CN108029186A - 经由激光能量调制来稳定液滴-等离子体相互作用的系统和方法 - Google Patents
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Abstract
在激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)系统中，通过激光脉冲照射液滴来在室中产生等离子体。这会生成使得等离子体不稳定的力，并且使得随后液滴随着其接近等离子体而改变其飞行轨迹和速度。可以从所生成的EUV能量的量的振荡检测该不稳定性。为了通过稳定等离子体和液滴的行进来减少振荡，使用比例‑积分(PI)控制器算法来基于室中生成的EUV能量修改随后激光脉冲的能量。通过修改随后激光脉冲的能量，等离子体稳定，这减小了对液滴飞行的影响并稳定了所生成的EUV能量的量，从而允许等离子体室操作更长的时间间隔并且降低由激光源维持的储备功率的量。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年8月12日提交的美国申请No.14/824,280的权益，其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
该非临时美国专利申请整体涉及激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)系统，并且更具体地涉及用于稳定这样的LPP EUV系统的系统和方法。
背景技术
半导体行业继续开发能够打印越来越小的集成电路尺寸的光刻技术。通常将极紫外(“EUV”)光(有时也称为软X射线)定义为波长在10纳米和120纳米(nm)之间的电磁辐射，其中预计未来将使用更短的波长。EUV光刻目前通常被认为包括波长在10nm至14nm范围内的EUV光，并被用于在诸如硅晶片的衬底中产生非常小的特征(例如，亚32nm的特征)。为了在商业上有用，期望这些系统高度可靠，并提供成本有效的吞吐量且提供合理的工艺宽容度。
产生EUV光的方法包括但不一定限于利用EUV范围内的一个或多个发射线将材料转换为具有一个或多个元素(例如，氙、锂、锡、铟、锑、碲、铝等)的等离子体状态。在一种通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的这样的方法中，可以通过在照射部位处使用激光束照射目标材料(例如，具有期望的线发射元素的材料的液滴、流或集束)来产生所需的等离子体。线发射元素可以是纯形式或合金形式(例如，在所需温度下为液体的合金)，或者可以与诸如液体的另一材料混合或分散。
在一些现有技术的LPP系统中，液滴流中的液滴被单独的激光脉冲照射，以从每个液滴形成等离子体。备选地，已公开了一些现有技术的系统，其中每个液滴被多于一个的光脉冲依次照射。在一些情况下，每个液滴可以被暴露于所谓的“预脉冲”来将目标材料加热、膨胀、气化、蒸发和/或电离和/或生成弱等离子体，随后是所谓的“主脉冲”来生成强等离子体，并将大部分或所有预脉冲影响的材料转换成等离子体，并且从而产生EUV光发射。可以理解，可以使用多于一个的预脉冲，并且可以使用多于一个的主脉冲，并且预脉冲和主脉冲的功能可以在一定程度上重叠。
由于LPP系统中的EUV输出功率通常与照射目标材料的驱动激光功率成比例，所以在一些情况下，也可以认为期望采用包括相对低功率的振荡器或“种子激光器”以及用于放大来自种子激光器的激光脉冲的一个或多个放大器的布置。使用大型放大器允许使用低功率的、稳定的种子激光器，而同时仍然提供在LPP工艺中使用的相对较高的功率脉冲。
现有技术中已知并使用的系统通常为预期在理想条件下产生最大量的EUV能量的主脉冲设置固定的脉冲宽度。然后通过RF发生器来调节施加到放大器的驱动激光射频(RF)泵浦功率，RF发生器使用脉宽调制(PWM)来调节占空比(生成RF功率的操作时间的一部分)，以获得最大量或期望量的EUV能量。但是，与系统的操作相比，该方法相对较慢。激光功率只可以从一个脉冲到下一个脉冲少量地改变，并且因此当占空比改变时，系统通常采用多个脉冲来改变输出。
发明内容
根据各个实施例，一种方法包括：使用极紫外(EUV)能量检测器来测量由第一激光脉冲生成的EUV能量的量，第一激光脉冲撞击激光产生等离子体(LPP)EUV系统的等离子体室中的第一液滴；基于所测量的、由撞击等离子体室中的第一液滴的第一激光脉冲生成的EUV能量的量，使用EUV控制器来计算第一修改的激光脉冲能量；通过EUV控制器，指示激光源递送具有所计算的第一修改的能量的第二激光脉冲，由此改变等离子体室中的第二液滴的飞行；使用EUV能量检测器，测量由第二激光脉冲生成的EUV能量的量，第二激光脉冲撞击等离子体室中的第二液滴；基于所测量的、由撞击等离子体室中的第二液滴的第二激光脉冲生成的EUV能量的量，使用EUV控制器计算第二修改的激光脉冲能量；以及通过EUV控制器，指示激光源递送具有所计算的第二修改的能量的第三激光脉冲，由此改变等离子体室中的第三液滴的飞行。
