WO2019186754A1 - 極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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ultraviolet light
light generation
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柳田　達哉
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ギガフォトン株式会社
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    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • the present disclosure relates to an extreme ultraviolet light generation system and an electronic device manufacturing method.
  • the EUV light generation apparatus includes an LPP (Laser Produced Plasma) type apparatus that uses plasma generated by irradiating a target material with pulsed laser light, and a DPP (Discharge Produced Plasma) that uses plasma generated by discharge. ) Type devices and SR (Synchrotron Radiation) type devices using synchrotron radiation light have been proposed.
  • LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • JP 2010-003548 A US Patent Application Publication No. 2016/0255707 International Publication No. 2005/089130 US Patent Application Publication No. 2014/0091239
  • An extreme ultraviolet light generation system sequentially includes a chamber and a plurality of droplets including a first droplet and a second droplet toward a predetermined region in the chamber.
  • Target supply unit that outputs, orbit correction laser device that irradiates each droplet of a plurality of droplets moving from the target supply unit toward a predetermined region with orbit correction laser light, and drives to each droplet that reaches the predetermined region
  • the drive laser device that irradiates a laser beam with each laser beam to emit plasma, and the orbit correction laser beam irradiated to the first droplet and the orbit correction laser beam irradiated to the second droplet have a light intensity.
  • a control unit that controls the trajectory correction laser device so as to change.
  • An electronic device manufacturing method sequentially includes a chamber and a plurality of droplets including a first droplet and a second droplet toward a predetermined region in the chamber.
  • Target supply unit that outputs, orbit correction laser device that irradiates each droplet of a plurality of droplets moving from the target supply unit toward a predetermined region with orbit correction laser light, and drives to each droplet that reaches the predetermined region
  • the drive laser device that irradiates a laser beam with each laser beam to emit plasma, and the orbit correction laser beam irradiated to the first droplet and the orbit correction laser beam irradiated to the second droplet have a light intensity.
  • An extreme ultraviolet light generation system comprising: a control unit that controls the orbit correction laser device to change To irradiate a droplet with drive laser light to generate extreme ultraviolet light, output the extreme ultraviolet light to an exposure device, and expose the extreme ultraviolet light on the photosensitive substrate in the exposure device to produce an electronic device.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 schematically shows a part of an EUV light generation system according to a comparative example.
  • FIG. 3 schematically illustrates a part of the EUV light generation system according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4A schematically shows the behavior of a droplet irradiated with a trajectory correction laser beam.
  • FIG. 4B schematically shows the behavior of the droplet irradiated with the trajectory correction laser light.
  • FIG. 4C schematically shows the behavior of the droplet irradiated with the trajectory correction laser light.
  • FIG. 5A shows a cross section perpendicular to the traveling direction of the trajectory correction laser light and a droplet passing through the optical path of the trajectory correction laser light.
  • FIG. 5B shows an example of the light intensity distribution of the trajectory correction laser beam along the line VB-VB in FIG. 5A.
  • FIG. 6A shows a first example of an optical system for reducing variation in the light intensity distribution of the orbit correction laser light.
  • FIG. 6B shows a second example of an optical system for reducing variation in the light intensity distribution of the trajectory correction laser light.
  • FIG. 6C shows a third example of the optical system for reducing variation in the light intensity distribution of the trajectory correction laser light.
  • FIG. 6D shows a third example of the optical system for reducing variation in the light intensity distribution of the orbit correction laser light.
  • FIG. 6A shows a cross section perpendicular to the traveling direction of the trajectory correction laser light and a droplet passing through the optical path of the trajectory correction laser light.
  • FIG. 5B shows an example of the light intensity distribution of
  • FIG. 6E shows a third example of the optical system for reducing variation in the light intensity distribution of the orbit correction laser light.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a processing procedure of the EUV light generation control unit for performing feedback control of the trajectory correction laser apparatus in the first embodiment.
  • FIG. 8 schematically illustrates a part of an EUV light generation system according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 schematically illustrates a part of an EUV light generation system according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 10 shows the behavior of the EUV light generation apparatus when the trajectory correction laser apparatus is not operated in the third embodiment.
  • FIG. 11 shows the behavior of the EUV light generation apparatus when the orbit correction laser apparatus is operated based on the output parameter of the EUV light in the third embodiment.
  • FIG. 12 is a flowchart illustrating a processing procedure of an EUV light generation control unit for performing feedforward control of the trajectory correction laser apparatus in the third embodiment.
  • FIG. 13 shows an example of output parameters of EUV light.
  • FIG. 14 shows a setting example of the output parameter of the trajectory correction laser beam in the modification of the third embodiment.
  • FIG. 15 schematically shows a configuration of an exposure apparatus connected to the EUV light generation apparatus.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 is used together with at least one drive laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the drive laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes a chamber 2 and a target supply unit 26.
  • the chamber 2 is configured to be hermetically sealed.
  • the target supply unit 26 is attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example.
  • the material of the target substance output from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 is provided with at least one through hole.
  • a window 21 is provided in the through hole.
  • the pulse laser beam 32 output from the drive laser device 3 is transmitted through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface is disposed inside the chamber 2, for example.
  • the EUV collector mirror 23 has first and second focal points.
  • the EUV collector mirror 23 is disposed, for example, such that its first focal point is located in the plasma generation region 25 and its second focal point is located in the intermediate focal point (IF) 292.
  • a through hole 24 is provided at the center of the EUV collector mirror 23.
  • the pulse laser beam 33 passes through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes an EUV light generation control unit 5, a target sensor 4, and the like.
  • the target sensor 4 has an imaging function and is configured to detect the presence, trajectory, position, speed, and the like of the target 27.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes a connection portion 29 that allows communication between the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6.
  • a wall 291 having an aperture is provided in the connection portion 29. The wall 291 is disposed such that its aperture is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 includes an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
  • the pulse laser beam 31 output from the drive laser device 3 passes through the window 21 as the pulse laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enters the chamber 2.
  • the pulsed laser light 32 travels in the chamber 2 along at least one laser light path, is reflected by the laser light focusing mirror 22, and is irradiated onto at least one target 27 as pulsed laser light 33.
  • the target supply unit 26 outputs the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the target 27 is irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33.
  • the target 27 irradiated with the pulse laser beam is turned into plasma, and radiation light 251 is emitted from the plasma.
  • the EUV collector mirror 23 reflects EUV light included in the emitted light 251 with a higher reflectance than light in other wavelength ranges.
  • the reflected light 252 including the EUV light reflected by the EUV collector mirror 23 is condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure device 6.
  • a single target 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
  • the EUV light generation controller 5 controls the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 processes the image data of the target 27 imaged by the target sensor 4. Further, the EUV light generation control unit 5 controls, for example, the timing at which the target 27 is output, the output direction of the target 27, and the like. Further, the EUV light generation control unit 5 controls, for example, the oscillation timing of the drive laser device 3, the traveling direction of the pulse laser light 32, the condensing position of the pulse laser light 33, and the like.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • FIG. 2 schematically illustrates a part of an EUV light generation system according to a comparative example.
  • illustration of the chamber 2, the laser beam collector mirror 22, the EUV collector mirror 23, the laser beam traveling direction control unit 34 and the like is omitted.
  • the EUV light generation apparatus according to the comparative example includes a droplet position sensor 40 and a drive stage 26a.
  • the output direction of the plurality of droplets 27a output from the target supply unit 26 is the + Y direction.
  • the irradiation direction of the drive laser beam 33a irradiated to the droplet 27a is defined as a + Z direction.
  • the directions perpendicular to both the + Y direction and the + Z direction are defined as + X direction and ⁇ X direction.
  • Each of the plurality of droplets 27a is a droplet-like target.
  • the drive laser beam 33 a is a pulse laser beam output from the drive laser device 3.
  • the droplet position sensor 40 is composed of, for example, an imaging device.
  • the droplet position sensor 40 is configured to detect a droplet 27 a that moves from the target supply unit 26 toward the plasma generation region 25 and to output detection data to the EUV light generation control unit 5.
  • the droplet position sensor 40 is preferably arranged so as to detect a droplet 27a in the vicinity of the plasma generation region 25, for example, the droplet 27a immediately before reaching the plasma generation region 25.
  • the drive stage 26 a is connected to the target supply unit 26.
  • the drive stage 26 a is configured to change the position or posture of the target supply unit 26 with respect to the plasma generation region 25 in accordance with a control signal output from the EUV light generation control unit 5.
  • the EUV light generation controller 5 receives the detection data from the droplet position sensor 40 and calculates the positions of the droplet 27a in the X direction and the Z direction.
  • the EUV light generation controller 5 transmits a control signal to the drive stage 26a based on the positions of the droplets 27a in the X direction and the Z direction.
  • the drive stage 26a changes the position or orientation of the target supply unit 26, the trajectory of the droplet 27a output thereafter is changed.
  • the drive laser device 3 may include a pre-pulse laser device and a main pulse laser device (not shown).
  • a pre-pulse laser beam which is a drive laser beam output from the pre-pulse laser apparatus, is applied to the droplet 27a, and the droplet 27a is diffused to generate a diffusion target.
  • Main pulse laser light which is drive laser light output from the main pulse laser device, is applied to the diffusion target to turn the target material into plasma.
  • a diffusion target may be generated by sequentially irradiating one droplet 27a with a plurality of prepulse laser beams from a plurality of prepulse laser devices (not shown).
  • the EUV light generation controller 5 may calculate the position of the droplet 27a in the Y direction at a predetermined timing based on the detection data received from the droplet position sensor 40.
  • the EUV light generation control unit 5 drives the drive laser device 3 or the above-described one so that the condensing position and the irradiation timing of the drive laser light 33a are changed based on the positions of the droplet 27a in the X direction, Y direction, and Z direction.
  • the actuator of the laser beam traveling direction control unit 34 may be controlled.
  • the adjustment of the trajectory of the droplet 27a by the drive stage 26a may not be in time.
  • the amount of change in the trajectory of the droplet 27a is large, the focal position of the drive laser beam 33a is outside the adjustable range, or the plasma generation position is shifted, which adversely affects the quality of the EUV light. There is a case.
  • the position of the droplet 27a in the vicinity of the plasma generation region 25 can be adjusted to an ideal position by irradiating the droplet 27a with orbit correction laser light.
