CN104488362A - 辐射源 - Google Patents

Abstract

一种用于生成适于在光刻设备中使用的EUV辐射的辐射源，所述辐射源包括：激光器，配置成用激光脉冲照射被供给燃料液滴的束流的目标区域。燃料液滴可以是锡液滴，其在被激光束激发时发射EUV辐射。EUV辐射通过收集器收集。锡液滴可以在主激光脉冲之前被激光预脉冲预调节，其目的在于改变液滴的形状，使得它们处于用于接收主激光脉冲的最佳状态。本发明的多个实施例考虑一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响，并允许调节主脉冲和/或预脉冲的时机，从而考虑在前的液滴蒸发所引起的随后的燃料液滴的到达的预定延迟或形状的振荡。

Description

辐射源

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年5月21日递交的美国临时申请61/649,895的权益，其在此通过引用全文并入。

技术领域

本发明涉及辐射源，并且具体涉及适用于光刻设备中的EUV辐射源。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。可以将光刻设备用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单一的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。

光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

$\mathrm{CD}=k_1*\frac{\mathrm{\λ}}{\mathrm{NA}}---\left(1\right)$

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸减小可以由三种途径获得：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm范围内的波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内，或者例如在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于通过电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

可以通过使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子的源收集器模块。例如可以通过引导激光束至燃料，诸如合适材料(例如锡)的颗粒等，来产生等离子体。所形成的等离子体发出输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包围结构或腔室，布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常被称为激光产生的等离子体(LPP)源。

发明内容

根据本发明一方面，提供一种在用于光刻设备的辐射源中生成EUV辐射的方法。所述方法包括：供给燃料液滴的束流至目标区域；配置激光器以发射方向指向所述目标区域的激光辐射的脉冲，所述脉冲被定时激发或发射以碰击(strike)并蒸发燃料液滴、以生成EUV辐射；和控制所述脉冲的时机(timing)，这依赖于所述束流中一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响。

在本发明一实施例中，响应于在前的燃料液滴的蒸发所导致的燃料液滴到达的预定延迟而调节所述脉冲的发射或激发时机。基于通过在前的燃料液滴的蒸发发射的EUV能量的量值计算预定延迟，因为该延迟将与发射的离子的数量成比例并且发射的离子的数量将与发射的EUV能量成比例。

在本发明的一个实施例中，在燃料液滴到达所述目标区域之前将激光预脉冲引导至所述燃料液滴，并且控制所述预脉冲的发射或激发时机，这依赖于在所述束流中一个燃料液滴的蒸发对随后燃料液滴的影响。

所述预脉冲用作在燃料液滴被蒸发之前预调节所述燃料液滴，并且期望控制所述预脉冲的时机、以优化所述燃料液滴的预调节。期望地，预调节包括成形所述燃料液滴，并且在本发明的一个实施例中，基于由在前的燃料液滴的蒸发引起的所述燃料液滴的形状的振荡而选择所述预脉冲的时机。具体地，预脉冲的发射或激发时机被定为与燃料液滴的振荡中的燃料液滴具有其原始形状时的时间点相对应。在本发明的一个实施例中，省略预脉冲，并且在主激光脉冲的发射或激发时机定为与随后的燃料液滴处于优化形状时的时间点相对应的情况下，通过在前的燃料液滴的蒸发引起随后的燃料液滴的形状的振荡。

根据本发明的一个方面，提供一种用于生成EUV辐射的辐射源，所述辐射源包括：用于将燃料液滴的束流供给至目标区域的装置；激光器，配置成发射激光辐射的脉冲至所述目标区域，以蒸发燃料液滴而生成EUV辐射；和控制装置，所述控制装置用于控制激光，这依赖于所述束流中的一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响。

根据本发明的一个方面，提供一种用于生成EUV辐射的辐射源。辐射源包括：燃料源，配置成将燃料液滴的束流供给至目标区域；激光器，配置成发射激光辐射的脉冲至所述目标区域，以蒸发燃料液滴而生成EUV辐射；和控制装置，配置用于控制激光，这依赖于所述束流中的一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响。

本发明的多个方面还延伸至包括辐射源的光刻设备。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示意地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。