根据各个实施例，系统包括：极紫外(EUV)能量检测器，被配置为测量由第一激光脉冲生成的EUV能量的第一量，第一激光脉冲撞击激光产生等离子体(LPP)EUV系统的等离子体室中的第一液滴；以及EUV控制器，被配置为：基于所测量的、由撞击等离子体室中的第一液滴的第一激光脉冲生成的EUV能量的量，计算第一修改的激光脉冲能量，并且指示激光源递送具有所计算的第一修改的能量的第二激光脉冲，由此改变等离子体室中的第二液滴的飞行；并且其中：EUV能量检测器被进一步配置为测量由第二激光脉冲生成的EUV能量的第二量，第二激光脉冲撞击激光产生等离子体(LPP)EUV系统的等离子体室中的第二液滴；并且EUV控制器被进一步被配置为：基于所测量的、由撞击等离子体室中的第二液滴的第二激光脉冲生成的EUV能量的量，计算第二修改的激光脉冲能量；并且指示激光源递送具有所计算的第二修改的能量的第三激光脉冲，由此改变等离子体室中的第三液滴的飞行。
根据各个实施例，非瞬态计算机可读介质具有在其上实现的指令，指令可由一个或多个处理器执行来执行操作，操作包括：使用极紫外(EUV)能量检测器来测量由第一激光脉冲生成的EUV能量的量，第一激光脉冲撞击激光产生等离子体(LPP)EUV系统的等离子体室中的第一液滴；基于所测量的、由撞击等离子体室中的第一液滴的第一激光脉冲生成的EUV能量的量，使用EUV控制器来计算第一修改的激光脉冲能量；通过EUV控制器，指示激光源递送具有所计算的第一修改的能量的第二激光脉冲，由此改变等离子体室中的第二液滴的飞行；使用EUV能量检测器，测量由第二激光脉冲生成的EUV能量的量，第二激光脉冲撞击等离子体室中的第二液滴；基于所测量的、由撞击等离子体室中的第二液滴的第二激光脉冲生成的EUV能量的量，使用EUV控制器计算第二修改的激光脉冲能量；以及由EUV控制器指示激光源递送具有所计算的第二修改的能量的第三激光脉冲，由此改变等离子体室中的第三液滴的飞行。
附图说明
图1是LPP EUV系统的一个实施例的一些部件的简化示意图。
图2是根据一些实施例的用于控制激光脉冲的能量的示例方法的流程图。
图3是来自CO2驱动激光器的在穿过放大器之后的典型主激光脉冲的曲线图。
具体实施方式
在LPP EUV系统中，当等离子体室中的激光脉冲撞击液滴时产生等离子体。在LPPEUV系统的理想化模型中，所产生的等离子体不会影响随后进入的液滴或不会对随后进入的液滴施加任何力。然而，实际上，等离子体以及液滴对等离子体的撞击确实对等离子体室中随后进入的液滴施加力。力可以是声波冲击波、压力波、音频波或其他类型的力。这些力使得随后的液滴在接近所生成的等离子体时通过改变速度和/或发生偏转来改变其飞行。激光束然后与后续液滴的接触不太理想，这进一步改变了所产生的等离子体以及由此生成的力。为了在先前的方法中抵消这些影响，激光源消耗增加量的储备功率，以瞄准目标液滴可能位于其中的不断扩大的区域。增加的功率进而使得等离子体变得更加不稳定，从而进一步影响LPP EUV系统的输出。不稳定的等离子体的影响表现为对晶片剂量控制有不利影响的、所生成的EUV能量的量的振荡增加。
等离子体稳定的一个挑战是这些力不可直接测量。相反，它们表现为由于相对于激光束瞄准的变化的液滴位置而产生的EUV能量的量的振荡。随着LPP EUV系统的操作，力和振荡随时间增加，既不能快速调节液滴定位也不能快速调节激光束瞄准来进行补偿。先前的解决方案在观察到振荡后简单地重启系统。但是，重复接通和关断系统使得效率不高，并且可能导致更多的问题。
为了至少解决这些挑战并且稳定所生成的EUV能量的量，利用本方法，基于在由LPP EUV系统生成的EUV能量中检测到的变化来修改激光脉冲的能量。通常，替代使用储备功率连续增加激光脉冲的能量来抵消不稳定力，将激光脉冲的能量略微向上或向下调节。在一些实施例中，通过使用比例-积分(PI)控制器算法来确定该调节，以确定下一激光脉冲将具有多少能量。通过使用PI控制器算法修改激光脉冲的能量，所生成的等离子体稳定，从而减小对后续液滴的行进的影响。此外，这减小了所生成的EUV能量的变化，从而改进了剂量控制，并且因此允许等离子体室操作更长的时间间隔并降低激光源需要维持的储备功率的量。
图1是根据本方法的LPP EUV系统10的一个实施例的一些部件的简化示意图。如图所示，EUV系统10包括激光源12，用于生成激光脉冲束并沿一个或多个射束路径将来自激光源12的射束递送到等离子体室14中，以照射处于照射部位16处的相应目标(例如，液滴)。
同样如图1所示，EUV系统10还可以包括目标材料递送系统26，目标材料递送系统26例如将目标材料的液滴递送到等离子体室14内部至照射部位16，其中液滴将与一个或多个激光脉冲相互作用，以最终产生等离子体并生成EUV发射。现有技术中已提出了各种目标材料递送系统，并且它们的相对优点对于本领域技术人员将是显而易见的。
