CN103748968A - 辐射源和光刻设备 - Google Patents

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Abstract

辐射源,包括:喷嘴,配置成沿朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料液滴(400)的束流;和激光器,配置成引导激光辐射至等离子体形成位置以在等离子体形成位置将燃料液滴转化为等离子体。激光器包括放大器(310、320)和光学元件(500),该光学元件配置成限定辐射通过放大器的发散束路径。

Description

辐射源和光刻设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年9月2日递交的美国临时申请61/530,741的权益,其在此通过引用全文并入。
技术领域
本发明涉及辐射源和光刻设备。
背景技术
光刻设备是一种将期望的图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成将要在所述IC的单层上形成的电路图案。这种图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分管芯、一个或若干个管芯)上。通常,图案转移是通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上来实现的。通常,单个衬底将包含被连续形成图案的相邻的目标部分的网络。
光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而,随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小,光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。
图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出,如等式(1)所示:
CD = k 1 * λ NA - - - ( 1 )
其中λ是所用辐射的波长,NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径,k1是依赖于过程的调节因子,也称为瑞利常数,CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道,特征的最小可印刷尺寸减小可以由三种途径获得:通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。
为了缩短曝光波长,并因此减小最小可印刷尺寸,已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm范围内波长的电磁辐射,例如在13-14nm范围内,例如在5-10nm范围内,例如6.7nm或6.8nm。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于通过电子存储环提供的同步加速器辐射的源。
可以通过使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器模块。例如可以通过引导激光束至诸如合适材料(例如锡)的液滴或者合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的束流等燃料来产生等离子体。所形成的等离子体发出输出辐射,例如EUV辐射,其通过使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器,其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包围结构或腔室,布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常被称为激光产生的等离子体(LPP)源。
用脉冲激光束一致地且精确地撞击一系列移动的液滴是困难的。例如,一些大体积的EUV辐射源可能需要具有大约20-50μm的直径并以大约50-100m/s的速度移动的液滴的照射。
通过上面的想法,已经提供多种系统和方法用于有效地传送和聚焦激光束至EUV辐射源中的选定位置。
US7491954描述了一种EUV辐射源,其包括光学增益介质和透镜,透镜布置成将由光学增益介质产生的辐射引导到燃料材料的液滴。光学增益介质和透镜布置成使得光学增益介质在燃料材料的液滴处于预定位置时产生激光辐射,由此引起燃料材料的液滴产生用于发射EUV辐射的等离子体。因为光学增益介质通过在预定位置处的燃料材料的液滴的存在而触发,因此不需要种子激光器触发光学增益介质的操作。
在US7491954中描述的这些类型的系统的相关问题在于,因为发射激光的过程由通过燃料材料的液滴反射光子使得光线被反射到其自身而开始,因此建立的模式强烈依赖于初始触发过程并被限制在初始触发过程周围。这又引起下面的问题:由于腔仅被局部使用,导致增益介质中饱和效应限制可用的绝对功率;并且,移动的燃料材料的液滴飞出激光照射返回的初始触发位置,从而导致下一次的反射比理想的弱,这导致不期望的不对称模式的产生。