  • FIG. 3 schematically illustrates a part of the EUV light generation system according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the EUV light generation apparatus includes an orbit correction laser apparatus 35.
  • the trajectory correction laser device 35 is configured to irradiate each of the droplets 27 a moving from the target supply unit 26 toward the plasma generation region 25 with the trajectory correction laser light 36.
  • the trajectory correction laser device 35 includes, for example, a laser device that continuously oscillates.
  • the trajectory correction laser device 35 is composed of, for example, a fiber laser device, a semiconductor laser device, or other solid-state laser device.
  • the wavelength of the orbit correction laser beam 36 may be 300 nm or more and 10 ⁇ m or less.
  • the EUV light generation control unit 5 is configured to control the trajectory correction laser device 35 to change output parameters such as the light intensity of the trajectory correction laser light 36.
  • the output parameter of the trajectory correction laser beam 36 may include the irradiation timing in addition to the light intensity.
  • the position of the droplet 27a irradiated with the trajectory correction laser beam 36 is preferably between the target supply unit 26 and the position of the droplet 27a detected by the droplet position sensor 40.
  • the droplet position sensor 40 detects the position of each droplet 27 a after being irradiated with the trajectory correction laser light 36.
  • the distance from the target supply unit 26 to the position of the droplet 27a irradiated with the trajectory correction laser light 36 is preferably 2 mm or more, and is preferably less than the distance from the target supply unit 26 to the plasma generation region 25.
  • the EUV light generation controller 5 receives the detection data from the droplet position sensor 40, and calculates the positions of the droplet 27a in the X direction and the Z direction.
  • the EUV light generation controller 5 transmits a control signal to the trajectory correction laser device 35 according to the position of the droplet 27a in the X direction and the Z direction.
  • the trajectory correction laser device 35 then irradiates the trajectory correction laser beam 36 onto the droplet 27 a that passes through the optical path of the trajectory correction laser beam 36.
  • the trajectory P2 of the droplet 27a irradiated with the trajectory correction laser beam 36 is a droplet 27a that has not been irradiated with the trajectory correction laser beam 36. Shift in the first direction from the orbit P1. Thereby, the position of the droplet 27a in the vicinity of the plasma generation region 25 can be adjusted.
  • the case where the first direction and the + Z direction coincide with each other is illustrated, but the first direction is not limited to the + Z direction.
  • FIGS. 4A to 4C schematically show the behavior of a droplet irradiated with trajectory correction laser light.
  • the orbit correction laser light 36 is irradiated in the first direction onto the droplet 27a.
  • the surface of the droplet 27a opposite to the first direction is irradiated with the trajectory correction laser light 36 and heated.
  • the gas G of the target material is ejected from the heated portion H.
  • the ejection direction of the gas G is, for example, a direction substantially perpendicular to the surface of the heated portion H.
  • the droplet 27a receives a force in the first direction by the reaction of the gas G to be ejected. Thereby, the trajectory of the droplet 27a irradiated with the trajectory correction laser beam 36 is shifted in the first direction from the trajectory of the droplet 27a not irradiated with the trajectory correction laser beam 36.
  • the light intensity of the orbit correction laser light 36 is desirably a light intensity that can heat a part of the droplet 27a to a temperature higher than the temperature at which the gas is ejected, for example, 10 5 W / cm 2 or more. Further, the light intensity that does not destroy the droplets 27a is desirable, for example, 10 9 W / cm 2 or less. Within the range of 10 5 W / cm 2 or more and 10 9 W / cm 2 or less, the trajectory of the droplet 27a can be significantly changed as the light intensity increases, and the trajectory of the droplet 27a decreases as the light intensity decreases. The effect is small.
  • the EUV light generation control unit 5 performs feedback control on the trajectory correction laser device 35 based on the position of the droplet 27a detected by the droplet position sensor 40. That is, the EUV light generation controller 5 increases the light intensity of the trajectory correction laser light 36 when the position of the droplet 27a is significantly deviated from the target position. The EUV light generation controller 5 reduces the light intensity of the trajectory correction laser light 36 when the position of the droplet 27a is slightly shifted from the target position.
  • the trajectory correction laser beam 36 having a light intensity lower than 10 5 W / cm 2 may be applied to the droplet 27a, and the output of the trajectory correction laser beam 36 is You may cancel.
  • the EUV light generation control unit 5 has the light intensity of the trajectory correction laser light 36 irradiated to one droplet 27a and the trajectory correction laser light 36 irradiated to the other droplet 27a. It is possible to control the trajectory correction laser device 35 to change.
  • the EUV light generation controller 5 corresponds to a controller in the present disclosure.
  • FIG. 5A shows a cross section perpendicular to the traveling direction of the orbit correction laser light and a droplet passing through the optical path of the orbit correction laser light.
  • the trajectory P1 of the droplet 27a moving in the + Y direction may vary in the + X direction or the -X direction. Therefore, it is desirable that the trajectory correction laser beam 36 has a long beam cross section in a direction perpendicular to both the optical path axis of the trajectory correction laser beam 36 and the moving direction of the droplet 27a.
  • the direction perpendicular to both the optical path axis of the trajectory correction laser beam 36 and the moving direction of the droplet 27a is the ⁇ X direction.
  • the beam width D2 of the trajectory correction laser beam 36 in the ⁇ X direction is larger than the variation range D1 of the trajectory of the droplet 27a in the ⁇ X direction. Therefore, even if the trajectory of the droplet 27a varies in the + X direction or the ⁇ X direction, the trajectory correction laser beam 36 can be irradiated to each droplet 27a.
  • FIG. 5B shows an example of the light intensity distribution of the orbit correction laser beam along the VB-VB line in FIG. 5A.
  • the light intensity distribution along the ⁇ X directions be a substantially top hat light intensity distribution.
  • the width D3 of the region where the light intensity is substantially uniform is desirably larger than the variation range D1 of the trajectory of the droplet 27a.
  • the light intensity distribution of the trajectory correction laser light 36 along the moving direction of the droplet 27a is substantially uniform in the vicinity of the trajectory of the droplet 27a.
  • the trajectory correction laser device 35 is a continuous wave laser
  • the energy absorbed by the droplet 27a from the trajectory correction laser light 36 depends on the moving speed of the droplet 27a. Since the movement speed of the droplet 27a is substantially constant, the energy absorbed by the droplet 27a from the trajectory correction laser light 36 can be made substantially constant.
  • FIGS. 6A, 6B, and 6C to 6E show a first example of the optical system for reducing variation in the light intensity distribution of the orbit correction laser light. , 2nd and 3rd examples are shown respectively.
  • the optical system shown in these drawings is disposed in the optical path of the trajectory correction laser light 36 between the trajectory correction laser device 35 and the trajectory of the droplet 27a.
  • FIG. 6A shows a cylindrical concave lens 37a as a first example.
  • the cylindrical concave lens 37a can realize the beam shape shown in FIG. 5A by expanding the beam width of the trajectory correction laser light 36 in the ⁇ X direction. Further, the cylindrical concave lens 37a can reduce the variation in the light intensity distribution along the ⁇ X direction by widening the beam width of the trajectory correction laser light 36 in the ⁇ X direction.
  • FIG. 6B shows a diffractive optical element (DOE) 37b as a second example.
  • the diffractive optical element 37b includes, for example, a transparent plate on which minute unevenness for diffracting incident light is formed, and a condensing optical system (not shown).
  • the concavo-convex pattern of the diffractive optical element 37b is designed to make the light intensity distribution uniform at the condensing point when the diffracted light is condensed by the condensing optical system.
  • FIG. 6B shows the light intensity distribution of the trajectory correction laser light 36 before entering the diffractive optical element 37b and the light intensity distribution of the trajectory correction laser light 36 emitted from the diffractive optical element 37b and collected. ing. In this way, variation in the light intensity distribution can be reduced as shown in FIG. 5B.
  • the Powell lens 37c is a kind of line generator, and can be purchased from, for example, Edmund Optics.
  • the trajectory correction laser light 36 is incident on the first and second surfaces 371 and 372 sharing one edge of the Powell lens 37c, the light refracted on the respective surfaces 371 and 372 is separated from the third surface 373. Emits in the direction. Thereby, the beam width of the trajectory correction laser light 36 is expanded in the ⁇ X directions, and the beam shape shown in FIG. 5A can be realized. In addition, it is possible to reduce the variation in the light intensity distribution along the ⁇ X directions.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a processing procedure of the EUV light generation control unit for performing feedback control of the trajectory correction laser apparatus in the first embodiment.
  • Y indicates a branch destination when YES is determined
  • N indicates a branch destination when NO is determined.
  • the EUV light generation controller 5 controls the trajectory correction laser apparatus 35 so that the trajectory correction laser apparatus 35 starts outputting the low-intensity trajectory correction laser light 36.
  • the low-intensity orbit correction laser light 36 is light having a light intensity that does not affect the orbit of the droplet 27a.
  • the EUV light generation controller 5 determines whether or not the EUV light generation apparatus 1 starts outputting EUV light. For example, the output of the droplet 27 a is started from the target supply unit 26, preparation for generation of EUV light is completed, and it is further determined whether or not an EUV light output command is received from the exposure apparatus 6. Preparation for EUV light generation may include control of the drive stage 26 a and the drive laser apparatus 3 based on detection data from the droplet position sensor 40.
  • the EUV light generation control unit 5 waits until it is determined that the output of EUV light is started. When the output of EUV light is started (S11: YES), the EUV light generation control unit 5 advances the process to S12.
  • the EUV light generation controller 5 reads the detection data from the droplet position sensor 40.
  • the detection data from the droplet position sensor 40 includes, for example, an image of the droplet 27a captured by a camera included in the droplet position sensor 40.
  • the EUV light generation controller 5 calculates the center position D of the droplet 27a.
  • the center position D of the droplet 27a is calculated based on the image of the droplet 27a.
  • the center position D of the droplet 27a includes the center position of the droplet 27a in the first direction.
  • the EUV light generation controller 5 determines whether or not the difference L between the target position C of the droplet 27a and the center position D of the droplet 27a is within an allowable range.
  • the allowable range may be, for example, 10% of the diameter of the droplet 27a.
  • the allowable range of the difference L may be a range of ⁇ 2 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the EUV light generation controller 5 advances the process to S16.
  • the EUV light generation controller 5 controls the trajectory correction laser device 35 so as to change the light intensity of the trajectory correction laser light 36.