图2示意地示出束通过光刻设备的光学路径；

图3示出不同液滴尺寸和速度情况下作为离子风的函数的x方向上的位置误差的曲线；和

图4示意地示出激波(shock wave)对随后的液滴的影响。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备100。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；衬底台(例如，晶片台)WT，构造用以保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如反射式投影系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。

术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

与照射系统类似，投影系统可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可以期望对EUV辐射使用真空，因为气体可以吸收太多的辐射。因此可以借助真空壁和真空泵对整个束路径提供真空环境。在光刻设备的某些部分中可以提供某些气体，例如以允许使用气流减小污染物到达光刻设备的光学部件的可能性。

如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种具有“多个台”的机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1，所述照射器IL接收从源收集器模块SO发出的极紫外(EUV)辐射束。产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，该材料具有在EUV范围内具有一个或更多个发射线的至少一种元素，例如氙、锂或锡。在一种这样的方法中，通常称为激光产生等离子体(“LPP”)，通过用激光束照射燃料，例如具有想要的线发射元素的材料的液滴、束流或簇，可以产生想要的等离子体。源收集器模块SO可以是包括用于提供激发燃料的激光束的激光器(图1未示出)的EUV辐射系统的一部分。最终的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块上的辐射收集器而被收集。激光器和源收集器模块可以是分离的实体(例如当使用CO₂激光器提供激光束用于燃料激发的时候)。

在这种情况下，激光器不被看作形成光刻设备的一部分，并且辐射束借助包括例如合适的定向反射镜和/或束扩展器的束传递系统、通过激光器而传播至源收集器模块。在其它情况下，所述源可以是所述源收集器模块的组成部分(例如当所述源是放电产生等离子体EUV产生装置时，通常称为DPP源)。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面(或多小平面)场反射镜装置和琢面(或多小平面)光瞳反射镜装置。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面上具有想要的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经被图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。

可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中：

1.在步进模式中，在将支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。

3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如，掩模台)MT保持为基本静止，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，移动或扫描所述衬底台WT。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体或完全不同的使用模式。

图2更加具体地示出了光刻设备100，并且尤其地更加详细地示出源收集器模块SO，源收集器模块SO包括辐射系统42、照射系统IL以及投影系统PS。EUV辐射可以通过生成极高温的并且发射在电磁谱的EUV范围内的辐射的等离子体而被产生。通过激光照射由目标材料源71提供的目标材料的液滴，可以产生等离子体。目标材料的液滴可以例如是Xe、Li或Sn，并且可以通过目标材料源沿轨迹69喷射目标材料的液滴。目标材料的液滴可以例如具有大约20-50μm的直径，并且可以例如具有大约50-100m/s的速度。

等离子体发射的辐射被收集器反射镜50反射，收集器反射镜配置成将辐射聚焦至焦点，在本实施例中焦点与中间焦点52一致。在本实施例中，辐射经由掠入射反射镜51被聚焦至焦点，但是在其他实施例中这可以省略。

通过辐射系统42，辐射束56在照射系统IL中通过反射镜53、54反射到定位在图案形成装置支撑结构MT(例如掩模版或掩模台)上的图案形成装置MA(例如掩模版或掩模)上。图案化的束57随后在投影系统PS中经由反射元件58、59被成像到衬底W上。

掠入射反射镜51可以是光栅光谱滤光片。替代掠入射光谱滤光片或者除了掠入射光谱滤光片之外，光刻设备中也可以存在透射EUV并且较少地透射具有其他波长的辐射(或者甚至基本上吸收具有其他波长的辐射)的透射光学滤光片。

收集器反射镜50可以是正入射反射镜，如图2所示，或可以是其他形式。收集器反射镜50可以包括Si/Mo多层。

辐射系统42设置有激光器系统(如下文描述的)，所述激光器系统被构造并布置成提供激光辐射束63，激光辐射束被控向反射镜(steeringmirror)65反射通过设置在收集器反射镜50中的开口67。激光器系统可以是脉冲激光器系统。控向反射镜65布置成引导激光辐射束63的束路径通过等离子体形成位置73。

在操作时，通过目标材料源71沿轨迹69供给目标材料的液滴。当目标材料的液滴到达等离子体形成位置73时，激光辐射束63撞击到液滴上并且形成EUV辐射发射等离子体。从等离子体发射的EUV辐射通过正入射收集器反射镜50聚焦，并经由反射光谱光栅滤光片51传播至中间焦点52。

