CN102695988B - 光刻设备以及器件制造方法 - Google Patents

光刻设备以及器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102695988B
CN102695988B CN201080057980.9A CN201080057980A CN102695988B CN 102695988 B CN102695988 B CN 102695988B CN 201080057980 A CN201080057980 A CN 201080057980A CN 102695988 B CN102695988 B CN 102695988B
Authority
CN
China
Prior art keywords
reflecting element
removable reflecting
irradiation
radiation
reflection part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201080057980.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102695988A (zh
Inventor
K·范隐真申诺
J·范斯库特
G·德维里斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN102695988A publication Critical patent/CN102695988A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102695988B publication Critical patent/CN102695988B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

在光刻设备中，使用包括多个可移动琢面以将辐射引导至光瞳琢面反射镜上的可选择位置的场反射镜设置照射模式。从一组预定照射模式选择基础照射模式并且可移动琢面被设置以实现该模式。为了调节成像参数，可移动琢面的一部分被设置到不同位置。确定哪些琢面设置到不同位置基于对将每个琢面设置到不同位置的效应的累加。

Description

光刻设备以及器件制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2009年12月23日递交的美国临时申请61/289,736的优先权，其通过引用全部并入本文。
技术领域
本发明涉及一种光刻设备以及一种用于制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。
光刻术被广泛认为是制造集成电路(ICs)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于制造微型的IC或其他器件和/或结构来说，光刻术正变成更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：
CD = k 1 * λ NA - - - ( 1 )
其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是随工艺变化的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸减小可以由三种途径获得：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。
为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有10-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内波长的电磁辐射。还提出，可以使用小于10nm波长的EUV辐射，例如在5-10nm范围内的波长，例如6.7nm或6.8nm波长。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。
可以通过使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以产生等离子体的激光器和用于容装等离子体的源收集器模块。例如通过将激光束引导到燃料(例如合适材料(例如锡)的颗粒或合适气体或蒸汽的流(例如氙气或锂蒸汽))，可以产生等离子体。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是镜像的正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括包围结构或腔，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。
在光刻术领域中熟知的是，图案形成装置的投影到衬底上的图像可以通过适当地选择照射图案形成装置的角度来改进，即通过适当地选择照射图案形成装置的辐射的角度分布来改进。在具有科勒(Koehler)照射系统的光刻设备中，由照射系统的光瞳平面内的照射束的空间强度分布确定照射图案形成装置的辐射的角度分布。这是因为光瞳平面上的照射束有效地用作次级或虚拟的辐射源，用于形成入射到图案形成装置上的照射束。照射束在照射系统内的光瞳平面处的空间强度分布的形状通常称为照射模式或轮廓。
在光瞳平面处具有特定空间强度分布的照射束改进了在将图案形成装置的图像投影到衬底上时的处理范围。理论上，对于将要被成像的给定图案，可以计算最优的照射模式。然而，这很少实现，因为计算困难并且不可能在任何情况下都可以或经济上可行地在光瞳平面内实现想要的强度分布。因此，在许多情形中，根据将要成像的图案的特性选择一组预定的标准的照射模式中的一个，例如双极、环形或四极离轴照射模式。可以调节这些模式的某些参数，例如对于极的光学轴线的距离和尺寸或环形照射模式的内径和外径(σinner和σouter)。所选择的模式可以提高投影的分辨率和/或其他参数，例如对投影系统光学像差、曝光范围以及焦深的敏感度。
照射模式的参数可以被用于调节成像参数，例如CD随节距的变化以及NILS(规一化图像对数斜率，对比度的度量)随节距的变化。这些参数还可能受到光学邻近效应校正(非成像特征和/或掩模图案中的特征尺寸的调节)的影响和受到引入小量的散焦(例如倾斜衬底)的影响。可以使用全部三种可能的调节——照射模式的参数、OPC以及散焦的结合，来尽可能地优化成像。
在使用EUV作为投影束的光刻设备中，透射光学元件(例如变焦距-轴棱镜)和衍射光学元件不能用于对照射束成形，因为没有合适的透射EUV的材料。已知的用于EUV辐射的照射系统包括场反射镜，其收集来自源的辐射并将它引导至与图案形成装置的光瞳平面相关的光瞳反射镜。参见例如2009年3月4日递交的美国临时专利申请第61/157,498号和2009年8月25日递交的第61/236,789号(这里通过引用全部并入本文)，已经提出由独立可移动琢面的布置形成场反射镜，独立可移动琢面将辐射引导到光瞳反射镜的对应的琢面上以便限定想要的照射模式。在一个布置中，每个可移动场琢面可以在两个位置之间切换以将辐射引导到两个对应的光瞳琢面中的所选择的一个上。在另一布置中，每个可移动琢面可以在三个位置之间切换以将辐射引导到两个相应的光瞳琢面中的所选择的一个上或沿一方向引导使得其不到达衬底。
发明内容