发明内容
期望提供一种辐射源和光刻设备,其相对于现有的辐射源是新颖的并且具有创新性的。
根据本发明的第一方面,提供一种辐射源,包括:喷嘴,配置成沿朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料液滴的束流;和激光器,配置成引导激光辐射至等离子体形成位置以在等离子体形成位置将燃料液滴转化为等离子体,其中,激光器包括放大器和光学元件,该光学元件配置成限定通过放大器的辐射的发散束路径。
激光器可以配置成在从放大器发射的光子沿发散束路径被燃料液滴反射时产生激光辐射脉冲。激光器可以包括腔反射镜,所述腔反射镜布置成反射由燃料液滴反射的光子,并且光学元件可以设置在放大器和腔反射镜之间。
放大器包括多个放大器腔室。光学元件可以设置在腔反射镜和最靠近腔反射镜的放大器腔室之间。
在第一实施例中,光学元件包括相位光栅。
在第二实施例中,光学元件包括散射板。
辐射源可以还包括收集器反射镜,所述收集器反射镜配置成收集并聚焦由燃料液滴形成的等离子体所产生的辐射。
通过燃料液滴转化而产生的等离子体优选地是用于发射EUV辐射的等离子体。
激光辐射可以具有大约9μm至大约11μm之间的波长。
喷嘴可以配置成将燃料液滴以单液滴形式发射。备选地,喷嘴可以配置成以燃料云形式发射燃料液滴,所述燃料云随后结合为液滴。
燃料液滴可以包括氙、锂或锡或由氙、锂或锡构成。
激光器优选是CO2激光器。
根据本发明的第二方面,提供一种光刻设备,包括:本发明的前述方面所述的辐射源,并且所述光刻设备还包括:照射系统,配置成调节辐射束;支撑结构,构造成支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够在辐射束的横截面上赋予辐射束图案以形成图案化的辐射束;衬底台,构造成保持衬底;和,投影系统,配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
根据本发明的第三方面,提供一种方法,包括:沿朝向等离子体形成位置的轨迹从喷嘴发射燃料液滴的束流和使用激光器将激光辐射引导至等离子体形成位置以在等离子体形成位置处将燃料液滴转化为等离子体,其中激光器包括放大器和光学元件;和所述方法还包括使用光学元件限定通过放大器的辐射的发散束路径。
本发明的其他特征和优点以及本发明多种实施方式的结构和操作在下文中参照附图详细地说明。注意的是,本发明不限于此处描述的具体实施例。这些实施例在此处给出仅是为了描述的用途。附加的实施例基于此处所包含的教导对于本领域技术人员来说是显而易见的。
附图说明
此处并入并形成说明书的部分的附图示出本发明,并且与文字描述一起进一步用以解释本发明的原理,并且允许本领域技术人员实施和使用本发明。
图1示意地示出用在本发明的一方面的光刻设备。
图2是图1的设备的更详细视图,包括LPP源收集器模块。
图3示意地示出根据现有技术的辐射源。
图4示意地示出图3的辐射源的操作过程中的多个步骤。
图5示意地示出根据本发明一方面的第一实施例的辐射源。
图6示意地示出根据本发明一方面的第二实施例的辐射源。
本发明的特征和优点在结合附图通过下文给出的详细说明将变得更加清楚,其中在整个说明书中相同的附图标记表示对应的元件。在附图中,相同的附图标记通常表示功能类似和/或结构类似的元件。元件首次出现的附图通过相应的附图标记最左边的数字表示。
具体实施方式
本说明书公开一个或更多个包含本发明的特征的实施例。这些公开的实施例仅给出本发明的示例。本发明的范围不限于公开的实施例。本发明通过权利要求限定。
所述的实施例以及在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等表明,所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性,但是每个实施例不必包括特定的特征、结构或特性。而且,这些措辞不必涉及同一实施例。此外,当结合实施例描述特定特征、结构或特性时,应该理解,在本领域技术人员的知识范围内可以结合不管是否明确示出的其他实施例来实现这样的特征、结构或特性。
本发明的实施例可以应用到硬件、固件、软件或其任何组合。本发明实施例还可以实现为存储在机器可读介质上的指令,其可以通过一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括任何用于以机器(例如计算装置)可读形式存储或传送信息的机制。例如,机器可读介质可以包括:只读存储器(ROM);随机存取存储器(RAM);磁盘存储介质;光学存储介质;闪存装置;传播信号的电、光、声或其他形式(例如,载波、红外信号、数字信号等),以及其他。此外,这里可以将固件、软件、程序、指令描述成执行特定动作。然而,应该认识到,这些描述仅为了方便并且这些动作实际上由计算装置、处理器、控制器或用于执行所述固件、软件、程序、指令等的其他装置来完成。
然而,在更详细描述这些实施例之前,给出可以实施本发明的多个实施例的示例性环境是有指导性意义的。
