TWI469690B - 用於微滴捕捉器以防止極紫外線產生腔室內回濺之系統、方法與裝置 - Google Patents

用於微滴捕捉器以防止極紫外線產生腔室內回濺之系統、方法與裝置 Download PDF

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Description

用於微滴捕捉器以防止極紫外線產生腔室內回濺之系統、方法與裝置 相關申請案之相互參考
本申請案主張建檔於2010年3月09日且標題為“用於微滴捕捉器以防止極紫外線產生器腔室內回濺之系統、方法與裝置”之美國實用專利申請第12/720190號案的優先權，並且同時也主張建檔於2009年4月9日且其標題為“極紫外線光輸出”之美國暫定專利申請第61/168033號案的優先權，其整體內容併入此處作為參考。本申請案同時也主張建檔於2009年4月9日且標題為“用於具有熱壁及冷收集器鏡之鐳射生成電漿極紫外線腔室的系統、方法與裝置”之美國暫定專利申請第61/168012號案的優先權，其整體內容亦併入此處作為參考。
本申請案同時也主張建檔於2009年4月9日且其標題為“用於微滴捕捉器以防止極紫外線產生腔室內回濺之系統、方法與裝置”之美國暫定專利申請第61/168000號案之優先權，其對於所有目的之整體內容亦併入此處作為參考。
發明領域
本發明係有關於用於微滴捕捉器以防止極紫外線產生器腔室內回濺之系統、方法與裝置。
 發明背景
本發明一般係有關雷射生成電漿極紫外線之系統、方法與裝置，並且尤其是，有關用於雷射生成電漿極紫外線系統中之微滴管理的系統、方法與裝置。
雷射生成電漿(LPP)極紫外線(EUV)系統藉由以雷射源照射一電漿靶材的微滴而產生電漿。該產生的電漿放射光以及一所需波長的，在這實例中，極紫外線(例如，較小於大約50奈米波長並且包含是在大約13.5奈米附近或較小之波長的光)。
遺憾地，照射電漿靶材之微滴可能導致來自該微滴形成之殘粒。該殘粒可能被沈積在收集器鏡上以及雷射生成電漿系統腔室之其他內部表面上。沈積之殘粒也可能降低極紫外線光輸出數量。
進一步地，一些靶材之微滴不被雷射源照射並且結果可能產生濺污及其他細微粒以及可能沈積在雷射生成電漿腔室內部表面上之殘粒。
鑑於上面之所述，需要提供在雷射生成電漿極紫外線腔室中之操作程序期間所產生的細微粒以及殘粒之較佳控制。
 發明概要
一般說來，本發明可藉由提供用以捕捉雷射生成電漿極紫外線系統中之未使用的微滴之一改進的接口系統及方法而滿足這些需求。應了解，本發明可以許多的方式被實施，包括作為一處理程序、一裝置、一系統或一設備。本發明許多的發明實施例將在下面被說明。
本發明一實施例提供一極紫外線光腔室，該極紫外線光腔室包括一收集器鏡、具有一對齊以沿著一靶材路徑而輸出多數個微滴的微滴出口之一微滴產生系統、以及一第一接口，該第一接口包括：一第一開口端，其大致地對齊於該靶材路徑；一關閉的第二端，該第二端是相對於該第一開口端，以及朝向該第一接口之一第二端的至少一個內部表面。該至少一個內部表面包括至少一個步階。
該第一接口同時也可包括大致地對齊於該靶材路徑之一中心軸。該第一接口同時也包括對該靶材路徑具有一選擇角度之一中心軸，該選擇角度是在大約1度以及大約30度之間。該第一接口同時也包括一個或多個緩衝板，該等多數個緩衝板各具有一第一端、一第二端、一第一表面以及相對該第一表面之一第二表面，該第一端附接至該第一接口內部表面，該第二表面對該第一接口內部表面形成一銳角。
該第一開口端具有一第一寬度且該第一接口在該至少一個步階處具有一第二寬度，該第二寬度是較大於該第一寬度。該第一接口同時也可包括具有大致地對齊於該靶材路徑之一中心軸的一第一部份以及對該靶材路徑形成大約1度以及大約45度之間的一角度之一第二部份。
該第一接口同時也可包括相對於該第一開口端的一第二端且進一步地包括接近於該第二端之一數量液體。接近於該第二端之該數量液體可以是被使用以形成該等多數個微滴之一液態靶材。接近於該第二端之該數量液體沿著該第一接口內部表面之至少一部份而延伸。接近於該第二端之該數量液體包括一液體幕狀物。該液體幕狀物可包括被使用以形成多數個微滴之一液態靶材。
該靶材路徑可以是大致地水平。該靶材路徑可以是大致地垂直。該靶材路徑可以是在大致地垂直以及大致地水平之間的任何角度。
該第一接口同時也可包括相對該第一開口端之一第二端以及接近於該第二端之一第一轉動圓柱。該第一轉動圓柱被置放以至於該靶材路徑是大致地正切於該第一轉動圓柱之一第一轉動表面。該第一轉動圓柱可被耦合至可驅動該第一轉動圓柱之一圓柱驅動裝置，以至於第一轉動圓柱之第一轉動表面具有大致地等於多數個微滴速率的一表面速率。極紫外線光腔室同時也可包括第二轉動圓柱，該第二轉動圓柱具有接觸該第一轉動圓柱之第一轉動表面的一第二轉動表面。
極紫外線光腔室可包括一第二接口，該第二接口具有大致地較大於該第一接口之一寬度，第二微滴回收通管圍繞著該第一接口。該第一接口可包括一出口。來自該第一接口之出口可包括一冷凝閥門。第一接口之第一開口端具有在大約20毫米以及100毫米之間的寬度。該腔室同時也可包括一溫度控制系統，該溫控系統用以將至少一些該等多數個靶材微滴冷卻至較低於該靶材之融化溫度的溫度。
本發明另一實施例提供一種產生一極紫外線光之方法，該方法包括下列步驟：自一極紫外線光腔室中之一微滴產生器輸出多數個微滴，該等微滴沿著一靶材路徑被輸出，將一光源聚焦在該等多數個微滴之選擇的一者上；照射該等微滴之該選擇的一者；將自該被照射的微滴所產生之電漿所放射之一極紫外線光收集在一收集器鏡中；將該收集的極紫外線光朝向該極紫外線腔室之一輸出聚焦；並且將在一第一接口中該等微滴之一組非選擇的微滴予以回收；其中該第一接口具有：一第一開口端，其大致地對齊於該靶材路徑；一關閉的第二端，該第二端是相對於該第一開口端；以及至少一個內部表面，其朝向該第一接口之一第二端。
該方法同時也可包括大致地消除來自該等非選擇的微滴之細微滴回濺。大致地消除該細微滴回濺之步驟可包括於下列情況之至少一者中捕捉細微滴：在該第一接口之一長度；在該第一接口中之一步階；在該接口中之多數個緩衝板；在該第一接口中之一數量的液體；或在該第一接口中之一移動表面。
