WO2017042881A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

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WO2017042881A1
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target
imaging
imaging device
actuator
euv light
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裕計 細田
鈴木　徹
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ギガフォトン株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources

Definitions

  • the present disclosure relates to an extreme ultraviolet light generator.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • An extreme ultraviolet light generation device includes a chamber having a window for incidence of pulsed laser light, and a target supply unit that outputs at least one target toward a predetermined region inside the chamber.
  • a target imaging device for imaging at least one target, a first actuator for changing an imaging position by the target imaging device, and a control unit for controlling the first actuator based on an external signal may be provided. .
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP-type EUV light generation system.
  • FIG. 2 schematically illustrates the configuration of an EUV light generation system according to a comparative example of the present disclosure.
  • FIG. 3 shows a control system when the plasma generation region is changed in the comparative example.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the problem in the comparative example.
  • FIG. 5 shows a control system in the EUV light generation system according to the first embodiment of the present disclosure.
  • 6A and 6B illustrate a target imaging device, an illumination device, and a target supply unit included in the EUV light generation device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP-type EUV light generation system.
  • FIG. 2 schematically illustrates the configuration of an EUV light generation system according to a comparative example of the present disclosure.
  • FIG. 3 shows a control system when the plasma generation region is changed in the comparative example.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the problem in
  • FIG. 7 is a diagram for explaining an example of a method of calculating the movement distance of the imaging position of the target.
  • FIG. 8 shows a control system in an EUV light generation system according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 illustrates a target imaging device, an illumination device, a target position sensor, an illumination device, and a target supply unit included in an EUV light generation system according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 10 shows a target position sensor, an illumination device, and a target supply unit included in an EUV light generation system according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 shows a control system in an EUV light generation system according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 illustrates a target imaging device, an illumination device, a target position sensor, an illumination device, and a target supply unit included in an EUV light generation system according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 shows a control system in an EUV light generation system according to a third embodiment of
  • FIG. 12 illustrates a target imaging device, an illumination device, a target position sensor, an illumination device, a target timing sensor, an illumination device, and a target supply unit included in an EUV light generation system according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 illustrates a target imaging device, an illumination device, a target position sensor, an illumination device, a target timing sensor, an illumination device, and a target supply unit included in an EUV light generation system according to a fourth embodiment of the present disclosure.
  • 14A and 14B show a target imaging device included in an EUV light generation system according to a fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIGS. 15A and 15B show a target imaging device included in an EUV light generation system according to a sixth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 16 shows a target imaging device included in an EUV light generation system according to a seventh embodiment of the present disclosure.
  • ⁇ Content> 1. General Description of Extreme Ultraviolet Light Generation System 1.1 Configuration 1.2 Operation 2. Explanation of terms 3. EUV light generation apparatus according to a comparative example 3.1 Configuration 3.1.1 Target supply section 3.1.2 Target position sensor 3.1.3 Target timing sensor 3.1.4 Target imaging apparatus 3.1.5 Laser Light traveling direction control unit, etc. 3.2 Operation 3.2.1 Output of target 3.2.2 Detection of target passage timing 3.2.3 Calculation of target position information 3.2.4 Imaging of target 3.2. 5 Generation of plasma 3.2.6 Movement of plasma generation region 3.3 Problem 4. Target imaging apparatus capable of changing imaging position 4.1 Configuration and operation 4.2 Calculation method of movement distance 4.3 Effect 5. Control based on output of target position sensor Control based on outputs of target position sensor and target timing sensor Target position sensor using pulsed illumination 8. Target imaging device including high speed shutter 9. 10. Target imaging device including an image transmission fiber. Simultaneous shooting of multiple targets
  • FIG. 1 schematically illustrates the configuration of an exemplary LPP-type EUV light generation system.
  • the EUV light generation device 1 may be used with at least one laser device 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation system 1 may include a chamber 2 and a target supply unit 26. Chamber 2 may be sealable.
  • the target supply unit 26 may be attached, for example, to penetrate the wall of the chamber 2.
  • the material of the target material supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may be transmitted through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed inside the chamber 2, for example.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately stacked may be formed on the surface of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV collector mirror 23 is preferably arranged, for example, such that its first focal point is located at the plasma generation region 25 and its second focal point is located at the intermediate focusing point (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided in the central portion of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may further include an EUV light generation controller 5 and a target sensor 4.
  • the target sensor 4 may have an imaging function, and may be configured to detect the presence, trajectory, position, velocity and the like of the target 27.
  • the EUV light generation system 1 may include a connection portion 29 that brings the inside of the chamber 2 into communication with the inside of the exposure device 6. Inside the connection portion 29, a wall 291 in which an aperture is formed may be provided. The wall 291 may be arranged such that its aperture is at a second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like.
  • the laser light traveling direction control unit 34 may include an optical system for defining the traveling direction of the pulse laser light, and an actuator for adjusting the arrangement, attitude, and the like of the optical system.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 passes through the laser beam traveling direction control unit 34, passes through the window 21 as the pulsed laser beam 32, and enters the chamber 2.
  • You may The pulsed laser beam 32 may travel along the at least one laser beam path into the chamber 2, be reflected by the laser beam focusing mirror 22, and be irradiated on the target 27 as the pulsed laser beam 33.
  • the target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 in the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulsed laser light 33.
  • the target 27 irradiated with the pulsed laser light 33 may be plasmatized, and radiation 251 may be emitted from the plasma.
  • the EUV collector mirror 23 may reflect the EUV light contained in the radiation 251 at a higher reflectance than light in other wavelength ranges.
  • the reflected light 252 including the EUV light reflected by the EUV collector mirror 23 may be collected at the intermediate focus point 292 and output to the exposure apparatus 6.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data or the like of the target 27 captured by the target sensor 4. Furthermore, the EUV light generation controller 5 may be configured to control, for example, the timing at which the target 27 is output, the output direction of the target 27, and the like. Furthermore, the EUV light generation controller 5 may be configured to control, for example, the oscillation timing of the laser device 3, the traveling direction of the pulse laser beam 32, the focusing position of the pulse laser beam 33, and the like.
  • the various controls described above are merely exemplary, and other controls may be added as needed.
  • the “track” of the target is the ideal path of the target output from the target supply unit, or the path of the target according to the design of the target supply unit.
  • the “locus” of the target is the actual path of the target output from the target supply unit.
  • the “plasma generation region” is a region where generation of plasma is started by irradiating the target with pulsed laser light.
  • the plasma generation region may correspond to the predetermined region in the present disclosure.
  • FIG. 2 schematically illustrates the configuration of an EUV light generation system according to a comparative example of the present disclosure.
  • the output direction of the EUV light may be the Z direction.
  • the direction opposite to the output direction of the target may be the Y direction.
  • a direction perpendicular to both the Z direction and the Y direction may be taken as the X direction.
  • the target supply unit 26, the target position sensor 40, the illumination device 41, the target timing sensor 50, the illumination device 51, the target imaging device 60, and the illumination device 61 are attached to the chamber 2a. Good.
  • the target supply unit 26 may be disposed to penetrate the through hole 2 b formed in the wall surface of the chamber 2 a.
  • the target supply unit 26 may be attached to the chamber 2 a via the target supply actuator 261.
  • the target supply unit actuator 261 may be a biaxial stage that moves the position of the target supply unit 26 with respect to the chamber 2a in the Z-axis direction and the X-axis direction.
  • the target supply actuator 261 may correspond to a second actuator in the present disclosure.
  • Sealing means (not shown) is disposed between the wall surface of the chamber 2a around the through hole 2b and the target supply unit 26, and the space between the wall surface of the chamber 2a around the through hole 2b and the target supply unit 26 is sealed It may be done.
  • the sealing means may, for example, be a bellows tube.
  • the target supply unit 26 may store the melted target material inside.
  • the material of the target may be pressurized by the inert gas supplied to the inside of the target supply unit 26.
  • the target supply unit 26 may have an opening (not shown) located inside the chamber 2a.
  • An excitation device (not shown) may be disposed near the opening of the target supply unit 26.
  • the target position sensor 40 and the illumination device 41 may be directed to the plasma generation region 25 respectively.
  • the target position sensor 40 may include an image sensor 40a, an imaging optical system 40b, and an optical filter 40c.
  • the target position sensor 40 may further include an image transfer optical system (not shown), a high speed shutter (not shown), and an image data processing unit (not shown).
  • the target position sensor 40 may be housed in the housing 40d, and the window 40e may be disposed in the housing 40d.
  • the illumination device 41 may include a light source 41a and an illumination optical system 41b.
  • the lighting device 41 may be accommodated in the housing 41d, and the window 41e may be disposed in the housing 41d.
