JP3600883B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3600883B2 JP3600883B2 JP33665395A JP33665395A JP3600883B2 JP 3600883 B2 JP3600883 B2 JP 3600883B2 JP 33665395 A JP33665395 A JP 33665395A JP 33665395 A JP33665395 A JP 33665395A JP 3600883 B2 JP3600883 B2 JP 3600883B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- light
- shot area
- shot
- illumination light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で、露光装置を用いてマスク上のパターンを感光性の基板上の各ショット領域に露光するための露光方法に関し、特に露光用の光源としてエキシマレーザ光源のようなレーザ光源を使用する場合に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えば半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程では、レチクル(又はフォトマスク等)のパターンをウエハ(又はガラスプレート等)上に転写するための例えばステッパー等の投影露光装置が使用されている。これらの投影露光装置では、レチクル上のパターンの像をウエハ上に投影倍率β(βは例えば1/4又は1/5等)に縮小して投影するための投影光学系が使用される。近年、半導体素子の高集積化に伴い、ウエハ上にできるだけ高集積度のパターンを焼き付けるためには、露光の解像力を上げる必要があり、露光用の照明光として遠紫外域のKrFエキシマレーザ(波長248nm)やArFエキシマレーザ(波長193nm)等のエキシマレーザ光を利用する投影露光装置が使用されるようになっている。周知の如く、このような短波長域のエキシマレーザ光を使用した場合、主として材料の透過率の問題から、投影光学系のレンズに利用できる硝材は現時点では合成石英や蛍石等のフッ化物結晶等の材料に限られている。
【0003】
しかし、投影光学系にこのような石英や蛍石等のレンズを使用した場合には、実質的に色収差の補正が難しいので、色収差の発生による結像性能の劣化を防ぐために、エキシマレーザ光の発振スペクトル幅を狭める、所謂、「波長の狭帯化」が必要となる。この波長の狭帯化は、例えばプリズムとグレーティング(回折格子)とを組み合わせたものや、エタロン等の光学素子を使用して行われ、露光中投影光学系に供給されるエキシマレーザ光の波長のスペクトル幅を常に所定の波長幅に納めるのと同時に、その中心波長を所定の波長に維持するための、所謂「波長安定化」のための制御が行われる。そして、最近の遠紫外域のエキシマレーザ光を使用する投影露光装置では、狭帯化による波長帯域幅(スペクトル幅)については、狭帯化しない前の自然発振スペクトル幅の約1/300に相当する1pm(=1×10−12 m)程度の精度が要求され、波長安定化による中心波長の誤差については、±0.25pm程度の精度が要求されている。
【0004】
図6は、エキシマレーザ光の波長の狭帯化を説明するためのスペクトル図を示し、横軸は波長λ、縦軸はスペクトル強度Iを表す。この図6において、山形の曲線21で示す自然発振スペクトルは、中心波長λ0 で半値幅で広いスペクトル幅S1 を有している。上記のような波長の狭帯化手段により自然発振スペクトルを狭帯化することにより、波長半値幅のスペクトル幅S2 の曲線22で示すような狭いスペクトル幅に突出したスペクトル強度を有するエキシマレーザ光が得られる。
【0005】
図7は、従来の発振波長が狭帯化されたエキシマレーザ光源を使用するステッパー型の投影露光装置の概略構成を示し、この図7において、例えばKrFエキシマレーザ光源よりなる光源1からレーザビーム4がパルス光として射出される。光源1は、内部に例えばプリズム及びグレーティング(回折格子)等から構成される狭帯化モジュール2と、レーザ電源を含むレーザチャンバ3とを有しており、レーザチャンバ3及び狭帯化モジュール2は中央制御系14Aに制御されている。光源1から射出されたレーザビーム4は、ビームスプリッタ5に入射する。ビームスプリッタ5は、大部分のレーザビームを透過させるが、残りの一部のレーザビームを反射して、レーザビームの波長及びスペクトル幅を計測する波長モニタ6に入射させる。ビームスプリッタ5を透過したレーザビーム4は、照明光学系8を通り、ミラー9で下方に曲げられた後、転写用のパターンが形成されたレチクル10を照明し、投影光学系11を介してウエハステージ13上に載置されたウエハ12上のフォトレジスト層にそのパターンの像を転写する。
【0006】