  • the EUV light generation control unit 5 controls the trajectory correction laser device 35 so as to increase the light intensity.
  • the EUV light generation control unit 5 changes the light intensity of the trajectory correction laser beam 36.
  • the trajectory correction laser device 35 is controlled so as to be lowered.
  • the EUV light generation controller 5 advances the process to S17 without changing the light intensity of the trajectory correction laser light 36.
  • the EUV light generation controller 5 determines whether or not the EUV light generation apparatus 1 stops outputting EUV light. For example, it is determined whether or not an EUV light stop command is received from the exposure apparatus 6.
  • the EUV light generation control unit 5 returns the process to S12.
  • the EUV light generation controller 5 advances the process to S18.
  • the EUV light generation controller 5 controls the trajectory correction laser device 35 so as to stop the output of the trajectory correction laser beam 36. After S18, the EUV light generation controller 5 ends the process of this flowchart.
  • the trajectory of the droplet 27 a can be adjusted by adjusting the light intensity of the trajectory correction laser beam 36. According to this, the trajectory of the droplet 27a can be adjusted at a higher response speed than the drive stage 26a. By adjusting the trajectory of the droplet 27a, the position of the droplet 27a in the vicinity of the plasma generation region 25 can be adjusted.
  • FIG. 8 schematically illustrates a part of an EUV light generation system according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the trajectory correction laser device 35 includes a plurality of trajectory correction laser units.
  • the multiple trajectory correction laser units include first, second, and third trajectory correction laser units 351, 352, and 353.
  • the first, second, and third trajectory correction laser units 351, 352, and 353 transmit the trajectory correction laser light 36 traveling in the first direction, the second direction, and the third direction, respectively, to the droplet 27a. It is comprised so that it may irradiate.
  • the first direction, the second direction, and the third direction are all directions that intersect the trajectory of the droplet 27a.
  • the first direction, the second direction, and the third direction may be directions perpendicular to the trajectory of the droplet 27a, and the first direction, the second direction, and the third direction are 120 degrees each other. It may be shifted.
  • the droplet position sensor 40 includes a plurality of sensor units 401 and 402.
  • the plurality of sensor units 401 and 402 detect the position of the droplet 27a from the fourth direction and the fifth direction intersecting the trajectory of the droplet 27a.
  • the fourth direction and the fifth direction may be directions perpendicular to the trajectory of the droplet 27a, and the fourth direction and the fifth direction may be shifted from each other by 90 degrees.
  • the droplet position sensor 40 uses the plurality of sensor units 401 and 402 to accurately detect the displacement of the droplet 27a in the fourth direction and the displacement of the droplet 27a in the fifth direction. Can be detected well.
  • the first trajectory correction laser unit 351 changes the trajectory of the droplet 27a in the first direction by irradiating the trajectory correction laser light 36 in the first direction.
  • the second trajectory correction laser unit 352 changes the trajectory of the droplet 27a in the second direction by irradiating the trajectory correction laser light 36 in the second direction.
  • the third trajectory correction laser unit 353 changes the trajectory of the droplet 27a in the third direction by irradiating the trajectory correction laser light 36 in the third direction.
  • the trajectory correction from the first and second trajectory correction laser units 351 and 352 is performed on one droplet 27a. What is necessary is just to irradiate the laser beam 36 simultaneously. Further, by changing the light intensity ratio of the trajectory correction laser light 36 from the first and second trajectory correction laser units 351 and 352, in an arbitrary direction between the first direction and the second direction, The trajectory of the droplet 27a can be changed. For example, when it is necessary to change the trajectory of the droplet 27 a in the second direction larger than the first direction, the second trajectory is higher than the intensity of the trajectory correction laser light 36 from the first trajectory correction laser unit 351. The intensity of the orbit correction laser beam 36 from the orbit correction laser unit 352 is increased.
  • the second and third trajectory correction laser units 352 and 353 may be used.
  • the third and first trajectory correction laser units 353 and 351 may be used.
  • the flowchart for the second embodiment is the same as that in FIG. 7.
  • the light intensity may be set for each of the correction laser beams 36.
  • the number of orbit correction laser units included in the orbit correction laser device 35 is not limited to three, but may be two or four or more.
  • the plurality of sensor units included in the droplet position sensor 40 may be three or more.
  • FIG. 9 schematically illustrates a part of an EUV light generation system according to the third embodiment of the present disclosure.
  • the EUV light generation apparatus includes a storage unit 51.
  • the storage unit 51 stores an output parameter of EUV light and an output parameter of orbit correction laser light in association with each other.
  • the storage unit 51 is configured to be readable by the EUV light generation control unit 5.
  • the EUV light generation apparatus may not include the droplet position sensor 40.
  • FIG. 10 shows the behavior of the EUV light generation apparatus when the trajectory correction laser apparatus is not operated in the third embodiment.
  • a burst period in which EUV light is output at a predetermined repetition frequency and a pause period in which output of EUV light at the predetermined repetition frequency is paused may be repeated.
  • the operation in which the burst period and the rest period are repeated in this way is called burst operation.
  • the burst period is, for example, a period in which individual chip areas of the semiconductor wafer are exposed.
  • the rest period is, for example, a period for moving the wafer stage (not shown) until the exposure of the second chip area is started after the exposure of the first chip area is completed, or mounted on the wafer stage. This is a period for exchanging the manufactured semiconductor wafer.
  • the positional deviation of the droplet 27a with respect to the target position may be small. However, after the start of the burst period, the position of the droplet 27a is displaced significantly from the target position due to the influence of the generated plasma. When the positional deviation of the droplet 27a with respect to the target position becomes large, the positional accuracy of the drive laser light is deteriorated or the plasma generation position is shifted, and the energy of the EUV light is reduced. The influence of plasma differs depending on the energy of EUV light and the repetition frequency of EUV light in a burst period. When the next burst period is started after the pause period, the position shift of the droplet 27a with respect to the target position may be reduced. However, when the next burst period is started, the position shift of the droplet 27a with respect to the target position may vary depending on the length of the pause period, for example.
  • the output parameter of the EUV light and the output parameter of the orbit correction laser beam 36 are associated in advance, and the output parameter of the orbit correction laser beam 36 is read based on the output parameter of the EUV light.
  • the trajectory correction laser device 35 is controlled.
  • FIG. 11 shows the behavior of the EUV light generation apparatus when the trajectory correction laser apparatus 35 is operated based on the output parameter of the EUV light in the third embodiment.
  • the EUV light generation controller 5 starts the output of the trajectory correction laser light 36 at, for example, first timings Ts1 and Ts2 that are a predetermined time earlier than the start of the burst period.
  • the reason why the output of the trajectory correction laser beam 36 is started earlier than the start of the burst period is that there is a predetermined delay time until the droplet 27a irradiated with the trajectory correction laser beam 36 reaches the plasma generation region 25. It is.
  • This delay time is calculated by dividing the distance L from the position of the droplet 27a irradiated with the trajectory correction laser beam 36 to the plasma generation region 25 by the velocity V of the droplet 27a.
  • the EUV light generation controller 5 ends the output of the orbit correction laser light 36 at, for example, the second timings Te1 and Te2 that are a predetermined time earlier than the end of the burst period.
  • the reason for terminating the output of the trajectory correction laser beam 36 earlier than at the end of the burst period is the same as that described at the start of the burst period.
  • the EUV light generation control unit 5 performs, for example, an orbit so that the light intensity of the orbit correction laser light 36 gradually increases from the light intensity Is1 at the first timing Ts1 to the light intensity Ie1 at the second timing Te1.
  • the correction laser device 35 is controlled. For example, if the light intensity at the third timing between the first timing Ts1 and the second timing Te1 is Im1, the relationship is Is1 ⁇ Im1 ⁇ Ie1.
  • the reason why the light intensity of the trajectory correction laser beam 36 is gradually increased is that the influence of plasma gradually increases after the start of the burst period.
  • the light intensity is set in advance according to the output parameter of the EUV light so that the shift of the position of the droplet 27a with respect to the target position becomes small.
  • the output parameter of the trajectory correction laser light 36 is constituted by a combination of the following indices, for example. (1) Output start timing Tsn for the nth burst period (2) Output end timing Ten for the nth burst period (3) Light intensity Isn at the start of output for the nth burst period (4) Light intensity Ien at the end of output for the nth burst period
  • FIG. 11 shows output parameters Ts1, Te1, Is1, Ie1 of the trajectory correction laser beam 36 for the first burst period, and output parameters Ts2, Te2, of the trajectory correction laser beam 36 for the second burst period. Is2 and Ie2 are shown.
  • FIG. 12 is a flowchart showing a processing procedure of the EUV light generation control unit for feedforward control of the trajectory correction laser apparatus in the third embodiment.
  • the EUV light generation controller 5 controls the trajectory correction laser apparatus 35 so that the trajectory correction laser apparatus 35 starts outputting the low-intensity trajectory correction laser light 36.
  • the low-intensity orbit correction laser light 36 is light having a light intensity that does not affect the orbit of the droplet 27a.
  • the EUV light generation control unit 5 determines whether or not an EUV light output parameter is designated by the exposure device 6. If the EUV light output parameter is not specified (S21: NO), the EUV light generation controller 5 stands by until the EUV light output parameter is specified. When the EUV light output parameter is designated (S21: YES), the EUV light generation controller 5 advances the process to S22.
  • the EUV light generation control unit 5 reads the output parameter of the trajectory correction laser beam 36 from the storage unit 51 in accordance with the output parameter of the EUV light.
  • the EUV light generation controller 5 determines whether or not the burst operation has been started.
  • the burst operation is not started (S23: NO)
  • the EUV light generation controller 5 stands by until the burst operation is started.
  • the burst operation is started (S23: YES)
  • the EUV light generation controller 5 advances the process to S24.
  • the EUV light generation controller 5 controls the trajectory correction laser device 35 according to the output parameter of the trajectory correction laser beam 36.
  • the EUV light generation controller 5 determines whether or not the burst operation has ended. If the burst operation has not ended (S25: NO), the EUV light generation controller 5 returns the process to S24 and repeats the control of the trajectory correction laser device 35. When the burst operation is finished (S25: YES), the EUV light generation controller 5 advances the process to S26.
  • the EUV light generation controller 5 controls the trajectory correction laser device 35 so as to stop the output of the trajectory correction laser beam 36. After S26, the EUV light generation controller 5 ends the process of this flowchart.