如上所述，目标材料是EUV发射元素，EUV发射元素可以包括但不限于包括锡、锂、氙或其组合的材料。目标材料可以是液滴的形式，或者备选地可以是包含在液滴内的固体颗粒。例如，元素锡可以作为目标材料呈现为纯锡、锡化合物(例如，SnBr4、SnBr2、SnH4)、锡合金(例如，锡-镓合金、锡-铟合金或锡-铟-镓合金或其组合)。根据所使用的材料，可以在室温或接近室温(例如，锡合金或SnBr4)、室温以上的温度(例如，纯锡)、或低于室温的温度(例如，SnH4)的各种温度向照射部位16提供目标材料。在一些情况下，这些化合物可以是相对易挥发的(例如，SnBr4)。与锡不同的EUV发射元素的类似合金和化合物以及这些材料和上述材料的相对优点对本领域技术人员是显而易见的。
返回到图1，EUV系统10还可以包括光学元件18(例如，具有长椭球(即，围绕其长轴旋转的椭圆)形式的反射表面的近法向入射收集器反射镜)，使得光学元件18具有在照射部位16内或其附近的第一焦点以及在所谓的中间区域20处的第二焦点，其中EUV光可以从EUV系统10输出并输入到利用EUV光的装置(例如，集成电路光刻工具(未示出))。如图1所示，光学元件18形成有孔径，以允许由激光源12生成的激光脉冲穿过并到达照射部位16。
光学元件18应当具有用于收集EUV光并将其引导至中间区域20的适当表面，以随后递送至使用EUV光的装置。例如，光学元件18可以具有含有钼和硅的交替层的分级多层涂层，并且在一些情况下，可以具有一个或多个高温扩散阻挡层、平滑层、包覆层和/或蚀刻停止层。
本领域技术人员将理解，可以使用不同于长椭球面反射镜的光学元件作为光学元件18。例如，光学元件18可以备选地是围绕其主轴旋转的抛物线，或者可以被配置为将具有环形截面的射束递送到中间位置。在其他实施例中，光学元件18可以使用不同于本文所描述的层或除了本文所描述的层之外的涂层和层。本领域技术人员将能够在特定情况下为光学元件18选择合适的形状和组成。
如图1所示，EUV系统10可以包括聚焦单元22，聚焦单元22包括用于将激光束聚焦到照射部位16处的焦斑的一个或多个光学元件。EUV系统10还可以包括在激光源12和聚焦单元22之间的、具有一个或多个光学元件的射束调节单元24，用于将激光束扩展、引导和/或成形、和/或将激光脉成形。各种聚焦单元和射束调节单元是本领域中已知的，并且可以由本领域技术人员适当地选择。
如上所述，在一些情况下，激光源12包括种子激光器以及一个或多个放大器。种子激光器生成激光脉冲，激光脉冲然后被放大成为在照射部位16处照射目标材料的激光束，以形成产生EUV发射的等离子体。
本领域技术人员将认识到，可以使用多种类型的种子激光器来生成预脉冲和主脉冲。例如，可以使用传统上被称为“主振荡器-功率放大器”(“MOPA”)配置的常规双室横向流激光源。备选地，可以使用被称为快轴流激光器的较新类型的激光器。单个激光源可以产生预脉冲和主脉冲。备选地，可以使用单独的种子激光器(通常被称为MOPA+PP激光器)来产生预脉冲和主脉冲。
EUV系统的一些实施例中通常使用的一个类型的种子激光器是CO2激光器，而其他实施例可以使用YAG(钇铝石榴石)激光器。在存在两个种子激光器的情况下，它们可以是不同的类型；然而，例如，与CO2激光器相比，YAG激光器将需要单独的放大器或放大器链。本领域的技术人员将认识到，存在除了CO2和YAG激光器之外的其他类型的激光器，以及除了MOPA和MOPA+PP激光器之外的其他配置，并且将能够确定哪个类型和配置的激光器适合于期望的应用。
返回到图1，EUV能量检测器28检测和/或计算在等离子体室14中生成的EUV功率的量。EUV能量检测器28是等离子体室14内的传感器(例如，相对于激光束成90°定位的EUV侧的传感器)或者在扫描仪内测量通过中间焦点20的能量的传感器。EUV能量检测器包括光电二极管，并且是本领域技术人员通常已知的。如本领域技术人员所熟知的，通过在照射液滴的时间跨度内对EUV能量检测器28的EUV功率信号进行积分，计算了由液滴和激光脉冲的撞击生成的EUV能量。
EUV控制器29被配置为基于由一个或多个先前的激光脉冲生成的EUV能量的量来确定下一激光脉冲的能量。EUV控制器经由EUV能量检测器28获得从先前脉冲生成的EUV能量的量的测量结果。EUV控制器29使用诸如PI控制器算法的算法来确定后续激光脉冲的目标能量。目标能量基于在等离子体室14中生成的等离子体的所确定的稳定性。等离子体越稳定，随后的激光脉冲的能量可以越高，同时仍然保持等离子体的稳定性。如果等离子体不太稳定或不稳定，则EUV控制器29可以减小随后的激光脉冲的能量。
根据所生成的EUV能量的量可以检测等离子体的稳定性。由于使用PI控制器算法来稳定等离子体以控制撞击等离子体、进而影响液滴飞行的激光脉冲的能量，所生成的EUV能量的量的振荡被降低或减弱。更简洁地，PI控制器算法通过基于所生成的EUV能量的量改变激光脉冲的能量来减少由LPP EUV系统10生成的EUV能量的量的振荡。通过基于在等离子体室中生成的EUV能量的量来改变激光能量，所生成的等离子体稳定，由此减小了激光到液滴瞄准的变化，这使得生成更一致或稳定的EUV能量。
