JP7471906B2 - 極端紫外光生成装置、ターゲット制御方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

極端紫外光生成装置、ターゲット制御方法、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、極端紫外光生成装置、ターゲット制御方法、電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許第７１６４１４４号明細書 米国特許出願公開第２０１６／０３７０７０６号明細書
概要
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成する装置であって、ターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、ターゲットを照明する照明装置と、ターゲットの軌道を第１の方向から検出する第１の軌道センサと、ターゲットの軌道を第１の方向と異なる第２の方向から検出する第２の軌道センサと、第１の軌道センサがターゲットの軌道を検出した場合であって、第２の軌道センサがターゲットの軌道を検出しなかった場合に、第１の探索であって、アクチュエータを制御してターゲットの軌道を第２の方向と異なる第３の方向に変更させ、ターゲットの軌道を第２の軌道センサが検出できるようになったか否かを判定する第１の探索を実行し、第１の軌道センサの信号強度に基づいて、第１の探索を繰り返すか否かを判定するプロセッサと、を備える。
本開示の１つの観点に係るターゲット制御方法は、ターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、ターゲットを照明する照明装置と、ターゲットの軌道を第１の方向から検出する第１の軌道センサと、ターゲットの軌道を第１の方向と異なる第２の方向から検出する第２の軌道センサと、を備えて、ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成するように構成された極端紫外光生成装置において、第１の軌道センサ及び第２の軌道センサがターゲットの軌道を検出したか否かを判定し、第１の軌道センサがターゲットの軌道を検出した場合であって、第２の軌道センサがターゲットの軌道を検出しなかった場合に、第１の探索であって、アクチュエータを制御してターゲットの軌道を第２の方向と異なる第３の方向に変更させ、ターゲットの軌道を第２の軌道センサが検出できるようになったか否かを判定する第１の探索を実行し、第１の軌道センサの信号強度に基づいて、第１の探索を繰り返すか否かを判定することを含む。
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、ターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、ターゲットを照明する照明装置と、ターゲットの軌道を第１の方向から検出する第１の軌道センサと、ターゲットの軌道を第１の方向と異なる第２の方向から検出する第２の軌道センサと、第１の軌道センサがターゲットの軌道を検出した場合であって、第２の軌道センサがターゲットの軌道を検出しなかった場合に、第１の探索であって、アクチュエータを制御してターゲットの軌道を第２の方向と異なる第３の方向に変更させ、ターゲットの軌道を第２の軌道センサが検出できるようになったか否かを判定する第１の探索を実行し、第１の軌道センサの信号強度に基づいて、第１の探索を繰り返すか否かを判定するプロセッサと、を備える極端紫外光生成装置において、ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システムの一部を概略的に示す。 図３Ａは、照明装置から出力される照明光の集光位置の近傍におけるビームプロファイルの例を示す。図３Ｂは、Ｘ軸軌道センサによって取得された画像の一部からＸ軸に沿って抽出された光強度分布の例を示す。図３Ｃは、Ｚ軸軌道センサによって取得された画像の一部からＺ軸に沿って抽出された光強度分布の例を示す。図３Ｄは、Ｘ軸軌道センサ、Ｚ軸軌道センサ、及び照明装置を、＋Ｙ方向に見たときのこれらの配置を概略的に示す。 図４は、第１の実施形態における検出調整の主要部分の動作を示すフローチャートである。 図５は、第１の実施形態における検出調整の終了動作を示すフローチャートである。 図６は、第１の実施形態における第１の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。 図７は、第１の実施形態における第２の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。 図８は、第１の実施形態において第２検出軸に沿って第１の探索及び第２の探索を実行したときの第１検出軸における信号強度の例を示すグラフである。 図９Ａ～図９Ｍは、第１の実施形態における検出調整の具体例を示す。 図１０は、第２の実施形態における検出調整の主要部分の動作を示すフローチャートである。 図１１は、第２の実施形態における第１の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。 図１２は、第２の実施形態における第２の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。 図１３は、第２の実施形態において第２検出軸に沿って第１の探索及び第２の探索を実行したときの第１検出軸における信号強度の例を示すグラフである。 図１４は、第３の実施形態における検出調整の主要部分の動作を示すフローチャートである。 図１５は、第３の実施形態における第１の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。 図１６は、第３の実施形態における第２の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。 図１７は、第３の実施形態において第２検出軸に沿って第１の探索及び第２の探索を実行したときの第１検出軸における信号強度の例を示すグラフである。 図１８は、第４の実施形態における検出調整の主要部分の動作を示すフローチャートである。 図１９は、第４の実施形態における基準値を取得する処理の詳細を示すフローチャートである。 図２０は、第４の実施形態において第２検出軸に沿って第１の探索及び第２の探索を実行したときの第１検出軸における信号強度の例を示すグラフである。 図２１は、第５の実施形態における検出調整の主要部分の動作を示すフローチャートである。 図２２は、第５の実施形態における基準値を取得する処理の詳細を示すフローチャートである。 図２３は、第５の実施形態における第１の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。 図２４は、第５の実施形態における第２の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。 図２５は、ＥＵＶ光生成装置に接続された露光装置の構成を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 課題
３．一方の検出軸のみ軌道Ｔを検出した場合に他方の検出軸で検出調整を行うＥＵＶ光生成装置
３．１ メインフロー
３．２ 第１の探索
３．３ 第２の探索
３．４ いずれか一方のフラグが無効となった場合
３．５ 作用
４．第１の探索を連続で実行した後で第２の探索を行うＥＵＶ光生成装置
４．１ 動作
４．２ 作用
５．初期位置における信号強度を基準値として閾値を決定するＥＵＶ光生成装置
５．１ 動作
５．２ 作用
６．基準値を更新するＥＵＶ光生成装置
６．１ 動作
６．２ 作用
７．平均値を用いるＥＵＶ光生成装置
７．１ 動作
７．２ 作用
８．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部２６は、ターゲット物質をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。
１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、チャンバ２内のレーザ光経路に沿って進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。
ターゲット供給部２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
２．比較例
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の一部を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。図２において、チャンバ２、レーザ光集光ミラー２２、ＥＵＶ集光ミラー２３、レーザ光伝送装置３４等の図示は省略されている。図２に示されるように、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１は、Ｘ軸軌道センサ４ｘと、Ｚ軸軌道センサ４ｚと、照明装置４１と、駆動ステージ２６ａと、を含む。
ターゲット供給部２６から出力される複数のターゲット２７の出力方向を＋Ｙ方向とする。ターゲット２７に照射されるレーザ光３３ａの進行方向を＋Ｚ方向とする。＋Ｙ方向と＋Ｚ方向とは直交している。＋Ｙ方向と＋Ｚ方向との両方に垂直な方向を＋Ｘ方向及び－Ｘ方向とする。複数のターゲット２７の各々は、液滴状である。レーザ光３３ａは、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光である。
Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々は、例えば、撮像装置を含む。Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて移動するターゲット２７を撮像して画像データを生成するように構成されている。
Ｘ軸軌道センサ４ｘは、ターゲット２７の軌道Ｔからみて略－Ｚ方向の位置に配置され、ターゲット２７の軌道Ｔを－Ｚ方向の位置から検出する。ターゲット２７の軌道Ｔの位置が＋Ｘ方向又は－Ｘ方向に変更された場合、Ｘ軸軌道センサ４ｘによって取得された画像におけるターゲット２７の像の位置が、＋Ｘ方向又は－Ｘ方向に移動する。従って、プロセッサ５は、Ｘ軸軌道センサ４ｘから出力された画像データに基づいてターゲット２７の軌道ＴのＸ軸における検出位置Ｐｄを算出することができる。すなわち、Ｘ軸軌道センサ４ｘは、Ｘ軸に平行な検出軸を有する。
Ｚ軸軌道センサ４ｚは、ターゲット２７の軌道Ｔからみて略－Ｘ方向の位置に配置され、ターゲット２７の軌道Ｔを－Ｘ方向の位置から検出する。ターゲット２７の軌道Ｔの位置が＋Ｚ方向又は－Ｚ方向に変更された場合、Ｚ軸軌道センサ４ｚによって取得された画像におけるターゲット２７の像の位置が、＋Ｚ方向又は－Ｚ方向に移動する。従って、プロセッサ５は、Ｚ軸軌道センサ４ｚから出力された画像データに基づいてターゲット２７の軌道ＴのＺ軸における検出位置Ｐｄを算出することができる。すなわち、Ｚ軸軌道センサ４ｚは、Ｚ軸に平行な検出軸を有する。
Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々は、プラズマ生成領域２５の近傍のターゲット２７、例えばプラズマ生成領域２５に到達する直前のターゲット２７を撮像するように配置される。Ｘ軸軌道センサ４ｘの検出範囲Ｖｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの検出範囲Ｖｚは、これらのセンサの光学系によって決まる画角及び焦点深度によって規定される。Ｘ軸軌道センサ４ｘの検出範囲ＶｘとＺ軸軌道センサ４ｚの検出範囲Ｖｚとは、互いに重複する空間Ｖｘｚを含む。ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向かうターゲット２７の理想的な軌道が空間Ｖｘｚのほぼ中心を貫通するように、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々が位置合わせされている。
照明装置４１は、ターゲット２７をレーザ光である照明光４３で照明するレーザ装置である。照明光４３の光路に、空間Ｖｘｚが含まれる。
駆動ステージ２６ａは、ターゲット供給部２６に接続されている。駆動ステージ２６ａは、図示しないアクチュエータを含む。駆動ステージ２６ａは、プラズマ生成領域２５に対するターゲット供給部２６の位置又は姿勢を変更することにより、ターゲット２７の軌道Ｔを変更するように構成されている。例えば、駆動ステージ２６ａが２軸ステージで構成される場合、駆動ステージ２６ａは、ターゲット供給部２６の位置をＸ軸方向とＺ軸方向とに移動することにより、ターゲット２７の軌道ＴをＸ軸方向とＺ軸方向とに変更することができる。
２．２ 動作
照明装置４１は、プロセッサ５による制御に従って照明光４３を生成する。ターゲット２７が空間Ｖｘｚを通過するときに、ターゲット２７が照明光４３によって照明される。
Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々は、ターゲット２７によって反射された照明光４３の一部を受光する。Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々は、照明光４３によって照明されたターゲット２７を撮像して画像データを生成し、画像データをプロセッサ５に出力する。Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚによる撮像のタイミングは、プロセッサ５によって制御される。
プロセッサ５は、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚから画像データを受信し、Ｘ軸及びＺ軸の各々においてターゲット２７の軌道Ｔの検出位置Ｐｄを算出する。
プロセッサ５は、Ｘ軸及びＺ軸の各々における検出位置Ｐｄと、Ｘ軸及びＺ軸の各々における目標位置Ｐｔとに基づいて、駆動ステージ２６ａを制御する。すなわち、プロセッサ５は、ターゲット２７の軌道ＴがＸ軸及びＺ軸の各々における目標位置Ｐｔに近づくように、駆動ステージ２６ａをＸ軸方向とＺ軸方向とに制御する。駆動ステージ２６ａがターゲット供給部２６の位置又は姿勢を変更することにより、その後に出力されるターゲット２７の軌道Ｔが変更される。これにより、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するように、ターゲット２７の軌道Ｔが制御される。
レーザ装置３は、図示しないプリパルスレーザ装置及びメインパルスレーザ装置を含んでもよい。プリパルスレーザ装置から出力されるプリパルスレーザ光はターゲット２７に照射されて、ターゲット２７を拡散させて拡散ターゲットを生成させる。メインパルスレーザ装置から出力されるメインパルスレーザ光は、拡散ターゲットに照射されて拡散ターゲットに含まれるターゲット物質をプラズマ化させる。図示しない複数のプリパルスレーザ装置から複数のプリパルスレーザ光を１つのターゲット２７に順次照射することにより、拡散ターゲットを生成させてもよい。
Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚは、ターゲット２７がＹ軸における所定の位置を通過したタイミングを示す通過タイミング信号を出力する。プロセッサ５は、通過タイミング信号に基づいて、レーザ装置３を制御してレーザ光３３ａを出力させる。さらに、プロセッサ５は、通過タイミング信号に基づいて、上述のレーザ光伝送装置３４のアクチュエータを制御することにより、Ｙ軸におけるレーザ光３３ａの集光位置を調整する。
また、プロセッサ５は、Ｘ軸におけるターゲット２７の軌道Ｔの検出位置Ｐｄに基づいて、レーザ光伝送装置３４のアクチュエータを制御することにより、Ｘ軸におけるレーザ光３３ａの集光位置を調整する。
２．３ 課題
図３Ａは、照明装置４１から出力される照明光４３の集光位置の近傍におけるビームプロファイルの例を示す。ビームプロファイルは、光の進行方向に略垂直な断面における光強度分布である。図３Ａの縦軸は光強度Ｉである。照明光４３は、ほぼガウシアン分布状のビームプロファイルを有する。
照明光４３の集光位置は、空間Ｖｘｚの位置にほぼ一致するように調整される。照明光４３の集光位置におけるビーム幅ＷＢは、照明光４３の光路に空間Ｖｘｚが含まれるように設定される。さらに、照明光４３の集光位置は、照明光４３のビームプロファイルの中心に位置する光強度分布のピークの位置Ｐｐｅａｋが、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向かって移動するターゲット２７の理想的な軌道の一部に一致するように調整される。この場合、ターゲット２７が理想的な軌道に沿って進んだ場合に最も明るく照明され、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々によって取得される画像のコントラストが最も高くなる。
図３Ｂは、Ｘ軸軌道センサ４ｘによって取得された画像の一部からＸ軸に沿って抽出された光強度分布の例を示す。図３Ｂの横軸は光強度Ｉである。Ｘ軸に沿ったＸ軸軌道センサ４ｘの検出範囲Ｖｘの寸法が、ＷＸで示されている。図３Ｂに示されるように、光強度分布の一部に急峻なピークがある場合に、このピークはターゲット２７によって反射された照明光４３に起因すると考えられる。そこで、このピークの位置を、Ｘ軸におけるターゲット２７の軌道Ｔの検出位置Ｐｄとすることができる。例えば、検出位置Ｐｄが目標位置Ｐｔよりも＋Ｘ方向にずれている場合には、駆動ステージ２６ａを－Ｘ方向に制御することにより、ターゲット２７の軌道Ｔを目標位置Ｐｔに近づけることができる。
図３Ｃは、Ｚ軸軌道センサ４ｚによって取得された画像の一部からＺ軸に沿って抽出された光強度分布の例を示す。図３Ｃの縦軸は光強度Ｉである。Ｚ軸に沿ったＺ軸軌道センサ４ｚの検出範囲Ｖｚの寸法が、ＷＺで示されている。
図３Ｄは、Ｘ軸軌道センサ４ｘ、Ｚ軸軌道センサ４ｚ、及び照明装置４１を、＋Ｙ方向に見たときのこれらの配置を概略的に示す。上述のように、ターゲット２７が理想的な軌道に沿って進む場合には、ターゲット２７は空間Ｖｘｚを通過する。
しかし、ターゲット２７が空間Ｖｘｚを通過しないことがあり得る。例えば、図３Ｄに示されるように、ターゲット２７がＺ軸軌道センサ４ｚの検出範囲Ｖｚから外れた位置を通過する場合、Ｚ軸軌道センサ４ｚによって取得される画像にはターゲット２７の像が含まれない。従って、Ｚ軸に沿って抽出された光強度分布は、図３Ｃに示されるように、明瞭なピークのない光強度分布となる。この場合、プロセッサ５は、Ｚ軸におけるターゲット２７の軌道Ｔの検出位置Ｐｄを算出することができない。そのような場合は、駆動ステージ２６ａを＋Ｚ方向に制御すればいいのか、－Ｚ方向に制御すればいいのかが明らかではない。
２つの検出軸の内の一方の検出軸においてターゲット２７の軌道Ｔを検出できない場合の対処として、ターゲット供給部２６が異常吐出状態であると判定することが考えられる。この場合、プロセッサ５は、ターゲット供給部２６がターゲット２７を出力するための制御を停止し、軌道検出エラーを発報する。軌道検出エラーを認識した作業者は、ターゲット２７が正常に吐出されるように、ターゲット供給部２６の再調整を行う。再調整の後、ＥＵＶ光生成装置１の立ち上げ処理が行われ、その後、ターゲット２７の出力が可能となる。このような再調整及び立ち上げ処理が必要になると、ＥＵＶ光生成装置１の稼働時間が短くなり、生産性が低下する。
２つの検出軸の内の一方の検出軸において軌道Ｔを検出できない場合であっても、他方の検出軸において軌道Ｔを検出できる場合がある。例えば以下の２つの条件が満たされる場合、Ｘ軸方向におけるターゲット２７の軌道Ｔが検出可能である。
（１）Ｘ軸軌道センサ４ｘの検出範囲Ｖｘ内に軌道Ｔが含まれること
（２）照明光４３の光路内に軌道Ｔが含まれること
２つの検出軸の内の一方の検出軸において軌道Ｔを検出できない場合であっても、他方の検出軸において軌道Ｔを検出している場合には、少なくともターゲット２７の出力は行われていることがわかる。以下に説明する実施形態においては、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの内の一方の軌道センサによって軌道Ｔを検出し、他方の軌道センサによって軌道Ｔを検出しなかったことを条件として、検出調整が行われる。これにより、作業者による再調整及び立ち上げ処理を行わなくても、ＥＵＶ光生成装置１を稼働できる可能性がある。
３．一方の検出軸のみ軌道Ｔを検出した場合に他方の検出軸で検出調整を行うＥＵＶ光生成装置
３．１ メインフロー
図４は、第１の実施形態における検出調整の主要部分の動作を示すフローチャートである。図５は、第１の実施形態における検出調整の終了動作を示すフローチャートである。第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１の物理的な構成は、図２及び図３Ａ～図３Ｄを参照しながら説明した比較例の構成と同様である。
図４に示される検出調整は、プロセッサ５によって実行される。図４に示される検出調整が行われるタイミングは、例えば、ターゲット供給部２６の動作開始の直後である。例えば、ターゲット物質がスズを含む場合に、図４に示される検出調整は、溶融したスズの容器の内部が加圧されてターゲット２７の吐出が開始された直後に行われる。図４に示される検出調整は、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの内の一方の軌道センサがターゲット２７の軌道Ｔを検出した場合であって、他方の軌道センサがターゲット２７の軌道Ｔを検出しなかった場合に行われる。
以下の説明において、軌道Ｔを検出した検出軸を第１検出軸Ａｏｋとする。軌道Ｔを検出しなかった検出軸を第２検出軸Ａｎｇとする。Ｘ軸及びＺ軸の内の一方が第１検出軸Ａｏｋに相当し、他方が第２検出軸Ａｎｇに相当する。図３Ａ～図３Ｄに示される例においては、Ｘ軸が第１検出軸Ａｏｋに相当し、Ｚ軸が第２検出軸Ａｎｇに相当する。また、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの内の一方が本開示における第１の軌道センサに相当し、他方が本開示における第２の軌道センサに相当する。図３Ａ～図３Ｄに示される例においては、軌道Ｔを検出したＸ軸軌道センサ４ｘが本開示における第１の軌道センサに相当し、軌道Ｔを検出しなかったＺ軸軌道センサ４ｚが本開示における第２の軌道センサに相当する。軌道Ｔを検出したＸ軸軌道センサ４ｘが位置する－Ｚ方向が、本開示における第１の方向に相当し、軌道Ｔを検出しなかったＺ軸軌道センサ４ｚが位置する－Ｘ方向が、本開示における第２の方向に相当する。
図４に示される検出調整において、プロセッサ５は、軌道Ｔを検出した第１検出軸Ａｏｋだけでなく、軌道Ｔを検出しなかった第２検出軸Ａｎｇにおいてもターゲット２７の軌道Ｔを検出できるように、検出調整を行う。検出調整は、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔの位置を変更するように駆動ステージ２６ａを制御し、第２検出軸Ａｎｇにおいてターゲット２７の軌道Ｔを検出できるようになったか否かを判定することを含む。
図９Ａ～図９Ｍは、第１の実施形態における検出調整の具体例を示す。
図９Ａ、図９Ｌ及び図９Ｍは、軌道Ｔを検出しなかった軌道センサによって取得された画像の一部から第２検出軸Ａｎｇに沿って抽出される光強度分布の例を示す。
図９Ｂ、図９Ｄ、図９Ｆ、図９Ｈ及び図９Ｊは、軌道Ｔを検出した軌道センサによって取得された画像の一部から第１検出軸Ａｏｋに沿って抽出される光強度分布の例を示す。
図９Ｃは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩｎｇの例を示す。
図９Ｅ、図９Ｇ、図９Ｉ及び図９Ｋは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩｎｇ及び指令位置ＰＣｎｇの例を示す。
図４に示される処理の開始時においては、図９Ｂに示されるように、第１検出軸Ａｏｋにおける光強度分布は、軌道Ｔの検出位置Ｐｄｏｋを示すピークを有するが、図９Ａに示されるように、第２検出軸Ａｎｇにおける光強度分布は、明確なピークを有しない。
図４のＳ１１において、プロセッサ５は、探索の回数Ｎを初期値１にセットする。また、プロセッサ５は、後述の第１の探索及び第２の探索の処理に関し、各々有効であることを示すフラグをセットする。
次に、Ｓ１２において、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける指令位置ＰＣｏｋを、以下の式（１）により設定する。
ＰＣｏｋ＝ＰＰｏｋ－Ｐｄｏｋ＋Ｐｔｏｋ ・・・（１）
式（１）において、指令位置ＰＣｏｋは、プロセッサ５が駆動ステージ２６ａを制御するための指令位置である。ＰＰｏｋは、駆動ステージ２６ａの現在位置である。指令位置ＰＣｏｋ及び現在位置ＰＰｏｋは、駆動ステージ２６ａの座標系において定義される値である。すなわち、現在位置ＰＰｏｋは、駆動ステージ２６ａがその可動範囲の中のどこに位置しているかを特定する。指令位置ＰＣｏｋは、駆動ステージ２６ａがその可動範囲の中のどの位置に制御されるかを特定する。
式（１）において、Ｐｄｏｋは、Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚによって検出されたターゲット２７の軌道Ｔの検出位置である。Ｐｔｏｋは、ターゲット２７の軌道Ｔの目標位置である。検出位置Ｐｄｏｋ及び目標位置Ｐｔｏｋは、Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚの座標系において定義される値である。すなわち、Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚによって取得された画像から、検出位置Ｐｄｏｋが特定される。Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚは、例えば、それぞれの検出範囲の中心位置が目標位置Ｐｔｏｋと一致するように、位置合わせされる。
駆動ステージ２６ａの座標系と、Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚの座標系とは、必ずしも一致しない。例えば、駆動ステージ２６ａの可動範囲の中心位置に指令位置ＰＣｏｋを設定しても、ターゲット２７の軌道ＴがＸ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚの検出範囲の中心位置を通るとは限らない。
以下の説明では、駆動ステージ２６ａの座標系と、Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚの座標系とは、それらの縮尺が一致するものとして説明する。例えば、現在位置ＰＰｏｋに所定量Δｘを加算した指令位置ＰＣｏｋにより駆動ステージ２６ａを制御した場合、Ｘ軸軌道センサ４ｘによって検出される検出位置Ｐｄｏｋの移動量が所定量Δｘと一致するように各座標系が設定される。それらの縮尺が一致しない場合には、それらの縮尺に応じた換算を行ったうえで指令位置ＰＣｏｋ等が計算される。
図９Ｂに、第１検出軸Ａｏｋにおける検出位置Ｐｄｏｋ及び目標位置Ｐｔｏｋの例が示されている。ターゲット２７の軌道Ｔを目標位置Ｐｔｏｋに近づけるための指令位置ＰＣｏｋは、駆動ステージ２６ａの現在位置ＰＰｏｋに、目標位置Ｐｔｏｋと検出位置Ｐｄｏｋとの差を加算することにより算出される。
なお、指令位置ＰＣｏｋ、現在位置ＰＰｏｋ、検出位置Ｐｄｏｋ、及び目標位置Ｐｔｏｋは、第１検出軸Ａｏｋにおいて定義されている。第２検出軸Ａｎｇにおいても同様に、後述の指令位置ＰＣｎｇ、現在位置ＰＰｎｇ、検出位置Ｐｄｎｇ、及び目標位置Ｐｔｎｇが定義される。
次に、Ｓ１３において、プロセッサ５は、設定された指令位置ＰＣｏｋに従って駆動ステージ２６ａを制御する。
図９Ｄに、第１検出軸Ａｏｋに沿って駆動ステージ２６ａを制御した後の光強度分布の例が示されている。上述のように、照明光４３の光強度分布のピークの位置Ｐｐｅａｋがターゲット２７の理想的な軌道の一部に一致する。従って、Ｓ１２及びＳ１３により、第１検出軸Ａｏｋにおいて検出されるターゲット２７の軌道Ｔが目標位置Ｐｔに近づくように駆動ステージ２６ａを制御しておけば、以後の処理においてターゲット２７が明るく照明されるようになる。そして、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚによって取得される画像のコントラストが高くなる。これにより、ターゲット２７の軌道Ｔをより正確に検出することが可能となる。
次に、Ｓ１５において、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋだけでなく第２検出軸Ａｎｇも含む両方の検出軸において、ターゲット２７の軌道Ｔを検出できるようになったか否かを判定する。
Ｓ１３における駆動ステージ２６ａの制御によって、両方の検出軸における軌道Ｔの検出ができるようになった場合（Ｓ１５：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、図５のＳ２８に処理を進める。図５のＳ２８において、プロセッサ５は、両方の検出軸における検出位置Ｐｄｏｋ及びＰｄｎｇに基づく軌道制御を開始する。例えば、プロセッサ５は、Ｘ軸軌道センサ４ｘで検出される軌道Ｔの検出位置Ｐｄｏｋと、Ｚ軸軌道センサ４ｚで検出される軌道Ｔの検出位置Ｐｄｎｇとが、それぞれの目標位置Ｐｔｏｋ及びＰｔｎｇに近づくように、駆動ステージ２６ａを制御する。Ｓ２８の後、プロセッサ５は、検出調整の処理を終了するが、ターゲット２７の出力及び軌道制御は、その後も継続して行われる。
第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを検出できるようにならなかった場合（Ｓ１５：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ１６に処理を進める。
Ｓ１６において、プロセッサ５は、探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘを超えたか否かを判定する。
探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘを超えた場合（Ｓ１６：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、検出調整の処理を終了する（図５参照）。この場合、プロセッサ５は、ターゲット供給部２６によるターゲット２７の出力を停止させ、軌道検出エラーを示す信号を発報してもよい。
探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘ以下である場合（Ｓ１６：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ１７に処理を進める。
Ｓ１７において、プロセッサ５は、第１の探索及び第２の探索の処理に関するフラグがいずれも無効であることを示しているか否かを判定する。
第１の探索及び第２の探索の処理に関するフラグがいずれも無効であることを示している場合（Ｓ１７：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、検出調整の処理を終了する（図５参照）。
第１の探索及び第２の探索の処理に関するフラグのいずれかが有効であることを示している場合（Ｓ１７：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ１９に処理を進める。
Ｓ１９において、プロセッサ５は、第１の探索の処理に関するフラグが有効であることを示しているか否かを判定する。
第１の探索の処理に関するフラグが有効であることを示している場合（Ｓ１９：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ２０に処理を進める。Ｓ２０において、プロセッサ５は、第１の探索の処理を行う。Ｓ２０の処理の詳細については、図６を参照しながら後述する。Ｓ２０の後、プロセッサ５は、Ｓ２４に処理を進める。
第１の探索の処理に関するフラグが無効であることを示している場合（Ｓ１９：ＮＯ）、プロセッサ５は、第１の探索の処理を行わずに、Ｓ２４に処理を進める。
Ｓ２４において、プロセッサ５は、第２の探索の処理に関するフラグが有効であることを示しているか否かを判定する。
第２の探索の処理に関するフラグが有効であることを示している場合（Ｓ２４：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ２５に処理を進める。Ｓ２５において、プロセッサ５は、第２の探索の処理を行う。Ｓ２５の処理の詳細については、図７を参照しながら後述する。Ｓ２５の後、プロセッサ５は、Ｓ２７に処理を進める。
第２の探索の処理に関するフラグが無効であることを示している場合（Ｓ２４：ＮＯ）、プロセッサ５は、第２の探索の処理を行わずに、Ｓ２７に処理を進める。
Ｓ２７において、プロセッサ５は、探索の回数Ｎの値に１を加算してＮの値を更新する。Ｓ２７の後、プロセッサ５は、Ｓ１６に処理を戻す。
Ｓ１６からＳ２７までの処理を繰り返すことにより、第１の探索と第２の探索とが交互に実行される。第１の探索と第２の探索とのいずれか一方のフラグが無効であることを示すフラグとなり、他方のフラグが有効である場合には、他方の処理が連続で実行される。
３．２ 第１の探索
図６は、第１の実施形態における第１の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。図６に示される処理は、図４のＳ２０のサブルーチンに相当する。
Ｓ２０２において、プロセッサ５は、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣｎｇを、以下の式（２）により設定する。
ＰＣｎｇ＝ＰＩｎｇ＋Ｎ・Ｗ ・・・（２）
式（２）において、ＰＩｎｇは、第２検出軸Ａｎｇにおける駆動ステージ２６ａの初期位置である。初期位置ＰＩｎｇは、駆動ステージ２６ａの座標系において定義される値である。プロセッサ５は、検出調整において駆動ステージ２６ａを制御する前に、駆動ステージ２６ａの現在位置ＰＰｎｇのデータを取得し、メモリ５０１（図１参照）に初期位置ＰＩｎｇとして記憶しておくことが望ましい。
式（２）において、Ｗは、検出調整において軌道Ｔの位置を第２検出軸Ａｎｇに沿って変更する量を示すシフト幅である。シフト幅Ｗは正数である。シフト幅Ｗをあまり大きく設定すると、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔの位置を変更したときに、軌道Ｔが空間Ｖｘｚを飛び越えてしまう可能性がある。シフト幅Ｗは、例えば、軌道Ｔを検出しなかった軌道センサの検出範囲Ｖｚ又はＶｘの、第２検出軸Ａｎｇに沿った寸法ＷＺ又はＷＸの半分以下であることが望ましい。一方、シフト幅Ｗをあまり小さくすると、指令位置ＰＣｎｇを多数回更新しないと、軌道Ｔが空間Ｖｘｚに到達できない可能性がある。シフト幅Ｗは、例えば、３００μｍ以上、１５００μｍ以下とする。シフト幅Ｗは、好ましくは、５００μｍとする。
Ｓ２０２において、探索の回数Ｎが１に設定されている場合（Ｎ＝１）、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣｎｇは、式（２）により以下のように設定される。
ＰＣｎｇ＝ＰＩｎｇ＋Ｗ
図９Ｃに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩｎｇの例を示す。図９Ｅに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩｎｇと、探索の回数Ｎが１に設定されている場合の第１の探索における指令位置ＰＣｎｇと、の例を示す。指令位置ＰＣｎｇは、初期位置ＰＩｎｇにシフト幅Ｗを加算して得られる。第２検出軸Ａｎｇの正方向が、本開示における第３の方向に相当する。例えば、Ｚ軸が第２検出軸Ａｎｇである場合には、＋Ｚ方向が、本開示における第３の方向に相当する。
次に、Ｓ２０３において、プロセッサ５は、設定された指令位置ＰＣｎｇに従って駆動ステージ２６ａを制御してターゲット２７の軌道Ｔを第２検出軸Ａｎｇの正方向に移動させる。
次に、Ｓ２０４において、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋだけでなく第２検出軸Ａｎｇも含む両方の検出軸においてターゲット２７の軌道Ｔを検出できるようになったか否かを判定する。
Ｓ２０３における駆動ステージ２６ａの制御によって、両方の検出軸における軌道Ｔの検出ができるようになった場合（Ｓ２０４：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、図５のＳ２８に処理を進める。図５のＳ２８において、プロセッサ５は、両方の検出軸における検出位置Ｐｄｏｋ及びＰｄｎｇに基づく軌道制御を開始する。Ｓ２８の後、プロセッサ５は、検出調整の処理を終了するが、ターゲット２７の出力及び軌道制御は、その後も継続して行われる。
両方の検出軸において軌道Ｔを検出できるようにならなかった場合（Ｓ２０４：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ２０５に処理を進める。
Ｓ２０５において、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋを取得する。第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋは、例えば、第１検出軸Ａｏｋに沿って抽出された光強度分布のピークの位置における輝度である。
次に、Ｓ２０６において、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける検出が失敗したか否かを判定する。例えば、第１検出軸Ａｏｋに沿って抽出された光強度分布が明瞭なピークを有しない場合に、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける検出が失敗したと判定する。
第１検出軸Ａｏｋにおける検出が失敗した場合（Ｓ２０６：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、処理をＳ２０９に進める。
第１検出軸Ａｏｋにおける検出が成功した場合（Ｓ２０６：ＮＯ）、プロセッサ５は、処理をＳ２０７に進める。
Ｓ２０７において、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ未満か否かを判定する。閾値Ｉｔｈは、例えば、予め決められた値である。
第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ未満である場合（Ｓ２０７：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、処理をＳ２０９に進める。
第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ以上である場合（Ｓ２０７：ＮＯ）、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了し、図４に示される処理に戻る。図９Ｆに、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ以上である場合の光強度分布の例が示されている。この場合、第１の探索の処理に関して有効であることを示すフラグがセットされているので、図４のＳ１９の判定を再度行った場合にはＳ２０に進んで第１の探索の処理が再度行われる。
Ｓ２０９において、プロセッサ５は、第１の探索の処理に関し、無効であることを示すフラグをセットする。その後、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了し、図４に示される処理に戻る。第１の探索の処理に関して無効であることを示すフラグがセットされているので、第１の探索の処理はその後行われない。
以上のようにして、第１の探索においては、第２検出軸Ａｎｇにおいて探索の回数Ｎとシフト幅Ｗとを乗算した値を初期位置ＰＩｎｇに加算して指令位置ＰＣｎｇを算出する（Ｓ２０２）。そして、駆動ステージ２６ａを制御してターゲット２７の軌道Ｔを第２検出軸Ａｎｇの正方向に移動させる（Ｓ２０３）。図４に示される処理によって探索の回数Ｎが増えるのに伴って、より遠くに指令位置ＰＣｎｇが設定される。
３．３ 第２の探索
図７は、第１の実施形態における第２の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。図７に示される処理は、図４のＳ２５のサブルーチンに相当する。
Ｓ２５２において、プロセッサ５は、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣｎｇを、以下の式（３）により設定する。
ＰＣｎｇ＝ＰＩｎｇ－Ｎ・Ｗ ・・・（３）
式（３）においては、探索の回数Ｎとシフト幅Ｗとを乗算した値を初期位置ＰＩｎｇから減算する。
Ｓ２５２において、探索の回数Ｎが１に設定されている場合（Ｎ＝１）、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣｎｇは、式（３）により以下のように設定される。
ＰＣｎｇ＝ＰＩｎｇ－Ｗ
図９Ｇに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩｎｇと、探索の回数Ｎが１に設定されている場合の第２の探索における指令位置ＰＣｎｇと、の例を示す。第２検出軸Ａｎｇの正方向と反対の負方向が、本開示における第４の方向に相当する。例えば、Ｚ軸が第２検出軸Ａｎｇである場合には、－Ｚ方向が、本開示における第４の方向に相当する。
他の点については、第２の探索は図６を参照しながら説明した第１の探索と同様である。すなわち、Ｓ２５３からＳ２５９までの処理は、第１の探索と反対方向の第２の探索を行う点でＳ２０３からＳ２０９までの処理と異なるが、他の点では同様である。
以上のようにして、第２の探索においては、第２検出軸Ａｎｇにおいて探索の回数Ｎとシフト幅Ｗとを乗算した値を初期位置ＰＩｎｇから減算して指令位置ＰＣｎｇを算出する（Ｓ２５２）。そして、駆動ステージ２６ａを制御してターゲット２７の軌道Ｔを第２検出軸Ａｎｇの負方向に移動させる（Ｓ２５３）。図４に示される処理によって探索の回数Ｎが増えるのに伴って、より遠くに指令位置ＰＣｎｇが設定される。
また、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋだけでなく第２検出軸Ａｎｇも含む両方の検出軸においてターゲット２７の軌道Ｔを検出できるようになったか否かを判定する（Ｓ２５４）。両方の検出軸における軌道Ｔの検出ができるようになった場合（Ｓ２５４：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、図５のＳ２８に処理を進める。
また、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ未満か否かを判定する（Ｓ２５７）。図９Ｈに、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ未満である場合の光強度分布の例が示されている。第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ未満である場合、Ｓ２５９において、プロセッサ５は、第２の探索の処理に関し、無効であることを示すフラグをセットする。その後、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了し、図４に示される処理に戻る。第２の探索の処理に関して無効であることを示すフラグがセットされているので、第２の探索の処理はその後行われない。
３．４ いずれか一方のフラグが無効となった場合
図４を参照しながら説明したように、第１の探索と第２の探索とのいずれか一方のフラグが無効であることを示すフラグとなった場合には、他方の処理が連続で実行される。
図９Ｉに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩｎｇと、探索の回数Ｎが２に設定されている場合の第１の探索における指令位置ＰＣｎｇと、の例を示す。指令位置ＰＣｎｇは、初期位置ＰＩｎｇにシフト幅Ｗの２倍を加算して得られる。
図９Ｊに、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ以上である場合の光強度分布の例が示されている。第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ以上である場合（Ｓ２０７：ＮＯ）、第１の探索の処理に関して有効であることを示すフラグがセットされているので、図４のＳ１９の判定を再度行う場合には第１の探索の処理が再度行われる。
図９Ｋに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩｎｇと、探索の回数Ｎが３に設定されている場合の第１の探索における指令位置ＰＣｎｇと、の例を示す。指令位置ＰＣｎｇは、初期位置ＰＩｎｇにシフト幅Ｗの３倍を加算して得られる。
両方の検出軸における軌道Ｔの検出ができるようになった場合（Ｓ２０４：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、図５のＳ２８に処理を進める。図９Ｌは、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔが検出できるようになった場合の光強度分布の例を示す。図９Ｌに示されるように、信号強度が高くなくても、光強度分布に明瞭なピークがあれば軌道Ｔの検出位置Ｐｄｎｇの検出は可能である。
図５のＳ２８において、プロセッサ５は、両方の検出軸における検出位置Ｐｄｏｋ及びＰｄｎｇに基づく軌道制御を開始する。この軌道制御により、第２検出軸Ａｎｇにおいて検出されるターゲット２７の軌道Ｔが目標位置Ｐｔｎｇに近づくように駆動ステージ２６ａが制御される。図９Ｍは、第２検出軸Ａｎｇに沿ってターゲット２７の軌道Ｔが目標位置Ｐｔｎｇに近づけられた場合の光強度分布の例を示す。
３．５ 作用
第１の実施形態においては、第１の探索と第２の探索とが交互に行われ、第２検出軸Ａｎｇも含む両方の検出軸においてターゲット２７の軌道Ｔを検出できるようになったか否かが判定される。しかし、ターゲット２７の軌道Ｔが理想的な軌道に近づくのは、第１の探索と第２の探索とのうち、いずれか一方のみであり、他方は誤った方向への探索である。誤った方向に駆動ステージ２６ａを大きく動かすと、ターゲット２７がターゲット回収部２８によって回収できなくなるような位置に軌道Ｔが動いてしまう可能性がある。ターゲット２７が回収できないと、ターゲット物質によってチャンバ２の内部が汚染される可能性がある。
図８は、第１の実施形態において第２検出軸Ａｎｇに沿って第１の探索及び第２の探索を実行したときの第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋの例を示すグラフである。第２検出軸Ａｎｇに沿って駆動ステージ２６ａを動かすと、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋも変化する。例えば、第２検出軸Ａｎｇに沿って負方向に駆動ステージ２６ａを動かしたことにより、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが低下した場合には、照明光４３の光強度分布のピークの位置Ｐｐｅａｋから離れる方向に軌道Ｔが動いた可能性がある。このように信号強度Ｉｏｋが低下した場合は、駆動ステージ２６ａの可動範囲の上限ＰＨｎｇ又は下限ＰＬｎｇに達する前であっても、誤った方向への探索であると判断できる。
第１の実施形態によれば、例えば、Ｘ軸軌道センサ４ｘがターゲット２７の軌道Ｔを検出した場合であって、Ｚ軸軌道センサ４ｚがターゲット２７の軌道Ｔを検出しなかった場合に、第１の探索を実行する。そして、Ｘ軸軌道センサ４ｘの信号強度Ｉｏｋに基づいて、第１の探索を繰り返すか否かを判定する。これによれば、Ｚ軸軌道センサ４ｚがターゲット２７の軌道Ｔを検出しなかった場合でも、第１の探索を繰り返すか否かを適切に判定できる。そして、作業者による再調整及び立ち上げ処理を行わなくても、ＥＵＶ光生成装置１を稼働できる。
第１の実施形態によれば、第１の探索と第２の探索とを交互に実行する。そして、例えば、第１の探索において取得したＸ軸軌道センサ４ｘの信号強度Ｉｏｋに基づいて、第１の探索を繰り返すか否かを判定し、第２の探索において取得したＸ軸軌道センサ４ｘの信号強度Ｉｏｋに基づいて、第２の探索を繰り返すか否かを判定する。これによれば、第１の探索と第２の探索とのいずれが誤った方向への探索である場合でも、Ｚ軸軌道センサ４ｚによって検出可能な位置にターゲット２７の軌道Ｔを移動させることができる。
第１の実施形態によれば、第２の探索を行う負方向は、第１の探索を行う正方向と反対の方向である。これによれば、第１の探索と第２の探索とのいずれかが正しい方向への探索である可能性が高くなる。
第１の実施形態によれば、第１の探索を繰り返さないと判定した後、第２の探索を繰り返すと判定した場合に、第２の探索を連続で実行する。あるいは、第２の探索を繰り返さないと判定した後、第１の探索を繰り返すと判定した場合に、第１の探索を連続で実行する。これによれば、正しい方向への探索を効率的に行うことができる。
第１の実施形態によれば、第１の探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘを超えた場合に、第１の探索を繰り返さないと判定する。これによれば、Ｘ軸軌道センサ４ｘの信号強度Ｉｏｋに基づいて第１の探索が誤った方向への探索であると判断できなかった場合でも、駆動ステージ２６ａを大きく動かしすぎてしまうことを抑制し得る。
第１の実施形態によれば、例えば、Ｘ軸軌道センサ４ｘがターゲット２７の軌道Ｔを検出しなかった場合に、第１の探索を繰り返さないと判定する。これによれば、第１の探索が誤った方向への探索であることを適切に判断できる。
第１の実施形態によれば、例えば、Ｘ軸軌道センサ４ｘの信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ未満である場合に、第１の探索を繰り返さないと判定する。これによれば、Ｘ軸軌道センサ４ｘがターゲット２７の軌道Ｔを検出していても、第１の探索が誤った方向への探索であることを早期に判断できる。
第１の実施形態によれば、予め決められた値を閾値Ｉｔｈとしている。これによれば、第１の探索が誤った方向への探索であることを安定した基準で判断できる。
４．第１の探索を連続で実行した後で第２の探索を行うＥＵＶ光生成装置
４．１ 動作
図１０は、第２の実施形態における検出調整の主要部分の動作を示すフローチャートである。第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１の物理的な構成は、図２及び図３Ａ～図３Ｄを参照しながら説明した比較例の構成と同様である。第２の実施形態における検出調整の終了動作は、図５を参照しながら説明したものと同様である。第１の実施形態においては第１の探索と第２の探索とが交互に行われたのに対し、第２の実施形態は第１の探索を連続で実行した後で第２の探索を行う点で第１の実施形態と異なる。
Ｓ１１からＳ１５までの処理は、図４を参照しながら説明した第１の実施形態において対応する処理と同様である。
Ｓ１５の次に、Ｓ２０ａにおいて、プロセッサ５は、第１の探索の処理を行う。
図１１は、第２の実施形態における第１の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。図１１に示される処理は、図１０のＳ２０ａのサブルーチンに相当する。図１１に示される処理は、Ｓ２０７において「ＮＯ」と判定された後にＳ２０８ａの処理が追加されている点で、図６に示される処理と異なる。Ｓ２０８ａにおいて、プロセッサ５は、探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘを超えたか否かを判定する。
探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘを超えた場合（Ｓ２０８ａ：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、処理をＳ２０９に進める。
探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘ以下である場合（Ｓ２０８ａ：ＮＯ）、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了し、図１０に示される処理に戻る。
図１０を再び参照し、Ｓ２０ａの次に、Ｓ２１ａにおいて、プロセッサ５は、第１の探索の処理に関するフラグが有効であることを示しているか否かを判定する。
第１の探索の処理に関するフラグが有効であることを示している場合（Ｓ２１ａ：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ２２ａに処理を進める。Ｓ２２ａにおいて、プロセッサ５は、探索の回数Ｎの値に１を加算してＮの値を更新する。Ｓ２２ａの後、プロセッサ５は、Ｓ２０ａに処理を戻す。
第１の探索の処理に関するフラグが無効であることを示している場合（Ｓ２１ａ：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ２３ａに処理を進める。Ｓ２３ａにおいて、プロセッサ５は、探索の回数Ｎを初期値１に戻す。
Ｓ２３ａの次に、Ｓ２５ａにおいて、プロセッサ５は、第２の探索の処理を行う。
図１２は、第２の実施形態における第２の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。図１２に示される処理は、図１０のＳ２５ａのサブルーチンに相当する。図１２に示される処理は、Ｓ２５７において「ＮＯ」と判定された後にＳ２５８ａの処理が追加されている点で、図７に示される処理と異なる。Ｓ２５８ａにおいて、プロセッサ５は、探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘを超えたか否かを判定する。
探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘを超えた場合（Ｓ２５８ａ：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、処理をＳ２５９に進める。
探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘ以下である場合（Ｓ２５８ａ：ＮＯ）、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了し、図１０に示される処理に戻る。
図１０を再び参照し、Ｓ２５ａの次に、Ｓ２６ａにおいて、プロセッサ５は、第２の探索の処理に関するフラグが有効であることを示しているか否かを判定する。
第２の探索の処理に関するフラグが有効であることを示している場合（Ｓ２６ａ：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ２７ａに処理を進める。Ｓ２７ａにおいて、プロセッサ５は、探索の回数Ｎの値に１を加算してＮの値を更新する。Ｓ２７ａの後、プロセッサ５は、Ｓ２５ａに処理を戻す。
第２の探索の処理に関するフラグが無効であることを示している場合（Ｓ２６ａ：ＮＯ）、プロセッサ５は、検出調整の処理を終了する（図５参照）。
以上のようにして、Ｓ２０ａにおいて第１の探索を所定回数繰り返した後、Ｓ２０８ａにおいて探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘを超えた場合、あるいはＳ２０６又はＳ２０７の条件に該当した場合に、Ｓ２３ａにおいて探索の回数Ｎを初期値１に戻す。その後、Ｓ２５ａにおいて第２の探索を所定回数繰り返した後、Ｓ２５８ａにおいて探索の回数Ｎが上限値Ｎｍａｘを超えた場合、あるいはＳ２５６又はＳ２５７の条件に該当した場合に、検出調整の処理を終了する。
他の点については、第２の実施形態の動作は第１の実施形態と同様である。
４．２ 作用
図１３は、第２の実施形態において第２検出軸Ａｎｇに沿って第１の探索及び第２の探索を実行したときの第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋの例を示すグラフである。第２の実施形態においては、正方向に駆動ステージ２６ａを制御する第１の探索が連続して行われ、その後、負方向に駆動ステージ２６ａを制御する第２の探索が連続して行われる。第２検出軸Ａｎｇに沿って駆動ステージ２６ａを動かすと、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋも変化する。例えば、第２検出軸Ａｎｇに沿って正方向に駆動ステージ２６ａを動かしたことにより、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが低下した場合には、照明光４３の光強度分布のピークの位置Ｐｐｅａｋから離れる方向に軌道Ｔが動いた可能性がある。このように信号強度Ｉｏｋが低下した場合は、駆動ステージ２６ａの可動範囲の上限ＰＨｎｇ又は下限ＰＬｎｇに達する前であっても、誤った方向への探索であると判断できる。
第２の実施形態によれば、第１の探索を繰り返すと判定した場合に、第１の探索を連続で実行する。その後、第１の探索を繰り返さないと判定した場合に、第２の探索を実行する。これによれば、第１の探索と第２の探索とを交互に実行する場合と比べて、駆動ステージ２６ａの移動量が少なくて済む場合がある。また、探索の回数Ｎごとに駆動ステージ２６ａを指令位置ＰＣｎｇで完全に停止させなくても、駆動ステージ２６ａをゆっくり動かしながら、ターゲット２７の軌道Ｔを検出できるか否かを判定することもできる。
他の点については、第２の実施形態の作用は第１の実施形態と同様である。
５．初期位置における信号強度を基準値として閾値を決定するＥＵＶ光生成装置
５．１ 動作
図１４は、第３の実施形態における検出調整の主要部分の動作を示すフローチャートである。第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１の物理的な構成は、図２及び図３Ａ～図３Ｄを参照しながら説明した比較例の構成と同様である。第３の実施形態における検出調整の終了動作は、図５を参照しながら説明したものと同様である。第１の実施形態においては予め決められた値を閾値Ｉｔｈとしたのに対し、第３の実施形態は駆動ステージ２６ａを初期位置ＰＩｎｇとしたときの信号強度Ｉｏｋを基準値Ｉｓｔとして、基準値Ｉｓｔに基づいて閾値Ｉｔｈを決定する点で第１の実施形態と異なる。
Ｓ１１からＳ１３までの処理は、図４を参照しながら説明した第１の実施形態において対応する処理と同様である。
Ｓ１３の次に、Ｓ１４ｂにおいて、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋを基準値Ｉｓｔとして取得する。Ｓ１４ｂにおいてはまだ第１の探索及び第２の探索が行われる前であるので、基準値Ｉｓｔは、駆動ステージ２６ａが第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩｎｇにある場合の信号強度Ｉｏｋに相当し、基準値Ｉｓｔは信号強度Ｉｏｋの初期値に相当する。
Ｓ１４ｂの後の、Ｓ１５からＳ２７までの処理は、図４を参照しながら説明した第１の実施形態において対応する処理と同様である。但し、第１の探索Ｓ２０ｂ及び第２の探索Ｓ２５ｂの処理の詳細が、第１の実施形態において対応する処理とそれぞれ一部異なる。
図１５は、第３の実施形態における第１の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。図１５に示される処理は、図１４のＳ２０ｂのサブルーチンに相当する。図１５に示される処理は、図６のＳ２０７の代わりにＳ２０７ｂが行われる点で、図６に示される処理と異なる。Ｓ２０７ｂにおいて、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが以下の式で定義される閾値Ｉｔｈ未満か否かを判定する。
Ｉｔｈ＝Ｉｓｔ・（１－Ｒ／１００）
ここで、Ｒは０より大きく１００より小さい数である。第３の実施形態における閾値Ｉｔｈは、信号強度Ｉｏｋの初期値を基準値Ｉｓｔとして、基準値Ｉｓｔに対して所定割合低下した値に相当する。基準値Ｉｓｔと信号強度Ｉｏｋとに有意差があるか否かを判定するため、Ｒは３０より大きい値とすることが好ましい。
あるいは、閾値Ｉｔｈは以下の式で定義されてもよい。
Ｉｔｈ＝Ｉｓｔ－α
ここで、αは、０より大きい、予め定められた値である。
図１６は、第３の実施形態における第２の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。図１６に示される処理は、図１４のＳ２５ｂのサブルーチンに相当する。図１６に示される処理は、図７のＳ２５７の代わりにＳ２５７ｂが行われる点で、図７に示される処理と異なる。Ｓ２５７ｂの処理は、上述のＳ２０７ｂの処理と同様である。
他の点については、第３の実施形態の動作は第１の実施形態と同様である。
あるいは、第３の実施形態において、第２の実施形態と同様に、第１の探索を連続で実行した後で第２の探索を実行してもよい。
５．２ 作用
図１７は、第３の実施形態において第２検出軸Ａｎｇに沿って第１の探索及び第２の探索を実行したときの第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋの例を示すグラフである。第３の実施形態においては、駆動ステージ２６ａが第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩｎｇにある場合の信号強度Ｉｏｋである初期値を基準値Ｉｓｔとして、基準値Ｉｓｔから所定割合低下した値が閾値Ｉｔｈとされる。プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋが閾値Ｉｔｈ未満であるか否かにより、第１の探索又は第２の探索を繰り返すか否かを判定する。
第３の実施形態によれば、第１の探索が行われる前のＸ軸軌道センサ４ｘの信号強度Ｉｏｋを基準値Ｉｓｔとして、基準値Ｉｓｔに基づいて閾値Ｉｔｈを決定する。これによれば、基準値Ｉｓｔと信号強度Ｉｏｋとに有意差があるか否かによって信号強度Ｉｏｋの低下を判断することができ、第１の探索を繰り返すか否かを適切に判定し得る。
第３の実施形態によれば、基準値Ｉｓｔに対して所定割合低下した値を閾値Ｉｔｈとする。これによれば、例えば、初期位置ＰＩｎｇの位置合わせが良好であった場合には基準値Ｉｓｔも高い値となり得るので、閾値Ｉｔｈも高い値となり、探索の回数Ｎが多くなることが抑制される。
他の点については、第３の実施形態の作用は第１の実施形態と同様である。
６．基準値を更新するＥＵＶ光生成装置
６．１ 動作
図１８は、第４の実施形態における検出調整の主要部分の動作を示すフローチャートである。第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１の物理的な構成は、図２及び図３Ａ～図３Ｄを参照しながら説明した比較例の構成と同様である。第４の実施形態における検出調整の終了動作は、図５を参照しながら説明したものと同様である。第３の実施形態においては第１の探索又は第２の探索を繰り返す場合に基準値Ｉｓｔを更新しなかったのに対し、第４の実施形態は第１の探索又は第２の探索を繰り返す場合に基準値Ｉｓｔを更新する点で第３の実施形態と異なる。図１８に示される処理は、図１４のＳ１１の代わりにＳ１１ｃが行われる点と、図１４のＳ１４ｂの代わりに、Ｓ１７とＳ１９との間でＳ１８ｃが行われる点とで、図１４に示される処理と異なる。
Ｓ１１ｃにおいて、プロセッサ５は、探索の回数Ｎを初期値１にセットし、第１の探索及び第２の探索の処理が各々有効であることを示すフラグをセットするほか、第２検出軸Ａｎｇにおける駆動ステージ２６ａの現在位置ＰＰｎｇを初期位置ＰＩｎｇとして記憶する。本開示において、駆動ステージ２６ａが、第１の探索及び第２の探索が行われる前の初期位置ＰＩｎｇにあるとき、ターゲット供給部２６は基準位置にあるものとする。
Ｓ１８ｃにおいて、プロセッサ５は、駆動ステージ２６ａを初期位置ＰＩｎｇに制御し、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋを取得することにより、基準値Ｉｓｔを取得する。
図１９は、第４の実施形態における基準値Ｉｓｔを取得する処理の詳細を示すフローチャートである。図１９に示される処理は、図１８のＳ１８ｃのサブルーチンに相当する。
Ｓ１８２ｃにおいて、プロセッサ５は、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣｎｇを、Ｓ１１ｃにおいて記憶された初期位置ＰＩｎｇに設定する。
次に、Ｓ１８３ｃにおいて、プロセッサ５は、設定された指令位置ＰＣｎｇに従って駆動ステージ２６ａを制御する。
次に、Ｓ１８４ｃにおいて、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋだけでなく第２検出軸Ａｎｇも含む両方の検出軸においてターゲット２７の軌道Ｔを検出できるようになったか否かを判定する。
両方の検出軸における軌道Ｔの検出ができるようになった場合（Ｓ１８４ｃ：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、図５のＳ２８に処理を進める。
両方の検出軸において軌道Ｔを検出できるようにならなかった場合（Ｓ１８４ｃ：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ１８５ｃに処理を進める。
Ｓ１８５ｃにおいて、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋを取得することにより、基準値Ｉｓｔを取得する。
その後、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了し、図１８に示される処理に戻る。
探索の回数Ｎが１に設定されている場合にＳ１８ｃにおいて取得される基準値Ｉｓｔは、第３の実施形態において説明した信号強度Ｉｏｋの初期値と同等の値である。但し、第４の実施形態においては、第１の探索及び第２の探索を行うたびに、Ｓ１８ｃにおいて新たに基準値Ｉｓｔが取得される。探索の回数Ｎが２以上である場合にＳ１８ｃにおいて取得される基準値Ｉｓｔは、第３の実施形態において説明した信号強度Ｉｏｋの初期値とは異なる値であり得る。
他の点については、第４の実施形態の動作は第３の実施形態と同様である。
６．２ 作用
図２０は、第４の実施形態において第２検出軸Ａｎｇに沿って第１の探索及び第２の探索を実行したときの第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋの例を示すグラフである。ターゲット２７の軌道Ｔは、特にターゲット２７の吐出が開始された直後においては、変動しやすい場合がある。例えば、探索の回数Ｎが１に設定されている場合（Ｎ＝１）のグラフの曲線に対して、探索の回数Ｎが２に設定されている場合（Ｎ＝２）のグラフの曲線が矢印Ｄ方向にずれることがある。この場合に、探索の回数Ｎが１に設定されていたときの基準値Ｉｓｔをそのまま用いて、探索の回数Ｎが２に設定されたときに、さらに探索を繰り返すか否かを判定しようとすると、適切な判定結果が得られない可能性がある。
例えば、探索の回数Ｎが１に設定されていたときの基準値Ｉｓｔを用いて算出された閾値Ｉｔｈよりも信号強度Ｉｏｋが低くなった場合でも、探索の回数Ｎが２に設定されたときに取得し直した基準値を適用すれば、閾値Ｉｔｈよりも信号強度Ｉｏｋが低いとは言えない場合がある。
第４の実施形態によれば、第１の探索を繰り返す場合に、ターゲット供給部２６が基準位置に移動するように駆動ステージ２６ａを初期位置ＰＩｎｇに制御し、Ｘ軸軌道センサ４ｘの信号強度Ｉｏｋを新たに取得する。そして、新たに取得された信号強度Ｉｏｋを基準値Ｉｓｔとして、基準値Ｉｓｔに基づいて閾値Ｉｔｈを決定する。基準位置は、最初の第１の探索が行われる前のターゲット供給部２６の位置である。これによれば、探索の回数Ｎの増加に伴ってターゲット２７の軌道Ｔが変化したとしても、第１の探索を繰り返すか否かを適切に判定し得る。
他の点については、第４の実施形態の作用は第３の実施形態と同様である。
７．平均値を用いるＥＵＶ光生成装置
７．１ 動作
図２１は、第５の実施形態における検出調整の主要部分の動作を示すフローチャートである。第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１の物理的な構成は、図２及び図３Ａ～図３Ｄを参照しながら説明した比較例の構成と同様である。第５の実施形態における検出調整の終了動作は、図５を参照しながら説明したものと同様である。第５の実施形態は、基準値Ｉｓｔとして信号強度Ｉｏｋの平均値を用いる点で第４の実施形態と異なる。図２１に示される処理は、図１８のＳ１８ｃ、Ｓ２０ｂ、及びＳ２５ｂの代わりに、Ｓ１８ｄ、Ｓ２０ｄ、及びＳ２５ｄが行われる点で異なる。Ｓ１８ｄ、Ｓ２０ｄ、及びＳ２５ｄについて、図２２～図２４を参照しながら以下に説明する。
図２２は、第５の実施形態における基準値Ｉｓｔを取得する処理の詳細を示すフローチャートである。図２２に示される処理は、図２１のＳ１８ｄのサブルーチンに相当する。図２２に示される処理は、図１９のＳ１８５ｃの代わりにＳ１８５ｄが行われる点で、図１９に示される処理と異なる。Ｓ１８５ｄにおいて、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋの所定パルス分の平均値を取得することにより、基準値Ｉｓｔを取得する。
図２３は、第５の実施形態における第１の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。図２３に示される処理は、図２１のＳ２０ｄのサブルーチンに相当する。図２３に示される処理は、図１５のＳ２０５及びＳ２０７ｂの代わりにそれぞれＳ２０５ｄ及びＳ２０７ｄが行われる点で、図１５に示される処理と異なる。
Ｓ２０５ｄにおいて、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋの所定パルス分の平均値Ｉａｖｇを取得する。
Ｓ２０７ｄにおいて、プロセッサ５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｉｏｋの所定パルス分の平均値Ｉａｖｇが以下の閾値Ｉｔｈ未満か否かを判定する。
Ｉｔｈ＝Ｉｓｔ・（１－Ｒ／１００）
図２４は、第５の実施形態における第２の探索の処理の詳細を示すフローチャートである。図２４に示される処理は、図２１のＳ２５ｄのサブルーチンに相当する。図２４に示される処理は、図１６のＳ２５５及びＳ２５７ｂの代わりにそれぞれＳ２５５ｄ及びＳ２５７ｄが行われる点で、図１６に示される処理と異なる。Ｓ２５５ｄ及びＳ２５７ｄの処理は、図２３を参照しながら説明したＳ２０５ｄ及びＳ２０７ｄの処理と同様である。
他の点については、第５の実施形態の動作は第４の実施形態と同様である。
７．２ 作用
第５の実施形態によれば、例えば、Ｘ軸軌道センサ４ｘから出力された信号に含まれる複数のパルスの信号強度Ｉｏｋの平均値を基準値Ｉｓｔとする。これによれば、ターゲット２７の軌道Ｔが短時間で変動している場合、あるいは信号強度Ｉｏｋの計測精度が高くなく計測結果にばらつきがある場合でも、適切な基準値Ｉｓｔを設定し得る。
第５の実施形態によれば、例えば、Ｘ軸軌道センサ４ｘから出力された信号に含まれる複数のパルスの信号強度Ｉｏｋの平均値Ｉａｖｇが閾値Ｉｔｈ未満である場合に、第１の探索を繰り返さないと判定する。これによれば、ターゲット２７の軌道Ｔが短時間で変動している場合、あるいは信号強度Ｉｏｋの計測精度が高くなく計測結果にばらつきがある場合でも、第１の探索を繰り返すか否かを適切に判定し得る。
他の点については、第５の実施形態の作用は第４の実施形態と同様である。
８．その他
図２５は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された露光装置６の構成を概略的に示す。
図２５において、露光装置６は、マスク照射部６０とワークピース照射部６１とを含む。マスク照射部６０は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６１は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造することができる。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (19)

  1. ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
    前記ターゲットを出力するターゲット供給部と、
    前記ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、
    前記ターゲットを照明する照明装置と、
    前記ターゲットの出力方向と直交する第１の検出軸方向における前記ターゲットの軌道の位置を検出するための第１の軌道センサと、
    前記ターゲットの出力方向と直交し、且つ前記第１の検出軸と異なる第２の検出軸方向における前記ターゲットの軌道の位置を検出するための第２の軌道センサと、
    前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を検出した場合であって、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を検出しなかった場合に、第１の探索であって、前記アクチュエータを制御して前記ターゲットの軌道を前記第２の検出軸方向と平行な第１の探索方向に変更させ、前記ターゲットの軌道を前記第２の軌道センサが検出できるようになったか否かを判定する前記第１の探索を実行し、前記第１の軌道センサの信号強度に基づいて、前記第１の探索を繰り返すか否かを判定するプロセッサと、
    を備える、極端紫外光生成装置。
  2. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、
    前記第１の探索と、
    第２の探索であって、前記アクチュエータを制御して前記ターゲットの軌道を前記第１の探索方向と反対の方向である第２の探索方向に変更させ、前記ターゲットの軌道を前記第２の軌道センサが検出できるようになったか否かを判定する前記第２の探索と、
    を交互に実行し、
    前記第１の探索において取得した前記第１の軌道センサの信号強度に基づいて、前記第１の探索を繰り返すか否かを判定し、
    前記第２の探索において取得した前記第１の軌道センサの信号強度に基づいて、前記第２の探索を繰り返すか否かを判定する
    極端紫外光生成装置。
  3. 請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第１の探索を繰り返さないと判定した後、前記第２の探索を繰り返すと判定した場合に、前記第２の探索を連続で実行する、
    極端紫外光生成装置。
  4. 請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第２の探索を繰り返さないと判定した後、前記第１の探索を繰り返すと判定した場合に、前記第１の探索を連続で実行する、
    極端紫外光生成装置。
  5. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第１の探索を繰り返すと判定した場合に、前記第１の探索を連続で実行する
    極端紫外光生成装置。
  6. 請求項５に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第１の探索を繰り返さないと判定した場合に、第２の探索であって、前記アクチュエータを制御して前記ターゲットの軌道を前記第１の探索方向と反対の方向である第２の探索方向に変更させ、前記ターゲットの軌道を前記第２の軌道センサが検出できるようになったか否かを判定する前記第２の探索を実行し、前記第１の軌道センサの信号強度に基づいて、前記第２の探索を繰り返すか否かを判定する
    極端紫外光生成装置。
  7. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第１の軌道センサ及び前記第２の軌道センサの両方が前記ターゲットの軌道を検出した場合に、前記第１の軌道センサで検出される前記ターゲットの軌道と、前記第２の軌道センサで検出される前記ターゲットの軌道とが、それぞれの目標位置に近づくように、前記アクチュエータを制御する、
    極端紫外光生成装置。
  8. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第１の探索の回数が上限を超えた場合に、前記第１の探索を繰り返さないと判定する、
    極端紫外光生成装置。
  9. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を検出しなかった場合に、前記第１の探索を繰り返さないと判定する、
    極端紫外光生成装置。
  10. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記信号強度が閾値未満である場合に、前記第１の探索を繰り返さないと判定する、
    極端紫外光生成装置。
  11. 請求項１０に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、予め決められた値を前記閾値とする
    極端紫外光生成装置。
  12. 請求項１０に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第１の探索が行われる前の前記第１の軌道センサの信号強度を基準値として、前記基準値に基づいて前記閾値を決定する
    極端紫外光生成装置。
  13. 請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記基準値に対して所定割合低下した値を前記閾値とする
    極端紫外光生成装置。
  14. 請求項１０に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記アクチュエータは、前記ターゲット供給部を移動することにより前記ターゲットの軌道を変更するように構成され、
    前記プロセッサは、前記第１の探索を繰り返す場合に、前記ターゲット供給部が基準位置に移動するように前記アクチュエータを制御し、前記第１の軌道センサの信号強度を新たに取得して、前記新たに取得された信号強度を基準値として、前記基準値に基づいて前記閾値を決定する
    極端紫外光生成装置。
  15. 請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、最初の前記第１の探索が行われる前の前記ターゲット供給部の位置を前記基準位置とする
    極端紫外光生成装置。
  16. 請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第１の軌道センサから出力された信号に含まれる複数のパルスの信号強度の平均値を前記基準値とする
    極端紫外光生成装置。
  17. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第１の軌道センサから出力された信号に含まれる複数のパルスの信号強度の平均値が閾値未満である場合に、前記第１の探索を繰り返さないと判定する、
    極端紫外光生成装置。
  18. 極端紫外光生成装置におけるターゲット制御方法であって、
    ターゲットを出力するターゲット供給部と、
    前記ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、
    前記ターゲットを照明する照明装置と、
    前記ターゲットの出力方向と直交する第１の検出軸方向における前記ターゲットの軌道の位置を検出するための第１の軌道センサと、
    前記ターゲットの出力方向と直交し、且つ前記第１の検出軸と異なる第２の検出軸方向における前記ターゲットの軌道の位置を検出するための第２の軌道センサと、
    を備えて、前記ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成するように構成された前記極端紫外光生成装置において、
    前記第１の軌道センサ及び前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を検出したか否かを判定し、
    前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を検出した場合であって、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を検出しなかった場合に、第１の探索であって、前記アクチュエータを制御して前記ターゲットの軌道を前記第２の検出軸方向と平行な第１の探索方向に変更させ、前記ターゲットの軌道を前記第２の軌道センサが検出できるようになったか否かを判定する前記第１の探索を実行し、前記第１の軌道センサの信号強度に基づいて、前記第１の探索を繰り返すか否かを判定する
    ことを含む、ターゲット制御方法。
  19. 電子デバイスの製造方法であって、
    ターゲットを出力するターゲット供給部と、
    前記ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、
    前記ターゲットを照明する照明装置と、
    前記ターゲットの出力方向と直交する第１の検出軸方向における前記ターゲットの軌道の位置を検出するための第１の軌道センサと、
    前記ターゲットの出力方向と直交し、且つ前記第１の検出軸と異なる第２の検出軸方向における前記ターゲットの軌道の位置を検出するための第２の軌道センサと、
    前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を検出した場合であって、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を検出しなかった場合に、第１の探索であって、前記アクチュエータを制御して前記ターゲットの軌道を前記第２の検出軸方向と平行な第１の探索方向に変更させ、前記ターゲットの軌道を前記第２の軌道センサが検出できるようになったか否かを判定する前記第１の探索を実行し、前記第１の軌道センサの信号強度に基づいて、前記第１の探索を繰り返すか否かを判定するプロセッサと、
    を備える極端紫外光生成装置において、前記ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
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