JP2023039057A - 極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶ集光ミラーを収容した第１のチャンバの振動や熱変形などにより、第１のチャンバと第２のチャンバとの相対的な位置がずれることがある。【解決手段】極端紫外光生成装置は、第１のチャンバ２ａと、第１の点２５で生成された極端紫外光を第２の点２９２ａに集光するＥＵＶ集光ミラー２３ａと、ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路に設けられた第１の平面ミラー４３と、第１の平面ミラーを収容する第２のチャンバと、第１及び第２のチャンバの間に設けられたフレキシブル管６２と、第１のチャンバに設けられ、ＥＵＶ集光ミラーにアライメント光３８を入射させるアライメント光学系３６と、第２のチャンバに設けられ、ＥＵＶ集光ミラーによって反射されたアライメント光を検出する検出器７３ｂと、第１の平面ミラーの姿勢を変更するアクチュエータ４５と、検出器の出力に基づいてアクチュエータを制御するプロセッサ５と、を備える。【選択図】図３

Description

本開示は、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するＥＵＶ光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置の開発が進んでいる。

特開２００７－１０９４５１号公報 特開２００１－１５０１６４号公報 米国特許出願公開第２００９／１５９８０８号明細書 米国特許出願公開第２０１０／１４０５１２号明細書 米国特許出願公開第２０１２／１１９１１６号明細書

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、第１のチャンバと、第１のチャンバの内部に設けられ、第１のチャンバの内部の第１の点で生成された極端紫外光を第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路に設けられた第１の平面ミラーと、第１の平面ミラーを収容する第２のチャンバと、第１及び第２のチャンバの間に設けられたフレキシブル管と、第１のチャンバに設けられ、ＥＵＶ集光ミラーにアライメント光を入射させるアライメント光学系と、第２のチャンバに設けられ、ＥＵＶ集光ミラーによって反射されたアライメント光を検出する検出器と、第１の平面ミラーの姿勢を変更するアクチュエータと、検出器の出力に基づいてアクチュエータを制御するプロセッサと、を備える。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、第１のチャンバと、第１のチャンバの内部に設けられ、第１のチャンバの内部の第１の点で生成された極端紫外光を第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路に設けられた第１の平面ミラーと、第１の平面ミラーを収容する第２のチャンバと、第１及び第２のチャンバの間に設けられたフレキシブル管と、第１のチャンバに設けられ、ＥＵＶ集光ミラーにアライメント光を入射させるアライメント光学系と、第２のチャンバに設けられ、ＥＵＶ集光ミラーによって反射されたアライメント光を検出する検出器と、第１の平面ミラーの姿勢を変更するアクチュエータと、検出器の出力に基づいてアクチュエータを制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、第１のチャンバと、第１のチャンバの内部に設けられ、第１のチャンバの内部の第１の点で生成された極端紫外光を第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路に設けられた第１の平面ミラーと、第１の平面ミラーを収容する第２のチャンバと、第１及び第２のチャンバの間に設けられたフレキシブル管と、第１のチャンバに設けられ、ＥＵＶ集光ミラーにアライメント光を入射させるアライメント光学系と、第２のチャンバに設けられ、ＥＵＶ集光ミラーによって反射されたアライメント光を検出する検出器と、第１の平面ミラーの姿勢を変更するアクチュエータと、検出器の出力に基づいてアクチュエータを制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図４は、ＥＵＶ集光ミラーの断面図である。 図５は、第１の実施形態におけるプロセッサの動作を示すフローチャートである。 図６は、光センサから出力される光強度分布の例を示す。 図７は、第１の平面ミラーの位置とＥＵＶ光の光軸との関係を示す。 図８は、光センサから出力される光強度分布の例を示す。 図９は、第１の平面ミラーの位置とＥＵＶ光の光軸との関係を示す。 図１０は、光センサから出力される光強度分布の例を示す。 図１１は、第１の平面ミラーの位置とＥＵＶ光の光軸との関係を示す。 図１２は、光センサから出力される光強度分布の例を示す。 図１３は、第１の平面ミラーの位置とＥＵＶ光の光軸との関係を示す。 図１４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図１５は、第２の実施形態におけるプロセッサの動作を示すフローチャートである。 図１６は、光センサから出力される光強度分布の例を示す。 図１７は、第１の平面ミラーの位置とＥＵＶ光の光軸との関係を示す。 図１８は、光センサから出力される光強度分布の例を示す。 図１９は、第１の平面ミラーの位置とＥＵＶ光の光軸との関係を示す。 図２０は、光センサから出力される光強度分布の例を示す。 図２１は、第１の平面ミラーの位置とＥＵＶ光の光軸との関係を示す。 図２２は、光センサから出力される光強度分布の例を示す。 図２３は、第１の平面ミラーの位置とＥＵＶ光の光軸との関係を示す。 図２４は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２５は、ＥＵＶ光生成システムに接続された露光装置の構成を概略的に示す。 図２６は、ＥＵＶ光生成システムに接続された検査装置の構成を概略的に示す。

実施形態

＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 比較例の課題
３．第１のチャンバ２ａに設けられたウインドウ３９をアライメント光３８が通過する例
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 作用
４．第２のチャンバ４２に設けられた第１の平面ミラー４３にアライメント光３８が入射する例
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．第２のチャンバ４２に設けられた第２の平面ミラー４６にアライメント光３８が入射する例
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
６．その他

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
図１に、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給装置２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。

チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
第１の焦点から第２の焦点へ向かう方向をＺ方向とする。Ｚ方向に垂直なターゲット２７の進行方向をＹ方向とする。Ｙ方向とＺ方向との両方に垂直な方向をＸ方向とする。

ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部とＥＵＶ光利用装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。ＥＵＶ光利用装置６の例については、図２５及び図２６を参照しながら後述する。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。

１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、レーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。

ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、ＥＵＶ光利用装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

２．比較例
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１ａの構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。図２に示されるように、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１ａは、レーザ光伝送装置３４の代わりに高反射ミラー３４ａ及び３４ｂを含み、チャンバ２の代わりに第１のチャンバ２ａを含む。ＥＵＶ光生成システム１１ａは、さらに第２のチャンバ４２と、第１及び第２のチャンバ２ａ及び４２の間に設けられたフレキシブル管６２と、を含む。フレキシブル管６２は、第１及び第２のチャンバ２ａ及び４２が互いに独立して位置決めできるように、少なくとも一部に柔軟性のある素材を含む。柔軟性のある素材は、フレキシブル管６２の内外の圧力差に耐え得るベローズ管を構成していてもよい。

第１のチャンバ２ａの内部には、レーザ光集光ミラー２２の代わりにレーザ光集光光学系２２ａが設けられ、ＥＵＶ集光ミラー２３の代わりにＥＵＶ集光ミラー２３ａが設けられている。ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、第１のチャンバ２ａの内部のプラズマ生成領域２５に位置する第１の焦点で生成されたＥＵＶ光を第２の点２９２ａに集光するように構成されている。第１の焦点は本開示における第１の点に相当する。なお、図２にはＥＵＶ集光ミラー２３ａの一部のみ示されている。

第２のチャンバ４２の内部には、第１の平面ミラー４３が収容されている。第１の平面ミラー４３は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路であって、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと第２の点２９２ａとの間に位置する。第１の平面ミラー４３は、ホルダ４４に支持されている。ホルダ４４に取り付けられたアクチュエータ４５が、第１の平面ミラー４３の姿勢を変更できるように構成されている。

第２のチャンバ４２は、接続部２９ａを介してＥＵＶ光利用装置６に接続されている。接続部２９ａの内側に第２の点２９２ａが位置する。

２．２ 動作
レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、高反射ミラー３４ａ及び３４ｂによって反射され、パルスレーザ光３２として第１のチャンバ２ａのウインドウ２１を通過する。パルスレーザ光３２はレーザ光集光光学系２２ａを通過し、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光される。

パルスレーザ光３３は、ターゲット供給装置２６から出力されてプラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７に照射される。これによりターゲット２７はプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光を含む放射光２５１が放射される。ＥＵＶ集光ミラー２３ａは放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２ａを反射する。

ＥＵＶ光２５２ａはフレキシブル管６２の内部を通り、第２のチャンバ４２の内部の第１の平面ミラー４３に斜め入射する。ＥＵＶ光２５２ａは第１の平面ミラー４３によって反射され、接続部２９ａを通ってＥＵＶ光利用装置６に入射する。

２．３ 比較例の課題
ＥＵＶ集光ミラー２３ａを収容した第１のチャンバ２ａの振動や熱変形などにより、第１のチャンバ２ａと第２のチャンバ４２との相対的な位置がずれることがある。第１のチャンバ２ａと第２のチャンバ４２との相対的な位置がずれると、ＥＵＶ光利用装置６に入射するＥＵＶ光２５２ａの光軸がずれて、ＥＵＶ光利用装置６で利用できるＥＵＶ光のエネルギー及びパワーが低下する。ＥＵＶ光２５２ａの光路にビームスプリッタを設け、ビームスプリッタによる反射光を検出してＥＵＶ光２５２ａの光軸を監視することも考えられるが、ビームスプリッタを設けるとＥＵＶ光利用装置６に入射するＥＵＶ光のエネルギー及びパワーが低下する。

以下に説明する幾つかの実施形態においては、第１のチャンバ２ａに設けられたアライメント光学系３６からＥＵＶ集光ミラー２３ａにアライメント光３８を入射させる。ＥＵＶ集光ミラー２３ａで反射されたアライメント光３８を第２のチャンバ４２に設けられた光センサ７３ｂ、７３ｃ、又は７３ｄで検出する。これにより、第２のチャンバ４２に対するＥＵＶ光２５２ａの光軸のずれを検出し、このずれに基づいて第１の平面ミラー４３の姿勢を制御することによりＥＵＶ光２５２ａの光軸を制御することができる。

３．第１のチャンバ２ａに設けられたウインドウ３９をアライメント光３８が通過する例
３．１ 構成
図３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｂの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、アライメント光源３５と、アライメント光学系３６と、ウインドウ３７及び３９と、検出光学系７１ｂと、集光光学系７２ｂと、光センサ７３ｂと、表示部５１と、を含む。

アライメント光源３５は、可視光のアライメント光３８を出力するレーザ光源である。アライメント光学系３６は、第１のチャンバ２ａの外部に設けられ、ＥＵＶ集光ミラー２３ａにアライメント光３８を入射させるように構成されている。ウインドウ３７は、アライメント光学系３６とＥＵＶ集光ミラー２３ａとの間のアライメント光３８の光路に位置するように第１のチャンバ２ａに設けられている。ウインドウ３９は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと検出光学系７１ｂとの間のアライメント光３８の光路に位置するように第１のチャンバ２ａに設けられている。ウインドウ３９は本開示における第１のウインドウに相当する。

検出光学系７１ｂ、集光光学系７２ｂ、及び光センサ７３ｂは、第２のチャンバ４２の外部に設けられている。集光光学系７２ｂは、検出光学系７１ｂと光センサ７３ｂとの間のアライメント光３８の光路に設けられている。アライメント光３８を検出する光センサ７３ｂは、集光光学系７２ｂの焦点の位置に設けられている。光センサ７３ｂは本開示における検出器に相当する。

表示部５１は、画像表示装置を含む。あるいは、表示部５１は、正常時と異常時とで点灯のパターンが異なる表示ランプでもよい。

図４は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの断面図である。図３はＥＵＶ集光ミラー２３ａ及びその他の構成要素を－Ｘ方向に見た図であるのに対し、図４はＥＵＶ集光ミラー２３ａを＋Ｙ方向に見た図に相当する。ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、プラズマ生成領域２５に含まれる第１の焦点と、第１の焦点よりもＥＵＶ集光ミラー２３ａからの距離が遠い第２の焦点２９２ｂと、第１及び第２の焦点を通る仮想の回転軸Ａ１と、を有する回転楕円面Ｏ１の一部と一致する反射面を含む。第２の点２９２ａ（図３参照）は、第１の平面ミラー４３による第２の焦点２９２ｂの鏡像に相当する。ＥＵＶ集光ミラー２３ａに入射したアライメント光３８は、その入射位置から第２の焦点２９２ｂへ向かう方向とは異なる方向に反射されるので、アライメント光３８は第２の点２９２ａには入射しない。

ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、回転軸Ａ１よりも－Ｘ側に片寄って配置されているため、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路はプラズマ生成領域２５から離れており、ＥＵＶ光２５２ａはプラズマ生成領域２５を通過しない。このようなＥＵＶ集光ミラー２３ａを軸外し楕円ミラーともいう。

ＥＵＶ集光ミラー２３ａの反射面は、回転軸Ａ１に垂直でプラズマ生成領域２５を通る仮想の平面Ｐ１よりも第２の焦点２９２ｂに近い領域２３１と、第２の焦点２９２ｂから遠い領域２３２と、を含む。アライメント光学系３６は、領域２３１にアライメント光３８を入射させるように構成されている。領域２３１は領域２３２よりもプラズマ生成領域２５からの距離が離れているため、ターゲット物質のデブリによって汚染されにくく、アライメント光３８の散乱が起こりにくい。これにより、アライメント光３８を正しく計測することが可能となる。

３．２ 動作
図３を再び参照し、アライメント光源３５から出力されたアライメント光３８は、アライメント光学系３６によってＥＵＶ集光ミラー２３ａに向けられる。アライメント光３８は、ウインドウ３７を透過することによって第１のチャンバ２ａに入射し、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの反射面に入射する。ウインドウ３７からＥＵＶ集光ミラー２３ａまでのアライメント光３８の光路はプラズマ生成領域２５から離れており、アライメント光３８はプラズマ生成領域２５を通過しない。

アライメント光３８は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射され、ＥＵＶ光２５２ａとは異なる光路を通ってウインドウ３９を透過することにより第１のチャンバ２ａの外部に出射し、検出光学系７１ｂに入射する。従って、アライメント光３８の光路は第１の平面ミラー４３から離れており、アライメント光３８は第１の平面ミラー４３には入射しない。一方、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路はウインドウ３９から離れており、ＥＵＶ光２５２ａはウインドウ３９には入射しない。

検出光学系７１ｂは、集光光学系７２ｂを介して光センサ７３ｂにアライメント光３８を入射させる。集光光学系７２ｂは、アライメント光３８を光センサ７３ｂの受光面に集光する。光センサ７３ｂは、受光面における光強度分布を取得してプロセッサ５に出力する。プロセッサ５は、光センサ７３ｂの受光面における光強度分布から光強度のピーク位置を特定する。このピーク位置を以下の説明においてアライメント光３８の位置Ｐｎという。ｎは０以上の整数であり、計測を行う度に１ずつ増加する。アライメント光３８の位置Ｐｎの変化は、アライメント光３８の光軸の変化を示す。

アライメント光３８の位置Ｐｎは、例えば、Ｘ座標成分とＹ座標成分とを含む２次元のベクトルで表すことができる。

プロセッサ５は、アライメント光３８の位置Ｐ０に基づいて第１の平面ミラー４３の目標位置φｎを計算し、目標位置φｎに基づいてアクチュエータ４５を制御する。プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂの動作の終了時に正常か異常かの情報を表示部５１に表示させる。

図５は、第１の実施形態におけるプロセッサ５の動作を示すフローチャートである。図５に示されるフローチャートはアライメント光３８を用いたＥＵＶ光２５２ａの光軸制御の手順を含む。
図６、図８、図１０、及び図１２は、光センサ７３ｂから出力される光強度分布の例を示す。図７、図９、図１１、及び図１３は、第１の平面ミラー４３の位置とＥＵＶ光２５２ａの光軸との関係を示す。ＥＵＶ光２５２ａの光軸とは、ＥＵＶ光２５２ａの光路の中心軸を意味する。

Ｓ１０１において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂの起動及び調整を行う。
Ｓ１０２において、プロセッサ５は、光センサ７３ｂによって検出されたアライメント光３８の位置Ｐｎを初期位置Ｐ０として計測し、メモリ５０１に記憶する。初期位置Ｐ０は本開示における第１の初期位置に相当する。図６に、初期位置Ｐ０が示されている。初期位置Ｐ０はＥＵＶ光生成システム１１ｂの調整が完了した状態でのアライメント光３８の位置であり、その後の制御の基準となる。

Ｓ１０３において、プロセッサ５は、第１の平面ミラー４３の現在の姿勢を初期位置φ０として記憶する。初期位置φ０は本開示における第２の初期位置に相当する。アクチュエータ４５がステッピングモータを含む場合、第１の平面ミラー４３の現在の姿勢はステッピングモータのカウント数に対応する。アクチュエータ４５がピエゾ素子を含む場合、第１の平面ミラー４３の現在の姿勢はピエゾ素子に印加されている電圧の値に対応する。
アクチュエータ４５は、例えば２軸ステージであって、第１の平面ミラー４３の姿勢のＸ軸周り及びＹ軸周りの調整をそれぞれ行うことができる。

図７に、初期位置φ０が示されている。アライメント光３８の位置Ｐｎが初期位置Ｐ０であって、第１の平面ミラー４３の現在の姿勢が初期位置φ０である場合に第１の平面ミラー４３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光軸をＥＵＶ０とする。

Ｓ１０４において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂの運転を開始し、ＥＵＶ光の出力を開始させる。
Ｓ１０５において、プロセッサ５は、アライメント光３８の位置Ｐｎの計測回数をカウントするためのカウンタｎを１にセットする。

Ｓ１０６において、プロセッサ５は、光センサ７３ｂから光強度分布の計測データを受信して、アライメント光３８の位置Ｐｎを検出する。図８に、新たに検出されたアライメント光３８の位置Ｐｎが示されている。図９に、新たなＥＵＶ光２５２ａの光軸ＥＵＶ１が示されている。例えば、第１の平面ミラー４３に入射するＥＵＶ光２５２ａの光軸がずれた場合に、第１の平面ミラー４３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光軸はＥＵＶ０からずれてＥＵＶ１となり、図８に示されるようにアライメント光３８の位置Ｐｎが変化する。

Ｓ１０７において、プロセッサ５は、アライメント光３８の位置Ｐｎが前回計測されたアライメント光３８の位置Ｐｎ－１と等しいか否かを判定する。
ＰｎがＰｎ－１と等しい場合（Ｓ１０７：ＹＥＳ）、アライメント光３８の位置Ｐｎに変化がなくＥＵＶ光２５２ａの光軸を戻す必要がないので、プロセッサ５は、Ｓ１１５に処理を進める。プロセッサ５は、Ｓ１１５において現在のｎの値に１を加算してｎの値を更新し、その後Ｓ１０６に処理を戻す。

ＰｎがＰｎ－１と異なる場合（Ｓ１０７：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ１０８に処理を進める。Ｓ１０８において、プロセッサ５は、初期位置Ｐ０と光センサ７３ｂによって新たに検出されたアライメント光３８の位置Ｐｎとの差ΔＰｎを以下の式により計算する。
ΔＰｎ＝Ｐｎ－Ｐ０
図１０に、ΔＰｎが示されている。

Ｓ１１０において、プロセッサ５は、差ΔＰｎに相当するＥＵＶ光２５２ａの光軸のずれが第１の平面ミラー４３による調整可能範囲を超えているか否かを判定する。例えば、調整可能範囲に相当するΔＰｎの範囲を予め定めておき、この範囲をΔＰｎが超えているか否かを判断する。光軸のずれが調整可能範囲を超えている場合（Ｓ１１０：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ１１６に処理を進める。光軸のずれが調整可能範囲内である場合（Ｓ１１０：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ１１１に処理を進める。

Ｓ１１１において、プロセッサ５は、初期位置φ０に対する第１の平面ミラー４３の目標位置φｎを以下の式により計算する。
φｎ＝φ０＋α・ΔＰｎ
ここで、αは比例定数である。図１１に、第１の平面ミラー４３の目標位置φｎが示されている。差ΔＰｎを用いることにより、ＥＵＶ光２５２ａの光軸ＥＵＶ１をＥＵＶ０に戻すための第１の平面ミラー４３の目標位置φｎを設定することができる。

Ｓ１１３において、プロセッサ５は、第１の平面ミラー４３を目標位置φｎに移動させるようアクチュエータ４５を制御する。図１２に、Ｓ１１３による処理の後の光センサ７３ｂから出力される光強度分布を示す。図１３に、Ｓ１１３による処理の後の第１の平面ミラー４３の位置とＥＵＶ光２５２ａの光軸ＥＵＶ０との関係を示す。図１３に示されるように、第１の平面ミラー４３は目標位置φｎに制御され、第１の平面ミラー４３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光軸はＥＵＶ０に戻されている。但し、アライメント光３８の位置Ｐｎは第１の平面ミラー４３の制御によっては変わらないので、図１２に示されるアライメント光３８の位置Ｐｎは、Ｓ１０６で検出されたアライメント光３８の位置Ｐｎと同じである。

Ｓ１１４において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂの運転を継続するか否かを判定する。ＥＵＶ光生成システム１１ｂの運転を継続する場合（Ｓ１１４：ＹＥＳ）、プロセッサ５はＳ１１５に処理を進める。ＥＵＶ光生成システム１１ｂの運転を停止する場合（Ｓ１１４：ＮＯ）、プロセッサ５はＳ１１６に処理を進める。

Ｓ１１６において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂの運転を停止して、正常又は異常を示す情報を表示部５１に表示させる。Ｓ１１０においてＹＥＳと判定されてＳ１１６に進んだ場合は異常の表示が行われ、Ｓ１１４においてＮＯと判定されてＳ１１６に進んだ場合は正常の表示が行われる。Ｓ１１６の後、プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了する。

３．３ 作用
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３ａを収容した第１のチャンバ２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３ａから入射したＥＵＶ光２５２ａを反射する第１の平面ミラー４３を収容した第２のチャンバ４２と、をフレキシブル管６２で接続する。第１のチャンバ２ａに設けられたアライメント光学系３６からＥＵＶ集光ミラー２３ａにアライメント光３８を入射させ、第２のチャンバ４２に設けられた光センサ７３ｂによるアライメント光３８の検出結果に基づいて、第１の平面ミラー４３のアクチュエータ４５を制御する。これによれば、第２のチャンバ４２に対するＥＵＶ光２５２ａの光軸のずれを検出し、ＥＵＶ光２５２ａの光軸を制御することにより、ＥＵＶ光利用装置６で利用できるＥＵＶ光のエネルギー及びパワーの低下を抑制することができる。

（２）第１の実施形態によれば、第１の平面ミラー４３は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと第２の点２９２ａとの間のＥＵＶ光２５２ａの光路に位置する。これによれば、第１の平面ミラー４３の姿勢を制御することによって、第２の点２９２ａの位置を制御し得る。

（３）第１の実施形態によれば、アライメント光３８の光路は、プラズマ生成領域２５から離れている。これによれば、アライメント光３８が第２の点２９２ａに入射することを抑制し得る。

（４）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３ａへのアライメント光３８の入射位置から第２の焦点２９２ｂへ向かう方向とは異なる方向にアライメント光３８を反射する。これによれば、ＥＵＶ光２５２ａの光路にビームスプリッタを配置しなくてもアライメント光３８を検出できる。

（５）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの反射面のうちの、回転楕円面Ｏ１の回転軸Ａ１に垂直でプラズマ生成領域２５を通る平面Ｐ１よりも第２の焦点２９２ｂに近い領域２３１にアライメント光３８を入射させる。これによれば、ターゲット物質のデブリによって汚染されにくい領域２３１にアライメント光３８を入射させるので、アライメント光３８を精度よく検出できる。

（６）第１の実施形態によれば、アライメント光３８の光路は、第１の平面ミラー４３から離れている。これによれば、アライメント光３８の光路とＥＵＶ光２５２ａの光路とを離すことができ、検出光学系７１ｂの設置スペースの自由度が向上し得る。

（７）第１の実施形態によれば、アライメント光３８は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射された後、第１のチャンバ２ａに設けられたウインドウ３９を透過して光センサ７３ｂに入射する。これによれば、フレキシブル管６２を通さずにアライメント光３８を光センサ７３ｂに入射させるので、検出光学系７１ｂの設置スペースの自由度が向上し得る。

（８）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路は、ウインドウ３９から離れている。これによれば、ＥＵＶ光２５２ａの減衰を抑制しながら第２の点２９２ａに集光することができる。

（９）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、アライメント光３８の初期位置Ｐ０と第１の平面ミラー４３の初期位置φ０とを記憶し、初期位置Ｐ０とその後のアライメント光３８の位置Ｐｎとの差ΔＰｎに基づいて第１の平面ミラー４３の初期位置φ０に対する目標位置φｎを計算する。これによれば、第１の平面ミラー４３にアライメント光３８を入射させない場合でも、ＥＵＶ光２５２ａの光軸のずれを検出し、第１の平面ミラー４３を制御できる。
その他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。

４．第２のチャンバ４２に設けられた第１の平面ミラー４３にアライメント光３８が入射する例
４．１ 構成
図１４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｃの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成システム１１ｃは、ウインドウ７０ｃと、検出光学系７１ｃと、集光光学系７２ｃと、光センサ７３ｃと、を含む。
アライメント光源３５、アライメント光学系３６、及びウインドウ３７の構成は第１の実施形態と同様である。但し、アライメント光学系３６によって規定されるアライメント光３８の光軸が第１の実施形態と異なっている。

第１の平面ミラー４３は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたアライメント光３８との両方が入射するようにこれらの光路に設けられている。

ウインドウ７０ｃは、第１の平面ミラー４３と検出光学系７１ｃとの間のアライメント光３８の光路に位置するように第２のチャンバ４２に設けられている。ウインドウ７０ｃは本開示における第２のウインドウに相当する。
検出光学系７１ｃ、集光光学系７２ｃ、及び光センサ７３ｃは、第２のチャンバ４２の外部に設けられている。集光光学系７２ｃは、検出光学系７１ｃと光センサ７３ｃとの間のアライメント光３８の光路に設けられている。アライメント光３８を検出する光センサ７３ｃは、集光光学系７２ｃの焦点の位置に設けられている。光センサ７３ｃは本開示における検出器に相当する。

４．２ 動作
ウインドウ３７を透過したアライメント光３８は、プラズマ生成領域２５に近い位置を通過してＥＵＶ集光ミラー２３ａに入射する。但し、ウインドウ３７からＥＵＶ集光ミラー２３ａまでのアライメント光３８の光路はプラズマ生成領域２５からわずかに離れており、アライメント光３８はプラズマ生成領域２５を通過しない。

ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたアライメント光３８は、ＥＵＶ光２５２ａと同様にフレキシブル管６２の内部を通り、第１の平面ミラー４３に入射する。但し、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたアライメント光３８の光軸は、第２の焦点２９２ｂ（図４参照）へ向かう方向とはわずかに異なる。このため、第１の平面ミラー４３によって反射されたアライメント光３８は第２の点２９２ａに向かう方向とはわずかに異なる方向に進む。アライメント光３８は、ウインドウ７０ｃを透過することにより第２のチャンバ４２の外部に出射し、検出光学系７１ｃに入射する。一方、第１の平面ミラー４３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路はウインドウ７０ｃからわずかに離れており、ＥＵＶ光２５２ａはウインドウ７０ｃには入射しない。

検出光学系７１ｃは、集光光学系７２ｃを介して光センサ７３ｃにアライメント光３８を入射させる。集光光学系７２ｃは、アライメント光３８を光センサ７３ｃの受光面に集光する。光センサ７３ｃは、受光面における光強度分布を取得してプロセッサ５に出力する。

図１５は、第２の実施形態におけるプロセッサ５の動作を示すフローチャートである。図１５に示されるフローチャートはアライメント光３８を用いたＥＵＶ光２５２ａの光軸制御の手順を含む。
図１６、図１８、図２０、及び図２２は、光センサ７３ｃから出力される光強度分布の例を示す。図１７、図１９、図２１、及び図２３は、第１の平面ミラー４３の位置とＥＵＶ光２５２ａの光軸との関係を示す。

Ｓ１０１及びＳ１０２の処理は、第１の実施形態において対応する処理と同様である。但し、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｂは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｃに置き換えられる。図１６に、Ｓ１０２において記憶される初期位置Ｐ０が示されている。図１７に示されるように、アライメント光３８の位置Ｐｎが初期位置Ｐ０である場合に第１の平面ミラー４３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光軸をＥＵＶ０とする。
Ｓ１０２の後、プロセッサ５は、Ｓ１０４に処理を進める。第２の実施形態は、第１の平面ミラー４３の初期位置φ０を記憶しない点で第１の実施形態と異なる。

Ｓ１０４からＳ１０６までの処理は、第１の実施形態において対応する処理と同様である。図１８に、Ｓ１０６において新たに検出されたアライメント光３８の位置Ｐｎが示されている。図１９に、新たなＥＵＶ光２５２ａの光軸ＥＵＶ１が示されている。Ｓ１０６の後、プロセッサ５は、Ｓ１０８に処理を進める。

Ｓ１０８において、初期位置Ｐ０と光センサ７３ｃによって新たに検出されたアライメント光３８の位置Ｐｎとの差ΔＰｎを計算する処理は第１の実施形態と同様である。
図２０に、ΔＰｎが示されている。
Ｓ１０９ａにおいて、プロセッサ５は、差ΔＰｎの値が０であるか否かを判定する。第２の実施形態は、アライメント光３８の位置Ｐｎと前回計測されたアライメント光３８の位置Ｐｎ－１との差を判定するのではなく、ＰｎとＰ０との差ΔＰｎの値を判定する点で第１の実施形態と異なる。

差ΔＰｎの値が０である場合（Ｓ１０９ａ：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ１１５に処理を進める。プロセッサ５は、Ｓ１１５において現在のｎの値に１を加算してｎの値を更新し、その後Ｓ１０６に処理を戻す。
差ΔＰｎの値が０ではない場合（Ｓ１０９ａ：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ１１１ａに処理を進める。

Ｓ１１１ａにおいて、プロセッサ５は、第１の平面ミラー４３の目標移動量Δφｎを以下の式により計算する。
Δφｎ＝α・ΔＰｎ
ここで、αは比例定数である。図２１に、第１の平面ミラー４３の目標移動量Δφｎが示されている。差ΔＰｎを用いることにより、ＥＵＶ光２５２ａの光軸ＥＵＶ１をＥＵＶ０に戻すための第１の平面ミラー４３の目標移動量Δφｎを設定することができる。

Ｓ１１２ａにおいて、プロセッサ５は、目標移動量Δφｎの積算値が第１の平面ミラー４３の可動範囲を超えているか否かを判定する。Δφｎの積算値は、ｎの値が１であるときのΔφｎから現在のΔφｎまでのΔφｎの合計値である。積算値が可動範囲を超えている場合（Ｓ１１２ａ：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ１１６に処理を進める。積算値が可動範囲内である場合（Ｓ１１２ａ：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ１１３ａに処理を進める。

Ｓ１１３ａにおいて、プロセッサ５は、第１の平面ミラー４３を目標移動量Δφｎ移動させるようアクチュエータ４５を制御する。図２２に、Ｓ１１３ａによる処理の後の光センサ７３ｃから出力される光強度分布を示す。図２３に、Ｓ１１３ａによる処理の後の第１の平面ミラー４３の位置とＥＵＶ光２５２ａの光軸ＥＵＶ０との関係を示す。図２３に示されるように、第１の平面ミラー４３の位置は目標移動量Δφｎ移動され、第１の平面ミラー４３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光軸はＥＵＶ０に戻されている。さらに、図２２に示されるように、アライメント光３８の位置Ｐｎは初期位置Ｐ０に戻されている。

Ｓ１１４及びＳ１１６の処理は、第１の実施形態において対応する処理と同様である。Ｓ１１６の後、プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了する。

４．３ 作用
（１０）第２の実施形態によれば、第１の平面ミラー４３は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａとアライメント光３８との両方の光路に設けられている。これによれば、第１の平面ミラー４３によって反射されたアライメント光３８を検出することで、ＥＵＶ集光ミラー２３ａに対する第１の平面ミラー４３の相対的な位置のずれを検出し、第１の平面ミラー４３の姿勢を制御することができる。

（１１）第２の実施形態によれば、アライメント光３８は、第１の平面ミラー４３によって反射された後、第２のチャンバ４２に設けられたウインドウ７０ｃを透過して光センサ７３ｃに入射する。これによれば、第２のチャンバ４２の外部でアライメント光３８を検出できる。

（１２）第２の実施形態によれば、第１の平面ミラー４３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路は、ウインドウ７０ｃから離れている。これによれば、ＥＵＶ光２５２ａの減衰を抑制しながら第２の点２９２ａに集光することができる。

（１３）第２の実施形態によれば、プロセッサ５は、アライメント光３８の初期位置Ｐ０を記憶し、初期位置Ｐ０とその後のアライメント光３８の位置Ｐｎとの差ΔＰｎに基づいて第１の平面ミラー４３の目標移動量Δφｎを計算する。これによれば、アライメント光３８の位置Ｐｎを初期位置Ｐ０に戻すように第１の平面ミラー４３を制御することにより、ＥＵＶ光２５２ａの光軸を安定化できる。
その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。

５．第２のチャンバ４２に設けられた第２の平面ミラー４６にアライメント光３８が入射する例
５．１ 構成
図２４は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｄの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成システム１１ｄは、第２の平面ミラー４６と、ウインドウ７０ｄと、検出光学系７１ｄと、集光光学系７２ｄと、光センサ７３ｄと、を含む。
アライメント光源３５、アライメント光学系３６、及びウインドウ３７の構成は第２の実施形態と同様である。

第２の平面ミラー４６は、第２のチャンバ４２の内部であってＥＵＶ集光ミラー２３ａと光センサ７３ｄとの間のアライメント光３８の光路に設けられている。第１及び第２の平面ミラー４３及び４６は、これらの反射面の向きが異なっている。第２の平面ミラー４６を支持するホルダ４４は、第１の平面ミラー４３を支持するホルダ４４と共通である。これにより、アクチュエータ４５は、第１及び第２の平面ミラー４３及び４６の反射面の向きの相違を維持したまま、第１及び第２の平面ミラー４３及び４６を一体としてこれらのミラーの姿勢を変更するようになっている。

ウインドウ７０ｄは、第２の平面ミラー４６と検出光学系７１ｄとの間のアライメント光３８の光路に位置するように第２のチャンバ４２に設けられている。ウインドウ７０ｄは本開示における第３のウインドウに相当する。
検出光学系７１ｄ、集光光学系７２ｄ、及び光センサ７３ｄは、第２のチャンバ４２の外部に設けられている。集光光学系７２ｄは、検出光学系７１ｄと光センサ７３ｄとの間のアライメント光３８の光路に設けられている。アライメント光３８を検出する光センサ７３ｄは、集光光学系７２ｄの焦点の位置に設けられている。光センサ７３ｄは本開示における検出器に相当する。

５．２ 動作
ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたアライメント光３８は、ＥＵＶ光２５２ａと同様にフレキシブル管６２の内部を通るが、第１の平面ミラー４３には入射せず、第２の平面ミラー４６に入射する。第２の平面ミラー４６に入射したアライメント光３８の光軸と、第１の平面ミラー４３に入射したＥＵＶ光２５２ａの光軸とはわずかに異なるが、第２の平面ミラー４６によって反射されたアライメント光３８の光軸は、第１の平面ミラー４３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光軸とは大きく異なる。アライメント光３８は、接続部２９ａから離れた位置に設けられたウインドウ７０ｄを透過することにより第２のチャンバ４２の外部に出射し、検出光学系７１ｄに入射する。

一方、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路は、第２の平面ミラー４６から離れており、ＥＵＶ光２５２ａは第２の平面ミラー４６には入射しない。また、第１の平面ミラー４３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路はウインドウ７０ｄから離れており、ＥＵＶ光２５２ａはウインドウ７０ｄには入射しない。

検出光学系７１ｄは、集光光学系７２ｄを介して光センサ７３ｄにアライメント光３８を入射させる。集光光学系７２ｄは、アライメント光３８を光センサ７３ｄの受光面に集光する。光センサ７３ｄは、受光面における光強度分布を取得してプロセッサ５に出力する。

第３の実施形態におけるプロセッサ５の動作は、図１５を参照しながら説明した第２の実施形態におけるプロセッサ５の動作と同様である。但し、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｃは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｄに置き換えられる。

５．３ 作用
（１４）第３の実施形態によれば、第２のチャンバ４２の内部であってＥＵＶ集光ミラー２３ａと光センサ７３ｄとの間のアライメント光３８の光路に第２の平面ミラー４６が設けられている。これによれば、第１の平面ミラー４３によるＥＵＶ光２５２ａの反射方向とは別の方向に、第２の平面ミラー４６によりアライメント光３８を反射できるので、検出光学系７１ｄの設置スペースの自由度が向上し得る。

（１５）第３の実施形態によれば、アクチュエータ４５は、第１及び第２の平面ミラー４３及び４６を一体としてこれらのミラーの姿勢を変更する。これによれば、ＥＵＶ集光ミラー２３ａに対する第１及び第２の平面ミラー４３及び４６の相対的な位置のずれを検出し、第１の平面ミラー４３の姿勢を制御することができる。

（１６）第３の実施形態によれば、アライメント光３８は、第２の平面ミラー４６によって反射された後、第２のチャンバ４２に設けられたウインドウ７０ｄを透過して光センサ７３ｄに入射する。これによれば、第２のチャンバ４２の外部でアライメント光３８を検出できる。

（１７）第３の実施形態によれば、第１の平面ミラー４３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路は、ウインドウ７０ｄから離れている。これによれば、ＥＵＶ光２５２ａの減衰を抑制しながら第２の点２９２ａに集光することができる。またウインドウ７０ｄの周辺の構成要素に関する設置スペースの自由度が向上し得る。

（１８）第３の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路は、第２の平面ミラー４６から離れている。これによれば、ＥＵＶ光２５２ａの減衰を抑制しながら第２の点２９２ａに集光することができる。
その他の点については、第３の実施形態は第２の実施形態と同様である。

６．その他
図２５は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂに接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図２５において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６０８とワークピース照射部６０９とを含む。マスク照射部６０８は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂから入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。

図２６は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂに接続された検査装置６ｂの構成を概略的に示す。
図２６において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６０３と検出光学系６０６とを含む。照明光学系６０３は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂから入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６０４に配置されたマスク６０５を照射する。ここでいうマスク６０５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６０６は、照明されたマスク６０５からのＥＵＶ光を反射して検出器６０７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６０７はマスク６０５の画像を取得する。検出器６０７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６０５の画像により、マスク６０５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。

図２５及び図２６において、ＥＵＶ光生成システム１１ｂの代わりに、ＥＵＶ光生成システム１１ｃ又は１１ｄが用いられてもよい。

上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。

本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. 第１のチャンバと、
   前記第１のチャンバの内部に設けられ、前記第１のチャンバの内部の第１の点で生成された極端紫外光を第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
   前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路に設けられた第１の平面ミラーと、
   前記第１の平面ミラーを収容する第２のチャンバと、
   前記第１及び第２のチャンバの間に設けられたフレキシブル管と、
   前記第１のチャンバに設けられ、前記ＥＵＶ集光ミラーにアライメント光を入射させるアライメント光学系と、
   前記第２のチャンバに設けられ、前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記アライメント光を検出する検出器と、
   前記第１の平面ミラーの姿勢を変更するアクチュエータと、
   前記検出器の出力に基づいて前記アクチュエータを制御するプロセッサと、
   を備える、極端紫外光生成装置。
2. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記第１の平面ミラーは、前記ＥＵＶ集光ミラーと前記第２の点との間の前記極端紫外光の光路に位置する、
   極端紫外光生成装置。
3. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記第１の点に相当する第１の焦点と、前記第１の焦点よりも前記ＥＵＶ集光ミラーからの距離が遠い第２の焦点と、を有する回転楕円面ミラーであり、
   前記ＥＵＶ集光ミラーが、前記ＥＵＶ集光ミラーへの前記アライメント光の入射位置から前記第２の焦点へ向かう方向とは異なる方向に前記アライメント光を反射する、
   極端紫外光生成装置。
4. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記第１の点に相当する第１の焦点と、前記第１の焦点よりも前記ＥＵＶ集光ミラーからの距離が遠い第２の焦点と、前記第１及び第２の焦点を通る仮想の回転軸と、を有する回転楕円面ミラーであり、
   前記アライメント光学系は、前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面のうちの、前記回転軸に垂直で前記第１の焦点を通る仮想の平面よりも前記第２の焦点に近い領域に前記アライメント光を入射させる、
   極端紫外光生成装置。
5. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記アライメント光の光路は、前記第１の点から離れている、
   極端紫外光生成装置。
6. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記アライメント光の光路は、前記第１の平面ミラーから離れている、
   極端紫外光生成装置。
7. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記第１のチャンバは第１のウインドウを含み、
   前記アライメント光は、前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された後、前記第１のウインドウを透過して前記検出器に入射する、
   極端紫外光生成装置。
8. 請求項７に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路は、前記第１のウインドウから離れている、
   極端紫外光生成装置。
9. 請求項７に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記プロセッサは、前記検出器によって検出された前記アライメント光の第１の初期位置と、前記第１の平面ミラーの第２の初期位置と、を記憶し、前記第１の初期位置と前記検出器によってその後検出された前記アライメント光の位置との差に基づいて、前記第２の初期位置に対する前記第１の平面ミラーの目標位置を計算し、前記目標位置に基づいて前記アクチュエータを制御する、
   極端紫外光生成装置。
10. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の平面ミラーは、前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光と前記アライメント光との両方の光路に設けられた、
    極端紫外光生成装置。
11. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第２のチャンバは第２のウインドウを含み、
    前記アライメント光は、前記第１の平面ミラーによって反射された後、前記第２のウインドウを透過して前記検出器に入射する、
    極端紫外光生成装置。
12. 請求項１１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の平面ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路は、前記第２のウインドウから離れている、
    極端紫外光生成装置。
13. 請求項１１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記検出器によって検出された前記アライメント光の初期位置を記憶し、前記初期位置と前記検出器によってその後検出された前記アライメント光の位置との差に基づいて、前記第１の平面ミラーの目標移動量を計算し、前記目標移動量に基づいて前記アクチュエータを制御する、
    極端紫外光生成装置。
14. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第２のチャンバの内部であって前記ＥＵＶ集光ミラーと前記検出器との間の前記アライメント光の光路に設けられた第２の平面ミラー
    をさらに備える、極端紫外光生成装置。
15. 請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記アクチュエータは、前記第１及び第２の平面ミラーを一体として前記第１及び第２の平面ミラーの姿勢を変更する、
    極端紫外光生成装置。
16. 請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第２のチャンバは第３のウインドウを含み、
    前記アライメント光は、前記第２の平面ミラーによって反射された後、前記第３のウインドウを透過して前記検出器に入射する、
    極端紫外光生成装置。
17. 請求項１６に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の平面ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路は、前記第３のウインドウから離れている、
    極端紫外光生成装置。
18. 請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路は、前記第２の平面ミラーから離れている、
    極端紫外光生成装置。
19. 電子デバイスの製造方法であって、
    第１のチャンバと、
    前記第１のチャンバの内部に設けられ、前記第１のチャンバの内部の第１の点で生成された極端紫外光を第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路に設けられた第１の平面ミラーと、
    前記第１の平面ミラーを収容する第２のチャンバと、
    前記第１及び第２のチャンバの間に設けられたフレキシブル管と、
    前記第１のチャンバに設けられ、前記ＥＵＶ集光ミラーにアライメント光を入射させるアライメント光学系と、
    前記第２のチャンバに設けられ、前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記アライメント光を検出する検出器と、
    前記第１の平面ミラーの姿勢を変更するアクチュエータと、
    前記検出器の出力に基づいて前記アクチュエータを制御するプロセッサと、
    を備える極端紫外光生成装置によって前記極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
20. 電子デバイスの製造方法であって、
    第１のチャンバと、
    前記第１のチャンバの内部に設けられ、前記第１のチャンバの内部の第１の点で生成された極端紫外光を第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路に設けられた第１の平面ミラーと、
    前記第１の平面ミラーを収容する第２のチャンバと、
    前記第１及び第２のチャンバの間に設けられたフレキシブル管と、
    前記第１のチャンバに設けられ、前記ＥＵＶ集光ミラーにアライメント光を入射させるアライメント光学系と、
    前記第２のチャンバに設けられ、前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記アライメント光を検出する検出器と、
    前記第１の平面ミラーの姿勢を変更するアクチュエータと、
    前記検出器の出力に基づいて前記アクチュエータを制御するプロセッサと、
    を備える極端紫外光生成装置によって生成した前記極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。

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