JP6556235B2 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

特許出願公開平成９−１７４２７４号 特許出願公開昭和６３−２６３４４９号 特許出願公開２００１−３４５２４号 特許出願公開２０１４−１５４２２９号

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部でプラズマが生成されることによって極端紫外光が生成されるチャンバと、チャンバに設けられたウインドウと、チャンバに接続された光路管と、光路管内に配置され、ウインドウを介してチャンバ内に光を出力する光源と、光路管内にガスを供給するガス供給部と、光路管内のガスを光路管外に排出する排気口と、を備えてもよい。

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部でプラズマが生成されることによって極端紫外光が生成されるチャンバと、チャンバに設けられたウインドウと、チャンバに接続された光路管と、光路管内に配置され、ウインドウを介してチャンバ内から光を受光する受光素子と、光路管内にガスを供給するガス供給部と、光路管内のガスを光路管外に排出する排気口と、を備えてもよい。

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部でプラズマが生成されることによって極端紫外光が生成されるチャンバと、チャンバに設けられたウインドウと、チャンバに接続された光路管と、光路管内に配置され、ウインドウを介してチャンバ内に光を出力する光源と、光路管内の屈折率分布を均一化させる装置と、を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ドロップレット検出器を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図３は、図２に示された光源部の詳細な構成を説明するための図を示す。 図４は、図２に示された受光部の詳細な構成を説明するための図を示す。 図５は、制御部によって制御されるレーザ装置の出力タイミングを説明するための図である。 図６は、光路管内に生じる温度分布を説明するための図を示す。 図７は、光路管内に熱レンズが形成されることに伴って、光源から出力された光の集光位置が変化することを説明するための図を示す。 図８は、図７に示された光源から出力された光の集光位置が変化することに伴って、受光素子の受光面に転写された光の像が変化することを説明するための図を示す。 図９は、図８に示された受光素子の受光面に転写された光の像が変化することに伴って、受光素子から出力される通過タイミング信号が変化することを説明するための図を示す。 図１０は、第１実施形態に係るガス供給部及び光源部の構成を説明するための図を示す。 図１１は、図１０に示されたＡ−Ａ線における断面図を示す。 図１２は、第１実施形態の変形例１に係る光源部を説明するための図を示す。 図１３は、第２実施形態に係るガス供給部及び受光部の構成を説明するための図を示す。 図１４は、図１３に示されたＢ−Ｂ線における断面図を示す。 図１５は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１６は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１７は、図１６に示された光路管内に供給されるガスの流量制御に関する動作を説明するためのフローチャートを示す。 図１８は、第５実施形態に係る撹拌装置及び光源部を説明するための図を示す。 図１９は、各制御部のハードウェア環境を説明するためのブロック図を示す。

実施形態

〜内容〜
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ドロップレット検出器を備えるＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
５．課題
６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
６．４ 第１実施形態の変形例１
７．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置
８．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置
８．１ ドロップレット検出器
８．２ ドロップレット軌道計測器
８．３ ドロップレット画像計測器
９．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置
９．１ 構成
９．２ 動作
９．３ 作用
１０．第５実施形態のＥＵＶ光生成装置
１１．その他
１１．１ 各制御部のハードウェア環境
１１．２ その他の変形例等

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を単なる例として少なくとも開示し得る。

本開示のＥＵＶ光生成装置１は、内部でプラズマが生成されることによってＥＵＶ光２５２が生成されるチャンバ２と、チャンバ２に設けられたウインドウ４１１と、チャンバ２に接続された光路管４１２と、光路管４１２内に配置され、ウインドウ４１１を介してチャンバ２内に光を出力する光源４１３と、光路管４１２内にガスを供給するガス供給部７１と、光路管４１２内のガスを光路管４１２外に排出する排気口４１２ｅと、を備えてもよい。
このような構成により、ＥＵＶ光生成装置１は、パルスレーザ光３１の出力タイミングを高精度で制御し得る。

［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。ターゲットにレーザ光が照射されると、ターゲットはプラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されるターゲットの一形態である。
「ドロップレット軌道」は、チャンバ内に出力されたドロップレットが進行する経路である。ドロップレット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差してもよい。
「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。

［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

［３．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の出力タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［４．ドロップレット検出器を備えるＥＵＶ光生成装置］
［４．１ 構成］
図２〜図５を用いて、ドロップレット検出器４１を備えるＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
図２は、ドロップレット検出器４１を備えるＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
図２では、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を出力する方向をＸ軸方向とし、Ｘ軸方向に直交する方向であってドロップレット軌道Ｆに沿った方向をＹ軸方向とする。Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。

ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、上述のように、内部に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されることでＥＵＶ光２５２が生成される容器であってもよい。
チャンバ２は、例えば、中空の筒形状に形成されてもよい。
チャンバ２の内部空間を形成する壁２ａは、導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。
筒形状のチャンバ２の中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ出力する方向に略平行であってもよい。
チャンバ２は、チャンバ２外からチャンバ２内へターゲット２７を供給するためのターゲット供給路２ｂを含んでもよい。
ターゲット供給路２ｂは、筒形状のチャンバ２の側面部に設けられてもよい。
ターゲット供給路２ｂは、筒形状に形成されてもよい。
筒形状のターゲット供給路２ｂの中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ出力する方向に略直交してもよい。

チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光光学系２３ａと、ターゲット回収部２８と、プレート２２５及びプレート２３５と、が設けられてもよい。
チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット供給部２６と、ドロップレット検出器４１と、制御部８と、が設けられてもよい。

プレート２３５は、チャンバ２の内側面に固定されてもよい。
プレート２３５の中央には、その厚さ方向にパルスレーザ光３３が通過可能な孔２３５ａが設けられてもよい。孔２３５ａの開口方向は、図１における貫通孔２４及びプラズマ生成領域２５を通る軸と略同一の方向であってもよい。
プレート２３５の一方の面には、ＥＵＶ集光光学系２３ａが設けられてもよい。
プレート２３５の他方の面には、プレート２２５が設けられてもよい。

ＥＵＶ集光光学系２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ホルダ２３１と、を含んでもよい。
ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を保持してもよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、プレート２３５に固定されてもよい。

プレート２２５は、図示しない３軸ステージによって位置及び姿勢がプレート２３５に対して変更可能であってもよい。
３軸ステージは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向の３軸方向にプレート２２５を動かすアクチェータを含んでもよい。
３軸ステージのアクチュエータは、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御によって、プレート２２５を動かしてもよい。それにより、プレート２２５の位置及び姿勢が変更されてもよい。
プレート２２５には、レーザ光集光光学系２２ａが設けられてもよい。

レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ホルダ２２３と、ホルダ２２４と、を含んでもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過したパルスレーザ光３２が入射するように配置されてもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２とを含んでもよい。

ホルダ２２３は、軸外放物面ミラー２２１を保持してもよい。
軸外放物面ミラー２２１を保持するホルダ２２３は、プレート２２５に固定されてもよい。
ホルダ２２４は、平面ミラー２２２を保持してもよい。
平面ミラー２２２を保持するホルダ２２４は、プレート２２５に固定されてもよい。

軸外放物面ミラー２２１は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１及び平面ミラー２２２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
平面ミラー２２２は、孔２３５ａ及び軸外放物面ミラー２２１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５が３軸ステージを介してプレート２２５の位置及び姿勢を変更することに伴って、調整され得る。当該調整は、レーザ光集光ミラー２２からの出射光であるパルスレーザ光３３が、プラズマ生成領域２５で集光するように実行され得る。

ターゲット回収部２８は、チャンバ２内に出力されたターゲット２７が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。

レーザ光進行方向制御部３４は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１とレーザ装置３との間に設けられてもよい。
レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１が入射するように配置されてもよい。
レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１と、高反射ミラー３４２と、を含んでもよい。

高反射ミラー３４１は、パルスレーザ光３１が出力されるレーザ装置３の出射口及び高反射ミラー３４２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４２は、チャンバ２のウインドウ２１及び高反射ミラー３４１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御によって、調整されてもよい。当該調整は、レーザ光進行方向制御部３４からの出力光であるパルスレーザ光３２が、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過するように実行されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６に設けられた露光装置制御部６１との間で各種信号を送受信してもよい。
例えば、ＥＵＶ光生成制御部５には、ＥＵＶ光２５２の露光装置６への出力に関する制御指令を示すＥＵＶ光出力指令信号が、露光装置制御部６１から送信されてもよい。ＥＵＶ光出力指令信号には、ＥＵＶ光２５２の目標出力タイミング、目標繰り返し周波数、目標パルスエネルギ等の各種目標値が含まれてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置制御部６１から送信された各種信号に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１の各構成要素の動作を統括的に制御してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３との間で制御信号の送受信を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３の動作を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光光学系２２ａを動かすそれぞれのアクチェータとの間で各々制御信号の送受信を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１〜３３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、制御部８との間で制御信号の送受信を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６及びドロップレット検出器４１に含まれる各構成要素の動作を間接的に制御してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図１９を用いて後述する。

ターゲット供給部２６は、チャンバ２内に供給するターゲット２７を生成し、ドロップレット２７１としてチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に出力する装置であってもよい。ターゲット供給部２６は、いわゆるコンティニュアスジェット方式でドロップレット２７１を出力する装置であってもよい。
ターゲット供給部２６が供給するターゲット２７の材料は、金属材料であってもよい。ターゲット２７を構成する金属材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含む材料であってもよい。好適には、ターゲット２７を構成する金属材料は、スズであってもよい。
ターゲット供給部２６は、チャンバ２のターゲット供給路２ｂの端部に設けられてもよい。
ターゲット供給部２６は、タンク２６１と、ノズル２６２と、ヒータ２６３と、圧力調節器２６４と、ピエゾ素子２６５と、を含んでもよい。

タンク２６１は、ターゲット２７を溶融状態で内部に収容してもよい。
タンク２６１は、中空の筒形状に形成されてもよい。
ターゲット２７を収容するタンク２６１の少なくともターゲット２７と接触する部分は、ターゲット２７と反応し難い材料で形成されてもよい。ターゲット２７と反応し難い材料は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。
タンク２６１は、チャンバ２のターゲット供給路２ｂの端部外側に配置されてもよい。