为了实现最优效率，期望在被主激光脉冲碰击(用于激发燃料，以提供EUV发射等离子体)之前调节目标材料，例如锡液滴，并且尤其地，已知在主脉冲之前施加预备激光脉冲(已知为预脉冲)。预脉冲功率低于主脉冲，并且用以使锡液滴成形，尤其使得液滴变平为盘，其中盘被取向为使得主激光脉冲碰击盘的面。已知这样的取向能够提高EUV产生过程的效率。可以通过第二激光器施加预脉冲，或者主激光器可以配置成使用分束器发射预脉冲、使得预脉冲瞄准将是锡液滴到达目标区域之前的位置(前述的等离子体形成位置73)的正确点。

为了最大化设备的效率，源收集器模块SO的性能应该被优化，并且该性能的一个方面是激光脉冲和锡液滴供给之间的关系。

具体地，如果要获得源收集器模块SO的最优的性能，存在许多应该被考虑的因素。这些包括：确保激光器精确地在正确的时刻被点火或激发，以确保主脉冲与锡液滴在相同时刻精确地到达目标区域。为了实现这个信息，每个单独的液滴的轨迹被测量(例如通过使用摄像机和图像采集和分析软件)，并且被用于控制激光器的激发或开启时机(timing)。如果预测液滴到达晚，则可以延迟激光器的点火或激发。

潜在的问题在于，一个锡液滴的点燃(ignition)会影响随后的锡液滴。当锡液滴碰撞主激光脉冲时，产生等离子体，其发射想要的EUV辐射。然而，等离子体也发射离子激波，离子激波会干扰下一个液滴。具体地，激波可能使液滴变形，由此干扰液滴形状的调节过程。离子激波也可能减慢下一个液滴并且因此使液滴延迟到达目标位置。虽然液滴的轨迹可以测量，但是通常这种测量是在锡液滴仍然离开目标位置一定距离的时候(若干毫米量级)执行，而在测量之后发生的任何干扰的影响(例如离子激波产生的影响)将不被考虑。

因此，期望考虑离子激波对下一个液滴的影响以及该脉冲的存在和脉冲(预脉冲和主脉冲)的最优时机之间的关系。具体地，期望考虑一个液滴的激发或点燃引起的下一个液滴的延迟，并且还考虑点燃对下一个液滴的形状的影响。

首先考虑延迟的问题，图3是示出一个范围内的液滴尺寸和速度(通过不同的曲线示出五个不同的速度-30m/s、40m/s、50m/s、75m/s和100m/s)下在x方向(锡液滴的移动方向)上的估计的位置误差的曲线，其中激光器是以80kHz频率驱动、每个脉冲的能量是0.5J的40kW的CO₂激光器。在3％的效率的情况下，这产生250W的EUV源。对于30μm直径的液滴并且100m/s的高速的情形，离子激波引起的x方向上的误差将是8μm。对于在实际应用中更常见的较低速度的情况来说，误差将更大。为了使得事情进一步复杂化，每个激光脉冲将是不同的并且实际的剂量控制值大约是±30％。

对下一个液滴的延迟程度将依赖于通过之前点燃所发射的离子的数量，该数量又与发射的EVU的量成比例。首先，测量或模拟离子的数量和在下一个接近的液滴的方向上的发射的离子的能量谱。通过这些，离子中碰撞下一个液滴的那部分离子的冲击(impulse)可以计算，当假定是非弹性碰撞，将全部能量传递给下一个到达的液滴，则下一个到达的液滴的新的速度可以被计算。因此，通过测量从一个液滴点燃发射的EUV能量，可以估计对下一个液滴的延迟，因为该延迟将与发射的EUV能量成比例。可以通过设置在辐射系统42中的能量传感器测量EUV能量。这种能量传感器在任何情况下通常设置为辐射系统42的一部分，用于反馈和控制用途，但是替换地，可以设置专用的能量传感器用于这种用途。可以使用快速响应传感器的任何形式。来自能量传感器的与发射的EUV能量相关的数据将反馈至激光器控制装置(例如控制器)，所述激光器控制装置将包括处理装置(例如处理器)，所述处理装置适于基于发射的EUV能量、基于发射的离子的数量与测量的能量成正比例的事实以及对液滴的附加的延迟将也与离子的数量成比例并且因此与发射的EUV能量成比例的事实来计算对于下一个燃料液滴的估计的延迟。激光器控制装置将因此依赖于来自能量传感器的数据输入调节激光器(在预脉冲和主脉冲方面的)激发或开启时机。通常，预脉冲和主脉冲的时机将都被延迟相同的量，并且预脉冲和主脉冲之间的时间间隔将基本上不变。