大致地消除該細微滴回濺之步驟可包括將該等非選擇的微滴冷卻至較低於該靶材之融化溫度的溫度。將該等非選擇的微滴冷卻至較低於該靶材之融化溫度的溫度之步驟包括下列情況中之至少一者：引導一冷卻氣流朝向該等非選擇的微滴，或將該第一接口冷卻至較低於該靶材之融化溫度的溫度。
本發明另一實施例更提供一極紫外線光腔室，其包括：一收集器鏡以及覆蓋極紫外線光腔室至少一部份內部表面之多數個細微粒接口。
本發明另一實施例更提供一極紫外線光腔室，其包括一收集器鏡以及一靶材產生器系統，其中該靶材產生器系統被定向以沿著一靶材路徑放射靶材並且其中該靶材路徑對著一XY平面形成大約1度以及大約90度之間之一角度，其中該XY平面是正交於一Z軸並且其中該Z軸是用於自該收集器鏡所反射之一極紫外線光之一光路徑。
本發明其他論點以及優點將自下面的詳細說明、參考相關附圖、經由展示的本發明原理之範例而更明顯。
圖式簡單說明
本發明將配合下面相關附圖之詳細說明而容易地了解。
第1圖是依據揭示內容實施例之一雷射生成電漿極紫外線光源之分解圖。
第2A圖是依據揭示內容實施例之可被使用於此處所說明的一些或所有實施例中之簡化式靶材分配器構件的分解圖。
第2B和2C圖是依據揭示內容實施例在一極紫外線腔室中一些構件之更詳細的分解圖。
第2D圖是依據揭示內容實施例之第一接口的另一分解圖。
第2E圖是依據揭示內容實施例之第一接口的另一分解圖。
第3圖是依據揭示內容實施例展示在產生極紫外線中進行之操作方法的流程圖。
第4A-4D圖是依據揭示內容實施例之另外的第一接口之分解圖。
第4E圖是依據揭示內容實施例之另外的第一接口之分解圖。
第4F圖是依據揭示內容實施例展示藉由冷卻未使用的微滴以降低來自接口內部之回濺所進行的操作方法之流程圖。
第4G圖是依據揭示內容實施例之一另外的第一接口之分解圖。
第5和6圖是依據揭示內容實施例之另外的第一接口的分解圖。
第7圖是依據揭示內容實施例之一第一接口中液體幕狀物的分解圖。
第8和9圖是依據揭示內容實施例之一第一接口中一轉動圓柱之分解圖。
第10圖是依據揭示內容實施例之包括極紫外線腔室之一整合系統的方塊圖。
第11圖是依據揭示內容實施例之極紫外線腔室中靶材路徑的簡化分解圖。
第12A圖是依據揭示內容實施例的極紫外線腔室截面之簡化截面圖。
第12B和12C圖是依據揭示內容實施例之進一步的截面圖之詳細圖式。
 較佳實施例之詳細說明
接著將說明用以捕捉在一雷射生成電漿極紫外線系統中未使用的微滴之改進接口系統及方法的一些實施範例。熟習本技術者應明白，本發明可被實施而不需此處設定的一些或所有特定細節。
一雷射生成電漿技術涉及產生一靶材微滴流並且以光脈波，例如，零個、一個或多個前脈衝之後接著一主要脈波，照射一些或所有的微滴。更理論性說，雷射生成電漿光源藉由將光或雷射能量沉積進入具有至少一個極紫外線放射元素(例如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))的靶材中以產生具有幾十個電子伏特(eV)的電子溫度之一高度離子化電漿之方式而產生極紫外線發射。在這些離子的降激過程及再結合期間所產生的能量輻射在所有的方向自電漿被放射。
一接近於正交之入射鏡(“收集器鏡”)被置放在離該電漿一相對短的距離(例如，10-50公分)處，以收集、引導及該聚焦極紫外線光至一中間位置或焦點。在晶圓照相平版印刷製程中，該收集的極紫外線光接著可自該中間位置被轉送至一組光學掃描器並且最後至一目標，例如，一半導體晶圓。
該收集器鏡包括一精緻且相對昂貴之多層塗層以有效地反射極紫外線光。保持該收集器鏡表面相對地乾淨以及保護該表面使無不需要電漿產生的殘粒是極紫外線光源開發者面對之挑戰。
在一配置範例中，其是目前在中間位置以產生大約100W為目標所發展者，一脈動、聚焦的10-12kW二氧化碳驅動雷射(或其他適當的雷射，例如，一準分子雷射)是與一微滴產生器同步以連續地放射每秒大約10,000－200,000錫微滴。就相對長的時間週期之時序和位置上而論，這配置需要相對高的重覆率(例如，10-200千赫或更高)以產生穩定的微滴流並且以高精確度以及良好的重複性而將該等微滴傳送至一照射位置。
第1圖是依據所揭示內容的實施例之雷射-生成-電漿極紫外線光源20的分解圖。雷射生成電漿光源20包括用以產生一串列之光脈波且將該光脈波傳送進入一極紫外線腔室26中之一光脈波產生系統22。各光脈波23自光脈波產生系統22沿著一光束路徑行進並且進入極紫外線腔室26中以照射在照射區域28之一分別的目標微滴。
供第1圖所展示的光脈波產生系統22中所使用之適當的雷射，可包括脈衝雷射裝置，例如，一脈衝氣體放電二氧化碳雷射裝置，該脈衝氣體放電二氧化碳雷射裝置，例如，利用直流電或射頻激發，以相對高功率，例如，大約10千瓦或較高的以及高脈衝重覆率(例如，大約10千赫或更多)操作，而產生大約9.3微米或大約10.6微米之射線。在一特定實作例中，在該光脈波產生系統22中之雷射可以是一軸流式射頻泵送二氧化碳雷射，該軸流式射頻泵送二氧化碳雷射具有多數個放大級之一MOPA組態及具有一種子脈衝，其可藉由，例如，以100千赫操作之低能量以及高重覆率的一Q-切換式主震盪器(MO)被啟動。由於該主震盪器，雷射脈波接著可在抵達照射區域28之前被放大、成形、並且被聚焦。
連續泵送二氧化碳放大器可被使用於光脈波產生系統22中。例如，具有一個震盪器以及三個放大器(O－PA1－PA2－PA3組態)之適當的二氧化碳雷射裝置被揭示在2005年6月29日建檔之待決美國專利申請第11/174299號案中，其標題為“雷射生成電漿極紫外線光源驅動雷射系統”，其代理人號碼是2005-0044-01，其整體內容將配合此處作為參考。
另外地，光脈波產生系統22中之雷射可被組態如所謂的“自我標定”雷射系統，於其中該微滴被視為光學腔室之一鏡子。在一些“自我標定”配置中，一主震盪器可以不是必需的。自我標定雷射系統被揭示在2006年10月13日建檔且申請專利權之待決美國專利申請第11/580414號案中，其標題為“用於極紫外線光源之驅動雷射傳送系統”，其代理人號碼是2006-0025-01，其整體內容將配合此處作為參考。