在使用具有可移动场琢面的场琢面反射镜的照射系统中，光在它们的不同位置处(已知是通道分派)所被引导至的光瞳琢面的部位确定可以实现的照射模式。即使具有大量的、每一个可以获得有限数量(例如300或更多)的位置的可移动琢面，也仅能实现有限数量的照射模式，并且这些模式的参数不能被精细地调节。因为照射均匀性要求，场琢面被分组在一起并以这些组的方式切换以实现多个标准的具有固定参数的照射模式，例如双极、四极以及环形照射模式。在具有弯曲狭缝的EUV光刻设备中也不可以通过倾斜衬底引入散焦以控制成像。
期望，例如提供一种具有场琢面反射镜的光刻设备，所述场琢面反射镜包括能够对照射模式作出小的调节的可移动琢面。
根据本发明一方面，提供一种用于光刻设备的照射系统，所述光刻设备布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上，照射系统配置成调节辐射束并引导辐射束至图案形成装置上，所述照射系统包括：第一反射部件和第二反射部件，第一反射部件布置成将辐射束的辐射引导至第二反射部件上并包括多个可移动反射元件，每一个可移动反射元件能够在至少第一位置和第二位置之间移动以改变照射模式，并且所述第二反射部件与图案形成装置的光瞳平面相关；和控制系统，所述控制系统布置成将多个可移动反射元件设置于各个期望位置以便实现从一组预定照射模式中选择的期望的照射模式并且进一步布置成将至少一个可移动反射元件设置为与其期望位置不同的校正位置以实现成像参数的调节。
根据本发明一方面，提供一种制造器件的光刻方法，所述方法包括下列步骤：将辐射束引导到第一反射部件上，使得其由此被反射并入射到第二反射部件上，所述辐射束其后入射到图案形成装置上，并且第一反射部件包括多个可移动反射元件，每个可移动反射元件在至少第一位置和第二位置之间是能够移动的以便改变图案形成装置的照射模式；通过使用图案形成装置来图案化辐射束；将图案化的辐射束投影到衬底上；所述方法还包括：将可移动反射元件设置至期望位置以限定从一组预定照射模式选择出的期望的照射模式；和将至少一个可移动反射元件设置到与期望位置不同的校正位置以实现成像参数的调节。
根据本发明一方面，提供一种计算机程序产品，包括计算机可读存储器，其存储用于控制光刻设备的指令，所述光刻设备布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上并且具有配置成调节辐射束并引导辐射束到图案形成装置上的照射系统；其中照射系统包括第一反射部件和第二反射部件，第一反射部件布置成将辐射束的辐射引导到第二反射部件并且包括多个可移动反射元件，每个可移动反射元件在至少第一位置和第二位置之间是能够移动的以便改变照射模式，并且第二反射部件与图案形成装置的光瞳平面相关；和控制系统，所述控制系统布置成将多个可移动反射元件设置于各个期望位置，所述指令有效地执行包括下列步骤的方法：将可移动反射元件设置至期望位置以限定从一组预定照射模式选择出的期望的照射模式；和将至少一个可移动反射元件设置到与期望位置不同的校正位置以实现成像参数的调节。
根据本发明一方面，提供一种将根据工艺条件(recipe)制造器件的多个光刻设备匹配的方法，每个光刻设备布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上并且具有配置成调节辐射束并将辐射束引导到图案形成装置上的照射系统；其中照射系统包括第一反射部件和第二反射部件，第一反射部件布置成将辐射束的辐射引导到第二反射部件并且包括多个可移动反射元件，每个可移动反射元件在至少第一位置和第二位置之间是能够移动的以便改变照射模式，并且第二反射部件与图案形成装置的光瞳平面相关；和控制系统，所述控制系统布置成将多个可移动反射元件设置于各个期望位置，所述方法包括下列步骤：通过从一组预定照射模式中选择基础照射模式和选择光刻设备中的第一光刻设备的至少一个可移动反射元件以设置到校正位置以实现成像参数的调节来优化第一光刻设备的照射设定；和通过选择光刻设备中的第二光刻设备的至少一个可移动反射元件以设置到与对基础照射模式产生有效贡献的位置不同的校正位置来确定第二光刻设备的照射设定，使得其成像性能与光刻设备中的第一光刻设备匹配。
根据本发明一方面，提供一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束。所述照射系统包括：第一反射部件和第二反射部件，第一反射部件布置成将辐射束的辐射引导到第二反射部件上，第一反射部件包括多个可移动反射元件，每个可移动反射元件在至少第一位置和第二位置之间是能够移动的以便改变照射模式，并且第二反射部件与图案形成装置的光瞳平面相关；和控制系统，所述控制系统布置成将多个可移动反射元件设置于各个期望位置以便实现从一组预定照射模式中选择出的期望的照射模式并且进一步布置成将至少一个可移动反射元件设置至与其期望位置不同的校正位置以实现成像参数的调节。光刻设备还包括：支撑结构，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成接收来自照射系统的调节的辐射束并将经过调节的辐射束图案化以形成图案化的辐射束；和投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底上。
附图说明
现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：
图1示出根据本发明一个实施例的光刻设备；
图2更详细地示出图1的设备；
图3更详细地示出图1和2中的设备的源收集器模块；
图4和5示出图1和图2中的设备的照射系统并示出可移动场琢面反射镜的功能；
图6至9示出用在本发明一个实施例中的不同的照射模式的示例。
图10是使用图7至9中的不同照射模式的CD随节距变化的曲线。
图11是使用图7至9中的不同照射模式的NILS随节距变化的曲线。
图12和13示出在本发明另一实施例中的不同照射模式的示例。
图14使用图12和13中的照射模式实现的水平线间距比和垂直线间距比随节距变化的曲线；
图15和16示出在本发明另一实施例中使用的不同照射模式的示例；
图17示出使用图16的照射模式对比使用图15的照射模式得出的CD随节距变化的曲线；
图18示出根据本发明一个实施例的用于包括可移动琢面的场反射镜的控制系统；和
图19是根据本发明的方法的用于匹配两个光学设备的方法流程图。
具体实施方式
图1示意地示出包括根据本发明一个实施例的源收集器模块SO的光刻设备100。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用以调节辐射束B(例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如反射式投影系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以包括框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保各个图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。
术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
如同照射系统，投影系统可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件，或其任何组合，如对所使用的曝光辐射所适合的，或对于诸如使用真空的其他因素所适合的。可以期望为EUV辐射使用真空，因为其他气体可能吸收太多的辐射。因此可以借助真空壁和真空泵在整个束路径上提供真空环境。
