JP2016181353A - 極端紫外光光源装置及びその廃原料処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】装置の大型化や投入電力の増大を伴うことなく、メンテナンスに起因する装置の稼働停止時間を低減することができる極端紫外光光源装置、及びその廃原料処理方法を提供する。
【解決手段】極端紫外光光源装置は、廃原料を捕集する捕集部材（放電部カバー２９、ホイルトラップカバー３５）と、廃原料を液滴状で捕集部材の外部へ排出するための排出口（第一のドレイン３０、第二のドレイン３７）と、を備える。また、極端紫外光光源装置は、排出口から排出された廃原料を受け止める冷却ステージ（トラップステージ５１）と、冷却ステージ上で冷却され固体化した廃原料を廃原料貯蔵部７０内に移動する廃原料移動部（スイーパ５２、スイーパ駆動部５３）と、チャンバ１１と廃原料貯蔵部７０との間に設置されたロードロック部６０と、を備える。
【選択図】図４
【解決手段】極端紫外光光源装置は、廃原料を捕集する捕集部材（放電部カバー２９、ホイルトラップカバー３５）と、廃原料を液滴状で捕集部材の外部へ排出するための排出口（第一のドレイン３０、第二のドレイン３７）と、を備える。また、極端紫外光光源装置は、排出口から排出された廃原料を受け止める冷却ステージ（トラップステージ５１）と、冷却ステージ上で冷却され固体化した廃原料を廃原料貯蔵部７０内に移動する廃原料移動部（スイーパ５２、スイーパ駆動部５３）と、チャンバ１１と廃原料貯蔵部７０との間に設置されたロードロック部６０と、を備える。
【選択図】図４
Description
本発明は、極端紫外光を発生する極端紫外光光源装置、及びその廃原料処理方法に関する。
近年、半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」ともいう）を放射する極端紫外光光源装置（以下、「ＥＵＶ光源装置」ともいう）の開発が進められている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つに極端紫外光放射種（ＥＵＶ放射種）を加熱して励起することにより高温プラズマを発生させ、高温プラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）方式と、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma：放電生成プラズマ）方式とに分けられる。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つに極端紫外光放射種（ＥＵＶ放射種）を加熱して励起することにより高温プラズマを発生させ、高温プラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）方式と、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma：放電生成プラズマ）方式とに分けられる。
ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、極端紫外光放射源を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。ＤＰＰ方式において、放電を発生させる電極表面にＳｎ（スズ）やＬｉ（リチウム）等の原料を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成する方法が提案されている。このような方式は、ＬＤＰ（Laser Assisted Gas Discharge Produced Plasma）方式と称されることもある。
一方、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、レーザ光をターゲット材料に照射し、当該ターゲット材料を励起させてプラズマを生成するものである。
上述したＥＵＶ光源装置では、高温プラズマから種々のデブリが発生する。このようなデブリを捕捉するために、ＥＵＶ光源装置は、ホイルトラップ（フォイル・トラップ）を用いたデブリトラップ装置を備えるのが一般的である。デブリトラップ装置としては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。このデブリトラップ装置は、回転機能を有するホイルトラップ（回転式ホイルトラップ）と、その回転式ホイルトラップを包囲するカバー部材とを備える。
上述したＥＵＶ光源装置では、高温プラズマから種々のデブリが発生する。このようなデブリを捕捉するために、ＥＵＶ光源装置は、ホイルトラップ（フォイル・トラップ）を用いたデブリトラップ装置を備えるのが一般的である。デブリトラップ装置としては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。このデブリトラップ装置は、回転機能を有するホイルトラップ（回転式ホイルトラップ）と、その回転式ホイルトラップを包囲するカバー部材とを備える。
回転式ホイルトラップは、中央に配置された回転軸を中心として、半径方向に放射状に配置された複数のホイル（薄膜や薄い平板）を備え、上記回転軸を中心に複数のホイルを回転させることでプラズマから飛来するデブリを捕捉する。ホイルに捕捉されたデブリは、回転式ホイルトラップの回転により生じる遠心力によって各ホイルに沿って半径方向外側に移動し、各ホイルから離脱する。
各ホイルから離脱したデブリは、カバー部材によって捕集され、カバー部材内面に付着する。カバー部材は所定の加熱手段によって加熱されており、当該加熱によりカバー部材内面に付着したデブリが固化しないようにしている。カバー部材内面に付着したデブリは、重力によりカバー部材下部に集まり、カバー部材下部から排出管を介してカバー部材の外に排出されて廃原料となる。
各ホイルから離脱したデブリは、カバー部材によって捕集され、カバー部材内面に付着する。カバー部材は所定の加熱手段によって加熱されており、当該加熱によりカバー部材内面に付着したデブリが固化しないようにしている。カバー部材内面に付着したデブリは、重力によりカバー部材下部に集まり、カバー部材下部から排出管を介してカバー部材の外に排出されて廃原料となる。
排出管を介してカバー部材の外に排出された廃原料（デブリ）は、廃原料貯蔵部であるデブリ収容部に溜められる。廃原料貯蔵部には、当該廃原料貯蔵部を高温プラズマ原料の融点以上に加熱する加熱部が設けられている。すなわち、廃原料貯蔵部によって受け止められた廃原料は、直ちに溶融され、液化した状態で廃原料貯蔵部に溜まる。
また、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）のＥＵＶ光源装置においては、放電部（放電電極等）から高温プラズマ原料が飛散することがある。この飛散原料は、プラズマ発生に寄与しないため、廃原料となる。すなわち、当該飛散原料は、放電部を包囲する放電部カバーによって捕集され、上記デブリと同様に廃原料貯蔵部に溜められる。
また、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）のＥＵＶ光源装置においては、放電部（放電電極等）から高温プラズマ原料が飛散することがある。この飛散原料は、プラズマ発生に寄与しないため、廃原料となる。すなわち、当該飛散原料は、放電部を包囲する放電部カバーによって捕集され、上記デブリと同様に廃原料貯蔵部に溜められる。
上記特許文献１に記載の技術では、所定時間ＥＵＶ光源装置を稼働すると、廃原料貯蔵部が廃原料で満杯となる。すると、ＥＵＶ光源装置の稼働を停止し、廃原料によって満杯となった廃原料貯蔵部を空の廃原料貯蔵部と交換する作業が必要となる。
ところで、ＥＵＶ光源装置においては、近年、連続稼働時間の延長が求められている。連続稼働時間を延長するためには、上記のような廃原料貯蔵部の交換等のメンテナンス頻度を低減させる必要がある。廃原料貯蔵部の交換頻度を低減するためには、廃原料貯蔵部の収容量を大きくすることが考えられる。しかしながら、この場合、大型化した廃原料貯蔵部内の廃原料を液体状態で維持するために、膨大な加熱部への投入電力が必要となる。また、大型化した廃原料貯蔵部の交換作業は大掛かりとなるため、メンテナンスに掛かる時間が長くなり、その分、ＥＵＶ光源装置の稼働停止時間も長くなる。
そこで、本発明は、装置の大型化や投入電力の増大を伴うことなく、メンテナンスに起因する装置の稼働停止時間を低減することができる極端紫外光光源装置、及びその廃原料処理方法を提供することを課題としている。
ところで、ＥＵＶ光源装置においては、近年、連続稼働時間の延長が求められている。連続稼働時間を延長するためには、上記のような廃原料貯蔵部の交換等のメンテナンス頻度を低減させる必要がある。廃原料貯蔵部の交換頻度を低減するためには、廃原料貯蔵部の収容量を大きくすることが考えられる。しかしながら、この場合、大型化した廃原料貯蔵部内の廃原料を液体状態で維持するために、膨大な加熱部への投入電力が必要となる。また、大型化した廃原料貯蔵部の交換作業は大掛かりとなるため、メンテナンスに掛かる時間が長くなり、その分、ＥＵＶ光源装置の稼働停止時間も長くなる。
そこで、本発明は、装置の大型化や投入電力の増大を伴うことなく、メンテナンスに起因する装置の稼働停止時間を低減することができる極端紫外光光源装置、及びその廃原料処理方法を提供することを課題としている。
上記課題を解決するために、本発明に係る極端紫外光光源装置の一態様は、極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置であって、高温プラズマ原料を加熱して励起し、高温プラズマを発生させる高温プラズマ発生部と、前記高温プラズマの発生に寄与しない前記高温プラズマ原料、及び前記高温プラズマから発生する、前記高温プラズマ原料に起因するデブリの少なくとも一方である廃原料を捕集する捕集部材と、前記捕集部材に連結され、前記捕集部材によって捕集した前記廃原料を液滴状で当該捕集部材の外部へ排出するための排出口と、前記排出口の下方に配置され、前記排出口から排出された前記廃原料を受け止める冷却ステージと、前記冷却ステージ上で冷却され固体化した前記廃原料を、当該冷却ステージ外に配置された廃原料貯蔵部内に移動する廃原料移動部と、前記廃原料貯蔵部と前記高温プラズマ発生部、前記捕集部材、前記排出口、及び前記冷却ステージを少なくとも収容する真空雰囲気のチャンバとの間に設置されたロードロック部と、を備える。
このように、廃原料を固体化して廃原料貯蔵部に溜める構成であるため、廃原料を液化して溜める従来装置のような加熱部を設ける必要がない。そのため、加熱部に投入する電力が不要となり、その分のコスト削減となる。また、ロードロック機構を用いて、チャンバの真空雰囲気を維持しながら、廃原料貯蔵部に溜められた固体状の廃原料を廃棄することができるので、ＥＵＶ光源装置の稼動を停止することなく、廃原料の処理が可能となる。したがって、ＥＵＶ光源装置の連続稼動時間を延長することができる。
また、上記の極端紫外光光源装置において、前記冷却ステージ上の前記廃原料の堆積状態を検出する状態検出部をさらに備え、前記廃原料移動部は、前記状態検出部で検出した前記廃原料の堆積状態に基づいて、当該廃原料の高さが所定の高さに到達したと判断したとき、前記廃原料を移動してもよい。
排出口から液滴となって排出された廃原料は、冷却ステージ上で固体化し、徐々に石筍状に成長するが、そのままでは廃原料の上端部が排出口に到達し、廃原料が排出口を塞いでしまう。上記のように、冷却ステージ上の廃原料の高さが所定の高さに到達したタイミングで、廃原料を冷却ステージ外に移動することで、廃原料が排出口を塞いでしまうような不具合を回避することができる。
排出口から液滴となって排出された廃原料は、冷却ステージ上で固体化し、徐々に石筍状に成長するが、そのままでは廃原料の上端部が排出口に到達し、廃原料が排出口を塞いでしまう。上記のように、冷却ステージ上の廃原料の高さが所定の高さに到達したタイミングで、廃原料を冷却ステージ外に移動することで、廃原料が排出口を塞いでしまうような不具合を回避することができる。
さらに、上記の極端紫外光光源装置において、前記状態検出部は、前記冷却ステージ上の前記廃原料を撮像する撮像部を備え、前記撮像部によって撮像した画像を解析し、前記廃原料の堆積状態を検出してもよい。このように、廃原料を撮像した画像を用いるので、廃原料の堆積状態を適切に検出することができる。画像解析により複数の観測点を設定することができるので、状態検出の確実性を向上させることができる。また、撮像画像をもとに、廃原料の周辺環境の異常（例えば、冷却ステージの温度が上がり、廃原料が固体化しない状況等）も併せて検出することができる。