ノズル２６２は、タンク２６１に収容されたターゲット２７をチャンバ２内に出力してもよい。
ノズル２６２は、中空の略円筒形状に形成されてもよい。
ノズル２６２は、筒形状のタンク２６１の底面部に設けられてもよい。ノズル２６２は、タンク２６１と一体的に形成されてもよい。
ノズル２６２の少なくともターゲット２７と接触する面は、ターゲット２７と反応し難い材料で形成されてもよい。ノズル２６２は、タンク２６１と同様の材料で形成されてもよい。
ノズル２６２は、チャンバ２のターゲット供給路２ｂの端部内側に配置されてもよい。
ノズル２６２の中心軸方向の延長線上には、チャンバ２の内部にあるプラズマ生成領域２５が位置してもよい。
ノズル２６２の先端には、ターゲット２７が出力されるノズル孔２６２ａが設けられていてもよい。ノズル孔２６２ａは、溶融したターゲット２７をチャンバ２内へジェット状に噴出するような形状に形成されてもよい。

タンク２６１、ノズル２６２、ターゲット供給路２ｂを含むチャンバ２は、それらの内部が互いに連通してもよい。

ヒータ２６３は、タンク２６１を加熱してもよい。
ヒータ２６３は、筒形状のタンク２６１の外側側面部に固定されてもよい。
ヒータ２６３は、不図示のヒータ電源に接続されてもよい。ヒータ２６３は、ヒータ電源からの電力供給によってタンク２６１を加熱してもよい。ヒータ電源の動作は、制御部８によって制御されてもよい。

圧力調節器２６４は、タンク２６１内のターゲット２７に加わる圧力を調節してもよい。
圧力調節器２６４は、タンク２６１内に連結されてもよい。
圧力調節器２６４は、不図示のガスボンベに連結されてもよい。ガスボンベには、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されてもよい。圧力調節器２６４は、ガスボンベに充填された不活性ガスを、タンク２６１内に給気してもよい。
圧力調節器２６４は、不図示の排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器２６４は、排気ポンプを動作させて、タンク２６１内のガスを排気してもよい。
圧力調節器２６４は、タンク２６１内にガスを給気し又はタンク２６１内のガスを排気することによって、タンク２６１内のターゲット２７に加わる圧力を調節してもよい。圧力調節器２６４の動作は、制御部８によって制御されてもよい。

ピエゾ素子２６５は、ノズル２６２に振動を与えてもよい。
ピエゾ素子２６５は、略円筒形状のノズル２６２の外側側面部に固定されてもよい。
ピエゾ素子２６５は、不図示のピエゾ電源に接続されてもよい。ピエゾ素子２６５は、ピエゾ電源からの電力供給によって振動してもよい。ピエゾ電源の動作は、制御部８によって制御されてもよい。

ドロップレット検出器４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１を検出するセンサであってもよい。
具体的には、ドロップレット検出器４１は、ドロップレット２７１がチャンバ２内の所定位置Ｐを通過したタイミングを検出するセンサであってもよい。所定位置Ｐは、ターゲット供給部２６のノズル２６２とプラズマ生成領域２５との間にあるドロップレット軌道Ｆ上の位置であってもよい。
ドロップレット検出器４１は、光源部４１０と、受光部４２０と、を含んでもよい。

光源部４１０と受光部４２０とは、ドロップレット軌道Ｆを挟んで互いに対向するように配置されてもよい。
光源部４１０と受光部４２０との対向方向は、ドロップレット軌道Ｆと略直交してもよい。
図２では、光源部４１０と受光部４２０との対向方向がＸ軸方向であるように便宜的に記載されているが、これに限定されない。光源部４１０と受光部４２０との対向方向は、ＸＺ平面に略平行な方向であってもよいし、ＸＺ平面に対して傾斜した方向であってもよい。
光源部４１０及び受光部４２０の詳細な構成については、図３及び図４を用いて後述する。

制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５との間で各種信号の送受信を行ってもよい。
例えば、制御部８には、ドロップレット２７１のチャンバ２内への出力に関する制御指令を示すターゲット出力信号が、ＥＵＶ光生成制御部５から入力されてもよい。ターゲット出力信号は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれる各種目標値に応じてドロップレット２７１が出力されるよう、ターゲット供給部２６の動作を制御する信号であってもよい。
制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５からの各種信号に基づいて、ターゲット供給部２６に含まれる各構成要素の動作を制御してもよい。
また、制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５からの各種信号に基づいて、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを制御してもよい。
なお、制御部８のハードウェア構成については、図１９を用いて後述する。

図３は、図２に示された光源部４１０の詳細な構成を説明するための図を示す。
光源部４１０は、チャンバ２内の所定位置Ｐに光を出力してもよい。
光源部４１０は、ウインドウ４１１と、光路管４１２と、光源４１３と、照明光学系４１４と、ミラー４１５と、を含んでもよい。

ウインドウ４１１は、チャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。ウインドウ４１１は、チャンバ２の一部であるターゲット供給路２ｂの壁２ａに設けられてもよい。
ウインドウ４１１は、ターゲット供給路２ｂの壁２ａに対してシール部材を介して取り付けられてもよい。
ウインドウ４１１は、所定位置Ｐに対向するように配置されてもよい。

光路管４１２は、光源４１３から出力される光の光路を覆う管であってもよい。
光路管４１２は、チャンバ２に接続されてもよい。光路管４１２は、ウインドウ４１１を介してチャンバ２の壁２ａに接続されてもよい。
光路管４１２は、チャンバ２の一部であるターゲット供給路２ｂにおける壁２ａに接続されてもよい。
光路管４１２は、ウインドウ側管４１２ａと、光源側管４１２ｂと、を含んでもよい。

ウインドウ側管４１２ａは、ウインドウ４１１が取り付けられた壁２ａを基端として、先端が壁２ａに対して略垂直な方向に向かって延びるように形成されてもよい。ウインドウ側管４１２ａは、その中心軸が、ウインドウ４１１の中心軸と略一致するように形成されてもよい。
ウインドウ側管４１２ａは、ウインドウ４１１を保持するウインドウホルダであってもよい。
ウインドウ側管４１２ａは、ウインドウ４１１の周縁部４１１ａを保持してもよい。

光源側管４１２ｂは、ウインドウ側管４１２ａの先端部を基端として、先端がターゲット供給路２ｂに沿って延びるように形成されてもよい。
光源側管４１２ｂは、その内部に、光源４１３、照明光学系４１４及びミラー４１５を収容してもよい。

光源４１３は、ウインドウ４１１を介してチャンバ２内の所定位置Ｐに出力される光の光源であってもよい。
光源４１３は、光路管４１２内において、ウインドウ４１１と離間して配置されてもよい。光源４１３は、光路管４１２内のウインドウ４１１とは反対側に配置されてもよい。光源４１３は、ウインドウ４１１とは反対側に位置する光源側管４１２ｂの先端部に配置されてもよい。
光源４１３は、例えば、単波長の連続レーザ光を出力するＣＷ（Continuous Wave）レーザ等の光源であってもよい。また、光源４１３は、複数の波長を有する連続光を出力するランプ等の光源であってもよい。或いは、光源４１３は、これらの光源を光ファイバに接続して光路管４１２外に配置すると共に、当該光ファイバのヘッドを光路管４１２内に配置することによって構成されてもよい。
光源４１３の動作は、制御部８によって制御されてもよい。

照明光学系４１４は、集光レンズ等を含む光学系であってもよい。当該集光レンズは、例えばシリンドリカルレンズであってもよい。
照明光学系４１４は、光路管４１２の一部である光源側管４１２ｂ内に配置されてもよい。
照明光学系４１４は、光源４１３から出力された光を透過させ、ウインドウ４１１を介して所定位置Ｐに集光してもよい。照明光学系４１４は、光源４１３から出力された光の集光位置が所定位置Ｐに略一致するよう、光源４１３から出力された光を所定位置Ｐに集光してもよい。光源４１３から出力された光の所定位置Ｐにおける集光サイズは、ドロップレット２７１の直径（例えば２０μｍ）よりも十分に大きくてもよい。

ミラー４１５は、光源４１３から出力され照明光学系４１４を透過した光の光路上に配置されてもよい。ミラー４１５は、ウインドウ４１１及び照明光学系４１４とそれぞれ対向するように配置されてもよい。
ミラー４１５は、照明光学系４１４を透過した光を反射し、ウインドウ４１１を介して所定位置Ｐに導いてもよい。

図４は、図２に示された受光部４２０の詳細な構成を説明するための図を示す。
受光部４２０は、チャンバ２内から光を受光してもよい。
受光部４２０は、ウインドウ４２１と、光路管４２２と、受光素子４２３と、受光光学系４２４と、ミラー４２５と、を含んでもよい。

ウインドウ４２１は、チャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。ウインドウ４２１は、チャンバ２の一部であるターゲット供給路２ｂの壁２ａに設けられてもよい。
ウインドウ４２１は、ターゲット供給路２ｂの壁２ａに対してシール部材を介して取り付けられてもよい。
ウインドウ４２１は、所定位置Ｐに対向するように配置されてもよい。
ウインドウ４２１は、光源４１３からチャンバ２内の所定位置Ｐに出力された光の光路上に配置されてもよい。

光路管４２２は、受光素子４２３が受光する光の光路を覆う管であってもよい。
光路管４２２は、チャンバ２に接続されてもよい。光路管４２２は、ウインドウ４２１を介してチャンバ２の壁２ａに接続されてもよい。
光路管４２２は、チャンバ２の一部であるターゲット供給路２ｂにおける壁２ａに接続されてもよい。
光路管４２２は、ウインドウ側管４２２ａと、受光素子側管４２２ｂと、を含んでもよい。

ウインドウ側管４２２ａは、ウインドウ４２１が取り付けられた壁２ａを基端として、先端が壁２ａに対して略垂直な方向に向かって延びるように形成されてもよい。ウインドウ側管４２２ａは、その中心軸は、ウインドウ４２１の中心軸と略一致するように形成されてもよい。
ウインドウ側管４２２ａは、ウインドウ４２１を保持するウインドウホルダであってもよい。
ウインドウ側管４２２ａは、ウインドウ４２１の周縁部４２１ａを保持してもよい。