可以以本领域技术人员已知的各种方式来实现EUV控制器29，包括但不限于作为具有对存储器进行访问的处理器的计算设备，存储器能够存储用于执行所描述的模块的功能的可执行指令。计算设备可以包括一个或多个输入和输出部件(包括用于经由网络(例如，因特网)与其他计算设备通信或者其他形式的通信的部件)。EUV控制器29包括体现在计算逻辑或诸如软件的可执行代码中的一个或多个模块。
根据从EUV控制器29接收的指令，脉冲致动器(未示出)对激光源12致动，以在照射部位16处激发激光脉冲。致动器可以是电部件、机械部件和/或光学部件，并且对于本领域技术人员通常是已知的。在一个实施例中，脉冲致动器包括用于调节激光脉冲的时间宽度的电光调制器(EOM)和/或用于调节激光脉冲的高度或强度的声光调制器(AOM)。如本领域技术人员根据本文的教导将会理解的，根据本发明的方法，可以使用调节激光脉冲的时间宽度或强度中的一个或两个来改变或调节激光脉冲的能量。
图2是根据一些实施例的用于控制激光脉冲的能量的示例方法200的流程图。可以由图1的EUV能量检测器28和EUV控制器29来执行方法200。
在操作202中，在液滴目标位置处激发激光脉冲。在一个实施例中，操作202由激光源12执行。
在操作204中，当所激发的激光脉冲撞击液滴目标位置处的液滴时，生成等离子体。该等离子体生成EUV能量。在一个实施例中，操作204发生在等离子体室14中。
在操作206中，测量所生成的EUV能量的量。所测量的EUV能量的量指示等离子体的不稳定并且与等离子体的不稳定成比例，等离子体的不稳定进而在照射部位16处激发下一激光脉冲时使随后液滴相对于照射部位16的位置不稳定。随后液滴在未被完全照射时或者随后液滴被随后的激光脉冲不均匀地照射时，进一步使持续的等离子体不稳定。在不进行干预的情况下，不稳定将持续，引起所生成的EUV能量的量不断增加的变化。所生成的EUV能量的量由例如EUV能量检测器28测量。
在操作208中，基于所测量的所生成的EUV能量的量，指示激光源修改随后的激光脉冲的能量。在一些实施例中，使用诸如下式的PI控制器算法来计算后续激光脉冲的经修改的能量：
其中u(t)是PI控制器算法输出，Kp是用于比例增益的调谐参数，并且可以使用本领域技术人员已知的技术来设置Kp，e(t)是误差(例如，期望输出与实际输出之间的差)，Ki是用于积分增益的调谐参数并且可以使用本领域技术人员已知的技术来设置Ki，t是当前时间，并且τ是具有从时间零到当前时间t的值的积分的变量。比例项(Kpe(t))产生与当前误差值成比例的输出值。积分项提供与误差幅度和误差持续时间成比例的贡献。可以由例如EUV控制器29来执行操作208。
方法然后返回到操作202，其中现在使用经修改的激光脉冲能量来激发激光。然后，在操作204中，由撞击另一液滴的经修改的激光脉冲的能量产生的所生成的等离子体改变了作用在接近等离子体和液滴目标位置的后续液滴上的力。换言之，调节激光脉冲的能量改变了所产生的力，所产生的力将以其他方式使得随后的液滴改变速度或偏离液滴目标位置。这可以被看作是将后续的液滴朝向液滴目标位置引导，但是随后的液滴已离开液滴发生器并且因此不再可以被机械操纵。
基于本文的公开内容，对于本领域技术人员显而易见的是，方法200是迭代过程，由此PI控制器算法被用于确定下一激光脉冲的能量，以接近等离子体的稳定。对于本领域技术人员进一步显而易见的是，当等离子体被稳定时，LPP EUV系统可以不仅受益于更可预测的EUV能量输出。例如，因为等离子体被稳定，所以激光脉冲的能量也随时间稳定。如此，激光源(例如，图1的激光源12)需要较少的储备功率。测试结果显示，所需储备功率从约35％降至约6％。
图3是来自CO2驱动激光器的在穿过放大器之后的典型主激光脉冲的曲线图，其中曲线301示出了激光脉冲随时间(x轴)的强度(y轴)。可以看出，强度在初始峰值之后急剧下降；这是激光脉冲穿过放大器的典型特征，因为激光脉冲的前沿使放大器饱和，并在穿过时使用大部分增益。所示的脉冲宽度从前沿(在x轴上约80ns)到后沿(在x轴上约330ns)大约为250纳秒(ns)。这是在传统MOPA配置中的典型主脉冲(通常在100ns到300ns的范围内)并且比MOPA+PP配置中的典型主脉冲(其中现在使用接近100ns的主脉冲)更长。预脉冲通常在50ns到150ns的范围内，并且现在可以是30ns到70ns。预期未来主脉冲和预脉冲均将继续缩短，甚至可能达到以皮秒为单位进行测量的范围。
如上所述，在现有技术中，通常预先选择比来自种子激光器的Q开关脉冲更短的脉冲宽度。这可以例如通过使激光脉冲穿过诸如电光调制器(EOM)的光学开关来实现，光学开关可以位于图1的激光源12中并且充当开闭器(打开以允许激光脉冲的前沿穿过，然后关闭以在期望的点处切断激光脉冲的尾端)来缩短激光脉冲。
为了稳定等离子体，并由此稳定由LPP EUV系统10输出的EUV能量的量，PI控制器算法可以调节激光脉冲的脉冲宽度。为了增加激光脉冲的能量，脉冲宽度增加。为了减少激光脉冲的能量，脉冲宽度减小。可以使用本领域技术人员已知的技术来调节脉冲宽度。同样，如上所述，也可以通过改变激光脉冲的高度或强度来调节激光脉冲的能量。