この場合、光源1と照明光学系8との間の光路上には、機械式のシャッター7が設けられている。シャッター7は、内部のシャッター駆動系を介して中央制御系14Aにより制御されており、中央制御系14Aによりシャッター7を閉じることによって、光源1からウエハ12上へのレーザビーム4の照射が停止される。波長モニタ6により計測されたレーザビーム4の波長及びスペクトル幅の計測信号は中央制御系14Bに供給されており、レーザビーム4の波長やスペクトル幅の異常が検知されたときには、中央制御系14Bによりシャッター7の閉止の制御が行われ、レーザビーム4のウエハ12上への照射が停止される。同時に、シャッター7を閉じた状態で、中央制御系14Bから光源1の狭帯化モジュール2に対して波長及びスペクトル幅を正常状態に戻す復帰動作を行うように指令が出される。そして、レーザビーム4の波長及びスペクトル幅が正常に復帰後、中央制御系14Bから再び中断した露光動作等に戻るように指令が出されるという構成になっている(例えば、特開平1−106426号公報参照)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来技術においては、エキシマレーザ光を発生する光源1での波長及びスペクトル幅等の光特性の制御が異常を来したとき、及びその異常状態から正常な状態に復帰させる動作中にシャッター7を駆動して照明光をカットし、転写されたパターンに問題のあるショット領域(以下、「不良ショット」という)の発生を回避するようになっている。しかしながら、このような従来の制御法では、エキシマレーザ光の光特性の異常が検出された時点では、既にその異常なエキシマレーザ光により露光が行われたショット領域は不良ショットとなっている可能性がある。また、たとえ不良ショットの発生を防止することはできても、シャッター駆動による時間のロスは避けることができず、スループット(生産性)を低下させるという不都合があった。
【0008】
また、露光に際しウエハ上から選択された所定個数のショット領域(サンプルショット)に付設されたアライメントマークの座標位置をアライメント系を用いて計測し、この計測結果を統計処理してウエハ上の各ショット領域の配列座標を算出するエンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)方式により各ショット領域のアライメントが行われるような場合には、光源1の発光状態の不良により発生した不良ショットがサンプルショットとして選択されると、アライメント精度が低下して重ね合わせ精度が低下する不都合もあった。
【0009】
また、エキシマレーザ光を露光用の照明光として用いる場合、ウエハ上にはフォトレジストとして化学増幅型ポジレジストが塗布される。この化学増幅型ポジレジストはその反応過程で酸を増感材として用いるため、露光現像工程において増感材である酸が中和反応によって消失するのを防ぐ意味から環境中のアルカリ雰囲気の排除が必要である。そのため、露光装置と現像装置とを所謂インライン構成で結ぶと共に、各装置にアルカリ雰囲気を除去する所謂「ケミカルフィルター」を装着した上で工程時間を管理することにより安定したプロセスを維持していくよう配慮されているが、前述のエキシマレーザ光の波長やスペクトル幅の異常による復帰動作等の通常露光工程で考慮されていないような工程時間が割り込んできた場合、ウエハ上に塗布されたフォトレジストのライフタイム(寿命)が尽きてしまうという不都合もある。
【0010】
本発明は斯かる点に鑑み、露光用の照明光の波長やスペクトル幅等の光特性に異常があってもスループットの低下を招くことなくその後の露光を正常に行うことができる露光方法を提供することを第1の目的とする。また、本発明は、照明光の光特性に異常があっても、ウエハ上に塗布されたフォトレジストのライフタイムを越えることなく正常な処理が行われる露光方法を提供することを第2の目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明による第1の露光方法は、露光用の光源(1)からの照明光(4)のもとで、マスク(10)に形成されたパターンの像で感光基板(12)上の複数のショット領域を逐次露光する露光方法において、その複数のショット領域のうちの一つのショット領域をそのマスクパターンの像で露光しているときにその照明光(4)の光特性が所定状態から許容範囲を越えて変動した場合、当該ショット領域への露光を続けながら、その照明光の光特性がその所定状態に復帰するようその光源(1)を制御し(ステップ109)、その照明光の光特性が所定状態に復帰後、当該ショット領域から他のショット領域への露光動作を開始するものである。
【0012】
斯かる本発明の第1の露光方法によれば、露光用の照明光(4)の例えば波長やスペクトル幅等の光特性に異常があった場合、ショット領域への露光を続けながら光源(1)が所定状態に復帰するよう制御するため、従来のように照明光(4)の感光基板(12)上への照射を停止するために機械式のシャッターを開閉するのに比べて処理時間が短縮される。また、直ちに照明光(4)の光特性の異常を検出して光源(1)を制御し、光特性が所定状態に復帰後直ちに次のショット領域へ移動し、次のショット領域の露光を行うようになっている。従って、スループットが向上する。また、次のショット領域からは正常な光特性を有する照明光(4)が露光に用いられるので、更なる不良ショットの発生が抑えられる。従って、感光基板(12)の歩留りが向上する。
【0013】
この場合、その照明光(4)の光特性が変動したときに露光されていたショット領域の位置を記憶しておいて、所謂「オンライン」コンピュータを介して管理することが好ましい。これにより、光特性の変動時に露光されていたショット領域の位置を以降の露光工程において特定できる。
そして、その後の露光工程において、その照明光(4)の光特性が変動したときに露光されていたショット領域を露光対象から除外することが好ましい。これにより、その後の露光工程において不良ショットを露光する無駄が省かれる。
【0014】
また、その後の露光工程において、その照明光(4)の光特性が変動したときに露光されていたショット領域の位置合わせ用のマーク(WM)を使用せずに、マスクパターンの像とその感光基板(12)との位置合わせを行うことが好ましい。これにより、例えばEGA方式等の統計処理によりアライメントが行われる場合、感光基板(12)上の不良ショットをサンプルショットとして選択することがないため、アライメント精度が向上する。
【0015】
