軸に
平行にZ軸をとり、Z軸に直交する平面(水平面)内で
図1の紙面に垂直にX軸を、図1の紙面に平行にY軸を
とって説明する。なお、Y軸に平行な方向が走査方向
(スキャン方向)である。
する。以下の説明においては、投影光学系14の光軸に
平行にZ軸をとり、Z軸に直交する平面(水平面)内で
図1の紙面に垂直にX軸を、図1の紙面に平行にY軸を
とって説明する。なお、Y軸に平行な方向が走査方向
(スキャン方向)である。
【0023】露光本体部11は不図示のチャンバ内に収
納されており、このチャンバの床面上に定盤15が設置
され、定盤15上にウエハステージWSが配置されてい
る。ウエハステージWSは、リニアモータなどによりX
及びY方向に移動するXYステージ16及びXYステー
ジ16上に載置されたZステージ17から構成されてい
る。Zステージ17上には、不図示のウエハホルダが吸
着保持されており、フォトレジストが塗布された露光対
象としてのウエハ(基板)Wは該ウエハホルダに吸着保
持される。Zステージ17はウエハWを回転方向に微動
する機能及びウエハWの表面を投影光学系14の像面に
一致させるためのフォーカス・レベリング機能を有して
いる。
納されており、このチャンバの床面上に定盤15が設置
され、定盤15上にウエハステージWSが配置されてい
る。ウエハステージWSは、リニアモータなどによりX
及びY方向に移動するXYステージ16及びXYステー
ジ16上に載置されたZステージ17から構成されてい
る。Zステージ17上には、不図示のウエハホルダが吸
着保持されており、フォトレジストが塗布された露光対
象としてのウエハ(基板)Wは該ウエハホルダに吸着保
持される。Zステージ17はウエハWを回転方向に微動
する機能及びウエハWの表面を投影光学系14の像面に
一致させるためのフォーカス・レベリング機能を有して
いる。
【0024】ウエハステージWSのZテーブル17上に
は移動鏡18が固定されており、レーザ干渉計19が移
動鏡18にレーザ光を照射し、その反射光を受光するこ
とにより、ウエハステージWSの位置が計測され、その
計測値は制御装置20に供給され、この制御装置20に
より、ウエハステージWSの移動が制御される。
は移動鏡18が固定されており、レーザ干渉計19が移
動鏡18にレーザ光を照射し、その反射光を受光するこ
とにより、ウエハステージWSの位置が計測され、その
計測値は制御装置20に供給され、この制御装置20に
より、ウエハステージWSの移動が制御される。
【0025】また、ウエハテーブルWSの上側には、投
影光学系14が配置され、投影光学系14のさらに上側
には、レチクルステージRSが配置され、レチクルステ
ージRS上に転写すべきパターンが形成されたレチクル
(マスク)Rが吸着保持される。レチクルステージRS
は、リニアモータなどによりY方向に移動されるととも
に、X方向、Y方向、及び回転方向に微動する機能を有
する。
影光学系14が配置され、投影光学系14のさらに上側
には、レチクルステージRSが配置され、レチクルステ
ージRS上に転写すべきパターンが形成されたレチクル
(マスク)Rが吸着保持される。レチクルステージRS
は、リニアモータなどによりY方向に移動されるととも
に、X方向、Y方向、及び回転方向に微動する機能を有
する。
【0026】レチクルステージRS上には移動鏡21が
固定されており、レーザ干渉計22が移動鏡21にレー
ザ光を照射し、その反射光を受光することにより、レチ
クルステージRSの位置が計測され、その計測値は制御
装置20に供給され、この制御装置20により、レチク
ルステージRSの移動が制御される。レチクルステージ
RSのさらに上側には、照明光学系が配置されている。
固定されており、レーザ干渉計22が移動鏡21にレー
ザ光を照射し、その反射光を受光することにより、レチ
クルステージRSの位置が計測され、その計測値は制御
装置20に供給され、この制御装置20により、レチク
ルステージRSの移動が制御される。レチクルステージ
RSのさらに上側には、照明光学系が配置されている。
【0027】露光光源12からの光ビーム(照明光)I
Lは、光軸補正用ミラー23、光軸補正用ハービング2
4、反射ミラー25、反射ミラー26、レンズ群27、
ビームスプリッタ28を有する接続ユニット13を介し
て、露光本体部11の照明光学系に導入される。露光本
体部11に導入された光ビームは、光軸補正用ミラー3
1、光軸補正用ハービング32、ビームスプリッタ33
を介して、光ビームの強度分布を均一化するためのフラ
イアイレンズユニット34に入射される。
Lは、光軸補正用ミラー23、光軸補正用ハービング2
4、反射ミラー25、反射ミラー26、レンズ群27、
ビームスプリッタ28を有する接続ユニット13を介し
て、露光本体部11の照明光学系に導入される。露光本
体部11に導入された光ビームは、光軸補正用ミラー3
1、光軸補正用ハービング32、ビームスプリッタ33
を介して、光ビームの強度分布を均一化するためのフラ
イアイレンズユニット34に入射される。
【0028】フライアイレンズユニット34は、例えば
1段目のフライアイレンズに対してリレーレンズ系を介
して2段目のフライアイレンズを配置して構成され、2
段目のフライアイレンズの出射側に不図示の可変開口絞
りが配置されている。
1段目のフライアイレンズに対してリレーレンズ系を介
して2段目のフライアイレンズを配置して構成され、2
段目のフライアイレンズの出射側に不図示の可変開口絞
りが配置されている。
【0029】開口絞りから出射された光ビームは、不図
示の視野絞り及びリレーレンズ系などを介して反射ミラ
ー35に至り、その反射光がコンデンサレンズ36を経
て、レチクルステージRS上のレチクルRを照明する。
この光ビームILはレチクルRのパターン形成面(下
面)においてX方向に細長いスリット状の照明領域を有
している。そして、この光ビームILのもとで、レチク
ルRの照明領域内のパターンの反転像が投影光学系14
を介して所定の投影倍率β(βは例えば、1/4,1/
5など)でウエハW上の矩形の露光領域に露光される。
示の視野絞り及びリレーレンズ系などを介して反射ミラ
ー35に至り、その反射光がコンデンサレンズ36を経
て、レチクルステージRS上のレチクルRを照明する。
この光ビームILはレチクルRのパターン形成面(下
面)においてX方向に細長いスリット状の照明領域を有
している。そして、この光ビームILのもとで、レチク
ルRの照明領域内のパターンの反転像が投影光学系14
を介して所定の投影倍率β(βは例えば、1/4,1/
5など)でウエハW上の矩形の露光領域に露光される。
【0030】走査露光時には、その照明領域に対して、
レチクルステージRSを介してレチクルRが+Y方向
(又は−Y方向)に速度VRで移動するのに同期して、
その露光領域に対して、ウエハステージWSを介してウ
エハWを−Y方向(又は+Y方向)に速度β・VR(β
は投影倍率)で移動する。
レチクルステージRSを介してレチクルRが+Y方向
(又は−Y方向)に速度VRで移動するのに同期して、
その露光領域に対して、ウエハステージWSを介してウ
エハWを−Y方向(又は+Y方向)に速度β・VR(β
は投影倍率)で移動する。
【0031】レチクルR及びウエハWはそれぞれ助走開
始後に加速され、所定速度に達して定速運動するように
なってから、照明領域への光ビームILの照射が開始さ
れて、レチクルRのパターンの転写が行われる。そし
て、1つのショット領域への転写が終了すると、光ビー
ムILの照射が停止されて、ウエハステージWSのステ
ッピングによって次のショット領域が助走開始位置に移
動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で各ショ
ット領域へのパターンの転写が順次行われる。
始後に加速され、所定速度に達して定速運動するように
なってから、照明領域への光ビームILの照射が開始さ
れて、レチクルRのパターンの転写が行われる。そし
て、1つのショット領域への転写が終了すると、光ビー
ムILの照射が停止されて、ウエハステージWSのステ
ッピングによって次のショット領域が助走開始位置に移
動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で各ショ
ット領域へのパターンの転写が順次行われる。
【0032】露光光源12からほぼ水平面内の+Y方向
に射出された紫外パルス光よりなる光ビームILは、不
図示のビームエキスパンダにより所定の断面形状に整形
される。ビームエキスパンダを通過した光ビームIL
は、光軸補正用ミラー23によりほぼ下方(−Z方向)
に反射された後、光軸補正用ハービング24を経て、反
射ミラー25により+Y方向に反射され、反射ミラー2
6により+Z方向に反射され、レンズ系27を介して、
ビームスプリッタ28に至る。ビームスプリッタ28で
+Y方向に反射された主ビームは露光本体部11に供給
される。ビームスプリッタ28を透過した副ビームは光
軸ずれ検出用のCCDカメラなどを有する光軸ずれモニ
タユニット29に入射される。
に射出された紫外パルス光よりなる光ビームILは、不
図示のビームエキスパンダにより所定の断面形状に整形
される。ビームエキスパンダを通過した光ビームIL
は、光軸補正用ミラー23によりほぼ下方(−Z方向)
に反射された後、光軸補正用ハービング24を経て、反
射ミラー25により+Y方向に反射され、反射ミラー2
6により+Z方向に反射され、レンズ系27を介して、
ビームスプリッタ28に至る。ビームスプリッタ28で
+Y方向に反射された主ビームは露光本体部11に供給
される。ビームスプリッタ28を透過した副ビームは光
軸ずれ検出用のCCDカメラなどを有する光軸ずれモニ
タユニット29に入射される。
【0033】光軸補正用ミラー23及び光軸補正用ハー
ビング24からなる光軸補正系(以下、第1の光軸補正
系という場合がある)は、図2に示されているように構
成されている。即ち、光軸補正用ミラー23は、支点4
1と、ムービングコイルモータなどの伸縮自在の駆動素
子からなるY軸アクチュエータ42及びX軸アクチュエ
ータ43とに支持されており、Y軸アクチュエータ42
及びX軸アクチュエータ43の伸縮量は制御装置20に
より制御される。
ビング24からなる光軸補正系(以下、第1の光軸補正
系という場合がある)は、図2に示されているように構
成されている。即ち、光軸補正用ミラー23は、支点4
1と、ムービングコイルモータなどの伸縮自在の駆動素
子からなるY軸アクチュエータ42及びX軸アクチュエ
ータ43とに支持されており、Y軸アクチュエータ42
及びX軸アクチュエータ43の伸縮量は制御装置20に
より制御される。
【0034】また、光軸補正用ハービング24は、それ
ぞれ光透過性の平行平面ガラスからなるXハービング2
4X及びYハービング24Yから構成されている。これ
らのXハービング24X及びYハービング24Yはそれ
ぞれ回転モータ44,45によって微少回転され、回転
モータ44,45の回転量も制御装置20によって制御
される。
ぞれ光透過性の平行平面ガラスからなるXハービング2
4X及びYハービング24Yから構成されている。これ
らのXハービング24X及びYハービング24Yはそれ
ぞれ回転モータ44,45によって微少回転され、回転
モータ44,45の回転量も制御装置20によって制御
される。
【0035】露光光源12からの光ビームILは、光軸
補正用ミラー23によってほぼ−Z方向に反射された
後、Xハービング24X及びYハービング24Yを通過
している。X軸アクチュエータ42及びY軸アクチュエ
ータ43を適宜に伸縮して、光軸補正用ミラー23の角
度を微少変更することにより、反射光の角度(進行方
向)はY軸に平行な軸を中心としてδθx、及びX軸に
平行な軸を中心としてδθyだけ変化する。さらに、X
ハービング24XをY軸に平行な軸の周りに微少回転す
ることによって、光ビームILの光路はX方向にδdx
だけ横シフト(位置ずれ)し、Yハービング24YをX
軸に平行な軸の周りに微少回転することによって、光ビ
ームILの光路はY方向にδdyだけ横シフトする。従
って、光ビームILの光軸ずれ(角度ずれ及び位置ず
れ)を所定の範囲内で適宜に補正制御することができ
る。
補正用ミラー23によってほぼ−Z方向に反射された
後、Xハービング24X及びYハービング24Yを通過
している。X軸アクチュエータ42及びY軸アクチュエ
ータ43を適宜に伸縮して、光軸補正用ミラー23の角
度を微少変更することにより、反射光の角度(進行方
向)はY軸に平行な軸を中心としてδθx、及びX軸に
平行な軸を中心としてδθyだけ変化する。さらに、X
ハービング24XをY軸に平行な軸の周りに微少回転す
ることによって、光ビームILの光路はX方向にδdx
だけ横シフト(位置ずれ)し、Yハービング24YをX
軸に平行な軸の周りに微少回転することによって、光ビ
ームILの光路はY方向にδdyだけ横シフトする。従
って、光ビームILの光軸ずれ(角度ずれ及び位置ず
れ)を所定の範囲内で適宜に補正制御することができ
る。
【0036】再度、図1を参照する。この第1の光軸補
正系23,24を経た光ビームILは反射ミラー25、
反射ミラー26、及びレンズ系27を経てビームスプリ
ッタ28に入射し、入射した光ビームのうちの一部(例
えば、1%程度)はビームスプリッタ28を透過して光
軸ずれモニタユニット29に入射され、光軸ずれモニタ
ユニット29において進行方向(入射角)のずれ量(角
度ずれ量)及び横シフト量(位置ずれ量)の検出が行わ
れ、検出結果が制御装置20に供給される。また、ビー
ムスプリッタ28に入射した光ビームILの大部分(例
えば、99%程度)は、反射されて露光本体部11に向
かう。
正系23,24を経た光ビームILは反射ミラー25、
反射ミラー26、及びレンズ系27を経てビームスプリ
ッタ28に入射し、入射した光ビームのうちの一部(例
えば、1%程度)はビームスプリッタ28を透過して光
軸ずれモニタユニット29に入射され、光軸ずれモニタ
ユニット29において進行方向(入射角)のずれ量(角
度ずれ量)及び横シフト量(位置ずれ量)の検出が行わ
れ、検出結果が制御装置20に供給される。また、ビー
ムスプリッタ28に入射した光ビームILの大部分(例
えば、99%程度)は、反射されて露光本体部11に向
かう。
【0037】図3(A)は、光軸ずれモニタユニット2
9の構成を示している。同図において、ビームスプリッ
タ28を透過した光ビームILは、ハーフミラー51に
入射し、ハーフミラー51を透過した光束は、適当な減
光フィルタ52、及び焦点距離fの集光レンズ53を経
て、CCDカメラなどからなる2次元撮像素子54に入
射する。集光レンズ53及び撮像素子54により角度ず
れモニタが構成されている。撮像素子54の撮像信号を
制御装置20で処理することによって図3(C)に示す
ように、撮像素子54の撮像面55において、光束IL
2の中心の所定の基準点55aに対するX方向、及びY
方向への位置ずれ量Δx2、Δy2が検出される。
9の構成を示している。同図において、ビームスプリッ
タ28を透過した光ビームILは、ハーフミラー51に
入射し、ハーフミラー51を透過した光束は、適当な減
光フィルタ52、及び焦点距離fの集光レンズ53を経
て、CCDカメラなどからなる2次元撮像素子54に入
射する。集光レンズ53及び撮像素子54により角度ず
れモニタが構成されている。撮像素子54の撮像信号を
制御装置20で処理することによって図3(C)に示す
ように、撮像素子54の撮像面55において、光束IL
2の中心の所定の基準点55aに対するX方向、及びY
方向への位置ずれ量Δx2、Δy2が検出される。
【0038】この場合、撮像素子54の撮像面55は、
図1のフライアイレンズユニット34の入射面に対して
ほぼ光学的フーリエ変換面(瞳面)の関係にある。この
とき、光ビームILのY軸の周りの角度ずれ量δθx’
とX軸周りの角度ずれ量δθy’とが0の状態で、位置
ずれ量Δx2、Δy2が0になるように、撮像面55に
おける基準点55aが設定されており、角度ずれ量δθ
x’,δθy’と位置ずれ量Δx2、Δy2との間には
次の関係がある。
図1のフライアイレンズユニット34の入射面に対して
ほぼ光学的フーリエ変換面(瞳面)の関係にある。この
とき、光ビームILのY軸の周りの角度ずれ量δθx’
とX軸周りの角度ずれ量δθy’とが0の状態で、位置
ずれ量Δx2、Δy2が0になるように、撮像面55に
おける基準点55aが設定されており、角度ずれ量δθ
x’,δθy’と位置ずれ量Δx2、Δy2との間には
次の関係がある。
【0039】Δx2=f・δθx’ …(1A) Δy2=f・δθy’ …(1B) 制御装置20は(1A)式、(1B)式より光ビームI
Lの露光本体部11に対する角度ずれ量δθx’、δθ
y’を算出する。
Lの露光本体部11に対する角度ずれ量δθx’、δθ
y’を算出する。
【0040】一方、ハーフミラー51で反射された光束
は、反射ミラー56、倍率mの縮小光学系57を経て、
CCDカメラなどからなる2次元の撮像素子58に入射
する。縮小光学系57と撮像素子58との間には、撮像
素子58への入射光量調整のための適当な減光フィルタ
(不図示)が設置されている。撮像素子58の撮像信号
を制御装置20で処理することにより、図3(B)に示
すように、撮像素子58の撮像面59において、光束I
L1の中心の所定の基準点59aに対するX方向、及び
Y方向への位置ずれ量Δx1,Δy1が検出される。
は、反射ミラー56、倍率mの縮小光学系57を経て、
CCDカメラなどからなる2次元の撮像素子58に入射
する。縮小光学系57と撮像素子58との間には、撮像
素子58への入射光量調整のための適当な減光フィルタ
(不図示)が設置されている。撮像素子58の撮像信号
を制御装置20で処理することにより、図3(B)に示
すように、撮像素子58の撮像面59において、光束I
L1の中心の所定の基準点59aに対するX方向、及び
Y方向への位置ずれ量Δx1,Δy1が検出される。
【0041】この場合、撮像素子58の撮像面59は、
図1のフライアイレンズユニット34の入射面に対して
ほぼ共役である。光ビームILのX軸方向の位置ずれ量
δdx’とY軸方向の位置ずれ量δdy’とが0の状態
で、撮像面59での位置ずれ量Δx1,Δy1が0にな
るように、撮像面59上での基準点59aが設定されて
おり、δdx’,δdy’と位置ずれ量Δx1,Δy1
との間には次の関係がある。
図1のフライアイレンズユニット34の入射面に対して
ほぼ共役である。光ビームILのX軸方向の位置ずれ量
δdx’とY軸方向の位置ずれ量δdy’とが0の状態
で、撮像面59での位置ずれ量Δx1,Δy1が0にな
るように、撮像面59上での基準点59aが設定されて
おり、δdx’,δdy’と位置ずれ量Δx1,Δy1
との間には次の関係がある。
【0042】Δx1=m・δdx’ …(2A) Δy1=m・δdy’ …(2B) 制御装置20は(2A)式、(2B)式より光ビームI