  • FIG. 13 shows examples of output parameters of EUV light.
  • the output parameter of EUV light is composed of a combination of the following indices, for example. (1) Target value of EUV light energy (2) EUV light repetition frequency in burst period (3) Length of pause period
  • the EUV light output parameter is, for example, a pattern No. described with a three-digit number. Specified by Pattern No. The above indices (1) to (3) correspond to the respective digits. Pattern No. The target value of the EUV light energy is specified in the first digit of. Pattern No. In the second digit, the repetition frequency of the EUV light in the burst period is specified. Pattern No. , The length of the pause period is specified.
  • each index is specified as follows.
  • EUV light energy target value is E1
  • the repetition frequency of EUV light in the burst period is 100 kHz
  • the length of the suspension period is T2.
  • EUV light output parameters are not limited to the above three indicators, and may include other indicators.
  • the number of bursts may be further included.
  • the pattern No. May be described by four or more digits.
  • the storage unit 51 stores the output parameter of the trajectory correction laser beam 36 for each combination pattern of indices constituting the output parameter of EUV light.
  • the output parameter of the trajectory correction laser beam 36 is configured by a combination of the following indices. (1) Output start timing Tsn for the nth burst period (2) Output end timing Ten for the nth burst period (3) Light intensity Isn at the start of output for the nth burst period (4) Light intensity Ien at the end of output for the nth burst period
  • the position of the droplet 27a can be controlled without detecting the position of the droplet 27a according to the output parameter of the EUV light.
  • the trajectory correction can be performed even before the position of the droplet 27a is shifted. Even when the distance L from the position of the droplet 27a irradiated with the trajectory correction laser beam 36 to the plasma generation region 25 is large, or even when the trajectory of the droplet 27a changes at a short time interval, the droplet 27a The position can be controlled.
  • the third embodiment is the same as the first embodiment or the second embodiment. The case where the third embodiment and the second embodiment are combined will be supplemented with reference to FIG.
  • FIG. 14 shows a setting example of the output parameter of the trajectory correction laser beam in a modification of the third embodiment.
  • a modification of the third embodiment is that, in the third embodiment described with reference to FIG. 9, the trajectory correction laser device 35 includes first, second, and third trajectory correction laser units as shown in FIG. 8. This corresponds to the case where 351, 352, and 353 are included. In the modification of the third embodiment, it is not necessary to include a plurality of sensor units 401 and 402.
  • the output parameter of the trajectory correction laser light 36 is constituted by a combination of the following indices, for example.
  • FIG. 14 shows output parameters of the trajectory correction laser light 36 of the first to third trajectory correction laser units for the first burst period and the second burst period.
  • FIG. 15 schematically shows the arrangement of an exposure apparatus connected to the EUV light generation apparatus.
  • the exposure apparatus 6 includes a mask irradiation unit 60 and a workpiece irradiation unit 61.
  • the mask irradiation unit 60 illuminates the mask pattern of the mask table MT with the EUV light incident from the EUV light generation apparatus 1 through the reflection optical system.
  • the workpiece irradiation unit 61 images the EUV light reflected by the mask table MT on a workpiece (not shown) disposed on the workpiece table WT via a reflection optical system.
  • the workpiece is a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer coated with a photoresist.
  • the exposure apparatus 6 exposes the workpiece with EUV light reflecting the mask pattern by moving the mask table MT and the workpiece table WT in parallel in synchronization.
  • An electronic device can be manufactured by transferring a device pattern to a semiconductor wafer by the exposure process as described above.

Abstract

極端紫外光生成システム（１１）は、チャンバ（２）と、チャンバ内の所定領域に向けて、ターゲット物質を含む第１のドロップレット及び第２のドロップレットを含む複数のドロップレット（２７ａ）を順次出力するターゲット供給部（２６）と、ターゲット供給部から所定領域に向けて移動する複数のドロップレットの各ドロップレットに軌道補正レーザ光（３６）を照射する軌道補正レーザ装置（３５）と、所定領域に到達した各ドロップレットにドライブレーザ光（３３ａ）を照射して各ドロップレットをプラズマ化するドライブレーザ装置（３）と、第１のドロップレットに照射される軌道補正レーザ光と第２のドロップレットに照射される軌道補正レーザ光とで光強度が変化するように軌道補正レーザ装置を制御する制御部（５）と、を備える。

Description

極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
特開２０１０－００３５４８号公報 米国特許出願公開第２０１６／０２５５７０７号明細書 国際公開第２００５／０８９１３０号公報 米国特許出願公開第２０１４／００９１２３９号明細書
概要
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、チャンバと、チャンバ内の所定領域に向けて、ターゲット物質を含む第１のドロップレット及び第２のドロップレットを含む複数のドロップレットを順次出力するターゲット供給部と、ターゲット供給部から所定領域に向けて移動する複数のドロップレットの各ドロップレットに軌道補正レーザ光を照射する軌道補正レーザ装置と、所定領域に到達した各ドロップレットにドライブレーザ光を照射して各ドロップレットをプラズマ化するドライブレーザ装置と、第１のドロップレットに照射される軌道補正レーザ光と第２のドロップレットに照射される軌道補正レーザ光とで光強度が変化するように軌道補正レーザ装置を制御する制御部と、を備える。