また、本発明による第2の露光方法は、露光用の光源(1)からの照明光(4)のもとで、マスク(10)に形成されたパターンの像で感光基板(12)上の複数のショット領域を逐次露光する露光方法において、その複数のショット領域のうちの一つのショット領域をそのマスクパターンの像で露光しているときに、その照明光の光特性が所定状態から許容範囲を越えて変動した場合、当該ショット領域への露光を続けながら、その照明光の光特性がその所定状態に復帰するようその光源(1)を制御し、この光源の制御に並行して、その照明光(4)の光特性を所定状態に復帰させるのに要する復帰時間を推定し(ステップ108A)、この推定される復帰時間がその感光基板(12)上に塗布されている感光材料の許容処理時間を越える場合には、その感光基板(12)への露光動作を中止して、その感光基板(12)を露光工程の次の処理工程へ搬送し、その推定される復帰時間がその感光基板(12)上に塗布されている感光材料の許容処理時間を越えない場合には、その照明光(4)の光特性がその所定状態に復帰後、当該ショット領域から他のショット領域への露光動作を開始するものである。
【0016】
斯かる本発明の第2の露光方法によれば、感光材料の許容処理時間(ラフタイム)が尽きる前に感光基板(12)を次の処理工程に回すので、既に露光が終了したショット領域に対しては次の処理工程での正常な処理が行われる。従って、感光材料の許容処理時間を越えて感光基板(12)上のすべてのショット領域が露光不良となる場合に比較して、感光基板(12)の歩留りが向上する。また、これらの場合において、モニタの対象とするその照明光の光特性の一例はその照明光の波長、又はスペクトル幅である。波長又はスペクトル幅は例えば波長モニタ(6)に内蔵されたエタロンカメラによって正確にモニタできる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の一例につき図1及び図2を参照して説明する。本例は、レチクルのパターンを投影光学系を介してウエハ上の各ショット領域に一括露光するステッパー型の投影露光装置で露光する場合に本発明を適用したものである。基本的な構成は図7の従来の投影露光装置と同様であり、図2において図7と対応する部分には同一符号を付して、その詳細説明を省略する。
【0018】
図2は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図2において、KrFエキシマレーザ光源よりなる光源1から中心波長λ0 (設計波長)でスペクトル幅S0 (設計スペクトル幅)のレーザビーム4が射出される。光源1はパルス発振型の光源であり、光源1としては、その他、ArFエキシマレーザ光源等のエキシマレーザ光源、銅蒸気レーザ光源、又はYAGレーザの高調波発生装置等が使用できる。光源1は、狭帯化モジュール2と、レーザ電源を含むレーザチャンバ3とから構成されている。狭帯化モジュール2は、図7の例で説明したように、プリズムと回折格子とを組み合わせたものや、エタロン(Fabry−Perot etalon) といった2枚の平面鏡を平行に配置した干渉型の帯域フィルター等の光学素子から構成されており、光源1から射出されるレーザビームのスペクトル幅を例えばエキシマレーザ光源の場合、自然発振スペクトル幅の約1/100〜1/300程度に狭めて露光装置本体部に供給する。レーザチャンバ3及び狭帯化モジュール2は、後述するように、レーザビームの波長及びスペクトル幅等の光特性を検出する波長モニタ6の検出結果に基づいて中央制御系14により制御されている。
【0019】
光源1から射出されたレーザビーム4は、レーザビーム4の光路に対して傾斜角45°の反射面を有するビームスプリッタ5に入射する。ビームスプリッタ5は、入射するレーザビームの殆どを透過し、残りの一部を反射して波長モニタ6に導く。波長モニタ6としては、例えばギャップが可変のエタロン板を有する波長測定装置が使用される。波長モニタ6によりレーザビーム4の波長及びスペクトル幅が測定され、その測定値に基づく信号が中央制御系14に出力される。
【0020】
一方、ビームスプリッタ5を透過したレーザビーム4は、次にビームの断面形状を整形するためのビーム整形光学系、レーザビームの透過率を複数段階で切り換える減光部、レチクル上での照度分布を均一化するフライアイレンズ、視野絞り、リレーレンズ、及びコンデンサーレンズ等の光学系を含む照明光学系8を介してミラー9で下方に折り曲げられた後、レチクル10を照明する。レチクル10を透過したレーザビーム4によりレチクル10上のパターンの投影光学系11を介した像が、ウエハ12上に塗布されたフォトレジスト層に投影露光される。以下、投影光学系11の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面上で図2の紙面に平行にX軸、図1の紙面に垂直にY軸を取り説明する。
【0021】
レチクル10は、不図示のレチクルステージ上に保持され、レチクルステージは投影光学系5の光軸AXに垂直な平面内でX方向、Y方向、及び回転方向(θ方向)にレチクル10の位置決めを行う。
一方、ウエハ12は不図示のウエハホルダを介してウエハステージ13上に載置されている。ウエハステージ13は投影光学系11の光軸AXに垂直な平面内でX方向、Y方向、及び回転方向(θ方向)にウエハ12の位置決めを行うと共にウエハ12の焦点方向(Z方向)の位置決めも行う。また、ウエハ12上の各ショット領域にはアライメント用のウエハマークが付設されている。図2では代表的に或るショット領域に付設されたウエハマークWMを示してある。そして、本例の投影露光装置にはウエハマークの位置検出を行うためのオフ・アクシス方式のアライメント系31が備えられ、検出結果が中央制御系14に供給されている。その他、本例の投影露光装置には不図示であるがウエハ12の焦点位置を検出する焦点位置検出系、レチクル10のアライメントを行うためのレチクルアライメント系等も配置されている。
【0022】
次に、本例の露光動作の一例について図1を参照して説明する。本例の場合は図7に示す従来の投影露光装置とは異なって、光源1と照明光学系8との間にシャッターを設けていない。従って、露光中レーザビーム4の波長又はスペクトル幅等の光特性に異常があっても、ウエハ12上へのレーザビームの照射は継続される。以下、レーザビームの光特性として波長及びスペクトル幅を用いて説明する。
【0023】
図1は、本例の露光方法を説明するためのフローチャートを示し、この図1に示すように、先ずステップ101において、新しいウエハ(ウエハ12とする)が図2のウエハステージ13上にロードされる。次に、ステップ102において、一例として、ウエハ12上から選択された所定個数のショット領域(サンプルショット)に付設されたウエハマークの座標位置をアライメント系31を用いて計測し、この計測結果を統計処理してウエハ上の各ショット領域の配列座標を算出するエンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)方式により各ショット領域のアライメントが行われる。その後、ステップ103でショット領域の露光順序を示す変数iが1に設定される。
【0024】
次に、ステップ104において、ステップ102のアライメント結果に基づいてウエハステージ13をステッピング駆動することにより、i番目のショット領域が投影光学系11の露光フィールド内の露光位置に位置決めされる。そして、光源1が点灯され、そのi番目のショット領域への露光が開始される。露光開始に伴い、ステップ105において、波長モニタ6によりレーザビーム4の波長及びスペクトル幅の計測が行われ、計測信号が中央制御系14に供給される。そして、ステップ106において、中央制御系14により波長モニタ6からの計測信号に基づいてレーザビーム4の波長及びスペクトル幅が算出される。ここで算出されたレーザビーム4の波長をλとし、スペクトル幅をSとする。ここでは、更に中央制御系14により、波長λの設計値λ0 からの波長差Δλ(=|λ−λ0|)、及びスペクトル幅Sの設計値S0 からの差ΔS(=|S−S0|)が算出される。次に、ステップ107において、ステップ106で計算された波長差Δλと、予め設定された中心波長からのずれの許容範囲ΔλP との比較が行われる。同時に、スペクトル幅の差ΔSと、予め設定された許容範囲ΔSP との比較が行われる。波長差Δλ及びスペクトル幅の差ΔSが共に許容範囲内にある場合にはステップ113に移行し、露光終了までの時間と、波長モニタ6による計測時間とを比較して、露光終了までの時間の方が長いときには、ステップ105に戻って波長モニタ6による計測を繰り返す。そして、ステップ113で、計測時間よりも露光終了までの時間の方が短くなったときには、ステップ114に移行する。そして、ステップ114でi番目のショット領域の露光が終了すると、ステップ115でショット領域の露光順序を示す変数iに1が加えられる。
【0025】
一方、ステップ107において、波長差Δλが許容範囲ΔλP を越えるか、又はスペクトル幅の差ΔSが許容範囲ΔSP を越えるかして、少なくとも一方が許容範囲を外れた場合には、ステップ108に移行し、中央制御系14は、現在露光中のi番目のショット領域の位置を記憶すると共に、ウエハステージ13の駆動系その他の露光シーケンスに関係する駆動系に対して露光動作の停止を指示する。具体的に、通常ウエハステージ13の位置は不図示のレーザ干渉計による計測値が所定の値となるようにサーボ制御されているが、露光動作の停止によってそのウエハステージ13の高精度な位置決め動作は解除される。また、ウエハ12の表面を投影光学系11の結像面に合わせ込むオートフォーカス動作もオフ状態となる。但し、光源1のパルス発光は継続される。この際、本例においては従来例に見られるようなシャッターは介在しておらず、光源1が後述の復帰動作を実行している間、光源1からのウエハ12上のi番目のショット領域に対するレーザビーム4の照射は継続される。レーザビーム4は正常な状態ではないため、そのi番目のショット領域は、転写されるパターンの解像度等が劣化しているショット領域(以下、「不良ショット」という)となる可能性が高い。そして、ステップ109において、中央制御系14は光源1に発光状態を正常な状態に復帰させるように指令を発する。この指令に基づき、光源1の狭帯化モジュール2により許容範囲を越えたレーザビーム4の波長又はスペクトル幅を補正する復帰動作が行われる。
【0026】
次のステップ110〜112は、先のステップ105〜107と全く同様の工程であり、ステップ110で波長モニタ6によってレーザビーム4の中心波長及びスペクトル幅の測定が行われ、ステップ111で波長差Δλ及びスペクトル幅の差ΔSが計算される。そして、ステップ112でそれぞれの許容範囲との比較が行われる。ステップ109における狭帯化モジュール2の補正動作によりレーザビーム4の中心波長及びスペクトル幅が所定の許容範囲内に入るまで、ステップ109〜112が繰り返され、ステップ112においてレーザビーム4の中心波長及びスペクトル幅が共に許容範囲内にあることが確認された後、光源1のパルス発光を停止してステップ115に移行する。
【0027】
前述のように、ステップ115ではショット領域の露光順序を示す変数iに1が加えられる。次に、ステップ116に移行し、ウエハ12上のすべてのショット領域への露光が終了したかどうかが確認される。すべてのショット領域の露光が終了するまでステップ104〜116が繰り返され、すべてのショット領域の露光が終了すると、ステップ117でウエハ12がウエハステージ13上からアンロードされる。そして、ステップ118で1ロットのウエハへの露光が行われたどうかが確認される。残されたウエハがある場合は再びステップ101に戻り、1ロットのウエハへの露光が終了するまでステップ101〜118が繰り返される。
【0028】
以上、本例によれば、各ショット領域への露光中に光源1からのレーザビーム4の波長及びスペクトル幅を波長モニタ6により連続的に計測し、その波長及びスペクトル幅のいずれかが許容範囲を外れた場合には、レーザビーム4の照射を継続しつつ露光動作を即時中断している。そして、狭帯化モジュール2で光源1の発光状態が所定の状態になるように復帰動作を行い、復帰動作が終了したとき直ぐにそれまで露光していたショット領域の次のショット領域への露光を開始するため、許容範囲を外れた異常な照明光により露光が継続されるといった無駄な時間が省かれる。また、次のショット領域以降のショット領域からは所定の波長及びスペクトル幅のレーザビームが照射されるので、更に不良ショットが生ずることがない。また、レーザビーム4の波長及びスペクトル幅に異常を来したときの復帰動作に当たって、レーザビーム4をシャッターによりカットする必要がないので装置構成を簡略化できるばかりでなく、シャッター駆動に要する時間をなくすことで露光に要する実質的処理時間を短縮できる。
【0029】
なお、本例においては、ステップ105におけるレーザビーム4の中心波長及びスペクトル幅の計測は光源1から発光される所定の複数パルス光毎に行われ、その複数パルス光毎の光特性に異常が見られた場合、ステップ108に移行して露光動作を停止し、ステップ109で光特性を補正するようになっているが、例えば或る測定タイミングで光特性の変動が検出され、その次の測定タイミングで光特性の変動が検出されない、即ち、瞬間的に光特性の変動が生じたときには、露光動作を停止することなくそのi番目のショット領域への露光を継続してもよい。
【0030】
次に、本発明の実施の形態の他の例について図3及び図4を参照して説明する。本例は、図1の露光方法における光源1の異常時からの復帰動作と共に、不良ショットに関する情報を露光装置群の中でネットワーク管理する手段を提供するものである。また、本例の投影露光装置はステップ・アンド・スキャン方式であり、図3及び図4において図1及び図2に対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
【0031】
図4は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図4において、レチクル10はレチクルステージ32を介してレチクルベース33上でX方向に移動自在に保持され、露光時には光源1からのレーザビーム4が照明光学系8A、及びミラー9を経て、レチクル10上のスリット状の照明領域を照明する。そのスリット状の照明領域内のパターンが、投影光学系11Aを介してウエハ12上に投影されている。そして、レチクル10を例えば速度VRで−X方向(又は+X方向)に走査するのと同期して、ウエハステージ13を介してウエハ12を+X方向(又は−X方向)にβ・VR(βは投影光学系11Aの投影倍率)で走査することによって、ウエハ12上の各ショット領域にレチクル10のパターン像が逐次転写されるようになっている。その走査露光中の動作は中央制御系14Aによって同期制御される。
【0032】
また、本例の中央制御系14Aは露光装置群を集中管理する、所謂集中制御系15にオンラインで結ばれており、中央制御系14Aから集中制御系15に対して、不良ショットに関する情報が供給され、集中制御系15から中央制御系14Aに他の露光装置での不良ショットに関する情報が供給されている。他の構成は図2の例と同様である。
【0033】
本例において、i番目のショット領域への露光中にレーザビーム4の中心波長又はスペクトル幅が設計値から外れたときには、動作は図1のステップ107から図1のステップ108に移行して、当該ショット領域の位置の記憶、及びレーザビーム4の照射を継続した状態での露光動作の停止が行われる。走査露光方法の場合には、露光動作の停止によってレチクルステージ32とウエハステージ13との同期した動作が解除されて、例えばレチクルステージ32及びウエハステージ13は独立にそれぞれ露光終了位置に向けて減速しながら移動する。そして、図1のステップ109及び110の動作に続いて、動作は図3のステップ111に移行する。
【0034】
図3は、図4の投影露光装置を用いた露光方法を説明するための要部のフローチャートを示し、この図3に示すように、ステップ111において、レーザビーム4の波長差Δλ(=|λ−λ0|)及びスペクトル幅の差ΔS(=|S−S0|)の計算が行われ、その次のステップ112において、波長差Δλ及びスペクトルの差ΔSとそれぞれの許容範囲ΔλP 及びΔSP との比較が行われる。そして、本例の場合はステップ112からステップ112Aに移行する。ステップ112Aにおいて、現在処理中のショット領域を不良ショットに指定し、中央制御系14Aから集中制御系15に対して、現在処理中のウエハの番号、及び不良ショットの番号等の情報が提供される。そして、次に図1のステップ115に移行するようになっている。その他の動作は図1の例と同様である。
【0035】
本例では、集中制御系15はその不良ショットに関する情報を記憶し、不良ショットが形成されたウエハが次のレイアの露光のため再び同じ投影露光装置又は露光装置群内の別の投影露光装置で処理される場合には、記憶された不良ショットが露光の対象ショット領域から除外されるように各露光装置の中央制御系に指令するシステムとなっている。また、集中制御系15から以降の露光工程におけるレチクルとウエハとの位置合わせの際、不良ショットのウエハマークを使用しないように各露光装置の中央制御系に指令が出される。従って、例えば特開昭61−44429号公報で開示されているように、EGA方式でウエハのアライメントが行われるような場合には、不良ショットがEGA方式のサンプルショットから除外されるため、重ね合わせ精度が向上する。更に、その不良ショットには露光が行われないため無駄な露光時間を省くことができる。なお、図4には示していないが、不良ショットの発生及びその位置情報を投影露光装置の中央制御系14Aに付随するCRTディスプレイ等を通じて表示し、オペレータに注意を促すような構成を併用してもよい。
【0036】
次に、本発明による実施の形態の更に別の例について図5を参照して説明する。装置構成は図2の例と同様である。エキシマレーザ光源の波長制御異常の際の復帰動作のように通常の露光工程で考慮されていないような工程時間が割り込んできた場合、ウエハ上に塗布されたフォトレジストのライフタイム(初期状態での許容処理時間)が尽きてしまうようなケースが考えられる。本例は、レーザビーム4の中心波長及びスペクトル幅が許容範囲を越えた場合、それらの中心波長及びスペクトル幅の補正に要する時間(復帰時間)がフォトレジストの許容処理時間を越える場合の対策を考慮したものであり、図5に示すステップ108A及び108Bを除き基本的な工程は図1の工程と同様である。
【0037】
図5は、本例の露光方法を説明するための要部のフローチャートを示し、この図5において、ステップ108Aは図1のステップ108の代わりに実行する工程である。即ち、図1のステップ107においてレーザビーム4の中心波長及びスペクトル幅のいずれかが許容範囲を越えたことが確認された場合、図5のステップ108Aに移行して当該ショット領域の位置の記憶、及びレーザビーム4の照射を継続した状態で露光動作が停止される。本例では更に、ステップ108Aにおいてレーザビーム4の中心波長及びスペクトル幅の補正に要する時間が算出される。図2の中央制御系14には、レーザビーム4の中心波長及びスペクトル幅の補正に要する時間を推定できる計算テーブル、過去の事例に基づく予想値のテーブル、又は関係式が用意されており、それらの計算テーブル及び関係式に基づいて補正に要する時間が計算される。ここで計算された補正に要する時間を復帰時間TW とする。また、フォトレジストが塗布されたときからi番目のショット領域への露光動作が停止されたときまでの間の経過時間をT1 とし、残りのショット領域への露光時間及びウエハをウエハステージ13上から次の現像装置へ移動する等に要する時間を後処理時間T2 として、フォトレジストのライフタイムT0 から経過時間T1 及び後処理時間T2 を差し引いた時間を許容処理時間TF (=T0 −T1 −T2 )とする。
【0038】
次に、ステップ108Bにおいて、復帰時間TW とウエハ12上のフォトレジストの許容処理時間TF との比較が行われる。中央制御系14において、ステップ108Bで比較の結果、復帰時間TW が許容処理時間TF を越える場合は、ステップ117に移行し、ウエハ12をウエハステージ13上からアンロードし、直ぐに次の現像処理を行うため、現像装置(不図示)の方へ搬出するように制御する。一方、ステップ108Bで比較の結果、復帰時間TW が許容処理時間TF を越えない場合は、図1の場合と同様にステップ109に移行し、ステップ109でレーザビーム4の中心波長及びスペクトル幅の補正が行われる。この際、図3のステップ112Aと同様に、不良ショットが発生したウエハの情報を不図示の集中制御系15に供給して、集中制御系はその情報に基づいて、そのウエハ12の以後の処理工程での管理を行うようにしてもよい。なお、本例の場合、光源1の異常状態からの復帰動作の実施、又は復帰動作の継続をその異常発生時点での露光装置の状態、あるいはウエハの露光シーケンスの進行状況に応じて判断する機能を付加することが望ましい。
【0039】
以上本例によれば、ウエハ12上に塗布されたフォトレジストのライフタイムが尽きる前に次の現像処理が行われるため、レーザビーム4の波長及びスペクトル幅の異常が検出されるまでに露光が行われたショット領域については正常なチップとして回収され、歩留りが向上する。
なお、以上の実施の形態の例では、光源1としてエキシマレーザ光源が使用されたが、本発明はエキシマレーザ光源に限らず、その光特性を維持管理する必要のある他種の光源を使用する場合にも適用可能である。
【0040】
また、本発明を図4に示すように、走査露光型の投影露光装置に適用した場合、走査露光型の投影露光装置によれば、例えばレチクルをスリット状に照明することで、投影光学系の露光フィールドの長手方向の幅を拡大できる。また、投影光学系の有効露光フィールドの一部しか使用しないので、照度均一性、ディストーション等の精度が出し易いという利点がある。しかし、この走査露光型の投影露光装置の特徴を生かすためには、露光用の照明光の光特性の安定及び光特性に異常が生じた際の迅速な対応が必要であり、本発明を適用することにより光特性の異常に迅速に対応できる。
【0041】
このように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0042】
【発明の効果】
本発明の第1の露光方法によれば、照明光の光特性に異常があった場合、露光(照明光の照射)を続けながら光源が所定状態に復帰するよう制御するため、例えば照明光の感光基板上への照射を停止するためにシャッターを開閉する場合と比べて処理時間が短縮され、スループット(生産性)が向上する利点がある。また、照明光の光特性の異常を検出した場合、光特性が所定状態に復帰後直ちに次のショット領域への露光動作を開始するため、照明光の光特性の異常に伴う露光不良のショット領域、即ち、不良ショットに対して露光動作を継続する無駄が省かれる。また、次のショット領域からは正常な光特性を有する照明光が露光に用いられるので、不良ショットの発生が抑えられ、製造される素子の歩留りが向上する利点がある。