また、上記の極端紫外光光源装置において、前記状態検出部は、前記冷却ステージ表面から前記所定の高さの位置において前記廃原料の有無を検出する光センサ部を備え、前記光センサ部で検出した前記廃原料の有無に基づいて、前記廃原料の高さが前記所定の高さに到達しているか否かを判断してもよい。このように、光センサを用いることで、複雑な処理を必要とすることなく、比較的簡易に廃原料の堆積状態を検出することができる。
また、上記の極端紫外光光源装置において、前記状態検出部は、前記冷却ステージ表面から前記所定の高さの位置において前記廃原料の有無を検出する光センサ部を備え、前記光センサ部で検出した前記廃原料の有無に基づいて、前記廃原料の高さが前記所定の高さに到達しているか否かを判断してもよい。このように、光センサを用いることで、複雑な処理を必要とすることなく、比較的簡易に廃原料の堆積状態を検出することができる。
さらにまた、上記の極端紫外光光源装置において、前記極端紫外光はパルス光であって、前記状態検出部は、前記極端紫外光の発光パルス数をカウントするカウント部を備え、前記カウント部によってカウントした発光パルス数と前記排出口から排出される前記廃原料の排出量との関係に基づいて、前記廃原料の堆積状態を検出してもよい。このように、ＥＵＶ発光パルス数をカウントして廃原料の堆積状態を検出するので、カメラやセンサ等の観測手段を設置する必要がなくなり、その分のコストを削減することができる。
また、上記の極端紫外光光源装置において、前記廃原料移動部は、予め設定した一定のタイミングで、前記廃原料を移動してもよい。これにより、簡易な処理で廃原料の移動が可能となる。
また、上記の極端紫外光光源装置において、前記廃原料移動部は、予め設定した一定のタイミングで、前記廃原料を移動してもよい。これにより、簡易な処理で廃原料の移動が可能となる。
さらに、上記の極端紫外光光源装置において、前記冷却ステージは、前記廃原料に対して不活性で且つ非濡れ性を有する材料で構成されていてもよい。これにより、廃原料と冷却ステージとの間での化学反応を抑制し、冷却ステージ上の廃原料を容易に冷却ステージから剥離することができる。
また、上記の極端紫外光光源装置において、前記冷却ステージにおける前記排出口と対向する表面は、前記廃原料に対して不活性で且つ非濡れ性を有する材料でコーティングされていてもよい。これにより、冷却ステージ本体の材料の選択自由度を高めることができる。
また、上記の極端紫外光光源装置において、前記冷却ステージにおける前記排出口と対向する表面は、前記廃原料に対して不活性で且つ非濡れ性を有する材料でコーティングされていてもよい。これにより、冷却ステージ本体の材料の選択自由度を高めることができる。
さらに、上記の極端紫外光光源装置において、前記廃原料に対して不活性で且つ非濡れ性を有する材料は、モリブデン、タングステン、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、セラミックス、窒化チタン、チタンの炭窒化物混合物、及び窒化チタン化合物のいずれかであってもよい。これにより、適切に廃原料の剥離が容易な冷却ステージを構成することができる。
また、上記の極端紫外光光源装置において、前記廃原料移動部は、前記冷却ステージ上の前記廃原料と接触し、当該廃原料を摺動移動させるスイーパと、前記スイーパを駆動するスイーパ駆動部と、を備え、前記スイーパ駆動部は、前記チャンバの外部に配置されていてもよい。このように、スイーパ駆動部をチャンバ外部に設置するので、真空中に配置される構造物が単純となり、廃原料移動部の信頼性を向上させることができる。
また、上記の極端紫外光光源装置において、前記廃原料移動部は、前記冷却ステージ上の前記廃原料と接触し、当該廃原料を摺動移動させるスイーパと、前記スイーパを駆動するスイーパ駆動部と、を備え、前記スイーパ駆動部は、前記チャンバの外部に配置されていてもよい。このように、スイーパ駆動部をチャンバ外部に設置するので、真空中に配置される構造物が単純となり、廃原料移動部の信頼性を向上させることができる。
さらにまた、上記の極端紫外光光源装置において、前記高温プラズマの近傍に配置された複数のホイルを有し、前記高温プラズマから放射される光を通過し当該高温プラズマから発生するデブリを捕捉する回転可能なホイルトラップをさらに備え、前記捕集部材は、前記ホイルトラップの外周部を包囲して、前記ホイルトラップから飛散する前記デブリを前記廃原料として捕集するホイルトラップカバーであってもよい。これにより、高温プラズマから発生する飛散デブリを適切に捕集し、廃原料として廃棄することができる。
また、上記の極端紫外光光源装置において、前記高温プラズマ発生部は、放電により前記高温プラズマ原料を加熱して励起し、前記高温プラズマを発生させる一対の放電電極からなる放電部材を有する放電部を備え、前記捕集部材は、前記放電部の外周部を包囲して、当該放電部から飛散する前記高温プラズマ原料を前記廃原料として捕集する放電部カバーであってもよい。これにより、放電部材等の放電部から飛散する高温プラズマ原料を適切に捕集し、廃原料として廃棄することができる。
さらに、本発明に係る廃原料処理方法の一態様は、高温プラズマ原料を加熱して励起し、高温プラズマを発生させる高温プラズマ発生部と、前記高温プラズマの発生に寄与しない前記高温プラズマ原料、及び前記高温プラズマから発生する、前記高温プラズマ原料に起因するデブリの少なくとも一方である廃原料を捕集する捕集部材と、前記捕集部材に連結され、前記捕集部材によって捕集した前記廃原料を液滴状で当該捕集部材の外部へ排出するための排出口と、を備える極端紫外光光源装置における前記廃原料を廃棄する廃原料処理方法であって、前記排出口から排出される前記廃原料を、前記排出口の下方に配置した冷却ステージによって受け止め、当該廃原料を前記冷却ステージ上で冷却して固体化し、所定のタイミングで、前記冷却ステージ上の固体化した前記廃原料を、当該冷却ステージ外に配置された廃原料貯蔵部内に移動し、ロードロック機構を用いて、前記廃原料貯蔵部と前記高温プラズマ発生部、前記捕集部材、前記排出口、及び前記冷却ステージを少なくとも収容する真空雰囲気のチャンバとの雰囲気を遮断した状態で、前記廃原料貯蔵部内の前記廃原料を廃棄する。
これにより、ＥＵＶ光源装置の稼動を停止せずに廃原料を廃棄することができ、ＥＵＶ光源装置の連続稼動時間を延長することができる。
また、上記の廃原料処理方法において、前記廃原料貯蔵部内の前記廃原料を廃棄するに際し、前記廃原料貯蔵部と前記チャンバとの雰囲気を遮断した状態で、前記廃原料貯蔵部を大気雰囲気としてから、前記廃原料を廃棄してもよい。これにより、廃原料貯蔵部に溜められた廃原料を適切に廃棄することができる。
また、上記の廃原料処理方法において、前記廃原料貯蔵部内の前記廃原料を廃棄するに際し、前記廃原料貯蔵部と前記チャンバとの雰囲気を遮断した状態で、前記廃原料貯蔵部を大気雰囲気としてから、前記廃原料を廃棄してもよい。これにより、廃原料貯蔵部に溜められた廃原料を適切に廃棄することができる。
本発明によれば、装置の大型化や投入電力の増大を伴うことなく、メンテナンスに起因する装置の稼働停止時間を低減することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態の極端紫外光光源装置を示す概略構成図である。
極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）１００は、半導体露光用光源として使用可能な、例えば波長１３．５ｎｍの極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する装置である。
本実施形態のＥＵＶ光源装置１００は、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置であり、より具体的には、放電を発生させる電極表面に供給された高温プラズマ原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該高温プラズマ原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを発生するＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置である。
ＥＵＶ光源装置１００は、図１に示すように、放電容器であるチャンバ１１を有する。チャンバ１１は、開口を有する隔壁１１ａによって、大きく２つの空間に分割されている。一方の空間は放電空間１１ｂであり、他方の空間は集光空間１１ｃである。
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態の極端紫外光光源装置を示す概略構成図である。
極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）１００は、半導体露光用光源として使用可能な、例えば波長１３．５ｎｍの極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する装置である。
本実施形態のＥＵＶ光源装置１００は、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置であり、より具体的には、放電を発生させる電極表面に供給された高温プラズマ原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該高温プラズマ原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを発生するＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置である。
ＥＵＶ光源装置１００は、図１に示すように、放電容器であるチャンバ１１を有する。チャンバ１１は、開口を有する隔壁１１ａによって、大きく２つの空間に分割されている。一方の空間は放電空間１１ｂであり、他方の空間は集光空間１１ｃである。
放電空間１１ｂには、各々独立して回転可能な一対の放電電極２１ａ，２１ｂが互いに離間して対向配置されている。放電電極２１ａ，２１ｂは、ＥＵＶ放射種を含む高温プラズマ原料を加熱して励起するための放電部材である。
放電空間１１ｂの圧力は、高温プラズマ原料を加熱励起するための放電が良好に発生するように、真空雰囲気に維持されている。
集光空間１１ｃには、ＥＵＶ集光鏡（集光ミラー）１２と、デブリトラップ１３とが配置されている。
ＥＵＶ集光鏡１２は、高温プラズマ原料が加熱励起されることで放出されるＥＵＶ光を集光し、チャンバ１１に設けられたＥＵＶ取出部１１ｄから、例えば露光装置の照射光学系（不図示）へ導くものである。
放電空間１１ｂの圧力は、高温プラズマ原料を加熱励起するための放電が良好に発生するように、真空雰囲気に維持されている。
集光空間１１ｃには、ＥＵＶ集光鏡（集光ミラー）１２と、デブリトラップ１３とが配置されている。
ＥＵＶ集光鏡１２は、高温プラズマ原料が加熱励起されることで放出されるＥＵＶ光を集光し、チャンバ１１に設けられたＥＵＶ取出部１１ｄから、例えば露光装置の照射光学系（不図示）へ導くものである。
ＥＵＶ集光鏡１２は、例えば、斜入射型の集光鏡であり、複数枚の薄い凹面ミラーを入れ子状に高精度に配置した構造を有する。各凹面ミラーの反射面の形状は、例えば、回転楕円面形状、回転放物面形状、ウォルター型形状であり、各凹面ミラーは回転体形状である。ここで、ウォルター型形状とは、光入射面が、光入射側から順に回転双曲面と回転楕円面、もしくは、回転双曲面と回転放物面からなる凹面形状である。
ＥＵＶ集光鏡１２は、反射面形状が回転楕円面形状、ウォルター型形状等いずれかの形状であって、径が互いに異なる回転体形状の凹面ミラーを複数枚備える。ＥＵＶ集光鏡を構成するこれらの凹面ミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置される。このように凹面ミラーを入れ子状に高精度に配置することにより、ＥＵＶ集光鏡１２は、２５°程度以下の斜入射角度のＥＵＶ光を良好に反射し、且つ一点に集光することが可能となる。
