JP6661669B2 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

特表２０１４−５３１７４３号公報 特開２０１３−７４２９２号公報 米国特許第８５９８５５２号明細書

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバ内の所定領域でターゲットに複数のレーザ光が照射されることによって生成された極端紫外光のエネルギを計測するＥＵＶセンサと、所定領域においてターゲットに照射される複数のレーザ光のそれぞれの照射位置の少なくとも１つを調整する照射位置調整部と、所定領域においてターゲットに照射される複数のレーザ光のそれぞれの照射タイミングの少なくとも１つを調整する照射タイミング調整部と、照射位置調整部及び照射タイミング調整部を制御する制御部と、を備え、制御部は、ＥＵＶセンサの計測結果に基づいて、照射位置調整部を制御した後に照射タイミング調整部を制御してもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を説明するための図を示す。 図３は、図２に示されたレーザ装置から出力されたパルスレーザ光がターゲットを照射するタイミングを説明するための図を示す。 図４は、パルスレーザ光の照射位置及び照射タイミングを調整する処理のフローチャートを示す図である。 図５は、図４のステップＳ２乃至Ｓ７に示された照射位置調整処理のフローチャートを示す図である。 図６は、図５に示された照射位置調整処理における走査水準群を例示する図である。 図７は、図６に示された走査水準群に基づいて作成されたＥＵＶ光のエネルギの分布図を例示する図である。 図８は、図７に示された分布図から求められた近似曲線を例示する図である。 図９は、図４のステップＳ９に示された照射タイミング調整処理のフローチャートを示す図である。 図１０は、図９に示された照射タイミング調整処理における走査水準群を例示する図である。 図１１は、図１０に示された走査水準群に基づいて作成された第２テーブルを例示する図である。 図１２は、図１０に示された走査水準群に基づいて作成された第１テーブルを例示する図である。 図１３は、第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成制御部を説明するための図であって、図１０に示された走査水準群に基づいて作成された第１テーブルを例示する図である。 図１４は、第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成制御部を説明するための図であって、図１０に示された走査水準群に基づいて作成された第２テーブルを例示する図である。 図１５は、第２実施形態に係る照射位置調整処理のフローチャートを示す図である。 図１６は、図１５に示された照射位置調整処理の概要を説明するための図であって、ＥＵＶ光のエネルギの分布図を例示する図である。 図１７は、図１５に示された照射位置調整処理の概要を説明するための図であって、走査水準の進行順番を例示する図である。 図１８は、図１５に示された照射位置調整処理の概要を説明するための図であって、図１７に示された順番で走査された各走査水準に対応付けられたエネルギを例示する図である。 図１９は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図２０は、第３実施形態に係る照射位置調整処理のフローチャートを示す図である。 図２１は、第３実施形態に係る照射タイミング調整処理のフローチャートを示す図である。 図２２は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図２３は、第４実施形態に係る照射位置調整処理のフローチャートを示す図である。 図２４は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。

実施形態

＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．用語の説明
３．課題
３．１ 比較例の構成
３．２ 比較例の動作
３．３ 課題
４．第１実施形態
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用効果
４．４ 変形例
５．第２実施形態
５．１ 動作
５．２ 作用効果
６．第３実施形態
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用効果
７．第４実施形態
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用効果
８．その他
８．１ 各制御部のハードウェア環境
８．２ その他の変形例等

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［１．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給器２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給器２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給器２６から供給されるターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収器２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

［１．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給器２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の出力タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。
「ターゲット軌道」は、チャンバ内に出力されたターゲットが進行する経路である。ターゲット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差してもよい。
「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。
「Ｚ軸方向」は、チャンバ内に導入されたレーザ光がプラズマ生成領域２５に向かって進行する際の当該レーザ光の進行方向である。Ｚ軸方向は、ＥＵＶ光生成装置がＥＵＶ光を出力する方向と略同一であってもよい。
「Ｙ軸方向」は、ターゲット供給器がチャンバ内にターゲットを出力する方向の逆方向である。Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に垂直な方向である。
「Ｘ軸方向」は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に垂直な方向である。

［３．課題］
図２及び図３を用いて、比較例のＥＵＶ光生成装置１を備えるＥＵＶ光生成システム１１について説明する。

［３．１ 比較例の構成］
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を説明するための図を示す。図３は、図２に示されたレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３３がターゲット２７を照射するタイミングを説明するための図を示す。
比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１は、レーザ装置３と、ＥＵＶ光生成装置１とを備えてもよい。

比較例に係るレーザ装置３は、プラズマ生成領域２５に供給された１つのターゲット２７を照射するために複数のパルスレーザ光を出力してもよい。
比較例に係るレーザ装置３は、この複数のパルスレーザ光として、例えば、第１プリパルスレーザ光３１ｂ、第２プリパルスレーザ光３１ｃ及びメインパルスレーザ光３１ａの３つのパルスレーザ光をこの順番で出力してもよい。
比較例に係るレーザ装置３は、メインパルスレーザ装置３ａと、第１プリパルスレーザ装置３ｂと、第２プリパルスレーザ装置３ｃとを備えてもよい。

メインパルスレーザ装置３ａは、メインパルスレーザ光３１ａを出力するレーザ装置３であってもよい。
メインパルスレーザ装置３ａは、ＣＯ_２レーザ装置等のガスレーザ装置であってもよい。
メインパルスレーザ光３１ａは、ターゲット２７をプラズマ化してＥＵＶ光２５１を生成するためにターゲット２７に照射されるレーザ光であってもよい。

第１及び第２プリパルスレーザ装置３ｂ及び３ｃは、それぞれ、第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃを出力するレーザ装置３であってもよい。
第１及び第２プリパルスレーザ装置３ｂ及び３ｃのそれぞれは、ＹＡＧレーザ装置等の固体レーザ装置であってもよい。
第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃのそれぞれは、メインパルスレーザ光３１ａがターゲット２７に照射される前段階として、ターゲット２７に照射されるレーザ光であってもよい。

ここで、ターゲット供給器２６から出力されプラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７を、１次ターゲットともいう。第１プリパルスレーザ光３１ｂは、１次ターゲットに照射されるレーザ光であってもよい。
第１プリパルスレーザ光３１ｂが照射された１次ターゲットを、２次ターゲットともいう。第２プリパルスレーザ光３１ｃは、２次ターゲットに照射されるレーザ光であってもよい。
第２プリパルスレーザ光３１ｃが照射された２次ターゲットを、３次ターゲットともいう。メインパルスレーザ光３１ａは、３次ターゲットに照射されるレーザ光であってもよい。

また、第１プリパルスレーザ光３１ｂが１次ターゲットに照射されるタイミングを、第１照射タイミングともいう。
第２プリパルスレーザ光３１ｃが２次ターゲットに照射されるタイミングを、第２照射タイミングともいう。
メインパルスレーザ光３１ａが３次ターゲットに照射されるタイミングを、第３照射タイミングともいう。

また、第１プリパルスレーザ光３１ｂが１次ターゲットに照射される位置を、第１プリパルスレーザ光３１ｂの照射位置ともいう。
第２プリパルスレーザ光３１ｃが２次ターゲットに照射される位置を、第２プリパルスレーザ光３１ｃの照射位置ともいう。
メインパルスレーザ光３１ａが３次ターゲットに照射される位置を、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置ともいう。

また、第１プリパルスレーザ光３１ｂの照射位置、第２プリパルスレーザ光３１ｃの照射位置及びメインパルスレーザ光３１ａの照射位置を総称して、パルスレーザ光３３の照射位置ともいう。
第１プリパルスレーザ光３１ｂ、第２プリパルスレーザ光３１ｃ及びメインパルスレーザ光３１ａを総称して、パルスレーザ光３１ともいう。或いは、第１プリパルスレーザ光３１ｂ、第２プリパルスレーザ光３１ｃ及びメインパルスレーザ光３１ａを総称して、パルスレーザ光３２ともいう。或いは、第１プリパルスレーザ光３１ｂ、第２プリパルスレーザ光３１ｃ及びメインパルスレーザ光３１ａを総称して、パルスレーザ光３３ともいう。
１次ターゲット、２次ターゲット及び３次ターゲットを総称して、ターゲット２７ともいう。
第１照射タイミング、第２照射タイミング及び第３照射タイミングを総称して、照射タイミングともいう。

比較例に係るＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、レーザ光集光光学系２２ａと、高反射ミラー３４１と、ミラー３４２と、第１ミラー光学系３４３と、ビームコンバイナ３５とを備えてもよい。加えて、比較例のＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給器２６と、ターゲット検出器４１と、画像センサ４３と、ＥＵＶセンサ４４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、遅延回路５１とを備えもよい。

チャンバ２は、内部に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されることで、ターゲット２７からプラズマが生成され、ＥＵＶ光２５２が生成される容器であってもよい。
チャンバ２の壁２ａは、チャンバ２の内部空間を形成し、チャンバ２の内部空間を外界から隔絶してもよい。
チャンバ２は、チャンバ２内へターゲット２７を供給するためのターゲット供給路２ｂを含んでもよい。

レーザ光集光光学系２２ａは、ウインドウ２１を介してチャンバ２内に入射したパルスレーザ光３２をプラズマ生成領域２５に集光する光学系であってもよい。
レーザ光集光光学系２２ａは、ウインドウ２１を透過したパルスレーザ光３２の光路上であって、ウインドウ２１とプラズマ生成領域２５との間に配置されてもよい。
レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ステージ２２１とを含んでもよい。

レーザ光集光ミラー２２は、ウインドウ２１を透過したパルスレーザ光３２を、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に向けて反射させてもよい。レーザ光集光ミラー２２は、ウインドウ２１を透過したパルスレーザ光３２を、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光してもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、ステージ２２１に搭載されてもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２２及び平面ミラー２２３を用いて構成されてもよい。

ステージ２２１は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸にて、レーザ光集光ミラー２２の位置及び姿勢の少なくとも１つを調整するステージであってもよい。
具体的には、ステージ２２１は、プラズマ生成領域２５において第１プリパルスレーザ光３１ｂが１次ターゲットに照射されるよう、レーザ光集光ミラー２２の位置及び姿勢の少なくとも１つを調整してもよい。ステージ２２１は、プラズマ生成領域２５において第２プリパルスレーザ光３１ｃが２次ターゲットに照射されるよう、レーザ光集光ミラー２２の位置及び姿勢の少なくとも１つを調整してもよい。ステージ２２１は、プラズマ生成領域２５においてメインパルスレーザ光３１ａが３次ターゲットに照射されるよう、レーザ光集光ミラー２２の位置及び姿勢の少なくとも１つを調整してもよい。
ステージ２２１の駆動は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

高反射ミラー３４１は、メインパルスレーザ装置３ａから出力されたメインパルスレーザ光３１ａの光路上であって、メインパルスレーザ装置３ａとビームコンバイナ３５との間に配置されてもよい。
高反射ミラー３４１は、メインパルスレーザ装置３ａから出力されたメインパルスレーザ光３１ａをビームコンバイナ３５に向けて反射させてもよい。

ミラー３４２は、第１プリパルスレーザ装置３ｂから出力された第１プリパルスレーザ光３１ｂの光路上であって、第１プリパルスレーザ装置３ｂとビームコンバイナ３５との間に配置されてもよい。ミラー３４２は、第１ミラー光学系３４３で反射された第２プリパルスレーザ光３１ｃの光路上であって、第１ミラー光学系３４３とビームコンバイナ３５との間に配置されてもよい。
ミラー３４２は、第１プリパルスレーザ装置３ｂから出力された第１プリパルスレーザ光３１ｂをビームコンバイナ３５に向けて反射させてもよい。ミラー３４２は、第１ミラー光学系３４３で反射された第２プリパルスレーザ光３１ｃをビームコンバイナ３５に向けて透過させてもよい。

第１ミラー光学系３４３は、第２プリパルスレーザ装置３ｃから出力された第２プリパルスレーザ光３１ｃの光路上であって、第２プリパルスレーザ装置３ｃとミラー３４２との間に配置されてもよい。第１ミラー光学系３４３は、レーザ光集光光学系２２ａに入射する前の第２プリパルスレーザ光３１ｃの光路上に配置されてもよい。
第１ミラー光学系３４３は、高反射ミラー３４３ａと、ステージ３４３ｂとを含んでもよい。

高反射ミラー３４３ａは、第２プリパルスレーザ光３１ｃの波長に対して高い反射率を有するミラーであってもよい。
高反射ミラー３４３ａは、ステージ３４３ｂに搭載されてもよい。
高反射ミラー３４３ａは、第２プリパルスレーザ装置３ｃから出力された第２プリパルスレーザ光３１ｃを、ミラー３４２を介して、ビームコンバイナ３５に向けて反射させてもよい。

ステージ３４３ｂは、高反射ミラー３４３ａの位置及び姿勢の少なくとも１つを調整してもよい。ステージ３４３ｂは、高反射ミラー３４３ａで反射された第２プリパルスレーザ光３１ｃの光路軸がミラー３４２で反射された第１プリパルスレーザ光３１ｂの光路軸と略同一となるよう、高反射ミラー３４３ａの位置及び姿勢を調整してもよい。
ステージ３４３ｂの駆動は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

