TWI739788B - Euv光源及清理一euv光源中之一靶材碎片沈積物之方法 - Google Patents

Euv光源及清理一euv光源中之一靶材碎片沈積物之方法 Download PDF

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Abstract

本發明描述一種與產生EUV光同時移除靶材碎片沈積物之系統及方法，其包括：在EUV容器中、接近於該等靶材碎片沈積物就地產生氫自由基；及揮發該等靶材碎片沈積物及自該EUV容器沖洗該等經揮發靶材碎片沈積物而無該EUV容器中之一含氧物種之需要。

Description

EUV光源及清理一EUV光源中之一靶材碎片沈積物之方法
極紫外線(EUV)光被用於諸如極紫外線微影(EUVL)之應用中。
極紫外線(EUV)光可使用EUV源(其中靶材由高功率雷射源照射)產生。靶材藉由雷射源之照射導致發射EUV光之電漿的產生。
位於EUV容器中之EUV收集器收集且聚焦藉由電漿發射之EUV光。將經收集EUV光導出EUV容器且引導至EUV消耗系統中，諸如極紫外線微影系統(EUVL)。
靶材之相當大部分在靶材藉由高功率雷射源照射時作為靶材碎片分佈在EUV容器周圍。靶材碎片沈積於EUV收集器及EUV容器內之各種內表面上。EUV收集器上之靶材碎片沈積物降低EUV收集器之收集效能。EUV容器之內表面上之靶材碎片沈積物最終可自內表面剝落且變得停置於EUV收集器上，從而進一步遞減EUV收集器之收集效能。
在此內容脈絡中，實施例出現。
一般而言，本發明藉由提供在EUV容器中、接近於靶材碎片沈積物 就地產生氫自由基H*的系統及方法而滿足此等需要。應瞭解，本發明可以多個方式實施，包括作為過程、設備、系統、電腦可讀媒體或裝置。就地清理提供與產生EUV光同時清理EUV收集器及EUV容器的能力。就地清理使得並不需要中斷EUV產生操作以用於清理EUV收集器及EUV容器。下文描述本發明的若干發明性實施例。
一個實施例提供用於與產生EUV光同時移除靶材碎片沈積物之系統，其包括在EUV容器中、接近於該等靶材碎片沈積物就地產生氫自由基；及揮發該等靶材碎片沈積物及自該EUV容器沖洗該等經揮發靶材碎片沈積物而無該EUV容器中之一含氧物種之需要。
另一實施例提供包括EUV容器之EUV光源，該EUV容器包括耦接至能夠將一定數量之沖洗氣體分配至EUV容器中之沖洗氣體源的EUV容器沖洗氣體入口。EUV收集器安置於EUV容器中。EUV收集器包括反射表面。靶材源能夠將一定數量之靶材分配至EUV容器中。該數量之靶材之第一部分作為第一靶材碎片沈積物安置於EUV收集器之反射表面之至少一部分上。第一氫自由基源安置於EUV容器內。包括第一氫自由基源出口之第一氫自由基源經安置而接近於EUV收集器之反射表面。第一氫自由基源亦包括耦接至氫源之第一氫源入口、耦接至第一信號源之第一氫源電極及耦接至第二信號源之第二氫源電極。第一氫自由基源能夠產生第一數量之氫自由基且自第一氫自由基源出口分配第一數量之氫自由基。第一數量之氫自由基能夠與第一靶材碎片沈積物組合以形成含有第一靶材碎片沈積物之至少一部分的第一數量之揮發性化合物。EUV容器沖洗出口包括於EUV容器中且能夠將第一數量之揮發性化合物傳遞至EUV容器之外。
氫自由基源可包括氫電漿腔室，諸如電容耦合或電感耦合式氫電漿 腔室。用於產生氫自由基之電極中之一者可為EUV收集器之導電層之一部分。氫自由基源出口可安置於EUV收集器之周邊周圍或安置在EUV收集器之中心孔隙附近。氫自由基源可安置在EUV容器中之一或多個擋板附近。
氫自由基接近於靶材碎片沈積物產生且因此並不需要含氧物種以在氫自由基重組以形成氫氣之前延長時間且因此可防止含氧物種進入EUV容器。
另一實施例提供清理EUV光源中之靶材碎片沈積物同時在EUV光源中產生EUV光之方法。該方法包括在EUV光源之EUV容器內產生一定數量之氫自由基及接近於EUV容器內部之表面上之靶材沈積物輸出所產生的該數量之氫自由基。形成含有該靶材沈積物之第一部分之至少一部分的第一數量之揮發性化合物；將足夠數量之沖洗氣體分配至EUV容器中且將第一數量之揮發性化合物經由EUV容器沖洗出口沖洗至EUV容器之外。
結合隨附圖式，自藉由實例說明本發明之原理的以下詳細描述，本發明之其他態樣及優點將變得顯而易見。
20:雷射產生電漿EUV光源/LPP光源
21:光束路徑
22:光脈衝產生系統
23:光脈衝
24:靶材遞送系統
25:光束遞送系統
26:EUV容器/腔室
28:照射區
30:EUV收集器/收集器
30A:收集器表面
30B:收集器邊緣/邊緣
31:主焦點
32:孔隙/中心孔隙
34:EUV光
40:中間焦點
40A:出口
42:下游裝置
60:EUV控制器
62:靶材位置偵測回饋系統
65:激發控制系統
70:靶材成像器/成像器
90:靶材控制系統
92:靶材分配器
102A:小滴
102B:小滴
102C:小滴
150:中間容器擋板總成/擋板總成
151A:葉片
151B:葉片
152:三維錐狀透射區/透射區
153:微粒子
154A:邊緣
154B:邊緣
155:二級區
155':中間容器區
155":後部容器區
156:內表面
161A:靶材碎片沈積物/相對較小微粒
161B:靶材碎片沈積物
161C:靶材碎片沈積物
161D:靶材碎片沈積物
162:靶材碎片沈積物
171A:靶材碎片沈積物/靶材沈積物
171B:靶材碎片沈積物
171C:靶材碎片沈積物
200:靶材捕集器/EUV光源
201:就地氫自由基源
201':就地氫自由基源
201":就地氫自由基源
201A:壁
202:自由基產生器
202A:氫電漿/電漿
203:出口通道
204:邊緣上方通道
205:出口
205A:出口
208:惰性載體氣體
210:信號源
211:自由基產生器
212:信號源
212A:信號源
212B:信號源
212C:信號源
220:陶瓷絕緣體
221:替代性就地氫自由基源
231:就地氫自由基源
271:中心就地氫自由基源
290:氫氣源
291:載體氣體源
295:沖洗氣體源
296:沖洗出口
800:電感氫自由基產生器
802:氫噴嘴
804:電感線圈
810:氫電漿
1000:電感氫自由基產生器
1004:感應線圈
1007:陶瓷窗口
1008:側壁/壁
1100:電容氫自由基產生器
1106:氫噴嘴
1110:氫電漿
1120:導電層
1122:層/矽、玻璃或石英層
1124:層/反射層
1126:層/保護層
1200:電容氫自由基產生器
1212:第二信號源
1302:第一電極/電極
1304:第二電極/電極
1306:絕緣層
1312:信號源
1400:方法操作
1405~1415:操作
1500:方法操作
1505~1525:操作
藉由以下詳細描述結合隨附圖式，將容易理解本發明。
圖1A為根據所揭示標的物之實施例的雷射產生電漿EUV光源之簡化示意圖。
圖1B說明根據所揭示標的物之實施例的EUV容器中之中間容器擋板總成。
圖1C為根據所揭示標的物之實施例的具有靶材碎片沈積物之EUV收集器之示意圖。
圖1D為根據所揭示標的物之實施例的擋板總成之一部分之示意圖。
圖2為根據所揭示標的物之實施例的包括一或多個就地氫自由基源之EUV光源之簡化示意圖。
圖3A為根據所揭示標的物之實施例的收集器及就地氫自由基源之一部分之詳細橫截面圖。
圖3B為根據所揭示標的物之實施例的收集器及就地氫自由基源之橫截面圖之簡化示意圖。
圖4為根據所揭示標的物之實施例的收集器及替代性就地氫自由基源之橫截面圖之簡化示意圖。
圖5為根據所揭示標的物之實施例的具有實質上環繞收集器之周邊之就地氫自由基源的收集器之簡化視圖。
圖6為根據所揭示標的物之實施例的具有實質上均勻地分佈及安置於收集器之周邊周圍之多個就地氫自由基源的收集器之簡化視圖。
圖7為根據所揭示標的物之實施例的收集器及多個就地氫自由基源之橫截面圖之簡化示意圖。
圖8為根據所揭示標的物之實施例的電感氫自由基產生器之簡化示意性側視圖。
圖9為根據所揭示標的物之實施例的電感氫自由基產生器之簡化示意性俯視圖。
圖10為根據所揭示標的物之實施例的電感氫自由基產生器之簡化示意性側視圖。
圖11為根據所揭示標的物之實施例的電容氫自由基產生器之簡化示意性側視圖。
圖12為根據所揭示標的物之實施例的電容氫自由基產生器之簡化示意性側視圖。
圖13為根據所揭示標的物之實施例的包括安置於擋板中或擋板附近之電容氫自由基源之EUV容器的簡化示意性側視圖。
