JP2023127083A - ターゲット供給システム、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ターゲット形成不良の発生を抑制するターゲット供給システム。【解決手段】ターゲット供給システムは、固体ターゲット物質を内部で溶融させて液体ターゲット物質を生成し、液体ターゲット物質を吐出するターゲット生成部と、ターゲット生成部に固体ターゲット物質を投入する投入機構と、ターゲット生成部に配置されたヒーターと、ターゲット生成部の温度を検出するセンサと、プロセッサであって、固体ターゲット物質がターゲット生成部に投入される投入タイミングを制御し、センサで検出された現在温度に基づいてヒーターをフィードバック制御し、ヒーターをフィードバック制御しながら、投入タイミングに基づいてヒーターをフィードフォワード制御する、プロセッサと、を備える。【選択図】図１４

Description

本開示は、ターゲット供給システム、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するＥＵＶ光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置の開発が進んでいる。

特開２０１０－１２３４０５号公報 米国特許出願公開第２０１３／０２０６８６３号明細書 特開２００９－０１５５４５号公報 米国特許出願公開第２００６／０１３３９６７号明細書

概要

本開示の１つの観点に係るターゲット供給システムは、固体ターゲット物質を内部で溶融させて液体ターゲット物質を生成し、液体ターゲット物質を吐出するターゲット生成部と、ターゲット生成部に固体ターゲット物質を投入する投入機構と、ターゲット生成部に配置されたヒーターと、ターゲット生成部の温度を検出するセンサと、プロセッサであって、固体ターゲット物質がターゲット生成部に投入される投入タイミングを制御し、センサで検出された現在温度に基づいてヒーターをフィードバック制御し、ヒーターをフィードバック制御しながら、投入タイミングに基づいてヒーターをフィードフォワード制御する、プロセッサと、を備える。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、固体ターゲット物質を内部で溶融させて液体ターゲット物質を生成し、液体ターゲット物質を吐出するターゲット生成部と、ターゲット生成部に固体ターゲット物質を投入する投入機構と、ターゲット生成部に配置されたヒーターと、ターゲット生成部の温度を検出するセンサと、プロセッサであって、固体ターゲット物質がターゲット生成部に投入される投入タイミングを制御し、センサで検出された現在温度に基づいてヒーターをフィードバック制御し、ヒーターをフィードバック制御しながら、投入タイミングに基づいてヒーターをフィードフォワード制御する、プロセッサと、を備えるターゲット供給システムと、ターゲット供給システムから吐出されて所定領域に到達した液体ターゲット物質にパルスレーザ光を照射するレーザ装置と、所定領域に生成されたプラズマから放出される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、固体ターゲット物質を内部で溶融させて液体ターゲット物質を生成し、液体ターゲット物質を吐出するターゲット生成部と、ターゲット生成部に固体ターゲット物質を投入する投入機構と、ターゲット生成部に配置されたヒーターと、ターゲット生成部の温度を検出するセンサと、プロセッサであって、固体ターゲット物質がターゲット生成部に投入される投入タイミングを制御し、センサで検出された現在温度に基づいてヒーターをフィードバック制御し、ヒーターをフィードバック制御しながら、投入タイミングに基づいてヒーターをフィードフォワード制御する、プロセッサと、を備えるターゲット供給システムと、ターゲット供給システムから吐出されて所定領域に到達した液体ターゲット物質にパルスレーザ光を照射するレーザ装置と、所定領域に生成されたプラズマから放出される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るターゲット供給システムの構成を概略的に示す。 図３は、ロードロック室及び固体ターゲット供給バルブの構成を示し、それらの動作を図４との組み合わせで示す。 図４は、ロードロック室及び固体ターゲット供給バルブの構成を示し、それらの動作を図３との組み合わせで示す。 図５は、比較例におけるＥＵＶ光生成プロセッサのフローチャートである。 図６は、比較例における投入制御プロセッサのフローチャートである。 図７は、比較例における温度制御プロセッサによる大タンクの温度制御のフローチャートである。 図８は、比較例における温度制御プロセッサによる小タンクの温度制御のフローチャートである。 図９は、比較例における温度制御プロセッサによるノズルの温度制御のフローチャートである。 図１０は、比較例における温度制御のブロック図である。 図１１は、比較例における小タンクの内部の液体ターゲット物質の温度変化をシミュレーションした結果を示す。 図１２は、第１の実施形態における投入制御プロセッサのフローチャートである。 図１３は、第１の実施形態における温度制御プロセッサによる小タンクの温度制御のフローチャートである。 図１４は、第１の実施形態における温度制御のブロック図である。 図１５は、第１の実施形態における小タンクの内部の液体ターゲット物質の温度変化をシミュレーションした結果を示す。 図１６は、第２の実施形態における投入制御プロセッサのフローチャートである。 図１７は、第２の実施形態における温度制御プロセッサによる大タンクの温度制御のフローチャートである。 図１８は、第２の実施形態における温度制御プロセッサによるノズルの温度制御のフローチャートである。 図１９は、第２の実施形態における温度制御のブロック図である。 図２０は、第３の実施形態における温度制御プロセッサによるノズルの温度制御のフローチャートである。 図２１は、第３の実施形態における温度制御のブロック図である。 図２２は、第３の実施形態における小タンクの内部の液体ターゲット物質の温度変化をシミュレーションした結果を示す。 図２３は、第４の実施形態における温度制御プロセッサによる小タンクの温度制御のフローチャートである。 図２４は、第４の実施形態における温度制御のブロック図である。 図２５は、第４の実施形態における小タンクの内部の液体ターゲット物質の温度変化をシミュレーションした結果を示す。 図２６は、第５の実施形態における小タンクの内部の液体ターゲット物質の温度変化をシミュレーションした結果を示す。 図２７は、ＥＵＶ光生成システムに接続された露光装置の構成を概略的に示す。 図２８は、ＥＵＶ光生成システムに接続された検査装置の構成を概略的に示す。

実施形態

＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．１．１ リザーバタンクＣ１
２．１．２ ロードロック室Ｃ２
２．１．３ ターゲット生成部２６０
２．１．４ ロードロック室Ｃ２及び固体ターゲット供給バルブＶＴ２の詳細
２．２ 動作
２．２．１ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
２．２．２ 固体ターゲット物質２７ａの投入制御
２．２．３ 大タンク７ｌｔの温度制御
２．２．４ 小タンク７ｓｔの温度制御
２．２．５ ノズル７ｎｚの温度制御
２．２．６ ブロック図
２．３ 比較例の課題
３．フィードフォワード制御による温度低下の抑制
３．１ 動作
３．１．１ 固体ターゲット物質２７ａの投入制御
３．１．２ 大タンク７ｌｔの温度制御
３．１．３ 小タンク７ｓｔの温度制御
３．１．４ ノズル７ｎｚの温度制御
３．１．５ ブロック図
３．２ シミュレーション結果
３．３ 作用
４．フィードフォワード制御を選択可能とした例
４．１ 動作
４．１．１ 固体ターゲット物質２７ａの投入制御
４．１．２ 大タンク７ｌｔの温度制御
４．１．３ 小タンク７ｓｔの温度制御
４．１．４ ノズル７ｎｚの温度制御
４．１．５ ブロック図
４．２ 作用
５．小タンク７ｓｔ及びノズル７ｎｚの温度をフィードフォワード制御する例
５．１ 動作
５．１．１ 固体ターゲット物質２７ａの投入制御
５．１．２ 大タンク７ｌｔの温度制御
５．１．３ 小タンク７ｓｔの温度制御
５．１．４ ノズル７ｎｚの温度制御
５．１．５ ブロック図
５．２ シミュレーション結果
５．３ 作用
６．電流の補正値ｆｃｓｔ（ｔ）を用いてフィードフォワード制御を行う例
６．１ 動作
６．１．１ 固体ターゲット物質２７ａの投入制御
６．１．２ 大タンク７ｌｔの温度制御
６．１．３ 小タンク７ｓｔの温度制御
６．１．４ ノズル７ｎｚの温度制御
６．１．５ ブロック図
６．２ シミュレーション結果
６．３ 作用
７．電流の補正値ｆｃｓｔ（ｔ）の波形を矩形波とした例
８．その他

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
図１に、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給システム２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給システム２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。

チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部とＥＵＶ光利用装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。ＥＵＶ光利用装置６の例については、図２７及び図２８を参照しながら後述する。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、パルスレーザ光３２の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。

１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、レーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。

ターゲット供給システム２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、ＥＵＶ光利用装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

２．比較例
２．１ 構成
図２は、比較例に係るターゲット供給システム２６の構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。図２に示されるように、比較例に係るターゲット供給システム２６は、リザーバタンクＣ１と、ロードロック室Ｃ２と、ターゲット生成部２６０と、ターゲット供給プロセッサ６０と、計量器６１と、圧力調節器６２と、温度制御プロセッサ６３と、投入制御プロセッサ６４と、を含む。

ターゲット供給プロセッサ６０は、制御プログラムが記憶されたメモリ６０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ６０２と、を含む処理装置である。ターゲット供給プロセッサ６０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力調節器６２及び温度制御プロセッサ６３に制御信号を送信する。

２．１．１ リザーバタンクＣ１
リザーバタンクＣ１は、スズなどの固体ターゲット物質２７ａを収容する容器である。固体ターゲット物質２７ａは、例えば、互いにほぼ同じ大きさの球形の粒であってもよい。あるいは、球形以外の形状の粒であってもよい。リザーバタンクＣ１の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。リザーバタンクＣ１の内部のガス圧は、大気圧と同程度である。

計量器６１はリザーバタンクＣ１の重力方向における下端部に配置されている。リザーバタンクＣ１は、計量器６１を介して固体ターゲット供給管４１に接続され、固体ターゲット供給管４１はロードロック室Ｃ２に接続されている。固体ターゲット供給管４１には固体ターゲット供給バルブＶＴ１が配置されている。

計量器６１は、通常時は固体ターゲット物質２７ａの固体ターゲット供給管４１への供給を止めている。
計量器６１は、リザーバタンクＣ１から供給される固体ターゲット物質２７ａを計量しながらロードロック室Ｃ２へ向けて通過させることができる。固体ターゲット物質２７ａの計量は、固体ターゲット物質２７ａの粒の数を数えることを含む。計量された固体ターゲット物質２７ａは重力によって移動し、固体ターゲット供給管４１及び固体ターゲット供給バルブＶＴ１を通過してロードロック室Ｃ２に移動する。計量器６１は、予め決められた量の固体ターゲット物質２７ａを通過させたら、固体ターゲット物質２７ａの通過を止める。

２．１．２ ロードロック室Ｃ２
ロードロック室Ｃ２は、リザーバタンクＣ１から供給される固体ターゲット物質２７ａを収容可能に構成された容器である。ロードロック室Ｃ２の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。

ロードロック室Ｃ２は、固体ターゲット供給管４２に接続され、固体ターゲット供給管４２はターゲット生成部２６０に接続されている。固体ターゲット供給管４２には固体ターゲット供給バルブＶＴ２が配置されている。ロードロック室Ｃ２及び固体ターゲット供給バルブＶＴ２の構成については図３及び図４を参照しながら後述する。

固体ターゲット供給バルブＶＴ１及びＶＴ２は、通常時には閉められており、一方が閉められている状態でのみ他方が開けられる。すなわち、リザーバタンクＣ１から計量器６１を介してロードロック室Ｃ２に固体ターゲット物質２７ａを移動させるときは、固体ターゲット供給バルブＶＴ２が閉められた状態で固体ターゲット供給バルブＶＴ１が一時的に開けられる。また、ロードロック室Ｃ２からターゲット生成部２６０に固体ターゲット物質２７ａを投入するときは、固体ターゲット供給バルブＶＴ１が閉められた状態で固体ターゲット供給バルブＶＴ２が一時的に開けられる。これにより、ターゲット生成部２６０の内部のガスがリザーバタンクＣ１に向けて流れることが抑制される。

投入制御プロセッサ６４は、制御プログラムが記憶されたメモリ６４１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ６４２と、を含む処理装置である。投入制御プロセッサ６４は本開示におけるプロセッサを構成する。投入制御プロセッサ６４は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。投入制御プロセッサ６４は、計量器６１、固体ターゲット供給バルブＶＴ１及びＶＴ２、及びロードロック室Ｃ２の内部に設けられた後述の調整機構６６を制御する。計量器６１、固体ターゲット供給バルブＶＴ１及びＶＴ２、及び調整機構６６は、本開示における投入機構を構成する。

２．１．３ ターゲット生成部２６０
ターゲット生成部２６０は、ロードロック室Ｃ２から固体ターゲット供給管４２を介して投入された固体ターゲット物質２７ａを内部で溶融させて液体ターゲット物質２７ｂを生成し、液体ターゲット物質２７ｂをターゲット２７として吐出する装置である。

ターゲット生成部２６０は、大タンク７ｌｔ、小タンク７ｓｔ、及びノズル７ｎｚを含む。大タンク７ｌｔは、固体ターゲット物質２７ａを内部で溶融させて液体ターゲット物質２７ｂを生成する。小タンク７ｓｔは、大タンク７ｌｔで生成された液体ターゲット物質２７ｂをノズル７ｎｚに向けて通過させる。ノズル７ｎｚは、大タンク７ｌｔで生成された液体ターゲット物質２７ｂを吐出する。大タンク７ｌｔと小タンク７ｓｔとの間にはフィルターＦが配置されている。フィルターＦは多数の微細な貫通孔を有する板であり、大タンク７ｌｔの内部に混入した固形物が小タンク７ｓｔに流れ込むことを抑制する。大タンク７ｌｔは本開示における第１のタンクに相当し、小タンク７ｓｔは本開示における第２のタンクに相当する。但し、大タンク７ｌｔは小タンク７ｓｔより大きくなくてもよい。

本開示において、ターゲット生成部２６０のうちの大タンク７ｌｔを含む領域を第１の領域といい、ターゲット生成部２６０のうちのノズル７ｎｚを含む領域を第２の領域ということがある。
第１の領域と第２の領域との境界はフィルターＦの位置で規定されてもよく、その場合には小タンク７ｓｔが第２の領域に含まれることとなるが、本開示はこれに限定されない。

大タンク７ｌｔ、小タンク７ｓｔ、及びノズル７ｎｚには、それぞれヒーター８ｌｔ、８ｓｔ、及び８ｎｚが配置されている。ヒーター８ｌｔ、８ｓｔ、及び８ｎｚは、それぞれ電源８２ｌｔ、８２ｓｔ、及び８２ｎｚに接続されており、ターゲット生成部２６０の内部をターゲット物質の融点より高い所定温度にまで加熱する。ヒーター８ｌｔ、８ｓｔ、及び８ｎｚにそれぞれ配置されたセンサ８０ｌｔ、８０ｓｔ、及び８０ｎｚの出力に基づいて電源８２ｌｔ、８２ｓｔ、及び８２ｎｚが制御されることにより、ターゲット生成部２６０の内部の温度が制御される。センサ８０ｌｔはヒーター８ｌｔに配置されており、大タンク７ｌｔ又はその内部の液体ターゲット物質２７ｂには接していない。しかし、大タンク７ｌｔの温度、及びその内部の液体ターゲット物質２７ｂの温度は、ヒーター８ｌｔの温度とほぼ同じとみなせるほどこれらの熱伝導率が高く、センサ８０ｌｔによって計測可能であってもよい。センサ８０ｓｔ及び８０ｎｚはそれぞれヒーター８ｓｔ及び８ｎｚに配置されており、小タンク７ｓｔ、ノズル７ｎｚ、又はそれらの内部の液体ターゲット物質２７ｂには接していない。しかし、小タンク７ｓｔ及びノズル７ｎｚの熱伝導率も同様であり、それぞれの温度はセンサ８０ｓｔ及び８０ｎｚによって計測可能であってもよい。また、センサ８０ｌｔ、８０ｓｔ、及び８０ｎｚはそれぞれ大タンク７ｌｔ、小タンク７ｓｔ、及びノズル７ｎｚに直接取り付けられてもよい。

本開示において、ヒーター８ｌｔ、８ｓｔ、及び８ｎｚのうちの第１の領域に配置された１つのヒーターを、第１のヒーターといい、ヒーター８ｌｔ、８ｓｔ、及び８ｎｚのうちの第２の領域に配置された１つのヒーターを、第２のヒーターという。例えば、ヒーター８ｌｔが第１のヒーターに相当し、ヒーター８ｓｔ及び８ｎｚのいずれかが第２のヒーターに相当する。あるいは、ヒーター８ｌｔ及び８ｓｔのいずれかが第１のヒーターに相当し、ヒーター８ｎｚが第２のヒーターに相当する。あるいは、ヒーター８ｌｔが第１のヒーターに相当し、ヒーター８ｓｔが第２のヒーターに相当し、ヒーター８ｎｚが第３のヒーターに相当する。

大タンク７ｌｔは、ガス配管を介して圧力調節器６２に接続されている。圧力調節器６２はガスボンベＧ１に接続されている。ガスボンベＧ１は、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの高圧の希ガスを加圧ガスとして収容している。圧力調節器６２は、ガスボンベＧ１から供給されたガス圧を調節して大タンク７ｌｔに供給する。大タンク７ｌｔの内部のガス圧は、ガスボンベＧ１から供給されたガス圧より低く、大気圧より高いガス圧となる。

小タンク７ｓｔは、大タンク７ｌｔとノズル７ｎｚとの間に位置する。
ノズル７ｎｚは、ターゲット生成部２６０の重力方向における下端部に配置されている。ノズル７ｎｚの先端は、チャンバ２（図１参照）の内部に開口している。ターゲット生成部２６０の内部の液体ターゲット物質２７ｂは、圧力調節器６２から供給されるガス圧とチャンバ２の内部のガス圧との差によって、ノズル７ｎｚの先端の開口から吐出される。図示しないピエゾ素子によってノズル７ｎｚに振動を与えると、ノズル７ｎｚから吐出されたジェット状の液体ターゲット物質２７ｂが液滴状に分離され、ターゲット２７となる。

温度制御プロセッサ６３は、制御プログラムが記憶されたメモリ６３１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ６３２と、を含む処理装置である。温度制御プロセッサ６３は本開示におけるプロセッサを構成する。温度制御プロセッサ６３は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。温度制御プロセッサ６３は、センサ８０ｌｔ、８０ｓｔ、及び８０ｎｚによって検出されたターゲット生成部２６０の温度に基づいてヒーター８ｌｔ、８ｓｔ、及び８ｎｚの電流値を決定し、電源８２ｌｔ、８２ｓｔ、及び８２ｎｚを制御する。

２．１．４ ロードロック室Ｃ２及び固体ターゲット供給バルブＶＴ２の詳細
図３及び図４の各々は、ロードロック室Ｃ２及び固体ターゲット供給バルブＶＴ２の構成を示し、それらの動作を図３及び図４の組み合わせで示す。
ロードロック室Ｃ２に含まれる調整機構６６は、受け板６６ａと、アクチュエータ６６ｂと、を含む。受け板６６ａは、ロードロック室Ｃ２の重力方向における下端付近に位置する。アクチュエータ６６ｂは、受け板６６ａを移動させることにより、図３に示される第１の状態と、図４に示される第２の状態とに、調整機構６６を切り替えられるように構成されている。

第１の状態において、受け板６６ａは、ロードロック室Ｃ２から固体ターゲット供給管４２への接続部分を塞ぐように配置される。これにより、固体ターゲット物質２７ａが固体ターゲット供給バルブＶＴ２に向けて移動することが抑制される。
第２の状態において、受け板６６ａは、ロードロック室Ｃ２から固体ターゲット供給管４２への接続部分から離れた位置に配置される。これにより、固体ターゲット物質２７ａが固体ターゲット供給バルブＶＴ２に向けて移動することが許容される。
調整機構６６は、通常は第１の状態とされ、固体ターゲット物質２７ａを固体ターゲット供給バルブＶＴ２に向けて移動させるときに、一時的に第２の状態とされる。

固体ターゲット供給バルブＶＴ２は、例えば、ボール部Ｖ２ａとボディ部Ｖ２ｂとを含むボールバルブで構成される。ボール部Ｖ２ａがボディ部Ｖ２ｂの内部で矢印Ｒの向きに回転することにより、図３に示される閉状態と、図４に示される開状態とに切り替えられる。閉状態ではターゲット生成部２６０からロードロック室Ｃ２へのガスの流れが抑制され、開状態ではロードロック室Ｃ２からターゲット生成部２６０への固体ターゲット物質２７ａの投入が許容される。

２．２ 動作
２．２．１ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
図５は、比較例におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５のフローチャートである。ＥＵＶ光生成プロセッサ５が以下のようにしてＥＵＶ光生成システム１１を動作させることにより、ＥＵＶ光が生成される。

Ｓ１において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＥＵＶ光生成システム１１を起動させる。ＥＵＶ光生成システム１１の起動は、ＥＵＶ光生成システム１１に含まれる各種電源の起動、各種プロセッサの起動、各種装置内のガスパージ及び真空引き等を含む。

Ｓ２において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は投入制御プロセッサ６４に固体ターゲット物質２７ａの投入制御を開始させる。固体ターゲット物質２７ａの投入制御は、Ｓ２で開始された後、例えばＥＵＶ光生成が終了するまで繰り返される。固体ターゲット物質２７ａの投入制御については図６を参照しながら後述する。

Ｓ３において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はターゲット供給プロセッサ６０に制御信号を送信し、温度制御プロセッサ６３に大タンク７ｌｔ、小タンク７ｓｔ、及びノズル７ｎｚの温度制御を開始させる。温度制御は、Ｓ３で開始された後、例えばＥＵＶ光生成が終了するまで繰り返される。温度制御については図７～図９を参照しながら後述する。

Ｓ４において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はターゲット供給プロセッサ６０にターゲット供給を開始させる。ターゲット供給は、例えば、圧力調節器６２が大タンク７ｌｔの内部のガス圧を高圧に調整することによって開始される。

Ｓ５において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＥＵＶ光生成のための処理を行う。ＥＵＶ光生成は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５（図１参照）に到達するタイミングでパルスレーザ光３３がターゲット２７に照射されるようにレーザ装置３及びレーザ光伝送装置３４等を制御することにより行われる。

Ｓ６において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＥＵＶ光生成を継続するか否かを判定する。ＥＵＶ光生成を継続する場合（Ｓ６：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ５に処理を戻す。ＥＵＶ光生成を継続しない場合（Ｓ６：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了する。

２．２．２ 固体ターゲット物質２７ａの投入制御
図６は、比較例における投入制御プロセッサ６４のフローチャートである。以下のようにして固体ターゲット物質２７ａがターゲット生成部２６０に投入される。

Ｓ２１において、投入制御プロセッサ６４は大タンク７ｌｔの内部の液体ターゲット物質２７ｂの量が設定値以下であるか否かを判定する。液体ターゲット物質２７ｂの量は大タンク７ｌｔに配置された図示しない液面センサの出力によって判定される。液体ターゲット物質２７ｂの量が設定値以下である場合（Ｓ２１：ＹＥＳ）、投入制御プロセッサ６４はＳ２２に処理を進める。液体ターゲット物質２７ｂの量が設定値より多い場合（Ｓ２１：ＮＯ）、投入制御プロセッサ６４はＳ２６に処理を進める。液体ターゲット物質２７ｂの量が設定値以下となるまで固体ターゲット物質２７ａを投入せず待機することで、投入タイミングが制御される。

Ｓ２２において、投入制御プロセッサ６４は、固体ターゲット物質２７ａを１粒ずつ計量してロードロック室Ｃ２に移動させるように計量器６１及び固体ターゲット供給バルブＶＴ１を制御する。

Ｓ２３において、投入制御プロセッサ６４は、所定量の固体ターゲット物質２７ａがロードロック室Ｃ２へ移動したか否かを判定する。所定量の固体ターゲット物質２７ａが移動していない場合（Ｓ２３：ＮＯ）、投入制御プロセッサ６４はＳ２２に処理を戻す。所定量の固体ターゲット物質２７ａが移動した場合（Ｓ２３：ＹＥＳ）、投入制御プロセッサ６４はＳ２５に処理を進める。所定量の固体ターゲット物質２７ａが移動するまで計量を続けることにより、固体ターゲット物質２７ａの投入量が制御される。

Ｓ２５において、投入制御プロセッサ６４は、大タンク７ｌｔへ固体ターゲット物質２７ａを投入するよう、ロードロック室Ｃ２の内部の調整機構６６と固体ターゲット供給バルブＶＴ２とを制御する。

Ｓ２６において、投入制御プロセッサ６４は、固体ターゲット物質２７ａの投入制御を継続するか否かを判定する。例えば、ＥＵＶ光生成プロセッサ５がＥＵＶ光生成を継続すると判定している場合は、固体ターゲット物質２７ａの投入制御も継続すると判定される。固体ターゲット物質２７ａの投入制御を継続する場合（Ｓ２６：ＹＥＳ）、投入制御プロセッサ６４はＳ２１に処理を戻す。固体ターゲット物質２７ａの投入制御を継続しない場合（Ｓ２６：ＮＯ）、投入制御プロセッサ６４は本フローチャートの処理を終了する。

このような動作により、ほぼ大気圧であるリザーバタンクＣ１の内部に収容されている固体ターゲット物質２７ａが、高圧のターゲット生成部２６０の内部に投入される。ターゲット生成部２６０の内部の液体ターゲット物質２７ｂが消費されても、ターゲット生成部２６０を交換せずにターゲット物質を補充できるので、ＥＵＶ光生成装置１の停止時間を低減することができる。

２．２．３ 大タンク７ｌｔの温度制御
図７は、比較例における温度制御プロセッサ６３による大タンク７ｌｔの温度制御のフローチャートである。以下のようにして大タンク７ｌｔの温度がフィードバック制御される。

Ｓ３０１において、温度制御プロセッサ６３は大タンク７ｌｔの温度の制御周期が経過したか否かを判定する。制御周期が経過した場合（Ｓ３０１：ＹＥＳ）、温度制御プロセッサ６３はＳ３０２に処理を進める。制御周期が経過していない場合（Ｓ３０１：ＮＯ）、温度制御プロセッサ６３はＳ３１２に処理を進める。
Ｓ３０２において、温度制御プロセッサ６３は大タンク７ｌｔの目標温度ＳＶｌｔをメモリ６３１から読み込む。

Ｓ３０６において、温度制御プロセッサ６３はセンサ８０ｌｔで検出された大タンク７ｌｔの現在温度ＰＶｌｔを読み込む。
Ｓ３０７において、温度制御プロセッサ６３は目標温度ＳＶｌｔと現在温度ＰＶｌｔとの温度偏差ｅｌｔを以下の式で算出する。
ｅｌｔ＝ＳＶｌｔ－ＰＶｌｔ
Ｓ３０８において、温度制御プロセッサ６３はＰＩＤ制御演算を行い、ヒーター８ｌｔの電流値Ｃｌｔを算出する。

Ｓ３１１において、温度制御プロセッサ６３は電流値Ｃｌｔを用いてヒーター８ｌｔのためのヒーター制御信号を出力する。
Ｓ３１２において、温度制御プロセッサ６３は大タンク７ｌｔの温度制御を継続するか否かを判定する。例えば、ＥＵＶ光生成プロセッサ５がＥＵＶ光生成を継続すると判定している場合は、温度制御も継続すると判定される。温度制御を継続する場合（Ｓ３１２：ＹＥＳ）、温度制御プロセッサ６３はＳ３０１に処理を戻す。温度制御を継続しない場合（Ｓ３１２：ＮＯ）、温度制御プロセッサ６３は本フローチャートの処理を終了する。

２．２．４ 小タンク７ｓｔの温度制御
図８は、比較例における温度制御プロセッサ６３による小タンク７ｓｔの温度制御のフローチャートである。小タンク７ｓｔの温度制御は、図７を参照しながら説明した大タンク７ｌｔの温度制御において以下の点を置き換えたものに相当する。
・「Ｓ３」から始まるステップ番号を「Ｓ４」から始まるステップ番号に置き換える。
・大タンク７ｌｔの目標温度ＳＶｌｔを小タンク７ｓｔの目標温度ＳＶｓｔに置き換える。目標温度ＳＶｌｔ及びＳＶｓｔの具体的数値は同じでもよい。
・大タンク７ｌｔの現在温度ＰＶｌｔを小タンク７ｓｔの現在温度ＰＶｓｔに置き換える。
・温度偏差ｅｌｔを温度偏差ｅｓｔに置き換える。
・ヒーター８ｌｔの電流値Ｃｌｔをヒーター８ｓｔの電流値Ｃｓｔに置き換える。

２．２．５ ノズル７ｎｚの温度制御
図９は、比較例における温度制御プロセッサ６３によるノズル７ｎｚの温度制御のフローチャートである。ノズル７ｎｚの温度制御は、図７を参照しながら説明した大タンク７ｌｔの温度制御において以下の点を置き換えたものに相当する。
・「Ｓ３」から始まるステップ番号を「Ｓ５」から始まるステップ番号に置き換える。
・大タンク７ｌｔの目標温度ＳＶｌｔをノズル７ｎｚの目標温度ＳＶｎｚに置き換える。目標温度ＳＶｌｔ及びＳＶｎｚの具体的数値は同じでもよい。
・大タンク７ｌｔの現在温度ＰＶｌｔをノズル７ｎｚの現在温度ＰＶｎｚに置き換える。
・温度偏差ｅｌｔを温度偏差ｅｎｚに置き換える。
・ヒーター８ｌｔの電流値Ｃｌｔをヒーター８ｎｚの電流値Ｃｎｚに置き換える。

２．２．６ ブロック図
図１０は、比較例における温度制御のブロック図である。温度制御は、大タンク７ｌｔ、小タンク７ｓｔ、及びノズル７ｎｚについて互いに独立して行われる。大タンク７ｌｔ、小タンク７ｓｔ、及びノズル７ｎｚの目標温度ＳＶｌｔ、ＳＶｓｔ、及びＳＶｎｚと現在温度ＰＶｌｔ、ＰＶｓｔ、及びＰＶｎｚとからそれぞれ温度偏差ｅｌｔ、ｅｓｔ、及びｅｎｚが計算される。温度偏差ｅｌｔ、ｅｓｔ、及びｅｎｚを用いたＰＩＤ制御演算により、ヒーター８ｌｔ、８ｓｔ、及び８ｎｚの電流値Ｃｌｔ、Ｃｓｔ、及びＣｎｚが算出される。ヒーター８ｌｔ、８ｓｔ、及び８ｎｚはそれぞれ電流値Ｃｌｔ、Ｃｓｔ、及びＣｎｚに応じた電気エネルギーを熱エネルギーに変換する。この熱エネルギーと、大タンク７ｌｔへ固体ターゲット物質２７ａが投入されたときの外乱とが、現在温度ＰＶｌｔ、ＰＶｓｔ、及びＰＶｎｚに影響を与える。現在温度ＰＶｌｔ、ＰＶｓｔ、及びＰＶｎｚはセンサ８０ｌｔ、８０ｓｔ、及び８０ｎｚで検出されてフィードバックされる。

２．３ 比較例の課題
図１１は、比較例における小タンク７ｓｔの内部の液体ターゲット物質２７ｂの温度変化をシミュレーションした結果を示す。横軸は固体ターゲット物質２７ａの投入タイミングからの経過時間を示し、縦軸は固体ターゲット物質２７ａの投入タイミングにおける液体ターゲット物質２７ｂの温度を基準とした温度偏差を示す。固体ターゲット物質２７ａを投入する前におけるターゲット生成部２６０の内部の液体ターゲット物質２７ｂの残量を５０ｃｍ^３とし、固体ターゲット物質２７ａの投入量を０．３５ｃｍ^３とした。

液体ターゲット物質２７ｂは、固体ターゲット物質２７ａに融解熱を奪われて温度が低下する。その後、ヒーター８ｌｔ、８ｓｔ、及び８ｎｚのフィードバック制御によって液体ターゲット物質２７ｂの温度が回復する。温度の低下が許容範囲内であれば、ノズル７ｎｚから吐出された液体ターゲット物質２７ｂが理想的な液滴状のターゲット２７となるが、許容範囲外となるとターゲット形成不良となることがある。例えば、０．１℃の低下でターゲット形成不良となることがある。

３．フィードフォワード制御による温度低下の抑制
第１の実施形態について以下に説明する。第１の実施形態に係るターゲット供給システム２６の構成は、図２を参照しながら説明したものと同様でよい。

３．１ 動作
３．１．１ 固体ターゲット物質２７ａの投入制御
図１２は、第１の実施形態における投入制御プロセッサ６４のフローチャートである。図１２に示される処理は、以下の点で図６に示される処理と異なる。

所定量の固体ターゲット物質２７ａがロードロック室Ｃ２へ移動した場合（Ｓ２３：ＹＥＳ）、投入制御プロセッサ６４はＳ２４ａに処理を進める。
Ｓ２４ａにおいて、投入制御プロセッサ６４は、温度制御プロセッサ６３に固体ターゲット物質２７ａの投入タイミング及び投入量を通知する。その後、Ｓ２５において固体ターゲット物質２７ａが大タンク７ｌｔへ投入される。

３．１．２ 大タンク７ｌｔの温度制御
大タンク７ｌｔの温度制御は、図７と同様のフィードバック制御でよい。

３．１．３ 小タンク７ｓｔの温度制御
図１３は、第１の実施形態における温度制御プロセッサ６３による小タンク７ｓｔの温度制御のフローチャートである。図１３に示される処理は、以下の点で図８に示される処理と異なる。

Ｓ４０２において小タンク７ｓｔの目標温度ＳＶｓｔを読み込んだ後、Ｓ４０４ａにおいて、温度制御プロセッサ６３は、フィードフォワード制御演算により小タンク７ｓｔの温度の補正値ｆｓｔ（ｔ）を算出する。補正値ｆｓｔ（ｔ）は、投入制御プロセッサ６４から受信した固体ターゲット物質２７ａの投入タイミング及び投入量に基づいて算出される。補正値ｆｓｔ（ｔ）は以下の式で示される時間の関数である。
ｆｓｔ（ｔ）＝Ｎ・Ａｓｔ・ｅｘｐ（－ｔ／τｓｔ）
ここで、Ｎは固体ターゲット物質２７ａの投入量であり、Ａｓｔは制御ゲインであり、ｔは固体ターゲット物質２７ａの投入タイミングからの経過時間であり、τｓｔは時定数である。補正値ｆｓｔ（ｔ）は経過時間ｔに応じて減衰して０に近づく関数である。

Ｓ４０５ａにおいて、温度制御プロセッサ６３は、小タンク７ｓｔの目標温度ＳＶｓｔに補正値ｆｓｔ（ｔ）を加算して補正目標温度ＳＶｓｔｒを算出する。目標温度ＳＶｓｔは本開示における第１の目標値の一例であり、補正目標温度ＳＶｓｔｒは本開示における第２の目標値の一例である。
Ｓ４０６～Ｓ４１１においてフィードバック制御が行われる。このとき、Ｓ４０７ａにおいて温度偏差ｅｓｔを算出するために補正目標温度ＳＶｓｔｒが用いられることで、フィードバック制御とともにフィードフォワード制御が行われる。フィードフォワード制御はフィードバック制御の制御周期に合わせて行われる。

３．１．４ ノズル７ｎｚの温度制御
ノズル７ｎｚの温度制御は、図９と同様のフィードバック制御でよい。

３．１．５ ブロック図
図１４は、第１の実施形態における温度制御のブロック図である。第１の実施形態においては、投入制御プロセッサ６４が固体ターゲット物質２７ａの投入タイミング及び投入量を温度制御プロセッサ６３に送信する。温度制御プロセッサ６３は、投入タイミング及び投入量に基づくフィードフォワード制御演算によって補正値ｆｓｔ（ｔ）を算出し、小タンク７ｓｔの目標温度ＳＶｓｔに補正値ｆｓｔ（ｔ）を加算することによって補正目標温度ＳＶｓｔｒを算出する。補正目標温度ＳＶｓｔｒに基づいて小タンク７ｓｔのヒーター８ｓｔのフィードバック制御を行うことで、フィードバック制御とフィードフォワード制御とが行われる。

大タンク７ｌｔの温度及びノズル７ｎｚの温度については、投入タイミング及び投入量に基づくフィードフォワード制御は行われなくてもよく、比較例と同様にフィードバック制御が行われてもよい。

３．２ シミュレーション結果
図１５は、第１の実施形態における小タンク７ｓｔの内部の液体ターゲット物質２７ｂの温度変化をシミュレーションした結果を示す。液体ターゲット物質２７ｂの温度は、固体ターゲット物質２７ａの投入後に低下し、その後フィードバック制御により回復する。

図１５には、小タンク７ｓｔの温度の補正値ｆｓｔ（ｔ）が併せて示されている。補正値ｆｓｔ（ｔ）の時定数τｓｔは例えば１０秒程度に設定されており、補正値ｆｓｔ（ｔ）が実質的に０になった後で、液体ターゲット物質２７ｂの温度が最も低くなる。ターゲット生成部２６０に次の固体ターゲット物質２７ａが投入されるのはさらにその後となる。

液体ターゲット物質２７ｂの温度の低下は、比較例においては０．１℃以上であったのに対し、第１の実施形態においてはフィードフォワード制御が行われたことで０．１℃未満となっている。温度の低下が許容範囲内であるためターゲット形成不良の発生が抑制される。これにより、ＥＵＶ光の生成が安定化し得る。

３．３ 作用
（１）第１の実施形態によれば、ターゲット供給システム２６は、ターゲット生成部２６０と、投入機構と、ヒーター８ｓｔと、センサ８０ｓｔと、投入制御プロセッサ６４と、温度制御プロセッサ６３と、を備える。ターゲット生成部２６０は、固体ターゲット物質２７ａを内部で溶融させて液体ターゲット物質２７ｂを生成し、液体ターゲット物質２７ｂを吐出する。投入機構は、例えば、計量器６１、固体ターゲット供給バルブＶＴ１及びＶＴ２、及び調整機構６６を含み、ターゲット生成部２６０に固体ターゲット物質２７ａを投入する。ヒーター８ｓｔは、ターゲット生成部２６０に配置されている。センサ８０ｓｔは、ターゲット生成部２６０の温度を検出する。投入制御プロセッサ６４は、固体ターゲット物質２７ａがターゲット生成部２６０に投入される投入タイミングを制御する。温度制御プロセッサ６３は、センサ８０ｓｔで検出された現在温度ＰＶｓｔに基づいてヒーター８ｓｔをフィードバック制御しながら、投入タイミングに基づいてヒーター８ｓｔをフィードフォワード制御する。
これによれば、ヒーター８ｓｔをフィードバック制御しながら、固体ターゲット物質２７ａの投入タイミングに基づいてフィードフォワード制御することで、固体ターゲット物質２７ａを投入したときの温度変動を抑制し、ターゲット２７の形成を安定化し得る。

（２）第１の実施形態によれば、温度制御プロセッサ６３は、ターゲット生成部２６０の温度の低下が０．１℃未満となるように、ヒーター８ｓｔをフィードフォワード制御する。
これによれば、ターゲット形成不良の発生を抑制し得る。

（３）第１の実施形態によれば、温度制御プロセッサ６３は、ヒーター８ｓｔのフィードバック制御の制御周期に合わせてヒーター８ｓｔをフィードフォワード制御する。
これによれば、制御周期を合わせることで制御演算の計算量の増加を抑制し得る。

（４）第１の実施形態によれば、温度制御プロセッサ６３は、ターゲット生成部２６０の目標温度ＳＶｓｔを読み込み、目標温度ＳＶｓｔに、フィードフォワード要素を含む補正値ｆｓｔ（ｔ）を加算して補正目標温度ＳＶｓｔｒを算出する。温度制御プロセッサ６３はさらに、補正目標温度ＳＶｓｔｒと現在温度ＰＶｓｔとに基づいてヒーター８ｓｔをフィードバック制御する。
これによれば、目標温度ＳＶｓｔに補正値ｆｓｔ（ｔ）を加算してフィードバック制御することで、フィードフォワード制御の追加による計算量の増加を抑制し得る。

（５）第１の実施形態によれば、投入制御プロセッサ６４は、ターゲット生成部２６０に投入される固体ターゲット物質２７ａの投入量を制御し、温度制御プロセッサ６３は、投入量に基づいて補正値ｆｓｔ（ｔ）を算出する。
これによれば、固体ターゲット物質２７ａの投入量を固体ターゲット物質２７ａの投入前に知ることができ、補正値ｆｓｔ（ｔ）をタイムリーに算出できる。また、投入量が多すぎて温度変動を抑制しきれなくなったり、投入量が少なすぎることで固体ターゲット供給バルブＶＴ２を頻繁に開閉してその寿命を縮めたりすることが避けられ得る。

（６）第１の実施形態によれば、温度制御プロセッサ６３は、ヒーター８ｓｔをフィードバック制御しながら補正値ｆｓｔ（ｔ）を０に近づける。
これによれば、ヒーター８ｓｔをフィードバック制御しながら、フィードフォワード制御を必要な期間のみ実施できる。

（７）第１の実施形態によれば、投入制御プロセッサ６４は、補正値ｆｓｔ（ｔ）が実質的に０になった状態で固体ターゲット物質２７ａがターゲット生成部２６０に投入されるように、次の投入タイミングを制御する。
これによれば、補正値ｆｓｔ（ｔ）が実質的に０になった状態で次のフィードフォワード制御を開始するので、フィードフォワード制御演算の複雑化を回避できる。

（８）第１の実施形態によれば、ターゲット生成部２６０は、固体ターゲット物質２７ａを内部で溶融させて液体ターゲット物質２７ｂを生成する第１の領域と、第１の領域で生成された液体ターゲット物質２７ｂを吐出するノズル７ｎｚを含む第２の領域と、を含む。ターゲット生成部２６０は、第１の領域に配置されたヒーター８ｌｔと、第２の領域に配置されたヒーター８ｓｔと、を含む。温度制御プロセッサ６３は、ヒーター８ｌｔ及び８ｓｔの少なくとも１つをフィードバック制御しながらフィードフォワード制御する。
これによれば、ターゲット生成部２６０内の領域ごとに最適な制御を選択できる。

第１の実施形態においては小タンク７ｓｔのヒーター８ｓｔをフィードバック制御しながらフィードフォワード制御し、大タンク７ｌｔのヒーター８ｌｔ及びノズル７ｎｚのヒーター８ｎｚをフィードバック制御する場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。ヒーター８ｌｔ、８ｓｔ及び８ｎｚのうちの少なくとも１つをフィードバック制御しながらフィードフォワード制御し、残りをフィードバック制御することとしてもよい。
また、小タンク７ｓｔが設けられないことがあってもよく、その場合に例えば大タンク７ｌｔのヒーター８ｌｔをフィードバック制御し、ノズル７ｎｚのヒーター８ｎｚをフィードバック制御しながらフィードフォワード制御することとしてもよい。

（９）第１の実施形態によれば、温度制御プロセッサ６３は、ヒーター８ｌｔをフィードバック制御し、ヒーター８ｓｔをフィードバック制御しながらフィードフォワード制御する。
これによれば、ノズル７ｎｚに近い小タンク７ｓｔの温度を安定化することで、ターゲット２７の形成を安定化し得る。

（１０）第１の実施形態によれば、第１の領域と第２の領域との間にフィルターＦが配置されている。
これによれば、第１の領域に固体ターゲット物質２７ａが投入されたときの第２の領域の温度を安定化し得る。
その他の点については、第１の実施形態は比較例と同様でよい。

４．フィードフォワード制御を選択可能とした例
第２の実施形態について以下に説明する。第２の実施形態に係るターゲット供給システム２６の構成は、図２を参照しながら説明したものと同様でよい。

４．１ 動作
４．１．１ 固体ターゲット物質２７ａの投入制御
図１６は、第２の実施形態における投入制御プロセッサ６４のフローチャートである。図１６に示される処理は、以下の点で図１２に示される処理と異なる。

所定量の固体ターゲット物質２７ａがロードロック室Ｃ２へ移動した場合（Ｓ２３：ＹＥＳ）、投入制御プロセッサ６４はＳ２４ｃに処理を進める。
Ｓ２４ｃにおいて、投入制御プロセッサ６４は、温度制御プロセッサ６３に固体ターゲット物質２７ａの投入タイミング及び投入量を通知する他、フィードフォワード制御の対象箇所を通知する。その後、Ｓ２５において固体ターゲット物質２７ａが大タンク７ｌｔへ投入される。

フィードフォワード制御の対象箇所は、固体ターゲット物質２７ａの投入量に応じて決定されるものでもよいし、ユーザーが選択するものでもよい。第２の実施形態においては、小タンク７ｓｔのヒーター８ｓｔは必ずフィードフォワード制御され、大タンク７ｌｔのヒーター８ｌｔ及びノズル７ｎｚのヒーター８ｎｚの各々について、フィードフォワード制御するか否かが選択可能となっている。

４．１．２ 大タンク７ｌｔの温度制御
図１７は、第２の実施形態における温度制御プロセッサ６３による大タンク７ｌｔの温度制御のフローチャートである。図１７に示される処理は、以下の点で図７に示される処理と異なる。

Ｓ３０２において大タンク７ｌｔの目標温度ＳＶｌｔを読み込んだ後、Ｓ３０３ｃにおいて、温度制御プロセッサ６３は、大タンク７ｌｔのヒーター８ｌｔをフィードフォワード制御するか否かを判定する。図１６の処理において大タンク７ｌｔがフィードフォワード制御の対象箇所となっていた場合は、温度制御プロセッサ６３はフィードフォワード制御すると判定し（Ｓ３０３ｃ：ＹＥＳ）、Ｓ３０４ｂに処理を進める。大タンク７ｌｔがフィードフォワード制御の対象箇所となっていなかった場合は、温度制御プロセッサ６３はフィードフォワード制御しないと判定し（Ｓ３０３ｃ：ＮＯ）、Ｓ３０６に処理を進める。

Ｓ３０４ｂにおいて、温度制御プロセッサ６３は、フィードフォワード制御演算により大タンク７ｌｔの温度の補正値ｆｌｔ（ｔ）を算出する。補正値ｆｌｔ（ｔ）は、投入制御プロセッサ６４から受信した固体ターゲット物質２７ａの投入タイミング及び投入量に基づいて算出される。補正値ｆｌｔ（ｔ）は以下の式で示される時間の関数である。
ｆｌｔ（ｔ）＝Ｎ・Ａｌｔ・ｅｘｐ（－ｔ／τｌｔ）
ここで、Ａｌｔは制御ゲインであり、τｌｔは時定数である。補正値ｆｌｔ（ｔ）は経過時間ｔに応じて減衰して０に近づく関数である。

Ｓ３０５ｂにおいて、温度制御プロセッサ６３は、大タンク７ｌｔの目標温度ＳＶｌｔに補正値ｆｌｔ（ｔ）を加算して補正目標温度ＳＶｌｔｒを算出する。目標温度ＳＶｌｔは本開示における第１の目標値の一例であり、補正目標温度ＳＶｌｔｒは本開示における第２の目標値の一例である。
Ｓ３０７ｂにおいて温度偏差ｅｌｔを算出するときは、補正目標温度ＳＶｌｔｒが用いられる。

４．１．３ 小タンク７ｓｔの温度制御
小タンク７ｓｔの温度制御は、図１３と同様のフィードバック制御及びフィードフォワード制御の組み合わせでよい。

４．１．４ ノズル７ｎｚの温度制御
図１８は、第２の実施形態における温度制御プロセッサ６３によるノズル７ｎｚの温度制御のフローチャートである。ノズル７ｎｚの温度制御は、図１７を参照しながら説明した大タンク７ｌｔの温度制御において以下の点を置き換えたものに相当する。
・「Ｓ３」から始まるステップ番号を「Ｓ５」から始まるステップ番号に置き換える。
・大タンク７ｌｔの目標温度ＳＶｌｔをノズル７ｎｚの目標温度ＳＶｎｚに置き換える。
・大タンク７ｌｔの温度の補正値ｆｌｔ（ｔ）をノズル７ｎｚの温度の補正値ｆｎｚ（ｔ）に置き換える。
・大タンク７ｌｔの補正目標温度ＳＶｌｔｒをノズル７ｎｚの補正目標温度ＳＶｎｚｒに置き換える。
・大タンク７ｌｔの現在温度ＰＶｌｔをノズル７ｎｚの現在温度ＰＶｎｚに置き換える。
・温度偏差ｅｌｔを温度偏差ｅｎｚに置き換える。
・ヒーター８ｌｔの電流値Ｃｌｔをヒーター８ｎｚの電流値Ｃｎｚに置き換える。

補正値ｆｎｚ（ｔ）は以下の式で示される時間の関数である。
ｆｎｚ（ｔ）＝Ｎ・Ａｎｚ・ｅｘｐ（－ｔ／τｎｚ）
ここで、Ａｎｚは制御ゲインであり、τｎｚは時定数である。補正値ｆｎｚ（ｔ）は経過時間ｔに応じて減衰して０に近づく関数である。

補正値ｆｌｔ（ｔ）、ｆｓｔ（ｔ）、及びｆｎｚ（ｔ）を算出するための制御ゲインＡｌｔ、Ａｓｔ、及びＡｎｚの設定値は、互いに異なっていてもよい。補正値ｆｌｔ（ｔ）、ｆｓｔ（ｔ）、及びｆｎｚ（ｔ）を算出するための時定数τｌｔ、τｓｔ、及びτｎｚの設定値も、互いに異なっていてもよい。

４．１．５ ブロック図
図１９は、第２の実施形態における温度制御のブロック図である。第２の実施形態においては、投入制御プロセッサ６４が温度制御プロセッサ６３にフィードフォワード制御の対象箇所を通知する。

温度制御プロセッサ６３は、大タンク７ｌｔがフィードフォワード制御の対象箇所となった場合は補正値ｆｌｔ（ｔ）によって補正された補正目標温度ＳＶｌｔｒを用いて大タンク７ｌｔのヒーター８ｌｔをフィードバック制御する。大タンク７ｌｔがフィードフォワード制御の対象箇所でない場合は、比較例と同様にフィードバック制御が行われる。

温度制御プロセッサ６３は、ノズル７ｎｚがフィードフォワード制御の対象箇所となった場合は補正値ｆｎｚ（ｔ）によって補正された補正目標温度ＳＶｎｚｒを用いてノズル７ｎｚのヒーター８ｎｚをフィードバック制御する。ノズル７ｎｚがフィードフォワード制御の対象箇所でない場合は、比較例と同様にフィードバック制御が行われる。

小タンク７ｓｔについては必ずフィードフォワード制御の対象箇所となり、温度制御プロセッサ６３は補正値ｆｓｔ（ｔ）によって補正された補正目標温度ＳＶｓｔｒを用いて小タンク７ｓｔのヒーター８ｓｔをフィードバック制御する。

４．２ 作用
（１１）第２の実施形態によれば、ヒーター８ｌｔ及び８ｎｚの少なくとも１つは、フィードバック制御しながらフィードフォワード制御するか否かを選択可能である。
これによれば、固体ターゲット物質２７ａの投入量などの状況に応じて最適な制御を選択できる。

第２の実施形態においては、小タンク７ｓｔのヒーター８ｓｔを必ずフィードフォワード制御する場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。小タンク７ｓｔのヒーター８ｓｔをフィードフォワード制御するか否かを選択可能としてもよい。

（１２）第２の実施形態によれば、温度制御プロセッサ６３が、ヒーター８ｌｔをフィードバック制御しながら時定数τｌｔなどの第１の設定値を用いてフィードフォワード制御する。また、ヒーター８ｓｔをフィードバック制御しながら第１の設定値と異なる時定数τｓｔなどの第２の設定値を用いてフィードフォワード制御する。
これによれば、フィードフォワード制御の設定値を領域ごとに変えられるので、きめ細かな温度制御が可能となる。
その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様でよい。

５．小タンク７ｓｔ及びノズル７ｎｚの温度をフィードフォワード制御する例
第３の実施形態について以下に説明する。第３の実施形態に係るターゲット供給システム２６の構成は、図２を参照しながら説明したものと同様でよい。

５．１ 動作
５．１．１ 固体ターゲット物質２７ａの投入制御
固体ターゲット物質２７ａの投入制御は、図１２と同様でよい。

５．１．２ 大タンク７ｌｔの温度制御
大タンク７ｌｔの温度制御は、図７と同様のフィードバック制御でよい。

５．１．３ 小タンク７ｓｔの温度制御
小タンク７ｓｔの温度制御は、図１３と同様のフィードバック制御及びフィードフォワード制御の組み合わせでよい。

５．１．４ ノズル７ｎｚの温度制御
図２０は、第３の実施形態における温度制御プロセッサ６３によるノズル７ｎｚの温度制御のフローチャートである。図２０に示される処理は、以下の点で図９に示される処理と異なる。

Ｓ５０２においてノズル７ｎｚの目標温度ＳＶｎｚを読み込んだ後、Ｓ５０４ｂにおいて、温度制御プロセッサ６３は、フィードフォワード制御演算によりノズル７ｎｚの温度の補正値ｆｎｚ（ｔ）を算出する。補正値ｆｎｚ（ｔ）は、投入制御プロセッサ６４から受信した固体ターゲット物質２７ａの投入タイミング及び投入量に基づいて算出される。補正値ｆｎｚ（ｔ）は第２の実施形態において説明したものと同様でよい。
ノズル７ｎｚの温度の補正値ｆｎｚ（ｔ）を算出するための時定数τｎｚ及び制御ゲインＡｎｚの設定値は、小タンク７ｓｔの温度の補正値ｆｓｔ（ｔ）を算出するための時定数τｓｔ及び制御ゲインＡｓｔの設定値よりもそれぞれ大きい値であってもよい。補正値ｆｎｚ（ｔ）は補正値ｆｓｔ（ｔ）よりも遅く減衰する関数であってもよい。

Ｓ５０５ｂにおいて、温度制御プロセッサ６３は、ノズル７ｎｚの目標温度ＳＶｎｚに補正値ｆｎｚ（ｔ）を加算して補正目標温度ＳＶｎｚｒを算出する。目標温度ＳＶｎｚは本開示における第１の目標値の一例であり、補正目標温度ＳＶｎｚｒは本開示における第２の目標値の一例である。
Ｓ５０７ｂにおいて温度偏差ｅｎｚを算出するときは、補正目標温度ＳＶｎｚｒが用いられる。

５．１．５ ブロック図
図２１は、第３の実施形態における温度制御のブロック図である。第３の実施形態において、温度制御プロセッサ６３は、投入タイミング及び投入量に基づくフィードフォワード制御演算によって算出された補正値ｆｎｚ（ｔ）を、ノズル７ｎｚの目標温度ＳＶｎｚに加算する。補正値ｆｎｚ（ｔ）が加算された補正目標温度ＳＶｎｚｒに基づいて、ノズル７ｎｚのヒーター８ｎｚのフィードバック制御が行われる。

大タンク７ｌｔの温度については、投入タイミング及び投入量に基づくフィードフォワード制御は行われなくてもよく、比較例と同様にフィードバック制御が行われてもよい。

５．２ シミュレーション結果
図２２は、第３の実施形態における小タンク７ｓｔの内部の液体ターゲット物質２７ｂの温度変化をシミュレーションした結果を示す。液体ターゲット物質２７ｂの温度は、固体ターゲット物質２７ａの投入後に低下し、その後フィードバック制御により回復する。

図２２には、小タンク７ｓｔの温度の補正値ｆｓｔ（ｔ）及びノズル７ｎｚの温度の補正値ｆｎｚ（ｔ）が併せて示されている。補正値ｆｓｔ（ｔ）の時定数τｓｔは例えば１０秒程度、補正値ｆｎｚ（ｔ）の時定数τｎｚは例えば２０秒程度に設定されており、補正値ｆｓｔ（ｔ）及び補正値ｆｎｚ（ｔ）の両方が実質的に０になった後で、液体ターゲット物質２７ｂの温度が最も低くなる。ターゲット生成部２６０に次の固体ターゲット物質２７ａが投入されるのはさらにその後となる。

液体ターゲット物質２７ｂの温度の低下は、第１の実施形態における温度の低下に比べてわずかとなっている。温度の低下がわずかであるためターゲット形成不良の発生が抑制される。これにより、ＥＵＶ光の生成が安定化し得る。

５．３ 作用
（１３）第３の実施形態によれば、ターゲット生成部２６０が、大タンク７ｌｔと、ノズル７ｎｚと、それらの間の小タンク７ｓｔと、を含み、大タンク７ｌｔにはヒーター８ｌｔが配置され、小タンク７ｓｔにはヒーター８ｓｔが配置され、ノズル７ｎｚにはヒーター８ｎｚが配置されている。
これによれば、大タンク７ｌｔ、小タンク７ｓｔ、及びノズル７ｎｚの各々にヒーターを配置することで、きめ細かな温度制御が可能となる。
その他の点については、第３の実施形態は第１の実施形態と同様でよい。

第１～第３の実施形態において説明したように、小タンク７ｓｔは必ずフィードフォワード制御の対象箇所としてもよい。
ノズル７ｎｚは、第１の実施形態において説明したようにフィードバック制御のみとしてもよいし、第２の実施形態において説明したようにフィードフォワード制御を選択可能にしてもよいし、第３の実施形態において説明したように必ずフィードフォワード制御の対象箇所としてもよい。

６．電流の補正値ｆｃｓｔ（ｔ）を用いてフィードフォワード制御を行う例
第４の実施形態について以下に説明する。第４の実施形態に係るターゲット供給システム２６の構成は、図２を参照しながら説明したものと同様でよい。

６．１ 動作
６．１．１ 固体ターゲット物質２７ａの投入制御
固体ターゲット物質２７ａの投入制御は、図１２と同様でよい。

６．１．２ 大タンク７ｌｔの温度制御
大タンク７ｌｔの温度制御は、図７と同様のフィードバック制御でよい。

６．１．３ 小タンク７ｓｔの温度制御
図２３は、第４の実施形態における温度制御プロセッサ６３による小タンク７ｓｔの温度制御のフローチャートである。図２３に示される処理は、以下の点で図８に示される処理と異なる。

Ｓ４０８において目標温度ＳＶｓｔ及び現在温度ＰＶｓｔを用いたＰＩＤ制御演算によりヒーター８ｓｔの電流値Ｃｓｔを算出した後、Ｓ４０９ｄにおいて、温度制御プロセッサ６３は、フィードフォワード制御演算によりヒーター８ｓｔの電流の補正値ｆｃｓｔ（ｔ）を算出する。補正値ｆｃｓｔ（ｔ）は、投入制御プロセッサ６４から受信した固体ターゲット物質２７ａの投入タイミング及び投入量に基づいて算出される。補正値ｆｃｓｔ（ｔ）は以下の式で示される時間の関数である。
ｆｃｓｔ（ｔ）＝Ｎ・Ａｃｓｔ・ｅｘｐ（－ｔ／τｃｓｔ）
ここで、Ａｃｓｔは制御ゲインであり、τｃｓｔは時定数である。補正値ｆｃｓｔ（ｔ）は経過時間ｔに応じて減衰して０に近づく関数である。

Ｓ４１０ｄにおいて、温度制御プロセッサ６３は、ヒーター８ｓｔの電流値Ｃｓｔに補正値ｆｃｓｔ（ｔ）を加算して補正電流値Ｃｓｔｒを算出する。電流値Ｃｓｔは本開示における第１の電流値に相当し、補正電流値Ｃｓｔｒは本開示における第２の電流値に相当する。Ｓ４１１においてヒーター制御信号を出力するときは、補正電流値Ｃｓｔｒが用いられる。

６．１．４ ノズル７ｎｚの温度制御
ノズル７ｎｚの温度制御は、図９と同様のフィードバック制御でよい。

６．１．５ ブロック図
図２４は、第４の実施形態における温度制御のブロック図である。第４の実施形態においては、温度制御プロセッサ６３は、投入タイミング及び投入量に基づくフィードフォワード制御演算によって算出された補正値ｆｃｓｔ（ｔ）を、ＰＩＤ制御演算により算出されたヒーター８ｓｔの電流値Ｃｓｔに加算する。補正値ｆｃｓｔ（ｔ）が加算された補正電流値Ｃｓｔｒを用いて、ヒーター８ｓｔの制御が行われる。

大タンク７ｌｔの温度及びノズル７ｎｚの温度については、投入タイミング及び投入量に基づくフィードフォワード制御は行われなくてもよく、比較例と同様にフィードバック制御が行われてもよい。

６．２ シミュレーション結果
図２５は、第４の実施形態における小タンク７ｓｔの内部の液体ターゲット物質２７ｂの温度変化をシミュレーションした結果を示す。液体ターゲット物質２７ｂの温度は、固体ターゲット物質２７ａの投入後に低下し、その後フィードバック制御により回復する。

図２５には、ヒーター８ｓｔの電流の補正値ｆｃｓｔ（ｔ）が併せて示されている。補正値ｆｃｓｔ（ｔ）の時定数τｃｓｔは例えば１００秒程度に設定されており、液体ターゲット物質２７ｂの低下した温度は、補正値ｆｃｓｔ（ｔ）が実質的に０になった後で回復する。ターゲット生成部２６０に次の固体ターゲット物質２７ａが投入されるのはさらにその後となる。

液体ターゲット物質２７ｂの温度の低下は、比較例においては０．１℃以上であったのに対し、第４の実施形態においては０．１℃未満となっている。温度の低下が許容範囲内であるためターゲット形成不良の発生が抑制される。また、第４の実施形態においては温度が一旦低下して回復した後のオーバーシュートを小さくすることが可能となっている。これにより、ＥＵＶ光の生成が安定化し得る。

６．３ 作用
（１４）第４の実施形態によれば、温度制御プロセッサ６３は、ターゲット生成部２６０の目標温度ＳＶｓｔを読み込み、目標温度ＳＶｓｔと、現在温度ＰＶｓｔと、に基づくフィードバック制御演算によりヒーター８ｓｔの電流値Ｃｓｔを算出する。温度制御プロセッサ６３は、電流値Ｃｓｔに、フィードフォワード要素を含む補正値ｆｃｓｔ（ｔ）を加算して補正電流値Ｃｓｔｒを算出し、補正電流値Ｃｓｔｒに従ってヒーター８ｓｔを制御する。
これによれば、電流値Ｃｓｔに補正値ｆｃｓｔ（ｔ）を加算してフィードバック制御することで、フィードフォワード制御の追加による計算量の増加を抑制し得る。

（１５）第４の実施形態によれば、投入制御プロセッサ６４は、ターゲット生成部２６０に投入される固体ターゲット物質２７ａの投入量を制御し、温度制御プロセッサ６３は、投入量に基づいて補正値ｆｃｓｔ（ｔ）を算出する。
これによれば、固体ターゲット物質２７ａの投入量を固体ターゲット物質２７ａの投入前に知ることができ、補正値ｆｃｓｔ（ｔ）をタイムリーに算出できる。また、投入量が多すぎて温度変動を抑制しきれなくなったり、投入量が少なすぎることで固体ターゲット供給バルブＶＴ２を頻繁に開閉してその寿命を縮めたりすることが避けられ得る。

（１６）第４の実施形態によれば、温度制御プロセッサ６３は、補正電流値Ｃｓｔｒに従ってヒーター８ｓｔを制御しながら補正値ｆｃｓｔ（ｔ）を０に近づける。
これによれば、ヒーター８ｓｔをフィードバック制御しながら、フィードフォワード制御を必要な期間のみ実施できる。

（１７）第４の実施形態によれば、投入制御プロセッサ６４は、補正値ｆｃｓｔ（ｔ）が実質的に０になった状態で固体ターゲット物質２７ａがターゲット生成部２６０に投入されるように、次の投入タイミングを制御する。
これによれば、補正値ｆｃｓｔ（ｔ）が実質的に０になった状態で次のフィードフォワード制御を開始するので、フィードフォワード制御演算の複雑化を回避できる。

第４の実施形態において、小タンク７ｓｔのヒーター８ｓｔをフィードフォワード制御する場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。大タンク７ｌｔのヒーター８ｌｔ又はノズル７ｎｚのヒーター８ｎｚを、補正電流値を用いてフィードフォワード制御してもよい。ヒーター８ｌｔ、８ｓｔ、及び８ｎｚの各々についてフィードフォワード制御するか否かを選択可能としてもよい。
その他の点については、第４の実施形態は第１の実施形態と同様でよい。

７．電流の補正値ｆｃｓｔ（ｔ）の波形を矩形波とした例
図２６は、第５の実施形態における小タンク７ｓｔの内部の液体ターゲット物質２７ｂの温度変化をシミュレーションした結果を示す。

図２６には、ヒーター８ｓｔの電流の補正値ｆｃｓｔ（ｔ）が併せて示されている。第５の実施形態において、補正値ｆｃｓｔ（ｔ）は減衰する関数ではなく、次の式に示される矩形波となっている。
ｆｃｓｔ（ｔ）＝Ｎ・Ａｃ（０≦ｔ≦Ｔ）
ｆｃｓｔ（ｔ）＝０（ｔ＜０，Ｔ＜ｔ）
ここで、Ａｃは制御ゲインであり、Ｔは矩形波の時間幅である。矩形波とすることで、補正値ｆｃｓｔ（ｔ）の算出が容易となり得る。時間幅Ｔは例えば２００秒程度に設定されており、補正値ｆｃｓｔ（ｔ）が実質的に０になった後で、液体ターゲット物質２７ｂの温度が最も低くなる。ターゲット生成部２６０に次の固体ターゲット物質２７ａが投入されるのはさらにその後となる。

液体ターゲット物質２７ｂの温度は、補正値ｆｃｓｔ（ｔ）が一定値Ｎ・Ａｃである期間には大幅に低下せず、逆に急激に上昇することもあり得るが、補正値ｆｃｓｔ（ｔ）が０に切り替わると低下し得る。制御ゲインＡｃ及び矩形波の時間幅Ｔを変更することにより、液体ターゲット物質２７ｂの温度変化を調整することができる。
その他の点については、第５の実施形態は第４の実施形態と同様でよい。

８．その他
図２７は、ＥＵＶ光生成システム１１に接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図２７において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６０８とワークピース照射部６０９とを含む。マスク照射部６０８は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。

図２８は、ＥＵＶ光生成システム１１に接続された検査装置６ｂの構成を概略的に示す。
図２８において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６０３と検出光学系６０６とを含む。照明光学系６０３は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６０４に配置されたマスク６０５を照射する。ここでいうマスク６０５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６０６は、照明されたマスク６０５からのＥＵＶ光を反射して検出器６０７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６０７はマスク６０５の画像を取得する。検出器６０７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６０５の画像により、マスク６０５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。

上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。

本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. 固体ターゲット物質を内部で溶融させて液体ターゲット物質を生成し、前記液体ターゲット物質を吐出するターゲット生成部と、
   前記ターゲット生成部に前記固体ターゲット物質を投入する投入機構と、
   前記ターゲット生成部に配置されたヒーターと、
   前記ターゲット生成部の温度を検出するセンサと、
   プロセッサであって、
   前記固体ターゲット物質が前記ターゲット生成部に投入される投入タイミングを制御し、
   前記センサで検出された現在温度に基づいて前記ヒーターをフィードバック制御し、
   前記ヒーターをフィードバック制御しながら、前記投入タイミングに基づいて前記ヒーターをフィードフォワード制御する、
   前記プロセッサと、
   を備える、ターゲット供給システム。
2. 請求項１に記載のターゲット供給システムであって、
   前記プロセッサは、前記ターゲット生成部の温度の低下が０．１℃未満となるように、前記ヒーターをフィードフォワード制御する、
   ターゲット供給システム。
3. 請求項１に記載のターゲット供給システムであって、
   前記プロセッサは、前記ヒーターのフィードバック制御の制御周期に合わせて前記ヒーターをフィードフォワード制御する、
   ターゲット供給システム。
4. 請求項１に記載のターゲット供給システムであって、
   前記プロセッサは、
   前記ターゲット生成部の温度の第１の目標値を読み込み、
   前記第１の目標値に、フィードフォワード要素を含む補正値を加算して第２の目標値を算出し、
   前記第２の目標値と、前記現在温度と、に基づいて前記ヒーターをフィードバック制御する、
   ターゲット供給システム。
5. 請求項４に記載のターゲット供給システムであって、
   前記プロセッサは、
   前記ターゲット生成部に投入される前記固体ターゲット物質の投入量を制御し、
   前記投入量に基づいて前記補正値を算出する、
   ターゲット供給システム。
6. 請求項４に記載のターゲット供給システムであって、
   前記プロセッサは、前記ヒーターをフィードバック制御しながら前記補正値を０に近づける、
   ターゲット供給システム。
7. 請求項６に記載のターゲット供給システムであって、
   前記プロセッサは、前記補正値が実質的に０になった状態で前記固体ターゲット物質が前記ターゲット生成部に投入されるように、前記投入タイミングを制御する、
   ターゲット供給システム。
8. 請求項１に記載のターゲット供給システムであって、
   前記ターゲット生成部は、前記固体ターゲット物質を内部で溶融させて前記液体ターゲット物質を生成する第１の領域と、前記第１の領域で生成された前記液体ターゲット物質を吐出するノズルを含む第２の領域と、を含み、
   前記ヒーターは、前記第１の領域に配置された第１のヒーターと、前記第２の領域に配置された第２のヒーターと、を含み、
   前記プロセッサは、
   前記第１及び第２のヒーターの少なくとも１つをフィードバック制御しながらフィードフォワード制御する、
   ターゲット供給システム。
9. 請求項８に記載のターゲット供給システムであって、
   前記プロセッサは、
   前記第１のヒーターをフィードバック制御し、
   前記第２のヒーターをフィードバック制御しながらフィードフォワード制御する、
   ターゲット供給システム。
10. 請求項９に記載のターゲット供給システムであって、
    前記第１の領域と前記第２の領域との間にフィルターが配置された、
    ターゲット供給システム。
11. 請求項８に記載のターゲット供給システムであって、
    前記プロセッサは、
    前記第１及び第２のヒーターの少なくとも１つは、フィードバック制御しながらフィードフォワード制御するか否かを選択可能である、
    ターゲット供給システム。
12. 請求項８に記載のターゲット供給システムであって、
    前記プロセッサは、
    前記第１のヒーターをフィードバック制御しながら第１の設定値を用いてフィードフォワード制御し、
    前記第２のヒーターをフィードバック制御しながら前記第１の設定値と異なる第２の設定値を用いてフィードフォワード制御する、
    ターゲット供給システム。
13. 請求項８に記載のターゲット供給システムであって、
    前記第１の領域は第１のタンクを含み、
    前記第２の領域は前記第１のタンクと前記ノズルとの間の第２のタンクをさらに含み、
    前記ヒーターは、前記第２の領域に配置された第３のヒーターをさらに含み、
    前記第２のヒーターは前記第２のタンクに配置され、前記第３のヒーターは前記ノズルに配置された、
    ターゲット供給システム。
14. 請求項１に記載のターゲット供給システムであって、
    前記プロセッサは、
    前記ターゲット生成部の目標温度を読み込み、
    前記目標温度と、前記現在温度と、に基づくフィードバック制御演算により前記ヒーターの第１の電流値を算出し、
    前記第１の電流値に、フィードフォワード要素を含む補正値を加算して第２の電流値を算出し、
    前記第２の電流値に従って前記ヒーターを制御する
    ターゲット供給システム。
15. 請求項１４に記載のターゲット供給システムであって、
    前記プロセッサは、
    前記ターゲット生成部に投入される前記固体ターゲット物質の投入量を制御し、
    前記投入量に基づいて前記補正値を算出する、
    ターゲット供給システム。
16. 請求項１４に記載のターゲット供給システムであって、
    前記プロセッサは、前記第２の電流値に従って前記ヒーターを制御しながら前記補正値を０に近づける、
    ターゲット供給システム。
17. 請求項１６に記載のターゲット供給システムであって、
    前記プロセッサは、前記補正値が実質的に０になった状態で前記固体ターゲット物質が前記ターゲット生成部に投入されるように、前記投入タイミングを制御する、
    ターゲット供給システム。
18. 請求項１に記載のターゲット供給システムと、
    前記ターゲット供給システムから吐出されて所定領域に到達した前記液体ターゲット物質にパルスレーザ光を照射するレーザ装置と、
    前記所定領域に生成されたプラズマから放出される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    を備える極端紫外光生成装置。
19. 電子デバイスの製造方法であって、
    固体ターゲット物質を内部で溶融させて液体ターゲット物質を生成し、前記液体ターゲット物質を吐出するターゲット生成部と、
    前記ターゲット生成部に前記固体ターゲット物質を投入する投入機構と、
    前記ターゲット生成部に配置されたヒーターと、
    前記ターゲット生成部の温度を検出するセンサと、
    プロセッサであって、
    前記固体ターゲット物質が前記ターゲット生成部に投入される投入タイミングを制御し、
    前記センサで検出された現在温度に基づいて前記ヒーターをフィードバック制御し、
    前記ヒーターをフィードバック制御しながら、前記投入タイミングに基づいて前記ヒーターをフィードフォワード制御する、
    前記プロセッサと、
    を備えるターゲット供給システムと、
    前記ターゲット供給システムから吐出されて所定領域に到達した前記液体ターゲット物質にパルスレーザ光を照射するレーザ装置と、
    前記所定領域に生成されたプラズマから放出される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
    極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
20. 電子デバイスの製造方法であって、
    固体ターゲット物質を内部で溶融させて液体ターゲット物質を生成し、前記液体ターゲット物質を吐出するターゲット生成部と、
    前記ターゲット生成部に前記固体ターゲット物質を投入する投入機構と、
    前記ターゲット生成部に配置されたヒーターと、
    前記ターゲット生成部の温度を検出するセンサと、
    プロセッサであって、
    前記固体ターゲット物質が前記ターゲット生成部に投入される投入タイミングを制御し、
    前記センサで検出された現在温度に基づいて前記ヒーターをフィードバック制御し、
    前記ヒーターをフィードバック制御しながら、前記投入タイミングに基づいて前記ヒーターをフィードフォワード制御する、
    前記プロセッサと、
    を備えるターゲット供給システムと、
    前記ターゲット供給システムから吐出されて所定領域に到達した前記液体ターゲット物質にパルスレーザ光を照射するレーザ装置と、
    前記所定領域に生成されたプラズマから放出される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。

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