依據本申請，其他型式的雷射同時也可適用於光脈波產生系統22中，例如，以高功率和高脈衝重覆率之準分子或分子氟雷射。其他範例包括：固態雷射，例如，具有纖維材質、棒狀或碟狀之作用媒體；MOPA組態準分子雷射系統，例如，於美國專利第6625191、6549551、及6567450號案之展示，其整體內容將配合此處作為參考。一準分子雷射具有一個或多個腔室，例如，一震盪器腔室以及一個或多個放大腔室(平行或串接的放大腔室)；一主震盪器/功率震盪器(MOPO)配置；一主震盪器功率環式放大器(MOPRA)配置；一功率震盪器/功率放大器(POPA)配置；或植入一個或多個準分子或分子氟放大器或震盪器腔室之一固態雷射，其他的設計也是可行的。
再次參看至第1圖，極紫外線光源20同時也可包括一靶材傳送系統24，例如，傳送一靶材之微滴進入腔室26內部之照射區域28，其中微滴102A、102B將與一個或多個光脈波23相互作用，例如，一個或多個前脈波以及隨後的一個或多個主脈波，以便最後產生電漿且產生一極紫外線34。靶材可包括，但是不必定受限於一種材料，例如，包括錫、鋰、氙等等或其結合。極紫外線放射元素，例如，錫、鋰、氙等等，可以是包括在液態微滴102A、102B之內的液態微滴及/或固態微粒形式。
作為範例，該錫元素可被使用，如純錫；如錫化合物，例如，四溴化錫(SnBr4 )、二溴化錫(SnBr2 )、四氫化錫(SnH4)；如錫合金，例如，錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金、或其結合。依據所使用之材料，靶材可以各種溫度被呈現至照射區域28，其包括室溫或接近室溫(例如，錫合金、四溴化錫)，或在一提高的溫度(例如，純錫)，或在室溫之下的溫度(例如，四氫化錫)，以及在一些情況中，可以是相對的易揮發者，例如，四溴化錫。更多關於雷射生成電漿極紫外線光源中的這些材料之使用的詳細說明被提供在2006年4月17日建檔之待決美國專利申請第11/406216號案中，其標題為，“用於極紫外線光源之供選擇的燃料”，代理人號碼是2006-0003-01，其內容配合此處作為參考。
進一步地參看至第1圖，極紫外線光源20包括一收集器鏡30。收集器鏡30是一接近正交入射角之收集器鏡，該鏡具有一扁長球體型之反射表面(亦即，對其主軸轉動之橢圓)。該實際形狀以及幾何形狀當然是可取決於腔室尺度和聚焦位置而改變。在一個或多個實施例中，收集器鏡30可包括依層次之多階層塗層。該層次之多階層塗層可包括鉬和矽之交錯層，並且在一些情況中，可包括一個或多個高溫擴散障壁層、平滑層、覆蓋層及/或蝕刻阻止層。
收集器鏡30同時也包括一孔口32。該孔口32允許利用光脈波產生系統22產生的光脈波23通過而至照射區域28。收集器鏡30可以是一扁長球體型鏡，該鏡具有在照射區域28之內或接近該照射區域的第一聚焦點以及在中間區域40的第二聚焦點。極紫外線光34自極紫外線光源20在或接近中間區域40處被輸出並且採用極紫外線光34被輸入至裝置42。作為範例，接收極紫外線光34之裝置42可以是一積體電路之平版印刷工具。
應了解，其他光學元件也可代替該扁長球體型鏡30被使用以供收集以及引導極紫外線光34至一中間位置而依序地利用極紫外線光傳送至一裝置。作為範例，該收集器鏡30可以是對其主軸轉動之拋物線狀體。另外地，收集器鏡30可被組態以將具有一環形截面的一光束傳送至中間位置40(例如，建檔於2006年8月16日之待決美國專利申請第11/505177號案，其標題為“極紫外線光鏡”，代理人號碼2006-0027-01，其內容將配合此處作為參考)。
極紫外線光源20同時也可包括一極紫外線控制器60。該極紫外線控制器60可包括一點燃控制系統65，以供觸發光脈波產生系統22中之一個或多個照射燈及/或雷射裝置以因而產生供傳送進入腔室26之光脈波23。
極紫外線光源20同時也可包括一微滴位置檢測系統，該系統包括一個或多個微滴成像裝置70。該微滴成像裝置70可使用CCD或其他成像技術及/或提供指示相對於照射區域28之一個或多個微滴102A、102B的位置及/或時序之輸出的背光頻閃觀測儀照明及/或光簾以捕捉影像。成像裝置70被耦合至並且輸出微滴位置以及時序資料至一微滴位置檢測回授系統62。微滴位置檢測回授系統62可計算一微滴位置以及軌道，因而可自其中計算一微滴誤差。該微滴誤差可依據一微滴之微滴基本成分或平均微滴資料被計算。該微滴位置誤差接著可被提供作為至極紫外線控制器60的輸入。該極紫外線控制器60可提供一位置、方向及/或時序修正信號至光脈波產生系統22以控制光源時序電路及/或控制光束位置以及成形系統以改變被傳送至照射區域28之腔室26中之光脈波軌道及/或聚焦功率或焦點。
極紫外線光源20同時也可包括一個或多個極紫外線度量衡儀器以供量測利用光源20所產生的極紫外線光之各種性質。這些性質可包括，例如，強度(例如，總強度或在一特定頻帶之內的強度)、頻帶、極化度、光束位置、指示等等。對於極紫外線光源20而言，該等儀器可被組態，以當下游工具(例如，晶圓製版技術光掃描器)是正連線被使用時，可操作，例如，使用一選截鏡以取樣一部份的極紫外線輸出，或取樣“未收集”的極紫外線光；及/或當下游工具(例如，晶圓製版技術光掃描器)是離線時，該等儀器亦可操作，例如，量測極紫外線光源20之整體的極紫外線輸出。
極紫外線光源20同時也可包括一微滴控制系統90，其可反應於來自極紫外線控制器60的一信號(在一些實作例中，其可包括上述之微滴誤差，或從該處導出的一些數量)，而操作，例如，用以修改來自一靶材分配器92之靶材的釋出點及/或修改微滴形成時序，以更正微滴102A、102B到達所需照射區域28的時間誤差及/或使微滴102A、102B的產生與光脈波產生系統22同步化。
第2A圖是依據所揭示內容實施例的一簡化式靶材分配器92之構件分解圖，該分配器92可被使用於此處說明的一些或所有上述實施例中。該靶材分配器92可包括保持靶材96之流體形式的一導管或貯存器94。流體靶材96可以是一液體，例如，在一壓力P之下的熔化金屬(例如，熔化的錫)。貯存器94可包括一洞孔98而允許該加壓的流體靶材96流經洞孔98以建立一連續的液流100。該連續液流100接著分成微滴102A、102B之液流。靶材分配器92可進一步地包括一子系統，該子系統具有可操作耦合至流體靶材96及/或洞孔98之一可電致動元件104以及驅動該可電致動元件104的信號產生器106以在流體中產生一擾流。