受光素子側管４２２ｂは、ウインドウ側管４２２ａの先端部を基端として、先端がターゲット供給路２ｂに沿って延びるように形成されてもよい。
受光素子側管４２２ｂは、その内部に、受光素子４２３、受光光学系４２４及びミラー４２５を収容してもよい。

ミラー４２５は、光源４１３からチャンバ２内の所定位置Ｐに出力されウインドウ４２１を透過した光の光路上に配置されてもよい。ミラー４２５は、ウインドウ４２１及び受光光学系４２４とそれぞれ対向するように配置されてもよい。
ミラー４２５は、ウインドウ４２１を透過した光を反射し、受光光学系４２４に導いてもよい。

受光光学系４２４は、複数のレンズ等を組み合わせた転写光学系で構成されてもよい。
受光光学系４２４は、受光光学系４２４における物体の位置がチャンバ２内の所定位置Ｐと略一致するように配置されてもよい。加えて、受光光学系４２４は、受光光学系４２４における像の位置が受光素子４２３の受光面の位置と略一致するように配置されてもよい。
受光光学系４２４は、光源４１３からチャンバ２内の所定位置Ｐに出力されミラー４２５によって反射された光の光路上に配置されてもよい。
受光光学系４２４は、光源４１３からチャンバ２内に出力された光の所定位置Ｐでの像を、受光素子４２３の受光面に転写してもよい。

受光素子４２３は、ウインドウ４２１を介してチャンバ２内からの光を受光するための受光素子であってもよい。具体的には、受光素子４２３は、光源部４１０からチャンバ２内の所定位置Ｐに出力された光を受光する受光素子であってもよい。
受光素子４２３は、フォトダイオード、フォトダイオードアレイ、アバランシェダイオード、光電子増倍管、マルチピクセルフォトンカウンタ等であってよく、イメージインテンシファイアと組み合わせて構成されてもよい。受光素子４２３は、１つ又は複数の受光面を含んでもよい。
受光素子４２３は、光路管４２２内において、ウインドウ４２１と離間して配置されてもよい。受光素子４２３は、光路管４２２内のウインドウ４２１とは反対側に配置されてもよい。受光素子４２３は、ウインドウ４２１とは反対側に位置する受光素子側管４２２ｂの先端部に配置されてもよい。
受光素子４２３は、光源４１３からチャンバ２内の所定位置Ｐに出力され受光光学系４２４を透過した光の光路上に配置されてもよい。
受光素子４２３は、受光光学系４２４によって転写された光の像の光強度を反映した検出信号を制御部８に出力してもよい。

上記構成により、光源部４１０及び受光部４２０では、光源４１３から出力される光の光路及び受光素子４２３で受光される光の光路が、光路管４１２及び４２２にて覆われ得る。
それにより、光源部４１０及び受光部４２０では、光源４１３から出力された光が、予期しない反射等によって予め想定された光路から逸脱することなく、受光素子４２３で適切に受光され得る。

［４．２ 動作］
図５を用いて、ドロップレット検出器４１を備えるＥＵＶ光生成装置１の動作の概要について説明する。
図５は、制御部８によって制御されるレーザ装置３の出力タイミングを説明するための図である。

制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット出力信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ターゲット出力信号は、上述のように、チャンバ２内へのターゲット２７の供給をターゲット供給部２６に実行させる制御指令を示す信号であってもよい。
制御部８は、ターゲット出力信号が入力されると、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット出力停止信号が入力されるまで、以下のような処理を行ってもよい。
ターゲット出力停止信号は、チャンバ２内へのターゲット２７の供給をターゲット供給部２６に停止させる制御指令を示す信号であってもよい。

制御部８は、タンク２６１内の温度が所定の目標温度になるよう、ヒータ２６３に電力を供給するヒータ電源の動作を制御してもよい。
所定の目標温度は、ターゲット２７の融点以上の所定範囲内にある温度であってもよい。ターゲット２７がスズの場合、所定の目標温度は、２５０℃〜２９０℃の温度であってもよい。
なお、制御部８は、タンク２６１内の温度がターゲット２７の融点以上の所定範囲内で維持されるよう、ヒータ電源の動作を継続して制御してもよい。

制御部８は、タンク２６１内のターゲット２７に加わる圧力が所定の目標圧力になるよう、圧力調節器２６４の動作を制御してもよい。
所定の目標圧力は、タンク２６１内のターゲット２７がノズル孔２６２ａから所定速度でジェット状に噴出するような圧力であってもよい。所定速度は、例えば６０ｍ／ｓ〜１００ｍ／ｓであってもよい。

制御部８は、ピエゾ素子２６５が所定波形でノズル２６２に振動を与えるよう、ピエゾ素子２６５に電力を供給するピエゾ電源の動作を制御してもよい。具体的には、制御部８は、所定波形で電力を供給するための制御信号をピエゾ電源に出力してもよい。
所定波形は、ドロップレット２７１が所定の生成周波数で生成されるような波形であってもよい。所定の生成周波数は、例えば５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであってもよい。

ピエゾ素子２６５は、ピエゾ電源から所定波形の電力が供給されることに応じて、所定波形でノズル２６２に振動を与え得る。それにより、ノズル２６２から噴出したジェット状のターゲット２７には定在波が与えられ、ジェット状のターゲット２７は周期的に分離され得る。分離されたターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。その結果、所定の生成周波数でドロップレット２７１が形成され、チャンバ２内へ出力され得る。
チャンバ２内へ出力したドロップレット２７１は、ドロップレット軌道Ｆ上を進行し、所定位置Ｐを通過し得る。

ドロップレット検出器４１に含まれる光源４１３は、チャンバ２内の所定位置Ｐに光を出力してもよい。ドロップレット検出器４１に含まれる受光素子４２３は、光源４１３から出力された光を受光してもよい。

ドロップレット軌道Ｆを進行するドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過する場合、光源４１３は、所定位置Ｐを通過するドロップレット２７１に向けて光を出力し得る。ドロップレット２７１に向けて出力された光は、受光素子４２３に向かって進み得る。この際、受光素子４２３に向かう光の一部は、当該ドロップレット２７１によって遮蔽され得る。
そのため、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過する場合、光源４１３から出力された光の所定位置Ｐでの像の一部は、所定位置Ｐを通過するドロップレット２７１の影の像となって受光素子４２３の受光面に転写され得る。言い換えると、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過する場合、受光素子４２３は、光源４１３によって出力されドロップレット２７１に照射される光のうち、ドロップレット２７１によって遮断されずにその周囲を通過した光を受光し得る。
よって、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過する場合、受光素子４２３が受光する光の光強度は、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していない場合に比べて顕著に低下し得る。
受光素子４２３は、受光した光の光強度を電圧値に変換して当該光強度の変化に応じた検出信号を生成し、制御部８に出力し得る。

なお、受光素子４２３が受光した光の光強度を、受光素子４２３における受光強度ともいう。
受光素子４２３によって生成される当該光強度の変化に応じた検出信号を、通過タイミング信号ともいう。

制御部８には、ドロップレット検出器４１の受光素子４２３から出力された通過タイミング信号が入力されてもよい。
制御部８は、入力された通過タイミング信号が所定の閾値電圧を超えて当該閾値電圧よりも低い値を示した場合、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したと判定してもよい。この場合、制御部８は、図５に示されるように、通過タイミング信号が所定の閾値電圧を超えたタイミングでドロップレット検出信号を生成してもよい。
所定の閾値電圧は、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過した場合に通過タイミング信号が取り得る電圧値の範囲に基づいて予め定められてもよい。
ドロップレット検出信号は、所定位置Ｐを通過したドロップレット２７１が検出されたことを示す信号であってもよい。

制御部８は、図５に示されるように、ドロップレット検出信号が生成されたタイミングから、遅延時間Ｔｄだけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。
トリガ信号は、レーザ装置３がパルスレーザ光３１を出力する契機を与える信号であってもよい。
遅延時間Ｔｄは、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングを、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに略一致させるための遅延時間であってもよい。

レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、パルスレーザ光３１を出力してもよい。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４及びウインドウ２１を介して、パルスレーザ光３２としてチャンバ２内に導入され得る。
チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２ａにて集光され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に導かれ得る。当該パルスレーザ光３３は、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングでプラズマ生成領域２５に導かれ得る。
プラズマ生成領域２５に導かれたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１を照射し得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１はプラズマ化し、ＥＵＶ光２５１を含むプラズマ光を放射し得る。

このようにして、ドロップレット検出器４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したタイミングを検出し、通過タイミング信号を出力し得る。
そして、制御部８は、ドロップレット検出器４１から出力された通過タイミング信号の変化に同期してレーザ装置３にトリガ信号を出力することで、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを制御し得る。すなわち、制御部８は、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したタイミングに基づいて、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力タイミングを制御し得る。

［５．課題］
図６〜図９を用いて、ドロップレット検出器４１を備えるＥＵＶ光生成装置１の課題について説明する。
図６は、光路管４１２内に生じる温度分布を説明するための図を示す。図７は、光路管４１２内に熱レンズが形成されることに伴って、光源４１３から出力された光の集光位置が変化することを説明するための図を示す。図８は、図７に示された光源４１３から出力された光の集光位置が変化することに伴って、受光素子４２３の受光面に転写された光の像が変化することを説明するための図を示す。図９は、図８に示された受光素子４２３の受光面に転写された光の像が変化することに伴って、受光素子４２３から出力される通過タイミング信号が変化することを説明するための図を示す。

ＥＵＶ光生成装置１の制御部８は、上述のように、ドロップレット検出器４１から出力された通過タイミング信号の変化に同期してレーザ装置３にトリガ信号を出力することで、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを制御し得る。
それにより、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１にはパルスレーザ光３３が照射され、ドロップレット２７１は、プラズマ化し、ＥＵＶ光２５１を含むプラズマ光を放射し得る。

この際、ドロップレット２７１に照射されたパルスレーザ光３３は、散乱してチャンバ２の壁２ａを照射することがあり得る。加えて、プラズマから放射されたプラズマ光の一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されずに、チャンバ２の壁２ａを照射することがあり得る。
チャンバ２の壁２ａは、パルスレーザ光３３の散乱光及びプラズマ光の照射によって加熱され得る。チャンバ２の壁２ａに発生した熱は、壁２ａに接続された光路管４１２の壁に伝達され得る。光路管４１２の壁の温度が上昇し得る。