圖14為根據所揭示標的物之實施例的說明在EUV容器中就地產生氫自由基時所執行的方法操作之流程圖。
圖15為根據所揭示標的物之實施例的說明在產生EUV光同時移除EUV容器中之靶材碎片沈積物時所執行之方法操作的流程圖。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2016年1月21日申請的且標題為SYSTEM,METHOD AND APPARATUS FOR TARGET MATERIAL DEBRIS CLEANING OF EUV VESSEL AND EUV COLLECTOR的美國發明專利申請案第15/003,385號之權益，該美國發明專利申請案以全文引用之方式併入本文中。
現將描述用於使用就地氫自由基產生器自EUV容器移除靶材碎片之若干例示性實施例。對於熟習此項技術者將顯而易見，可在無本文中所闡述之特定細節中的一些或全部之情況下實踐本發明。
若干不同類型的靶材可用於產生EUV發射電漿。一個實施方案利用錫及/或錫化合物。含錫靶材之一些實例包括純錫，包括SnBr4、SnBr2、SnH4中之一或多者之錫化合物，以及包括錫鎵合金、錫銦合金、錫銦鎵合金中之一或多者之錫合金，及其組合。
令人遺憾地，含錫碎片可污染EUV容器之許多內部表面及最特定地 污染EUV收集器。在過去已經嘗試若干途徑以移除含錫碎片。一個途徑包括將氫注入至EUV容器中以使沈積錫轉化成接著可自EUV容器沖洗之揮發性錫化合物，諸如SnH4。令人遺憾地，僅注入氫引起沈積錫至揮發性錫化合物之相對緩慢轉化。
在一個實例實施方案中，包括H+及/或H-離子之氫自由基可使用位於EUV容器外部之微波氫自由基產生器產生。令人遺憾地，到氫自由基到達EUV容器內部之時，大多數氫自由基已經組合以形成H2氫氣。
在確保較大數目之氫自由基之遞送的一種途徑中，氧氣且更特定言之水蒸氣可與氫自由基一起注入。因此，到達EUV容器內之氫自由基之數目足以執行與沈積錫之所要組合以形成揮發性錫化合物。然而，將氧氣或水蒸氣注入至EUV容器中要求在EUV容器內進行之EUV產生過程在存在氧氣或水蒸氣期間必須終止，由於氧氣及/或水蒸氣使得EUV產生過程出現問題。
本文中所揭示之一個實施方案為藉由在EUV容器中就地安置之氫自由基源中產生包括H+及/或H-離子之氫自由基而提高沈積錫至揮發性錫化合物之轉化。氫自由基源將產生高濃度之氫自由基。氫自由基源可經安置而非常接近於EUV收集器使得氫自由基源之出口將氫自由基直接遞送至EUV收集器。氫自由基源之出口可安置於EUV收集器之周邊周圍及/或EUV收集器中心附近的一或多個位置中。
氫自由基源可為單一氫自由基源或多個氫自由基源。在一個實施方案中，氫自由基源呈安置在EUV收集器之周邊附近的環形形狀電漿容器形式。在另一實施方案中，氫自由基源呈安置在EUV收集器之周邊附近及/或EUV收集器中心附近的多個氫自由基源形式。
一或多個額外氫自由基源亦可包括在EUV容器內。藉助於實例，可在EUV容器之出口部分中之葉片附近包括額外氫自由基源以便接近於葉片提供氫自由基，從而將沈積於葉片上之錫轉化成揮發性錫化合物。
在EUV容器內產生氫自由基確保在EUV容器正用以產生EUV的同時，足夠數目之氫自由基可用於將沈積錫轉化成揮發性錫化合物。因此，EUV光源可在沈積錫干擾EUV之產生之前操作長得多的時間段。只要可產生足夠數目之氫自由基，沈積錫可實質上經去除及維持在實質上零位準以便減少由於過量錫沈積物而拆卸及清理EUV容器之需要。
圖1A為根據所揭示標的物之實施例的雷射產生電漿EUV光源20之簡化示意圖。LPP光源20包括用於產生光脈衝串及將光脈衝遞送至EUV容器26中之光脈衝產生系統22。每一光脈衝23自光脈衝產生系統22沿著光束傳送系統25內部之光束路徑21行進。將光脈衝23聚焦至EUV容器26中以在照射區28處照明及/或照射所選目標小滴。
圖1中所示之供用於光脈衝產生系統22中之合適雷射可包括脈衝雷射裝置，例如產生約9.3μm或約10.6μm下之輻射(例如藉由DC或RF激勵)；在相對高功率(例如，約10kW或更高)及高脈衝重複率(例如，約10kHz或更高)下操作的脈衝氣體放電CO2雷射裝置。在一個特定實施方案中，光脈衝產生系統22中之雷射可為具有多個放大階段及具有藉由低能量及高重複率(例如能夠進行100kHz操作)之Q切換主控振盪器(MO)起始之種子脈衝的具有MOPA組態之軸流式RF泵浦CO2雷射。自MO，雷射脈衝可接著在到達照射區28之前被放大、塑形及聚焦。
連續泵浦式CO2放大器可用於光脈衝產生系統22。舉例而言，具有振盪器及多個放大器之合適的CO2雷射裝置(例如，O-PA1-PA2…組態)揭 示於2005年6月29日申請且2008年10月21日頒予之題為LPP EUV LIGHT SOURCE DRIVE LASER SYSTEM之共同擁有之美國專利7,439,530中，該美國專利之全部內容特此以引用之方式併入本文中。
或者，光脈衝產生系統22中之雷射可經組態為所謂的「自行標靶」雷射系統，其中在雷射腰部中之靶材之表面充當光學腔之一個鏡面。在一些「自行標靶」配置中，可不需要主控振盪器。自行標靶雷射系統揭示及主張於2005年10月26日申請及2009年2月17日頒予之題為DRIVE LASER DELIVERY SYSTEMS FOR EUV LIGHT SOURCE之共同擁有之美國專利7,491,954中，該美國專利之全部內容特此以引用之方式併入本文中。
取決於應用，其他類型之雷射亦可適合用於光脈衝產生系統22中，例如在高功率及高脈衝重複率下操作之準分子或分子氟雷射。其他實例包括：固態雷射，例如具有纖維、桿或圓盤形狀之作用介質；MOPA組態準分子雷射系統，例如如共同擁有之美國專利第6,625,191號、6,549,551號及6,567,450號中所展示，該等美國專利之全部內容特此以引用之方式併入本文中；具有一或多個腔室之準分子雷射，例如振盪器腔室及一或多個放大腔室(其中放大腔室並聯或串聯)；主控振盪器/功率振盪器(MOPO)配置；主控振盪器/功率環放大器(MOPRA)配置；功率振盪器/功率放大器(POPA)配置或為一或多個準分子或分子氟放大器或振盪器腔室提供種子之固態雷射，可為合適的。其他光源設計為可能的。
再次參看圖1A，EUV光源20亦可包括用於將靶材之部分(例如，小滴)遞送至EUV容器26內部中直至照射區28之靶材遞送系統24，在照射區28中小滴102A、102B將與一或多個光脈衝23(例如，一或多個預脈衝及此後一或多個照射脈衝)相互作用，從而最終產生電漿及EUV光34之對應 發射。將未使用或未經照射之小滴102C收集在靶材捕集器200中。靶材可包括但不必限於包括錫、鋰、氙等或其組合之材料。例如錫、鋰、氙等EUV發射元素可呈液滴及/或液滴102A、102B內所含有之固體粒子形式或如本文中其他處所描述之其他形式。
藉助於實例，元素錫可用作純錫；用作錫化合物(例如，SnBr4、SnBr2、SnH4)；用作錫合金(例如，錫鎵合金、錫銦合金、錫銦鎵合金)；或其組合。取決於所使用之材料，靶材可在包括室溫或接近室溫之各種溫度下提供給照射區28(例如，錫合金、SnBr4)；在高溫下提供給照射區28(例如，純錫)或在低於室溫之溫度下提供給照射區28(例如，SnH4)，且在一些狀況下，可為相對揮發性的，例如SnBr4。有關此等材料在LPP EUV光源中之使用的更多細節在2006年4月17日申請且在2008年12月16日頒予之題為ALTERNATIVE FUELS FOR EUV LIGHT SOURCE之共同擁有之美國專利7,465,946中提供，該美國專利之內容特此以引用之方式併入本文中。
進一步參看圖1A，EUV光源20包括EUV收集器30。EUV收集器30為具有呈長橢球體(亦即，圍繞其主軸旋轉之橢圓)形式之反射表面之近正入射EUV收集器。實際形狀及幾何形狀當然可取決於腔室的大小及焦點之位置而改變。EUV收集器30在一或多個實施例中可包括分級多層塗層。分級多層塗層可包括鉬與矽之交替層，且在一些狀況下，可包括一或多個高溫擴散障壁層、平滑層、罩蓋層及/或蝕刻終止層。
EUV收集器30亦包括孔隙32。孔隙32允許由光脈衝產生系統22產生的光脈衝23穿過到達照射區28。EUV收集器30可為具有照射區28內或照射區28附近之主焦點及中間焦點40的長橢球體鏡面。在中間焦點40處 或中間焦點40附近將EUV光34自EUV光源20輸出及輸入至利用EUV光34之下游裝置42。藉助於實例，接收EUV光34之下游裝置42可為積體電路微影工具(例如，掃描器)。