更多關於各種微滴分配器組態以及它們相對優點之詳細說明可被發現在建檔於2008年6月19日之待決美國專利申請第12/214736號案中，其標題為“用於雷射生成電漿極紫外線光源中之靶材傳送的系統與方法”，其代理人號碼是2006-0067-02；建檔於2007年7月13日之美國專利申請第11/827803號案中，其標題為“具有使用調變擾流波生成之微滴流的雷射生成電漿極紫外線光源”，其代理人號碼是2007-0030-01；建檔於2006年2月21日之待決美國專利申請第11/358988號案，其標題為“具有前脈衝之雷射生成電漿極紫外線光源”，其代理人號碼是2005-0085-01；建檔於2005年2月25日之待決美國專利申請第11/067124號案，其標題為“用於極紫外線電漿來源目標傳送之方法與裝置”，其代理人號碼是2004-0008-01；以及建檔於2005年9月29日之待決美國專利申請第11/174443號案，其標題為“雷射生成電漿極紫外線電漿來源材料目標傳送系統”，其代理人號碼是2005-0003-01；其整體內容將配合此處作為參考。
微滴102A、102B之直徑是在大約20和100微米之間。微滴102A、102B藉著將靶材96加壓經由洞孔98而被生成。藉由範例，在一實施例中洞孔98可具有較小於大約50微米之直徑。微滴102A、102B以大約每秒20至70米之速率被射出。由於微滴102A、102B之高速率，微滴維持在近乎直線的微滴路線209上並且不打擊在收集器鏡30上，而不論微滴流程是否以水平地、垂直地、或以一些其他的方向被生成。在一實施例中，不是所有藉由靶材分配器92以連續模式被生成的微滴102A、102B被使用於電漿產生中。如果極紫外線源藉由較少於100%之工務週期而工作，則一部份之微滴102c將通過照射區域28並且隨後被收集。如果未使用的微滴102c被允許打擊極紫外線源腔室的相對壁面，則它們將產生在廣泛的空間散佈區域上之大量快速移動的碎粒。這些碎粒231的主要部份將被沈積在極紫外線收集器鏡30以及診斷埠與裝置70上，因此影響它們的性能。
殘量之另一來源是照射區域28。當以強烈的光脈波照射微滴102A、102B時，微滴102A、102B在一側上被加熱因而產生快速之非對稱的材料膨脹以及極紫外線光射線230。如上所述地，極紫外線光射線230被收集在收集器鏡30中。因膨脹結果，當微滴102A、102B自靶材分配器92被輸出時，一主要數量的微滴材料以可與微滴102A、102B速率比較的速度在遠離光脈波23之方向被加速。這材料行進而遠離照射區域28，直至這材料打擊一些表面為止，在該點上，其可在各種方向被反射或被回濺。該回濺的靶材231可被沈積在收集器鏡30上。
第2B和2C圖是依據被揭示內容的實施例之在極紫外線腔室中的一些構件之更詳細的分解圖。如上所述地，靶材分配器92輸出微滴102A、102B之一液流，但不是所有的微滴被照射(亦即，被使用)以產生極紫外線34。作為範例，未使用的微滴102C不被進入的光脈波23所照射。
未使用的微滴102C在第一接口210中被捕捉，以便在極紫外線腔室26之內使未使用微滴的任何回濺最小化。回濺236可以是細微滴或液體微滴的形式。未使用的微滴102C打擊第一接口210之底部211。細微滴236可自該底部反射多次且離開第一接口210之壁面，並且一部份之細微滴222，如於第2C圖之展示，可跑回進入極紫外線腔室26中且一部份的細微滴231可沉積在各種表面上，例如，在收集器鏡30上。細微滴220以陰影方式被展示以展示一些被接口210所捕捉或被阻止的細微滴之回濺。
第一接口210可以是具有圓形、橢圓形、卵形、矩形、正方形，或任何其他適當的形狀之截面之一延伸的通管。如於第2C圖之展示，第一接口210包括朝向靶材分配器92方向的一開口端224。開口端224可以是大致地以微滴路線209為中心。第一接口210同時也包括一中心線223，將在下面更詳細地說明，該中心線223可以或不用對齊於微滴路線209。
回濺可藉由使用具有一相對大的縱橫比L/W之第一接口210而被降低或使最小化，其中該縱橫比L/W，例如，較大於大約3並且最好是較大於大約8，其中L是第一接口之通管長度且W是在第一端點(亦即，入口)且垂直於L之內部通管尺度。如所展示地，在打擊第一接口210的內壁之後，未使用的微滴102c及/或細微滴及/或微滴碎粒隨即降低它們的速率且該等未使用的微滴可在第一接口被捕捉。
如於第2B圖之展示，被照射之微滴同時也可在被照射之後產生細微滴232。細微滴232可被分佈在極紫外線腔室26四周。細微滴231之一部份可被沈積在收集器鏡30上。細微滴232之一部份可在選擇性的第二接口240中被捕捉。第一接口210和第二接口240同時也可被加熱。
第一及第二接口210、240的部分或全部，可具有雙重壁面。在雙重壁面之間的間隔可被充填著，或被設計以通過一種或多種熱換流體、或氣體，例如，空氣、氮氣、水、錫、鎵、錫-鎵合金，等等，以供用於接口210、240之有效的熱量管理。
第2E圖是依據揭示內容實施例之第一接口的另一分解圖。如於第2E圖之展示，第二接口240是可選擇的。
第2D圖是依據揭示內容實施例之第一接口的另一分解圖。該接口210可以相對於靶材路徑209而稍微地形成一角度(例如，角度213)，以至於未使用的微滴102C首先打擊第一接口210之內部壁面。如果首先打擊的是第一接口210之內部壁面，則未使用的微滴102C是比較不可能被偏移回而離開第一接口或如果具有足夠的能量打擊該第一接口之相對端點因而導致一回濺，其可允許一些回濺的材料離開第一接口且返回至收集器鏡30。第一接口210之底部211可被打開以允許未使用的微滴102C通過第一接口底部而至貯存器212。貯存器212包括一數量的液體形式之靶材242，包括先前被捕捉之未使用的微滴。進一步地如第2D圖之展示，靶材分配器92可以接近水平方向朝向第一接口210輸出微滴102A、102B之液流。
以這組態，由於微滴產生器被置放在水平面上之收集器鏡的突出處之外，藉由產生器92被產生在水平方向具有速率v之微滴102A、102B自與微滴產生器有一距離L之原始靶材路徑在垂直方向上被偏斜數量d，如利用下列方程式所得到的：
