JP6600688B2 - ターゲット収容装置 - Google Patents

Description

本開示は、ターゲット収容装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２００９−２１８３２３号公報 ＷＯ２０１２／０７３８７６号 特表２０１４−５０４７１４号公報

概要

本開示の１つの観点に係るターゲット収容装置は、レーザ光が照射されると極端紫外光を生成するターゲットを収容するタンクと、タンクに接続され前記タンクを加熱するヒータと、ヒータが接続された前記タンクの少なくとも一部を覆うように配置され、タンク及びヒータからの熱輻射をタンクに向けて反射する輻射部材と、を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置を説明するための図を示す。 図３は、比較例のターゲット回収装置の課題を説明するための図を示す。 図４は、第１実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置を説明するための図を示す。 図５は、第２実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置を説明するための図を示す。 図６は、第３実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置を説明するための図を示す。 図７は、第４実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置を説明するための図を示す。 図８は、第５実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置を説明するための図を示す。 図９は、第６実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット供給装置を説明するための図を示す。 図１０は、各制御部のハードウェア環境を説明するためのブロック図を示す。

実施形態

＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．用語の説明
３．課題
３．１ 比較例の構成
３．２ 比較例の動作
３．３ 課題
４．第１実施形態
４．１ 構成
４．２ 動作及び作用効果
５．第２実施形態
５．１ 構成
５．２ 動作及び作用効果
６．第３実施形態
６．１ 構成
６．２ 動作及び作用効果
７．第４実施形態
７．１ 構成
７．２ 動作及び作用効果
８．第５実施形態
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用効果
９．第６実施形態
９．１ 構成
９．２ 動作
９．３ 作用効果
１０．その他
１０．１ 各制御部のハードウェア環境
１０．２ その他の変形例等

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［１．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６から供給されるターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収装置２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

［１．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の出力タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されるターゲットの一形態である。
「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。
「ターゲット軌道」は、チャンバ内に出力されたターゲットが進行する経路である。ターゲット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差してもよい。
「ターゲット収容装置」は、チャンバに接続され、ターゲットを収容するための装置である。ターゲット収容装置は、ターゲット供給装置及びターゲット回収装置を少なくとも含む。ターゲット収容装置がターゲット供給装置である場合、ターゲット収容装置は、チャンバ内に出力されるターゲットを収容するための装置である。ターゲット収容装置がターゲット回収装置である場合、ターゲット収容装置は、チャンバ内に出力されたターゲットのうち、レーザ光が照射されなかったターゲットを収容するための装置である。
「Ｚ軸方向」は、ＥＵＶ光生成装置がＥＵＶ光を出力する方向である。すなわち、Ｚ軸方向は、ＥＵＶ光生成装置のチャンバから露光装置へＥＵＶ光が出力される方向である。
「Ｙ軸方向」は、ターゲット供給装置がチャンバ内にターゲットを出力する方向である。
「Ｘ軸方向」は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に直交する方向である。

［３．課題］
図２及び図３を用いて、比較例のターゲット収容装置の一例として、ターゲット回収装置２８について説明する。
ターゲット回収装置２８は、図１に示されるように、ターゲット供給装置２６からチャンバ２内に出力されたターゲット２７を回収する装置であってもよい。
特に、ターゲット回収装置２８は、ターゲット供給装置２６からチャンバ２内に出力されたターゲット２７のうち、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を回収する装置であってもよい。
ターゲット回収装置２８は、図１に示されるように、チャンバ２の側面部に設けられていてもよい。ターゲット回収装置２８は、ターゲット軌道の延長線上に配置されてもよい。ターゲット回収装置２８は、チャンバ２の内部に配置されてもよい。

なお、ターゲット２７は、金属材料を用いて形成されてもよい。ターゲット２７は、スズ、テルビウム及びガドリニウムの少なくとも１つを用いて形成されてもよい。
また、ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７を溶融させた状態で収容してもよい。ターゲット供給装置２６は、溶融状態のターゲット２７をドロップレットとしてチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向かって出力してもよい。それにより、ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をプラズマ生成領域２５に供給してもよい。

［３．１ 比較例の構成］
図２は、比較例のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置２８を説明するための図を示す。
ターゲット回収装置２８は、タンク２８１と、捕集部２８２と、ヒータ２８３と、ヒータ電源２８４と、温度センサ２８５と、温度制御部２８６と、ケース２８７とを備えてもよい。

タンク２８１は、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を収容する容器であってもよい。タンク２８１は、ターゲット２７を溶融状態で内部に収容してもよい。
タンク２８１は、ターゲット２７と反応し難い材料を用いて形成されてもよい。ターゲット２７がスズである場合、ターゲット２７と反応し難い材料は、例えばＳｉＣ、石英を含むＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステン、タンタルのうちの少なくとも１つであってもよい。
タンク２８１は、溶融したターゲット２７に濡れ難い材料で形成されてもよい。タンク２８１は、溶融したターゲット２７との接触角が９０°以上１８０°以下となる材料を用いて形成されてもよい。
タンク２８１は、ターゲット２７の融点以上の温度に対して耐熱性を有する材料を用いて形成されてもよい。
ターゲット２７がスズである場合、タンク２８１は、例えばモリブデン又は石英を用いて形成されてもよい。
タンク２８１は、中空の筒形状に形成されてもよい。
タンク２８１は、チャンバ２内に配置されてもよい。タンク２８１は、チャンバ２の壁２ａに接続されてもよい。
タンク２８１は、その内部に傾斜部２８１ａを含んでもよい。

傾斜部２８１ａは、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を衝突させて受ける部材であってもよい。
傾斜部２８１ａは、タンク２８１の壁の一部として形成されてもよい。
傾斜部２８１ａは、ターゲット２７と反応し難い材料を用いて形成されてもよい。
傾斜部２８１ａは、溶融したターゲット２７に濡れ難い材料で形成されてもよい。傾斜部２８１ａは、溶融したターゲット２７との接触角が９０°以上１８０°以下となる材料を用いて形成されてもよい。
傾斜部２８１ａは、ターゲット２７の融点以上の温度に対して耐熱性を有する材料を用いて形成されてもよい。
傾斜部２８１ａは、タンク２８１と同じ材料を用いて形成されてもよい。
ターゲット２７がスズである場合、傾斜部２８１ａは、例えばモリブデン又はステンレスで形成されてもよい。

傾斜部２８１ａは、ターゲット軌道Ｆに交差する位置に形成されてもよい。
傾斜部２８１ａの表面は、ターゲット軌道Ｆに対して傾斜するように形成されてもよい。傾斜部２８１ａの表面は、ターゲット軌道Ｆに対する傾斜角度が９０°以外の角度となるように形成されてもよい。
傾斜部２８１ａの表面は、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を衝突させて受ける面であってもよい。傾斜部２８１ａの表面は、衝突したターゲット２７をタンク２８１の内部空間に向けて反射するように形成されてもよい。

捕集部２８２は、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を捕集し、タンク２８１に導く部材であってもよい。
捕集部２８２は、ターゲット２７と反応し難い材料を用いて形成されてもよい。
捕集部２８２は、溶融したターゲット２７に濡れ難い材料で形成されてもよい。捕集部２８２は、溶融したターゲット２７との接触角が９０°以上１８０°以下となる材料を用いて形成されてもよい。
捕集部２８２は、ターゲット２７の融点以上の温度に対して耐熱性を有する材料を用いて形成されてもよい。
ターゲット２７がスズである場合、捕集部２８２は、例えばモリブデン又は石英を用いて形成されてもよい。
捕集部２８２は、タンク２８１と同じ材料を用いて形成されてもよい。
捕集部２８２は、中空の筒状に形成されてもよい。
捕集部２８２は、ターゲット軌道Ｆに沿って延びるように形成されてもよい。捕集部２８２は、その中心軸がターゲット軌道Ｆと略一致するように配置されてもよい。
捕集部２８２は、タンク２８１に接続されてもよい。捕集部２８２は、タンク２８１のプラズマ生成領域２５側の端部に接続されてもよい。捕集部２８２は、タンク２８１と一体的に形成されてもよい。

捕集部２８２のプラズマ生成領域２５側の端部には、開口部２８２ａが形成されてもよい。
開口部２８２ａは、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を捕集部２８２内に進入させる入口であってもよい。開口部２８２ａは、捕集部２８２のターゲット軌道Ｆに交差する位置に形成されてもよい。

ヒータ２８３は、タンク２８１及び捕集部２８２を加熱してもよい。
ヒータ２８３は、タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれに接続されてもよい。ヒータ２８３は、タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれの外表面を覆うように配置されてもよい。
ヒータ２８３は、ヒータ電源２８４に接続されてもよい。

ヒータ電源２８４は、ヒータ２８３に電力を供給する電源であってもよい。
ヒータ電源２８４の動作は、温度制御部２８６によって制御されてもよい。

温度センサ２８５は、タンク２８１及び捕集部２８２の温度を検出するセンサであってもよい。
温度センサ２８５は、タンク２８１及び捕集部２８２の少なくとも１つの外表面に設置されてもよい。
温度センサ２８５は、検出されたタンク２８１及び捕集部２８２の温度に応じた温度検出信号を温度制御部２８６に出力してもよい。