图1示意性地示出用于根据本发明一个实施例的光刻设备100。所述光刻设备包括根据本发明的一个实施例的EUV辐射源。所述设备包括:照射系统(照射器)IL,配置用于调节辐射束B(例如,EUV辐射);支撑结构(例如掩模台)MT,构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连;衬底台(例如晶片台)WT,构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W,并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连;和投影系统(例如反射式投影系统)PS,所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合,以引导、成形、或控制辐射。
支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台,例如,其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应,例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的,并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置,每一个小反射镜可以独立地倾斜,以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
如同照射系统,投影系统可以包括多种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型或其他类型光学部件、或其任意组合,如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。可以希望对EUV辐射使用真空,因为其他气体可以吸收太多的辐射。因而可以借助真空壁和真空泵对整个束路径提供真空环境。
如这里所示的,所述设备是是反射型的(例如,采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中,可以并行地使用附加的台,或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时,将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1,照射器IL接收来自源收集器模块SO的极紫外(EUV)辐射束。用以产生EUV辐射的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态,该材料具有在EUV范围内具有一个或更多个发射线的至少一种元素,例如氙、锂或锡。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中,所需的等离子体可以通过使用激光束照射燃料(例如具有所需发射线元素的材料的液滴)来产生。源收集器模块SO可以是包括激光器(在图1中未示出)的EUV辐射源的一部分,用于提供用于激发燃料的激光束。所形成的等离子体发射输出辐射,例如EUV辐射,其通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。
激光器和源收集器模块可以是分立的实体,例如当使用CO2激光器提供激光束用于燃料激发时。在这种情况下,借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统,辐射束被从激光器传递至源收集器模块。激光器和燃料供给装置可以被看做包括EUV辐射源。
照射器IL可以包括调节器,用于调节辐射束的角度强度分布。通常,可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外,所述照射器IL可以包括各种其它部件,例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置(也称为多小面场反射镜装置和光瞳反射镜装置)。可以将所述照射器用于调节所述辐射束,以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如,掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如,掩模)MA上,并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经由图案形成装置(例如,掩模)MA反射之后,所述辐射束B通过投影系统PS,所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感系统PS2(例如,干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助,可以精确地移动所述衬底台WT,例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地,可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器系统PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如,掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如,掩模)MA和衬底W。