还应理解，控制器算法不限于必须是PI控制器。同样可以使用考虑液滴飞行时室中力的差与所生成的EUV能量的差的任何控制器。
上面已参考若干实施例解释了所公开的方法和设备。根据本公开，其他实施例对于本领域技术人员将是显而易见的。可以容易地使用与以上实施例中所描述的配置不同的配置来实现所描述的方法和设备的某些方面，或者可以结合与以上描述的元件不同的元件来实现所描述的方法和设备的某些方面。例如，可以使用不同的算法和/或逻辑电路(可能比本文描述的更复杂)以及不同类型的驱动激光器和/或聚焦透镜。
注意，如本文所使用的，术语“光学部件”及其派生词包括但不一定限于反射入射光和/或透射入射光和/或在入射光上操作的一个或多个部件，并且包括但不限于一个或多个透镜、窗口、滤波器、槽楔、棱镜、棱栅、配光镜、传输光纤、标准具、漫射器、均化器、检测器和其他仪器部件、孔径、轴棱镜和包括多层反射镜的反射镜、近垂直入射反射镜、掠入射反射镜、镜面反射器、漫反射器及其组合。此外，除非另外指明，否则本文所使用的术语“光学元件”、“光学部件”及其派生词均不限于仅在一个或多个特定波长(例如，EUV输出光波长、照射激光波长、适合量测的波长或其他一些波长)范围内操作的部件。
如本文所指出的，可以存在各种变化。在一些情况下可以使用单个种子激光器，而不是两个种子激光器。普通的开关可以保护两个种子激光器，或者两个种子激光器中的任一个或两个均可以具有自己的保护开关。在一些情况下，可以使用单个Bragg AOM，或者根据需要可以使用多于两个的Bragg AOM来保护单个种子激光器。
还应理解，所描述的方法和设备可以以多种方式(包括过程、设备或系统)来实现。本文所描述的方法可以通过用于指示处理器执行这样的方法的程序指令来实现，并且这样的指令被记录在诸如硬盘驱动器、软盘、光盘(例如，光碟(CD))或数字多功能盘(DVD)、闪存等的非瞬态计算机可读存储介质上。可以通过包括光学或电子通信链路的计算机网络来传送程序指令。这样的程序指令可以借助于处理器或控制器来执行，或者可以被并入固定的逻辑元件中。应注意，本文所描述的方法的步骤的顺序可以被改变并且仍然在本公开的范围内。
实施例的这些变化和其他变化旨在被仅由所附权利要求限定的本公开覆盖。
Claims (9)
1.一种方法，包括：
使用极紫外(EUV)能量检测器来测量由第一激光脉冲生成的EUV能量的量，所述第一激光脉冲撞击激光产生等离子体(LPP)EUV系统的等离子体室中的第一液滴；
基于所测量的、由撞击所述等离子体室中的所述第一液滴的所述第一激光脉冲生成的EUV能量的量，使用EUV控制器来计算第一修改的激光脉冲能量；
通过所述EUV控制器，指示所述激光源递送具有所计算的第一修改的能量的第二激光脉冲，由此改变所述等离子体室中的第二液滴的飞行；
使用所述EUV能量检测器，测量由所述第二激光脉冲生成的EUV能量的量，所述第二激光脉冲撞击所述等离子体室中的所述第二液滴；
基于所测量的、由撞击所述等离子体室中的所述第二液滴的所述第二激光脉冲生成的EUV能量的量，使用所述EUV控制器计算第二修改的激光脉冲能量；以及
通过所述EUV控制器，指示所述激光源递送具有所计算的第二修改的能量的第三激光脉冲，由此改变所述等离子体室中的第三液滴的飞行。
2.根据权利要求1所述的方法，其中计算所述第一修改的激光脉冲能量以及计算所述第二修改的激光脉冲能量包括使用比例-积分(PI)控制器算法。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述PI控制器算法的比例项在0.0与0.5之间，并且所述PI控制器算法的积分项在0.0与1.0之间。
4.一种系统，包括：
极紫外(EUV)能量检测器，被配置为测量由第一激光脉冲生成的EUV能量的第一量，所述第一激光脉冲撞击激光产生等离子体(LPP)EUV系统的等离子体室中的第一液滴；以及
EUV控制器，被配置为：
基于所测量的、由撞击所述等离子体室中的所述第一液滴的所述第一激光脉冲生成的EUV能量的量，计算第一修改的激光脉冲能量，以及
指示所述激光源递送具有所计算的第一修改的能量的第二激光脉冲，由此改变所述等离子体室中的第二液滴的飞行；
并且其中：
所述EUV能量检测器被进一步配置为测量由第二激光脉冲生成的EUV能量的第二量，所述第二激光脉冲撞击所述激光产生等离子体(LPP)EUV系统的所述等离子体室中的第二液滴；并且
所述EUV控制器被进一步被配置为：
基于所测量的、由撞击所述等离子体室中的所述第二液滴的所述第二激光脉冲生成的EUV能量的量，计算第二修改的激光脉冲能量；并且
指示所述激光源递送具有所计算的第二修改的能量的第三激光脉冲，由此改变所述等离子体室中的第三液滴的飞行。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所述EUV控制器被配置为：使用比例-积分(PI)控制器算法来确定所述第一修改的激光脉冲能量和所述第二修改的激光脉冲能量。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述PI控制器算法的比例项在0.0与0.5之间，并且所述PI控制器算法的积分项在0.0与1.0之间。