温度制御部２８６は、タンク２８１及び捕集部２８２の温度を制御する制御部であってもよい。
温度制御部２８６は、ヒータ電源２８４及び温度センサ２８５に接続されてもよい。
温度制御部２８６は、ＥＵＶ光生成制御部５に接続されてもよい。

ケース２８７は、ヒータ２８３が接続されたタンク２８１及び捕集部２８２を収容してもよい。
ケース２８７は、チャンバ２内に配置されてもよい。ケース２８７は、チャンバ２の壁２ａに接続されてもよい。ケース２８７内の圧力は、チャンバ２内の圧力と略同じ圧力に保持されてもよい。
ケース２８７のプラズマ生成領域２５側の端部には、開口部２８７ａが形成されてもよい。開口部２８７ａは、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７をケース２８７内に進入させる入口であってもよい。開口部２８７ａは、ケース２８７のターゲット軌道Ｆに交差する位置に形成されてもよい。

タンク２８１、捕集部２８２及びケース２８７並びにチャンバ２は、それらの内部が互いに連通してもよい。

［３．２ 比較例の動作］
比較例のターゲット回収装置２８の動作について説明する。
温度制御部２８６は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたタンク２８１及び捕集部２８２の目標温度を指定する信号を受信してもよい。
温度制御部２８６は、温度センサ２８５から出力された温度検出信号を受信してもよい。
温度制御部２８６は、温度検出信号が示す検出値が当該目標温度に近付くよう、ヒータ２８３に電力を供給するヒータ電源２８４の動作を制御してもよい。
タンク２８１及び捕集部２８２の目標温度は、ターゲット２７の融点以上の温度であって、タンク２８１内のターゲット２７が溶融状態となる温度であってもよい。
ターゲット２７がスズである場合、ターゲット２７の融点は２３１．５℃である。ターゲット２７が、ガドリニウムである場合、ターゲット２７の融点は１３１２℃である。ターゲット２７がテルビウムである場合、ターゲット２７の融点は１３５６℃である。

ＥＵＶ光生成装置１がＥＵＶ光２５２を生成する際、ターゲット供給装置２６は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御により、溶融状態のターゲット２７をドロップレットとしてチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向かって出力してもよい。
また、レーザ装置３は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御により、プラズマ生成領域２５においてパルスレーザ光３３がターゲット２７を照射するようパルスレーザ光３１を出力してもよい。

パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７は、プラズマ化してＥＵＶ光２５１を含む光を放射し得る。
一方、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７は、プラズマ生成領域２５を通過して、そのままターゲット軌道Ｆに沿って進行し得る。プラズマ生成領域２５を通過したターゲット２７は、開口部２８７ａからケース２８７内に進入し得る。

ケース２８７内に進入したターゲット２７は、開口部２８２ａから捕集部２８２内に進入し得る。捕集部２８２内に進入したターゲット２７は、捕集部２８２内を通過し得る。捕集部２８２を通過したターゲット２７は、タンク２８１内に進入し、傾斜部２８１ａの表面に衝突し得る。
このように、捕集部２８２は、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を開口部２８２ａから進入させることによって、当該ターゲット２７を捕集してもよい。捕集部２８２は、捕集部２８２内に進入したターゲット２７をタンク２８１内に通過させることによって、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７をタンク２８１に導いてもよい。

傾斜部２８１ａに衝突したターゲット２７の大部分は、タンク２８１の内部空間に向かって反射され、タンク２８１の壁の内表面に付着し得る。
タンク２８１の壁に付着したターゲット２７は、タンク２８１がターゲット２７の融点以上に加熱されているため、溶融した状態でタンク２８１の壁を伝って流れて落ち、タンク２８１内に収容され得る。
また、傾斜部２８１ａに衝突したターゲット２７の一部分は、飛沫となって捕集部２８２の壁に飛散し、捕集部２８２の壁の内表面に付着し得る。
捕集部２８２の壁に付着したターゲット２７は、捕集部２８２がターゲット２７の融点以上に加熱されているため、溶融した状態で捕集部２８２及びタンク２８１の壁を伝って流れて落ち、タンク２８１内に収容され得る。

［３．３ 課題］
図３は、比較例のターゲット回収装置２８の課題を説明するための図を示す。
ターゲット回収装置２８は、タンク２８１を大型化することが望まれ得る。
タンク２８１が大型化すると、ターゲット回収装置２８は、多量のターゲット２７を収容し得る。すると、タンク２８１の交換頻度が減少し得るため、ターゲット回収装置２８の稼働時間が増加し得る。

しかしながら、タンク２８１が大型化すると、タンク２８１の放熱面積は大きくなり得る。
タンク２８１の放熱面積が大きくなると、ターゲット回収装置２８は、タンク２８１及び捕集部２８２の温度をターゲット２７の融点以上の温度に保つためにヒータ２８３の出力を高くする必要があり得る。

更に、タンク２８１の放熱面積が大きくなると、ターゲット回収装置２８は、タンク２８１及び捕集部２８２の温度を均一に保つことが困難となり得る。
このとき、タンク２８１及び捕集部２８２の温度が局所的にターゲット２７の融点よりも低温となり、ターゲット２７を溶融させた状態で収容することが困難となることがあり得る。特に、傾斜部２８１ａに衝突したターゲット２７がタンク２８１及び捕集部２８２のターゲット２７の融点より低温な箇所に飛散すると、当該ターゲット２７がタンク２８１及び捕集部２８２の壁にそのまま固着することがあり得る。すると、後続するターゲット２７は、既に固着したターゲット２７の上に更に固着して堆積し得る。固着したターゲット２７の堆積物は、ターゲット軌道Ｆに交差するまで成長し、後続するターゲット２７が適切に回収されることを妨げ得る。

よって、ヒータ２８３の出力を抑制しつつ、ターゲット２７がタンク２８１及び捕集部２８２の壁に固着することを抑制し得るターゲット回収装置２８を提供することが望まれ得る。

また、比較例のターゲット収容装置がターゲット供給装置２６である場合、ターゲット供給装置２６においてもターゲット回収装置２８と同様の課題を有し得る。
ターゲット供給装置２６は、図９を用いて後述するように、タンク２６１と、ノズル２６２と、ヒータ２６３とを備えてもよい。但し、比較例のターゲット供給装置２６は、図９に示された輻射部材７を備えない。
タンク２６１は、チャンバ２内に出力されるターゲット２７を溶融状態で収容する容器であってもよい。
ノズル２６２は、タンク２６１に接続され、タンク２６１内に収容されたターゲット２７をチャンバ２内に出力する部材であってもよい。
ヒータ２６３は、タンク２６１及びノズル２６２を加熱するヒータであってもよい。

ターゲット供給装置２６においても、ターゲット回収装置２８と同様に、稼働時間を増加させるためにタンク２６１を大型化することが望まれ得る。
しかしながら、タンク２６１が大型化するとタンク２６１の放熱面積は大きくなるため、ターゲット供給装置２６は、ターゲット回収装置２８と同様に、ヒータ２６３の出力を高くする必要があり得る。
更に、タンク２６１が大型化すると、タンク２６１及びノズル２６２の温度を均一に保つことが困難となり得る。
このとき、タンク２６１及びノズル２６２の温度が局所的にターゲット２７の融点よりも低温となり、ターゲット２７がタンク２６１及びノズル２６２の壁に固着することがあり得る。すると、固着したターゲット２７による圧力損失によって、溶融したターゲット２７は、適切に出力され難くなり得る。例えば、溶融したターゲット２７は、所望の速度よりも低い速度で出力されたり、所望のターゲット軌道Ｆからずれた軌道で出力されたりし得る。

よって、ヒータ２６３の出力を抑制しつつ、ターゲット２７がタンク２６１及びノズル２６２の壁に固着することを抑制し得るターゲット供給装置２６を提供することが望まれ得る。

このようなことから、比較例のターゲット収容装置は、ターゲット２７を収容するタンクを加熱するヒータの出力を抑制しつつ、ターゲット２７がタンクの壁に固着することについて、改善の余地があり得る。

［４．第１実施形態］
図４を用いて、第１実施形態のターゲット収容装置について説明する。具体的には、第１実施形態のターゲット収容装置の一例として、第１実施形態のターゲット回収装置２８について説明する。
第１実施形態のターゲット回収装置２８は、比較例のターゲット回収装置２８に対して、輻射部材７が追加された構成を備えてもよい。
第１実施形態のターゲット回収装置２８の構成において、比較例のターゲット回収装置２８と同様の構成については説明を省略する。

［４．１ 構成］
図４は、第１実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置２８を説明するための図を示す。図４では、図３に示された、ヒータ電源２８４、温度センサ２８５、温度制御部２８６及びＥＵＶ光生成制御部５の図示が省略されている。以降の図５〜図７も同様である。
第１実施形態のターゲット回収装置２８は、比較例のターゲット回収装置２８と同様に、タンク２８１と、捕集部２８２と、ヒータ２８３と、ヒータ電源２８４と、温度センサ２８５と、温度制御部２８６と、ケース２８７とを備えてもよい。
更に、第１実施形態のターゲット回収装置２８は、輻射部材７を備えてもよい。

輻射部材７は、タンク２８１及び捕集部２８２並びにヒータ２８３からの熱輻射を反射する部材であってもよい。
輻射部材７は、板状に形成されてもよい。
輻射部材７は、ヒータ２８３が接続されたタンク２８１の少なくとも一部を覆うように配置されてもよい。輻射部材７は、ヒータ２８３が接続された捕集部２８２の少なくとも一部を覆うように配置されてもよい。輻射部材７は、ヒータ２８３が接続されたタンク２８１及び捕集部２８２に対して、略平行に対向して配置されてもよい。輻射部材７は、タンク２８１及び捕集部２８２並びにヒータ２８３のそれぞれと、間隔をあけて配置されてもよい。
輻射部材７は、ヒータ２８３が接続されたタンク２８１及び捕集部２８２と、ケース２８７との間に配置されてもよい。輻射部材７は、熱伝導率の低い材料で形成された不図示の支持部材を介してケース２８７に保持されてもよい。

輻射部材７の少なくともタンク２８１側の表面は、タンク２８１及び捕集部２８２並びにヒータ２８３からの熱輻射を反射し得るよう低い放射率を有するように形成されてもよい。この放射率は、例えば０．０１以上０．１以下であってもよい。
輻射部材７は、それ自体が、０．０１以上０．１以下の放射率を有する材料で形成されてもよい。
或いは、輻射部材７は、バルク状の板材の表面に対して、０．０１以上０．１以下の放射率を有する材料をコーティングすることによって形成されてもよい。輻射部材７をコーティングする方法は、めっき、溶射及び蒸着の少なくとも１つであってもよい。
輻射部材７の少なくともタンク２８１側の表面を形成する材料は、アルミニウム、タングステン、白金、金、銀、銅、黄銅及びニッケルのうちの少なくとも１つであってもよい。
輻射部材７の少なくともタンク２８１側の表面は、光沢を有するような表面粗さに加工されてもよい。輻射部材７の少なくともタンク２８１側の表面は、鏡面となる表面粗さに研磨加工されてもよい。

一例を挙げると、輻射部材７は、０．５ｍｍの板厚を有するＳＵＳ３１６の板材の表面に対して無電解ニッケルめっきを施し、ニッケルめっきが施された表面を鏡面となる表面粗さに研磨加工することによって形成されてもよい。
この輻射部材７の放射率は、０．０５以上０．１以下であってもよい。

第１実施形態に係るケース２８７は、ヒータ２８３が接続されたタンク２８１及び捕集部２８２並びに輻射部材７を収容してもよい。
第１実施形態に係るケース２８７の他の構成については、比較例に係るケース２８７と同様であってもよい。

第１実施形態のターゲット回収装置２８の他の構成については、比較例のターゲット回収装置２８と同様であってもよい。

［４．２ 動作及び作用効果］
輻射部材７は、タンク２８１及び捕集部２８２並びにヒータ２８３からの熱輻射を、タンク２８１及び捕集部２８２に向けて反射し得る。輻射部材７は、タンク２８１及び捕集部２８２並びにヒータ２８３から熱輻射によってケース２８７側に放出されていた熱を、タンク２８１及び捕集部２８２に加え得る。言い換えると、輻射部材７は、タンク２８１及び捕集部２８２並びにヒータ２８３からの熱輻射による放熱を抑制し得る。
すなわち、タンク２８１及び捕集部２８２は、ヒータ２８３から遠い部分が、ヒータ２８３からの熱伝導だけでなく、輻射部材７が反射した熱輻射によっても加熱され得る。このため、タンク２８１及び捕集部２８２において、ヒータ２８３に近い部分とヒータ２８３から遠い部分との温度差は、輻射部材７がない場合よりも格段に小さくなり得る。
それにより、第１実施形態のターゲット回収装置２８は、ヒータ２８３の出力を抑制しつつ、タンク２８１及び捕集部２８２の温度をターゲット２７の融点以上の温度で略均一に保ち得る。
その結果、第１実施形態のターゲット回収装置２８は、ヒータ２８３の出力を抑制しつつ、ターゲット２７がタンク２８１及び捕集部２８２の壁に固着することを抑制し得る。

［５．第２実施形態］
［５．１ 構成］
図５を用いて、第２実施形態のターゲット収容装置について説明する。具体的には、第２実施形態のターゲット収容装置の一例として、第２実施形態のターゲット回収装置２８について説明する。
図５は、第２実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置２８を説明するための図を示す。
第２実施形態のターゲット回収装置２８は、第１実施形態のターゲット回収装置２８に対して、輻射部材７の構成が主に異なってもよい。

第２実施形態に係る輻射部材７は、熱伝導率の低い材料で形成された支持部材を介してケース２８７に保持されるのではなく、ケース２８７の内表面上に形成されてもよい。
第２実施形態に係る輻射部材７は、ケース２８７の内表面に対して、０．０１以上０．１以下の放射率を有する材料をコーティングすることによって形成されてもよい。
第２実施形態に係る輻射部材７の他の構成については、第１実施形態に係る輻射部材７と同様であってもよい。

第２実施形態のターゲット回収装置２８の他の構成については、第１実施形態のターゲット回収装置２８と同様であってもよい。

［５．２ 動作及び作用効果］
第２実施形態のターゲット回収装置２８は、輻射部材７がケース２８７の内表面上に形成されるため、ケース２８７の内表面が輻射部材７を兼ね得る。
それにより、第２実施形態のターゲット回収装置２８は、輻射部材７を支持する支持部材を省略し得る。
その結果、第２実施形態のターゲット回収装置２８は、第１実施形態のターゲット回収装置２８よりも、装置構成を簡略化させ得ると共に小型化させ得る。

［６．第３実施形態］
［６．１ 構成］
図６を用いて、第３実施形態のターゲット収容装置について説明する。具体的には、第３実施形態のターゲット収容装置の一例として、第３実施形態のターゲット回収装置２８について説明する。
図６は、第３実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置２８を説明するための図を示す。
第３実施形態のターゲット回収装置２８は、第１実施形態のターゲット回収装置２８に対して、輻射部材７の構成が主に異なってもよい。更に、ターゲット回収装置２８は、第１実施形態のターゲット回収装置２８に対して、断熱部材８が追加された構成を備えてもよい。

第３実施形態に係る輻射部材７は、複数の輻射部材７で構成されてもよい。
複数の輻射部材７は、互いに間隔を開けて配置されてもよい。複数の輻射部材７のそれぞれは、ヒータ２８３が接続されたタンク２８１及び捕集部２８２からケース２８７側に向かって積層するように配置されてもよい。複数の輻射部材７における積層数は、４層又は５層であってもよい。複数の輻射部材７における積層数が多いほど、タンク２８１及び捕集部２８２並びにヒータ２８３からの熱輻射による放熱は抑制され易くなり得る。
第３実施形態に係る輻射部材７の他の構成については、第１実施形態に係る輻射部材７と同様であってもよい。

断熱部材８は、複数の輻射部材７同士の間隔を埋めるように配置されてもよい。
断熱部材８は、熱伝導率の低い材料を用いて形成されてもよい。断熱部材８は、耐熱性の高い材料を用いて形成されてもよい。断熱部材８は、石英又はマシナブルセラミックを用いて形成されてもよい。
断熱部材８は、繊維状、布状、板状又はフィルム状に形成されてもよい。

更に、断熱部材８は、複数の輻射部材７とケース２８７との間隔にも配置されてもよい。具体的には、この断熱部材８は、複数の輻射部材７のうち最もケース２８７側に位置する輻射部材７と、ケース２８７との間隔にも配置されてよい。
複数の輻射部材７のうちの最もケース２８７側に位置する輻射部材７は、他の輻射部材７に比べて低温となり得る。
そのため、この断熱部材８は、樹脂材料を用いて形成されてもよい。この断熱部材８は、カプトンフィルムであってもよい。

第３実施形態のターゲット回収装置２８の他の構成については、第１実施形態のターゲット回収装置２８と同様であってもよい。

［６．２ 動作及び作用効果］
複数の輻射部材７は、輻射部材７の積層数が多いほど、タンク２８１及び捕集部２８２並びにヒータ２８３からの熱輻射による放熱を抑制し得る。
断熱部材８は、複数の輻射部材７同士の熱の移動を抑制し得る。断熱部材８が複数の輻射部材７とケース２８７との間隔にも配置される場合、当該断熱部材８は、複数の輻射部材７からケース２８７への熱の移動を抑制し得る。
このため、第３実施形態のターゲット回収装置２８は、第１実施形態のターゲット回収装置２８よりも、タンク２８１及び捕集部２８２並びにヒータ２８３からの熱輻射による放熱を抑制し得る。
それにより、第３実施形態のターゲット回収装置２８は、第１実施形態のターゲット回収装置２８よりも、ヒータ２８３の出力を抑制しつつ、タンク２８１及び捕集部２８２の温度をターゲット２７の融点以上の温度で略均一に保ち得る。
その結果、第３実施形態のターゲット回収装置２８は、第１実施形態のターゲット回収装置２８よりも、ヒータ２８３の出力を抑制しつつ、ターゲット２７がタンク２８１及び捕集部２８２の壁に固着することを抑制し得る。

［７．第４実施形態］
［７．１ 構成］
図７を用いて、第４実施形態のターゲット収容装置について説明する。具体的には、第４実施形態のターゲット収容装置の一例として、第４実施形態のターゲット回収装置２８について説明する。
図７は、第４実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置２８を説明するための図を示す。
第４実施形態のターゲット回収装置２８は、第１実施形態のターゲット回収装置２８に対して、レシーバ２８０が追加された構成を備えてもよい。

レシーバ２８０は、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を衝突させて受ける部材であってもよい。
レシーバ２８０は、繊維状部材を用いて構成された弾性体であってもよい。
レシーバ２８０は、ターゲット２７と反応し難い材料を用いて形成されてもよい。
レシーバ２８０は、溶融したターゲット２７に濡れ難い材料を用いて形成されてもよい。レシーバ２８０は、溶融したターゲット２７との接触角が９０°以上１８０°以下となる材料を用いて形成されてもよい。
レシーバ２８０は、ターゲット２７の融点以上の温度に対して耐熱性を有する材料を用いて形成されてもよい。
ターゲット２７がスズである場合、レシーバ２８０は、炭素繊維及びタングステン細線の少なくとも１つを束ねることによって構成されてもよい。

レシーバ２８０は、ターゲット軌道Ｆに交差する位置に配置されてもよい。
レシーバ２８０は、ターゲット軌道Ｆに対して傾斜するように配置されてもよい。レシーバ２８０は、ターゲット軌道Ｆに対する傾斜角度が９０°以外の角度となるように配置されてもよい。
レシーバ２８０は、タンク２８１及び捕集部２８２の少なくとも１つの内部に配置されてもよい。
レシーバ２８０の一方の端部は、支持部材２８０ａを介して傾斜部２８１ａに支持された固定端であってもよい。レシーバ２８０の他方の端部は、自由端であってもよい。
レシーバ２８０は、タンク２８１又は捕集部２８２を介して、ヒータ２８３によって間接的に加熱されてもよい。或いは、レシーバ２８０は、不図示のヒータによって直接加熱されてもよい。レシーバ２８０は、ターゲット２７の融点以上の温度に加熱されてもよい。

第４実施形態のターゲット回収装置２８の他の構成については、第１実施形態のターゲット回収装置２８と同様であってもよい。

［７．２ 動作及び作用効果］
レシーバ２８０は、繊維状部材の弾性体であるため、ターゲット２７が衝突すると、たわむように変形し、衝突したターゲット２７の運動エネルギを低減させ得る。
運動エネルギが低減されたターゲット２７は、レシーバ２８０を貫通し、傾斜部２８１ａを伝って流れ落ち、タンク２８１内に収容され得る。
すなわち、ターゲット２７は、レシーバ２８０によって運動エネルギが低減されるため、傾斜部２８１ａに衝突する際に飛沫となって飛散することを抑制されて、タンク２８１内に収容され得る。
仮に、レシーバ２８０を貫通したターゲット２７が傾斜部２８１ａに衝突する際に飛沫となって飛散しても、飛散したターゲット２７は、繊維状部材の弾性体であるレシーバ２８０に付着して捕集され得る。
捕集されたターゲット２７は、レシーバ２８０がターゲット２７の融点以上に加熱されていることから、レシーバ２８０に固着せずにレシーバ２８０を伝って流れ落ち、タンク２８１内に収容され得る。
それにより、第４実施形態のターゲット回収装置２８は、第１実施形態のターゲット回収装置２８よりも、ターゲット２７がタンク２８１及び捕集部２８２の壁に固着することを抑制し得る。
加えて、第４実施形態のターゲット回収装置２８は、輻射部材７を備えているため、ヒータ２８３の出力を高くしなくとも、レシーバ２８０の温度をターゲット２７の融点以上の温度で略均一に保ち得る。
その結果、第４実施形態のターゲット回収装置２８は、ヒータ２８３の出力を抑制しつつ、ターゲット２７がタンク２８１及び捕集部２８２の壁に固着することを抑制し得る。

［８．第５実施形態］
図８を用いて、第５実施形態のターゲット収容装置について説明する。具体的には、第５実施形態のターゲット収容装置の一例として、第５実施形態のターゲット回収装置２８について説明する。
ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出する方向を、水平方向に対して傾斜させてもよい。このため、略円筒形状のチャンバ２は、その中心軸方向が水平方向に対して傾斜するように設けられてもよい。
チャンバ２の側面部に設けられたターゲット供給装置２６は、ターゲット軌道Ｆが重力方向に対して傾斜するようターゲット２７を出力してもよい。
第５実施形態に係るターゲット回収装置２８は、重力方向に対して傾斜したターゲット軌道Ｆの延長線上に配置されてもよい。
第５実施形態のターゲット回収装置２８の構成において、第４実施形態のターゲット回収装置２８と同様の構成については説明を省略する。

［８．１ 構成］
図８は、第５実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット回収装置２８を説明するための図を示す。図８では、図３に示された、温度センサ２８５及びＥＵＶ光生成制御部５の図示が省略されている。
第５実施形態のターゲット回収装置２８は、チャンバ２の外部に配置されてもよい。
第５実施形態のターゲット回収装置２８は、タンク２８１が、捕集部２８２に対して着脱自在に形成されてもよい。
第５実施形態のターゲット回収装置２８は、ヒータ２８３が、タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれを独立して加熱してもよい。
第５実施形態のターゲット回収装置２８は、タンク２８１と、捕集部２８２と、ヒータ２８３と、ヒータ電源２８４と、温度センサ２８５と、温度制御部２８６と、ケース２８７と、輻射部材７と、レシーバ２８０とを備えてもよい。

第５実施形態に係る捕集部２８２は、重力方向に対して傾斜したターゲット軌道Ｆに沿って延びる筒状に形成されてもよい。
捕集部２８２の中心軸は、重力方向に対して傾斜したターゲット軌道Ｆと略一致してもよい。
捕集部２８２のプラズマ生成領域２５側の端部は、チャンバ２の壁２ａの外表面に接続されてもよい。捕集部２８２のプラズマ生成領域２５側の端部に形成された開口部２８２ａは、ターゲット軌道Ｆと交差する壁２ａに形成された貫通孔２ｂに連通してもよい。
捕集部２８２のタンク２８１側の端部は、タンク２８１と分離していてもよい。

捕集部２８２のタンク２８１側の端部には、開口部２８２ｂが形成されてもよい。
開口部２８２ａは、レシーバ２８０に衝突したターゲット２７をタンク２８１に向けて通過させる出口であってもよい。開口部２８２ｂは、捕集部２８２内に配置されたレシーバ２８０を基準とする重力方向の延長線上に形成されてもよい。開口部２８２ｂは、レシーバ２８０の直下に形成されてもよい。開口部２８２ｂは、タンク２８１に向かって開口するように形成されてもよい。開口部２８２ｂは、重力方向に向かって開口するように形成されてもよい。開口部２８２ｂは、タンク２８１の捕集部２８２側の端部に形成された開口部２８１ｂに連通してもよい。

捕集部２８２の開口部２８２ｂの周縁には、連通路２８２ｃが形成されてもよい。連通路２８２ｃは、開口部２８２ｂの周縁からタンク２８１の開口部２８１ｂに向かって延びるように形成されてもよい。連通路２８２ｃは、重力方向に向かって延びるように形成されてもよい。
第５実施形態に係る捕集部２８２の他の構成については、第４実施形態に係る捕集部２８２と同様であってもよい。

第５実施形態に係るタンク２８１は、重力方向に沿って延びる筒状に形成された容器であってもよい。
タンク２８１は、傾斜部２８１ａを含まなくてもよい。
タンク２８１の捕集部２８２側の端部は、捕集部２８２と分離していてもよい。
タンク２８１の捕集部２８２側の端部には、開口部２８１ｂが形成されてもよい。
開口部２８１ｂは、捕集部２８２を通過したターゲット２７をタンク２８１内に進入させる入口であってもよい。開口部２８１ｂは、捕集部２８２内に配置されたレシーバ２８０を基準とする重力方向の延長線上に形成されてもよい。開口部２８１ｂは、捕集部２８２に向かって開口するように形成されてもよい。開口部２８１ｂは、重力方向の反対方向に向かって開口するように形成されてもよい。開口部２８１ｂは、捕集部２８２のタンク２８１側の端部に形成された開口部２８２ｂに連通してもよい。

タンク２８１の開口部２８１ｂの周縁には、連通路２８１ｃが形成されてもよい。連通路２８１ｃは、開口部２８１ｂの周縁から捕集部２８２の開口部２８２ｂに向かって延びるように形成されてもよい。連通路２８１ｃは、重力方向の反対方向に向かって延びるように形成されてもよい。
連通路２８１ｃは、捕集部２８２の連通路２８２ｃと嵌合する形状に形成されてもよい。連通路２８１ｃの内径は、図８に示されるように、捕集部２８２の連通路２８２ｃの外径よりも大きくてもよい。或いは、図示していないが、連通路２８１ｃの外径は、捕集部２８２の連通路２８２ｃの内径よりも小さくてもよい。
第５実施形態に係るタンク２８１の他の構成については、第４実施形態に係るタンク２８１と同様であってもよい。

第５実施形態に係るヒータ２８３は、少なくとも第１ヒータ２８３１及び第２ヒータ２８３２から構成されてもよい。
第１ヒータ２８３１と第２ヒータ２８３２とは、互いに独立していてもよい。

第１ヒータ２８３１は、タンク２８１を加熱してもよい。
第１ヒータ２８３１は、タンク２８１に接続されてもよい。第１ヒータ２８３１は、タンク２８１の外表面を覆うように配置されてもよい。
第１ヒータ２８３１は、第１ヒータ電源２８４１に接続されてもよい。

第２ヒータ２８３２は、捕集部２８２を加熱してもよい。
第２ヒータ２８３２は、捕集部２８２に接続されてもよい。第２ヒータ２８３２は、捕集部２８２の外表面を覆うように配置されてもよい。
第２ヒータ２８３２は、第２ヒータ電源２８４２に接続されてもよい。
第５実施形態に係る第１ヒータ２８３１及び第２ヒータ２８３２の他の構成については、第４実施形態に係るヒータ２８３と同様であってもよい。

第５実施形態に係る温度センサ２８５は、図示が省略されているが、タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれに配置されてもよい。

第５実施形態に係るヒータ電源２８４は、少なくとも第１ヒータ電源２８４１及び第２ヒータ電源２８４２から構成されてもよい。
第１ヒータ電源２８４１と第２ヒータ電源２８４２とは、互いに独立していてもよい。

第１ヒータ電源２８４１は、第１ヒータ２８３１に電力を供給する電源であってもよい。
第１ヒータ電源２８４１の動作は、温度制御部２８６によって制御されてもよい。

第２ヒータ電源２８４２は、第２ヒータ２８３２に電力を供給する電源であってもよい。
第２ヒータ電源２８４２の動作は、温度制御部２８６によって制御されてもよい。
第５実施形態に係る第１ヒータ電源２８４１及び第２ヒータ電源２８４２の他の構成については、第４実施形態に係るヒータ電源２８４と同様であってもよい。

第５実施形態に係る温度制御部２８６は、第１ヒータ電源２８４１及び第２ヒータ電源２８４２のそれぞれの動作を独立して制御してもよい。
温度制御部２８６は、第１ヒータ電源２８４１及び第２ヒータ電源２８４２のそれぞれに接続されてもよい。
第５実施形態に係る温度制御部２８６の他の構成については、第４実施形態に係る温度制御部２８６と同様であってもよい。

第５実施形態に係るケース２８７は、少なくとも第１ケース２８７１及び第２ケース２８７２から構成されてもよい。
第１ケース２８７１及び第２ケース２８７２は、チャンバ２外に配置されてもよい。
第１ケース２８７１と第２ケース２８７２とは、互いに分離可能に構成されてもよい。

第２ケース２８７２は、第２ヒータ２８３２が接続された捕集部２８２及び第２輻射部材７２を収容してもよい。
第２ケース２８７２のプラズマ生成領域２５側の端部は、チャンバ２の壁２ａの外表面に接続されてもよい。
第２ケース２８７２のタンク２８１側の端部には、捕集部２８２の連通路２８２ｃの周囲にフランジ２８７２ａが形成されてもよい。

第１ケース２８７１は、第１ヒータ２８３１が接続されたタンク２８１及び第１輻射部材７１を収容してもよい。
第１ケース２８７１の捕集部２８２側の端部は、タンク２８１の連通路２８１ｃの周囲にフランジ２８７１ａが形成されてもよい。フランジ２８７１ａは、第２ケース２８７２のフランジ２８７２ａと、不図示のボルトを介して着脱自在に連結されてもよい。フランジ２８７１ａ及びフランジ２８７２ａは、気密的に接続可能に構成されてもよい。
第１ケース２８７１の捕集部２８２とは反対側の端部は、タンク２８１を支持してもよい。
第５実施形態に係る第１ケース２８７１及び第２ケース２８７２の他の構成については、第４実施形態に係るケース２８７と同様であってもよい。

第５実施形態に係る輻射部材７は、少なくとも第１輻射部材７１及び第２輻射部材７２から構成されてもよい。
第１輻射部材７１は、タンク２８１及び第１ヒータ２８３１からの熱輻射を反射する部材であってもよい。
第１輻射部材７１は、第１ヒータ２８３１が接続されたタンク２８１の少なくとも一部を覆うように配置されてもよい。第１輻射部材７１は、第１ヒータ２８３１が接続されたタンク２８１に対して、略平行に対向して配置されてもよい。第１輻射部材７１は、タンク２８１及び第１ヒータ２８３１のそれぞれと、間隔をあけて配置されてもよい。
第１輻射部材７１は、第１ヒータ２８３１が接続されたタンク２８１と、第１ケース２８７１との間に配置されてもよい。第１輻射部材７１は、熱伝導率の低い材料で形成された不図示の支持部材を介して第１ケース２８７１に保持されてもよい。

第１輻射部材７１の少なくともタンク２８１側の表面は、タンク２８１及び第１ヒータ２８３１からの熱輻射を反射し得るよう低い放射率を有するように形成されてもよい。この放射率は、例えば０．０１以上０．１以下であってもよい。
第１輻射部材７１は、それ自体が、０．０１以上０．１以下の放射率を有する材料で形成されてもよい。
或いは、第１輻射部材７１は、バルク状の板材の表面に対して、０．０１以上０．１以下の放射率を有する材料をコーティングすることによって形成されてもよい。
第１輻射部材７１の少なくともタンク２８１側の表面を形成する材料は、アルミニウム、タングステン、白金、金、銀、銅、黄銅及びニッケルのうちの少なくとも１つであってもよい。
第１輻射部材７１の少なくともタンク２８１側の表面は、光沢を有するような表面粗さに加工されてもよい。第１輻射部材７１の少なくともタンク２８１側の表面は、鏡面となる表面粗さに研磨加工されてもよい。
第１輻射部材７１の他の構成については、第４実施形態に係る輻射部材７と同様であってもよい。

第２輻射部材７２は、捕集部２８２及び第２ヒータ２８３２からの熱輻射を反射する部材であってもよい。
第２輻射部材７２は、第２ヒータ２８３２が接続された捕集部２８２の少なくとも一部を覆うように配置されてもよい。第２輻射部材７２は、第２ヒータ２８３２が接続された捕集部２８２に対して、略平行に対向して配置されてもよい。第２輻射部材７２は、捕集部２８２及び第２ヒータ２８３２のそれぞれと、間隔をあけて配置されてもよい。
第２輻射部材７２は、第２ヒータ２８３２が接続された捕集部２８２と、第２ケース２８７２との間に配置されてもよい。第２輻射部材７２は、熱伝導率の低い材料で形成された不図示の支持部材を介して第２ケース２８７２に保持されてもよい。

第２輻射部材７２の少なくとも捕集部２８２側の表面は、捕集部２８２及び第２ヒータ２８３２からの熱輻射を反射し得るよう低い放射率を有するように形成されてもよい。この放射率は、例えば０．０１以上０．１以下であってもよい。
第２輻射部材７２は、それ自体が、０．０１以上０．１以下の放射率を有する材料で形成されてもよい。
或いは、第２輻射部材７２は、バルク状の板材の表面に対して、０．０１以上０．１以下の放射率を有する材料をコーティングすることによって形成されてもよい。
第２輻射部材７２の少なくとも捕集部２８２側の表面を形成する材料は、アルミニウム、タングステン、白金、金、銀、銅、黄銅及びニッケルのうちの少なくとも１つであってもよい。
第２輻射部材７２の少なくとも捕集部２８２側の表面は、光沢を有するような表面粗さに加工されてもよい。第２輻射部材７２の少なくとも捕集部２８２側の表面は、鏡面となる表面粗さに研磨加工されてもよい。
第２輻射部材７２の他の構成については、第４実施形態に係る輻射部材７と同様であってもよい。

第５実施形態に係るレシーバ２８０は、捕集部２８２内に配置されてもよい。
レシーバ２８０の端部を支持する支持部材２８０ａは、捕集部２８２に固定されてもよい。
レシーバ２８０は、捕集部２８２を介して、第２ヒータ２８３２によって間接的に加熱されてもよい。或いは、レシーバ２８０は、不図示のヒータによって直接加熱されてもよい。レシーバ２８０は、ターゲット２７の融点以上の温度に加熱されてもよい。
第５実施形態に係るレシーバ２８０の他の構成については、第４実施形態に係るレシーバ２８０と同様であってもよい。

第５実施形態のターゲット回収装置２８の他の構成については、第４実施形態のターゲット回収装置２８と同様であってもよい。

［８．２ 動作］
第５実施形態のターゲット回収装置２８の動作について説明する。
第５実施形態のターゲット回収装置２８の動作において、比較例及び第４実施形態のターゲット回収装置２８の動作と同様の動作については、説明を省略する。

温度制御部２８６は、タンク２８１に接続された温度センサ２８５からの温度検出信号が示す検出値が目標温度に近付くよう、第１ヒータ電源２８４１から第１ヒータ２８３１に供給される電力を制御してもよい。
温度制御部２８６は、捕集部２８２に接続された温度センサ２８５からの温度検出信号が示す検出値が目標温度に近付くよう、第２ヒータ電源２８４２から第２ヒータ２８３２に供給される電力を制御してもよい。
ターゲット２７がスズである場合、タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれの目標温度は、例えば２４０℃〜４００℃の範囲内にある温度であってもよい。タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれの目標温度は、例えば３７０℃であってもよい。
この場合、タンク２８１及び捕集部２８２の温度は、ターゲット２７の融点以上の温度である略３７０℃に保たれ得る。レシーバ２８０の温度は、ターゲット２７の融点以上の温度である略２９０℃に保たれ得る。
タンク２８１及び捕集部２８２内のターゲット２７並びにレシーバ２８０に衝突したターゲット２７は、溶融状態であり得る。
なお、タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれの目標温度は、異なる温度であってもよい。

パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７は、チャンバ２の壁２ａに形成された貫通孔２ｂを通過し、開口部２８２ａから捕集部２８２内に進入し得る。捕集部２８２内に進入したターゲット２７は、レシーバ２８０に衝突し、運動エネルギが低減され得る。
運動エネルギが低減されたターゲット２７は、重力方向に向かって流れ落ち、開口部２８２ｂ及び連通路２８２ｃに進入し得る。この際、ターゲット２７は、レシーバ２８０を伝って流れ落ちるか、或いは、レシーバ２８０を貫通後に捕集部２８２の壁を伝って流れ落ち、開口部２８２ｂ及び連通路２８２ｃに進入し得る。
開口部２８２ｂ及び連通路２８２ｃに進入したターゲット２７は、開口部２８２ｂ、連通路２８２ｃ、連通路２８１ｃ及び開口部２８１ｂを順次通過し、タンク２８１内に収容され得る。

第５実施形態のターゲット回収装置２８の他の動作については、比較例及び第４実施形態のターゲット回収装置２８と同様であってもよい。

［８．３ 作用効果］
第５実施形態のターゲット回収装置２８は、タンク２８１及び捕集部２８２を互いに分離可能に形成し、タンク２８１を捕集部２８２に対して着脱自在に形成してもよい。
それにより、第５実施形態のターゲット回収装置２８は、タンク２８１のみを交換し得るため、メンテナンス時のダウンタイムを低減し、ターゲット回収装置２８の稼働時間を増加させ得る。
加えて、第５実施形態のターゲット回収装置２８は、タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれの形状を、タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれの機能に適合した形状に形成し得る。すなわち、第５実施形態のターゲット回収装置２８は、捕集部２８２の形状をレシーバ２８０の配置に必要な所望の容積となる形状に形成し得る。第５実施形態のターゲット回収装置２８は、タンク２８１の形状をターゲット２７の収容に必要な所望の容積となる形状に形成し得る。このことは、ターゲット軌道Ｆが重力方向に対して傾斜する場合に特に有効であり得る。

また、第５実施形態のターゲット回収装置２８は、タンク２８１及び捕集部２８２を互いに独立して加熱し得る。
それにより、第５実施形態のターゲット回収装置２８は、タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれを、タンク２８１及び捕集部２８２のそれぞれの機能に適合した温度に加熱し得る。
すなわち、第５実施形態のターゲット回収装置２８は、タンク２８１の温度がターゲット２７の溶融に必要な所望の温度となるよう、タンク２８１を加熱する第１ヒータ２８３１の出力を調整し得る。第５実施形態のターゲット回収装置２８は、捕集部２８２の温度だけでなく捕集部２８２内のレシーバ２８０の温度がターゲット２７の融点以上の温度になるよう、捕集部２８２を加熱する第２ヒータ２８３２の出力を調整し得る。
しかも、第５実施形態のターゲット回収装置２８は、第１輻射部材７１及び第２輻射部材７２を備えるため、第１ヒータ２８３１及び第２ヒータ２８３２の出力を抑制しつつ、タンク２８１及び捕集部２８２をターゲット２７の融点以上の温度で略均一に保ち得る。

また、第５実施形態のターゲット回収装置２８は、レシーバ２８０を備えているため、レシーバ２８０を備えていない場合よりも、ターゲット２７がタンク２８１及び捕集部２８２の壁に固着することを抑制し得る。

このようなことから、第５実施形態のターゲット回収装置２８は、ヒータ２８３の出力を抑制しつつ、ターゲット２７がタンク２８１及び捕集部２８２の壁に固着することを抑制し得る。

［９．第６実施形態］
図９を用いて、第６実施形態のターゲット収納装置について説明する。具体的には、第６実施形態のターゲット収容装置の一例として、第６実施形態のターゲット供給装置２６について説明する。
第６実施形態のターゲット供給装置２６は、比較例のターゲット供給装置２６に対して、輻射部材７が追加された構成を備えてもよい。
第６実施形態のターゲット供給装置２６の構成において、比較例のターゲット供給装置２６と同様の構成については説明を省略する。

［９．１ 構成］
図９は、第６実施形態のターゲット収容装置の一例であるターゲット供給装置２６を説明するための図を示す。
第６実施形態のターゲット供給装置２６は、いわゆるコンティニュアスジェット方式でターゲット２７を出力する装置であってもよい。
ターゲット供給装置２６は、チャンバ２の壁２ａを貫通するように取り付けられてもよい。
第６実施形態のターゲット供給装置２６は、タンク２６１と、ノズル２６２と、ヒータ２６３と、フィードスルー２６４ａ及び２６４ｂと、圧力調節器２６５と、ピエゾ素子２６６と、カバー２６７と、輻射部材７とを備えてもよい。

タンク２６１は、チャンバ２内に出力されるターゲット２７を収容する容器であってもよい。タンク２６１は、ターゲット２７を溶融状態で内部に収容してもよい。
タンク２６１は、ターゲット２７と反応し難い材料で形成されてもよい。
タンク２６１は、溶融したターゲット２７に濡れ難い材料で形成されてもよい。タンク２６１は、溶融したターゲット２７との接触角が９０°以上１８０°以下となる材料を用いて形成されてもよい。
タンク２６１は、ターゲット２７の融点以上の温度に対して耐熱性を有する材料を用いて形成されてもよい。
ターゲット２７がスズである場合、タンク２６１は、例えばモリブデン又は石英を用いて形成されてもよい。
タンク２６１は、中空の筒形状に形成されてもよい。
タンク２６１は、ターゲット軌道Ｆに沿って延びるように形成されてもよい。タンク２６１は、その中心軸がターゲット軌道Ｆと略一致するように配置されてもよい。
タンク２６１は、チャンバ２の壁２ａを貫通するように配置されてもよい。タンク２６１は、チャンバ２の壁２ａに気密的に接続されてもよい。

ノズル２６２は、タンク２６１内に収容されたターゲット２７をチャンバ２内に出力するための部材であってもよい。
ノズル２６２は、ターゲット２７と反応し難い材料で形成されてもよい。
ノズル２６２は、溶融したターゲット２７に濡れ難い材料で形成されてもよい。ノズル２６２は、溶融したターゲット２７との接触角が９０°以上１８０°以下となる材料を用いて形成されてもよい。
ノズル２６２は、ターゲット２７の融点以上の温度に対して耐熱性を有する材料を用いて形成されてもよい。
ターゲット２７がスズである場合、ノズル２６２は、例えばモリブデン又は石英を用いて形成されてもよい。
ノズル２６２は、タンク２６１に接続されてもよい。ノズル２６２は、タンク２６１のプラズマ生成領域２５側の端部であるネック部２６１ａの先端に接続されてもよい。
ノズル２６２は、板状に形成されてもよい。
ノズル２６２の中央には、ノズル孔２６２ａが形成されてもよい。ノズル孔２６２ａは、ノズル２６２を貫通するように形成されてもよい。ノズル孔２６２ａは、その中心軸がターゲット軌道Ｆと略一致するように形成されてもよい。
ノズル２６２のノズル孔２６２ａの周縁部分は、プラズマ生成領域２５に向かって突出するように形成されてもよい。ノズル孔２６２ａ及びその周縁部分は、溶融したターゲット２７をチャンバ２内へジェット状に噴出するような形状に形成されてもよい。

ヒータ２６３は、タンク２６１及びノズル２６２を加熱してもよい。
ヒータ２６３は、タンク２６１に接続されてもよい。ヒータ２６３は、タンク２６１の外表面を覆うように配置されてもよい。
ヒータ２６３は、フィードスルー２６４ａを介して不図示のヒータ電源に接続されてもよい。ヒータ２６３は、ヒータ電源からの電力供給によってタンク２６１を加熱してもよい。ヒータ電源の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

圧力調節器２６５は、タンク２６１内のターゲット２７に加わる圧力を調節してもよい。
圧力調節器２６５は、タンク２６１内に連結されてもよい。
圧力調節器２６５は、不図示のガスボンベに連結されてもよい。ガスボンベには、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されてもよい。圧力調節器２６５は、ガスボンベに充填された不活性ガスを、タンク２６１内に給気してもよい。
圧力調節器２６５は、不図示の排気口を備えてもよい。圧力調節器２６５は、排気口からタンク２６１内のガスを排気してもよい。
圧力調節器２６５は、タンク２６１内にガスを給気し又はタンク２６１内のガスを排気することによって、タンク２６１内のターゲット２７に加わる圧力を調節してもよい。圧力調節器２６５の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

ピエゾ素子２６６は、タンク２６１のネック部２６１ａに振動を与えてもよい。
ピエゾ素子２６６は、略円筒形状のネック部２６１ａの外側側面部に固定されてもよい。
ピエゾ素子２６６は、フィードスルー２６４ｂを介して不図示のピエゾ電源に接続されてもよい。ピエゾ素子２６６は、ピエゾ電源からの電力供給によって振動してもよい。ピエゾ電源の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

カバー２６７は、ヒータ２６３が接続されたタンク２６１及びノズル２６２並びに輻射部材７を覆う部材であってもよい。カバー２６７は、プラズマ生成に伴う圧力変動から、タンク２６１及びノズル２６２を遮蔽する部材であってもよい。
カバー２６７は、チャンバ２の壁２ａに接続されてもよい。
カバー２６７は、ターゲット軌道Ｆ上であって、ノズル２６２とプラズマ生成領域２５との間に配置されてもよい。
カバー２６７の中央には、貫通孔２６７ａが形成されてもよい。貫通孔２６７ａは、ノズル２６２から出力されたターゲット２７を通過させる孔であってもよい。貫通孔２６７ａは、カバー２６７のターゲット軌道Ｆと交差する位置に形成されてもよい。

タンク２６１、ノズル２６２及びカバー２６７並びにチャンバ２は、それらの内部が互いに連通してもよい。

第６実施形態に係る輻射部材７は、タンク２６１及びノズル２６２並びにヒータ２６３からの熱輻射を反射する部材であってもよい。
輻射部材７は、板状に形成されてもよい。
輻射部材７は、ヒータ２６３及びピエゾ素子２６６が接続されたタンク２６１の少なくとも一部を覆うように配置されてもよい。輻射部材７は、ノズル２６２の少なくとも一部を覆うように配置されてもよい。輻射部材７は、タンク２６１及びノズル２６２並びにヒータ２６３及びピエゾ素子２６６のそれぞれと、間隔をあけて配置されてもよい。
輻射部材７は、ヒータ２６３及びピエゾ素子２６６が接続されたタンク２６１及びノズル２６２と、壁２ａ及びカバー２６７との間に配置されてもよい。輻射部材７は、熱伝導率の低い材料で形成された不図示の支持部材を介して壁２ａに保持されてもよい。
輻射部材７の中央には、貫通孔７ａが形成されてもよい。貫通孔７ａは、ノズル２６２から出力され貫通孔２６７ａを通過したターゲット２７を通過させる孔であってもよい。貫通孔７ａは、輻射部材７のターゲット軌道Ｆと交差する位置に形成されてもよい。

輻射部材７の少なくともタンク２６１側の表面は、タンク２６１及びノズル２６２並びにヒータ２６３からの熱輻射を反射し得るよう低い放射率を有するように形成されてもよい。この放射率は、例えば０．０１以上０．１以下であってもよい。
輻射部材７は、それ自体が、０．０１以上０．１以下の放射率を有する材料で形成されてもよい。
或いは、輻射部材７は、バルク状の板材の表面に対して、０．０１以上０．１以下の放射率を有する材料をコーティングすることによって形成されてもよい。輻射部材７をコーティングする方法は、めっき、溶射及び蒸着の少なくとも１つであってもよい。
輻射部材７の少なくともタンク２６１側の表面を形成する材料は、アルミニウム、タングステン、白金、金、銀、銅、黄銅及びニッケルのうちの少なくとも１つであってもよい。
輻射部材７の少なくともタンク２６１側の表面は、光沢を有するような表面粗さに加工されてもよい。輻射部材７の少なくともタンク２６１側の表面は、鏡面となる表面粗さに研磨加工されてもよい。

なお、第６実施形態では、ヒータ２６３が接続されたタンク２６１及びノズル２６２並びに輻射部材７は、図９に示されるように、チャンバ２の壁２ａの一部及びカバー２６７によって形成された空間内に配置されてもよい。
この空間を形成するチャンバ２の壁２ａの一部及びカバー２６７は、ヒータ２６３が接続されたタンク２６１及びノズル２６２並びに輻射部材７を収容するケースを構成し得る。
すなわち、図９の例では、ヒータ２６３が接続されたタンク２６１及びノズル２６２並びに輻射部材７が収容されるケースは、チャンバ２の壁２ａの一部及びカバー２６７によって構成されてもよい。
しかしながら、第６実施形態のターゲット供給装置２６では、ヒータ２６３が接続されたタンク２６１及びノズル２６２並びに輻射部材７を収容するケースが、チャンバ２の壁２ａとは別の部材として設けられてもよい。
この場合、ヒータ２６３が接続されたタンク２６１及びノズル２６２並びに輻射部材７を収容するケースは、図９に示された上述のチャンバ２の壁２ａの一部及びカバー２６７と同様の形状に形成されてもよい。そして、このケースは、チャンバ２の壁２ａに接続されると共に、ターゲット軌道Ｆと交差する位置にターゲット２７を通過させる貫通孔が形成されてもよい。そして、このケースは、プラズマ生成領域２５から放射されたＥＵＶ光２５１から、タンク２６１及びノズル２６２を遮蔽してもよい。

［９．２ 動作］
第６実施形態のターゲット供給装置２６の動作について説明する。
ＥＵＶ光生成制御部５は、タンク２６１及びノズル２６２の温度が目標温度に近付くよう、ヒータ２６３に電力を供給するヒータ電源の動作を制御してもよい。
タンク２６１及びノズル２６２の目標温度は、ターゲット２７の融点以上の温度であって、タンク２６１及びノズル２６２内のターゲット２７が溶融状態となる温度であってもよい。

このとき、輻射部材７は、タンク２６１及びノズル２６２並びにヒータ２６３からの熱輻射を、タンク２６１及びノズル２６２に向けて反射し得る。輻射部材７は、タンク２６１及びノズル２６２並びにヒータ２６３から熱輻射によってチャンバ２の壁２ａ側に放出されていた熱を、タンク２６１及びノズル２６２に加え得る。言い換えると、輻射部材７は、タンク２６１及びノズル２６２並びにヒータ２６３からの熱輻射による放熱を抑制し得る。
すなわち、タンク２６１及びノズル２６２は、ヒータ２６３から遠い部分が、ヒータ２６３からの熱伝導だけでなく、輻射部材７が反射した熱輻射によっても加熱され得る。このため、タンク２６１及びノズル２６２において、ヒータ２６３に近い部分とヒータ２６３から遠い部分との温度差は、輻射部材７がない場合よりも格段に小さくなり得る。

一方、ＥＵＶ光生成制御部５は、タンク２６１内のターゲット２７に加わる圧力が目標圧力になるよう、圧力調節器２６５の動作を制御してもよい。
ターゲット２７に加わる圧力の目標圧力は、タンク２６１内のターゲット２７がノズル孔２６２ａから所定速度でジェット状に噴出するような圧力であってもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ピエゾ素子２６６が所定波形でタンク２６１のネック部２６１ａに振動を与えるよう、ピエゾ素子２６６に電力を供給するピエゾ電源の動作を制御してもよい。
所定波形は、ドロップレットが所定周波数で生成されるような波形であってもよい。

ピエゾ素子２６６は、ピエゾ電源から供給される所定波形の電力に応じて、所定波形でネック部２６１ａに振動を与え得る。ネック部２６１ａに接続されたノズル２６２も、所定波形で振動し得る。それにより、ノズル孔２６２ａから噴出したジェット状のターゲット２７には定在波が与えられ、ジェット状のターゲット２７は周期的に分離され得る。分離されたターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレットを形成し得る。その結果、所定周波数でドロップレットが形成され、チャンバ２内へ出力され得る。
ドロップレットとして出力されたターゲット２７は、ターゲット軌道Ｆ上を進行し、輻射部材７の貫通孔７ａ及びカバー２６７の貫通孔２６７ａを通過し得る。貫通孔２６７ａを通過したターゲット２７は、ターゲット軌道Ｆ上を進行し、プラズマ生成領域２５に到達し得る。

［９．３ 作用効果］
第６実施形態に係るターゲット供給装置２６は、輻射部材７を備えることにより、ヒータ２６３の出力を抑制しつつ、タンク２６１及びノズル２６２の温度をターゲット２７の融点以上の温度で略均一に保ち得る。
その結果、第６実施形態のターゲット供給装置２６は、ヒータ２６３の出力を抑制しつつ、ターゲット２７がタンク２６１及びノズル２６２の壁に固着することを抑制し得る。

［１０．その他］
［１０．１ 各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図１０は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図１０の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図１０におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、温度制御部２８６及びＥＵＶ光生成制御部５等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、レーザ光進行方向制御部３４、ヒータ２６３、圧力調節器２６５、ヒータ２８３、第１ヒータ２８３１、第２ヒータ２８３２、ヒータ電源２８４、第１ヒータ電源２８４１、第２ヒータ電源２８４２及びピエゾ電源等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、ターゲットセンサ４、温度センサ２８５等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウェア環境１００は、本開示における温度制御部２８６及びＥＵＶ光生成制御部５等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、温度制御部２８６及びＥＵＶ光生成制御部５等は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

［１０．２ その他の変形例等］
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

例えば、第２実施形態係る輻射部材７は、第４実施形態に係る輻射部材７に適用されてもよい。
第２実施形態係る輻射部材７は、第５実施形態に係る第１輻射部材７１及び第２輻射部材７２のそれぞれに適用されてもよい。この場合、第５実施形態に係る第１輻射部材７１及び第２輻射部材７２は、第１ケース２８７１及び第２ケース２８７２のそれぞれの内表面上に形成されてもよい。
第２実施形態に係る輻射部材７は、第６実施形態に係る輻射部材７に適用されてもよい。この場合、第６実施形態に係る輻射部材７は、ヒータ２６３が接続されたタンク２６１及びノズル２６２並びに輻射部材７を収容するチャンバ２の壁２ａの一部及びカバー２６７のそれぞれの内表面上に形成されてもよい。

第３実施形態係る輻射部材７は、第４実施形態に係る輻射部材７に適用されてもよい。この場合、第４実施形態に係る複数の輻射部材７同士の間隔には、断熱部材８が配置されてもよい。
第３実施形態係る輻射部材７は、第５実施形態に係る第１輻射部材７１及び第２輻射部材７２のそれぞれに適用されてもよい。この場合、第５実施形態に係る複数の第１輻射部材７１同士の間隔には、断熱部材８が配置されてもよい。第５実施形態に係る複数の第２輻射部材７２同士の間隔には、断熱部材８が配置されてもよい。
第３実施形態係る輻射部材７は、第６実施形態に係る輻射部材７に適用されてもよい。この場合、第６実施形態に係る複数の輻射部材７同士の間隔には、断熱部材８が配置されてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ …ＥＵＶ光生成装置
１１ …ＥＵＶ光生成システム
２ …チャンバ
２ａ …壁
２ｂ …貫通孔
２１ …ウインドウ
２２ …レーザ光集光ミラー
２３ …ＥＵＶ集光ミラー
２４ …貫通孔
２５ …プラズマ生成領域
２５１ …ＥＵＶ光
２５２ …ＥＵＶ光
２６ …ターゲット供給装置
２６１ …タンク
２６１ａ …ネック部
２６２ …ノズル
２６２ａ …ノズル孔
２６３ …ヒータ
２６４ａ …フィードスルー
２６４ｂ …フィードスルー
２６５ …圧力調節器
２６６ …ピエゾ素子
２６７ …カバー
２６７ａ …貫通孔
２７ …ターゲット
２８ …ターゲット回収装置
２８０ …レシーバ
２８０ａ …支持部材
２８１ …タンク
２８１ａ …傾斜部
２８１ｂ …開口部
２８１ｃ …連通路
２８２ …捕集部
２８２ａ …開口部
２８２ｂ …開口部
２８２ｃ …連通路
２８３ …ヒータ
２８３１ …第１ヒータ
２８３２ …第２ヒータ
２８４ …ヒータ電源
２８４１ …第１ヒータ電源
２８４２ …第２ヒータ電源
２８５ …温度センサ
２８６ …温度制御部
２８７ …ケース
２８７ａ …開口部
２８７１ …第１ケース
２８７１ａ …フランジ
２８７２ …第２ケース
２８７２ａ …フランジ
２９ …接続部
２９１ …壁
２９２ …中間集光点
２９３ …アパーチャ
３ …レーザ装置
３１ …パルスレーザ光
３２ …パルスレーザ光
３３ …パルスレーザ光
３４ …レーザ光進行方向制御部
４ …ターゲットセンサ
５ …ＥＵＶ光生成制御部
６ …露光装置
７ …輻射部材
７ａ …貫通孔
７１ …第１輻射部材
７２ …第２輻射部材
８ …断熱部材
１００ …ハードウェア環境
１０００ …処理ユニット
１００１ …ＣＰＵ
１００２ …メモリ
１００３ …タイマ
１００４ …ＧＰＵ
１００５ …ストレージユニット
１０１０ …ユーザインターフェイス
１０２０ …パラレルＩ／Ｏコントローラ
１０３０ …シリアルＩ／Ｏコントローラ
１０４０ …Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ

Claims (9)

1. ターゲット受け部と、
   レーザ光が照射されると極端紫外光を生成するターゲットを収容するタンクと、
   前記タンクに接続され前記タンクを加熱するヒータと、
   前記ヒータが接続された前記タンクの少なくとも一部を覆うように配置された輻射部材とを備え、
   前記ターゲット受け部は、前記レーザ光が照射されなかったターゲットを衝突させて受ける傾斜部を備え、
   前記タンクは、前記傾斜部によって受けた前記ターゲットを収容し、
   前記輻射部材は、前記タンク及び前記ヒータからの熱輻射を前記タンク及び前記傾斜部に向けて反射する
   ターゲット収容装置。
2. ターゲット受け部と、
   レーザ光が照射されると極端紫外光を生成するターゲットを収容するタンクと、
   前記タンクに接続され前記タンクを加熱するヒータと、
   前記ヒータが接続された前記タンクの少なくとも一部を覆うように配置された輻射部材とを備え、
   前記ターゲット受け部は、前記ターゲットの軌道に交差する位置に配置され、又は前記ターゲットの軌道に対して傾斜して配置され、前記レーザ光が照射されなかった前記ターゲットを衝突させて受けるレシーバを備え、
   前記タンクは、前記レシーバによって受けた前記ターゲットを収容し、
   前記輻射部材は、前記タンク及び前記ヒータからの熱輻射を前記タンク及び前記レシーバに向けて反射する
   ターゲット収容装置。
3. 前記傾斜部は、前記ターゲットの軌道に対して傾斜して配置される
   請求項１に記載のターゲット収容装置。
4. 前記傾斜部は、溶融した前記ターゲットとの接触角が９０°以上１８０°以下となる材料を用いて形成されている
   請求項１に記載のターゲット収容装置。
5. レーザ光が照射されると極端紫外光を生成するターゲットであって、スズ、テルビウム及びガドリニウムの少なくとも１つの金属材料を含み、溶融されたターゲットを収容するタンクと、
   前記タンクに接続され前記タンクを加熱するヒータと、
   前記ヒータが接続された前記タンクの少なくとも一部を覆うように配置され、前記タンク及び前記ヒータからの熱輻射を前記タンクに向けて反射する輻射部材であって、互いに間隔を開けて配置された複数の輻射部材と、
   前記複数の輻射部材の前記間隔に配置された断熱部材と、
   を備えるターゲット収容装置。
6. レーザ光が照射されると極端紫外光を生成するターゲットであって、スズ、テルビウム及びガドリニウムの少なくとも１つの金属材料を含み、溶融されたターゲットを収容するタンクと、
   ヒータと、
   輻射部材とを備え、
   前記極端紫外光が生成されるチャンバに接続され、前記チャンバ内に出力され前記レーザ光が照射されなかった前記ターゲットを収容可能なターゲット収容装置であって、
   前記タンクに接続され、前記レーザ光が照射されなかった前記ターゲットを捕集し前記タンクに導く捕集部を更に備え、
   前記タンクは、前記捕集部によって導かれた前記ターゲットを収容し、
   前記ヒータは、前記タンク及び前記捕集部のそれぞれに接続され、前記タンク及び前記捕集部のそれぞれを加熱し、
   前記輻射部材は、前記タンク及び前記捕集部のそれぞれの少なくとも一部を覆うように配置され、前記タンク及び前記捕集部並びに前記ヒータからの熱輻射を、前記タンク及び前記捕集部に向けて反射する
   ターゲット収容装置。
7. 前記チャンバ内に出力された前記ターゲットの軌道に対して傾斜して配置され、前記レーザ光が照射されなかった前記ターゲットを衝突させて受けるレシーバを更に備える
   請求項６に記載のターゲット収容装置。
8. 前記ターゲットの前記軌道は、重力方向に対して傾斜しており、
   前記捕集部は、前記ターゲットの前記軌道に沿って延びる筒状に形成され、
   前記レシーバは、前記捕集部内に配置され、
   前記タンクは、前記捕集部に対して着脱自在に形成され、
   前記ヒータは、前記タンク及び前記捕集部のそれぞれを独立して加熱する
   請求項７に記載のターゲット収容装置。
9. 前記レシーバは、溶融した前記ターゲットとの接触角が９０°以上１８０°以下となる材料を用いて形成された繊維状部材で構成されている
   請求項８に記載のターゲット収容装置。

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