ＥＵＶ集光鏡１２は、反射面形状が回転楕円面形状、ウォルター型形状等いずれかの形状であって、径が互いに異なる回転体形状の凹面ミラーを複数枚備える。ＥＵＶ集光鏡を構成するこれらの凹面ミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置される。このように凹面ミラーを入れ子状に高精度に配置することにより、ＥＵＶ集光鏡１２は、２５°程度以下の斜入射角度のＥＵＶ光を良好に反射し、且つ一点に集光することが可能となる。
また、上記した各凹面ミラーの基体材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等である。波長が非常に短いＥＵＶ光を反射させるため、凹面ミラーの反射面は、非常に良好な平滑面として構成される。この平滑面に施される反射材は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属膜である。各凹面ミラーの反射面には、このような金属膜が緻密にコーティングされている。
デブリトラップ１３は、放電によるプラズマ生成の結果生じるデブリを捕捉し、当該デブリがＥＵＶ光の集光部へ移動するのを抑制する。デブリトラップ１３の具体的構成については後で詳述する。
デブリトラップ１３は、放電によるプラズマ生成の結果生じるデブリを捕捉し、当該デブリがＥＵＶ光の集光部へ移動するのを抑制する。デブリトラップ１３の具体的構成については後で詳述する。
放電空間１１ｂに配置された一対の放電電極２１ａ，２１ｂは、金属製の円盤状部材である。放電電極２１ａ，２１ｂは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属からなる。ここで、２つの放電電極２１ａ，２１ｂのうち、一方の放電電極２１ａがカソードであり、他方の放電電極２１ｂがアノードである。
放電電極２１ａは、その一部が高温プラズマ原料２２ａを収容するコンテナ２３ａの中に浸されるように配置される。放電電極２１ａの略中心部には、モータ２４ａの回転軸２５ａが取り付けられている。すなわち、モータ２４ａが回転軸２５ａを回転させることにより、放電電極２１ａは回転する。モータ２４ａは、制御部４０によって駆動制御される。
放電電極２１ａは、その一部が高温プラズマ原料２２ａを収容するコンテナ２３ａの中に浸されるように配置される。放電電極２１ａの略中心部には、モータ２４ａの回転軸２５ａが取り付けられている。すなわち、モータ２４ａが回転軸２５ａを回転させることにより、放電電極２１ａは回転する。モータ２４ａは、制御部４０によって駆動制御される。
また、回転軸２５ａは、例えば、メカニカルシール２６ａを介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール２６ａは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２５ａの回転を許容する。
放電電極２１ｂも、放電電極２１ａと同様に、その一部が高温プラズマ原料２２ｂを収容するコンテナ２３ｂの中に浸されるように配置される。放電電極２１ｂの略中心部には、モータ２４ｂの回転軸２５ｂが取り付けられている。すなわち、モータ２４ｂが回転軸２５ｂを回転させることにより、放電電極２１ｂは回転する。モータ２４ｂは、制御部４０によって駆動制御される。
放電電極２１ｂも、放電電極２１ａと同様に、その一部が高温プラズマ原料２２ｂを収容するコンテナ２３ｂの中に浸されるように配置される。放電電極２１ｂの略中心部には、モータ２４ｂの回転軸２５ｂが取り付けられている。すなわち、モータ２４ｂが回転軸２５ｂを回転させることにより、放電電極２１ｂは回転する。モータ２４ｂは、制御部４０によって駆動制御される。
また、回転軸２５ｂは、例えば、メカニカルシール２６ｂを介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール２６ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２５ｂの回転を許容する。
放電電極２１ａ，２１ｂの表面上に乗った液体状の高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂが回転することで放電領域に輸送される。
ここで、放電領域とは、両電極２１ａ，２１ｂ間の放電が発生する空間であり、両電極２１ａ，２１ｂの周縁部のエッジ部分間距離が最も短い部分である。
放電電極２１ａ，２１ｂの表面上に乗った液体状の高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂが回転することで放電領域に輸送される。
ここで、放電領域とは、両電極２１ａ，２１ｂ間の放電が発生する空間であり、両電極２１ａ，２１ｂの周縁部のエッジ部分間距離が最も短い部分である。
高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂとしては、溶融金属、例えば液体状のスズ（Ｓｎ）を用いる。この高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂに電力を供給する給電用の導電体としても働く。
コンテナ２３ａ，２３ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持可能な絶縁性の電力導入部１１ｅ，１１ｆを介して、パルス電力供給部２７に接続されている。コンテナ２３ａ及び２３ｂ、並びに高温プラズマ原料であるスズ２２ａ及び２２ｂは導電性である。放電電極２１ａの一部及び放電電極２１ｂの一部はそれぞれスズ２２ａ，２２ｂに浸漬しているので、コンテナ２３ａ，２３ｂ間にパルス電力供給部２７からパルス電力を印加することで、放電電極２１ａ，２１ｂ間にパルス電力を印加することができる。
なお、特に図示しないが、コンテナ２３ａ及び２３ｂには、スズ２２ａ，２２ｂを溶融状態に維持する温度調節機構が設けられている。
コンテナ２３ａ，２３ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持可能な絶縁性の電力導入部１１ｅ，１１ｆを介して、パルス電力供給部２７に接続されている。コンテナ２３ａ及び２３ｂ、並びに高温プラズマ原料であるスズ２２ａ及び２２ｂは導電性である。放電電極２１ａの一部及び放電電極２１ｂの一部はそれぞれスズ２２ａ，２２ｂに浸漬しているので、コンテナ２３ａ，２３ｂ間にパルス電力供給部２７からパルス電力を印加することで、放電電極２１ａ，２１ｂ間にパルス電力を印加することができる。
なお、特に図示しないが、コンテナ２３ａ及び２３ｂには、スズ２２ａ，２２ｂを溶融状態に維持する温度調節機構が設けられている。
上記したように、各放電電極２１ａ，２１ｂは回転している。そのため、放電電極２１ａ，２１ｂの表面上に乗った液体状のスズ２２ａ，２２ｂの一部は、それぞれ放電電極２１ａ，２１ｂの回転により生じる遠心力によって円盤の半径方向外側に移動し、放電電極２１ａ，２１ｂから離脱する。放電電極２１ａ，２１ｂから離脱したスズ２２ａ，２２ｂは、そのままではチャンバ１１内の不所望な場所に付着してしまう。そのため、このような不具合を回避するために、放電電極２１ａ，２１ｂ及びコンテナ２３ａ，２３ｂを含んで構成される放電部は、それぞれ放電部カバーにより包囲されている。
図２は、放電電極２１ａ及びコンテナ２３ａを包囲する放電部カバーの構成例を示す図である。なお、放電電極２１ｂ及びコンテナ２３ｂを包囲する放電部カバーは、放電電極２１ａ及びコンテナ２３ａを包囲する放電部カバーと同様の構成を有するため、ここでは説明を省略する。
図２に示すように、放電電極２１ａ及びコンテナ２３ａは、捕集部材としての放電部カバー（カバー部材）２９によって包囲されている。放電電極２１ａから離脱したスズ２２ａは、カバー部材２９によって捕集され、カバー部材２９内面に付着する。また、放電部カバーは、カバー部材２９を加熱する不図示のカバー加熱部をさらに備える。カバー加熱部は、カバー部材２９を高温プラズマ原料であるスズの融点（２３５℃）以上に加熱する。また、当該カバー加熱部は、制御部４０によってカバー部材２９の温度が高温プラズマ原料であるスズの融点に相当する温度を保持するように制御される。このように、カバー加熱部は、放電部カバー２９内面に付着したスズ２２ａが固化しないようにしている。
図２に示すように、放電電極２１ａ及びコンテナ２３ａは、捕集部材としての放電部カバー（カバー部材）２９によって包囲されている。放電電極２１ａから離脱したスズ２２ａは、カバー部材２９によって捕集され、カバー部材２９内面に付着する。また、放電部カバーは、カバー部材２９を加熱する不図示のカバー加熱部をさらに備える。カバー加熱部は、カバー部材２９を高温プラズマ原料であるスズの融点（２３５℃）以上に加熱する。また、当該カバー加熱部は、制御部４０によってカバー部材２９の温度が高温プラズマ原料であるスズの融点に相当する温度を保持するように制御される。このように、カバー加熱部は、放電部カバー２９内面に付着したスズ２２ａが固化しないようにしている。
カバー部材２９内面に付着したスズ２２ａは、重力によりカバー部材２９下部に集まる。カバー部材２９の底部には、スズ排出管（第一のドレイン）３０が接続されている。スズ排出管３０は、例えば、カバー部材２９と同一材料によって形成された筒状の部材であり、図２に示すように上下方向に沿って延在し、カバー部材２９の底部に接続されている。スズ排出管３０の上端部は、カバー部材２９の底部を貫通して当該カバー部材２９内部に連通しており、スズ排出管３０の下端部はスズ２２ａが排出されるスズ排出口となっている。カバー部材２９下部に集まった溶融したスズ２２ａは、スズ排出管３０を介してスズ排出口から廃原料１２２となってカバー部材２９の外に排出される。
なお、カバー部材２９には、放電により生じる高温プラズマから放出されるＥＵＶ放射を取り出すために、図示を省略した開口が設けられている。当該開口は、放電電極表面に乗った液体状の高温プラズマ原料に照射されるレーザビームに対しても開放されている。
なお、カバー部材２９には、放電により生じる高温プラズマから放出されるＥＵＶ放射を取り出すために、図示を省略した開口が設けられている。当該開口は、放電電極表面に乗った液体状の高温プラズマ原料に照射されるレーザビームに対しても開放されている。
図１に戻って、パルス電力供給部２７は、コンテナ２３ａ及び２３ｂ間、すなわち放電電極２１ａ及び２１ｂ間にパルス幅の短いパルス電力を印加する。パルス電力供給部２７は、制御部４０によって駆動制御される。
レーザ源２８は、放電領域に輸送された放電電極２１ａ上のスズ２２ａに対してレーザ光（エネルギービーム）を照射するエネルギービーム照射部である。レーザ源２８は、例えばＮｄ：ＹＶＯ４レーザ装置（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate レーザ装置）である。このレーザ源２８が放出するレーザ光Ｌは、レーザ光集光部等を介してチャンバ１１の窓部１１ｇに入射し、放電電極２１ａ上に導かれる。レーザ源２８によるレーザ光の照射タイミングは、制御部４０が制御する。
レーザ源２８は、放電領域に輸送された放電電極２１ａ上のスズ２２ａに対してレーザ光（エネルギービーム）を照射するエネルギービーム照射部である。レーザ源２８は、例えばＮｄ：ＹＶＯ４レーザ装置（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate レーザ装置）である。このレーザ源２８が放出するレーザ光Ｌは、レーザ光集光部等を介してチャンバ１１の窓部１１ｇに入射し、放電電極２１ａ上に導かれる。レーザ源２８によるレーザ光の照射タイミングは、制御部４０が制御する。
パルス電力供給部２７により放電電極２１ａ，２１ｂにパルス電力を印加した状態で、放電領域に輸送された高温プラズマ原料２２ａに対してレーザ光が照射されると、当該高温プラズマ原料が気化し、両電極２１ａ，２１ｂ間でパルス放電が開始される。その結果、高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂによるプラズマＰが形成される。そして、放電時に流れる大電流によりプラズマＰが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶ光が放射される。
なお、上述したように放電電極２１ａ，２１ｂ間にはパルス電力を印加するため、上記放電はパルス放電となり、放射されるＥＵＶ光はパルス状に放射されるパルス光となる。