ビームコンバイナ３５は、第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃとメインパルスレーザ光３１ａとを略同一の光路軸でチャンバ２内に導入させる光学系であってもよい。
ビームコンバイナ３５は、ウインドウ２１付近のチャンバ２の壁２ａに接続されてもよい。
ビームコンバイナ３５は、ダイクロイックミラー３５１と、第２ミラー光学系３５２とを含んでもよい。

ダイクロイックミラー３５１は、ダイヤモンド基板を用いて形成されてもよい。このダイヤモンド基板の表面には、第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃの波長に対して高い反射率を有し、メインパルスレーザ光３１ａの波長に対して高い透過率を有する膜がコーティングされてもよい。
ダイクロイックミラー３５１は、ミラー３４２で反射された第１プリパルスレーザ光３１ｂ及びミラー３４２を透過した第２プリパルスレーザ光３１ｃの光路上であって、ミラー３４２とウインドウ２１との間に配置されてもよい。ダイクロイックミラー３５１は、第２ミラー光学系３５２で反射されたメインパルスレーザ光３１ａの光路上であって、第２ミラー光学系３５２とウインドウ２１との間に配置されてもよい。
ダイクロイックミラー３５１は、ミラー３４２で反射された第１プリパルスレーザ光３１ｂ及びミラー３４２を透過した第２プリパルスレーザ光３１ｃを、ウインドウ２１を介して、レーザ光集光光学系２２ａに向けて反射させてもよい。ダイクロイックミラー３５１は、第２ミラー光学系３５２で反射されたメインパルスレーザ光３１ａをウインドウ２１に向けて透過させてもよい。

第２ミラー光学系３５２は、高反射ミラー３４１で反射されたメインパルスレーザ光３１ａの光路上であって、高反射ミラー３４１とダイクロイックミラー３５１との間に配置されてもよい。第２ミラー光学系３５２は、レーザ光集光光学系２２ａに入射する前のメインパルスレーザ光３１ａの光路上に配置されてもよい。
第２ミラー光学系３５２は、高反射ミラー３５２ａと、ステージ３５２ｂとを含んでもよい。

高反射ミラー３５２ａは、メインパルスレーザ光３１ａの波長に対して高い反射率を有するミラーであってもよい。
高反射ミラー３５２ａは、ステージ３５２ｂに搭載されてもよい。
高反射ミラー３５２ａは、高反射ミラー３４１で反射されたメインパルスレーザ光３１ａを、ダイクロイックミラー３５１及びウインドウ２１を介して、レーザ光集光光学系２２ａに向けて反射させてもよい。

ステージ３５２ｂは、高反射ミラー３５２ａの位置及び姿勢の少なくとも１つを調整してもよい。
ステージ３５２ｂは、高反射ミラー３５２ａで反射されたメインパルスレーザ光３１ａの光路軸がダイクロイックミラー３５１で反射された第１プリパルスレーザ光３１ｂの光路軸と略同一となるよう、高反射ミラー３５２ａの位置及び姿勢を調整してもよい。
ステージ３５２ｂの駆動は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

ターゲット供給器２６は、チャンバ２内に供給されるターゲット２７を溶融させ、ドロップレットの形態で、プラズマ生成領域２５に向けて出力する機器であってもよい。ターゲット供給器２６は、いわゆるコンティニュアスジェット方式でターゲット２７を出力する機器であってもよい。
ターゲット供給器２６によって供給されるターゲット２７は、金属材料で形成されてもよい。ターゲット２７を形成する金属材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含む材料であってもよい。好適には、ターゲット２７を形成する金属材料は、スズであってもよい。
ターゲット供給器２６は、チャンバ２のターゲット供給路２ｂの端部に設けられてもよい。
ターゲット供給器２６は、タンク２６１、ノズル２６２、ヒータ２６３、圧力調節器２６４及びピエゾ素子２６５を用いて構成されてもよい。
ターゲット供給器２６の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

ターゲット検出器４１は、チャンバ２内に出力されたターゲット２７を検出する検出器であってもよい。
具体的には、ターゲット検出器４１は、チャンバ２内の所定位置にある所定の検出領域Ｐをターゲット２７が通過したタイミングを検出する検出器であってもよい。検出領域Ｐがある所定位置は、ターゲット供給器２６とプラズマ生成領域２５との間にあるターゲット軌道Ｑ上の位置であってもよい。

ターゲット検出器４１は、照明部４１１と、検出部４１２とを含んでもよい。
照明部４１１及び検出部４１２は、それぞれウインドウ４２１及びウインドウ４２２を介して、ターゲット供給路２ｂの壁２ａに接続されてもよい。
照明部４１１及び検出部４１２は、ターゲット軌道Ｑ上の検出領域Ｐを挟んで互いに対向するように配置されてもよい。

照明部４１１は、検出領域Ｐを通過するターゲット２７を照明するように、検出領域Ｐに向けて照明光を出力してもよい。

検出部４１２は、検出領域Ｐを通過するターゲット２７を照明するように出力された照明光の光強度を検出することで、検出領域Ｐを通過するターゲット２７を検出してもよい。
検出部４１２で検出された照明光の光強度は、ターゲット２７が検出領域Ｐを通過する毎に変化してもよい。検出部４１２は、検出された照明光の光強度の変化に応じた検出信号を生成し、ＥＵＶ光生成制御部５に送信してもよい。
なお、検出部４１２によって検出された照明光の光強度の変化に応じた検出信号を、通過タイミング信号ともいう。

画像センサ４３は、プラズマ生成領域２５付近の画像を取得するセンサであってもよい。
画像センサ４３は、プラズマ生成領域２５と対向するようにチャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。
画像センサ４３は、プラズマ生成領域２５においてターゲット２７及びターゲット２７から生成されたプラズマの画像を取得し、ＥＵＶ光生成制御部５に送信してもよい。
画像センサ４３の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

ＥＵＶセンサ４４は、プラズマから放射されたＥＵＶ光２５１のエネルギを計測するセンサであってもよい。
ＥＵＶセンサ４４は、複数のＥＵＶセンサ４４から構成されてもよい。
複数のＥＵＶセンサ４４のそれぞれは、プラズマ生成領域２５と対向するようにチャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。
複数のＥＵＶセンサ４４のそれぞれは、プラズマ生成領域２５においてプラズマが生成された際にそれらによって計測されるエネルギの差が小さくなるよう、プラズマ生成領域２５に対して等方的に配置されてもよい。
複数のＥＵＶセンサ４４のそれぞれは、プラズマ生成領域２５においてプラズマから放射されたＥＵＶ光２５１のエネルギを計測し、ＥＵＶ光生成制御部５に送信してもよい。
複数のＥＵＶセンサ４４のそれぞれの動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６との間で各種信号の送受信を行ってもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６からの各種信号に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１の各構成要素の動作を統括的に制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３に各種信号を送信し、パルスレーザ光３１のパルスエネルギ及びパルス幅を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ステージ２２１、ステージ３４３ｂ及びステージ３５２ｂに駆動信号を送信し、パルスレーザ光３３の進行方向及び照射位置を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給器２６に各種信号を送信し、ターゲット供給器２６からのターゲット２７の出力を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、遅延回路５１に遅延時間を設定すると共に、ターゲット検出器４１からの通過タイミング信号を遅延回路５１に送信してもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３、画像センサ４３及びＥＵＶセンサ４４の動作タイミングを間接的に制御してもよい。

遅延回路５１は、ＥＵＶ光生成制御部５によって設定された遅延時間に応じて、レーザ装置３、画像センサ４３及びＥＵＶセンサ４４の動作タイミングを調整する回路であってもよい。
遅延回路５１に設定される遅延時間は、図３に示されるような遅延時間Ｄｔ１乃至Ｄｔ３を含んでもよい。遅延時間Ｄｔ１乃至Ｄｔ３は、レーザ装置３がパルスレーザ光３１を出力するタイミングを規定してもよい。

遅延時間Ｄｔ１は、第１プリパルスレーザ光３１ｂが１次ターゲットに適切に照射されるよう、第１照射タイミングを調整するための時間であってもよい。遅延時間Ｄｔ１は、第１プリパルスレーザ光３１ｂがプラズマ生成領域２５に到達するタイミングが、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に供給されるタイミングと略一致するように予め決定されてもよい。
遅延時間Ｄｔ２は、第２プリパルスレーザ光３１ｃが２次ターゲットに適切に照射されるよう第２照射タイミングを調整するための時間であってもよい。
遅延時間Ｄｔ３は、メインパルスレーザ光３１ａが３次ターゲットに適切に照射されるよう第３照射タイミングを調整するための時間であってもよい。

なお、遅延時間Ｄｔ２は、本開示の第１遅延時間を構成してもよい。遅延時間Ｄｔ３は、本開示の第２遅延時間を構成してもよい。

［３．２ 比較例の動作］
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３、画像センサ４３及びＥＵＶセンサ４４の動作タイミングを調整するための設定値を、遅延回路５１に設定してもよい。遅延回路５１に設定される設定値には、遅延時間Ｄｔ１乃至Ｄｔ３が含まれてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、第１プリパルスレーザ装置３ｂから出力される第１プリパルスレーザ光３１ｂのパルスエネルギ及びパルス幅の少なくとも１つを制御するための設定値を、第１プリパルスレーザ装置３ｂに設定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、第２プリパルスレーザ装置３ｃから出力される第２プリパルスレーザ光３１ｃのパルスエネルギ及びパルス幅の少なくとも１つを制御するための設定値を、第２プリパルスレーザ装置３ｃに設定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ装置３ａから出力されるメインパルスレーザ光３１ａのパルスエネルギ若しくはパルス幅又はパルス波形を制御するための設定値を、メインパルスレーザ装置３ａに設定してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給器２６を制御し、ターゲット供給器２６からプラズマ生成領域２５に向けてターゲット２７を出力させてもよい。
例えば、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給器２６に含まれるヒータ２６３をターゲット２７の融点以上の温度まで加熱させ、ターゲット供給器２６に含まれるタンク２６１に収容された固体のターゲット２７を溶融させてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給器２６に含まれる圧力調節器２６４を制御して、タンク２６１内のターゲット２７が所定速度で連続的にノズル２６２から出力されるよう、タンク２６１内のターゲット２７に所定圧力を加えてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給器２６に含まれるピエゾ素子２６５を所定波形で振動させ、連続的に出力されたターゲット２７を所定周期で分断してドロップレット状のターゲット２７を形成し、所定周波数でノズル２６２から出力させてもよい。

チャンバ２内へ出力されたターゲット２７は、ドロップレットの形態でターゲット軌道Ｑ上を進行し、検出領域Ｐを通過し得る。

ターゲット検出器４１の照明部４１１は、検出領域Ｐを通過するターゲット２７を照明するように、検出領域Ｐに向けて照明光を出力してもよい。
ターゲット検出器４１の検出部４１２は、検出領域Ｐに出力された照明光を検出することで検出領域Ｐを通過するターゲット２７を検出してもよい。検出部４１２は、ＥＵＶ光生成制御部５に通過タイミング信号を送信してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット検出器４１から送信された通過タイミング信号を受信し、遅延回路５１に送信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、受信された通過タイミング信号をそのまま遅延回路５１に送信してもよい。

遅延回路５１は、ＥＵＶ光生成制御部５からの通過タイミング信号を受信したタイミングから遅延時間Ｄｔ１だけ付加されたタイミングに第１照射タイミングが到来するよう、第１プリパルスレーザ装置３ｂに第１トリガ信号を送信してもよい。
第１トリガ信号は、第１プリパルスレーザ装置３ｂが第１プリパルスレーザ光３１ｂを出力する契機を与えるための信号であってもよい。

第１プリパルスレーザ装置３ｂは、第１トリガ信号を受信すると、ＥＵＶ光生成制御部５によって設定されたパルスエネルギ及びパルス幅の少なくとも１つを有する第１プリパルスレーザ光３１ｂを出力してもよい。

第１プリパルスレーザ装置３ｂから出力された第１プリパルスレーザ光３１ｂは、ミラー３４２及びダイクロイックミラー３５１で反射され、ウインドウ２１を透過し得る。ウインドウ２１を透過した第１プリパルスレーザ光３１ｂは、チャンバ２内に入射し、レーザ光集光光学系２２ａによって所定スポット直径Ｄ１でプラズマ生成領域２５に集光され得る。プラズマ生成領域２５に集光された第１プリパルスレーザ光３１ｂは、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７である１次ターゲットを第１照射タイミングで照射し得る。

１次ターゲットは、上述のように、ドロップレットの形態でプラズマ生成領域２５に供給され得る。１次ターゲットは、第１プリパルスレーザ光３１ｂが照射されると、破壊され、マイクロドロップレット及びクラスタ等のターゲット２７の微粒子がミスト状に拡散した２次ターゲットに変容し得る。すなわち、２次ターゲットは、第１プリパルスレーザ光が照射されることによってドロップレット状の１次ターゲットから変容したターゲット２７であり得る。

遅延回路５１は、第１照射タイミングから遅延時間Ｄｔ２だけ付加されたタイミングに第２照射タイミングが到来するよう、第２プリパルスレーザ装置３ｃに第２トリガ信号を送信してもよい。
第２トリガ信号は、第２プリパルスレーザ装置３ｃが第２プリパルスレーザ光３１ｃを出力する契機を与えるための信号であってもよい。

第２プリパルスレーザ装置３ｃは、第２トリガ信号を受信すると、ＥＵＶ光生成制御部５によって設定されたパルスエネルギ及びパルス幅の少なくとも１つを有する第２プリパルスレーザ光３１ｃを出力してもよい。