如这里所示，光刻设备是反射类型的(例如采用反射式掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从源收集器模块SO发出的极紫外辐射束。用以产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转化为等离子体状态，该材料具有至少一种元素，例如氙、锂或锡，其中一个或更多个发射线在EUV范围内。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中，所需的等离子体可以通过使用激光束照射例如具有所需线-发射元素的材料的液滴、流或簇团的燃料来产生。源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的一部分，EUV辐射系统包括用于提供激发燃料的激光束的激光器(在图1中未示出)。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体(例如当CO2激光器被用于提供用于燃料激发的激光束)。
在这种情况下，不会将激光器考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从激光器传到源收集器模块。在其它情况下，所述源可以是所述源收集器模块的组成部分(例如当所述源是放电产生的等离子体EUV生成器时，通常称为DPP源)。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。期望地，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。所述照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经被图案形成装置(例如，掩模)MA反射后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。
图中示出的光刻设备可以用于下列模式中的至少一种：
1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。
2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。
3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式，通常可以采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2更详细地示出设备100，其包括源收集器模块SO、照射系统IL以及投影系统PS。源收集器模块SO构造并布置成使得可以在源收集器模块SO的包围结构220内保持真空环境。可以通过放电产生等离子体源形成发射EUV辐射的等离子体210。EUV辐射可以通过气体或蒸汽，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽产生，其中产生极高温的等离子体210以发射在电磁谱的EUV范围内的辐射。通过例如引起至少部分电离的等离子体的放电来产生极高温的等离子体210。为了有效地产生辐射，需要例如10Pa分压的氙、锂、锡蒸汽或任何其他合适的气体或蒸汽。在一个实施例中，提供被激发的锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。
由高温等离子体210发射的辐射从源腔211经由定位在源腔211中的开口内或后面的气体阻挡件或污染物阱230(在某些情况下也称为污染物阻挡件或翼片阱)而传递进入收集器腔212。污染物阱230可以包括通道结构(channel structure)。污染物阱230还可以包括气体阻挡件或气体阻挡件和通道结构的组合。这里示出的污染物阱或污染物阻挡件230还至少包括通道结构，如本领域技术人员所了解的。
收集器腔211可以包括辐射收集器CO，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器CO的辐射可以反射离开光栅光谱滤光片240，以聚焦在虚源点IF处。虚源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器模块布置成使得中间焦点IF位于包围结构220中的开口221处或其附近。虚源点IF是发射辐射的等离子体210的像。
随后，辐射穿过照射系统IL，其可以包括琢面化的场反射镜装置22和琢面化的光瞳反射镜装置24，其布置成在图案形成装置MA处提供辐射束21的期望的角度分布，以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均匀性。在辐射束21在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA反射之后，形成图案化束26，所述图案化束26通过投影系统PS经由反射元件28、30被成像到由晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。
通常在照射光学单元IL和投影系统PS内存在比图示的元件更多的元件。光栅光谱滤光器240可以是可选的，这依赖于光刻设备的类型。此外，可以存在比图中示出的反射镜更多的反射镜，例如在投影系统PS内可以存在比图2中示出的反射元件多1-6个另外的反射元件。
如图2所示，收集器光学元件CO被图示为具有掠入射反射器253、254以及255的巢状收集器，其仅作为收集器(或收集器反射镜)的一个示例。掠入射反射器253、254以及255围绕光学轴线O轴向对称地设置并且这种类型的收集器光学装置CO优选与放电产生的等离子体源(通常称为DPP源)结合使用。
替代地，源收集器模块SO可以是如图3所示的LPP辐射系统的一部分。激光器LA布置成将激光能量沉积到例如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)等燃料中，由此产生具有几十电子伏特的电子温度的高度离子化的等离子体210。在这些离子的去激发和复合期间产生的能量辐射从等离子体发射，由附近的正入射收集器光学装置CO收集并聚焦到包围结构220内的开口221上。
图4和5示意性地示出照射束如何通过使用第一反射部件22和第二反射部件24被调节并引导至掩模。要说明的是，在照射器IL内可以包括其他光学部件，但是所述其他光学部件在下面的描述中为了清楚起见而被省略。
在实施例中，第一反射部件22包括多个初级反射元件，通常被称为场琢面反射镜(field facet mirror)110。第二反射部件24包括多个次级反射元件，通常被称为光瞳琢面反射镜(pupil facet mirror)120。初级反射元件110配置成引导(反射)辐射朝向次级反射元件120。第一反射部件的初级反射元件配置成足够靠近地并排在一起以便在之间基本上不留下间隙，以减少或最小化任何辐射损失。第二反射部件的次级反射元件也配置成减少或最小化任何辐射损失。
第二反射部件24与光瞳平面相关，因而第二反射部件用作虚辐射源。在一个实施例中，第二反射部件位于光瞳平面中并与光瞳平面一致。在一个实施例中，第二反射部件可以移位离开光瞳平面一个小的距离。次级反射元件引导辐射以适当地充满图案形成装置MA上的照射场。在一个实施例中，其可以设置在照射器、聚光反射镜或反射镜系统(未示出)中，其将场琢面反射镜成像到图案形成装置上。