可以将所述设备用于以下模式中的至少一种中:
1.在步进模式中,在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时,将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即,单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动,使得可以对不同目标部分C曝光。
2.在扫描模式中,在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时,将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即,单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。
3.在另一种模式中,将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止,并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时,将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中,通常采用脉冲辐射源,并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间,根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如,如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体,或完全不同的使用模式。
图2更详细地示出设备100,包括源收集器模块SO、照射系统IL以及投影系统PS。源收集器模块SO构造并布置成使得在源收集器模块SO的包围结构220内可以保持真空环境。
激光器LA布置成将激光能量经由激光束205沉积到由燃料供给装置200提供的燃料,例如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)。这在等离子体形成位置211产生具有几十eV电子温度的高度离子化的等离子体210。在这些离子去激发和复合期间产生的高能辐射由等离子体发射,通过接近正入射收集器光学元件CO收集和聚焦。激光器LA和燃料供应装置200可以一起被看作包括EUV辐射源。EUV辐射源可以称为激光产生等离子体(LPP)源。
可以设置第二激光器(未示出),第二激光器配置成在激光束205入射燃料上之前预热燃料。使用这种方法的LPP源可以称为双激光脉冲(DLP)源。
通过辐射收集器CO反射的辐射被聚焦在虚源点IF。虚源点IF通常称为中间焦点,并且源收集器模块SO布置成使得中间焦点IF位于包围结构220中的开口221处或其附近。虚源点IF是用于发射辐射的等离子体210的像。
随后,辐射穿过照射系统IL,照射系统IL可以包括布置成在图案形成装置MA处提供辐射束21的期望的角分布以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均匀性的琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24。在辐射束21在通过支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射时,图案化束26形成,并且图案化束26通过投影系统PS经由反射元件28、30成像到通过晶片台或衬底台WT保持的衬底W。
燃料液滴的束流包括燃料液滴,燃料液滴具有例如19微米的直径、例如100m/s的速度以及例如1mm的间隔。该示例速度和间隔对应于100kHz的频率。因此,在具体示例中,直径为19微米的燃料液滴以100kHz的频率传递至等离子体形成位置。从经由通过激光束205将燃料液滴转化为等离子体而有效地生成EUV辐射的角度而言,这可能是期望的(见图2)。
在示例性实施例中,燃料液滴尺寸和燃料液滴频率是相互关联的,并且将都与排出液滴的喷嘴的直径相关联。喷嘴的直径可以例如是3微米或更大。喷嘴的直径可以被选择成提供具有期望的直径(并因此具有期望的燃料材料的体积)的燃料液滴。可以期望提供直径大约为20微米的燃料液滴。该直径的燃料液滴足够大以至于激光束205错过燃料液滴的风险非常小,并且足够小以至于大多数燃料通过激光束被转化为等离子体,并且由于未蒸发的燃料材料带来的污染低。喷嘴可以例如具有达到10微米的直径。
喷嘴可以例如具有能经由瑞利破碎(Rayleigh break-up)产生具有期望的直径的燃料液滴的直径。备选地,喷嘴可以具有能产生较小燃料液滴的直径,所述较小燃料液滴随后合并在一起以形成具有期望的直径的燃料液滴。
图3示意地示出现有技术的激光器,其可以用作激光器LA以产生如图2所示的激光辐射205。图3中的现有技术的激光器LA包括放大器300,所述放大器300具有两个放大器腔室310和320。放大器腔室310、320可以每一个包括沿束路径330定位的光学增益介质。激光器LA还包括波长选择性腔反射镜340,例如Littrov光栅,其构造并布置成将入射到腔反射镜340的辐射从束路径330上的位置沿相反方向反射回。腔反射镜340可以例如是Littrov光栅、平面反射镜、曲面反射镜、相位共轭反射镜或角形反射器。
参照图4,当燃料液滴400到达等离子体形成位置时,来自放大器腔室310、320中的光学增益介质的自发射光子410被液滴400散射。这些被散射的光子420中的一些被引导回到放大器300。这些光子420通过放大器300放大,通过腔反射镜340反射,并且随后通过放大器300再次放大,由此产生可以与燃料液滴400相互作用以产生用于发射EUV辐射的等离子体的激光辐射束205。
激光束205可以具有在大约9μm至大约11μm之间的波长。可以使用大约10.6μm的波长,因为该波长的辐射已经证明在产生用于发射EUV辐射的等离子体过程中尤其有效。放大器腔室310、320的光学增益介质可以例如包括氦气、氮气以及CO2或这些气体的任何其他合适组合的混合物。
与图3和4中示出的现有技术的激光器相关的问题在于,建立的模式强烈依赖于最初的触发过程并限制在最初的触发过程附近,这导致腔仅被局部地使用(见图4中的窄的椭圆部分440)。这导致增益介质的饱和,其限制可以获得的绝对功率。附加地,燃料材料的移动的液滴飞出激光照射返回的初始触发点或触发位置,这导致下一次反射比理想的弱,这可以导致不期望的不对称模式的产生。
上面提到的问题可以通过使用根据本发明一个方面的一个实施例的辐射源LA解决。图5中示出第一实施例,并且图6中示出第二实施例。
图5示出辐射源LA,其具有与图3和4中示出的现有技术的辐射源LA的布置类似的总体布置,但是其中成相位光栅500形式的光学元件设置在“增益”放大器腔室310和腔反射镜340之间内。相位光栅500配置成以便使来自燃料液滴400的入射光线420从它们的不同的直线路径(未示出)朝向腔反射镜340发散。发散光线510随后被腔反射镜340反射,以便沿直线路径520朝向相位光栅500返回,由此它们被进一步从它们不同的直线路径发散以便沿着多个发散路径450、460通过放大器300。光栅500引起光线沿发散路径通过放大器的结果是,激光束被有效地加宽以使用放大器300的一个或更多个腔室310、320中的增益介质的更大的体积(在图5中示意地示出为加宽的椭圆440')。以此方式,在图5中示出的根据本发明一方面的第一实施例的激光器LA较少依赖于初始的激光触发脉冲,提供较高的输出功率的更加稳定的束。使用相位光栅还提供机会通过控制光栅节距及其与激光器LA中其他部件的间隔来优化束加宽。虽然束发散可以导致一定水平的功率损失,但是可以想到,至少单独在腔室310内,这通过使用更大体积的增益介质获得的显著提高的功率增益将被更多地补偿。
图6示出具有与图5示出的辐射源LA的布置类似的布置的辐射源LA,但是其中相位光栅500已经被散射板600形式的光学元件替换。散射板600又设置在“增益”放大器腔室310和腔反射镜340之间内。散射板600配置成以便使来自燃料液滴400的入射光线420从它们不同的直线路径(未示出)比相位光栅500更大程度地朝向腔反射镜340发散。而且,期望的是,散射板600比相位光栅更大程度地引起朝向散射板600传播返回的反射光线520从它们的相反的直线路径偏离,使得光线遵循更大数量的发散路径450、460、610通过放大器300。结果,激光束又被有效地加宽,从而使用放大器300的一个或更多个腔室310、320中更大体积的增益介质(如图6中加宽的椭圆440''示意地示出的),这提供与图5中示出的实施例相关的上述那些类似的优点。
在本发明的上述实施例中,燃料液滴的速度是100m/s。燃料液滴可以以任何期望的速度提供。可以期望,燃料液滴具有高的速度。这是因为速度越高,燃料液滴之间的间隔距离越大(对于等离子体形成位置处燃料液滴传送的给定频率)。期望较大的间隔,因为其降低由前面的燃料液滴产生的等离子体与下一个燃料液滴相互作用的风险,例如引起燃料液滴的轨迹的改变。传送至等离子体形成位置的液滴之间的1mm或更大的间隔可以是期望的(但是可以使用任何间隔)。
通过压电驱动器驱动喷嘴可以控制液滴形成的时序。燃料形成的时序因此可以通过调节供给至压电致动器的驱动信号的相位来调节。控制器可以配置成调节燃料液滴的速度和/或液滴形成的时序。
燃料液滴速度、燃料液滴尺寸、燃料液滴间隔、贮液器中的燃料压力、通过压电致动器施加的调制频率、喷嘴的直径以及开口宽度的值仅是示例。可以使用任何其他合适的值。
在本发明的上述实施例中,燃料液滴是液态锡。然而,燃料液滴可以由一种或更多种其他材料形成(例如液态形式)。
由源产生的辐射可以例如是EUV辐射。EUV辐射可以例如具有在5-20nm范围内的波长,例如在13-14nm范围的波长,例如在5-10nm范围的波长,例如6.7nm或6.8nm。
虽然本文具体参考光刻设备在制造集成电路中的应用,但是应该理解,这里所述的光刻设备可以具有其他应用,例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头、LED、太阳能电池、光子器件等。本领域技术人员将会认识到,在这样替换的应用情形中,任何使用的术语“晶片”或“管芯”可以分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理,例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上,并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下,可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外,所述衬底可以处理一次以上,例如为产生多层IC,使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
在允许的情况下,术语“透镜”可以表示不同类型的光学构件中的任何一种或其组合,包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的以及静电的光学构件。
虽然上面已经描述了本发明的具体实施例,但是应该认识到,本发明可以以上述不同的方式实施。上面的说明书是为了说明,而不是限制性的。因此,本领域技术人员应当理解,在不脱离权利要求的范围情况下可以作出本发明的修改。
应该认识到,具体实施例部分,而不是发明内容部分和摘要部分,用于解释权利要求。发明内容和摘要可以给出发明人所构思的本发明的一个或更多个而不是全部示例性实施例,因而不是为了以任何方式限制本发明和所附的权利要求。
以上借助示出具体功能的应用及其功能之间关系的功能块描述了本发明。这些功能块的边界在此为了描述方便被任意限定。可以限定替换的边界,只要适当地执行具体功能及其之间的关系即可。
具体实施例的前面的描述将充分显示本发明的一般属性,在不脱离本发明的总体构思的情况下,其他特性可以不需要太多的实验而通过应用本领域知识容易地修正和/或适应于这些具体实施例的多种应用。因此,基于此处的教导和启示,这些适应和修正在这里公开的实施例的等价物的范围和概念内。可以理解,本文的措辞或术语是为了描述而不是限制,使得本说明书的术语或措辞是为了通过本领域技术人员根据教导和启示进行解释。
本发明的覆盖度和范围应该不限于任何上述的示例性实施例,而应该仅根据权利要求及其等价物限定。

Claims (15)

1.一种辐射源,包括:
喷嘴,配置成沿朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料液滴的束流;和
激光器,配置成将激光辐射,例如具有大约9μm至大约11μm之间的波长的辐射,引导至等离子体形成位置以在等离子体形成位置处将燃料液滴转化为等离子体,
其中,激光器包括放大器和光学元件,所述光学元件配置成限定通过放大器的辐射的发散束路径。
2.如权利要求1所述的辐射源,其中激光器配置成在从放大器发射的光子沿发散束路径被燃料液滴反射时产生激光辐射脉冲。
3.如权利要求2所述的辐射源,其中激光器包括腔反射镜,所述腔反射镜布置成反射由燃料液滴反射的光子,并且光学元件设置在放大器和腔反射镜之间。
4.如前述权利要求中任一项所述的辐射源,其中放大器包括多个放大器腔室。
5.如权利要求4所述的辐射源,其中光学元件设置在腔反射镜和最靠近腔反射镜的放大器腔室之间。
6.如前述权利要求中任一项所述的辐射源,其中光学元件包括相位光栅。
7.如权利要求1-5中任一项所述的辐射源,其中光学元件包括散射板。
8.如前述权利要求中任一项所述的辐射源,其中辐射源还包括收集器反射镜,所述收集器反射镜配置成收集和聚焦由燃料液滴形成的等离子体所产生的辐射。
9.如前述权利要求中任一项所述的辐射源,其中通过燃料液滴转化而产生的等离子体是用于发射EUV辐射的等离子体。
10.如前述权利要求中任一项所述的辐射源,其中喷嘴配置成以单液滴形式发射燃料液滴。
11.如权利要求1-9中任一项所述的辐射源,其中喷嘴配置成以燃料云形式发射燃料液滴,所述燃料云随后结合为液滴。
12.如前述权利要求中任一项所述的辐射源,其中燃料液滴包括氙、锂或锡,或由氙、锂或锡构成。
13.如前述权利要求中任一项所述的辐射源,其中激光器是CO2激光器。
14.一种光刻设备,包括:
前述权利要求中任一项所述的辐射源,
照射系统,配置成调节辐射束,
支撑结构,构造成支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够在辐射束的横截面上将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束,
衬底台,构造成保持衬底,和
投影系统,配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
15.一种方法,包括:
沿朝向等离子体形成位置的轨迹从喷嘴发射燃料液滴的束流和使用激光器将激光辐射引导至等离子体形成位置以在等离子体形成位置处将燃料液滴转化为等离子体,其中激光器包括放大器和光学元件;和
使用光学元件限定通过放大器的辐射的发散束路径。
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