预脉冲激光辐射的功能之一是将燃料液滴预调节至用于被主激光脉冲照射的最佳的状态。具体地，已知如果燃料液滴形成为盘或薄饼形状且取向为使得盘面对激光脉冲，则转化效率(即通过给定的激光脉冲能量产生EUV辐射的效率)较高。通过用其能量比主脉冲的功率小的激光预脉冲碰击液滴，可以产生这样的形状。通常，在与燃料液滴的反应时间为0.1ns至100ns的情况下，预调节脉冲的能量在1mJ至1000mJ的范围内。

潜在的问题可能存在，即由在前的主脉冲蒸发在前的液滴产生的激波会干扰下一个液滴的形状。具体地，当激波与液滴碰撞时，激波将引起液滴振荡，如图4所示。图4示出朝向目标区域73以速度v移动的两个连续的液滴101、102。当第一液滴101蒸发时，103处示出的激波返回朝向第二液滴。当然应该理解，激波将在所有方向上传播，但是在此仅仅方向朝向下一个液滴102的那部分激波是相关的。激波将引起液滴102在其正常的球形状态与盘状形状之间发生形状的振荡。

当考虑下一个预脉冲的时机时，应该考虑下一个液滴102的形状的振荡。下一个预脉冲的时机可以定为与振荡周期中的液滴102已经返回至其原始的球形状态时的时间点相对应，或定位为与液滴102部分处于想要的如图中102’所示的盘状形状(实际上是液滴101蒸发之后过了时间间隔t₁后的液滴的形状)时的时间点相对应。

受限制的液滴的振荡通过下式表示：

${\mathrm{\ω}}_n^2=\frac{n(n-1)(n+1)(n+2)}{(n+1){\mathrm{\ρ}}_i+{\mathrm{n\ρ}}_e}\frac{\mathrm{\σ}}{R^3}---\left(2\right)$

其中ω是本征频率，n是本征频率的序数，σ是表面张力，ρ₁和ρ_e是液体(例如锡)和液滴被浸入的介质(在这种情况下是真空并因此是零)的密度，R是液滴的半径。对真空中直径为30μm的锡球形液滴，这得到最低的本征频率(f_n＝1)69kHz或周期14.5μs。

当液滴已经恢复至其正常状态时，将是应用预脉冲的最佳时刻，这将首先在一时间间隔(该时间间隔是振荡周期的一半)之后发生，或液滴的振动周期中随后的可以从在前的液滴被蒸发时测量的被限定为(m+1/2)t(其中m＝0，1，2，3，...)的时刻。

备选地，可以在液滴处于其振荡周期中在正弦曲线的顶部和底部，即周期t的1/4和3/4处出现的最稳定的点时应用预脉冲。

通常，在前面的液滴蒸发之后的下一个预脉冲的正确的时机可能依赖于多个因素或事实，除了上述的下一个液滴的形状的振荡之外，还包括液滴源的频率和液滴的速度。

另一选择是预脉冲可以省略，如果激波本身被用于预调节燃料液滴。具体地，激波引起的振荡将导致液滴在周期内在某些点处具有想要的盘形或薄饼状形状，主脉冲的发射或激发时机可以被定为与这种条件时间对应。在这种情况下，预脉冲可以省略，这可能导致功率消耗减小，激光器系统和相关的光学系统的复杂度降低。

虽然本文具体参考光刻设备在制造集成电路中的应用，但是应该理解，这里所述的光刻设备可以具有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这些备选的应用中，任何使用的术语“晶片”或“管芯”可以分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

附加地，应该说明，本发明不仅适于用作光刻设备中的源，而且，替换地，可以用作需要EUV辐射的其他系统的辐射源，例如极紫外掩模版检查系统，掩模胚检查系统或空间图像测量以及缺陷检查系统。

在允许的情况下，术语“透镜”可以表示不同类型的光学构件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的以及静电光学构件。