其中g是重力加速度。
因此，對於一微滴速率20米/秒以及離開微滴產生器之距離L=30毫米，自水平方向之偏移d則僅僅是1.1毫米。因此，對於實際的微滴速率，以水平方向射出之微滴將抵達電漿點並且大致地以直的水平線而依序地抵達接口。相似之論點可被應用至微滴產生器之其他非垂直方向。
第3圖是依據揭示內容實施例之流程圖，其展示在產生極紫外線34中所進行之操作方法300。此處展示之操作只是作為範例，應了解，一些操作可具有附屬操作，並且於其他實例中，此處說明之某些操作可不被包括在展示的操作中。考慮到這點，接著方法與操作300將被說明。在操作305中，一光脈波23被引導至極紫外線腔室26中之照射區域28。在操作310中，微滴102A、102B液流中被選擇的一者被傳送至照射區域28的時間是大致地相同於操作315中之光脈波23抵達照射區域以及極紫外線光34自照射之微滴被產生的時間。
在操作320中，第一部份的細微滴232自照射的微滴被產生。在操作325中，第二部份的細微滴232以及微滴102A、102B液流中未使用的微滴102C在第一及/或第二接口210、240被捕捉。如上所述，回濺之細微滴以及微滴236大致地被捕捉。
在操作330中，來自照射區域28之極紫外線利用收集器鏡30被收集。在操作335中，收集器鏡30將極紫外線34聚焦在一中間位置40，且在操作340中，極紫外線34自極紫外線腔室被輸出。
第4A-4D以及4G圖是依據揭示內容實施例之另外的第一接口410、420、430、440、496之分解圖。另外的第一接口410、420、430、440、496包括定向於第一接口底部末端211的一個或多個內部表面，以便大致地防止來自第一接口底部末端之多數回濺。參看至第4A圖，另外的第一接口410包括沿著接口內部表面之緩衝板412。緩衝板412捕捉來自未使用微滴串流102C與接口底部之衝擊的回濺414。緩衝板412與接口410內部表面形成一銳角且朝向該接口底部彎角度，因而不呈現垂直於靶材路徑之表面。
參看至第4B圖，另一個不同之第一接口420選擇性地包括沿著接口內部表面之緩衝板412。該另外的第一接口420同時也包括大致地對齊於靶材路徑209之第一部份420A以及相對於靶材路徑形成一角度423之角度的第二部份420B。角度423可以是相對於靶材路徑209而在大約1度以及大約45度之間的角度。彎角部份420B導致未使用的微滴102C打擊第一接口420之內部表面及角度423。以一角度打擊第一接口420內部表面更逐漸地使未使用的微滴變慢且減少回濺424A、424B，並且導致部份未使用的微滴424C反射至接口420內部表面之相對側。未使用的微滴以及回濺微滴424A、424B在接口420底部中被捕捉。一部份液體靶材242可被保留在接口420底部中以如上所述地進一步降低回濺。
參看至第4C圖，另一個不同之第一接口430選擇性地包括一個或多個步階432。步階432藉由朝向底部之一較寬之寬度或直徑以及接近接口開孔之一較窄之寬度或直徑而沿著內部表面降低接口430的寬度或直徑。步階432相似於上述緩衝板412而降低回濺。
參看至第4D圖，另一個不同之第一接口440是不同之第一接口410、420以及430之組合。組合的第一接口440包括如上所述之一個或多個步階432、多數個緩衝板412以及一彎角部份420B。
參看至第4G圖，另一不同的第一接口496是不同的第一接口420以及430之組合。組合的第一接口496包括如上所述之一個或多個步階432以及一彎角部份420B。以一角度打擊第一接口496內部表面更逐漸地使未使用的微滴變慢且降低回濺微滴496A、496B並且導致部份未使用的微滴424C反射至接口496內部表面之相對側。未使用的微滴以及回濺微滴496A、496B在接口496底部中被捕捉。步階432相似於上述緩衝板412降低回濺微滴496B。
作為範例，二個接口210、240可利用鈦元素或相容於液體靶材之其他適當材料被製造。接口210、240可被加熱至靶材融點之上。作為範例，對於一錫靶材96，其融點溫度在大約攝氏232和大約400度之間。在較低於大約攝氏232度之溫度，回濺的錫可能凝固或凝結並且由於回濺的材料之累積最後將堵塞接口210。
一旦被累積成一主要的數量，則在貯存器212中所取得的液體材料242可經由加熱的通管244被排出。通管244可以作用如同一冷凝閥門，當通管中之材料是在融點之下時，由於通管中之液體材料可凝固或凝結，這因此關閉通管244。當通管244被加熱時，通管中之材料242融化或液化且通管打開，因而允許液體材料流出貯存器212或接口210、240。
第4E圖是依據揭示內容實施例之不同的第一接口450的分解圖。在進入接口450第一端點224之未使用的微滴102C方向的氣流451，同時也可協助防止在接口中因回濺產生之非常慢的微滴殘粒離開接口。這氣流可藉由抽取極紫外線腔室26至真空或接近真空(例如，較少於大約10陶爾(torr))而被配置。可經由在或接近接口450底部211之開孔452而抽取真空。經由接口450被汲取之氣體可以是緩衝氣體或是來自收集器鏡30表面被使用於蝕刻之靶材的氣體。
如果緩衝或蝕刻氣體之主要部份壓力被允許在極紫外線腔室26中，則回濺可藉由冷卻未使用的微滴102C或所有的靶材微滴102A、102B而被壓制。作為範例，小尺度之錫微滴(例如，較少於大約30微米)可藉由一冷卻系統，例如，一冷卻氣流或一冷卻物質或表面(例如加熱槽或冷卻的第一接口)而被冷卻。靶材微滴102A-102C可被冷卻至靶材融點之下的溫度，因而微滴102C抵達接口210底部211之時，微滴將凝結，例如，成為大致地固態錫球。使用除了錫之外的靶材，可得到相似的處理程序以及結果。因而，大致地藉由微滴102C打擊接口210底部211以及側端所導致的所有回濺將被消除。
第4F圖是依據揭示內容實施例展示操作方法480之流程圖，該操作方法480被進行以藉由冷卻至少一些微滴102A-102C而降低來自接口450內部之回濺。此處展示之操作只是作為範例，應了解，一些操作也可具有附屬操作並且在其他實例中，此處說明之某些操作也可不被包括在展示的操作中。考慮到這點，接著方法與操作480將被說明。
在操作482中，一數量之氣體454被冷卻至較低於大約靶材融化溫度之溫度。於操作484中，冷卻氣流程451引導微滴102C，例如，經由第4E圖展示之氣體噴嘴250。氣體噴嘴250同時也可引導冷卻氣流451或自靶材源被射出之所有微滴102A-102C的其他冷卻處理，以至於大致地所有靶材微滴大致地凝結。靶材微滴102A-102C可在通過照射區域28之前或在之後被冷卻。
在操作486中，接口450被冷卻至較低於大約靶材融化溫度的溫度。同時也應了解，操作486可以是將與操作482以及484組合之一選擇性的操作。另外地，操作486可以是取代操作482以及484之不同的操作。
作為範例以及參考第4F圖，接口450可包括一雙重壁面455，其在接口450之壁面457以及雙重壁面455之間形成一間隔456。溫度控制系統460可耦合至間隔456以加熱或冷卻接口450，或其之部份，至所需的溫度。具有所需溫度的流體、氣體或液體可自溫度控制系統460經由間隔456被循環以控制接口450之溫度。
另外地，壁面457可包括電阻式塗層457A、457B或電阻式加熱元件並且溫度控制系統460可耦合至電阻式塗層。溫度控制系統460可施加一適當的電氣信號以加熱壁面457並且因而加熱接口450或至少接口之一部份至所需的溫度。作為範例，溫度控制系統460可將間隔456以及對應的接口450之部份的溫度保持在第一溫度(例如，較低於靶材融點)並且在相同時間或在其後或依序地，施加適當的信號至電阻式塗層457B以加熱對應的接口450底部之部份至不同的溫度(例如，在靶材融點之上)。其他型式之適當的加熱元件同時也可被使用以加熱接口，包括，例如，加熱液體、氣體、幅射加熱器或匣式加熱器。
在操作488中，靶材242A之凝結未使用的微滴被累積在接口450之底部211。在操作490中，接口450之底部211中之靶材242A累積物被加熱至靶材融點之上。作為範例，利用溫度控制系統460施加一適當電氣信號至電阻式塗層457B以加熱接口450之底部至所需的溫度，可使接口450之底部211被加熱至累積的靶材242A融點之上的溫度。
在操作492中，接口450之底部211中的靶材242之液體累積物經由出口458從接口450被移除。出口458可包括如第2B、4E圖中所示之一凝固閥門244。
第5和6圖是依據揭示內容實施例之分別不同的第一接口510和610之分解圖。不同的第一接口510和610是定位於接近水平方向，以至於靶材路徑209是大約地水平。不同的第一接口610是對水平602方向呈輕微之角度604，以至於一數量的液體靶材242被儲存在另外的第一接口610中，其方式使得進入的微滴102C以非常輕微之角度604照射在液體靶材242表面上。角度604可以是在大約1度以及較少於大約30度之間的角度或最好是在大約1度以及大約5度之間。這方向提供用於微滴102C打擊之一相對大的表面長度以及區域。
第7圖是依據揭示內容實施例之第一接口210中液體幕狀物710的分解圖。液體幕狀物710可由微滴102C之靶材96被形成。液體幕狀物710可以是大約地垂直於靶材路徑209。應了解，液體幕狀物710不需是垂直於靶材路徑，而對於靶材路徑是可具有任何適當的角度。
液體幕狀物710可被形成於該接口210底部末端或沿著接口長度的一些位置。液體幕狀物710從第一數量之幕狀物材料704之來源處的第一貯存器702流出，或可以自另一供應處被供應。幕狀物710從第一貯存器702流動至收集貯存器706。當接觸一液體時微滴102C是較不可能回濺並且因此幕狀物可降低回濺以及細微滴產生數量。
第8和9圖是依據揭示內容實施例之第一接口210中之轉動圓柱802的分解圖。轉動圓柱802被安置在接口210接近底部末端處。第一轉動圓柱802使接口210中之回濺最小化。由於第一圓柱802以方向804旋轉，因而圓柱之外方表面以接近微滴102C之相同速率前進，接著當微滴102C打擊第一圓柱802的旋轉表面時，非常輕微或沒有回濺被產生。靶材路徑209是大致地正切於第一轉動圓柱802之旋轉表面。
累積在第一圓柱802外方表面上的任何材料806可利用葉片812被移除。另外地，累積在第一圓柱802外方表面上的任何材料908可利用在相對於方向804之方向904旋轉的第二圓柱902被移除。第一圓柱802以及第二圓柱902之一者或兩者皆可如所需地被加熱或冷卻以收集及釋出材料806、908。
第10圖是依據揭示內容實施例之包括極紫外線腔室26的整合系統1000之方塊圖。整合系統1000包括極紫外線腔室26、光脈波產生系統22、利用輸出極紫外線光34之裝置42、以及一整合系統控制器1010，整合系統控制器1010被耦合至極紫外線腔室、光脈波產生系統以及採用輸出極紫外線光之裝置。整合系統控制器1010包括或被耦合至(例如，經由有線或無線網路1012)使用者界面1014。使用者界面1014提供使用者可讀取輸出及指示並且可接收使用者輸入且提供使用者接取整合系統控制器1010。
整合系統控制器1010可包括一特殊用途電腦或一般用途電腦。整合系統控制器1010可執行電腦程式1016以監視、控制及收集並且儲存供用於極紫外線腔室26、光脈波產生系統22以及裝置42之資料1018(例如，性能歷史、性能或缺點之分析、操作員日誌、以及歷史，等等)。作為範例，如果被收集之資料要求構件對其操作調整的話，則整合系統控制器1010可調整極紫外線腔室26、光脈波產生系統22及/或裝置42及/或其中的構件(例如，第一接口210及/或第二接口240、靶材分配器92，等等)之操作。
第11圖是依據揭示內容實施例之極紫外線腔室26中靶材路徑394的簡化分解圖。靶材路徑394可以是相對於垂直Z軸之X-Y平面呈任何的角度θ、θ’、α、α’。極紫外線光路線以及雷射源是遵循Z軸。角度θ、θ’、α、α’可以是在大約1度以及大約90度之間。相對於X-Y平面之角度θ、θ’、α、α’可以是一角度，例如，大約45度，其包括通過收集器鏡30中之開孔1104的靶材路徑394’。
相對於XY平面而對齊靶材路徑，將允許微滴102A在方向1106、1106’遵循靶材路徑394、394’而離開收集器鏡30。在方向1106、1106’引導微滴102A離開收集器鏡30可降低將收集在收集器鏡30上之細微滴以及殘粒數量。因為微滴102之動量是遠離收集器鏡30，將收集在收集器鏡30上之細微滴數量被降低。微滴動量被包括在當微滴102A在收集器鏡30主要焦點31被照射時所產生的細微滴動量中。
在方向1106、1106’之微滴102A的動量同時也是離開收集器鏡30之主要聚焦點31。由於動量攜帶更多之細微粒離開收集器鏡30之主要聚焦點31，這被添加之動量將降低可干擾被照射之依序微滴的細微滴數量。
第12A圖是依據揭示內容實施例之極紫外線腔室26的截面12-12之簡化截面圖。截面12-12被展示在上面之第1圖中。第12B和12C圖是依據揭示內容實施例之進一步的截面圖12B-12B之詳細圖。極紫外線腔室壁面1201之相交部份被展示。在極紫外線腔室壁面1201內部是細微滴及微滴捕捉系統1202。捕捉系統1202可涵蓋一部份或整個極紫外線腔室之內部表面，其不是一些其他用途之所需，例如，收集器鏡30或微滴接口210、210或用於監控或控制系統之儀器70。
接著參看至第12B和12C圖，捕捉系統1202包括大量的細微滴接口1204。各細微滴接口1204具有在大約1毫米及大約10毫米之間的直徑。各細微滴接口1204具有在大約3至大約8或更多之間的縱橫比。作為範例，細微滴接口1204可具有大約5毫米的直徑以及在大約15以及大約40毫米之間的深度1206。
細微滴接口1204可具有任何適當的形狀。如第12B圖之展示，細微滴接口1204具有六角形之形狀。如第12C圖之展示，細微滴接口1204’可以是圓形或甚至是管狀的。
各細微滴接口1204之開口端可直接地被引導朝向極紫外線腔室之Z軸。作為範例，各細微滴接口1204之中心線1208可垂直於極紫外線腔室之Z軸。
另外地，各細微滴接口1204之中心線1208可被引導朝向極紫外線腔室的主要聚焦點31或以一些角度而稍微地偏離極紫外線腔室的主要聚焦點31。
細微滴接口1204進行相似於上述之微滴接口210、240的功能，並且因此許多的設計考慮(例如，材料、角度、特點等等)可以同樣地被應用至細微滴接口1204。細微滴接口1204提供許多內部表面以捕捉細微滴，以至於細微滴將打擊在細微滴接口1204內部表面上，並且這些打擊將消除細微滴所攜帶之能量，以至於細微滴將不被偏斜或被反射出細微滴接口。以這方式，細微滴接口1204捕捉細微滴並且降低可轉向返回收集器鏡30上之細微滴數量。
由於可能是相似於上述微滴接口210、240所需要之功能所需的，細微滴接口1204可以主動地或被動地被加熱或被冷卻。應了解，細微滴接口1204可以是無關於微滴接口210、240而被操作並且甚至以相反的方式被加熱或被冷卻，以至於當微滴接口210被加熱時，細微滴接口1204可主動地或被動地被加熱或被冷卻。
為清楚了解本發明起見，雖然之前本發明的一些細節已被說明，但應明白，本發明在被附加申請專利範圍範疇之內的某些改變以及修正亦可被實施。因此，呈現之實施例只是被視為展示而不是限定，並且本發明是不受限於此處所給予的詳細說明，但可在附加之申請專利範圍範疇以及等效者之內被修改。
20．．．雷射生成電漿光源
22．．．光脈波產生系統
23．．．光脈波
24．．．靶材傳送系統
26．．．極紫外線腔室
28．．．照射區域
30．．．收集器鏡
32．．．孔口
34．．．極紫外線
40．．．中間區域
40A．．．出口
42．．．裝置
60．．．極紫外線控制器
62．．．微滴位置檢測回授系統
65．．．點燃控制系統
70．．．成像裝置
90．．．微滴控制系統
92．．．靶材分配器
94．．．流體貯存器
96．．．錫靶材
98．．．洞孔
100．．．微滴液流
102A．．．微滴
102B．．．微滴
102C．．．未使用微滴
104．．．可電致動元件
106．．．信號產生器
200．．．微滴液流
209．．．微滴路線
210．．．第一接口
211．．．第一接口底部
212．．．貯存器
213．．．角度
220．．．細微滴
222．．．細微滴
223．．．中心線
224．．．開口端
230．．．極紫外線光射線
231．．．回濺靶材
232．．．細微滴
236．．．回濺細微滴
237．．．靶材冷凝器系統
240．．．第二接口
242．．．液體靶材
242A．．．靶材
244．．．凝固閥門
250．．．氣體噴嘴
300．．．產生極紫外線之操作方法流程圖
305-340．．．產生極紫外線之操作方法流程步驟
394、394’．．．靶材路徑
410、420、430、440、496．．．接口
420A．．．第一部份
420B．．．第二部份
412．．．緩衝板
414．．．回濺
423．．．角度
424A、424B．．．回濺微滴
424C．．．未使用微滴
432．．．步階
450．．．接口
451．．．氣流
452．．．開孔
454．．．氣體
455．．．雙重壁面
456．．．間隔
457．．．壁面
457A、457B．．．電阻式塗層
460．．．溫度控制系統
480．．．降低回濺之操作方法
482-492．．．降低回濺之操作方法流程步驟
496A、496B．．．回濺微滴
510．．．接口
602．．．水平方向
604．．．角度
610．．．接口
702．．．第一貯存器
704．．．幕狀物材料
706．．．收集貯存器
710．．．液體幕狀物
802．．．第一圓柱
804．．．轉動方向
806．．．材料
812．．．葉片
902．．．第二圓柱
904．．．轉動方向
908．．．材料
1000．．．整合系統
1010．．．控制器
1012．．．網路
1014．．．使用者界面
1016．．．電腦程式
1018．．．資料
1104．．．開孔
1106、1106’．．．離開方向
1201．．．極紫外線腔室壁面
1202,1202’．．．微滴捕捉系統
1204,1204’．．．細微滴接口
1206．．．細微滴接口深度
1208．．．細微滴接口中心線
第1圖是依據揭示內容實施例之一雷射生成電漿極紫外線光源之分解圖。
第2A圖是依據揭示內容實施例之可被使用於此處所說明的一些或所有實施例中之簡化式靶材分配器構件的分解圖。
第2B和2C圖是依據揭示內容實施例在一極紫外線腔室中一些構件之更詳細的分解圖。
第2D圖是依據揭示內容實施例之第一接口的另一分解圖。
第2E圖是依據揭示內容實施例之第一接口的另一分解圖。
第3圖是依據揭示內容實施例展示在產生極紫外線中進行之操作方法的流程圖。
第4A-4D圖是依據揭示內容實施例之另外的第一接口之分解圖。
第4E圖是依據揭示內容實施例之另外的第一接口之分解圖。
第4F圖是依據揭示內容實施例展示藉由冷卻未使用的微滴以降低來自接口內部之回濺所進行的操作方法之流程圖。
第4G圖是依據揭示內容實施例之一另外的第一接口之分解圖。
第5和6圖是依據揭示內容實施例之另外的第一接口的分解圖。
第7圖是依據揭示內容實施例之一第一接口中液體幕狀物的分解圖。
第8和9圖是依據揭示內容實施例之一第一接口中一轉動圓柱之分解圖。
第10圖是依據揭示內容實施例之包括極紫外線腔室之一整合系統的方塊圖。
第11圖是依據揭示內容實施例之極紫外線腔室中靶材路徑的簡化分解圖。
第12A圖是依據揭示內容實施例的極紫外線腔室截面之簡化截面圖。
第12B和12C圖是依據揭示內容實施例之進一步的截面圖之詳細圖式。
20．．．雷射生成電漿光源
22．．．光脈波產生系統
23．．．光脈波
24．．．靶材傳送系統
26．．．極紫外線腔室
28．．．照射區域
32．．．孔口
34．．．極紫外線
40．．．中間區域
40A．．．出口
42．．．裝置
60．．．極紫外線控制器
62．．．微滴位置檢測回授系統
65．．．點燃控制系統
70．．．成像裝置
90．．．微滴控制系統
92．．．靶材分配器
102A、102B．．．微滴
102C．．．未使用微滴
200．．．微滴流

Claims (17)

  1. 一種極紫外線光腔室，其包括：一收集器鏡；一微滴產生系統，其具有一對齊以沿著一靶材路徑而輸出多數個微滴的微滴出口；以及一第一接口，其包括：一第一開口端，其實質上對齊於該靶材路徑；一關閉的第二端，該第二端是相對於該第一開口端；以及朝向該第一接口之一第二端的至少一個內部表面，其中該至少一個內部表面包括至少一個步階。
  2. 依據申請專利範圍第1項之腔室，其中該第一接口進一步地包括對該靶材路徑具有一選擇角度之一中心軸，該選擇角度是在0度和30度之間。
  3. 依據申請專利範圍第1項之腔室，其中該第一接口進一步地包括多數個緩衝板，該等多數個緩衝板各具有一第一端、一第二端、一第一表面以及相對該第一表面之一第二表面，該第一端附接至該第一接口內部表面，該第二表面對該第一接口內部表面形成一銳角。
  4. 依據申請專利範圍第1項之腔室，其中該第一開口端具有一第一寬度且該第一接口在該至少一個步階處具有一第二寬度，該第二寬度是較大於該第一寬度。
  5. 依據申請專利範圍第1項之腔室，其中該第一接口進一步地包括具有實質上對齊於該靶材路徑之一中心軸的 一第一部份以及對該靶材路徑形成0度和45度之間的一角度之一第二部份，其中該第一接口進一步包括相對該第一開口端之一第二端，且進一步包括被使用以形成接近該第二端之該等多數個微滴之一數量的液態靶材，且其中該等多數個微滴靶材之一部分沿著該第一接口內部表面之至少一部分而延伸。
  6. 依據申請專利範圍第5項之腔室，其中接近於該第二端之該數量液體包括一液體幕狀物。
  7. 依據申請專利範圍第1項之腔室，其中該第一接口進一步地包括：相對該第一開口端之一第二端並且進一步地包括接近於該第二端之一第一轉動圓柱，其中該第一轉動圓柱被放置使得該靶材路徑是實質上正切於該第一轉動圓柱之一第一轉動表面。
  8. 依據申請專利範圍第7項之腔室，其中該第一轉動圓柱被耦合至可驅動該第一轉動圓柱之一圓柱驅動裝置，使得該第一轉動圓柱之第一轉動表面具有實質上等於該等多數個微滴之速率的一表面速率。
  9. 依據申請專利範圍第7項之腔室，其進一步地包括一第二轉動圓柱，該第二轉動圓柱具有接觸該第一轉動圓柱之該第一轉動表面之一第二轉動表面。
  10. 依據申請專利範圍第1項之腔室，其進一步地包括一第二接口，該第二接口具有實質上較大於該第一接口之一寬度，該第二接口圍繞著該第一接口。
  11. 依據申請專利範圍第1項之腔室，其進一步地包括來自 該第一接口之一出口。
  12. 依據申請專利範圍第11項之腔室，其中來自該第一接口之該出口包括一凝固閥門。
  13. 依據申請專利範圍第1項之腔室，其進一步地包括一溫度控制系統，該溫控系統用以將該等多數個靶材微滴之至少一部份冷卻至較低於該靶材之融化溫度的溫度。
  14. 一種產生一極紫外線光之方法，其包括下列步驟：自一極紫外線光腔室中之一微滴產生器輸出多數個微滴，該等多數個微滴沿著一靶材路徑被輸出；將一光源聚焦在該等多數個微滴之一選擇的一者上；照射該等多數個微滴之該選擇的一者；將自該被照射的微滴所產生之電漿所放射之一極紫外線光收集在一收集器鏡中；將該收集的極紫外線光朝向該極紫外線腔室之一輸出聚焦；並且將在一第一接口中該等多數個微滴之多數個非選擇的微滴予以回收，其中該第一接口具有：一第一開口端，其實質上對齊於該靶材路徑；一關閉的第二端，該第二端是相對於該第一開口端；以及至少一個內部表面，其朝向該第一接口之一第二端。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其進一步地包括實質上消除來自該等多數個非選擇的微滴之細微滴回濺。
  16. 依據申請專利範圍第15項之方法，其中實質上消除該細 微滴回濺之步驟包括於下列情況中之至少一者捕捉細微滴：該第一接口之一長度；在該第一接口中之一步階；在該接口中之多數個緩衝板；在該第一接口中之一數量的液體；或在該第一接口中之一移動表面。
  17. 一種極紫外線光腔室，其包括：一收集器鏡；一微滴產生系統，其具有一對齊以沿著一靶材路徑而輸出多數個微滴的微滴出口；一第一接口，其包括：一第一開口端，其實質上對齊於該靶材路徑；以及具有實質上對齊於該靶材路徑之一中心軸的一第一部份；及對該靶材路徑形成0度和45度之間的一角度之一第二部份；以及一第二接口，該第二接口具有實質上較大於該第一接口的寬度，該第二接口圍繞著該第一接口。
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