すると、光路管４１２の内壁付近における気体の温度は、図６に示されるように、光路管４１２の中心軸付近における気体の温度に比べて上昇し得る。そのため、光路管４１２の内壁付近における気体と光路管４１２の中心軸付近における気体とでは、屈折率に有意な差が生じ得る。すなわち、光路管４１２内の気体は、温度分布に伴って屈折率分布を生じることより、熱レンズを形成することがあり得る。

光路管４１２内に熱レンズが形成されると、図７に示されるように、光源４１３から出力された光の集光位置が変化し得る。
すなわち、光路管４１２内に熱レンズが形成されていない場合、図７上段に示されるように、光源４１３から出力された光の集光位置は、照明光学系４１４によって所定位置Ｐに略一致し得る。
一方、光路管４１２内に熱レンズが形成された場合、図７下段に示されるように、光源４１３から出力された光の集光位置は、照明光学系４１４によって所定位置Ｐからずれ得る。

例えば、照明光学系４１４から所定位置Ｐまでの距離が６００ｍｍであり、照明光学系４１４からチャンバ２の壁２ａまでの距離が２００ｍｍであり、光路管４１２の内径が３０ｍｍであり、光源４１３から出力された光のビーム径が１０ｍｍであると仮定する。そして、光路管４１２の内壁付近における気体の温度が４０℃であり、光路管４１２の中心軸付近における気体の温度が２０℃であり、光路管４１２内の気体の温度分布が、光路管４１２の中心軸に対する径方向の距離の２乗に比例すると仮定する。そして、チャンバ２の壁２ａから照明光学系４１４側に向かって１００ｍｍの位置までの光路管４１２内に、熱レンズが形成されたと仮定する。この場合、光源４１３から出力された光の集光位置は、所定位置Ｐから２．２ｍｍも照明光学系４１４側にずれ得る。

光路管４１２内での熱レンズの形成に伴って光源４１３から出力された光の集光位置が変化すると、図８に示されるように、受光素子４２３の受光面に転写される光の像が変化し得る。
すなわち、光源４１３から出力された光の集光位置が所定位置Ｐと略一致する場合、光源４１３から出力された光の所定位置Ｐでの像は、図８上段に示されるように、受光素子４２３の受光面内に収まるよう当該受光面に適切に転写され得る。
一方、光源４１３から出力された光の集光位置が所定位置Ｐからずれる場合、光源４１３から出力された光の所定位置Ｐでの像は、図８下段に示されるように、受光素子４２３の受光面内に収まらない大きな像として当該受光面に転写され得る。

光源４１３から出力された光の集光位置の変化に伴って受光素子４２３の受光面に転写される光の像が変化すると、図９に示されるように、受光素子４２３から出力される通過タイミング信号が変化し得る。
すなわち、光源４１３から出力された光の所定位置Ｐでの像が受光素子４２３の受光面に適切に転写される場合、受光素子４２３では、光源４１３から出力された光の所定位置Ｐでの像が適切な受光強度で検出され得る。このため、受光素子４２３は、図９上段に示されるように、適切な通過タイミング信号を出力し得る。
なお、適切な通過タイミング信号とは、通過タイミング信号に含まれるノイズが所定の閾値電圧を超えて当該閾値電圧よりも低くならない程度に、閾値電圧に対して十分に大きな電圧を保って推移するような通過タイミング信号であり得る。
一方、光源４１３から出力された光の所定位置Ｐでの像が受光素子４２３の受光面内に収まらない大きな像として転写される場合、受光素子４２３における受光強度は、全体として図８上段よりも低下し得る。このため、受光素子４２３は、図９下段に示されるように、適切な通過タイミング信号を出力しないことがあり得る。つまり、受光素子４２３における受光強度の低下に伴い、通過タイミング信号が所定の閾値電圧に対して十分に大きい電圧を確保できず、通過タイミング信号に含まれるノイズが当該閾値電圧を超えて当該閾値電圧よりも低い値を示すことがあり得る。

それにより、制御部８は、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していないにもかかわらず、誤ったタイミングでドロップレット検出信号及びトリガ信号を生成し得る。そして、制御部８は、誤ったタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力し得る。
その結果、レーザ装置３は、誤ったタイミングでパルスレーザ光３１を出力してしまい、不要なパルスレーザ光３３がチャンバ２に導入され得る。
従って、チャンバ２内の所定位置Ｐにおけるドロップレット２７１の通過タイミングを検出するドロップレット検出器４１の検出精度を向上させることによって、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力タイミングを高精度で制御し得る技術が望まれている。

［６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１０及び図１１を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１に対して、ドロップレット検出器４１に含まれる光源部４１０の構成が主に異なってもよい。更に、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１に対して、ガス供給部７１が追加された構成を備えてもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［６．１ 構成］
図１０は、第１実施形態に係るガス供給部７１及び光源部４１０の構成を説明するための図を示す。図１１は、図１０に示されたＡ−Ａ線における断面図を示す。
図１０及び図１１に示された光源部４１０は、図２及び図３に示された光源部４１０に対して、光路管４１２の構成が異なっていてもよい。

ガス供給部７１は、光路管４１２内にガスを供給してもよい。
ガス供給部７１は、ガス供給器７１１と、流量調節器７１２と、ガス配管７１３と、を含んでもよい。

ガス供給器７１１は、光路管４１２内にガスを供給する機器であってもよい。光路管４１２内に供給されるガスは、ＣＤＡ（Clean Dry Air；クリーンドライエア）であってもよい。ガス供給器７１１は、ＣＤＡを生成する機能を備えてもよい。
ガス供給器７１１によって供給されるＣＤＡは、露点が−７０℃以下の乾燥空気であってもよい。ＣＤＡは、急峻な温度変化が少なく、作業者を窒息させる危険性も無いという性質を有し得る。
ガス供給器７１１は、チャンバ２及び光路管４１２の外に配置されてもよい。
ガス供給器７１１は、ガス配管７１３を介して光路管４１２に連結されてもよい。
ガス供給器７１１の動作は、制御部８によって制御されてもよい。

流量調節器７１２は、ガス供給器７１１から光路管４１２内に供給されるガスの流量を調節する機器であってもよい。
流量調節器７１２は、バルブ又はオリフィスであってもよい。
流量調節器７１２は、ガス配管７１３上に設けられてもよい。流量調節器７１２は、ガス配管７１３内を流れるガスの流れを規制することによって、ガス供給器７１１から光路管４１２内に供給されるガスの流量を調節してもよい。
流量調節器７１２の動作は、制御部８によって制御されてもよい。

光路管４１２は、図３に示されたウインドウ側管４１２ａ及び光源側管４１２ｂの他に、ガス流路４１２ｃと、給気口４１２ｄと、排気口４１２ｅと、を含んでもよい。

給気口４１２ｄは、ガス供給器７１１からのガスを光路管４１２内に供給するための入口であってもよい。
給気口４１２ｄは、光路管４１２におけるウインドウ側管４１２ａの壁に設けられてもよい。給気口４１２ｄは、ウインドウ側管４１２ａの壁におけるウインドウ４１１側の端部に設けられてもよい。
給気口４１２ｄは、ウインドウ側管４１２ａの壁を貫通する貫通孔によって構成されてもよい。
給気口４１２ｄには、ガス配管７１３が接続されてもよい。

ガス流路４１２ｃは、給気口４１２ｄから流入したガスが光路管４１２の壁を通過するための経路であってもよい。
ガス流路４１２ｃは、ウインドウ側管４１２ａの壁の内部に設けられてもよい。
ガス流路４１２ｃは、ウインドウ側管４１２ａの壁の内部であって、給気口４１２ｄの近傍に設けられてもよい。
ガス流路４１２ｃは、ウインドウ側管４１２ａの内壁面の周方向に沿って形成されてもよい。ガス流路４１２ｃは、ウインドウ側管４１２ａによって保持されるウインドウ４１１の周縁部４１１ａに沿って形成されてもよい。
ガス流路４１２ｃは、ウインドウ側管４１２ａの内壁面側の面が当該内壁面の全周に亘って開口するように形成されており、ウインドウ側管４１２ａの内部空間と連通してもよい。この開口は、ウインドウ４１１の全周に亘る周縁部４１１ａから中央部４１１ｂに向かう方向に沿って開口してもよい。
ガス流路４１２ｃには、ウインドウ側管４１２ａの内壁面側の面の一部からウインドウ側管４１２ａの外壁面の一部に向かって貫通する貫通孔が形成されおり、ウインドウ側管４１２ａの外部と連通してもよい。この貫通孔は、給気口４１２ｄを構成してもよい。

排気口４１２ｅは、光路管４１２内のガスを光路管４１２外に排出するための出口であってもよい。
排気口４１２ｅは、光路管４１２における光源側管４１２ｂの壁に設けられてもよい。排気口４１２ｅは、光源側管４１２ｂの壁における光源４１３側の端部に設けられてもよい。
排気口４１２ｅは、光源側管４１２ｂの壁を貫通する貫通孔によって構成されてもよい。

第１実施形態に係る光源部４１０の他の構成については、図２及び図３に示された光源部４１０と同様であってもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［６．２ 動作］
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作において、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様の動作について説明を省略する。

ガス供給器７１１は、制御部８からの制御により、光路管４１２内に供給されるガスをガス配管７１３内に流してもよい。
流量調節器７１２は、制御部８からの制御により、所定流量のガスが光路管４１２内に供給されるようガス配管７１３内を流れるガスの流量を調節してもよい。所定流量は、例えば１０Ｌ／ｍｉｎ程度であってもよい。

所定流量に調節されたガスは、ガス配管７１３内から給気口４１２ｄに流入し得る。給気口４１２ｄに流入したガスは、ガス流路４１２ｃ内を流れて光路管４１２のウインドウ側管４１２ａ内に流入し得る。
このとき、ウインドウ側管４１２ａ内に流入したガスは、ウインドウ４１１の全周に亘る周縁部４１１ａから中央部４１１ｂに向かって流れ得る。言い換えると、ガス供給部７１は、ウインドウ４１１の全周に亘る周縁部４１１ａから中央部４１１ｂに向かってガスが流れるように光路管４１２内にガスを供給し得る。

ウインドウ４１１の中央部４１１ｂに向かって流れたガスは、ウインドウ側管４１２ａ内から光源側管４１２ｂ内に向かって流れ、光源側管４１２ｂに設けられた排気口４１２ｅから外部に排出され得る。
一般に、パルスレーザ光３３の散乱光及びプラズマ光の照射によって加熱され得るチャンバ２の壁２ａに接するウインドウ側管４１２ａは、壁２ａに接しない光源側管４１２ｂよりも高温となり易い。
すなわち、ウインドウ側管４１２ａ内から光源側管４１２ｂ内に向かって流れるガスは、光路管４１２の高温側から低温側に向かって流れることを意味し得る。言い換えると、ガス供給部７１は、光路管４１２の高温側から低温側に向かってガスが流れるように光路管４１２内にガスを供給し得る。

第１実施形態に係る光源部４１０の他の動作については、図２及び図３に示された光源部４１０と同様であってもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［６．３ 作用］
ガス供給部７１は、光路管４１２内にガスを供給することにより、光路管４１２内でガス流れを発生させ、光路管４１２内の気体の温度分布を略均一化し得る。
このため、ガス供給部７１は、光路管４１２内での屈折率分布が生じることを抑制し、光路管４１２内で熱レンズが形成されることを抑制し得る。
よって、ガス供給部７１は、光源４１３から出力された光の集光位置がチャンバ２内の所定位置Ｐからずれることを抑制し得る。

それにより、第１実施形態に係るドロップレット検出器４１は、受光素子４２３から適切な通過タイミング信号を出力し得ることから、所定位置Ｐにおけるドロップレット２７１の通過タイミングを精度よく検出し得る。
その結果、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、誤ったタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力することを抑制し、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力タイミングを高い精度で制御し得る。

更に、ガス供給部７１は、ウインドウ４１１の周縁部４１１ａから中央部４１１ｂに向かってガスが流れるように光路管４１２内にガスを供給し得る。
それにより、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、光路管４１２内の気体の温度分布を更に均一化して光路管４１２内での屈折率分布をより抑制し得るため、光源４１３から出力された光の集光位置のずれを更に抑制し得る。
その結果、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、ドロップレット２７１の通過タイミングを更に高精度で検出し、パルスレーザ光３１の出力タイミングを更に高い精度で制御し得る。

しかも、ガス供給部７１は、光路管４１２の高温側から低温側に向かってガスが流れるように光路管４１２内にガスを供給し得る。
それにより、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、光路管４１２内の気体の温度分布を一層均一化して光路管４１２内での屈折率分布を一層抑制し得るため、光源４１３から出力された光の集光位置のずれを一層抑制し得る。
その結果、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、ドロップレット２７１の通過タイミングを一層高い精度で検出し、パルスレーザ光３１の出力タイミングを一層高精度で制御し得る。

［６．４ 第１実施形態の変形例１］
図１２を用いて、第１実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第１実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、光路管４１２の壁に設けられたガス流路４１２ｃに係る構成が異なってもよい。
第１実施形態の変形例１に係るＥＵＶ光生成装置１の構成において、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図１２は、第１実施形態の変形例１に係る光源部４１０を説明するための図を示す。
図１２に示されたガス流路４１２ｃは、図１０及び図１１に示されたガス流路４１２ｃと同様に、ウインドウ側管４１２ａの内壁面側の面が当該内壁面の全周に亘って開口するように形成されており、ウインドウ側管４１２ａの内部空間と連通してもよい。
但し、図１２に示されたガス流路４１２ｃでは、この開口が、ウインドウ４１１の全周に亘る周縁部４１１ａから中央部４１１ｂに向かう方向であって、ウインドウ４１１側に傾斜する方向に沿って開口してもよい。
それにより、ガス流路４１２ｃ内を流れるガスは、ウインドウ側管４１２ａ内に流入する際に、ウインドウ４１１の全周に亘る周縁部４１１ａから中央部４１１ｂに向かって、ウインドウ４１１に吹き付けられながら流入し得る。
言い換えると、図１２に示されたガス供給部７１は、ウインドウ４１１の全周に亘る周縁部４１１ａから中央部４１１ｂに向かってウインドウ４１１に吹き付けられるよう、光路管４１２内にガスを供給し得る。

第１実施形態の変形例１に係る光源部４１０の他の構成については、第１実施形態に係る光源部４１０と同様であってもよい。
第１実施形態の変形例１におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

ウインドウ４１１は、パルスレーザ光３３の散乱光及びプラズマ光が照射されることによって加熱し、ウインドウ４１１自体が熱レンズ効果を生じることがあり得る。
第１実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置１では、ウインドウ４１１にガスが吹き付けられ得るため、ウインドウ４１１の加熱が抑制されてウインドウ４１１自体の熱レンズ効果が抑制され得る。このため、第１実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置１では、光源４１３から出力された光の集光位置のずれをより一層抑制し得る。
その結果、第１実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置１では、ドロップレット２７１の通過タイミングをより一層高精度で検出し、パルスレーザ光３１の出力タイミングをより一層高い精度で制御し得る。

［７．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１３及び図１４を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
上述の説明では、パルスレーザ光３３の散乱光及びプラズマ光の照射によりチャンバ２の壁２ａに発生した熱によって、光源部４１０に含まれる光路管４１２内に熱レンズが形成され、誤ったタイミングでドロップレット検出信号が生成され得ることについて言及した。
このような現象は、チャンバ２の壁２ａに取り付けられた受光部４２０に含まれる光路管４２２についても、光路管４１２と同様に発生し得る。
すなわち、パルスレーザ光３３の散乱光及びプラズマ光の照射によりチャンバ２の壁２ａに発生した熱によって、光路管４２２内に熱レンズが形成され得る。
それにより、受光素子４２３の受光面には、光源４１３からチャンバ２内に出力された光の所定位置Ｐからずれた位置での像が転写されることとなり得る。
その結果、受光素子４２３から適切な通過タイミング信号が出力されず、誤ったタイミングでドロップレット検出信号が生成される場合があり得る。

第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、受光部４２０の光路管４２２に係る構成が、第１実施形態に係る光路管４１２と同様の構成を備えてもよい。更に、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態に係るガス供給部７１と同様のガス供給部７２が追加された構成を備えてもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１及び第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図１３は、第２実施形態に係るガス供給部７２及び受光部４２０の構成を説明するための図を示す。図１４は、図１３に示されたＢ−Ｂ線における断面図を示す。
ガス供給部７２は、光路管４２２内にガスを供給してもよい。
ガス供給部７２は、ガス供給器７２１と、流量調節器７２２と、ガス配管７２３と、を含んでもよい。

ガス供給器７２１は、チャンバ２及び光路管４２２の外に配置されてもよい。
ガス供給器７２１は、ガス配管７２３を介して光路管４２２に連結されてもよい。
流量調節器７２２は、ガス供給器７２１から光路管４２２内に供給されるガスの流量を調節する機器であってもよい。

第２実施形態に係るガス供給部７２の他の構成については、第１実施形態に係るガス供給部７１と同様であってもよい。

光路管４２２は、ウインドウ側管４２２ａと、受光素子側管４２２ｂと、ガス流路４２２ｃと、給気口４２２ｄと、排気口４２２ｅと、を含んでもよい。

給気口４２２ｄは、ガス供給器７２１からのガスを光路管４２２内に供給するための入口であってもよい。
給気口４２２ｄは、給気口４１２ｄと同様に、ウインドウ側管４２２ａの壁におけるウインドウ４２１側の端部に設けられてもよい。
給気口４２２ｄは、給気口４１２ｄと同様に、ウインドウ側管４２２ａの壁を貫通する貫通孔によって構成されてもよい。
給気口４２２ｄには、給気口４１２ｄと同様に、ガス配管７２３が接続されてもよい。

ガス流路４２２ｃは、ガス流路４１２ｃと同様に、給気口４２２ｄから流入したガスが光路管４２２の壁を通過するための経路であってもよい。
ガス流路４２２ｃは、ガス流路４１２ｃと同様に、ウインドウ側管４２２ａの壁の内部であって、給気口４２２ｄの近傍に設けられてもよい。
ガス流路４２２ｃは、ガス流路４１２ｃと同様に、ウインドウ側管４２２ａの内壁面の周方向に沿って形成されてもよい。ガス流路４２２ｃは、ウインドウ側管４２２ａによって保持されるウインドウ４２１の周縁部４２１ａに沿って形成されてもよい。
ガス流路４１２ｃは、ガス流路４１２ｃと同様に、ウインドウ側管４２２ａの内壁面側の面が当該内壁面の全周に亘って開口するように形成されており、ウインドウ側管４２２ａの内部空間と連通してもよい。この開口は、ウインドウ４２１の全周に亘る周縁部４２１ａから中央部４２１ｂに向かう方向に沿って開口してもよい。
ガス流路４２２ｃには、ガス流路４１２ｃと同様に、ウインドウ側管４２２ａの内壁面側の面の一部からウインドウ側管４２２ａの外壁面の一部に向かって貫通する貫通孔が形成されおり、ウインドウ側管４２２ａの外部と連通してもよい。この貫通孔は、給気口４２２ｄを構成してもよい。

排気口４２２ｅは、光路管４２２内のガスを光路管４２２外に排出するための出口であってもよい。
排気口４２２ｅは、排気口４１２ｅと同様に、受光素子側管４２２ｂの壁における受光素子４２３側の端部に設けられてもよい。
排気口４２２ｅは、排気口４１２ｅと同様に、受光素子側管４２２ｂの壁を貫通する貫通孔によって構成されてもよい。

第２実施形態に係る受光部４２０の他の構成については、図２及び図４に示された受光部４２０と同様であってもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

上記構成により、第２実施形態に係るガス供給部７２は、光路管４２２内にガスを供給することにより、光路管４２２内でガス流れを発生させ、光路管４２２内の気体の温度分布を略均一化し得る。
このため、ガス供給部７２は、光路管４２２内での屈折率分布が生じることを抑制し、光路管４２２内で熱レンズが形成されることを抑制し得る。
よって、ガス供給部７２は、受光素子４２３の受光面に転写される像が、所定位置Ｐからずれた位置での像となることを抑制し得る。

それにより、第２実施形態に係るドロップレット検出器４１は、受光素子４２３から適切な通過タイミング信号を出力し得ることから、所定位置Ｐにおけるドロップレット２７１の通過タイミングを精度よく検出し得る。
その結果、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、誤ったタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力することを抑制し、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力タイミングを高い精度で制御し得る。

また、第２実施形態に係るガス供給部７２は、第１実施形態に係るガス供給部７１と同様に、ウインドウ４２１の周縁部４２１ａから中央部４２１ｂに向かってガスが流れるように光路管４２２内にガスを供給し得る。しかも、ガス供給部７２は、光路管４２２の高温側から低温側に向かってガスが流れるように光路管４２２内にガスを供給し得る。
それにより、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、光路管４２２内の気体の温度分布を一層均一化して光路管４２２内での屈折率分布を一層抑制し得るため、受光素子４２３の受光面に転写される像の所定位置Ｐからのずれを一層抑制し得る。
その結果、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様に、ドロップレット２７１の通過タイミングを一層高い精度で検出し、パルスレーザ光３１の出力タイミングを一層高精度で制御し得る。

なお、第２実施形態に係るガス供給部７２は、第１実施形態の変形例１に係るガス供給部７１と同様に、ウインドウ４２１の全周に亘る周縁部４２１ａから中央部４２１ｂに向かってウインドウ４２１に吹き付けられるよう、光路管４２２内にガスを供給してもよい。
また、第２実施形態に係るドロップレット検出器４１は、受光部４２０だけでなく光源部４１０においても、第１実施形態に係る光源部４１０と同様の構成を備えてもよい。この場合、ガス供給部７２は、受光部４２０に含まれる光路管４２２だけではく、光源部４１０に含まれる光路管４１２にもガスを供給してもよい。或いは、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１には、ガス供給部７２とは別に、第１実施形態に係るガス供給部７１が設けられてもよい。

［８．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１５を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
図１５は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４１が、第１実施形態と同様の光源部４１０と、第２実施形態と同様の受光部４２０と、を含んでもよい。これに伴って、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態と同様のガス供給部７１と、第２実施形態と同様のガス供給部７２と、を含んでもよい。
また、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、ドロップレット軌道計測器４３及びドロップレット画像計測器４５が追加された構成を備えてもよい。更に、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第２実施系形態に係るガス供給部７２と同様のガス供給部７３及び７４がそれぞれ追加された構成を備えてもよい。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、第１又は第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［８．１ ドロップレット検出器］
第３実施形態に係るドロップレット検出器４１は、第１実施形態と同様に、光源部４１０の光路管４１２内に対し、ガス供給部７１からガスが供給されてもよい。
ドロップレット検出器４１は、第２実施形態と同様に、受光部４２０の光路管４２２内に対し、ガス供給部７２からガスが供給されてもよい。
それにより、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、受光素子４２３から適切な通過タイミング信号が出力され得ることから、所定位置Ｐにおけるドロップレット２７１の通過タイミングが精度よく検出され得る。
その結果、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、誤ったタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力することを抑制し、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力タイミングを高い精度で制御し得る。

［８．２ ドロップレット軌道計測器］
ドロップレット軌道計測器４３は、所定位置Ｐとプラズマ生成領域２５との間の所定位置Ｒにおいて、ドロップレット軌道Ｆを計測するセンサであってもよい。
ドロップレット軌道計測器４３は、光源部４３０と、受光部４４０と、を含んでもよい。

光源部４３０と受光部４４０とは、ドロップレット検出器４１に含まれる光源部４１０と受光部４２０と同様に、チャンバ２の壁２ａに取り付けられてもよい。
但し、光源部４３０と受光部４４０とは、ドロップレット軌道Ｆを挟んで互いに対向して配置されていなくてもよい。
光源部４３０と受光部４４０とは、光源部４３０のウインドウ４３１と受光部４４０のウインドウ４４１とが、平行でない同じ方向から所定位置Ｒを向くように配置されてもよい。光源部４３０のウインドウ４３１と受光部４４０のウインドウ４４１との配置は、受光部４４０がドロップレット２７１からの反射光を検出し得るような配置であればよい。

光源部４３０は、ドロップレット検出器４１に含まれる光源部４１０と同様に、ウインドウ４３１と、光路管４３２と、光源４３３と、照明光学系４３４と、を含んでもよい。
但し、光源部４３０の光路管４３２には、光源部４１０の光路管４１２とは異なり、その内部にＣＤＡ等のガスが供給されなくてもよい。或いは、光路管４３２には、光路管４１２と同様に、その内部にＣＤＡ等のガスが供給されてもよい。光路管４３２内にＣＤＡ等のガスが供給される場合、光路管４３２の壁には、光路管４１２と同様に、ウインドウ４３１側に給気口及びガス流路が設けられ、光源４３３側に排気口が設けられてもよい。
また、照明光学系４３４は、光源４３３から出力された光をコリメートして所定位置Ｒにむけて出力するよう構成されてもよい。照明光学系４３４は、光源４３３から出力された光を集光してもよい。
光源部４３０の他の構成については、光源部４１０と同様であってもよい。

受光部４４０は、ドロップレット検出器４１に含まれる受光部４２０と同様に、ウインドウ４４１と、光路管４４２と、受光素子４４３と、受光光学系４４４と、を含んでもよい。
そして、受光部４４０の光路管４４２には、受光部４２０の光路管４２２と同様に、その内部にガス供給部７３からＣＤＡ等のガスが供給されてもよい。
但し、受光部４４０の受光素子４４３は、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）及びイメージインテンシファイアを用いて構成される２次元イメージセンサであってもよい。
受光部４４０の他の構成については、受光部４２０と同様であってもよい。

ドロップレット軌道計測器４３の動作について説明する。
光源部４３０の光源４３３は、照明光学系４３４及びウインドウ４３１を介してチャンバ２内の所定位置Ｒに光を出力してもよい。
チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が所定位置Ｒを通過すると、光源４３３から出力された光は、ドロップレット２７１を照射し得る。ドロップレット２７１に照射された光は、当該ドロップレット２７１によって反射され得る。この反射光は、受光部４４０にて受光され得る。
受光部４４０の受光光学系４４４は、ドロップレット２７１からの反射光の所定位置Ｒでの像を、受光素子４４３の受光面に転写してもよい。
受光部４４０の受光素子４４３は、受光光学系４４４によって転写された反射光の像を撮像してもよい。受光素子４４３は、取得された画像からドロップレット軌道Ｆを計測してもよい。受光素子４４３は、ドロップレット軌道Ｆの計測結果を示す信号を制御部８に出力してもよい。
制御部８は、当該計測結果に基づいて、ドロップレット軌道Ｆを所望の軌道に制御してもよい。例えば、制御部８は、当該計測結果に基づいて、ターゲット供給部２６が搭載された不図示の２軸ステージを動かすことによって、ドロップレット軌道Ｆを所望の軌道に制御してもよい。

上述のように、ドロップレット軌道計測器４３は、ドロップレット検出器４１と同様に、チャンバ２の壁２ａに取り付けられた受光部４４０を含んでもよい。
すなわち、ドロップレット軌道計測器４３の受光部４４０は、ドロップレット検出器４１の受光部４２０と同様に、パルスレーザ光３３の散乱光及びプラズマ光の照射によりチャンバ２の壁２ａに発生した熱によって加熱され得る。このため、受光部４４０に含まれる光路管４４２内には、受光部４２０に含まれる光路管４２２と同様に、熱レンズが形成され得る。
それにより、受光部４４０に含まれる受光素子４４３の受光面には、ドロップレット２７１からの反射光における所定位置Ｒからずれた位置での像が転写されることがあり得る。
その結果、受光素子４４３におけるドロップレット軌道Ｆの計測精度が悪化してドロップレット軌道Ｆが適切に制御されず、パルスレーザ光３３がドロップレット２７１を適切に照射できないことがあり得る。

しかしながら、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、受光部４４０に含まれる光路管４４２の内部には、受光部４２０の光路管４２２と同様に、ガス供給部７３からＣＤＡ等のガスが供給されてもよい。
それにより、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、光路管４４２内で熱レンズが形成されることを抑制し、受光素子４４３の受光面に転写される像が、ドロップレット２７１からの反射光における所定位置Ｒからずれた位置での像となることを抑制し得る。
その結果、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、受光素子４４３におけるドロップレット軌道Ｆの計測精度を確保してドロップレット軌道Ｆを適切に制御し得ることから、パルスレーザ光３３をドロップレット２７１に適切に照射し得る。

［８．３ ドロップレット画像計測器］
ドロップレット画像計測器４５は、プラズマ生成領域２５に到達する直前又はプラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１を撮像するセンサであってもよい。
ドロップレット画像計測器４５は、光源部４５０と、受光部４６０と、を含んでもよい。

光源部４５０と受光部４６０とは、ドロップレット軌道計測器４３に含まれる光源部４３０と受光部４４０と同様に、チャンバ２の壁２ａに取り付けられてもよい。
光源部４５０と受光部４６０とは、ドロップレット軌道Ｆを挟んで互いに対向するように配置されてもよい。
光源部４５０と受光部４６０との対向方向は、ドロップレット軌道Ｆと略直交してもよい。

光源部４５０は、ドロップレット軌道計測器４３に含まれる光源部４３０と同様に、ウインドウ４５１と、光路管４５２と、光源４５３と、照明光学系４５４と、を含んでもよい。
但し、光源部４５０の光路管４５２には、光源部４３０の光路管４３２と同様に、その内部にＣＤＡ等のガスが供給されてもよいし、供給されなくてもよい。光路管４５２内にＣＤＡ等のガスが供給される場合、光路管４５２の壁には、光路管４３２と同様に、ウインドウ４５１側に給気口及びガス流路が設けられ、光源４５３側に排気口が設けられてもよい。
光源部４５０の他の構成については、光源部４３０と同様であってもよい。

受光部４６０は、ドロップレット軌道計測器４３に含まれる受光部４４０と同様に、ウインドウ４６１と、光路管４６２と、受光素子４６３と、受光光学系４６４と、を含んでもよい。
そして、受光部４６０の光路管４６２には、受光部４４０の光路管４４２と同様に、その内部にガス供給部７４からＣＤＡ等のガスが供給されてもよい。
受光部４６０の受光素子４６３は、受光部４４０の受光素子４４３と同様に、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）及びイメージインテンシファイアを用いて構成される２次元イメージセンサであってもよい。
受光部４６０の他の構成については、受光部４４０と同様であってもよい。

ドロップレット画像計測器４５の動作について説明する。
光源部４５０の光源４５３は、照明光学系４５４及びウインドウ４５１を介してチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に光を出力してもよい。
チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、光源４５３から出力され受光部４６０に向かう光の一部は遮断され得る。そのため、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、光源４５３から出力された光のプラズマ生成領域２５での像の一部は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１の影の像となって受光素子４６３の受光面に転写され得る。言い換えると、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、受光部４６０では、受光素子４６３が、光源４５３によって出力されドロップレット２７１に照射される光のうち、ドロップレット２７１によって遮断されずにその周囲を通過した光を受光し得る。
受光部４６０の受光光学系４６４は、プラズマ生成領域２５でのドロップレット２７１の影の像を、受光素子４６３の受光面に転写してもよい。
受光部４６０の受光素子４６３は、受光光学系４６４によって転写されたドロップレット２７１の影の像を撮像してもよい。受光素子４６３は、取得された画像からドロップレット２７１の進行速度を計測してもよい。受光素子は、ドロップレット２７１の進行速度の計測結果を示す信号を制御部８に出力してもよい。
制御部８は、当該計測結果に基づいて、トリガ信号が出力されるタイミングを規定する遅延時間Ｔｄを補正してもよい。

上述のように、ドロップレット画像計測器４５は、ドロップレット軌道計測器４３と同様に、チャンバ２の壁２ａに取り付けられた受光部４４０を含んでもよい。
すなわち、ドロップレット画像計測器４５の受光部４６０は、ドロップレット軌道計測器４３の受光部４４０と同様に、パルスレーザ光３３の散乱光及びプラズマ光の照射によりチャンバ２の壁２ａに発生した熱によって加熱され得る。このため、受光部４６０に含まれる光路管４６２内には、受光部４４０に含まれる光路管４４２と同様に、熱レンズが形成され得る。
それにより、受光部４６０に含まれる受光素子４６３の受光面には、プラズマ生成領域２５からずれた位置でのドロップレット２７１の影の像が転写されることがあり得る。
その結果、受光素子４６３におけるドロップレット２７１の進行速度の計測精度が悪化して、遅延時間Ｔｄが適切に補正されず、パルスレーザ光３３がドロップレット２７１を適切に照射できないことがあり得る。特に、ドロップレット２７１に対するパルスレーザ光３３の照射位置が所望の位置からずれて、ＥＵＶ光２５２の発光効率が低下することがあり得る。

しかしながら、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、受光部４６０に含まれる光路管４６２の内部には、受光部４４０の光路管４４２と同様に、ガス供給部７４からＣＤＡ等のガスが供給されてもよい。
それにより、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、光路管４６２内で熱レンズが形成されることを抑制し、受光素子４６３の受光面に転写される像が、プラズマ生成領域２５からずれた位置でのドロップレット２７１の影の像となることを抑制し得る。
その結果、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、受光素子４６３におけるドロップレット２７１の進行速度の計測精度を確保して遅延時間Ｔｄが適切に補正し得ることから、パルスレーザ光３３をドロップレット２７１に適切に照射し得る。特に、ドロップレット２７１に対するパルスレーザ光３３の照射位置を所望の位置に制御して、ＥＵＶ光２５２の発光効率が低下することを抑制し得る。

なお、第３実施形態に係るガス供給部７１〜７４は、図１５での図示を省略したが、第１実施形態に係るガス供給部７１と同様に、ウインドウ４１１、４２１、４４１及び４６１のそれぞれの周縁部から中央部に向かってガスが流れるようガスを供給してもよい。
また、第３実施形態に係るガス供給部７１〜７４は、第１実施形態の変形例１に係るガス供給部７１と同様に、ウインドウ４１１、４２１、４４１及び４６１のそれぞれにガスが吹き付けられるようにガスを供給してもよい。

［９．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１６及び図１７を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４１が、第１実施形態と同様の光源部４１０と、第２実施形態と同様の受光部４２０と、を含んでもよい。更に、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のガス供給部７１と第２実施形態のガス供給部７２とを組み合わせたガス供給部７５が追加された構成を備えてもよい。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［９．１ 構成］
図１６は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
第４実施形態に係るガス供給部７５は、ドロップレット検出器４１の光源部４１０及び受光部４２０に含まれる光路管４１２及び４２２内のそれぞれにＣＤＡ等のガスを供給してもよい。
ガス供給部７５は、受光素子４２３における受光強度の変化に応じて、光路管４１２及び４２２内に供給されるガスの流量を変化させてもよい。
ガス供給部７５は、ガス供給器７５１と、流量調節器７５２ａと、流量調節器７５２ｂと、ガス配管７５３と、ガス配管７５４と、流量制御器７５５と、を含んでもよい。

ガス配管７５３は、ガス供給器７５１と流量制御器７５５とを連結してもよい。
ガス配管７５４は、光路管４１２の給気口４１２ｄ及び光路管４２２の給気口４２２ｄと、流量制御器７５５とをそれぞれ連結してもよい。ガス配管７５４は、流量制御器７５５から延びる１つの配管が途中で、給気口４１２ｄに向かって延びる第１部分７５４ａと給気口４２２ｄに向かって延びる第２部分７５４ｂとに分岐するように形成されてもよい。
ガス配管７５３及びガス配管７５４は、流量制御器７５５の内部で連通していてもよい。

流量制御器７５５は、ガス供給器７５１から光路管４１２及び４２２内に供給されるガス全体の流量を制御する機器であってもよい。流量制御器７５５は、質量流量制御器であってもよい。
流量制御器７５５の動作は、制御部８によって制御されてもよい。流量制御器７５５は、制御部８から出力される流量制御信号に基づいて、ガス供給器７５１から光路管４１２及び４２２内に供給されるガスの流量を制御してもよい。

流量調節器７５２ａは、ガス配管７５４の第１部分７５４ａ上に設けられてもよい。流量調節器７５２ａは、バルブ又はオリフィスであってもよい。流量調節器７５２ａは、流量制御器７５５から光路管４１２内に供給されるガスの流量を調節してもよい。
流量調節器７５２ｂは、ガス配管７５４の第２部分７５４ｂ上に設けられてもよい。流量調節器７５２ｂは、バルブ又はオリフィスであってもよい。流量調節器７５２ｂは、流量制御器７５５から光路管４２２内に供給されるガスの流量を調節してもよい。
流量調節器７５２ａ及び７５２ｂのそれぞれの動作は、制御部８によって制御されてもよい。

第４実施形態に係るガス供給部７５の他の構成については、第１〜第３実施形態に係るガス供給部７１〜７４と同様であってもよい。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［９．２ 動作］
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。
具体的には、光路管４１２及び４２２内に供給されるガスの流量制御に関する動作の流れについて説明する。
図１７は、図１６に示された光路管４１２及び４２２内に供給されるガスの流量制御に関する動作を説明するためのフローチャートを示す。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作において、第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の動作について説明を省略する。

ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット出力信号が入力されると、制御部８は、上述のように、ターゲット供給部２６を制御して、チャンバ２内へのドロップレット２７１の出力を開始させてもよい。
ドロップレット検出器４１に含まれる光源４１３は、チャンバ２内の所定位置Ｐに光を出力してもよい。

ステップＳ１において、ドロップレット検出器４１に含まれる受光素子４２３は、光源４１３から出力された光を受光してもよい。
受光素子４２３は、上述のように、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過することに応じて変化する通過タイミング信号を制御部８に出力してもよい。

ステップＳ２において、制御部８には、受光素子４２３から出力された通過タイミング信号が入力されてもよい。
ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していない場合、通過タイミング信号の電圧値Ｖは、上述のように、所定の閾値電圧よりも高い値を示し得る。
ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過する場合、通過タイミング信号の電圧値Ｖは、上述のように、所定の閾値電圧を超えて低い値を示し得る。この場合、制御部８は、上述のように、ドロップレット検出信号及びトリガ信号を生成し、レーザ装置３に出力してもよい。

ステップＳ３において、制御部８は、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していない場合における通過タイミング信号の電圧値Ｖが、予め定められた電圧目標値Ｖ０より大きいか否かを判定してもよい。
図９を用いて説明したように、熱レンズの形成に伴って受光素子４２３の受光強度が低下した場合、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していない場合における通過タイミング信号の電圧値Ｖは、低下し得る。これに伴って通過タイミング信号に含まれるノイズが、所定の閾値電圧を超える場合があり得る。したがって、電圧目標値Ｖ０は、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していない場合において、通過タイミング信号に含まれるノイズが、所定の閾値電圧を超えないような電圧値となるよう設定するとよい。
制御部８は、通過タイミング信号の電圧値Ｖが電圧目標値Ｖ０より大きければ、ステップＳ１に移行してもよい。一方、制御部８は、通過タイミング信号の電圧値Ｖが電圧目標値Ｖ０より大きくなければ、ステップＳ４に移行してもよい。

ステップＳ４において、制御部８は、流量制御器７５５を制御して、ガス供給器７５１から光路管４１２及び４２２内に供給されるガス全体の流量Ｑを増加させてもよい。
具体的には、制御部８は、流量制御器７５５に設定される流量Ｑを、次式を用いて更新してもよい。
Ｑ＝Ｑ＋ΔＱ
ΔＱは、流量Ｑを調節する量であってもよい。ΔＱは、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していない場合での通過タイミング信号の電圧値Ｖと、電圧目標値Ｖ０との差分ΔＶに応じて定められてもよい。制御部８は、ΔＶが小さいほどΔＱを大きい値に定めてもよい。
制御部８は、新たな流量Ｑを示す流量制御信号を流量制御器７５５に出力し、流量制御器７５５に新たな流量Ｑを設定してもよい。流量制御器７５５は、ガス供給器７５１から光路管４１２及び４２２内に供給されるガスの流量を、制御部８によって設定された新たな流量Ｑに制御し得る。