Lの露光本体部11に対する位置ずれ量δdx’、δd
y’を算出する。
Lの露光本体部11に対する位置ずれ量δdx’、δd
y’を算出する。
【0043】後に詳述するが、制御装置20は、角度ず
れ量δθx’、δθy’、及び位置ずれ量δdx’、δ
dy’を算出した後に、第1の光軸補正系23,24で
の角度ずれの補正量δθx、δθyとして、それぞれ−
δθx’、−δθy’を求め、且つ位置ずれの補正量δ
dx、δdyとして、それぞれ−δdx’、−δdy’
を求める。制御装置20は、発信デューティを適宜に変
更して試験発光を行いつつ、発信デューティと、角度ず
れの補正量δθx、δθy及び位置ずれの補正量δd
x、δdyとの関係を示す変位情報を生成して、記憶装
置20aに記憶保持する機能を備えている。
れ量δθx’、δθy’、及び位置ずれ量δdx’、δ
dy’を算出した後に、第1の光軸補正系23,24で
の角度ずれの補正量δθx、δθyとして、それぞれ−
δθx’、−δθy’を求め、且つ位置ずれの補正量δ
dx、δdyとして、それぞれ−δdx’、−δdy’
を求める。制御装置20は、発信デューティを適宜に変
更して試験発光を行いつつ、発信デューティと、角度ず
れの補正量δθx、δθy及び位置ずれの補正量δd
x、δdyとの関係を示す変位情報を生成して、記憶装
置20aに記憶保持する機能を備えている。
【0044】再度、図1を参照する。接続ユニット13
のビームスプリッタ28での反射光(主ビーム)は、露
光本体部11に導かれ、光軸補正用ミラー31によりほ
ぼ上方(+Z方向)に反射された後、光軸補正用ハービ
ング32を経て、ビームスプリッタ33に至る。ビーム
スプリッタ33で+Y方向に反射された主ビームはフラ
イアイレンズユニット34に供給される。ビームスプリ
ッタ33を透過した副ビームは光軸ずれモニタユニット
37に入射される。
のビームスプリッタ28での反射光(主ビーム)は、露
光本体部11に導かれ、光軸補正用ミラー31によりほ
ぼ上方(+Z方向)に反射された後、光軸補正用ハービ
ング32を経て、ビームスプリッタ33に至る。ビーム
スプリッタ33で+Y方向に反射された主ビームはフラ
イアイレンズユニット34に供給される。ビームスプリ
ッタ33を透過した副ビームは光軸ずれモニタユニット
37に入射される。
【0045】光軸補正用ミラー31及び光軸補正用ハー
ビング32からなる第2の光軸補正系は、図2に示し
た、第1の光軸補正系の光軸補正用ミラー23及び光軸
補正用ハービング24と同様の構成なので、その説明は
省略する。また、光軸ずれモニタユニット37も図3に
示した光軸ずれモニタユニット29と同様の構成なの
で、その説明は省略する。
ビング32からなる第2の光軸補正系は、図2に示し
た、第1の光軸補正系の光軸補正用ミラー23及び光軸
補正用ハービング24と同様の構成なので、その説明は
省略する。また、光軸ずれモニタユニット37も図3に
示した光軸ずれモニタユニット29と同様の構成なの
で、その説明は省略する。
【0046】制御装置20は、上述した(1A)式、
(1B)式、(2A)式、及び(2B)式に従って、角
度ずれ量δθx’、δθy’、及び位置ずれ量δd
x’、δdy’を算出した後に、第2の光軸補正系3
1,32での角度ずれの補正量δθx、δθyをそれぞ
れ−δθx’、−δθy’に設定し、且つ位置ずれの補
正量δdx、δdyをそれぞれ−δdx’、−δdy’
に設定する。
(1B)式、(2A)式、及び(2B)式に従って、角
度ずれ量δθx’、δθy’、及び位置ずれ量δd
x’、δdy’を算出した後に、第2の光軸補正系3
1,32での角度ずれの補正量δθx、δθyをそれぞ
れ−δθx’、−δθy’に設定し、且つ位置ずれの補
正量δdx、δdyをそれぞれ−δdx’、−δdy’
に設定する。
【0047】即ち、光軸ずれモニタユニット37で検出
される角度ずれ量δθx’、δθy’、及び位置ずれ量
δdx’、δdy’がそれぞれ0になるように、光軸補
正用ミラー31及び光軸補正用ハービング32(24
X,24Y)をリアルタイムに駆動制御する。これによ
って、光ビームILの露光本体部11のフライアイレン
ズユニット34に対する角度ずれ量及び位置ずれ量(以
下、まとめて光軸ずれ量)がほぼ0になる。
される角度ずれ量δθx’、δθy’、及び位置ずれ量
δdx’、δdy’がそれぞれ0になるように、光軸補
正用ミラー31及び光軸補正用ハービング32(24
X,24Y)をリアルタイムに駆動制御する。これによ
って、光ビームILの露光本体部11のフライアイレン
ズユニット34に対する角度ずれ量及び位置ずれ量(以
下、まとめて光軸ずれ量)がほぼ0になる。
【0048】このように本実施形態では、光軸ずれモニ
タユニット37により光軸の位置をモニタしつつ、第2
の光軸補正系31,32を用いて光軸ずれ量に関するフ
ィードバック制御を行うことによって、光ビームILの
露光本体部11のフライアイレンズユニット34に対す
る光軸ずれ量を実質的に0にすることができる。
タユニット37により光軸の位置をモニタしつつ、第2
の光軸補正系31,32を用いて光軸ずれ量に関するフ
ィードバック制御を行うことによって、光ビームILの
露光本体部11のフライアイレンズユニット34に対す
る光軸ずれ量を実質的に0にすることができる。
【0049】しかしながら、露光光源12における発熱
に起因する大きな光軸ずれ等により光軸ずれの調節精度
が低くなることがあることは前述した通りである。例え
ば、発熱による大きな光軸ずれに起因して、光軸ずれモ
ニタユニット37について、図3(C)に示される光束
IL2のビームスポットが撮像面55からはずれると、
光軸ずれの調節精度が低下するだけでなく、フィードバ
ック制御自体を行うことができなくなってしまう。この
問題を回避するために、撮像面55,59を大型化すべ
く光学系を変更することが提案され得るが、用いる撮像
素子が同じである場合にはビームスポットの検出精度が
低下してしまい、光軸ずれの調節精度が低くなる。
に起因する大きな光軸ずれ等により光軸ずれの調節精度
が低くなることがあることは前述した通りである。例え
ば、発熱による大きな光軸ずれに起因して、光軸ずれモ
ニタユニット37について、図3(C)に示される光束
IL2のビームスポットが撮像面55からはずれると、
光軸ずれの調節精度が低下するだけでなく、フィードバ
ック制御自体を行うことができなくなってしまう。この
問題を回避するために、撮像面55,59を大型化すべ
く光学系を変更することが提案され得るが、用いる撮像
素子が同じである場合にはビームスポットの検出精度が
低下してしまい、光軸ずれの調節精度が低くなる。
【0050】そこで、本実施形態では、発振デューティ
の変化と光軸ずれ量との関係を予め計測しておき、ルッ
クアップテーブルとして、あるいは近似式で近似した関
数を求めて、これを変位情報として記憶装置20aに記
憶保持しておく。そして、図1に示されるように、露光
光源12内にレーザ光の発振デューティを検出するため
のデューティ検出器60を設ける。
の変化と光軸ずれ量との関係を予め計測しておき、ルッ
クアップテーブルとして、あるいは近似式で近似した関
数を求めて、これを変位情報として記憶装置20aに記
憶保持しておく。そして、図1に示されるように、露光
光源12内にレーザ光の発振デューティを検出するため
のデューティ検出器60を設ける。
【0051】制御装置20は、検出された発振デューテ
ィに基づいて、記憶装置20aの変位情報から対応する
補正量を検索し、あるいは算出し、光軸調整のための信
号を第1の光軸補正系23,24へ出力するようにして
いる。
ィに基づいて、記憶装置20aの変位情報から対応する
補正量を検索し、あるいは算出し、光軸調整のための信
号を第1の光軸補正系23,24へ出力するようにして
いる。
【0052】図4は、レーザビームの角度が発振デュー
ティに依存して変動する様子を示している。図4におい
て、縦軸は角度変動、横軸は連続照射時間を表してい
る。角度変動は前述した角度ずれ量δθx’又はδθ
y’として理解することができる。ビームの角度をθ
(t)とすると、例えば次式で示すように、θ(t)は
時間tと発振デューティの関数α(duty)とを用い
て近似することができる。
ティに依存して変動する様子を示している。図4におい
て、縦軸は角度変動、横軸は連続照射時間を表してい
る。角度変動は前述した角度ずれ量δθx’又はδθ
y’として理解することができる。ビームの角度をθ
(t)とすると、例えば次式で示すように、θ(t)は
時間tと発振デューティの関数α(duty)とを用い
て近似することができる。
【0053】 θ(t)=−β*t^(1+α(duty)) ここでβは定数である。発振デューティが高く、照射さ
れる時間が長いほど、角度変動が大きくなることを示し
ている。
れる時間が長いほど、角度変動が大きくなることを示し
ている。
【0054】図5はレーザビームの角度変動の例を示す
グラフである。ここでは、レーザビームの角度の変動値
がθ1に達した時点で発振デューティが低下した場合が
示されている。例えば、ウエハ交換時のように露光が不
要である間は、レーザのエネルギー値を安定化させるた
めに一定間隔でダミー発光を行うことがある。その際の
発振デューティは超低デューティであり、レーザビーム
の角度は初期値に近づこうとする。この回復の過程は例
えば次式で与えられる。
グラフである。ここでは、レーザビームの角度の変動値
がθ1に達した時点で発振デューティが低下した場合が
示されている。例えば、ウエハ交換時のように露光が不
要である間は、レーザのエネルギー値を安定化させるた
めに一定間隔でダミー発光を行うことがある。その際の
発振デューティは超低デューティであり、レーザビーム
の角度は初期値に近づこうとする。この回復の過程は例
えば次式で与えられる。
【0055】θ(t)=θ1+γ(t) このように、発振デューティ及び照射時間によりレーザ
ビームの角度変動を予測することができるので、第1の
光軸補正系23,24を用いて光軸ずれ量のフィードフ
ォワード制御を行うことにより、レーザ光源12の発熱
に伴う光軸ずれを少なくすることができる。そして、そ
のフィードフォワード制御の後に、第2の光軸補正系3
1,32及び光軸モニタユニット37による前述したフ
ィードバック制御を行うことによって、光軸ずれの高精
度な調節が可能になる。
ビームの角度変動を予測することができるので、第1の
光軸補正系23,24を用いて光軸ずれ量のフィードフ
ォワード制御を行うことにより、レーザ光源12の発熱
に伴う光軸ずれを少なくすることができる。そして、そ
のフィードフォワード制御の後に、第2の光軸補正系3
1,32及び光軸モニタユニット37による前述したフ
ィードバック制御を行うことによって、光軸ずれの高精
度な調節が可能になる。
【0056】図6はこのようなフィードフォワード制御
の手順の一例を示している。まず、ステップST1で
は、複数の異なる発振デューティ毎に、制御装置20が
露光光源12を試験発光させて、その発光時間とレーザ
光の光軸の変位との関係が光軸ずれモニタユニット29
により計測され、その計測結果は制御装置20を介して
変位情報として記憶装置20aに記憶保持される。
の手順の一例を示している。まず、ステップST1で
は、複数の異なる発振デューティ毎に、制御装置20が
露光光源12を試験発光させて、その発光時間とレーザ
光の光軸の変位との関係が光軸ずれモニタユニット29
により計測され、その計測結果は制御装置20を介して
変位情報として記憶装置20aに記憶保持される。
【0057】次いでステップST2では、露光処理中の
発振デューティがデューティ検出器60によって検出さ
れ、その検出結果は制御装置20へ送られる。次いでス
テップST3では、制御装置20がデューティ検出器6
0によって検出された発振デューティに基づき記憶装置
20aに記憶保持されている変位情報を検索する。
発振デューティがデューティ検出器60によって検出さ
れ、その検出結果は制御装置20へ送られる。次いでス
テップST3では、制御装置20がデューティ検出器6
0によって検出された発振デューティに基づき記憶装置
20aに記憶保持されている変位情報を検索する。
【0058】そして、ステップST4では、検索された
対応する変位情報に応じて、第1の光軸補正系23,2
4を用いたフィードフォワード制御が行われる。なお、
ST2〜4に並行して、上述した方法により、光軸モニ
タユニット37の検出結果に基づく第2の光軸補正系3
1,32に対するフィードバック制御が行われる。
対応する変位情報に応じて、第1の光軸補正系23,2
4を用いたフィードフォワード制御が行われる。なお、
ST2〜4に並行して、上述した方法により、光軸モニ
タユニット37の検出結果に基づく第2の光軸補正系3
1,32に対するフィードバック制御が行われる。
【0059】この手順によると、光軸ずれモニタユニッ
ト29において、フィードフォワード制御によりビーム
スポットを基準点55a及び59a(図3(B)及び
(C)参照)の近傍に位置させることができるので、そ
の後段において、迅速で且つ高精度な光軸ずれ量に関す
るフィードバック制御を行うことができる。
ト29において、フィードフォワード制御によりビーム
スポットを基準点55a及び59a(図3(B)及び
(C)参照)の近傍に位置させることができるので、そ
の後段において、迅速で且つ高精度な光軸ずれ量に関す
るフィードバック制御を行うことができる。
【0060】露光光源12内には一般的にレーザ光のパ
ルスカウンタが設けられているので、デューティ検出器
60は、パルスカウンタの出力信号に基づきレーザ光の
所定時間当たりのパルス数を計数することにより発振デ
ューティを検出することができる。
ルスカウンタが設けられているので、デューティ検出器
60は、パルスカウンタの出力信号に基づきレーザ光の
所定時間当たりのパルス数を計数することにより発振デ
ューティを検出することができる。
【0061】記憶装置20aあるいは露光本体部11内
に設けられる図示しない露光コントローラ内に記憶され
ている露光プログラムには、光源12によるレーザ光の
発振に関する制御データが設定されており、この露光プ
ログラムに従って、光源12の発光が制御されるので、
この露光プログラムに基づいて発振デューティを算出す
るようにしても良い。このようにすれば、デューティ検
出器60を用いる必要がなくなるので、構成を簡略化す
ることができる。
に設けられる図示しない露光コントローラ内に記憶され
ている露光プログラムには、光源12によるレーザ光の
発振に関する制御データが設定されており、この露光プ
ログラムに従って、光源12の発光が制御されるので、
この露光プログラムに基づいて発振デューティを算出す
るようにしても良い。このようにすれば、デューティ検
出器60を用いる必要がなくなるので、構成を簡略化す
ることができる。
【0062】本実施形態では、光軸ずれモニタユニット
29は変位情報の検出にのみ使用するようにしている
が、これに加えて、光軸ずれモニタユニット37及び第
2の光軸補正系31,32によるフィードバック制御と
同様なフィードバック制御を、かかる光軸モニタユニッ
ト29及び第1の光軸補正系23,24で行うようにす
ることができる。
29は変位情報の検出にのみ使用するようにしている
が、これに加えて、光軸ずれモニタユニット37及び第
2の光軸補正系31,32によるフィードバック制御と
同様なフィードバック制御を、かかる光軸モニタユニッ
ト29及び第1の光軸補正系23,24で行うようにす
ることができる。
【0063】このように光軸モニタユニット29及び第
1の光軸補正系23,24を用いて、フィードフォワー
ド制御及びフィードバック制御を組み合わせて実施す
る、即ち、検出された発振デューティと計測された光軸
の位置情報との両者に基づいてレーザ光の光軸調整を行
うようにすれば、光軸の調節精度をさらに高くすること
ができる。
1の光軸補正系23,24を用いて、フィードフォワー
ド制御及びフィードバック制御を組み合わせて実施す
る、即ち、検出された発振デューティと計測された光軸
の位置情報との両者に基づいてレーザ光の光軸調整を行
うようにすれば、光軸の調節精度をさらに高くすること
ができる。
【0064】ところで、レーザ光源の発熱による光軸ず
れは一方向であることもある。このような場合には、図
7に示されるように、光軸補正系を簡略化することがで
きる。ここでは、1つの軸を中心に回転可能な光軸補正
用ミラー61及び1つの光軸補正用ハービング62が用
いられている。ミラー61では、予測値に対応する角度
補正が行われる。ミラー61による補正の結果、光軸は
位置ずれを起こすため、その位置ずれの修正をハービン
グ62により行う。
れは一方向であることもある。このような場合には、図
7に示されるように、光軸補正系を簡略化することがで
きる。ここでは、1つの軸を中心に回転可能な光軸補正
用ミラー61及び1つの光軸補正用ハービング62が用
いられている。ミラー61では、予測値に対応する角度
補正が行われる。ミラー61による補正の結果、光軸は
位置ずれを起こすため、その位置ずれの修正をハービン
グ62により行う。
【0065】ハービング62の回転角φはミラー61の
回転角θとミラー61及びハービング62間の距離とに
よって一意に決まる。ハービング62を通過したレーザ
ビームはレンズ系27によって適当な形及び大きさに成
形され、その後ビームスプリッタ28によりビームの一
部が切り出され、ビーム位置の検出センサ63に導か
れ、ビームの残りはフライアイレンズユニット34に供
給される。図面の明瞭さを確保するために、ビームスプ
リッタ28とフライアイレンズ34との間に設けられる
光学部材の図示は省略されている。
回転角θとミラー61及びハービング62間の距離とに
よって一意に決まる。ハービング62を通過したレーザ
ビームはレンズ系27によって適当な形及び大きさに成
形され、その後ビームスプリッタ28によりビームの一
部が切り出され、ビーム位置の検出センサ63に導か
れ、ビームの残りはフライアイレンズユニット34に供
給される。図面の明瞭さを確保するために、ビームスプ
リッタ28とフライアイレンズ34との間に設けられる
光学部材の図示は省略されている。
【0066】図3(A)に示される光軸ずれモニタユニ
ット29の構成においては、2次元撮像素子54,58
が用いられているが、図7に示される実施形態では、レ
ーザビームの一方向の光軸ずれを前提にしているので、
検出センサ63としてはラインセンサを用いることがで
きる。ラインセンサ63により、ミラー61及びハービ
ング62により補正されたビーム位置の残差が検出さ
れ、その検出結果に基づきビーム位置のずれがフィード
バック制御される。
ット29の構成においては、2次元撮像素子54,58
が用いられているが、図7に示される実施形態では、レ
ーザビームの一方向の光軸ずれを前提にしているので、
検出センサ63としてはラインセンサを用いることがで
きる。ラインセンサ63により、ミラー61及びハービ
ング62により補正されたビーム位置の残差が検出さ
れ、その検出結果に基づきビーム位置のずれがフィード
バック制御される。
【0067】このように、図7に示される実施形態によ
ると、一方向の光軸ずれを前提としているので、光軸補
正系を簡単に構成することができるとともに、簡単なラ
インセンサの使用が可能になる。
ると、一方向の光軸ずれを前提としているので、光軸補
正系を簡単に構成することができるとともに、簡単なラ
インセンサの使用が可能になる。
【0068】尚、以上説明した実施形態は、本発明の理
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。従って、上
記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範
囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨であ
る。
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。従って、上
記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範
囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨であ
る。
【0069】例えば、上記実施形態においては、第1の
光軸補正系23,24はレーザビームの送光光路中(接
続ユニット13)に設けられているが、露光光源12内
あるいは露光本体部11内に設けられていても良い。
光軸補正系23,24はレーザビームの送光光路中(接
続ユニット13)に設けられているが、露光光源12内
あるいは露光本体部11内に設けられていても良い。
【0070】また、発振デューティに基づくフィードフ
ォワード制御に用いる変位情報としては、上述した実施
形態では、光軸の位置と角度の両方としているが、いず
れか一方であっても良い。
ォワード制御に用いる変位情報としては、上述した実施
形態では、光軸の位置と角度の両方としているが、いず
れか一方であっても良い。
【0071】さらに、光軸モニタユニット29は、常設
されていれば、メンテナンス時に適宜に変位情報を収集
して更新することができるので便宜であるが、必ずしも
常設されている必要はなく、着脱可能に構成して、変位
情報を収集する時(例えば、組立完了時等)にのみ装着
するようにしても良い。加えて、かかる変位情報は、レ
ーザ光源12に固有のものであるから、レーザ光源12
単体でオフライン的に収集するようにしても良い。
されていれば、メンテナンス時に適宜に変位情報を収集
して更新することができるので便宜であるが、必ずしも
常設されている必要はなく、着脱可能に構成して、変位
情報を収集する時(例えば、組立完了時等)にのみ装着
するようにしても良い。加えて、かかる変位情報は、レ
ーザ光源12に固有のものであるから、レーザ光源12
単体でオフライン的に収集するようにしても良い。
【0072】また、発振デューティの分母としての単位
時間(発振時間+非発振時間)は、一定値である必要は
なく、任意の時間(例えば、1分、5分、10分、30
分等)とすることができ、かかる単位時間を種々に変更
して、それぞれについて変位情報を収集しておき、それ
らを選択的に使用するようにしても良い。例えば、光源
の温度が上昇するときと、下降するときとで、発振デュ
ーティの単位時間が相互に異なるものを使用するように
しても良い。
時間(発振時間+非発振時間)は、一定値である必要は
なく、任意の時間(例えば、1分、5分、10分、30
分等)とすることができ、かかる単位時間を種々に変更
して、それぞれについて変位情報を収集しておき、それ
らを選択的に使用するようにしても良い。例えば、光源
の温度が上昇するときと、下降するときとで、発振デュ
ーティの単位時間が相互に異なるものを使用するように
しても良い。
【0073】上記の実施の形態では、ステップ・アンド
・スキャン方式の縮小投影型露光装置(スキャニング・
ステッパー)についての説明としたが、例えばレチクル
とウエハとを静止させた状態でレチクルパターンの全面
に露光用照明光を照射して、そのレチクルパターンが転
写されるべきウエハ上の1つの区画領域(ショット領
域)を一括露光するステップ・アップ・リピート方式の
縮小投影型露光装置(ステッパー)、さらにはミラープ
ロジェクション方式やプロキシミティ方式等の露光装
置、その他のあらゆる形式の露光装置にも同様に本発明
を適用することが可能である。
・スキャン方式の縮小投影型露光装置(スキャニング・
ステッパー)についての説明としたが、例えばレチクル
とウエハとを静止させた状態でレチクルパターンの全面
に露光用照明光を照射して、そのレチクルパターンが転
写されるべきウエハ上の1つの区画領域(ショット領
域)を一括露光するステップ・アップ・リピート方式の
縮小投影型露光装置(ステッパー)、さらにはミラープ
ロジェクション方式やプロキシミティ方式等の露光装
置、その他のあらゆる形式の露光装置にも同様に本発明
を適用することが可能である。
【0074】また、半導体素子、液晶ディスプレイ、薄
膜磁気ヘッド、及び撮像素子(CCDなど)の製造に用
いられる露光装置だけでなく、レチクル、又はマスクを
製造するために、ガラス基板、又はシリコンウエハなど
に回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用で
きる。
膜磁気ヘッド、及び撮像素子(CCDなど)の製造に用
いられる露光装置だけでなく、レチクル、又はマスクを
製造するために、ガラス基板、又はシリコンウエハなど
に回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用で
きる。
【0075】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
露光方法及び露光装置において光軸ずれの調節精度を高
めることが可能になるという効果が生じる。本発明の特
定の実施形態により得られる効果は以上説明した通りで
あるので、その説明は省略する。
露光方法及び露光装置において光軸ずれの調節精度を高
めることが可能になるという効果が生じる。本発明の特
定の実施形態により得られる効果は以上説明した通りで
あるので、その説明は省略する。
【図1】本発明の実施形態のステップ・アンド・スキャ
ン方式の投影露光装置の全体の概略構成図である。
ン方式の投影露光装置の全体の概略構成図である。
【図2】光軸補正系の構成及び動作を説明するための斜
視図である。
視図である。
【図3】図3(A)〜図3(C)は光軸ずれモニタユニ
ットの構成及び動作を説明するための図である。
ットの構成及び動作を説明するための図である。
【図4】レーザビームの角度変動と連続照射時間との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図5】レーザビームの角度変動の例を示すグラフであ
る。
る。
【図6】光軸ずれに関するフィードフォワード制御にお
ける手順の一例を示すフローチャートである。
ける手順の一例を示すフローチャートである。
【図7】光軸補正系の他の例を示す図である。
11…露光本体部 12…露光光源 13…ビーム・マッチング・ユニット 14…投影光学系 20…制御装置 34…フライアイレンズ 60…デューティ検出器
Claims (9)
- 【請求項1】 パターンが形成されたマスクを介してレ
ーザ光で基板を露光する露光方法において、 前記レーザ光の発振デューティを求め、 該求めた発振デューティに基づき前記レーザ光の光軸調
整を行うことを特徴とする露光方法。 - 【請求項2】 複数の異なる発振デューティ毎に、前記
レーザ光を試験発光させて、その発光時間と前記レーザ
光の光軸の変位との関係を計測して変位情報として記憶
保持し、 露光処理中の発振デューティに基づき前記変位情報を検
索して、対応する変位情報に応じて前記レーザ光の光軸
調整を行うことを特徴とする請求項1に記載の露光方
法。 - 【請求項3】 前記発振デューティは前記レーザ光の所
定時間当たりのパルス数を計数することにより求めるこ
とを特徴とする請求項1又は2に記載の露光方法。 - 【請求項4】 前記発振デューティは露光プログラムに
基づいて算出することを特徴とする請求項1又は2に記
載の露光方法。 - 【請求項5】 前記光軸の変位情報は、前記光軸の位置
と前記光軸の角度との少なくとも一方を含むことを特徴
とする請求項1又は2に記載の露光方法。 - 【請求項6】 前記光軸調整がされた後のレーザ光の光
軸の所定の基準位置からの変位を計測し、 該計測した変位に基づき、前記光軸調整がなされた後の
レーザ光の光軸調整をさらに行うことを特徴とする請求
項1又は2に記載の露光方法。 - 【請求項7】 マスクに形成されたパターンの像を基板
上に投影することによって前記基板を露光する露光装置
において、 レーザ光を発生する光源と、 前記レーザ光のもとで前記マスクのパターンを前記基板
上に転写するための露光本体部と、 前記レーザ光の発振デューティを検出する検出装置と、 前記検出装置により検出した発振デューティに基づき前
記レーザ光の光軸調整を行う調整装置とを備えたことを
特徴とする露光装置。 - 【請求項8】 前記検出装置は前記レーザ光の所定時間
当たりのパルス数を計数するパルスカウンタを有し、 前記パルスカウンタにより計数された所定時間当たりの
パルス数から前記発振デューティを算出することを特徴
とする請求項7に記載の露光装置。 - 【請求項9】前記レーザ光の光軸の位置情報を計測する
計測装置を備え、 前記調整装置は、前記検出装置で検出された発振デュー
ティと、前記計測装置により計測された前記光軸の位置
情報とに基づいて前記レーザ光の光軸調整を行うことを
特徴とする請求項7に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11120063A JP2000311845A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 露光方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11120063A JP2000311845A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 露光方法及び露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000311845A true JP2000311845A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=14776979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11120063A Pending JP2000311845A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 露光方法及び露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000311845A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009123888A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US10085334B2 (en) | 2015-10-02 | 2018-09-25 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating system |
-
1999
- 1999-04-27 JP JP11120063A patent/JP2000311845A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009123888A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US10085334B2 (en) | 2015-10-02 | 2018-09-25 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating system |
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