7.一种非瞬态计算机可读介质，具有在其上实现的指令，所述指令可由一个或多个处理器执行来执行操作，所述操作包括：
使用极紫外(EUV)能量检测器来测量由第一激光脉冲生成的EUV能量的量，所述第一激光脉冲撞击激光产生等离子体(LPP)EUV系统的等离子体室中的第一液滴；
基于所测量的、由撞击所述等离子体室中的所述第一液滴的所述第一激光脉冲生成的EUV能量的量，使用EUV控制器来计算第一修改的激光脉冲能量；
通过所述EUV控制器，指示所述激光源递送具有所计算的第一修改的能量的第二激光脉冲，由此改变所述等离子体室中的第二液滴的飞行；
使用所述EUV能量检测器，测量由所述第二激光脉冲生成的EUV能量的量，所述第二激光脉冲撞击所述等离子体室中的所述第二液滴；
基于所测量的、由撞击所述等离子体室中的所述第二液滴的所述第二激光脉冲生成的EUV能量的量，使用所述EUV控制器计算第二修改的激光脉冲能量；以及
通过所述EUV控制器指示所述激光源递送具有所计算的第二修改的能量的第三激光脉冲，由此改变所述等离子体室中的第三液滴的飞行。
8.根据权利要求7所述的非瞬态计算机可读介质，其中计算所述第一修改的激光脉冲能量以及计算所述第二修改的激光脉冲能量包括使用比例-积分(PI)控制器算法。
9.根据权利要求8所述的非瞬态计算机可读介质，其中所述PI控制器算法的比例项在0.0和0.5之间，并且所述PI控制器算法的积分项在0.0和1.0之间。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110658693A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 激光产生电浆极紫外辐射源设备及其错误恢复的方法、诊断该设备的rf产生器的方法 |
| CN113267963A (zh) * | 2020-05-07 | 2021-08-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6021454B2 (ja) * | 2011-10-05 | 2016-11-09 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 |
| US9832852B1 (en) * | 2016-11-04 | 2017-11-28 | Asml Netherlands B.V. | EUV LPP source with dose control and laser stabilization using variable width laser pulses |
| US9755396B1 (en) * | 2016-11-29 | 2017-09-05 | Asml Netherlands B.V. | EUV LPP source with improved dose control by combining pulse modulation and pulse control mode |
| US11266002B2 (en) | 2017-10-26 | 2022-03-01 | Asml Netherlands B.V. | System for monitoring a plasma |
| NL2025013A (en) * | 2019-03-07 | 2020-09-11 | Asml Netherlands Bv | Laser system for source material conditioning in an euv light source |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829261B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-12-07 | Xtreme Technologies Gmbh | Method for the stabilization of the radiation output of a gas discharge-coupled radiation source in pulsed operation |
| JP2007200615A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| JP2009231041A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Tokyo Institute Of Technology | 極端紫外光光源装置 |