　本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバ内の所定領域に向けて、ターゲット物質を含む第１のドロップレット及び第２のドロップレットを含む複数のドロップレットを順次出力するターゲット供給部と、ターゲット供給部から所定領域に向けて移動する複数のドロップレットの各ドロップレットに軌道補正レーザ光を照射する軌道補正レーザ装置と、所定領域に到達した各ドロップレットにドライブレーザ光を照射して各ドロップレットをプラズマ化するドライブレーザ装置と、第１のドロップレットに照射される軌道補正レーザ光と第２のドロップレットに照射される軌道補正レーザ光とで光強度が変化するように軌道補正レーザ装置を制御する制御部と、を備える極端紫外光生成システムにおいて、ドロップレットにドライブレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システムの一部を概略的に示す。 図３は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部を概略的に示す。 図４Ａは、軌道補正レーザ光を照射されたドロップレットの挙動を概略的に示す。 図４Ｂは、軌道補正レーザ光を照射されたドロップレットの挙動を概略的に示す。 図４Ｃは、軌道補正レーザ光を照射されたドロップレットの挙動を概略的に示す。 図５Ａは、軌道補正レーザ光の進行方向に垂直な断面と、軌道補正レーザ光の光路を通過するドロップレットとを示す。 図５Ｂは、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における軌道補正レーザ光の光強度分布の例を示す。 図６Ａは、軌道補正レーザ光の光強度分布におけるばらつきを低減するための光学系の第１の例を示す。 図６Ｂは、軌道補正レーザ光の光強度分布におけるばらつきを低減するための光学系の第２の例を示す。 図６Ｃは、軌道補正レーザ光の光強度分布におけるばらつきを低減するための光学系の第３の例を示す。 図６Ｄは、軌道補正レーザ光の光強度分布におけるばらつきを低減するための光学系の第３の例を示す。 図６Ｅは、軌道補正レーザ光の光強度分布におけるばらつきを低減するための光学系の第３の例を示す。 図７は、第１の実施形態において軌道補正レーザ装置をフィードバック制御するためのＥＵＶ光生成制御部の処理手順を示すフローチャートである。 図８は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部を概略的に示す。 図９は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部を概略的に示す。 図１０は、第３の実施形態において軌道補正レーザ装置を動作させなかった場合のＥＵＶ光生成装置の挙動を示す。 図１１は、第３の実施形態においてＥＵＶ光の出力パラメータに基づいて軌道補正レーザ装置を動作させた場合のＥＵＶ光生成装置の挙動を示す。 図１２は、第３の実施形態において軌道補正レーザ装置をフィードフォワード制御するためのＥＵＶ光生成制御部の処理手順を示すフローチャートである。 図１３は、ＥＵＶ光の出力パラメータの例を示す。 図１４は、第３の実施形態の変形例における軌道補正レーザ光の出力パラメータの設定例を示す。 図１５は、ＥＵＶ光生成装置に接続された露光装置の構成を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　１．２　動作
２．比較例に係るＥＵＶ光生成システム
　２．１　構成
　２．２　動作
　２．３　課題
３．軌道補正レーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム
　３．１　構成
　３．２　動作
　３．３　軌道補正の原理
　３．４　軌道補正レーザ光のビーム形状
　３．５　軌道補正レーザ光の光強度分布を変更する光学系
　３．６　制御
　３．７　作用
４．複数の軌道補正レーザ部を含むＥＵＶ光生成システム
　４．１　構成
　４．２　動作及び作用
５．ＥＵＶ光の出力パラメータに基づいて軌道補正レーザ光の出力パラメータを制御するＥＵＶ光生成システム
　５．１　構成
　５．２　動作原理
　５．３　制御
　５．４　ＥＵＶ光の出力パラメータの例
　５．５　作用
　５．６　変形例
６．その他
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのドライブレーザ装置３と共に用いられる。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びドライブレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能に構成されている。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられている。ターゲット供給部２６から出力されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含むことができるが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられている。ウインドウ２１をドライブレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられている。貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含む。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有し、ターゲット２７の存在、軌道、位置、速度等を検出するよう構成されている。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられている。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されている。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えている。
　１．２　動作
　図１を参照に、ドライブレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射される。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射する。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括する。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理する。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ドライブレーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
２．比較例に係るＥＵＶ光生成システム
　２．１　構成
　図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システムの一部を概略的に示す。図２において、チャンバ２、レーザ光集光ミラー２２、ＥＵＶ集光ミラー２３、レーザ光進行方向制御部３４等の図示は省略されている。図２に示されるように、比較例に係るＥＵＶ光生成装置は、ドロップレット位置センサ４０と、駆動ステージ２６ａと、を含む。
　ターゲット供給部２６から出力される複数のドロップレット２７ａの出力方向を＋Ｙ方向とする。ドロップレット２７ａに照射されるドライブレーザ光３３ａの照射方向を＋Ｚ方向とする。＋Ｙ方向と＋Ｚ方向との両方に垂直な方向を＋Ｘ方向及び－Ｘ方向とする。なお、複数のドロップレット２７ａの各々は、液滴状のターゲットである。ドライブレーザ光３３ａは、ドライブレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光である。
　ドロップレット位置センサ４０は、例えば、撮像装置で構成されている。ドロップレット位置センサ４０は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて移動するドロップレット２７ａを検出し、検出データをＥＵＶ光生成制御部５に出力するように構成されている。ドロップレット位置センサ４０は、プラズマ生成領域２５の近傍のドロップレット２７ａ、例えばプラズマ生成領域２５に到達する直前のドロップレット２７ａを検出するように配置されることが望ましい。
　駆動ステージ２６ａは、ターゲット供給部２６に接続されている。駆動ステージ２６ａは、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、プラズマ生成領域２５に対するターゲット供給部２６の位置又は姿勢を変更するように構成されている。
　２．２　動作
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット位置センサ４０から検出データを受信し、ドロップレット２７ａのＸ方向及びＺ方向の位置を算出する。ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７ａのＸ方向及びＺ方向の位置に基づいて、駆動ステージ２６ａに制御信号を送信する。駆動ステージ２６ａがターゲット供給部２６の位置又は姿勢を変更することにより、その後に出力されるドロップレット２７ａの軌道が変更される。
　ドライブレーザ装置３は、図示しないプリパルスレーザ装置及びメインパルスレーザ装置を含んでもよい。プリパルスレーザ装置から出力されるドライブレーザ光であるプリパルスレーザ光はドロップレット２７ａに照射されて、ドロップレット２７ａを拡散させて拡散ターゲットを生成させる。メインパルスレーザ装置から出力されるドライブレーザ光であるメインパルスレーザ光は、拡散ターゲットに照射されてターゲット物質をプラズマ化させる。図示しない複数のプリパルスレーザ装置から複数のプリパルスレーザ光を１つのドロップレット２７ａに順次照射することにより、拡散ターゲットを生成させてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット位置センサ４０から受信する検出データに基づいて、所定タイミングにおけるドロップレット２７ａのＹ方向の位置を算出してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７ａのＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向の位置に基づいて、ドライブレーザ光３３ａの集光位置及び照射タイミングが変更されるようにドライブレーザ装置３あるいは上述のレーザ光進行方向制御部３４のアクチュエータを制御してもよい。
　２．３　課題
　ドライブレーザ光３３ａによって１つのドロップレット２７ａがプラズマ化すると、プラズマから発生した粒子が、後続のドロップレット２７ａに当たり、後続のドロップレット２７ａの軌道を変化させることがある。また、プラズマ生成領域２５の近傍に存在するガスがプラズマによって加熱され、膨張することにより、ガスの流れが変化し、後続のドロップレット２７ａの軌道を変化させることがある。ドロップレット２７ａの理想的な軌道をＰ０で示す。プラズマの影響によって変化したドロップレット２７ａの軌道をＰ１で示す。このようなドロップレット２７ａの軌道の変化は、数十マイクロ秒から数ミリ秒程度の短い時間間隔で起こり、ドロップレット２７ａの軌道の変化量もプラズマ生成領域２５において数十マイクロメートルから数百マイクロメートルになることがある。
　このようにドロップレット２７ａの軌道が短い時間間隔で変化すると、駆動ステージ２６ａによるドロップレット２７ａの軌道の調整が時間的に間に合わない場合がある。また、ドロップレット２７ａの軌道の変化量が大きいと、ドライブレーザ光３３ａの集光位置を調整可能な範囲外となったり、プラズマの生成位置がずれたりして、ＥＵＶ光の品質に悪影響が出る場合がある。
　以下に説明する実施形態では、ドロップレット２７ａに軌道補正レーザ光を照射することにより、プラズマ生成領域２５付近でのドロップレット２７ａの位置を理想的な位置に調整することができる。
３．軌道補正レーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム
　３．１　構成
　図３は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部を概略的に示す。第１の実施形態において、ＥＵＶ光生成装置は軌道補正レーザ装置３５を含む。軌道補正レーザ装置３５は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて移動するドロップレット２７ａのそれぞれに軌道補正レーザ光３６を照射するように構成されている。
　軌道補正レーザ装置３５は、例えば、連続発振するレーザ装置を含む。軌道補正レーザ装置３５は、例えば、ファイバレーザ装置、半導体レーザ装置、その他の固体レーザ装置で構成される。軌道補正レーザ光３６の波長は、３００ｎｍ以上、１０μｍ以下でもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道補正レーザ装置３５を制御して軌道補正レーザ光３６の光強度などの出力パラメータを変化させるように構成されている。軌道補正レーザ光３６の出力パラメータは、光強度のほか、照射タイミングを含んでもよい。
　軌道補正レーザ光３６が照射されるドロップレット２７ａの位置は、ターゲット供給部２６と、ドロップレット位置センサ４０によって検出されるドロップレット２７ａの位置との間であることが望ましい。この場合、ドロップレット位置センサ４０は、軌道補正レーザ光３６を照射された後の各ドロップレット２７ａの位置を検出する。
　ターゲット供給部２６から、軌道補正レーザ光３６が照射されるドロップレット２７ａの位置までの距離は、２ｍｍ以上であり、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５までの距離未満であることが望ましい。
　３．２　動作
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット位置センサ４０から検出データを受信し、ドロップレット２７ａのＸ方向及びＺ方向の位置を算出する。ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７ａのＸ方向及びＺ方向の位置に応じて、軌道補正レーザ装置３５に制御信号を送信する。軌道補正レーザ装置３５は、その後に軌道補正レーザ光３６の光路を通過するドロップレット２７ａに、軌道補正レーザ光３６を照射する。
　ドロップレット２７ａに対する軌道補正レーザ光３６の照射方向を第１の方向とすると、軌道補正レーザ光３６を照射されたドロップレット２７ａの軌道Ｐ２は、軌道補正レーザ光３６を照射されなかったドロップレット２７ａの軌道Ｐ１よりも第１の方向にシフトする。これにより、プラズマ生成領域２５付近でのドロップレット２７ａの位置を調整することができる。ここでは第１の方向と＋Ｚ方向とが一致する場合について図示しているが、第１の方向は＋Ｚ方向に限定されない。
　３．３　軌道補正の原理
　図４Ａ～図４Ｃは、軌道補正レーザ光を照射されたドロップレットの挙動を概略的に示す。まず、図４Ａに示されるように、ドロップレット２７ａに対して軌道補正レーザ光３６が第１の方向に照射される。ドロップレット２７ａは、第１の方向と反対側の面が軌道補正レーザ光３６によって照射され、加熱される。
　次に、図４Ｂに示されるように、ドロップレット２７ａの表面の一部が加熱されて、ターゲット物質の沸点に達すると、加熱部分Ｈからターゲット物質のガスＧが噴出する。ガスＧの噴出方向は、例えば、加熱部分Ｈの表面にほぼ垂直な方向である。
　次に、図４Ｃに示されるように、噴出するガスＧの反作用によって、ドロップレット２７ａは上記第１の方向に力を受ける。これにより、軌道補正レーザ光３６を照射されたドロップレット２７ａの軌道が、軌道補正レーザ光３６を照射されなかったドロップレット２７ａの軌道よりも第１の方向にシフトする。
　軌道補正レーザ光３６の光強度は、ドロップレット２７ａの一部をガスが噴出する温度以上に加熱できる光強度が望ましく、例えば、１０５Ｗ／ｃｍ２以上が望ましい。また、ドロップレット２７ａを破壊しない程度の光強度が望ましく、例えば、１０９Ｗ／ｃｍ２以下が望ましい。１０５Ｗ／ｃｍ２以上、１０９Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で、光強度が高いほどドロップレット２７ａの軌道を大幅に変更することができ、光強度が低いほどドロップレット２７ａの軌道に与える影響が小さい。
　そこで、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット位置センサ４０によって検出されたドロップレット２７ａの位置に基づいて、軌道補正レーザ装置３５をフィードバック制御する。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７ａの位置が目標位置から大幅にずれているときは、軌道補正レーザ光３６の光強度を高くする。ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７ａの位置が目標位置からわずかにずれているときは、軌道補正レーザ光３６の光強度を低くする。ドロップレット２７ａの軌道を変更する必要がないときは、１０５Ｗ／ｃｍ２より低い光強度の軌道補正レーザ光３６をドロップレット２７ａに照射してもよいし、軌道補正レーザ光３６の出力を中止してもよい。このように、ＥＵＶ光生成制御部５は、１つのドロップレット２７ａに照射される軌道補正レーザ光３６と、他の１つのドロップレット２７ａに照射される軌道補正レーザ光３６とで、光強度が変化するように軌道補正レーザ装置３５を制御することが可能である。ＥＵＶ光生成制御部５は、本開示における制御部に相当する。
　３．４　軌道補正レーザ光のビーム形状
　図５Ａは、軌道補正レーザ光の進行方向に垂直な断面と、軌道補正レーザ光の光路を通過するドロップレットとを示す。＋Ｙ方向に移動するドロップレット２７ａの軌道Ｐ１は、＋Ｘ方向又は－Ｘ方向にばらつくことがある。そこで、軌道補正レーザ光３６は、軌道補正レーザ光３６の光路軸とドロップレット２７ａの移動方向との両方に垂直な方向に長いビーム断面を有することが望ましい。軌道補正レーザ光３６の光路軸とドロップレット２７ａの移動方向との両方に垂直な方向は、ここでは、±Ｘ方向である。±Ｘ方向におけるドロップレット２７ａの軌道のばらつき範囲Ｄ１よりも、±Ｘ方向における軌道補正レーザ光３６のビーム幅Ｄ２が大きいことが望ましい。これにより、＋Ｘ方向又は－Ｘ方向にドロップレット２７ａの軌道がばらついても、それぞれのドロップレット２７ａに軌道補正レーザ光３６を照射することができる。
　図５Ｂは、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における軌道補正レーザ光の光強度分布の例を示す。図５Ｂに示されるように、±Ｘ方向に沿った光強度分布をほぼトップハット型の光強度分布とすることが望ましい。これにより、ドロップレット２７ａの軌道が＋Ｘ方向又は－Ｘ方向にずれたとしても、ドロップレット２７ａに照射される軌道補正レーザ光３６の光強度のばらつきを抑制することができる。図５Ｂに示される光強度分布のうち、光強度がほぼ均一な領域の幅Ｄ３は、ドロップレット２７ａの軌道のばらつき範囲Ｄ１よりも大きいことが望ましい。
　ドロップレット２７ａの移動方向に沿った軌道補正レーザ光３６の光強度分布は、ドロップレット２７ａの軌道の近傍においてほぼ均一であることが望ましい。この場合、軌道補正レーザ装置３５を連続発振レーザとすれば、ドロップレット２７ａが軌道補正レーザ光３６から吸収するエネルギーは、ドロップレット２７ａの移動速度に依存する。ドロップレット２７ａの移動速度はほぼ一定なので、ドロップレット２７ａが軌道補正レーザ光３６から吸収するエネルギーをほぼ一定とすることができる。
　３．５　軌道補正レーザ光の光強度分布を変更する光学系
　図６Ａ、図６Ｂ、及び図６Ｃ～図６Ｅは、軌道補正レーザ光の光強度分布におけるばらつきを低減するための光学系の第１、第２、及び第３の例をそれぞれ示す。これらの図に示される光学系は、軌道補正レーザ装置３５とドロップレット２７ａの軌道との間の軌道補正レーザ光３６の光路に配置される。
　図６Ａには第１の例としてシリンドリカル凹レンズ３７ａが示されている。シリンドリカル凹レンズ３７ａは、軌道補正レーザ光３６のビーム幅を±Ｘ方向に広げることにより、図５Ａに示されるビーム形状を実現することができる。また、シリンドリカル凹レンズ３７ａは、軌道補正レーザ光３６のビーム幅を±Ｘ方向に広げることにより、±Ｘ方向に沿った光強度分布におけるばらつきを低減することができる。
　図６Ｂには第２の例として回折光学素子（ＤＯＥ）３７ｂが示されている。回折光学素子３７ｂは、例えば、入射光を回折させるための微小な凹凸が形成された透明板と、図示しない集光光学系とを含む。回折光学素子３７ｂの凹凸パターンは、回折光を集光光学系によって集光した場合に集光点において光強度分布を均一化させるように設計される。図６Ｂには、回折光学素子３７ｂに入射する前の軌道補正レーザ光３６の光強度分布と、回折光学素子３７ｂから出射して集光された軌道補正レーザ光３６の光強度分布とが示されている。このようにして、図５Ｂに示されるように光強度分布におけるばらつきを低減することができる。
　図６Ｃ～図６Ｅには第３の例としてパウエルレンズ３７ｃが示されている。パウエルレンズ３７ｃは、ラインジェネレータの一種であり、例えばEdmund Optics社から購入可能である。パウエルレンズ３７ｃの１つのエッジを共有する第１及び第２の面３７１及び３７２に、軌道補正レーザ光３６が入射すると、それぞれの面３７１及び３７２で屈折した光が第３の面３７３から互いに別方向に出射する。これにより、軌道補正レーザ光３６のビーム幅が±Ｘ方向に広がり、図５Ａに示されるビーム形状を実現することができる。また、±Ｘ方向に沿った光強度分布におけるばらつきを低減することができる。
　３．６　制御
　図７は、第１の実施形態において軌道補正レーザ装置をフィードバック制御するためのＥＵＶ光生成制御部の処理手順を示すフローチャートである。本フローチャート及び後述のフローチャートにおいて、「Ｙ」はＹＥＳと判定された場合の分岐先を示し、「Ｎ」はＮＯと判定された場合の分岐先を示す。
　Ｓ１０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道補正レーザ装置３５が低強度の軌道補正レーザ光３６の出力を開始するように軌道補正レーザ装置３５を制御する。低強度の軌道補正レーザ光３６は、ドロップレット２７ａの軌道に影響を与えない程度の光強度を有する光である。
　次に、Ｓ１１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成装置１がＥＵＶ光の出力を開始するか否かを判定する。例えば、ターゲット供給部２６からドロップレット２７ａの出力が開始され、ＥＵＶ光の生成準備が完了し、さらに露光装置６からＥＵＶ光出力指令を受信したか否かを判定する。ＥＵＶ光の生成準備は、ドロップレット位置センサ４０からの検出データに基づく駆動ステージ２６ａ及びドライブレーザ装置３の制御が含まれていてもよい。
　ＥＵＶ光の出力を開始しない場合（Ｓ１１：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光の出力を開始すると判定するまで待機する。ＥＵＶ光の出力を開始する場合（Ｓ１１：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ１２に処理を進める。
　Ｓ１２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット位置センサ４０からの検出データを読み込む。ドロップレット位置センサ４０からの検出データは、例えば、ドロップレット位置センサ４０に含まれるカメラが撮像したドロップレット２７ａの画像を含む。
　次に、Ｓ１３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７ａの中心位置Ｄを計算する。例えば、ドロップレット２７ａの画像に基づいて、ドロップレット２７ａの中心位置Ｄを計算する。ドロップレット２７ａの中心位置Ｄは、第１の方向におけるドロップレット２７ａの中心位置を含む。
　次に、Ｓ１４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７ａの目標位置Ｃとドロップレット２７ａの中心位置Ｄとの差Ｌを以下の式により計算する。
　　　Ｌ＝Ｄ－Ｃ
　次に、Ｓ１５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７ａの目標位置Ｃとドロップレット２７ａの中心位置Ｄとの差Ｌが許容範囲内であるか否かを判定する。許容範囲は、例えば、ドロップレット２７ａの直径の１０％でもよい。例えば、ドロップレット２７ａの直径が２０μｍである場合に、差Ｌの許容範囲は、－２μｍ以上、２μｍ以下の範囲であってもよい。
　差Ｌが許容範囲内でない場合（Ｓ１５：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ１６に処理を進める。
　Ｓ１６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道補正レーザ光３６の光強度を変更するように、軌道補正レーザ装置３５を制御する。例えば、ドロップレット２７ａの目標位置Ｃに対してドロップレット２７ａの中心位置Ｄが第１の方向と反対の方向にずれている場合には、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道補正レーザ光３６の光強度を高くするように、軌道補正レーザ装置３５を制御する。反対に、ドロップレット２７ａの目標位置Ｃに対してドロップレット２７ａの中心位置Ｄが第１の方向にずれている場合には、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道補正レーザ光３６の光強度を低くするように、軌道補正レーザ装置３５を制御する。
　Ｓ１６の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理をＳ１２に戻す。
　差Ｌが許容範囲内である場合（Ｓ１５：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道補正レーザ光３６の光強度を変更することなく、処理をＳ１７に進める。
　Ｓ１７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成装置１がＥＵＶ光の出力を停止するか否かを判定する。例えば、露光装置６からＥＵＶ光停止指令を受信したか否かを判定する。
　ＥＵＶ光の出力を停止しない場合（Ｓ１７：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理をＳ１２に戻す。ＥＵＶ光の出力を停止する場合（Ｓ１７：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ１８に処理を進める。
　Ｓ１８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道補正レーザ光３６の出力を停止するように軌道補正レーザ装置３５を制御する。Ｓ１８の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、本フローチャートの処理を終了する。
　３．７　作用
　第１の実施形態によれば、軌道補正レーザ光３６の光強度を調節することによってドロップレット２７ａの軌道を調節することができる。これによれば、駆動ステージ２６ａよりも高い応答速度でドロップレット２７ａの軌道を調節することができる。ドロップレット２７ａの軌道を調節することにより、プラズマ生成領域２５付近でのドロップレット２７ａの位置を調整することができる。
４．複数の軌道補正レーザ部を含むＥＵＶ光生成システム
　４．１　構成
　図８は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部を概略的に示す。第２の実施形態において、軌道補正レーザ装置３５は複数の軌道補正レーザ部を含む。複数の軌道補正レーザ部は、第１、第２、及び第３の軌道補正レーザ部３５１、３５２、及び３５３を含む。第１、第２、及び第３の軌道補正レーザ部３５１、３５２、及び３５３は、それぞれ第１の方向、第２の方向、及び第３の方向に進行する軌道補正レーザ光３６をドロップレット２７ａに照射するように構成されている。第１の方向、第２の方向、及び第３の方向は、いずれもドロップレット２７ａの軌道と交差する方向である。第１の方向、第２の方向、及び第３の方向は、ドロップレット２７ａの軌道と垂直な方向でもよく、第１の方向、第２の方向、及び第３の方向は、互いに１２０度ずつずれていてもよい。
　また、第２の実施形態において、ドロップレット位置センサ４０は、複数のセンサ部４０１及び４０２を含む。複数のセンサ部４０１及び４０２は、ドロップレット２７ａの軌道と交差する第４の方向及び第５の方向からドロップレット２７ａの位置を検出する。第４の方向及び第５の方向は、ドロップレット２７ａの軌道と垂直な方向でもよく、第４の方向及び第５の方向は、互いに９０度ずれていてもよい。
　４．２　動作及び作用
　ドロップレット位置センサ４０は、複数のセンサ部４０１及び４０２により、第４の方向へのドロップレット２７ａのずれと、第５の方向へのドロップレット２７ａのずれと、を精度よく検出できる。
　第１の軌道補正レーザ部３５１は、第１の方向に軌道補正レーザ光３６を照射することにより、第１の方向にドロップレット２７ａの軌道を変更する。
　第２の軌道補正レーザ部３５２は、第２の方向に軌道補正レーザ光３６を照射することにより、第２の方向にドロップレット２７ａの軌道を変更する。
　第３の軌道補正レーザ部３５３は、第３の方向に軌道補正レーザ光３６を照射することにより、第３の方向にドロップレット２７ａの軌道を変更する。
　第１の方向と第２の方向との間の方向にドロップレット２７ａの軌道を変更する場合には、１つのドロップレット２７ａに第１及び第２の軌道補正レーザ部３５１及び３５２からの軌道補正レーザ光３６を同時に照射すればよい。
　また、第１及び第２の軌道補正レーザ部３５１及び３５２からの軌道補正レーザ光３６の光強度比を変更することにより、第１の方向と第２の方向との間の任意の方向に、ドロップレット２７ａの軌道を変更することができる。例えば、第１の方向よりも第２の方向に大きくドロップレット２７ａの軌道を変更する必要がある場合には、第１の軌道補正レーザ部３５１からの軌道補正レーザ光３６の強度よりも第２の軌道補正レーザ部３５２からの軌道補正レーザ光３６の強度を高くする。
　同様に、第２の方向と第３の方向との間の方向にドロップレット２７ａの軌道を変更する場合には、第２及び第３の軌道補正レーザ部３５２及び３５３を使用すればよい。
　同様に、第３の方向と第１の方向との間の方向にドロップレット２７ａの軌道を変更する場合には、第３及び第１の軌道補正レーザ部３５３及び３５１を使用すればよい。
　第２の実施形態についてのフローチャートは図７と同様であるが、例えば、Ｓ１６においては、第１、第２、及び第３の軌道補正レーザ部３５１、３５２、及び３５３のそれぞれから出力される軌道補正レーザ光３６について、それぞれ光強度を設定してもよい。
　他の点については、第１の実施形態と同様である。
　軌道補正レーザ装置３５に含まれる複数の軌道補正レーザ部は、３つに限らず、２つ又は４つ以上でもよい。ドロップレット位置センサ４０に含まれる複数のセンサ部は、３つ以上でもよい。
５．ＥＵＶ光の出力パラメータに基づいて軌道補正レーザ光の出力パラメータを制御するＥＵＶ光生成システム
　５．１　構成
　図９は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部を概略的に示す。第３の実施形態において、ＥＵＶ光生成装置は、記憶部５１を備えている。記憶部５１には、ＥＵＶ光の出力パラメータと軌道補正レーザ光の出力パラメータとが対応付けて記憶されている。記憶部５１は、ＥＵＶ光生成制御部５によって読み取り可能に構成されている。
　第３の実施形態において、ＥＵＶ光生成装置は、ドロップレット位置センサ４０を含んでいなくてもよい。
　５．２　動作原理
　図１０は、第３の実施形態において軌道補正レーザ装置を動作させなかった場合のＥＵＶ光生成装置の挙動を示す。
　ＥＵＶ光生成装置においては、所定の繰返し周波数でＥＵＶ光を出力するバースト期間と、当該所定の繰返し周波数でのＥＵＶ光の出力を休止する休止期間と、を繰り返すことがある。このようにバースト期間と休止期間とを繰り返す運転をバースト運転という。バースト期間は、例えば、半導体ウエハの個々のチップ領域の露光が行われる期間である。休止期間は、例えば、第１のチップ領域の露光が終了した後、第２のチップ領域の露光が開始されるまでの、図示しないウエハステージの移動を行うための期間、あるいは、ウエハステージに搭載された半導体ウエハを交換するための期間である。
　バースト期間の開始時には、目標位置に対するドロップレット２７ａの位置のずれが小さいことがある。しかし、バースト期間の開始後、生成するプラズマの影響によって、目標位置に対するドロップレット２７ａの位置のずれが大きくなってくる。目標位置に対するドロップレット２７ａの位置のずれが大きくなると、ドライブレーザ光の位置精度が悪化したり、プラズマの生成位置がずれたりして、ＥＵＶ光のエネルギーが低下する。プラズマの影響は、ＥＵＶ光のエネルギーや、バースト期間におけるＥＵＶ光の繰り返し周波数によって異なる。
　休止期間を経て、次のバースト期間が開始されるときには、目標位置に対するドロップレット２７ａの位置のずれは縮小されていることがある。しかし、次のバースト期間が開始されるとき、目標位置に対するドロップレット２７ａの位置のずれは、例えば休止期間の長さによって異なることがある。
　そこで、第３の実施形態においては、ＥＵＶ光の出力パラメータと軌道補正レーザ光３６の出力パラメータとを予め対応づけておき、ＥＵＶ光の出力パラメータに基づいて軌道補正レーザ光３６の出力パラメータを読み出して、軌道補正レーザ装置３５を制御する。
　図１１は、第３の実施形態においてＥＵＶ光の出力パラメータに基づいて軌道補正レーザ装置３５を動作させた場合のＥＵＶ光生成装置の挙動を示す。
　図１１に示されるように、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、バースト期間の開始時よりも所定時間早い第１のタイミングＴｓ１、Ｔｓ２で、軌道補正レーザ光３６の出力を開始させる。バースト期間の開始時よりも早く軌道補正レーザ光３６の出力を開始させる理由は、軌道補正レーザ光３６を照射されたドロップレット２７ａがプラズマ生成領域２５に到達するまでに所定の遅延時間があるためである。この遅延時間は、軌道補正レーザ光３６を照射されるドロップレット２７ａの位置からプラズマ生成領域２５までの距離Ｌを、ドロップレット２７ａの速度Ｖで除算することにより計算される。
　また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、バースト期間の終了時よりも所定時間早い第２のタイミングＴｅ１、Ｔｅ２で、軌道補正レーザ光３６の出力を終了させる。バースト期間の終了時よりも早く軌道補正レーザ光３６の出力を終了させる理由は、バースト期間の開始時について説明したのと同様である。
　また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、第１のタイミングＴｓ１における光強度Ｉｓ１から、第２のタイミングＴｅ１における光強度Ｉｅ１まで、次第に軌道補正レーザ光３６の光強度が高くなるように、軌道補正レーザ装置３５を制御する。例えば、第１のタイミングＴｓ１と第２のタイミングＴｅ１との間の第３のタイミングでの光強度をＩｍ１とすると、Ｉｓ１＜Ｉｍ１＜Ｉｅ１の関係となる。次第に軌道補正レーザ光３６の光強度を高くする理由は、バースト期間の開始後にプラズマの影響が次第に大きくなるためである。具体的にどの程度の光強度にするかは、目標位置に対するドロップレット２７ａの位置のずれが小さくなるように、ＥＵＶ光の出力パラメータに応じて予め設定される。
　軌道補正レーザ光３６の出力パラメータを適切に設定しておくことにより、目標位置に対するドロップレット２７ａの位置のずれを小さくして、ＥＵＶ光のエネルギーを安定化させることができる。このように、制御対象の変化を予測して、そのような変化を事前に打ち消すように制御することを、本開示ではフィードフォワード制御という。軌道補正レーザ光３６の出力パラメータは、例えば、以下の指標の組み合わせで構成される。
（１）ｎ回目のバースト期間のための出力開始タイミングＴｓｎ
（２）ｎ回目のバースト期間のための出力終了タイミングＴｅｎ
（３）ｎ回目のバースト期間のための出力開始時の光強度Ｉｓｎ
（４）ｎ回目のバースト期間のための出力終了時の光強度Ｉｅｎ
図１１には、１回目のバースト期間のための軌道補正レーザ光３６の出力パラメータＴｓ１、Ｔｅ１、Ｉｓ１、Ｉｅ１と、２回目のバースト期間のための軌道補正レーザ光３６の出力パラメータＴｓ２、Ｔｅ２、Ｉｓ２、Ｉｅ２と、が示されている。
　５．３　制御
　図１２は、第３の実施形態において軌道補正レーザ装置をフィードフォワード制御するためのＥＵＶ光生成制御部の処理手順を示すフローチャートである。
　Ｓ２０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道補正レーザ装置３５が低強度の軌道補正レーザ光３６の出力を開始するように軌道補正レーザ装置３５を制御する。低強度の軌道補正レーザ光３６は、ドロップレット２７ａの軌道に影響を与えない程度の光強度を有する光である。
　次に、Ｓ２１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６によってＥＵＶ光の出力パラメータが指定されているかを判定する。
　ＥＵＶ光の出力パラメータが指定されていない場合（Ｓ２１：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光の出力パラメータが指定されるまで待機する。ＥＵＶ光の出力パラメータが指定されている場合（Ｓ２１：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ２２に処理を進める。
　Ｓ２２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光の出力パラメータに応じて、軌道補正レーザ光３６の出力パラメータを記憶部５１から読み込む。
　次に、Ｓ２３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、バースト運転が開始されたか否かを判定する。
　バースト運転が開始されていない場合（Ｓ２３：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、バースト運転が開始されるまで待機する。バースト運転が開始された場合（Ｓ２３：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ２４に処理を進める。
　Ｓ２４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道補正レーザ光３６の出力パラメータに応じて、軌道補正レーザ装置３５を制御する。
　次に、Ｓ２５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、バースト運転が終了したか否かを判定する。
　バースト運転が終了していない場合（Ｓ２５：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ２４に処理を戻して、軌道補正レーザ装置３５の制御を繰り返す。バースト運転が終了した場合（Ｓ２５：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ２６に処理を進める。
　Ｓ２６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道補正レーザ光３６の出力を停止するように軌道補正レーザ装置３５を制御する。Ｓ２６の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、本フローチャートの処理を終了する。
　５．４　ＥＵＶ光の出力パラメータの例
　図１３は、ＥＵＶ光の出力パラメータの例を示す。ＥＵＶ光の出力パラメータは、例えば、以下の指標の組み合わせで構成される。
（１）ＥＵＶ光のエネルギーの目標値
（２）バースト期間におけるＥＵＶ光の繰り返し周波数
（３）休止期間の長さ
　ＥＵＶ光の出力パラメータは、例えば、３桁の数字で記述されるパターンＮｏ．で特定される。パターンＮｏ．のそれぞれの桁に上記（１）～（３）の指標が対応する。
　パターンＮｏ．の第１の桁で、ＥＵＶ光のエネルギーの目標値が特定される。
　パターンＮｏ．の第２の桁で、バースト期間におけるＥＵＶ光の繰り返し周波数が特定される。
　パターンＮｏ．の第３の桁で、休止期間の長さが特定される。
　例えば、３桁のパターンＮｏ．が「１１２」である場合、図１２に示されるように、それぞれの指標が以下のように特定される。
（１）ＥＵＶ光のエネルギーの目標値はＥ１
（２）バースト期間におけるＥＵＶ光の繰り返し周波数は１００ｋＨｚ
（３）休止期間の長さはＴ２
　ＥＵＶ光の出力パラメータは、上記３つの指標に限らず、他の指標を含んでもよい。例えば、バースト数をさらに含んでもよい。この場合、パターンＮｏ．は４桁以上の数字で記述されてもよい。
　記憶部５１は、ＥＵＶ光の出力パラメータを構成する指標の組み合わせパターンごとに、軌道補正レーザ光３６の出力パラメータを記憶する。
　軌道補正レーザ光３６の出力パラメータは、例えば、図１１を参照しながら説明したように、以下の指標の組み合わせで構成される。
（１）ｎ回目のバースト期間のための出力開始タイミングＴｓｎ
（２）ｎ回目のバースト期間のための出力終了タイミングＴｅｎ
（３）ｎ回目のバースト期間のための出力開始時の光強度Ｉｓｎ
（４）ｎ回目のバースト期間のための出力終了時の光強度Ｉｅｎ
　５．５　作用
　第３の実施形態によれば、ＥＵＶ光の出力パラメータに応じて、ドロップレット２７ａの位置を検出しなくてもドロップレット２７ａの位置を制御することができる。そして、ドロップレット２７ａの位置がずれる前でも軌道補正を行うことができる。また、軌道補正レーザ光３６を照射されるドロップレット２７ａの位置からプラズマ生成領域２５までの距離Ｌが大きい場合でも、あるいはドロップレット２７ａの軌道が短い時間間隔で変化する場合でも、ドロップレット２７ａの位置を制御することができる。
　他の点については、第３の実施形態は第１の実施形態又は第２の実施形態と同様である。第３の実施形態と第２の実施形態を組み合わせた場合について、図１４を参照しながら補足する。
　５．６　変形例
　図１４は、第３の実施形態の変形例における軌道補正レーザ光の出力パラメータの設定例を示す。第３の実施形態の変形例は、図９を参照しながら説明した第３の実施形態において、図８のように軌道補正レーザ装置３５が第１、第２、及び第３の軌道補正レーザ部３５１、３５２、及び３５３を含む場合に相当する。第３の実施形態の変形例においては、複数のセンサ部４０１及び４０２含をまなくともよい。
　第３の実施形態の変形例においては、第１、第２、及び第３の軌道補正レーザ部３５１、３５２、及び３５３から出力されるそれぞれの軌道補正レーザ光３６について、軌道補正レーザ光３６の出力パラメータが設定される。軌道補正レーザ光３６の出力パラメータは、例えば、以下の指標の組み合わせで構成される。
（１）ｎ回目のバースト期間のための第ｍの軌道補正レーザ部の出力開始タイミングＴｓｎｍ
（２）ｎ回目のバースト期間のための第ｍの軌道補正レーザ部の出力終了タイミングＴｅｎｍ
（３）ｎ回目のバースト期間のための第ｍの軌道補正レーザ部の出力開始時の光強度Ｉｓｎｍ
（４）ｎ回目のバースト期間のための第ｍの軌道補正レーザ部の出力終了時の光強度Ｉｅｎｍ
図１４には１回目のバースト期間と２回目のバースト期間のための第１～第３の軌道補正レーザ部の軌道補正レーザ光３６の出力パラメータが示されている。
６．その他
　図１５は、ＥＵＶ光生成装置に接続された露光装置の構成を概略的に示す。
　図１５において、露光装置６は、マスク照射部６０とワークピース照射部６１とを含む。マスク照射部６０は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６１は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造することができる。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
　本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. 　チャンバと、
    　前記チャンバ内の所定領域に向けて、ターゲット物質を含む第１のドロップレット及び第２のドロップレットを含む複数のドロップレットを順次出力するターゲット供給部と、
    　前記ターゲット供給部から前記所定領域に向けて移動する前記複数のドロップレットの各ドロップレットに軌道補正レーザ光を照射する軌道補正レーザ装置と、
    　前記所定領域に到達した前記各ドロップレットにドライブレーザ光を照射して前記各ドロップレットをプラズマ化するドライブレーザ装置と、
    　前記第１のドロップレットに照射される前記軌道補正レーザ光と前記第２のドロップレットに照射される前記軌道補正レーザ光とで光強度が変化するように前記軌道補正レーザ装置を制御する制御部と、
    を備える、極端紫外光生成システム。
  2. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記軌道補正レーザ装置は、
    　　第１の方向に進行する前記軌道補正レーザ光を前記各ドロップレットに照射する第１の軌道補正レーザ部と、
    　　前記第１の方向と異なる第２の方向に進行する前記軌道補正レーザ光を前記各ドロップレットに照射する第２の軌道補正レーザ部と、を含む、
    極端紫外光生成システム。
  3. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記軌道補正レーザ装置が各ドロップレットに照射する前記軌道補正レーザ光は、３００ｎｍ以上、１０μｍ以下の波長を有する、
    極端紫外光生成システム。
  4. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記軌道補正レーザ装置が各ドロップレットに照射する前記軌道補正レーザ光の光強度は、１０５Ｗ／ｃｍ２以上、１０９Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で変化する、
    極端紫外光生成システム。
  5. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記ターゲット供給部から前記軌道補正レーザ光を照射されるときの前記各ドロップレットまでの距離は、２ｍｍ以上、前記ターゲット供給部から前記所定領域までの距離未満である、
    極端紫外光生成システム。
  6. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記軌道補正レーザ装置は、連続発振レーザを含む、
    極端紫外光生成システム。
  7. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記軌道補正レーザ光の光路に配置され、前記ターゲット供給部から前記所定領域に向けて移動する前記各ドロップレットの移動方向に垂直な方向の光強度分布におけるばらつきを低減する光学系をさらに含む、
    極端紫外光生成システム。
  8. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記ターゲット供給部から前記所定領域に向けて移動する前記各ドロップレットを検出するドロップレット位置センサをさらに備え、
    　前記制御部は、前記ドロップレット位置センサによって検出された前記各ドロップレットの位置に応じて前記軌道補正レーザ光の光強度が変化するように前記軌道補正レーザ装置を制御する、
    極端紫外光生成システム。
  9. 　請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記ドロップレット位置センサは、前記軌道補正レーザ光を照射された後の前記各ドロップレットの位置を検出するように構成された、
    極端紫外光生成システム。
  10. 　請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記軌道補正レーザ装置は、第１の方向に進行する前記軌道補正レーザ光を前記各ドロップレットに照射するように構成され、
    　前記制御部は、前記ドロップレット位置センサによって検出された前記各ドロップレットの位置を目標位置と比較し、前記目標位置に対する前記各ドロップレットの位置の前記第１の方向と反対の方向へのずれが大きくなった場合に、前記軌道補正レーザ光の光強度が高くなるように前記軌道補正レーザ装置を制御する、
    極端紫外光生成システム。
  11. 　請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記軌道補正レーザ装置は、
    　　第１の方向に進行する前記軌道補正レーザ光を前記各ドロップレットに照射する第１の軌道補正レーザ部と、
    　　前記第１の方向と異なる第２の方向に進行する前記軌道補正レーザ光を前記各ドロップレットに照射する第２の軌道補正レーザ部と、を含み、
    　前記制御部は、
    　　前記ドロップレット位置センサによって検出された前記各ドロップレットの位置を目標位置と比較し、
    　　前記目標位置に対する前記各ドロップレットの位置が前記第１の方向と反対の方向にずれた場合に、前記第１の軌道補正レーザ部から出力される前記軌道補正レーザ光の光強度が前記第２の軌道補正レーザ部から出力される前記軌道補正レーザ光の光強度より高くなるように前記軌道補正レーザ装置を制御し、
    　　前記目標位置に対する前記各ドロップレットの位置が前記第２の方向と反対の方向にずれた場合に、前記第２の軌道補正レーザ部から出力される前記軌道補正レーザ光の光強度が前記第１の軌道補正レーザ部から出力される前記軌道補正レーザ光の光強度より高くなるように前記軌道補正レーザ装置を制御する、
    極端紫外光生成システム。
  12. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記制御部は、極端紫外光の出力パラメータに応じて前記軌道補正レーザ光の光強度が変化するように前記軌道補正レーザ装置を制御する、
    極端紫外光生成システム。
  13. 　請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記極端紫外光の出力パラメータは、極端紫外光のエネルギーの目標値、極端紫外光の繰り返し周波数、及び極端紫外光の休止期間の長さの少なくとも１つを含む、
    極端紫外光生成システム。
  14. 　請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記極端紫外光の出力パラメータと前記軌道補正レーザ光の出力パラメータとの関係を記憶した記憶部をさらに備え、
    　前記制御部は、前記極端紫外光の出力パラメータに応じて前記記憶部から前記軌道補正レーザ光の出力パラメータを読み出して、前記軌道補正レーザ光の出力パラメータに応じて前記軌道補正レーザ装置を制御する、
    極端紫外光生成システム。
  15. 　請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記軌道補正レーザ光の出力パラメータは、前記軌道補正レーザ光の出力開始タイミング、出力終了タイミング、出力開始時の光強度、及び出力終了時の光強度の少なくとも１つを含む、
    極端紫外光生成システム。
  16. 　請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記極端紫外光の出力パラメータは、所定の繰返し周波数で極端紫外光を出力するバースト期間と、前記所定の繰返し周波数での極端紫外光の出力を休止する休止期間と、を繰り返すように規定され、
    　前記制御部は、前記バースト期間の開始時よりも所定時間早い第１のタイミングで前記軌道補正レーザ光の出力を開始させる、
    極端紫外光生成システム。
  17. 　請求項１６に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記制御部は、前記バースト期間の終了時よりも前記所定時間早い第２のタイミングで前記軌道補正レーザ光の出力を終了させる、
    極端紫外光生成システム。
  18. 　請求項１７に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記制御部は、前記第１のタイミングよりも、前記第１のタイミングから前記第２のタイミングまでの間の第３のタイミングの方が、前記軌道補正レーザ光の光強度が高くなるように前記軌道補正レーザ装置を制御する、
    極端紫外光生成システム。
  19. 　請求項１８に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記制御部は、前記第３のタイミングよりも前記第２のタイミングの方が、前記軌道補正レーザ光の光強度が高くなるように前記軌道補正レーザ装置を制御する、
    極端紫外光生成システム。
  20. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　チャンバと、
    　前記チャンバ内の所定領域に向けて、ターゲット物質を含む第１のドロップレット及び第２のドロップレットを含む複数のドロップレットを順次出力するターゲット供給部と、
    　前記ターゲット供給部から前記所定領域に向けて移動する前記複数のドロップレットの各ドロップレットに軌道補正レーザ光を照射する軌道補正レーザ装置と、
    　前記所定領域に到達した前記各ドロップレットにドライブレーザ光を照射して前記各ドロップレットをプラズマ化するドライブレーザ装置と、
    　前記第１のドロップレットに照射される前記軌道補正レーザ光と前記第２のドロップレットに照射される前記軌道補正レーザ光とで光強度が変化するように前記軌道補正レーザ装置を制御する制御部と、
    を備える極端紫外光生成システムにおいて、前記ドロップレットにドライブレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、
    　前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む電子デバイスの製造方法。
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