應瞭解，可替代長橢球體鏡面(例如EUV收集器30)使用其他光學件，以用於將EUV光34收集及引導至中間焦點40以供後續遞送至利用EUV光之裝置。藉助於實例，EUV收集器30可為圍繞其主軸旋轉之抛物面。或者，EUV收集器30可經組態以將具有環形橫截面之光束遞送至中間焦點40之位置(例如，2006年8月16日申請及2010年11月30日頒予之題為EUV OPTICS之共同擁有之美國專利7,843,632，該美國專利之內容特此以引用之方式併入)。
EUV光源20亦可包括EUV控制器60。EUV控制器60可包括激發控制系統65，用於觸發光脈衝產生系統22中之一或多個燈及/或雷射裝置從而產生光脈衝23以供遞送至腔室26中。
EUV光源20亦可包括包括一或多個靶材成像器70之靶材位置偵測系統。靶材成像器70可使用CCD或其他成像技術及/或背光頻閃照明及/或光簾幕(其提供指示一或多個靶材小滴102A、102B相對於照射區28之位置及/或時序之輸出)而俘獲影像。成像器70耦接至靶材位置偵測回饋系統62且將靶材位置及時序資料輸出至靶材位置偵測回饋系統62。靶材位置偵測回饋系統62可計算靶材位置及軌道，可根據其計算出靶材位置誤差。可基於靶材之各部分或平均數(例如，在逐小滴基礎上或基於平均小滴資料)來計算靶材位置誤差。可接著提供靶材位置誤差作為至EUV控制器60之輸入。EUV控制器60可將位置、方向及/或時序校正信號提供至光脈衝產生系統22以控制源時序電路及/或控制光束位置及塑形系統從而改變遞送至 腔室26中之照射區28之光脈衝23之軌道及/或焦度或焦點。
EUV光源20亦可包括用於量測由源20產生的EUV光之各種性質之一或多個EUV度量衡儀器。此等性質可包括例如強度(例如，總強度或特定光譜帶內之強度)、光譜頻寬、偏振、光束位置、指向等。對於EUV光源20，儀器可經組態以例如藉由取樣EUV輸出之一部分(例如使用拾取鏡面或取樣「未經收集」EUV光)而在下游工具(例如，光微影掃描器)在線時操作，及/或可例如藉由量測EUV光源20之全部EUV輸出而在下游工具(例如，光微影掃描器)離線時操作。
EUV光源20亦可包括靶材控制系統90，其可回應於來自EUV控制器60之信號(在一些實施方案中其可包括上文所描述之靶材位置誤差或在此所導出之某一數量)操作，從而例如修改靶材自靶材分配器92之釋放點及/或修改靶材形成時序；校正到達所要照射區28之靶材小滴102A、102B之位置誤差及/或使靶材小滴102A、102B之產生與光脈衝產生系統22同步。
EUV光源20之額外細節及替代方案亦描述在2010年3月16日申請及2013年11月5日頒予且題為「System,Method and Apparatus for Laser Produced Plasma Extreme Ultraviolet Chamber with Hot Walls and Cold Collector Mirror」之共同擁有之美國專利8,575,575中，該美國專利以全文引用之方式併入。美國專利8,575,575提供將EUV收集器30及諸如葉片之其他內表面冷卻至小於形成於EUV收集器之表面上之錫沈積物之熔點之溫度的實施方案，由於在一些實施方案中，固態錫沈積物更易於轉化成揮發性錫化合物。
EUV光源20之額外細節及替代方案亦描述在2010年3月16日申請及2014年2月18日頒予且題為「System,Method and Apparatus for Aligning and Synchronizing Target Material for Optimum Extreme Ultraviolet Light Output」之共同擁有之美國專利8,653,491中，該美國專利以全文引用之方式併入。美國專利8,653,491提供用於更為準確地標靶靶材以改良EUV發射電漿之量的實施方案。
圖1B說明根據所揭示標的物之實施例的EUV容器26中之中間容器擋板總成150。擋板總成150位於EUV容器26之中間容器區155'中。將EUV容器26之二級區155劃分成兩個部分：中間容器區155'及後部容器區155"。中間容器區155'開始於照射區28處且朝向EUV容器26之出口40A延伸。後部容器區155"在EUV容器26之中間容器區155'與出口40A之間延伸。在一些實施方案中，中間容器區155'及後部容器區域155"不具有特定長度且因此中間容器區155'可包括EUV容器26之實質上所有二級區155。
擋板總成150包括接收、減慢及俘獲在照射區28中照射靶材時形成的微粒子153之一部分的一系列通路及結構。擋板總成150可由一系列葉片或其他結構及自照射區28及EUV收集器30延伸至中間焦點40之位置或EUV容器26之二級區155之任何部分的多孔材料形成。雖然擋板總成150可自照射區28及EUV收集器30延伸至中間焦點40，但擋板總成並不防止或以其他方式閉塞EUV光34自EUV收集器30經由三維錐狀透射區152傳遞至中間焦點40。
擋板總成150中之通路開始於透射區152之邊緣154A、154B處且擋板總成150中之通路延伸至EUV容器26之內表面156。擋板總成150可包括環繞但不突出至透射區152中之一系列同心擋板。擋板總成150實質上自透射區152之邊緣154A、154B延伸至EUV容器26之內表面156。
應注意，儘管以水平組態展示，但在一些實施方案中，EUV容器26經組態在近垂直定向上使得EUV容器之擋板總成150及出口40A實質上定向於收集器30正上方。因此，形成於擋板總成150上之靶材沈積物可變得移位且在無意中收集於收集器30上。
圖1C為根據所揭示標的物之實施例的具有靶材碎片沈積物161A至161D及162之EUV收集器30之示意圖。靶材碎片沈積物161A至161D及162可以許多形式存在。藉助於實例，相對較小微粒161A可沈積在收集器30之表面上，可藉由裸眼辨別。較大沈積物161B、161D可包括凝固或以其他方式積聚及/或聚集成較大沈積物的多個小微粒及/或最初形成於擋板總成150上及自擋板總成釋放及隨後沈積於收集器30上的靶材碎片沈積物。甚至更大靶材碎片沈積物161C亦可出於各種原因而形成於收集器30上。除所示之靶材碎片沈積物161A至161D之外，靶材碎片沈積物162之極精細層實質上可塗佈收集器30之整個表面及EUV容器26內部之其他表面。靶材碎片沈積物162之極精細層可由實質性微觀靶材碎片組成，諸如可類似於收集器30之表面上之灰塵之實質上均勻覆層。
圖1D為根據所揭示標的物之實施例的擋板總成150之一部分之示意圖。擋板總成150包括許多單獨葉片151A、151B。葉片151A、151B藉由如所說明之不同距離而彼此分離。另外，葉片按如藉由葉片151A與葉片151B之間的差異所說明的不同角度形成。靶材碎片沈積物171A至171C可形成於許多單獨葉片151A、151B上之各個位置處。藉助於實例，靶材沈積物171A可形成在EUV容器26之中間焦點40之區附近。類似地，靶材碎片沈積物171B及171C可沿著葉片151A、151B之外部邊緣，稍微更接近於EUV容器26之內表面156而形成。如上文所示，靶材碎片沈積物171A至 171C最初可形成於擋板總成150上且接著出於各種原因變得自擋板總成移位且收集在收集器30之表面上。
各種靶材碎片沈積物161A至161D、171A至171C最終以各種方式干擾EUV容器26之效能且在某時間必須移除。移除靶材碎片沈積物之一個途徑為中斷EUV之產生及拆卸EUV容器26以清理EUV容器之個別部分中之每一者，諸如收集器30、擋板總成150及其他內表面156。然而，中斷EUV容器26中EUV之產生亦對消耗在EUV容器中所產生的EUV之EUV微影製程產生干擾，從而有效地停止生產。需要更為有效的EUV容器清理過程。各種形式之就地氫自由基產生提供用於自EUV容器26移除各種靶材預沈積物161A至161D、171A至171C而不會中斷EUV容器中EUV光之產生的有效得多且及時的清理過程。
圖2為根據所揭示標的物之實施例的包括一或多個就地氫自由基源201、201'、201"之EUV光源200之簡化示意圖。EUV光源200包括可置於EUV容器26內之一或多個位置中的一或多個就地氫自由基源201、201'、201"。就地氫自由基源201置放在收集器30之周邊附近。中心就地氫自由基源201'置放在收集器30之中心孔隙32附近。擋板就地氫自由基源201"置放在EUV容器26之擋板總成附近。應注意，EUV容器26可最少包括就地氫自由基源201、201'、201"中之一者及最多為可實體地置放於EUV容器內之就地氫自由基源的數目。就地氫自由基源201、201'、201"可為如下文中將更詳細地描述的不同類型及組態之就地氫自由基源中之一或多者。
氫氣源290耦接至就地氫自由基源201、201'、201"中之每一者。載體氣體源291可視需要耦接至就地氫自由基源201、201'、201"中之每一 者。如下文將更詳細地描述，一或多個信號源212可耦接至就地氫自由基源201、201'、201"中之每一者。應注意，就地氫自由基源201、201'、201"可置放於EUV容器26內之實質上對稱位置或不對稱位置中。
圖3A為根據所揭示標的物之實施例的收集器30及就地氫自由基源201之一部分之詳細橫截面圖。圖3B為根據所揭示標的物之實施例的收集器30及就地氫自由基源201之橫截面圖之簡化示意圖。收集器30具有收集器表面30A及收集器邊緣30B。收集器30亦包括中心孔隙32。氫自由基源201經安置而鄰近於收集器30。在所展示實施例中，氫自由基源201經安置而緊鄰收集器30之邊緣30B。
氫自由基源201包括自由基產生器202、通向邊緣上方通道204之出口通道203及出口205。自由基產生器202耦接至信號源212。氫自由基源201耦接至未展示之氫源。氫源可為氫氣或其他含氫源材料(諸如，含氫氣體或含氫氣體之混合物)之源。氫源亦可包括用於混合含氫氣體與惰性載體氣體208(諸如，氬氣、氦氣、氮氣及其他實質上惰性載體氣體)之混合設備。在另一實施方案中，惰性載體氣體208可直接注入至氫自由基源201中。
藉由將氫注入至氫自由基源201中及對自由基產生器202供能而形成包括H+及/或H-離子之氫自由基H*。氫自由基接著流動通過出口通道203通過邊緣上方通道204且流出接近於收集器30之表面30A的出口205。惰性載體氣體可用於將氫自由基自氫自由基源201輸送至收集器30之表面30A。氫自由基接著可與安置於收集器30之表面30A上之靶材碎片沈積物161A、162反應以形成揮發性錫化合物。揮發性錫化合物接著可使用沖洗氣體源295(圖2中所示)經由沖洗出口296(圖2中所示)自EUV容器26沖洗 掉。
參看圖3B，氫自由基源201可為具有耦接至第一電位之壁201A及耦接至第二電位之自由基產生器202的電容耦合式氫電漿腔室。如所示，壁201A接地且自由基產生器202耦接至信號源212。然而，應理解，壁201A可耦接至信號源212且自由基產生器202可接地或耦接至第二信號源。在一個實施方案中，信號源212可為具有在數十kHz至約10GHz範圍內之頻率的RF信號源。信號源212可激勵存在於氫自由基源201中之氫以產生將氫解離成氫自由基H*之氫電漿202A。
圖4為根據所揭示標的物之實施例的收集器30及替代性就地氫自由基源221之橫截面圖之簡化示意圖。替代性就地氫自由基源221稍微類似於就地氫自由基源201，但包括陶瓷絕緣體220以隔離替代性就地氫自由基源221之壁201A及自由基產生器211與其中所產生的電漿202A。
圖5為根據所揭示標的物之實施例的具有實質上環繞收集器之周邊之就地氫自由基源231的收集器30之簡化視圖。就地氫自由基源231為安置於收集器30之周邊周圍之環形腔室。就地氫自由基源231具有實質上類似於如上文所描述之就地氫自由基源201或221之橫截面。就地氫自由基源231作為收集器30之周邊周圍的出口205A使得在收集器之周邊周圍實質上均勻地產生及輸出氫自由基H*。
圖6為根據所揭示標的物之實施例的具有實質上均勻地分佈及安置於收集器之周邊周圍之多個就地氫自由基源201的收集器30之簡化視圖。就地氫自由基源201中之每一者包括出口205使得在收集器30周邊周圍輸出由氫自由基源中之每一者產生的氫自由基H*。就地氫自由基源201中之每一者可為本文中所描述的就地氫自由基源中之任何一或多者。在一個實施 方案中，分佈在收集器30之周邊周圍的氫自由基源201中之每一者為相同類型之氫自由基源。在另一實施方案中，分佈在收集器30周邊周圍的氫自由基源包括一或多種類型之氫自由基源。
圖7為根據所揭示標的物之實施例的收集器30及多個就地氫自由基源201之橫截面圖之簡化示意圖。多個就地氫自由基源201中之一或多者安置於收集器30周邊周圍及沿著收集器30之邊緣30B安置。除安置於收集器30周邊周圍的就地氫自由基源201之外，一或多個中心就地氫自由基源271亦經安置而接近於中心孔隙32使得其中所產生的氫自由基H*經由收集器之中心孔隙輸出。中心就地氫自由基源271產生的氫自由基H*接近於沈積於收集器30上及在中心孔隙32附近的靶材碎片提供氫自由基。應注意，中心就地氫自由基源271經展示類似於上文所描述之氫自由基源201，然而，中心就地氫自由基源271中之每一者可為本文中所描述的任何類別之氫自由基源。
中心就地氫自由基源271中之每一者具有各別信號源212A及212B以及作為各別信號源212之就地氫自由基源201。各別信號源212、212A、212B可為具有相同或不同頻率、功率、工作循環或振幅之相同或不同信號源，以使得就地氫自由基源201、271中之每一者可個別地經控制以產生如可為上面沈積有靶材碎片之每一局部表面區域所需的數量的氫自由基。藉助於實例，若接近於孔隙32之收集器30之表面區域上沈積有較大數量的靶材碎片，且收集器周邊附近之區域上沈積有相對較小數量之靶材碎片，則孔隙附近所需的氫自由基H*之數量將大於周邊附近所需的氫自由基H*之數量，從而移除在就地氫自由基源201、271之出口中之每一者局部的各別量之靶材碎片。
圖8為根據所揭示標的物之實施例的電感氫自由基產生器800之簡化示意性側視圖。圖9為根據所揭示標的物之實施例的電感氫自由基產生器800之簡化示意性俯視圖。電感氫自由基產生器800包括安置於收集器30周邊周圍之多個氫噴嘴802。電感線圈804安置於氫噴嘴與收集器30之邊緣30B之間。
電感線圈804具有耦接至信號源212C之第一端。電感線圈804具有耦接至地面之第二端。應注意，電感線圈804經展示在收集器30周邊周圍僅產生一個實質性迴路，然而，展示此情形以簡化電感線圈之描述且電感線圈可包括收集器周邊周圍的一或多個迴路。
信號源212C輸出具有合適頻率、振幅及工作循環之感應信號。隨著感應信號穿過感應線圈804，在如圖9中所示之線圈之中心感生磁場。氫噴嘴802將氫注入至線圈中心中及可形成氫電漿810。氫電漿接近於收集器30之表面30A產生氫自由基H*，氫自由基H*在該表面可與可存在之任何靶材沈積物相互作用。
圖10為根據所揭示標的物之實施例的電感氫自由基產生器1000之簡化示意性側視圖。電感氫自由基產生器1000不同於上文圖8及圖9中所描述之電感氫自由基產生器800，由於感應線圈1004安置於EUV容器26之側壁1008外部。側壁1008包括陶瓷窗口1007，感應線圈可經由該陶瓷窗口在收集器30之表面30A上感生磁場。如上文所描述，氫噴嘴802將氫注入至由感應線圈1004產生的磁場中以形成產生所需的氫自由基H*之氫電漿810。
圖11為根據所揭示標的物之實施例的電容氫自由基產生器1100之簡化示意性側視圖。電容氫自由基產生器1100利用收集器30之導電層1120 作為第一電極且利用EUV容器26之壁1008作為第二電極。收集器30包括多個層1120、1122、1124、1126。該等層中之一者為導電層1120。導電層1120可由任何合適之導電材料形成，包括銅、鋁、鋼、不鏽鋼及含有銅、鋁、鋼、不鏽鋼之組合及合金。導電層1120亦可包括加熱及冷卻裝置以及用於管理收集器30之溫度之子系統。在一個實施方案中，導電層1120包括電阻式加熱器及/或用於傳遞冷卻流體(諸如，氣體或流體冷卻劑)之冷卻通道。導電層1120亦可為收集器30提供實體結構支撐件及安裝點。
藉由導電層1120支撐矽、玻璃或石英層1122。反射層1124支撐於矽、玻璃或石英層1122上。反射層1124執行收集器30之反射功能。視情況存在之保護層1126可形成於反射層1124之頂部上。應理解，不同層1120、1122、1124及1126之厚度在圖11之詳細視圖中並未準確地展示。
在操作中，將來自信號源212C之信號施加至導電層1120將該信號電容式耦合至自氫噴嘴1106注入之氫氣中，從而形成在收集器30之表面30A附近產生氫自由基H*之氫電漿1110。
圖12為根據所揭示標的物之實施例的電容氫自由基產生器1200之簡化示意性側視圖。氫自由基源221可為電容耦合式氫電漿腔室，其具有耦接至第一電位之壁201A及耦接至第二電位之自由基產生器211。如所示，壁201A接地且自由基產生器211耦接至信號源212。然而，應理解，壁201A可耦接至信號源212且自由基產生器211可接地或耦接至第二信號源(未展示)。在一個實施方案中，信號源212可為具有在數十kHz至約10GHz範圍內之頻率之RF信號源。信號源212可激勵存在於氫自由基源221中之氫以產生將氫解離成氫自由基H*之氫電漿202A。
電容氫自由基產生器1200亦利用收集器30之導電層1120作為耦接至第二信號源1212之第三電極。第二信號源1212可產生在DC(0Hz)至高達數十MHz範圍內之信號。在一個實施方案中，第二信號源1212輸出在0Hz至約13MHz之間的信號。第二信號源1212可用於將氫自由基H*朝向收集器30之表面30A牽拉且藉此提高表面30A及其上之靶材碎片沈積物附近之氫自由基H*之濃度。提高表面30A附近之氫自由基H*之濃度提高靶材碎片沈積物中之錫至揮發性錫化合物(諸如，SnH4)之轉化。
圖13為根據所揭示標的物之實施例的包括安置於擋板150中或擋板150附近之電容氫自由基源201"之EUV容器26的簡化示意性側視圖。氫自由基源201"包括第一電極1302及第二電極1304。在一些實施方案中，第一電極1302接地。在一些實施方案中，第二電極1304耦接至信號源1312。或者，第一電極1302可耦接至信號源1312且第二電極1304耦接至地面。或者，代替將電極1302、1304中之一者耦接至地面，電極可耦接至第二信號源，未展示。第二電極1304可藉由視情況存在之絕緣層1306而與EUV容器26之側壁1008絕緣。
將氫注入至氫自由基源201"中且將適當之信號施加至電極1302、1304接近於擋板150產生氫自由基H*。氫自由基H*接著可與擋板150上之靶材碎片沈積物反應以產生可自EUV容器26抽空或沖洗掉之揮發性副產物。
圖14為根據所揭示標的物之實施例的說明在EUV容器26中就地產生氫自由基時所執行的方法操作1400之流程圖。本文中所說明的操作作為實例，如應理解，一些操作可具有子操作，且在其他情況下，本文中所描述的某些操作可不包括於所說明之操作中。牢記這一點，現將描述方法及 操作1400。
在操作1405中，在EUV容器中接近於靶材碎片沈積物就地產生氫自由基。氫自由基H*由上文所描述之各種氫自由基源產生。上文已描述若干不同氫自由基源且多於一個氫自由基源可包括在EUV容器26內，然而，可選擇性地啟動氫自由基源以移除接近於一或多個經啟動氫自由基源之某些靶材碎片沈積物。應注意，可獨立地且在不同操作參數下操作氫自由基源中之每一者以產生不同數量的氫自由基H*。
在操作1410中，將氫自由基H*與靶材碎片沈積物組合以將靶材碎片沈積物轉化成揮發性化合物。在操作1415中，自EUV容器26移除揮發性化合物。可藉由沖洗或藉由抽空揮發性化合物而自EUV容器26移除揮發性化合物。應注意，可在EUV容器26亦產生EUV時進行操作1405至1415。
在一個實施方案中，就地清理過程包括在約90slm之流動速率下在孔隙32附近產生及注入氫自由基，以及在約90slm之流動速率下在EUV收集器30周邊附近產生及注入氫自由基，同時取決於所要清理速率將壓力維持在約1.3托及將提供在約若干kHz至數百MHz RF之間的信號之信號源212、212A、212B、212C、1212維持在約1kW至若干kW之間的功率下。應理解，此等者僅為實例流動速率、RF頻率及RF功率，且可利用較低或較高流動速率、RF頻率及RF功率及其組合。亦應理解，在EUV收集器30及孔隙32周邊之局部部分中之一或多者中，氫自由基產生及注入可為用以處理接近於氫自由基源中之每一者之各別出口之額外靶材碎片所需要的不同的流動速率、RF頻率及RF功率。
圖15為根據所揭示標的物之實施例的說明在產生EUV光同時移除 EUV容器26中之靶材碎片沈積物時所執行之方法操作1500的流程圖。本文中所說明的操作作為實例，如應理解，一些操作可具有子操作，且在其他情況下，本文中所描述的某些操作可不包括於所說明之操作中。牢記這一點，現將描述方法及操作1500。
在操作1505中，源雷射係針對EUV容器26內之靶材之一部分。
在操作1510中，在源雷射與EUV容器26中之靶材相互作用時產生電漿。在源雷射與EUV容器中之靶材相互作用時，將靶材之第一部分轉化成電漿且靶材之第二部分作為靶材碎片脫離。
在操作1515中，將自電漿發射之EUV光收集在收集器30中。在操作1520中，靶材之第二部分沈降在EUV容器26之各個內表面上。
在操作1525中，若需要產生額外EUV光，則在如上文所描述之操作1505中繼續方法操作。若不需要產生額外EUV光，則方法操作可結束。
與操作1505同時，在操作1507中，在EUV容器26中就地產生氫自由基H*。在安置於EUV容器26內之一或多個氫自由基源中產生氫自由基。
在操作1512中，氫自由基H*與靶材碎片沈積物相互作用以形成揮發性化合物。通常如上文所描述，靶材含有錫且藉由氫自由基H*之相互作用所形成之揮發性化合物為SnH4。應理解，在操作1512中可形成含有靶材碎片沈積物之至少一部分之任何合適之揮發性化合物。
在操作1517中，自EUV容器26移除在操作1512中形成之揮發性化合物。可藉由沖洗或藉由抽空EUV容器26及其組合移除揮發性化合物。
在操作1522中，若需要移除額外靶材碎片沈積物，則在上述操作1507中繼續方法操作。若不需要自EUV容器26移除額外靶材碎片沈積物，則方法操作可結束。應注意，在操作1507至1522中之靶材碎片沈積 物移除可與在操作1505至1525中之EUV在EUV容器26中之產生同時進行。在其他實施方案中，可以與在操作1505至1525中之EUV之產生重疊或交替的方式進行在操作1507至1522中之靶材碎片沈積物移除。
在一個實施方案中，就地清理過程包括在約90slm之流動速率下在EUV容器周圍之各個位置中產生及注入氫自由基，同時取決於所要清理速率將壓力維持在約1.3托下及將提供在約若干kHz至數百MHz RF之間的信號之信號源1312維持在約1kW至若干kW之間的功率下。應理解，此等者僅為實例流動速率、RF頻率及RF功率，且可利用較低或較高流動速率、RF頻率及RF功率及其組合。亦應理解，在EUV容器之局部部分中之一或多者中，氫自由基產生及注入可為用以處理接近於安置於EUV容器內部周圍之氫自由基源中之每一者之各別出口的額外靶材碎片所需要的不同的流動速率、RF頻率及RF功率。
考慮以上實施例，應理解，本發明可以採用涉及儲存於電腦系統中之資料之各種電腦實施的操作。此等操作為需要對實體量之實體操縱之操作。通常，儘管不一定，但此等數量呈能夠經儲存、轉移、組合、比較及以其他方式操縱之電信號或磁信號形式。另外，所執行的操縱常常以諸如產生、識別、判定或比較的術語提及。
形成本發明之一部分的本文中所描述之操作中之任一者為有用的機器操作。本發明亦係關於用於執行此等操作之裝置或設備。該設備可經專門構造以用於所需目的，諸如專用電腦。在經界定為專用電腦時，該電腦亦可執行並非該特殊用途之一部分之其他處理、程式執行或常式，同時仍能夠操作以用於該特殊用途。或者，可藉由選擇性地經啟動或藉由儲存於電腦記憶體、快取記憶體中或經由網路獲得之一或多個電腦程式而組態之 通用電腦處理該等操作。在經由網路獲得資料時，可藉由網路上之其他電腦處理該資料，例如，雲端計算資源。
本發明之實施例亦可經界定為將資料自一個狀態轉化成另一狀態之機器。可將經轉化資料儲存至儲存裝置且接著藉由處理器操縱。處理器因此將資料自一物轉化成另一物。再此外，可藉由可經由網路連接之一或多個機器或處理器來處理方法。每一機器可將資料自一個狀態或物轉化成另一狀態或物，且亦可處理資料；將資料儲存至儲存裝置；經由網路傳輸資料；顯示結果或將結果傳送至另一機器。
本發明亦可體現為電腦可讀媒體上之電腦可讀程式碼。電腦可讀媒體為可儲存資料(其此後可藉由電腦系統讀取)之任何資料儲存裝置。電腦可讀媒體之實例包括硬碟機、網路附接儲存器(NAS)、唯讀記憶體、隨機存取記憶體、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD、快閃記憶體、磁帶以及其他光學及非光學資料儲存裝置。電腦可讀媒體亦可分佈於網路耦接之電腦系統上，以使得電腦可讀程式碼以分佈方式被儲存及執行。
應進一步瞭解，並不需要按所說明的次序執行在上述圖中由操作表示之該等指令，且由操作表示之所有處理可並非實踐本發明所必需。另外，在上述圖中之任一者中所描述之過程亦可實施於儲存於RAM、ROM或硬碟機中之任一者或其組合中之軟體中。
儘管已經出於理解清楚之目的相當詳細地描述了前述發明，但顯而易見地，可以在所附申請專利範圍之範疇內實踐某些變化及修改。因此，本實施例將被視為係說明性而非限制性，且本發明並不限於本文中給定之細節，而是可在隨附申請專利範圍之範疇及等效物內對本發明進行修改。
21:光束路徑
22:光脈衝產生系統
23:光脈衝
24:靶材遞送系統
25:光束遞送系統
26:EUV容器/腔室
28:照射區
30:EUV收集器/收集器
32:孔隙/中心孔隙
34:EUV光
40:中間焦點
40A:出口
42:下游裝置
60:EUV控制器
62:靶材位置偵測回饋系統
65:激發控制系統
70:靶材成像器/成像器
90:靶材控制系統
92:靶材分配器
102A:小滴
102B:小滴
102C:小滴
150:中間容器擋板總成/擋板總成
200:靶材捕集器/EUV光源
201:就地氫自由基源
201':就地氫自由基源
201":就地氫自由基源
212:信號源
290:氫氣源
291:載體氣體源
295:沖洗氣體源
296:沖洗出口

Claims (22)

  1. 一種EUV光源，其包含：一EUV容器，其包括耦接至能夠將一定數量之沖洗(purge)氣體分配至該EUV容器中之一沖洗氣體源之一EUV容器沖洗氣體入口；一EUV收集器，其安置於該EUV容器中，該EUV收集器包括一反射表面；一靶材源，其能夠將一定數量之靶材分配至該EUV容器中，將該數量之靶材之一第一部分安置於該EUV收集器之該反射表面之至少一部分上作為一第一靶材碎片沈積物(debris deposit)；一第一氫自由基源(hydrogen radical source)，其安置於該EUV容器內，該第一氫自由基源包括：一第一氫自由基源出口，其經安置而接近於該EUV收集器之該反射表面；一第一氫源入口，其耦接至一氫源；一第一氫源電極，其耦接至一第一信號源；及一第二氫源電極，其耦接至一第二信號源，該第一氫自由基源能夠產生第一數量之氫自由基且自該第一氫自由基源出口分配該第一數量之氫自由基，該第一數量之氫自由基能夠與該第一靶材碎片沈積物組合以形成含有該第一靶材碎片沈積物之至少一部分的第一數量之揮發性化合物；及一EUV容器沖洗出口，其能夠使該第一數量之該揮發性化合物傳遞至該EUV容器之外。
  2. 如請求項1之EUV光源，其中該第一氫自由基源包括一氫電漿腔室。
  3. 如請求項2之EUV光源，其中該氫電漿腔室為一電容耦合式氫電漿腔室。
  4. 如請求項3之EUV光源，其中該電容耦合式氫電漿腔室包括耦接至一第三信號源之一第三氫源電極。
  5. 如請求項4之EUV光源，其中第三氫源電極包括該EUV收集器之一導電層之至少一部分。
  6. 如請求項2之EUV光源，其中該氫電漿腔室為一電感耦合式氫電漿腔室。
  7. 如請求項1之EUV光源，其中該第一氫自由基源出口安置於該EUV收集器之一周邊周圍。
  8. 如請求項1之EUV光源，其中該第一氫自由基源出口安置在該EUV收集器之一中心孔隙附近。
  9. 如請求項1之EUV光源，其中產生該第一數量之氫自由基亦包括防止一含氧物種進入該EUV容器。
  10. 如請求項1之EUV光源，其中該第一氫源電極包括於該收集器中。
  11. 如請求項1之EUV光源，其中該第一氫自由基源具有一實質上環狀形狀且其中該第一氫自由基源出口經安置而接近於該EUV收集器之一周邊。
  12. 如請求項1之EUV光源，其進一步包含：複數個內部EUV容器表面，其包括於該EUV容器中，該複數個內部EUV容器表面包括複數個擋板；該數量之靶材之一第二部分，其作為一第二靶材碎片沈積物安置於該複數個內部EUV容器表面之至少一部分上；一第二氫自由基源，其安置於該EUV容器內，該第二氫自由基源包括：一第二氫自由基源出口，其接近於該複數個擋板中之至少一者安置；一第二氫源入口，其耦接至該氫源；及一第三氫源電極，其耦接至一第三信號源；一第四氫源電極，其耦接至一第四信號源，該第二氫自由基源能夠產生第二數量之氫自由基且自該第二氫自由基源出口分配該第二數量之氫自由基，該第二數量之氫自由基能夠與該第二靶材碎片沈積物組合以形成含有該第二靶材碎片沈積物之至少一部分的第二數量之該揮發性化合物；及該EUV容器沖洗出口，其能夠使該第二數量之該揮發性化合物傳 遞至該EUV容器之外。
  13. 如請求項1之EUV光源，其進一步包含一中心孔隙氫自由基源，該中心孔隙氫自由基源具有安置在該EUV收集器之一中心孔隙附近的一中心孔隙氫自由基源出口，且其中該第一氫自由基源出口接近於該EUV收集器之一周邊安置。
  14. 如請求項13之EUV光源，其中該第一氫自由基源或該中心孔隙氫自由基源中之至少一者為一電感耦合式氫電漿腔室。
  15. 如請求項13之EUV光源，其中該第一氫自由基源及該中心孔隙氫自由基源為電感耦合式氫電漿腔室。
  16. 一種EUV光源，其包含：一EUV容器，其包括：一EUV容器沖洗氣體入口，其耦接至能夠將一定數量之沖洗氣體分配至該EUV容器中之一沖洗氣體源；及複數個內部EUV容器表面；一EUV收集器，其安置於該EUV容器中，該EUV收集器包括一反射表面；一靶材源，其能夠將一定數量之靶材分配至該EUV容器中，該數量之靶材之一第一部分作為一第一靶材碎片沈積物安置於該EUV收集器之該反射表面之至少一部分上，且該數量之靶材之一第二部分 作為一第二靶材碎片沈積物安置於該複數個內表面之至少一部分上；一第一氫電漿腔室，其安置於該EUV容器內，該第一氫電漿腔室包括：一第一氫自由基源出口，其經安置而接近於該EUV收集器之該反射表面之一周邊；一第一氫源入口，其耦接至一氫源；及至少一個第一氫源電極，其耦接至一第一信號源，該第一氫自由基源能夠產生第一數量之氫自由基且自該第一氫自由基源出口分配該第一數量之氫自由基，該第一數量之氫自由基能夠與該第一靶材碎片沈積物組合以形成含有該第一靶材碎片沈積物之至少一部分的第一數量之揮發性化合物；一第二氫電漿腔室，其安置於該EUV容器內，該第二氫電漿腔室包括：一第二氫自由基源出口，其經安置而接近於該複數個內部EUV容器表面中之至少一者；一第二氫源入口，其耦接至該氫源；及至少一個第二氫源電極，其耦接至一第二信號源，該第二氫電漿腔室能夠產生第二數量之氫自由基且自該第二氫自由基源出口分配該第二數量之氫自由基，該第二數量之氫自由基能夠與該第二靶材碎片沈積物組合以形成含有該第二靶材碎片沈積物之至少一部分的第二數量之該揮發性化合物；及一EUV容器沖洗出口，其能夠將該第一數量之揮發性氣體且 將該第二數量之該揮發性化合物傳遞至該EUV容器之外。
  17. 一種清理一EUV光源中之一靶材碎片沈積物同時在該EUV光源中產生EUV光之方法，其包含：使用一電容耦合式氫電漿腔室在該EUV光源之一EUV容器內產生一定數量之氫自由基，該電容耦合式氫電漿腔室包含一氫自由基源出口其經安置而接近於一EUV收集器之一反射表面，一氫源入口其耦接至一氫源，一第一氫源電極其耦接至一第一信號源，及一第二氫源電極其耦接至一第二信號源；接近於該EUV容器內部之一表面上之該靶材碎片沈積物輸出自該氫自由基源出口所產生的該數量之氫自由基以組合所產生的該數量之氫自由基及該靶材碎片沈積物以形成一定數量之揮發性化合物，其包含至少一部分之該靶材碎片沈積物；將一定數量之沖洗氣體分配至該EUV容器中；及將該數量之該揮發性化合物經由一EUV容器沖洗出口沖洗至該EUV容器之外。
  18. 如請求項17之方法，其中該第一氫自由基源包括一氫電漿腔室。
  19. 如請求項18之方法，其中該氫電漿腔室為一電容耦合式氫電漿腔室。
  20. 如請求項18之方法，其中該氫電漿腔室為一電感耦合式氫電漿腔 室。
  21. 如請求項17之方法，其中該第一氫自由基源出口安置於該EUV收集器之一周邊周圍。
  22. 如請求項17之方法，其中該第一氫自由基源出口安置在該EUV收集器之一中心孔隙附近。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9888554B2 (en) 2016-01-21 2018-02-06 Asml Netherlands B.V. System, method and apparatus for target material debris cleaning of EUV vessel and EUV collector
US10495987B2 (en) 2017-09-28 2019-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Radiation source apparatus, EUV lithography system, and method for decreasing debris in EUV lithography system
JP2021501907A (ja) * 2017-11-02 2021-01-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 極端紫外線光源のチャンバ内の光学系の表面の洗浄
US10656539B2 (en) 2017-11-21 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Radiation source for lithography process
WO2019158492A1 (en) * 2018-02-13 2019-08-22 Asml Netherlands B.V. Cleaning a structure surface in an euv chamber
NL2022644A (en) 2018-03-05 2019-09-10 Asml Netherlands Bv Prolonging optical element lifetime in an euv lithography system
KR102576703B1 (ko) 2018-05-17 2023-09-08 삼성전자주식회사 파편 차단 조립체를 구비한 광 발생 장치 및 포토리소그래피 장치와 이를 이용하는 집적회로 소자의 제조 방법
US11979971B2 (en) * 2018-06-29 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV light source and apparatus for lithography
KR20200025952A (ko) 2018-08-31 2020-03-10 코닝 인코포레이티드 기능성 코팅막의 진공 증착 방법 및 장치
NL2024042A (en) * 2018-10-22 2020-05-07 Asml Netherlands Bv Apparatus for and method of reducing contamination from source material in an euv light source
US11153957B2 (en) * 2018-10-31 2021-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method for generating an electromagnetic radiation
KR20200052124A (ko) * 2018-11-06 2020-05-14 삼성전자주식회사 Euv 집광 장치 및 상기 euv 집광 장치를 포함하는 리소그래피 장치
DE102018222326A1 (de) 2018-12-19 2019-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektorspiegelanordnung für eine EUV-Lichtquelle
KR20200133126A (ko) 2019-05-17 2020-11-26 삼성전자주식회사 소스 용기용 잔류물 제거 장치
KR20210023535A (ko) * 2019-08-23 2021-03-04 삼성전자주식회사 타겟 잔해물 수집 장치 및 이를 포함하는 극자외선 광원 장치
JP7368984B2 (ja) * 2019-09-05 2023-10-25 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法
KR20220119061A (ko) * 2019-12-23 2022-08-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 콜렉터 흐름 링
US11720027B2 (en) 2020-09-17 2023-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for generating extreme ultraviolet light and lithography apparatus including the same
US11815821B2 (en) 2021-03-19 2023-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Module vessel with scrubber gutters sized to prevent overflow
KR20230066737A (ko) 2021-11-08 2023-05-16 삼성전자주식회사 Euv 광원 용기용 잔류물 제거 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090033889A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20100258749A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 Partlo William N System, method and apparatus for laser produced plasma extreme ultraviolet chamber with hot walls and cold collector mirror
US20120223256A1 (en) * 2011-03-02 2012-09-06 Cymer, Inc. Systems and methods for optics cleaning in an euv light source
TW201247033A (en) * 2011-05-13 2012-11-16 Cymer Inc Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
US20130126761A1 (en) * 2011-11-17 2013-05-23 Gigaphoton Inc. Chamber apparatus and extreme ultraviolet light generation system
US20150069273A1 (en) * 2013-09-09 2015-03-12 Cymer, Llc Transport system for an extreme ultraviolet light source
TW201536111A (zh) * 2014-02-07 2015-09-16 Asml Netherlands Bv 具有抗起泡的多層蓋體之極紫外線光學元件

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529227A (ja) * 1991-07-17 1993-02-05 Canon Inc 堆積膜形成方法
JPH07130719A (ja) * 1993-11-05 1995-05-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP3327391B2 (ja) * 1999-09-09 2002-09-24 日本電気株式会社 薄膜製造装置および製造方法
US6960537B2 (en) * 2001-10-02 2005-11-01 Asm America, Inc. Incorporation of nitrogen into high k dielectric film
US6992011B2 (en) * 2003-01-15 2006-01-31 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for removing material from chamber and wafer surfaces by high temperature hydrogen-containing plasma
TWI299505B (en) * 2003-04-08 2008-08-01 Cymer Inc Systems and methods for removal of debris on a reflecting surface of an euv collector in an euv light source
US7196342B2 (en) 2004-03-10 2007-03-27 Cymer, Inc. Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source
US8075732B2 (en) 2004-11-01 2011-12-13 Cymer, Inc. EUV collector debris management
JP2006202671A (ja) * 2005-01-24 2006-08-03 Ushio Inc 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法
JP2006261040A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Ngk Insulators Ltd プラズマ反応器
US8076655B2 (en) * 2005-06-21 2011-12-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of cleaning optical surfaces of an irradiation unit in a two-step process
US8317929B2 (en) * 2005-09-16 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising an electrical discharge generator and method for cleaning an element of a lithographic apparatus
US7504643B2 (en) * 2005-12-22 2009-03-17 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
US20080241387A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Asm International N.V. Atomic layer deposition reactor
JP5098019B2 (ja) 2007-04-27 2012-12-12 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
DE102007033701A1 (de) 2007-07-14 2009-01-22 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Anordnung zur Reinigung von optischen Oberflächen in plasmabasierten Strahlungsquellen
US7872245B2 (en) * 2008-03-17 2011-01-18 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source
JP2011023712A (ja) 2009-06-19 2011-02-03 Gigaphoton Inc 極端紫外光源装置
JP5818528B2 (ja) * 2011-06-17 2015-11-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP2012109377A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Tokyo Electron Ltd 電極構造及びプラズマ処理装置
JP2013135033A (ja) 2011-12-26 2013-07-08 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
WO2013131719A1 (en) 2012-03-08 2013-09-12 Lemoptix Sa A mems micro-mirror assembly
WO2013136656A1 (ja) 2012-03-15 2013-09-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
WO2013180007A1 (ja) * 2012-05-29 2013-12-05 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成システム
JP6268008B2 (ja) * 2014-03-17 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 Ｃｕ配線の製造方法
US9888554B2 (en) * 2016-01-21 2018-02-06 Asml Netherlands B.V. System, method and apparatus for target material debris cleaning of EUV vessel and EUV collector

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090033889A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101765811A (zh) * 2007-07-30 2010-06-30 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
US20100258749A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 Partlo William N System, method and apparatus for laser produced plasma extreme ultraviolet chamber with hot walls and cold collector mirror
US20120223256A1 (en) * 2011-03-02 2012-09-06 Cymer, Inc. Systems and methods for optics cleaning in an euv light source
TW201247033A (en) * 2011-05-13 2012-11-16 Cymer Inc Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
US20130126761A1 (en) * 2011-11-17 2013-05-23 Gigaphoton Inc. Chamber apparatus and extreme ultraviolet light generation system
US20150069273A1 (en) * 2013-09-09 2015-03-12 Cymer, Llc Transport system for an extreme ultraviolet light source
TW201536111A (zh) * 2014-02-07 2015-09-16 Asml Netherlands Bv 具有抗起泡的多層蓋體之極紫外線光學元件

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