JP5695636B2 - 最適な極紫外線出力のためにターゲット材料を位置合わせ及び同期させるシステム、方法及び装置 - Google Patents

Description

本発明は、一般に、レーザ生成プラズマ極紫外線システム、方法及び装置に関し、より詳細には、レーザ生成プラズマ極紫外線システムにおける液滴管理のためのシステム、方法及び装置に関する。
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１０年３月１６日に出願された「Ｓｙｓｔｅｍ， Ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ａｌｉｇｎｉｎｇ ａｎｄ Ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚｉｎｇ Ｔａｒｇｅｔ Ｍａｔｅｒｉａｌ ｆｏｒ Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｇｈｔ Ｏｕｔｐｕｔ」と題する米国実用特許出願第１２／７２５，１７８号に基づく優先権を主張し、さらに、その全体がすべての目的について引用により本明細書に組み入れられる、２００９年４月９日に出願された「Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｇｈｔ Ｏｕｔｐｕｔ」と題する米国仮特許出願第６１／１６８，０３３号に基づく優先権を主張する。本出願はさらに、その全体がすべての目的について引用により本明細書に組み入れられる、２００９年４月９日に出願された「Ｓｙｓｔｅｍ， Ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｃｈａｍｂｅｒ ｗｉｔｈ Ｈｏｔ Ｗａｌｌｓ ａｎｄ Ｃｏｌｄ Ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ Ｍｉｒｒｏｒ」と題する米国仮特許出願第６１／１６８，０１２号に基づく優先権も主張する。本出願はさらに、その全体がすべての目的について引用により本明細書に組み入れられる、２００９年４月９日に出願された「Ｓｙｓｔｅｍ， Ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｄｒｏｐｌｅｔ Ｃａｔｃｈｅｒ ｆｏｒ Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ ｏｆ Ｂａｃｋｓｐｌａｓｈ ｉｎ ａ ＥＵＶ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｃｈａｍｂｅｒ」と題する米国仮特許出願第６１／１６８，０００号に基づく優先権も主張する。

レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）極紫外線（ＥＵＶ）システムは、プラズマ源材料（例えば、ターゲット材料）を駆動レーザ光線で照射することによりプラズマを生成する。結果として得られるプラズマは、所望の波長、この場合にはＥＵＶ（例えば、約５０ｎｍより短い波長）の光を発する。
最適な出力を生成するためには、駆動レーザ光線がターゲット材料を理想的に照射する。残念なことに、駆動レーザ光線は、部分的に又は完全にターゲット材料を外れる可能性がある。

米国特許第７，４３９，５３０号明細書 米国特許第７，４９１，９５４号明細書 米国特許第６，６２５，１９１号明細書 米国特許第６，５４９，５５１号明細書 米国特許第６，５６７，４５０号明細書 米国特許第７，４６５，９４６号明細書 米国特許第７，４０５，４１６号明細書 米国特許第７，３７２，０５６号明細書

上記を考慮すると、駆動レーザ光線をターゲット材料に対して最適に位置合せし、及び／又はターゲット材料と駆動レーザ光線に対して最適に位置合わせするためのフィードバックを与える必要性がある。

大まかに言うと、本発明はこれらの必要性を、最大量の放射ＥＵＶ光を生成し、かつ放射ＥＵＶ光の集光のために、最適な位置においてプラズマターゲット材料を照射するための改善されたシステム及び方法を提供することによって満たす。本発明は、プロセス、装置、システム、コンピュータ可読媒体、又はデバイスを含む幾多の方法により実施できることが理解されるべきである。本発明の幾つかの進歩性のある実施形態が以下に説明される。

１つの実施形態は、極紫外線システムを提供する。このシステムは、駆動レーザシステムと、極紫外線集光器及びターゲット材料経路に沿ってターゲット材料の複数の部分を供給することができ、調整可能なターゲット材料供給口を含むターゲット材料ディスペンサを含む極紫外線チャンバと、を含む。極紫外線システムは、駆動レーザ操作デバイス及び検出システムをさらに含む。検出システムは、ターゲット材料から反射される駆動レーザの反射光を検出するように向けられる少なくとも１つの検出器を含む。このシステムはさらに、ターゲット材料ディスペンサ、検出システム、及び駆動レーザ操作デバイスに結合されたコントローラも含む。コントローラは、第１のターゲット材料から反射される第１の光から第１のターゲット材料の位置を検出し、後続のターゲット材料を合焦された駆動レーザ光線のウエスト部に供給するようにターゲット材料ディスペンサ供給口を調整する。コントローラはまた、駆動レーザ光線のウエスト部をターゲット材料と平行に移動させるように駆動レーザ操作デバイスを調整することもできる。

駆動レーザは、駆動レーザと、ターゲット材料の部分のうちの第１の部分との間の光路に位置合わせすることができる。検出システムは、光路と実質的に直列にすることができ、ターゲット材料から反射した駆動レーザの反射光は、光路に沿って駆動レーザに向かって反射することができる。

駆動レーザシステムはまた出力窓を含むことができ、検出システムは光路と直列でなくてもよく、駆動レーザの反射光はターゲット材料から反射し、光路に沿って駆動レーザ出力窓に向かって反射し、駆動レーザの反射光はさらに、出力窓から検出システムに向かって反射することができる。

駆動レーザ操作デバイスは、少なくとも１つの反射表面を含むことができる。アクチュエータを少なくとも１つの反射表面に結合して、少なくとも１つの反射表面の位置を調整できるようにすることができる。ターゲット材料から反射される光を検出するように向けられる検出器は、近視野検出器及び／又は遠視野検出器を含むことができる。

駆動レーザシステムは、ＣＯ２レーザを含むことができる。駆動レーザシステムは、主発振器電力増幅器構成レーザを含むことができる。駆動レーザシステムは、多段増幅器を含むことができる。駆動レーザシステムの出力窓は、ＺｎＳｅ窓又はダイヤモンド窓を含むことができる。

合焦駆動レーザ光線のウエスト部は、ＥＵＶチャンバ内のＺ軸に沿った駆動レーザ光線の光路に対して垂直なＸＹ平面内にある。ターゲット材料の複数の部分はターゲット材料経路に沿って供給することができ、ターゲット材料経路はＸＹ平面に対してある角度を形成することができる。

別の実施形態は、極紫外線を生成する方法を提供する。この方法は、ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分を駆動レーザ光線で照射し、ターゲット材料の第１の部分から反射される第１の光パルスを検出し、ターゲット材料の第１の部分の位置を決定し、ターゲット材料の複数の部分のうちの第２の部分の位置を合焦駆動レーザ光線のウエスト部に調整し、ターゲット材料の第２の部分を駆動レーザ光線で照射するステップを含む。合焦駆動レーザ光線のウエスト部は、ターゲット材料に対して位置合わせすることができる。

ターゲット材料の第１の部分から反射される第１の光パルスを検出するステップは、駆動レーザの出力窓から反射される第１の光パルスを検出するステップを含むことができる。ターゲット材料の第１の部分から反射される第１の光パルスを検出するステップは、ターゲット材料の近視野プロファイル及び／又は遠視野プロファイルのうちの少なくとも１つを決定するステップを含むことができる。合焦駆動レーザ光線のウエスト部を調整するステップは、駆動レーザの少なくとも１つの反射表面の位置を調整するステップを含むことができる。

さらに別の実施形態は、極紫外線出力を最適化する方法を提供する。この方法は、選択された時間間隔中に、第１の組のＥＵＶ出力パルスの各々の量を決定するステップを含み、第１の組のＥＵＶ出力パルスの各々に対して、ターゲット材料の第１の組の部分のうちの対応する部分を合焦駆動レーザ光線のウエスト部内に配置し、合焦レーザパルスをターゲット材料の対応する部分に向け、対応するＥＵＶ出力パルスの量を測定し、測定された対応するＥＵＶ出力パルスの量を記録するステップを含む。第１の組のＥＵＶ出力パルスの各々を分析し、最大ピークのＥＵＶ量が第１の複数のＥＵＶ出力パルスの最初に生成した部分で生じるときは、ターゲット材料位置を合焦レーザ光線のウエスト部に対して＋Ｚ方向に調整し、最大ピークＥＵＶ量が第１の複数のＥＵＶ出力パルスの最後に生成した部分で生じるときは、ターゲット材料位置を合焦レーザ光線のウエスト部に対して−Ｚ方向に調整する。選択された時間間隔中に、第１の組のＥＵＶ出力パルスの積分が計算される。駆動レーザ光線及び／又はターゲット材料のタイミングは、ターゲット材料と合焦駆動レーザ光線のウエスト部とをＹ軸方向で位置合わせするように調整することができ、Ｙ軸は、Ｚ軸に対して垂直なターゲット材料経路の成分に対応する。駆動レーザ光線及び／又はターゲット材料を操作するステップは、Ｘ軸方向で駆動レーザ光線をターゲット材料に位置合わせするように駆動レーザ光線及び／又はターゲット材料を調整することを含むことができ、Ｘ軸は、駆動レーザ光線及びターゲット材料の経路の両方に対して垂直である。

本発明の他の態様及び利点は、本発明の原理を一例として示す添付図面と併せて理解される、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
本発明は、添付の図面と組み合わされた以下の詳細な説明によって容易に理解されるだろう。

開示された主題の実施形態による、レーザ生成プラズマＥＵＶ光源の概略図である。 開示された主題の実施形態による、ここに記載される実施形態のいくつか又は全てにおいて用いることができる、簡略化されたターゲット材料ディスペンサの構成要素の概略図である。 開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内のいくつかの構成要素のより詳細な概略図である。 開示された主題の実施形態による、ＥＵＶを生成する際に行われる方法動作を示すフローチャート図である。 開示された主題の実施形態による、ターゲット材料の一部の照射の単純化した概略図である。 開示された主題の実施形態による、ターゲット材料の一部の照射の単純化した概略図である。 開示された主題の実施形態による、ターゲット材料の一部の照射の単純化した概略図である。 開示された主題の実施形態による、ターゲット材料の一部の照射の単純化した概略図である。 開示された主題の実施形態による、光源のより詳細な概略図である。 開示された主題の実施形態による、光源のより詳細な概略図である。 開示された主題の実施形態による、予備液滴から反射された反射光の画像である。 開示された主題の実施形態による、ターゲット材料の単純化した概略図である。 開示された主題の実施形態による、ＥＵＶを生成する際に行われる方法の動作を示すフローチャート図である。 開示された主題の実施形態による、ターゲット材料に対するウエスト部の位置を調整する際に行われる方法の動作を示すフローチャート図である。 開示された主題の実施形態による、照射領域の単純化した拡大図である。 開示された主題の実施形態による、図６Ａに対応する多数の合焦光パルスのグラフ表示である。 開示された主題の実施形態による、図６Ｂにおける多数の合焦光パルスに対応する、結果として得られる多数のＥＵＶパルスのグラフ表示である。 開示された主題の実施形態による、図６Ｃに対応する結果として得られる多数のＥＵＶパルスの対応する積分のグラフ表示である。 開示された主題の実施形態による、照射領域の単純化した拡大図である。 開示された主題の実施形態による、図７Ａに対応する多数の合焦光パルスのグラフ表示である。 開示された主題の実施形態による、図７Ｂにおける多数の合焦光パルスに対応する、結果として得られる多数のＥＵＶパルスのグラフ表示である。 開示された主題の実施形態による、図７Ｃに対応する結果として得られる多数のＥＵＶパルスの対応する積分のグラフ表示である。 開示された主題の実施形態による、照射領域の単純化した拡大図である。 開示された主題の実施形態による、図８Ａに対応する多数の合焦光パルスのグラフ表示である。 開示された主題の実施形態による、図８Ｂにおける多数の合焦光パルスに対応する、結果として得られる多数のＥＵＶパルスのグラフ表示である。 開示された主題の実施形態による、図８Ｃに対応する結果として得られる多数のＥＵＶパルスの対応する積分のグラフ表示である。 開示された主題の実施形態による、ＥＵＶ出力を最適化するために、ターゲット材料に対するウエスト部の位置を調整する際に行われる方法の動作を示すフローチャート図である。 開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバを含む統合システムのブロック図である。

ここで、最大量の放射ＥＵＶ光を生成し、かつ放射ＥＵＶ光の集光のために、最適な位置においてプラズマターゲット材料を照射するための改善されたシステム及び方法の幾つかの例示的な実施形態を説明する。本明細書に説明される特定の詳細の幾つか又はすべてがなくても本発明を実施できることが当業者には明らかであろう。

プラズマターゲット材料の最適位置は、最大のＥＵＶ光出力を生成する。プラズマターゲット材料の最適位置は、幾つかの態様を含む。駆動レーザ光線は、合焦駆動レーザ光線のウエスト部内においてターゲット材料を照射することにより、ターゲット材料に最大エネルギーを付与する。ターゲット材料は、レーザ光線の進路に対して垂直な平面内において合焦レーザ光線のウエスト部の一方の縁からわずかにずれることがあるが、ここで、ＥＵＶチャンバ内への及びこれを通る駆動レーザ光線の進路をＺ軸とし、Ｚ軸に対して垂直な平面をＸ−Ｙ平面とする。ずれを補正するためには、ターゲット材料を、合焦駆動レーザ光線のウエスト部へ向かって前後させることができ、及び／又は、ウエスト部をターゲット材料の経路に対して並進させるように駆動レーザ光線を操作することができる。

１つのＬＰＰ技術は、プラズマターゲット材料の流れを生成し、ターゲット材料の一部を、位置決めレーザパルスで、次いで主照射レーザパルスで照射することを含む。より理論的な表現では、ＬＰＰ光源は、光又はレーザエネルギーを、少なくとも１つのEUV放出元素（例えば、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）又はリチウム（Ｌｉ））を有するターゲット材料に供給し、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマを生成することにより、ＥＵＶ放射を生成する。これらのイオンの脱励起及び再結合中に生成されるエネルギー放射は、プラズマからすべての方向に放射される。ターゲット材料は、液体の小滴又は固体ペレットの形態とすることができ、又は液体若しくは固体のターゲット材料で被覆され、これを支持するワイヤ、或いはターゲット材料のテープ若しくはストリップ、或いは選択されたターゲット材料を合焦駆動レーザ光線のウエスト部に移送する他のシステム又は方法の形態とすることができる。本明細書において用いられるプラズマターゲット材料の液滴の流れは、例示的な実施形態に過ぎない。本明細書に説明されるのと同様な方法で、他の形態のプラズマターゲット材料を用いることができる。

中間焦点において約１００Ｗを生成することを目標として現在開発されている例示的な構成においては、パルス化され、合焦された１０−１２ｋＷのＣＯ２駆動レーザ（又はエキシマレーザのような適切な他のレーザ）がターゲット材料液滴生成器と同期され、１秒当たり約１０，０００−２００，０００のターゲット材料液滴を連続的に照射する。この構成は、比較的高い反復率（例えば、１０−２００ｋＨｚ又はそれ以上）で安定した液滴の流れを生成し、比較的長期間にわたり、タイミング及び位置に関する高い精度及び良好な再現性で、集光ミラーの第１焦点又はその近くの照射場所に液滴を供給する。

図１は、開示された主題の実施形態によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０の概略図である。ＬＰＰ光源２０は、一連の光パルスを生成し、光パルスをＥＵＶチャンバ２６内部に供給する光パルス生成システム２２を含む。各光パルス２３は、光パルス生成システム２２からビーム移送システム２５内のビーム経路２１に沿って進む。光パルス２３はＥＵＶチャンバ２６内に合焦され、照射領域２８において、選択されたターゲット液滴を照らす及び／又は照射する。

図１に示される光パルス生成システム２２において用いるのに適したレーザは、例えば１０ｋＷ又はそれ以上という比較的高い電力で、例えば約５０ｋＨｚ又はそれ以上の高いパルス繰返し数で動作する、例えばＤＣ又はＲＦ励起による、例えば約９．３μｍ又は約１０．６μｍの放射を生成する、パルス気体放電ＣＯ２レーザ装置のようなパルスレーザ装置を含むことができる。１つの特定の実施において、光パルス生成システム２２内のレーザは、多重増幅段を備えたＭＯＰＡ構成を有し、例えば１００ｋＨｚの動作が可能な、低エネルギーで高繰返し率のＱスイッチ主発振器（ＭＯ）によって始動されるシード・パルスを有する、軸流ＲＦポンプＣＯ₂レーザとすることができる。ＭＯから出たレーザパルスは、その後、照射領域２８に到達する前に、増幅され、成形され、合焦される。

光パルス生成システム２２のために、連続的にポンピングされるＣＯ２増幅器を用いることができる。例えば、その全体が引用によりここに組み入れられる、２００８年１０月２１日発行の「ＬＰＰ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＤＲＩＶＥ ＬＡＳＥＲ ＳＹＳＴＥＭ」と題する、同一出願人による特許文献１には、１つの発振器と複数の増幅器とを有する（例えば、Ｏ−ＰＡ１−ＰＡ２．．．構成）適切なＣＯ２レーザ装置が開示されている。

或いは、光パルス生成システム２２内のレーザは、レーザ光線のウエスト部内にあるターゲット材料の表面が光共振器の１つのミラーとして働く、いわゆる「自己ターゲッティング」レーザシステムとして構成することができる。幾つかの「自己ターゲッティング」配置においては、主発振器は必ずしも必要ではない。自己ターゲッティング・レーザシステムは、その全体の内容が引用によりここに組み入れられる、２００９年２月１７日発行の「ＤＲＩＶＥ ＬＡＳＥＲ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＳＹＳＴＥＭＳ ＦＯＲ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ」と題する、同一出願人による特許文献２において開示され、特許請求されている。

用途に応じて、例えば、高出力及び高パルス反復率で動作するエキシマ・レーザ又は分子フッ素レーザのような他の型のレーザも、光パルス生成システム２２における使用に適している。その他の例としては、例えばファイバ、ロッド又はディスク形状の活性媒質を有する固体レーザ、例えば、その全体の内容が引用により本明細書に組み入れられる、特許文献３、特許文献４、特許文献５に示されているようなＭＯＰＡ構成のエキシマ・レーザ・システム、１つ又はそれ以上のチャンバ、例えば１つの発振器チャンバ及び１つ又はそれ以上の増幅チャンバ（増幅チャンバは並列又は直列）を有するエキシマ・レーザ、主発振器／電力発振器（ＭＯＰＯ）配置、主発振器／電力リング増幅器（ＭＯＰＲＡ）配置、電力発振器／電力増幅器（ＰＯＰＡ）配置、又は、１つ又はそれ以上のエキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振器チャンバをシードする（ｓｅｅｄ）固体レーザが挙げられ、適切であり得る。その他の設計も可能である。

再び図１を参照すると、ＥＵＶ光源２０はさらに、ターゲット材料の部分（例えば、液滴）をＥＵＶチャンバ２６の内部の照射領域２８に供給する、ターゲット材料供給システム２４を含むことができ、照射領域２８において、液滴１０２Ａ、１０２Ｂは、１つ又はそれ以上の光パルス２３、例えば、１つ又はそれ以上のプレパルス、及びその後の１つ又はそれ以上の照射パルスと相互作用して、最終的にプラズマを生成し、ＥＵＶ放出３４を生じさせる。ターゲット材料は、スズ、リチウム、キセノン等、又はそれらの組み合わせを含む材料を含むことができるが、必ずしもこれらに限られるものではない。例えばスズ、リチウム、キセノン等などのＥＵＶ放出元素は、液体の小滴及び／又は液体の小滴１０２Ａ、１０２Ｂ内に含まれる固体粒子、又は本明細書の他の部分で説明される他の形態とすることができる。

一例として、元素スズは、純粋なスズとして、例えばＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２，ＳｎＨ４等のスズ化合物として、例えばスズ・ガリウム合金、スズ・インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金、又はこれらの組み合わせ等のスズの合金として用いることができる。用いる材料に応じて、ターゲット材料は、室温又は室温に近い温度（例えば、スズ合金、ＳｎＢｒ４）、高温（例えば純粋なスズ）、又は室温より低い温度（例えばＳｎＨ４）を含む種々の温度で照射領域２８に提供することができ、場合によっては、例えばＳｎＢｒ４のように比較的揮発性であってもよい。これらの材料のＬＰＰ ＥＵＶ光源における使用に関するさらなる詳細は、その内容が引用により本明細書に組み入れられる、２００８年１２月１８日発行の、ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥ ＦＵＥＬＳ ＦＯＲ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥと題された、同一出願人による特許文献６で提示されている。

さらに図１を参照すると、ＥＵＶ光源２０は、集光ミラー３０を含む。集光ミラー３０は、長球（すなわち、その主軸の周りで回転された楕円）形状の反射面を有する、ほぼ垂直入射の集光ミラーである。もちろん、実際の形状及び幾何学的配置は、チャンバのサイズ及び焦点の位置に応じて変化し得る。１つ又はそれ以上の実施形態において、集光ミラー３０は、段階的多層コーティングを含むことができる。段階的多層コーティングは、モリブデンとシリコンの交互層を含むことができ、場合によっては、１つ又はそれ以上の高温拡散障壁層、平滑層、キャッピング層及び／又はエッチング停止層を含むことができる。

集光ミラー３０はまた、開口部３２を含む。開口部３２は、光パルス生成システム２２により生成された光パルス２３を照射領域２８まで通過させることを可能にする。集光ミラー３０は、照射領域２８内又はその付近にある第１の焦点３１及び中間焦点４０を有する長球面ミラーとすることができる。ＥＵＶ光３４は、ＥＵＶ光源２０から中間焦点４０において又はこの近くで出力され、ＥＵＶ光３４を用いる下流側装置４２に入力される。一例として、ＥＵＶ光３４を受ける下流側装置４２は、集積回路リソグラフィツール（例えば、スキャナ）とすることができる。

長球ミラー３０の代わりに他の光学系を用いてＥＵＶ光３４を集光し、中間焦点４０に導き、次いでＥＵＶ光を用いるデバイスに供給することができることを理解されたい。一例として、集光ミラー３０は、放物線をその主軸の周りで回転させたものとすることができる。代替的に、集光ミラー３０は、リング形状の断面を有するビームを中間焦点４０の位置に供給するように構成することができる（例えば、その内容が引用により本明細書に組み入れられる、２００６年８月１６日出願のＥＵＶ ＯＰＴＩＣＳと題する、同時係属中の米国特許出願第１１／５０５，１７７号（代理人整理番号２００６−００２７−０１））。

ＥＵＶ光源２０はまた、ＥＵＶコントローラ６０を含むこともできる。ＥＵＶコントローラ６０は、光パルス生成システム２２内の１つ又はそれ以上のランプ及び／又はレーザ装置をトリガして、それにより、チャンバ２６内に供給するための光パルス２３を生成する、発火制御システム６５を含むことができる。

ＥＵＶ光源２０はまた、１つ又はそれ以上のターゲット材料イメージャ７０を含むターゲット材料位置検出システムを含むこともできる。ターゲット材料イメージャ７０は、照射領域２８に対する１つ又はそれ以上のターゲット材料の液滴１０２Ａ、１０２Ｂの位置及び／又はタイミングを示す出力を与えるＣＣＤ又は他のイメージング技術及び／又はバックライストロボ照明及び／又はライトカーテンを用いて、画像をキャプチャすることができる。イメージャ７０は、ターゲット材料位置検出フィードバックシステム６２に連結され、これにターゲット材料の位置及びタイミングのデータを出力する。ターゲット材料位置検出フィードバックシステム６２は、ターゲット材料位置及び軌道を計算することができ、ターゲット材料位置の誤差をそこから計算することができる。ターゲット材料位置の誤差は、ターゲット材料の部分ごとに計算することもでき又は平均として（例えば、液滴ごとに又は平均液滴データについて）計算することもできる。ターゲット材料位置の誤差は、次いで、ＥＵＶコントローラ６０の入力として与えることができる。ＥＵＶコントローラ６０は、位置、方向及び／又はタイミング補正信号を光パルス生成システム２２に与えて、光源タイミング回路を制御し、及び／又はビーム位置及び成形システムを制御し、チャンバ２６内の照射領域２８に供給される光パルス２３の軌道及び／又は焦点出力若しくは焦点を変更させることができる。

ＥＵＶ光源２０はまた、光源２０により生成されるＥＵＶ光の種々の特性を測定するための１つ又はそれ以上のＥＵＶ測定計器を含むこともできる。これらの特性は、例えば、強度（例えば、総強度又は特定のスペクトル帯域における強度）、スペクトル帯域幅、偏光、ビーム位置、照準等を含むことができる。ＥＵＶ光源２０に対して、計器は、例えばフォトリソグラフィスキャナのような下流側のツールがオンラインのときに、例えば、ＥＵＶ出力の一部を例えばピックオフ・ミラーを用いてサンプリングすること、又は「集光されなかった」ＥＵＶ光をサンプリングすることによって動作し、及び／又は、例えばフォトリソグラフィスキャナなどの下流ツールがオフラインのときに、例えば、ＥＵＶ光源２０の全ＥＵＶ出力を測定することによって動作するように構成することができる。

ＥＵＶ光源２０はまた、ＥＵＶコントローラ６０からの信号（これは、幾つかの実施においては、上述のターゲット材料位置の誤差、又はそれから導かれる何らかの量を含むことができる）に応答して、例えば、ターゲット材料ディスペンサ９２からのターゲット材料の解放点を修正し、及び／又はターゲット材料形成タイミングを修正して、所望の照射領域２８に到達するターゲット材料液滴１０２Ａ、１０２Ｂにおける位置誤差を補正し、及び／又は、ターゲット材料液滴１０２Ａ、１０２Ｂの生成を光パルス生成システム２２と同期させるように動作可能な、ターゲット材料制御システム９０を含むこともできる。

図２Ａは、開示された主題の実施形態による、本明細書に記載される実施形態の幾つか又はすべてにおいて用いることができる、単純化したターゲット材料ディスペンサ９２の構成要素の概略図である。ターゲット材料ディスペンサ９２は、流体形態のターゲット材料９６を保持する導管又はリザーバ９４を含む。流体ターゲット材料９６は、圧力Ｐの下での溶融金属（例えば溶融スズ）等の液体とすることができる。リザーバ９４は、オリフィス９８を含み、加圧された流体ターゲット材料９６がオリフィスを通して流れて連続流れ１００を確立することを可能にする。連続流れ１００は、その後分断された液滴１０２Ａ、１０２Ｂの流れとなる。ターゲット材料ディスペンサ９２はさらに、流体ターゲット材料９６及び／又はオリフィス９８に動作可能に結合された電気作動可能素子１０４と、該電気作動可能素子１０４を駆動する信号生成器１０６とを含んだ流体に擾乱を起こすサブシステムを含む。

種々のターゲット材料ディスペンサ９２の構成及びその相対的な利点に関するさらなる詳細は、その各々の内容が引用によりここに組み入れられる、２００８年６月１９日出願の、ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＴＡＲＧＥＴ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＩＮ Ａ ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥと題する、同時係属中の米国特許出願番号１２／２１４，７３６号（代理人整理番号２００６−００６７−０２）、２００７年７月１３日出願の、ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＨＡＶＩＮＧ Ａ ＤＲＯＰＬＥＴ ＳＴＲＥＡＭ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＵＳＩＮＧ Ａ ＭＯＤＵＬＡＴＥＤ ＤＩＳＴＵＲＢＡＮＣＥ ＷＡＶＥと題する米国特許出願番号１１／３５８，９８８号（代理人整理番号２００７−００３０−０１）、２００６年２月２１日出願の、ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＷＩＴＨ ＰＲＥ−ＰＵＬＳＥと題する、同時係属中の米国特許出願番号１１／３５８，９８８号（代理人整理番号２００５−００８５−０１）、２００８年７月２８日発行の、ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＥＵＶ ＰＬＡＳＭＡ ＳＯＵＲＣＥ ＴＡＲＧＥＴ ＤＥＬＩＶＥＲＹと題する、同一出願人による特許文献７、及び、２００８年５月１３日発行の、ＬＰＰ ＥＵＶ ＰＬＡＳＭＡ ＳＯＵＲＣＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＴＡＲＧＥＴ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＳＹＳＴＥＭと題する、同一出願人による特許文献８において見出すことができる。

液滴１０２Ａ、１０２Ｂは、直径が約２０μｍから約１００μｍまでの間である。液滴１０２Ａ、１０２Ｂは、オリフィス９８を通してターゲット材料９６を加圧することによって生成される。一例として、オリフィス９８は、一実施形態において、約５０μｍ未満の直径を有することができる。液滴１０２Ａ、１０２Ｂは、約２０から７０ｍ／秒の速度で放たれる。液滴１０２Ａ、１０２Ｂが高速であることにより、液滴流れが、水平、垂直又は他のいずれかの方向のいずれで生成された場合でも、液滴は、ほぼ直線的なターゲット材料２０９上に留まり、集光ミラー３０に衝突することはない。

ターゲット材料ディスペンサ９２により連続モードで生成された液滴１０２Ａ、１０２Ｂのすべてがプラズマ生成に用いられるわけではない。ＥＵＶ源が１００％未満のデューティサイクルで動作する場合には、液滴１０２Ｃの一部が照射領域２８を通過して、その後で収集することができる。未使用の液滴１０２Ｃが、ＥＵＶ源チャンバの反対側の壁に衝突する可能性がある場合には、これらは、幅広い空間分布を有する大量の高速フラグメントを生成する。これらのフラグメント２３１のかなりの部分は、ＥＵＶ集光ミラー３０並びに診断ポート及び装置７０の上に付着することになり、従って、その性能に影響を与える。

デブリの別の源は照射領域２８である。強い光パルスで照射されると、液滴１０２Ａ、１０２Ｂは、一方の側が加熱され、これによって急速な非対称の材料膨張とＥＵＶ光放射２３０が生じる。上述のように、ＥＵＶ光放射２３０は、集光ミラー３０で集光される。膨張の結果、かなりの量の液滴材料が、液滴１０２Ａ、１０２Ｂがターゲット材料ディスペンサ９２から供給されたときの速度に匹敵する速度で、光パルス２３から離れる方向に加速される。この材料は、いずれかの表面に衝突するまで照射領域２８から離れる方向に移動し、衝突した点において、様々な方向に跳ね返り、すなわちバックスプラッシュすることがある。バックスプラッシュしたターゲット材料２３１は、集光ミラー３０上に付着することがある。

図２Ｂは、開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ２６内の構成要素の幾つかのより詳細な概略図である。上述のように、ターゲット材料ディスペンサ９２は、液滴１０２Ａ、１０２Ｂの流れを吐出するが、すべての液滴が照射されて（すなわち用いられ）ＥＵＶ３４を生成するわけではない。一例として、未使用の液滴１０２Ｃは、入射光パルス２３によって照射されていない。

図３Ａは、開示された主題の実施形態による、ＥＵＶ３４を生成する際に行われる方法動作３００を示すフローチャート図である。ここで示される動作は例示であり、幾つかの動作は、下位の動作を有していてもよく、他の例において、ここで説明される特定の動作は、示された動作内に含まれていなくてもよいことを理解されたい。これを踏まえて、方法及び動作３００をここで説明する。

動作３０２において、液滴１０２Ａ、１０２Ｂの流れのうちの選択された１つの１０２Ｃが、照射領域２８に供給される。動作３０４において、光パルス２３が、選択された液滴１０２Ｂが照射領域に到達するのと実質的に同時に、ＥＵＶチャンバ２６内の照射領域２８に向けられる。動作３０６において、照射された液滴１０２ＢからＥＵＶ光３４が正セされる。

光パルス２３を照射領域２８に向けることは、光パルスの焦点を、選択された液滴１０２Ｂと光パルス２３とが交わる最適位置に調整することを含む。光パルス２３の焦点を最適化することにより、光パルス２３からの最大エネルギーが、選択された液滴に付与される。光パルスと選択された液滴１０２Ｂとの交差を最適化するために、光パルス２３を調整することは、以下により詳細に説明される。

動作３０８において、照射領域２８からのＥＵＶは、集光ミラー３０により集光される。動作３１０及び動作３１２において、集光ミラー３０は、ＥＵＶ３４を中間位置４０に合焦し、ＥＵＶ３４がＥＵＶチャンバから出力される。

Ｘ−Ｙ平面内においてターゲット材料を駆動レーザ光線に位置合わせする
液滴自体及び駆動レーザ光線に対する選択された液滴１０２Ｂの照射の正確な位置は、駆動レーザ光線２３から液滴１０２Ｂに付与されるエネルギー量、及び、集光ミラーが集光することができ、集光したＥＵＶを中間焦点４０に合焦することができるＥＵＶの量を決定するゆえに重要である。ＥＵＶ３４を消費するＥＵＶチャンバ２６の下流側装置４２（例えば、スキャナ）は、中間焦点４０の位置を定める。中間焦点４０は、例えば、下流側装置４２内の加工物の製造及び設備及び変化又は移動を含む多数の理由のためにわずかに変化することがある。

それに対応して、選択されたターゲット材料液滴１０２Ｂに対するウエスト部３２０の正確な位置を調整又は操作して、ＥＵＶ光３４の生成及び集光が最適化される。

図３Ｂ−図３Ｅは、開示された主題の実施形態による、ターゲット材料の一部の照射の単純化した概略図である。合焦駆動レーザ光線２３は、合焦されて駆動レーザ光線が最も集中するウエスト部と呼ばれる狭い断面のビームになる。合焦駆動レーザ光線は、ウエスト部で最も集中するために、選択された液滴１０２Ａの最適な照射は、ウエスト部３２０で起る。図３Ｂに示されるように、ウエスト部３２０は、Ｚ軸に沿って、材料の選択されたターゲット部分（すなわち、液滴１０２Ｂ）から距離Ｗだけずれている（例えば、ウエスト部３２０は、ターゲット材料経路３９４から距離Ｗだけずれる）。ずれの距離Ｗは、縮尺通りには示されていないこと、及びＷは約５μｍから約２０ｍｍまでといった比較的短い距離であり得ることに留意されたい。プラズマ３２４Ａは、合焦駆動レーザ光線２３がターゲット材料液滴１０２Ｂを照射するときに生成されるが、液滴がウエスト部３２０に位置合わせされていないため、合焦駆動レーザ光線２３の第１の部分２３Ａのみが液滴に当たってこれを照射し、一方合焦駆動レーザ光線２３の第２の部分２３Ａ’は液滴のそばを通り過ぎる。従って、合焦駆動レーザ光線２３の第１の部分２３Ａのエネルギー量だけが液滴１０２Ｂに加えられる。その結果、合焦駆動レーザ光線２３から液滴１０２Ｂには最適に達しないエネルギーが付与され、それに応じて結果として得られるプラズマ３２４Ａ及び生成されるＥＵＶも減少する。

図３Ｃは、ターゲット材料経路３９４が図を横切る、ターゲット材料（すなわち、液滴１０２Ｂ）の選択された部分の照射の側面図を示す。図３Ｃに示されるように、ウエスト部３２０は液滴１０２Ｂの経路３９４に位置合わせされる（例えば、Ｗはおよそゼロに等しい）。しかしながら、図３Ｃにおいて、液滴１０２ＢはＺ軸から距離Ｖだけずれて示される。液滴１０２Ｂは、ターゲット材料経路３９４を辿る。駆動レーザ光線２３が液滴１０２Ｂを光共振器のミラーとして用いる場合には、液滴が駆動レーザ２３に位置合わせされると、駆動レーザ光線もまた、殆ど同時に到達して液滴を照射する。駆動レーザ光線２３が液滴１０２Ｂを光共振器のミラーとして用いない場合には、合焦駆動レーザ光線２３の第１の部分２３Ｂだけが液滴に当たってこれを照射し、合焦駆動レーザ光線２３の第２の部分２３Ｂ’は液滴のそばを通り過ぎる。従って、合焦駆動レーザ光線２３の第１の部分２３Ｂのエネルギー量だけが液滴１０２Ｂに加えられる。その結果、最適に達しないエネルギーが、合焦駆動レーザ光線２３から液滴１０２Ｂに付与され、結果として得られるプラズマ３２４Ｂ及び生成されるＥＵＶも対応して減少する。駆動レーザ光線２３がウエスト部に出力されるときに液滴がウエスト部３２０に到達するように、駆動レーザ光線２３と液滴のタイミングが合わされる場合には、駆動レーザ光線を操作することにより駆動レーザ光線２３を液滴１０２Ｂに位置合わせすることができる。

図３Ｄは、ターゲット材料経路３９４がページを（の中に）垂直に通るために見えない、ターゲット材料（すなわち、液滴１０２Ｂ）の選択された部分の平面図を示す。図３Ｄに示されるように、液滴１０２ＢはＺ軸から距離Ｈだけ、及びウエスト部３２０から距離Ｗ’だけずれて示される。液滴１０２Ｂはターゲット材料経路３９４を辿るため、ウエスト部３２０は通らず、従って、合焦駆動レーザ光線２３の第１の部分２３Ｃだけが液滴１０２Ｂに当たってこれを照射し、一方合焦駆動レーザ光線２３の第２の部分２３Ｃ’は液滴のそばを通り過ぎるため、液滴は、合焦駆動レーザ光線２３により最適に照射されることはない。従って、合焦駆動レーザ光線２３の第１の部分２３Ｃのエネルギー量だけが液滴１０２Ｂに加えられる。その結果、合焦駆動レーザ光線２３から液滴１０２Ｂには最適に達しないエネルギーが付与され、結果として得られるプラズマ３２４Ｃ及び生成されるＥＵＶも対応して減少する。

図３Ｅは、ターゲット材料（すなわち、液滴１０２Ｂ）の選択された部分の側面図を示す。図３Ｅに示されるように、液滴１０２Ｂは合焦駆動レーザ光線２３のウエスト部３２０に位置合わせして示される。液滴はＺ軸にも位置合わせされている。合焦駆動レーザ光線２３のウエスト部３２０に位置合わせされた液滴１０２Ｂの上面も図３Ｅに示されるように現われるが、図３Ｄで説明されたように、ターゲット材料経路３９４は示されない。液滴１０２Ｂがウエスト部３２０とＺ軸の両方に位置合わせされるため、合焦駆動レーザ光線２３の実質的に全体が液滴１０２Ｂに当たり、実質的に、合焦駆動レーザ光線２３のどれも液滴１０２Ｂのそばを通り過ぎることはない（例えば、部分２３Ｄ’は実質的に存在しない）。従って、液滴１０２Ｂは合焦駆動レーザ光線２３により最適に照射され、合焦駆動レーザ光線２３のエネルギーの実質的にすべてが液滴１０２Ｂに加えられる。その結果、結果として得られるプラズマ３２４Ｄ及び生成されるＥＵＶも対応して最適化される。

図４Ａ及び図４Ｂは、開示された主題の実施形態による、光源２２のより詳細な概略図である。図５Ａは、開示された主題の実施形態による、ＥＵＶ３４を生成する際に行われる方法の動作５００を示すフローチャート図である。ここで示される動作は例示であり、いくつかの動作は、下位の動作を有していてもよく、他の例において、ここで説明される特定の動作は、示された動作内に含まれていなくてもよいことを理解されたい。これを踏まえて、方法及び動作５００をここで説明する。

光源２２は、レーザ４１５を含む。レーザ４１５は、出力窓４０４とビームリバーサ４１２との間に、１つ又はそれ以上のレーザ発振及び増幅チャンバ４１４、４１６、４１８を含むことができる。レーザ４１５は、主発振器及び電力増幅器（ＭＯＰＡ）構成であってもよいし、又は、主発振器のない（ＮＯＭＯ）構成であってもよい。動作５０５において、レーザ４１５は、レーザ発振及び増幅チャンバ４１４、４１６、４１８内において、レーザビームパルス４０５Ａを生成及び増幅する。動作５１０において、レーザ４１５は、出力窓４０４を通して、レーザビームパルス４０５Ｂを出力する。

動作５３０において、レーザビームパルス４０５Ｂは、反射表面又は平面４６４Ｂ、４５２及び４５４により、照射領域２８に向けられる。一例として、反射表面又は平面４６４Ｂ、４５２及び４５４のうちの１つ又はそれ以上は、拡大したレーザビームパルス４０５Ｃを集束させ、上述の図３Ｂ−図３Ｅに示されるように、ウエスト部３２０に集束する合焦光２３を形成するための集光表面の焦点調節用とすることができる。図示されない随意的な動作において、レーザビームパルスを照射領域に向けるステップは、出力されたレーザビームパルス４０５Ｂをビーム拡大器４２０に入力するステップを含むことができる。ビーム拡大器４２０は、レーザビームパルスのパルス幅を拡大して拡大レーザビームパルスにし、これがビーム拡大器４２０から出力される。拡大されたレーザビームパルスは、ビーム経路２１、すなわち反射表面又は平面４２２、４６４Ｂ、４５２及び４５４を介するビーム移送システムに沿って照射領域２８の方向に向けることができる。反射表面又は平面４２２、４６４Ｂ、４５２及び４５４は、ミラー、プリズム、又は他の適切な反射媒体とすることができる。ビーム経路２１は、真空（例えば、約１ｍトル未満）に維持することができ、また、出力窓４０４と照射領域２８との間に水素ガスを含むことができる。

反射表面又は平面４６４Ｂ、４５２及び４５４のうちの１つ又はそれ以上は、照射領域２８内のウエスト部３２０の位置を操作するために可動とすることができる。一例として、例示的なアクチュエータ４５６が反射表面又は平面４５４を１つ又はそれ以上の方向４５８Ａ−４５８Ｄに移動させることができる。アクチュエータ４５６は、圧電アクチュエータ又はステップモータ制御のマイクロメータ又はいずれかの他の適切な型のアクチュエータとすることができる。反射表面４５２は、軸外放物面鏡又は透過型光学系（例えば、レンズ）とすることができる。このレンズを光軸に沿って並進させ、合焦レーザ光線のウエスト部の位置を変更することができる。反射表面４５４は、集束駆動レーザ光線２３を、ＥＵＶチャンバ内のＺ軸に沿った所望の光路に沿って向ける平面ミラーとすることができる。反射表面４６４Ｂは、拡大したパルス４０５Ｃを軸外放物面鏡４５２の方向に反射させるための平面ミラーとすることができる。一例として、ミラー４５４は、軸外放物面合焦鏡４５２からレーザ４０５Ｃビームを受け取ることができ、集束レーザ光線２３が集光ミラー３０の第１焦点３１にあるウエスト部３２０に至るように操作する。

反射表面又は平面４５４を方向４５８Ａ−４５８Ｄのうちの１つ又はそれ以上の方向に移動させることにより、照射領域内のウエスト部３２０を操作してウエスト部３２０がより正確にターゲット材料に位置合わせされるようにする。これにより、合焦光２３の最大エネルギーが、選択された液滴１０２Ｂに付与される。反射表面又は平面４５４を方向４５８Ａ−４５８Ｄのうちの１つ又はそれ以上の方向に移動させることにより、ウエスト部３２０を、ＥＵＶチャンバ２６内への及びこれを通る合焦駆動レーザ光線２３の経路であるＺ軸に対して垂直なＸ−Ｙ平面内で操作する。反射表面又は平面４５４を方向４５８Ａ−４５８Ｄのうちの１つ又はそれ以上の方向に移動させることはまた、ウエスト部３２０を、Ｚ軸に沿って（例えば、−Ｚ又は＋Ｚ）集光ミラー３０に近づくか又は離れるように操作することができる。

出力窓４０４は、いずれかの適切な出力窓とすることができる。一例として、出力窓４０４は、ＺｎＳｅ又はダイヤモンドの出力窓とすることができる。出力窓４０４は、レーザ光線４０５Ｂが出力窓４０４を通過するときに、それを合焦するための屈折力を随意的に含むことができる。

図５Ｂは、開示された主題の実施形態による、ウエスト部３２０の位置をターゲット材料に対して調整する際に行われる方法の動作５５０を示すフローチャート図である。ここで示される動作は例示であり、いくつかの動作は、下位の動作を有していてもよく、他の例において、ここで説明される特定の動作は、示された動作内に含まれていなくてもよいことを理解されたい。これを踏まえて、方法及び動作５５０をここで説明する。

さらに図４Ａを参照すると、動作５５２において、合焦レーザビーム２３からの光の一部２３Ａが、ターゲット材料経路３９４を辿る液滴の流れ内の少なくとも１つの予備液滴１０２Ａから反射される。動作５５４において、反射光２３Ａは、光学部品４５４、４５２、４６４Ｂ、４２２、４２０により反射されて光源２２に戻る。

検出器システム４６０は、光路２１と直列にすることができる。随意的に、動作５５６において、検出器システム４６０は、光路２１の一方の側に外すことができ、反射光２３Ａは、光２３Ｂとして出力窓４０４から反射させることができる。動作５６０において、反射光２３Ａ又は２３Ｂは、検出器システム４６０の方向に向けられる。

検出器システム４６０は、近視野検出器４６６及び遠視野検出器４６４を含むことができる。動作５６４において、反射光２３Ｂは遠視野検出器４６４において監視され、随意的に近視野検出器４６６において監視される。１つの構成においては、近視野検出器４６６及び遠視野検出器４６４のうちの一方だけを検出器システム４６０に含めることができる。一例として、検出器システム４６０は、遠視野検出器４６４だけ、又は代替的に、近視野検出器４６６だけを含むことができる。

出力窓４０４から反射された光２３Ｂは、近視野検出器４６６上に近視野プロファイルを生成するために用いることができる。出力窓４０４から反射された光２３Ｂはまた、又は代替的に、遠視野検出器４６４上に遠視野プロファイルを生成するために用いることができる。近視野プロファイル及び／又は遠視野プロファイルは、駆動レーザ光線２３のウエスト部３２０又はＺ軸に対する少なくとも１つの予備液滴１０２ＡのＸＹ位置を示す。

図４Ｃ．１及び図４Ｃ．２は、開示された主題の実施形態による、予備液滴１０２Ａから反射された反射光２３Ａ、２３Ｂの遠視野プロファイルの画像４８０Ａ、４８０Ｂである。図４Ｃ．１は、位置合わせされた予備液滴１０２Ａから反射された反射光２３Ａ、２３Ｂの画像４８０Ａである。位置合わせされた液滴の画像１０２Ａ’は、断面積が完全な液滴であり、画像４８０Ａ内の実質的に中心に位置する。断面積が完全な液滴であることにより、反射光２３Ａ又は２３Ｂの量は最大値であり、従って、合焦駆動レーザ光線２３は、完全に液滴１０２Ａに当たる。

図４Ｃ．２は、位置合わせが不完全な予備液滴１０２Ａから反射された反射光２３Ａ、２３Ｂの画像４８０Ｂである。位置合わせが不完全な液滴画像１０２Ａ’は、断面積が完全な液滴ではなく、画像４８０Ｂにおいて、実質的に右に（＋Ｘ方向に）ずれている。画像４８０Ｂにおいて不完全な液滴の断面が現れる場合には、液滴１０２Ａの画像は中心に位置せず、液滴は、合焦駆動レーザ光線２３のウエスト部３２０に対して最適には位置合わせされてない。液滴画像位置の最適位置からのずれが、駆動レーザ２３を操作するのに用いられる信号を与える。

予備液滴１０２Ａの検出位置は、反射光２３Ａの量又は反射画像１０２Ａ’の位置に基づいて、合焦駆動レーザ光線２３のウエスト部３２０の位置及び／又はＺ軸と比較することができ、結果として得られる差分値は、コントローラ６０により誤差信号に変換される。誤差信号は、アクチュエータ４５６を用いてミラー４５４を調整する（例えば、方向４５８Ａ−４５８Ｄのうちの少なくとも１つの方向に傾ける／傾斜させる）のに用いられる。一例として、傾き／傾斜調整は、多数の液滴を光２３で照射しながら誤差信号がゼロになるまで行うことができる。

動作５６６において、コントローラ６０は、反射光２３Ａ又は２３Ｂの近視野画像及び遠視野像の一方又は両方を検出する。動作５７０において、コントローラ６０はアクチュエータ４５６を調整してミラー４５４の位置を調整し、これによって、合焦駆動レーザ光線２３のウエスト部３２０及び／又はＺ軸に対するウエスト部３２０の正確な位置を操作する。随意的又は代替的な動作５７２において、コントローラ６０は、液滴生成器９２からの少なくとも１つの後続の液滴１０２Ｂの放出を調整し、及び／又は、駆動レーザパルス２３のタイミングを調整する。この調整には、後続の液滴を放出するタイミングの調整を含むことができ、さらにターゲット材料経路３９４の方向の調整を含むことができる。

動作５７４において、少なくとも１つの後続の液滴１０２Ｂが、合焦駆動レーザ光線２３のウエスト部３２０に到達して合焦光２３から最大量のエネルギーが液滴１０２Ｂに付与され、従って、液滴１０２Ｂが照射されて最適量のＥＵＶ光３４が生成される。

合焦光２３の第１のパルスは、合焦光２３の第２のパルスより低いエネルギーを有することができ、ここで合焦光２３の第１のパルスは、予備液滴１０２Ａを照射して予備液滴１０２Ａの位置を定める。合焦光２３の第２のパルスは、後続の液滴１０２Ｂに向けられ、後続の液滴を照射する。方法及び動作５５０は、後続の液滴に対して連続して繰り返すことができる。

光源２２は、ＣＯ２レーザとすることができる。光源２２は、ＮＯＭＯ構成（例えば、主発振器が用いられない）とすることができ、液滴がＥＵＶチャンバ２６内のＺ軸に到達したときに、ビームリバーサ４１２と液滴１０２Ａ、１０２Ｂとの間に光共振器が確立される。増幅器４１５は、一連の増幅器チャンバ４１４、４１６、４１８を含むことができ、各チャンバは、それ自体の利得媒質及び励起源を有してキャビティ内の光を増幅する。

第１の液滴１０２Ａから反射された光２３Ａは、ビームリバーサ４１２の方向に向けられ、出力窓４０４により、少なくとも部分的に反射光２３Ｂとして反射される。出力窓４０４は、ビーム経路２１に対してある角度で配置することができる。わずかな角度で窓を配置することにより、駆動レーザのビーム経路に沿った光からのあらゆる反射がビーム経路外に向けられるため、駆動レーザのビーム経路に沿った直接反射を防止することができる。一例として、出力窓４０４は、ブルースター角又はその近くで配置することができる。レーザの経路に対する理想的なブルースター角においては、出力窓４０４は完全に透明であり、１００％の光を透過させる。典型的には、出力窓は約２％までの光を吸収又は反射し、残りの光（約９８％）を透過させる。

出力窓４０４の一方の側にはＣＯ２利得媒質がある。窓４０４の反対側は、ビーム経路２１を介して照射領域２８と流体連通状態にある。ビーム経路２１は、真空状態に保たれ、少なくとも１つの実施形態においては、圧力約１ｍトール未満の水素を含むことができる。

図４Ｄは、開示された主題の実施形態による、ターゲット材料３９４の単純化した概略図である。ターゲット材料経路３９４は、開示された主題の実施形態により、Ｚ軸に垂直なＸ−Ｙ平面に対して角度θだけ傾けることができる。θは、Ｘ−Ｙ平面に対して約９０度から０度までの間のどのような角度であってもよい。Ｘ−Ｙ平面は、Ｚ軸に対して垂直である。Ｘ軸及びＹ軸は、ターゲット材料経路３９４の角度成分に対応する。

ＥＵＶ Ｚ軸の最適化
上述のシステム及び方法は、最適なＥＵＶ出力に対する最適な計算結果のためのターゲット材料と駆動レーザ光線の位置合わせを説明する。しかしながら、上述のシステム及び方法は、ＥＵＶチャンバ２６内の動的な変化、より具体的には、プラズマ及び結果として得られるＥＵＶ３４の生成中に集光ミラー３０の第１焦点３１で生じる動的条件を正確には補償しない。

再び上述の図４Ｂを参照すると、フィルタ４８４は帯域光（例えば、可視光）を除去し、ＥＵＶを検出器４８３に送る。検出器４８３は、検出されたＥＵＶの量に対応する信号をコントローラ６０に結合する。コントローラ６０は、検出されたＥＵＶの量を分析し、補正信号を駆動レーザ合焦システム４０２に送信する。検出されたＥＵＶの量の分析は、検出されたＥＵＶ信号を、以前のＥＵＶ信号又は所望のＥＵＶ信号等の別のＥＵＶ信号のレベルと比較することを含む。フィルタ４８４は、約０．２ミクロンの厚さを有するジルコニウムの薄膜等の薄膜フィルタとすることができ、その理由は、そのような薄膜は可視光には不透明であるが、ＥＵＶに対しては実質的に完全に透明であるからである。検出器４８５はどのような適切なＥＵＶ検出器であってもよい。一例として、検出器４８５は、広域スペクトルフォトダイオードとすることができる。検出器４８５は、比較的大きい面積（例えば、約５０平方ミリメートル以下から約１００平方ミリメートル以上の面積）を有する広域スペクトルフォトダイオードとすることができる。

共通ステージ４８２は、アクチュエータを含み、単一ステージとしてミラー４５２、４５４を方向４５８Ａ及び４５８Ｂに移動させることを可能にする。このことは、合焦駆動レーザ光線２３のウエスト部３２０を、同じ焦点距離を保持しながらＺ軸に沿って並進させることを可能にし、さらに、Ｚ軸に沿った集光ミラー３０からウエスト部３２０までの距離を調整することを可能にする。共通ステージ４８２及びアクチュエータ４５６を組み合わせて用いることにより、駆動レーザ光線のウエスト部３２０を、Ｘ−Ｙ平面内のある値の範囲内で、及びＺ軸に沿った集光ミラー３０からの種々異なる距離で、選択的に並進させることが可能になる。一例として、共通ステージ４８２及びアクチュエータ４５６は、ウエスト部３２０を集光ミラー３０の第１焦点３１に位置合わせすることを可能にする。

図６Ａ、図７Ａ及び図８Ａは、開示された主題の実施形態による、照射領域２８の単純化した拡大図である。図６Ｂ、図７Ｂ及び図８Ｂは、開示された主題の実施形態による、それぞれ、図６Ａ、図７Ａ及び図８Ａに対応する多数の合焦光パルスのグラフ表示である。図６Ｃ、図７Ｃ及び図８Ｃは、開示された主題の実施形態による、それぞれ、図６Ｂ、図７Ｂ及び図８Ｂにおける多数の合焦光パルスに対応する、結果として得られる多数のＥＵＶパルス３４のグラフ表示である。図６Ｄ、図７Ｄ及び図８Ｄは、開示された主題の実施形態による、それぞれ、図６Ｃ、図７Ｃ及び図８Ｃに対応する結果として得られる多数のＥＵＶパルス３４の対応する積分のグラフ表示である。

図９は、開示された主題の実施形態による、ターゲット材料に対するウエスト部３２０の位置を調整してＥＵＶ３４の出力を最適化する際に行われる方法の動作９００を示すフローチャート図である。ここで示される動作は例示であり、幾つかの動作は、下位の動作を有していてもよく、他の例において、ここで説明される特定の動作は、示された動作内に含まれていなくてもよいことを理解されたい。これを踏まえて、方法及び動作９００をここで説明する。

動作９０５において、ターゲット材料１０２Ｂが合焦レーザ光線２３のウエスト部３２０に配置される。動作９１０において、合焦レーザパルス２３がターゲット材料１０２Ｂ上に向けられる。

動作９１５において、動作９１０における合焦レーザパルス２３に対応するＥＵＶ出力パルスが測定される（例えば、検出器４８３により、又は、下流側装置４２からのフィードバック信号を介して）。動作９２０において、ウエスト部３２０に対するターゲット材料の後続の部分の位置を−Ｚ方向に増分しながら、合焦レーザパルス及びターゲット材料１０２Ｂの後続の部分について、動作９０５−９１５が、選択された時間間隔が終了するまで複数回繰り返される。一例として、１ミリ秒の時間間隔を選択することができるが、それでも多数のレーザパルス及びターゲット材料部分（例えば、一実施形態における液滴）１０２Ｂを合焦レーザパルスのウエスト部３２０に送ることができる。

動作９２５において、選択された時間間隔中の多数の繰り返しの積分が決定される。積分曲線下の面積は、選択された時間間隔に渡るＥＵＶ出力３４に対応する。

動作９３０において、選択された時間間隔中の多数の繰り返しに渡り記録されたＥＵＶパルスを調査してどのパルスが最大ピークＥＵＶを有するかが決定される。最大ピークＥＵＶが多数の繰り返しの最初の１つにおいて生じた場合には、動作は、動作９４５に進む。動作９４５において、コントローラは、ターゲット材料の位置を、合焦レーザ光線２３のウエスト部３２０に対して、＋Ｚ方向に調整する。

動作９３０において、最大ピークＥＵＶが多数の繰り返しの最初の１つにおいて生じなかった場合には、動作は動作９３５に進む。動作９３５において、選択された時間間隔中の多数の繰り返しに渡り記録されたＥＵＶパルスを調査してどのパルスが最大ピークＥＵＶを有するかが決定される。最大ピークＥＵＶが多数の繰り返しの最後の１つにおいて生じた場合には、動作は、動作９５０に進む。動作９５０において、コントローラは、ターゲット材料の位置を、合焦レーザ光線２３のウエスト部３２０に対して、−Ｚ方向に調整する。

動作９３５において、最大ピークＥＵＶが多数の繰り返しの最後の部分で生じない場合、動作は動作９４０に進む。動作９４０において、ＥＵＶ３４がもはや必要なくなり、方法の動作を終了できるようになるまで、最適レベルのＥＵＶを生成するように動作９０５−９３５を繰り返す。

図６Ａ−図６Ｄを参照すると、液滴は、合焦駆動レーザ光線２３のウエスト部３２０に対して＋Ｚ位置にある。テーパー状になるＥＵＶ出力は、液滴の位置が、合焦レーザ光線２３のウエスト部３２０内又はその近傍の最適位置から−Ｚ方向にわずかにずれていることを示す。その結果、図６Ｃに示される出力されたＥＵＶパルス３４は、最適には達せず、高い初期エネルギーを有するが急速に下方に先細になる。焦光光学系が−Ｚ方向に移動するか又は液滴が＋Ｚ方向に移動する。

ターゲット材料１０２Ｂと合焦レーザ光線２３のウエスト部３２０との相対的な位置は、図６Ａ−図８Ａにおいて、相対的な移動を強調するために、幾らか誇張されていることを理解されたい。位置の実際の変化は、ターゲット材料１０２Ｂのおよその直径よりも小さくなり得る。さらに、最適位置は、合焦レーザ光線２３のウエスト部３２０の中心からＺ軸上でわずかにずれていてもよい。ウエスト部３２０は、ターゲット材料１０２Ｂよりも広い幅を有することができる。

図７Ａ−図７Ｄを参照すると、液滴は、合焦駆動レーザ光線２３のウエスト部３２０に対して−Ｚ位置にある。増加するＥＵＶ出力は、液滴の位置が最適な焦点を越えていることを示す。その結果、図７Ｃ及び図７Ｄに示される出力されたＥＵＶパルス３４は最適には達せず、低い初期エネルギーを有し、これが急速にテーパー状に増加し、突然に終端する。光学系を＋Ｚ方向に又は液滴を−Ｚ方向に移動させる。

図８Ａ−図８Ｄを参照すると、液滴は、最適位置（例えば、所望の焦点）にある。その結果、図８Ｃ及び図８Ｄに示される出力ＥＵＶパルス３４は最適化され、図６Ｃ及び図６Ｄ又は図７Ｃ及び図７Ｄに示されるいずれのものと比較しても、パルス全体に渡りより均一なエネルギー（例えば、ピーク又は急傾斜が少ない）を有している。より均一なエネルギーは、下流側装置４２内においてより均一な結果をもたらす。

図１０は、開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ２６を含む統合システム１０００のブロック図である。統合システム１０００は、ＥＵＶチャンバ２６と、光パルス生成システム２２と、出力されたＥＵＶ光３４を用いる装置４２と、ＥＵＶチャンバ、光パルス生成システム、及び出力されたＥＵＶ光を用いる装置に結合された統合システムコントローラ１０１０とを含む。統合システムコントローラ１０１０は、ユーザインターフェース１０１４を含むか又はそれに結合される（例えば、有線又は無線ネットワーク１０１２を介して）。ユーザインターフェース１０１４は、ユーザ可読出力及び表示を与え、ユーザ入力を受け取り、統合システムコントローラ１０１０へのユーザアクセスを与えることができる。

統合システムコントローラ１０１０は、専用コンピュータ又は汎用コンピュータを含むことができる。統合システムコントローラ１０１０は、コンピュータプログラム１０１６を実行して、ＥＵＶチャンバ２６、光パルス生成システム２２及び装置４２に関するデータ１０１８（例えば、性能履歴、性能又は欠陥の分析、オペレータのログ及び履歴）を監視し、制御し、収集し、及び格納することができる。一例として、収集されたデータが動作の調整を指示する場合、統合システムコントローラ１０１０は、ＥＵＶチャンバ２６、光パルス生成システム２２及び／又は装置４２、及び／又はそれらの内部の構成要素（例えば、ターゲット材料ディスペンサ９２等）の動作を調整することができる。

１つの実施形態は、駆動レーザシステム、極紫外線チャンバ、駆動レーザ操作デバイス、検出システム、及びコントローラを含む極紫外線システムを提供する。極紫外線チャンバは、極紫外線集光器、及びターゲット材料経路に沿ってターゲット材料の多数の部分を供給することができるターゲット材料供給口を含むターゲット材料ディスペンサを含む。このターゲット材料供給口は調整可能である。検出システムは、ターゲット材料の部分のうちの第１の部分から反射された駆動レーザの反射光線を検出するように向けられた少なくとも１つの検出器を含む。コントローラは、ターゲット材料ディスペンサ、検出器システム、及び駆動レーザ操作デバイスに結合される。コントローラは、第１のターゲット材料から反射された第１の光からターゲット材料の部分のうちの第１の部分の位置を検出するための論理回路、及びターゲット材料の部分のうちの後続の部分を合焦駆動レーザ光線のウエスト部に供給するように、ターゲット材料ディスペンサ供給口を調整する論理回路を含む。

駆動レーザは、駆動レーザとターゲット材料の部分のうちの第１の部分との間の光路に位置合わせすることができる。検出システムは光路と直列にすることができ、ターゲット材料の部分のうちの第１の部分から反射される駆動レーザの反射光は、駆動レーザに向かう光路に沿って反射される。駆動レーザシステムは出力窓を含むことができ、検出システムは光路と直列にする必要はなく、ターゲット材料の部分のうちの第１の部分から反射される駆動レーザの反射光は、駆動レーザ出力窓に向かう光路に沿って反射されることができ、駆動レーザの反射光はさらに出力窓から検出システムに向かって反射される。

システムはまた、ターゲット材料の部分のうちの第２の部分を駆動レーザ光線で照射するための論理回路を含むことができる。駆動レーザ操作デバイスは、少なくとも１つの反射表面を含むことができる。駆動レーザ操作デバイスはさらに、少なくとも１つの反射表面に結合された少なくとも１つのアクチュエータを含むことができる。

第１のターゲット材料から反射される光を検出するように向けられた検出器は、近視野検出器及び／又は遠視野検出器を含むことができる。駆動レーザシステムは、ＣＯ２レーザとすることができる。駆動レーザシステムは、主発振器電力増幅器構成レーザを含むことができる。駆動レーザシステムは、多段増幅器を含むことができる。駆動レーザシステムは、ＺｎＳｅ又はダイヤモンドの出力窓又はいずれかの他の適切な出力窓を含むことができる。

合焦駆動レーザ光線のウエスト部は、Ｚ軸に沿った駆動レーザ光線の光路に対して垂直なＸＹ平面内にある。ターゲット材料の部分は、ターゲット材料経路に沿って供給され、ターゲット材料経路は、ＸＹ平面に対してある角度を形成することができる。

別の実施形態は、極紫外線を生成する方法を提供する。この方法は、ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分を駆動レーザ光線で照射し、ターゲット材料の第１の部分から反射された第１の光パルスを検出し、ターゲット材料の第１の部分の位置を決定し、ターゲット材料の部分のうちの第２の部分の位置を合焦駆動レーザ光線のウエスト部に対して調整し、ターゲット材料の部分のうちの第２の部分を駆動レーザ光線で照射するステップを含む。

ターゲット材料の第１の部分から反射される第１の光パルスを検出するステップは、駆動レーザの出力窓から反射される第１の光パルスを検出するステップを含むことができる。ターゲット材料の第１の部分から反射される第１の光パルスを検出するステップは、ターゲット材料の第１の部分の近視野プロファイルを決定するステップを含むことができる。ターゲット材料の第１の部分から反射される第１の光パルスを検出するステップは、ターゲット材料の第１の部分の遠視野プロファイルを決定するステップを含むことができる。合焦駆動レーザ光線のウエスト部を調整するステップは、駆動レーザの少なくとも１つの反射表面の位置を調整するステップを含む。

さらに別の実施形態は、極紫外線の出力を最適化する方法を提供する。本方法は、選択された時間間隔中に、ＥＵＶ出力パルスの第１の組の各々の量を決定するステップを含み、ＥＵＶ出力パルスの第１の組の各々に対して、ターゲット材料の部分のうちの第１の組の対応する部分を合焦駆動レーザ光線のウエスト部に配置し、合焦駆動レーザパルスをターゲット材料の部分のうちの第１の組の対応する部分に向け、対応するＥＵＶ出力パルスの量を測定し、測定された対応するＥＵＶ出力パルスの量を記録するステップを含む。ＥＵＶ出力パルスの第１の組の各々を分析し、最大ピークＥＵＶ量が第１の複数のＥＵＶ出力パルスの最初に発生したパルスにおいて生じたときは、ターゲット材料の位置を合焦レーザ光線のウエスト部に対して＋Ｚ方向に調整し、最大ピークＥＵＶ量が第１の複数のＥＵＶ出力パルスの最後に発生したパルスにおいて生じたときは、ターゲット材料位置を合焦レーザ光線のウエスト部に対して−Ｚ方向に調整する。本方法はまた、選択された時間間隔中に、第１の組のＥＵＶ出力パルスの積分を決定するステップを含むことができる。

上記の実施形態を念頭において、本発明は、コンピュータシステム内に格納されたデータが関与する、種々のコンピュータ実装された動作を利用することができることを理解されたい。これらの動作は、物理量の物理的操作を必要とする動作である。必ずしも必須ではないが、通常は、これらの量は、格納され、転送され、合成され、比較され、及びその他の操作をされることが可能な、電気的又は磁気的な信号の形態を取る。さらに、実行される操作はしばしば、生成、同定、決定、又は比較といった用語で言及される。

本発明の一部を形成する、ここで説明された動作はいずれも、有用な機械動作である。本発明はまた、これらの動作を実施するためのデバイス又は装置に関する。装置は、専用コンピュータのように、要求される目的のために特別に構築することができる。専用コンピュータとして定義された場合に、そのコンピュータは、特別の目的のための動作を行うことが可能ではあるが、特別の目的の一部ではないその他の処理、プログラム実行又はルーチンも実施することができる。あるいは、動作は、コンピュータ・メモリ、キャッシュ内に格納され又はネットワーク上で得られる、１つ又はそれ以上のコンピュータプログラムによって選択的に起動又は構成された、汎用コンピュータによって処理することができる。データがネットワーク上で得られる場合には、データは、例えばコンピュータ資源のクラウドなどの、ネットワーク上の他のコンピュータによって処理されることができる。

本発明の実施形態はまた、データを１つ状態から別の状態に変換するマシンとして定義することもできる。変換されたデータは、ストレージに保存され、その後、プロセッサで操作することができる。プロセッサは、このようにして、データを１つのものから他のものへと変換する。さらにまた、本方法は、ネットワーク上で接続することができる１つ又はそれ以上のマシン又はプロセッサによって処理することができる。各マシンは、データを１つの状態又はものから別の状態又はものへと変換することができ、さらに、データを処理し、データをストレージに保存し、データをネットワーク上で伝送し、結果を表示し、又は結果を別のマシンに伝達することができる。

本発明は、手持ち式デバイス、マイクロプロセッサ・システム、マイクロプロセッサ・ベースの又はプログラム可能な家電製品、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータなどを含む他のコンピュータシステム構成で実施することができる。本発明はまた、ネットワークを通じて連結された遠隔処理デバイスによって作業が実施される、分散型コンピュータ環境で実施することもできる。

本発明はまた、コンピュータ可読媒体上のコンピュータ可読コードとして具体化することもできる。コンピュータ可読媒体は、データを格納することができ、その後、コンピュータシステムによって読み取ることができる、いずれかのデータ・ストレージ・デバイスである。コンピュータ可読媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、読み出し専用メモリ、ランダム・アクセス・メモリ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、フラッシュ、磁気テープ、並びにその他の光学式及び非光学式データ・ストレージ・デバイスが挙げられる。コンピュータ可読媒体を、ネットワーク結合されたコンピュータシステム上に分散させ、コンピュータ可読コードが分散形式で格納され、実行されるようにすることもできる。

上記の図面内の動作によって表される命令は、必ずしも図示された順序で行われる必要はなく、該動作によって表されるすべての処理が、必ずしも本発明の実施にとって必須ではないことが、さらに認識されるであろう。

理解を明確にする目的で、上記の発明をある程度詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲内で特定の変更及び修正を行うことができることが明らかである。したがって、本実施形態は、例示であって限定ではないものと考えるべきであり、本発明はここで提示された詳細に限定されるものではなく、添付の請求項の範囲内及び均等の範囲内で改変することができる。

２０：光源
２１：ビーム経路
２２：光パルス生成システム
２３：光パルス、合焦駆動レーザ光線
２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ：第１の部分
２３Ａ’、２３Ｂ’、２３Ｃ’：第２の部分
２４：ターゲット材料供給システム
２５：ビーム移送システム
２６：ＥＵＶチャンバ
２８：照射領域
３０：集光ミラー
３１：第１の焦点
３２：開口部
３４：ＥＵＶ光
４０：中間焦点
４２：下流側装置
６０：ＥＵＶコントローラ
６２：ターゲット材料位置検出フィードバックシステム
６５：発火制御システム
７０：ターゲット材料イメージャ
９０：ターゲット材料制御システム
９２：ターゲット材料ディスペンサ
９４：リザーバ
９６、２０９：ターゲット材料
９８：オリフィス
１００：連続流れ
１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃ：液滴
１０４：電気作動可能素子
１０６：信号生成器
２３０：ＥＵＶ光放射
２３１：フラグメント
３２０：ウエスト部
３２４Ａ、３２４Ｂ：プラズマ
３９４：ターゲット材料経路
４０２：駆動レーザ合焦システム
４０４：出力窓
４０５Ａ、４０５Ｂ、４０５Ｃ：レーザビームパルス
４１２：ビームリバーサ
４１４、４１６、４１８：レーザ発振及び増幅チャンバ
４１５：レーザ
４２０：ビーム拡大器
４２２、４６４Ｂ、４５２、４５４：反射表面
４５２：軸外放物面鏡
４５６:アクチュエータ
４５８Ａ、４５８Ｂ、４５８Ｃ、４５８Ｄ：方向
４６０：検出器システム
４６４：遠視野検出器
４６６：近視野検出器
４８０Ａ、４８０Ｂ：遠視野プロファイル画像
４８２：共通ステージ
４８３、４８５：検出器
４８４：フィルタ
１０００：統合システム
１０１０：統合システムコントローラ
１０１２：ネットワーク
１０１４：ユーザインターフェース
１０１６：コンピュータプログラム
１０１８：データ

Claims (23)

1. 極紫外線システムであって、
   駆動レーザシステムと
   極紫外線集光器、及び、ターゲット材料経路に沿ってターゲット材料の複数の部分を供給することができ、調整可能なターゲット材料供給口を含むターゲット材料ディスペンサを含む極紫外線チャンバと、
   駆動レーザ操作デバイスと、
   検出システムであって、当該検出システムに含まれる少なくもと１つの検出器が、前記駆動レーザシステムの出力窓に向けられて、前記ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分から反射され、駆動レーザ合焦システムを通り、そして前記駆動レーザシステムの出力窓によって反射された駆動レーザを検出するようにされている検出システムと、
   前記ターゲット材料ディスペンサ、前記検出システム、及び前記駆動レーザ操作デバイスのうちの少なくとも１つに結合されたコントローラと、
   を含み、
   前記コントローラは、コンピュータ読取可能な媒体に記録されたコンピュータプログラムに基づいて、前記ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分の位置を決定するとともに、合焦された前記駆動レーザ光線のウエスト部の位置に対するターゲット材料の複数の部分のうちの第２の部分の位置を調整する、
   ことを特徴とするシステム。
2. 前記コントローラは、前記コンピュータプログラムに基づいて、
   ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分から反射された第１の光から、前記ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分の位置を検出し、
   前記ターゲット材料の複数の部分のうちの後続の部分を前記合焦駆動レーザ光線のウエスト部に供給するように、前記ターゲット材料ディスペンサの供給口を調整する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
3. 前記コントローラは、
   ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分から反射された第１の光から、前記ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分の位置を検出し、
   前記合焦駆動レーザ光線のウエスト部の位置を並進させる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
4. 前記駆動レーザは、該駆動レーザと、前記ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分との間の光路に位置合わせされていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
5. 前記検出システムは前記光路と直列であり、前記ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分から反射される前記駆動レーザの反射光は、前記光路に沿って前記駆動レーザに向かって反射されることを特徴とする請求項４に記載のシステム。
6. 前記検出システムは前記光路と直列ではなく、前記ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分から反射される前記駆動レーザの反射光は、前記光路に沿って前記駆動レーザ出力窓に向かって反射され、さらに前記駆動レーザの反射光は前記出力窓から前記検出システムに向かって反射されることを特徴とする請求項４に記載のシステム。
7. 前記コントローラは、コンピュータプログラムに基づいて、前記ターゲット材料の複数の部分のうちの第２の部分を前記駆動レーザ光線で照射させることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
8. 前記駆動レーザ操作デバイスは少なくとも１つの反射表面を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
9. 前記駆動レーザ操作デバイスは、前記少なくとも１つの反射表面に結合された少なくとも１つのアクチュエータをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のシステム。
10. 前記第１のターゲット材料から反射される光を検出するように向けられる前記検出器は、近視野検出器を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
11. 前記第１のターゲット材料から反射される光を検出するように向けられる前記検出器は、遠視野検出器を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
12. 前記駆動レーザシステムはＣＯ２レーザを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
13. 前記駆動レーザシステムは主発振器電力増幅器構成レーザを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
14. 前記駆動レーザシステムは多段増幅器を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
15. 前記駆動レーザシステムはＺｎＳｅ出力窓を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
16. 前記駆動レーザシステムはダイヤモンド出力窓を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
17. 前記合焦駆動レーザ光線の前記ウエスト部は、Ｚ軸に沿った前記駆動レーザ光線の光路に対して垂直なＸＹ平面内にあることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
18. 前記ターゲット材料の複数の部分はターゲット材料経路に沿って供給され、前記ターゲット材料経路は前記ＸＹ平面に対してある角度を形成することを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
19. 極紫外線を生成する方法であって、
    ターゲット材料の複数の部分のうちの第１の部分を駆動レーザで照射するステップと、
    前記ターゲット材料の複数の部分のうちの前記第１の部分から反射され、駆動レーザ合焦システムを通りって前記駆動レーザの出力窓に向かい、そして前記駆動レーザの出力窓によって反射された第１の光パルスを検出するステップと、
    前記ターゲット材料の複数の部分のうちの前記第１の部分の位置を決定するステップと、
    前記ターゲット材料の前記複数の部分のうちの第２の部分の位置を合焦駆動レーザのウエスト部に調整するステップと、
    前記ターゲット材料の前記複数の部分のうちの前記第２の部分を前記駆動レーザで照射するステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
20. 前記ターゲット材料の複数の部分のうちの前記第１の部分から反射される前記第１の光パルスを検出するステップは、前記ターゲット材料の複数の部分のうちの前記第１の部分の近視野プロファイルを決定するステップを含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
21. 前記ターゲット材料の複数の部分のうちの前記第１の部分から反射される前記第１の光パルスを検出するステップは、前記ターゲット材料の複数の部分のうちの前記第１の部分の遠視野プロファイルを決定するステップを含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
22. 前記ターゲット材料の前記複数の部分のうちの第２の部分の位置を合焦駆動レーザ光線のウエスト部に調整するステップは、前記駆動レーザの少なくとも１つの反射表面の位置調整を含む前記合焦駆動レーザ光線の前記ウエスト部を並進させるステップを含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
23. 前記駆動レーザはＣＯ２レーザを含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。

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