ステップＳ５において、制御部８は、流量制御器７５５に設定された新たな流量Ｑが、予め定められた最大流量Ｑｍａｘより大きいか否かを、次式を用いて判定してもよい。
Ｑ＞Ｑｍａｘ
制御部８は、流量制御器７５５に設定された新たな流量Ｑが最大流量Ｑｍａｘより大きくなければ、ステップＳ１に移行してもよい。一方、制御部８は、流量制御器７５５に設定された新たな流量Ｑが最大流量Ｑｍａｘより大きければ、エラーを通報してもよい。
最大流量Ｑｍａｘは、ガス供給器７５１におけるＣＤＡの供給能力に基づいて予め定められてもよい。

第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［９．３ 作用］
チャンバ２の壁２ａに照射されるパルスレーザ光３３の散乱光及びプラズマ光のエネルギは、ＥＵＶ光生成装置１から出力されるＥＵＶ光２５２のパルスエネルギや繰り返し周波数の変化により、変化し得る。すなわち、チャンバ２の壁２ａに照射されるパルスレーザ光３３の散乱光及びプラズマ光のエネルギは、ＥＵＶ光生成装置１の稼働状況によって変化し得る。
ＥＵＶ光生成装置１の稼働状況の変化によって、チャンバ２の壁２ａに取り付けられた光路管４１２及び４２２内の温度分布が変化し得るため、形成される熱レンズがドロップレット検出器４１の検出精度に与える影響の程度も変化し得る。

しかしながら、第４実施形態に係るガス供給部７５は、受光素子４２３から出力される通過タイミング信号の変化に応じて光路管４１２及び４２２内に供給されるガスの流量を制御し得る。
このため、第４実施形態に係るガス供給部７５は、ＥＵＶ光生成装置１の稼働状況が変化しても、光路管４１２及び光路管４２２内の温度分布を略均一化し得る。
それにより、第４実施形態に係るドロップレット検出器４１は、ＥＵＶ光生成装置１の稼働状況が変化しても、所定位置Ｐにおけるドロップレット２７１の通過タイミングを精度よく検出し得る。
その結果、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、誤ったタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力することを抑制し、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力タイミングを高い精度で制御し得る。

なお、第４実施形態に係るガス供給部７５は、図１６での図示を簡略化したが、第１実施形態に係るガス供給部７１と同様に、ウインドウ４１１及び４２１のそれぞれの周縁部から中央部に向かってガスが流れるようガスを供給してもよい。
また、第４実施形態に係るガス供給部７５は、第１実施形態の変形例１に係るガス供給部７１と同様に、ウインドウ４１１及び４２１のそれぞれにガスが吹き付けられるようにガスを供給してもよい。
また、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様に、ドロップレット軌道計測器４３及びドロップレット画像計測器４５を備えてもよい。
この場合、第４実施系形態に係るドロップレット軌道計測器４３に含まれる光路管内に供給されるガスの流量は、受光素子４４３によって取得された画像のコントラストや明るさ等に応じて制御されてもよい。第４実施系形態に係るドロップレット画像計測器４５に含まれる光路管内に供給されるガスの流量は、受光素子４６３によって取得された画像のコントラストや明るさ等に応じて制御されてもよい。

［１０．第５実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１８を用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、光路管内に対してガスを供給しなくてもよい。第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、光路管内の気体を撹拌させることによって、光路管内の温度分布を均一化して光路管内の屈折率分布を均一化させてもよい。
第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１に対して、ガス供給部７１の代りに撹拌装置９１が追加された構成を備えてもよい。
第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図１８は、第５実施形態に係る撹拌装置９１及び光源部４１０を説明するための図を示す。
撹拌装置９１は、光路管４１２内の気体を撹拌させ温度分布を均一化することによって、光路管内の屈折率分布を均一化させる装置であってもよい。
撹拌装置９１は、ファン９１１と、モータ９１２と、を含んでもよい。

ファン９１１は、光路管４１２内に配置されてもよい。ファン９１１は、光路管４１２の高温側であるウインドウ側管４１２ａの内部に配置されてもよい。
ファン９１１は、モータ９１２の駆動によって回転してもよい。

モータ９１２は、光路管４１２の外に配置されてもよい。
モータ９１２の動作は、制御部８によって制御されてもよい。
モータ９１２は、制御部８からの制御により、ファン９１１の回転数を変化させてもよい。

制御部８は、受光素子４２３から出力される通過タイミング信号の変化に応じてモータ９１２の駆動を制御することにより、ファン９１１の回転数を制御してもよい。

第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、図２〜図５に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

上記構成により、第５実施形態に係る撹拌装置９１は、第４実施形態と同様に、受光素子４２３から出力される通過タイミング信号の変化に応じて光路管４１２内の気体を撹拌する速度を調節し得る。
このため、第５実施形態に係る撹拌装置９１は、ＥＵＶ光生成装置１の稼働状況が変化しても、光路管４１２内の温度分布を略均一化し得る。
それにより、第５実施形態に係るドロップレット検出器４１は、ＥＵＶ光生成装置１の稼働状況が変化しても、所定位置Ｐにおけるドロップレット２７１の通過タイミングを精度よく検出し得る。
その結果、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、誤ったタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力することを抑制し、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力タイミングを高い精度で制御し得る。

［１１．その他］
［１１．１ 各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図１９は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図１９の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図１９におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、レーザ光進行方向制御部３４、ヒータ２６３、圧力調節器２６４、ドロップレット軌道計測器４３、ドロップレット画像計測器４５、ガス供給部７１〜７５、撹拌装置９１等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、ターゲットセンサ４、ドロップレット検出器４１、ピエゾ素子２６５等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウェア環境１００は、本開示における露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８等は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

［１１．２ その他の変形例等］
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ …ＥＵＶ光生成装置
２ …チャンバ
２６ …ターゲット供給部
２７ …ターゲット
２７１ …ドロップレット
２５２ …ＥＵＶ光
４１１、４２１ …ウインドウ
４１２、４２２ …光路管
４１２ｅ、４２２ｅ …排気口
４１３ …光源
４２３ …受光素子
７１、７２ …ガス供給部
９１ …撹拌装置

Claims (17)

1. 内部でプラズマが生成されることによって極端紫外光が生成されるチャンバと、
   前記チャンバに設けられたウインドウと、
   前記チャンバに接続された光路管と、
   前記光路管内に配置され、前記ウインドウを介して前記チャンバ内に光を出力する光源と、
   前記光路管内にガスを供給するガス供給部と、
   前記光路管内の前記ガスを前記光路管外に排出する排気口と、
   を備える極端紫外光生成装置。
2. 前記光源は、前記ウインドウと離間して配置され、
   前記ガス供給部は、前記光路管の前記ウインドウ側から前記ガスを前記光路管内に供給し、
   前記排気口は、前記光路管の前記光源側から前記ガスを前記光路管外に排出する
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記ガス供給部は、前記ガスが前記ウインドウの周縁部から中央部に向かって流れるように前記ガスを供給する
   請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
4. 前記ガス供給部は、前記ガスが前記ウインドウに吹き付けられるように前記ガスを供給する
   請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
5. レーザ光が照射されると前記プラズマを生成するターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に供給するターゲット供給部を更に備え、
   前記光源は、前記ドロップレットに向けて前記光を出力する
   請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
6. 内部でプラズマが生成されることによって極端紫外光が生成されるチャンバと、
   前記チャンバに設けられたウインドウと、
   前記チャンバに接続された光路管と、
   前記光路管内に配置され、前記ウインドウを介して前記チャンバ内から光を受光する受光素子と、
   前記光路管内にガスを供給するガス供給部と、
   前記光路管内の前記ガスを前記光路管外に排出する排気口と、
   を備える極端紫外光生成装置。
7. 前記受光素子は、前記ウインドウと離間して配置され、
   前記ガス供給部は、前記光路管の前記ウインドウ側から前記ガスを前記光路管内に供給し、
   前記排気口は、前記光路管の前記受光素子側から前記ガスを前記光路管外に排出する
   請求項６に記載の極端紫外光生成装置。
8. 前記ガス供給部は、前記ガスが前記ウインドウの周縁部から中央部に向かって流れるように前記ガスを供給する
   請求項７に記載の極端紫外光生成装置。
9. 前記ガス供給部は、前記ガスが前記ウインドウに吹き付けられるように前記ガスを供給する
   請求項７に記載の極端紫外光生成装置。
10. レーザ光が照射されると前記プラズマを生成するターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に供給するターゲット供給部を更に備え、
    前記受光素子は、前記ドロップレットに向けて出力された前記光を受光する
    請求項７に記載の極端紫外光生成装置。
11. 前記チャンバに設けられた第２ウインドウと、
    前記チャンバに接続された第２光路管と、
    前記第２光路管内に配置され、前記第２ウインドウを介して前記チャンバ内から光を受光する受光素子と、
    前記第２光路管内にガスを供給する第２ガス供給部と、
    前記第２光路管から前記ガスを排出する第２排気口と、
    を更に備える請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
12. 前記受光素子は、前記第２ウインドウと離間して配置され、
    前記第２ガス供給部は、前記第２光路管の前記第２ウインドウ側から前記ガスを前記第２光路管内に供給し、
    前記第２排気口は、前記第２光路管の前記受光素子側から前記ガスを前記第２光路管外に排出する
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。
13. 前記第２ガス供給部は、前記ガスが前記第２ウインドウの周縁部から中央部に向かって流れるように前記ガスを供給する
    請求項１２に記載の極端紫外光生成装置。
14. 前記第２ガス供給部は、前記ガスが前記第２ウインドウに吹き付けられるように前記ガスを供給する
    請求項１２に記載の極端紫外光生成装置。
15. レーザ光が照射されると前記プラズマを生成するターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に供給するターゲット供給部を更に備え、
    前記光源は、前記ドロップレットに向けて前記光を出力し、
    前記受光素子は、前記ドロップレットに向けて出力された前記光を受光する
    請求項１２に記載の極端紫外光生成装置。
16. 前記受光素子は、前記ドロップレットに向けて出力された前記光のうち前記ドロップレットの周囲を通過した前記光を受光する
    請求項１５に記載の極端紫外光生成装置。
17. 前記受光素子は、前記ドロップレットに向けて出力された前記光のうち前記ドロップレットによって反射された前記光を受光する
    請求項１５に記載の極端紫外光生成装置。