照射掩模的辐射的角分布由辐射束在第二反射部件处的空间强度分布确定。空间强度分布由哪些次级反射元件被照射来确定，即由在第二反射部件处的照射模式来确定。次级反射元件的照射又由初级反射元件中的每一个初级反射元件的位置确定。
照射模式通过根据需要选择并随后移动每个初级反射元件110至其第一位置或第二位置来控制。当初级反射元件110A、110B以及110C被定向成处在其第一位置，辐射子束被反射朝向相关的第一次级反射元件120A’、120B’以及120C’，见图4。当初级反射元件110A、110B以及110C被定向成处在其第二位置时，辐射子束被反射朝向不同的相关的第二次级反射元件120A”、120B”以及120C”，见图5。
应该理解，次级反射元件120A’、120B’以及120C’实质上是在第二反射部件处的第一相关部位。同样，次级反射元件120A”、120B”以及120C”实质上是在第二反射部件处的第二相关部位。
每个初级反射元件的第一位置和第二位置相对于其他初级反射元件的第一位置和第二位置是不同的且是唯一的。同样，与每个初级反射元件相关的两个次级反射元件相对于与其他初级反射元件相关的次级反射元件是不同的且唯一的。通过适当地选择和移动每个初级反射元件，辐射可以被引导朝向位于光瞳平面处的所需的次级反射元件以便产生特别的期望的具有特定照射模式的空间强度分布。通过根据需要控制每个初级反射元件的位置，辐射束在光瞳平面处的空间强度分布可以被切换(即被改变)至具有不同照射模式的其他的期望的空间强度分布。例如，子束可以被引导至光瞳平面处的特定部位以便产生具有例如环形、双极、四极等离轴形照射模式的空间强度分布。
在一个实施例中，次级反射元件被固定地安装使得每个次级反射元件的方向是固定的且不改变的。为了允许通过每个初级反射元件实现两个不同的次级反射元件的照射，初级反射元件与次级反射元件的比值至少是1∶2。初级反射元件配置成在任何时刻仅将辐射引导到单个相应的次级反射元件。而且，初级反射元件的光焦度被选择并配置成产生具有合适尺寸和集光率的辐射束以便确保由初级反射元件反射的辐射束足够小以在任何时刻仅照射单个相应的次级反射元件。
虽然图4和5仅示出几个初级反射元件和相关的次级反射元件，但是照射器可以包括大量的初级反射元件和大量的次级反射元件。
在穿过辐射束的平面的平面内可以以二维格子状形式布置初级反射元件的阵列和/或布置次级反射元件阵列。第一反射部件可以包括一个或更多个初级反射元件阵列。同样，第二反射部件可以包括一个或更多个相应的次级反射元件阵列。例如，光刻设备可以包括与32个次级反射元件阵列结合使用的16个初级反射元件阵列。如前面所提出的，在本文中的术语“阵列”可以意味着单个阵列或阵列的组。
如上面解释的，光刻设备可以通过选择每个初级反射元件的所需的位置并相应地将每个初级反射元件移动至其所需的位置而在照射器中的光瞳平面处产生期望的照射模式。在一个实施例中，每个初级反射元件的方向限制于仅两个位置，即第一位置和第二位置，并且在正常操作中不可移动至任何其他位置(例如第一位置和第二位置之间的位置)。这种实施方式在下文中被称为两位置场琢面反射镜。
在另一实施例中，每个初级反射元件可移动至第三位置，所述第三位置可以例如在第一位置和第二位置之间。在第三位置处，由初级反射元件反射的辐射不到达衬底。第三位置可以看做“截止(off)”位置。这种实施例在下文被称为三位置场琢面反射镜。在三位置场琢面反射镜的变体中，第三位置引导辐射至光瞳平面中的位置，使得至少一些辐射不到达衬底。三位置场琢面反射镜可以具有一些琢面，对这些琢面来说，第三位置是截止位置，三位置场琢面反射镜还可以具有另一些琢面，对于它们来说，第三位置是“有效(on)”位置，但是与第一和第二位置不同。
在一个实施例中，通过围绕(预定的)轴线旋转每个初级反射元件而使其在这些位置之间移动。在光瞳平面处的第一相关部位(例如第一相关的次级反射元件)和第二相关部位(例如第二相关次级反射元件)的位置依赖于旋转至第一位置和第二位置(与第一和第二部位相关)的角度。
在一个实施例中，每个初级反射元件的第一位置和第二位置(和随后的第一和第二相关部位)被选择成最大化可以产生的有用的照射模式的数量。
初级反射元件可以借助于驱动器围绕第一位置和第二位置之间的轴线旋转。
一个或更多个初级反射元件可以配置成被驱动以围绕相同的轴线旋转。一个或更多个其他初级反射元件可以配置成被驱动以围绕其他轴线旋转。
在一个实施例中，每个初级反射元件包括驱动器电机111以驱动初级反射元件。第一和第二位置可以通过机械终端阻挡件(end stop)限定，使得在两个位置场琢面反射镜中，被施加至驱动器电机的驱动器信号可以是二元信号。应该认识到，将二元(二值)驱动器信号用于驱动器电机消除了控制系统的复杂性以提供每个反射镜的方向的反馈控制。对于三位置场琢面反射镜需要更加复杂的控制系统，但是这种反射镜的优点是能够限定附加的照射模式。例如，可以以降低生产率为代价来控制在多极照射模式中的极的尺寸。
图6示出由琢面反射镜产生的照射模式。在图6中示出的照射模式是环形照射模式。这是场琢面反射镜布置成通过适当地选择可移动琢面反射镜在它们不同的位置(通道分配)引导辐射所沿的方向来实现的多种基础照射模式中的一种。其他基础照射模式可以包括双极照射、四极照射以及传统照射。可以实现的基础照射模式的组可以包括这些类型的变形形式，例如具有不同尺寸的极的双极或四极照射模式，或具有不同模式σmner或σouter值的环形照射。对于待成像的给定图案，选择这些基础照射模式中的一种。因为基础照射模式选自可以通过场琢面反射镜生成的有限组的这种模式，其对于对任何给定图案的成像可能不是理想的。在使用DUV辐射的光刻设备中，可以小步幅地调节这种基础的照射模式，例如通过使用变焦距-轴棱镜或掩模版遮挡片或通过倾斜衬底以引入受控量的散焦来调节这种基础的照射模式。然而，这种小的调节在使用EUV辐射的光刻设备中是不可能的，因为反射照射光学装置不能精细调节并且图像狭缝通常是弯曲的。
然而本发明人已经确定，通过独立地将一定比例的场琢面切换至与用以实现基础照射模式所需位置不同的位置，可以实现对照射模式的精细调节。在场琢面反射镜以被一起切换以实现预定的基础照射模式的组来布置的情况下，本发明期望切换这些组中的各个反射镜。将一些场琢面反射镜切换至不同位置将不会得到期望地通过这些参数(例如σinner和σouter)实现的简单照射模式。因此，不提供调节这些参数的手段，但是可以影响在衬底水平处测量的参数。这种方法尤其对调节邻近效应(例如CD随节距的变化、归一化图像对数斜率(NILS)随节距的变化以及HV偏置(off-set)随节距的变化)有效。其他可以调节的成像参数包括全局HV偏置。本发明的一个实施例还对匹配光刻设备是有用的。
在根据给定的图像参数分别地将场琢面中不同的场琢面切换至不同位置的效应可以线性地累加的情形中，本发明的一实施例尤其有效。本发明人确定，如果多达20％，优选地，多达10％的场琢面从它们的基础设定切换离开，则将不同琢面的效应累加的能力线性地保持。这在下文中参照具体事例进行进一步的讨论。
图7近似地示出从图6的内部通过将场琢面组中的10个切换至“截止”位置以便在图6的环形照射模式的亮环形内形成两个暗(例如黑)条纹而形成的照射模式。暗条纹在该示例中位于光瞳平面的X轴线上并平行于Y轴线延伸。图8近似地示出从图6的基础照射模式通过将16个场琢面切换至“截止”位置以在亮环形内部形成四个暗方形而形成的照射模式。在该示例中，4个暗方形关于X和Y轴线在与这些轴线成45度的线上对称地放置。图9近似地示出当图7中的用以形成暗条纹的10个琢面和图8中的用以形成暗方形的16琢面都切换至截止位置时所形成的照射模式。因此图9的照射模式包括暗条纹和暗方形。