术语“EUV辐射”可以看作包含具有5-20nm范围内的波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内的辐射，或例如在5-10nm范围的辐射，例如6.7nm或6.8nm。

尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。上面描述的内容是例证性的，而不是限定的。因而，应该认识到，本领域的技术人员在不脱离以下所述权利要求的范围的情况下，可以对上述本发明进行更改。

Claims (19)

1.一种在用于光刻设备的辐射源中生成EUV辐射的方法，所述方法包括：

将燃料液滴的束流供给至目标区域；

配置激光器以发射方向指向所述目标区域的激光辐射的脉冲，所述脉冲的时机被设定以碰击并蒸发燃料液滴、以生成EUV辐射；和

控制所述脉冲的时机，这依赖于所述束流中一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响。

2.根据权利要求1所述的方法，其中响应于在前的燃料液滴蒸发所导致的燃料液滴的到达的预定延迟来调节所述脉冲的时机。

3.根据权利要求2所述的方法，其中基于通过在前的燃料液滴的蒸发而发射的EUV能量的幅度来计算所述预定延迟。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述延迟被计算为与所发射的EUV能量的幅度成比例。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在燃料液滴到达所述目标区域之前将激光预脉冲引导至所述燃料液滴，并且其中控制所述预脉冲的时机，这依赖于所述束流中一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述预脉冲用于在燃料液滴被蒸发之前预调节所述燃料液滴，并且其中控制所述预脉冲的时机、以优化所述燃料液滴的预调节。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述预调节包括成形所述燃料液滴，且其中基于由在前的燃料液滴的蒸发引起的所述燃料液滴的形状的振荡选择所述预脉冲的时机。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述预脉冲的时机被设定为与燃料液滴的振荡中的燃料液滴具有其原始形状时的时间点相对应。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在前的燃料液滴的蒸发引起随后的燃料液滴的形状的振荡，并且激光脉冲的时机被设定为与所述随后的燃料液滴处于优选形状时的时间点相对应。

10.一种用于生成EUV辐射的辐射源，所述辐射源包括：

用于将燃料液滴的束流供给至目标区域的装置；

激光器，配置成将激光辐射的脉冲发射至所述目标区域，以蒸发燃料液滴而生成EUV辐射；和

控制装置，用于控制激光器，这依赖于所述束流中的一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响。

11.根据权利要求10所述的辐射源，其中所述控制装置适于响应于在前的燃料液滴蒸发所导致的燃料液滴的到达的预定延迟而调节所述脉冲的时机。

12.根据权利要求11所述的辐射源，还包括用于确定通过燃料液滴的蒸发而发射的EUV能量的幅度的装置，且其中所述控制装置适于计算在前的燃料液滴蒸发所导致的燃料液滴的到达的预定延迟。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的辐射源，还包括在燃料液滴达到所述目标区域之前将激光预脉冲引导至所述燃料液滴的装置，且其中所述控制装置适于控制所述预脉冲的时机，这依赖于在所述束流中一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响。

14.根据权利要求13所述的辐射源，其中所述预脉冲用于在燃料液滴被蒸发之前预调节所述燃料液滴，并且其中所述控制装置控制所述预脉冲的时机、以优化所述燃料液滴的预调节。

15.根据权利要求14所述的辐射源，其中所述预脉冲成形所述燃料液滴，且其中所述控制装置基于由在前的燃料液滴的蒸发引起的所述燃料液滴的形状的振荡来选择所述预脉冲的时机。

16.根据权利要求15所述的辐射源，其中所述控制装置控制预脉冲的时机，使其与燃料液滴的振荡中的燃料液滴具有其原始形状时的时间点相对应。

17.根据权利要求10所述的辐射源，其中在前的燃料液滴的蒸发引起随后的燃料液滴的形状的振荡，并且所述控制装置控制激光脉冲的时机，使其与所述随后的燃料液滴处于优选形状时的时间点相对应。

18.一种光刻设备，包括如权利要求10-17中任一项所述的辐射源。

19.一种用于生成EUV辐射的辐射源，所述辐射源包括：

燃料源，配置成将燃料液滴的束流供给至目标区域；

激光器，配置成将激光辐射的脉冲发射至所述目标区域，以蒸发燃料液滴而生成EUV辐射；和

控制器，配置成控制激光器，这依赖于所述束流中的一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响。