なお、上述したように放電電極２１ａ，２１ｂ間にはパルス電力を印加するため、上記放電はパルス放電となり、放射されるＥＵＶ光はパルス状に放射されるパルス光となる。
次に、デブリトラップ１３の具体的構成について説明する。
ＥＵＶ光源装置１００では、例えば、高温プラズマＰと接する金属（例えば、一対の放電電極２１ａ，２１ｂ）が上記プラズマＰによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、高温プラズマ原料であるスズ（Ｓｎ）２２ａ，２２ｂに起因するデブリが発生する。
これらのデブリは、プラズマの収縮・膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。すなわち、高温プラズマＰから発生するデブリは高速で移動するイオンや中性原子であり、このようなデブリはＥＵＶ集光鏡１２にぶつかって反射面を削ったり、反射面上に堆積したりして、ＥＵＶ光の反射率を低下させるおそれがある。
そこで、ＥＵＶ光源装置１００では、放電空間１１ｂと集光空間１１ｃに収容されたＥＵＶ集光鏡１２との間に、上記デブリによるＥＵＶ集光鏡１２のダメージを防ぐためのデブリトラップ１３を配置する。デブリトラップ１３は、デブリを捕捉してＥＵＶ光のみを通過させる働きをする。
ＥＵＶ光源装置１００では、例えば、高温プラズマＰと接する金属（例えば、一対の放電電極２１ａ，２１ｂ）が上記プラズマＰによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、高温プラズマ原料であるスズ（Ｓｎ）２２ａ，２２ｂに起因するデブリが発生する。
これらのデブリは、プラズマの収縮・膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。すなわち、高温プラズマＰから発生するデブリは高速で移動するイオンや中性原子であり、このようなデブリはＥＵＶ集光鏡１２にぶつかって反射面を削ったり、反射面上に堆積したりして、ＥＵＶ光の反射率を低下させるおそれがある。
そこで、ＥＵＶ光源装置１００では、放電空間１１ｂと集光空間１１ｃに収容されたＥＵＶ集光鏡１２との間に、上記デブリによるＥＵＶ集光鏡１２のダメージを防ぐためのデブリトラップ１３を配置する。デブリトラップ１３は、デブリを捕捉してＥＵＶ光のみを通過させる働きをする。
図３は、デブリトラップ１３をＥＵＶ光の光軸に直交する方向から見た断面図である。デブリトラップ１３は、回転機能を有するホイルトラップ（回転式ホイルトラップ）３００を備える。当該ホイルトラップ３００は、ＥＵＶ光の光軸と一致する軸を中心として半径方向に放射状に配置された複数のホイル３１を備える。なお、ホイル３１は、薄膜（ホイル）または薄い平板（プレート）により構成されており、本明細書では薄膜と平板を併せて「ホイル」と呼ぶ。
ホイル３１は、半径方向内側端部を同心円状に配置された中心支柱３２よって支持され、半径方向外側端部をリング状支持体である第一の外側リング３３及び第二の外側リング３４によって支持されている。第一の外側リング３３はホイル３１の高温プラズマＰ側を支持し、第二の外側リング３４はホイル３１のＥＵＶ出射側を支持している。
ホイル３１は、その平面がＥＵＶ光の光軸に対して平行になるように配置され支持されている。そのため、ホイルトラップ３００を極端紫外光源（高温プラズマＰ）側から見ると、中心支柱３２、第一の外側リング３３及び第二の外側リング３４によって構成される支持体を除けば、ホイル３１の厚みしか見えない。したがって、高温プラズマＰからのＥＵＶ光のほとんどは、ホイルトラップ３００を通過することができる。
ホイル３１は、その平面がＥＵＶ光の光軸に対して平行になるように配置され支持されている。そのため、ホイルトラップ３００を極端紫外光源（高温プラズマＰ）側から見ると、中心支柱３２、第一の外側リング３３及び第二の外側リング３４によって構成される支持体を除けば、ホイル３１の厚みしか見えない。したがって、高温プラズマＰからのＥＵＶ光のほとんどは、ホイルトラップ３００を通過することができる。
一方、ホイルトラップ３００の複数のホイル３１は、配置された空間を細かく分割することにより、その部分のコンダクタンスを下げて圧力を上げる働きをする。そのため、高温プラズマＰからのデブリＤは、ホイルトラップ３００により圧力が上がった領域で衝突確率が上がるために速度が低下する。速度が低下したデブリＤは、ホイル３１やホイル３１の支持体（中心支柱３２、第一の外側リング３３、第二の外側リング３４）により捕捉される。
なお、ＤＰＰ方式やＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置においては、光軸上の光（高温プラズマＰから０°の角度（放射角が０°）で出射する光）や、ＥＵＶ集光鏡１２の最も内側に位置する凹面ミラーが反射可能な入射角（最小入射角）より小さい入射角でＥＵＶ集光鏡１２に入射する光は、露光には使用されず、むしろ存在しないほうが好ましい。そのため、中心支柱３２は存在しても問題はなく、むしろ中心支柱３２により当該光を積極的に遮光してもよい。また、中心支柱３２は、ＥＵＶ集光鏡１２の構成から定まる最小入射角以下の光を遮光する形状となるので、一般的にはコーン形状となる。よって、中心支柱３２のことをコーン（ｃｏｎｅ）とも呼ぶこともある。
さらに、ホイルトラップ３００は、高温プラズマＰの近くに配置されるため、受ける熱負荷も大きい。よって、ホイルトラップ３００を構成するホイル３１や中心支柱３２は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）などの高耐熱材料から形成する。
また、デブリトラップ１３は、図３に示すように、ホイルトラップ３００の外周部分を包囲する捕集部材としてのホイルトラップカバー（カバー部材）３５と、カバー部材３５を加熱するカバー加熱部３６と、カバー部材３５に形成されたデブリ排出管（第二のドレイン）３７と、をさらに備える。
また、デブリトラップ１３は、図３に示すように、ホイルトラップ３００の外周部分を包囲する捕集部材としてのホイルトラップカバー（カバー部材）３５と、カバー部材３５を加熱するカバー加熱部３６と、カバー部材３５に形成されたデブリ排出管（第二のドレイン）３７と、をさらに備える。
カバー加熱部３６は、シースヒータ等により構成されており、カバー部材３５を高温プラズマ原料であるスズの融点（２３５℃）以上に加熱する。このカバー加熱部３６は、制御部４０によってカバー部材３５の温度が高温プラズマ原料であるスズの融点に相当する温度を保持するように制御される。
デブリ排出管３７は、例えば、カバー部材３５と同一材料によって形成された筒状の部材であり、図３に示すように、上下方向に沿って延在し、カバー部材３５の底部に接続されている。デブリ排出管３７の上端部は、カバー部材３５の底部を貫通して当該カバー部材３５内部に連通しており、デブリ排出管３７の下端部はデブリが排出されるデブリ排出口となっている。
デブリ排出管３７は、例えば、カバー部材３５と同一材料によって形成された筒状の部材であり、図３に示すように、上下方向に沿って延在し、カバー部材３５の底部に接続されている。デブリ排出管３７の上端部は、カバー部材３５の底部を貫通して当該カバー部材３５内部に連通しており、デブリ排出管３７の下端部はデブリが排出されるデブリ排出口となっている。
ホイルトラップ３００は、上述したように、中心支柱３２の軸を回転軸として回転し、高温プラズマＰからＥＵＶ光と共に放出されるデブリのうち、比較的低速なものを捕捉する。すなわち、高温プラズマ原料であるスズに起因するデブリは、ホイルトラップ３００の各ホイル３１に捕捉されたり、進行方向がＥＵＶミラー側とは異なる方向となるように偏向されたりする。
このホイルトラップ３００により捕捉されたデブリは、回転するホイル３１により弾き飛ばされるものや、ホイル３１上に付着・堆積するものがある。
このホイルトラップ３００により捕捉されたデブリは、回転するホイル３１により弾き飛ばされるものや、ホイル３１上に付着・堆積するものがある。
ホイルトラップ３００は、高温プラズマＰの近傍に配置され、高温プラズマＰからの放射を受ける。そのため、各ホイル３１の温度はスズの融点である２３５℃を上回る温度となる。したがって、ホイル３１上に付着・堆積したデブリは、やがて液化し、図３に示すように、ホイルトラップ３００の回転により生じる遠心力（矢印ＣＦ）によって、各ホイル３１に沿って半径方向外側に移動し、各ホイル３１の外縁部から離脱する。
このホイルトラップ３００から離脱したデブリは、カバー部材３５内面に付着・堆積する。カバー部材３５は、カバー加熱部３６によってスズの融点である２３５℃以上に加熱されているため、カバー部材３５内面に付着したスズに起因するデブリは直ちに溶融される。溶融したデブリが凝集して液滴程度の大きさとなると、重力によりカバー部材３５下部に集まる。
このホイルトラップ３００から離脱したデブリは、カバー部材３５内面に付着・堆積する。カバー部材３５は、カバー加熱部３６によってスズの融点である２３５℃以上に加熱されているため、カバー部材３５内面に付着したスズに起因するデブリは直ちに溶融される。溶融したデブリが凝集して液滴程度の大きさとなると、重力によりカバー部材３５下部に集まる。
カバー部材３５下部には、デブリ排出管３７の開口が設けられているため、カバー部材３５下部に集まった溶融したデブリは、デブリ排出管３７を介してデブリ排出口から廃原料１２２となってカバー部材３５の外に排出される。
以上のように、ＥＵＶ光源装置１００の廃原料は、第一のドレイン３０から排出される飛散原料と、第二のドレイン３７から排出される飛散デブリとを含む。ここで、飛散原料とは、放電電極２１ａ，２１ｂやコンテナ２３ａ，２３ｂから飛散し、各放電部カバー２９によって捕集される、高温プラズマの発生に寄与しないスズ２２ａ，２２ｂである。また、飛散デブリとは、ホイルトラップ３００から飛散し、ホイルトラップカバー３５によって捕集される、高温プラズマ原料であるスズに起因するデブリである。
以上のように、ＥＵＶ光源装置１００の廃原料は、第一のドレイン３０から排出される飛散原料と、第二のドレイン３７から排出される飛散デブリとを含む。ここで、飛散原料とは、放電電極２１ａ，２１ｂやコンテナ２３ａ，２３ｂから飛散し、各放電部カバー２９によって捕集される、高温プラズマの発生に寄与しないスズ２２ａ，２２ｂである。また、飛散デブリとは、ホイルトラップ３００から飛散し、ホイルトラップカバー３５によって捕集される、高温プラズマ原料であるスズに起因するデブリである。
上記廃原料は、所定のタイミングでＥＵＶ光源装置１００外部に排出され、廃棄される。以下、廃原料を廃棄する廃原料処理機構について説明する。
図４は、廃原料処理機構の構成例を示す図である。この図４に示すように、ＥＵＶ光源装置１００は、廃原料処理機構を構成するステージ部５０、ロードロック部６０及び廃原料貯蔵部７０を備える。なお、ＥＵＶ光源装置１００は、一対の放電電極に対応する２つの放電部カバー２９と、各放電部カバー２９に設けられた２つの第一のドレイン３０を備えるが、説明を簡略化するために、図４では第一のドレイン３０を１つのみ図示する。
図４は、廃原料処理機構の構成例を示す図である。この図４に示すように、ＥＵＶ光源装置１００は、廃原料処理機構を構成するステージ部５０、ロードロック部６０及び廃原料貯蔵部７０を備える。なお、ＥＵＶ光源装置１００は、一対の放電電極に対応する２つの放電部カバー２９と、各放電部カバー２９に設けられた２つの第一のドレイン３０を備えるが、説明を簡略化するために、図４では第一のドレイン３０を１つのみ図示する。
ステージ部５０は、トラップステージ５１と、スイーパ５２と、スイーパ駆動部５３と、観測部５４とを備える。
トラップステージ５１は、第一のドレイン３０及び第二のドレイン３７の下方に配置され、各ドレイン３０，３７から排出される廃原料（液体スズ）１２２を受け止める。また、トラップステージ５１は、受け止めた廃原料（液体スズ）１２２を冷却し固体化するための冷却機構（不図示）を備える。冷却機構は、例えば、トラップステージ５１内部に設けられた水等の冷媒が流れる冷却管と、冷却管に冷媒を流入させる冷媒供給機構と、液体スズが冷却される際に熱交換によって加熱された冷却管からの流出水を再度冷却するための熱交換器等から構成することができる。当該冷却機構は、制御部４０によって制御することができる。なお、トラップステージ５１の液体スズ１２２と接する部分（およびその周辺）の温度がスズの融点よりも低い温度に保持できる程度にトラップステージ５１の熱容量が十分に大きい場合は、上記の冷却機構は無くてもよい。
トラップステージ５１は、第一のドレイン３０及び第二のドレイン３７の下方に配置され、各ドレイン３０，３７から排出される廃原料（液体スズ）１２２を受け止める。また、トラップステージ５１は、受け止めた廃原料（液体スズ）１２２を冷却し固体化するための冷却機構（不図示）を備える。冷却機構は、例えば、トラップステージ５１内部に設けられた水等の冷媒が流れる冷却管と、冷却管に冷媒を流入させる冷媒供給機構と、液体スズが冷却される際に熱交換によって加熱された冷却管からの流出水を再度冷却するための熱交換器等から構成することができる。当該冷却機構は、制御部４０によって制御することができる。なお、トラップステージ５１の液体スズ１２２と接する部分（およびその周辺）の温度がスズの融点よりも低い温度に保持できる程度にトラップステージ５１の熱容量が十分に大きい場合は、上記の冷却機構は無くてもよい。
トラップステージ５１の少なくとも各ドレイン３０，３７から落下した廃原料（液体スズ）１２２を受け止める表面は、スズに対して不活性であり且つ非濡れ性を有する材料から構成する。これにより、当該表面に付着して固体化したスズとの化学反応を抑制し、固体スズの剥離を容易にする。
例えば、トラップステージ５１を、耐腐食性の高いタングステンやモリブデンで構成することができる。また、トラップステージ５１本体をステンレス鋼で構成し、その表面をスズに対して不活性な材料でコーティングすることもできる。ここで、コーティング材料としては、例えば、ポリイミド樹脂（カプトン（登録商標）等）、フッ素樹脂（テフロン（登録商標）等）、セラミックス、ＴｉＮ（窒化チタン）、チタンの炭窒化物混合物（ＴｉＣＮ）、チタンアルミナイトライド（ＴｉＡｌＮ）などの窒化チタン化合物等を用いることができる。なお、これらの材料からなる薄板が、トラップステージ５１本体の上記表面に設置されていてもよい。また、樹脂材料は、ＥＵＶ光や紫外光などの高温プラズマから放射される光の照射により分解し劣化するおそれがあるため、トラップステージ５１の表面を樹脂材料で構成する場合には、プラズマから放射される光に直接曝されないような配置とする。
例えば、トラップステージ５１を、耐腐食性の高いタングステンやモリブデンで構成することができる。また、トラップステージ５１本体をステンレス鋼で構成し、その表面をスズに対して不活性な材料でコーティングすることもできる。ここで、コーティング材料としては、例えば、ポリイミド樹脂（カプトン（登録商標）等）、フッ素樹脂（テフロン（登録商標）等）、セラミックス、ＴｉＮ（窒化チタン）、チタンの炭窒化物混合物（ＴｉＣＮ）、チタンアルミナイトライド（ＴｉＡｌＮ）などの窒化チタン化合物等を用いることができる。なお、これらの材料からなる薄板が、トラップステージ５１本体の上記表面に設置されていてもよい。また、樹脂材料は、ＥＵＶ光や紫外光などの高温プラズマから放射される光の照射により分解し劣化するおそれがあるため、トラップステージ５１の表面を樹脂材料で構成する場合には、プラズマから放射される光に直接曝されないような配置とする。
スイーパ５２は、トラップステージ５１の上方に、トラップステージ５１表面と接触しない程度の僅かな隙間を設けて配置されている。また、スイーパ５２は、トラップステージ５１表面と平行に（図４の左右方向に）移動可能である。
スイーパ駆動部５３は、スイーパ５２を、図４に示す待機位置からスズ廃棄位置まで移動可能である。スズ廃棄位置は、上記待機位置を挟んでスイーパ駆動部５３とは反対側におけるトラップステージ５１の端部位置（図４では右端）である。スイーパ駆動部５３としては、例えば、真空用の直線導入機を用いることができる。
スイーパ駆動部５３は、スイーパ５２を、図４に示す待機位置からスズ廃棄位置まで移動可能である。スズ廃棄位置は、上記待機位置を挟んでスイーパ駆動部５３とは反対側におけるトラップステージ５１の端部位置（図４では右端）である。スイーパ駆動部５３としては、例えば、真空用の直線導入機を用いることができる。
すなわち、スイーパ５２は、スイーパ駆動部５３により待機位置からスズ廃棄位置まで移動する過程において、トラップステージ５１表面上の固体状の廃原料１２２と衝突し、当該廃原料１２２をトラップステージ５１から剥離する。さらに、スイーパ５２は、トラップステージ５１から剥離した廃原料１２２をスズ廃棄位置へ向けて移動し、各ドレイン３０，３７の真下位置から除去する。スイーパ５２及びスイーパ駆動部５３によって、廃原料移動部を構成している。
観測部５４は、トラップステージ５１上の廃原料１２２の状態をモニタリングする状態検出部である。トラップステージ５１に各ドレイン３０，３７から液滴となって落下した廃原料１２２は、トラップステージ５１表面で固体となる。液体状の廃原料１２２は、各ドレイン３０，３７からそれぞれ同じ箇所に次々と落ちる。そのため、廃原料１２２は石筍状に成長する。観測部５４は、この石筍状に成長する廃原料１２２の堆積状態をモニタリングする。
観測部５４は、例えば、トラップステージ５１上の廃原料１２２を撮像した画像をモニタする撮像部（カメラ及び画像解析部）によって構成することができる。観測部５４を撮像部で構成する場合、撮像画像からエッジを抽出するなどにより廃原料１２２のピーク位置を検出し、検出したピーク位置に基づいて石筍状の廃原料１２２の高さを判断することができる。この場合、廃原料１２２の成長過程をモニタリングすることができる。
観測部５４は、例えば、トラップステージ５１上の廃原料１２２を撮像した画像をモニタする撮像部（カメラ及び画像解析部）によって構成することができる。観測部５４を撮像部で構成する場合、撮像画像からエッジを抽出するなどにより廃原料１２２のピーク位置を検出し、検出したピーク位置に基づいて石筍状の廃原料１２２の高さを判断することができる。この場合、廃原料１２２の成長過程をモニタリングすることができる。
また、観測部５４は、例えば、例えば半導体レーザからなる発光器と、発光器からの光を受光する受光器とを備える光センサ部によって構成することもできる。観測部５４を光センサ部で構成する場合、各ドレイン３０，３７とトラップステージ５１との間において、各ドレイン３０，３７を挟んで発光器と受光器とを対向配置する。これにより、発光器から放出される光を受光器で検出するか否か（廃原料１２２によって遮光されるか否か）によって、発光器と受光器との間の光路位置まで石筍状の廃原料１２２が成長しているか否かを判断することができる。
観測部５４は、上記のように廃原料１２２をモニタリングし、廃原料１２２の上端部が予め設定した上限位置に達したか否かを判断する。当該上限位置は、廃原料１２２の上端部が各ドレイン３０，３７の排出口に到達する前に、廃原料１２２をスイーパ５２によって除去可能な位置に設定する。観測部５４は、廃原料１２２の上端部が上限位置に達したと判断すると、制御部４０に対してスズ回収信号を出力する。
制御部４０は、観測部５４からスズ回収信号を受信すると、スイーパ駆動部５３に対して、スイーパ５２を待機位置からスズ廃棄位置へ移動するための駆動信号を出力する。
ステージ部５０のうち、トラップステージ５１、スイーパ５２及び観測部５４はチャンバ１１内に設置され、スイーパ駆動部５３はチャンバ１１外に設置されている。
制御部４０は、観測部５４からスズ回収信号を受信すると、スイーパ駆動部５３に対して、スイーパ５２を待機位置からスズ廃棄位置へ移動するための駆動信号を出力する。
ステージ部５０のうち、トラップステージ５１、スイーパ５２及び観測部５４はチャンバ１１内に設置され、スイーパ駆動部５３はチャンバ１１外に設置されている。
ロードロック部６０は、ゲートバルブ６１と、廃棄路６２と、真空排気部６３と、パージガス供給部６４と、圧力計６５とを備える。このロードロック部６０は、チャンバ１１内において、トラップステージ５１のスズ廃棄位置側に隣接して設置されている。具体的には、筒状の廃棄路６２が、その上端部がトラップステージ５１表面よりも低い位置となるように、鉛直方向に配置されている。ゲートバルブ６１は廃棄路６２の上端部に配置され、当該廃棄路６２の通路を開閉可能である。また、廃棄路６２の下端部には廃原料貯蔵部７０が接続されており、廃棄路６２の下端部の開口部は、チャンバ１１の底部を貫通して、チャンバ１１外に設置された廃原料貯蔵部７０内部に連通している。
すなわち、ゲートバルブ６１が開状態である場合、チャンバ１１内部と廃原料貯蔵部７０内部とは、ゲートバルブ６１及び廃棄路６２を介して連通状態となっている。この状態からゲートバルブ６１が閉状態となると、当該ゲートバルブ６１は、チャンバ１１と廃棄路６２及び廃原料貯蔵部７０とを区画し、チャンバ１１と廃原料貯蔵部７０との連通を遮断する。なお、ゲートバルブ６１によってチャンバ１１と区画される廃棄路６２の一部は、廃原料貯蔵部７０と同様にチャンバ１１外に配置されていてもよい。
真空排気部６３は、廃棄路６２内部及び廃原料貯蔵部７０内部を排気して、チャンバ１１内部と同程度の圧力（例えば、真空雰囲気）まで減圧する。パージガス供給部６４は、ゲートバルブ６１を閉状態とした状態で、廃棄路６２内部及び廃原料貯蔵部７０内部にパージガス（例えば、空気）を供給し、例えば大気圧まで加圧する。圧力計６５は、廃棄路６２内部及び廃原料貯蔵部７０内部の圧力を検出し、検出結果を制御部４０に出力する。
これら真空排気部６３、パージガス供給部６４及び圧力計６５は、制御部４０によって制御される。
これら真空排気部６３、パージガス供給部６４及び圧力計６５は、制御部４０によって制御される。
このように、ＥＵＶ光源装置１００の稼働中においては、観測部５４がトラップステージ５１上の廃原料１２２をモニタリングしてスズ回収信号を出力すると、制御部４０がこれを受信し、スイーパ駆動部５３を駆動する。このとき、スイーパ駆動部５３は、スイーパ５２を待機位置からスズ廃棄位置まで移動する。すると、トラップステージ５１表面上の固体状の廃原料１２２は、スイーパ５２によってトラップステージ５１表面を摺動し、トラップステージ５１のスズ廃棄位置側から落下する。その際、ゲートバルブ６１が開状態であれば、廃原料１２２は、廃棄路６２を介して廃原料貯蔵部７０内に収容される。
以下、ＥＵＶ光源装置１００における廃原料処理方法について、より具体的に説明する。
図５は、制御部４０が実行する廃原料処理手順を示すフローチャートである。この処理は、例えば、ＥＵＶ光源装置１００の駆動開始のタイミングで実行開始し、所定の終了信号（ＥＵＶ光源装置１００の駆動停止信号等）を受信するまで繰り返し実行する。なお、上記処理の開始のタイミングは上記のタイミングに限らない。
初期状態では、ロードロック部６０及び廃原料貯蔵部７０の圧力は、チャンバ１１内部と同様、真空状態にあるものとする。また、ゲートバルブ６１は閉状態にあるものとする。さらに、スイーパ５２は、待機位置にあるものとする。
図５は、制御部４０が実行する廃原料処理手順を示すフローチャートである。この処理は、例えば、ＥＵＶ光源装置１００の駆動開始のタイミングで実行開始し、所定の終了信号（ＥＵＶ光源装置１００の駆動停止信号等）を受信するまで繰り返し実行する。なお、上記処理の開始のタイミングは上記のタイミングに限らない。
初期状態では、ロードロック部６０及び廃原料貯蔵部７０の圧力は、チャンバ１１内部と同様、真空状態にあるものとする。また、ゲートバルブ６１は閉状態にあるものとする。さらに、スイーパ５２は、待機位置にあるものとする。
先ずステップＳ１で、制御部４０は、ＥＵＶ放射の発生前に、上述した冷却機構を制御してトラップステージ５１を冷却する。トラップステージ５１の冷却状態がスタンバイ状態になったら、ステップＳ２において、制御部４０はＥＵＶ放射を開始する。次にステップＳ３で、制御部４０は、観測部５４による廃原料１２２のモニタリングを開始する。また、ステップＳ４では、制御部４０は、ゲートバルブ６１を開状態とする。
なお、トラップステージ５１の冷却状態がスタンバイ状態になるタイミングの判断は、例えば、予め求めておいた冷却機構の駆動開始からトラップステージ５１の冷却状態がスタンバイ状態になるまでの時間をカウントすることにより行うことができる。
なお、トラップステージ５１の冷却状態がスタンバイ状態になるタイミングの判断は、例えば、予め求めておいた冷却機構の駆動開始からトラップステージ５１の冷却状態がスタンバイ状態になるまでの時間をカウントすることにより行うことができる。
ＥＵＶ放射が繰り返し発生するにつれ、放電部カバー（カバー部材２９）の第一のドレイン３０からは、放電電極２１ａ，２１ｂやコンテナ２３ａ，２３ｂから飛散した高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂが、液滴となって廃原料１２２としてトラップステージ５１に向けて落下する。また、ホイルトラップカバー（カバー部材３５）の第二のドレイン３７からは、プラズマＰから飛散した高温プラズマ原料であるスズに起因するデブリＤが、液滴となって廃原料１２２としてトラップステージ５１に向けて落下する。そして、図６に示すように、トラップステージ５１に各ドレイン３０，３７からそれぞれ液滴となって落下した廃原料１２２は、トラップステージ５１表面で冷却され固体となる。このとき、液体スズからなる廃原料１２２が同じ箇所に次々と落ちることで、スズが石筍状に成長する。
観測部５４は、石筍状に成長する固体状の廃原料１２２をモニタリングし、廃原料１２２が所定の高さ（上限位置）にまで成長したタイミングで、スズ回収信号を制御部４０に送信する。
制御部４０は、図５のステップＳ５において、観測部５４から送信されたスズ回収信号を受信したか否かを判定する。そして、スズ回収信号を受信していない場合には、そのまま待機し、スズ回収信号を受信したと判断した場合にはステップＳ６に移行する。
ステップＳ６では、制御部４０は、スイーパ駆動部５３を駆動し、図７に示すように、スイーパ５２を待機位置からスズ廃棄位置へ移動し、当該スズ廃棄位置で停止させる。
スイーパ５２が、図７における右方向に移動すると、スイーパ５２はトラップステージ５１表面に成長した石筍状の廃原料１２２と衝突する。スイーパ５２と衝突した固体状の廃原料１２２は、トラップステージ５１表面から剥離し、スイーパ５２と共に右方向に移動する。スイーパ５２と共に移動した廃原料１２２は、最終的に、スイーパ５２がトラップステージ５１の右端部にまで移動した際に、ゲートバルブ６１及び廃棄路６２を経由して、廃原料貯蔵７０に収容される。
制御部４０は、図５のステップＳ５において、観測部５４から送信されたスズ回収信号を受信したか否かを判定する。そして、スズ回収信号を受信していない場合には、そのまま待機し、スズ回収信号を受信したと判断した場合にはステップＳ６に移行する。
ステップＳ６では、制御部４０は、スイーパ駆動部５３を駆動し、図７に示すように、スイーパ５２を待機位置からスズ廃棄位置へ移動し、当該スズ廃棄位置で停止させる。
スイーパ５２が、図７における右方向に移動すると、スイーパ５２はトラップステージ５１表面に成長した石筍状の廃原料１２２と衝突する。スイーパ５２と衝突した固体状の廃原料１２２は、トラップステージ５１表面から剥離し、スイーパ５２と共に右方向に移動する。スイーパ５２と共に移動した廃原料１２２は、最終的に、スイーパ５２がトラップステージ５１の右端部にまで移動した際に、ゲートバルブ６１及び廃棄路６２を経由して、廃原料貯蔵７０に収容される。
次に、図５のステップＳ７で、制御部４０は、スイーパ駆動部５３を駆動し、スイーパ５２をスズ廃棄位置から待機位置へ戻す。
ステップＳ８では、制御部４０は、廃原料貯蔵部７０に収容されている廃原料１２２が、所定量に到達したか否かを判定する。ここで、所定量とは、廃原料貯蔵部７０の廃原料収容可能量を超えない量であり、例えば、廃原料貯蔵部７０の廃原料収容可能量の９０％程度に設定する。なお、廃原料１２２が所定量に到達したかどうかは、例えば、予め廃原料１２２が所定量に到達するまでのスイーパ５２による廃原料１２２の除去回数を求めておき、スイーパ５２の駆動回数をカウントすることで判断することができる。また、廃原料貯蔵部７０の重さを検出する手段を設け、当該廃原料貯蔵部７０の重さに基づいて収容量を検出するようにしてもよい。
ステップＳ８では、制御部４０は、廃原料貯蔵部７０に収容されている廃原料１２２が、所定量に到達したか否かを判定する。ここで、所定量とは、廃原料貯蔵部７０の廃原料収容可能量を超えない量であり、例えば、廃原料貯蔵部７０の廃原料収容可能量の９０％程度に設定する。なお、廃原料１２２が所定量に到達したかどうかは、例えば、予め廃原料１２２が所定量に到達するまでのスイーパ５２による廃原料１２２の除去回数を求めておき、スイーパ５２の駆動回数をカウントすることで判断することができる。また、廃原料貯蔵部７０の重さを検出する手段を設け、当該廃原料貯蔵部７０の重さに基づいて収容量を検出するようにしてもよい。
そして、このステップＳ８において、廃原料貯蔵部７０の収容量が所定量に到達していないと判断した場合にはステップＳ４に戻り、所定量に到達していると判断した場合にはステップＳ９に移行する。
ステップＳ９では、制御部４０は、ゲートバルブ６１を閉状態として、チャンバ１１と廃棄路６２及び廃原料貯蔵部７０とを区画する。次にステップＳ１０では、制御部４０は、パージガス供給部６４を制御し、ロードロック部６０にパージガス（例えば、空気）を供給し、ロードロック部６０内部の圧力を大気圧まで加圧する。これにより、図８に示すように、廃棄路６２内部及び廃原料貯蔵部７０内部は大気圧状態となり、廃原料貯蔵部７０の交換作業が可能な状態となる。
ステップＳ９では、制御部４０は、ゲートバルブ６１を閉状態として、チャンバ１１と廃棄路６２及び廃原料貯蔵部７０とを区画する。次にステップＳ１０では、制御部４０は、パージガス供給部６４を制御し、ロードロック部６０にパージガス（例えば、空気）を供給し、ロードロック部６０内部の圧力を大気圧まで加圧する。これにより、図８に示すように、廃棄路６２内部及び廃原料貯蔵部７０内部は大気圧状態となり、廃原料貯蔵部７０の交換作業が可能な状態となる。
廃原料貯蔵部７０の交換作業は、作業者によって行われる。作業者は、図９に示すように、廃原料貯蔵部７０を廃棄路６２から取り外し、廃原料貯蔵部７０に収容された廃原料１２２を廃棄する。そして、作業者は、空の廃原料貯蔵部７０を廃棄路６２に接続し、廃原料貯蔵部７０の交換作業を終了する。このとき、ゲートバルブ６１は閉状態であるので、チャンバ１１内の真空状態は保持されたままである。すなわち、廃原料１２２の廃棄工程を実施する場合においても、ＥＵＶ放射の発生を継続させることができる。
なお、上記交換作業においては、廃原料貯蔵部７０を複数準備しておき、廃原料１２２を収容した廃原料貯蔵部７０を取り外した後、速やかに空状態である別の廃原料貯蔵部７０を取り付けるようにしてもよい。また、廃原料貯蔵部７０に開閉可能な廃原料取出口を設け、廃原料貯蔵部７０を取り外さずに当該廃原料取出口から廃原料を取出し、廃棄するようにしてもよい。
なお、上記交換作業においては、廃原料貯蔵部７０を複数準備しておき、廃原料１２２を収容した廃原料貯蔵部７０を取り外した後、速やかに空状態である別の廃原料貯蔵部７０を取り付けるようにしてもよい。また、廃原料貯蔵部７０に開閉可能な廃原料取出口を設け、廃原料貯蔵部７０を取り外さずに当該廃原料取出口から廃原料を取出し、廃棄するようにしてもよい。
図５のステップＳ１１では、制御部４０は、作業者による廃原料貯蔵部７０の交換作業が完了したか否かを判断する。この判断は、例えば、作業者が廃原料貯蔵部７０の交換作業を終え、所定のボタン等を押下したときに出力される交換完了信号を受信することをもって行うことができる。制御部４０は、作業者による廃原料貯蔵部７０の交換作業が完了していないと判断した場合にはそのまま待機し、交換作業が完了したと判断した場合にはステップＳ１２に移行する。
ステップＳ１２では、制御部４０は、真空排気部６３を制御し、ロードロック部６０内部を排気し、ロードロック６０内部の圧力をチャンバ１１内部と同程度の圧力まで減圧する。なお、ロードロック部６０内部の圧力のモニタリングは、圧力計６５を用いて行う。これにより、廃棄路６２内部及び廃原料貯蔵部７０内部は例えば真空状態となり、ゲートバルブ６１を開状態にすることができる状態となる。その後、ＥＵＶ放射の発生を継続する場合には、制御部４０はステップＳ４に移行し、ゲートバルブ６１を開状態として廃原料貯蔵部７０に廃原料１２２を収容可能な状態とする。
ステップＳ１２では、制御部４０は、真空排気部６３を制御し、ロードロック部６０内部を排気し、ロードロック６０内部の圧力をチャンバ１１内部と同程度の圧力まで減圧する。なお、ロードロック部６０内部の圧力のモニタリングは、圧力計６５を用いて行う。これにより、廃棄路６２内部及び廃原料貯蔵部７０内部は例えば真空状態となり、ゲートバルブ６１を開状態にすることができる状態となる。その後、ＥＵＶ放射の発生を継続する場合には、制御部４０はステップＳ４に移行し、ゲートバルブ６１を開状態として廃原料貯蔵部７０に廃原料１２２を収容可能な状態とする。
以上のように、本実施形態では、第一のドレイン３０及び第二のドレイン３７から液滴となって落下する廃原料１２２をトラップステージ５１で受け止め、当該トラップステージ５１上で固体化するようにする。そして、トラップステージ５１で固体化した廃原料１２２を、スイーパ５２によってトラップステージ５１から廃原料貯蔵部７０へ移動し、廃原料貯蔵部７０内に収容する。廃原料１２２によって満杯になった廃原料貯蔵部７０は、ロードロック機構６０によってチャンバ１１内を真空状態に保ちながら空の廃原料貯蔵部７０と交換可能である。
このように、加熱により廃原料１２２を液体状態に維持して収容する必要がなくなる。そのため、廃原料１２２を収容する収容部を加熱するための加熱手段が不要となり、装置の構造をコンパクトにすることができる。また、加熱のための投入電力も不要となる。また、チャンバ１１を真空状態に維持しながら、廃原料貯蔵部７０をチャンバ１１から取り外して当該廃原料貯蔵部７０に収容された廃原料１２２を廃棄することができる。そのため、廃原料貯蔵部７０の交換に際し、ＥＵＶ光源装置１００の稼動（ＥＵＶ放射の発生動作）を停止する必要がない。したがって、ＥＵＶ光源装置１００の連続稼動時間を延長することができる。
ところで、従来のＥＵＶ光源装置では、図１１に示すように、第一のドレイン３０及び第二のドレイン３７の真下に、各ドレイン３０及び３７から排出される液滴状の廃原料１２２を受け止めて溜める廃原料収容部８１が設置されている。廃原料収容部８１には加熱部８２が設けられており、加熱部８２は、廃原料収容部８１をスズの融点以上に加熱し、廃原料１２２を液体状態に維持する。廃原料収容部８１が液体状態の廃原料１２２で満杯となると、加熱部８２による加熱を停止し、廃原料収容部８１内の廃原料１２２を固体化したうえで、空の廃原料収容部８１と交換する。このとき、ＥＵＶ光源装置の稼動は停止する必要がある。
ＥＵＶ光源装置によるＥＵＶ発光は、通常、一定周波数のパルス発光となる。例えば、一定周波数７ｋＨｚで２４時間、ＥＵＶ光源装置を連続運転した場合、ＥＵＶ発光パルス数は７０００×３６００×２４＝０．６４０８×１０9パルスとなる。ＥＵＶ光源装置においては、例えば、１Ｂパルス（１×１０9パルス）あたり約１ｋｇの高温プラズマ原料（スズ）を消費する。１ｋｇのスズは、液化すると約１／７リットル（約１４３ｃｃ）となり、その大半はデブリトラップ等で回収し廃原料１２２となる。
すなわち、７ｋＨｚで２４時間ＥＵＶ光源装置を連続運転した場合、廃原料１２２は、液化すると約９２ｃｃとなる。仮に、廃原料収容部８１の廃原料収容可能量が１リットルである場合、廃原料収容部８１は約１１日で廃原料１２２によって満杯となる。すなわち、約１１日ごとに廃原料収容部８１のメンテナンス作業が発生し、メンテナンスのたびにＥＵＶ光源装置の稼動を停止しなければならない。
すなわち、７ｋＨｚで２４時間ＥＵＶ光源装置を連続運転した場合、廃原料１２２は、液化すると約９２ｃｃとなる。仮に、廃原料収容部８１の廃原料収容可能量が１リットルである場合、廃原料収容部８１は約１１日で廃原料１２２によって満杯となる。すなわち、約１１日ごとに廃原料収容部８１のメンテナンス作業が発生し、メンテナンスのたびにＥＵＶ光源装置の稼動を停止しなければならない。
しかしながら、近年、２４時間連続運転するＥＵＶ光源装置の場合、３０日間メンテナンスフリーであることが求められている。３０日間、上記条件（７ｋＨｚ、２４時間連続運転）でＥＵＶ光源装置が稼動すると、ＥＵＶ発光パルス数は、０．６４０８×１０9×３０＝１９．２２４×１０9パルスとなり、廃原料１２２は、液化すると約２７５０ｃｃにも及ぶ。すなわち、３０日間、ＥＵＶ光源装置を連続稼動するためには、廃原料収容部８１の容量は、約３リットル程度必要となる。このように、ＥＵＶ光源装置の連続稼動時間を延長しようとした場合、廃原料収容部８１が大型化してしまう。
また、容量が約３リットル程度の廃原料収容部８１を加熱部８２で加熱する場合、スズである廃原料１２２を液体状態で維持するためには膨大な投入電力が必要となる。
さらに、廃原料収容部８１の容量が大きくなると、液体状の廃原料１２２が固体化するまで時間がかかる。また、廃原料収容部８１自体が大型になるため、当該廃原料収容部８１の交換作業も大掛かりになる。結果として、メンテナンスにかかる時間も長くなり、その分、ＥＵＶ光源装置の稼動停止時間も長くなる。
廃原料収容部８１を加熱せず、廃原料収容部８１の内部で廃原料１２２を固体化した状態で交換する構成とすれば、液体状の廃原料が固体化するまでの時間を削減することができる。しかしながら、この場合、廃原料１２２が廃原料収容部８１内で石筍状に成長することになり、図１２に示すように、各ドレイン３０，３７が廃原料（固体スズ）１２２で塞がるという不具合が生じ得る。
さらに、廃原料収容部８１の容量が大きくなると、液体状の廃原料１２２が固体化するまで時間がかかる。また、廃原料収容部８１自体が大型になるため、当該廃原料収容部８１の交換作業も大掛かりになる。結果として、メンテナンスにかかる時間も長くなり、その分、ＥＵＶ光源装置の稼動停止時間も長くなる。
廃原料収容部８１を加熱せず、廃原料収容部８１の内部で廃原料１２２を固体化した状態で交換する構成とすれば、液体状の廃原料が固体化するまでの時間を削減することができる。しかしながら、この場合、廃原料１２２が廃原料収容部８１内で石筍状に成長することになり、図１２に示すように、各ドレイン３０，３７が廃原料（固体スズ）１２２で塞がるという不具合が生じ得る。
第一のドレイン３０が完全に閉塞すると、放電部カバー２９によって捕集した高温プラズマ原料（スズ）を廃原料１２２として外部に排出することが不可能となり、高温プラズマ原料（スズ）が放電部カバー２９内部に溜まる。放電部カバー２９内部に溜まる高温プラズマ原料がコンテナ２３ａ、コンテナ２３ｂ内の高温プラズマ原料と接触すると、放電部カバー２９と放電電極２１ａ、２１ｂとが電気的に接続される。コンテナ２３ａ、２３ｂはパルス電力供給部２７に接続されているので、高温プラズマ原料を介して放電部カバー２９にもパルス電力が供給されることになり、チャンバ１１内で不所望な放電が発生するおそれがある。
また、トラップステージ５１がタングステン等の導電性部材から構成される場合、放電電極２１ａ、放電電極２１ａを包囲する放電部カバー２９、この放電部カバー２９のドレイン３０を閉塞する石筍状の廃原料１２２、トラップステージ、放電電極２１ｂを包囲する放電部カバー２９のドレイン３０を閉塞する石筍状の廃原料１２２、放電電極２１ｂ側の放電部カバー２９、放電電極２１ｂが電気的に接続されてしまい、放電電極２１ａ、２１ｂ間が短絡状態となり、両電極間で放電が不可能となるおそれがある。
また、第二のドレイン３７が完全に閉塞すると、ホイルトラップカバー３５によって捕集したデブリ（スズ）を廃原料１２２として外部に排出することが不可能となり、デブリ（スズ）がホイルトラップカバー３５内部に溜まる。すると、この溜まったデブリ（スズ）にホイルトラップのホイルが接触し、ホイルトラップの回転機能が不能となったり、ホイルの一部が破損してデブリ阻止性能が低下したりする。
また、第二のドレイン３７が完全に閉塞すると、ホイルトラップカバー３５によって捕集したデブリ（スズ）を廃原料１２２として外部に排出することが不可能となり、デブリ（スズ）がホイルトラップカバー３５内部に溜まる。すると、この溜まったデブリ（スズ）にホイルトラップのホイルが接触し、ホイルトラップの回転機能が不能となったり、ホイルの一部が破損してデブリ阻止性能が低下したりする。
本実施形態では、上述したように、ＥＵＶ光源装置１００の稼動を停止させることなく、廃原料貯蔵部７０の交換が可能である。そのため、廃原料貯蔵部７０を大型化することなく、ＥＵＶ光源装置１００の連続稼動時間を延長させることができる。したがって、上記の３０日間メンテナンスフリーも容易に実現可能である。また、廃原料貯蔵部７０を加熱するための加熱手段が不要となるため、加熱手段の不具合といった、各ドレイン３０，３７の閉塞を引き起こす要因を削減すことができる。また、加熱手段の不具合を検知するための手段を別途設ける必要も無くなる。
さらに、観測部５４により石筍状に成長する廃原料１２２をモニタリングし、スイーパ５２を作業するタイミングを決定するので、廃原料１２２の上端部が各ドレイン３０，３７に到達して各ドレイン３０，３７の内部を閉塞するという不具合を回避することができる。このとき、観測部５４は、トラップステージ５１上の廃原料１２２を撮像した画像を画像解析することで、廃原料１２２の堆積状態を検出することができる。このように、画像解析を用いることで、複数の観測点を設定することができ、石筍状に成長する廃原料１２２を正確にモニタリングすることができる。したがって、適切なタイミングでスイーパ５２を作業させることができる。
また、観測部５４が撮像した廃原料１２２の画像に基づいて、トラップステージ５１の異常も検出することができる。例えば、トラップステージ５１の冷却機構に不具合が生じている場合、トラップステージ５１で受け止めた液滴状の廃原料１２２が固体化せず、石筍状に成長しない。したがって、撮像画像を解析することにより、トラップステージ５１上の廃原料１２２の状態を正確に把握することができ、チャンバ１１内における異常を適切に検知することができる。
さらに、観測部５４を光センサ部（位置センサ）で構成すれば、上記のような画像解析が必要なく、石筍状に成長する廃原料１２２の上端部の高さ位置を簡易に検出することができる。また、位置センサを鉛直方向に複数設置すれば、石筍状に成長する廃原料１２２の成長過程をモニタリングすることもできる。
このように、観測部５４により石筍状に成長する廃原料１２２をモニタリングし、廃原料１２２の上端部の高さが所定の高さ（上限位置）に到達したときにスイーパ５２を作動して、廃原料１２２をトラップステージ５１から廃原料貯蔵部７０へ移動する。したがって、各ドレイン３０，３７から排出されトラップステージ５１上に堆積した廃原料１２２が、各ドレイン３０，３７の排出口に到達して当該排出口が廃原料１２２によって閉塞されるのを防止することができる。
このように、観測部５４により石筍状に成長する廃原料１２２をモニタリングし、廃原料１２２の上端部の高さが所定の高さ（上限位置）に到達したときにスイーパ５２を作動して、廃原料１２２をトラップステージ５１から廃原料貯蔵部７０へ移動する。したがって、各ドレイン３０，３７から排出されトラップステージ５１上に堆積した廃原料１２２が、各ドレイン３０，３７の排出口に到達して当該排出口が廃原料１２２によって閉塞されるのを防止することができる。
また、トラップステージ５１の表面を、スズに対して非濡れ性を有する材質で構成するので、スイーパ５２により廃原料１２２をトラップステージ５１から容易に剥離することができる。さらに、トラップステージ５１の表面を、スズに対して不活性な材質で構成するので、スズとの化学反応を抑制することができ、スイーパ５２により廃原料１２２をトラップステージ５１から剥離しやすい状態を維持することができる。
さらに、スイーパ駆動部５３をチャンバ１１外に配置するので、スイーパ駆動部５３のメンテナンスを容易に行うことができ、信頼性を向上させることができる。
さらに、スイーパ駆動部５３をチャンバ１１外に配置するので、スイーパ駆動部５３のメンテナンスを容易に行うことができ、信頼性を向上させることができる。
（変形例）
上記実施形態においては、観測部５４によってトラップステージ５１上に堆積した廃原料１２２の高さを検出する場合について説明したが、ＥＵＶ発光パルス数をカウントすることにより廃原料１２２の高さを推定することもできる。
ＥＵＶ発光パルス数と第一のドレイン３０から排出される廃原料１２２の量とは、ほぼ比例する。また、ＥＵＶ発光パルス数とホイルトラップカバー３５の第二のドレイン３７から排出される廃原料１２２の量とは、ほぼ比例する。よって、上記パルス数と石筍状に成長する廃原料１２２の高さもほぼ比例する。なお、第一のドレイン３０から排出される廃原料１２２の量は、第二のドレイン３７から排出される廃原料１２２の量よりも多い。したがって、予め上記パルス数と廃原料１２２の高さ（各ドレイン３０，３７から排出される廃原料１２２の排出量）との関係を調べておくことにより、パルス数のカウント結果に応じて、廃原料１２２の高さを推定することが可能となる。
上記実施形態においては、観測部５４によってトラップステージ５１上に堆積した廃原料１２２の高さを検出する場合について説明したが、ＥＵＶ発光パルス数をカウントすることにより廃原料１２２の高さを推定することもできる。
ＥＵＶ発光パルス数と第一のドレイン３０から排出される廃原料１２２の量とは、ほぼ比例する。また、ＥＵＶ発光パルス数とホイルトラップカバー３５の第二のドレイン３７から排出される廃原料１２２の量とは、ほぼ比例する。よって、上記パルス数と石筍状に成長する廃原料１２２の高さもほぼ比例する。なお、第一のドレイン３０から排出される廃原料１２２の量は、第二のドレイン３７から排出される廃原料１２２の量よりも多い。したがって、予め上記パルス数と廃原料１２２の高さ（各ドレイン３０，３７から排出される廃原料１２２の排出量）との関係を調べておくことにより、パルス数のカウント結果に応じて、廃原料１２２の高さを推定することが可能となる。
この場合、制御部４０は、上述した図５に示す廃原料処理に代えて、図１０に示す廃原料処理を実行する。なお、図１０に示す処理は、図５のステップＳ３及びＳ５をステップＳ２１及びＳ２２に置換したことを除いては、図５に示す処理と同様である。したがって、ここでは処理の異なる部分を中心に説明する。
ステップＳ２１では、制御部４０は、ＥＵＶ発光パルスのカウントを開始し、ステップＳ４に移行する。
ステップＳ２２では、制御部４０は、ＥＵＶ発光パルス数のカウント値が所定値に到達したか否かを判定する。ここで、所定値とは、トラップステージ５１上に堆積される廃原料１２２の高さが、上述した上限位置に到達するまでに要するＥＵＶ発光パルス数相当に設定する。そして、カウント値が所定値に到達していないと判断した場合には、ＥＵＶ発光パルス数のカウントをそのまま継続してステップＳ４に移行する。一方、カウント値が所定値に到達したと判断した場合には、カウント値を初期値（＝０）に設定してからＥＵＶ発光パルス数のカウントを継続し、ステップＳ６に移行する。
ステップＳ２１では、制御部４０は、ＥＵＶ発光パルスのカウントを開始し、ステップＳ４に移行する。
ステップＳ２２では、制御部４０は、ＥＵＶ発光パルス数のカウント値が所定値に到達したか否かを判定する。ここで、所定値とは、トラップステージ５１上に堆積される廃原料１２２の高さが、上述した上限位置に到達するまでに要するＥＵＶ発光パルス数相当に設定する。そして、カウント値が所定値に到達していないと判断した場合には、ＥＵＶ発光パルス数のカウントをそのまま継続してステップＳ４に移行する。一方、カウント値が所定値に到達したと判断した場合には、カウント値を初期値（＝０）に設定してからＥＵＶ発光パルス数のカウントを継続し、ステップＳ６に移行する。
このように、観測部５４を用いずとも、廃原料１２２が所定の高さにまで成長したタイミングを判定することが可能となる。なお、ＥＵＶ発光が一定周波数のパルス発光であることを利用し、タイマを用いて、廃原料１２２が所定の高さにまで成長したタイミングを判定してもよい。
但し、特に第一のドレイン３０からは、予測不能なタイミングで廃原料１２２が一度に大量に排出される場合があるため、このような不測の事態に対応するためには、観測部５４による廃原料１２２のモニタリングを併用することが好ましい。
また、上記実施形態においては、観測部５４を複数備えてもよい。これにより、廃原料１２２のモニタリングを多重化することができ、より信頼性の高い廃原料処理が可能となる。
但し、特に第一のドレイン３０からは、予測不能なタイミングで廃原料１２２が一度に大量に排出される場合があるため、このような不測の事態に対応するためには、観測部５４による廃原料１２２のモニタリングを併用することが好ましい。
また、上記実施形態においては、観測部５４を複数備えてもよい。これにより、廃原料１２２のモニタリングを多重化することができ、より信頼性の高い廃原料処理が可能となる。
（応用例）
上記実施形態においては、高温プラズマ原料に照射するエネルギービームとしてレーザを用いる場合について説明したが、レーザに代えてイオンビームや電子ビーム等を用いることもできる。
また、上記実施形態においては、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に適用する場合について説明したが、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置にも適用可能である。ＬＰＰ方式とは、プラズマ生成用ドライバレーザをターゲット材料に照射し、当該ターゲット材料を励起させてプラズマを生成する方式である。
上記実施形態においては、高温プラズマ原料に照射するエネルギービームとしてレーザを用いる場合について説明したが、レーザに代えてイオンビームや電子ビーム等を用いることもできる。
また、上記実施形態においては、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に適用する場合について説明したが、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置にも適用可能である。ＬＰＰ方式とは、プラズマ生成用ドライバレーザをターゲット材料に照射し、当該ターゲット材料を励起させてプラズマを生成する方式である。
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置においても、上述したＤＰＰ方式（ＤＬＰ方式）のＥＵＶ光源装置１００と同様に、高温プラズマから発生するデブリを捕捉し、ＥＵＶ光のみを通過させる働きをするデブリトラップを設置する。したがって、このＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に上述した廃原料処理機構を設ければ、デブリトラップを構成するホイルトラップによって捕捉しホイルトラップカバーによって捕集したデブリを、廃原料として適切に処理することができる。この場合にも、ＥＵＶ光源装置の稼動を停止することなく、廃原料貯蔵部の交換が可能であると共に、廃原料貯蔵部を加熱せずとも、ホイルトラップカバーのドレインが石筍化した廃原料によって閉塞されるといった不具合を回避することができる。
さらに、上記実施形態においては、ＥＵＶ光源装置を半導体露光用光源として用いる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、露光用マスクの検査装置等の光源として用いることもできる。
波長１３．５ｎｍのＥＵＶに対して透明な光学材料は存在しないため、ＥＵＶを用いる露光光学系は反射投影光学系となる。この光学系に用いられるマスクは、例えば、低熱膨張ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）膜とシリコン（Ｓｉ）膜とを交互に積層してなるＥＵＶ反射用の多層膜が形成されたマスクブランクス上に、ＥＵＶを吸収する材料からなる吸収体パターンが形成される反射型マスクとなる。このような反射型マスクにおいて、マスクブランクスを構成する基板（低熱膨張ガラス基板）上に微粒子やピットが存在したり多層膜（例えば、Ｍｏ／Ｓｉ膜）中に微粒子が介在したりしてしまうと、位相欠陥となる。
そのため、高精度なＥＵＶ露光を実現するためには露光用原版である反射型マスクの無欠陥化が重要となり、その実現のために高精度のマスク検査技術が求められている。
波長１３．５ｎｍのＥＵＶに対して透明な光学材料は存在しないため、ＥＵＶを用いる露光光学系は反射投影光学系となる。この光学系に用いられるマスクは、例えば、低熱膨張ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）膜とシリコン（Ｓｉ）膜とを交互に積層してなるＥＵＶ反射用の多層膜が形成されたマスクブランクス上に、ＥＵＶを吸収する材料からなる吸収体パターンが形成される反射型マスクとなる。このような反射型マスクにおいて、マスクブランクスを構成する基板（低熱膨張ガラス基板）上に微粒子やピットが存在したり多層膜（例えば、Ｍｏ／Ｓｉ膜）中に微粒子が介在したりしてしまうと、位相欠陥となる。
そのため、高精度なＥＵＶ露光を実現するためには露光用原版である反射型マスクの無欠陥化が重要となり、その実現のために高精度のマスク検査技術が求められている。
マスクブランクスを検査するための検査光として深紫外光（Deep UV：ＤＵＶ）を使用した場合、マスクブランクスの表面状態検出は可能であるが、多層膜内部や多層膜底面の基板に存在する欠陥の検出は難しい。一方、検査光としてＥＵＶ光を使用した場合には、多層膜内部の欠陥や基板欠陥からのＥＵＶ散乱光を検出することが可能である。すなわち、ＥＵＶ露光用の反射型マスクのマスクブランクスの検査は、検査光として露光光（ＥＵＶ）を使用するアクティニック（Actinic）検査となる。
このように、ＥＵＶ光源装置は、マスクブランクスの検査用光源として使用される。また、ＥＵＶ光源装置は、マスクブランクスの検査以外に、マスク上に施されているパターン欠陥の有無を検査するマスクパターンの検査等にも使用される。
このように、マスクブランクスの検査、マスクパターンの検査等、ＥＵＶ露光に使用される反射型マスクの検査に採用されるＥＵＶ光源装置であるマスク検査用ＥＵＶ光源装置にも本発明を適用可能である。
このように、ＥＵＶ光源装置は、マスクブランクスの検査用光源として使用される。また、ＥＵＶ光源装置は、マスクブランクスの検査以外に、マスク上に施されているパターン欠陥の有無を検査するマスクパターンの検査等にも使用される。
このように、マスクブランクスの検査、マスクパターンの検査等、ＥＵＶ露光に使用される反射型マスクの検査に採用されるＥＵＶ光源装置であるマスク検査用ＥＵＶ光源装置にも本発明を適用可能である。
１１…チャンバ、１２…ＥＵＶ集光鏡、１３…デブリトラップ、２１ａ，２１ｂ…放電電極、２２ａ，２２ｂ…高温プラズマ原料、２３ａ，２３ｂ…コンテナ、２４ａ，２４ｂ…モータ、２７…パルス電力発供給部、２８…レーザ源、２９…カバー部材（放電部カバー）、３０…第一のドレイン、３１…ホイル、３２…中心支柱、３５…カバー部材（ホイルトラップカバー）、３６…カバー加熱部、３７…第二のドレイン、４０…制御部、５０…ステージ部、５１…トラップステージ、５２…スイーパ、５３…スイーパ駆動部、５４…観測部、６０…ロードロック部、６１…ゲートバルブ、６２…廃棄路、６３…真空排気部、６４…パージガス供給部、６５…圧力計、７０…廃原料貯蔵部、１００…極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）
Claims (14)
- 極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置であって、
高温プラズマ原料を加熱して励起し、高温プラズマを発生させる高温プラズマ発生部と、
前記高温プラズマの発生に寄与しない前記高温プラズマ原料、及び前記高温プラズマから発生する、前記高温プラズマ原料に起因するデブリの少なくとも一方である廃原料を捕集する捕集部材と、
前記捕集部材に連結され、前記捕集部材によって捕集した前記廃原料を液滴状で当該捕集部材の外部へ排出するための排出口と、
前記排出口の下方に配置され、前記排出口から排出された前記廃原料を受け止める冷却ステージと、
前記冷却ステージ上で冷却され固体化した前記廃原料を、当該冷却ステージ外に配置された廃原料貯蔵部内に移動する廃原料移動部と、
前記廃原料貯蔵部と前記高温プラズマ発生部、前記捕集部材、前記排出口、及び前記冷却ステージを少なくとも収容する真空雰囲気のチャンバとの間に設置されたロードロック部と、を備えることを特徴とする極端紫外光光源装置。 - 前記冷却ステージ上の前記廃原料の堆積状態を検出する状態検出部をさらに備え、
前記廃原料移動部は、
前記状態検出部で検出した前記廃原料の堆積状態に基づいて、当該廃原料の高さが所定の高さに到達したと判断したとき、前記廃原料を移動することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。 - 前記状態検出部は、
前記冷却ステージ上の前記廃原料を撮像する撮像部を備え、
前記撮像部によって撮像した画像を解析し、前記廃原料の堆積状態を検出することを特徴とする請求項２に記載の極端紫外光光源装置。 - 前記状態検出部は、
前記冷却ステージ表面から前記所定の高さの位置において前記廃原料の有無を検出する光センサ部を備え、
前記光センサ部で検出した前記廃原料の有無に基づいて、前記廃原料の高さが前記所定の高さに到達しているか否かを判断することを特徴とする請求項２に記載の極端紫外光光源装置。 - 前記極端紫外光はパルス光であって、
前記状態検出部は、
前記極端紫外光の発光パルス数をカウントするカウント部を備え、
前記カウント部によってカウントした発光パルス数と前記排出口から排出される前記廃原料の排出量との関係に基づいて、前記廃原料の堆積状態を検出することを特徴とする請求項２に記載の極端紫外光光源装置。 - 前記廃原料移動部は、
予め設定した一定のタイミングで、前記廃原料を移動することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。 - 前記冷却ステージは、前記廃原料に対して不活性で且つ非濡れ性を有する材料で構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。
- 前記冷却ステージにおける前記排出口と対向する表面は、前記廃原料に対して不活性で且つ非濡れ性を有する材料でコーティングされていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。
- 前記廃原料に対して不活性で且つ非濡れ性を有する材料は、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、セラミックス、窒化チタン、チタンの炭窒化物混合物、及び窒化チタン化合物のいずれかであることを特徴とする請求項７または８に記載の極端紫外光光源装置。
- 前記廃原料移動部は、
前記冷却ステージ上の前記廃原料と接触し、当該廃原料を摺動移動させるスイーパと、
前記スイーパを駆動するスイーパ駆動部と、を備え、
前記スイーパ駆動部は、前記チャンバの外部に配置されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。 - 前記高温プラズマの近傍に配置された複数のホイルを有し、前記高温プラズマから放射される光を通過し当該高温プラズマから発生するデブリを捕捉する回転可能なホイルトラップをさらに備え、
前記捕集部材は、前記ホイルトラップの外周部を包囲して、前記ホイルトラップから飛散する前記デブリを前記廃原料として捕集するホイルトラップカバーであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。 - 前記高温プラズマ発生部は、放電により前記高温プラズマ原料を加熱して励起し、前記高温プラズマを発生させる一対の放電電極からなる放電部材を有する放電部を備え、
前記捕集部材は、前記放電部の外周部を包囲して、当該放電部から飛散する前記高温プラズマ原料を前記廃原料として捕集する放電部カバーであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。 - 高温プラズマ原料を加熱して励起し、高温プラズマを発生させる高温プラズマ発生部と、前記高温プラズマの発生に寄与しない前記高温プラズマ原料、及び前記高温プラズマから発生する、前記高温プラズマ原料に起因するデブリの少なくとも一方である廃原料を捕集する捕集部材と、前記捕集部材に連結され、前記捕集部材によって捕集した前記廃原料を液滴状で当該捕集部材の外部へ排出するための排出口と、を備える極端紫外光光源装置における前記廃原料を廃棄する廃原料処理方法であって、
前記排出口から排出される前記廃原料を、前記排出口の下方に配置した冷却ステージによって受け止め、当該廃原料を前記冷却ステージ上で冷却して固体化し、
所定のタイミングで、前記冷却ステージ上の固体化した前記廃原料を、当該冷却ステージ外に配置された廃原料貯蔵部内に移動し、
ロードロック機構を用いて、前記廃原料貯蔵部と前記高温プラズマ発生部、前記捕集部材、前記排出口、及び前記冷却ステージを少なくとも収容する真空雰囲気のチャンバとの雰囲気を遮断した状態で、前記廃原料貯蔵部内の前記廃原料を廃棄することを特徴とする廃原料処理方法。 - 前記廃原料貯蔵部内の前記廃原料を廃棄するに際し、
前記廃原料貯蔵部と前記チャンバとの雰囲気を遮断した状態で、前記廃原料貯蔵部を大気雰囲気としてから、前記廃原料を廃棄することを特徴とする請求項１３に記載の廃原料処理方法。
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