| CN102256429A (zh) * | 2003-04-08 | 2011-11-23 | 西默股份有限公司 | 用于euv光源的集光器 |
| JP2012134447A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-07-12 | Komatsu Ltd | 光学装置、光学装置を備えるレーザ装置、及びレーザ装置を備える極端紫外光生成システム |
| US20120248341A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Graham Matthew R | System and method for compensating for thermal effects in an euv light source |
| CN102736442A (zh) * | 2011-04-11 | 2012-10-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和方法 |
| CN103034066A (zh) * | 2011-09-28 | 2013-04-10 | Asml荷兰有限公司 | 用于控制euv曝光剂量的方法和euv光刻方法及使用这样的方法的设备 |
| US20140191132A1 (en) * | 2013-01-10 | 2014-07-10 | Cymer, Inc. | Method of Timing Laser Beam Pulses to Regulate Extreme Ultraviolet Light Dosing |
| CN104093259A (zh) * | 2008-03-21 | 2014-10-08 | Asml荷兰有限公司 | 靶材、源、euv光刻设备和使用该设备的器件制造方法 |
| CN104488362A (zh) * | 2012-05-21 | 2015-04-01 | Asml荷兰有限公司 | 辐射源 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000091195A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | 露光方法及び露光装置 |
| US7928416B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-04-19 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
| DE102004005242B4 (de) * | 2004-01-30 | 2006-04-20 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung |
| JP4578883B2 (ja) * | 2004-08-02 | 2010-11-10 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
| JP2006128157A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用ドライバレーザシステム |
| WO2011082891A1 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Euv radiation source comprising a droplet accelerator and lithographic apparatus |
| TWI618453B (zh) * | 2013-01-10 | 2018-03-11 | Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 用以調整雷射光束脈衝時序以調節極端紫外光劑量之方法及系統 |
| US9000403B2 (en) * | 2013-02-15 | 2015-04-07 | Asml Netherlands B.V. | System and method for adjusting seed laser pulse width to control EUV output energy |
| WO2014202585A2 (en) | 2013-06-18 | 2014-12-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method |
-
2015
- 2015-08-12 US US14/824,280 patent/US9832854B2/en active Active
-
2016
- 2016-08-05 TW TW105125027A patent/TWI702886B/zh active