第２プリパルスレーザ装置３ｃから出力された第２プリパルスレーザ光３１ｃは、第１ミラー光学系３４３によって、ミラー３４２で反射された第１プリパルスレーザ光３１ｂと略同一の光路軸を有するように反射され得る。第１ミラー光学系３４３で反射された第２プリパルスレーザ光３１ｃは、ミラー３４２を透過して、第１プリパルスレーザ光３１ｂと略同一の光路軸を有してダイクロイックミラー３５１で反射され得る。ダイクロイックミラー３５１で反射された第２プリパルスレーザ光３１ｃは、第１プリパルスレーザ光３１ｂと略同一の光路軸を有して、ウインドウ２１を透過し得る。ウインドウ２１を透過した第２プリパルスレーザ光３１ｃは、チャンバ２内に入射し、レーザ光集光光学系２２ａによって所定スポット直径Ｄ２でプラズマ生成領域２５に集光され得る。プラズマ生成領域２５に集光された第２プリパルスレーザ光３１ｃは、第１プリパルスレーザ光３１ｂが照射された１次ターゲットである２次ターゲットを第２照射タイミングで照射し得る。

２次ターゲットは、第２プリパルスレーザ光３１ｃが照射されると、更に微細になったターゲット２７の微粒子と、ターゲット２７の蒸気とを含む３次ターゲットに変容し得る。３次ターゲットは、ターゲット２７の一部がプラズマ化したプリプラズマを含んでもよい。プリプラズマは、２次ターゲットの一部がプラズマ化してイオン又は中性粒子を含む形態となったターゲット２７であり得る。すなわち、３次ターゲットは、第２プリパルスレーザ光３１ｃが照射されることによってミスト状の２次ターゲットから変容したターゲット２７であり得る。

遅延回路５１は、第１照射タイミングから遅延時間Ｄｔ３だけ付加されたタイミングに第３照射タイミングが到来するよう、メインパルスレーザ装置３ａに第３トリガ信号を送信してもよい。
第３トリガ信号は、メインパルスレーザ装置３ａがメインパルスレーザ光３１ａを出力する契機を与えるための信号であってもよい。

メインパルスレーザ装置３ａは、第３トリガ信号を受信すると、ＥＵＶ光生成制御部５によって設定されたパルスエネルギ、パルス幅及びパルス波形の少なくとも１つを有するメインパルスレーザ光３１ａを出力してもよい。

メインパルスレーザ装置３ａから出力されたメインパルスレーザ光３１ａは、高反射ミラー３４１で反射され得る。高反射ミラー３４１で反射されたメインパルスレーザ光３１ａは、第２ミラー光学系３５２によって、ダイクロイックミラー３５１で反射された第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃと略同一の光路軸を有するように反射され得る。第２ミラー光学系３５２で反射されたメインパルスレーザ光３１ａは、ダイクロイックミラー３５１を透過して、第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃと略同一の光路軸を有して、ウインドウ２１を透過し得る。ウインドウ２１を透過したメインパルスレーザ光３１ａは、チャンバ２内に入射し、レーザ光集光光学系２２ａによって所定スポット直径Ｄｍでプラズマ生成領域２５に集光され得る。プラズマ生成領域２５に集光されたメインパルスレーザ光３１ａは、第２プリパルスレーザ光３１ｃが照射された２次ターゲットである３次ターゲットを第３照射タイミングで照射し得る。

３次ターゲットは、メインパルスレーザ光３１ａが照射されると、プラズマ化して、ＥＵＶ光２５１を含む光を放射し得る。プラズマから放射されたＥＵＶ光２５１のうち特定の波長付近のＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３で選択的に反射され得る。選択的に反射されたＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ光２５２として中間集光点２９２に集光され、露光装置６に出力され得る。
メインパルスレーザ光３１ａを３次ターゲットに照射することは、メインパルスレーザ光３１ａを１次又は２次ターゲットに照射することに比べて、メインパルスレーザ光３１ａによるＥＵＶ光２５１の生成効率を高め得る。

また、遅延回路５１は、プラズマから放射されたＥＵＶ光２５１のエネルギが適切に計測されるよう、第１ゲート信号を複数のＥＵＶセンサ４４のそれぞれに送信してもよい。
第１ゲート信号は、ＥＵＶセンサ４４がＥＵＶ光２５１のエネルギを計測する契機を与える信号であってもよい。
例えば、遅延回路５１は、第３照射タイミングから後続する第１照射タイミングまでの間にＥＵＶセンサ４４の計測タイミングが到来するよう、複数のＥＵＶセンサ４４のそれぞれに第１ゲート信号を送信してもよい。

複数のＥＵＶセンサ４４のそれぞれは、第１ゲート信号を受信すると、プラズマから放射されたＥＵＶ光２５１のエネルギを計測し、その計測値をＥＵＶ光生成制御部５に送信してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、複数のＥＵＶセンサ４４から送信された複数の計測値の平均値を、ＥＵＶセンサ４４の計測結果として記憶してもよい。

また、遅延回路５１は、１次ターゲットの画像が適切に取得されるよう、所定時間幅を有する第２ゲート信号を画像センサ４３に送信してもよい。
第２ゲート信号は、画像センサ４３が露光されてプラズマ生成領域２５付近の画像を取得する契機を与える信号であってもよい。第２ゲート信号は、その時間幅だけ画像センサ４３を露光させて画像を取得させる信号であってもよい。
例えば、遅延回路５１は、ＥＵＶ光生成制御部５からの通過タイミング信号を受信したタイミングから第１照射タイミングまでの間に画像センサ４３が第２ゲート信号を受信するよう、画像センサ４３に第２ゲート信号を送信してもよい。

同様に、遅延回路５１は、２次ターゲットの画像が適切に取得されるよう、画像センサ４３に第２ゲート信号を送信してもよい。例えば、遅延回路５１は、第１照射タイミング以後に画像センサ４３が第２ゲート信号の受信を開始し、第２照射タイミングより前に画像センサ４３が第２ゲート信号の受信を終了するよう、画像センサ４３に第２ゲート信号を送信してもよい。
遅延回路５１は、３次ターゲットの画像が適切に取得されるよう、画像センサ４３に第２ゲート信号を送信してもよい。例えば、遅延回路５１は、第２照射タイミング以後に画像センサ４３が第２ゲート信号の受信を開始し、第３照射タイミングより前に画像センサ４３が第２ゲート信号の受信を終了するよう、画像センサ４３に第２ゲート信号を送信してもよい。
遅延回路５１は、プラズマの画像が適切に取得されるよう、画像センサ４３に第２ゲート信号を送信してもよい。例えば、遅延回路５１は、第３照射タイミング以後に画像センサ４３が第２ゲート信号の受信を開始し、後続する第１照射タイミングより前に画像センサ４３が第２ゲート信号の受信を終了するよう、画像センサ４３に第２ゲート信号を送信してもよい。

画像センサ４３は、これらの第２ゲート信号を受信すると、１次乃至３次ターゲット並びにプラズマのそれぞれの画像を取得してもよい。画像センサ４３は、取得された１次乃至３次ターゲット並びにプラズマのそれぞれの画像を、ＥＵＶ光生成制御部５に送信してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、取得された１次乃至３次ターゲット並びにプラズマの少なくとも１つの画像を解析し、解析結果に基づいて、遅延回路５１に設定される設定値を修正してもよい。
例えば、ＥＵＶ光生成制御部５は、２次ターゲットの画像を解析し、所定サイズに拡散した２次ターゲットが画像内の所定位置に配置されるよう、第２ゲート信号の送信タイミングに係る設定値並びに遅延時間Ｄｔ１乃至Ｄｔ３を修正してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、修正された設定値を遅延回路５１に再設定してもよい。

［３．３ 課題］
比較例のＥＵＶ光生成装置１では、第１及び第２プリパルス３１ｂ及び３１ｃ並びにメインパルスレーザ光３１ａが、互いに略同一の光路軸を有し、それぞれがプラズマ生成領域２５に集光され得るよう予め設計され得る。このため、ＥＵＶ光生成装置１の製造直後では、第１及び第２プリパルス３１ｂ及び３１ｃ並びにメインパルスレーザ光３１ａは、１次乃至３次ターゲットをそれぞれ適正な照射位置で照射し得る。
言い換えると、ＥＵＶ光生成装置１の製造直後では、パルスレーザ光３３の照射位置は、設計時の照射位置と略一致し得る。設計時の照射位置は、例えば、パルスレーザ光３３の標準的な照射条件を参考にして定められた位置であり得る。

一方、ＥＵＶ光生成装置１のメンテナンス後には、パルスレーザ光３３の照射位置を調整する必要があり得る。これは、メンテナンス時に交換した部品の機差が存在する他、設計時とメンテナンス後とでは、各構成要素のアライメントに差異が発生するからであり得る。パルスレーザ光３３の照射位置がずれると、ＥＵＶ光２５１の生成に寄与しないターゲット２７であるデブリが多量に発生し、ＥＵＶ光２５１の生成効率が低下し得る。
特に、第２プリパルス及びメインパルスレーザ光３１ｂ及び３１ａの照射位置の調整は、重要であり得る。これは、第２プリパルス及びメインパルスレーザ光３１ｂ及び３１ａは、第１プリパルスレーザ光３１ｂに比べて、プラズマ生成領域２５における照射位置のずれに対する許容度が小さい場合があるからであり得る。すなわち、プラズマ生成領域２５における第１プリパルスレーザ光３１ｂの照射径は、１次ターゲットの直径よりも十分に大きく設定され得る。これに対し、プラズマ生成領域２５における第２プリパルス及びメインパルスレーザ光３１ｃ及び３１ａの各照射径は、それぞれ、２次及び３次ターゲットの各直径と略等しいか僅かに大きく設定され得る。よって、第２プリパルス及びメインパルスレーザ光３１ｂ及び３１ａの照射位置が設計時の照射位置からずれることは、デブリの発生及びＥＵＶ光２５１の生成効率の低下に大きな影響を与え、ＥＵＶ光２５２の出力低下に大きな影響を与え得る。このようなことから、第２プリパルス及びメインパルスレーザ光３１ｂ及び３１ａは、第１プリパルスレーザ光３１ｂに比べて、照射位置のずれに対する許容度が小さい場合があり得る。
また、パルスレーザ光３３の照射位置を調整する場合、第１乃至第３トリガ信号の送信タイミングを規定する遅延時間Ｄｔ１乃至Ｄｔ３の調整も必要であり得る。

このような状況の下、パルスレーザ光３３の照射位置を調整する場合、比較例のＥＵＶ光生成装置１では、熟練したオペレータが、画像センサ４３及びＥＵＶセンサ４４等の計測結果に基づいて各構成要素のアライメントを調整していた。
このため、比較例のＥＵＶ光生成装置１では、パルスレーザ光３３の照射位置を調整する場合、その調整手順及び調整精度がオペレータによって異なることがあり得る。加えて、その調整に必要な工数も増大することがあり得る。

したがって、デブリを抑制してＥＵＶ光２５１の生成効率を確保しつつ、高精度、高再現性及び低工数でパルスレーザ光３３の照射条件を調整し得る技術が望まれている。

［４．第１実施形態］
図２乃至図１２を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、パルスレーザ光３３の照射位置及び照射タイミングを自動で調整する機能を備えてもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については、説明を省略する。

［４．１ 構成］
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、照射位置調整部７と、照射タイミング調整部８とを備えてもよい。

照射位置調整部７は、プラズマ生成領域２５においてターゲット２７に照射される複数のパルスレーザのそれぞれの照射位置の少なくとも１つを調整する機構であってもよい。少なくとも、照射位置調整部７は、第２プリパルス及びメインパルスレーザ光３１ｂ及び３１ａの照射位置を調整する機構であってもよい。
照射位置調整部７は、図２に示された、レーザ光集光光学系２２ａ、第１ミラー光学系３４３及び第２ミラー光学系３５２を用いて構成されてもよい。
照射位置調整部７の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

照射タイミング調整部８は、プラズマ生成領域２５においてターゲット２７に照射される複数のパルスレーザのそれぞれの照射タイミングの少なくとも１つを調整するための機能であってもよい。少なくとも、照射タイミング調整部８は、第２プリパルス及びメインパルスレーザ光３１ｂ及び３１ａの照射タイミングを調整する機能であってもよい。
照射タイミング調整部８は、図２に示された、遅延回路５１を用いて構成されてもよい。
照射タイミング調整部８の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。
なお、照射タイミング調整部８は、ＥＵＶ光生成制御部５が備えるソフトウェアで構成されてもよい。この場合、照射タイミング調整部８の機能を構成するソフトウェアによる情報処理は、ハードウェア資源を用いて具体的に実現され得る。

ＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整部７及び照射タイミング調整部８を制御してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶセンサ４４の計測結果に基づいて、照射位置調整部７及び照射タイミング調整部８を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、所定事象が発生した後に、ＥＵＶセンサ４４の計測結果に基づいて、照射位置調整部７及び照射タイミング調整部８を制御してもよい。
所定事象とは、ＥＵＶ光生成装置１のメンテナンス、及び、ＥＵＶ光生成装置１の出力が所望の値を下回る事象の少なくとも１つであってもよい。
ＥＵＶ光生成装置１のメンテナンスは、例えば、チャンバ２の交換、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換、ターゲット供給器２６の交換、レーザ光進行方向制御部３４の交換及びレーザ伝播系の交換等であってもよい。

第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［４．２ 動作］
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。具体的には、パルスレーザ光３３の照射位置及び照射タイミングを調整するために、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５が行う処理について説明する。

図４は、パルスレーザ光３３の照射位置及び照射タイミングを調整する処理のフローチャートを示す図である。
図４に示された処理は、ＥＵＶ光生成装置１のメンテナンス等の上述の所定事象が発生した後に、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５によって実行されてもよい。

ステップＳ１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、初期条件を設定してもよい。
初期条件の設定には、パルスレーザ光３３の出力条件、スポット直径Ｄ（Ｄ１、Ｄ２、Ｄｍ）、並びに、２次及び３次ターゲットの拡散速度の設定が含まれてもよい。
スポット直径Ｄ１は、プラズマ生成領域２５における第１プリパルスレーザ光３１ｂの照射径であってもよい。
スポット直径Ｄ２は、プラズマ生成領域２５における第２プリパルスレーザ光３１ｃの照射径であってもよい。
スポット直径Ｄｍは、プラズマ生成領域２５におけるメインパルスレーザ光３１ａの照射径であってもよい。
したがって、本明細書における「スポット直径」という表記は、必ずしもビームウエスト部分におけるビーム直径を意味しない。また、パルスレーザ光３３の照射径は、プラズマ生成領域２５に向かって進行するパルスレーザ光３３のビーム直径であって、パルスレーザ光３３の進行方向に略垂直であってプラズマ生成領域２５に交差する平面上でのビーム直径として定義されてもよい。
２次及び３次ターゲットの拡散速度は、画像センサ４３によって取得された画像に基づいて予め決定されてもよい。

更に、初期条件の設定には、照射位置調整部７の各調整量の許容値Ｒ（Ｒｍ、Ｒ２、Ｒｆ）の設定が含まれてもよい。
照射位置調整部７の各調整量とは、レーザ光集光光学系２２ａ、第１ミラー光学系３４３及び第２ミラー光学系３５２の各調整量であってもよい。
許容値Ｒｍは、第２ミラー光学系３５２の調整量の許容値であってもよい。具体的には、許容値Ｒｍは、第２ミラー光学系３５２に含まれるステージ３５２ｂの調整量の許容値であってもよい。許容値Ｒｍは、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置の調整量における許容値に対応し得る。
許容値Ｒ２は、第１ミラー光学系３４３の調整量の許容値であってもよい。具体的には、許容値Ｒ２は、第１ミラー光学系３４３に含まれるステージ３４３ｂの調整量の許容値であってもよい。許容値Ｒ２は、第２プリパルスレーザ光３１ｃの照射位置の調整量における許容値に対応し得る。
許容値Ｒｆは、レーザ光集光光学系２２ａの調整量の許容値であってもよい。具体的には、レーザ光集光光学系２２ａに含まれるステージ２２１の調整量の許容値であってもよい。
許容値Ｒの取り得る範囲は、（Ｄ／８）以上（Ｄ／２）以下であってもよい。好適には、許容値Ｒｍ及びＲ２は、（Ｄ／３）であってもよい。好適には、許容値Ｒｆは、（Ｄ／４）であってもよい。

更に、初期条件の設定には、照射タイミング調整部８の各調整量の許容値Ｔ（Ｔｔｄ、Ｔｔ３）の設定が含まれてもよい。
照射タイミング調整部８の各調整量とは、遅延回路５１に設定される遅延時間Ｄｔ２及びＤｔ３に関する各調整量であってもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、照射タイミング調整部８が実際に調整する因子は、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３であってもよい。差分時間Ｄｔｄは、図３に示されるように、遅延時間Ｄｔ３と遅延時間Ｄｔ２との差分であってもよい。差分時間Ｄｔｄを調整することは、遅延時間Ｄｔ２を調整することと実質的に同じことであってもよい。すなわち、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、照射タイミング調整部８の各調整量とは、実質的に、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３の各調整量であってもよい。
許容値Ｔｔｄは、差分時間Ｄｔｄの調整量の許容値であってもよい。許容値Ｔｔｄは、第２照射タイミングの調整量の許容値に対応し得る。
許容値Ｔｔ３は、遅延時間Ｄｔ３の調整量の許容値であってもよい。許容値Ｔｔ３は、第３照射タイミングの調整量の許容値に対応し得る。
許容値Ｔｔｄの取り得る範囲は、１００ｎｓ以上３００ｎｓ以下であってもよい。好適には、許容値Ｔｔｄは、１００ｎｓであってもよい。
許容値Ｔｔ３の取り得る範囲は、２００ｎｓ以上７００ｎｓ以下であってもよい。好適には、許容値Ｔｔ３は、５００ｎｓであってもよい。

なお、遅延時間Ｄｔ１は、検出領域Ｐからプラズマ生成領域２５までの距離と、１次ターゲットの進行速度と、第１トリガ信号の送信タイミングから第１プリパルスレーザ光３１ｂがプラズマ生成領域２５に到達するタイミングまでの時間とを用いて決定され得る。
このため、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、照射タイミング調整部８を制御する際、第１照射タイミングの調整としては、予め決定された遅延時間Ｄｔ１を遅延回路５１に設定すればよい。すなわち、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、遅延時間Ｄｔ１を調整しなくてもよい。

更に、初期条件の設定には、調整前の照射位置調整部７のパラメータＳ１（Ｓｍ、Ｓ２、Ｓｆ）の設定が含まれてもよい。
照射位置調整部７のパラメータＳ１（Ｓｍ、Ｓ２、Ｓｆ）は、プラズマ生成領域２５におけるパルスレーザ光３３の照射位置に関するパラメータであってもよく、プラズマ生成領域２５に交差するＸＹ平面上の座標を用いて記述されてもよい。ＸＹ平面は、プラズマ生成領域２５に向かって進行するパルスレーザ光３３の進行方向に略垂直な平面であり得る。言い換えると、ＸＹ平面は、プラズマ生成領域２５に向かって進行するパルスレーザ光３３のビーム断面に略平行な平面であり得る。
例えば、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍは、プラズマ生成領域２５に交差するＸＹ平面上の座標を用いて、Ｓｍ（１ｘ、１ｙ）と記述されてもよい。
第２プリパルスレーザ光３１ｃの照射位置Ｓ２は、プラズマ生成領域２５に交差するＸＹ平面上の座標を用いて、Ｓ２（４ｘ、４ｙ）と記述されてもよい。
レーザ光集光光学系２２ａの位置Ｓｆは、レーザ光集光光学系２２ａによって照射されるパルスレーザ光３３の照射位置であってもよい。レーザ光集光光学系２２ａの位置Ｓｆは、プラズマ生成領域２５に交差するＸＹ平面上の座標を用いて、Ｓｆ（ｆｘ、ｆｙ）と記述されてもよい。

或いは、照射位置調整部７のパラメータＳ１（Ｓｍ、Ｓ２、Ｓｆ）は、パルスレーザ光３３の照射位置として、第２ミラー光学系３５２、第１ミラー光学系３４３及びレーザ光集光光学系２２ａの各位置及び各姿勢を用いて記述されてもよい。
例えば、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍは、第２ミラー光学系３５２に含まれる高反射ミラー３５２ａの位置及び角度を用いて、Ｓｍ（ｒ１、θ１）と記述されてもよい。
第２プリパルスレーザ光３１ｃの照射位置Ｓ２は、第１ミラー光学系３４３に含まれる高反射ミラー３４３ａの位置及び角度を用いて、Ｓ２（ｒ４、θ４）と記述されてもよい。
レーザ光集光光学系２２ａの位置Ｓｆは、レーザ光集光光学系２２ａに含まれるレーザ光集光ミラー２２の位置を用いて、Ｓｆ（ｘｆ、ｙｆ）と記述されてもよい。

更に、初期条件の設定には、調整前の照射タイミング調整部８のパラメータＤｔ（Ｄｔｄ、Ｄｔ３）の設定が含まれてもよい。
照射タイミング調整部８のパラメータＤｔ（Ｄｔｄ、Ｄｔ３）は、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３を示すパラメータであってもよい。
調整前の差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３は、予め実験又は設計に基づいて決定された値であってもよいし、メンテナンス前に遅延回路５１に設定された値であってもよい。

ステップＳ２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整処理を行ってもよい。
照射位置調整処理は、照射位置調整部７を制御して、パルスレーザ光３３の照射位置を調整する処理であってもよい。
具体的には、ＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整部７のうちの第２ミラー光学系３５２を制御して、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍを調整してもよい。
なお、照射位置調整処理については、図５を用いて後述する。

ステップＳ３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整処理を行ってもよい。
具体的には、ＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整部７のうちの第１ミラー光学系３４３を制御して、第２プリパルスレーザ光３１ｃの照射位置Ｓ２を調整してもよい。
なお、照射位置調整処理については、図５を用いて後述する。

ステップＳ４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整処理を行ってもよい。
具体的には、ＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整部７のうちのレーザ光集光光学系２２ａを制御して、レーザ光集光光学系２２ａの位置Ｓｆを調整してもよい。
なお、照射位置調整処理については、図５を用いて後述する。

ステップＳ２乃至Ｓ４の処理が行われると、調整前の照射位置調整部７のパラメータＳ１（Ｓｍ、Ｓ２、Ｓｆ）は、調整後の照射位置調整部７のパラメータＳ１’（Ｓｍ’、Ｓ２’、Ｓｆ’）に調整され得る。この際、照射位置調整部７のパラメータＳ１’（Ｓｍ’、Ｓ２’、Ｓｆ’）は、Ｓｍ’、Ｓ２’、Ｓｆ’の順番で調整され得る。
すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２、第１ミラー光学系３４３及びレーザ光集光光学系２２ａの順番に制御して、パルスレーザ光３３の照射位置を調整してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、この順番で調整することで、デブリの発生及びＥＵＶ光２５１の生成効率の低下に対する影響度が大きいパルスレーザ光３３の照射位置から調整し得る。デブリの発生及びＥＵＶ光２５１の生成効率の低下に対する影響度は、メインパルスレーザ光３１ａの方が第２プリパルスレーザ光３１ｃよりも大きい場合が多いからである。

ステップＳ５乃至Ｓ７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ステップＳ２乃至Ｓ４と同様の処理を行ってもよい。

ステップＳ８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光集光光学系２２ａの調整量が許容値Ｒｆ以下であるか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、調整後のレーザ光集光光学系２２ａの位置Ｓｆ’と、調整前のレーザ光集光光学系２２ａの位置Ｓｆとの差分の絶対値｜Ｓｆ’−Ｓｆ｜を、レーザ光集光光学系２２ａの調整量としてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光集光光学系２２ａの調整量が許容値Ｒｆを超えるのであれば、ステップＳ２に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光集光光学系２２ａの調整量が許容値Ｒｆ以下であれば、ステップＳ９に移行してもよい。

ステップＳ９において、ＥＵＶ光生成制御部５は、照射タイミング調整処理を行ってもよい。
照射タイミング調整処理は、照射タイミング調整部８を制御して、パルスレーザ光３３の照射タイミングを調整する処理であってもよい。
具体的には、ＥＵＶ光生成制御部５は、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３を調整し、遅延時間Ｄｔ２及びＤｔ３を遅延回路５１に設定してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、予め決定された遅延時間Ｄｔ１を遅延回路５１に設定してもよい。
なお、照射タイミング調整処理については、図９を用いて後述する。

ステップＳ９の処理が行われると、調整前の照射タイミング調整部８のパラメータＤｔ（Ｄｔｄ、Ｄｔ３）は、調整後の照射タイミング調整部８のパラメータＤｔ’（Ｄｔｄ’、Ｄｔ３’）に調整され得る。そして、調整後の照射タイミング調整部８のパラメータＤｔ’に応じた遅延時間Ｄｔ２及びＤｔ３と、上述のように予め決定された遅延時間Ｄｔ１とが、遅延回路５１に設定され得る。

ステップＳ１０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、照射タイミング調整部８の各調整量が許容値Ｔ以下であるか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、調整後の差分時間Ｄｔｄ’と、調整前の差分時間Ｄｔｄとの差分の絶対値｜Ｄｔｄ’−Ｄｔｄ｜を、差分時間Ｄｔｄの調整量としてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、調整後の遅延時間Ｄｔ３’と、調整前の遅延時間Ｄｔ３との差分の絶対値｜Ｄｔ３’−Ｄｔ３｜を、遅延時間Ｄｔ３の調整量としてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、差分時間Ｄｔｄの調整量が許容値Ｔｔｄを超えるか、又は、遅延時間Ｄｔ３の調整量が許容値Ｔｔ３を超えるのであれば、ステップＳ２に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、差分時間Ｄｔｄの調整量が許容値Ｔｔｄ以下であると共に、遅延時間Ｄｔ３の調整量が許容値Ｔｔ３以下であれば、本処理を終了してもよい。

図５乃至図８を用いて、照射位置調整処理について説明する。
図５は、図４のステップＳ２乃至Ｓ７に示された照射位置調整処理のフローチャートを示す図である。図６は、図５に示された照射位置調整処理における走査水準群を例示する図である。図７は、図６に示された走査水準群に基づいて作成されたＥＵＶ光２５１のエネルギの分布図を例示する図である。図８は、図７に示された分布図から求められた近似曲線を例示する図である。
図４のステップＳ２乃至Ｓ４に示された照射位置調整処理は、第２ミラー光学系３５２、第１ミラー光学系３４３及びレーザ光集光光学系２２ａをそれぞれ制御するが、これらの処理は、略同一のアルゴリズムを用いて記述されてもよい。
また、ステップＳ５乃至ステップＳ７は、ステップＳ２乃至Ｓ４とそれぞれ同様の処理であるため、ステップＳ２乃至Ｓ４とそれぞれ略同一のアルゴリズムを用いて記述され得る。
すなわち、図４のステップＳ２乃至Ｓ７に示された照射位置調整処理は、略同一のアルゴリズムを用いて記述され得る。
よって、図５乃至図８では、図４のステップＳ２に示された照射位置調整処理を代表して説明する。

ステップＳ１１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、走査水準群を読み込んでもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３３の照射位置を調整する場合、パルスレーザ光３３の照射位置がプラズマ生成領域２５に交差するＸＹ平面上で走査されるよう照射位置調整部７を制御してもよい。そして、ＥＵＶ光生成制御部５は、走査毎にＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得してもよい。
第１及び第２プリパルス３１ｂ及び３１ｃ並びにメインパルスレーザ光３１ａのプラズマ生成領域２５におけるレイリー長は、それぞれ１００μｍ以上１０００μｍ以下であり得る。このため、パルスレーザ光３３の照射位置がＺ軸方向に走査されても、取得される計測結果の走査毎での変化量は小くなり得る。言い換えると、パルスレーザ光３３の照射位置をＺ軸方向において調整しても、デブリの発生及びＥＵＶ光２５１の生成効率の低下を抑制することには寄与し難いことがあり得る。よって、ＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整部７に、プラズマ生成領域２５に交差するＸＹ平面上でパルスレーザ光３３の照射位置を走査させてもよい。

具体的には、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えばメインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍ（１ｘ、１ｙ）を走査させる場合、図６に例示されるような走査水準群に基づいて走査させてもよい。図６の矢印は、走査水準の進行順番を例示している。走査水準群は、図６に例示されるように、調整前のＳｍ（１ｘ、１ｙ）を中心としてマトリックス状に配列されたテーブルを用いて作成されてもよい。或いは、走査水準群は、メインパルスレーザ光３１ａのプロファイルの楕円度が所定値以下であれば、調整前のメインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍ（１ｘ、１ｙ）を中心として十字状に配列されたテーブルを用いて作成されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、予め複数の走査水準群を保持し、パルスレーザ光３３の出力条件及びスポット直径Ｄに応じて読み込んでもよい。或いは、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３３の出力条件及びスポット直径Ｄに応じて走査水準群を作成してもよい。

ステップＳ１２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、読み込まれた走査水準群に基づいてメインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍ（１ｘ、１ｙ）が走査されるよう、第２ミラー光学系３５２のステージ３５２ｂを駆動させてもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置Ｓ２及びＳｆを走査させる場合、第１ミラー光学系３４３のステージ３４３ｂ及びレーザ光集光光学系２２ａのステージ２２１を駆動させてもよい。

ステップＳ１３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１乃至第３トリガ信号をレーザ装置３に送信して、ＥＵＶ光２５１を生成させてもよい。
この際、遅延回路５１に設定される遅延時間Ｄｔ２及びＤｔ３は、調整前の差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３に応じた遅延時間Ｄｔ２及びＤｔ３であってもよい。

ステップＳ１４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、複数のＥＵＶセンサ４４から送信された複数の計測値に統計処理を施し、ＥＵＶ光２５１のエネルギ及び／又はそのばらつきを取得してもよい。ＥＵＶ光２５１のエネルギは、複数のＥＵＶセンサ４４から送信された複数の計測値の平均値であってもよい。ＥＵＶ光２５１のエネルギのばらつきは、例えば３σであってもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光２５１のエネルギ及び／又はそのばらつきを、ＥＵＶセンサ４４の計測結果として取得し、各走査水準に対応付けて記憶してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５は、１つの走査水準においてＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得するために、１００パルス以上１００，０００パルス以下のパルス数のＥＵＶ光２５１を生成させてもよい。１００，０００パルスのＥＵＶ光２５１を生成させる場合のＥＵＶ光生成装置１の運転条件は、デューティサイクルを５０％、１バースト当たりのＥＵＶ光２５１のパルス数を１０，０００パルスとし、１０バーストだけ運転させるような条件であってもよい。なお、バーストとは、所定時間の間、ＥＵＶ光２５１を所定繰り返し周波数で生成させるようなＥＵＶ光生成装置１の運転動作であってもよい。デューティサイクルは、ＥＵＶ光２５１が所定繰り返し周波数で生成される上記所定時間と単位時間との比であってもよい。

ステップＳ１５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、読み込まれた走査水準群に含まれる全ての走査水準が走査されたか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、全ての走査水準が走査されていなければ、ステップＳ１２に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、全ての走査水準が走査されたならば、ステップＳ１６に移行してもよい。

ステップＳ１６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、各走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶセンサ４４の計測結果に基づいて、図７に例示されるようなＥＵＶ光２５１のエネルギの分布図を作成してもよい。

ステップＳ１７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、作成されたＥＵＶ光２５１のエネルギの分布図に基づいて、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍ（１ｘ、１ｙ）の最適位置を決定し、記憶してもよい。
例えば、ＥＵＶ光生成制御部５は、作成された分布図のうちでＥＵＶ光２５１のエネルギが最大である走査水準の照射位置Ｓｍ（１ｘ、１ｙ）を、最適位置Ｓｍ’（１ｘ’、１ｙ’）に決定してもよい。

或いは、ＥＵＶ光生成制御部５は、作成された分布図のデータを用いた数値解析によって最適位置Ｓｍ’（１ｘ’、１ｙ’）を決定してもよい。
例えば、ＥＵＶ光生成制御部５は、図８に例示されるように、ＥＵＶ光２５１のエネルギが最大である走査水準及びその付近の走査水準と、これらの走査水準に対応付けられたＥＵＶ光２５１のエネルギとを、解析対象として特定してもよい。
そして、ＥＵＶ光生成制御部５は、図８に例示されるように、ＥＵＶ光２５１のエネルギ分布を、例えば最小二乗法を用いてガウス分布曲線又は２次曲線に近似してもよい。そして、ＥＵＶ光生成制御部５は、近似曲線の最大値に対応するＸ座標及びＹ座標を、最適位置Ｓｍ’（１ｘ’、１ｙ’）に決定してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、決定された最適位置Ｓｍ’（１ｘ’、１ｙ’）を、照射位置調整部７のパラメータＳ１’に設定してもよい。
なお、この段階で、照射位置Ｓ２及びＳｆの最適位置Ｓ２’及びＳｆ’が決定されていない場合には、調整前の照射位置Ｓ２及びＳｆを、パラメータＳ１’に設定してもよい。
すなわち、図２のステップＳ２の処理が行われた後では、パラメータＳ１’は、Ｓ１’（Ｓｍ’、Ｓ２、Ｓｆ）に設定され得る。図２のステップＳ３の処理が行われた後では、パラメータＳ１’は、Ｓ１’（Ｓｍ’、Ｓ２’、Ｓｆ）に設定され得る。図２のステップＳ４の処理が行われた後では、パラメータＳ１’は、Ｓ１’（Ｓｍ’、Ｓ２’、Ｓｆ’）に設定され得る。

ステップＳ１８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、最適位置に応じて照射位置調整部７を制御してもよい。
具体的には、ＥＵＶ光生成制御部５は、最適位置が設定されたパラメータＳ１’に応じて、ステージ３５２ｂ、ステージ３４３ｂ及びステージ２２１を駆動させてもよい。
これにより、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍは、最適位置Ｓｍ’に調整され得る。

ステップＳ１９において、ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２の調整量が許容値Ｒｍ以下であるか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、調整後のメインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍ’と、調整前のメインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍとの差分の絶対値｜Ｓｍ’−Ｓｍ｜を、第２ミラー光学系３５２の調整量としてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２の調整量が許容値Ｒｍ以下であれば、本処理を終了し、図４のステップＳ３に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２の調整量が許容値Ｒｍを超えるのであれば、ステップＳ２０に移行してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１ミラー光学系３４３の調整量が許容値Ｒ２以下であるか否かを判定する場合、及び、レーザ光集光光学系２２ａの調整量が許容値Ｒｆ以下であるか否かを判定する場合も、本ステップと同様に処理すればよい。

ステップＳ２０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、現在の走査水準群を、最適位置Ｓｍ’を中心とした走査水準群に更新し、ステップＳ１１に移行してもよい。

図９乃至図１２を用いて、照射タイミング調整処理について説明する。
図９は、図４のステップＳ９に示された照射タイミング調整処理のフローチャートを示す図である。図１０は、図９に示された照射タイミング調整処理における走査水準群を例示する図である。図１１は、図１０に示された走査水準群に基づいて作成された第２テーブルを例示する図である。図１２は、図１０に示された走査水準群に基づいて作成された第１テーブルを例示する図である。

ステップＳ２１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、走査水準群を読み込んでもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３３の照射タイミングを調整する場合、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３を走査し、走査毎にＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３を走査する場合、図１０に例示されるような走査水準群に基づいて走査してもよい。図１０の矢印は、走査水準の進行順番を例示している。走査水準群は、図１０に例示されるように、マトリックス状に配列されたテーブルを用いて作成されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、 予め複数の走査水準群を保持し、パルスレーザ光３３の出力条件並びに２次及び３次ターゲットの拡散速度に応じて読み込んでもよい。或いは、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３３の出力条件並びに２次及び３次ターゲットの拡散速度に応じて走査水準群を作成してもよい。

ステップＳ２２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、読み込まれた走査水準群に基づいて差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３を走査してもよい。そして、ＥＵＶ光生成制御部５は、走査された差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３に応じた遅延時間Ｄｔ２及びＤｔ３を、遅延回路５１に設定してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、予め決定された遅延時間Ｄｔ１を遅延回路５１に設定してもよい。

ステップＳ２３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１乃至第３トリガ信号をレーザ装置３に送信して、ＥＵＶ光２５１を生成させてもよい。
この際、パルスレーザ光３３の照射位置Ｓ１は、最適位置Ｓ１’に調整済であり得る。

ステップＳ２４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１４と同様に、ＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得してもよい。
すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、複数のＥＵＶセンサ４４から送信された複数の計測値に統計処理を施し、ＥＵＶ光２５１のエネルギ及びそのばらつきを取得してもよい。ＥＵＶ光２５１のエネルギは、複数のＥＵＶセンサ４４から送信された複数の計測値の平均値であってもよい。ＥＵＶ光２５１のエネルギのばらつきは、例えば３σであってもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光２５１のエネルギ及びそのばらつきを、ＥＵＶセンサ４４の計測結果として取得し、各走査水準に対応付けて記憶してもよい。

ステップＳ２５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１５と同様に、読み込まれた走査水準群に含まれる全ての走査水準が走査されたか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、全ての走査水準が走査されていなければ、ステップＳ２２に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、全ての走査水準が走査されたならば、ステップＳ２６に移行してもよい。

ステップＳ２６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、各走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶセンサ４４の計測結果に基づいて、図１１に例示されるような第２テーブル及び図１２に例示されるような第１テーブルを作成してもよい。
第１テーブルは、図１２に例示されるように、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３と、ＥＵＶ光２５１のエネルギとの対応関係を示すテーブルであってもよい。
第２テーブルは、図１１に例示されるように、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３と、ＥＵＶ光２５１のエネルギのばらつきとの対応関係を示すテーブルであってもよい。

ステップＳ２７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、作成された第１及び第２テーブルに基づいて、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３の最適時間を決定し、記憶してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、作成された第２テーブルのうちでＥＵＶ光２５１のエネルギのばらつきが所定範囲内にある複数の走査水準を特定してもよい。
所定範囲とは、図１１に例示されるように、ＥＵＶ光２５１のエネルギのばらつきが上位１０％以内である範囲であってもよい。また、所定範囲とは、ＥＵＶ光２５１のエネルギのばらつきが所定値以下である範囲であってもよい。
更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、第２テーブルによって特定された複数の走査水準のうち、第１テーブルにおいてＥＵＶ光２５１のエネルギが最大である走査水準の差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３を、最適時間Ｄｔ’（Ｄｔｄ’、Ｄｔ３’）に決定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、決定された最適時間Ｄｔ’（Ｄｔｄ’、Ｄｔ３’）を、照射タイミング調整部８のパラメータＤｔ’に設定してもよい。

ステップＳ２８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、最適時間Ｄｔ’（Ｄｔｄ’、Ｄｔ３’）に応じて照射タイミング調整部８を制御してもよい。
具体的には、ＥＵＶ光生成制御部５は、最適時間Ｄｔ’（Ｄｔｄ’、Ｄｔ３’）に応じた遅延時間Ｄｔ２’及びＤｔ３’を、遅延回路５１に設定してもよい。遅延時間Ｄｔ２’は、Ｄｔ３’からＤｔｄ’を減じることで算出され得る。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、予め決定された遅延時間Ｄｔ１を遅延回路５１に設定してもよい。
その後、ＥＵＶ光生成制御部５は、本処理を終了し、図４のステップＳ１０に移行してもよい。

第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［４．３ 作用効果］
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、メンテナンス等の上述の所定事象が発生した後、パルスレーザ光３３の照射位置及び照射タイミングを、ＥＵＶ光生成制御部５の制御の下、自動的に調整し得る。その際、パルスレーザ光３３の照射位置を調整する処理の後に、パルスレーザ光３３の照射タイミングを調整する処理が行われる。また、パルスレーザ光３３の照射位置を調整する処理は、分布図を作成する略同一のアルゴリズムを用いて記述され得る。パルスレーザ光３３の照射タイミングを調整する処理についても、分布図に代えてテーブルを作成する点で、照射位置を調整する処理と略同じアルゴリズムを用いて記述され得る。
すなわち、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、パルスレーザ光３３の照射位置及び照射タイミングを、分布図及びテーブルを作成して自動的に調整し得る。
それにより、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、パルスレーザ光３３の照射位置及び照射タイミングの調整を、高精度、高再現性及び低工数で実現し得る。
その結果、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、デブリを抑制してＥＵＶ光２５１の生成効率を確保しつつ、高精度、高再現性及び低工数でパルスレーザ光３３の照射条件を調整し得る。

［４．４ 変形例］
図１３は、第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成制御部５を説明するための図であって、図１０に示された走査水準群に基づいて作成された第１テーブルを例示する図である。図１４は、第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成制御部５を説明するための図であって、図１０に示された走査水準群に基づいて作成された第２テーブルを例示する図である。
図９のステップＳ２７において、第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成制御部５は、第１実施形態とは異なる方法で、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３の最適時間を決定してもよい。
すなわち、第１実施形態の変形例では、ＥＵＶ光生成制御部５は、作成された第１テーブルのうちでＥＵＶ光２５１のエネルギが所定範囲内にある複数の走査水準を特定してもよい。
所定範囲とは、図１３に例示されるように、ＥＵＶ光２５１のエネルギが上位１０％以内である範囲であってもよい。また、所定範囲とは、ＥＵＶ光２５１のエネルギが所定値以上である範囲であってもよい。
更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１テーブルによって特定された複数の走査水準のうち、第２テーブルにおいてＥＵＶ光２５１のエネルギのばらつきが最小である走査水準の差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３を、最適時間Ｄｔ’（Ｄｔｄ’、Ｄｔ３’）に決定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、決定された最適時間Ｄｔ’（Ｄｔｄ’、Ｄｔ３’）を、照射タイミング調整部８のパラメータＤｔ’に設定してもよい。

［５．第２実施形態］
図１５乃至図１８を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異ってもよい。
具体的には、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整処理において、第１実施形態とは異なる方法でパルスレーザ光３３の照射位置を走査させてもよい。より詳細には、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３３の照射位置を、Ｘ軸に沿った方向とＹ軸に沿った方向とに交互に走査させてもよい。例えば、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、プラズマ生成領域２５に交差するＸＹ平面上において、Ｘ軸に沿った方向に走査させた後にＹ軸に沿った方向に走査させてもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については、説明を省略する。

［５．１ 動作］
図１５乃至図１８を用いて、第２実施形態に係る照射位置調整処理について説明する。
図１５は、第２実施形態に係る照射位置調整処理のフローチャートを示す図である。
第２実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、図４のステップＳ２乃至Ｓ７に示された照射位置調整処理のそれぞれを、図１５に示された照射位置調整処理に置換して実行してもよい。
図４のステップＳ２乃至Ｓ７に示された照射位置調整処理は、図１５の照射位置調整処理に置換された場合でも、略同一のアルゴリズムを用いて記述され得る。
よって、図１５乃至図１８では、図４にステップＳ２の処理に置換された図１５の照射位置調整処理を代表して説明する。

ステップＳ３１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３３の出力条件及びスポット直径Ｄに応じて、初期絶対位置Ｘｉ及びＹｉ、相対位置水準Ｘｋ及びＹｋ、並びに、ＥＵＶ光２５１の目標エネルギＥｔを読み込んでもよい。
初期絶対位置Ｘｉ及びＹｉは、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置における初期位置の絶対座標であってもよい。
相対位置水準Ｘｋ及びＹｋは、走査の基点となる走査水準の絶対位置Ｘｉ’及びＹｉ’からの相対座標を示してもよい。メインパルスレーザ光３１ａの照射位置は、絶対位置Ｘｉ’及びＹｉ’を基点とし、相対位置水準Ｘｋ及びＹｋに基づいて走査され得る。
ｋは、相対位置水準Ｘｋ及びＹｋに関する引数であってもよい。ｋは、１以上ｎ以下の自然数であってもよい。ｎは、相対位置水準Ｘｋ及びＹｋが取り得る走査水準の数であってもよい。

ステップＳ３２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、次式に示されるように、読み込まれた初期絶対位置Ｘｉ及びＹｉを、走査の基点となる走査水準の絶対位置Ｘｉ’及びＹｉ’にそれぞれ設定してもよい。
Ｘｉ’＝Ｘｉ
Ｙｉ’＝Ｙｉ

ステップＳ３３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、次式に示されるように、相対位置水準Ｘｋの値がＸｎになるまで、ステップＳ３４乃至Ｓ３８の処理を繰り返すループ１を実行してもよい。これにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置を、絶対位置Ｘｉ’及びＹｉ’を基点としてＸ軸に沿った方向に走査させてもよい。
ｗｈｉｌｅ Ｘｋ≠Ｘｎ
（ｋ＝１〜ｎ）

ステップＳ３４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、絶対位置が（Ｘｉ’＋Ｘｋ）である走査水準ではＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得済であるか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、絶対位置が（Ｘｉ’＋Ｘｋ）である走査水準ではＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得済でなければ、ステップＳ３６に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、絶対位置が（Ｘｉ’＋Ｘｋ）である走査水準ではＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得済であれば、ステップＳ３５に移行してもよい。

ステップＳ３５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、次式に示されるように、引数ｋをインクリメントしてもよい。
ｋ＝ｋ＋１
その後、ＥＵＶ光生成制御部５は、ステップＳ３４に移行してもよい。

ステップＳ３６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置が絶対位置（Ｘｉ’＋Ｘｋ）になるよう、第２ミラー光学系３５２のステージ３５２ｂを駆動させてもよい。

ステップＳ３７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１３と同様に、第１乃至第３トリガ信号をレーザ装置３に送信して、ＥＵＶ光２５１を生成させてもよい。

ステップＳ３８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１４と同様に、ＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光２５１のエネルギ及び／又はそのばらつきを、ＥＵＶセンサ４４の計測結果として取得し、各走査水準に対応付けて記憶してもよい。この際、ＥＵＶ光生成制御部５は、計測されたＥＵＶ光２５１のエネルギをＥｋとして記憶してもよい。

ステップＳ３４乃至Ｓ３８の処理を繰り返すループ１が実行されると、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置は、絶対位置が（Ｘｉ’＋Ｘ１）、（Ｘｉ’＋Ｘ２）、・・・・、（Ｘｉ’＋Ｘｎ）である走査水準群に基づいて走査され得る。そして、ＥＵＶ光２５１のエネルギＥｋが各走査水準に対応付けて記憶され得る。

ステップＳ３９において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ループ１で走査された走査水準群のうちで、ＥＵＶ光２５１のエネルギＥｋが最大である走査水準を特定してもよい。

ステップＳ４０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置が、ステップＳ３９で特定された走査水準の絶対位置（Ｘｉ’＋Ｘｋ）になるよう、第２ミラー光学系３５２のステージ３５２ｂを駆動させてもよい。

ステップＳ４１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、次式に示されるように、ステップＳ３９で特定された走査水準の絶対位置（Ｘｉ’＋Ｘｋ）を、走査の基点となる走査水準の絶対位置Ｘｉ’に設定してもよい。
Ｘｉ’＝Ｘｉ’＋Ｘｋ

ステップＳ４２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、次式に示されるように、ステップＳ３９で特定された走査水準に対応付けられた最大エネルギＥｋが、目標エネルギＥｔ以上であるか否かを判定してもよい。
Ｅｋ≧Ｅｔ
ＥＵＶ光生成制御部５は、最大エネルギＥｋが目標エネルギＥｔ以上であれば、本処理を終了してもよい。一方、最大エネルギＥｋが目標エネルギＥｔより小さければ、ステップＳ４３に移行してもよい。

ステップＳ４３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、次式に示されるように、相対位置水準Ｙｋの値がＹｎになるまで、ステップＳ４４乃至Ｓ４８の処理を繰り返すループ２を実行してもよい。これにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置を、絶対位置Ｘｉ’及びＹｉ’を基点としてＹ軸に沿った方向に走査させてもよい。
ｗｈｉｌｅ Ｙｋ≠Ｙｎ
（ｋ＝１〜ｎ）

ステップＳ４４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、絶対位置が（Ｙｉ’＋Ｙｋ）である走査水準ではＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得済であるか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、絶対位置が（Ｙｉ’＋Ｙｋ）である走査水準ではＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得済でなければ、ステップＳ４６に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、絶対位置が（Ｙｉ’＋Ｙｋ）である走査水準ではＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得済であれば、ステップＳ４５に移行してもよい。

ステップＳ４５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、次式に示されるように、引数ｋをインクリメントしてもよい。
ｋ＝ｋ＋１
その後、ＥＵＶ光生成制御部５は、ステップＳ４４に移行してもよい。

ステップＳ４６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置が絶対位置（Ｙｉ’＋Ｙｋ）になるよう、第２ミラー光学系３５２のステージ３５２ｂを駆動させてもよい。

ステップＳ４７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１３と同様に、第１乃至第３トリガ信号をレーザ装置３に送信して、ＥＵＶ光２５１を生成させてもよい。

ステップＳ４８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１４と同様に、ＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光２５１のエネルギ及び／又はそのばらつきを、ＥＵＶセンサ４４の計測結果として取得し、各走査水準に対応付けて記憶してもよい。この際、ＥＵＶ光生成制御部５は、計測されたＥＵＶ光２５１のエネルギをＥｋとして記憶してもよい。

ステップＳ４９において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ループ２で走査された走査水準群のうちで、ＥＵＶ光２５１のエネルギＥｋが最大である走査水準を特定してもよい。

ステップＳ５０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置が、ステップＳ４９で特定された走査水準の絶対位置（Ｙｉ’＋Ｙｋ）になるよう、第２ミラー光学系３５２のステージ３５２ｂを駆動させてもよい。

ステップＳ５１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、次式に示されるように、ステップＳ４９で特定された走査水準の絶対位置（Ｙｉ’＋Ｙｋ）を、走査の基点となる走査水準の絶対位置Ｙｉ’に設定してもよい。
Ｙｉ’＝Ｙｉ’＋Ｙｋ

ステップＳ５２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、次式に示されるように、ステップＳ４９で特定された走査水準に対応付けられた最大エネルギＥｋが、目標エネルギＥｔ以上であるか否かを判定してもよい。
Ｅｋ≧Ｅｔ
ＥＵＶ光生成制御部５は、最大エネルギＥｋが目標エネルギＥｔ以上であれば、本処理を終了してもよい。一方、最大エネルギＥｋが目標エネルギＥｔより小さければ、ステップＳ３３に移行してもよい。

図１６乃至図１８を用いて、図１５に示された照射位置調整処理の概要を具体例を挙げて説明する。
図１６は、図１５に示された照射位置調整処理の概要を説明するための図であって、ＥＵＶ光２５１のエネルギの分布図を例示する図である。
図１６の分布図に示された各走査水準は、プラズマ生成領域２５に交差するＸＹ平面上の絶対座標で記述されている。
ここで、相対位置水準Ｘｋ及びＹｋが取り得る走査水準の数ｎを３とする。すなわち、引数ｋは、１、２又は３であり得る。
相対位置水準Ｘｋを、次のような値とする。
Ｘ１＝−１０、Ｘ２＝０、Ｘ３＝＋１０
Ｙ１＝−１０、Ｘ２＝０、Ｘ３＝＋１０
初期絶対位置Ｘｉ及びＹｉを、次のような値とする。
Ｘｉ＝０、Ｙｉ＝０
ＥＵＶ光２５１の目標エネルギＥｔは、９．５０ｍＪとする。

図１７は、図１５に示された照射位置調整処理の概要を説明するための図であって、走査水準の進行順番を例示する図である。図１８は、図１５に示された照射位置調整処理の概要を説明するための図であって、図１７に示された順番で走査された各走査水準に対応付けられたエネルギを例示する図である。
図１７の各走査水準に記載された番号１乃至６は、走査水準の進行順番を示している。
図１６に例示された分布図をＥＵＶ光生成制御部５が未知の状態で、図１５に示された照射位置調整処理が行われると、各走査水準は、図１７に例示されるように、次のような進行順番で走査され得る。
なお、図１５のステップＳ３４及びＳ４４に示されるように、ＥＵＶセンサ４４の計測結果を取得済である走査水準はスキップされるため、走査水準の進行順番は、図１７に例示された番号１乃至６となり得る。

まず、初期絶対位置Ｘｉが０でありＹｉが０である走査水準を基点として、矢印ＡのようにＸ軸に沿った方向への走査が行われる。矢印Ａの走査において、進行順番が３番目の走査水準に対応するＥＵＶ光２５１のエネルギは、他の走査水準に対応するＥＵＶ光２５１のエネルギよりも大きいものの、目標エネルギＥｔよりも小さい。
このため、進行順番が３番目の走査水準を基点として、矢印ＢのようにＹ軸に沿った方向への走査が行われる。矢印Ｂの走査において、進行順番が３番目の走査水準に対応するＥＵＶ光２５１のエネルギは、他の走査水準に対応するＥＵＶ光２５１のエネルギよりも大きいものの、目標エネルギＥｔよりも小さい。
このため、進行順番が３番目の走査水準を基点として、矢印ＣのようにＸ軸に沿った方向への走査が行われる。矢印Ｃの走査において、進行順番が６番目の走査水準に対応するＥＵＶ光２５１のエネルギＥｋは、他の走査水準に対応するＥＵＶ光２５１のエネルギよりも大きい。加えて、進行順番が６番目の走査水準に対応するＥＵＶ光２５１のエネルギＥｋは、目標エネルギＥｔ以上である。
よって、図１５に示された照射位置調整処理は、終了され得る。本具体例の照射位置調整処理によって、図１８に例示されたＥＵＶ光２５１のエネルギの分布図がＥＵＶ光生成制御部５によって作成され得る。

［５．２ 作用効果］
第２実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整処理において、Ｘ軸及びＹ軸の一方の軸に沿った方向に走査させ、走査された各走査水準に対応付けられた各エネルギの中に目標エネルギＥｔ以上のエネルギがあれば、照射位置調整処理を終了し得る。
一方、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、照射位置調整処理において、読み込まれた走査水準群に含まれる全ての走査水準について走査させ得る。
よって、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態に比べて、パルスレーザ光３３の照射位置の調整に必要な工数を低減し得る。

［６．第３実施形態］
図１９乃至図２１を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、パルスレーザ光３３の照射位置及び照射タイミングを、ＥＵＶ光２５１の生成効率に基づいて調整してもよい。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、高反射ミラー３４１の代わりにビームスプリッタ３４４を備えてもよい。更に、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、レーザセンサ４５が追加された構成を備えてもよい。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。

［６．１ 構成］
図１９は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
ビームスプリッタ３４４は、メインパルスレーザ装置３ａから出力されたメインパルスレーザ光３１ａの光路上であって、メインパルスレーザ装置３ａとビームコンバイナ３５との間に配置されてもよい。
ビームスプリッタ３４４は、メインパルスレーザ装置３ａから出力されたメインパルスレーザ光３１ａの一部をビームコンバイナ３５に向けて反射させ、メインパルスレーザ光３１ａの他の一部をレーザセンサ４５に向けて透過させてもよい。

レーザセンサ４５は、メインパルスレーザ光３１ａのエネルギを計測するセンサであってもよい。
レーザセンサ４５は、ビームスプリッタ３４４を透過したメインパルスレーザ光３１ａの光路上に配置されてもよい。
レーザセンサ４５は、ビームスプリッタ３４４を透過したメインパルスレーザ光３１ａのエネルギを計測し、その計測値をＥＵＶ光生成制御部５に送信してもよい。
レーザセンサ４５の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

第３実施形態に係る遅延回路５１は、レーザセンサ４５の動作タイミングを調整してもよい。
遅延回路５１は、メインパルスレーザ光３１ａのエネルギが適切に計測されるよう、第３ゲート信号をレーザセンサ４５に送信してもよい。
第３ゲート信号は、レーザセンサ４５がメインパルスレーザ光３１ａのエネルギを計測する契機を与える信号であってもよい。
例えば、遅延回路５１は、第３トリガ信号の送信タイミングに同期して第３ゲート信号をレーザセンサ４５に送信してもよい。

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［６．２ 動作］
図２０及び図２１を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。
図２０は、第３実施形態に係る照射位置調整処理のフローチャートを示す図である。
第３実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、図４のステップＳ２乃至Ｓ７に示された照射位置調整処理のそれぞれを、図２０に示された照射位置調整処理に置換して実行してもよい。
図４のステップＳ２乃至Ｓ７に示された照射位置調整処理は、図２０の照射位置調整処理に置換された場合でも、略同一のアルゴリズムを用いて記述され得る。
よって、図２０では、図４のステップＳ２の処理に置換された図２０の照射位置調整処理を代表して説明する。

ステップＳ６１乃至Ｓ６４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１１乃至Ｓ１４と同様の処理を行ってもよい。

ステップＳ６５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザセンサ４５の計測結果を取得してもよい。そして、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光２５１の生成効率を計算してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザセンサ４５によって計測されたメインパルスレーザ光３１ａのエネルギを、レーザセンサ４５の計測結果として取得してもよい。
ＥＵＶ光２５１の生成効率は、メインパルスレーザ光３１ａのエネルギに対する、ＥＵＶ光２５１のエネルギの比を百分率で表した値であってもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶセンサ４４の計測結果であるＥＵＶ光２５１のエネルギと、レーザセンサ４５の計測結果であるメインパルスレーザ光３１ａのエネルギとを用いて、ＥＵＶ光２５１の生成効率及び／又はそのばらつきを計算してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、計算されたＥＵＶ光２５１の生成効率及び／又はそのばらつきを、各走査水準に対応付けて記憶してもよい。

ステップＳ６６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１５と同様の処理に、読み込まれた走査水準群に含まれる全ての走査水準が走査されたか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、全ての走査水準が走査されていなければ、ステップＳ６２に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、全ての走査水準が走査されたならば、ステップＳ６７に移行してもよい。

ステップＳ６７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１６と同様に、各走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２５１の生成効率に基づいて、ＥＵＶ光２５１の生成効率の分布図を作成してもよい。
ＥＵＶ光２５１の生成効率の分布図は、図７に例示された分布図と同様であり、各走査水準に対応付けられたＥＵＶ光２５１のエネルギが生成効率に置換された分布図であってもよい。

ステップＳ６８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、作成されたＥＵＶ光２５１の生成効率の分布図に基づいて、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置Ｓｍ（１ｘ、１ｙ）の最適位置を決定し、記憶してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１７と同様に、作成された分布図のうちでＥＵＶ光２５１の生成効率が最大である走査水準の照射位置Ｓｍ（１ｘ、１ｙ）を、最適位置Ｓｍ’（１ｘ’、１ｙ’）に決定してもよい。
或いは、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１７と同様に、作成された分布図のデータを用いた数値解析によって最適位置Ｓｍ’（１ｘ’、１ｙ’）を決定してもよい。
そして、ＥＵＶ光生成制御部５は、決定された最適位置Ｓｍ’（１ｘ’、１ｙ’）を、照射位置調整部７のパラメータＳ１’に設定してもよい。

ステップＳ６９において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１８と同様の処理を行ってもよい。

ステップＳ７０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１９と同様に、第２ミラー光学系３５２の調整量が許容値Ｒｍ以下であるか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２の調整量が許容値Ｒｍ以下であれば、本処理を終了し、図４のステップＳ３に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２の調整量が許容値Ｒｍを超えるのであれば、ステップＳ７１に移行してもよい。

ステップＳ７１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ２０と同様に、現在の走査水準群を、最適位置Ｓｍ’を中心とした走査水準群に更新し、ステップＳ６１に移行してもよい。

図２１は、第３実施形態に係る照射タイミング調整処理のフローチャートを示す図である。
第３実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、図４のステップＳ９に示された照射タイミング調整処理を、図２１に示された照射タイミング調整処理に置換して実行してもよい。

ステップＳ８１乃至Ｓ８４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図９のステップＳ２１乃至Ｓ２４と同様の処理を行ってもよい。

ステップＳ８５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図２０のステップＳ６５と同様に、レーザセンサ４５の計測結果を取得し、ＥＵＶ光２５１の生成効率及びそのばらつきを計算してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、計算されたＥＵＶ光２５１の生成効率及びそのばらつきを、各走査水準に対応付けて記憶してもよい。

ステップＳ８６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図９のステップＳ２５と同様に、読み込まれた走査水準群に含まれる全ての走査水準が走査されたか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、全ての走査水準が走査されていなければ、ステップＳ８２に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、全ての走査水準が走査されたならば、ステップＳ８７に移行してもよい。

ステップＳ８７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図９のステップＳ２６と同様に、各走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２５１の生成効率及びそのばらつきに基づいて、第３テーブル及び第４テーブルを作成してもよい。
第３テーブルは、図１２と同様のテーブルであって、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３と、ＥＵＶ光２５１の生成効率との対応関係を示すテーブルであってもよい。
第４テーブルは、図１１と同様のテーブルであって、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３と、ＥＵＶ光２５１の生成効率のばらつきとの対応関係を示すテーブルであってもよい。

ステップＳ８８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図９のステップＳ２７と同様に、作成された第３及び第４テーブルに基づいて、差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３の最適時間を決定し、記憶してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、作成された第４テーブルのうちでＥＵＶ光２５１の生成効率のばらつきが所定範囲内にある複数の走査水準を特定してもよい。
所定範囲とは、図１１と同様に、ＥＵＶ光２５１の生成効率のばらつきが上位１０％以内である範囲であってもよい。また、所定範囲とは、ＥＵＶ光２５１の生成効率のばらつきが所定値以下である範囲であってもよい。
更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、第４テーブルによって特定された複数の走査水準のうち、第３テーブルのうちでＥＵＶ光２５１の生成効率が最大である走査水準の差分時間Ｄｔｄ及び遅延時間Ｄｔ３を、最適時間Ｄｔ’（Ｄｔｄ’、Ｄｔ３’）に決定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、決定された最適時間Ｄｔ’（Ｄｔｄ’、Ｄｔ３’）を、照射タイミング調整部８のパラメータＤｔ’に設定してもよい。

ステップＳ８９において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図９のステップＳ２８と同様の処理を行ってもよい。
その後、ＥＵＶ光生成制御部５は、本処理を終了し、図４のステップＳ１０に移行してもよい。

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［６．３ 作用効果］
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、パルスレーザ光３３の照射位置及び照射タイミングを、ＥＵＶ光２５１の生成効率に基づいて調整し得る。
それにより、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、パルスレーザ光３３の照射位置及び照射タイミングを、ＥＵＶ光２５１の生成効率を確保するために最適な照射位置及び照射タイミングに直接的に調整し得る。
その結果、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態に比べて、パルスレーザ光３３の照射条件をより適切に調整し得る。

［７．第４実施形態］
図２２及び図２３を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５が、ポインティングセンサ４６の計測結果に基づいてメインパルスレーザ光３１ａの照射位置を走査させてもよい。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、ポインティングセンサ４６が追加されると共に、高反射ミラー３４１が省略された構成を備えてもよい。更に、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、第２ミラー光学系３５２及びビームコンバイナ３５の構成が異なってもよい。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。

［７．１ 構成］
図２２は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
第４実施形態に係る第２ミラー光学系３５２は、ビームコンバイナ３５に含まれるのではなく、第１実施形態に係る高反射ミラー３４１と同様の位置に配置されてもよい。
すなわち、第２ミラー光学系３５２は、メインパルスレーザ装置３ａから出力されたメインパルスレーザ光３１ａの光路上であって、メインパルスレーザ装置３ａとビームコンバイナ３５との間に配置されてもよい。
第２ミラー光学系３５２の高反射ミラー３５２ａは、メインパルスレーザ装置３ａから出力されたメインパルスレーザ光３１ａを、ビームコンバイナ３５に向けて反射させてもよい。

第４実施形態に係るビームコンバイナ３５は、ダイクロイックミラー３５１と、ビームスプリッタ３５３とを含んでもよい。

ビームスプリッタ３５３は、第２ミラー光学系３５２で反射されたメインパルスレーザ光３１ａの光路上であって、第２ミラー光学系３５２とダイクロイックミラー３５１との間に配置されてもよい。
ビームスプリッタ３５３は、第２ミラー光学系３５２で反射されたメインパルスレーザ光３１ａの一部をダイクロイックミラー３５１に向けて反射させ、メインパルスレーザ光３１ａの他の一部をポインティングセンサ４６に向けて透過させてもよい。

ダイクロイックミラー３５１は、ビームスプリッタ３５３で反射されたメインパルスレーザ光３１ａの光路上であって、ビームスプリッタ３５３とウインドウ２１との間に配置されてもよい。
ダイクロイックミラー３５１は、ビームスプリッタ３５３で反射されたメインパルスレーザ光３１ａをウインドウ２１に向けて透過させてもよい。

ポインティングセンサ４６は、メインパルスレーザ光３１ａのポインティングを計測するセンサであってもよい。
ポインティングセンサ４６は、ビームスプリッタ３５３を透過したメインパルスレーザ光３１ａの光路上に配置されてもよい。
ビームスプリッタ３５３を透過したメインパルスレーザ光３１ａは、ポインティングセンサ４６の受光面に入射し得る。ポインティングセンサ４６は、この受光面上におけるメインパルスレーザ光３１ａの入射位置を計測することによって、メインパルスレーザ光３１ａのポインティングを計測してもよい。ポインティングセンサ４６は、その計測結果をＥＵＶ光生成制御部５に送信してもよい。
ポインティングセンサ４６の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［７．２ 動作］
図２３は、第４実施形態に係る照射位置調整処理のフローチャートを示す図である。
第４実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、図４のステップＳ３及びＳ６並びにＳ４及びＳ７に示された照射位置調整処理のそれぞれは、第１実施形態と同様であってもよい。
第４実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、図４のステップＳ２及びＳ５に示された照射位置調整処理のそれぞれを、図２３に示された照射位置調整処理に置換して実行してもよい。

ステップＳ９１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１１と同様の処理を行ってもよい。

ステップＳ９２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２の制御目標値を変更してもよい。
上述のように、ポインティングセンサ４６は、その受光面上におけるメインパルスレーザ光３１ａの入射位置を計測し、その計測結果をＥＵＶ光生成制御部５に送信し得る。
第４実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、ポインティングセンサ４６の計測結果に基づいてメインパルスレーザ光３１ａの照射位置が走査されるよう、第２ミラー光学系３５２を制御してもよい。
具体的には、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５は、ポインティングセンサ４６の受光面上におけるメインパルスレーザ光３１ａの入射位置から、プラズマ生成領域２５に交差するＸＹ平面上でのメインパルスレーザ光３１ａの照射位置を推定してもよい。
そして、ＥＵＶ光生成制御部５は、推定されたメインパルスレーザ光３１ａの照射位置が、読み込まれた走査水準群の各走査水準に適合して走査されるよう、第２ミラー光学系３５２のステージ３５２ｂを駆動させてもよい。
第２ミラー光学系３５２の制御目標値は、読み込まれた走査水準群に含まれる各走査水準の位置を、第２ミラー光学系３５２の高反射ミラー３５２ａの位置及び姿勢に換算した値であってもよい。

ステップＳ９３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２の制御目標値に応じて、第２ミラー光学系３５２のステージ３５２ｂを駆動させてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２の高反射ミラー３５２ａの位置及び姿勢が、変更された第２ミラー光学系３５２の制御目標値に調整されるよう、第２ミラー光学系３５２のステージ３５２ｂを駆動させてもよい。

ステップＳ９４及びＳ９５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１３及びＳ１４と同様の処理を行ってもよい。

ステップＳ９６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ポインティングセンサ４６の計測結果を取得してもよい。そして、ＥＵＶ光生成制御部５は、取得されたポインティングセンサ４６の計測結果を、各走査水準に対応付けて記憶してもよい。

ステップＳ９７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１５と同様の処理に、読み込まれた走査水準群に含まれる全ての走査水準が走査されたか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、全ての走査水準が走査されていなければ、ステップＳ９２に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、全ての走査水準が走査されたならば、ステップＳ９８に移行してもよい。

ステップＳ９８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１６と同様に、各走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２５１のエネルギに基づいて、ＥＵＶ光２５１のエネルギの分布図を作成してもよい。
ＥＵＶ光２５１のエネルギの分布図は、図７に例示された分布図と同様であってもよい。

ステップＳ９９及びＳ１００において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１７及びＳ１８と同様の処理を行ってもよい。

ステップＳ１０１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系の制御目標値を、最適位置Ｓｍ’に応じた値に更新してもよい。

ステップＳ１０２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ１９と同様に、第２ミラー光学系３５２の調整量が許容値Ｒｍ以下であるか否かを判定してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２の調整量が許容値Ｒｍ以下であれば、本処理を終了し、図４のステップＳ３に移行してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、第２ミラー光学系３５２の調整量が許容値Ｒｍを超えるのであれば、ステップＳ１０３に移行してもよい。

ステップＳ１０３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、図５のステップＳ２０と同様に、現在の走査水準群を、最適位置Ｓｍ’を中心とした走査水準群に更新し、ステップＳ９１に移行してもよい。

第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［７．３ 作用効果］
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ポインティングセンサ４６の計測結果に基づいてメインパルスレーザ光３１ａの照射位置を走査しても、第１実施形態と同様に、メインパルスレーザ光３１ａの照射位置を自動的に調整し得る。
また、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第２プリパルスレーザ光３１ｃの照射位置及びパルスレーザ光３３の照射タイミングについても、第１実施形態と同様に、自動的に調整し得る。
よって、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態と同様に、デブリを抑制してＥＵＶ光２５１の生成効率を確保しつつ、高精度、高再現性及び低工数でパルスレーザ光３３の照射条件を調整し得る。

［８．その他］
［８．１ 各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図２４は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図２４の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図２４におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、ＥＵＶ光生成制御部５及び遅延回路５１等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ステージ２２１、ヒータ２６３、圧力調節器２６４、レーザ光進行方向制御部３４、第１ミラー光学系３４３、ステージ３４３ｂ、第２ミラー光学系３５２、ステージ３５２ｂ、照明部４１１及び画像センサ４３等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、ピエゾ素子２６５、ターゲットセンサ４、検出部４１２、ＥＵＶセンサ４４、レーザセンサ４５及びポインティングセンサ４６等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウェア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５等は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

［８．２ その他の変形例等］
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ …ＥＵＶ光生成装置
１１ …ＥＵＶ光生成システム
２ …チャンバ
２ａ …壁
２ｂ …ターゲット供給路
２１ …ウインドウ
２２ …レーザ光集光ミラー
２２１ …ステージ
２２２ …軸外放物面ミラー
２２３ …平面ミラー
２２ａ …レーザ光集光光学系
２３ …ＥＵＶ集光ミラー
２４ …貫通孔
２５ …プラズマ生成領域
２５１ …ＥＵＶ光
２５２ …ＥＵＶ光
２６ …ターゲット供給器
２６１ …タンク
２６２ …ノズル
２６３ …ヒータ
２６４ …圧力調節器
２６５ …ピエゾ素子
２７ …ターゲット
２８ …ターゲット回収器
２９ …接続部
２９１ …壁
２９２ …中間集光点
２９３ …アパーチャ
３ …レーザ装置
３ａ …メインパルスレーザ装置
３ｂ …第１プリパルスレーザ装置
３ｃ …第２プリパルスレーザ装置
３１ …パルスレーザ光
３１ａ …メインパルスレーザ光
３１ｂ …第１プリパルスレーザ光
３１ｃ …第２プリパルスレーザ光
３２ …パルスレーザ光
３３ …パルスレーザ光
３４ …レーザ光進行方向制御部
３４１ …高反射ミラー
３４２ …ミラー
３４３ …第１ミラー光学系
３４３ａ …高反射ミラー
３４３ｂ …ステージ
３４４ …ビームスプリッタ
３５ …ビームコンバイナ
３５１ …ダイクロイックミラー
３５２ …第２ミラー光学系
３５２ａ …高反射ミラー
３５２ｂ …ステージ
３５３ …ビームスプリッタ
４ …ターゲットセンサ
４１ …ターゲット検出器
４１１ …照明部
４１２ …検出部
４２１ …ウインドウ
４２２ …ウインドウ
４３ …画像センサ
４４ …ＥＵＶセンサ
４５ …レーザセンサ
４６ …ポインティングセンサ
５ …ＥＵＶ光生成制御部
５１ …遅延回路
６ …露光装置
７ …照射位置調整部
８ …照射タイミング調整部
１００ …ハードウェア環境
１０００ …処理ユニット
１００１ …ＣＰＵ
１００２ …メモリ
１００３ …タイマ
１００４ …ＧＰＵ
１００５ …ストレージユニット
１０１０ …ユーザインターフェイス
１０２０ …パラレルＩ／Ｏコントローラ
１０３０ …シリアルＩ／Ｏコントローラ
１０４０ …Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ
Ｐ …検出領域
Ｑ …ターゲット軌道

Claims (12)

1. チャンバ内の所定領域でターゲットに複数のレーザ光が照射されることによって生成された極端紫外光のエネルギを計測するＥＵＶセンサと、
   前記所定領域において前記ターゲットに照射される前記複数のレーザ光のそれぞれの照射位置の少なくとも１つを調整する照射位置調整部と、
   前記所定領域において前記ターゲットに照射される前記複数のレーザ光のそれぞれの照射タイミングの少なくとも１つを調整する照射タイミング調整部と、
   前記照射位置調整部及び前記照射タイミング調整部を制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記ＥＵＶセンサの計測結果に基づいて、前記照射位置調整部を制御した後に前記照射タイミング調整部を制御し、
   前記制御部は、前記所定領域に向かって進行する前記複数のレーザ光の進行方向に略垂直であって前記所定領域に交差する平面上において前記照射位置が走査されるよう、前記照射位置調整部を制御する
   極端紫外光生成装置。
2. 前記制御部は、前記平面上の２つの軸の一方に沿って前記照射位置が走査された後に前記２つの軸の他方に沿って前記照射位置が走査されるよう、前記照射位置調整部を制御する
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記複数のレーザ光は、
   前記所定領域に供給された前記ターゲットである１次ターゲットに第１照射タイミングで照射される第１プリパルスレーザ光と、
   前記第１プリパルスレーザ光が照射された前記１次ターゲットである２次ターゲットに第２照射タイミングで照射される第２プリパルスレーザ光と、
   前記第２プリパルスレーザ光が照射された前記２次ターゲットである３次ターゲットに第３照射タイミングで照射されるメインパルスレーザ光と、
   を含む
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
4. 前記照射位置調整部は、
   前記第１及び第２プリパルスレーザ光並びに前記メインパルスレーザ光を前記所定領域に集光する集光光学系と、
   前記集光光学系に入射する前の前記第２プリパルスレーザ光の光路上に配置され、前記２次ターゲットに対する前記第２プリパルスレーザ光の前記照射位置を調整する第１ミラー光学系と、
   前記集光光学系に入射する前の前記メインパルスレーザ光の光路上に配置され、前記３次ターゲットに対する前記メインパルスレーザ光の前記照射位置を調整する第２ミラー光学系と、
   を含み、
   前記制御部は、前記第２ミラー光学系、前記第１ミラー光学系及び前記集光光学系の順に制御する
   請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
5. 前記メインパルスレーザ光のポインティングを計測するポインティングセンサを更に備え、
   前記制御部は、前記ポインティングセンサの計測結果に基づいて前記メインパルスレーザ光の前記照射位置が走査されるよう、前記第２ミラー光学系を制御する
   請求項４に記載の極端紫外光生成装置。
6. 前記照射タイミング調整部は、
   前記１次ターゲットが前記所定領域に供給されるタイミングに前記第１照射タイミングを調整し、
   前記第１照射タイミングに第１遅延時間を付加することによって前記第２照射タイミングを調整し、
   前記第１照射タイミングに第２遅延時間を付加することによって前記第３照射タイミングを調整する
   遅延回路を含み、
   前記制御部は、前記照射タイミング調整部を制御する際、前記第１及び第２遅延時間を前記遅延回路に設定する
   請求項４に記載の極端紫外光生成装置。
7. 前記制御部は、
   前記照射位置調整部によって走査された前記照射位置における前記ＥＵＶセンサの前記計測結果から、前記エネルギの分布図を作成し、
   前記分布図に基づいて、前記第２プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光のそれぞれの前記照射位置の最適位置を決定し、
   前記最適位置に応じて前記照射位置調整部を制御する
   請求項６に記載の極端紫外光生成装置。
8. 前記制御部は、
   前記第２遅延時間と前記第１遅延時間との差分時間、及び、前記第２遅延時間を走査し、
   走査された前記差分時間及び前記第２遅延時間における前記ＥＵＶセンサの前記計測結果から、前記差分時間及び前記第２遅延時間と前記エネルギとの対応関係を示す第１テーブルを作成すると共に、前記差分時間及び前記第２遅延時間と前記エネルギのばらつきとの対応関係を示す第２テーブルを作成し、
   前記第１及び第２テーブルに基づいて、前記差分時間及び前記第２遅延時間の最適時間を決定し、
   前記最適時間に応じた前記第１及び第２遅延時間を前記遅延回路に設定する
   請求項７に記載の極端紫外光生成装置。
9. 前記制御部は、
   前記分布図のうちで前記エネルギが最大である前記照射位置を、前記最適位置に決定し、
   前記第２テーブルのうちで前記ばらつきが所定範囲内にあると共に前記第１テーブルのうちで前記エネルギが最大である前記差分時間及び前記第２遅延時間を、前記最適時間に決定する
   請求項８に記載の極端紫外光生成装置。
10. 前記制御部は、
    前記分布図のうちで前記エネルギが最大である前記照射位置を、前記最適位置に決定し、
    前記第１テーブルのうちで前記エネルギが所定範囲内にあると共に前記第２テーブルのうちで前記ばらつきが最小である前記差分時間及び前記第２遅延時間を、前記最適時間に決定する
    請求項８に記載の極端紫外光生成装置。
11. 前記メインパルスレーザ光のエネルギを計測するレーザセンサを更に備え、
    前記制御部は、
    前記照射位置調整部によって走査された前記照射位置における前記ＥＵＶセンサの前記計測結果と前記レーザセンサの計測結果とから、前記エネルギの生成効率の分布図を作成し、
    前記分布図に基づいて、前記第２プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光のそれぞれの前記照射位置の最適位置を決定し、
    前記最適位置に応じて前記照射位置調整部を制御する
    請求項６に記載の極端紫外光生成装置。
12. 前記制御部は、
    前記第２遅延時間と前記第１遅延時間との差分時間、及び、前記第２遅延時間を走査し、
    走査された前記差分時間及び前記第２遅延時間における前記ＥＵＶセンサの前記計測結果と前記レーザセンサの前記計測結果とから、前記差分時間及び前記第２遅延時間と前記生成効率との対応関係を示す第３テーブルを作成すると共に、前記差分時間及び前記第２遅延時間と前記生成効率のばらつきとの対応関係を示す第４テーブルを作成し、
    前記第３及び第４テーブルに基づいて、前記差分時間及び前記第２遅延時間の最適時間を決定し、
    前記最適時間に応じた前記第１及び第２遅延時間を前記遅延回路に設定する
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。