JP2022059163A - 極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の提供。【解決手段】極端紫外光生成システム１１ａは、パルスレーザ光を出力するレーザ装置３と、パルスレーザ光をターゲットに照射することにより生成される極端紫外光を反射することにより集光するＥＵＶ集光ミラー２３と、極端紫外光の第１のエネルギーパラメータを受信し、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射された極端紫外光の単位時間あたりのエネルギーに関係する第２のエネルギーパラメータの変化が抑制されるように、ターゲットに照射されるパルスレーザ光の照射周波数を制御するプロセッサ５と、を備える。【選択図】図３

Description

本開示は、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許出願公開第２００８／０１４３９８９号明細書
概要
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、パルスレーザ光をターゲットに照射することにより生成される極端紫外光を反射することにより集光するＥＵＶ集光ミラーと、極端紫外光の第１のエネルギーパラメータを受信し、ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の単位時間あたりのエネルギーに関係する第２のエネルギーパラメータの変化が抑制されるように、ターゲットに照射されるパルスレーザ光の照射周波数を制御するプロセッサと、を備える。
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、パルスレーザ光をターゲットに照射することにより生成される極端紫外光を反射することにより集光するＥＵＶ集光ミラーと、極端紫外光の第１のエネルギーパラメータを受信し、ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の単位時間あたりのエネルギーに関係する第２のエネルギーパラメータの変化が抑制されるように、ターゲットに照射されるパルスレーザ光の照射周波数を制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成システムにおいて極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、パルスレーザ光をターゲットに照射することにより生成される極端紫外光を反射することにより集光するＥＵＶ集光ミラーと、極端紫外光の第１のエネルギーパラメータを受信し、ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の単位時間あたりのエネルギーに関係する第２のエネルギーパラメータの変化が抑制されるように、ターゲットに照射されるパルスレーザ光の照射周波数を制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成システムにおいて生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係るＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例におけるＥＵＶ出射効率及び第２のエネルギーパラメータの変化を示すグラフである。 図３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図４は、第１の実施形態におけるＥＵＶ出射効率の低下と、これに応じた照射周波数及びパルスレーザ光のパルスエネルギーの制御と、第２のエネルギーパラメータの変化と、を示すグラフである。 図５は、第１の実施形態において照射周波数を高くするための第１の動作例を示すフローチャートである。 図６は、第１の実施形態においてターゲット供給部がジェット状のターゲットを生成してパルスレーザ光の光路に供給する場合のターゲットの形状を示す。 図７は、第１の実施形態において照射周波数を高くするための第２の動作例を示すフローチャートである。 図８は、第１の実施形態においてターゲット供給部がターゲットとして複数のドロップレットを順次生成してパルスレーザ光の光路に供給する場合のドロップレットの配列を示す。 図９は、第２の実施形態においてターゲット供給部がターゲットとして複数のドロップレットを順次生成してパルスレーザ光の光路に供給する場合のドロップレットの配列を示す。 図１０は、第２の実施形態においてターゲット供給部がターゲットとして複数のドロップレットを順次生成してパルスレーザ光の光路に供給する場合のドロップレットの配列を示す。 図１１は、第２の実施形態におけるＥＵＶ出射効率の低下と、これに応じた照射周波数及びパルスレーザ光のパルスエネルギーの制御と、第２のエネルギーパラメータの変化と、を示すグラフである。 図１２は、第２の実施形態において照射周波数を段階的に高くするための動作例を示すフローチャートである。 図１３は、第３の実施形態におけるＥＵＶ出射効率の低下と、これに応じた照射周波数及びパルスレーザ光のパルスエネルギーの制御と、第２のエネルギーパラメータの変化と、を示すグラフである。 図１４は、第３の実施形態においてパルスレーザ光のパルスエネルギーと照射周波数とを制御するための動作例を示すフローチャートである。 図１５は、ＥＵＶ光生成システムに接続された露光装置の構成を概略的に示す。 図１６は、ＥＵＶ光生成システムに接続された検査装置の構成を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
１．比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１
１．１ 構成
１．２ 動作
１．３ 比較例の課題
２．第２のエネルギーパラメータＰ２の変化が抑制されるように照射周波数ＦＩを制御するＥＵＶ光生成システム１１ａ
２．１ 構成
２．２ 動作
２．２．１ 照射周波数ＦＩを高くするための第１の動作例
２．２．２ 照射周波数ＦＩを高くするための第２の動作例
２．３ 作用
３．照射周波数ＦＩを段階的に高くするＥＵＶ光生成システム１１ａ
３．１ 構成及び動作
３．２ 作用
４．パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを変更するＥＵＶ光生成システム１１ａ
４．１ 構成及び動作
４．２ 作用
５．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１
１．１ 構成
図１に、比較例に係るＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部２６は、ターゲット物質をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組み合わせを含んでもよい。
チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部とＥＵＶ光利用装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。ＥＵＶ光利用装置６の例については、図１５及び図１６を参照しながら後述する。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。
１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、チャンバ２内のレーザ光経路に沿って進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。
ターゲット供給部２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に供給する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、ＥＵＶ光利用装置６に出力される。なお、ターゲット２７が複数のドロップレットを含む場合に、１つのドロップレットに、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上記の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
１．３ 比較例の課題
図２は、比較例におけるＥＵＶ出射効率及び第２のエネルギーパラメータＰ２の変化を示すグラフである。本開示のグラフにおける横軸は稼働時間であり、一点鎖線は各々の一点鎖線上の事象が同一のタイミングで起こることを示す。
第２のエネルギーパラメータＰ２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光の単位時間あたりのエネルギーに関係するパラメータであって、ＥＵＶパワー、ＥＵＶパワー密度、及びＥＵＶ放射輝度のうちの１つを含む。ＥＵＶパワーは、ＥＵＶ光の集光点における単位時間あたりのエネルギーであり、単位はＷ（ワット）である。集光点とは、中間集光点２９２、又は中間集光点２９２よりもＥＵＶ光の光路の下流側における集光点をいう。ＥＵＶパワー密度は、ＥＵＶパワーをＥＵＶ光の集光点における光路断面積で除算した値であり、単位はＷ／ｍｍ２である。ＥＵＶ放射強度は、ＥＵＶパワー密度をＥＵＶ光の集光点の前後の立体角で除算した値であり、単位はＷ／ｍｍ２ｓｒである。第１のエネルギーパラメータＰ１については後述する。
ＥＵＶ光生成システム１１によりＥＵＶ光を生成すると、ＥＵＶ集光ミラー２３の劣化などによりＥＵＶ出射効率が次第に低下することがある。ＥＵＶ出射効率が低下すると、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥなどの諸条件が同一であっても、第２のエネルギーパラメータＰ２が低くなる。第２のエネルギーパラメータＰ２の低いＥＵＶ光は、ＥＵＶ光利用装置６で利用するのに好ましくないことがある。
１つの解決策として、ＥＵＶ光利用装置６で要求される第２のエネルギーパラメータＰ２の下限よりも大幅に高い第２のエネルギーパラメータＰ２を有するＥＵＶ光を、新品時には出力するようにＥＵＶ光生成システム１１を設計することが考えられる。これによれば、下限よりも高い第２のエネルギーパラメータＰ２を有するＥＵＶ光を長期にわたって得ることができる。しかし、新品時には第２のエネルギーパラメータＰ２が高すぎる可能性がある。
本開示の幾つかの例においては、第２のエネルギーパラメータＰ２の変化が抑制されるように、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３の照射周波数ＦＩを制御する。照射周波数ＦＩは、１秒間にターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されてプラズマ化する回数をいう。
２．第２のエネルギーパラメータＰ２の変化が抑制されるように照射周波数ＦＩを制御するＥＵＶ光生成システム１１ａ
２．１ 構成
図３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ａの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成システム１１ａにおいて生成されたＥＵＶ光を受光するＥＵＶ光利用装置６は、計測装置６１を含んでいる。ＥＵＶ光生成システム１１ａに含まれるプロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置６の図示しないプロセッサを介して計測装置６１に信号線で接続されている。
本開示は、計測装置６１がＥＵＶ光利用装置６に配置される場合に限定されない。計測装置６１がチャンバ２に配置されていてもよい。
計測装置６１は、ＥＵＶ光の第１のエネルギーパラメータＰ１を計測する。
第１のエネルギーパラメータＰ１は、ＥＵＶパルスエネルギー、ＥＵＶパワー、ＥＵＶパワー密度、及びＥＵＶ放射輝度のうちの１つを含む。ＥＵＶパルスエネルギーは、中間集光点２９２におけるＥＵＶ光の１パルスあたりのエネルギーであり、単位はＪ（ジュール）である。
第１のエネルギーパラメータＰ１は、ＥＵＶパルスエネルギー及びＥＵＶパワーのうちの１つと、ＥＵＶ集光サイズ及びＥＵＶ発光サイズのうちの１つと、の組み合わせを含んでもよい。ＥＵＶ集光サイズは、ＥＵＶ光を集光点で集光したときのスポット径である。ＥＵＶ発光サイズはプラズマ生成領域２５におけるプラズマ径である。ＥＵＶ発光サイズに基づいてＥＵＶ集光サイズを計算できる。ＥＵＶ集光サイズに基づいて中間集光点２９２における集光サイズを計算できる。ＥＵＶパルスエネルギーに基づいてＥＵＶパワーを計算できる。ＥＵＶ集光サイズ及びＥＵＶパワーの組み合わせに基づいてＥＵＶパワー密度及びＥＵＶ放射輝度を計算できる。
プロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置６から第１のエネルギーパラメータＰ１を受信する。プロセッサ５は、第１のエネルギーパラメータＰ１に基づいて第２のエネルギーパラメータＰ２を計算する。
第１のエネルギーパラメータＰ１として、ＥＵＶパワー、ＥＵＶパワー密度、及びＥＵＶ放射輝度のうちの１つを計測装置６１が計測し、プロセッサ５が受信してもよい。この場合には、第１のエネルギーパラメータＰ１として第２のエネルギーパラメータＰ２を受信したことになるので、プロセッサ５は第２のエネルギーパラメータＰ２を計算しなくてもよい。
２．２ 動作
図４は、第１の実施形態におけるＥＵＶ出射効率の低下と、これに応じた照射周波数ＦＩ及びパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥの制御と、第２のエネルギーパラメータＰ２の変化と、を示すグラフである。
比較例においてはＥＵＶ出射効率が低下するのに伴って第２のエネルギーパラメータＰ２が低くなっていたのに対し、第１の実施形態においては、第２のエネルギーパラメータＰ２の変化が抑制されるように、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３の照射周波数ＦＩを制御する。すなわち、第１の実施形態においては、ＥＵＶ出射効率の低下に伴って照射周波数ＦＩが高くなるように照射周波数ＦＩを制御する。パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥは変化させなくてもよい。
ＥＵＶ出射効率が低下するとＥＵＶパルスエネルギーが低くなるが、その代わりに照射周波数ＦＩを高くすることにより、第２のエネルギーパラメータＰ２の変化を抑制できる。
２．２．１ 照射周波数ＦＩを高くするための第１の動作例
図５は、第１の実施形態において照射周波数ＦＩを高くするための第１の動作例を示すフローチャートである。図６は、第１の実施形態においてターゲット供給部２６がジェット状のターゲット２７を生成してパルスレーザ光３３の光路に供給する場合のターゲット２７の形状を示す。図５に示される処理は、ターゲット供給部２６がジェット状のターゲット２７を生成する場合に適している。
図５のＳ１０において、プロセッサ５は、計測装置６１によって計測された第１のエネルギーパラメータＰ１をＥＵＶ光利用装置６から受信する。
Ｓ１１において、プロセッサ５は、第１のエネルギーパラメータＰ１に基づいて第２のエネルギーパラメータＰ２を計算する。
Ｓ１２において、プロセッサ５は、第２のエネルギーパラメータＰ２と目標値との差ΔＰ２を計算する。
Ｓ１３において、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬを決定する。例えば、第２のエネルギーパラメータＰ２が目標値より低い場合は、目標値との差ΔＰ２に応じてパルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬを高くする。発光周波数ＦＬの制御は、ＰＩＤ（proportional-integral-differential）制御により行われてもよい。
発光周波数ＦＬは、１秒間にレーザ装置３が出力するパルスレーザ光３３のパルス数をいう。パルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬを高くすることにより、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３の照射周波数ＦＩが高くなる。パルスレーザ光３３のすべてのパルスがターゲット２７に照射され、そのパルス毎にターゲット２７の一部がプラズマ化する場合、発光周波数ＦＬと照射周波数ＦＩは同一である。
Ｓ１４において、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬをＳ１３で決定された値に変更する。
Ｓ１４の後、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了する。本フローチャートの処理は、ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間又はＥＵＶ光の出力パルス数が所定値に達するごとに繰り返される。
２．２．２ 照射周波数ＦＩを高くするための第２の動作例
図７は、第１の実施形態において照射周波数ＦＩを高くするための第２の動作例を示すフローチャートである。図８は、第１の実施形態においてターゲット供給部２６がターゲット２７として複数のドロップレット２７ａを順次生成してパルスレーザ光３３の光路に供給する場合のドロップレット２７ａの配列を示す。図７に示される処理は、ターゲット供給部２６がドロップレット２７ａを順次生成する場合に適している。
図７のＳ１０からＳ１２までの処理は、図５を参照しながら説明したものと同様である。
Ｓ１２の後、Ｓ１３ａにおいて、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬとドロップレット２７ａの生成周波数ＦＤとの両方を決定する。生成周波数ＦＤは、１秒間にターゲット供給部２６が生成するドロップレット２７ａの数をいう。第２のエネルギーパラメータＰ２が目標値より低い場合は、目標値との差ΔＰ２に応じて、パルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬとドロップレット２７ａの生成周波数ＦＤとの両方を高くする。パルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬとドロップレット２７ａの生成周波数ＦＤとの両方を高くすることにより、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３の照射周波数ＦＩが高くなる。
Ｓ１４ａにおいて、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬとドロップレット２７ａの生成周波数ＦＤとの両方をそれぞれＳ１３ａで決定された値に変更する。
Ｓ１４ａの後、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了する。本フローチャートの処理は、ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間又はＥＵＶ光の出力パルス数が所定値に達するごとに繰り返される。
２．３ 作用
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ａは、レーザ装置３と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、プロセッサ５と、を含む。レーザ装置３は、パルスレーザ光３３を出力する。ＥＵＶ集光ミラー２３は、パルスレーザ光３３をターゲット２７に照射することにより生成されるＥＵＶ光を反射することにより集光する。プロセッサ５は、ＥＵＶ光の第１のエネルギーパラメータＰ１を受信し、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光の単位時間あたりのエネルギーに関係する第２のエネルギーパラメータＰ２の変化が抑制されるように、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３の照射周波数ＦＩを制御する。
これによれば、照射周波数ＦＩを制御することにより、第２のエネルギーパラメータＰ２が低くなることを抑制できる。また、照射周波数ＦＩを低くした場合にはプラズマの発生回数が少なくなるので、ＥＵＶ集光ミラー２３の劣化を遅らせ、ＥＵＶ集光ミラー２３の寿命を向上し得る。
（２）第１の実施形態によれば、第１のエネルギーパラメータＰ１は、ＥＵＶパルスエネルギー、ＥＵＶパワー、ＥＵＶパワー密度、及びＥＵＶ放射輝度のうちの１つを含み、第２のエネルギーパラメータＰ２は、ＥＵＶパワー、ＥＵＶパワー密度、及びＥＵＶ放射輝度のうちの１つを含む。
これによれば、ＥＵＶパルスエネルギーに基づいてＥＵＶパワーを第２のエネルギーパラメータＰ２として計算できる。あるいは、ＥＵＶパワー、ＥＵＶパワー密度、及びＥＵＶ放射輝度のうちの１つを第２のエネルギーパラメータＰ２として利用できる。そして、第２のエネルギーパラメータＰ２を安定化することにより、ＥＵＶ光利用装置６のために好ましいＥＵＶ光の特性を維持できる。
（３）第１の実施形態によれば、第１のエネルギーパラメータＰ１は、ＥＵＶパルスエネルギー及びＥＵＶパワーのうちの１つと、ＥＵＶ集光サイズ及びＥＵＶ発光サイズのうちの１つと、の組み合わせを含み、第２のエネルギーパラメータＰ２は、ＥＵＶパワー、ＥＵＶパワー密度、及びＥＵＶ放射輝度のうちの１つを含む。
これらの組み合わせに基づいて、ＥＵＶパワー密度又はＥＵＶ放射輝度を第２のエネルギーパラメータＰ２として計算できる。そして、第２のエネルギーパラメータＰ２を安定化することにより、ＥＵＶ光利用装置６のために好ましいＥＵＶ光の特性を維持できる。
（４）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１ａにおいて生成されたＥＵＶ光を受光するＥＵＶ光利用装置６に接続され、ＥＵＶ光利用装置６から第１のエネルギーパラメータＰ１を受信する。
これによれば、ＥＵＶ光生成システム１１ａに第１のエネルギーパラメータＰ１の計測装置を配置しなくても、第２のエネルギーパラメータＰ２の変化を抑制できる。
（５）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、第１のエネルギーパラメータＰ１に基づいて第２のエネルギーパラメータＰ２を計算する。
これによれば、第２のエネルギーパラメータＰ２を直接計測しなくても、第１のエネルギーパラメータＰ１に基づいて第２のエネルギーパラメータＰ２を計算して、第２のエネルギーパラメータＰ２の変化を抑制できる。
（６）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、第１のエネルギーパラメータＰ１として第２のエネルギーパラメータＰ２を受信する。
これによれば、第２のエネルギーパラメータＰ２を計算しなくても第２のエネルギーパラメータＰ２の変化を抑制できる。
（７）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、レーザ装置３によるパルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬを高くすることにより、照射周波数ＦＩを高くする。
これによれば、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを変えなくても、第２のエネルギーパラメータＰ２が低くなることを抑制できる。
（８）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ａは、ターゲット２７として複数のドロップレット２７ａを順次生成してパルスレーザ光３３の光路に供給するターゲット供給部２６を含む。プロセッサ５は、ターゲット供給部２６による複数のドロップレット２７ａの生成周波数ＦＤと、レーザ装置３によるパルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬと、の両方を高くすることにより、照射周波数ＦＩを高くする。
これによれば、ターゲット２７が複数のドロップレット２７ａを含む場合であっても、第２のエネルギーパラメータＰ２が低くなることを抑制できる。
他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
３．照射周波数ＦＩを段階的に高くするＥＵＶ光生成システム１１ａ
３．１ 構成及び動作
図９及び図１０は、第２の実施形態においてターゲット供給部２６がターゲット２７として複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃを順次生成してパルスレーザ光３３の光路に供給する場合のドロップレット２７ｂ及び２７ｃの配列を示す。第２の実施形態における処理は、ターゲット供給部２６がドロップレット２７ｂ及び２７ｃを順次生成する場合に適している。第２の実施形態におけるＥＵＶ光生成システム１１ａの構成は、図３を参照しながら説明したものと同様である。
ドロップレット２７ｂ及び２７ｃは、パルスレーザ光３３が照射されないドロップレット２７ｃとパルスレーザ光３３が照射されるドロップレット２７ｂとを含む。
図９及び図１０においては、連続して生成されるＮ個のドロップレット２７ｂ及び２７ｃのうちの１個のドロップレット２７ｂにパルスレーザ光３３が照射される。ドロップレット２７ｂ及び２７ｃの数に対するパルスレーザ光３３が照射されるドロップレット２７ｂの数の割合は１／Ｎである。Ｎは１以上の整数であり、好ましくは５以上２０以下である。図９においてＮは１０であり、図１０においてＮは９である。
ドロップレット２７ｂ及び２７ｃの生成周波数ＦＤと、レーザ装置３によるパルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬと、の関係はＦＬ＝ＦＤ／Ｎに設定される。生成周波数ＦＤは例えば１００ｋＨｚ以上２００ｋＨｚ以下であり、発光周波数ＦＬは例えば１０ｋＨｚ以上２０ｋＨｚ以下である。Ｎの値を大きい値から小さい値に変更することにより、ドロップレット２７ｂ及び２７ｃの数に対するパルスレーザ光３３が照射されるドロップレット２７ｂの数の割合１／Ｎを大きくすることができる。
パルスレーザ光３３のすべてのパルスが別々のドロップレット２７ｂに照射される場合、発光周波数ＦＬと照射周波数ＦＩは同一である。生成周波数ＦＤを変えずに、割合１／Ｎを大きくすることにより、照射周波数ＦＩを高くすることができる。照射周波数ＦＩはＮの値に応じて段階的に変化する。
図１１は、第２の実施形態におけるＥＵＶ出射効率の低下と、これに応じた照射周波数ＦＩ及びパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥの制御と、第２のエネルギーパラメータＰ２の変化と、を示すグラフである。
第２の実施形態においては、ＥＵＶ出射効率の低下に伴って、照射周波数ＦＩを段階的に高くする。すなわち、あるタイミングにおいて照射周波数ＦＩを高くし、そのタイミング以外の期間においては照射周波数ＦＩを変更せずに維持する。照射周波数ＦＩを高くするタイミングで、第２のエネルギーパラメータＰ２も高くなる。照射周波数ＦＩを変更せずに維持する期間においては、ＥＵＶ出射効率の低下に伴って第２のエネルギーパラメータＰ２は次第に低くなる。従って、第２のエネルギーパラメータＰ２は、のこぎり波状に変化する。
図１２は、第２の実施形態において照射周波数ＦＩを段階的に高くするための動作例を示すフローチャートである。
図１２のＳ１０及びＳ１１の処理は、図５を参照しながら説明したものと同様である。
Ｓ１１の後、Ｓ１５において、プロセッサ５は、第２のエネルギーパラメータＰ２が閾値Ｐ２ｔｈ以上であるか否かを判定する。閾値Ｐ２ｔｈは、ＥＵＶ光利用装置６で要求される第２のエネルギーパラメータＰ２の下限より高い値に設定される。第２のエネルギーパラメータＰ２が閾値Ｐ２ｔｈ以上である場合（Ｓ１５：ＹＥＳ）、プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了する。第２のエネルギーパラメータＰ２が閾値Ｐ２ｔｈ未満である場合（Ｓ１５：ＮＯ）、プロセッサ５はＳ１９に処理を進める。
Ｓ１９において、プロセッサ５は、現在のＮの値から１を減算してＮの値を更新する。例えば、現在のＮの値をＮ１とし、新たなＮの値をＮ２とするとき、Ｎ２＝Ｎ１－１となるようにＮの値を更新する。但し、本開示は、現在のＮの値から１ずつ減算する場合に限定されない。２以上の整数を減算してもよい。
Ｓ２０において、プロセッサ５は、ＦＬ＝ＦＤ／Ｎの式によりパルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬを高くする。これにより、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３の照射周波数ＦＩを高くすることができる。
Ｓ２０の後、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了する。本フローチャートの処理は、ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間又はＥＵＶ光の出力パルス数が所定値に達するごとに繰り返される。
第２の実施形態においては、第２のエネルギーパラメータＰ２が閾値Ｐ２ｔｈより低い場合に照射周波数ＦＩを高くする場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。
ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間が所定値に達した場合に照射周波数ＦＩを高くしてもよい。あるいは、ＥＵＶ光の出力パルス数が所定値に達した場合に照射周波数ＦＩを高くしてもよい。これらの所定値は、ＥＵＶ出射効率の予測に基づいて予め設定される。
この場合、第２のエネルギーパラメータＰ２が、図１１に示される第２のエネルギーパラメータＰ２よりも一時的に低くなる可能性があるが、ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間又はＥＵＶ光の出力パルス数に基づくタイミングで照射周波数ＦＩを高くすることにより、第２のエネルギーパラメータＰ２が回復し得る。
また、ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間又はＥＵＶ光の出力パルス数に基づくタイミングで照射周波数ＦＩを高くする場合に、現在のＮの値から減算する数を第２のエネルギーパラメータＰ２に基づいて決定してもよい。例えば、ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間が所定値に達したときに第２のエネルギーパラメータＰ２が閾値Ｐ２ｔｈより大幅に低くなっていた場合に、現在のＮの値から２以上の整数を減算することにより、照射周波数ＦＩを大幅に高くしてもよい。
３．２ 作用
（９）第２の実施形態によれば、ターゲット２７は、順次生成されてパルスレーザ光３３の光路に供給される複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃを含む。複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃは、パルスレーザ光３３が照射されないドロップレット２７ｃとパルスレーザ光３３が照射されるドロップレット２７ｂとを含む。プロセッサ５は、複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃの数に対するパルスレーザ光３３が照射されるドロップレット２７ｂの数の割合を高くすることにより、照射周波数ＦＩを高くする。
これによれば、ドロップレット２７ｂ及び２７ｃの生成周波数ＦＤを変えなくても、照射周波数ＦＩを段階的に高くすることができる。
（１０）第２の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ａは、ターゲット２７として複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃを順次生成してパルスレーザ光３３の光路に供給するターゲット供給部２６を含む。プロセッサ５は、ターゲット供給部２６による複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃの生成周波数ＦＤと、レーザ装置３によるパルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬと、の関係をＦＬ＝ＦＤ／Ｎ１とすることにより照射周波数ＦＩを制御する。その後、ＦＬ＝ＦＤ／Ｎ２とすることにより、照射周波数ＦＩを高くする。Ｎ１は２以上の整数であり、Ｎ２はＮ１より小さい１以上の整数である。
これによれば、ドロップレット２７ｂ及び２７ｃの生成周波数ＦＤに基づいて適切な発光周波数ＦＬを計算できる。
（１１）第２の実施形態によれば、プロセッサ５は、第２のエネルギーパラメータＰ２が閾値Ｐ２ｔｈより低い場合に照射周波数ＦＩを高くする。
これによれば、第２のエネルギーパラメータＰ２がさらに低くなることが抑制される。
（１２）第２の実施形態によれば、プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間が所定値に達した場合に照射周波数ＦＩを高くする。
これによれば、第２のエネルギーパラメータＰ２を監視していなくても、照射周波数ＦＩを高くするタイミングを判定できる。
（１３）第２の実施形態によれば、プロセッサ５は、ＥＵＶ光の出力パルス数が所定値に達した場合に照射周波数ＦＩを高くする。
これによれば、第２のエネルギーパラメータＰ２を監視していなくても、照射周波数ＦＩを高くするタイミングを判定できる。
他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
４．パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを変更するＥＵＶ光生成システム１１ａ
４．１ 構成及び動作
図１３は、第３の実施形態におけるＥＵＶ出射効率の低下と、これに応じた照射周波数ＦＩ及びパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥの制御と、第２のエネルギーパラメータＰ２の変化と、を示すグラフである。第３の実施形態における処理は、ターゲット供給部２６がドロップレット２７ｂ及び２７ｃ（図９及び図１０参照）を順次生成する場合に適している。第３の実施形態におけるＥＵＶ光生成システム１１ａの構成は、図３を参照しながら説明したものと同様である。
第３の実施形態においては、第２のエネルギーパラメータＰ２の変化が抑制されるようにパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを制御する。すなわち、ＥＵＶ出射効率の低下に伴って、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを高くする。
パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥは閾値Ｅｔｈを超えないことが望ましい。第３の実施形態においては、パルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔが閾値Ｅｔｈより高い場合に、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを高くする代わりに照射周波数ＦＩを高くする。
照射周波数ＦＩを高くすれば、所望の第２のエネルギーパラメータＰ２を得るために必要なパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥが低くなる。そこで、照射周波数ＦＩを高くするタイミングで、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを低くする。
図１４は、第３の実施形態においてパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥと照射周波数ＦＩとを制御するための動作例を示すフローチャートである。
図１４のＳ１０からＳ１２までの処理は、図５を参照しながら説明したものと同様である。
Ｓ１２の後、Ｓ１６において、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔを決定する。例えば、第２のエネルギーパラメータＰ２が目標値より低い場合に、目標値との差ΔＰ２に応じてパルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔを高くする。
Ｓ１７において、プロセッサ５は、Ｓ１６で決定されたパルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔが閾値Ｅｔｈ以下であるか否かを判定する。
パルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔが閾値Ｅｔｈ以下である場合（Ｓ１７：ＹＥＳ）、プロセッサ５はＳ１８に処理を進める。
Ｓ１８において、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥをＳ１６で決定された目標パルスエネルギーＥｔに近づくように変更する。パルスエネルギーＥの制御は、ＰＩＤ制御により行われてもよい。
Ｓ１６においてパルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔを高くした場合に、Ｓ１８の処理を行うと、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥが高くなる。パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを高くすることにより、ドロップレット２７ｂを構成する原子のうちのパルスレーザ光３３によって励起される原子の割合が高くなる。従って、ＥＵＶ出射効率の低下に伴って第２のエネルギーパラメータＰ２が低くなることを抑制できる。
Ｓ１６～Ｓ１８の処理は、本開示の第１の処理に相当する。Ｓ１８の後、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了する。
パルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔが閾値Ｅｔｈより高い場合（Ｓ１７：ＮＯ）、プロセッサ５は、パルスエネルギーＥをＳ１６で決定された目標パルスエネルギーＥｔに近づくように変更することなく、Ｓ１９に処理を進める。
Ｓ１９及びＳ２０の処理は、図１２を参照しながら説明したものと同様である。
Ｓ２０の後、Ｓ２１において、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを低くする。具体的には、パルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔを低くしたうえで、この目標パルスエネルギーＥｔに近づくようにパルスエネルギーＥを制御する。パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥは、Ｓ２０でパルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬを高くする前後での第２のエネルギーパラメータＰ２の変化が抑制されるように制御される。
Ｓ１９～Ｓ２１の処理は、本開示の第２の処理に相当する。Ｓ２１の後、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了する。
本フローチャートの処理は、ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間又はＥＵＶ光の出力パルス数が所定値に達するごとに繰り返される。
第３の実施形態においては、パルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔが閾値Ｅｔｈより高い場合に照射周波数ＦＩを高くする場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。
ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間が所定値に達した場合に照射周波数ＦＩを高くしてもよい。あるいは、ＥＵＶ光の出力パルス数が所定値に達した場合に照射周波数ＦＩを高くしてもよい。これらの所定値は、ＥＵＶ出射効率の予測に基づいて予め設定される。
この場合、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥが一時的に閾値Ｅｔｈより高くなる可能性があるが、ＥＵＶ光生成システム１１ａの稼働時間又はＥＵＶ光の出力パルス数に基づくタイミングで照射周波数ＦＩを高くすることにより、パルスエネルギーＥの上昇が抑制され得る。なお、この場合の閾値Ｅｔｈは、ＥＵＶ光生成システム１１ａにおけるパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥの設計上の上限より低い値に設定される。
４．２ 作用
（１４）第３の実施形態によれば、プロセッサ５は、第２のエネルギーパラメータＰ２の変化が抑制されるようにパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを制御する第１の処理（Ｓ１６～Ｓ１８）と、照射周波数ＦＩを高くするとともにパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを低くする第２の処理（Ｓ１９～Ｓ２１）と、を行う。
これによれば、照射周波数ＦＩを段階的に高くする場合でも、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥを調整することで第２のエネルギーパラメータＰ２の変動が抑制される。
パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥのダイナミックレンジは、ＥＵＶ出射効率の低下を補償するのには十分ではない場合があるが、照射周波数ＦＩの段階的な調整と組み合わせることで、ＥＵＶ出射効率の低下を補償できる。
（１５）第３の実施形態によれば、プロセッサ５は、第１の処理（Ｓ１６～Ｓ１８）において、第２のエネルギーパラメータＰ２が目標値より低い場合にパルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔを高くする。
これにより、第２のエネルギーパラメータＰ２の変動を抑制し得る。
（１６）第３の実施形態によれば、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３の目標パルスエネルギーＥｔが閾値Ｅｔｈより高い場合に第２の処理（Ｓ１９～Ｓ２１）を行う。
これにより、パルスエネルギーＥが高くなることを抑制し得る。
（１７）第３の実施形態によれば、ターゲット２７は、順次生成されてパルスレーザ光３３の光路に供給される複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃを含む。複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃは、パルスレーザ光３３が照射されないドロップレット２７ｃとパルスレーザ光３３が照射されるドロップレット２７ｂとを含む。プロセッサ５は、第２の処理（Ｓ１９～Ｓ２１）において、複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃの数に対するパルスレーザ光３３が照射されるドロップレット２７ｂの数の割合を高くすることにより、照射周波数ＦＩを高くする。
これによれば、ドロップレット２７ｂ及び２７ｃの生成周波数ＦＤを変えなくても、照射周波数ＦＩを段階的に高くすることができる。
（１８）第３の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ａは、ターゲット２７として複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃを順次生成してパルスレーザ光３３の光路に供給するターゲット供給部２６を含む。プロセッサ５は、ターゲット供給部２６による複数のドロップレット２７ｂ及び２７ｃの生成周波数ＦＤと、レーザ装置３によるパルスレーザ光３３の発光周波数ＦＬと、の関係をＦＬ＝ＦＤ／Ｎ１とすることにより照射周波数ＦＩを制御する。その後、第２の処理（Ｓ１９～Ｓ２１）において、ＦＬ＝ＦＤ／Ｎ２とすることにより、照射周波数ＦＩを高くする。Ｎ１は２以上の整数であり、Ｎ２はＮ１より小さい１以上の整数である。
これによれば、ドロップレット２７ｂ及び２７ｃの生成周波数ＦＤに基づいて適切な発光周波数ＦＬを計算できる。
他の点については、第３の実施形態は第２の実施形態と同様である。
５．その他
図１５は、ＥＵＶ光生成システム１１ａに接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図１５において、ＥＵＶ光利用装置６（図３参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６８とワークピース照射部６９とを含む。マスク照射部６８は、ＥＵＶ光生成システム１１ａから入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。
図１６は、ＥＵＶ光生成システム１１ａに接続された検査装置６ｂの構成を概略的に示す。
図１６において、ＥＵＶ光利用装置６（図３参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６３と検出光学系６６とを含む。照明光学系６３は、ＥＵＶ光生成システム１１ａから入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６４に配置されたマスク６５を照射する。ここでいうマスク６５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６６は、照明されたマスク６５からのＥＵＶ光を反射して検出器６７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６７はマスク６５の画像を取得する。検出器６７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６５の画像により、マスク６５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
    前記パルスレーザ光をターゲットに照射することにより生成される極端紫外光を反射することにより集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記極端紫外光の第１のエネルギーパラメータを受信し、前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の単位時間あたりのエネルギーに関係する第２のエネルギーパラメータの変化が抑制されるように、前記ターゲットに照射される前記パルスレーザ光の照射周波数を制御するプロセッサと、
    を備える極端紫外光生成システム。
  2. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記第１のエネルギーパラメータは、ＥＵＶパルスエネルギー、ＥＵＶパワー、ＥＵＶパワー密度、及びＥＵＶ放射輝度のうちの１つを含み、
    前記第２のエネルギーパラメータは、ＥＵＶパワー、ＥＵＶパワー密度、及びＥＵＶ放射輝度のうちの１つを含む
    極端紫外光生成システム。
  3. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記第１のエネルギーパラメータは、
    ＥＵＶパルスエネルギー及びＥＵＶパワーのうちの１つと、
    ＥＵＶ集光サイズ及びＥＵＶ発光サイズのうちの１つと、
    の組み合わせを含み、
    前記第２のエネルギーパラメータは、ＥＵＶパワー、ＥＵＶパワー密度、及びＥＵＶ放射輝度のうちの１つを含む
    極端紫外光生成システム。
  4. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記極端紫外光生成システムにおいて生成された前記極端紫外光を受光するＥＵＶ光利用装置に接続され、前記ＥＵＶ光利用装置から前記第１のエネルギーパラメータを受信する
    極端紫外光生成システム。
  5. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記第１のエネルギーパラメータに基づいて前記第２のエネルギーパラメータを計算する
    極端紫外光生成システム。
  6. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記第１のエネルギーパラメータとして前記第２のエネルギーパラメータを受信する
    極端紫外光生成システム。
  7. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記レーザ装置による前記パルスレーザ光の発光周波数を高くすることにより、前記照射周波数を高くする
    極端紫外光生成システム。
  8. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記ターゲットとして複数のドロップレットを順次生成して前記パルスレーザ光の光路に供給するターゲット供給部をさらに含み、
    前記プロセッサは、前記ターゲット供給部による前記複数のドロップレットの生成周波数と、前記レーザ装置による前記パルスレーザ光の発光周波数と、の両方を高くすることにより、前記照射周波数を高くする
    極端紫外光生成システム。
  9. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記ターゲットは、順次生成されて前記パルスレーザ光の光路に供給される複数のドロップレットを含み、前記複数のドロップレットは、前記パルスレーザ光が照射されないドロップレットと前記パルスレーザ光が照射されるドロップレットとを含み、
    前記プロセッサは、前記複数のドロップレットの数に対する前記パルスレーザ光が照射されるドロップレットの数の割合を高くすることにより、前記照射周波数を高くする
    極端紫外光生成システム。
  10. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記ターゲットとして複数のドロップレットを順次生成して前記パルスレーザ光の光路に供給するターゲット供給部をさらに含み、
    前記プロセッサは、
    前記ターゲット供給部による前記複数のドロップレットの生成周波数ＦＤと、前記レーザ装置による前記パルスレーザ光の発光周波数ＦＬと、の関係をＦＬ＝ＦＤ／Ｎ１とすることにより前記照射周波数を制御し、Ｎ１は２以上の整数であり、
    その後、前記関係をＦＬ＝ＦＤ／Ｎ２とし、Ｎ２はＮ１より小さい１以上の整数とすることにより、前記照射周波数を高くする
    極端紫外光生成システム。
  11. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記第２のエネルギーパラメータが閾値より低い場合に前記照射周波数を高くする
    極端紫外光生成システム。
  12. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記極端紫外光生成システムの稼働時間が所定値に達した場合に前記照射周波数を高くする
    極端紫外光生成システム。
  13. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記極端紫外光の出力パルス数が所定値に達した場合に前記照射周波数を高くする
    極端紫外光生成システム。
  14. 請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、
    前記第２のエネルギーパラメータの変化が抑制されるように前記パルスレーザ光のパルスエネルギーを制御する第１の処理と、
    前記照射周波数を高くするとともに前記パルスレーザ光のパルスエネルギーを低くする第２の処理と、
    を行う、極端紫外光生成システム。
  15. 請求項１４記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記第１の処理において、前記第２のエネルギーパラメータが目標値より低い場合に前記パルスレーザ光の目標パルスエネルギーを高くする
    極端紫外光生成システム。
  16. 請求項１４記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記パルスレーザ光の目標パルスエネルギーが閾値より高い場合に前記第２の処理を行う
    極端紫外光生成システム。
  17. 請求項１４記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記ターゲットは、順次生成されて前記パルスレーザ光の光路に供給される複数のドロップレットを含み、前記複数のドロップレットは、前記パルスレーザ光が照射されないドロップレットと前記パルスレーザ光が照射されるドロップレットとを含み、
    前記プロセッサは、前記第２の処理において、前記複数のドロップレットの数に対する前記パルスレーザ光が照射されるドロップレットの数の割合を高くすることにより、前記照射周波数を高くする
    極端紫外光生成システム。
  18. 請求項１４記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記ターゲットとして複数のドロップレットを順次生成して前記パルスレーザ光の光路に供給するターゲット供給部をさらに含み、
    前記プロセッサは、
    前記ターゲット供給部による前記複数のドロップレットの生成周波数ＦＤと、前記レーザ装置による前記パルスレーザ光の発光周波数ＦＬと、の関係をＦＬ＝ＦＤ／Ｎ１とすることにより前記照射周波数を制御し、Ｎ１は２以上の整数であり、
    その後、前記第２の処理において、前記関係をＦＬ＝ＦＤ／Ｎ２とし、Ｎ２はＮ１より小さい１以上の整数とすることにより、前記照射周波数を高くする
    極端紫外光生成システム。
  19. 電子デバイスの製造方法であって、
    パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
    前記パルスレーザ光をターゲットに照射することにより生成される極端紫外光を反射することにより集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記極端紫外光の第１のエネルギーパラメータを受信し、前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の単位時間あたりのエネルギーに関係する第２のエネルギーパラメータの変化が抑制されるように、前記ターゲットに照射される前記パルスレーザ光の照射周波数を制御するプロセッサと、
    を備える極端紫外光生成システムにおいて前記極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
  20. 電子デバイスの製造方法であって、
    パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
    前記パルスレーザ光をターゲットに照射することにより生成される極端紫外光を反射することにより集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記極端紫外光の第１のエネルギーパラメータを受信し、前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の単位時間あたりのエネルギーに関係する第２のエネルギーパラメータの変化が抑制されるように、前記ターゲットに照射される前記パルスレーザ光の照射周波数を制御するプロセッサと、
    を備える極端紫外光生成システムにおいて生成した前記極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
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