  • the light source 41a may be a CW (continuous wave) laser light source.
  • the target timing sensor 50 and the lighting device 51 may be disposed on substantially opposite sides of the trajectory of the target 27.
  • the target timing sensor 50 may include an optical sensor 50a, a light receiving optical system 50b, and an optical filter 50c.
  • the target timing sensor 50 may be housed in the housing 50d, and the window 50e may be disposed in the housing 50d.
  • the illumination device 51 may include a light source 51a, a transmission optical system 51f, an isolator 51g, an illumination optical system 51b, and an optical filter 51h.
  • the lighting device 51 may be housed in the housing 51d, and the window 51e may be disposed in the housing 51d.
  • the light source 51a may be a CW laser light source.
  • the target imaging device 60 and the illumination device 61 may be disposed substantially opposite to each other with the plasma generation region 25 interposed therebetween.
  • the target imaging device 60 may include an image sensor 60a, an imaging optical system 60b, and an optical filter 60c.
  • the target imaging device 60 may further include an image transfer optical system (not shown), a high speed shutter (not shown), and an image data processing unit (not shown).
  • the target imaging device 60 may be housed in the housing 60d, and the window 60e may be disposed in the housing 60d.
  • the illumination device 61 may include a light source 61a and an illumination optical system 61b.
  • the lighting device 61 may be accommodated in the housing 61d, and the window 61e may be disposed in the housing 61d.
  • the light source 61a may be a pulse laser light source.
  • the laser beam direction control section 34 a disposed outside the chamber 2 a may include high reflection mirrors 341 and 342.
  • the high reflection mirror 341 may be supported by the holder 343.
  • the high reflection mirror 342 may be supported by the holder 344.
  • a laser beam focusing optical system 22a Inside the chamber 2, a laser beam focusing optical system 22a, an EUV focusing mirror holder 81, a plate 82 and a plate 83, and a laser beam focusing optical system actuator 84 may be provided.
  • the plate 82 may be fixed to the chamber 2.
  • the plate 83 may be supported by the plate 82 via the laser beam focusing optical system actuator 84.
  • the laser beam focusing optical system 22 a may include an off-axis parabolic convex mirror 221 and an elliptical concave mirror 222.
  • the off-axis parabolic convex mirror 221 may be supported by the holder 223.
  • Ellipsoidal concave mirror 222 may be supported by holder 224.
  • the holders 223 and 224 may be fixed to the plate 83.
  • the laser beam focusing optics actuator 84 may be capable of changing the position of the plate 83 relative to the plate 82 in accordance with the control signal output from the EUV light generation controller 5.
  • the off-axis paraboloidal convex mirror 221 may be a mirror whose reflection surface is the convex surface of the paraboloid of revolution.
  • the off-axis paraboloidal convex mirror 221 may be arranged such that the axis of the paraboloid of revolution is substantially parallel to the optical axis of the pulse laser beam 32.
  • the ellipsoidal concave mirror 222 may be a mirror having the concave surface of the spheroid as a reflection surface. Ellipsoidal concave mirror 222 may have a first focus and a second focus. The ellipsoidal concave mirror 222 may be arranged such that the focal point of the off-axis parabolic convex mirror 221 and the first focal point of the elliptic concave mirror 222 substantially coincide with each other. The second focal point of the ellipsoidal concave mirror 222 may be located in the plasma generation region 25.
  • the EUV collector mirror 23 may be fixed to the plate 82 via the EUV collector mirror holder 81.
  • the material of the target pressurized by the inert gas may be output through the opening.
  • the material of the target may be separated into a plurality of droplets. Each droplet may move as a target 27 along the trajectory from the target supply unit 26 to the plasma generation region 25.
  • the pressure of the inert gas supplied into the target supply unit 26 may be controlled by a control signal from the EUV light generation controller 5. By controlling the pressure of the inert gas, the moving speed of the target 27 may be adjusted.
  • the lighting device 51 may output CW laser light toward the trajectory of the target 27 and the periphery thereof.
  • a part of this light is blocked by the target 27, and the intensity of the light reaching the target timing sensor 50 temporarily becomes low. May be
  • the target timing sensor 50 may detect the change in the light intensity and output a target passage timing signal to the EUV light generation controller 5.
  • the EUV light generation controller 5 may output a target passage timing signal to the laser device 3.
  • the laser device 3 may output a pulse laser beam by performing laser oscillation at a timing when a predetermined delay time has elapsed from when the target passage timing signal is received.
  • the predetermined delay time may be set such that the pulsed laser light is focused on the plasma generation region 25 at the timing when the target 27 reaches the plasma generation region 25.
  • the illumination device 41 may output CW laser light toward the plasma generation region 25 and the periphery thereof. When one target 27 reaches the light path of the light output from the lighting device 41, this light may illuminate the target 27.
  • the image of the target 27 may be formed on the photosensitive surface of the image sensor 40 a included in the target position sensor 40.
  • the image sensor 40 a may output image data of the target 27.
  • the target position sensor 40 may calculate position information of the target 27 from the image data described above by an image data processing unit (not shown).
  • an image data processing unit not shown.
  • position information of the target 27 in the Z direction may be calculated.
  • the target position sensors 40 and 42 may each include a high speed shutter (not shown). These high-speed shutters may be controlled by the EUV light generation controller 5 so as to open and close with a predetermined delay time with respect to the target passage timing signal output from the target timing sensor 50.
  • position information of the target 27 in the X direction, Y direction, and Z direction can be calculated.
  • the predetermined delay time for opening and closing the high-speed shutter may be shorter than the predetermined delay time for the laser device 3 to output the pulse laser beam. Thereby, the target 27 may be photographed before the laser device 3 outputs the pulse laser beam.
  • At least one of the target position sensors 40 and 42 may transmit the target position information to the EUV light generation controller 5.
  • the EUV light generation controller 5 may control the target supply actuator 261 so as to compensate for the difference between the target position information and the target position set in advance and the target position. .
  • the position of the trajectory of the target in the X direction or Z direction may be adjusted by controlling the target supply unit actuator 261 to move the target supply unit 26 in the X direction or Z direction.
  • the EUV light generation controller 5 controls the laser so that the target 27 is irradiated with pulsed laser light in the plasma generation region 25.
  • the device 3 may be controlled. That is, the EUV light generation controller 5 may adjust the laser irradiation position in the Y direction by adjusting the predetermined delay time set in the laser device 3.
  • the EUV light generation controller 5 may control the laser light focusing optical system actuator 84 so that the target 27 is irradiated with the pulsed laser light in the plasma generation region 25.
  • the illumination device 61 may output pulsed laser light toward the plasma generation region 25 and the periphery thereof.
  • the pulsed laser light by the illumination device 61 may be controlled by the EUV light generation controller 5 so as to be output with a predetermined delay time with respect to the target passage timing signal output from the target timing sensor 50.
  • the pulsed laser light may illuminate the target 27.
  • an image of the shadow of the target 27 may be formed on the photosensitive surface of the image sensor 60 a included in the target imaging device 60.
  • the image sensor 60 a may output image data of the shadow of the target 27.
  • the target imaging device 60 may calculate the position, size, moving direction, moving speed and the like of the target from the above-mentioned image data by an image data processing unit (not shown).
  • the target imaging device 60 may transmit data such as the position, size, moving direction, moving speed, etc. of the target to the EUV light generation controller 5.
  • the EUV light generation controller 5 may control the laser device 3 and the target supply unit 26 based on data such as the position, size, moving direction, moving speed, etc. of the target. For example, when the laser device 3 outputs the prepulse laser beam and the main pulse laser beam, the delay time of the main pulse laser beam with respect to the prepulse laser beam may be adjusted.
  • the prepulse laser light may diffuse the droplet-like target 27.
  • the main pulse laser light may be irradiated to the diffused target to generate plasma.
  • the target imaging device 60 may image a diffusion target which is one form of the target 27 or plasma.
  • the EUV light generation controller 5 determines the delay time of each of the pre-pulse laser beam and the main pulse laser beam, the target supply unit 26, and the laser beam collection based on data such as the position, size, diffusion direction and diffusion speed of the diffusion target and plasma.
  • the optical optical system actuator 84 or the like may be controlled. Further, the EUV light generation controller 5 controls the pressure of the inert gas supplied to the inside of the target supply unit 26 so that the moving speed of the target 27 approaches the target value based on the data of the moving speed of the target. You may
  • the pulse laser beam 31 output from the laser device 3 is reflected by the high reflection mirrors 341 and 342 included in the laser beam direction control unit 34a, and is collected as the pulse laser beam 32. It may be led to the optical system 22a.
  • the pulsed laser beam 32 is expanded by being reflected by the off-axis parabolic convex mirror 221 included in the laser beam focusing optical system 22 a, and then reflected by the elliptical concave mirror 222, and then it is converted to a pulsed laser beam 33. It may be condensed on the plasma generation region 25.
  • the pulsed laser light 33 may be irradiated to one target 27 in the plasma generation region 25 or in the vicinity thereof. By irradiating the target 27 with the pulsed laser light 33, the target 27 may be plasmatized to generate EUV light.
  • FIG. 3 shows a control system when the plasma generation region is changed in the comparative example.
  • the EUV light generation controller 5 may receive a command signal for moving the plasma generation region 25 from the exposure device 6.
  • the command signal for moving the plasma generation region 25 may include information indicating how much the plasma generation region 25 is to be moved in the X direction, the Y direction, and the Z direction.
  • the command signal for moving the plasma generation region 25 may include information indicating to which coordinate position the plasma generation region 25 is to be moved.
  • the plasma generation region 25 is described as being moved to coordinates (X1, Y1, Z1).
  • the EUV light generation controller 5 may change the target position and the laser light collection position as follows.
  • the EUV light generation controller 5 may control the laser device 3 in order to change the Y direction position of the target 27 at a predetermined timing to the coordinate Y1. That is, the EUV light generation controller 5 may adjust the predetermined delay time for the laser device 3 to output the pulse laser beam by transmitting an oscillation timing change command to the laser device 3.
  • the EUV light generation controller 5 may control the target supply actuator 261 in order to change the position of the target in the X and Z directions to coordinates (X1, Z1). That is, the EUV light generation controller 5 may move the target supply unit 26 by transmitting a target supply position change command to the target supply unit actuator 261.
  • the EUV light generation controller 5 may control the laser beam focusing optical system actuator 84 in order to change the laser beam focusing position to coordinates (X1, Y1, Z1). That is, the EUV light generation controller 5 may adjust the position of the plate 83 relative to the plate 82 by transmitting a laser beam focusing position change command to the laser beam focusing optical system actuator 84.
  • the positions of the off-axis parabolic convex mirror 221 and the elliptical concave mirror 222 may be changed.
  • the focusing position of the pulse laser beam 33 reflected by the off-axis parabolic convex mirror 221 and the elliptical concave mirror 222 may be changed.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the problem in the comparative example.
  • FIG. 4 shows the target imaging device 60 and the illumination device 61 shown in FIG.
  • the subject may be imaged by forming an image of the subject at a predetermined imaging position on the image sensor 60a.
  • the predetermined imaging position may be located at a predetermined distance from the imaging optical system 60b.
  • the imaging position which can be clearly imaged by the target imaging device 60 has a certain width, and is shown as “a range to be in focus” in FIG.
  • the imaging optical system 60b in order to obtain high spatial resolution, it is desirable that the imaging optical system 60b have a large numerical aperture (NA). However, if the numerical aperture is increased, the range in which focusing is possible may be narrowed. In particular, the depth of field along the imaging direction of the target imaging device 60 may be small.
  • NA numerical aperture
  • the plasma generation region 25 may move in accordance with a command from the exposure device 6. As shown in FIG. 4, the in-focus range may be narrower than the range in which the plasma generation region 25 can move. If the plasma generation region 25 moves out of the range in which the subject is in focus, it may be difficult for the target imaging device 60 to clearly capture the target.
  • the control of the above-described laser device 3 and the target supply unit 26 may become unstable, and the generation of EUV light may become unstable.
  • the target 27 can be clearly imaged and the generation of EUV light can be stabilized.
  • FIG. 5 shows a control system in the EUV light generation system according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the imaging position of the target may be changed.
  • FIG. 6A and 6B show a target imaging device 60, an illumination device 61, and a target supply unit 26 included in the EUV light generation system according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the target imaging device 60 in the first embodiment may further include a plate 60i and a target imaging device actuator 60j.
  • the other points may have the same configuration as that described with reference to FIG.
  • the plate 60i and the target imaging device actuator 60j may be disposed inside the housing 60d.
  • the plate 60i may hold the image sensor 60a and the imaging optical system 60b.
  • the target imaging device actuator 60j may be capable of moving the plate 60i, the image sensor 60a, and the imaging optical system 60b relative to the housing 60d.
  • the target imaging device actuator 60j moves the plate 60i along the imaging direction of the target imaging device 60, the range in focus may be moved.
  • the movement distance of the range in which the subject is in focus may be substantially equal to the movement distance of the plate 60i.
  • the target imaging device actuator 60 j may correspond to the first actuator in the present disclosure.
  • the EUV light generation controller 5 when the EUV light generation controller 5 receives a command signal for moving the plasma generation region 25 from the exposure device 6, the EUV light generation controller 5 changes the target imaging device actuator 60 j to change the imaging position of the target. You may control. That is, the EUV light generation controller 5 transmits an imaging position change command of the target to the target imaging device actuator 60j so that the coordinates (X1, Y1, Z1) of the plasma generation region 25 are included in the range in focus. May be The movement distance of the imaging position of the target may be calculated based on the command for moving the plasma generation region 25 received from the exposure device 6.
  • the EUV light generation controller 5 may move the target supply unit 26 based on the command signal for moving the plasma generation region 25 received from the exposure apparatus 6, or the laser light focusing optical system 22a is moved.
  • the focusing point of the pulse laser beam 33 may be moved by moving the light source.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining an example of a method of calculating the movement distance of the imaging position of the target.
  • the plasma generation region 25 before the change may be assumed to be an intersection of the XYZ axes.
  • the imaging direction of the target imaging device 60 may be assumed to have an inclination of an angle ⁇ with respect to the Z axis.
  • the projection image has an inclination of - ⁇ with respect to the X axis.
  • the moving distance L of may be calculated as follows.
  • the target imaging device 60 by changing the imaging position of the target imaging device 60, the target imaging device 60 clearly captures the target 27 that reaches the plasma generation region 25 and the vicinity thereof. Can. In addition, even if the plasma generation region 25 moves, the magnification of the captured image can be kept substantially constant. Furthermore, faster control can be performed than when auto-focusing is performed based on an image captured by the target imaging device 60.
  • FIG. 8 shows a control system in an EUV light generation system according to a second embodiment of the present disclosure.
  • the imaging position of the target may be changed based on target position information output by the target position sensor.
  • FIG. 9 shows a target imaging device 60, an illumination device 61, a target position sensor 40, an illumination device 41, and a target supply unit 26 included in an EUV light generation system according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 shows the appearance of these configurations along the X axis.
  • FIG. 10 shows a target position sensor 42, an illumination device 43, and a target supply unit 26 included in an EUV light generation system according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 10 shows a view of these configurations along the Z-axis, including the configuration of portions not shown in FIG.
  • the target position sensor 40 shown in FIG. 9 may be capable of calculating position information of the target 27 in the X direction.
  • the target position sensor 42 shown in FIG. 10 may be able to calculate position information of the target 27 in the Z direction.
  • the imaging position change command output from the EUV light generation controller 5 to the target imaging device actuator 60 j is the position in the X direction and the position in the Z direction of the target 27 received from the target position sensors 40 and 42 ( It may be generated based on X, Z). That is, the position in the X direction and the position in the Z direction (X1, Z1) included in the movement command of the plasma generation region 25 received from the exposure device 6 may not be used for control of the target imaging device actuator 60j. Regarding the position in the Y direction, the position in the Y direction (Y1) included in the movement command of the plasma generation region 25 received from the exposure apparatus 6 may be used.
  • the movement command of the plasma generation area 25 received from the exposure device 6 is included with respect to either the position in the X direction or the position in the Z direction. Information may be used. The other points may be the same as in the first embodiment.
  • the target 27 can be clearly imaged by moving the imaging position of the target imaging device 60.
  • the target supply unit actuator 261 and the laser device 3 can be controlled such that the position of the target 27 approaches the target position as described above. Therefore, the position of the target 27 is expected to gradually approach the plasma generation region 25.
  • FIG. 11 shows a control system in an EUV light generation system according to a third embodiment of the present disclosure.
  • the target position sensors 40 and 42 are controlled using the target passage timing signal output by the target timing sensor 50, and position information (Y) in the Y direction of the target can be detected. It is also good. Then, the imaging position of the target may be changed based on position information (Y) of the target in the Y direction.
  • FIG. 12 shows a target imaging device 60, an illumination device 61, a target position sensor 40, an illumination device 41, a target timing sensor 50, an illumination device 51, and a target supply included in an EUV light generation system according to a third embodiment of the present disclosure. Section 26 is shown. FIG. 12 shows the appearance of these configurations along the X axis.
  • position information in the X direction output from the target position sensor 42 may also be used.
  • the target position sensor 40 may include a high speed shutter 40k.
  • the high-speed shutter 40 k may be controlled by the EUV light generation controller 5 to open and close the target passage timing signal output from the target timing sensor 50 with a predetermined delay time.
  • the target position sensor 42 may also include a high speed shutter.
  • the EUV light generation controller 5 may calculate the position information of the target 27 in the X direction, Y direction, and Z direction by combining the target position information output from the target position sensors 40 and 42 as described above. .
  • the imaging position change command output by the EUV light generation controller 5 to the target imaging device actuator 60j is based on the information output from the target position sensors 40 and 42 in the X direction and Y direction of the target 27.
  • Z-direction position information (X, Y, Z) may be generated. That is, the positions (X1, Y1, Z1) in the X, Y, and Z directions included in the movement command of the plasma generation region 25 received from the exposure device 6 are not used for control of the target imaging device actuator 60j. It is also good.
  • the other points may be similar to those of the second embodiment.
  • FIG. 13 shows a target imaging device 60, an illumination device 61, a target position sensor 40, an illumination device 41, and a target included in an EUV light generation system according to a fourth embodiment of the present disclosure.
  • the timing sensor 50, the illuminating device 51, and the target supply part 26 are shown.
  • FIG. 13 shows the appearance of these configurations along the X axis.
  • position information in the X direction output from the target position sensor 42 may also be used.
  • the target position sensor 40 may not include the high speed shutter 40k (FIG. 12).
  • the lighting device 41 may include a pulse laser or a flash lamp 41m as a light source.
  • the pulsed laser or flash lamp 41 m may be controlled by the EUV light generation controller 5 to pulse or emit light with a predetermined delay time with respect to the target passage timing signal output from the target timing sensor 50.
  • the target position sensor 42 and the illumination device 43 may be similar.
  • the EUV light generation controller 5 may calculate the position information of the target 27 in the X direction, Y direction, and Z direction by combining the target position information output from the target position sensors 40 and 42 as described above. .
  • the other points may be the same as in the third embodiment.
  • FIGS. 14A and 14B show a target imaging device 60 included in an EUV light generation system according to a fifth embodiment of the present disclosure.
  • the target imaging device 60 may include a high-speed shutter 60n and an image transfer optical system 60o. These may be held by the plate 60i.
  • the high speed shutter 60n may be disposed between the imaging optical system 60b and the image sensor 60a.
  • the high speed shutter 60 n may be disposed at an imaging position by the imaging optical system 60 b.
  • the image transfer optical system 60o may be disposed between the high speed shutter 60n and the image sensor 60a.
  • the image transfer optical system 60o may be arranged to further transfer the image formed at the position of the high speed shutter 60n to the light receiving surface of the image sensor 60a.
  • the high speed shutter 60 n may be controlled to open and close by the EUV light generation controller 5.
  • the image at the imaging position may be formed on the image sensor 60a only when the high speed shutter 60n is opened.
  • By moving the plate 60i by the target imaging device actuator 60j, the image sensor 60a, the imaging optical system 60b, the high-speed shutter 60n, and the image transfer optical system 60o may be integrally moved.
  • the other points may be the same as in the first to fourth embodiments.
  • FIGS. 15A and 15B show a target imaging device 60 included in an EUV light generation system according to a sixth embodiment of the present disclosure.
  • the target imaging device 60 may include an image transmission fiber 60p.
  • the image transmission fiber 60p may be a bundle fiber in which a large number of optical fibers are bundled.
  • the image transmission fiber 60p may have a fixed arrangement of optical fibers so that the image formed at one end can be transmitted to the other end.
  • One end of the image transmission fiber 60p may be fixed to the plate 60i at an imaging position by the imaging optical system 60b.
  • the other end of the image transmission fiber 60p may be fixed at a predetermined position different from the plate 60i.
  • the image sensor 60a may not be held by the plate 60i.
  • the image transfer optical system 60q, the high-speed shutter 60r, and the image transfer optical system 60s may be disposed in this order between the other end of the image transmission fiber 60p and the image sensor 60a.
  • the image at the imaging position transmitted to the other end of the image transmission fiber 60p may be re-transferred to the position of the high speed shutter 60r by the image transfer optical system 60q.
  • the image transfer optical system 60s may be arranged to further transfer the image formed at the position of the high speed shutter 60r to the light receiving surface of the image sensor 60a.
  • the high speed shutter 60 r may be controlled to open and close by the EUV light generation controller 5.
  • the image at the imaging position may be formed on the image sensor 60a only when the high-speed shutter 60r is opened.
  • the imaging optical system 60b and a part of the image transmission fiber 60p including the one end may be moved integrally.
  • the mass of the movable portion can be reduced, and the imaging position can be moved smoothly. Also, it is possible to move the imaging position precisely. Furthermore, restrictions on the installation location of the high-speed shutter 60r and the image sensor 60a can be alleviated, and the degree of freedom in design can be increased.
  • the other points may be the same as in the first to fifth embodiments.
  • FIG. 16 shows a target imaging device 60 included in an EUV light generation system according to a seventh embodiment of the present disclosure.
  • the target 27 when the target 27 is irradiated with the pulsed laser light 33, the target 27 can be made into plasma. After the target 27 is plasmatized, it may become fine particles and fly into the chamber 2a. Therefore, the target 27 may be imaged only upstream of the trajectory of the target than the plasma generation region 25. In this case, when the best focus position 60t in focus by the imaging optical system 60b matches the plasma generation region 25, the target is not photographed downstream of the trajectory of the target than the best focus position 60t. , Half of the range that is in focus may be wasted.
  • the target imaging device 60 is aligned so that the best focus position 60t by the imaging optical system 60b is shifted upstream of the trajectory of the target than the plasma generation region 25. It may be done. As a result, in a state in which a plurality of targets 27 including one target 27 and the next target 27 are in focus, these targets 27 can be photographed simultaneously. This can improve the speed measurement accuracy of the target.
  • the target 27 to be imaged may include droplets and diffusion targets that have reached the plasma generation region 25, and may also include a plurality of droplets moving toward the plasma generation region 25.
  • the target imaging device 60 may simultaneously image multiple droplets and a diffuse target.

Landscapes

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Abstract

極端紫外光生成装置は、パルスレーザ光が入射するためのウインドウを有するチャンバと、チャンバの内部の所定領域に向けて少なくとも１つのターゲットを出力するターゲット供給部と、少なくとも１つのターゲットを撮像するターゲット撮像装置と、ターゲット撮像装置による撮像位置を変更する第１のアクチュエータと、外部からの信号に基づいて第１のアクチュエータを制御する制御部と、を備えてもよい。

Description

極端紫外光生成装置
　本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
国際公開第２０１０／０１１７８６１号 米国特許出願公開第２０１３／０２５６１３６号明細書 米国特許出願公開第２０１０／０２９４９５８号明細書
概要
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、パルスレーザ光が入射するためのウインドウを有するチャンバと、チャンバの内部の所定領域に向けて少なくとも１つのターゲットを出力するターゲット供給部と、少なくとも１つのターゲットを撮像するターゲット撮像装置と、ターゲット撮像装置による撮像位置を変更する第１のアクチュエータと、外部からの信号に基づいて第１のアクチュエータを制御する制御部と、を備えてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図３は、上記比較例においてプラズマ生成領域が変更される場合の制御系統を示す。 図４は、上記比較例における課題を説明する図である。 図５は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置における制御系統を示す。 図６Ａ及び図６Ｂは、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置、照明装置及びターゲット供給部を示す。 図７は、ターゲットの撮像位置の移動距離を算出する方法の一例を説明する図である。 図８は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置における制御系統を示す。 図９は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置、照明装置、ターゲット位置センサ、照明装置及びターゲット供給部を示す。 図１０は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット位置センサ、照明装置及びターゲット供給部を示す。 図１１は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置における制御系統を示す。 図１２は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置、照明装置、ターゲット位置センサ、照明装置、ターゲットタイミングセンサ、照明装置及びターゲット供給部を示す。 図１３は、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置、照明装置、ターゲット位置センサ、照明装置、ターゲットタイミングセンサ、照明装置及びターゲット供給部を示す。 図１４Ａ及び図１４Ｂは、本開示の第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置を示す。 図１５Ａ及び図１５Ｂは、本開示の第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置を示す。 図１６は、本開示の第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置を示す。
実施形態
＜内容＞
１．極端紫外光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　１．２　動作
２．用語の説明
３．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
　３．１　構成
　　３．１．１　ターゲット供給部
　　３．１．２　ターゲット位置センサ
　　３．１．３　ターゲットタイミングセンサ
　　３．１．４　ターゲット撮像装置
　　３．１．５　レーザ光進行方向制御部等
　３．２　動作
　　３．２．１　ターゲットの出力
　　３．２．２　ターゲット通過タイミングの検出
　　３．２．３　ターゲット位置情報の算出
　　３．２．４　ターゲットの撮像
　　３．２．５　プラズマの生成
　　３．２．６　プラズマ生成領域の移動
　３．３　課題
４．撮像位置を変更可能なターゲット撮像装置
　４．１　構成及び動作
　４．２　移動距離の算出方法
　４．３　効果
５．ターゲット位置センサの出力に基づく制御
６．ターゲット位置センサ及びターゲットタイミングセンサの出力に基づく制御
７．パルス状の照明を用いたターゲット位置センサ
８．高速シャッタを含むターゲット撮像装置
９．イメージ伝送ファイバを含むターゲット撮像装置
１０．複数のターゲットの同時撮影
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．極端紫外光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５及びターゲットセンサ４をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、パルスレーザ光の進行方向を規定するための光学系と、この光学系の配置、姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
　１．２　動作
　図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
２．用語の説明
　ターゲットの「軌道」は、ターゲット供給部から出力されるターゲットの理想的な経路、あるいは、ターゲット供給部の設計に従ったターゲットの経路とする。
　ターゲットの「軌跡」は、ターゲット供給部から出力されたターゲットの実際の経路とする。
　「プラズマ生成領域」は、ターゲットにパルスレーザ光が照射されることによってプラズマの生成が開始される領域とする。プラズマ生成領域は、本開示における所定領域に相当し得る。
３．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
　３．１　構成
　図２は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。図２に示されるように、ＥＵＶ光の出力方向をＺ方向としてもよい。ターゲットの出力方向と反対の方向をＹ方向としてもよい。Ｚ方向とＹ方向との両方に垂直な方向をＸ方向としてもよい。
　チャンバ２ａには、ターゲット供給部２６と、ターゲット位置センサ４０と、照明装置４１と、ターゲットタイミングセンサ５０と、照明装置５１と、ターゲット撮像装置６０と、照明装置６１と、が取り付けられていてもよい。
　３．１．１　ターゲット供給部
　ターゲット供給部２６は、チャンバ２ａの壁面に形成された貫通孔２ｂを貫通するように配置されていてもよい。ターゲット供給部２６は、ターゲット供給部アクチュエータ２６１を介してチャンバ２ａに取り付けられていてもよい。ターゲット供給部アクチュエータ２６１は、チャンバ２ａに対するターゲット供給部２６の位置をＺ軸の方向及びＸ軸の方向に移動させる二軸ステージであってもよい。ターゲット供給部アクチュエータ２６１は、本開示における第２のアクチュエータに相当し得る。貫通孔２ｂの周囲のチャンバ２ａの壁面と、ターゲット供給部２６との間には、図示しないシール手段が配置され、貫通孔２ｂの周囲のチャンバ２ａの壁面とターゲット供給部２６との間が密閉されていてもよい。シール手段は、例えばベローズ管でよい。
　ターゲット供給部２６は、溶融されたターゲットの材料を、内部に貯蔵してもよい。このターゲットの材料は、ターゲット供給部２６の内部に供給される不活性ガスによって加圧されてもよい。ターゲット供給部２６は、チャンバ２ａの内部に位置する図示しない開口部を有してもよい。ターゲット供給部２６の上記開口部付近に、図示しない加振装置が配置されてもよい。
　３．１．２　ターゲット位置センサ
　ターゲット位置センサ４０と照明装置４１とは、それぞれプラズマ生成領域２５に向けられていてもよい。ターゲット位置センサ４０は、イメージセンサ４０ａと、結像光学系４０ｂと、光学フィルタ４０ｃと、を含んでもよい。ターゲット位置センサ４０は、図示しない像転送光学系と、図示しない高速シャッタと、図示しないイメージデータ処理部と、をさらに含んでもよい。ターゲット位置センサ４０は筐体４０ｄに収容され、筐体４０ｄにウインドウ４０ｅが配置されていてもよい。照明装置４１は、光源４１ａと、照明光学系４１ｂと、を含んでもよい。照明装置４１は筐体４１ｄに収容され、筐体４１ｄにウインドウ４１ｅが配置されていてもよい。光源４１ａはＣＷ（continuous wave）レーザ光源であってもよい。
　３．１．３　ターゲットタイミングセンサ
　ターゲットタイミングセンサ５０と照明装置５１とは、ターゲット２７の軌道を挟んで互いに略反対側に配置されていてもよい。ターゲットタイミングセンサ５０は、光センサ５０ａと、受光光学系５０ｂと、光学フィルタ５０ｃと、を含んでもよい。ターゲットタイミングセンサ５０は筐体５０ｄに収容され、筐体５０ｄにウインドウ５０ｅが配置されていてもよい。照明装置５１は、光源５１ａと、伝送光学系５１ｆと、アイソレータ５１ｇと、照明光学系５１ｂと、光学フィルタ５１ｈと、を含んでもよい。照明装置５１は筐体５１ｄに収容され、筐体５１ｄにウインドウ５１ｅが配置されていてもよい。光源５１ａはＣＷレーザ光源であってもよい。
　３．１．４　ターゲット撮像装置
　ターゲット撮像装置６０と照明装置６１とは、プラズマ生成領域２５を挟んで互いに略反対側に配置されていてもよい。ターゲット撮像装置６０は、イメージセンサ６０ａと、結像光学系６０ｂと、光学フィルタ６０ｃと、を含んでもよい。ターゲット撮像装置６０は、図示しない像転送光学系と、図示しない高速シャッタと、図示しないイメージデータ処理部と、をさらに含んでもよい。ターゲット撮像装置６０は筐体６０ｄに収容され、筐体６０ｄにウインドウ６０ｅが配置されていてもよい。照明装置６１は、光源６１ａと、照明光学系６１ｂと、を含んでもよい。照明装置６１は筐体６１ｄに収容され、筐体６１ｄにウインドウ６１ｅが配置されていてもよい。光源６１ａはパルスレーザ光源であってもよい。
　３．１．５　レーザ光進行方向制御部等
　チャンバ２ａの外部に配置されたレーザ光進行方向制御部３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２を含んでもよい。高反射ミラー３４１は、ホルダ３４３によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４２は、ホルダ３４４によって支持されていてもよい。
　チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１と、プレート８２及びプレート８３と、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４とが設けられてもよい。
　プレート８２は、チャンバ２に固定されてもよい。プレート８２には、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を介してプレート８３が支持されてもよい。レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面凸面ミラー２２１及び楕円面凹面ミラー２２２を含んでもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１は、ホルダ２２３によって支持されてもよい。楕円面凹面ミラー２２２は、ホルダ２２４によって支持されてもよい。ホルダ２２３及び２２４は、プレート８３に固定されてもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、プレート８２に対するプレート８３の位置を変更可能であってもよい。
　軸外放物面凸面ミラー２２１は、回転放物面の凸面を反射面とするミラーであってもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１は、回転放物面の軸がパルスレーザ光３２の光軸と略平行となるように配置されてもよい。
　楕円面凹面ミラー２２２は、回転楕円面の凹面を反射面とするミラーであってもよい。楕円面凹面ミラー２２２は、第１の焦点と第２の焦点を有してもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１の焦点と、楕円面凹面ミラー２２２の第１の焦点とが略一致するように、楕円面凹面ミラー２２２が配置されてもよい。楕円面凹面ミラー２２２の第２の焦点は、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。
　ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してプレート８２に固定されてもよい。
　３．２　動作
　３．２．１　ターゲットの出力
　上述のターゲット供給部２６において、不活性ガスによって加圧されたターゲットの材料は、上記開口部を介して出力されてもよい。上述の加振装置によってターゲット供給部２６に振動が与えられることにより、ターゲットの材料は複数のドロップレットに分離されてもよい。それぞれのドロップレットが、ターゲット２７として、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５までの軌道に沿って移動してもよい。
　ターゲット供給部２６の内部に供給される不活性ガスの圧力は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御信号によって制御されてもよい。不活性ガスの圧力が制御されることにより、ターゲット２７の移動速度が調整されてもよい。
　３．２．２　ターゲット通過タイミングの検出
　照明装置５１は、ターゲット２７の軌道及びその周囲に向けてＣＷレーザ光を出力してもよい。照明装置５１から出力された光の光路を１つのターゲット２７が通過するとき、この光の一部がターゲット２７によって遮られ、ターゲットタイミングセンサ５０に到達する光の強度が一時的に低い状態となってもよい。ターゲットタイミングセンサ５０は、この光の強度の変化を検出して、ターゲット通過タイミング信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット通過タイミング信号をレーザ装置３に出力してもよい。レーザ装置３は、ターゲット通過タイミング信号を受信した時から所定の遅延時間が経過したタイミングでレーザ発振を行い、パルスレーザ光を出力してもよい。ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングでパルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に集光されるように、上記所定の遅延時間が設定されてもよい。
　３．２．３　ターゲット位置情報の算出
　照明装置４１は、プラズマ生成領域２５及びその周囲に向けてＣＷレーザ光を出力してもよい。照明装置４１から出力された光の光路に１つのターゲット２７が到達したとき、この光がターゲット２７を照らしてもよい。
　このとき、ターゲット２７の像がターゲット位置センサ４０に含まれるイメージセンサ４０ａの感光面に結像してもよい。イメージセンサ４０ａは、ターゲット２７のイメージデータを出力してもよい。ターゲット位置センサ４０は、図示しないイメージデータ処理部により、上述のイメージデータからターゲット２７の位置情報を算出してもよい。図２に示されるようにプラズマ生成領域２５に向けられたターゲット位置センサ４０の撮像方向がＹＺ面と略平行である場合、少なくともターゲット２７のＸ方向の位置情報が算出され得る。
　さらに、図１０を参照しながら後述するように、撮像方向がＸＹ面と略平行となるように配置されたターゲット位置センサ４２を備える場合には、ターゲット２７のＺ方向の位置情報が算出され得る。
　また、ターゲット位置センサ４０及び４２は、図示しない高速シャッタをそれぞれ含んでもよい。これらの高速シャッタは、ターゲットタイミングセンサ５０から出力されるターゲット通過タイミング信号に対して所定の遅延時間で開閉するように、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。このように所定タイミングでターゲット２７を撮像するターゲット位置センサ４０及び４２から出力される位置情報を組み合わせることにより、ターゲット２７のＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の位置情報が算出され得る。なお、高速シャッタを開閉するための所定の遅延時間は、レーザ装置３がパルスレーザ光を出力するための所定の遅延時間より短くてもよい。これにより、レーザ装置３がパルスレーザ光を出力する前にターゲット２７が撮影されてもよい。
　ターゲット位置センサ４０及び４２の少なくとも１つが、ターゲットの位置情報をＥＵＶ光生成制御部５に送信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットの位置情報と、予め設定されたターゲットの目標位置とを比較して、この目標位置との差を補償するようにターゲット供給部アクチュエータ２６１を制御してもよい。ターゲット供給部アクチュエータ２６１を制御して、ターゲット供給部２６をＸ方向又はＺ方向に移動させることにより、ターゲットの軌道のＸ方向又はＺ方向の位置が調整されてもよい。
　また、ターゲット位置センサ４０及び４２がターゲット２７のＹ方向の位置情報も算出した場合には、ＥＵＶ光生成制御部５は、プラズマ生成領域２５においてターゲット２７にパルスレーザ光が照射されるようにレーザ装置３を制御してもよい。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３に設定された上記所定の遅延時間を調整することにより、Ｙ方向のレーザ照射位置を調整してもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、プラズマ生成領域２５においてターゲット２７にパルスレーザ光が照射されるようにレーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御してもよい。
　３．２．４　ターゲットの撮像
　照明装置６１は、プラズマ生成領域２５及びその周囲に向けてパルスレーザ光を出力してもよい。照明装置６１によるパルスレーザ光は、ターゲットタイミングセンサ５０から出力されるターゲット通過タイミング信号に対して所定の遅延時間で出力されるように、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。照明装置６１から出力されたパルスレーザ光の光路に少なくとも１つのターゲット２７が存在するとき、パルスレーザ光がターゲット２７を照らしてもよい。
　このとき、ターゲット２７の影の像がターゲット撮像装置６０に含まれるイメージセンサ６０ａの感光面に結像してもよい。イメージセンサ６０ａは、ターゲット２７の影のイメージデータを出力してもよい。ターゲット撮像装置６０は、図示しないイメージデータ処理部により、上述のイメージデータからターゲットの位置、寸法、移動方向、移動速度等を算出してもよい。ターゲット撮像装置６０は、ターゲットの位置、寸法、移動方向、移動速度等のデータをＥＵＶ光生成制御部５に送信してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットの位置、寸法、移動方向、移動速度等のデータに基づいて、レーザ装置３やターゲット供給部２６等を制御してもよい。例えば、レーザ装置３がプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を出力する場合に、プリパルスレーザ光に対するメインパルスレーザ光の遅延時間が調整されてもよい。このプリパルスレーザ光は、ドロップレット状のターゲット２７を拡散させるものでもよい。メインパルスレーザ光は、拡散した拡散ターゲットに照射されてプラズマを生成させるものでもよい。この場合、ターゲット撮像装置６０はターゲット２７の一形態である拡散ターゲット、またはプラズマを撮像してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、拡散ターゲットやプラズマの位置、寸法、拡散方向、拡散速度等のデータに基づいて、プリパルスレーザ光やメインパルスレーザ光の各遅延時間やターゲット供給部２６、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットの移動速度のデータに基づいて、ターゲット２７の移動速度が目標値に近づくように、ターゲット供給部２６の内部に供給される不活性ガスの圧力を制御してもよい。
　３．２．５　プラズマの生成
　レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４ａに含まれる高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて、パルスレーザ光３２としてレーザ光集光光学系２２ａに導かれてもよい。
　パルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２ａに含まれる軸外放物面凸面ミラー２２１によって反射されることによりビーム拡大された後、楕円面凹面ミラー２２２によって反射され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光されてもよい。
　プラズマ生成領域２５又はその近傍において、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３が照射されてもよい。ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されることにより、ターゲット２７がプラズマ化し、ＥＵＶ光が生成されてもよい。
　３．２．６　プラズマ生成領域の移動
　図３は、上記比較例においてプラズマ生成領域が変更される場合の制御系統を示す。ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６から、プラズマ生成領域２５を移動する指令信号を受信してもよい。プラズマ生成領域２５を移動する指令信号は、プラズマ生成領域２５をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向にそれぞれどれだけ移動させるかを示す情報を含んでもよい。あるいは、プラズマ生成領域２５を移動する指令信号は、プラズマ生成領域２５をどの座標位置に移動させるかを示す情報を含んでもよい。ここでは一例として、プラズマ生成領域２５を座標（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）に移動させるものとして説明する。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、プラズマ生成領域２５を移動する指令信号を受信したら、以下のようにして、ターゲット位置とレーザ光集光位置とを変更してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、所定タイミングにおけるターゲット２７のＹ方向位置を座標Ｙ１に変更するために、レーザ装置３を制御してもよい。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３に発振タイミング変更指令を送信することにより、レーザ装置３がパルスレーザ光を出力するための上記所定の遅延時間を調整してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットのＸ方向及びＺ方向の位置を座標（Ｘ１，Ｚ１）に変更するために、ターゲット供給部アクチュエータ２６１を制御してもよい。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部アクチュエータ２６１にターゲット供給位置変更指令を送信することにより、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光集光位置を座標（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）に変更するために、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御してもよい。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４にレーザ光集光位置変更指令を送信することにより、プレート８２に対するプレート８３の位置を調節してもよい。プレート８３の位置が変更されることにより、軸外放物面凸面ミラー２２１及び楕円面凹面ミラー２２２の位置が変更されてもよい。その結果、軸外放物面凸面ミラー２２１及び楕円面凹面ミラー２２２によって反射されたパルスレーザ光３３の集光位置が変更されてもよい。
　３．３　課題
　図４は、上記比較例における課題を説明する図である。図４は、図２に示されるターゲット撮像装置６０及び照明装置６１を抜き出して示している。ターゲット撮像装置６０においては、所定の撮像位置にある被写体の像がイメージセンサ６０ａに結像されることによって被写体が撮像されてもよい。所定の撮像位置は、結像光学系６０ｂから所定の距離に位置するものであってもよい。しかしながら、このような撮像位置と異なる位置にある被写体はイメージセンサ６０ａに結像されないので、コントラストの低い不鮮明な画像しかとれない場合がある。ターゲット撮像装置６０によって鮮明に撮影し得る撮像位置は、ある程度の幅を有しており、図４では「ピントが合う範囲」として示されている。
　ターゲット撮像装置６０においては、高い空間分解能を得るために、結像光学系６０ｂが大きな開口数（ＮＡ）を有することが望ましい。しかしながら、開口数を大きくすると、ピントが合う範囲が狭くなり得る。特に、ターゲット撮像装置６０の撮像方向に沿った被写界深度が小さくなり得る。
　図３を参照しながら説明したように、プラズマ生成領域２５は露光装置６からの指令によって移動する場合があり得る。図４に示されるように、プラズマ生成領域２５が移動し得る範囲よりも、ピントが合う範囲が狭いことがあり得る。ピントが合う範囲の外にプラズマ生成領域２５が移動してしまうと、ターゲット撮像装置６０は、ターゲットを鮮明に撮影することが困難になり得る。
　ターゲット２７を鮮明に撮影できないと、ターゲットの位置、寸法、移動方向、移動速度等の検出精度が悪化し得る。これにより、上述のレーザ装置３やターゲット供給部２６等の制御が不安定となり、ＥＵＶ光の生成が不安定となり得る。
　また、プラズマ生成領域２５を変更しない場合でも、ターゲット２７の位置がプラズマ生成領域２５から大きくずれた場合には、そのずれたターゲット２７を鮮明に撮像することは困難になり得る。
　以下に説明する実施形態においては、ターゲット撮像装置６０による撮像位置を変更可能とすることにより、ターゲット２７を鮮明に撮影し、ＥＵＶ光の生成を安定化し得る。
４．撮像位置を変更可能なターゲット撮像装置
　４．１　構成及び動作
　図５は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置における制御系統を示す。第１の実施形態においては、露光装置６からプラズマ生成領域２５を移動する指令信号を受信した場合に、ターゲットの撮像位置が変更されてもよい。
　図６Ａ及び図６Ｂは、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置６０、照明装置６１及びターゲット供給部２６を示す。第１の実施形態におけるターゲット撮像装置６０は、プレート６０ｉと、ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊとをさらに含んでもよい。他の点については図２を参照しながら説明したものと同様の構成を有してもよい。
　プレート６０ｉと、ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊとは、筐体６０ｄの内部に配置されてもよい。プレート６０ｉは、イメージセンサ６０ａ及び結像光学系６０ｂを保持していてもよい。ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊは、プレート６０ｉ、イメージセンサ６０ａ、及び結像光学系６０ｂを、筐体６０ｄに対して移動可能であってもよい。
　ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊがプレート６０ｉをターゲット撮像装置６０の撮像方向に沿って移動させることにより、ピントが合う範囲が移動してもよい。ピントが合う範囲の移動距離は、プレート６０ｉの移動距離と略等しくてもよい。ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊは、本開示における第１のアクチュエータに相当し得る。
　図５を再び参照し、ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６からプラズマ生成領域２５を移動する指令信号を受信した場合に、ターゲットの撮像位置を変更するために、ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊを制御してもよい。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、ピントが合う範囲内にプラズマ生成領域２５の座標（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）が含まれるように、ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊにターゲットの撮像位置変更指令を送信してもよい。ターゲットの撮像位置の移動距離は、露光装置６から受信したプラズマ生成領域２５を移動する指令に基づいて算出されてもよい。
　他の点については、図３を参照しながら説明した制御系統と同様でよい。例えば、ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６から受信したプラズマ生成領域２５を移動する指令信号に基づいて、ターゲット供給部２６を移動させてもよいし、レーザ光集光光学系２２ａを移動させることによりパルスレーザ光３３の集光点を移動させてもよい。
　４．２　移動距離の算出方法の一例
　図７は、ターゲットの撮像位置の移動距離を算出する方法の一例を説明する図である。図７においては、変更前のプラズマ生成領域２５は、ＸＹＺ軸の交点と仮定してもよい。図７に示されるように、ターゲット撮像装置６０の撮像方向は、Ｚ軸に対して角度θの傾きを有していると仮定してもよい。また、ターゲット撮像装置６０の撮像方向をＸＹ平面に投射したとき、その投射像がＸ軸に対して角度－φの傾きを有していると仮定してもよい。
　プラズマ生成領域２５を現在の位置から（Δｘ、Δｙ、Δｚ）だけ変更して座標（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）に移動させる場合、ターゲット撮像装置６０の撮像方向に沿って移動すべきターゲット撮像装置６０の移動距離Ｌは、以下のように算出されてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　４．３　効果
　第１の実施形態によれば、ターゲット撮像装置６０の撮像位置を変更することにより、プラズマ生成領域２５及びその近傍に到達するターゲット２７を、ターゲット撮像装置６０によって鮮明に撮影することができる。また、プラズマ生成領域２５が移動しても、撮影される画像の倍率を略一定に保つことができる。さらに、ターゲット撮像装置６０によって撮影された画像に基づいてオートフォーカスを行う場合よりも、高速な制御が可能となる。
５．ターゲット位置センサの出力に基づく制御
　図８は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置における制御系統を示す。第２の実施形態において、ターゲットの撮像位置は、ターゲット位置センサによって出力されるターゲット位置情報に基づいて変更されてもよい。
　図９は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置６０、照明装置６１、ターゲット位置センサ４０、照明装置４１及びターゲット供給部２６を示す。図９はＸ軸に沿ってこれらの構成を見た様子を示す。
　図１０は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット位置センサ４２、照明装置４３及びターゲット供給部２６を示す。図１０はＺ軸に沿ってこれらの構成を見た様子を示し、図２には示されていない部分の構成を含んでいる。
　図９に示されるターゲット位置センサ４０は、ターゲット２７のＸ方向の位置情報を算出可能であってもよい。これに対し、図１０に示されるターゲット位置センサ４２は、ターゲット２７のＺ方向の位置情報を算出可能であってもよい。
　図８を再び参照し、ＥＵＶ光生成制御部５がターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊに出力する撮像位置変更指令は、ターゲット位置センサ４０及び４２から受信したターゲット２７のＸ方向の位置及びＺ方向の位置（Ｘ，Ｚ）に基づいて生成されてもよい。すなわち、露光装置６から受信したプラズマ生成領域２５の移動指令に含まれるＸ方向の位置及びＺ方向の位置（Ｘ１，Ｚ１）は、ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊの制御には用いられなくてもよい。Ｙ方向の位置に関しては、露光装置６から受信したプラズマ生成領域２５の移動指令に含まれるＹ方向の位置（Ｙ１）が用いられてもよい。また、ターゲット位置センサ４０及び４２のうちの一方のみを用いる場合には、Ｘ方向の位置及びＺ方向の位置のいずれか一方に関しては、露光装置６から受信したプラズマ生成領域２５の移動指令に含まれる情報が用いられてもよい。
　他の点については、第１の実施形態と同様でよい。
　第２の実施形態によれば、ターゲット２７の実際の軌跡がプラズマ生成領域２５からずれた場合でも、ターゲット撮像装置６０の撮像位置を移動させることにより、ターゲット２７を鮮明に撮影することができる。
　なお、ターゲット２７の位置がプラズマ生成領域２５からずれた場合には、上述のようにターゲット２７の位置が目標位置に近づくようにターゲット供給部アクチュエータ２６１及びレーザ装置３が制御され得る。従って、ターゲット２７の位置は次第にプラズマ生成領域２５に近づいてくると期待される。
６．ターゲット位置センサ及びターゲットタイミングセンサの出力に基づく制御
　図１１は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置における制御系統を示す。第３の実施形態においては、ターゲットタイミングセンサ５０によって出力されるターゲット通過タイミング信号を用いて、ターゲット位置センサ４０及び４２を制御し、ターゲットのＹ方向の位置情報（Ｙ）を検出可能であってもよい。そして、ターゲットの撮像位置は、ターゲットのＹ方向の位置情報（Ｙ）に基づいて変更されてもよい。
　図１２は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置６０、照明装置６１、ターゲット位置センサ４０、照明装置４１、ターゲットタイミングセンサ５０、照明装置５１及びターゲット供給部２６を示す。図１２はＸ軸に沿ってこれらの構成を見た様子を示す。
　第３の実施形態においては、第２の実施形態と同様に、ターゲット位置センサ４２から出力されるＸ方向の位置情報も用いられてよい。
　ターゲット位置センサ４０は、高速シャッタ４０ｋを含んでもよい。高速シャッタ４０ｋは、ターゲットタイミングセンサ５０から出力されるターゲット通過タイミング信号に対して所定の遅延時間で開閉するように、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。ターゲット位置センサ４２も同様に高速シャッタを含んでもよい。このようなターゲット位置センサ４０及び４２から出力されるターゲットの位置情報を組み合わせることにより、ＥＵＶ光生成制御部５がターゲット２７のＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の位置情報を算出してもよい。
　図１１を再び参照し、ＥＵＶ光生成制御部５がターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊに出力する撮像位置変更指令は、ターゲット位置センサ４０及び４２から出力される情報に基づくターゲット２７のＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の位置情報（Ｘ，Ｙ，Ｚ）に基づいて生成されてもよい。すなわち、露光装置６から受信したプラズマ生成領域２５の移動指令に含まれるＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向の位置（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）は、ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊの制御には用いられなくてもよい。
　他の点については、第２の実施形態と同様でよい。
７．パルス状の照明を用いたターゲット位置センサ
　図１３は、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置６０、照明装置６１、ターゲット位置センサ４０、照明装置４１、ターゲットタイミングセンサ５０、照明装置５１及びターゲット供給部２６を示す。図１３はＸ軸に沿ってこれらの構成を見た様子を示す。
　第４の実施形態においては、第２及び第３の実施形態と同様に、ターゲット位置センサ４２から出力されるＸ方向の位置情報も用いられてよい。
　ターゲット位置センサ４０は、高速シャッタ４０ｋ（図１２）を含まなくてもよい。第４の実施形態においては、照明装置４１が、光源としてパルスレーザ又はフラッシュランプ４１ｍを含んでもよい。パルスレーザ又はフラッシュランプ４１ｍは、ターゲットタイミングセンサ５０から出力されるターゲット通過タイミング信号に対して所定の遅延時間でパルス発振又はフラッシュ発光するように、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。ターゲット位置センサ４２及び照明装置４３も同様でよい。このようなターゲット位置センサ４０及び４２から出力されるターゲットの位置情報を組み合わせることにより、ＥＵＶ光生成制御部５がターゲット２７のＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の位置情報を算出してもよい。
　他の点については、第３の実施形態と同様でよい。
８．高速シャッタを含むターゲット撮像装置
　図１４Ａ及び図１４Ｂは、本開示の第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置６０を示す。第５の実施形態において、ターゲット撮像装置６０は、高速シャッタ６０ｎと、像転送光学系６０ｏとを含んでもよい。これらはプレート６０ｉに保持されていてもよい。
　高速シャッタ６０ｎは、結像光学系６０ｂとイメージセンサ６０ａとの間に配置されてもよい。高速シャッタ６０ｎは、結像光学系６０ｂによる結像位置に配置されてもよい。像転送光学系６０ｏは、高速シャッタ６０ｎとイメージセンサ６０ａとの間に配置されてもよい。像転送光学系６０ｏは、高速シャッタ６０ｎの位置に結像した像をさらにイメージセンサ６０ａの受光面に転写するように配置されてもよい。
　高速シャッタ６０ｎは、ＥＵＶ光生成制御部５によって開閉を制御されてもよい。高速シャッタ６０ｎが開かれたときだけ、イメージセンサ６０ａには撮像位置の像が結像してもよい。
　ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊによってプレート６０ｉが移動されることにより、イメージセンサ６０ａと、結像光学系６０ｂと、高速シャッタ６０ｎと、像転送光学系６０ｏとが一体的に移動してもよい。
　他の点については、第１～第４の実施形態と同様でよい。
９．イメージ伝送ファイバを含むターゲット撮像装置
　図１５Ａ及び図１５Ｂは、本開示の第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置６０を示す。第６の実施形態において、ターゲット撮像装置６０は、イメージ伝送ファイバ６０ｐを含んでもよい。イメージ伝送ファイバ６０ｐは、多数の光ファイバを束ねたバンドルファイバであってもよい。イメージ伝送ファイバ６０ｐは、その一端に結像した像を、他端に伝送することができるように、光ファイバの配列が固定されていてもよい。
　イメージ伝送ファイバ６０ｐの一端は、結像光学系６０ｂによる結像位置において、プレート６０ｉに固定されていてもよい。イメージ伝送ファイバ６０ｐの他端は、プレート６０ｉと異なる所定位置に固定されていてもよい。
　イメージセンサ６０ａは、プレート６０ｉに保持されていなくてもよい。イメージ伝送ファイバ６０ｐの上記他端とイメージセンサ６０ａとの間に、像転送光学系６０ｑと、高速シャッタ６０ｒと、像転送光学系６０ｓとがこの順で配置されてもよい。
　イメージ伝送ファイバ６０ｐの上記他端に伝送された撮像位置の像は、像転送光学系６０ｑによって高速シャッタ６０ｒの位置に再度転写されてもよい。像転送光学系６０ｓは、高速シャッタ６０ｒの位置に結像した像をさらにイメージセンサ６０ａの受光面に転写するように配置されてもよい。
　高速シャッタ６０ｒは、ＥＵＶ光生成制御部５によって開閉を制御されてもよい。高速シャッタ６０ｒが開かれたときだけ、イメージセンサ６０ａには撮像位置の像が結像してもよい。
　ターゲット撮像装置アクチュエータ６０ｊによってプレート６０ｉが移動されることにより、結像光学系６０ｂと、上記一端を含むイメージ伝送ファイバ６０ｐの一部とが一体的に移動してもよい。
　第６の実施形態によれば、ターゲット撮像装置６０の一部のみを移動させるので、可動部の質量を軽減し、スムーズに撮像位置を移動させることができる。また、撮像位置を精密に移動させることも可能になる。
　さらに、高速シャッタ６０ｒやイメージセンサ６０ａの設置場所についての制約が軽減され、設計の自由度が増大し得る。
　他の点については、第１～第５の実施形態と同様でよい。
１０．複数のターゲットの同時撮影
　図１６は、本開示の第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置に含まれるターゲット撮像装置６０を示す。図１６に示されるように、ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されるとターゲット２７はプラズマ化し得る。ターゲット２７はプラズマ化した後、微粒子となってチャンバ２ａ内に飛散し得る。従って、ターゲット２７は、プラズマ生成領域２５よりもターゲットの軌道の上流側でしか撮影されないことがあり得る。この場合に、結像光学系６０ｂによるピントの最も合ったベストフォーカス位置６０ｔとプラズマ生成領域２５とが一致していると、ベストフォーカス位置６０ｔよりもターゲットの軌道の下流側ではターゲットが撮影されず、ピントが合う範囲の半分が無駄になる可能性がある。
　そこで、第７の実施形態においては、ターゲット撮像装置６０は、結像光学系６０ｂによるベストフォーカス位置６０ｔがプラズマ生成領域２５よりもターゲットの軌道の上流側にずれた位置となるように、位置あわせされてもよい。これにより、１つのターゲット２７とその次のターゲット２７とを含む複数のターゲット２７にピントが合った状態で、これらのターゲット２７を同時に撮影することができる。これにより、ターゲットの速度計測精度を向上し得る。この場合、撮像されるターゲット２７はプラズマ生成領域２５に到達したドロップレットや拡散ターゲットを含み得るほか、プラズマ生成領域２５に向けて移動中の複数のドロップレットも含み得る。従って、ターゲット撮像装置６０は、複数のドロップレットと拡散ターゲットとを同時に撮像し得る。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (8)

  1. 　パルスレーザ光が入射するためのウインドウを有するチャンバと、
    　前記チャンバの内部の所定領域に向けて少なくとも１つのターゲットを出力するターゲット供給部と、
    　前記少なくとも１つのターゲットを撮像するターゲット撮像装置と、
    　前記ターゲット撮像装置による撮像位置を変更する第１のアクチュエータと、
    　外部からの信号に基づいて前記第１のアクチュエータを制御する制御部と、
    を備える極端紫外光生成装置。
  2. 　前記少なくとも１つのターゲットの軌道を変更する第２のアクチュエータをさらに備え、
    　前記制御部は、前記外部からの信号に基づいて前記第１のアクチュエータ及び前記第２のアクチュエータの両方を制御する、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  3. 　前記外部からの信号は、前記所定領域を変更する信号である、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  4. 　前記少なくとも１つのターゲットの位置を計測するターゲット位置センサをさらに備え、
    　前記外部からの信号は、前記ターゲット位置センサから出力された信号である、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  5. 　前記第１のアクチュエータは、前記ターゲット撮像装置の少なくとも一部を移動させることにより前記撮像位置を変更する、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  6. 　前記第１のアクチュエータは、前記ターゲット撮像装置の少なくとも一部を前記ターゲット撮像装置による撮像方向に沿って移動させることにより前記撮像位置を変更する、
    請求項５記載の極端紫外光生成装置。
  7. 　前記ターゲット撮像装置は、イメージ伝送ファイバと、前記撮像位置の被写体の像を前記イメージ伝送ファイバの一端に転写するように配置された転写光学系と、前記イメージ伝送ファイバの他端から出力される光を受光するイメージセンサと、を含み、
    　前記第１のアクチュエータは、前記一端を含む前記イメージ伝送ファイバの一部と、前記転写光学系と、を移動させることにより前記撮像位置を変更する、
    請求項５記載の極端紫外光生成装置。
  8. 　前記少なくとも１つのターゲットは、前記所定領域に順次供給される複数のドロップレットを含み、
    　前記ターゲット撮像装置は、前記複数のドロップレットに含まれる１つのドロップレットと後続する少なくとも１つのドロップレットとを同時に撮像する、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
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