图10中示意地示出关于CD的不同照射模式的效应，其表示在具有0.3的NA和包括7nm 1s的抗蚀剂弥散(blur)的设备中22nm节点图案的模拟结果。相同条件被用于下文中讨论的进一步模拟。在图10中，沿X轴线示出以nm为单位的节距，Y轴上示出相对于图6的照射模式的CD的变化。在图10中，对图7的照射模式的CD的效应通过连接黑菱形且标记为dCD10f的线表示。图8中的照射模式的效应通过连接黑方形且标记为“dCD16fXY”的线表示。这两条曲线之和通过连接黑三角形且标记为“dCD SP”的线表示。应该看到，该线非常接近于(实质上在实验误差的界限内是相同的)作为通过使用图9的组合照射模式获得的模拟结果的、连接十字形记号的、标记为“dCD SV”的线。图11示出归一化图像对数斜率的类似结果。与使用图6的照射模式所实现的情形相对照，绘出用于归一化图像对数斜率的变化的线，其针对于图7的照射模式(菱形)和图8的照射模式(正方形)以及这些变化之和(三角形)和由图9的照射模式(十字形记号)的模拟结果。再次地，可以看到预测的和验证的结果几乎精确地一致。
在该示例中，所使用的场琢面反射镜具有多于300个琢面，它们全部被切换为“有效的”以产生图6的环形照射模式使得为了调节成像参数的切换为“截止”的琢面数量小于总数的大约10％。应该认识到，存在在衬底水平处图像强度和因此生产率的对应的降低。然而，如果通过调节得到成像的改善提高产率，则这种生产率的损失是可容忍的。
图12示出另一基础照射模式，离轴四极模式。在该模式中，光瞳平面中的强度分布具有四个亮极，所述亮极围绕照射系统的光轴对称地位于X和Y轴之间的45度线上。在本发明的方法示例中，这被如图13所近似图示地通过将一定数量的琢面设置到“截止”位置而修改。该琢面的数量被限制为小于设置为“有效的”的数量的10％以实现图12的照射模式，并且像素被选择成匹配作为节距函数的目标垂直线间距比。这在图14中用连接星形并标记为Vt的线表示。图12中的基础照射模式的线间距比在图14中用连接菱形且标记为b的线表示。应该看到，实际获得的垂直线间距比(方形，V)和预测的垂直线间距比(十字形记号，Vp)不能有效地与目标区分。在该示例中，水平线间距比H(三角形)此时与垂直线间距比不同，但是这通过优化是允许的。替代的优化可以使最小化HV偏移优先于匹配目标。
下面参照图15至17描述本发明的另一示例。在该示例中，基础照射模式是双极模式，其中每个极是以X轴为中心的环形照射模式的90度弧。如图16近似地示出的，通过将对双极有贡献的特定琢面切换至其交替的“有效的”位置来修改这种模式。因而，被切换的每个琢面在基础照射模式的亮双极中产生暗区域以及在双极照射模式的外部的另外的暗区域中产生亮区域。如图17所看到的，这种布置允许接近地匹配随如通过使用图16的照射模式(三角形)获得的曲线示出的节距曲线(菱形)变化的期望的dCD。
布置成实施本发明的实施例的控制系统如图18所示。控制器60接收限定基础照射模式和来自接口61的优化或匹配目标的信息。接口61可以是用户接口，用户通过用户接口输入所需的信息，或者接口61可以是管理机器控制系统的接口，所述管理机器控制系统将作为整体的设备和/或光刻单元或蔟中的其他相关装置的活动进行协调。接口61还可以包括存储器，在所述存储器中，存储限定基础照射模式和优化或匹配目标的信息。基于这种信息，控制器60指示致动器111将场琢面反射镜设置于必要位置以实现适当的照射模式。在此过程中，控制器60与存储器62关联，所述存储器62存储针对于每个场琢面反射镜识别独立地将其从基础照射模式所需的位置切换至“截止”位置或所关注的“有效的”位置的效应的信息。控制器60使用该信息来确定是否需要根据优化或匹配目标和上面给出的原理将任何其他场琢面反射镜设置到校正位置。
如上所述，本发明对于匹配不同的光刻设备是尤其有用的。在依据多个不同光刻设备上给定的工艺条件将衬底以给定图案曝光的情形中，通常期望，由不同设备产生的结果是一致的。因此，一个设备被设计作为参照设备。一旦工艺条件，即光刻设备的全部相关可调节参数的值，已经在参照机器上进行优化，这种设定被用作其他机器的开始点，但随后被调节以提供一致的性能。这个过程在图19中详细地示出。图19以两栏的形式示出步骤。在参照设备上执行表示为100A的栏中的步骤。在将要与参照设备匹配的设备上执行用100B标记的栏中的步骤。这些步骤可以在任意数量的其他设备上执行，并且期望地在将要用于印刷给定工艺条件的全部其他设备上执行。
在步骤S1中，建立对于过程的基础工艺条件。基础工艺条件可以包括掩模版的细节、应用至掩模版的光学邻近效应校正、将要在基础照射模式的曝光和选择之前和之后执行的工艺步骤。在步骤S2中，确定基础工艺条件的性能。这可以通过模拟或通过实际印刷测试衬底来完成。如果结果不满意，则重新确定基础工艺条件的参数。在步骤S2中，测量将要进一步优化的参数，例如临近效应电流和/或焦阑。下一步骤S3是确定通过切换至其他位置的特定场琢面对基础照射模式的调节，这将改善感兴趣的成像参数，例如CD随节距的变化。在步骤S4中，再次通过模拟或实际印刷测试衬底来确定这些调节的效应。如果结果是满意的，则进行所述方法，否则可以进一步调节。在步骤S5中，实现参照设备100A的性能的最终特征化以提供将要匹配的标准。
同时，在将要被匹配至参照光刻设备100A的光刻设备100B上应用S6和验证S7基础工艺条件。在多个光刻设备将要被匹配至参照设备100A的情形中，在不同的光刻设备上并行地执行这些步骤。一旦在光刻设备100B上建立合适水平的性能，则如上所述修改基础照射模式以便将参照设备的性能与相关的成像参数匹配。要注意的是，由于参照设备和将要匹配的设备的特性的轻微变化，对在光刻设备100B中应用的基础照射模式的调节可以与应用在参照设备中的那些调节不同。
一旦已经确定匹配参数，则可以在参照设备S9和所匹配的设备100B中同时开始生成衬底S11。一般地，将监测产品曝光S10，S12，并且可以根据需要进行对相关成像参数的进一步调节。
对于这种匹配过程，初始输入是关键的系统参数，尤其是照射设置和变迹轮廓(apodization profile)。对于匹配过程具体化将要应用的品质因数和权重因子也是必要的。对匹配过程的进一步限制是将要实现的传输。这有效地限制了可以设置为“截止”位置的琢面的数量。在一个实施例中，可以设置90％、80％、70％、60％或50％的传输限制。为了实现匹配，有必要计算由基础照射模式、每个场琢面分别设置成“截止”的基础照射模式以及每个琢面分别被搜索至替代的“有效的”位置的基础照射模式获得的感兴趣的成像参数的所得到的值。然而，这些值可以事先通过模拟确定并且可以应用至参照设备和任何其他将要被匹配的设备。给定这些值，可以通过使用传统技术实现用以实现期望的优化的合适方案。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造集成电路，但是应该理解到，这里所述的光刻设备可以有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
在允许的情况下，术语“透镜”可以指的是不同类型的光学部件的任一个或其组合，包括折射型、反射型、磁性的、电磁的以及静电型光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。

Claims (24)

1.一种用于光刻设备的照射系统，所述光刻设备布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上，所述照射系统配置成调节辐射束并将辐射束引导至图案形成装置上，所述照射系统包括：