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Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829261B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-12-07 | Xtreme Technologies Gmbh | Method for the stabilization of the radiation output of a gas discharge-coupled radiation source in pulsed operation |
| CN102256429A (zh) * | 2003-04-08 | 2011-11-23 | 西默股份有限公司 | 用于euv光源的集光器 |
| JP2007200615A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| CN104093259A (zh) * | 2008-03-21 | 2014-10-08 | Asml荷兰有限公司 | 靶材、源、euv光刻设备和使用该设备的器件制造方法 |
| JP2009231041A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Tokyo Institute Of Technology | 極端紫外光光源装置 |
| JP2012134447A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-07-12 | Komatsu Ltd | 光学装置、光学装置を備えるレーザ装置、及びレーザ装置を備える極端紫外光生成システム |
| US20120248341A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Graham Matthew R | System and method for compensating for thermal effects in an euv light source |
| CN102736442A (zh) * | 2011-04-11 | 2012-10-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和方法 |
| CN103034066A (zh) * | 2011-09-28 | 2013-04-10 | Asml荷兰有限公司 | 用于控制euv曝光剂量的方法和euv光刻方法及使用这样的方法的设备 |
| CN104488362A (zh) * | 2012-05-21 | 2015-04-01 | Asml荷兰有限公司 | 辐射源 |
| US20140191132A1 (en) * | 2013-01-10 | 2014-07-10 | Cymer, Inc. | Method of Timing Laser Beam Pulses to Regulate Extreme Ultraviolet Light Dosing |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110658693A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 激光产生电浆极紫外辐射源设备及其错误恢复的方法、诊断该设备的rf产生器的方法 |
| CN110658693B (zh) * | 2018-06-29 | 2021-12-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 激光产生电浆极紫外辐射源设备及其错误恢复的方法、诊断该设备的rf产生器的方法 |
| US11226564B2 (en) | 2018-06-29 | 2022-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV light source and apparatus for lithography |
| CN113267963A (zh) * | 2020-05-07 | 2021-08-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017027636A1 (en) | 2017-02-16 |
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| Gaeta et al. | Compact high-power laser-plasma x-ray source for lithography | |
| Behnke | VU Research Portal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |