WO2017126301A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

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WO2017126301A1
WO2017126301A1 PCT/JP2016/088784 JP2016088784W WO2017126301A1 WO 2017126301 A1 WO2017126301 A1 WO 2017126301A1 JP 2016088784 W JP2016088784 W JP 2016088784W WO 2017126301 A1 WO2017126301 A1 WO 2017126301A1
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extreme ultraviolet
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ultraviolet light
control unit
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裕計 細田
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ギガフォトン株式会社
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G—PHYSICS
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    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • This disclosure relates to an extreme ultraviolet light generation apparatus.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • SR Synchrotron-Radiation
  • An extreme ultraviolet light generation device includes a chamber in which extreme ultraviolet light is generated from a droplet supplied to a predetermined area inside the chamber, and a droplet provided in the chamber and supplied to the predetermined area.
  • An imaging optical system that forms an image, an imaging device that captures the image that has been formed, and a stage that moves at least a part of the imaging optical system and / or the imaging device in the optical axis direction of the imaging optical system
  • an optical energy measuring device for measuring the optical energy generated when extreme ultraviolet light is generated, and the position of the droplet by the imaging optical system based on the measured value of the optical energy measured by the optical energy measuring device.
  • a control unit that controls the stage so that the imaging surface of the imaging device coincides with the imaging surface of the imaging device.
  • An extreme ultraviolet light generation device includes a chamber in which extreme ultraviolet light is generated from droplets supplied to a predetermined region inside, and a droplet provided in the chamber and supplied to the predetermined region.
  • a first imaging optical system for forming an image, a light receiving surface for detecting the formed first image, an optical shutter for outputting the same first image, and an output from the optical shutter
  • An imaging device that captures a first image, a stage that moves at least a part of the first imaging optical system and / or the optical shutter in the optical axis direction of the first imaging optical system, and extreme ultraviolet light
  • An optical energy measuring device that measures the optical energy generated when the light is generated, and the image formation of the droplet by the first imaging optical system based on the measured value of the optical energy measured by the optical energy measuring device
  • the light receiving surface of the optical shutter A control unit for controlling the stage to match the may comprise.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation apparatus of the comparative example.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the problem of the EUV light generation apparatus of the comparative example.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining an initial state of the imaging unit according to the comparative example.
  • FIG. 5 shows an image of a droplet acquired by the imaging unit in the state shown in FIG.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a state where the focus of the imaging unit according to the comparative example is shifted due to the occurrence of the thermal lens effect and thermal deformation in the window.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation apparatus of the comparative example.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the problem of the EUV light generation apparatus of the comparative example.
  • FIG. 4 is a
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a state where the focus of the imaging unit according to the comparative example is shifted due to the occurrence of the thermal lens effect and thermal deformation in the imaging optical system.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining a state where the focus of the imaging unit according to the comparative example is shifted due to the occurrence of the thermal lens effect in the atmosphere of the imaging optical system.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a state in which the focus of the imaging unit according to the comparative example is shifted due to thermal deformation of the chamber wall.
  • FIG. 10 shows a droplet image acquired by the imaging unit according to the comparative example in the state shown in at least one of FIGS.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining an initial state of the imaging unit according to the first embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining a state in which the focus of the imaging unit is shifted when EUV light is generated.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a state in which the focus position of the shifted imaging unit is corrected.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a flowchart of processing relating to the correction of the focus position.
  • FIG. 16 is a flowchart of the process for determining the initial position of the stage shown in step S1 of FIG. 17, when the scan number k is k 0, indicating an image acquired by the imaging unit. 18, when the scan number k is k p, shows an image acquired by the imaging unit.
  • FIG. 16 is a flowchart of the process for determining the initial position of the stage shown in step S1 of FIG. 17, when the scan number k is k 0, indicating an image acquired by the imaging unit. 18, when the scan number k is k p, shows an image acquired by
  • FIG. 19 shows an image acquired by the imaging unit when the number of scans k is k max . 20, when the scan number k is k q, shows an image acquired by the imaging unit. 21, when the scan number k is k r, shows an image acquired by the imaging unit.
  • FIG. 22 is a diagram for explaining the light intensity of the illumination light detected on the z-axis in the image shown in FIG.
  • FIG. 23 is a diagram for explaining the light intensity of the illumination light detected on the z axis in the image shown in FIG.
  • FIG. 24 is a diagram for explaining the light intensity of the illumination light detected on the z-axis in the image shown in FIG.
  • FIG. 25 is a diagram for explaining the light intensity of the illumination light detected on the z-axis in the image shown in FIG.
  • FIG. 26 is a diagram for explaining the light intensity of the illumination light detected on the z-axis in the image shown in FIG.
  • FIG. 27 is a flowchart of the process for determining the stage drive amount ⁇ X shown in step S11 of FIG.
  • FIG. 28 is a diagram for explaining the relationship between the accumulated amount Q of thermal energy accumulated in the EUV light generation apparatus and the focus position X (Q) of the imaging unit.
  • FIG. 29 shows a burst operation performed to obtain a data table and a discharge time constant ⁇ indicating a correspondence relationship between the thermal energy accumulation amount Q i and the focal position X i corresponding to the relationship shown in FIG. The figure for demonstrating is shown.
  • FIG. 29 shows a burst operation performed to obtain a data table and a discharge time constant ⁇ indicating a correspondence relationship between the thermal energy accumulation amount Q i and the focal position X i corresponding to the relationship shown in FIG. The figure for demonstrating is shown.
  • FIG. 29 shows a burst operation
  • FIG. 30 is a diagram for explaining the shift amount ⁇ X sft of the focus that is shifted by the burst operation shown in FIG.
  • FIG. 31 is a diagram for explaining a data table acquired by the burst operation shown in FIG.
  • FIG. 32 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 33 is a diagram illustrating a flowchart of processing performed by the control unit regarding acquisition of the data table and the release time constant ⁇ illustrated in FIG. 31.
  • FIG. 34 is a diagram showing a flowchart of the process for measuring the focus position X org in the state before the generation of EUV light shown in step S21 of FIG. FIG.
  • FIG. 35 is a flowchart of the process of measuring the focus position X i at the power P i shown in step S22 of FIG.
  • FIG. 36 is a diagram showing a flowchart of the process for measuring the pulse number N equiv shown in step S224 of FIG.
  • FIG. 37 is a diagram showing a flowchart of processing for confirming whether or not the focus shift amount is stabilized, which is shown in step S32 of FIG.
  • Figure 38 is illustrated in step S225 of FIG. 35 is a diagram showing a flowchart of a process for measuring the position X i to obtain the contrast.
  • Figure 39 is a diagram showing a flowchart of a process of measuring shown in step S23 in FIG. 33, the relaxation time T i.
  • FIG. 36 is a diagram showing a flowchart of the process for measuring the pulse number N equiv shown in step S224 of FIG.
  • FIG. 37 is a diagram showing a flowchart of processing for confirming whether or not the focus shift amount is
  • FIG. 40 is a diagram showing a flowchart of the process for acquiring the contrast and measuring the relaxation time T i at the position X i shown in step S235 of FIG.
  • FIG. 41 is a diagram showing a flowchart of processing for obtaining the release time constant ⁇ shown in step S24 of FIG.
  • FIG. 42 is a diagram for explaining the configuration of the main part of the EUV light generation apparatus according to the fourth embodiment.
  • FIG. 43 is a diagram for explaining the configuration of the main part of the EUV light generation apparatus according to the fifth embodiment.
  • FIG. 44 is a diagram for explaining the configuration of the main part of the EUV light generation apparatus according to the sixth embodiment.
  • FIG. 45 is a diagram for explaining the configuration of the main part of the EUV light generation apparatus according to the seventh embodiment.
  • FIG. 41 is a diagram showing a flowchart of processing for obtaining the release time constant ⁇ shown in step S24 of FIG.
  • FIG. 42 is a diagram for explaining the configuration of the main part of the EUV light
  • FIG. 46 is a diagram for explaining the configuration of the main part of the EUV light generation apparatus according to the eighth embodiment.
  • FIG. 47 is a diagram for explaining the configuration of the main part of the EUV light generation apparatus according to the ninth embodiment.
  • FIG. 48 is a block diagram showing a hardware environment of each control unit.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and a target supply 26.
  • the chamber 2 may be sealable.
  • the target supply device 26 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2.
  • the material of the target 27 supplied from the target supplier 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is preferably arranged such that, for example, the first focal point thereof is located in the plasma generation region 25 and the second focal point thereof is located at the intermediate focal point (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation control unit 5, a target sensor 4, and the like.
  • the target sensor 4 may have an imaging function and may be configured to detect the presence, trajectory, position, speed, and the like of the target 27.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection unit 29 that allows the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6 to communicate with each other.
  • a wall 291 in which an aperture 293 is formed may be provided inside the connection portion 29. The wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam collector mirror 22, a target collector 28 for collecting the target 27, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 may pass through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enter the chamber 2.
  • the pulse laser beam 32 may travel through the chamber 2 along at least one laser beam path, be reflected by the laser beam collector mirror 22, and be irradiated to the at least one target 27 as the pulse laser beam 33.
  • the target supplier 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33.
  • the target 27 irradiated with the pulse laser beam 33 is turned into plasma, and the EUV light 251 can be emitted from the plasma along with the emission of light of other wavelengths.
  • the EUV light 251 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6.
  • a single target 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data of the target 27 imaged by the target sensor 4.
  • the EUV light generation controller 5 may perform at least one of timing control for outputting the target 27 and control of the output direction of the target 27, for example.
  • the EUV light generation controller 5 performs at least one of, for example, control of the output timing of the laser device 3, control of the traveling direction of the pulse laser light 32, and control of the focusing position of the pulse laser light 33. Also good.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • the “target” is an object to be irradiated with laser light introduced into the chamber.
  • the target irradiated with the laser light is turned into plasma and emits EUV light.
  • a “droplet” is a form of target supplied into the chamber.
  • the “plasma generation region” is a predetermined region in the chamber.
  • the plasma generation region is a region where the target output to the chamber is irradiated with laser light and the target is turned into plasma.
  • the “droplet trajectory” is a path along which the droplet output in the chamber travels.
  • the droplet trajectory may intersect the optical path of laser light introduced into the chamber in the plasma generation region.
  • the “optical path axis” is an axis passing through the center of the beam cross section along the light traveling direction.
  • the “light path” is a path through which light passes.
  • the optical path may include an optical path axis.
  • the “Z-axis direction” is a direction in which the EUV light generation apparatus outputs EUV light. That is, the Z-axis direction is a direction in which EUV light is output from the chamber of the EUV light generation apparatus to the exposure apparatus.
  • the “Y-axis direction” is a direction in which the target supplier outputs a target into the chamber.
  • the “X-axis direction” is a direction orthogonal to the Y-axis direction and the Z-axis direction.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example will be described with reference to FIGS.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example may be the EUV light generation apparatus 1 including the image measuring device 45.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example includes a chamber 2, a laser beam traveling direction control unit 34, a beam splitter 341, a mirror 342, a laser beam collector mirror 22, a target supplier 26, and a target collector 28. And may be provided.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example includes a droplet detector 41, an image measurement device 45, a first light energy measurement device 7, a second light energy measurement device 8, and an EUV light generation control unit 5. And the control part 51 may be provided.
  • the chamber 2 is irradiated with the pulse laser beam 33 on the droplet 271 supplied to the inside by the target supplier 26, thereby generating plasma from the droplet 271 and generating EUV light 252.
  • It may be a container.
  • the wall 2a of the chamber 2 may form an internal space of the chamber 2 and isolate the internal space of the chamber 2 from the outside.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 may control the traveling direction of the pulse laser beam 31 so that the pulse laser beam 31 output from the laser device 3 passes through the window 21 as the pulse laser beam 32.
  • the operation of the laser beam traveling direction control unit 34 may be controlled by the EUV light generation control unit 5.
  • the beam splitter 341 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 31 output from the laser device 3 and between the laser device 3 and the mirror 342.
  • the beam splitter 341 may transmit part of the pulsed laser light 31 toward the second optical energy measuring device 8 and reflect the other part of the pulsed laser light 31 toward the mirror 342.
  • the beam splitter 341 may be included in the laser beam traveling direction control unit 34.
  • the mirror 342 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 31 reflected by the beam splitter 341.
  • the mirror 342 may reflect the pulse laser beam 31 reflected by the beam splitter 341 toward the window 21.
  • the mirror 342 may be included in the laser beam traveling direction control unit 34.
  • the laser beam focusing mirror 22 may reflect the pulsed laser beam 32 transmitted through the window 21 toward the plasma generation region 25.
  • the laser beam focusing mirror 22 may focus the reflected pulse laser beam 32 on the plasma generation region 25 as the pulse laser beam 33.
  • the laser beam focusing mirror 22 may be mounted on a stage (not shown) that adjusts its position and posture.
  • the target supply device 26 may be a device that melts the target 27 supplied into the chamber 2 and outputs it as a droplet 271 toward the plasma generation region 25 in the chamber 2.
  • the target supply device 26 may be a device that outputs the droplet 271 by a so-called continuous jet method.
  • the target 27 supplied by the target supply device 26 may be formed of a metal material.
  • the metal material forming the target 27 may be a material including tin, terbium, gadolinium, or a combination of any two or more thereof.
  • the metal material which forms the target 27 may be tin.
  • the target supplier 26 may be provided on the wall 2 a of the chamber 2. The operation of the target supply device 26 may be controlled by the control unit 51.
  • the target recovery device 28 may be a device that recovers the droplets 271 that have not been irradiated with the pulse laser beam 33 among the droplets 271 output into the chamber 2.
  • the target collector 28 may be provided on the wall 2a of the chamber 2 on the extension line of the droplet trajectory T.
  • the droplet detector 41 may be a detector that detects the droplet 271 output into the chamber 2. Specifically, the droplet detector 41 may be a detector that detects the timing at which the droplet 271 has passed through a predetermined detection region R at a predetermined position in the chamber 2. The predetermined position where the detection region R is located may be a position on the droplet trajectory T between the target supplier 26 and the plasma generation region 25.
  • the droplet detector 41 may include an illumination unit 410, a light receiving unit 430, a window 414, and a window 434.
  • the illumination unit 410 and the light receiving unit 430 may be connected to the wall 2a of the chamber 2 through a window 414 and a window 434, respectively.
  • the illumination unit 410 and the light receiving unit 430 may be arranged to face each other across the detection region R on the droplet trajectory T.
  • the facing direction of the illumination unit 410 and the light receiving unit 430 may be substantially orthogonal to the droplet trajectory T.
  • the illumination unit 410 may output illumination light to the detection region R in the chamber 2.
  • the illumination unit 410 may include a light source 411, an illumination optical system 412, and an optical filter 413.
  • the light source 411 may be a light source that outputs illumination light so as to illuminate the droplets 271 that pass through the detection region R.
  • the light source 411 may be composed of a CW (Continuous Wave) laser or the like that outputs continuous light. Or the light source 411 may be comprised from the light source which outputs a pulsed light continuously.
  • the illumination optical system 412 may be composed of an optical system including a condenser lens. This condensing lens may be, for example, a cylindrical lens.
  • the illumination optical system 412 may be disposed on the optical path of the illumination light output from the light source 411.
  • the illumination optical system 412 may transmit the illumination light output from the light source 411 and guide it to the optical filter 413.
  • the illumination optical system 412 may shape the illumination light output from the light source 411 and focus it on the detection region R via the optical filter 413 and the window 414.
  • the optical filter 413 may be an optical filter having a high transmittance with respect to the wavelength of the illumination light output from the light source 411 and a low transmittance with respect to many of the wavelengths of light emitted from the plasma. .
  • the optical filter 413 may be a bandpass filter having a high transmittance with respect to the wavelength of illumination light output from the light source 411.
  • the optical filter 413 may be disposed on the optical path of the illumination light transmitted through the illumination optical system 412.
  • the optical filter 413 may transmit the illumination light transmitted through the illumination optical system 412 toward the window 414.
  • the optical filter 413 may suppress the light emitted from the plasma from entering the light source 411 via the illumination optical system 412.
  • the window 414 may be provided on the wall 2 a of the chamber 2.
  • the window 414 may be attached to the wall 2a of the chamber 2 via a seal member (not shown) so that the pressure in the chamber 2 is maintained at a pressure close to vacuum.
  • the window 414 may be disposed on the optical path of the illumination light that has passed through the optical filter 413.
  • the window 414 may be arranged to face the detection region R.
  • the window 414 may be disposed so as to face the window 434 across the detection region R.
  • the window 414 may transmit the illumination light transmitted through the optical filter 413 toward the detection region R.
  • the light receiving unit 430 may receive the illumination light output to the detection region R.
  • the light receiving unit 430 may include an optical sensor 431, a light receiving optical system 432, an optical filter 433, and a signal processing unit 435.
  • the window 434 may be provided on the wall 2 a of the chamber 2.
  • the window 434 may be attached to the wall 2a of the chamber 2 via a seal member (not shown) so that the pressure in the chamber 2 is maintained at a pressure close to vacuum.
  • the window 434 may be arranged to face the detection region R.
  • the window 434 may be disposed so as to face the window 414 with the detection region R interposed therebetween.
  • the window 434 may be disposed on the optical path of the illumination light output to the detection region R.
  • the window 434 may transmit the illumination light output to the detection region R toward the optical filter 433.
  • the optical filter 433 may be an optical filter having a high transmittance with respect to the wavelength of the illumination light output from the light source 411 and a low transmittance with respect to many of the wavelengths of the light emitted from the plasma. .
  • the optical filter 433 may be a band-pass filter having a high transmittance with respect to the wavelength of illumination light output from the light source 411.
  • the optical filter 433 may be disposed on the optical path of the illumination light that has passed through the window 434.
  • the optical filter 433 may transmit the illumination light transmitted through the window 434 toward the light receiving optical system 432.
  • the optical filter 433 may suppress the light emitted from the plasma from entering the optical sensor 431 via the light receiving optical system 432.
  • the light receiving optical system 432 may be an optical system such as a collimator, or may be constituted by an optical element such as a lens.
  • the light receiving optical system 432 may be disposed on the optical path of the illumination light transmitted through the optical filter 433.
  • the light receiving optical system 432 may transmit the illumination light transmitted through the optical filter 433 and guide it to the optical sensor 431.
  • the light receiving optical system 432 may shape the illumination light transmitted through the optical filter 433 and guide it to the detection surface of the optical sensor 431.
  • the light receiving optical system 432 may form an image of the illumination light output to the detection region R in the detection region R on the detection surface of the optical sensor 431.
  • the optical sensor 431 may detect the droplet 271 that passes through the detection region R by detecting the illumination light that is output so as to illuminate the droplet 271 that passes through the detection region R.
  • the optical sensor 431 may be an optical sensor having a single channel. Alternatively, the optical sensor 431 may be an optical sensor having a plurality of channels arranged one-dimensionally or two-dimensionally.
  • the optical sensor 431 may include a detection element such as a photodiode array, a photomultiplier tube, and a multi-pixel photocounter.
  • the optical sensor 431 may be disposed on the optical path of the illumination light transmitted through the light receiving optical system 432.
  • the optical sensor 431 may detect the light intensity indicated by the illumination light image formed by the light receiving optical system 432.
  • the light intensity of the illumination light detected by the optical sensor 431 may change every time the droplet 271 passes through the detection region R.
  • the optical sensor 431 may convert the light intensity of the detected illumination light into a voltage value, generate a detection signal corresponding to the change in the light intensity, and transmit the detection signal to the signal processing unit 435.
  • the signal processing unit 435 may receive a detection signal from the optical sensor 431.
  • the signal processing unit 435 may generate the droplet detection signal at a timing when the detection signal from the optical sensor 431 becomes lower than a predetermined threshold.
  • the droplet detection signal may be a signal indicating that the droplet 271 has passed through the detection region R.
  • the signal processing unit 435 may transmit the generated droplet detection signal to the control unit 51.
  • the image measuring device 45 may be a measuring device that images the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 and measures the state of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • the state of the droplets 271 supplied to the plasma generation region 25 may be a mechanical state such as the size, shape, position, and speed of the droplets 271 supplied to the plasma generation region 25, for example.
  • the image measuring instrument 45 may include an illumination unit 450, an imaging unit 470, a window 454, and a window 474.
  • the illumination unit 450 and the imaging unit 470 may be connected to the wall 2a of the chamber 2 via a window 454 and a window 474, respectively.
  • the illumination unit 450 and the imaging unit 470 may be arranged to face each other with the plasma generation region 25 interposed therebetween.
  • the facing direction of the illumination unit 450 and the imaging unit 470 may be substantially orthogonal to the droplet trajectory T.
  • the illumination unit 450 may output illumination light to the plasma generation region 25.
  • the illumination unit 450 may include a light source 451 and an illumination optical system 452.
  • the light source 451 may be a light source that outputs illumination light to the plasma generation region 25 so as to illuminate the droplets 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • the light source 451 may include a light source that outputs pulsed light such as a flash lamp and a laser. The operation of the light source 451 may be controlled by the control unit 51.
  • the illumination optical system 452 may be an optical system such as a collimator, or may be configured from an optical element such as a lens.
  • the illumination optical system 452 may be disposed on the optical path of the illumination light output from the light source 451.
  • the illumination optical system 452 may transmit the illumination light output from the light source 451 and guide it to the window 454.
  • the illumination optical system 452 may shape the illumination light output from the light source 451 and guide it to the plasma generation region 25 via the window 454.
  • the window 454 may be provided on the wall 2 a of the chamber 2.
  • the window 454 may be attached to the wall 2a of the chamber 2 via a seal member (not shown) so that the pressure in the chamber 2 is maintained at a pressure close to vacuum.
  • the window 454 may be disposed on the optical path of the illumination light that has passed through the illumination optical system 452.
  • the window 454 may be disposed so as to face the plasma generation region 25.
  • the window 454 may be disposed so as to face the window 474 with the plasma generation region 25 interposed therebetween.
  • the window 454 may transmit the illumination light transmitted through the illumination optical system 452 toward the plasma generation region 25.
  • the imaging unit 470 may image the plasma generation region 25.
  • the imaging unit 470 may image the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • the imaging unit 470 may include an image sensor 471, an imaging optical system 472, an optical filter 473, a window 474, an optical shutter 475, and a transfer optical system 476.
  • the imaging optical system 472 may constitute the first imaging optical system in the present disclosure
  • the transfer optical system 476 may constitute the second imaging optical system in the present disclosure.
  • the window 474 may be provided on the wall 2 a of the chamber 2.
  • the window 474 may be attached to the wall 2a of the chamber 2 via a seal member (not shown) so that the pressure in the chamber 2 is maintained at a pressure close to vacuum.
  • the window 474 may be disposed so as to face the plasma generation region 25.
  • the window 474 may be disposed so as to face the window 454 with the plasma generation region 25 interposed therebetween.
  • the window 474 may be disposed on the optical path of the illumination light output to the plasma generation region 25.
  • the window 474 may transmit the illumination light output to the plasma generation region 25 toward the optical filter 473. Note that the window 474 may be included in the imaging unit 470.
  • the optical filter 473 may be an optical filter having a high transmittance with respect to the wavelength of the illumination light output from the light source 451 and a low transmittance with respect to many of the wavelengths of light emitted from the plasma. .
  • the optical filter 473 may be a notch filter having a low transmittance with respect to many wavelengths of light emitted from the plasma.
  • the optical filter 473 may be disposed on the optical path of the illumination light transmitted through the window 474.
  • the optical filter 473 may transmit the illumination light transmitted through the window 474 toward the imaging optical system 472.
  • the optical filter 473 may suppress the light emitted from the plasma from entering the image sensor 471 via the imaging optical system 472, the optical shutter 475, and the transfer optical system 476.
  • the imaging optical system 472 may be composed of an optical system in which a plurality of lenses are combined.
  • the imaging optical system 472 may be disposed on the optical path of the illumination light transmitted through the optical filter 473.
  • the imaging optical system 472 can be disposed apart from the window 474.
  • the imaging optical system 472 may be arranged so that the focal point of the lens closest to the plasma generation region 25 is aligned with the plasma generation region 25.
  • the imaging optical system 472 may be arranged such that the focal point of the lens on the plasma generation region 25 side matches the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • the focal point will be referred to as focal point F below.
  • the imaging optical system 472 may transmit the illumination light transmitted through the optical filter 473 and guide it to the optical shutter 475.
  • the imaging optical system 472 may shape the illumination light transmitted through the optical filter 473 and focus it on the incident side surface of the optical shutter 475.
  • the imaging optical system 472 may form an image of the illumination light output to the plasma generation region 25 in the plasma generation region 25 on the incident side surface of the optical shutter 475.
  • the optical shutter 475 may regulate the passage of light transmitted through the imaging optical system 472 by its opening / closing operation.
  • the optical shutter 475 may be disposed on the optical path of the illumination light that has passed through the imaging optical system 472.
  • the optical shutter 475 may be composed of a shutter capable of opening and closing at high speed, such as an image intensifier.
  • the image intensifier includes a photocathode on the incident side, a reverse bias applying unit that controls passage of electrons, a multichannel plate that controls multiplication of electrons, and a phosphor screen that converts electrons into light. By changing the potential of the multi-channel plate at high speed, the high-speed shutter can be operated.
  • the image intensifier reproduces and outputs an image formed on the photoelectric surface on the incident side during the time when the shutter is open to the fluorescent screen.
  • the optical shutter 475 may allow the illumination light transmitted through the imaging optical system 472 to pass in the open state. In the open state, the optical shutter 475 reproduces the image of the illumination light imaged on the incident side surface of the optical shutter 475 by the imaging optical system 472 on the emission side surface of the optical shutter 475. It may be output. In the closed state, the optical shutter 475 may suppress the passage of illumination light transmitted through the imaging optical system 472. The operation of the optical shutter 475 may be controlled by the control unit 51.
  • the transfer optical system 476 may be composed of an optical system including a condenser lens.
  • the transfer optical system 476 may be disposed on the optical path of the illumination light that has passed through the optical shutter 475.
  • the transfer optical system 476 may transmit the illumination light that has passed through the optical shutter 475 and guide it to the image sensor 471.
  • the transfer optical system 476 may transfer the image of the illumination light imaged on the emission side surface of the optical shutter 475 in the plasma generation region 25 to the detection surface of the image sensor 471.
  • the image sensor 471 may be an optical sensor that acquires an image of illumination light that is output so as to illuminate the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • the image sensor 471 may be disposed on the optical path of the illumination light that has passed through the transfer optical system 476.
  • the image sensor 471 acquires an image of the illumination light output so as to illuminate the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25, thereby acquiring an image of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25. May be.
  • the image sensor 471 may include a detection element such as a CCD (Charge-Coupled Device).
  • the image sensor 471 may expose the illumination light transmitted through the transfer optical system 476 and acquire an image of the illumination light transferred by the transfer optical system 476 in the plasma generation region 25.
  • the image sensor 471 may generate image data from the acquired image and transmit an image measurement signal including the generated image data to the control unit 51. Further, the image sensor 471 may measure the state of the droplet 271 from the generated image data, and may include this measurement value in the image measurement signal and transmit it to the control unit 51.
  • the first light energy measuring device 7 may be a measuring device that measures the energy of the EUV light 251 emitted from the plasma.
  • the energy of the EUV light 251 emitted from the plasma may be light energy generated in the EUV light generation apparatus 1 when the EUV light 251 is generated.
  • the first light energy measuring instrument 7 may include an EUV energy sensor 71, an optical filter 72, a mirror 73, and a pinhole plate 74.
  • the pinhole plate 74 may be disposed so as to face the plasma generation region 25.
  • the pinhole plate 74 may be formed with an opening through which light emitted from the plasma passes.
  • the opening of the pinhole plate 74 may allow light emitted from the plasma to pass toward the mirror 73.
  • the mirror 73 may be configured to have a high reflectance with respect to the wavelength of the EUV light 251.
  • the reflection surface of the mirror 73 may be formed of a multilayer film of molybdenum and silicon.
  • the mirror 73 may be disposed on the optical path of the light that has passed through the opening of the pinhole plate 74.
  • the mirror 73 may reflect the light including the EUV light 251 out of the light passing through the opening of the pinhole plate 74 toward the optical filter 72.
  • the optical filter 72 may be an optical filter having a high transmittance with respect to the wavelength of the EUV light 251 and a low transmittance with respect to most of light having a wavelength different from that of the EUV light 251.
  • the optical filter 72 may be an optical filter coated with a thin film containing zirconium or silicon.
  • the optical filter 72 may be disposed on the optical path of the light reflected by the mirror 73.
  • the optical filter 72 may transmit the EUV light 251 included in the light reflected by the mirror 73 toward the EUV energy sensor 71.
  • the optical filter 72 may suppress light having a wavelength different from that of the EUV light 251 included in the light reflected by the mirror 73 from entering the EUV energy sensor 71.
  • the EUV energy sensor 71 may be an optical sensor that measures the energy of the EUV light 251.
  • the EUV energy sensor 71 may include a detection element such as a silicon photodiode that exhibits high sensitivity to the wavelength of the EUV light 251.
  • the EUV energy sensor 71 may be disposed on the optical path of the EUV light 251 that has passed through the optical filter 72.
  • the EUV energy sensor 71 may detect the energy of the EUV light 251 that has passed through the optical filter 72, and estimate the energy of the EUV light 251 emitted from the plasma based on the detected value.
  • the EUV energy sensor 71 may use the estimated value as a measured value of the energy of the EUV light 251 emitted from the plasma.
  • the EUV energy sensor 71 may transmit an EUV energy measurement signal including this measurement value to the control unit 51.
  • the second light energy measuring device 8 may be a measuring device that measures the energy of any of the pulsed laser beams 31 to 33. Each energy of the pulse laser beams 31 to 33 may be light energy generated in the EUV light generation apparatus 1 when the EUV light 251 is generated.
  • the second light energy measuring device 8 may include a laser energy sensor 81.
  • the laser energy sensor 81 may be an optical sensor that measures the energy of the pulsed laser light 31.
  • the laser energy sensor 81 may include a detection element that exhibits high sensitivity with respect to the wavelength of the pulsed laser light 31.
  • the laser energy sensor 81 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 31 that has passed through the beam splitter 341.
  • the laser energy sensor 81 may detect the energy of the pulsed laser light 31 that has passed through the beam splitter 341, and may estimate the energy of the pulsed laser light 33 irradiated to the droplet 271 based on the detected value.
  • the laser energy sensor 81 may use the estimated value as a measurement value of the pulse laser beam 33 irradiated on the droplet 271.
  • the laser energy sensor 81 may transmit a laser energy measurement signal including this measurement value to the control unit 51.
  • the laser energy sensor 81 may detect any energy of the pulsed laser beams 31 to 33.
  • the beam splitter 341 may be disposed on any one of the pulse laser beams 31 to 33 detected by the laser energy sensor 81.
  • the EUV light generation controller 5 may transmit and receive various signals to and from the exposure apparatus 6.
  • the EUV light generation controller 5 may comprehensively control the operation of each component of the EUV light generation system 11 based on various signals from the exposure apparatus 6.
  • the EUV light generation controller 5 may transmit and receive various signals to and from the laser device 3.
  • the EUV light generation control unit 5 may perform transmission / reception of various signals with the laser beam traveling direction control unit 34 and with a stage on which the laser beam focusing mirror 22 is mounted. Thereby, the EUV light generation control unit 5 may control the traveling direction and the focusing position of the pulse laser beams 31 to 33.
  • the EUV light generation controller 5 may transmit and receive various signals to and from the controller 51.
  • the EUV light generation control unit 5 may receive a signal including information on the droplet 271, the pulse laser beam 31, and the EUV light 251 from the control unit 51.
  • the EUV light generation controller 5 may transmit a signal including various control commands to the controller 51 so that the EUV light 252 is stably output.
  • the EUV light generation control unit 5 operates each component included in the target supply device 26, the droplet detector 41, the image measuring device 45, the first light energy measuring device 7 and the second light energy measuring device 8. May be controlled indirectly.
  • the control unit 51 may transmit and receive various signals to and from the constituent elements of the EUV light generation apparatus 1. Based on the control command from the EUV light generation controller 5, the controller 51 includes each component included in the droplet detector 41, the image measuring device 45, the first light energy measuring device 7, and the second light energy measuring device 8. The operation of the element may be controlled.
  • the control unit 51 may include a delay circuit 511 for controlling the operation timing of each component included in the image measuring instrument 45 and the laser device 3.
  • the target supply device 26 may output the droplet 271 toward the plasma generation region 25 in the chamber 2 based on a control command from the control unit 51.
  • the droplet 271 output into the chamber 2 travels on the droplet trajectory T and can pass through the detection region R.
  • the light source 411 of the droplet detector 41 may output illumination light to the detection region R so as to illuminate the droplet 271 passing through the detection region R based on a control command from the control unit 51.
  • the optical sensor 431 may detect the illumination light output to the detection region R.
  • the droplet 271 traveling on the droplet trajectory T passes through the detection region R, a part of the illumination light output from the light source 411 can be shielded by the droplet 271 passing through the detection region R. Therefore, when the droplet 271 passes through the detection region R, the light intensity of the illumination light detected by the optical sensor 431 can be significantly reduced as compared with the case where the droplet 271 does not pass through the detection region R.
  • the optical sensor 431 may generate a detection signal corresponding to a change in the light intensity of the detected illumination light and transmit the detection signal to the signal processing unit 435.
  • the signal processing unit 435 may generate a droplet detection signal based on the detection signal transmitted from the optical sensor 431 and transmit the droplet detection signal to the control unit 51.
  • the control unit 51 may add a first delay time to the timing at which the droplet detection signal is received using the delay circuit 511.
  • the control unit 51 may transmit the illumination trigger signal to the light source 451 of the image measuring device 45 at a timing delayed by a first delay time from the timing at which the droplet detection signal is received.
  • the illumination trigger signal may be a signal that gives a trigger to output illumination light to the light source 451.
  • the first delay time may be a time for making the timing at which the illumination light from the light source 451 enters the plasma generation region 25 substantially coincide with the timing at which the droplet 271 reaches the plasma generation region 25.
  • the control unit 51 may add the second delay time to the timing at which the droplet detection signal is received using the delay circuit 511.
  • the control unit 51 may transmit a shutter trigger signal to the optical shutter 475 of the image measuring device 45 at a timing delayed by a second delay time from the timing at which the droplet detection signal is received.
  • the shutter trigger signal may be a signal that gives the optical shutter 475 an opportunity to shift to an open state.
  • the second delay time may be a time for making the timing at which the optical shutter 475 shifts to the open state substantially coincide with the timing at which the illumination light from the light source 451 enters the optical shutter 475.
  • the control unit 51 may add a third delay time to the timing at which the droplet detection signal is received using the delay circuit 511.
  • the control unit 51 may transmit a measurement trigger signal to the image sensor 471 of the image measuring instrument 45 at a timing delayed by a third delay time from the timing at which the droplet detection signal is received.
  • the measurement trigger signal may be a signal that gives an opportunity to expose the image sensor 471 with illumination light and acquire the image.
  • the third delay time is a time period for causing the image sensor 471 to expose the illumination light from the light source 451 and acquire the image thereof to substantially coincide with the timing at which the illumination light from the light source 451 enters the image sensor 471. It may be.
  • the control unit 51 may add a fourth delay time to the timing at which the droplet detection signal is received using the delay circuit 511.
  • the control unit 51 may transmit the laser trigger signal to the laser device 3 at a timing delayed by a fourth delay time from the timing at which the droplet detection signal is received.
  • the laser trigger signal may be a signal that gives an opportunity to output the pulse laser beam 31 to the laser device 3.
  • the fourth delay time may be a time for making the timing at which the pulse laser beam 33 is focused on the plasma generation region 25 substantially coincide with the timing at which the droplet 271 reaches the plasma generation region 25.
  • the first to fourth delay times described above may be stored in the control unit 51 in advance.
  • the light source 451 of the image measuring device 45 may output illumination light to the plasma generation region 25 so as to illuminate the droplets 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • the optical shutter 475 receives the shutter trigger signal, the optical shutter 475 may shift to an open state and allow the illumination light output to the plasma generation region 25 to pass therethrough.
  • the image sensor 471 may expose the illumination light and acquire the image.
  • the droplet 271 that has passed through the detection region R reaches the plasma generation region 25
  • part of the illumination light output to the plasma generation region 25 can be shielded by illuminating the droplet 271. Therefore, when the droplet 271 reaches the plasma generation region 25, a part of the image of the illumination light in the plasma generation region 25 can be transferred to the image sensor 471 as a shadow image of the droplet 271. Therefore, when the droplet 271 reaches the second region R2, the image of the illumination light acquired by the image sensor 471 may include a shadow image of the droplet 271.
  • the image sensor 471 may generate image data corresponding to the acquired image and transmit an image measurement signal including the generated image data to the control unit 51.
  • the image sensor 471 may measure the state of the droplet 271 from the generated image data, and may include the measurement value in the image measurement signal and transmit it to the control unit 51.
  • the laser device 3 may output the pulse laser beam 31 when receiving the laser trigger signal.
  • a part of the pulse laser beam 31 output from the laser device 3 can pass through the beam splitter 341 and enter the laser energy sensor 81 of the second optical energy measuring device 8.
  • the laser energy sensor 81 may measure the energy of the incident pulse laser beam 31 and transmit a laser energy measurement signal including the measured value to the control unit 51.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 is reflected by the beam splitter 341 and can be introduced into the chamber 2 as the pulsed laser beam 32 through the mirror 342 and the window 21.
  • the pulse laser beam 32 introduced into the chamber 2 can be condensed by the laser beam condensing mirror 22 and guided to the plasma generation region 25 as the pulse laser beam 33.
  • the pulse laser beam 33 can be guided to the plasma generation region 25 at a timing when the droplet 271 reaches the plasma generation region 25.
  • the pulsed laser beam 33 guided to the plasma generation region 25 can irradiate the droplet 271 that has reached the plasma generation region 25.
  • the droplet 271 irradiated with the pulse laser beam 33 can generate plasma.
  • the generated plasma can emit light including EUV light 251.
  • EUV light 251 emitted from the plasma EUV light 251 near a specific wavelength can be selectively reflected by the EUV collector mirror 23.
  • the selectively reflected EUV light 251 can be condensed at the intermediate condensing point 292 as EUV light 252 and output to the exposure apparatus 6.
  • a part of the EUV light 251 emitted from the plasma can be incident on the EUV energy sensor 71 of the first optical energy measuring device 7.
  • the EUV energy sensor 71 may measure the energy of the incident EUV light 251 and transmit an EUV energy measurement signal including the measured value to the control unit 51.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the problem of the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example.
  • the optical filter 473 is not shown. Also in FIG. 4, FIG. 6 to FIG. 9, FIG. 11 to FIG. 14 and FIG. 32 to be described later, the optical filter 473 is not shown as in FIG.
  • the EUV light generation apparatus 1 can generate the EUV light 251 by irradiating the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 with the pulsed laser light 33 and converting the droplet 271 into plasma.
  • light having various wavelengths such as EUV light 251, DUV (Deep Ultraviolet) light, UV (Ultraviolet) light, visible light, and infrared light can be emitted.
  • fine particles such as atoms, clusters and ions of the target 27 can be emitted. Since the fine particles emitted from the plasma are energized by the pulse laser beam 33, they can have high kinetic energy. Light, fine particles, and the like emitted from these plasmas can enter the wall 2a of the chamber 2 and the image measuring instrument 45 in the vicinity of the plasma generation region 25, and heat the wall 2a of the chamber 2 and the image measuring instrument 45.
  • the energy of the light emitted from the plasma is the light energy generated when the EUV light 251 is generated, and is converted into heat energy in the EUV light generation apparatus 1 to measure the wall 2a of the chamber 2 and the image measurement.
  • the EUV light generation apparatus 1 including the vessel 45 can be heated.
  • the kinetic energy of the fine particles emitted from the plasma can be converted into thermal energy in the EUV light generation apparatus 1 to heat the EUV light generation apparatus 1.
  • the imaging unit 470 included in the image measuring instrument 45 is arranged so that an image of the focused droplet 271 can be acquired when the focal point F matches the position of the droplet 271.
  • the focal point F is the focal point of the lens closest to the droplet 271 of the imaging optical system 472 as described above.
  • the imaging unit 470 may acquire an out-of-focus image. Thereby, the image measuring device 45 may not be able to appropriately measure the state of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining an initial state of the imaging unit 470 according to the comparative example.
  • the initial state may be a state before the EUV light 251 is generated.
  • the initial state may be a state before light emitted from the plasma, fine particles, and the like enter the wall 2a of the chamber 2 and the image measuring instrument 45.
  • FIG. 5 shows an image of the droplet 271 acquired by the imaging unit 470 in the state shown in FIG.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a state in which the focus F is shifted in the imaging unit 470 according to the comparative example due to the occurrence of the thermal lens effect and thermal deformation in the window 474.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining an initial state of the imaging unit 470 according to the comparative example.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a state in which the focus F is shifted in the imaging unit 470 according to the comparative example due to the occurrence of the thermal lens effect and thermal deformation in the imaging optical system 472.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining a state in which the focus F is shifted in the imaging unit 470 according to the comparative example due to the occurrence of the thermal lens effect in the atmosphere around the imaging optical system 472.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a state in which the focus F is shifted in the imaging unit 470 according to the comparative example due to thermal deformation of the wall 2a of the chamber 2.
  • FIG. 10 shows an image of the droplet 271 acquired by the imaging unit 470 according to the comparative example in the state shown in at least one of FIGS.
  • the focus F in the imaging unit 470 may be adjusted in advance so as to match the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 in the initial state.
  • reference numeral 472 a denotes an image forming surface of the image forming optical system 472 constituting the image pickup unit 470.
  • Reference numeral 475a denotes a light receiving surface of the optical shutter 475
  • 475b denotes a reproduction surface of the optical shutter 475
  • 471a denotes an imaging surface of the image sensor 471.
  • the imaging surface 472a of the imaging optical system 472 coincides with the light receiving surface 475a of the optical shutter 475.
  • the focused image of the droplet 271 is detected by the optical shutter 475, and the same image can be reproduced and output to the reproduction surface 475b of the optical shutter 475.
  • the output image can be imaged on the imaging surface 471 a of the image sensor 471 by the transfer optical system 476.
  • the image of the focused droplet 271 can be captured by the image sensor 471.
  • the image of the droplet 271 acquired by the imaging unit 470 may have a high contrast.
  • high contrast may be high contrast that the outline of the droplet 271 can be specified and the state of the droplet 271 can be measured appropriately.
  • the low contrast may be a low contrast so that the outline of the droplet 271 is not specified and the state of the droplet 271 is not appropriately measured.
  • the EUV light 251 When the EUV light 251 is generated, light, fine particles, and the like emitted from the plasma may enter the wall 2a of the chamber 2 and the image measuring device 45 to heat them. Then, it can be considered that the focus F in the imaging unit 470 shifts due to the occurrence of each phenomenon shown in (1) to (4) below alone or in combination.
  • the optical path length may be a product of the length of the medium through which light passes and the refractive index of the medium.
  • FIG. 6 shows a state where the image forming surface 472a of the droplet 271 by the image forming optical system 472 does not coincide with the light receiving surface 475a of the optical shutter 475. In this case, the image of the droplet 271 captured by the image sensor 471 can be an out-of-focus image.
  • FIG. 7 shows an example where the lens on the plasma generation region 25 side of the imaging optical system 472 undergoes the thermal lens effect and thermal deformation. That is, since the temperature distribution is generated by heating the lens on the plasma generation region 25 side of the imaging optical system 472, it is considered that the refractive index distribution is generated. In addition, since this lens is thermally deformed by being heated, it is conceivable to change the length of the optical path through which the illumination light passes. Thereby, the optical path length of the illumination light passing through the imaging unit 470 can change. The focal length of the lens on the plasma generation region 25 side of the imaging optical system 472 of the imaging unit 470 can be effectively shortened by heating. In the imaging unit 470, the focus F can be shifted from the plasma generation region 25 to the imaging unit 470 side by being heated.
  • a thermal lens effect may occur in the atmosphere around the imaging optical system 472. That is, it is considered that a refractive index distribution is generated in the gas around the imaging optical system 472 because a temperature distribution is generated by heating. Thereby, the optical path length of the illumination light passing through the imaging unit 470 can change. The focal length of the imaging unit 470 can be effectively shortened by heating. In the imaging unit 470, the focus F can be shifted from the plasma generation region 25 to the imaging unit 470 side by being heated.
  • thermal deformation occurs in the wall 2 a of the chamber 2. That is, since the wall 2a of the chamber 2 is thermally deformed by being heated, it is conceivable to change the position of the imaging unit 470 provided on the wall 2a. In other words, since the wall 2a is thermally deformed, the physical distance between the imaging unit 470 connected via the window 474 provided on the wall 2a and the plasma generation region 25 may change. Thereby, the optical path length of the illumination light passing between the plasma generation region 25 and the imaging unit 470 can change. The focal length of the imaging unit 470 can be effectively shortened by heating. In the imaging unit 470, the focus F can be shifted from the plasma generation region 25 to the imaging unit 470 side by being heated.
  • the image of the droplet 271 acquired by the imaging unit 470 may have a low contrast and be an out-of-focus image.
  • the image measuring instrument 45 may not be able to appropriately measure the state of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 11 to 31.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment may include a configuration in which a moving mechanism 48 and a stage drive unit 512 are added to the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example.
  • the description of the same configuration and operation as the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example is omitted.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment.
  • the moving mechanism 48 according to the first embodiment may be equipped with the imaging unit 470.
  • the moving mechanism 48 may be a mechanism that moves the position of the imaging unit 470.
  • the moving mechanism 48 may move the imaging unit 470 along the optical path axis of the illumination light output to the plasma generation region 25.
  • the moving mechanism 48 may be disposed inside an optical path tube (not shown) that houses the components of the imaging unit 470.
  • the moving mechanism 48 may include a holder 481, a plate 482, and a stage 483.
  • the holder 481 may hold the imaging unit 470. Specifically, the holder 481 holds the image sensor 471, the imaging optical system 472, the optical filter 473, the optical shutter 475, and the transfer optical system 476 included in the imaging unit 470 without changing their relative positions. Also good.
  • the holder 481 may be fixed to the plate 482.
  • the imaging unit 470 may be placed on the plate 482 via the holder 481.
  • the plate 482 may be connected to the stage 483.
  • the plate 482 may be configured to be movable by the stage 483.
  • the stage 483 may include an actuator that moves the position of the plate 482.
  • the stage 483 may move the position of the plate 482 in the direction along the optical path axis of the illumination light output to the plasma generation region 25.
  • the stage 483 may move the position of the plate 482 in the optical axis direction of the imaging optical system 472.
  • the stage 483 may move the position of the imaging unit 470 placed on the plate 482 by moving the position of the plate 482.
  • the stage driving unit 512 may be connected to the stage 483 and the control unit 51.
  • the stage drive unit 512 may drive the stage 483 based on a control command from the control unit 51.
  • the control unit 51 of the first embodiment may correct the position of the focus F shifted by generating the EUV light 251 by controlling the stage 483 via the stage driving unit 512.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining an initial state of the imaging unit 470 according to the first embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining a state where the focus F in the imaging unit 470 is shifted when the EUV light 251 is generated.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a state in which the position of the shifted focus F is corrected.
  • the focal point F of the imaging unit 470 according to the first embodiment is the same as that of the imaging unit 470 according to the comparative example, and the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 in the initial state. You may adjust beforehand so that it may fit. As an example, when the image is adjusted in this way, the imaging unit 470 can acquire an image of the focused droplet 271.
  • the wall 2a of the chamber 2 and the image measuring device 45 can be heated by light emitted from the plasma, fine particles, and the like.
  • the focal point F in the imaging unit 470 is in the plasma generation region due to the occurrence of the phenomenon described in (1) to (4) above alone or in combination. 25 to the imaging unit 470 side.
  • the first optical energy measuring instrument 7 measures the energy of the EUV light 251 emitted from the plasma, and sends an EUV energy measurement signal including the measured value to the control unit 51. May be sent to.
  • the control unit 51 may receive an EUV energy measurement signal from the first optical energy measuring device 7. Based on the measured value of the energy of the EUV light 251 included in the EUV energy measurement signal, the control unit 51 moves the stage 483 so that the focal point F of the imaging unit 470 matches the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25. You may control. Specifically, the control unit 51 may calculate the shift amount of the focal point F based on the measured value of the EUV 251 energy. Then, the control unit 51 may determine the drive amount of the stage 483 according to the shift amount of the focus F.
  • the control unit 51 may generate a signal including a control command for driving the stage 483 according to the determined driving amount, and transmit the signal to the stage driving unit 512.
  • the stage drive unit 512 may drive the stage 483 based on a control command from the control unit 51.
  • the shifted focus F moves to the plasma generation region 25 side according to the driving amount of the stage 483 and can be aligned with the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25. In this way, the control unit 51 can correct the position of the shifted focus F by controlling the stage 483 via the stage driving unit 512.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a flowchart of processing relating to correction of the position of the focus F.
  • Steps S1 and S2 may be processing in a preparation stage before generation of the EUV light 251 is performed.
  • Steps S3 to S15 may be processing at a stage where EUV light 251 is generated.
  • control unit 51 may determine an initial position X org of the stage 483.
  • the control unit 51 may determine the initial position X org of the stage 483 so that the focus F in the imaging unit 470 matches the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • the process for determining the initial position X org of the stage 483 will be described later with reference to FIG.
  • control unit 51 may set a control cycle ⁇ t.
  • the control cycle ⁇ t is a cycle in which the control unit 51 controls the stage 483 and may be stored in the control unit 51 in advance.
  • the control unit 51 may initialize parameters relating to the control of the stage 483. Specifically, the control unit 51, as shown in Equation 1, the timer T t, the number of pulses n, the integrated value E s of the control number m and EUV energy E n may be initialized. Note that the timer T t may measure an elapsed time from the start of the control cycle ⁇ t.
  • the pulse number n may be the number of generations of the EUV light 251 after the start of the control period ⁇ t.
  • the number of times of control m may be the number of times the stage 483 is controlled.
  • EUV energy E n can be a pulse energy of the EUV light 251 control cycle ⁇ t is generated in the n-th from the start.
  • EUV energy E n can be an optical energy generated by the EUV light generation apparatus 1 when the control cycle ⁇ t is n-th EUV light 251 is generated from the start.
  • Integrated value E s of EUV energy E n can be a value obtained by integrating the pulse energy of the EUV light 251 that is generated until the exiting control cycle ⁇ t starts.
  • Integrated value E s of EUV energy E n can be an optical energy generated by the EUV light generation apparatus 1 in the control cycle Delta] t.
  • step S4 the control unit 51 may start measuring the timer Tt .
  • step S5 the control unit 51 may determine whether or not the EUV light 251 has been generated. If the control unit 51 has not received the EUV energy measurement signal from the first light energy measuring device 7, it may determine that the EUV light 251 has not been generated, and may proceed to step S8. On the other hand, if the control unit 51 receives the EUV energy measurement signal, the control unit 51 may determine that the EUV light 251 has been generated, and may proceed to step S6.
  • step S ⁇ b> 6 the control unit 51 may increment the pulse number n as shown in Equation 2.
  • control unit 51 may acquire the EUV energy E n.
  • control unit 51 a measurement of the energy of the EUV light 251 included in the received EUV energy measurement signal in step S5, may be acquired as EUV energy E n.
  • step S8 the control unit 51 may determine whether or not the control cycle ⁇ t has elapsed using Equation 3. If the value of the timer T t is not equal to or greater than the control period ⁇ t, the control unit 51 may determine that the control period ⁇ t has not elapsed and may proceed to step S5. On the other hand, if the value of the timer T t is equal to or greater than the control period ⁇ t, the control unit 51 may determine that the control period ⁇ t has elapsed, and may proceed to step S9.
  • step S9 the control unit 51 may stop timing of the timer Tt .
  • step S10 the control unit 51, using equation 4, it may be calculated integrated value E s of EUV energy E n.
  • step S11 the control unit 51 may determine the drive amount ⁇ X of the stage 483.
  • the process of determining the stage drive amount ⁇ X will be described later with reference to FIG.
  • step S12 the control unit 51 may drive the stage 483 by the drive amount ⁇ X. Thereby, the control unit 51 may correct the position X of the stage 483 as shown in Equation 5. As a result, the position of the imaging unit 470 can be corrected, and the position of the focal point F can also be corrected.
  • the control unit 51 may determine whether the contrast of the image of the droplet 271 is within a predetermined allowable range.
  • the control unit 51 may control the image measuring instrument 45 so as to image the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 at the position X of the stage 483 corrected in step S12. Then, the control unit 51 may determine whether the contrast of the acquired image of the droplet 271 is within a predetermined allowable range.
  • the allowable range may be a range in which the state of the droplet 271 can be measured from the acquired image of the droplet 271. If the contrast is within the allowable range, the control unit 51 may proceed to step S15. On the other hand, if the contrast is not within the allowable range, the control unit 51 may proceed to step S14.
  • step S ⁇ b> 14 the control unit 51 may increment the number of times of control m as shown in Expression 6. And the control part 51 may transfer to step S3.
  • control unit 51 may stop the control of the stage 483 and end the present process.
  • Figure 16 is a diagram showing a flowchart of a process for determining the initial position X org stage 483 shown in step S1 in FIG. 15.
  • the control unit 51 may set parameters relating to the determination of the initial position Xorg of the stage 483. Specifically, the control unit 51 may set a maximum value X max and a minimum value X min of the stage position X.
  • the control unit 51 may initialize the number of scans k as shown in Equation 7.
  • the control unit 51 may cause the imaging unit 470 to scan the droplet 271. That is, the control unit 51 may move the position of the imaging unit 470 by driving the stage 483 in small increments.
  • the control unit 51 may cause the imaging unit 470 to image the droplet 271 for each moved position.
  • the number of scans k may be the number of times the imaging unit 470 has imaged the droplets 271 for each position moved by the small drive of the stage 483.
  • step S102 the control unit 51 may drive the stage so that the position X of the stage becomes the minimum value X min as shown in Expression 8.
  • control unit 51 may cause the imaging unit 470 to image the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • step S104 the control unit 51 may acquire the contrast C k of the image of the acquired droplet 271.
  • step S105 the control unit 51 uses the equation 9, the position X of the stage 483 may determine whether or not reached the maximum value X max. Control unit 51, if the position X of the stage 483 has reached the maximum value X max, may proceed to step S108. On the other hand, the control unit 51, unless the position X of the stage 483 has not reached the maximum value X max, may proceed to step S106.
  • step S106 the control unit 51 may drive the stage 483 by the scan step ⁇ x.
  • the control unit 51 may correct the position X of the stage 483 as shown in Expression 10.
  • the scan step ⁇ x may be a drive amount of the stage 483 that is driven for each scan.
  • step S ⁇ b> 107 the control unit 51 may increment the number of scans k as shown in Equation 11. And the control part 51 may transfer to step S103.
  • step S108 the control unit 51 may specify the maximum value C kmax from the acquired contrast C k . Processing for specifying the maximum value C kmax of the contrast C k will be described later with reference to FIGS.
  • step S109 the control unit 51 may determine the initial position X org of the stage 483 from the position X of the stage 483 when the contrast C k reaches the maximum value C kmax .
  • the stage position X at the maximum value C kmax may be described as Equation 12. Note that k max may be the number of scans k when the contrast C k reaches the maximum value C kmax .
  • the control unit 51 may determine the position X of the stage 483 at which the contrast C k is the maximum value C kmax as the initial position X org of the stage 483. That is, the control unit 51 may determine that the focal point F is aligned with the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 when the contrast C k reaches the maximum value C kmax . Then, the control unit 51 may determine the position X of the stage 483 when the focal point F is aligned with the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 as the initial position X org of the stage 483. Then, the control part 51 may complete
  • FIGS. 17 to 21 show images acquired by the imaging unit 470 when the number of scans k is k 0 , k p , k max , k q, and k r , respectively.
  • FIGS. 22 to 26 are diagrams for explaining the light intensity of the illumination light detected on the z-axis in the images shown in FIGS. 17 to 21, respectively.
  • the z axis may be a coordinate axis that is substantially parallel to the Z axis and through which the center of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 can pass. Assume that the number of scans k increases in the order of k 0 , k p , k max , k q, and k r .
  • the focal point F does not match the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 at all. If the number of scans k is k p and k q, focal point F, than scan number k is k 0 and k r, the matching to the position of the droplet 271, which is supplied to the plasma generation region 25 To do.
  • the focal point F does not match the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 at all.
  • the light intensity of the illumination light detected on the z-axis can be substantially constant with almost no change even if the z-axis coordinate changes. It may be difficult for the control unit 51 to acquire the contrast C k .
  • the control unit 51 may consider that Ck is 0.
  • the image of the droplet 271 it may be possible to recognize the image of the droplet 271 from the image acquired by the imaging unit 470.
  • the light intensity of the illumination light detected on the z-axis is smaller than the light intensity detected at a position where the image of the droplet 271 does not exist.
  • the light intensity detected at the existing position can be reduced.
  • the light intensity of the illumination light detected on the z-axis can be minimal near the center position of the image of the droplet 271.
  • the control unit 51 regards the difference between the light intensity detected at the position where the image of the droplet 271 does not exist and the light intensity that is the minimum among the light intensity of the illumination light detected on the z-axis as the contrast C k. May be.
  • the focus F may be aligned with the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25.
  • the light intensity of the illumination light detected on the z-axis can be minimized near the center position of the image of the droplet 271.
  • the light intensity that is minimized can be minimized as compared with the cases of FIGS. 22, 23, 25, and 26.
  • the control unit 51 regards the difference between the light intensity detected at the position where the image of the droplet 271 does not exist and the light intensity that is the minimum among the light intensity of the illumination light detected on the z-axis as the contrast C k. May be.
  • the contrast C k in the case of FIG. 24 can be maximized compared to the cases of FIGS. 22, 23, 25, and 26.
  • control unit 51 the contrast C k in the case of FIG. 24 having the largest among the acquired contrast C k, may be specified as the maximum value C kmax. Then, the control unit 51 may determine the initial position X org of the stage 483 from the position X of the stage 483 when the contrast C k reaches the maximum value C kmax .
  • FIG. 27 is a diagram showing a flowchart of processing for determining the drive amount ⁇ X of the stage 483 shown in step S11 of FIG.
  • FIG. 28 is a diagram for explaining the relationship between the accumulated amount Q of thermal energy accumulated in the EUV light generation apparatus 1 and the position X (Q) of the focal point F.
  • the control unit 51 may determine the drive amount ⁇ X of the stage 483 according to the shift amount ⁇ X sft of the focus F shifted when the EUV light 251 is generated. It can be considered that the focal point F shifts in accordance with the accumulated amount Q of thermal energy accumulated in the EUV light generation apparatus 1 when the EUV light 251 is generated. That is, it can be considered that the position of the focal point F is expressed as a function of the accumulated amount Q of thermal energy, as shown in FIG. Let X (Q) be the position of the focal point F when the thermal energy storage amount is Q.
  • the thermal energy accumulation amount Q includes the thermal energy increase amount ⁇ Q + that increases in the EUV light generation apparatus 1 by the generation of the EUV light 251 and the thermal energy released to the outside of the EUV light generation apparatus 1. It can be calculated from the balance with the release amount ⁇ Q ⁇ . Therefore, it can be considered that the shift amount ⁇ X sft of the focus F varies according to the balance between the increase amount ⁇ Q + of the thermal energy and the release amount ⁇ Q ⁇ of the thermal energy.
  • the shift amount ⁇ X sft of the focal point F is a balance between the fluctuation amount ⁇ X + of the focal point F corresponding to the increase amount ⁇ Q + of the thermal energy and the fluctuation amount ⁇ X ⁇ of the focal point F corresponding to the released amount of thermal energy ⁇ Q ⁇ .
  • the control unit 51 may perform the following steps S111 to S115 in order to calculate the shift amount ⁇ X sft of the focus F.
  • the accumulated amount Q of thermal energy is a virtual amount, and can correspond to the accumulated amount of light energy accumulated in the EUV light generation apparatus 1 when the EUV light 251 is generated.
  • control unit 51 may estimate the amount of increase ⁇ Q + of the thermal energy that increases in the EUV light generation apparatus 1 within the control period ⁇ t using Equation 14.
  • the integrated value E s of EUV energy E n can be an optical energy generated by the EUV light generation apparatus 1 in the control cycle Delta] t.
  • Light energy generated in the EUV light generation apparatus 1 can be converted into heat energy in the EUV light generation apparatus 1 to heat the EUV light generation apparatus 1. That is, the integrated value E s of EUV energy E n can be increased quantity Delta] Q + and the correlation of the thermal energy to increase the EUV light generation apparatus 1 in the control cycle Delta] t. Therefore, the control unit 51 controls the period Delta] t integrated value of EUV energy E n, which is integrated into the E s, estimates the increase ⁇ Q of heat energy to increase the EUV light generation apparatus 1 in the control cycle Delta] t + May be.
  • control unit 51 may estimate the amount of heat energy ⁇ Q ⁇ released to the outside of the EUV light generation apparatus 1 within the control period ⁇ t using Equation 15.
  • the accumulated amount Q of thermal energy accumulated in the EUV light generation apparatus 1 by the generation of the EUV light 251 is emitted outside the EUV light generation apparatus 1 with a predetermined emission time constant ⁇ .
  • the emission time constant ⁇ is a virtual quantity, and the accumulated amount of light energy accumulated in the EUV light generation apparatus 1 by the generation of the EUV light 251 is emitted outside the EUV light generation apparatus 1. It can correspond to the time constant of the time.
  • the controller 51 stores the emission time constant ⁇ in advance, and estimates the amount of thermal energy released ⁇ Q ⁇ released outside the EUV light generation apparatus 1 within the control period ⁇ t using the emission time constant ⁇ . May be. The process for obtaining the release time constant ⁇ will be described later with reference to FIGS. 29 to 31 and FIGS. 33 to 41.
  • control unit 51 may calculate the fluctuation amount ⁇ X + of the focus F corresponding to the increase amount ⁇ Q + of the thermal energy using Expression 16.
  • step S114 the control unit 51 may calculate the fluctuation amount ⁇ X ⁇ of the focal point F corresponding to the thermal energy release amount ⁇ Q ⁇ using Equation 17.
  • Equations 16 and 17 describing the fluctuation amounts ⁇ X + and ⁇ X ⁇ of the focus F will be considered.
  • the accumulation amount Q of the thermal energy of the EUV light generation apparatus 1 varies from Q m to Q m + 1
  • the position of the focal point F X (Q) is X (Q m) X (Q m + 1 ). If the difference ⁇ Q between Q m + 1 and Q m is small, the relationship of Equation 18 can be established.
  • Equation 19 the amount of change in the focus F from X (Q m ) to X (Q m + 1 ) can be described as Equation 19. If Q m + 1 is greater than Q m, a difference Delta] Q of the Q m + 1 and Q m are obtained an increase amount of thermal energy Delta] Q +. In this case, in the function of X (Q) as shown in FIG. 28, the difference between X (Q m + 1 ) and X (Q m ) shown on the left side of Equation 19 corresponds to the variation amount ⁇ X + of the focus F. Can do.
  • Equation 20 the derivative of X (Q) may be approximated as shown in Equation 20.
  • Q m may be described so as to have a relationship such as Equation 21 or Equation 22.
  • the argument i may be a natural number between 0 and n.
  • the control unit 51 may store in advance a data table indicating a correspondence relationship between the accumulated amount Q i of thermal energy and the position X i of the focal point F, and calculate Equation 20 with reference to this data table. In this way, the control unit 51 may calculate Expression 16 and Expression 17 that describe the fluctuation amounts ⁇ X + and ⁇ X ⁇ of the focus F.
  • the processing for obtaining a data table indicating the correspondence between the accumulated amount Q i of thermal energy and the position X i of the focal point F will be described later with reference to FIGS. 29 to 31 and FIGS. 33 to 41.
  • the control unit 51 may calculate the shift amount ⁇ X sft of the focus F from the balance between the variation amount ⁇ X + of the focus F and the variation amount ⁇ X ⁇ of the focus F. Specifically, as shown in Formula 23, the control unit 51 may calculate the shift amount ⁇ X sft of the focus F from the sum of the variation amount ⁇ X + of the focus F and the variation amount ⁇ X ⁇ of the focus F. Good. Equation 23 may indicate that the control unit 51 can calculate the shift amount ⁇ X sft of the focus F based on the sum of the increase amount ⁇ Q + and the release amount ⁇ Q ⁇ of the thermal energy.
  • step S116 the control unit 51 may determine the driving amount ⁇ X of the stage 483 according to the shift amount ⁇ X sft of the focal point F as shown in Expression 24. Then, the control part 51 may complete
  • FIG. 29 is a burst operation performed in order to obtain a data table and a discharge time constant ⁇ indicating a correspondence relationship between the accumulated amount Q i of thermal energy corresponding to the relationship shown in FIG. 28 and the position X i of the focal point F.
  • FIG. 30 is a view for explaining the shift amount ⁇ X sft of the focal point F that is shifted by the burst operation shown in FIG.
  • FIG. 31 is a diagram for explaining a data table acquired by the burst operation shown in FIG.
  • the EUV light generation apparatus 1 has a data table and a release time constant ⁇ showing a correspondence relationship between the accumulated amount Q i of thermal energy and the position X i of the focal point F corresponding to the relationship shown in FIG. It may be acquired in advance before the processed processing is performed. Therefore, the EUV light generation apparatus 1 may perform the following operation.
  • the EUV light generation apparatus 1 may measure the position of the focal point F in advance before the EUV light 251 is generated.
  • the EUV light generation apparatus 1 may perform a burst operation.
  • the burst operation may be an operation in which a burst generation period in which the EUV light 251 is generated at a predetermined repetition frequency and a burst pause period in which the EUV light 251 is not generated are alternately repeated over a certain period.
  • the EUV light generation apparatus 1 may perform burst operation while increasing the power P i of the EUV light 251 in each burst generation period.
  • the length of each burst generation period is approximately constant, by increasing the pulse energy of the EUV light 251 generated by the burst generation period, subjected to a burst operation while increasing the power P i May be.
  • the EUV light generation apparatus 1 performs the burst operation while ensuring a sufficient period for each burst pause period so that the position of the shifted focus F can return to the position before the generation of the EUV light 251 is performed. You may go.
  • the shift amount ⁇ X sft of the focal point F increases with the start of each burst generation period, and can eventually be saturated, as shown in FIG.
  • the increase amount ⁇ Q + of thermal energy per unit time and the release amount ⁇ Q ⁇ of thermal energy per unit time are in equilibrium.
  • the saturated shift amount ⁇ X sft decreases with the end of each burst generation period, and may eventually become substantially zero.
  • the burst generation period ends, so the amount of increase in thermal energy ⁇ Q + per unit time is substantially zero, and the shift amount ⁇ X sft decreases in accordance with the release time constant ⁇ . Then it can be considered.
  • the EUV light generation apparatus 1 may measure the position X i of the focal point F when the EUV light generation apparatus 1 is in a thermal equilibrium state and the shift amount ⁇ X sft is saturated and stabilized.
  • the EUV light generation apparatus 1 may store the measured position X i of the focal point F in association with the power P i of the EUV light 251 in each burst generation period.
  • the increase amount ⁇ Q + of thermal energy per unit time and the release amount ⁇ Q ⁇ of thermal energy per unit time are in equilibrium, the accumulated amount Q of thermal energy accumulated in the EUV light generation apparatus 1. It can be considered that i is proportional to the power P i of the EUV light 251.
  • the EUV light generation apparatus 1 stores the measured position X i of the focal point F in association with the power P i of the EUV light 251 in each burst generation period, and obtains a data table as shown in FIG. May be.
  • the EUV light generation apparatus 1 measures a relaxation time T i that is a time from immediately after the end of each burst generation period until the position X i of the focus F returns to the position in the state before the generation of the EUV light 251. May be.
  • the EUV light generation apparatus 1 measures the relaxation time by measuring the time until the contrast of the image of the droplet 271 returns from the contrast immediately after the end of each burst generation period to the contrast before the generation of the EUV light 251.
  • the T i may be measured.
  • the EUV light generation apparatus 1 stores the measured relaxation time T i in association with the position X i of the focal point F and the power P i of the EUV light 251 and acquires a data table as shown in FIG. Also good.
  • EUV light generation apparatus 1 determines the release time constant ⁇ from the measured relaxation times T i, may be stored. As release time constant ⁇ is large, the shift amount [Delta] X sft decreases gradually, relaxation time T i may be longer.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment drives the stage 483 with an appropriate drive amount corresponding to the shift amount of the focus F.
  • the position of the focal point F can be corrected.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment can adjust the focus F to the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 even if the focus F is shifted in the imaging unit 470.
  • the acquisition of an out-of-focus image by 470 can be suppressed. That is, if this correction is performed, the state of the initial position shown in FIG. 4 described above is obtained, and the image of the focused droplet 271 can be captured by the image sensor 471.
  • the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment can appropriately measure the state of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25, and the state of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25. Can be controlled appropriately.
  • the laser apparatus 3 does not output one pulse laser beam 31 to irradiate one droplet 271 but outputs a plurality of pulse laser beams 31 to irradiate one droplet 271.
  • the laser device 3 may output three pulse laser beams 31 of the first pre-pulse laser beam, the second pre-pulse laser beam, and the main pulse laser beam in this order as the plurality of pulse laser beams 31.
  • the droplets 271 When the first target pulse 271 is irradiated with the droplets 271 as the primary target, the droplets 271 are destroyed, become fine particles of the target 27, and can be diffused into a secondary target. That is, the secondary target may be the target 27 transformed from the form of the droplet 271 by being irradiated with the first pre-pulse laser beam. When the secondary target is irradiated with the second pre-pulse laser beam, the secondary target diffuses as an aggregate of the finer particles of the target 27, the vapor of the target 27, and the pre-plasma partially converted into plasma. And can be transformed into a tertiary target.
  • the tertiary target may be the target 27 transformed from the form of the secondary target by irradiation with the second pre-pulse laser beam.
  • the pre-plasma may be the target 27 in which a part of the secondary target is turned into plasma and includes ions or neutral particles.
  • the tertiary target can increase the generation efficiency of EUV light by the main pulse laser beam.
  • the EUV light generation apparatus 1 can appropriately control the state of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25, the state of the secondary target and the tertiary target can be appropriately controlled. , EUV light generation efficiency can be improved.
  • the EUV light generation apparatus 1 acquires images of the secondary target and the tertiary target as well as the droplets 271 in the plasma generation region 25, and measures their size, shape, position, and the like. May be.
  • the position of the focal point F in this case is a position where an image formed by the imaging lens 472 is formed on the light receiving surface 475a of the optical shutter 475, and can be read as the position O of the subject.
  • the lens on the plasma generation region 25 side of the imaging optical system 472 but also the lens on the optical shutter 475 side may be heated.
  • the position O of the subject for forming an image on the light receiving surface of the optical shutter 475a may slightly deviate from the position of the focal point F of the lens on the plasma generation region side of the imaging lens 472.
  • the correspondence between the subject position O and the position Xi may be stored in the storage means in the form of a lookup table, for example. Then, the movement amount corresponding to the obtained position Xi of the subject position O may be read from the storage means, and the stage 483 may be moved by that amount. Note that the above correspondence may be obtained based on experiments or experience.
  • the energy of each of the pulse laser beams 31 to 33 irradiated on the droplet 271 may be light energy generated in the EUV light generation apparatus 1 when the EUV light 251 is generated.
  • the energy of any of the pulsed laser beams 31 to 33 irradiated on the droplet 271 can be measured by the second optical energy measuring device 8.
  • the control unit 51 according to the second embodiment may receive a laser energy measurement signal from the second optical energy measuring device 8. Then, the control unit 51 according to the second embodiment drops the focus F supplied to the plasma generation region 25 based on the energy measurement value of any of the pulsed laser beams 31 to 33 included in the laser energy measurement signal.
  • the stage 483 may be controlled to match the position of the let 271.
  • the control unit 51 according to the second embodiment may calculate the shift amount of the focal point F based on the energy measurement value of any one of the pulse laser beams 31 to 33. Then, the control unit 51 according to the second embodiment may determine the drive amount of the stage 483 according to the shift amount of the focus F.
  • the EUV light generation apparatus 1 according to the second embodiment is appropriately driven according to the shift amount of the focus F even if the focus F shifts when the EUV light 251 is generated.
  • the EUV light generation apparatus 1 according to the second embodiment can appropriately measure the state of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25, and the state of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25. Can be controlled appropriately.
  • FIG. 32 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation apparatus 1 according to the third embodiment.
  • the plasma can emit light of various wavelengths such as DUV light, UV light, visible light, and infrared light. That is, among the light emitted from the plasma, light such as DUV light, UV light, visible light, and infrared light can be light having a wavelength different from that of the EUV light 251.
  • the energy of light having a wavelength different from that of the EUV light 251 may be light energy generated by the EUV light generation apparatus 1 when the EUV light 251 is generated.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the third embodiment may include a third light energy measuring device 9 that measures the energy of light having a specific wavelength different from the EUV light 251 among the light emitted from the plasma.
  • the third light energy measuring device 9 may include a light energy sensor 91, an optical filter 92, and a window 93.
  • the window 93 may be provided on the wall 2 a of the chamber 2.
  • the window 93 may be attached to the wall 2a of the chamber 2 via a seal member so that the pressure in the chamber 2 is maintained at a pressure close to vacuum.
  • the window 93 may be disposed so as to face the plasma generation region 25.
  • the window 93 may be disposed on the optical path of the light emitted from the plasma generation region 25.
  • the window 93 may transmit the light emitted from the plasma generation region 25 toward the optical filter 92.
  • the optical filter 92 may be a band pass filter having a high transmittance for light having a specific wavelength different from the EUV light 251 among the light emitted from the plasma.
  • the optical filter 92 may be disposed on the optical path of the light transmitted through the window 93.
  • the optical filter 92 may transmit light having a specific wavelength different from the EUV light 251 out of the light transmitted through the window 93 toward the optical energy sensor 91.
  • the optical filter 92 may suppress light other than light having this specific wavelength from entering the optical energy sensor 91.
  • the optical energy sensor 91 may be an optical sensor that measures the energy of light having a specific wavelength different from the EUV light 251 among the light emitted from the plasma.
  • the optical energy sensor 91 may include a detection element that exhibits high sensitivity to this specific wavelength.
  • the optical energy sensor 91 may be disposed on the optical path of the light transmitted through the optical filter 92.
  • the optical energy sensor 91 may detect the energy of light transmitted through the optical filter 92 and estimate the energy of light having this specific wavelength based on the detected value.
  • the optical energy sensor 91 may use the estimated value as a measured value of the energy of light having the specific wavelength.
  • the optical energy sensor 91 may transmit an optical energy measurement signal including this measurement value to the control unit 51.
  • the control unit 51 according to the third embodiment may receive a light energy measurement signal from the third light energy measuring device 9.
  • the control unit 51 according to the third embodiment then adjusts the stage 483 so that the focal point F matches the position of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25 based on the measurement value of the optical energy included in the optical energy measurement signal. May be controlled.
  • the EUV light generation apparatus 1 according to the third embodiment responds to the shift amount of the focus F even if the focus F of the imaging unit 470 is shifted when the EUV light 251 is generated.
  • the stage 483 By driving the stage 483 with an appropriate driving amount, an image of the focused droplet 271 can be acquired.
  • the EUV light generation apparatus 1 according to the third embodiment can appropriately measure the state of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25, and the state of the droplet 271 supplied to the plasma generation region 25. Can be controlled appropriately.
  • the EUV light generation apparatus 1 uses the method described with reference to FIGS. 29 to 31 before the processing shown in FIG. 15 is performed.
  • the accumulation amount Q i and the position X i data table and release time constant ⁇ may be obtained.
  • the EUV light generation apparatus 1 may replace the accumulated amount Q i with the power P i of the EUV light 251 in the burst generation period.
  • the EUV light generation apparatus 1 may acquire the data table of the power P i , the position X i and the relaxation time T i as shown in FIG. 31, and the emission time constant ⁇ .
  • the control unit 51 may perform the following processing.
  • FIG. 33 is a diagram illustrating a flowchart of processing performed by the control unit 51 regarding acquisition of the data table and the release time constant ⁇ illustrated in FIG. 31.
  • control unit 51 may measure the position of the focal point F of the imaging unit 470 in a state before the generation of the EUV light 251 is performed.
  • the process of measuring the position of the focal point F before the EUV light 251 is generated will be described later with reference to FIG.
  • step S22 the control unit 51 may measure the position X i of the focal point F at the power P i of the EUV light 251 in each burst generation period.
  • the process for measuring the position X i of the focal point F in the power P i will be described later with reference to FIG. 35.
  • step S23 the control unit 51 may measure the relaxation time T i of the position X i of the focus F.
  • the process of measuring the relaxation time Ti will be described later with reference to FIG.
  • step S24 the control unit 51 may acquire the release time constant ⁇ .
  • the process for determining the release time constant ⁇ will be described later with reference to FIG.
  • FIG. 34 is a flowchart of the process of measuring the position X org of the focal point F in the state before the generation of the EUV light 251 shown in step S21 of FIG.
  • step S ⁇ b> 211 the control unit 51 may initialize the parameters as represented by Equation 25.
  • X FS may be a parameter related to the movable range of the stage 483.
  • C may be a parameter related to the contrast of the image of the droplet 271.
  • control unit 51 may drive the stage 483 by setting the position X of the stage 483 to be the center position of the movable range, as shown in Expression 26.
  • step S212 the control unit 51 may acquire the image of the droplet 271 and the contrast thereof and set the contrast C org . Then, the control unit 51 may set the position X of the stage 483 when the contrast C org is acquired as the position X org , as shown in Expression 27.
  • step S213 the control unit 51 may set the position X so that the position X of the stage 483 moves by the scan step ⁇ x as shown in Equation 28.
  • step S214 the control unit 51 may drive the stage so that the position of the stage is X.
  • step S215 the control unit 51 may acquire the image of the droplet 271 and its contrast C ′.
  • step S216 the control unit 51 may determine whether or not the contrast C ′ is larger than the contrast C org , as shown in Expression 29. When the control unit 51 determines that the contrast C ′ is not greater than the contrast C org , the control unit 51 may proceed to step S218. On the other hand, when the control unit 51 determines that the contrast C ′ is greater than the contrast C org , the control unit 51 may proceed to step S217.
  • step S217 the control unit 51 may set the contrast C ′ to the contrast C org as shown in the expression 30. Then, as shown in Expression 30, the control unit 51 may set the position X of the stage 483 when the contrast C org is acquired as the position X org .
  • step S218 the control unit 51 may determine whether or not the position 483 of the stage 483 is moved by the scan step ⁇ x using the mathematical formula 31 beyond the movable range of the stage 483. If the control unit 51 does not exceed the movable range of the stage 483 even if the position X of the stage 483 is moved by the scan step ⁇ x, the control unit 51 may proceed to step S213. On the other hand, if the position X of the stage 483 is moved by the scan step ⁇ x when the control unit 51 exceeds the movable range of the stage 483, the control unit 51 may move to step S219.
  • step S219 the control unit 51 may store the position X org and the contrast C org . Then, the control part 51 may complete
  • FIG. 35 is a flowchart of the process of measuring the position X i of the focus F at the power P i shown in step S22 of FIG.
  • step S ⁇ b> 221 the control unit 51 may initialize the parameters as represented by Expression 32.
  • P 0 may be a parameter related to the power P i of the EUV light 251.
  • X 0 may be a parameter related to the position of the stage 483.
  • step S ⁇ b> 222 the control unit 51 may initialize the parameters as represented by Expression 33.
  • ⁇ P may be a scan step of the power P i when the position X i of the focal point F is measured by scanning the power P i of the EUV light 251 for each burst generation period.
  • P max may be an upper limit value of the range to be scanned power P i.
  • the control unit 51 may set the power P i of the EUV light 251 for each burst generation period.
  • the controller 51 may set the pulse energy ⁇ i of the EUV light 251 in each burst generation period, as shown in Equation 34.
  • the control unit 51 may set the position X i of the focal point F to X i ⁇ 1 , as shown in Expression 34.
  • f may be the repetition frequency of the EUV light 251.
  • step S224 the control unit 51, there EUV light generation apparatus 1 is in thermal equilibrium, performs processing for measuring the number of pulses N equiv needed to shift the focus F in the power P i is stabilized with saturated May be.
  • the process of measuring the number of pulses Nequiv will be described later with reference to FIG.
  • step S225 the control unit 51 may acquire the image of the droplet 271 and its contrast, and perform a process of measuring the position X i of the focus F in a state where the shift amount is stabilized at the power P i . .
  • the process of acquiring the contrast and measuring the position X i at the power P i will be described later with reference to FIG.
  • step S226 the control unit 51, the measured position X i may be stored in association with the power P i.
  • step S227 the control unit 51 may increment the argument i as indicated by the mathematical formula 35.
  • step S228, the control unit 51, using Equation 36, increasing the power P i only scan step ⁇ P may determine whether more than a scan range of the power P i. Control unit 51, if even by increasing the power P i only scan step ⁇ P does not exceed the scan range of the power P i, may proceed to step S223. On the other hand, the control unit 51, if increasing the power P i only scan step ⁇ P exceeds the scan range of the power P i, may end the process. Thereafter, the control unit 51 may move to step S23 in FIG.
  • FIG. 36 is a diagram showing a flowchart of the process for measuring the pulse number N equiv shown in step S224 of FIG.
  • step S ⁇ b> 31 the control unit 51 may initialize the parameters as represented by Expression 37.
  • N 0 and N 1 may be parameters relating to the number of pulses of the EUV light 251.
  • step S32 the control unit 51, the shift amount of the focal point F may be subjected to a treatment to see whether it has stabilized in the power P i.
  • the process of confirming whether the shift amount of the focus F has been stabilized will be described later with reference to FIG.
  • step S33 the control unit 51, using Equation 38, the number of pulses N equiv it may be determined whether N 0 less. Control unit 51, pulse number N equiv is less than N 0, may end the process. Thereafter, the control unit 51 may move to step S225 in FIG. On the other hand, if the number of pulses N equiv is not smaller than N 0 , the control unit 51 may proceed to step S34.
  • step S34 the control unit 51 may set N 0 to 2N 0 as shown in Equation 39, and may proceed to step S32.
  • FIG. 37 is a diagram showing a flowchart of processing for confirming whether the shift amount of the focus F has been stabilized, which is shown in step S32 of FIG.
  • step S ⁇ b> 41 the control unit 51 may initialize the parameters as represented by Equation 40.
  • k and q may be arguments relating to the number of pulses of the EUV light 251.
  • C 0 may be a parameter related to the contrast of the image of the droplet 271.
  • step S42 the control unit 51 may set the pulse energy ⁇ i of the EUV light 251.
  • step S43 the control unit 51 may perform ready to start generation of the EUV light 251 N 0 pulses.
  • step S44 the control unit 51 may determine whether or not a laser trigger signal has been transmitted.
  • the control unit 51 may stand by until a laser trigger signal is transmitted. On the other hand, if the control part 51 transmitted the laser trigger signal, you may transfer to step S45.
  • step S ⁇ b> 45 the control unit 51 may increment the argument k related to the number of pulses, as shown in Equation 41.
  • step S46 the control unit 51 may determine whether or not the argument k is equal to or greater than N 0 using the mathematical formula 42. If the argument k is not N 0 or more, the control unit 51 may move to step S48. On the other hand, if the argument k is N 0 or more, the control unit 51 may move to step S47.
  • step S47 the control unit 51 may store the pulse number Nequiv . Thereafter, the control unit 51 may move to step S33 in FIG.
  • step S ⁇ b> 48 the control unit 51 may determine whether or not the relationship represented by the mathematical formula 43 is established. If the relationship shown in Formula 43 is not established, the control unit 51 may proceed to step S44. On the other hand, the control part 51 may transfer to step S49, if the relationship shown by Numerical formula 43 is materialized.
  • step S ⁇ b> 49 the control unit 51 may increment the argument q related to the number of pulses, as shown in Equation 44.
  • control unit 51 may acquire the image of the droplet 271 and its contrast Cq .
  • step S ⁇ b> 51 the control unit 51 may determine whether or not the relationship represented by the mathematical formula 45 is established. If the relationship shown in Equation 45 is not established, the control unit 51 may proceed to step S44. On the other hand, the control part 51 may transfer to step S52 if the relationship shown by Numerical formula 45 is materialized.
  • step S52 the control unit 51, as shown in Equation 46, (q + 1) and N 1 is set to the number of pulses N equiv, it may proceed to step S44.
  • control unit 51 by determining whether the variation amount of the contrast C q of the image of the droplet 271 is less than 5%, the shift amount of the focal point F there EUV light generation apparatus 1 is in thermal equilibrium It may be confirmed whether or not is stabilized. Control unit 51, if not the variation is less than 5% of the contrast C q, may continue to produce EUV light 251 until the amount of variation of the contrast C q is less than 5%. Then, the control unit 51, if the change amount is less than 5% of the contrast C q, determines the shift amount of the focal point F is stabilized, may store the number of pulses at that time as the N equiv.
  • Figure 38 is illustrated in step S225 of FIG. 35 is a diagram showing a flowchart of a process for measuring the position X i to obtain the contrast.
  • step S ⁇ b> 61 the control unit 51 may initialize the parameters as represented by Equation 47.
  • J may be an argument relating to the number of pulses of the EUV light 251.
  • p may be a parameter relating to the driving direction of the stage 483.
  • control unit 51 may perform the same processing as steps S42 to S45 in FIG.
  • step S ⁇ b> 66 the control unit 51 may determine whether or not the argument k is JN 0 or more using Expression 48. If the argument k is not JN 0 or more, the control unit 51 may proceed to step S70. On the other hand, if the argument k is JN 0 or more, the control unit 51 may proceed to step S67.
  • step S ⁇ b> 67 the control unit 51 may determine whether or not the relationship represented by the mathematical formula 49 is established. If the relationship shown in Formula 49 is not established, the control unit 51 may proceed to step S68. On the other hand, the control part 51 may transfer to step S69, if the relationship shown by Numerical formula 49 is materialized.
  • control unit 51 may increment the argument J related to the number of pulses as shown in the mathematical formula 50, and may proceed to step S63.
  • step S69 the control unit 51 may store the position X i of the focal point F. Thereafter, the control unit 51 may move to step S226 in FIG.
  • step S ⁇ b> 70 the control unit 51 may calculate the parameter q ′ related to the number of pulses using the mathematical formula 51.
  • step S71 the control unit 51 may determine whether or not the parameter q ′ is greater than or equal to the argument q using the mathematical formula 52. If the parameter q ′ is not greater than or equal to the argument q, the control unit 51 may proceed to step S64. On the other hand, if the parameter q ′ is greater than or equal to the argument q, the control unit 51 may proceed to step S72.
  • step S72 the control unit 51 may acquire the image of the droplet 271 and its contrast Cq .
  • control unit 51 may perform the same processing as in step S49 in FIG.
  • step S ⁇ b> 74 the control unit 51 may determine whether or not the parameter q ′ is larger than 1 using the mathematical formula 53. If the parameter q ′ is not greater than 1, the control unit 51 may proceed to step S77. On the other hand, if the parameter q ′ is greater than 1, the control unit 51 may proceed to step S75.
  • step S75 the control unit 51 may determine whether or not the contrast C q is larger than the contrast C q ⁇ 1 using the formula 54. If the contrast C q is larger than the contrast C q ⁇ 1 , the control unit 51 may proceed to step S77. On the other hand, if the contrast C q is not greater than the contrast C q ⁇ 1 , the control unit 51 may proceed to step S76.
  • step S76 the control unit 51 may set the parameter p to ⁇ p so that the driving direction of the stage 483 is reversed as shown in the equation 55.
  • step S77 the control unit 51, as shown in Equation 56, the position X i of the focal point F may be set to position X i to move only Piderutax.
  • step S78 the control unit 51 drives the stage 483 so that the position of the focal point F becomes X i, may proceed to step S64.
  • control unit 51 may continue to generate the EUV light 251 until the EUV light generation apparatus 1 is in a thermal equilibrium state, and may acquire the contrast C q in the image of the droplet 271 when the EUV light generation apparatus 1 is in a thermal equilibrium state. Then, the control unit 51 may measure the position X i of the focus F in a state where the shift amount is stabilized by specifying the position X i of the focus F that maximizes the contrast C q . Then, the control unit 51 stores the measured position X i on the condition that the contrast C q is 95% or more of the contrast C org acquired before the EUV light 251 is generated. May be. The control unit 51 may generate the EUV light 251 again and measure the position X i again if the contrast C q is not 95% or more of the contrast C org .
  • Figure 39 is a diagram showing a flowchart of a process of measuring shown in step S23 in FIG. 33, the relaxation time T i.
  • control unit 51 may perform the same processing as in step S221 in FIG.
  • step S232 the control unit 51 may initialize the parameters as shown in Expression 57.
  • P may be a parameter regarding the power P i of the EUV light 251.
  • ⁇ may be a parameter related to the pulse energy of the EUV light 251.
  • step S233 the control unit 51 may drive the stage so that the position of the focal point F is X i.
  • step S ⁇ b> 2344 the control unit 51 may set the relaxation time T i to zero, as shown in Expression 58.
  • step S235 the control unit 51 may acquire the image of the droplet 271 and its contrast, and perform a process of measuring the relaxation time T i at the position X i of the focal point F.
  • the process of acquiring the contrast and measuring the relaxation time T i at the position X i will be described later with reference to FIG.
  • control unit 51 may store the measured relaxation times T i in association with the position X i.
  • control unit 51 may perform the same process as in step S227 shown in FIG.
  • step S2308 the control unit 51 may determine whether or not the relationship represented by the mathematical formula 59 is established. If the relationship shown in Formula 59 is not established, the control unit 51 may proceed to step S233. On the other hand, the control unit 51 may end the present process if the relationship shown in Formula 59 is established. Thereafter, the control unit 51 may proceed to step S24 in FIG.
  • FIG. 40 is a diagram showing a flowchart of the process for acquiring the contrast and measuring the relaxation time T i at the position X i shown in step S235 of FIG.
  • step S ⁇ b> 81 the control unit 51 may initialize parameters as indicated by the mathematical expression 60.
  • T 3 may be a timer for measuring the relaxation time T i .
  • T max may be a parameter relating to the relaxation time T i .
  • T max may be a minimum time required for measuring the relaxation time T i .
  • control unit 51 may perform the same processing as steps S42 to S45 in FIG.
  • step S86 the control unit 51 may perform the same process as in step S46 of FIG. However, if the argument k is not N 0 or more, the control unit 51 may move to step S84. On the other hand, if the argument k is N 0 or more, the control unit 51 may proceed to step S87.
  • step S87 the control unit 51 may start counting the timer T 3.
  • step S88 the control unit 51, using Equation 61, the value of the timer T 3 may determine whether or not greater than T max. Control unit 51, be greater than the value of the timer T 3 is T max, may proceed to step S91. On the other hand, the control unit 51, if the value of the timer T 3 is greater than T max, may proceed to step S89.
  • step S89 the control unit 51, the time count of the timer T 3 may be stopped.
  • step S90 the control unit 51 may store the relaxation time T i. Thereafter, the control unit 51 may proceed to step S236 in FIG.
  • control unit 51 may acquire the image of the droplet 271 and its contrast Cq .
  • step S92 the control unit 51 may perform the same process as in step S75 of FIG. However, if the contrast C q is not greater than the contrast C q ⁇ 1 , the control unit 51 may proceed to step S88. On the other hand, if the contrast C q is larger than the contrast C q ⁇ 1 , the control unit 51 may proceed to step S93.
  • step S93 the control unit 51, as shown in Equation 62 may set the value of the timer T 3 to the relaxation time T i.
  • control unit 51 may perform the same process as in step S49 in FIG. 37, and may proceed to step S88.
  • control unit 51 may acquire the contrast C q in the image of the droplet 271 while measuring the elapsed time after the shift amount of the focus F is stabilized. Then, the control unit 51 may measure the relaxation time T i by specifying the elapsed time when the contrast C q is maximized. Then, the control unit 51 may store the measured relaxation time T i on the condition that a minimum time necessary for measuring the relaxation time T i is secured.
  • FIG. 41 is a diagram showing a flowchart of processing for obtaining the release time constant ⁇ shown in step S24 of FIG.
  • step S ⁇ b> 241 the control unit 51 may initialize parameters as indicated by the mathematical formula 63.
  • control unit 51 may calculate Formula 64.
  • control unit 51 may perform the same process as in step S227 of FIG.
  • step S244 the control unit 51 may determine whether or not the argument i is larger than i max using the mathematical formula 65. If the argument i is not greater than i max , the control unit 51 may proceed to step S242. On the other hand, if the argument i is larger than imax , the control unit 51 may proceed to step S245.
  • control unit 51 may determine and store the emission time constant ⁇ by the least square method, as shown in Expression 66.
  • control unit 51 may determine and store the emission time constant ⁇ from the power P i of the EUV light 251 and the relaxation time T i using the least square method.
  • the control unit 51 may determine the emission time constant ⁇ using a statistical method different from the least square method.
  • the EUV light generation apparatus is held by the combined lens barrel 477 when compared with the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment shown in FIG.
  • the transfer optical system 476 may be basically different in that it is held by the lens holder 479.
  • the group lens barrel 477 may be fixed to the plate 482 via two legs 484. Further, the optical shutter 475 may be fixed to the plate 482 via the leg portion 485, and the image sensor 471 as an image sensor may be fixed to the plate 482 via the leg portion 487, respectively. Similar to the configuration of FIG. 11, the plate 482 is moved by the stage 483.
  • the lens holder 479 may be fixed to the optical shutter 475 without being fixed to the plate 482.
  • one relay lens constituting the transfer optical system 476 may be held in the lens holder 479 so as to be movable in the optical axis direction, and may be applicable to focus adjustment.
  • the focus adjustment in this case is focus adjustment for forming an image reproduced and output on the reproduction surface 475b of the optical shutter 475 on the imaging surface 471a of the image sensor 471.
  • the image sensor 471 may be fixed to the plate 482 via the leg portion 487 so that there is no degree of freedom of rotation around the optical axis with respect to the lens holder 479.
  • the imaging optical system 472 constitutes a first imaging optical system in the present disclosure
  • the transfer optical system 476 constitutes a second imaging optical system in the present disclosure.
  • the group lens barrel 477 may be fixed to the plate 482 via one leg portion 484.
  • the control for capturing the image of the droplet 271 (see FIG. 2) existing in the plasma generation region 25 by the image sensor 471 in a correctly focused state is the same as that of the first embodiment. This can be done in the same manner as in the EUV light generation apparatus 1. That is, for example, the EUV energy measurement signal output from the first optical energy measuring device 7 may be sent to the control unit 51, and the control unit 51 may control the operation of the stage driving unit 512 based on the EUV energy measurement signal.
  • the imaging optical system 472, the optical shutter 475, the transfer optical system 476, and the image sensor 471 held by the group lens barrel 477 are moved in the optical axis direction of the imaging optical system 472 by the stage 483 as a whole.
  • the light receiving surface 475a of the optical shutter 475 may be in a state of being coincident with the image forming surface 472a of the image forming optical system 472.
  • the focused image of the droplet 271 is detected by the optical shutter 475 as the first image, and the same first image can be reproduced and output to the reproduction surface 475 b of the optical shutter 475.
  • the output first image can be formed as a second image on the imaging surface 471a of the image sensor 471 by the transfer optical system 476. In this way, finally, the image of the focused droplet 271 can be captured by the image sensor 471.
  • the EUV light generation apparatus of the fourth embodiment basically the same operational effects as those in the EUV light generation apparatus of the first embodiment can be obtained.
  • harmful light can be cut by the optical filter 478 when the image of the droplet 271 is captured by the image sensor 471.
  • the harmful light include, but are not limited to, light emitted from the illumination unit 410 in the droplet detector 41 illustrated in FIG.
  • the optical filter 478 may be, for example, a band pass filter, a notch filter, a neutral density filter, or the like, but is not limited thereto.
  • the optical filter 478 may be directly attached to the group lens barrel 477 as shown in FIG. 42, or may be attached to the group lens barrel 477 while being housed in a dedicated optical filter holder.
  • the EUV light generation apparatus according to the fifth embodiment is basically different from the EUV light generation apparatus according to the fourth embodiment shown in FIG. 42 in that the transfer optical system 476 is omitted. May be different. That is, the image sensor 471 may be disposed in a state where the imaging surface 471a is in close contact with the reproduction surface 475b of the optical shutter 475.
  • the control for capturing an image of the droplet 271 (see FIG. 2) existing in the plasma generation region 25 by the image sensor 471 in a correctly focused state is as follows. This can be done in the same manner as in the EUV light generation apparatus of the fourth embodiment. That is, for example, the EUV energy measurement signal output from the first optical energy measuring device 7 may be sent to the control unit 51, and the control unit 51 may control the operation of the stage driving unit 512 based on the EUV energy measurement signal.
  • the imaging optical system 472, the optical shutter 475, and the image sensor 471 held by the group lens barrel 477 are moved by the stage 483 as a whole in the optical axis direction of the imaging optical system 472, and the optical shutter 475
  • the light receiving surface 475a may coincide with the image forming surface 472a of the image forming optical system 472.
  • the focused image of the droplet 271 is detected by the optical shutter 475, and the same image is reproduced and output to the reproduction surface 475b of the optical shutter 475.
  • the output image is output by the imaging surface 471a of the image sensor 471. Can be imaged. In this way, finally, the image of the focused droplet 271 can be captured by the image sensor 471.
  • the EUV light generation apparatus according to the sixth embodiment is different from the EUV light generation apparatus according to the fourth embodiment shown in FIG. 42 in that the optical shutter 475 and the transfer optical system 476 are omitted. It may be basically different. That is, the image sensor 471 may be held integrally with the group lens barrel 477 that holds the imaging optical system 472.
  • the control for capturing the image of the droplet 271 (see FIG. 2) existing in the plasma generation region 25 by the image sensor 471 in a correctly focused state is as follows. This can be done in the same manner as in the EUV light generation apparatus of the fourth embodiment. That is, for example, the EUV energy measurement signal output from the first optical energy measuring device 7 may be sent to the control unit 51, and the control unit 51 may control the operation of the stage driving unit 512 based on the EUV energy measurement signal.
  • the imaging optical system 472 and the image sensor 471 held by the group lens barrel 477 are moved in the entire optical axis direction of the imaging optical system 472 by the stage 483, and the imaging surface 471a of the image sensor 471 is moved.
  • the imaging optical system 472 may coincide with the imaging surface 472a.
  • the focused image of the droplet 271 can be formed on the imaging surface 471a of the image sensor 471 and captured by the image sensor 471.
  • the entire imaging optical system 472 is moved, and in addition to the plurality of lenses constituting the imaging optical system 472. You may make it move only a part. In that case, a focusing lens is arranged between the lens closest to the plasma generation region 25 of the imaging optical system 472 and the lens closest to the image sensor 471, and only the lens is moved. May be. Further, instead of moving the whole or a part of the imaging optical system 472, in addition to the movement, the image sensor 471 is moved in the optical axis direction of the imaging optical system 472 to perform focusing. Also good.
  • the above points are the same in other embodiments.
  • the EUV light generation apparatus of the seventh embodiment Compared with the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment shown in FIG. 11, the EUV light generation apparatus of the seventh embodiment, the main part of which is shown in FIG. 45, has imaging optics on the plate 482 moved by the stage 483. It may be different in that only the system 472 is fixed. That is, the optical shutter 475, the transfer optical system 476, and the image sensor 471 may be fixed on a bracket 488 different from the plate 482.
  • the leg portion 484 for fixing the imaging optical system 472 on the plate 482 may be the same as the holder 11 shown in FIG.
  • the leg portions 485, 486, and 487 for fixing the optical shutter 475, the transfer optical system 476, and the image sensor 471 on the bracket 488 may be the same as the holder 11.
  • the imaging optical system 472 constitutes a first imaging optical system in the present disclosure
  • the transfer optical system 476 constitutes a second imaging optical system in the present disclosure.
  • the control for capturing the image of the droplet 271 (see FIG. 2) existing in the plasma generation region 25 by the image sensor 471 in a correctly focused state is the same as that of the first embodiment. This can be done in the same manner as in the EUV light generation apparatus 1. That is, for example, the EUV energy measurement signal output from the first optical energy measuring device 7 may be sent to the control unit 51, and the control unit 51 may control the operation of the stage driving unit 512 based on the EUV energy measurement signal.
  • the imaging optical system 472 is moved entirely in the optical axis direction of the imaging optical system 472 by the stage 483, and the imaging surface 472 a of the imaging optical system 472 coincides with the light receiving surface 475 a of the optical shutter 475. It may be said.
  • the focused image of the droplet 271 is detected by the optical shutter 475 as the first image, and the same first image can be reproduced and output to the reproduction surface 475 b of the optical shutter 475.
  • the output first image can be formed as a second image on the imaging surface 471a of the image sensor 471 by the transfer optical system 476. In this way, finally, the image of the focused droplet 271 can be captured by the image sensor 471.
  • the EUV light generation apparatus of the seventh embodiment basically the same operational effects as in the EUV light generation apparatus of the first embodiment can be obtained.
  • the control by the control unit 51 can be performed at a higher speed than in the first embodiment.
  • the EUV light generation apparatus of the eighth embodiment is basically different from the EUV light generation apparatus of the seventh embodiment shown in FIG. 45 in that the transfer optical system 476 is omitted. May be different. That is, the image sensor 471 may be disposed in a state where the imaging surface 471a is in close contact with the reproduction surface 475b of the optical shutter 475.
  • the control for capturing the image of the droplet 271 (see FIG. 2) existing in the plasma generation region 25 by the image sensor 471 in a correctly focused state is as follows. This can be done in the same manner as in the EUV light generation apparatus of the seventh embodiment. That is, for example, the EUV energy measurement signal output from the first optical energy measuring device 7 may be sent to the control unit 51, and the control unit 51 may control the operation of the stage driving unit 512 based on the EUV energy measurement signal.
  • the imaging optical system 472 may be moved in the optical axis direction by the stage 483 so that the imaging surface 472a of the imaging optical system 472 coincides with the light receiving surface 475a of the optical shutter 475.
  • the focused image of the droplet 271 is detected by the optical shutter 475, the same image is reproduced and output to the reproduction surface 475b of the optical shutter 475, and the output image is output by the imaging surface 471a of the image sensor 471. Can be imaged. In this way, finally, the image of the focused droplet 271 can be captured by the image sensor 471.
  • the EUV light generation apparatus of the ninth embodiment is different from the EUV light generation apparatus of the seventh embodiment shown in FIG. 45 in that the optical shutter 475 and the transfer optical system 476 are omitted. It may be basically different. That is, the image sensor 471 may be fixed to the bracket 488 so as to face the imaging optical system 47 directly.
  • the control for capturing the image of the droplet 271 (see FIG. 2) present in the plasma generation region 25 by the image sensor 471 in a correctly focused state is as follows. This can be done in the same manner as in the EUV light generation apparatus of the seventh embodiment. That is, for example, the EUV energy measurement signal output from the first optical energy measuring device 7 may be sent to the control unit 51, and the control unit 51 may control the operation of the stage driving unit 512 based on the EUV energy measurement signal. Accordingly, the imaging optical system 472 may be moved in the optical axis direction by the stage 483 so that the imaging surface 472a of the imaging optical system 472 coincides with the imaging surface 471a of the image sensor 471.
  • the focused image of the droplet 271 can be formed on the imaging surface 471a of the image sensor 471 and captured by the image sensor 471.
  • the image of the droplet 271 is focused by moving the two lenses of the imaging optical system 472 in the optical axis direction by the stage 483. It is not limited to these embodiments.
  • the image of the droplet 271 may be focused by moving at least one of the two lenses of the imaging lens optical system 472 in the optical axis direction with a stage.
  • the optical shutter 475, the transfer lens 476, and the image sensor 471 are fixed to one plate without moving the imaging optical system 472, and the imaging optical system
  • the image of the droplet 271 may be focused by moving in the direction of the optical axis 472.
  • the image sensor 471 is fixed to one plate without moving the imaging optical system 472, and moved in the optical axis direction of the imaging optical system 472. The image of the droplet 271 may be focused.
  • FIG. 48 is a block diagram illustrating an example hardware environment in which various aspects of the disclosed subject matter may be implemented.
  • 48 includes a processing unit 1000, a storage unit 1005, a user interface 1010, a parallel I / O controller 1020, a serial I / O controller 1030, A / D, and D / A.
  • the converter 1040 may be included, the configuration of the hardware environment 100 is not limited to this.
  • the processing unit 1000 may include a central processing unit (CPU) 1001, a memory 1002, a timer 1003, and an image processing unit (GPU) 1004.
  • the memory 1002 may include random access memory (RAM) and read only memory (ROM).
  • the CPU 1001 may be any commercially available processor. A dual microprocessor or other multiprocessor architecture may be used as the CPU 1001.
  • FIG. 48 may be interconnected to perform the processes described in this disclosure.
  • the processing unit 1000 may read and execute a program stored in the storage unit 1005, or the processing unit 1000 may read data together with the program from the storage unit 1005.
  • the unit 1000 may write data to the storage unit 1005.
  • the CPU 1001 may execute a program read from the storage unit 1005.
  • the memory 1002 may be a work area for temporarily storing programs executed by the CPU 1001 and data used for the operation of the CPU 1001.
  • the timer 1003 may measure the time interval and output the measurement result to the CPU 1001 according to the execution of the program.
  • the GPU 1004 may process the image data according to a program read from the storage unit 1005 and output the processing result to the CPU 1001.
  • the parallel I / O controller 1020 may be connected to parallel I / O devices that can communicate with the processing unit 1000, such as the EUV light generation control unit 5, the control unit 51, and the stage driving unit 512. You may control communication between parallel I / O devices.
  • the serial I / O controller 1030 is a serial I that can communicate with the processing unit 1000 such as the target supply unit 26, the laser beam traveling direction control unit 34, the light source 411, the signal processing unit 435, the light source 451, the image sensor 471, and the stage 483. / O devices may be connected, and communication between the processing unit 1000 and these serial I / O devices may be controlled.
  • the A / D and D / A converter 1040 may be connected to analog devices such as the target sensor 4, the optical sensor 431, the EUV energy sensor 71, the laser energy sensor 81, and the optical energy sensor 91 via an analog port. Communication between the processing unit 1000 and these analog devices may be controlled, or A / D and D / A conversion of communication contents may be performed.
  • the user interface 1010 may display the progress of the program executed by the processing unit 1000 to the operator so that the operator can instruct the processing unit 1000 to stop the program or execute the interrupt routine.
  • the exemplary hardware environment 100 may be applied to the configurations of the EUV light generation control unit 5, the control unit 51, the stage driving unit 512, and the like in the present disclosure.
  • controllers may be implemented in a distributed computing environment, i.e., an environment where tasks are performed by processing units connected via a communications network.
  • the EUV light generation control unit 5, the control unit 51, the stage drive unit 512, and the like may be connected to each other via a communication network such as Ethernet or the Internet.
  • program modules may be stored in both local and remote memory storage devices.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Optics & Photonics (AREA)
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

極端紫外光生成装置は、内部の所定領域に供給されたドロップレットから極端紫外光が生成されるチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記所定領域に供給された前記ドロップレットの像を結像させる結像光学系と、前記結像された像を撮像する撮像素子と、前記結像光学系の少なくとも一部および／または前記撮像素子を、結像光学系の光軸方向に移動させるステージと、前記極端紫外光が生成される際に発生する光エネルギを計測する光エネルギ計測器と、前記光エネルギ計測器によって計測された前記光エネルギの計測値に基づいて、前記結像光学系による前記ドロップレットの結像面が前記撮像素子の撮像面と一致するように前記ステージを制御する制御部と、を備えてもよい。

Description

極端紫外光生成装置
　本開示は、極端紫外光生成装置に関する。 
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。 
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。 
特開２０１４－２３２１６７号公報 特開２００６－１６３０６０号公報 国際公開第２０１５／０４１２６０号
概要
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部の所定領域に供給されたドロップレットから極端紫外光が生成されるチャンバと、チャンバに設けられ、所定領域に供給されたドロップレットの像を結像させる結像光学系と、結像された像を撮像する撮像素子と、結像光学系の少なくとも一部および／または撮像素子を、結像光学系の光軸方向に移動させるステージと、極端紫外光が生成される際に発生する光エネルギを計測する光エネルギ計測器と、光エネルギ計測器によって計測された光エネルギの計測値に基づいて、結像光学系によるドロップレットの位置の結像面が撮像素子の撮像面と一致するようにステージを制御する制御部と、を備えてもよい。 
　本開示の別の観点に係る極端紫外光生成装置は、内部の所定領域に供給されたドロップレットから極端紫外光が生成されるチャンバと、チャンバに設けられ、所定領域に供給されたドロップレットの像を結像させる第１の結像光学系と、結像された第１の像を検出する受光面を有して、同じ第１の像を出力する光シャッタと、光シャッタから出力された第１の像を撮像する撮像素子と、第１の結像光学系の少なくとも一部および／または前記光シャッタを、第１の結像光学系の光軸方向に移動させるステージと、極端紫外光が生成される際に発生する光エネルギを計測する光エネルギ計測器と、光エネルギ計測器によって計測された光エネルギの計測値に基づいて、第１の結像光学系による前記ドロップレットの結像面が光シャッタの受光面と一致するようにステージを制御する制御部と、を備えてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。 
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図３は、比較例のＥＵＶ光生成装置の課題を説明するための図を示す。 図４は、比較例に係る撮像部の初期状態を説明するための図を示す。 図５は、図４に示された状態において、撮像部によって取得されたドロップレットの画像を示す。 図６は、ウインドウに熱レンズ効果及び熱変形が発生することに起因して、比較例に係る撮像部の焦点がシフトした状態を説明するための図を示す。 図７は、結像光学系に熱レンズ効果及び熱変形が発生することに起因して、比較例に係る撮像部の焦点がシフトした状態を説明するための図を示す。 図８は、結像光学系の雰囲気に熱レンズ効果が発生することに起因して、比較例に係る撮像部の焦点がシフトした状態を説明するための図を示す。 図９は、チャンバの壁が熱変形することに起因して、比較例に係る撮像部の焦点がシフトした状態を説明するための図を示す。 図１０は、図６乃至図９の少なくとも１つに示された状態において、比較例に係る撮像部によって取得されたドロップレットの画像を示す。 図１１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１２は、第１実施形態に係る撮像部の初期状態を説明するための図を示す。 図１３は、ＥＵＶ光が生成される際に撮像部の焦点がシフトした状態を説明するための図を示す。 図１４は、シフトした撮像部の焦点の位置を補正した状態を説明するための図を示す。 図１５は、焦点の位置の補正に関する処理のフローチャートを示す図である。 図１６は、図１５のステップＳ１に示されたステージの初期位置を決定する処理のフローチャートを示す図である。 図１７は、スキャン回数ｋがｋ０である場合に、撮像部によって取得された画像を示す。 図１８は、スキャン回数ｋがｋｐである場合に、撮像部によって取得された画像を示す。 図１９は、スキャン回数ｋがｋｍａｘである場合に、撮像部によって取得され画像を示す。 図２０は、スキャン回数ｋがｋｑである場合に、撮像部によって取得された画像を示す。 図２１は、スキャン回数ｋがｋｒである場合に、撮像部によって取得された画像を示す。 図２２は、図１７に示された画像のうち、ｚ軸上で検出される照明光の光強度を説明するための図を示す。 図２３は、図１８に示された画像のうち、ｚ軸上で検出される照明光の光強度を説明するための図を示す。 図２４は、図１９に示された画像のうち、ｚ軸上で検出される照明光の光強度を説明するための図を示す。 図２５は、図２０に示された画像のうち、ｚ軸上で検出される照明光の光強度を説明するための図を示す。 図２６は、図２１に示された画像のうち、ｚ軸上で検出される照明光の光強度を説明するための図を示す。 図２７は、図１５のステップＳ１１に示されたステージの駆動量ΔＸを決定する処理のフローチャートを示す図である。 図２８は、ＥＵＶ光生成装置内に蓄積された熱エネルギの蓄積量Ｑと撮像部の焦点の位置Ｘ（Ｑ）との関係を説明するための図を示す。 図２９は、図２８に示された関係に相当する熱エネルギの蓄積量Ｑｉと焦点の位置Ｘｉとの対応関係を示すデータテーブル並びに放出時定数τを取得するために行われるバースト運転を説明するための図を示す。 図３０は、図２９に示されたバースト運転によってシフトする焦点のシフト量ΔＸｓｆｔを説明するための図を示す。 図３１は、図２９に示されたバースト運転によって取得されるデータテーブルを説明するための図を示す。 図３２は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図３３は、図３１に示されたデータテーブル並びに放出時定数τの取得に関して、制御部が行う処理のフローチャートを示す図である。 図３４は、図３３のステップＳ２１に示された、ＥＵＶ光の生成前の状態での焦点の位置Ｘｏｒｇを計測する処理のフローチャートを示す図である。 図３５は、図３３のステップＳ２２に示された、パワーＰｉにおける焦点の位置Ｘｉを計測する処理のフローチャートを示す図である。 図３６は、図３５のステップＳ２２４に示された、パルス数Ｎｅｑｕｉｖを計測する処理のフローチャートを示す図である。 図３７は、図３６のステップＳ３２に示された、焦点のシフト量が安定化したかを確認する処理のフローチャートを示す図である。 図３８は、図３５のステップＳ２２５に示された、コントラストを取得して位置Ｘｉを計測する処理のフローチャートを示す図である。 図３９は、図３３のステップＳ２３に示された、緩和時間Ｔｉを計測する処理のフローチャートを示す図である。 図４０は、図３９のステップＳ２３５に示された、コントラストを取得して位置Ｘｉにおける緩和時間Ｔｉを計測する処理のフローチャートを示す図である。 図４１は、図３３のステップＳ２４に示された、放出時定数τを取得する処理のフローチャートを示す図である。 図４２は、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の要部の構成を説明するための図を示す。 図４３は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の要部の構成を説明するための図を示す。 図４４は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の要部の構成を説明するための図を示す。 図４５は、第７実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の要部の構成を説明するための図を示す。 図４６は、第８実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の要部の構成を説明するための図を示す。 図４７は、第９実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の要部の構成を説明するための図を示す。 図４８は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。
実施形態
＜内容＞ 
　１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明 
　　１．１　構成 
　　１．２　動作 
　２．用語の説明 
　３．課題 
　　３．１　比較例の構成 
　　３．２　比較例の動作 
　　３．３　課題 
　４．第１実施形態 
　　４．１　構成 
　　４．２　動作 
　　４．３　蓄積量Ｑｉ及び位置Ｘｉのデータテーブル並びに放出時定数τの取得 
　　４．４　作用効果 
　５．第２実施形態 
　６．第３実施形態 
　７．蓄積量Ｑｉ及び位置Ｘｉのデータテーブル並びに放出時定数τの取得に関する制御部の処理 
　８．第４実施形態 
　　８．１　構成 
　　８．２　動作 
　　８．３　作用効果
　９．第５実施形態 
　　９．１　構成 
　　９．２　動作 
　　９．３　作用効果
　１０．第６実施形態 
　　１０．１　構成 
　　１０．２　動作 
　　１０．３　作用効果
　１１．第７実施形態
　　１１．１　構成 
　　１１．２　動作 
　　１１．３　作用効果
　１２．第８実施形態
　　１２．１　構成 
　　１２．２　動作 
　　１２．３　作用効果
　１３．第９実施形態
　　１３．１　構成 
　　１３．２　動作 
　　１３．３　作用効果
　１４．その他 
　　１４．１　各制御部のハードウェア環境 
　　１４．２　その他の変形例等 
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。 
［１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］ 
　［１．１　構成］ 
　図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 
　ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給器２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給器２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給器２６から供給されるターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。 
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。 
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。 
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。 
　更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収器２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。 
　［１．２　動作］ 
　図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。 
　ターゲット供給器２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。 
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の出力タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。 
［２．用語の説明］ 
　「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放出する。 
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されるターゲットの一形態である。 
　「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。 
　「ドロップレット軌道」は、チャンバ内に出力されたドロップレットが進行する経路である。ドロップレット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差してもよい。 
　「光路軸」は、光の進行方向に沿って光のビーム断面の中心を通る軸である。 
　「光路」は、光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。 
　「Ｚ軸方向」は、ＥＵＶ光生成装置がＥＵＶ光を出力する方向である。すなわち、Ｚ軸方向は、ＥＵＶ光生成装置のチャンバから露光装置へＥＵＶ光が出力される方向である。 
　「Ｙ軸方向」は、ターゲット供給器がチャンバ内にターゲットを出力する方向である。 
　「Ｘ軸方向」は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に直交する方向である。 
［３．課題］ 
　図２乃至図１０を用いて、比較例のＥＵＶ光生成装置１について説明する。 
　比較例のＥＵＶ光生成装置１は、画像計測器４５を含むＥＵＶ光生成装置１であってもよい。 
　［３．１　比較例の構成］ 
　図２は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。 
　比較例のＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、レーザ光進行方向制御部３４と、ビームスプリッタ３４１と、ミラー３４２と、レーザ光集光ミラー２２と、ターゲット供給器２６と、ターゲット回収器２８とを備えてもよい。加えて、比較例のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４１と、画像計測器４５と、第１光エネルギ計測器７と、第２光エネルギ計測器８と、ＥＵＶ光生成制御部５と、制御部５１とを備えてもよい。 
　チャンバ２は、上述のように、ターゲット供給器２６によって内部に供給されたドロップレット２７１にパルスレーザ光３３が照射されることで、ドロップレット２７１からプラズマが生成され、ＥＵＶ光２５２が生成される容器であってもよい。 
　チャンバ２の壁２ａは、チャンバ２の内部空間を形成し、チャンバ２の内部空間を外界から隔絶してもよい。 
　レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１がパルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過するよう、パルスレーザ光３１の進行方向を制御してもよい。 
　レーザ光進行方向制御部３４の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。 
　ビームスプリッタ３４１は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１の光路上であってレーザ装置３とミラー３４２との間に配置されてもよい。 
　ビームスプリッタ３４１は、パルスレーザ光３１の一部を第２光エネルギ計測器８に向けて透過させ、パルスレーザ光３１の他の一部をミラー３４２に向けて反射してもよい。 
　ビームスプリッタ３４１は、レーザ光進行方向制御部３４内に含まれてもよい。 
　ミラー３４２は、ビームスプリッタ３４１で反射されたパルスレーザ光３１の光路上に配置されてもよい。 
　ミラー３４２は、ビームスプリッタ３４１で反射されたパルスレーザ光３１を、ウインドウ２１に向けて反射してもよい。 
　ミラー３４２は、レーザ光進行方向制御部３４内に含まれてもよい。 
　レーザ光集光ミラー２２は、ウインドウ２１を透過したパルスレーザ光３２を、プラズマ生成領域２５に向けて反射してもよい。レーザ光集光ミラー２２は、反射されたパルスレーザ光３２をパルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光してもよい。 
　レーザ光集光ミラー２２は、その位置及び姿勢を調整する不図示のステージに搭載されてもよい。 
　ターゲット供給器２６は、チャンバ２内に供給されるターゲット２７を溶融させ、ドロップレット２７１としてチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向けて出力する機器であってもよい。ターゲット供給器２６は、いわゆるコンティニュアスジェット方式でドロップレット２７１を出力する機器であってもよい。 
　ターゲット供給器２６が供給するターゲット２７は、金属材料で形成されてもよい。ターゲット２７を形成する金属材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含む材料であってもよい。好適には、ターゲット２７を形成する金属材料は、スズであってもよい。 
　ターゲット供給器２６は、チャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。 
　ターゲット供給器２６の動作は、制御部５１によって制御されてもよい。 
　ターゲット回収器２８は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１のうち、パルスレーザ光３３が照射されなかったドロップレット２７１を回収する機器であってもよい。 
　ターゲット回収器２８は、ドロップレット軌道Ｔの延長線上にあるチャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。 
　ドロップレット検出器４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１を検出する検出器であってもよい。 
　具体的には、ドロップレット検出器４１は、チャンバ２内の所定位置にある所定の検出領域Ｒをドロップレット２７１が通過したタイミングを検出する検出器であってもよい。検出領域Ｒがある所定位置は、ターゲット供給器２６とプラズマ生成領域２５との間にあるドロップレット軌道Ｔ上の位置であってもよい。 
　ドロップレット検出器４１は、照明部４１０と、受光部４３０と、ウインドウ４１４と、ウインドウ４３４とを含んでもよい。 
　照明部４１０及び受光部４３０は、それぞれウインドウ４１４及びウインドウ４３４を介して、チャンバ２の壁２ａに接続されてもよい。 
　照明部４１０及び受光部４３０は、ドロップレット軌道Ｔ上の検出領域Ｒを挟んで互いに対向するように配置されてもよい。照明部４１０及び受光部４３０の対向方向は、ドロップレット軌道Ｔと略直交してもよい。 
　照明部４１０は、チャンバ２内の検出領域Ｒに照明光を出力してもよい。 
　照明部４１０は、光源４１１と、照明光学系４１２と、光学フィルタ４１３とを含んでもよい。 
　光源４１１は、検出領域Ｒを通過するドロップレット２７１を照明するように照明光を出力する光源であってもよい。 
　光源４１１は、連続光を出力するＣＷ（Continuous Wave）レーザ等から構成されてもよい。或いは、光源４１１は、パルス光を連続的に出力する光源から構成されてもよい。 
　照明光学系４１２は、集光レンズ等を含む光学系から構成されてもよい。この集光レンズは、例えばシリンドリカルレンズであってもよい。 
　照明光学系４１２は、光源４１１から出力された照明光の光路上に配置されてもよい。 
　照明光学系４１２は、光源４１１から出力された照明光を透過させ、光学フィルタ４１３に導いてもよい。照明光学系４１２は、光源４１１から出力された照明光を整形し、光学フィルタ４１３及びウインドウ４１４を介して、検出領域Ｒに集光してもよい。 
　光学フィルタ４１３は、光源４１１から出力される照明光の波長に対して高い透過率を有すると共に、プラズマから放出される光の波長の多くに対して低い透過率を有する光学フィルタであってもよい。 
　光学フィルタ４１３は、光源４１１から出力される照明光の波長に対して高い透過率を有するバンドパスフィルタであってもよい。 
　光学フィルタ４１３は、照明光学系４１２を透過した照明光の光路上に配置されてもよい。 
　光学フィルタ４１３は、照明光学系４１２を透過した照明光をウインドウ４１４に向けて透過させてもよい。光学フィルタ４１３は、プラズマから放出された光が、照明光学系４１２を介して光源４１１に入射することを抑制してもよい。 
　ウインドウ４１４は、チャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。ウインドウ４１４は、チャンバ２内の圧力が真空に近い圧力に保たれるよう、不図示のシール部材を介してチャンバ２の壁２ａに取り付けられてもよい。 
　ウインドウ４１４は、光学フィルタ４１３を透過した照明光の光路上に配置されてもよい。ウインドウ４１４は、検出領域Ｒと対向するように配置されてもよい。ウインドウ４１４は、検出領域Ｒを挟んでウインドウ４３４と対向するように配置されてもよい。 
　ウインドウ４１４は、光学フィルタ４１３を透過した照明光を検出領域Ｒに向けて透過させてもよい。 
　受光部４３０は、検出領域Ｒに出力された照明光を受光してもよい。 
　受光部４３０は、光センサ４３１と、受光光学系４３２と、光学フィルタ４３３と、信号処理部４３５とを含んでもよい。 
　ウインドウ４３４は、チャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。ウインドウ４３４は、チャンバ２内の圧力が真空に近い圧力に保たれるよう、不図示のシール部材を介してチャンバ２の壁２ａに取り付けられてもよい。 
　ウインドウ４３４は、検出領域Ｒと対向するように配置されてもよい。ウインドウ４３４は、検出領域Ｒを挟んでウインドウ４１４と対向するように配置されてもよい。 
　ウインドウ４３４は、検出領域Ｒに出力された照明光の光路上に配置されてもよい。 
　ウインドウ４３４は、検出領域Ｒに出力された照明光を光学フィルタ４３３に向けて透過させてもよい。 
　光学フィルタ４３３は、光源４１１から出力される照明光の波長に対して高い透過率を有すると共に、プラズマから放出される光の波長の多くに対して低い透過率を有する光学フィルタであってもよい。 
　光学フィルタ４３３は、光源４１１から出力される照明光の波長に対して高い透過率を有するバンドパスフィルタであってもよい。 
　光学フィルタ４３３は、ウインドウ４３４を透過した照明光の光路上に配置されてもよい。 
　光学フィルタ４３３は、ウインドウ４３４を透過した照明光を受光光学系４３２に向けて透過させてもよい。光学フィルタ４３３は、プラズマから放出された光が、受光光学系４３２を介して光センサ４３１に入射することを抑制してもよい。 
　受光光学系４３２は、コリメータ等の光学系であってもよく、レンズ等の光学素子から構成されてもよい。 
　受光光学系４３２は、光学フィルタ４３３を透過した照明光の光路上に配置されてもよい。 
　受光光学系４３２は、光学フィルタ４３３を透過した照明光を透過させ、光センサ４３１に導いてもよい。受光光学系４３２は、光学フィルタ４３３を透過した照明光を整形し、光センサ４３１の検出面に導いてもよい。受光光学系４３２は、検出領域Ｒに出力された照明光の検出領域Ｒでの像を、光センサ４３１の検出面に結像してもよい。 
　光センサ４３１は、検出領域Ｒを通過するドロップレット２７１を照明するように出力された照明光を検出することで、検出領域Ｒを通過するドロップレット２７１を検出してもよい。 
　光センサ４３１は、単一チャンネルを有する光センサであってもよい。或いは、光センサ４３１は、１次元又は２次元に配列された複数チャンネルを有する光センサであってもよい。 
　光センサ４３１は、フォトダイオードアレイ、光電子増倍管及びマルチピクセルフォトカウンタ等の検出素子を含んで構成されてもよい。 
　光センサ４３１は、受光光学系４３２を透過した照明光の光路上に配置されてもよい。 
　光センサ４３１は、受光光学系４３２によって結像された照明光の像が示す光強度を検出してもよい。光センサ４３１で検出される照明光の光強度は、ドロップレット２７１が検出領域Ｒを通過する毎に変化してもよい。光センサ４３１は、検出された照明光の光強度を電圧値に変換して当該光強度の変化に応じた検出信号を生成し、信号処理部４３５に送信してもよい。 
　信号処理部４３５は、光センサ４３１からの検出信号を受信してもよい。 
　信号処理部４３５は、光センサ４３１からの検出信号が所定の閾値より低くなったタイミングで、ドロップレット検出信号を生成してもよい。 
　ドロップレット検出信号は、ドロップレット２７１が検出領域Ｒを通過したことを示す信号であってもよい。 
　信号処理部４３５は、生成されたドロップレット検出信号を制御部５１に送信してもよい。 
　画像計測器４５は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１を撮像し、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を計測する計測器であってもよい。 
　プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態とは、例えば、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１のサイズ、形状、位置及び速度等の力学的状態であってもよい。 
　画像計測器４５は、照明部４５０と、撮像部４７０と、ウインドウ４５４と、ウインドウ４７４とを含んでもよい。 
　照明部４５０及び撮像部４７０は、それぞれウインドウ４５４及びウインドウ４７４を介して、チャンバ２の壁２ａに接続されてもよい。 
　照明部４５０及び撮像部４７０は、プラズマ生成領域２５を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。照明部４５０及び撮像部４７０の対向方向は、ドロップレット軌道Ｔと略直交してもよい。 
　照明部４５０は、プラズマ生成領域２５に照明光を出力してもよい。 
　照明部４５０は、光源４５１と、照明光学系４５２とを含んでもよい。 
　光源４５１は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１を照明するようプラズマ生成領域２５に照明光を出力する光源であってもよい。 
　光源４５１は、フラッシュランプ及びレーザ等のパルス光を出力する光源から構成されてもよい。 
　光源４５１の動作は、制御部５１によって制御されてもよい。 
　照明光学系４５２は、コリメータ等の光学系であってもよく、レンズ等の光学素子から構成されてもよい。 
　照明光学系４５２は、光源４５１から出力された照明光の光路上に配置されてもよい。 
　照明光学系４５２は、光源４５１から出力された照明光を透過させ、ウインドウ４５４に導いてもよい。照明光学系４５２は、光源４５１から出力された照明光を整形し、ウインドウ４５４を介してプラズマ生成領域２５に導いてもよい。 
　ウインドウ４５４は、チャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。ウインドウ４５４は、チャンバ２内の圧力が真空に近い圧力に保たれるよう、不図示のシール部材を介してチャンバ２の壁２ａに取り付けられてもよい。 
　ウインドウ４５４は、照明光学系４５２を透過した照明光の光路上に配置されてもよい。ウインドウ４５４は、プラズマ生成領域２５と対向するように配置されてもよい。ウインドウ４５４は、プラズマ生成領域２５を挟んでウインドウ４７４と対向するように配置されてもよい。 
　ウインドウ４５４は、照明光学系４５２を透過した照明光をプラズマ生成領域２５に向けて透過させてもよい。 
　撮像部４７０は、プラズマ生成領域２５を撮像してもよい。撮像部４７０は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１を撮像してもよい。 
　撮像部４７０は、画像センサ４７１と、結像光学系４７２と、光学フィルタ４７３と、ウインドウ４７４と、光シャッタ４７５と、転写光学系４７６とを含んでもよい。 なお、結像光学系４７２は本開示における第１の結像光学系を構成し、転写光学系４７６は本開示における第２の結像光学系を構成してもよい。
　ウインドウ４７４は、チャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。ウインドウ４７４は、チャンバ２内の圧力が真空に近い圧力に保たれるよう、不図示のシール部材を介してチャンバ２の壁２ａに取り付けられてもよい。 
　ウインドウ４７４は、プラズマ生成領域２５と対向するように配置されてもよい。ウインドウ４７４は、プラズマ生成領域２５を挟んでウインドウ４５４と対向するように配置されてもよい。 
　ウインドウ４７４は、プラズマ生成領域２５に出力された照明光の光路上に配置されてもよい。 
　ウインドウ４７４は、プラズマ生成領域２５に出力された照明光を光学フィルタ４７３に向けて透過させてもよい。 
　なお、ウインドウ４７４は、撮像部４７０に含まれてもよい。 
　光学フィルタ４７３は、光源４５１から出力される照明光の波長に対して高い透過率を有すると共に、プラズマから放出される光の波長の多くに対して低い透過率を有する光学フィルタであってもよい。 
　光学フィルタ４７３は、プラズマから放出される光の波長の多くに対して低い透過率を有するノッチフィルタであってもよい。 
　光学フィルタ４７３は、ウインドウ４７４を透過した照明光の光路上に配置されてもよい。 
　光学フィルタ４７３は、ウインドウ４７４を透過した照明光を結像光学系４７２に向けて透過させてもよい。光学フィルタ４７３は、プラズマから放出された光が、結像光学系４７２、光シャッタ４７５及び転写光学系４７６を介して、画像センサ４７１に入射することを抑制してもよい。 
　結像光学系４７２は、複数のレンズを組み合わせた光学系から構成されてもよい。 
　結像光学系４７２は、光学フィルタ４７３を透過した照明光の光路上に配置されてもよい。結像光学系４７２は、ウインドウ４７４に離間して配置され得る。 
　結像光学系４７２は、その最もプラズマ生成領域２５側のレンズの焦点が、プラズマ生成領域２５と合うように配置されてもよい。結像光学系４７２は、そのプラズマ生成領域２５側のレンズの焦点が、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置と合うように配置されてもよい。上記焦点については、以下において焦点Ｆと称することとする。
　結像光学系４７２は、光学フィルタ４７３を透過した照明光を透過させ、光シャッタ４７５に導いてもよい。結像光学系４７２は、光学フィルタ４７３を透過した照明光を整形し、光シャッタ４７５の入射側の面に集光してもよい。結像光学系４７２は、プラズマ生成領域２５に出力された照明光のプラズマ生成領域２５での像を、光シャッタ４７５の入射側の面に結像してもよい。 
　光シャッタ４７５は、その開閉動作によって、結像光学系４７２を透過した光の通過を規制してもよい。 
　光シャッタ４７５は、結像光学系４７２を透過した照明光の光路上に配置されてもよい。 
　光シャッタ４７５は、イメージインテンシファイア等の高速で開閉動作が可能なシャッタから構成されてもよい。 イメージインテンシファイアは、入射側に光電面と、電子の通過を制御する逆バイアス印加部と、電子の増倍を制御するマルチチャンネルプレートと、電子を光に変換する蛍光面と、を含む。マルチチャンネルプレートの電位を高速に変化させることによって、高速シャッタの動作が可能となる。さらに、イメージインテンシファイアは、シャッタが開いている時間の入射側の光電面に結像した像を蛍光面に再生出力する。
　光シャッタ４７５は、開状態では、結像光学系４７２を透過した照明光を通過させてもよい。光シャッタ４７５は、開状態では、結像光学系４７２によって光シャッタ４７５の入射側の面に結像された照明光のプラズマ生成領域２５での像を、光シャッタ４７５の出射側の面に再生出力してもよい。 
　光シャッタ４７５は、閉状態では、結像光学系４７２を透過した照明光の通過を抑制してもよい。 
　光シャッタ４７５の動作は、制御部５１によって制御されてもよい。 
　転写光学系４７６は、集光レンズ等を含む光学系から構成されてもよい。 
　転写光学系４７６は、光シャッタ４７５を通過した照明光の光路上に配置されてもよい。 
　転写光学系４７６は、光シャッタ４７５を通過した照明光を透過させ、画像センサ４７１に導いてもよい。転写光学系４７６は、光シャッタ４７５の出射側の面に結像された照明光のプラズマ生成領域２５での像を、画像センサ４７１の検出面に転写してもよい。 
　画像センサ４７１は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１を照明するように出力された照明光の像を取得する光センサであってもよい。 
　画像センサ４７１は、転写光学系４７６を透過した照明光の光路上に配置されてもよい。 
　画像センサ４７１は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１を照明するように出力された照明光の像を取得することで、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の像を取得してもよい。 
　画像センサ４７１は、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）等の検出素子を含んでも構成されてもよい。 
　画像センサ４７１は、転写光学系４７６を透過した照明光を露光させ、転写光学系４７６によって転写された照明光のプラズマ生成領域２５での像を取得してもよい。画像センサ４７１は、取得された像から画像データを生成し、生成された画像データを含む画像計測信号を制御部５１に送信してもよい。また、画像センサ４７１は、生成された画像データからドロップレット２７１の状態を計測し、この計測値を画像計測信号に含めて制御部５１に送信してもよい。 
　第１光エネルギ計測器７は、プラズマから放出されたＥＵＶ光２５１のエネルギを計測する計測器であってもよい。 
　プラズマから放出されたＥＵＶ光２５１のエネルギは、ＥＵＶ光２５１が生成される際にＥＵＶ光生成装置１で発生する光エネルギであり得る。 
　第１光エネルギ計測器７は、ＥＵＶエネルギセンサ７１と、光学フィルタ７２と、ミラー７３と、ピンホール板７４とを含んでもよい。 
　ピンホール板７４は、プラズマ生成領域２５と対向するように配置されてもよい。 
　ピンホール板７４には、プラズマから放出された光を通過させる開口が形成されてもよい。 
　ピンホール板７４の開口は、プラズマから放出された光をミラー７３に向けて通過させてもよい。 
　ミラー７３は、ＥＵＶ光２５１の波長に対して高い反射率を有するように構成されてもよい。ミラー７３の反射面は、モリブデン及びシリコンの多層膜によって形成されてもよい。 
　ミラー７３は、ピンホール板７４の開口を通過した光の光路上に配置されてもよい。 
　ミラー７３は、ピンホール板７４の開口を通過した光のうちＥＵＶ光２５１を含む光を光学フィルタ７２に向けて反射させてもよい。 
　光学フィルタ７２は、ＥＵＶ光２５１の波長に対して高い透過率を有すると共に、ＥＵＶ光２５１とは異なる波長を有する光の多くに対して低い透過率を有する光学フィルタであってもよい。 
　光学フィルタ７２は、ジルコニウム又はこれにシリコンを含んだ薄膜がコーティングされた光学フィルタであってもよい。 
　光学フィルタ７２は、ミラー７３で反射された光の光路上に配置されてもよい。 
　光学フィルタ７２は、ミラー７３で反射された光に含まれるＥＵＶ光２５１を、ＥＵＶエネルギセンサ７１に向けて透過させてもよい。光学フィルタ７２は、ミラー７３で反射された光に含まれるＥＵＶ光２５１とは異なる波長を有する光が、ＥＵＶエネルギセンサ７１に入射することを抑制してもよい。 
　ＥＵＶエネルギセンサ７１は、ＥＵＶ光２５１のエネルギを計測する光センサであってもよい。 
　ＥＵＶエネルギセンサ７１は、ＥＵＶ光２５１の波長に対して高い感度を示すシリコンフォトダイオード等の検出素子を含んで構成されてもよい。 
　ＥＵＶエネルギセンサ７１は、光学フィルタ７２を透過したＥＵＶ光２５１の光路上に配置されてもよい。 
　ＥＵＶエネルギセンサ７１は、光学フィルタ７２を透過したＥＵＶ光２５１のエネルギを検出し、この検出値に基づいて、プラズマから放出されたＥＵＶ光２５１のエネルギを推定してもよい。ＥＵＶエネルギセンサ７１は、この推定値を、プラズマから放出されたＥＵＶ光２５１のエネルギの計測値としてもよい。ＥＵＶエネルギセンサ７１は、この計測値を含むＥＵＶエネルギ計測信号を制御部５１に送信してもよい。 
　第２光エネルギ計測器８は、パルスレーザ光３１乃至３３の何れかのエネルギを計測する計測器であってもよい。 
　パルスレーザ光３１乃至３３のそれぞれのエネルギは、ＥＵＶ光２５１が生成される際にＥＵＶ光生成装置１で発生する光エネルギであり得る。 
　第２光エネルギ計測器８は、レーザエネルギセンサ８１を含んでもよい。 
　レーザエネルギセンサ８１は、パルスレーザ光３１のエネルギを計測する光センサであってもよい。 
　レーザエネルギセンサ８１は、パルスレーザ光３１の波長に対して高い感度を示す検出素子を含んで構成されてもよい。 
　レーザエネルギセンサ８１は、ビームスプリッタ３４１を透過したパルスレーザ光３１の光路上に配置されてもよい。 
　レーザエネルギセンサ８１は、ビームスプリッタ３４１を透過したパルスレーザ光３１のエネルギを検出し、この検出値に基づいて、ドロップレット２７１に照射されるパルスレーザ光３３のエネルギを推定してもよい。レーザエネルギセンサ８１は、この推定値を、ドロップレット２７１に照射されるパルスレーザ光３３の計測値としてもよい。レーザエネルギセンサ８１は、この計測値を含むレーザエネルギ計測信号を制御部５１に送信してもよい。 
　なお、レーザエネルギセンサ８１は、パルスレーザ光３１乃至３３の何れかのエネルギを検出すればよい。この場合、ビームスプリッタ３４１は、レーザエネルギセンサ８１によって検出されるパルスレーザ光３１乃至３３の何れかの光路上に配置されてもよい。 
　ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６との間で各種信号の送受信を行ってもよい。 
　ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６からの各種信号に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１の各構成要素の動作を統括的に制御してもよい。 
　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３との間で各種信号の送受信を行ってもよい。 
　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光進行方向制御部３４との間、及び、レーザ光集光ミラー２２を搭載するステージとの間で各種信号の送受信を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１乃至３３の進行方向及び集光位置を制御してもよい。 
　ＥＵＶ光生成制御部５は、制御部５１との間で各種信号の送受信を行ってもよい。 
　例えば、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７１、パルスレーザ光３１及びＥＵＶ光２５１に関する情報を含む信号を制御部５１から受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光２５２が安定的に出力されるように、各種の制御指令を含む信号を制御部５１に送信してもよい。 
　それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給器２６、ドロップレット検出器４１、画像計測器４５、第１光エネルギ計測器７及び第２光エネルギ計測器８に含まれる各構成要素の動作を間接的に制御してもよい。 
　制御部５１は、ＥＵＶ光生成装置１の構成要素との間で各種信号の送受信を行ってもよい。 
　制御部５１は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御指令に基づいて、ドロップレット検出器４１、画像計測器４５、第１光エネルギ計測器７及び第２光エネルギ計測器８に含まれる各構成要素の動作を制御してもよい。 
　制御部５１は、画像計測器４５及びレーザ装置３に含まれる各構成要素の動作タイミングを制御するための遅延回路５１１を含んでもよい。 
　［３．２　比較例の動作］ 
　ターゲット供給器２６は、制御部５１からの制御指令に基づいて、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向けてドロップレット２７１を出力してもよい。 
　チャンバ２内へ出力されたドロップレット２７１は、ドロップレット軌道Ｔ上を進行し、検出領域Ｒを通過し得る。 
　ドロップレット検出器４１の光源４１１は、制御部５１からの制御指令に基づいて、検出領域Ｒを通過するドロップレット２７１を照明するように検出領域Ｒに照明光を出力してもよい。 
　光センサ４３１は、検出領域Ｒに出力された照明光を検出してもよい。 
　ドロップレット軌道Ｔを進行するドロップレット２７１が検出領域Ｒを通過する場合、光源４１１から出力された照明光の一部は、検出領域Ｒを通過するドロップレット２７１によって遮蔽され得る。 
　よって、ドロップレット２７１が検出領域Ｒを通過する場合、光センサ４３１によって検出される照明光の光強度は、ドロップレット２７１が検出領域Ｒを通過していない場合に比べて顕著に低下し得る。 
　光センサ４３１は、検出された照明光の光強度の変化に応じた検出信号を生成し、信号処理部４３５に送信してもよい。 
　信号処理部４３５は、光センサ４３１から送信された検出信号に基づいてドロップレット検出信号を生成し、制御部５１に送信してもよい。 
　制御部５１は、遅延回路５１１を用いて、ドロップレット検出信号を受信したタイミングに第１遅延時間を付加してもよい。制御部５１は、ドロップレット検出信号を受信したタイミングから第１遅延時間だけ遅延したタイミングで、画像計測器４５の光源４５１に照明トリガ信号を送信してもよい。 
　照明トリガ信号は、光源４５１に対して照明光を出力する契機を与える信号であってもよい。 
　第１遅延時間は、光源４５１からの照明光がプラズマ生成領域２５に入射するタイミングを、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに略一致させるための時間であってもよい。 
　制御部５１は、遅延回路５１１を用いて、ドロップレット検出信号を受信したタイミングに第２遅延時間を付加してもよい。制御部５１は、ドロップレット検出信号を受信したタイミングから第２遅延時間だけ遅延したタイミングで、画像計測器４５の光シャッタ４７５にシャッタトリガ信号を送信してもよい。 
　シャッタトリガ信号は、光シャッタ４７５に対して開状態に移行する契機を与える信号であってもよい。 
　第２遅延時間は、光シャッタ４７５が開状態に移行するタイミングを、光源４５１からの照明光が光シャッタ４７５に入射するタイミングに略一致させるための時間であってもよい。 
　制御部５１は、遅延回路５１１を用いて、ドロップレット検出信号を受信したタイミングに第３遅延時間を付加してもよい。制御部５１は、ドロップレット検出信号を受信したタイミングから第３遅延時間だけ遅延したタイミングで、画像計測器４５の画像センサ４７１に計測トリガ信号を送信してもよい。 
　計測トリガ信号は、画像センサ４７１に対して照明光の露光を行ってその像を取得する契機を与える信号であってもよい。 
　第３遅延時間は、画像センサ４７１が光源４５１からの照明光の露光を行ってその像を取得するタイミングを、光源４５１からの照明光が画像センサ４７１に入射するタイミングに略一致させるための時間であってもよい。 
　制御部５１は、遅延回路５１１を用いて、ドロップレット検出信号を受信したタイミングに第４遅延時間を付加してもよい。制御部５１は、ドロップレット検出信号を受信したタイミングから第４遅延時間だけ遅延したタイミングで、レーザ装置３にレーザトリガ信号を送信してもよい。 
　レーザトリガ信号は、レーザ装置３に対してパルスレーザ光３１を出力する契機を与える信号であってもよい。 
　第４遅延時間は、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングを、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに略一致させるための時間であってもよい。 
　上述の第１乃至第４遅延時間は、制御部５１に予め記憶されてもよい。 
　画像計測器４５の光源４５１は、照明トリガ信号を受信すると、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１を照明するようにプラズマ生成領域２５に照明光を出力してもよい。 
　光シャッタ４７５は、シャッタトリガ信号を受信すると、開状態に移行して、プラズマ生成領域２５に出力された照明光を通過させてもよい。 
　画像センサ４７１は、計測トリガ信号を受信すると、照明光の露光を行ってその像を取得してもよい。 
　検出領域Ｒを通過したドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達した場合、プラズマ生成領域２５に出力された照明光の一部は、ドロップレット２７１を照明することで遮蔽され得る。 
　そのため、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達した場合、照明光のプラズマ生成領域２５での像の一部は、ドロップレット２７１の影の像として画像センサ４７１に転写され得る。 
　よって、ドロップレット２７１が第２領域Ｒ２に到達した場合、画像センサ４７１によって取得される照明光の像には、ドロップレット２７１の影の像が含まれ得る。 
　画像センサ４７１は、取得された像に応じた画像データを生成し、生成された画像データを含む画像計測信号を制御部５１に送信してもよい。画像センサ４７１は、生成された画像データからドロップレット２７１の状態を計測し、この計測値を画像計測信号に含めて制御部５１に送信してもよい。 
　レーザ装置３は、レーザトリガ信号を受信すると、パルスレーザ光３１を出力してもよい。 
　レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１の一部は、ビームスプリッタ３４１を透過して第２光エネルギ計測器８のレーザエネルギセンサ８１に入射し得る。 
　レーザエネルギセンサ８１は、入射したパルスレーザ光３１のエネルギを計測し、その計測値を含むレーザエネルギ計測信号を制御部５１に送信してもよい。 
　また、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１の他の一部は、ビームスプリッタ３４１で反射され、ミラー３４２及びウインドウ２１を介して、パルスレーザ光３２としてチャンバ２内に導入され得る。 
　チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３２は、レーザ光集光ミラー２２にて集光され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に導かれ得る。当該パルスレーザ光３３は、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングでプラズマ生成領域２５に導かれ得る。 
　プラズマ生成領域２５に導かれたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１を照射し得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１は、プラズマを生成し得る。生成されたプラズマは、ＥＵＶ光２５１を含む光を放出し得る。 
　プラズマから放出されたＥＵＶ光２５１のうち特定の波長付近のＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３で選択的に反射され得る。選択的に反射されたＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ光２５２として中間集光点２９２に集光され、露光装置６に出力され得る。 
　また、プラズマから放出されたＥＵＶ光２５１の一部は、第１光エネルギ計測器７のＥＵＶエネルギセンサ７１に入射し得る。 
　ＥＵＶエネルギセンサ７１は、入射したＥＵＶ光２５１のエネルギを計測し、その計測値を含むＥＵＶエネルギ計測信号を制御部５１に送信してもよい。 
　［３．３　課題］ 
　図３は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の課題を説明するための図を示す。 
　図３では、光学フィルタ４７３の図示が省略されている。後述する図４、図６乃至図９、図１１乃至図１４及び図３２においても、図３と同様に光学フィルタ４７３の図示が省略されている。 
　上述のように、ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１にパルスレーザ光３３を照射し、ドロップレット２７１をプラズマ化することによってＥＵＶ光２５１を生成し得る。 
　このプラズマ化の際には、ＥＵＶ光２５１、ＤＵＶ（Deep Ultraviolet）光、ＵＶ（Ultraviolet）光、可視光及び赤外光等の様々な波長の光が放出され得る。加えて、ターゲット２７の原子、クラスタ及びイオン等の微粒子が放出され得る。プラズマから放出された微粒子は、パルスレーザ光３３によってエネルギが与えられているため、高い運動エネルギを有し得る。 
　これらのプラズマから放出された光及び微粒子等は、プラズマ生成領域２５付近にあるチャンバ２の壁２ａ及び画像計測器４５に入射し、チャンバ２の壁２ａ及び画像計測器４５を加熱し得る。すなわち、プラズマから放出された光のエネルギは、ＥＵＶ光２５１が生成される際に発生する光エネルギであり、ＥＵＶ光生成装置１内で熱エネルギに変換されて、チャンバ２の壁２ａ及び画像計測器４５を含むＥＵＶ光生成装置１を加熱し得る。同様に、プラズマから放出された微粒子の運動エネルギは、ＥＵＶ光生成装置１内で熱エネルギに変換されて、ＥＵＶ光生成装置１を加熱し得る。 
　画像計測器４５に含まれる撮像部４７０は、一例として焦点Ｆがドロップレット２７１の位置と一致しているときに、ピントが合ったドロップレット２７１の画像を取得可能に配置されている。なお、この焦点Ｆとは、前述した通り、結像光学系４７２の最もドロップレット２７１側のレンズの焦点である。そこで、焦点Ｆがドロップレット２７１の位置から外れた場合、撮像部４７０は、ピント外れの画像を取得してしまうことがあり得る。それにより、画像計測器４５は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を適切に計測できないことがあり得る。 
　図４乃至図１０を用いて、撮像部４７０の焦点Ｆがシフトする要因について説明する。 
　図４は、比較例に係る撮像部４７０の初期状態を説明するための図を示す。なお、初期状態とは、ＥＵＶ光２５１の生成が行われる前の状態であってもよい。初期状態は、プラズマから放出された光及び微粒子等が、チャンバ２の壁２ａ及び画像計測器４５に入射する前の状態であってもよい。図５は、図４に示された状態において、撮像部４７０によって取得されたドロップレット２７１の画像を示す。 
　また、図６は、ウインドウ４７４に熱レンズ効果及び熱変形が発生することに起因して、比較例に係る撮像部４７０において、焦点Ｆがシフトした状態を説明するための図を示す。図７は、結像光学系４７２に熱レンズ効果及び熱変形が発生することに起因して、比較例に係る撮像部４７０において焦点Ｆがシフトした状態を説明するための図を示す。図８は、結像光学系４７２周辺の雰囲気に熱レンズ効果が発生することに起因して、比較例に係る撮像部４７０において焦点Ｆがシフトした状態を説明するための図を示す。図９は、チャンバ２の壁２ａが熱変形することに起因して、比較例に係る撮像部４７０において焦点Ｆがシフトした状態を説明するための図を示す。図１０は、図６乃至図９の少なくとも１つに示された状態において、比較例に係る撮像部４７０によって取得されたドロップレット２７１の画像を示す。 
　図４に示されるように、撮像部４７０において焦点Ｆは、初期状態においてプラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置と合うように予め調整されてもよい。図４において４７２ａは、撮像部４７０を構成する結像光学系４７２の結像面である。また４７５ａは光シャッタ４７５の受光面、４７５ｂは光シャッタ４７５の再生面、４７１ａは画像センサ４７１の撮像面を示す。上記初期位置においては、結像光学系４７２の結像面４７２ａが、光シャッタ４７５の受光面４７５ａと一致している。それにより、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が光シャッタ４７５に検出され、それと同じ画像が光シャッタ４７５の再生面４７５ｂに再生出力され得る。そして、その出力された画像が転写光学系４７６によって画像センサ４７１の撮像面４７１ａ上に結像され得る。こうして最終的に、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が画像センサ４７１によって撮像され得る。
　この場合、図５に示されるように、撮像部４７０によって取得されたドロップレット２７１の画像は、高いコントラストを有し得る。 
　なお、高いコントラストとは、ドロップレット２７１の輪郭が特定されドロップレット２７１の状態が適切に計測され得る程度に、高いコントラストであってもよい。 
　低いコントラストとは、ドロップレット２７１の輪郭が特定されずドロップレット２７１の状態が適切に計測されない程度に、低いコントラストであってもよい。 
　ＥＵＶ光２５１の生成が行われると、プラズマから放出された光及び微粒子等は、チャンバ２の壁２ａ及び画像計測器４５に入射してこれらを加熱し得る。 
　すると、撮像部４７０において焦点Ｆは、次の（１）乃至（４）に示された各現象が単独で発生又は複合的に発生することに起因して、シフトすると考えられ得る。 
　（１）図６に示されるように、ウインドウ４７４には、熱レンズ効果及び熱変形が発生することが考えられる。すなわち、ウインドウ４７４には、加熱されることで温度分布が生じるため、屈折率分布が生じることが考えられる。加えて、ウインドウ４７４は、加熱されることで熱変形するため、照明光が通る経路の長さを変化させることが考えられる。 
　それにより、プラズマ生成領域２５と撮像部４７０との間を通る照明光の光路長は変化し得る。そして、撮像部４７０の焦点距離は、加熱されることで実効的に短くなり得る。撮像部４７０において焦点Ｆは、加熱されることでプラズマ生成領域２５から撮像部４７０側にシフトし得る。 
　なお、光路長は、光が通る媒質の長さと媒質の屈折率との積であってもよい。図６には、結像光学系４７２によるドロップレット２７１の結像面４７２ａが、光シャッタ４７５の受光面４７５ａと一致していない状態を示している。この場合、画像センサ４７１が撮像するドロップレット２７１の画像は、ピントが合っていない画像となり得る。
　（２）図７は、結像光学系４７２のプラズマ生成領域２５側のレンズが熱レンズ効果及び熱変形が発生した場合の例を示す。すなわち、結像光学系４７２のプラズマ生成領域２５側のレンズが加熱されることで温度分布が生じるため、屈折率分布が生じることが考えられる。加えて、このレンズは、加熱されることで熱変形するため、照明光が通る光路の長さを変化させることが考えられる。 
　それにより、撮像部４７０内を通る照明光の光路長は変化し得る。そして、撮像部４７０の結像光学系４７２のプラズマ生成領域２５側のレンズの焦点距離は、加熱されることで実効的に短くなり得る。撮像部４７０において焦点Ｆは、加熱されることでプラズマ生成領域２５から撮像部４７０側にシフトし得る。 
　（３）図８に示されるように、結像光学系４７２周辺の雰囲気には、熱レンズ効果が発生することが考えられる。すなわち、結像光学系４７２の周辺にある気体には、加熱されることで温度分布が生じるため、屈折率分布が生じることが考えられる。 
　それにより、撮像部４７０内を通る照明光の光路長は変化し得る。そして、撮像部４７０の焦点距離は、加熱されることで実効的に短くなり得る。撮像部４７０において焦点Ｆは、加熱されることでプラズマ生成領域２５から撮像部４７０側にシフトし得る。 
　（４）図９に示されるように、チャンバ２の壁２ａには、熱変形が発生することが考えられる。すなわち、チャンバ２の壁２ａは、加熱されることで熱変形するため、壁２ａに設けられた撮像部４７０の位置を変化させることが考えられる。言い換えると、壁２ａが熱変形するため、壁２ａに設けられたウインドウ４７４を介して接続された撮像部４７０と、プラズマ生成領域２５との物理的な距離が変化することが考えられる。 
　それにより、プラズマ生成領域２５と撮像部４７０との間を通る照明光の光路長は変化し得る。そして、撮像部４７０の焦点距離は、加熱されることで実効的に短くなり得る。撮像部４７０において焦点Ｆは、加熱されることでプラズマ生成領域２５から撮像部４７０側にシフトし得る。 
　撮像部４７０において焦点Ｆがシフトする場合、図１０に示されるように、撮像部４７０によって取得されたドロップレット２７１の画像は、低いコントラストを有し、ピント外れの画像となり得る。 
　この場合、画像計測器４５は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を適切に計測できなくなり得る。 
　このようなことから、ＥＵＶ光２５１が生成される際に撮像部４７０において焦点Ｆがシフトしても、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を適切に計測し得る技術が求められている。 
［４．第１実施形態］ 
　図１１乃至図３１を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１に対して、移動機構４８及びステージ駆動部５１２が追加された構成を備えてもよい。 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。 
　［４．１　構成］ 
　図１１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。 
　第１実施形態に係る移動機構４８は、撮像部４７０を搭載してもよい。
　移動機構４８は、撮像部４７０の位置を移動させる機構であってもよい。
移動機構４８は、プラズマ生成領域２５に出力された照明光の光路軸に沿って撮像部４７０を移動させてもよい。 
　移動機構４８は、撮像部４７０の構成要素を収容する不図示の光路管の内部に配置されてもよい。 
　移動機構４８は、ホルダ４８１と、プレート４８２と、ステージ４８３とを含んでもよい。 
　ホルダ４８１は、撮像部４７０を保持してもよい。具体的には、ホルダ４８１は、撮像部４７０に含まれる画像センサ４７１、結像光学系４７２、光学フィルタ４７３、光シャッタ４７５及び転写光学系４７６を、これらの相対位置を変えずに保持してもよい。 
　ホルダ４８１は、プレート４８２に固定されてもよい。 
　プレート４８２には、ホルダ４８１を介して撮像部４７０が載置されてもよい。 
　プレート４８２は、ステージ４８３に接続されてもよい。プレート４８２は、ステージ４８３によって移動可能に構成されてもよい。 
　ステージ４８３は、プレート４８２の位置を移動させるアクチュエータを含んでもよい。ステージ４８３は、プラズマ生成領域２５に出力された照明光の光路軸に沿った方向においてプレート４８２の位置を移動させてもよい。ステージ４８３は、結像光学系４７２の光軸方向においてプレート４８２の位置を移動させてもよい。 
　ステージ４８３は、プレート４８２の位置を移動させることによって、プレート４８２に載置された撮像部４７０の位置を移動させてもよい。 
　ステージ駆動部５１２は、ステージ４８３及び制御部５１に接続されてもよい。 
　ステージ駆動部５１２は、制御部５１からの制御指令に基づいてステージ４８３を駆動させてもよい。 
　第１実施形態の制御部５１は、ステージ駆動部５１２を介してステージ４８３を制御することより、ＥＵＶ光２５１が生成されることによってシフトした焦点Ｆの位置を補正してもよい。 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１における他の構成については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。 
　［４．２　動作］ 
　図１２乃至図１４を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作の概要について説明する。 
　図１２は、第１実施形態に係る撮像部４７０の初期状態を説明するための図を示す。図１３は、ＥＵＶ光２５１が生成される際に撮像部４７０における焦点Ｆがシフトした状態を説明するための図を示す。図１４は、シフトした焦点Ｆの位置を補正した状態を説明するための図を示す。 
　図１２に示されるように、第１実施形態に係る撮像部４７０において焦点Ｆは、比較例に係る撮像部４７０と同様に、初期状態においてプラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置と合うように予め調整されてもよい。一例として、 このように調整されている場合撮像部４７０は、ピントが合ったドロップレット２７１の画像を取得し得る。
　ＥＵＶ光２５１が生成される際、上述のように、チャンバ２の壁２ａ及び画像計測器４５は、プラズマから放出された光及び微粒子等によって加熱され得る。 
　そして、図１３に示されるように、上述の（１）乃至（４）に示された現象が単独でまたは複合的に発生することに起因して、撮像部４７０における焦点Ｆは、プラズマ生成領域２５から撮像部４７０側にシフトし得る。 
　図１３に示されるように、第１実施形態に係る第１光エネルギ計測器７は、プラズマから放出されたＥＵＶ光２５１のエネルギを計測し、その計測値を含むＥＵＶエネルギ計測信号を制御部５１に送信してもよい。 
　図１４に示されるように、第１実施形態に係る制御部５１は、第１光エネルギ計測器７からのＥＵＶエネルギ計測信号を受信してもよい。 
　制御部５１は、ＥＵＶエネルギ計測信号に含まれるＥＵＶ光２５１のエネルギの計測値に基づいて、撮像部４７０における焦点Ｆがプラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に合うようステージ４８３を制御してもよい。 
　具体的には、制御部５１は、ＥＵＶ２５１のエネルギの計測値に基づいて焦点Ｆのシフト量を計算してもよい。そして、制御部５１は、焦点Ｆのシフト量に応じてステージ４８３の駆動量を決定してもよい。 
　制御部５１は、決定された駆動量に応じてステージ４８３を駆動させるための制御指令を含む信号を生成し、ステージ駆動部５１２に送信してもよい。 
　ステージ駆動部５１２は、制御部５１からの制御指令に基づいてステージ４８３を駆動させてもよい。 
　シフトした焦点Ｆは、ステージ４８３の駆動量に応じてプラズマ生成領域２５側に移動し、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に合い得る。 
　このようにして、制御部５１は、ステージ駆動部５１２を介してステージ４８３を制御することより、シフトした焦点Ｆの位置を補正し得る。 
　図１５乃至図３１を用いて、第１実施形態に係る制御部５１が行う焦点Ｆの位置の補正に関する処理について説明する。 
　図１５は、焦点Ｆの位置の補正に関する処理のフローチャートを示す図である。 
　ステップＳ１及びＳ２は、ＥＵＶ光２５１の生成が行われる前の準備段階における処理であってもよい。ステップＳ３乃至Ｓ１５は、ＥＵＶ光２５１の生成が行われる段階における処理であってもよい。 
　ステップＳ１について、制御部５１は、ステージ４８３の初期位置Ｘｏｒｇを決定してもよい。 
　制御部５１は、撮像部４７０における焦点Ｆが、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に合うように、ステージ４８３の初期位置Ｘｏｒｇを決定してもよい。 
　なお、ステージ４８３の初期位置Ｘｏｒｇを決定する処理については、図１６を用いて後述する。 
　ステップＳ２において、制御部５１は、制御周期Δｔを設定してもよい。 
　制御周期Δｔは、制御部５１がステージ４８３を制御する周期であって、予め制御部５１に記憶されてもよい。 
　ステップＳ３において、制御部５１は、ステージ４８３の制御に関するパラメータを初期化してもよい。 
　具体的には、制御部５１は、数式１に示されるように、タイマＴｔ、パルス数ｎ、制御回数ｍ及びＥＵＶエネルギＥｎの積算値Ｅｓを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 　なお、タイマＴｔは、制御周期Δｔが開始してからの経過時間を計測してもよい。 
　パルス数ｎは、制御周期Δｔが開始してからのＥＵＶ光２５１の生成回数であってもよい。 
　制御回数ｍは、ステージ４８３を制御した回数であってもよい。 
　ＥＵＶエネルギＥｎは、制御周期Δｔが開始してからｎ番目に生成されるＥＵＶ光２５１のパルスエネルギであってもよい。ＥＵＶエネルギＥｎは、制御周期Δｔが開始してからｎ番目のＥＵＶ光２５１が生成される際にＥＵＶ光生成装置１内で発生する光エネルギであり得る。 
　ＥＵＶエネルギＥｎの積算値Ｅｓは、制御周期Δｔが開始してから終了するまでの間に生成されるＥＵＶ光２５１のパルスエネルギを積算した値であってもよい。ＥＵＶエネルギＥｎの積算値Ｅｓは、制御周期Δｔ内にＥＵＶ光生成装置１内で発生する光エネルギであり得る。 
　ステップＳ４において、制御部５１は、タイマＴｔの計時を開始してもよい。 
　ステップＳ５において、制御部５１は、ＥＵＶ光２５１が生成されたか否かを判定してもよい。 
　制御部５１は、第１光エネルギ計測器７からのＥＵＶエネルギ計測信号を受信していなければ、ＥＵＶ光２５１が生成されていないと判定し、ステップＳ８に移行してもよい。一方、制御部５１は、ＥＵＶエネルギ計測信号を受信したならば、ＥＵＶ光２５１が生成されたと判定し、ステップＳ６に移行してもよい。 
　ステップＳ６において、制御部５１は、数式２に示されるように、パルス数ｎをインクリメントしてもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　ステップＳ７において、制御部５１は、ＥＵＶエネルギＥｎを取得してもよい。 
　制御部５１は、ステップＳ５において受信されたＥＵＶエネルギ計測信号に含まれるＥＵＶ光２５１のエネルギの計測値を、ＥＵＶエネルギＥｎとして取得してもよい。 
　ステップＳ８において、制御部５１は、数式３を用いて、制御周期Δｔが経過したか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 　制御部５１は、タイマＴｔの値が制御周期Δｔ以上でなければ、制御周期Δｔが経過していないと判定し、ステップＳ５に移行してもよい。一方、制御部５１は、タイマＴｔの値が制御周期Δｔ以上であれば、制御周期Δｔが経過したと判定し、ステップＳ９に移行してもよい。 
　ステップＳ９において、制御部５１は、タイマＴｔの計時を停止してもよい。 
　ステップＳ１０において、制御部５１は、数式４を用いて、ＥＵＶエネルギＥｎの積算値Ｅｓを計算してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
　ステップＳ１１において、制御部５１は、ステージ４８３の駆動量ΔＸを決定してもよい。 
　なお、ステージの駆動量ΔＸを決定する処理については、図２７を用いて後述する。 
　ステップＳ１２において、制御部５１は、駆動量ΔＸだけステージ４８３を駆動させてもよい。それにより、制御部５１は、数式５に示されるように、ステージ４８３の位置Ｘを修正してもよい。その結果、撮像部４７０の位置は修正され、焦点Ｆの位置も修正され得る。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
　ステップＳ１３において、制御部５１は、ドロップレット２７１の画像のコントラストが、所定の許容範囲内にあるか否かを判定してもよい。 
　制御部５１は、ステップＳ１２で修正されたステージ４８３の位置Ｘにおいて、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１を撮像するよう、画像計測器４５を制御してもよい。 
　そして、制御部５１は、取得されたドロップレット２７１の画像のコントラストが、所定の許容範囲内にあるか否かを判定してもよい。許容範囲は、取得されたドロップレット２７１の画像から、ドロップレット２７１の状態が計測され得る範囲であってもよい。 
　制御部５１は、コントラストが許容範囲内であれば、ステップＳ１５に移行してもよい。一方、制御部５１は、コントラストが許容範囲内になければ、ステップＳ１４に移行してもよい。 
　ステップＳ１４において、制御部５１は、数式６に示されるように、制御回数ｍをインクリメントしてもよい。そして、制御部５１は、ステップＳ３に移行してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
　ステップＳ１５において、制御部５１は、ステージ４８３の制御を停止し、本処理を終了してもよい。 
　図１６は、図１５のステップＳ１に示されたステージ４８３の初期位置Ｘｏｒｇを決定する処理のフローチャートを示す図である。 
　ステップＳ１０１において、制御部５１は、ステージ４８３の初期位置Ｘｏｒｇの決定に関するパラメータを設定してもよい。 
　具体的には、制御部５１は、ステージの位置Ｘの最大値Ｘｍａｘ及び最小値Ｘｍｉｎを設定してもよい。制御部５１は、数式７に示されるように、スキャン回数ｋを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
 　ステージ４８３の初期位置Ｘｏｒｇを決定する際、制御部５１は、撮像部４７０にドロップレット２７１をスキャンさせてもよい。 
　すなわち、制御部５１は、ステージ４８３を小刻みに駆動させて撮像部４７０の位置を移動させてもよい。加えて、制御部５１は、移動された位置毎で撮像部４７０にドロップレット２７１を撮像させてもよい。 
　スキャン回数ｋは、ステージ４８３の小刻みな駆動によって移動された位置毎で、撮像部４７０がドロップレット２７１を撮像した回数であってもよい。 
　ステップＳ１０２において、制御部５１は、数式８に示されるように、ステージの位置Ｘが最小値Ｘｍｉｎとなるようにステージを駆動してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
　ステップＳ１０３において、制御部５１は、撮像部４７０に、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１を撮像させてもよい。 
　ステップＳ１０４において、制御部５１は、取得されたドロップレット２７１の画像のコントラストＣｋを取得してもよい。 
　ステップＳ１０５において、制御部５１は、数式９を用いて、ステージ４８３の位置Ｘが最大値Ｘｍａｘに達したか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
 　制御部５１は、ステージ４８３の位置Ｘが最大値Ｘｍａｘに達していれば、ステップＳ１０８に移行してもよい。一方、制御部５１は、ステージ４８３の位置Ｘが最大値Ｘｍａｘに達していなければ、ステップＳ１０６に移行してもよい。 
　ステップＳ１０６において、制御部５１は、スキャンステップΔｘだけステージ４８３を駆動させてもよい。それにより、制御部５１は、数式１０に示されるように、ステージ４８３の位置Ｘを修正してもよい。その結果、撮像部４７０の位置は修正され、焦点Ｆの位置も修正され得る。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000010
 　スキャンステップΔｘは、スキャン毎に駆動されるステージ４８３の駆動量であってもよい。 
　ステップＳ１０７において、制御部５１は、数式１１に示されるように、スキャン回数ｋをインクリメントしてもよい。そして、制御部５１は、ステップＳ１０３に移行してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000011
　ステップＳ１０８において、制御部５１は、取得されたコントラストＣｋのうちから、最大値Ｃｋｍａｘを特定してもよい。 
　コントラストＣｋの最大値Ｃｋｍａｘを特定する処理については、図１７乃至図２６を用いて後述する。 
　ステップＳ１０９において、制御部５１は、コントラストＣｋが最大値Ｃｋｍａｘとなった場合のステージ４８３の位置Ｘから、ステージ４８３の初期位置Ｘｏｒｇを決定してもよい。 
　最大値Ｃｋｍａｘでのステージ位置Ｘは、数式１２のように記述されてもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000012
 　なお、ｋｍａｘは、コントラストＣｋが最大値Ｃｋｍａｘとなった場合のスキャン回数ｋであってもよい。 
　そして、制御部５１は、数式１３に示されるように、コントラストＣｋが最大値Ｃｋｍａｘでのステージ４８３の位置Ｘを、ステージ４８３の初期位置Ｘｏｒｇに決定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000013
 　すなわち、制御部５１は、コントラストＣｋが最大値Ｃｋｍａｘとなった場合には、焦点Ｆがプラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に合っていると判定してもよい。そして、制御部５１は、焦点Ｆがプラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に合っている場合のステージ４８３の位置Ｘを、ステージ４８３の初期位置Ｘｏｒｇに決定してもよい。 
　その後、制御部５１は、本処理を終了し、図１５のステップＳ１に移行してもよい。 
　図１７乃至図２１は、それぞれ、スキャン回数ｋがｋ０、ｋｐ、ｋｍａｘ、ｋｑ及びｋｒである場合に、撮像部４７０によって取得された画像を示す。 
　図２２乃至図２６は、それぞれ、図１７乃至図２１に示された画像のうち、ｚ軸上で検出される照明光の光強度を説明するための図を示す。 
　ｚ軸は、Ｚ軸に略平行であって、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の中心が通り得る座標軸であってもよい。 
　スキャン回数ｋは、ｋ０、ｋｐ、ｋｍａｘ、ｋｑ及びｋｒの順に多くなるとする。 
　スキャン回数ｋがｋ０及びｋｒである場合、焦点Ｆは、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に全く合っていない場合とする。 
　スキャン回数ｋがｋｐ及びｋｑである場合、焦点Ｆは、スキャン回数ｋがｋ０及びｋｒである場合よりも、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に合っているとする。 
　スキャン回数ｋがｋ０及びｋｒである場合、焦点Ｆは、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に全く合っていない場合とする。 
　この場合、図１７及び図２１に示されるように、撮像部４７０によって取得された画像からドロップレット２７１の像を認識することは困難であり得る。 
　そして、図２２及び図２６に示されるように、ｚ軸上で検出される照明光の光強度は、ｚ軸座標が変化しても、殆ど変化が無く略一定となり得る。 
　制御部５１は、コントラストＣｋを取得することが困難であり得る。制御部５１は、Ｃｋが０であるとみなしてよい。 
　スキャン回数ｋがｋｐ及びｋｑである場合、焦点Ｆは、スキャン回数ｋがｋ０及びｋｒである場合よりも、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に合っているとする。 
　この場合、図１８及び図２０に示されるように、撮像部４７０によって取得された画像からドロップレット２７１の像を認識することは可能であり得る。 
　そして、図２３及び図２５に示されるように、ｚ軸上で検出される照明光の光強度は、ドロップレット２７１の像が存在しない位置で検出される光強度より、ドロップレット２７１の像が存在する位置で検出される光強度の方が低下し得る。そして、ｚ軸上で検出される照明光の光強度は、ドロップレット２７１の像の中心位置付近において極小となり得る。 
　制御部５１は、ｚ軸上で検出される照明光の光強度のうちドロップレット２７１の像が存在しない位置で検出される光強度と極小となる光強度との差分を、コントラストＣｋとみなしてもよい。 
　スキャン回数ｋがｋｍａｘである場合、焦点Ｆは、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に合っていてもよい。 
　この場合、図１９に示されるように、撮像部４７０によって取得された画像からドロップレット２７１の像を認識することは比較的容易に可能であり得る。 
　そして、図２４に示されるように、ｚ軸上で検出される照明光の光強度は、ドロップレット２７１の像の中心位置付近において極小となり得る。極小となった光強度は、図２２、図２３、図２５及び図２６の場合と比べて最小となり得る。 
　制御部５１は、ｚ軸上で検出される照明光の光強度のうちドロップレット２７１の像が存在しない位置で検出される光強度と極小となる光強度との差分を、コントラストＣｋとみなしてもよい。図２４の場合におけるコントラストＣｋは、図２２、図２３、図２５及び図２６の場合と比べて最大となり得る。 
　このようにして、制御部５１は、取得されたコントラストＣｋのうちで最大となる図２４の場合におけるコントラストＣｋを、最大値Ｃｋｍａｘとして特定してもよい。 
　そして、制御部５１は、コントラストＣｋが最大値Ｃｋｍａｘとなった場合のステージ４８３の位置Ｘから、ステージ４８３の初期位置Ｘｏｒｇを決定してもよい。 
　図２７は、図１５のステップＳ１１に示されたステージ４８３の駆動量ΔＸを決定する処理のフローチャートを示す図である。図２８は、ＥＵＶ光生成装置１内に蓄積された熱エネルギの蓄積量Ｑと焦点Ｆの位置Ｘ（Ｑ）との関係を説明するための図を示す。 
　制御部５１は、ステージ４８３の駆動量ΔＸを、ＥＵＶ光２５１が生成される際にシフトした焦点Ｆのシフト量ΔＸｓｆｔに応じて決定してもよい。 
　焦点Ｆは、ＥＵＶ光２５１が生成されることによってＥＵＶ光生成装置１内に蓄積される熱エネルギの蓄積量Ｑに応じてシフトすると考えられ得る。すなわち、焦点Ｆの位置は、図２８に示されるように、この熱エネルギの蓄積量Ｑの関数として表されると考えられ得る。熱エネルギの蓄積量がＱである場合における焦点Ｆの位置を、Ｘ（Ｑ）とする。 
　また、熱エネルギの蓄積量Ｑは、ＥＵＶ光２５１が生成されることによってＥＵＶ光生成装置１内で増加する熱エネルギの増加量ΔＱ＋と、ＥＵＶ光生成装置１外へ放出される熱エネルギの放出量ΔＱ－との収支から計算され得る。 
　よって、焦点Ｆのシフト量ΔＸｓｆｔは、熱エネルギの増加量ΔＱ＋と熱エネルギの放出量ΔＱ－との収支に応じて変動すると考えられ得る。 
　すなわち、焦点Ｆのシフト量ΔＸｓｆｔは、熱エネルギの増加量ΔＱ＋に対応した焦点Ｆの変動量ΔＸ＋と、熱エネルギの放出量ΔＱ－に対応した焦点Ｆの変動量ΔＸ－との収支から計算されると考えられ得る。 
　そこで、制御部５１は、焦点Ｆのシフト量ΔＸｓｆｔを計算するために、以下のステップＳ１１１乃至Ｓ１１５の処理を行ってもよい。 
　なお、熱エネルギの蓄積量Ｑは、仮想的な量であって、ＥＵＶ光２５１が生成されることによってＥＵＶ光生成装置１内に蓄積される光エネルギの蓄積量に相当し得る。 
　ステップＳ１１１において、制御部５１は、数式１４を用いて、制御周期Δｔ内にＥＵＶ光生成装置１内で増加する熱エネルギの増加量ΔＱ＋を推定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000014
　上述のように、ＥＵＶエネルギＥｎの積算値Ｅｓは、制御周期Δｔ内にＥＵＶ光生成装置１内で発生する光エネルギであり得る。 
　ＥＵＶ光生成装置１内で発生する光エネルギは、ＥＵＶ光生成装置１内で熱エネルギに変換されてＥＵＶ光生成装置１を加熱し得る。 
　すなわち、ＥＵＶエネルギＥｎの積算値Ｅｓは、制御周期Δｔ内にＥＵＶ光生成装置１内で増加する熱エネルギの増加量ΔＱ＋と相関があり得る。 
　そこで、制御部５１は、制御周期Δｔ内に積算されたＥＵＶエネルギＥｎの積算値Ｅｓから、制御周期Δｔ内にＥＵＶ光生成装置１内で増加する熱エネルギの増加量ΔＱ＋を推定してもよい。 
　ステップＳ１１２において、制御部５１は、数式１５を用いて、制御周期Δｔ内にＥＵＶ光生成装置１外へ放出される熱エネルギの放出量ΔＱ－を推定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000015
　ＥＵＶ光２５１が生成されることによってＥＵＶ光生成装置１内に蓄積された熱エネルギの蓄積量Ｑは、所定の放出時定数τでＥＵＶ光生成装置１外に放出されると考えられ得る。 
　放出時定数τは、仮想的な量であって、ＥＵＶ光２５１が生成されることによってＥＵＶ光生成装置１内に蓄積された光エネルギの蓄積量が、ＥＵＶ光生成装置１外に放出される際の時定数に相当し得る。 
　制御部５１は、この放出時定数τを予め記憶しておき、放出時定数τを用いて、制御周期Δｔ内にＥＵＶ光生成装置１外へ放出される熱エネルギの放出量ΔＱ－を推定してもよい。 
　なお、放出時定数τを取得する処理については、図２９乃至図３１及び図３３乃至図４１を用いて後述する。 
　ステップＳ１１３において、制御部５１は、数式１６を用いて、熱エネルギの増加量ΔＱ＋に対応した焦点Ｆの変動量ΔＸ＋を計算してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000016
　ステップＳ１１４において、制御部５１は、数式１７を用いて、熱エネルギの放出量ΔＱ－に対応した焦点Ｆの変動量ΔＸ－を計算してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000017
　ここで、焦点Ｆの変動量ΔＸ＋及びΔＸ－を記述する数式１６及び数式１７について検討する。 
　図２８に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１内の熱エネルギの蓄積量ＱがＱｍからＱｍ＋１に変動する場合、焦点Ｆの位置Ｘ（Ｑ）はＸ（Ｑｍ）からＸ（Ｑｍ＋１）に変動すると考えられ得る。 
　Ｑｍ＋１とＱｍとの差分ΔＱが微小であれば、数式１８の関係が成立し得る。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000018
　数式１８を整理すると、Ｘ（Ｑｍ）からＸ（Ｑｍ＋１）への焦点Ｆの変動量は、数式１９のように記述され得る。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000019
 　Ｑｍ＋１がＱｍよりも大きい場合、Ｑｍ＋１とＱｍとの差分ΔＱは、熱エネルギの増加量ΔＱ＋であり得る。この場合、図２８に示されるようなＸ（Ｑ）の関数では、数式１９の左辺に示されるＸ（Ｑｍ＋１）とＸ（Ｑｍ）との差分は、焦点Ｆの変動量ΔＸ＋に相当し得る。 
　Ｑｍ＋１がＱｍよりも小さい場合、Ｑｍ＋１とＱｍとの差分ΔＱは、熱エネルギの放出量ΔＱ－であり得る。この場合、図２８に示されるようなＸ（Ｑ）の関数では、数式１９の左辺に示されるＸ（Ｑｍ＋１）とＸ（Ｑｍ）との差分は、焦点Ｆの変動量ΔＸ－に相当し得る。 
　よって、焦点Ｆの変動量ΔＸ＋及びΔＸ－は、数式１６及び数式１７を用いて計算され得る。 
　しかし、制御部５１は、Ｘ（Ｑ）を連続関数として扱えないため、Ｘ（Ｑ）の導関数を、数式２０に示されるように近似してもよい。この場合、Ｑｍは、数式２１又は数式２２のような関係を有するように記述されてもよい。なお、引数ｉは、０以上ｎ以下の自然数であってもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000022
　制御部５１は、熱エネルギの蓄積量Ｑｉと焦点Ｆの位置Ｘｉとの対応関係を示すデータテーブルを予め記憶しておき、このデータテーブルを参照して数式２０を計算してもよい。 
　このようにして、制御部５１は、焦点Ｆの変動量ΔＸ＋及びΔＸ－を記述する数式１６及び数式１７を計算してもよい。 
　なお、熱エネルギの蓄積量Ｑｉと焦点Ｆの位置Ｘｉとの対応関係を示すデータテーブルを取得する処理については、図２９乃至図３１及び図３３乃至図４１を用いて後述する。 
　ステップＳ１１５において、制御部５１は、焦点Ｆの変動量ΔＸ＋と焦点Ｆの変動量ΔＸ－との収支から、焦点Ｆのシフト量ΔＸｓｆｔを計算してもよい。 
　具体的には、制御部５１は、数式２３に示されるように、焦点Ｆの変動量ΔＸ＋と焦点Ｆの変動量ΔＸ－との合計から、焦点Ｆのシフト量ΔＸｓｆｔを計算してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000023
 　数式２３は、制御部５１が、熱エネルギの増加量ΔＱ＋と放出量ΔＱ－との合計に基づいて、焦点Ｆのシフト量ΔＸｓｆｔを計算し得ることを示し得る。 
　ステップＳ１１６において、制御部５１は、数式２４に示されるように、焦点Ｆのシフト量ΔＸｓｆｔに応じてステージ４８３の駆動量ΔＸを決定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000024
 　その後、制御部５１は、本処理を終了し、図１５のステップＳ１１に移行してもよい。 
　［４．３　蓄積量Ｑｉ及び位置Ｘｉのデータテーブル並びに放出時定数τの取得］ 
　図２９は、図２８に示された関係に相当する熱エネルギの蓄積量Ｑｉと焦点Ｆの位置Ｘｉとの対応関係を示すデータテーブル並びに放出時定数τを取得するために行われるバースト運転を説明するための図を示す。図３０は、図２９に示されたバースト運転によってシフトする焦点Ｆのシフト量ΔＸｓｆｔを説明するための図を示す。図３１は、図２９に示されたバースト運転によって取得されるデータテーブルを説明するための図を示す。 
　ＥＵＶ光生成装置１は、図２８に示された関係に相当する熱エネルギの蓄積量Ｑｉと焦点Ｆの位置Ｘｉとの対応関係を示すデータテーブル並びに放出時定数τを、図１５に示された処理が行われる前に、予め取得してもよい。そのために、ＥＵＶ光生成装置１は、次のような動作を行ってもよい。 
　まず、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２５１の生成が行われる前の状態において、焦点Ｆの位置を予め計測してもよい。 
　続いて、ＥＵＶ光生成装置１は、バースト運転を行ってもよい。 
　バースト運転とは、所定の繰返し周波数でＥＵＶ光２５１を生成するバースト生成期間と、ＥＵＶ光２５１を生成しないバースト休止期間とを、交互に一定期間に亘って繰り返す運転であってもよい。 
　ＥＵＶ光生成装置１は、各バースト生成期間におけるＥＵＶ光２５１のパワーＰｉを変更しながら、バースト運転を行ってもよい。例えば、図２９に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、各バースト生成期間におけるＥＵＶ光２５１のパワーＰｉを増加させながらバースト運転を行ってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、各バースト生成期間の長さは略一定とし、各バースト生成期間で生成されるＥＵＶ光２５１のパルスエネルギを増加させることで、パワーＰｉを増加させながらバースト運転を行ってもよい。 
　ＥＵＶ光生成装置１は、各バースト休止期間として、シフトした焦点Ｆの位置がＥＵＶ光２５１の生成が行われる前の状態での位置に戻り得る程度に十分な期間を確保しながら、バースト運転を行ってもよい。 
　このようなバースト運転を行う場合、焦点Ｆのシフト量ΔＸｓｆｔは、図３０に示されるように、各バースト生成期間の開始に伴って増加し、やがて飽和し得る。シフト量ΔＸｓｆｔが飽和している期間では、単位時間当たりの熱エネルギの増加量ΔＱ＋と単位時間当たりの熱エネルギの放出量ΔＱ－とが平衡にあると考えられ得る。 
　その後、飽和したシフト量ΔＸｓｆｔは、各バースト生成期間の終了に伴って減少し、やがて略ゼロとなり得る。シフト量ΔＸｓｆｔが減少する期間では、バースト生成期間が終了していることから単位時間当たりの熱エネルギの増加量ΔＱ＋が略ゼロであり、シフト量ΔＸｓｆｔが放出時定数τに応じて減少すると考えられ得る。 
　続いて、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成装置１が熱平衡状態にあり、シフト量ΔＸｓｆｔが飽和して安定化したら、焦点Ｆの位置Ｘｉを計測してもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、計測された焦点Ｆの位置Ｘｉを、各バースト生成期間におけるＥＵＶ光２５１のパワーＰｉと対応付けて記憶してもよい。 
　ここで、単位時間当たりの熱エネルギの増加量ΔＱ＋と単位時間当たりの熱エネルギの放出量ΔＱ－とが平衡にあることから、ＥＵＶ光生成装置１内に蓄積される熱エネルギの蓄積量Ｑｉは、ＥＵＶ光２５１のパワーＰｉに比例すると考えられ得る。このため、熱エネルギの蓄積量Ｑｉは、近似的にＥＵＶ光２５１のパワーＰｉに置き換えられ得る。 
　よって、ＥＵＶ光生成装置１は、計測された焦点Ｆの位置Ｘｉを、各バースト生成期間におけるＥＵＶ光２５１のパワーＰｉと対応付けて記憶し、図３１に示されるようなデータテーブルを取得してもよい。 
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、各バースト生成期間の終了直後から、焦点Ｆの位置ＸｉがＥＵＶ光２５１の生成前の状態での位置に戻るまでの時間である緩和時間Ｔｉを計測してもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１の画像のコントラストが、各バースト生成期間の終了直後のコントラストからＥＵＶ光２５１の生成前の状態でのコントラストに戻るまでの時間を計測することによって、緩和時間Ｔｉを計測してもよい。 
　ＥＵＶ光生成装置１は、計測された緩和時間Ｔｉを、焦点Ｆの位置Ｘｉ及びＥＵＶ光２５１のパワーＰｉと対応付けて記憶し、図３１に示されるようなデータテーブルを取得してもよい。 
　ＥＵＶ光生成装置１は、計測された緩和時間Ｔｉから放出時定数τを決定し、記憶してもよい。放出時定数τが大きい程、シフト量ΔＸｓｆｔは緩やかに減少し、緩和時間Ｔｉは長くなり得る。 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１における他の動作については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。 
　［４．４　作用効果］ 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２５１が生成される際に焦点Ｆがシフトしても、焦点Ｆのシフト量に応じた適切な駆動量でステージ４８３を駆動させることで、焦点Ｆの位置を補正し得る。 
　このため、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、撮像部４７０において焦点Ｆがシフトしても、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に焦点Ｆを合わせ得るため、撮像部４７０によってピント外れの画像が取得されることを抑制し得る。
　つまり、この補正がなされれば、先に説明した図４に示す初期位置の状態と同じ状態になり、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が画像センサ４７１によって撮像され得る。
　その結果、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を適切に計測することができ、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を適切に制御し得る。 
　特に、レーザ装置３は、１つのドロップレット２７１を照射するために１つのパルスレーザ光３１を出力するのではなく、１つのドロップレット２７１を照射するために複数のパルスレーザ光３１を出力する場合があり得る。
　例えば、レーザ装置３は、この複数のパルスレーザ光３１として、第１プリパルスレーザ光、第２プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の３つのパルスレーザ光３１をこの順番で出力する場合があり得る。 
　１次ターゲットであるドロップレット２７１は、第１プリパルスレーザ光が照射されると、破壊され、ターゲット２７の微粒子となって拡散し、２次ターゲットに変容し得る。すなわち、２次ターゲットは、第１プリパルスレーザ光が照射されることによってドロップレット２７１の形態から変容したターゲット２７であってもよい。 
　２次ターゲットは、第２プリパルスレーザ光が照射されると、更に微細になったターゲット２７の微粒子と、ターゲット２７の蒸気と、その一部がプラズマ化したプリプラズマとの集合体となって拡散し、３次ターゲットに変容し得る。すなわち、３次ターゲットは、第２プリパルスレーザ光が照射されることによって２次ターゲットの形態から変容したターゲット２７であってもよい。 
　プリプラズマは、２次ターゲットの一部がプラズマ化してイオン又は中性粒子を含む形態となったターゲット２７であってもよい。３次ターゲットは、メインパルスレーザ光によるＥＵＶ光の生成効率を高め得る。 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を適切に制御し得るため、２次ターゲット及び３次ターゲットの状態を適切に制御することができ、ＥＵＶ光の生成効率を向上させ得る。 
　なお、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５において、ドロップレット２７１だけではなく、２次ターゲット及び３次ターゲットの画像を取得し、それらのサイズ、形状及び位置等を計測してもよい。 
　第１の実施形態では、結像レンズ４７２のプラズマ生成領域側のレンズの焦点距離Ｆが変化する場合の例を具体的に示した。この場合の焦点Ｆの位置は、結像レンズ４７２によって結像される像が光シャッタ４７５の受光面４７５ａに結像する位置であって、被写体の位置Ｏと読み替えることができる。
　たとえば、図７において、結像光学系４７２のプラズマ生成領域２５側のレンズだけでなく光シャッタ４７５側のレンズも加熱される場合もあり得る。この場合は、光シャッタ４７５ａの受光面で結像するための被写体の位置Ｏが結像レンズ４７２のプラズマ生成領域側のレンズの焦点Ｆの位置とは多少ずれることになり得る。このような場合においても、被写体の位置Ｏの位置Ｘｉとの対応を例えばルックアップテーブルの形で記憶手段に記憶させてもよい。そして、求められた被写体の位置Ｏの位置Ｘｉに対応する移動量を記憶手段から読み出して、その量だけステージ４８３を移動させるようにしてもよい。なお、上記対応は、実験あるいは経験に基づいて求めるようにしてもよい。
［５．第２実施形態］ 
　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。 
　上述のように、ドロップレット２７１に照射されるパルスレーザ光３１乃至３３のそれぞれのエネルギは、ＥＵＶ光２５１が生成される際にＥＵＶ光生成装置１で発生する光エネルギであり得る。ドロップレット２７１に照射されるパルスレーザ光３１乃至３３の何れかのエネルギは、第２光エネルギ計測器８によって計測され得る。 
　第２実施形態に係る制御部５１は、第２光エネルギ計測器８からのレーザエネルギ計測信号を受信してもよい。そして、第２実施形態に係る制御部５１は、レーザエネルギ計測信号に含まれるパルスレーザ光３１乃至３３の何れかのエネルギの計測値に基づいて、焦点Ｆがプラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に合うようステージ４８３を制御してもよい。 
　具体的には、第２実施形態に係る制御部５１は、パルスレーザ光３１乃至３３の何れかのエネルギの計測値に基づいて焦点Ｆのシフト量を計算してもよい。そして、第２実施形態に係る制御部５１は、焦点Ｆのシフト量に応じてステージ４８３の駆動量を決定してもよい。 
　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１における他の構成及び動作については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。 
　よって、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態と同様に、ＥＵＶ光２５１が生成される際に焦点Ｆがシフトしても、焦点Ｆのシフト量に応じた適切な駆動量でステージ４８３を駆動させることで、ピントが合ったドロップレット２７１の像を取得可能となる。 
　その結果、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を適切に計測することができ、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を適切に制御し得る。 
［６．第３実施形態］ 
　図３２を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。 
　図３２は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。 
　上述のように、プラズマは、ＥＵＶ光２５１の他に、ＤＵＶ光、ＵＶ光、可視光及び赤外光等の様々な波長の光を放出し得る。すなわち、プラズマから放出される光のうちＤＵＶ光、ＵＶ光、可視光及び赤外光等の光は、ＥＵＶ光２５１とは異なる波長を有する光であり得る。 
　プラズマから放出される光のうちＥＵＶ光２５１とは異なる波長を有する光のエネルギは、ＥＵＶ光２５１が生成される際にＥＵＶ光生成装置１で発生する光エネルギであり得る。 
　第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマから放出される光のうちＥＵＶ光２５１とは異なる特定の波長を有する光のエネルギを計測する第３光エネルギ計測器９を備えてもよい。 
　第３光エネルギ計測器９は、光エネルギセンサ９１と、光学フィルタ９２と、ウインドウ９３とを含んでもよい。 
　ウインドウ９３は、チャンバ２の壁２ａに設けられてもよい。ウインドウ９３は、チャンバ２内の圧力が真空に近い圧力に保たれるよう、シール部材を介してチャンバ２の壁２ａに取り付けられてもよい。 
　ウインドウ９３は、プラズマ生成領域２５と対向するように配置されてもよい。 
　ウインドウ９３は、プラズマ生成領域２５から放出された光の光路上に配置されてもよい。 
　ウインドウ９３は、プラズマ生成領域２５から放出された光を光学フィルタ９２に向けて透過させてもよい。 
　光学フィルタ９２は、プラズマから放出される光のうちＥＵＶ光２５１とは異なる特定の波長を有する光に対して高い透過率を有するバンドパスフィルタであってもよい。 
　光学フィルタ９２は、ウインドウ９３を透過した光の光路上に配置されてもよい。 
　光学フィルタ９２は、ウインドウ９３を透過した光のうちＥＵＶ光２５１とは異なる特定の波長を有する光を、光エネルギセンサ９１に向けて透過させてもよい。光学フィルタ９２は、この特定の波長を有する光以外の光が、光エネルギセンサ９１に入射することを抑制してもよい。 
　光エネルギセンサ９１は、プラズマから放出される光のうちＥＵＶ光２５１とは異なる特定の波長を有する光のエネルギを計測する光センサであってもよい。 
　光エネルギセンサ９１は、この特定の波長に対して高い感度を示す検出素子を含んで構成されてもよい。 
　光エネルギセンサ９１は、光学フィルタ９２を透過した光の光路上に配置されてもよい。 
　光エネルギセンサ９１は、光学フィルタ９２を透過した光のエネルギを検出し、この検出値に基づいて、この特定の波長を有する光のエネルギを推定してもよい。光エネルギセンサ９１は、この推定値を、この特定の波長を有する光のエネルギの計測値としてもよい。光エネルギセンサ９１は、この計測値を含む光エネルギ計測信号を制御部５１に送信してもよい。 
　第３実施形態に係る制御部５１は、第３光エネルギ計測器９からの光エネルギ計測信号を受信してもよい。そして、第３実施形態に係る制御部５１は、光エネルギ計測信号に含まれる光エネルギの計測値に基づいて、焦点Ｆがプラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の位置に合うようステージ４８３を制御してもよい。 
　第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１における他の構成及び動作については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。 
　よって、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態と同様に、ＥＵＶ光２５１が生成される際に撮像部４７０の焦点Ｆがシフトしても、焦点Ｆのシフト量に応じた適切な駆動量でステージ４８３を駆動させることで、ピントが合ったドロップレット２７１の画像を取得可能となる。 
　その結果、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を適切に計測することができ、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１の状態を適切に制御し得る。 
［７．蓄積量Ｑｉ及び位置Ｘｉのデータテーブル並びに放出時定数τの取得に関する制御部の処理］ 
　図３３乃至図４１を用いて、蓄積量Ｑｉ及び位置Ｘｉのデータテーブルの取得に関する制御部の処理について説明する。 
　第１乃至第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、上述のように、図１５に示された処理が行われる前に、図２９乃至図３１を用いて説明したような手法を用いて、蓄積量Ｑｉ及び位置Ｘｉのデータテーブル並びに放出時定数τを取得してもよい。 
　具体的には、ＥＵＶ光生成装置１は、上述のように、蓄積量Ｑｉをバースト生成期間におけるＥＵＶ光２５１のパワーＰｉに置き換えてもよい。そして、ＥＵＶ光生成装置１は、図３１に示されるようなパワーＰｉ、位置Ｘｉ及び緩和時間Ｔｉのデータテーブル、並びに、放出時定数τを取得してもよい。 
　その際、第１乃至第３実施形態に係る制御部５１は、次のような処理を行ってもよい。 
　図３３は、図３１に示されたデータテーブル並びに放出時定数τの取得に関して、制御部５１が行う処理のフローチャートを示す図である。　 
　ステップＳ２１において、制御部５１は、ＥＵＶ光２５１の生成が行われる前の状態において、撮像部４７０の焦点Ｆの位置を計測してもよい。 
　ＥＵＶ光２５１の生成前の状態での焦点Ｆの位置を計測する処理については、図３４を用いて後述する。 
　ステップＳ２２において、制御部５１は、各バースト生成期間でのＥＵＶ光２５１のパワーＰｉにおける焦点Ｆの位置Ｘｉを計測してもよい。 
　パワーＰｉにおける焦点Ｆの位置Ｘｉを計測する処理については、図３５を用いて後述する。 
　ステップＳ２３において、制御部５１は、焦点Ｆの位置Ｘｉの緩和時間Ｔｉを計測してもよい。 
　緩和時間Ｔｉを計測する処理については、図３９を用いて後述する。 
　ステップＳ２４において、制御部５１は、放出時定数τを取得してもよい。 
　放出時定数τを決定する処理については、図４１を用いて後述する。 
　図３４は、図３３のステップＳ２１に示された、ＥＵＶ光２５１の生成前の状態での焦点Ｆの位置Ｘｏｒｇを計測する処理のフローチャートを示す図である。 
　ステップＳ２１１において、制御部５１は、数式２５に示されるように、パラメータを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000025
 　ＸＦＳは、ステージ４８３の可動範囲に関するパラメータであってもよい。 
　Ｃは、ドロップレット２７１の画像のコントラストに関するパラメータであってもよい。 
　また、制御部５１は、数式２６に示されるように、ステージ４８３の位置Ｘが可動範囲の中央位置となるように設定し、ステージ４８３を駆動させてもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000026
　ステップＳ２１２において、制御部５１は、ドロップレット２７１の画像及びそのコントラストを取得し、コントラストＣｏｒｇに設定してもよい。そして、制御部５１は、数式２７に示されるように、コントラストＣｏｒｇを取得した際のステージ４８３の位置Ｘを位置Ｘｏｒｇに設定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000027
　ステップＳ２１３において、制御部５１は、数式２８に示されるように、ステージ４８３の位置ＸがスキャンステップΔｘだけ移動するように位置Ｘを設定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000028
　ステップＳ２１４において、制御部５１は、ステージの位置がＸとなるようにステージを駆動してもよい。 
　ステップＳ２１５において、制御部５１は、ドロップレット２７１の画像及びそのコントラストＣ’を取得してもよい。 
　ステップＳ２１６において、制御部５１は、数式２９に示されるように、コントラストＣ’がコントラストＣｏｒｇより大きいか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000029
 　制御部５１は、コントラストＣ’がコントラストＣｏｒｇより大きくないと判定した場合、ステップＳ２１８に移行してもよい。一方、制御部５１は、コントラストＣ’がコントラストＣｏｒｇより大きいと判定した場合、ステップＳ２１７に移行してもよい。 
　ステップＳ２１７において、制御部５１は、数式３０に示されるように、コントラストＣ’をコントラストＣｏｒｇに設定してもよい。そして、制御部５１は、数式３０に示されるように、コントラストＣｏｒｇを取得した際のステージ４８３の位置Ｘを位置Ｘｏｒｇに設定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000030
　ステップＳ２１８において、制御部５１は、数式３１を用いて、ステージ４８３の位置ＸをスキャンステップΔｘだけ移動させるとステージ４８３の可動範囲を超えるか否かを判定してもよい。 
　制御部５１は、ステージ４８３の位置ＸをスキャンステップΔｘだけ移動させてもステージ４８３の可動範囲を超えないならば、ステップＳ２１３に移行してもよい。一方、制御部５１は、ステージ４８３の位置ＸをスキャンステップΔｘだけ移動させるとステージ４８３の可動範囲を超えるならば、ステップＳ２１９に移行してもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000031
　ステップＳ２１９において、制御部５１は、位置Ｘｏｒｇ及びコントラストＣｏｒｇを記憶してもよい。 
　その後、制御部５１は、本処理を終了し、図３３のステップＳ２２に移行してもよい。 
　図３５は、図３３のステップＳ２２に示された、パワーＰｉにおける焦点Ｆの位置Ｘｉを計測する処理のフローチャートを示す図である。 
　ステップＳ２２１において、制御部５１は、数式３２に示されるように、パラメータを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000032
 　Ｐ０は、ＥＵＶ光２５１のパワーＰｉに関するパラメータであってもよい。 
　Ｘ０は、ステージ４８３の位置に関するパラメータであってもよい。 
　ステップＳ２２２において、制御部５１は、数式３３に示されるように、パラメータを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000033
 　ΔＰは、バースト生成期間毎にＥＵＶ光２５１のパワーＰｉをスキャンして焦点Ｆの位置Ｘｉを計測する際のパワーＰｉのスキャンステップであってもよい。 
　Ｐｍａｘは、パワーＰｉをスキャンする範囲の上限値であってもよい。 
　ステップＳ２２３において、制御部５１は、数式３４に示されるように、各バースト生成期間でのＥＵＶ光２５１のパワーＰｉを設定してもよい。制御部５１は、数式３４に示されるように、各バースト生成期間でのＥＵＶ光２５１のパルスエネルギεｉを設定してもよい。制御部５１は、数式３４に示されるように、焦点Ｆの位置ＸｉをＸｉ－１に設定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000034
 　なお、ｆは、ＥＵＶ光２５１の繰り返し周波数であってもよい。 
　ステップＳ２２４において、制御部５１は、ＥＵＶ光生成装置１が熱平衡状態にあり、パワーＰｉにおいて焦点Ｆのシフト量が飽和して安定化するために必要なパルス数Ｎｅｑｕｉｖを計測する処理を行ってもよい。 
　パルス数Ｎｅｑｕｉｖを計測する処理については、図３６を用いて後述する。 
　ステップＳ２２５において、制御部５１は、ドロップレット２７１の画像及びそのコントラストを取得して、パワーＰｉにおいてシフト量が安定化した状態での焦点Ｆの位置Ｘｉを計測する処理を行ってもよい。 
　コントラストを取得してパワーＰｉにおける位置Ｘｉを計測する処理については、図３８を用いて後述する。 
　ステップＳ２２６において、制御部５１は、計測された位置ＸｉをパワーＰｉに対応付けて記憶してもよい。 
　ステップＳ２２７において、制御部５１は、数式３５に示されるように、引数ｉをインクリメントしてもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000035
　ステップＳ２２８において、制御部５１は、数式３６を用いて、パワーＰｉをスキャンステップΔＰだけ増加させるとパワーＰｉのスキャン範囲を超えるか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000036
 　制御部５１は、パワーＰｉをスキャンステップΔＰだけ増加させてもパワーＰｉのスキャン範囲を超えないならば、ステップＳ２２３に移行してもよい。一方、制御部５１は、パワーＰｉをスキャンステップΔＰだけ増加させるとパワーＰｉのスキャン範囲を超えるならば、本処理を終了してもよい。 
　その後、制御部５１は、図３３のステップＳ２３に移行してもよい。 
　図３６は、図３５のステップＳ２２４に示された、パルス数Ｎｅｑｕｉｖを計測する処理のフローチャートを示す図である。 
　ステップＳ３１において、制御部５１は、数式３７に示されるように、パラメータを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000037
 　Ｎ０及びＮ１は、ＥＵＶ光２５１のパルス数に関するパラメータであってもよい。 
　ステップＳ３２において、制御部５１は、パワーＰｉにおいて焦点Ｆのシフト量が安定化したかを確認する処理を行ってもよい。 
　焦点Ｆのシフト量が安定化したかを確認する処理については、図３７を用いて後述する。 
　ステップＳ３３において、制御部５１は、数式３８を用いて、パルス数ＮｅｑｕｉｖがＮ０より小さいか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000038
 　制御部５１は、パルス数ＮｅｑｕｉｖがＮ０より小さければ、本処理を終了してもよい。その後、制御部５１は、図３５のステップＳ２２５に移行してもよい。一方、制御部５１は、パルス数ＮｅｑｕｉｖがＮ０より小さくなければ、ステップＳ３４に移行してもよい。 
　ステップＳ３４において、制御部５１は、数式３９に示されるように、Ｎ０を２Ｎ０に設定し、ステップＳ３２に移行してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000039
　図３７は、図３６のステップＳ３２に示された、焦点Ｆのシフト量が安定化したかを確認する処理のフローチャートを示す図である。 
　ステップＳ４１において、制御部５１は、数式４０に示されるように、パラメータを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000040
 　ｋ及びｑは、ＥＵＶ光２５１のパルス数に関する引数であってもよい。 
　Ｃ０は、ドロップレット２７１の画像のコントラストに関するパラメータであってもよい。 
　ステップＳ４２において、制御部５１は、ＥＵＶ光２５１のパルスエネルギεｉを設定してもよい。 
　ステップＳ４３において、制御部５１は、Ｎ０パルスのＥＵＶ光２５１の生成を開始する準備を行ってもよい。 
　ステップＳ４４において、制御部５１は、レーザトリガ信号を送信したか否かを判定してもよい。 
　制御部５１は、レーザトリガ信号を送信するまで待機してもよい。一方、制御部５１は、レーザトリガ信号を送信したならば、ステップＳ４５に移行してもよい。 
　ステップＳ４５において、制御部５１は、数式４１に示されるように、パルス数に関する引数ｋをインクリメントしてもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000041
　ステップＳ４６において、制御部５１は、数式４２を用いて、引数ｋがＮ０以上であるか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000042
 　制御部５１は、引数ｋがＮ０以上でなければ、ステップＳ４８に移行してもよい。一方、制御部５１は、引数ｋがＮ０以上であれば、ステップＳ４７に移行してもよい。 
　ステップＳ４７において、制御部５１は、パルス数Ｎｅｑｕｉｖを記憶してもよい。 
　その後、制御部５１は、図３６のステップＳ３３に移行してもよい。 
　ステップＳ４８において、制御部５１は、数式４３に示された関係が成立する否かを判定してもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000043
 　制御部５１は、数式４３に示された関係が成立しなければ、ステップＳ４４に移行してもよい。一方、制御部５１は、数式４３に示された関係が成立すれば、ステップＳ４９に移行してもよい。 
　ステップＳ４９において、制御部５１は、数式４４に示されるように、パルス数に関する引数ｑをインクリメントしてもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000044
　ステップＳ５０において、制御部５１は、ドロップレット２７１の画像及びそのコントラストＣｑを取得してもよい。 
　ステップＳ５１において、制御部５１は、数式４５に示された関係が成立する否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000045
 　制御部５１は、数式４５に示された関係が成立しなければ、ステップＳ４４に移行してもよい。一方、制御部５１は、数式４５に示された関係が成立すれば、ステップＳ５２に移行してもよい。 
　ステップＳ５２において、制御部５１は、数式４６に示されるように、（ｑ＋１）Ｎ１をパルス数Ｎｅｑｕｉｖに設定し、ステップＳ４４に移行してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000046
　このように、制御部５１は、ドロップレット２７１の画像におけるコントラストＣｑの変動量が５％未満である否かを判定することによって、ＥＵＶ光生成装置１が熱平衡状態にあり焦点Ｆのシフト量が安定化したか否かを確認してもよい。 
　制御部５１は、コントラストＣｑの変動量が５％未満でなければ、コントラストＣｑの変動量が５％未満になるまでＥＵＶ光２５１を生成し続けてもよい。そして、制御部５１は、コントラストＣｑの変動量が５％未満になれば、焦点Ｆのシフト量が安定化したと判定し、その際のパルス数をＮｅｑｕｉｖをとして記憶してもよい。 
　図３８は、図３５のステップＳ２２５に示された、コントラストを取得して位置Ｘｉを計測する処理のフローチャートを示す図である。 
　ステップＳ６１において、制御部５１は、数式４７に示されるように、パラメータを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000047
 　Ｊは、ＥＵＶ光２５１のパルス数に関する引数であってもよい。 
　ｐは、ステージ４８３の駆動方向に関するパラメータであってもよい。 
　ステップＳ６２乃至Ｓ６５において、制御部５１は、図３７のステップＳ４２乃至Ｓ４５と同様の処理を行ってもよい。 
　ステップＳ６６において、制御部５１は、数式４８を用いて、引数ｋがＪＮ０以上であるか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000048
 　制御部５１は、引数ｋがＪＮ０以上でなければ、ステップＳ７０に移行してもよい。一方、制御部５１は、引数ｋがＪＮ０以上であれば、ステップＳ６７に移行してもよい。 
　ステップＳ６７において、制御部５１は、数式４９に示された関係が成立するか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000049
 　制御部５１は、数式４９に示された関係が成立しなければ、ステップＳ６８に移行してもよい。一方、制御部５１は、数式４９に示された関係が成立すれば、ステップＳ６９に移行してもよい。 
　ステップＳ６８において、制御部５１は、数式５０に示されるように、パルス数に関する引数Ｊをインクリメントし、ステップＳ６３に移行してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000050
　ステップＳ６９において、制御部５１は、焦点Ｆの位置Ｘｉを記憶してもよい。 
　その後、制御部５１は、図３５のステップＳ２２６に移行してもよい。 
　ステップＳ７０において、制御部５１は、数式５１を用いて、パルス数に関するパラメータｑ’を計算してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000051
　ステップＳ７１において、制御部５１は、数式５２を用いて、パラメータｑ’が引数ｑ以上であるか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000052
 　制御部５１は、パラメータｑ’が引数ｑ以上でなければ、ステップＳ６４に移行してもよい。一方、制御部５１は、パラメータｑ’が引数ｑ以上であれば、ステップＳ７２に移行してもよい。 
　ステップＳ７２において、制御部５１は、ドロップレット２７１の画像及びそのコントラストＣｑを取得してもよい。 
　ステップＳ７３において、制御部５１は、図３７のステップＳ４９と同様の処理を行ってもよい。 
　ステップＳ７４において、制御部５１は、数式５３を用いて、パラメータｑ’が１より大きいか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000053
 　制御部５１は、パラメータｑ’が１より大きくなければ、ステップＳ７７に移行してもよい。一方、制御部５１は、パラメータｑ’が１より大きければ、ステップＳ７５に移行してもよい。 
　ステップＳ７５において、制御部５１は、数式５４を用いて、コントラストＣｑがコントラストＣｑ－１より大きいか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000054
 　制御部５１は、コントラストＣｑがコントラストＣｑ－１より大きければ、ステップＳ７７に移行してもよい。一方、制御部５１は、コントラストＣｑがコントラストＣｑ－１より大きくなければ、ステップＳ７６に移行してもよい。 
　ステップＳ７６において、制御部５１は、数式５５に示されるように、ステージ４８３の駆動方向が逆方向となるよう、パラメータｐを－ｐに設定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000055
　ステップＳ７７において、制御部５１は、数式５６に示されるように、焦点Ｆの位置ＸｉがｐΔｘだけ移動するように位置Ｘｉを設定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000056
　ステップＳ７８において、制御部５１は、焦点Ｆの位置がＸｉとなるようにステージ４８３を駆動し、ステップＳ６４に移行してもよい。 
　このように、制御部５１は、ＥＵＶ光生成装置１が熱平衡状態になるまでＥＵＶ光２５１を生成し続け、熱平衡状態になるとドロップレット２７１の画像におけるコントラストＣｑを取得してもよい。そして、制御部５１は、コントラストＣｑが最大となるような焦点Ｆの位置Ｘｉを特定することによって、シフト量が安定化した状態での焦点Ｆの位置Ｘｉを計測してもよい。そして、制御部５１は、コントラストＣｑが、ＥＵＶ光２５１の生成が行われる前の状態で取得されたコントラストＣｏｒｇ、の９５％以上であることを条件に、計測された位置Ｘｉを記憶してもよい。制御部５１は、コントラストＣｑがコントラストＣｏｒｇ、の９５％以上でなければ、再びＥＵＶ光２５１を生成し、位置Ｘｉを計測し直してもよい。 
　図３９は、図３３のステップＳ２３に示された、緩和時間Ｔｉを計測する処理のフローチャートを示す図である。 
　ステップＳ２３１において、制御部５１は、図３５のステップＳ２２１と同様の処理を行ってもよい。 
　ステップＳ２３２において、制御部５１は、数式５７に示されるように、パラメータを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000057
 　Ｐは、ＥＵＶ光２５１のパワーＰｉに関するパラメータであってもよい。 
　εは、ＥＵＶ光２５１のパルスエネルギに関するパラメータであってもよい。 
　ステップＳ２３３において、制御部５１は、焦点Ｆの位置がＸｉとなるようにステージを駆動してもよい。 
　ステップＳ２３４において、制御部５１は、数式５８に示されるように、緩和時間Ｔｉをゼロに設定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000058
　ステップＳ２３５において、制御部５１は、ドロップレット２７１の画像及びそのコントラストを取得して、焦点Ｆの位置Ｘｉにおける緩和時間Ｔｉを計測する処理を行ってもよい。 
　コントラストを取得して位置Ｘｉにおける緩和時間Ｔｉを計測する処理については、図４０を用いて後述する。 
　ステップＳ２３６において、制御部５１は、計測された緩和時間Ｔｉを位置Ｘｉに対応付けて記憶してもよい。 
　ステップＳ２３７において、制御部５１は、図３５に示されたステップＳ２２７と同様の処理を行ってもよい。 
　ステップＳ２３８において、制御部５１は、数式５９に示された関係が成立するか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000059
 　制御部５１は、数式５９に示された関係が成立しなければ、ステップＳ２３３に移行してもよい。一方、制御部５１は、数式５９に示された関係が成立すれば、本処理を終了してもよい。 
　その後、制御部５１は、図３３のステップＳ２４に移行してもよい。 
　図４０は、図３９のステップＳ２３５に示された、コントラストを取得して位置Ｘｉにおける緩和時間Ｔｉを計測する処理のフローチャートを示す図である。 
　ステップＳ８１において、制御部５１は、数式６０に示されるように、パラメータを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000060
 　Ｔ３は、緩和時間Ｔｉを計測するためのタイマであってもよい。 
　Ｔｍａｘは、緩和時間Ｔｉに関するパラメータであってもよい。
　Ｔｍａｘは、緩和時間Ｔｉを計測するために最低限必要な時間であってもよい。 
　ステップＳ８２乃至Ｓ８５において、制御部５１は、図３７のステップＳ４２乃至Ｓ４５と同様の処理を行ってもよい。 
　ステップＳ８６において、制御部５１は、図３７のステップＳ４６と同様の処理を行ってもよい。 
　但し、制御部５１は、引数ｋがＮ０以上でなければ、ステップＳ８４に移行してもよい。一方、制御部５１は、引数ｋがＮ０以上であれば、ステップＳ８７に移行してもよい。 
　ステップＳ８７において、制御部５１は、タイマＴ３の計時を開始してもよい。 
　ステップＳ８８において、制御部５１は、数式６１を用いて、タイマＴ３の値がＴｍａｘより大きいか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000061
 　制御部５１は、タイマＴ３の値がＴｍａｘより大きくなければ、ステップＳ９１に移行してもよい。一方、制御部５１は、タイマＴ３の値がＴｍａｘより大きければ、ステップＳ８９に移行してもよい。 
　ステップＳ８９において、制御部５１は、タイマＴ３の計時を停止してもよい。 
　ステップＳ９０において、制御部５１は、緩和時間Ｔｉを記憶してもよい。
　その後、制御部５１は、図３９のステップＳ２３６に移行してもよい。 
　ステップＳ９１において、制御部５１は、ドロップレット２７１の画像及びそのコントラストＣｑを取得してもよい。 
　ステップＳ９２において、制御部５１は、図３８のステップＳ７５と同様の処理を行ってもよい。 
　但し、制御部５１は、コントラストＣｑがコントラストＣｑ－１より大きくなければ、ステップＳ８８に移行してもよい。一方、制御部５１は、コントラストＣｑがコントラストＣｑ－１より大きければ、ステップＳ９３に移行してもよい。 
　ステップＳ９３において、制御部５１は、数式６２に示されるように、タイマＴ３の値を緩和時間Ｔｉに設定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000062
　ステップＳ９４において、制御部５１は、図３７のステップＳ４９と同様の処理を行い、ステップＳ８８に移行してもよい。 
　このように、制御部５１は、焦点Ｆのシフト量が安定化してからの経過時間を計時しながら、ドロップレット２７１の画像におけるコントラストＣｑを取得してもよい。そして、制御部５１は、コントラストＣｑが最大となった際の経過時間を特定することによって、緩和時間Ｔｉを計測してもよい。そして、制御部５１は、緩和時間Ｔｉを計測するために最低限必要な時間を確保していることを条件に、計測された緩和時間Ｔｉを記憶してもよい。 
　図４１は、図３３のステップＳ２４に示された、放出時定数τを取得する処理のフローチャートを示す図である。 
　ステップＳ２４１において、制御部５１は、数式６３に示されるように、パラメータを初期化してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000063
　ステップＳ２４２において、制御部５１は、数式６４を計算してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000064
　ステップＳ２４３において、制御部５１は、図３５のステップＳ２２７と同様の処理を行ってもよい。 
　ステップＳ２４４において、制御部５１は、数式６５を用いて、引数ｉがｉｍａｘより大きいか否かを判定してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000065
 　制御部５１は、引数ｉがｉｍａｘより大きくなければ、ステップＳ２４２に移行してもよい。一方、制御部５１は、引数ｉがｉｍａｘより大きければ、ステップＳ２４５に移行してもよい。 
　ステップＳ２４５において、制御部５１は、数式６６に示されるように、最小二乗法により放出時定数τを決定し、記憶してもよい。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000066
　このように、制御部５１は、最小二乗法を用いて、ＥＵＶ光２５１のパワーＰｉ及び緩和時間Ｔｉから放出時定数τを決定し、記憶してもよい。 
　なお、制御部５１は、最小二乗法とは異なる統計的手法を用いて放出時定数τを決定してもよい。 
［８．第４実施形態］ 
　次に図４２を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置について説明する。この第４実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成及び動作において、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。その点は、後述する第５～９実施形態の説明においても同様とする。
　［８．１　構成］ 
　図４２に要部を示す第４実施形態のＥＵＶ光生成装置は、図１１に示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と対比すると、結像光学系４７２が組レンズ鏡筒４７７に保持され、また転写光学系４７６がレンズホルダ４７９に保持されている点で基本的に異なっていてもよい。組レンズ鏡筒４７７は２つの脚部４８４を介してプレート４８２に固定されていてもよい。また、光シャッタ４７５は脚部４８５を介して、そして撮像素子である画像センサ４７１は脚部４８７を介して、それぞれプレート４８２に固定されていてもよい。図１１の構成と同様に、このプレート４８２はステージ４８３によって移動される。一方レンズホルダ４７９はプレート４８２には固定されず、光シャッタ４７５に固定されていてもよい。転写光学系４７６を構成する例えば１枚のリレーレンズは、レンズホルダ４７９内において光軸方向に移動可能に保持されて、ピント調整に適用可能とされていてもよい。
　この場合のピント調整とは、光シャッタ４７５の再生面４７５ｂに再生出力された画像を、画像センサ４７１の撮像面４７１ａ上に結像させる上でのピント調整のことである。画像センサ４７１は脚部４８７を介してプレート４８２に固定されることにより、レンズホルダ４７９に対して光軸周りの回転自由度が無い状態とされてもよい。なお、結像光学系４７２は本開示における第１の結像光学系を構成し、転写光学系４７６は本開示における第２の結像光学系を構成する。
　なお、組レンズ鏡筒４７７は１つの脚部４８４を介してプレート４８２に固定されていてもよい。
　［８．２　動作］ 
　本第４実施形態においても、プラズマ生成領域２５に存在するドロップレット２７１（図２参照）の画像を、正しくピントが合った状態で画像センサ４７１により撮像するための制御は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１におけるのと同様にしてなされ得る。すなわち、例えば第１光エネルギ計測器７が出力するＥＵＶエネルギ計測信号が制御部５１に送られ、制御部５１はそのＥＵＶエネルギ計測信号に基づいてステージ駆動部５１２の動作を制御してもよい。それにより、組レンズ鏡筒４７７に保持された結像光学系４７２、光シャッタ４７５、転写光学系４７６及び画像センサ４７１が、ステージ４８３によって全体的に結像光学系４７２の光軸方向に移動され、光シャッタ４７５の受光面４７５ａが結像光学系４７２の結像面４７２ａと一致する状態とされてもよい。その結果、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が第１の画像として光シャッタ４７５に検出され、それと同じ第１の画像が光シャッタ４７５の再生面４７５ｂに再生出力され得る。そして、その出力された第１の画像が転写光学系４７６によって画像センサ４７１の撮像面４７１ａ上に、第２の画像として結像され得る。こうして最終的に、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が画像センサ４７１によって撮像され得る。　
　［８．３　作用効果］ 
　本第４実施形態のＥＵＶ光生成装置によれば、基本的に第１実施形態のＥＵＶ光生成装置におけるのと同様の作用効果が得られる。また本第４実施形態のＥＵＶ光生成装置によれば、光学フィルタ４７８により、ドロップレット２７１の画像を画像センサ４７１によって撮像する上で有害な光がカットされ得る。この有害な光としては、例えば図２に示すドロップレット検出器４１において、照明部４１０から発せられた光等が挙げられるが、それに限られない。なお、光学フィルタ４７８は、例えばバンドパスフィルタ、ノッチフィルタ及び減光フィルタ等であってもよいが、それらに限られない。またこの光学フィルタ４７８は、図４２に示すように組レンズ鏡筒４７７に直接取り付けられてもよいし、あるいは専用の光学フィルタホルダに収納した状態で組レンズ鏡筒４７７に取り付けられてもよい。　
［９．第５実施形態］ 
　次に図４３を用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置について説明する。
　［９．１　構成］ 
　図４３に要部を示す第５実施形態のＥＵＶ光生成装置は、図４２に示した第４実施形態のＥＵＶ光生成装置と対比すると、転写光学系４７６が省かれている点で基本的に異なっていてもよい。すなわち画像センサ４７１は、その撮像面４７１ａが光シャッタ４７５の再生面４７５ｂに密着した状態に配置されていてもよい。
　［９．２　動作］ 
　本第５実施形態のＥＵＶ光生成装置においても、プラズマ生成領域２５に存在するドロップレット２７１（図２参照）の画像を、正しくピントが合った状態で画像センサ４７１により撮像するための制御は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置におけるのと同様にしてなされ得る。すなわち、例えば第１光エネルギ計測器７が出力するＥＵＶエネルギ計測信号が制御部５１に送られ、制御部５１はそのＥＵＶエネルギ計測信号に基づいてステージ駆動部５１２の動作を制御してもよい。それにより、組レンズ鏡筒４７７に保持された結像光学系４７２、光シャッタ４７５及び画像センサ４７１が、ステージ４８３によって全体的に結像光学系４７２の光軸方向に移動され、光シャッタ４７５の受光面４７５ａが結像光学系４７２の結像面４７２ａと一致する状態とされてもよい。その結果、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が光シャッタ４７５に検出され、それと同じ画像が光シャッタ４７５の再生面４７５ｂに再生出力され、その出力された画像が画像センサ４７１の撮像面４７１ａによって撮像され得る。こうして最終的に、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が画像センサ４７１によって撮像され得る。
　［９．３　作用効果］ 
　本第５実施形態のＥＵＶ光生成装置によれば、基本的に第４実施形態のＥＵＶ光生成装置におけるのと同様の作用効果が得られる。それに加えて、転写光学系４７６が省かれている分、ステージ４８３によって移動される要素が軽量化されているので、制御部５１による制御がより高速でなされ得る。
［１０．第６実施形態］ 
　次に図４４を用いて、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置について説明する。
　［１０．１　構成］ 
　図４４に要部を示す第６実施形態のＥＵＶ光生成装置は、図４２に示した第４実施形態のＥＵＶ光生成装置と対比すると、光シャッタ４７５及び転写光学系４７６が省かれている点で基本的に異なっていてもよい。すなわち画像センサ４７１は、結像光学系４７２を保持する組レンズ鏡筒４７７と一体的に保持されていてもよい。
　［１０．２　動作］ 
　本第６実施形態のＥＵＶ光生成装置においても、プラズマ生成領域２５に存在するドロップレット２７１（図２参照）の画像を、正しくピントが合った状態で画像センサ４７１により撮像するための制御は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置におけるのと同様にしてなされ得る。すなわち、例えば第１光エネルギ計測器７が出力するＥＵＶエネルギ計測信号が制御部５１に送られ、制御部５１はそのＥＵＶエネルギ計測信号に基づいてステージ駆動部５１２の動作を制御してもよい。それにより、組レンズ鏡筒４７７に保持された結像光学系４７２及び画像センサ４７１が、ステージ４８３によって全体的に結像光学系４７２の光軸方向に移動され、画像センサ４７１の撮像面４７１ａが結像光学系４７２の結像面４７２ａと一致する状態とされてもよい。その結果、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が、画像センサ４７１の撮像面４７１ａ上に結像され、画像センサ４７１によって撮像され得る。
　［１０．３　作用効果］ 
　本第６実施形態のＥＵＶ光生成装置によれば、基本的に第４実施形態のＥＵＶ光生成装置におけるのと同様の作用効果が得られる。それに加えて、光シャッタ４７５及び転写光学系４７６が省かれている分、ステージ４８３によって移動される要素が軽量化されているので、制御部５１による制御がより高速でなされ得る。
　なお、制御部５１による制御のために結像光学系４７２を光軸方向に移動させる上では、結像光学系４７２の全体を移動させる他、結像光学系４７２を構成する複数のレンズ中の一部だけを移動させるようにしてもよい。その場合、結像光学系４７２の最もプラズマ生成領域２５側のレンズと、最も画像センサ４７１側のレンズとの間に、ピント合わせ用のレンズを配置しておき、そのレンズだけを移動させるようにしてもよい。また、結像光学系４７２の全体又は一部を移動させる代わりに、さらにはその移動と併せて、画像センサ４７１を結像光学系４７２の光軸方向に移動させてピント合わせを行うようにしてもよい。以上の点は、その他の実施形態においても同様である。
［１１．第７実施形態］ 
　次に図４５を用いて、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置について説明する。
　［１１．１　構成］ 
　図４５に要部を示す第７実施形態のＥＵＶ光生成装置は、図１１に示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と対比すると、ステージ４８３により移動するプレート４８２上には結像光学系４７２だけが固定されている点で異なっていてもよい。すなわち、光シャッタ４７５、転写光学系４７６及び画像センサ４７１は、プレート４８２とは別のブラケット４８８上に固定されていてもよい。なお、結像光学系４７２をプレート４８２上に固定する脚部４８４は、図１１に示したホルダ１１と同様のものであってもよい。また、光シャッタ４７５、転写光学系４７６及び画像センサ４７１をそれぞれブラケット４８８上に固定する脚部４８５、４８６及び４８７も、上記ホルダ１１と同様のものであってもよい。なお、結像光学系４７２は本開示における第１の結像光学系を構成し、転写光学系４７６は本開示における第２の結像光学系を構成する。
　［１１．２　動作］ 
　本第７実施形態においても、プラズマ生成領域２５に存在するドロップレット２７１（図２参照）の画像を、正しくピントが合った状態で画像センサ４７１により撮像するための制御は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１におけるのと同様にしてなされ得る。すなわち、例えば第１光エネルギ計測器７が出力するＥＵＶエネルギ計測信号が制御部５１に送られ、制御部５１はそのＥＵＶエネルギ計測信号に基づいてステージ駆動部５１２の動作を制御してもよい。それにより結像光学系４７２が、ステージ４８３によって全体的に結像光学系４７２の光軸方向に移動され、結像光学系４７２の結像面４７２ａが光シャッタ４７５の受光面４７５ａと一致する状態とされてもよい。その結果、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が第１の画像として光シャッタ４７５に検出され、それと同じ第１の画像が光シャッタ４７５の再生面４７５ｂに再生出力され得る。そして、その出力された第１の画像が転写光学系４７６によって画像センサ４７１の撮像面４７１ａ上に、第２の画像として結像され得る。こうして最終的に、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が画像センサ４７１によって撮像され得る。
　［１１．３　作用効果］ 
　本第７実施形態のＥＵＶ光生成装置によれば、基本的に第１実施形態のＥＵＶ光生成装置におけるのと同様の作用効果が得られる。また本第７実施形態においては、ステージ４８３によって移動されるのは結像光学系４７２のみであるので、第１実施形態と比べれば、制御部５１による制御がより高速でなされ得る。
［１２．第８実施形態］ 
　次に図４６を用いて、第８実施形態のＥＵＶ光生成装置について説明する。
　［１２．１　構成］ 
　図４６に要部を示す第８実施形態のＥＵＶ光生成装置は、図４５に示した第７実施形態のＥＵＶ光生成装置と対比すると、転写光学系４７６が省かれている点で基本的に異なっていてもよい。すなわち画像センサ４７１は、その撮像面４７１ａが光シャッタ４７５の再生面４７５ｂに密着した状態に配置されていてもよい。
　［１２．２　動作］ 
　本第８実施形態のＥＵＶ光生成装置においても、プラズマ生成領域２５に存在するドロップレット２７１（図２参照）の画像を、正しくピントが合った状態で画像センサ４７１により撮像するための制御は、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置におけるのと同様にしてなされ得る。すなわち、例えば第１光エネルギ計測器７が出力するＥＵＶエネルギ計測信号が制御部５１に送られ、制御部５１はそのＥＵＶエネルギ計測信号に基づいてステージ駆動部５１２の動作を制御してもよい。それにより結像光学系４７２が、ステージ４８３によって光軸方向に移動され、結像光学系４７２の結像面４７２ａが光シャッタ４７５の受光面４７５ａと一致する状態とされてもよい。その結果、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が光シャッタ４７５に検出され、それと同じ画像が光シャッタ４７５の再生面４７５ｂに再生出力され、その出力された画像が画像センサ４７１の撮像面４７１ａによって撮像され得る。こうして最終的に、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が画像センサ４７１によって撮像され得る。
　［１２．３　作用効果］ 
　本第８実施形態のＥＵＶ光生成装置によれば、基本的に第７実施形態のＥＵＶ光生成装置におけるのと同様の作用効果が得られる。
［１３．第９実施形態］ 
　次に図４７を用いて、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置について説明する。
　［１３．１　構成］ 
　図４７に要部を示す第９実施形態のＥＵＶ光生成装置は、図４５に示した第７実施形態のＥＵＶ光生成装置と対比すると、光シャッタ４７５及び転写光学系４７６が省かれている点で基本的に異なっていてもよい。すなわち画像センサ４７１は、結像光学系４７と直接向かい合う状態にしてブラケット４８８に固定されていてもよい。
　［１３．２　動作］ 
　本第９実施形態のＥＵＶ光生成装置においても、プラズマ生成領域２５に存在するドロップレット２７１（図２参照）の画像を、正しくピントが合った状態で画像センサ４７１により撮像するための制御は、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置におけるのと同様にしてなされ得る。すなわち、例えば第１光エネルギ計測器７が出力するＥＵＶエネルギ計測信号が制御部５１に送られ、制御部５１はそのＥＵＶエネルギ計測信号に基づいてステージ駆動部５１２の動作を制御してもよい。それにより結像光学系４７２が、ステージ４８３によって光軸方向に移動され、結像光学系４７２の結像面４７２ａが画像センサ４７１の撮像面４７１ａと一致する状態とされてもよい。その結果、ピントが合ったドロップレット２７１の画像が、画像センサ４７１の撮像面４７１ａ上に結像され、画像センサ４７１によって撮像され得る。
　なお、第７から第９の実施形態の変形例としては、結像光学系４７２の２つのレンズをステージ４８３によって光軸方向に移動させることによって、ドロップレット２７１の像のピントを合わせたが、これらの実施形態に限定されることはない。たとえば、結像レンズ光学系４７２の２つのレンズの少なくとも一方のレンズをステージによって光軸方向に移動させることによって、ドロップレット２７１の像のピントを合わせてもよい。
　さらに、第７及び第８の実施形態の変形例としては、結像光学系４７２を移動させずに、光シャッタ４７５と転写レンズ４７６と画像センサ４７１を１つのプレートに固定し、結像光学系４７２の光軸方向に移動させることによって、ドロップレット２７１の像のピントを合わせてもよい。また、第９の実施形態の変形例としては、結像光学系４７２を移動させずに、画像センサ４７１を１つのプレートに固定し、結像光学系４７２の光軸方向に移動させることによって、ドロップレット２７１の像のピントを合わせてもよい。
　［１３．３　作用効果］ 
　本第９実施形態のＥＵＶ光生成装置によれば、基本的に第７実施形態のＥＵＶ光生成装置におけるのと同様の作用効果が得られる。
［１４．その他］ 
　［１４．１　各制御部のハードウェア環境］ 
　当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。 
　図４８は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図４８の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。 
　処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。 
　図４８におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。 
　動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。 
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部５１及びステージ駆動部５１２等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ターゲット供給器２６、レーザ光進行方向制御部３４、光源４１１、信号処理部４３５、光源４５１、画像センサ４７１及びステージ４８３等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、ターゲットセンサ４、光センサ４３１、ＥＵＶエネルギセンサ７１、レーザエネルギセンサ８１及び光エネルギセンサ９１等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。 
　ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。 
　例示的なハードウェア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、制御部５１及びステージ駆動部５１２等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部５１及びステージ駆動部５１２等は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。 
　［１４．２　その他の変形例等］ 
　上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。 
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。 
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。 
　１　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成装置 
　１１　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成システム 
　２　　　　　　　　　…チャンバ 
　２ａ　　　　　　　　…壁 
　２１　　　　　　　　…ウインドウ 
　２２　　　　　　　　…レーザ光集光ミラー 
　２３　　　　　　　　…ＥＵＶ集光ミラー 
　２４　　　　　　　　…貫通孔 
　２５　　　　　　　　…プラズマ生成領域 
　２５１　　　　　　　…ＥＵＶ光 
　２５２　　　　　　　…ＥＵＶ光 
　２６　　　　　　　　…ターゲット供給器 
　２７　　　　　　　　…ターゲット 
　２７１　　　　　　　…ドロップレット 
　２８　　　　　　　　…ターゲット回収器 
　２９　　　　　　　　…接続部 
　２９１　　　　　　　…壁 
　２９２　　　　　　　…中間集光点 
　２９３　　　　　　　…アパーチャ 
　３　　　　　　　　　…レーザ装置 
　３１　　　　　　　　…パルスレーザ光 
　３２　　　　　　　　…パルスレーザ光 
　３３　　　　　　　　…パルスレーザ光 
　３４　　　　　　　　…レーザ光進行方向制御部 
　３４１　　　　　　　…ビームスプリッタ 
　３４２　　　　　　　…ミラー 
　４　　　　　　　　　…ターゲットセンサ 
　４１　　　　　　　　…ドロップレット検出器 
　４１０　　　　　　　…照明部 
　４１１　　　　　　　…光源 
　４１２　　　　　　　…照明光学系 
　４１３　　　　　　　…光学フィルタ 
　４１４　　　　　　　…ウインドウ 
　４３０　　　　　　　…受光部 
　４３１　　　　　　　…光センサ 
　４３２　　　　　　　…受光光学系 
　４３３　　　　　　　…光学フィルタ 
　４３４　　　　　　　…ウインドウ 
　４３５　　　　　　　…信号処理部 
　４５　　　　　　　　…画像計測器 
　４５０　　　　　　　…照明部 
　４５１　　　　　　　…光源 
　４５２　　　　　　　…照明光学系 
　４５４　　　　　　　…ウインドウ 
　４７０　　　　　　　…撮像部 
　４７１　　　　　　　…画像センサ 
　４７１ａ　　　　　　…撮像面
　４７２　　　　　　　…結像光学系 
　４７２ａ　　　　　　…結像面 
　４７３　　　　　　　…光学フィルタ 
　４７４　　　　　　　…ウインドウ 
　４７５　　　　　　　…光シャッタ 
　４７５ａ　　　　　　…受光面 
　４７５ｂ　　　　　　…再生面 
　４７６　　　　　　　…転写光学系 
　４７７　　　　　　　…組レンズ鏡筒
　４７８　　　　　　　…光学フィルタ
　４７９　　　　　　　…レンズホルダ
　４８　　　　　　　　…移動機構 
　４８１　　　　　　　…ホルダ 
　４８２　　　　　　　…プレート 
　４８３　　　　　　　…ステージ 
　４８４　　　　　　　…脚部 
　４８５　　　　　　　…脚部 
　４８６　　　　　　　…脚部 
　４８７　　　　　　　…脚部 
　４８８　　　　　　　…ブラケット 
　５　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成制御部 
　５１　　　　　　　　…制御部 
　５１１　　　　　　　…遅延回路 
　５１２　　　　　　　…ステージ駆動部 
　６　　　　　　　　　…露光装置 
　７　　　　　　　　　…第１光エネルギ計測器 
　７１　　　　　　　　…ＥＵＶエネルギセンサ 
　７２　　　　　　　　…光学フィルタ 
　７３　　　　　　　　…ミラー 
　７４　　　　　　　　…ピンホール板 
　８　　　　　　　　　…第２光エネルギ計測器 
　８１　　　　　　　　…レーザエネルギセンサ 
　９　　　　　　　　　…第３光エネルギ計測器 
　９１　　　　　　　　…光エネルギセンサ 
　９２　　　　　　　　…光学フィルタ 
　９３　　　　　　　　…ウインドウ 
　１００　　　　　　　…ハードウェア環境 
　１０００　　　　　　…処理ユニット 
　１００１　　　　　　…ＣＰＵ 
　１００２　　　　　　…メモリ 
　１００３　　　　　　…タイマ 
　１００４　　　　　　…ＧＰＵ 
　１００５　　　　　　…ストレージユニット 
　１０１０　　　　　　…ユーザインターフェイス 
　１０２０　　　　　　…パラレルＩ／Ｏコントローラ 
　１０３０　　　　　　…シリアルＩ／Ｏコントローラ 
　１０４０　　　　　　…Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ 
　Ｆ　　　　　　　　　…焦点 
　Ｒ　　　　　　　　　…検出領域 
　Ｔ　　　　　　　　　…ドロップレット軌道 

Claims (15)

  1. 　内部の所定領域に供給されたドロップレットから極端紫外光が生成されるチャンバと、 
    　前記チャンバに設けられ、前記所定領域に供給された前記ドロップレットの像を結像させる結像光学系と、 
    　前記結像された像を撮像する撮像素子と、
    　前記結像光学系の少なくとも一部および／または前記撮像素子を、結像光学系の光軸方向に移動させるステージと、 
    　前記極端紫外光が生成される際に発生する光エネルギを計測する光エネルギ計測器と、 
    　前記光エネルギ計測器によって計測された前記光エネルギの計測値に基づいて、前記結像光学系による前記ドロップレットの結像面が前記撮像素子の撮像面と一致するように前記ステージを制御する制御部と、 
    　を備える極端紫外光生成装置。 
  2. 　前記チャンバには、前記所定領域に供給された前記ドロップレットを照射するレーザ光が導入され、 
    　前記極端紫外光は、前記レーザ光が照射された前記ドロップレットから生成されたプラズマが、前記極端紫外光を含む光を放出することによって生成され、 
    　前記光エネルギ計測器は、 
    　　前記プラズマから放出された前記極端紫外光、 
    　　前記プラズマから放出された前記光のうち前記極端紫外光と異なる波長を有する光、及び、 
    　　前記所定領域に供給された前記ドロップレットに照射される前記レーザ光、 
    　のうちの少なくとも１つの前記光エネルギを計測する 
    　請求項１に記載の極端紫外光生成装置。 
  3. 　前記光エネルギは、前記極端紫外光が生成される際に前記極端紫外光生成装置内で熱エネルギに変換されて前記極端紫外光生成装置を加熱し、 
    　前記制御部は、 
    　　前記光エネルギの前記計測値を所定時間毎に積算した積算値から、前記所定時間毎に前記極端紫外光生成装置内で増加する前記熱エネルギの増加量を推定し、 
    　　前記熱エネルギの前記増加量に基づいて、前記ステージを制御する 
    　請求項２に記載の極端紫外光生成装置。 
  4. 　前記制御部は、 
    　　前記熱エネルギが前記極端紫外光生成装置外へ放出される際の前記熱エネルギの放出時定数を記憶し、 
    　　前記放出時定数に応じて前記所定時間毎に前記極端紫外光生成装置外へ放出される前記熱エネルギの放出量を推定し、 
    　　前記熱エネルギの放出量に基づいて、前記ステージを制御する 
    　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 
  5. 　前記制御部は、 
    　　前記熱エネルギの前記増加量と前記熱エネルギの前記放出量との合計に基づいて、前記極端紫外光が生成される際の前記結像光学系による結像面が前記撮像素子の撮像面と一致する場合の被写体の位置のシフト量を計算し、 
    　　前記シフト量に応じて前記ステージの駆動量を決定し、 
    　　前記駆動量に応じて前記ステージを制御する 
    　請求項４に記載の極端紫外光生成装置。 
  6. 　前記制御部は、 
    　　前記撮像部によって撮像された前記ドロップレットの画像のコントラストを取得し、 
    　　前記コントラストに基づいて前記放出時定数を決定し、記憶する
    　請求項５に記載の極端紫外光生成装置。 
  7. 　前記制御部は、前記コントラストに基づいて前記撮像部の初期位置を決定する 
    　請求項６に記載の極端紫外光生成装置。 
  8. 　内部の所定領域に供給されたドロップレットから極端紫外光が生成されるチャンバと、 
    　前記チャンバに設けられ、前記所定領域に供給された前記ドロップレットの像を結像させる第１の結像光学系と、 
    　前記結像された第１の像を検出する受光面を有して、同じ第１の像を出力する光シャッタと、
    　前記光シャッタから出力された第１の像を撮像する撮像素子と、
    　前記第１の結像光学系の少なくとも一部および／または前記光シャッタを、第１の結像光学系の光軸方向に移動させるステージと、 
    　前記極端紫外光が生成される際に発生する光エネルギを計測する光エネルギ計測器と、 
    　前記光エネルギ計測器によって計測された前記光エネルギの計測値に基づいて、前記第１の結像光学系による前記ドロップレットの結像面が前記光シャッタの受光面と一致するように前記ステージを制御する制御部と、 
    　を備える極端紫外光生成装置。 
  9. 　前記光シャッタと前記撮像素子との間に配置され、前記光シャッタから出力された前記第１の像を撮像素子の撮像面上に第２の像として結像させる第２の結像光学系をさらに含む請求項８に記載の極端紫外光生成装置。
  10. 　前記チャンバには、前記所定領域に供給された前記ドロップレットを照射するレーザ光が導入され、 
    　前記極端紫外光は、前記レーザ光が照射された前記ドロップレットから生成されたプラズマが、前記極端紫外光を含む光を放出することによって生成され、 
    　前記光エネルギ計測器は、 
    　　前記プラズマから放出された前記極端紫外光、 
    　　前記プラズマから放出された前記光のうち前記極端紫外光と異なる波長を有する光、及び、 
    　　前記所定領域に供給された前記ドロップレットに照射される前記レーザ光、 
    　のうちの少なくとも１つの前記光エネルギを計測する 
    　請求項８に記載の極端紫外光生成装置。 
  11. 　前記光エネルギは、前記極端紫外光が生成される際に前記極端紫外光生成装置内で熱エネルギに変換されて前記極端紫外光生成装置を加熱し、 
    　前記制御部は、 
    　　前記光エネルギの前記計測値を所定時間毎に積算した積算値から、前記所定時間毎に前記極端紫外光生成装置内で増加する前記熱エネルギの増加量を推定し、 
    　　前記熱エネルギの前記増加量に基づいて、前記ステージを制御する 
    　請求項１０に記載の極端紫外光生成装置。 
  12. 　前記制御部は、 
    　　前記熱エネルギが前記極端紫外光生成装置外へ放出される際の前記熱エネルギの放出時定数を記憶し、 
    　　前記放出時定数に応じて前記所定時間毎に前記極端紫外光生成装置外へ放出される前記熱エネルギの放出量を推定し、 
    　　前記熱エネルギの放出量に基づいて、前記ステージを制御する 
    　請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。 
  13. 　前記制御部は、 
    　　前記熱エネルギの前記増加量と前記熱エネルギの前記放出量との合計に基づいて、前記極端紫外光が生成される際の前記結像光学系による結像面が前記撮像素子の撮像面と一致する被写体の位置のシフト量を計算し、 
    　　前記シフト量に応じて前記ステージの駆動量を決定し、 
    　　前記駆動量に応じて前記ステージを制御する 
    　請求項１２に記載の極端紫外光生成装置。 
  14. 　前記制御部は、 
    　　前記撮像部によって撮像された前記ドロップレットの画像のコントラストを取得し、 
    　　前記コントラストに基づいて前記放出時定数を決定し、記憶する
    　請求項１３に記載の極端紫外光生成装置。 
  15. 　前記制御部は、前記コントラストに基づいて前記撮像部の初期位置を決定する 
    　請求項１４に記載の極端紫外光生成装置。 
    　 
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