【0043】
また、照明光の光特性が変動したときに露光されていたショット領域の位置を記憶する場合には、光特性の変動時に露光されていたショット領域の位置をその後の露光工程において確実に特定できる利点がある。
また、その後の露光工程において、照明光の光特性が変動したときに露光されていたショット領域を露光対象から除外する場合には、その後の露光工程において不良ショットを露光する無駄が省かれるため、更にスループットが向上する。
【0044】
また、その後の露光工程において、照明光の光特性が変動したときに露光されていたショット領域の位置合わせ用のマークを使用せずに、マスクパターンの像とその感光基板との位置合わせを行う場合には、例えばEGA方式等の統計処理によりアライメントが行われる場合、照明光の光特性の変動に伴う不良ショットをサンプルショットから除外できるため、重ね合わせ精度が向上し、結果として製造される素子の歩留りが向上する利点がある。
【0045】
また、本発明の第2の露光方法によれば、感光基板上に塗布された感光材料の許容処理時間が尽きる前に感光基板を次の処理工程に回すので、既に露光が終了したショット領域を救済することができる。従って、製造される素子の歩留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による露光方法の実施の形態の一例を示すフローチャートである。
【図2】図1の露光方法を実施するために使用される投影露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図3】本発明による露光方法の実施の形態の他の例を示す要部のフローチャートである。
【図4】図3の露光方法を実施するために使用される投影露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図5】本発明による露光方法の実施の形態の更に他の例を示す要部のフローチャートである。
【図6】エキシマレーザ光の波長狭帯化の様子を示すスペクトル図である。
【図7】従来の投影露光装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1 光源
2 狭帯化モジュール
3 電源
5 ビームスプリッタ
6 波長モニタ
8 照明光学系
10 レチクル
11 投影光学系
12 ウエハ
13 ウエハステージ
14 中央制御系
15 集中制御系
Claims (6)
- 露光用の光源からの照明光のもとで、マスクに形成されたパターンの像で感光基板上の複数のショット領域を逐次露光する露光方法において、
前記複数のショット領域のうちの一つのショット領域を前記マスクパターンの像で露光しているときに前記照明光の光特性が所定状態から許容範囲を越えて変動した場合、当該ショット領域への露光を続けながら、前記照明光の光特性が前記所定状態に復帰するよう前記光源を制御し、
前記照明光の光特性が前記所定状態に復帰後、当該ショット領域から他のショット領域への露光動作を開始することを特徴とする露光方法。 - 請求項1記載の露光方法であって、
前記照明光の光特性が変動したときに露光されていたショット領域の位置を記憶することを特徴とする露光方法。 - 請求項2記載の露光方法であって、
その後の露光工程において、前記照明光の光特性が変動したときに露光されていたショット領域を露光対象から除外することを特徴とする露光方法。 - 請求項2、又は3記載の露光方法であって、
その後の露光工程において、前記照明光の光特性が変動したときに露光されていたショット領域の位置合わせ用のマークを使用せずに、マスクパターンの像と前記感光基板との位置合わせを行うことを特徴とする露光方法。 - 露光用の光源からの照明光のもとで、マスクに形成されたパターンの像で感光基板上の複数のショット領域を逐次露光する露光方法において、
前記複数のショット領域のうちの一つのショット領域を前記マスクパターンの像で露光しているときに前記照明光の光特性が所定状態から許容範囲を越えて変動した場合、当該ショット領域への露光を続けながら、前記照明光の光特性が前記所定状態に復帰するよう前記光源を制御し、
該光源の制御に並行して、前記照明光の光特性を前記所定状態に復帰させるのに要する復帰時間を推定し、
該推定される復帰時間が前記感光基板上に塗布されている感光材料の許容処理時間を越える場合には、前記感光基板への露光動作を中止して、該感光基板を露光工程の次の処理工程へ搬送し、
前記推定される復帰時間が前記感光基板上に塗布されている感光材料の許容処理時間を越えない場合には、前記照明光の光特性が前記所定状態に復帰後、当該ショット領域から他のショット領域への露光動作を開始することを特徴とする露光方法。 - 請求項1〜5の何れか一項記載の露光方法であって、
前記光特性は、波長又はスペクトル幅であることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33665395A JP3600883B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 露光方法 |
KR1019960074380A KR970049075A (ko) | 1995-12-25 | 1996-12-24 | 노광 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33665395A JP3600883B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09180984A JPH09180984A (ja) | 1997-07-11 |
JP3600883B2 true JP3600883B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=18301400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33665395A Expired - Fee Related JP3600883B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 露光方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3600883B2 (ja) |
KR (1) | KR970049075A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329432A (ja) | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Canon Inc | 露光装置 |
US8837536B2 (en) * | 2010-04-07 | 2014-09-16 | Cymer, Llc | Method and apparatus for controlling light bandwidth |
US9778108B2 (en) * | 2015-05-22 | 2017-10-03 | Cymer, Llc | Metrology system and method having a plurality of sensors for estimating a spectral feature of a pulsed light beam |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP33665395A patent/JP3600883B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-24 KR KR1019960074380A patent/KR970049075A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09180984A (ja) | 1997-07-11 |
KR970049075A (ko) | 1997-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4264676B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
JPH08250402A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
WO1998059364A1 (fr) | Aligneur de projection, son procede de fabrication, procede d'exposition dudit aligneur et procede de fabrication de composants au moyen de l'aligneur | |
JPH09148216A (ja) | 露光量制御方法 | |
JPH09162106A (ja) | 走査型露光装置 | |
US7483764B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
US5010230A (en) | Laser processor | |
JP3378271B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びに前記方法を使用するデバイス製造方法 | |
JP2003068622A (ja) | 露光装置及びその制御方法並びにデバイスの製造方法 | |
WO1999031716A1 (fr) | Aligneur, methode d'exposition et procede de fabrication de ce dispositif | |
JPH09320932A (ja) | 露光量制御方法及び装置 | |
JP3600883B2 (ja) | 露光方法 | |
JPH09115799A (ja) | 走査型露光装置 | |
JP3414476B2 (ja) | 投影露光装置 | |
JP2003051438A (ja) | 反射部材及びその調整方法、露光装置及びその製造方法、並びにマイクロデバイスの製造方法 | |
US8300209B2 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP3564833B2 (ja) | 露光方法 | |
JP3039531B2 (ja) | 回路パターンの製造方法 | |
US6744492B2 (en) | Exposure apparatus | |
JPH1050600A (ja) | 投影露光方法及び投影露光装置 | |
JPH09199403A (ja) | 投影露光装置 | |
US9036131B2 (en) | Exposure apparatus and device fabrication method | |
JPH01239923A (ja) | 露光装置 | |
JP2877111B2 (ja) | 回路パターン製造方法および露光装置 | |
JP2001044099A (ja) | 露光装置及び露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040615 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071001 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |