JP6168797B2 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外光（ＥＵＶ）生成装置のチャンバ及び極端紫外光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

特表２００８−５３２２２８号公報 米国特許出願公開第２０１２／０２９２５２７号明細書

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置のチャンバは、内部にドロップレットが順次出力されるチャンバであって、前記出力された隣り合う２つのドロップレットの像が重なることのない撮像時間で、繰り返しドロップレットの撮像を行う撮像部を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ターゲット生成装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す。 図３は、ターゲット生成装置の構成を示す。 図４は、ターゲット生成制御部のターゲット供給に係る処理を示すフローチャートである。 図５は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システムの構成を示す。 図６は、図５に示されたターゲット生成制御部のターゲット残量管理に係る処理を示すフローチャートである。 図７は、図５に示されたドロップレット出力計算制御部の処理を示すフローチャートである。 図８Ａは、図７に示されたドロップレットの直径を算出する処理を示すフローチャートである。 図８Ｂは、図５に示された撮像部で撮像されたドロップレットの画像を模式的に示す。 図９は、第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システムの構成を示す。 図１０は、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システムの構成を示す。 図１１は、図１０に示されたドロップレット出力計算制御部の処理を示すフローチャートである。 図１２Ａは、図１１に示されたドロップレットの直径及びドロップレットの生成周波数を算出する処理を示すフローチャートである。 図１２Ｂは、図１０に示されたドロップレット画像計測部で撮像されたドロップレットの画像を模式的に示す。 図１３は、第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット出力計算制御部の処理を示すフローチャートである。 図１４は、第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システムの構成を示す。 図１５は、図１４に示されたターゲット生成制御部の処理を示すフローチャートである。 図１６は、図１５に示されたターゲットの初期量を計測する処理を示すフローチャートである。 図１７は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図である。 図１８は、光センサの回路図である。

実施形態

〜内容〜
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ターゲット生成装置を含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 課題
５．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
５．４ 第１実施形態の変形例
６．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
６．４ 第２実施形態の変形例
７．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用
８．その他
８．１ 各制御部のハードウェア環境
８．２ 光センサの電気回路
８．３ その他の変形例

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。

本開示におけるＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、
内部にドロップレット２７１が順次出力されるチャンバ２であって、
出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が重なることのない撮像時間Δｔで、繰り返しドロップレット２７１の撮像を行う撮像部４１２を備えてもよい。
よって、本開示におけるＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、ドロップレット２７１の像が重ならないため、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１の直径Ｄを個別に計測し得る。

［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。

［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

［３．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［４．ターゲット生成装置を含むＥＵＶ光生成装置］
［４．１ 構成］
図２を用いて、ターゲット生成装置７を含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。図３を用いて、ターゲット生成装置７の構成について説明する。
図２では、ＥＵＶ光２５２がＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６へ導出される方向をＺ軸とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。

ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ２の中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向であってもよい。筒形状のチャンバ２の側面部には、チャンバ２外からチャンバ２内へターゲット２７を供給するためのターゲット供給孔２ａが設けられてもよい。チャンバ２が中空の球形状であれば、ターゲット供給孔２ａは、チャンバ２の壁面部であってウインドウ２１及び接続部２９の設置されていない位置に設けられてもよい。
チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光光学系２３ａと、ターゲット回収部２８と、プレート２２５及びプレート２３５とを備えてもよい。

プレート２３５は、チャンバ２の内側面に固定されてもよい。プレート２３５の中央には、その厚さ方向にパルスレーザ光３３が通過可能な孔２３５ａが設けられてもよい。孔２３５ａの開口方向は、貫通孔２４（図１参照）及びプラズマ生成領域２５を通る軸と同一方向であってもよい。
プレート２３５の一方の面には、ＥＵＶ集光光学系２３ａが設けられてもよい。
プレート２３５の他方の面には、図示しない３軸ステージを介してプレート２２５が設けられてもよい。

プレート２３５の一方の面に設けられたＥＵＶ集光光学系２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３とホルダ２３１とを含んでもよい。
ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を保持してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、プレート２３５に固定されてもよい。

プレート２３５の他方の面に設けられたプレート２２５は、３軸ステージによって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。
プレート２２５には、レーザ光集光光学系２２ａが設けられてもよい。

レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ホルダ２２３及びホルダ２２４とを含んでもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２を含んでもよい。

ホルダ２２３は、軸外放物面ミラー２２１を保持してもよい。軸外放物面ミラー２２１を保持するホルダ２２３は、プレート２２５に固定されてもよい。
ホルダ２２４は、平面ミラー２２２を保持してもよい。平面ミラー２２２を保持するホルダ２２４は、プレート２２５に固定されてもよい。

軸外放物面ミラー２２１は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１及び平面ミラー２２２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
平面ミラー２２２は、孔２３５ａ及び軸外放物面ミラー２２１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置及び姿勢は、プレート２２５の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２に入射したパルスレーザ光３２の反射光であるパルスレーザ光３３が、プラズマ生成領域２５で集光させるように実行され得る。

ターゲット回収部２８は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。

また、チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット生成装置７とを備えてもよい。

レーザ光進行方向制御部３４は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１とレーザ装置３との間に設けられていてもよい。
レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２と、ホルダ３４３及びホルダ３４４とを含んでもよい。

ホルダ３４３は、高反射ミラー３４１を保持してもよい。ホルダ３４４は、高反射ミラー３４２を保持してもよい。
ホルダ３４３及びホルダ３４４は、図示しないアクチュエータによって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。

高反射ミラー３４１は、パルスレーザ光３１が出射されるレーザ装置３の出射口及び高反射ミラー３４２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４２は、チャンバ２のウインドウ２１及び高反射ミラー３４１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２の位置及び姿勢は、ホルダ３４３及びホルダ３４４の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２に入射したパルスレーザ光３１の反射光であるパルスレーザ光３２が、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過するように実行され得る。

ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３との間で制御信号の送受を行い、レーザ装置３の動作を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光光学系２２ａのそれぞれのアクチュエータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１〜３３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成装置７の後述するターゲット生成制御部７４との間で制御信号の送受を行い、ターゲット生成装置７の動作を制御してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図１７を用いて後述する。

ターゲット生成装置７は、チャンバ２の側面側に設けられていてもよい。
ターゲット生成装置７は、ターゲット供給部２６と、温度調節機構７１と、圧力調節機構７２と、ドロップレット形成機構７３と、ターゲット生成制御部７４とを備えてもよい。

ターゲット供給部２６は、タンク２６１と、ノズル２６２とを含んでもよい。
タンク２６１は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク２６１の内部には、ターゲット２７が収容されてもよい。
ターゲット２７を収容するタンク２６１の少なくとも内部は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。ターゲット２７と反応し難い材料は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。

ノズル２６２は、筒形状のタンク２６１の底面部に設けられていてもよい。ノズル２６２は、チャンバ２のターゲット供給孔２ａを通してチャンバ２の内部に配置されてもよい。ターゲット供給孔２ａは、ターゲット供給部２６が設置されることで塞がれ得る。それにより、チャンバ２の内部は大気と隔絶され得る。
ノズル２６２の内部は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。

パイプ状のノズル２６２の一端は、中空のタンク２６１に固定されてもよい。パイプ状のノズル２６２の他端には、図３に示すように、ノズル孔２６２ａが設けられていてもよい。ノズル２６２の一端側にあるタンク２６１がチャンバ２の外部に位置し、ノズル２６２の他端側にあるノズル孔２６２ａがチャンバ２の内部に位置してもよい。ノズル２６２の中心軸方向の延長線上には、チャンバ２の内部にあるプラズマ生成領域２５が位置してもよい。タンク２６１、ノズル２６２、及びチャンバ２は、その内部が互いに連通してもよい。
ノズル孔２６２ａは、溶融したターゲット２７をチャンバ２内へジェット状に噴出するような形状で形成されてもよい。

温度調節機構７１は、タンク２６１の温度を調節してもよい。
温度調節機構７１は、図３に示すように、ヒータ７１１と、ヒータ電源７１２と、温度センサ７１３と、温度制御部７１４とを含んでもよい。

ヒータ７１１は、筒形状のタンク２６１の外側側面部に固定されてもよい。タンク２６１に固定されたヒータ７１１は、タンク２６１を加熱してもよい。タンク２６１を加熱するヒータ７１１は、ヒータ電源７１２と接続されてもよい。
ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１に電力を供給してもよい。ヒータ７１１に電力を供給するヒータ電源７１２は、温度制御部７１４と接続されてもよい。ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１への電力供給を温度制御部７１４によって制御されてもよい。

温度センサ７１３は、筒形状のタンク２６１の外側側面部であって、ノズル２６２付近に固定されてもよい。タンク２６１に固定された温度センサ７１３は、温度制御部７１４と接続されてもよい。温度センサ７１３は、タンク２６１の温度を検出し、検出信号を温度制御部７１４に出力してもよい。

温度制御部７１４は、温度センサ７１３から出力された検出信号に基づいて、ヒータ電源７１２からヒータ７１１へ供給する電力を調節してもよい。温度制御部７１４は、ヒータ７１１への供給電力を調節することによって、タンク２６１の加熱状態を制御してもよい。
温度制御部７１４は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。
なお、温度制御部７１４のハードウェア構成については、図１７を用いて後述する。

上記構成によって温度調節機構７１は、ターゲット生成制御部７４の制御信号に基づいてタンク２６１の温度を調節し得る。

圧力調節機構７２は、タンク２６１内へ導入するガス圧を加減することで、タンク２６１内の圧力を調節してもよい。
圧力調節機構７２は、図３に示すように、圧力調節器７２１と、配管７２２とを含んでもよい。

圧力調節器７２１は、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２とは逆側に配管７２２を介して設けられてもよい。
圧力調節器７２１は、給気及び排気用の電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。 圧力調節器７２１は、ターゲット生成装置７の外部にあるガスボンベ９に連結されてもよい。ガスボンベ９に充填されたガスは、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスであってもよい。ガスボンベ９に連結された圧力調節器７２１は、配管７２２を介してタンク２６１内に不活性ガスを給気してもよい。
圧力調節器７２１は、図示しない排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器７２１は、排気ポンプを動作させて、配管７２２を介してタンク２６１内のガスを排気してもよい。
圧力調節器７２１は、タンク２６１内にガスを給気又は排気することによって、タンク２６１内の圧力を加圧又は減圧し得る。タンク２６１内の圧力を加圧又は減圧する圧力調節器７２１は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。

上記構成によって圧力調節機構７２は、ターゲット生成制御部７４の制御信号に基づいてタンク２６１内の圧力を調節し得る。

ドロップレット形成機構７３は、ノズル２６２からジェット状に噴出する溶融ターゲット２７の流れを周期的に分断し、ドロップレット２７１を形成してもよい。
ドロップレット形成機構７３は、例えばコンティニュアスジェット方式によりドロップレット２７１を形成してもよい。コンティニュアスジェット方式では、ノズル２６２を振動させて定在波を与え、ノズル孔２６２ａから噴出した溶融ターゲット２７を周期的に分離してもよい。分離された溶融ターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。
ドロップレット形成機構７３は、図３に示すように、ピエゾ素子７３１と、ピエゾ電源７３２とを含んでもよい。

ピエゾ素子７３１は、パイプ状のノズル２６２の外側側面部に固定されてもよい。ノズル２６２に固定されたピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与えてもよい。
ノズル２６２に振動を与えるピエゾ素子７３１は、ピエゾ電源７３２と接続されてもよい。
ピエゾ電源７３２は、ピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。ピエゾ素子７３１に電力を供給するピエゾ電源７３２は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。

上記構成によってドロップレット形成機構７３は、ターゲット生成制御部７４の制御信号に基づいてドロップレット２７１を形成し得る。

ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５との間で制御信号の送受を行い、ターゲット生成装置７全体の動作を統括制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、温度制御部７１４に制御信号を出力して、温度制御部７１４を含む温度調節機構７１の動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、圧力調節器７２１に制御信号を出力して、圧力調節器７２１を含む圧力調節機構７２の動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ピエゾ電源７３２に制御信号を出力して、ピエゾ電源７３２を含むドロップレット形成機構７３の動作を制御してもよい。
なお、ターゲット生成制御部７４のハードウェア構成については、図１７を用いて後述する。

［４．２ 動作］
図４を用いて、ターゲット生成装置７の動作について説明する。具体的には、図２〜図４を用いて、ターゲット生成制御部７４のターゲット供給に係る処理について説明する。
ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたターゲット生成装置７の起動信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。

ステップＳ１において、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成装置７の初期設定を行ってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成装置７の各構成部を起動し、各構成部の動作チェックを行ってもよい。そして、ターゲット生成制御部７４は、各構成部を初期化して初期設定値を設定してもよい。

特に、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１内の圧力が真空状態に近い値（例えば、１ｈＰａ）となるように、圧力調節器７２１の初期圧力設定値を設定してもよい。
タンク２６１内のターゲット２７と反応しやすいガスは、ターゲット２７が溶融する前に排気され得る。ガスボンベ９から不活性ガスを給気し得る。

更に、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の温度がターゲット２７の融点以上の値となるように、温度制御部７１４を介してヒータ７１１の初期温度設定値を設定してもよい。ターゲット２７がスズであれば、ヒータ７１１の初期温度設定値は、例えば２３２℃以上３００℃未満の温度であってもよい。或いは、ヒータ７１１の初期温度設定値は、３００℃以上の温度であってもよい。
タンク２６１に収容されたターゲット２７は、その融点以上に加熱され得る。加熱されたターゲット２７は、溶融し得る。

ステップＳ２において、ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５よりターゲット生成信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ターゲット生成信号は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５へのターゲット供給をターゲット生成装置７に実行させるための制御信号であってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成信号が入力されるまで待機してもよい。ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の温度がターゲット２７の融点以上の所定範囲内で維持されるように、ヒータ７１１による加熱を継続して制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成信号が入力されたならばステップＳ３に移行してもよい。

ステップＳ３において、ターゲット生成制御部７４は、温度制御部７１４を介してタンク２６１の温度を確認してもよい。ターゲット生成制御部７４は、温度制御部７１４を介して温度設定値を適宜修正し、ヒータ７１１による加熱を制御してもよい。

ステップＳ４において、ターゲット生成制御部７４は、ピエゾ電源７３２を介してピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。
ピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与え得る。ノズル孔２６２ａから溶融ターゲット２７が噴出されていれば、ノズル２６２の振動によって溶融ターゲット２７が分離されて、ドロップレット２７１が形成され得る。
なお、ターゲット生成制御部７４は、ピエゾ電源７３２からピエゾ素子７３１への電力供給を所定周波数で行ってもよい。この所定周波数は、ノズル孔２６２ａから噴出される溶融ターゲット２７が周期的に分離されるような周波数であってもよい。

ステップＳ５において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１内の圧力がターゲット供給可能な圧力となる圧力設定値を圧力調節器７２１に設定してもよい。圧力調節器７２１は、設定された圧力設定値となるようにタンク２６１内の圧力を制御してもよい。 ターゲット供給可能な圧力は、溶融ターゲット２７が一定量でノズル孔２６２ａから噴出すると共に、プラズマ生成領域２５に所定速度で到達するような圧力であってもよい。
タンク２６１に収容された溶融ターゲット２７は加圧され得る。加圧された溶融ターゲット２７は、タンク２６１からノズル２６２に向かって流れ、ノズル孔２６２ａから一定量で噴出され得る。一定量で噴出された溶融ターゲット２７は、ピエゾ素子７３１から一定周期で振動が与えられ、一定周期で均一なドロップレット２７１が形成され得る。形成されたドロップレット２７１は、チャンバ２内へ出力され、プラズマ生成領域２５に所定速度で到達し得る。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するのに同期してパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５を照射するように、レーザ装置３におけるパルスレーザ光３１の出射タイミングを制御してもよい。
プラズマ生成領域２５に照射されたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１を照射し得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１は、プラズマ化されＥＵＶ光２５１を生成し得る。

ステップＳ６において、ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５よりターゲット生成停止信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ターゲット生成停止信号は、プラズマ生成領域２５へのターゲット供給をターゲット生成装置７に停止させるための制御信号であってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成停止信号が入力されなければ、ステップＳ３に移行してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成停止信号が入力されれば、本処理を終了してもよい。

［４．３ 課題］
ＥＵＶ光生成装置１は、複数のドロップレット２７１をチャンバ２内に出力し得る。この複数のドロップレット２７１は、それぞれが均一な大きさであることが望ましい。
ターゲット生成装置７からチャンバ２内にドロップレット２７１が出力される周期（以下、ドロップレット２７１の「生成周期」ともいう。）は、例えば１０μｓ程度と、非常に短くてもよい。ドロップレット２７１の大きさは、例えば直径２０μｍ程度と、非常に小さくてもよい。
よって、チャンバ２内に出力された複数のドロップレット２７１が、それぞれ均一な大きさであるかを正確に計測する技術が望まれている。
チャンバ２内に出力されるドロップレット２７１の大きさを、高精度で計測し得る技術を提供することが望ましい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１がチャンバ２内に出力されると、タンク２６１内に収容されたターゲット２７の残量は減少し得る。このタンク２６１内に収容されたターゲット２７の残量は、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中でもリアルタイムで正確に計測され得ることが望ましい。ターゲット２７の残量をリアルタイムで正確に計測できないと、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中にターゲット２７の供給が突如停止する事態を招き得る。

タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量は、図３に示すように、タンク２６１に液面レベルセンサ８を設けて計測し得る。
ＥＵＶ光生成装置１の稼働中、タンク２６１内に収容されたターゲット２７は溶融し得る。このため、溶融ターゲット２７は、液面レベルセンサ８を構成する金属材料と反応し得る。液面レベルセンサ８と反応した溶融ターゲット２７は、固体の不純物を生成し、ノズル２６２を詰まらせ得る。
液面レベルセンサ８を溶融ターゲット２７と反応し難い材料で構成したとしても、溶融ターゲット２７の液面が液面レベルセンサ８より下面となれば、当該ターゲット２７の残量を正確に計測することは困難であり得る。
よって、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量をＥＵＶ光生成装置１の稼働中でもリアルタイムで正確に計測する技術が望まれている。
タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量を、高精度で計測し得る技術を提供することが望ましい。

［５．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム］
［５．１ 構成］
図５を用いて、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成について説明する。
第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムは、ターゲット生成装置７と、ドロップレット画像計測部４１と、ドロップレットカウンタ部４２と、ドロップレット出力計算制御部４３とを備えてもよい。

ドロップレット画像計測部４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の画像データを計測してもよい。
ドロップレット画像計測部４１は、チャンバ２に設けられてもよい。
ドロップレット画像計測部４１は、光源部４１１と、撮像部４１２と、画像取得制御部４１３とを備えてもよい。
光源部４１１と撮像部４１２とは、チャンバ２内に出力されたターゲット２７の進行経路であるターゲット進行経路２７２を挟んで互いに対向配置されてもよい。
光源部４１１と撮像部４１２との対向方向は、ターゲット進行経路２７２と直交してもよい。

光源部４１１は、ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１にパルス光を照射してもよい。
光源部４１１は、光源４１１ａと、照明光学系４１１ｂと、ウインドウ４１１ｃとを含んでもよい。

光源４１１ａは、例えば、キセノンフラッシュランプ等のパルス点灯する光源であってもよい。
光源４１１ａの点灯を開始させてから終了させるまでの時間を、「点灯時間Δτ」ともいう。光源４１１ａの点灯時間Δτは、ドロップレット２７１の生成周期（例えば１０μｓ程度）よりも十分に短くてもよい。光源４１１ａの点灯時間Δτは、例えば１０ｎｓ〜１００ｎｓであってもよい。
光源４１１ａは、ドロップレット出力計算制御部４３と接続されてもよい。光源４１１ａは、ドロップレット出力計算制御部４３からの点灯信号に基づいてパルス点灯して、パルス光を発光してもよい。

照明光学系４１１ｂは、コリメータ等の光学系であってよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。照明光学系４１１ｂは、光源４１１ａから発光されたパルス光を、ウインドウ４１１ｃを介してターゲット進行経路２７２上に導いてもよい。

上記構成によって光源部４１１は、ドロップレット出力計算制御部４３の点灯信号に基づいてパルス光をターゲット進行経路２７２に向かって照射し得る。ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１が、光源部４１１と撮像部４１２との間を進行すると、光源部４１１から照射されたパルス光が、当該ドロップレット２７１を照射し得る。

撮像部４１２は、光源部４１１によってパルス光が照射されたドロップレット２７１の影を撮像してもよい。
撮像部４１２は、イメージセンサ４１２ａと、転写光学系４１２ｂと、ウインドウ４１２ｃとを含んでもよい。

転写光学系４１２ｂは、一対のレンズ等の光学素子であってもよい。このレンズは、シリンドリカルレンズであってもよい。転写光学系４１２ｂは、ウインドウ４１２ｃを介して導かれたドロップレット２７１の影を、イメージセンサ４１２ａの受光面に結像してもよい。

イメージセンサ４１２ａは、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の２次元イメージセンサであってもよい。イメージセンサ４１２ａは、転写光学系４１２ｂによって結像されたドロップレット２７１の影の像を、撮像してもよい。イメージセンサ４１２ａの時間的な撮像間隔（以下、ドロップレット画像計測部４１の「計測間隔Ｋ」ともいう）は、光源４１１ａの点灯時間Δτよりも十分に長くてもよい。例えば０．１ｓ〜１ｓであってもよい。

イメージセンサ４１２ａは、ドロップレット出力計算制御部４３と接続されてもよい。イメージセンサ４１２ａは、ドロップレット出力計算制御部４３からのシャッタ信号に基づいてシャッタを開閉して、ドロップレット２７１の影の像を撮像してもよい。イメージセンサ４１２ａは、シャッタが開いている間のみ撮像するようにしてもよい。シャッタは、電気的シャッタであっても機械的シャッタであってもよい。
イメージセンサ４１２ａの１回の撮像においてシャッタが開いてから閉じるまでに要する時間を、１回の「撮像時間Δｔ」ともいう。

イメージセンサ４１２ａは、画像取得制御部４１３と接続されてもよい。イメージセンサ４１２ａは、撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像信号を、１回の撮像毎に画像取得制御部４１３に出力してもよい。

上記構成によって撮像部４１２は、ドロップレット出力計算制御部４３のシャッタ信号に基づいてパルス光が照射されたドロップレット２７１の影を撮像し得る。撮像部４１２は、撮像したドロップレット２７１の影の画像信号を画像取得制御部４１３に出力し得る。

画像取得制御部４１３は、イメージセンサ４１２ａから出力された画像信号からドロップレット２７１の影の像に係る画像データ（ビットマップデータ等）を生成してもよい。画像取得制御部４１３は、生成した画像データを当該画像データの識別情報に対応付けて記憶してもよい。画像データの識別情報は、画像データの生成時刻に関する情報等であってもよい。
画像取得制御部４１３は、ドロップレット出力計算制御部４３と接続されてもよい。画像取得制御部４１３は、ドロップレット出力計算制御部４３からの制御信号に基づいて、生成した画像データをドロップレット出力計算制御部４３に出力してもよい。
なお、画像取得制御部４１３のハードウェア構成については、図１７を用いて後述する。

上記構成によってドロップレット画像計測部４１は、ドロップレット出力計算制御部４３のシャッタ信号に基づいて、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の像に係る画像データを計測し、ドロップレット出力計算制御部４３に出力し得る。

ドロップレットカウンタ部４２は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の個数Ｎをカウントしてもよい。
ドロップレットカウンタ部４２は、チャンバ２に設けられてもよい。
ドロップレットカウンタ部４２は、光源部４２１と、受光部４２２と、カウンタ回路４２３とを備えてもよい。
光源部４２１と受光部４２２とは、ターゲット進行経路２７２を挟んで互いに対向配置されてもよい。
光源部４２１と受光部４２２との対向方向は、ターゲット進行経路２７２と直交してもよい。

光源部４２１は、ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１に連続レーザ光を照射してもよい。
光源部４２１は、光源４２１ａと、照明光学系４２１ｂと、ウインドウ４２１ｃとを含んでもよい。

光源４２１ａは、例えば、ＣＷ（Continuous Wave）レーザ発振器等の連続レーザ光を出射する光源であってもよい。連続レーザ光のビーム径は、ドロップレット２７１の直径（例えば２０μｍ）よりも十分に大きい。連続レーザ光のビーム径は、例えば１ｍｍ程度であってもよい。

照明光学系４２１ｂは、レンズ等の光学素子であってもよい。このレンズは、シリンドリカルレンズであってもよい。照明光学系４２１ｂは、光源４２１ａから出射された連続レーザ光を、ウインドウ４２１ｃを介してターゲット進行経路２７２上に集光してもよい。

上記構成によって光源部４２１は、連続レーザ光をターゲット進行経路２７２に向かって出射し得る。ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１が、光源部４２１と受光部４２２との間を進行すると、光源部４２１から出射された連続レーザ光が、当該ドロップレット２７１を照射し得る。

受光部４２２は、光源部４２１から出射された連続レーザ光を受光し、連続レーザ光の光強度を検出してもよい。
受光部４２２は、光センサ４２２ａと、受光光学系４２２ｂと、ウインドウ４２２ｃとを含んでもよい。

受光光学系４２２ｂは、コリメータ等の光学系であってもよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。受光光学系４２２ｂは、光源部４２１から出射された連続レーザ光を、ウインドウ４２２ｃを介して光センサ４２２ａに導いてもよい。

光センサ４２２ａは、フォトダイオードを含む受光素子であってもよい。光センサ４２２ａは、受光光学系４２２ｂによって導かれた連続レーザ光の光強度を検出してもよい。光センサ４２２ａは、カウンタ回路４２３と接続されてもよい。光センサ４２２ａは、検出した光強度の検出信号をカウンタ回路４２３に出力してもよい。
なお、光センサ４２２ａの構成については、図１８を用いて後述する。

上記構成によって受光部４２２は、光源部４２１から出射された連続レーザ光の光強度を検出し得る。ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１が光源部４２１と受光部４２２との間を進行すると、ドロップレット２７１を照射した連続レーザ光の受光部４２２における光強度は低下し得る。受光部４２２は、ドロップレット２７１による光強度の低下に応じた検出信号をカウンタ回路４２３に出力し得る。

カウンタ回路４２３には、受光部４２２によって出力された検出信号が入力されてもよい。カウンタ回路４２３は、入力された検出信号において、ドロップレット２７１によって光強度が低下した回数をカウントしてもよい。カウンタ回路４２３は、カウントした光強度の低下回数を、ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１の個数Ｎとみなしてカウントしてもよい。
カウンタ回路４２３は、ドロップレット出力計算制御部４３と接続されてもよい。カウンタ回路４２３は、カウントしたドロップレット２７１の個数Ｎをドロップレット出力計算制御部４３に出力してもよい。

上記構成によってドロップレットカウンタ部４２は、ドロップレット出力計算制御部４３の制御信号に基づいて、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の個数Ｎをカウントし、ドロップレット出力計算制御部４３に出力し得る。

ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット画像計測部４１に点灯信号及びシャッタ信号を出力して、ドロップレット画像計測部４１の動作を制御してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、内部にタイマＴを含んでもよい。タイマＴは、点灯信号及びシャッタ信号の出力タイミングを計るためのタイマであってもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、点灯時間Δτ、撮像時間Δｔ、計測間隔Ｋが経過したことを計時し得る。

ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット画像計測部４１から出力された画像データを記憶してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレットカウンタ部４２から出力されたドロップレット２７１の個数Ｎを記憶してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の画像データ及び個数Ｎを対応付けて記憶してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の画像データ及び個数Ｎとそれらの取得時刻とを更に対応付けて記憶してもよい。

ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット直径算出部４３１を含んでもよい。ドロップレット直径算出部４３１は、ドロップレット２７１の直径を計算するプログラムであってもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット直径算出部４３１を用いて、記憶した画像データに含まれるドロップレット２７１の直径を算出してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の直径に基づいて当該ドロップレット２７１の体積を算出してもよい。

ドロップレット出力計算制御部４３は、直径算出の基になった画像データに対応付けて記憶したドロップレット２７１の個数Ｎと、当該画像データに基づいて算出したドロップレット２７１の体積とに基づいて、ドロップレット２７１の出力積算量を計算してもよい。
ドロップレット２７１の出力積算量は、ノズル２６２からチャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の体積を累積させて得られた量であってもよい。ドロップレット２７１の出力積算量は、タンク２６１に収容されたターゲット２７の消費量に相当してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、計算したドロップレット２７１の出力積算量をターゲット生成制御部７４に出力してもよい。
なお、ドロップレット出力計算制御部４３のハードウェア構成については、図１７を用いて後述する。

ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システム全体の動作を統括的に制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット出力計算制御部４３から出力されたドロップレット２７１の出力積算量を記憶してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の初期量を予め記憶していてもよい。
ターゲット２７の初期量は、チャンバ２内にドロップレット２７１を出力する前に、タンク２６１に収容されたターゲット２７の量であってもよい。タンク２６１にターゲット２７を投入した直後であれば、ターゲット２７の初期量は、タンク２６１への投入量に相当してもよい。例えば、ターゲット２７の初期量は、ターゲット２７をタンク２６１に投入する際に予め計測しておき、この計測値をターゲット生成制御部７４に入力することによって定められてもよい。この計測値の入力は、オペレータの操作によって行われてもよいし、ＥＵＶ光生成制御部５やネットワークを介して行われてもよい。

ターゲット生成制御部７４は、ターゲット残量算出部７４１を含んでもよい。ターゲット残量算出部７４１は、タンク２６１内のターゲット２７の残量を計算するプログラムであってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット残量算出部７４１を用いて、ドロップレット２７１の出力積算量とターゲット２７の初期量とに基づいて、タンク２６１に収容されているターゲット２７の残量を算出してもよい。ターゲット生成制御部７４は、算出したターゲット２７の残量を記憶してもよい。ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の残量を算出した時刻を、ターゲット２７の残量と対応付けて記憶してもよい。
その他のターゲット生成制御部７４の構成やターゲット生成装置７の構成は、図３と同様であってもよい。

［５．２ 動作］
図５〜図８を用いて、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作について説明する。
図６を用いて、ターゲット生成制御部７４のターゲット残量管理に係る処理について説明する。
ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力された、ターゲット残量計測を実行するための制御信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。

ステップＳ１０において、ターゲット生成制御部７４は、予め記憶したターゲット２７の初期量Ｖ０を読み込んでもよい。
このターゲット２７の初期量Ｖ０は、前回のターゲット残量管理処理において算出し記憶しておいたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓとしてもよい。ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓが記憶されていない場合には、ターゲット２７の初期量Ｖ０は、タンク２６１へターゲット２７を投入した量としてもよい。

ステップＳ２０において、ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット出力計算処理の実行開始信号をドロップレット出力計算制御部４３に出力してもよい。
ドロップレット出力計算処理の実行開始信号は、ターゲット生成制御部７４がドロップレット出力計算制御部４３にドロップレット出力計算処理を実行させるための制御信号であってもよい。
ドロップレット出力計算処理は、チャンバ２内へ出力されたドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍを計算する処理であってもよい。ドロップレット出力計算制御部４３によってドロップレット出力計算処理が実行され得る。
なお、ドロップレット出力計算処理は、図７を用いて後述する。

ステップＳ３０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ２０で計算したドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍを読み込んでもよい。

ステップＳ４０において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１に収容されているターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを算出してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ１０で読み込んだ初期量Ｖ０から、ステップＳ３０で読み込んだ出力積算量Ｖｓｕｍを減算することによって、残量Ｖｒｅｓを算出してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、算出したターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを記憶してもよい。

ステップＳ５０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ４０で算出したターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを外部表示装置に表示してもよい。
外部表示装置は、オペレータが操作可能なＥＵＶ光生成装置１の操作端末に設けられた表示装置であってもよい。外部表示装置は、ＥＵＶ光生成装置１とネットワーク介して接続された情報端末の表示装置であってもよい。

ステップＳ６０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ４０で算出したターゲット２７の残量ＶｒｅｓがＶＬより小さいか否かを判定してもよい。
ＶＬは、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓにおける下限量であってもよい。この下限量は、ＥＵＶ光生成装置１が計画的に停止可能な最低限の量であってもよい。
計画的に停止可能な最低限の量は、ターゲット生成装置７の交換若しくはターゲット２７の再収容に要するリードタイム、又は、半導体チップの生産計画等に基づいて決定されてもよい。例えば、計画的に停止可能な最低限の量は、オペレータの操作によってターゲット生成制御部７４に入力されてもよいし、ＥＵＶ光生成制御部５やネットワークを介して入力されてもよい。
計画的に停止可能な最低限の量は、例えば、直径Ｄ＝２０μｍのドロップレット２７１を、生成周波数ｆ＝１００ｋＨｚで１週間出力したときの量である０．２５３Ｌ（リットル）であってもよい。
ドロップレット２７１の「生成周波数ｆ」は、ターゲット生成装置７からチャンバ２内に単位時間当たりに出力されるドロップレット２７１の個数Ｎであってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、残量Ｖｒｅｓが下限量ＶＬより小さくなければステップＳ２０に移行してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、残量Ｖｒｅｓが下限量ＶＬより小さければステップＳ７０に移行してもよい。

ステップＳ７０において、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓが少ないことをＥＵＶ光生成制御部５に通知してもよい。同時に、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓが少ないことを外部表示装置に表示してもよい。

図７を用いて、ドロップレット出力計算制御部４３のドロップレット出力計算処理について説明する。
ドロップレット出力計算制御部４３は、図６のステップＳ２０において出力されたドロップレット出力計算処理の実行開始信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。

ステップＳ２０１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、出力積算量Ｖｓｕｍ＝０として出力積算量Ｖｓｕｍをリセットしてもよい。

ステップＳ２０２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、タイマＴをリセットすると共に、タイマＴの計時をスタートしてもよい。

ステップＳ２０３において、ドロップレット出力計算制御部４３は、カウンタ回路４２３をリセットすると共に、カウンタ回路４２３のカウントをスタートしてもよい。

ステップＳ２０４において、ドロップレット出力計算制御部４３は、イメージセンサ４１２ａのシャッタを開くタイミングであれば、当該シャッタを開くためのシャッタ信号をイメージセンサ４１２ａに出力してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該シャッタを開くためのシャッタ信号を出力した際のタイマＴの値を記憶してもよい。

ステップＳ２０５において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット画像計測部４１の光源４１１ａを点灯するタイミングであれば、所定の点灯時間Δτだけ点灯信号を当該光源４１１ａに出力してもよい。光源４１１ａは、点灯時間Δτが経過するまでの間、ターゲット進行経路２７２にパルス光を発光し得る。

ステップＳ２０６において、ドロップレット出力計算制御部４３は、所定の撮像時間Δｔが経過するとイメージセンサ４１２ａのシャッタを閉じるためのシャッタ信号をイメージセンサ４１２ａに出力してもよい。
撮像時間Δｔは、ステップＳ２０４でイメージセンサ４１２ａのシャッタを開いてから、このステップＳ２０６でシャッタを閉じるまでの時間であってもよい。イメージセンサ４１２ａは、撮像時間Δｔの間に結像されたドロップレット２７１の影の像を撮像し得る。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該シャッタを閉じるためのシャッタ信号を出力した際のタイマＴの値を記憶してもよい。

ステップＳ２０７において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２０６で撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像データを画像取得制御部４１３から取得してもよい。

ステップＳ２０８において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２０７で取得した画像データにドロップレット２７１が含まれているか否かを判定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていればステップＳ２０９に移行してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていなければステップＳ２１０に移行してもよい。

ステップＳ２０９において、ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データに含まれるドロップレット２７１の直径Ｄを算出してもよい。
なお、ドロップレット２７１の直径Ｄを算出する処理については、図８Ａを用いて後述する。

ステップＳ２１０において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０に設定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２０７で取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていなければ、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０とみなし得る。

ステップＳ２１１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２０９又はステップＳ２１０で算出したドロップレット２７１の直径Ｄに基づいて、ドロップレット２７１の体積Ｖを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の体積Ｖを、Ｖ＝（４／３）π（Ｄ／２）^３の式で算出してもよい。

ステップＳ２１２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２０６で記憶したタイマＴの値とステップＳ２１２でのタイマＴの値との差分であるΔＴが、所定の計測間隔Ｋより大きいか否かを判定してもよい。
このステップＳ２１２は、１回の撮像が終了してから計測間隔Ｋが経過したか否かを判定することに相当し得る。ΔＴが計測間隔Ｋより大きければ、計測間隔Ｋを経過したことに相当し得る。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ΔＴが計測間隔Ｋより大きくなければ待機してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、ΔＴが計測間隔Ｋより大きければステップＳ２１３に移行してもよい。

ステップＳ２１３において、ドロップレット出力計算制御部４３は、タイマＴをリセットすると共に、タイマＴの計時をスタートしてもよい。

ステップＳ２１４において、ドロップレット出力計算制御部４３は、カウンタ回路４２３から出力されたドロップレット２７１の個数Ｎを読み込んでもよい。

ステップＳ２１５において、ドロップレット出力計算制御部４３は、カウンタ回路４２３をリセットすると共に、カウンタ回路４２３のカウントをスタートしてもよい。

ステップＳ２１６において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２１１で算出したドロップレット２７１の体積ＶとステップＳ２１４で読み込んだドロップレット２７１の個数Ｎとに基づいて、出力積算量Ｖｓｕｍを更新してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の体積Ｖとドロップレットの個数Ｎとを乗算した値Ｖ・Ｎを出力積算量Ｖｓｕｍに加算することによって、出力積算量Ｖｓｕｍを更新してもよい。
Ｖ・Ｎは、計測間隔Ｋの間で、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の量に相当し得る。

ステップＳ２１７において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ターゲット生成制御部７４から出力される、ドロップレット出力計算処理の実行停止信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ドロップレット出力計算処理の実行停止信号は、ターゲット生成制御部７４がドロップレット出力計算制御部４３にドロップレット出力計算処理を実行停止させるための制御信号であってもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該実行停止信号が入力されればドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍの計算を停止してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、当該実行停止信号が入力されなければステップＳ２０４に移行してもよい。

図８Ａ及び図８Ｂを用いて、ドロップレット出力計算制御部４３がドロップレット２７１の直径Ｄを算出する処理について説明する。

ステップＳ２９０１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、図７のステップＳ２０７で取得した画像データに含まれるドロップレット２７１の影の像から当該ドロップレット２７１の直径Ｄを算出してもよい。

撮像部４１２を構成するイメージセンサ４１２ａで撮像されたドロップレット２７１の画像データは、１回の撮像において図８Ｂに例示するような画像を示してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、画像データに含まれるドロップレット２７１の像において、ドロップレット２７１の進行方向に垂直な方向におけるドロップレット２７１の像の幅をドロップレット２７１の直径Ｄとしてもよい。
略球形の１つのドロップレット２７１に対応する影が１つの像として略球形に撮像されていれば、ドロップレット出力計算制御部４３は、次のような方法で直径Ｄを算出してもよい。すなわち、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の像の進行方向における幅と当該進行方向に垂直な方向における幅との平均値をドロップレット２７１の直径Ｄとしてもよい。

図８Ｂに示すように、イメージセンサ４１２ａの撮像時間Δｔをどのように設定するかによって、１回の撮像で取得された画像データには、複数のドロップレット２７１が含まれ得る。
第１実施形態では、１回の撮像で取得される画像データに複数のドロップレット２７１が含まれるように、イメージセンサ４１２ａの撮像時間Δｔを次のように設定してもよい。

イメージセンサ４１２ａの撮像範囲Ａｙ×Ｂｚにおいて、ドロップレット２７１の進行方向における撮像範囲の長さをＡとする。順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１間の距離であって、ドロップレット２７１の進行方向における距離をｄとする。ドロップレット２７１の進行速度をｖとする。ここで、転写光学系４１２ｂが拡大光学系である場合、Ａはドロップレット２７１の進行方向における撮像範囲の実際の長さに換算した値としてよい。また、Ａ及びｄは、イメージセンサ４１２ａが撮像する、ピクセル数単位の量で定義されてもよい。Ａ及びｄがピクセル数単位の量で定義される場合、ｖも単位時間当たりの通過ピクセル数として定義されてもよい。
このとき、第１実施形態では、撮像時間Δｔを次式の関係を満たすように設定してもよい。
Δｔ＜ｄ／ｖ
上記右辺のｄ／ｖは、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が、分別不可能なまでに重ならない時間を意味し得る。
これにより、撮像部４１２を構成するイメージセンサ４１２ａは、１回の撮像において、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が重ならないように撮像し得る。

更に、第１実施形態では、撮像時間Δｔを次式の関係を満たすように設定してもよい。
Δｔ＞（ｄ−Ａ）／ｖ
上記右辺の（ｄ−Ａ）／ｖは、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が撮像範囲の中に含まれ得る時間を意味し得る。
これにより、撮像部４１２を構成するイメージセンサ４１２ａは、１回の撮像において、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が撮像範囲に含まれるように撮像し得る。
よって、撮像時間Δｔが、（ｄ−Ａ）／ｖ＜Δｔ＜ｄ／ｖであれば、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が重ならず毎回撮像範囲に含まれるように撮像し得る。
なお、ｄ≦Ａの場合、撮像時間Δｔは、０＜Δｔ＜ｄ／ｖと設定されてもよい。
上記のように設定された撮像時間Δｔで、撮像部４１２は、計測間隔Ｋごとに繰り返しドロップレット２７１の撮像を行い得る。

なお、ドロップレット２７１の進行速度ｖは、予め定められた速度に設定されてもよい。
また、ドロップレット２７１の進行速度ｖは、次のような方法で算出されてもよい。特に、図８Ｂに示すように、１回の撮像で取得される画像データにおいて１つのドロップレット２７１に対応する影が１つの像として撮像されていれば、進行速度ｖは、次のような方法で算出されてもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、異なるタイミングで同一のドロップレット２７１を撮像して取得された２つの画像データを比較してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、当該２つの画像データ間における特定のドロップレット２７１の像の変位を、計測間隔Ｋの間にドロップレット２７１が進行した距離として算出してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、算出したドロップレット２７１の進行距離を計測間隔Ｋで除算することによって、ドロップレット２７１の進行速度ｖを算出し得る。

［５．３ 作用］
第１実施形態では、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中にリアルタイムで、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１の直径Ｄを個別に計測し得る。よって、第１実施形態では、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１が均一な大きさであるかをＥＵＶ光生成装置１の稼働中でもリアルタイムで正確に計測し得る。
更に、第１実施形態では、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中にリアルタイムで、チャンバ２内に実際に出力された２つのドロップレット２７１間の距離を計測し得る。
また、第１実施形態では、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中にリアルタイムで、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１を検出してその個数Ｎをカウントし得る。このため、第１実施形態では、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍを計算し得る。よって、第１実施形態では、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中でもリアルタイムでターゲット２７の残量を正確に計測し得る。

［５．４ 第１実施形態の変形例］
図９を用いて、第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムについて説明する。
第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成は、図９のようにドロップレット形成機構７３及びドロップレットカウンタ部４２の構成が、図５に示す第１実施形態の構成と異なる。その他の構成は、図５の第１実施形態の構成と同様である。
第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作は、図６〜図８の第１実施形態の動作と一部同様である。
第１実施形態と同様の構成及び動作については説明を省略する。

図５の第１実施形態に係るドロップレット形成機構７３は、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット２７１を形成し得る。
図９の変形例に係るドロップレット形成機構７３は、静電引出し方式によりドロップレット２７１を形成してもよい。
図９の変形例に係るドロップレット形成機構７３は、ターゲット帯電電極７３３と、ＤＣ電圧電源７３４と、引出電極７３５と、パルス電圧電源７３６とを含んでもよい。

ターゲット帯電電極７３３は、タンク２６１内のノズル２６２付近に固定されてもよい。タンク２６１内に固定されたターゲット帯電電極７３３は、ＤＣ電圧電源７３４と接続されてもよい。ＤＣ電圧電源７３４は、ターゲット帯電電極７３３に電圧を印加してもよい。
これに伴って、ターゲット帯電電極７３３と接するターゲット２７にも電圧が印加され得る。

引出電極７３５は、円環形状に形成されてもよい。引出電極７３５は、ノズル孔２６２ａと間隔をあけてターゲット進行経路２７２上に設けられてもよい。円環形状の引出電極７３５の中心軸とノズル２６２の中心軸とは同一直線上にあってもよい。
引出電極７３５は、パルス電圧電源７３６と接続されてもよい。パルス電圧電源７３６は、パルス電圧を引出電極７３５に印加してもよい。
パルス電圧が印加された引出電極７３５は、ターゲット２７との間に静電気力を発生させ得る。ターゲット２７と引出電極７３５との間に静電気力が発生することによって、ターゲット２７は、ノズル孔２６２ａから突出し、やがて分離され得る。分離されたターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。このとき、ドロップレット２７１は帯電していてもよい。

パルス電圧電源７３６は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。ターゲット生成制御部７４は、チャンバ２内にドロップレット２７１を出力すべきタイミングに合わせて、パルス電圧電源７３６に出力要求信号を出力してもよい。
パルス電圧電源７３６は、ターゲット生成制御部７４からの出力要求信号に基づいて、引出電極７３５に対してパルス電圧を印加してもよい。
静電引き出し方式においては、引出電極７３５に任意のタイミングでパルス電圧を印加することで、引出電極７３５とターゲット２７との間に静電気力を生じさせ、任意のタイミングでドロップレット２７１を出力し得る。

パルス電圧電源７３６と接続されたターゲット生成制御部７４は、パルス電圧電源７３６との接続から分岐して、ドロップレットカウンタ部４２のカウンタ回路４２３と接続されてもよい。ターゲット生成制御部７４は、パルス電圧電源７３６に出力する出力要求信号をカウンタ回路４２３にも同時に出力し得る。

図９の変形例に係るドロップレットカウンタ部４２は、光源部４２１及び受光部４２２を備えずに、カウンタ回路４２３を備えてもよい。
カウンタ回路４２３は、パルス電圧電源７３６と接続されたターゲット生成制御部７４から出力要求信号が入力されてもよい。カウンタ回路４２３は、入力された出力要求信号をカウントして、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の個数Ｎとみなしてもよい。

上記構成によって、第１実施形態の変形例では、ドロップレットカウンタ部４２が光源部４２１及び受光部４２２を備えなくとも、ドロップレット２７１の個数Ｎをカウントし得ると共に出力積算量Ｖｓｕｍを計算し得る。
よって、第１実施形態の変形例では、ドロップレットカウンタ部４２から光源部４２１及び受光部４２２を省き得るため、ＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムを簡略化し得る。

［６．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム］
［６．１ 構成］
図１０を用いて、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成について説明する。
第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成は、図１０のようにドロップレットカウンタ部４２を省いている構成が、図５に示す第１実施形態の構成と異なる。その他の構成は、第１実施形態の構成と同様である。
第１実施形態と同様の構成については説明を省略する。

第１実施形態では、ドロップレット２７１の個数Ｎは、ドロップレットカウンタ部４２のカウンタ回路４２３によって実際にカウントされてもよい。第１実施形態では、ドロップレット出力計算制御部４３は、カウンタ回路４２３で実際にカウントされた個数Ｎを用いて、ターゲット２７の出力積算量Ｖｓｕｍを計算してもよい。
第２実施形態では、ドロップレット２７１の個数Ｎは、ドロップレット２７１の生成周波数ｆ及び計測間隔Ｋから算出してもよい。第２実施形態では、ドロップレット出力計算制御部４３は、生成周波数ｆ及び計測間隔Ｋから算出した個数Ｎを用いて、ターゲット２７の出力積算量Ｖｓｕｍを計算してもよい。

なお、第１実施形態では、ドロップレット画像計測部４１の光源４１１ａの点灯時間Δτが、ドロップレット２７１の生成周期（例えば１０μｓ程度）よりも十分に短くてもよい（例えば１０ｎｓ〜１００ｎｓ）。
第２実施形態では、ドロップレット画像計測部４１の光源４１１ａの点灯時間Δτは、ドロップレット２７１の生成周期と同程度か短くてもよい。ドロップレット２７１の生成周期は、例えば１０μｓ程度でもよい。第２実施形態の点灯時間Δτは、例えば１〜５μｓ程度でもよい。但し、これらの値は例示に過ぎず、実施する装置に合わせて適宜選択されるとよい。

［６．２ 動作］
図１０〜図１２を用いて、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作について説明する。
第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作は、図１１及び図１２のようにドロップレット出力計算処理及びドロップレットの直径算出に係る処理が、図７及び図８に示す第１実施形態の動作と異なる。その他の動作は、第１実施形態の動作と同様である。
第１実施形態と同様の動作については説明を省略する。

図１１を用いて、ドロップレット出力計算制御部４３のドロップレット出力計算処理について説明する。
ドロップレット出力計算制御部４３は、図６のステップＳ２０において出力されたドロップレット出力計算処理の実行開始信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。

ステップＳ２２１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、出力積算量Ｖｓｕｍ＝０として出力積算量Ｖｓｕｍをリセットしてもよい。

ステップＳ２２２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、タイマＴをリセットすると共に、タイマＴの計時をスタートしてもよい。

ステップＳ２２３において、ドロップレット出力計算制御部４３は、イメージセンサ４１２ａのシャッタを開くタイミングであれば、当該シャッタを開くためのシャッタ信号をイメージセンサ４１２ａに出力してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該シャッタを開くためのシャッタ信号を出力した際のタイマＴの値を記憶してもよい。

ステップＳ２２４において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット画像計測部４１の光源４１１ａを点灯するタイミングであれば、所定の点灯時間Δτだけ点灯信号を当該光源４１１ａに出力してもよい。

ステップＳ２２５において、ドロップレット出力計算制御部４３は、所定の撮像時間Δｔが経過するとイメージセンサ４１２ａのシャッタを閉じるためのシャッタ信号をイメージセンサ４１２ａに出力してもよい。
撮像時間Δｔは、ステップＳ２２３でイメージセンサ４１２ａのシャッタを開いてから、このステップＳ２２５でシャッタを閉じるまでの時間であってもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該シャッタを閉じるためのシャッタ信号を出力した際のタイマＴの値を記憶してもよい。

ステップＳ２２６において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２５で撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像データを画像取得制御部４１３から取得してもよい。

ステップＳ２２７において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２６で取得した画像データにドロップレット２７１が含まれているか否かを判定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていればステップＳ２２８に移行してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていなければステップＳ２２９に移行してもよい。

ステップＳ２２８において、ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データに含まれるドロップレット２７１の直径Ｄと、ドロップレット２７１の生成周波数ｆとを算出してもよい。
なお、ドロップレット２７１の直径Ｄ及びドロップレット２７１の生成周波数ｆを算出する処理については、図１２Ａを用いて後述する。

ステップＳ２２９において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０に設定し、ドロップレット２７１の生成周波数ｆをｆ＝０に設定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２６で取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていなければ、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０及びドロップレット２７１の生成周波数ｆをｆ＝０とみなし得る。

ステップＳ２３０において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８又はステップＳ２２９で算出したドロップレット２７１の直径Ｄに基づいて、ドロップレット２７１の体積Ｖを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の体積Ｖを、Ｖ＝（４／３）π（Ｄ／２）^３の式で算出してもよい。

ステップＳ２３１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２５で記憶したタイマＴの値とステップＳ２３０でのタイマＴの値との差分であるΔＴが、所定の計測間隔Ｋより大きいか否かを判定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ΔＴが計測間隔Ｋより大きくなければ待機してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、ΔＴが計測間隔Ｋより大きければステップＳ２３２に移行してもよい。

ステップＳ２３２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、タイマＴをリセットすると共に、タイマＴの計時をスタートしてもよい。

ステップＳ２３３において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８で算出したドロップレット２７１の生成周波数ｆと計測間隔Ｋとに基づいて、ドロップレット２７１の個数Ｎを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の生成周波数ｆと計測間隔Ｋとを乗算した値Ｋ・ｆを、ドロップレット２７１の個数Ｎとしてもよい。

ステップＳ２３４において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２３０で算出したドロップレット２７１の体積ＶとステップＳ２３３で算出したドロップレット２７１の個数Ｎとに基づいて、出力積算量Ｖｓｕｍを更新してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の体積Ｖとドロップレットの個数Ｎとを乗算した値Ｖ・Ｎを出力積算量Ｖｓｕｍに加算することによって、出力積算量Ｖｓｕｍを更新してもよい。

ステップＳ２３５において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ターゲット生成制御部７４から出力される、ドロップレット出力計算処理の実行停止信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該実行停止信号が入力されればドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍの計算を停止してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、当該実行停止信号が入力されなければステップＳ２２３に移行してもよい。

図１２Ａ及び図１２Ｂを用いて、ドロップレット出力計算制御部４３がドロップレット２７１の直径Ｄ及びドロップレット２７１の生成周波数ｆを算出する処理について説明する。

第２実施形態の点灯時間Δτは、ドロップレット２７１の生成周期と同程度か短くてもよい。このため、第２実施形態では、図１２Ｂに示すように、１回の撮像で取得された画像データには、１つのドロップレット２７１の影の像が、複数連なった像として撮像される場合があり得る。１つのドロップレット２７１の影の像が複数連なった像を、１つのドロップレット２７１の「影像軌跡」ともいう。
このとき、以下の処理を行って、ドロップレット２７１の直径Ｄ及びドロップレット２７１の生成周波数ｆを算出してもよい。

ステップＳ２２８１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、図１１のステップＳ２２７で取得した画像データに含まれる複数のドロップレット２７１の影の像から、１つのドロップレット２７１の影像軌跡を特定してもよい。１つのドロップレット２７１の影像軌跡は、例えば、図１２Ｂにおいては影像軌跡２７１ｅに相当し得る。

ステップＳ２２８２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８１で特定した影像軌跡からドロップレット２７１の直径Ｄを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の進行方向に垂直な方向における影像軌跡の幅をドロップレット２７１の直径Ｄとしてもよい。

ステップＳ２２８３において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８１で特定した影像軌跡の長さＬを算出してもよい。
影像軌跡の長さＬは、ドロップレット２７１の進行方向における影像軌跡の長さであってもよい。

ステップＳ２２８４において、ドロップレット出力計算制御部４３は、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の影像軌跡間の距離ｄを算出してもよい。
図１２Ｂの例では、ステップＳ２２８１で特定した影像軌跡２７１ｅと、これの直近の影像軌跡２７１ｆとの間の距離ｄを算出してもよい。
影像軌跡間の距離ｄは、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の影像軌跡間の距離であって、ドロップレット２７１の進行方向における距離であってもよい。

ステップＳ２２８５において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８２で算出した直径Ｄと、ステップＳ２２８３で算出した長さＬとに基づいて、ドロップレット２７１の進行速度ｖを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の進行速度ｖを次式から算出してもよい。
ｖ＝（Ｌ−Ｄ）／Δτ
上記右辺の（Ｌ−Ｄ）は、点灯時間Δτの間に１つのドロップレット２７１が進行した距離を意味し得る。

ステップＳ２２８６において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８４で算出した距離ｄと、ステップＳ２２８５で算出した進行速度ｖとに基づいて、ドロップレット２７１の生成周波数ｆを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の生成周波数ｆを次式から算出してもよい。
ｆ＝ｖ／ｄ

なお、第２実施形態の撮像時間Δｔも、第１実施形態と同様に、次式を満たし得る。
（ｄ−Ａ）／ｖ＜Δｔ＜ｄ／ｖ
このため、第２実施形態においても、撮像部４１２を構成するイメージセンサ４１２ａは、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の影像軌跡を、互いの影像軌跡が重ならないようにして毎回撮像し得る。

［６．３ 作用］
第２実施形態では、ドロップレットカウンタ部４２を備えなくとも、ドロップレット２７１の直径Ｄ及び生成周波数ｆを算出し得ると共に出力積算量Ｖｓｕｍを計算し得る。
よって、第２実施形態は、ドロップレットカウンタ部４２全体を省き得るため、ＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムを更に簡略化し得る。

［６．４ 第２実施形態の変形例］
図１３を用いて、第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システムについて説明する。
第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成は、図１０の第２実施形態の構成と同様である。
第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作は、図１３のようにドロップレット出力計算処理が、図１１に示す第２実施形態の動作と異なる。その他の動作は、第２実施形態と同様である。
第２実施形態と同様の構成及び動作については説明を省略する。

第２実施形態では、ドロップレット２７１の生成周波数ｆは、順次出力された隣り合う２つのドロップレットの影像軌跡間の距離ｄとドロップレット２７１の進行速度ｖとから算出してもよい。
第２実施形態の変形例では、ドロップレット２７１の生成周波数ｆが固定値であってもよい。

図１３を用いて、ドロップレット出力計算制御部４３のドロップレット出力計算処理について説明する。
ドロップレット出力計算制御部４３は、図６のステップＳ２０において出力されたドロップレット出力計算処理の実行開始信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。

ステップＳ２４１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、図１１のステップＳ２１１と同様の処理を行ってもよい。

ステップＳ２４２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の生成周波数ｆをｆ＝ｆ０に設定してもよい。
生成周波数ｆ０は、予め定められた生成周波数ｆの固定値であってもよい。生成周波数ｆ０は、例えば、オペレータの操作によってターゲット生成制御部７４に入力されてもよいし、ＥＵＶ光生成制御部５やネットワークを介して入力されてもよい。

ステップＳ２４３〜ステップＳ２４８において、ドロップレット出力計算制御部４３は、図１１のステップＳ２２２〜ステップＳ２２７と同様の処理を行ってもよい。

ステップＳ２４９において、ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データに含まれるドロップレット２７１の直径Ｄを算出してもよい。
なお、ドロップレット２７１の直径Ｄを算出する処理については、図１２ＡのステップＳ２２８１及びステップＳ２２８２と同様である。

ステップＳ２５０において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０に設定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２４７で取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていなければ、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０とみなし得る。

ステップＳ２５１〜ステップＳ２５６において、ドロップレット出力計算制御部４３は、図１１のステップＳ２３０〜ステップＳ２３５と同様の処理を行ってもよい。

［７．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム］
［７．１ 構成］
図１４を用いて、第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成について説明する。
第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成は、図１４のように圧力調節機構７２及びターゲット生成制御部７４の構成が、図１０に示す第２実施形態の構成と異なる。その他の構成は、第２実施形態の構成と同様である。
第２実施形態と同様の構成については説明を省略する。

第１実施形態では、ターゲット残量管理処理（図６のステップＳ１０）の初期量Ｖ０は、前回のターゲット残量管理処理において算出し記憶しておいた残量Ｖｒｅｓを用いてもよい。
第２実施形態では、ターゲット残量管理処理の初期量Ｖ０は、第１実施形態と同様でもよい。
第３実施形態では、ターゲット残量管理処理の初期量Ｖ０を、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを算出する前に圧力調節機構７２を用いて実際に計測してもよい。

図１４の第３実施形態に係る圧力調節機構７２は、圧力調節器７２１と、配管７２２〜７２５と、継手７２６ａ及び継手７２６ｂと、圧力センサ７２７と、ガスタンク７２８と、排気ポンプ７２９と、バルブＶ１〜Ｖ４とを含んでもよい。

圧力調節器７２１及び配管７２２は、図１０の第２実施形態と同様の構成であってもよい。
配管７２３は、圧力調節器７２１と配管７２２とを継手７２６ａを介して連結してもよい。
配管７２４は、圧力センサ７２７とガスタンク７２８とを連結してもよい。
配管７２５は、ガスタンク７２８と排気ポンプ７２９とを連結してもよい。
継手７２６ａ及び圧力調節器７２１の間の配管７２３と、圧力センサ７２７及びガスタンク７２８の間の配管７２４とは継手７２６ｂを介して連結されてもよい。
ターゲット供給部２６のタンク２６１、圧力調節器７２１、圧力センサ７２７、ガスタンク７２８、及び排気ポンプ７２９は、その内部が配管７２２〜７２５によって互いに連通してもよい。
配管７２２〜７２５は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管７２２〜７２５には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管７２２〜７２５内の温度は、ターゲット供給部２６のタンク２６１内の温度と同じ温度に保たれてもよい。

圧力センサ７２７は、配管７２２〜７２５を含む圧力調節機構７２の各構成部内やタンク２６１内の空間Ｓｘの圧力を検出してもよい。
タンク２６１内の空間Ｓｘは、タンク２６１内のターゲット２７を収容可能な全空間の内、ターゲット２７が収容されていない部分の空間であってもよい。
圧力センサ７２７は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。圧力センサ７２７は、検出した圧力の検出信号をターゲット生成制御部７４に出力してもよい。

ガスタンク７２８は、所定容積の内部空間を含んでもよい。
ガスタンク７２８の外周部は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。ガスタンク７２８の外周部には、図示しないヒータが設置されてもよい。ガスタンク７２８内の温度は、ターゲット供給部２６のタンク２６１内の温度と同じ温度に保たれてもよい。

排気ポンプ７２９は、配管７２２〜７２５を含む圧力調節機構７２の各構成部内やタンク２６１内の空間Ｓｘのガスを排気してもよい。排気ポンプ７２９は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。

バルブＶ１は、継手７２６ａとタンク２６１との間の配管７２２に設けられてもよい。
バルブＶ２は、継手７２６ｂと圧力調節器７２１との間の配管７２３に設けられてもよい。
バルブＶ３は、継手７２６ｂとガスタンク７２８との間の配管７２４に設けられてもよい。
バルブＶ４は、ガスタンク７２８と排気ポンプ７２９との間の配管７２５に設けられてもよい。
バルブＶ１〜Ｖ４は、その開閉動作によって配管７２２〜７２５内のガスの流れを規制してもよい。
バルブＶ１〜Ｖ４は、ソレノイドバルブであってもよい。バルブＶ１〜Ｖ４は、それぞれターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。

ターゲット生成制御部７４は、排気ポンプ７２９に作動信号又は作動停止信号を出力して、排気ポンプ７２９の排気動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ１〜Ｖ４にバルブ開信号又はバルブ閉信号をそれぞれ出力して、バルブＶ１〜Ｖ４の開閉動作をそれぞれ制御してもよい。

ターゲット生成制御部７４は、ターゲット初期量算出部７４２を含んでもよい。ターゲット初期量算出部７４２は、タンク２６１内に収容されたターゲット２７の初期量Ｖ０を算出するプログラムであってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット初期量算出部７４２を用いて、圧力調節機構７２の各構成部内やタンク２６１内の空間Ｓｘの容積及び圧力に基づいて、タンク２６１内に収容されたターゲット２７の初期量Ｖ０を算出してもよい。ターゲット生成制御部７４は、算出したターゲット２７の初期量Ｖ０を記憶してもよい。ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の初期量Ｖ０を算出した時刻を更に対応付けて記憶してもよい。

［７．２ 動作］
図１４〜図１６を用いて、第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作について説明する。
第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作は、図１５及び図１６のようにターゲット残量管理処理及びターゲット初期量計測に係る処理が、第２実施形態の動作と異なる。その他の動作は、第２実施形態と同様である。
第２実施形態と同様の動作については説明を省略する。

図１５を用いて、ターゲット生成制御部７４のターゲット残量管理に係る処理について説明する。
ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力された、ターゲット残量計測を実行するための制御信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。

ステップＳ１１において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１内に収容されたターゲット２７の初期量Ｖ０を計測する処理を実行してもよい。
なお、ターゲット２７の初期量Ｖ０を計測する処理については、図１６を用いて後述する。

ステップＳ２０において、ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット出力計算処理の実行開始信号をドロップレット出力計算制御部４３に出力してもよい。
当該実行開始信号が入力されたドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット出力計算処理を実行し得る。
第３実施形態のドロップレット出力計算処理は、第２実施形態のドロップレット出力計算処理（図１１）又は第２実施形態の変形例のドロップレット出力計算処理（図１３）と同様であってもよい。

ステップＳ３０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ２０で計算したドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍを読み込んでもよい。

ステップＳ４０において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを算出してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ１０で計測した初期量Ｖ０から、ステップＳ３０で読み込んだ出力積算量Ｖｓｕｍを減算することによって、残量Ｖｒｅｓを算出してもよい。

ステップＳ５０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ４０で算出したターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを外部表示装置に表示してもよい。

ステップＳ６０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ４０で算出したターゲット２７の残量ＶｒｅｓがＶＬより小さいか否かを判定してもよい。
ＶＬは、図６の説明と同様、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓにおける下限量であってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、残量Ｖｒｅｓが下限量ＶＬより小さくなければステップＳ２０に移行してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、残量Ｖｒｅｓが下限量ＶＬより小さければステップＳ７０に移行してもよい。

ステップＳ７０において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓが少ないことをＥＵＶ光生成制御部５に通知してもよい。同時に、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓが少ないことを外部表示装置に表示してもよい。

図１６を用いて、ターゲット生成制御部７４のターゲット２７の初期量Ｖ０を計測する処理について説明する。

ステップＳ１１０１において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ１及びバルブＶ２に閉信号を出力して、バルブＶ１及びバルブＶ２を閉じてもよい。加えて、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ３及びバルブＶ４に開信号を出力して、バルブＶ３及びバルブＶ４を開いてもよい。
バルブＶ１よりタンク２６１側の配管７２２及びバルブＶ２より圧力調節器７２１側の配管７２３を除く配管７２２〜７２５、圧力センサ７２７、並びにガスタンク７２８は、排気ポンプ７２９と連通し得る。

ステップＳ１１０２において、ターゲット生成制御部７４は、排気ポンプ７２９に作動信号を出力して、排気ポンプ７２９の排気動作を作動させてもよい。
バルブＶ１よりタンク２６１側の配管７２２及びバルブＶ２より圧力調節器７２１側の配管７２３を除く配管７２２〜７２５内の空間、並びにガスタンク７２８内の空間を、「空間Ｓ１」ともいう。
排気ポンプ７２９ポンプの排気動作により、空間Ｓ１のガスが排気され得る。

ステップＳ１１０３において、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さいか否かを判定してもよい。
ＰＬは、真空状態に近い圧力値であってもよい。ＰＬは、例えば１ｈＰａ程度であってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さくなければ待機してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さくなればステップＳ１１０４に移行してもよい。
ステップＳ１１０２で内部のガスが排気された空間Ｓ１の圧力が、真空状態に近い圧力まで減圧され得る。

ステップＳ１１０４において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ１に開信号を出力して、バルブＶ１を開いてもよい。
バルブＶ１よりタンク２６１側の配管７２２内の空間、及びタンク２６１内の空間Ｓｘを、「空間Ｓ２」ともいう。
ステップＳ１１０３で減圧された空間Ｓ１の圧力と空間Ｓ２の圧力との圧力差によって、空間Ｓ２のガスが、空間Ｓ１を介して排気され得る。

ステップＳ１１０５において、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さいか否かを判定してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さくなければ待機してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さくなればステップＳ１１０６に移行してもよい。
ステップＳ１１０４で排気された空間Ｓ１及び空間Ｓ２の圧力が、真空状態に近い圧力まで減圧され得る。

ステップＳ１１０６において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ３に閉信号を出力して、バルブＶ３を閉じてもよい。
バルブＶ１より継手７２６ａ側の配管７２２内の空間、バルブＶ２より継手７２６ａ側の配管７２３内の空間、及びバルブＶ３より圧力センサ７２７側の配管７２４内の空間を、「空間Ｓ３」ともいう。
バルブＶ３を閉じることにより、空間Ｓ２及び空間Ｓ３が、真空状態に近い圧力のまま密閉され得る。
更に、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ４に閉信号を出力して、バルブＶ４を閉じてもよい。
バルブＶ３よりガスタンク７２８側の配管７２４内の空間、及びガスタンク７２８内の空間を、「空間Ｓ４」ともいう。
バルブＶ４を閉じることにより、空間Ｓ４が、真空状態に近い圧力のまま密閉され得る。

ステップＳ１１０７において、ターゲット生成制御部７４は、排気ポンプ７２９に作動停止信号を出力して、排気ポンプ７２９の排気動作を停止してもよい。

ステップＳ１１０８において、ターゲット生成制御部７４は、圧力調節器７２１に圧力設定値Ｐ１を設定してもよい。圧力調節器７２１は、圧力設定値Ｐ１に相当する不活性ガスをガスボンベ９から給気し得る。
圧力設定値Ｐ１は、ＰＬよりも十分に大きい圧力の値であってもよい。Ｐ１は、例えば１０１３ｈＰａ程度であってもよい。

ステップＳ１１０９において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ２に開信号を出力して、バルブＶ２を開いてもよい。
バルブＶ２より圧力調節器７２１側の配管７２３及び圧力調節器７２１と、ステップＳ１１０６で密閉された空間Ｓ２及び空間Ｓ３とが連通し得る。
これにより、圧力調節器７２１は、空間Ｓ２及び空間Ｓ３の圧力が圧力値Ｐ１となるまで、不活性ガスを空間Ｓ２及び空間Ｓ３に給気し得る。

ステップＳ１１１０において、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値Ｐが、ステップＳ１１０９で給気された不活性ガスの圧力値Ｐ１と同等になったか否かを判定してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値Ｐが不活性ガスの圧力値Ｐ１と同等でなければ待機してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値Ｐが不活性ガスの圧力値Ｐ１と同等になればステップＳ１１１１に移行してもよい。
ステップＳ１１０９で圧力調節器７２１と連通した空間Ｓ２及び空間Ｓ３の圧力が、ステップＳ１１０８で圧力調節器７２１に設定された不活性ガスの圧力値Ｐ１まで加圧され得る。

ステップＳ１１１１において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ２に閉信号を出力して、バルブＶ２を閉じてもよい。
ステップＳ１１１０において加圧された空間Ｓ２及び空間Ｓ３が、圧力値Ｐ１のまま密閉され得る。

ステップＳ１１１２において、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値Ｐを読み込むと共に、読み込んだ検出値ＰをＰ２として記憶してもよい。
ステップＳ１１１１で密閉された空間Ｓ２及び空間Ｓ３の圧力が、圧力値Ｐ２として記憶され得る。

ステップＳ１１１３において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ３に開信号を出力して、バルブＶ３を開いてもよい。
ステップＳ１１１１で密閉された空間Ｓ２及び空間Ｓ３と、ステップＳ１１０６で密閉された空間Ｓ４とが連通し得る。
ステップＳ１１１１で密閉された空間Ｓ２及び空間Ｓ３から、ステップＳ１１０６で密閉された空間Ｓ４に、その圧力差によって不活性ガスが流入し得る。そして、空間Ｓ２及び空間Ｓ３の圧力と空間Ｓ４の圧力とは、圧力値Ｐ２よりも低い圧力で平衡状態となり得る。

ステップＳ１１１４において、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値Ｐを読み込むと共に、読み込んだ検出値ＰをＰ３として記憶してもよい。
ステップＳ１１１３で連通した空間Ｓ２〜Ｓ４の圧力が、圧力値Ｐ３として記憶され得る。

ステップＳ１１１５において、ターゲット生成制御部７４は、空間Ｓ２及び空間Ｓ３の容積Ｖｘを算出してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、空間Ｓ２及び空間Ｓ３内の容積Ｖｘを次式から算出してもよい。
Ｖｘ＝Ｐ３・Ｖｇ／（Ｐ２−Ｐ３）
Ｖｇは、空間Ｓ４の容積であってもよい。Ｐ２及びＰ３は、ステップＳ１１１２及びステップＳ１１１４で読み込んだ圧力値であってもよい。
なお、ターゲット生成制御部７４は、断熱膨張の式（ＰＶ^γ＝一定）からＶｘを算出してもよい。

ステップＳ１１１６において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ１１１５で算出した容積Ｖｘと所定値Ｖｉｎとに基づいて、ターゲット２７の初期量Ｖ０を算出してもよい。
所定値Ｖｉｎは、バルブＶ１よりタンク２６１側の配管７２２内の空間、タンク２６１内の全収容空間、及び空間Ｓ３の容積である。Ｖｉｎは、予め算出されてもよい。
ターゲット生成制御部７４は、初期量Ｖ０を次式から算出してもよい。
Ｖ０＝Ｖｉｎ−Ｖｘ
右辺（Ｖｉｎ−Ｖｘ）は、前回のターゲット残量管理処理において算出した残量Ｖｒｅｓに相当し得る。

ステップＳ１１１７において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ３に閉信号を出力して、バルブＶ３を閉じてもよい。
空間Ｓ２及び空間Ｓ３と、空間Ｓ４との連通を遮断し、ガスタンク７２８への不活性ガスの流れを遮断し得る。
更に、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ１及びバルブＶ２に開信号を出力して、バルブＶ１及びバルブＶ２を開いてもよい。
圧力調節器７２１と、空間Ｓ２及び空間Ｓ３とが連通し得る。
以上の処理以降、ターゲット２７をチャンバ２内へ供給する場合は、圧力調節器７２１に圧力値を設定してもよい。これによって、タンク２６１に収容されたターゲット２７が、設定圧力で加圧され得る。加圧されたターゲット２７は、ノズル２６２を介してチャンバ２内へ供給され得る。

［７．３ 作用］
第３実施形態では、ターゲット２７の初期量Ｖ０を実際に計測した値を用いて、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを算出（図１５のステップＳ４０）し得る。
このため、第３実施形態では、第１実施形態及び第２実施形態と比べて、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓをより正確に計測し得る。

［８．その他］
［８．１ 各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図１７は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図１７の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図１７におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、ターゲット生成制御部７４、温度制御部７１４、ドロップレット出力計算制御部４３、イメージセンサ４１２ａ、及び画像取得制御部４１３等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ヒータ電源７１２、ピエゾ電源７３２、圧力調節器７２１、カウンタ回路４２３、光源４１１ａ、光源４２１ａ、ＤＣ電圧電源７３４、パルス電圧電源７３６、及び排気ポンプ７２９等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、光センサ４２２ａ、及び液面レベルセンサ８等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウェア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、ターゲット生成制御部７４、温度制御部７１４、ドロップレット出力計算制御部４３、及び画像取得制御部４１３の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、ターゲット生成制御部７４、温度制御部７１４、ドロップレット出力計算制御部４３、及び画像取得制御部４１３は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

［８．２ 光センサの電気回路］
ドロップレットカウンタ部４２の受光部４２２に含まれる光センサ４２２ａは、図１８に示すような電気回路で構成されてもよい。
光センサ４２２ａは、フォトダイオードと、増幅器と、コンパレータとを組み合わせた回路であってもよい。
光源部４２１から出射された連続レーザ光がドロップレット２７１に照射された場合、フォトダイオードで受光される光量は、連続レーザ光のみを受光した場合の光量に比べてドロップレット２７１の影の影響で低くなり得る。このため、フォトダイオードで光電変換され増幅器から出力された出力信号Ｖｐは、基準電位Ｖｓより低くてもよい。
一方、光源部４２１から出射された連続レーザ光がドロップレット２７１に照射されていないとき、フォトダイオードで光電変換され増幅器から出力された出力信号Ｖｐは、基準電位Ｖｓより高くてもよい。
コンパレータから出力される検出信号Ｖｃは、出力信号Ｖｐが基準電位Ｖｓより高い電位であれば、ローレベルの電位Ｖｌであり得る。
コンパレータから出力される検出信号Ｖｃは、出力信号Ｖｐが基準電位Ｖｓより低い電位になると、ハイレベルの電位Ｖｈとなり得る。
コンパレータと接続されたカウンタ回路４２３は、ハイレベルの電位Ｖｈのときにドロップレット２７１が出力されたとして、ドロップレット２７１の個数Ｎをカウントし得る。

［８．３ その他の変形例］
ドロップレット画像計測部４１は、イメージセンサ４１２ａの撮像時間Δｔが光源４１１ａの点灯時間Δτと同程度であれば、光源４１１ａから連続レーザ光を出力させてもよい。
ドロップレット画像計測部４１は、光源部４１１と撮像部４１２とをターゲット進行経路２７２を挟んで対向させなくてもよい。例えば、光源部４１１のウインドウ４１１ｃと撮像部４１２のウインドウ４１２ｃとが同じ方向を向くように配置してもよい。撮像部４１２は、ドロップレット２７１の影ではなくドロップレット２７１からの反射光を撮像し得る。光源部４１１のウインドウ４１１ｃと撮像部４１２のウインドウ４１２ｃとの配置は、ドロップレット２７１からの反射光を撮像し得る配置であればよい。

ドロップレットカウンタ部４２は、光源部４２１と受光部４２２とをターゲット進行経路２７２を挟んで対向させなくてもよい。例えば、光源部４２１のウインドウ４２１ｃと受光部４２２のウインドウ４２２ｃとが同じ方向を向くように配置してもよい。受光部４２２は、ドロップレット２７１からの反射光を検出し得る。光源部４２１のウインドウ４２１ｃと受光部４２２のウインドウ４２２ｃとの配置は、ドロップレット２７１からの反射光を検出し得る配置であればよい。

イメージセンサ４１２ａのシャッタ開閉を制御するシャッタ信号は、ドロップレット出力計算制御部４３が出力するのではなく、画像取得制御部４１３が出力してもよい。

ドロップレット出力計算処理（図７、図１１、図１３）は、ターゲット残量管理処理（図６、図１５）の一環として実行されなくてもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、ターゲット生成制御部７４からの実行開始信号によらず、独自にドロップレット出力計算処理を実行してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲット生成制御部７４、温度制御部７１４、ドロップレット出力計算制御部４３、及び画像取得制御部４１３は、その一部又は全部を組み合わせて一体の制御部として構成されてもよい。

上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

例えば、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレットカウンタ部４２を、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１に適用してもよい。このとき、第３実施形態のドロップレット出力計算制御部４３が行うドロップレット出力計算処理は、第１実施形態のドロップレット出力計算処理（図７）を適用し得る。

第１〜第３実施形態のドロップレット形成機構７３は、コンティニュアスジェット方式を用いたが、第１実施形態の変形例で用いた静電引出し方式を用いてもよい。

第３実施形態の圧力調節機構７２を、第１及び第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１に適用してもよい。ターゲット２７の初期量Ｖ０が実測に基づいて求められるため、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓをより正確に算出し得る。

第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット画像計測部４１を用いて残量Ｖｒｅｓを計測するだけではなく、液面レベルセンサ８とも併用して残量Ｖｒｅｓを計測してもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ …ＥＵＶ光生成装置
２ …チャンバ
２６ …ターゲット供給部
２６１ …タンク
２７ …ターゲット
２７１ …ドロップレット
４１ …ドロップレット画像計測部
４１２ …撮像部
４２ …ドロップレットカウンタ部
４３ …ドロップレット出力計算制御部（controller）
４３１ …ドロップレット直径算出部
５ …ＥＵＶ光生成制御部（controller）
７ …ターゲット生成装置
７２ …圧力調節機構
７４ …ターゲット生成制御部（controller）
７４１ …ターゲット残量算出部
７４２ …ターゲット初期量算出部

Claims (3)

1. 内部にドロップレットが順次出力されるチャンバであって、
   前記出力された隣り合う２つのドロップレットの像が重なることのない撮像時間で、繰り返しドロップレットの撮像を行う撮像部を備え、
   前記ドロップレットの進行方向における前記２つのドロップレットの像の距離をｄとし前記ドロップレットの進行速度をｖとすると、
   前記撮像部の１回の撮像時間Δｔが、Δｔ＜ｄ／ｖであり、
   前記ドロップレットの進行方向における前記撮像部の撮像範囲の長さをＡとすると、
   前記撮像部の１回の撮像時間Δｔが、Δｔ＞（ｄ−Ａ）／ｖの関係を満たすように設定されるチャンバと、
   前記チャンバ内でレーザ光が照射されると極端紫外光を生成するターゲットを収容し、該ターゲットを前記ドロップレットとして前記チャンバ内へ出力するターゲット生成装置と、
   前記チャンバ内に出力され前記撮像部で撮像された前記ドロップレットの画像データを計測するドロップレット画像計測部と、
   前記画像データに基づいて前記ドロップレットの直径を算出するドロップレット直径算出部と、
   前記チャンバ内に出力された前記ドロップレットの出力積算量を前記直径に基づいて計算するドロップレット出力計算制御部と、
   前記ドロップレットを前記チャンバ内へ出力する前に前記ターゲット生成装置に収容された前記ターゲットの初期量と前記出力積算量とに基づいて、前記ターゲット生成装置に収容された前記ターゲットの残量を算出するターゲット残量算出部と、
   を備える極端紫外光生成装置。
2. 前記チャンバ内に出力された前記ドロップレットの個数をカウントするドロップレットカウンタ部を更に備え、
   前記ドロップレット出力計算制御部は、前記ドロップレットの個数と前記直径とに基づいて前記出力積算量を計算する
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記ターゲット生成装置は、
   前記ターゲットを収容するタンクと、
   前記タンク内へガスを給気すると共に前記タンク内の圧力を調節する圧力調節機構と、
   前記ターゲットが収容された前記タンク内に前記ガスが給気された後の該タンク内の圧力に基づいて前記初期量を算出するターゲット初期量算出部と、
   を備える
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。

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