第一反射部件和第二反射部件，第一反射部件布置成将辐射束的辐射引导至第二反射部件上，所述第一反射部件包括多个可移动反射元件，每一个可移动反射元件能够在至少第一位置和第二位置之间移动以改变照射模式，并且所述第二反射部件与图案形成装置的光瞳平面相关；和
控制系统，布置成将所述多个可移动反射元件设置于各个期望位置以便实现从一组预定照射模式中选择出的期望的照射模式，其特征在于，
控制系统进一步布置成将至少一个可移动反射元件设置于与其期望位置不同的校正位置以实现成像参数的调节，
其中控制系统布置成实现选自由下列参数构成的组的成像参数的调节：CD随节距的变化；NILS随节距的变化以及线:间距比随节距变化。
2.如权利要求1所述的照射系统，其中控制系统布置成实现图案中的邻近效应的校正。
3.如权利要求1或2所述的照射系统，其中控制系统布置成将所述至少一个可移动元件设置至使得所述至少一个可移动元件沿使得辐射不到达衬底的方向引导辐射的位置。
4.如权利要求1或2所述的照射系统，其中控制系统布置成将所述至少一个可移动元件设置至使得所述至少一个可移动元件沿使得辐射到达衬底的方向引导辐射的位置。
5.如权利要求1或2所述的照射系统，其中控制系统布置成将所述至少一个可移动反射元件设置成使得在期望的照射模式的亮区域内形成暗斑点。
6.如权利要求1或2所述的照射系统，其中控制系统布置成将所述至少一个可移动反射元件设置成使得在期望的照射模式的暗区域内形成亮斑点。
7.如权利要求1或2所述的照射系统，其中控制系统包括：
选择器，布置成选择一个或更多个可移动反射元件及其位置使得将所选择的可移动反射元件设置到所选择的位置的效应之和尽可能接近成像参数的期望的调节；和
存储器，布置成存储识别对在每个位置的每个可移动反射元件的成像参数的效应的信息，以使控制系统能够采用用于选择一个可移动反射元件及其位置的选择器使得在所选择位置处的所选择的可移动反射元件的效应之和尽可能接近成像参数的期望的调节，
其中，控制系统布置成将所选择的可移动反射元件设置到所选择的位置。
8.如权利要求7所述的照射系统，其中：
可移动反射元件布置成将辐射引导至第二反射部件上的具有至少一个对称度的位置；
存储器布置成存储关于可移动反射元件的衬底的信息；和
控制系统还包括计算器，所述计算器布置成计算没有基于所存储的信息和对称度来存储的信息所针对的可移动反射元件的效应。
9.如权利要求1或2所述的照射系统，其中控制系统布置成由下列照射模式构成的组选择出预定照射模式：传统照射、双极照射、四极照射、软四极照射以及环形照射。
10.如权利要求1或2所述的照射系统，其中控制系统布置成将少于约20％的可移动反射元件设置至校正位置。
11.如权利要求10所述的照射系统，其中控制系统布置成将少于约10％的可移动反射元件设置至校正位置。
12.一种制造器件的光刻方法，所述方法包括下列步骤：
将辐射束引导到第一反射部件上，使得其由此被反射并入射到第二反射部件上，所述辐射束其后入射到图案形成装置上，并且第一反射部件包括多个可移动反射元件，每个可移动反射元件在至少第一位置和第二位置之间是可移动的以便改变图案形成装置的照射模式；
通过使用图案形成装置来图案化辐射束；
将图案化的辐射束投影到衬底上；
将可移动反射元件设置至期望位置以限定从一组预定照射模式选择出的期望的照射模式；和
将至少一个可移动反射元件设置到与其期望位置不同的校正位置以实现成像参数的调节，其特征在于，
所述至少一个可移动反射元件被设置到校正位置以实现从下面参数构成的组选择出的成像参数的调节：CD随节距的变化；NILS随节距的变化以及线:间距比随节距变化。
13.如权利要求12所述的光刻方法，其中所述至少一个可移动反射元件被设置到校正位置以在图案中实现邻近效应的校正。
14.如权利要求12或13所述的光刻方法，其中所述至少一个可移动反射元件被设置到使得所述至少一个可移动反射元件沿使得辐射不到达衬底的方向引导辐射的位置。
15.如权利要求12或13所述的光刻方法，其中所述至少一个可移动反射元件被设置到使得所述至少一个可移动反射元件沿使得辐射到达衬底的方向引导辐射的位置。
16.如权利要求12或13所述的光刻方法，其中至少一个可移动反射元件被设置成使得在期望的照射模式的暗区域内形成亮斑点。
17.如权利要求12或13所述的光刻方法，其中至少一个可移动反射元件被设置成使得在期望的照射模式的亮区域内形成暗斑点。
18.如权利要求12或13所述的光刻方法，还包括：
存储识别对在每个可移动反射元件能够采用的每个位置处的每个可移动反射元件的成像参数的效应的信息；
选择一个可移动反射元件及其位置，使得将所选择的可移动反射元件设置到所选择位置的效应之和尽可能接近成像参数的期望的调节；和
将所选择的可移动反射元件设置到所选择的位置。
19.如权利要求18所述的光刻方法，其中
可移动反射元件布置成将辐射引导至第二反射部件上的具有至少一个对称度的位置；
存储步骤包括存储关于可移动反射元件的衬底的信息；和
计算没有基于被存储的信息和对称度来存储的信息所针对的可移动反射元件的效应。
20.如权利要求12或13所述的光刻方法，其中预定照射模式选自由下列照射模式构成的组：传统照射、双极照射、四极照射、软四极照射以及环形照射。
21.如权利要求12或13所述的光刻方法，其中将至少一个可移动反射元件设置到校正位置的步骤包括将少于约20％的可移动反射元件设置至校正位置。
22.如权利要求21所述的光刻方法，其中将至少一个可移动反射元件设置到校正位置的步骤包括将少于约10％的可移动反射元件设置至校正位置。
23.一种将用于根据工艺条件制造器件的多个光刻设备匹配的方法，每个光刻设备布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上并且具有配置成调节辐射束并将辐射束引导到图案形成装置上的照射系统；其中照射系统包括：第一反射部件和第二反射部件，第一反射部件布置成将辐射束的辐射引导到第二反射部件上并且包括多个可移动反射元件，每个可移动反射元件在至少第一位置和第二位置之间是能够移动的以便改变照射模式，并且第二反射部件与图案形成装置的光瞳平面相关；和控制系统，所述控制系统布置成将多个可移动反射元件设置至各个期望位置，所述方法包括下列步骤：
通过从一组预定照射模式中选择基础照射模式和选择光刻设备中的第一个光刻设备的至少一个可移动反射元件以设置到校正位置以实现成像参数的调节来优化第一个光刻设备的照射设定；和
通过选择光刻设备中的第二个光刻设备的至少一个可移动反射元件以设置到与对基础照射模式产生贡献有效的位置不同的校正位置来确定第二个光刻设备的照射设定，使得其成像性能与光刻设备中的第一个光刻设备匹配。
24.一种光刻设备，包括：
支撑结构，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成接收来自照射系统的经过调节的辐射束并将经过调节的辐射束图案化以形成图案化的辐射束；和
投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底上；
照射系统，配置成调节辐射束，所述照射系统包括：
第一反射部件和第二反射部件，第一反射部件布置成将辐射束的辐射引导到第二反射部件上，第一反射部件包括多个可移动反射元件，每个可移动反射元件在至少第一位置和第二位置之间是能够移动的以便改变照射模式，并且第二反射部件与图案形成装置的光瞳平面相关，和
控制系统，所述控制系统布置成将多个可移动反射元件设置于各个期望位置以便实现从一组预定照射模式中选择出的期望的照射模式，其特征在于，
控制系统进一步布置成将至少一个可移动反射元件设置于与其期望位置不同的校正位置以实现成像参数的调节，其中所述至少一个可移动反射元件被设置到校正位置以实现从下面参数构成的组选择出的成像参数的调节：CD随节距的变化；NILS随节距的变化以及线:间距比随节距变化。
CN201080057980.9A 2009-12-23 2010-11-19 光刻设备以及器件制造方法 Active CN102695988B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US28973609P 2009-12-23 2009-12-23
US61/289,736 2009-12-23
PCT/EP2010/067834 WO2011076500A1 (en) 2009-12-23 2010-11-19 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102695988A CN102695988A (zh) 2012-09-26
CN102695988B true CN102695988B (zh) 2015-09-02

Family

ID=43662252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080057980.9A Active CN102695988B (zh) 2009-12-23 2010-11-19 光刻设备以及器件制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9052605B2 (zh)
JP (1) JP5775530B2 (zh)
KR (1) KR101795610B1 (zh)
CN (1) CN102695988B (zh)
NL (1) NL2005724A (zh)
TW (1) TWI616724B (zh)
WO (1) WO2011076500A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107272345A (zh) * 2016-04-05 2017-10-20 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9134629B2 (en) * 2009-03-04 2015-09-15 Asml Netherlands B.V. Illumination system, lithographic apparatus and method of forming an illumination mode
DE102012207377A1 (de) 2012-05-03 2013-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik sowie optisches System für die EUV-Projektionslithographie
DE102012209412A1 (de) * 2012-06-04 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Verfahren und optische Messvorrichtung zum Messen von Winkellagen von Facetten zumindest eines Facettenspiegels für EUV-Anwendungen
DE102012212664A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen eines Beleuchtungssettings
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
CN103048894B (zh) * 2013-01-29 2014-10-15 中国科学院光电研究院 一种光刻机投影物镜波像差在线测量装置和方法
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
WO2015161948A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9815144B2 (en) 2014-07-08 2017-11-14 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
CN107073642B (zh) * 2014-07-14 2020-07-28 康宁股份有限公司 使用长度和直径可调的激光束焦线来加工透明材料的系统和方法
HUE055461T2 (hu) 2015-03-24 2021-11-29 Corning Inc Kijelzõ üveg kompozíciók lézeres vágása és feldolgozása
DE102015209176A1 (de) * 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102015209175A1 (de) * 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel
DE102015221209A1 (de) * 2015-10-29 2017-05-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe mit einem Schutzelement und optische Anordnung damit
US9791786B1 (en) * 2016-04-08 2017-10-17 Applied Materials, Inc. Method to reduce line waviness
DE102016213785A1 (de) 2016-07-27 2018-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Einstellung eines Beleuchtungssettings
WO2018064409A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
WO2018081031A1 (en) 2016-10-24 2018-05-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
NL2021608A (en) * 2017-09-20 2019-03-26 Asml Netherlands Bv Control system for a lithographic apparatus
US10783290B2 (en) * 2017-09-28 2020-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. IC manufacturing recipe similarity evaluation methods and systems
CN112445076B (zh) * 2019-08-30 2022-04-22 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光刻机、曝光系统及实现离轴照明的方法与离轴照明装置
CN111083825B (zh) * 2019-12-18 2021-12-21 江苏紫米电子技术有限公司 一种灯效控制方法、装置、电子设备和存储介质

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100576746B1 (ko) * 2001-06-01 2006-05-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,제어시스템, 컴퓨터프로그램, 및 컴퓨터프로그램물
US7015491B2 (en) * 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
DE10219514A1 (de) 2002-04-30 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
US7057709B2 (en) * 2003-12-04 2006-06-06 International Business Machines Corporation Printing a mask with maximum possible process window through adjustment of the source distribution
US20050231651A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Myers Timothy F Scanning display system
US7123348B2 (en) * 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
US7283209B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
US7800734B2 (en) 2004-09-22 2010-09-21 Nikon Corporation Lighting apparatus, exposure apparatus and microdevice manufacturing method
US7542013B2 (en) * 2005-01-31 2009-06-02 Asml Holding N.V. System and method for imaging enhancement via calculation of a customized optimal pupil field and illumination mode
EP1894063A1 (en) * 2005-06-21 2008-03-05 Carl Zeiss SMT AG A double-facetted illumination system with attenuator elements on the pupil facet mirror
US7934172B2 (en) * 2005-08-08 2011-04-26 Micronic Laser Systems Ab SLM lithography: printing to below K1=.30 without previous OPC processing
US20080158529A1 (en) 2006-12-28 2008-07-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2008095695A2 (de) * 2007-02-06 2008-08-14 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und vorrichtung zur überwachung von mehrfachspiegelanordnungen in einem beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
US9250536B2 (en) * 2007-03-30 2016-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP5326259B2 (ja) 2007-11-08 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107272345A (zh) * 2016-04-05 2017-10-20 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元

Also Published As

Publication number Publication date
CN102695988A (zh) 2012-09-26
JP2013516055A (ja) 2013-05-09
TW201128322A (en) 2011-08-16
TWI616724B (zh) 2018-03-01
JP5775530B2 (ja) 2015-09-09
WO2011076500A1 (en) 2011-06-30
KR20130007541A (ko) 2013-01-18
KR101795610B1 (ko) 2017-11-08
US20120262689A1 (en) 2012-10-18
US9052605B2 (en) 2015-06-09
NL2005724A (en) 2011-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102695988B (zh) 光刻设备以及器件制造方法
CN102612667B (zh) 光刻设备以及器件制造方法
CN102483584B (zh) 照射系统、光刻设备和调节照射模式的方法
CN102696283B (zh) 包括液滴加速器的euv辐射源以及光刻设备
CN102859442B (zh) 收集器反射镜组件以及用于产生极紫外辐射的方法
CN102695989A (zh) 照射系统、光刻设备以及照射方法
KR101666073B1 (ko) 조명 시스템, 리소그래피 장치 및 조명 모드 형성 방법
KR102051267B1 (ko) 조명 광학계, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR20140088166A (ko) 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
CN101923293A (zh) 用于照射均匀性校正和均匀性漂移补偿的光刻设备和方法
CN105008997A (zh) 离散源掩模优化
CN104641298A (zh) 光刻方法和设备
CN102105837B (zh) 反射镜、光刻设备以及器件制造方法
US11448971B2 (en) Optical maskless
CN101779524B (zh) 光刻设备和器件制造方法
US20240160110A1 (en) Systems and methods for distributing light delivery
TW202307586A (zh) 藉由奇異形狀之圖案拼貼基板之系統及方法
CN116830042A (zh) 用于投影光学器件加热的多通道光源

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant