JP6168797B2 - Extreme ultraviolet light generator - Google Patents

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Description

本開示は、極端紫外光（ＥＵＶ）生成装置のチャンバ及び極端紫外光生成装置に関する。   The present disclosure relates to an extreme ultraviolet light (EUV) generator chamber and an extreme ultraviolet light generator.

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。   In recent years, along with miniaturization of semiconductor processes, miniaturization of transfer patterns in optical lithography of semiconductor processes has been rapidly progressing. In the next generation, fine processing of 70 nm to 45 nm, and further fine processing of 32 nm or less will be required. Therefore, for example, an extreme ultraviolet (EUV) light generation device that generates extreme ultraviolet (EUV) light having a wavelength of about 13 nm and a reduced projection reflection optical system (Reduced Projection Reflective Optics) are provided in order to meet the demand for fine processing of 32 nm or less. Development of a combined exposure apparatus is expected.

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。   As the EUV light generation apparatus, an LPP (Laser Produced Plasma) apparatus using plasma generated by irradiating a target material with laser light, and a DPP (plasma generated plasma) using plasma generated by discharge. Three types of devices have been proposed: a Discharge Produced Plasma) device and an SR (Synchrotron Radiation) device using orbital radiation.

特表２００８−５３２２２８号公報Special table 2008-532228 gazette 米国特許出願公開第２０１２／０２９２５２７号明細書US Patent Application Publication No. 2012/0292527

概要Overview

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置のチャンバは、内部にドロップレットが順次出力されるチャンバであって、前記出力された隣り合う２つのドロップレットの像が重なることのない撮像時間で、繰り返しドロップレットの撮像を行う撮像部を備えてもよい。   The chamber of the extreme ultraviolet light generation device according to one aspect of the present disclosure is a chamber in which droplets are sequentially output, and the imaging time in which the images of the two adjacent droplets that are output do not overlap is provided. Thus, an imaging unit that repeatedly images a droplet may be provided.

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ターゲット生成装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す。 図３は、ターゲット生成装置の構成を示す。 図４は、ターゲット生成制御部のターゲット供給に係る処理を示すフローチャートである。 図５は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システムの構成を示す。 図６は、図５に示されたターゲット生成制御部のターゲット残量管理に係る処理を示すフローチャートである。 図７は、図５に示されたドロップレット出力計算制御部の処理を示すフローチャートである。 図８Ａは、図７に示されたドロップレットの直径を算出する処理を示すフローチャートである。 図８Ｂは、図５に示された撮像部で撮像されたドロップレットの画像を模式的に示す。 図９は、第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システムの構成を示す。 図１０は、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システムの構成を示す。 図１１は、図１０に示されたドロップレット出力計算制御部の処理を示すフローチャートである。 図１２Ａは、図１１に示されたドロップレットの直径及びドロップレットの生成周波数を算出する処理を示すフローチャートである。 図１２Ｂは、図１０に示されたドロップレット画像計測部で撮像されたドロップレットの画像を模式的に示す。 図１３は、第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット出力計算制御部の処理を示すフローチャートである。 図１４は、第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システムの構成を示す。 図１５は、図１４に示されたターゲット生成制御部の処理を示すフローチャートである。 図１６は、図１５に示されたターゲットの初期量を計測する処理を示すフローチャートである。 図１７は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図である。 図１８は、光センサの回路図である。 Several embodiments of the present disclosure are described below by way of example only and with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system. FIG. 2 shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a target generation apparatus. FIG. 3 shows a configuration of the target generation device. FIG. 4 is a flowchart showing processing related to target supply of the target generation control unit. FIG. 5 shows a configuration of a target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus according to the first embodiment. FIG. 6 is a flowchart showing processing relating to remaining target management of the target generation control unit shown in FIG. FIG. 7 is a flowchart showing processing of the droplet output calculation control unit shown in FIG. FIG. 8A is a flowchart showing a process for calculating the diameter of the droplet shown in FIG. FIG. 8B schematically illustrates an image of a droplet imaged by the imaging unit illustrated in FIG. 5. FIG. 9 shows a configuration of a target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus according to a modification of the first embodiment. FIG. 10 shows a configuration of a target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus according to the second embodiment. FIG. 11 is a flowchart showing processing of the droplet output calculation control unit shown in FIG. FIG. 12A is a flowchart showing a process for calculating the diameter of the droplet and the generation frequency of the droplet shown in FIG. FIG. 12B schematically illustrates an image of a droplet imaged by the droplet image measurement unit illustrated in FIG. 10. FIG. 13 is a flowchart illustrating a process of the droplet output calculation control unit provided in the EUV light generation apparatus according to the modification of the second embodiment. FIG. 14 shows a configuration of a target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus according to the third embodiment. FIG. 15 is a flowchart showing processing of the target generation control unit shown in FIG. FIG. 16 is a flowchart showing a process for measuring the initial amount of the target shown in FIG. FIG. 17 is a block diagram illustrating a hardware environment of each control unit. FIG. 18 is a circuit diagram of the optical sensor.

実施形態Embodiment

〜内容〜
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ターゲット生成装置を含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 課題
５．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
５．４ 第１実施形態の変形例
６．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
６．４ 第２実施形態の変形例
７．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用
８．その他
８．１ 各制御部のハードウェア環境
８．２ 光センサの電気回路
８．３ その他の変形例 ~ Contents ~
1. Outline 2. 2. Explanation of terms 3. Overview of EUV light generation system 3.1 Configuration 3.2 Operation 4. EUV light generation apparatus including target generation apparatus 4.1 Configuration 4.2 Operation 4.3 Problem 5. 5. Target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus according to the first embodiment 5.1 Configuration 5.2 Operation 5.3 Action 5.4 Modification of First Embodiment 6. Target remaining amount measurement system provided in EUV light generation apparatus of second embodiment 6.1 Configuration 6.2 Operation 6.3 Action 6.4 Modification of second embodiment 7. 7. Target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus of the third embodiment 7.1 Configuration 7.2 Operation 7.3 Operation 8. Others 8.1 Hardware environment of each control unit 8.2 Electric circuit of optical sensor 8.3 Other modifications

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. Embodiment described below shows some examples of this indication, and does not limit the contents of this indication. In addition, all the configurations and operations described in the embodiments are not necessarily essential as the configurations and operations of the present disclosure. In addition, the same referential mark is attached | subjected to the same component and the overlapping description is abbreviate | omitted.

［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。 [1. Overview]
The present disclosure may disclose at least the following embodiments.

本開示におけるＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、
内部にドロップレット２７１が順次出力されるチャンバ２であって、
出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が重なることのない撮像時間Δｔで、繰り返しドロップレット２７１の撮像を行う撮像部４１２を備えてもよい。
よって、本開示におけるＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、ドロップレット２７１の像が重ならないため、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１の直径Ｄを個別に計測し得る。 The chamber 2 of the EUV light generation apparatus 1 in the present disclosure is:
A chamber 2 in which droplets 271 are sequentially output,
An imaging unit 412 that repeatedly images the droplets 271 may be provided during the imaging time Δt in which the output images of the two adjacent droplets 271 do not overlap.
Therefore, the chamber 2 of the EUV light generation apparatus 1 according to the present disclosure can measure the diameter D of the droplet 271 actually output in the chamber 2 because the images of the droplet 271 do not overlap.

［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。 [2. Explanation of terms]
The “target” is an object to be irradiated with laser light introduced into the chamber. The target irradiated with the laser light is turned into plasma and emits EUV light.
A “droplet” is a form of target supplied into the chamber.

［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。 [3. Overview of EUV light generation system]
[3.1 Configuration]
FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
The EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3. In the present application, a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11. As shown in FIG. 1 and described in detail below, the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and a target supply unit 26. The chamber 2 may be sealable. The target supply unit 26 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example. The material of the target substance supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。   The wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole. A window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21. In the chamber 2, for example, an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed. The EUV collector mirror 23 may have first and second focal points. On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed. The EUV collector mirror 23 is preferably arranged such that, for example, the first focal point thereof is located in the plasma generation region 25 and the second focal point thereof is located at the intermediate focal point (IF) 292. A through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。   The EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation control unit 5, a target sensor 4, and the like. The target sensor 4 may have an imaging function and may be configured to detect the presence, trajectory, position, speed, and the like of the target 27.

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。   Further, the EUV light generation apparatus 1 may include a connection unit 29 that allows the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6 to communicate with each other. A wall 291 in which an aperture 293 is formed may be provided inside the connection portion 29. The wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。   Furthermore, the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like. The laser beam traveling direction control unit 34 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.

［３．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。 [3.2 Operation]
Referring to FIG. 1, the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 may pass through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enter the chamber 2. The pulse laser beam 32 may travel through the chamber 2 along at least one laser beam path, be reflected by the laser beam collector mirror 22, and be irradiated to the at least one target 27 as the pulse laser beam 33.

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。   The target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2. The target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33. The target 27 irradiated with the pulse laser beam is turned into plasma, and EUV light 251 can be emitted from the plasma along with the emission of light of other wavelengths. The EUV light 251 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 23. The EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6. A single target 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。   The EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11. The EUV light generation controller 5 may be configured to process image data of the target 27 imaged by the target sensor 4. In addition, the EUV light generation controller 5 may perform at least one of timing control for outputting the target 27 and control of the output direction of the target 27, for example. Further, the EUV light generation control unit 5 performs at least one of, for example, control of the oscillation timing of the laser device 3, control of the traveling direction of the pulse laser light 32, and control of the focusing position of the pulse laser light 33. Also good. The various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.

［４．ターゲット生成装置を含むＥＵＶ光生成装置］
［４．１ 構成］
図２を用いて、ターゲット生成装置７を含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。図３を用いて、ターゲット生成装置７の構成について説明する。
図２では、ＥＵＶ光２５２がＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６へ導出される方向をＺ軸とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。 [4. EUV light generation apparatus including target generation apparatus]
[4.1 Configuration]
The configuration of the EUV light generation apparatus 1 including the target generation apparatus 7 will be described with reference to FIG. The configuration of the target generation device 7 will be described with reference to FIG.
In FIG. 2, the direction in which the EUV light 252 is led out from the chamber 2 of the EUV light generation apparatus 1 to the exposure apparatus 6 is taken as the Z axis. The X axis and the Y axis are orthogonal to the Z axis and orthogonal to each other. The subsequent drawings are the same as the coordinate axes in FIG.

ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ２の中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向であってもよい。筒形状のチャンバ２の側面部には、チャンバ２外からチャンバ２内へターゲット２７を供給するためのターゲット供給孔２ａが設けられてもよい。チャンバ２が中空の球形状であれば、ターゲット供給孔２ａは、チャンバ２の壁面部であってウインドウ２１及び接続部２９の設置されていない位置に設けられてもよい。
チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光光学系２３ａと、ターゲット回収部２８と、プレート２２５及びプレート２３５とを備えてもよい。 The chamber 2 of the EUV light generation apparatus 1 may be formed in, for example, a hollow spherical shape or a cylindrical shape. The central axis direction of the cylindrical chamber 2 may be a direction in which the EUV light 252 is led out to the exposure apparatus 6. A target supply hole 2 a for supplying the target 27 from the outside of the chamber 2 to the inside of the chamber 2 may be provided on a side surface portion of the cylindrical chamber 2. If the chamber 2 has a hollow spherical shape, the target supply hole 2 a may be provided at a position on the wall surface of the chamber 2 where the window 21 and the connection portion 29 are not installed.
The chamber 2 may include a laser beam condensing optical system 22a, an EUV condensing optical system 23a, a target recovery unit 28, a plate 225, and a plate 235.

プレート２３５は、チャンバ２の内側面に固定されてもよい。プレート２３５の中央には、その厚さ方向にパルスレーザ光３３が通過可能な孔２３５ａが設けられてもよい。孔２３５ａの開口方向は、貫通孔２４（図１参照）及びプラズマ生成領域２５を通る軸と同一方向であってもよい。
プレート２３５の一方の面には、ＥＵＶ集光光学系２３ａが設けられてもよい。
プレート２３５の他方の面には、図示しない３軸ステージを介してプレート２２５が設けられてもよい。 The plate 235 may be fixed to the inner surface of the chamber 2. In the center of the plate 235, a hole 235a through which the pulse laser beam 33 can pass may be provided in the thickness direction. The opening direction of the hole 235a may be the same direction as the axis passing through the through hole 24 (see FIG. 1) and the plasma generation region 25.
The EUV condensing optical system 23 a may be provided on one surface of the plate 235.
A plate 225 may be provided on the other surface of the plate 235 via a three-axis stage (not shown).

プレート２３５の一方の面に設けられたＥＵＶ集光光学系２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３とホルダ２３１とを含んでもよい。
ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を保持してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、プレート２３５に固定されてもよい。 The EUV collector optical system 23 a provided on one surface of the plate 235 may include an EUV collector mirror 23 and a holder 231.
The holder 231 may hold the EUV collector mirror 23. The holder 231 that holds the EUV collector mirror 23 may be fixed to the plate 235.

プレート２３５の他方の面に設けられたプレート２２５は、３軸ステージによって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。
プレート２２５には、レーザ光集光光学系２２ａが設けられてもよい。 The position and posture of the plate 225 provided on the other surface of the plate 235 may be changeable by a three-axis stage.
The plate 225 may be provided with a laser beam condensing optical system 22a.

レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ホルダ２２３及びホルダ２２４とを含んでもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２を含んでもよい。 The laser beam focusing optical system 22a may include a laser beam focusing mirror 22, a holder 223, and a holder 224.
The laser beam condensing mirror 22 may include an off-axis parabolic mirror 221 and a flat mirror 222.

ホルダ２２３は、軸外放物面ミラー２２１を保持してもよい。軸外放物面ミラー２２１を保持するホルダ２２３は、プレート２２５に固定されてもよい。
ホルダ２２４は、平面ミラー２２２を保持してもよい。平面ミラー２２２を保持するホルダ２２４は、プレート２２５に固定されてもよい。 The holder 223 may hold the off-axis parabolic mirror 221. The holder 223 that holds the off-axis parabolic mirror 221 may be fixed to the plate 225.
The holder 224 may hold the plane mirror 222. The holder 224 that holds the plane mirror 222 may be fixed to the plate 225.

軸外放物面ミラー２２１は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１及び平面ミラー２２２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
平面ミラー２２２は、孔２３５ａ及び軸外放物面ミラー２２１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置及び姿勢は、プレート２２５の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２に入射したパルスレーザ光３２の反射光であるパルスレーザ光３３が、プラズマ生成領域２５で集光させるように実行され得る。 The off-axis parabolic mirror 221 may be disposed to face the window 21 and the plane mirror 222 provided on the bottom surface of the chamber 2.
The plane mirror 222 may be disposed to face the hole 235a and the off-axis paraboloid mirror 221.
The positions and postures of the off-axis paraboloid mirror 221 and the plane mirror 222 can be adjusted as the position and posture of the plate 225 are changed. The adjustment can be performed such that the pulse laser beam 33 that is the reflected light of the pulse laser beam 32 incident on the off-axis paraboloid mirror 221 and the plane mirror 222 is condensed in the plasma generation region 25.

ターゲット回収部２８は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。   The target recovery unit 28 may be disposed on an extension line in the direction in which the droplet 271 output into the chamber 2 travels.

また、チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット生成装置７とを備えてもよい。   In addition, a laser beam traveling direction control unit 34, an EUV light generation control unit 5, and a target generation device 7 may be provided outside the chamber 2.

レーザ光進行方向制御部３４は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１とレーザ装置３との間に設けられていてもよい。
レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２と、ホルダ３４３及びホルダ３４４とを含んでもよい。 The laser beam traveling direction control unit 34 may be provided between the window 21 provided on the bottom surface of the chamber 2 and the laser device 3.
The laser beam traveling direction control unit 34 may include a high reflection mirror 341 and a high reflection mirror 342, a holder 343, and a holder 344.

ホルダ３４３は、高反射ミラー３４１を保持してもよい。ホルダ３４４は、高反射ミラー３４２を保持してもよい。
ホルダ３４３及びホルダ３４４は、図示しないアクチュエータによって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。 The holder 343 may hold the high reflection mirror 341. The holder 344 may hold the high reflection mirror 342.
The position and orientation of the holder 343 and the holder 344 may be changeable by an actuator (not shown).

高反射ミラー３４１は、パルスレーザ光３１が出射されるレーザ装置３の出射口及び高反射ミラー３４２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４２は、チャンバ２のウインドウ２１及び高反射ミラー３４１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２の位置及び姿勢は、ホルダ３４３及びホルダ３４４の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２に入射したパルスレーザ光３１の反射光であるパルスレーザ光３２が、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過するように実行され得る。 The high reflection mirror 341 may be disposed to face the exit of the laser device 3 from which the pulse laser beam 31 is emitted and the high reflection mirror 342, respectively.
The high reflection mirror 342 may be disposed to face the window 21 and the high reflection mirror 341 of the chamber 2.
The positions and postures of the high reflection mirror 341 and the high reflection mirror 342 can be adjusted as the positions and postures of the holder 343 and the holder 344 are changed. The adjustment can be performed such that the pulse laser beam 32 that is the reflected light of the pulse laser beam 31 incident on the high reflection mirror 341 and the high reflection mirror 342 passes through the window 21 provided on the bottom surface of the chamber 2. .

ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３との間で制御信号の送受を行い、レーザ装置３の動作を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光光学系２２ａのそれぞれのアクチュエータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１〜３３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成装置７の後述するターゲット生成制御部７４との間で制御信号の送受を行い、ターゲット生成装置７の動作を制御してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図１７を用いて後述する。 The EUV light generation controller 5 may control the operation of the laser device 3 by transmitting and receiving a control signal to and from the laser device 3.
The EUV light generation control unit 5 may transmit and receive control signals to and from the respective actuators of the laser beam traveling direction control unit 34 and the laser beam focusing optical system 22a. Thereby, the EUV light generation control unit 5 may adjust the traveling direction and the condensing position of the pulse laser beams 31 to 33.
The EUV light generation control unit 5 may control the operation of the target generation device 7 by transmitting and receiving a control signal to and from a target generation control unit 74 described later of the target generation device 7.
The hardware configuration of the EUV light generation control unit 5 will be described later with reference to FIG.

ターゲット生成装置７は、チャンバ２の側面側に設けられていてもよい。
ターゲット生成装置７は、ターゲット供給部２６と、温度調節機構７１と、圧力調節機構７２と、ドロップレット形成機構７３と、ターゲット生成制御部７４とを備えてもよい。 The target generation device 7 may be provided on the side surface side of the chamber 2.
The target generation device 7 may include a target supply unit 26, a temperature adjustment mechanism 71, a pressure adjustment mechanism 72, a droplet formation mechanism 73, and a target generation control unit 74.

ターゲット供給部２６は、タンク２６１と、ノズル２６２とを含んでもよい。
タンク２６１は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク２６１の内部には、ターゲット２７が収容されてもよい。
ターゲット２７を収容するタンク２６１の少なくとも内部は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。ターゲット２７と反応し難い材料は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。 The target supply unit 26 may include a tank 261 and a nozzle 262.
The tank 261 may be formed in a hollow cylindrical shape. A target 27 may be accommodated in the hollow tank 261.
At least the inside of the tank 261 that accommodates the target 27 may be made of a material that does not easily react with the target 27. The material that hardly reacts with the target 27 may be, for example, any one of SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , molybdenum, tungsten, and tantalum.

ノズル２６２は、筒形状のタンク２６１の底面部に設けられていてもよい。ノズル２６２は、チャンバ２のターゲット供給孔２ａを通してチャンバ２の内部に配置されてもよい。ターゲット供給孔２ａは、ターゲット供給部２６が設置されることで塞がれ得る。それにより、チャンバ２の内部は大気と隔絶され得る。
ノズル２６２の内部は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。 The nozzle 262 may be provided on the bottom surface of the cylindrical tank 261. The nozzle 262 may be disposed inside the chamber 2 through the target supply hole 2 a of the chamber 2. The target supply hole 2a can be blocked by installing the target supply unit 26. Thereby, the inside of the chamber 2 can be isolated from the atmosphere.
The inside of the nozzle 262 may be made of a material that hardly reacts with the target 27.

パイプ状のノズル２６２の一端は、中空のタンク２６１に固定されてもよい。パイプ状のノズル２６２の他端には、図３に示すように、ノズル孔２６２ａが設けられていてもよい。ノズル２６２の一端側にあるタンク２６１がチャンバ２の外部に位置し、ノズル２６２の他端側にあるノズル孔２６２ａがチャンバ２の内部に位置してもよい。ノズル２６２の中心軸方向の延長線上には、チャンバ２の内部にあるプラズマ生成領域２５が位置してもよい。タンク２６１、ノズル２６２、及びチャンバ２は、その内部が互いに連通してもよい。
ノズル孔２６２ａは、溶融したターゲット２７をチャンバ２内へジェット状に噴出するような形状で形成されてもよい。 One end of the pipe-shaped nozzle 262 may be fixed to the hollow tank 261. As shown in FIG. 3, a nozzle hole 262a may be provided at the other end of the pipe-shaped nozzle 262. The tank 261 on one end side of the nozzle 262 may be located outside the chamber 2, and the nozzle hole 262 a on the other end side of the nozzle 262 may be located inside the chamber 2. A plasma generation region 25 inside the chamber 2 may be positioned on an extension line in the central axis direction of the nozzle 262. The tank 261, the nozzle 262, and the chamber 2 may communicate with each other.
The nozzle hole 262a may be formed in such a shape that the molten target 27 is ejected into the chamber 2 in a jet form.

温度調節機構７１は、タンク２６１の温度を調節してもよい。
温度調節機構７１は、図３に示すように、ヒータ７１１と、ヒータ電源７１２と、温度センサ７１３と、温度制御部７１４とを含んでもよい。 The temperature adjustment mechanism 71 may adjust the temperature of the tank 261.
As shown in FIG. 3, the temperature adjustment mechanism 71 may include a heater 711, a heater power supply 712, a temperature sensor 713, and a temperature control unit 714.

ヒータ７１１は、筒形状のタンク２６１の外側側面部に固定されてもよい。タンク２６１に固定されたヒータ７１１は、タンク２６１を加熱してもよい。タンク２６１を加熱するヒータ７１１は、ヒータ電源７１２と接続されてもよい。
ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１に電力を供給してもよい。ヒータ７１１に電力を供給するヒータ電源７１２は、温度制御部７１４と接続されてもよい。ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１への電力供給を温度制御部７１４によって制御されてもよい。 The heater 711 may be fixed to the outer side surface portion of the cylindrical tank 261. The heater 711 fixed to the tank 261 may heat the tank 261. A heater 711 that heats the tank 261 may be connected to a heater power source 712.
The heater power supply 712 may supply power to the heater 711. A heater power supply 712 that supplies power to the heater 711 may be connected to the temperature control unit 714. The heater power supply 712 may be controlled by the temperature control unit 714 to supply power to the heater 711.

温度センサ７１３は、筒形状のタンク２６１の外側側面部であって、ノズル２６２付近に固定されてもよい。タンク２６１に固定された温度センサ７１３は、温度制御部７１４と接続されてもよい。温度センサ７１３は、タンク２６１の温度を検出し、検出信号を温度制御部７１４に出力してもよい。   The temperature sensor 713 may be an outer side surface portion of the cylindrical tank 261 and may be fixed near the nozzle 262. The temperature sensor 713 fixed to the tank 261 may be connected to the temperature control unit 714. The temperature sensor 713 may detect the temperature of the tank 261 and output a detection signal to the temperature control unit 714.

温度制御部７１４は、温度センサ７１３から出力された検出信号に基づいて、ヒータ電源７１２からヒータ７１１へ供給する電力を調節してもよい。温度制御部７１４は、ヒータ７１１への供給電力を調節することによって、タンク２６１の加熱状態を制御してもよい。
温度制御部７１４は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。
なお、温度制御部７１４のハードウェア構成については、図１７を用いて後述する。 The temperature control unit 714 may adjust the power supplied from the heater power supply 712 to the heater 711 based on the detection signal output from the temperature sensor 713. The temperature control unit 714 may control the heating state of the tank 261 by adjusting the power supplied to the heater 711.
The temperature control unit 714 may be connected to the target generation control unit 74.
The hardware configuration of the temperature control unit 714 will be described later with reference to FIG.

上記構成によって温度調節機構７１は、ターゲット生成制御部７４の制御信号に基づいてタンク２６１の温度を調節し得る。   With the above configuration, the temperature adjustment mechanism 71 can adjust the temperature of the tank 261 based on the control signal of the target generation control unit 74.

圧力調節機構７２は、タンク２６１内へ導入するガス圧を加減することで、タンク２６１内の圧力を調節してもよい。
圧力調節機構７２は、図３に示すように、圧力調節器７２１と、配管７２２とを含んでもよい。 The pressure adjustment mechanism 72 may adjust the pressure in the tank 261 by adjusting the gas pressure introduced into the tank 261.
As shown in FIG. 3, the pressure adjustment mechanism 72 may include a pressure regulator 721 and a pipe 722.

圧力調節器７２１は、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２とは逆側に配管７２２を介して設けられてもよい。
圧力調節器７２１は、給気及び排気用の電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。 圧力調節器７２１は、ターゲット生成装置７の外部にあるガスボンベ９に連結されてもよい。ガスボンベ９に充填されたガスは、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスであってもよい。ガスボンベ９に連結された圧力調節器７２１は、配管７２２を介してタンク２６１内に不活性ガスを給気してもよい。
圧力調節器７２１は、図示しない排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器７２１は、排気ポンプを動作させて、配管７２２を介してタンク２６１内のガスを排気してもよい。
圧力調節器７２１は、タンク２６１内にガスを給気又は排気することによって、タンク２６１内の圧力を加圧又は減圧し得る。タンク２６１内の圧力を加圧又は減圧する圧力調節器７２１は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。 The pressure regulator 721 may be provided on the bottom surface of the cylindrical tank 261 on the opposite side to the nozzle 262 via a pipe 722.
The pressure regulator 721 may include an air supply and exhaust solenoid valve, a pressure sensor, and the like. The pressure regulator 721 may be connected to a gas cylinder 9 outside the target generation device 7. The gas filled in the gas cylinder 9 may be an inert gas such as helium or argon. The pressure regulator 721 connected to the gas cylinder 9 may supply an inert gas into the tank 261 via the pipe 722.
The pressure regulator 721 may be connected to an exhaust pump (not shown). The pressure regulator 721 may exhaust the gas in the tank 261 via the pipe 722 by operating an exhaust pump.
The pressure regulator 721 can increase or decrease the pressure in the tank 261 by supplying or exhausting gas into the tank 261. A pressure regulator 721 that increases or decreases the pressure in the tank 261 may be connected to the target generation control unit 74.

上記構成によって圧力調節機構７２は、ターゲット生成制御部７４の制御信号に基づいてタンク２６１内の圧力を調節し得る。   With the above configuration, the pressure adjustment mechanism 72 can adjust the pressure in the tank 261 based on the control signal of the target generation control unit 74.

ドロップレット形成機構７３は、ノズル２６２からジェット状に噴出する溶融ターゲット２７の流れを周期的に分断し、ドロップレット２７１を形成してもよい。
ドロップレット形成機構７３は、例えばコンティニュアスジェット方式によりドロップレット２７１を形成してもよい。コンティニュアスジェット方式では、ノズル２６２を振動させて定在波を与え、ノズル孔２６２ａから噴出した溶融ターゲット２７を周期的に分離してもよい。分離された溶融ターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。
ドロップレット形成機構７３は、図３に示すように、ピエゾ素子７３１と、ピエゾ電源７３２とを含んでもよい。 The droplet forming mechanism 73 may periodically divide the flow of the melt target 27 ejected in a jet form from the nozzle 262 to form the droplet 271.
The droplet forming mechanism 73 may form the droplet 271 by, for example, a continuous jet method. In the continuous jet method, the nozzle 262 is vibrated to give a standing wave, and the molten target 27 ejected from the nozzle hole 262a may be periodically separated. The separated melt target 27 can form a free interface by its surface tension to form a droplet 271.
The droplet forming mechanism 73 may include a piezo element 731 and a piezo power source 732 as shown in FIG.

ピエゾ素子７３１は、パイプ状のノズル２６２の外側側面部に固定されてもよい。ノズル２６２に固定されたピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与えてもよい。
ノズル２６２に振動を与えるピエゾ素子７３１は、ピエゾ電源７３２と接続されてもよい。
ピエゾ電源７３２は、ピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。ピエゾ素子７３１に電力を供給するピエゾ電源７３２は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。 The piezo element 731 may be fixed to the outer side surface portion of the pipe-shaped nozzle 262. The piezo element 731 fixed to the nozzle 262 may give vibration to the nozzle 262.
The piezo element 731 that vibrates the nozzle 262 may be connected to the piezo power source 732.
The piezo power source 732 may supply power to the piezo element 731. A piezo power source 732 that supplies power to the piezo element 731 may be connected to the target generation control unit 74.

上記構成によってドロップレット形成機構７３は、ターゲット生成制御部７４の制御信号に基づいてドロップレット２７１を形成し得る。   With the above configuration, the droplet forming mechanism 73 can form the droplet 271 based on the control signal of the target generation control unit 74.

ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５との間で制御信号の送受を行い、ターゲット生成装置７全体の動作を統括制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、温度制御部７１４に制御信号を出力して、温度制御部７１４を含む温度調節機構７１の動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、圧力調節器７２１に制御信号を出力して、圧力調節器７２１を含む圧力調節機構７２の動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ピエゾ電源７３２に制御信号を出力して、ピエゾ電源７３２を含むドロップレット形成機構７３の動作を制御してもよい。
なお、ターゲット生成制御部７４のハードウェア構成については、図１７を用いて後述する。 The target generation control unit 74 may transmit and receive control signals to and from the EUV light generation control unit 5 and control the overall operation of the target generation device 7.
The target generation control unit 74 may output a control signal to the temperature control unit 714 to control the operation of the temperature adjustment mechanism 71 including the temperature control unit 714.
The target generation control unit 74 may output a control signal to the pressure regulator 721 to control the operation of the pressure regulation mechanism 72 including the pressure regulator 721.
The target generation control unit 74 may output a control signal to the piezo power source 732 and control the operation of the droplet forming mechanism 73 including the piezo power source 732.
The hardware configuration of the target generation control unit 74 will be described later with reference to FIG.

［４．２ 動作］
図４を用いて、ターゲット生成装置７の動作について説明する。具体的には、図２〜図４を用いて、ターゲット生成制御部７４のターゲット供給に係る処理について説明する。
ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたターゲット生成装置７の起動信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。 [4.2 Operation]
The operation of the target generation device 7 will be described with reference to FIG. Specifically, processing related to target supply of the target generation control unit 74 will be described with reference to FIGS.
When the activation signal of the target generation device 7 output from the EUV light generation control unit 5 is input, the target generation control unit 74 may perform the following processing.

ステップＳ１において、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成装置７の初期設定を行ってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成装置７の各構成部を起動し、各構成部の動作チェックを行ってもよい。そして、ターゲット生成制御部７４は、各構成部を初期化して初期設定値を設定してもよい。 In step S <b> 1, the target generation control unit 74 may perform initial setting of the target generation device 7.
The target generation control unit 74 may activate each component of the target generation device 7 and check the operation of each component. Then, the target generation control unit 74 may initialize each component and set an initial setting value.

特に、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１内の圧力が真空状態に近い値（例えば、１ｈＰａ）となるように、圧力調節器７２１の初期圧力設定値を設定してもよい。
タンク２６１内のターゲット２７と反応しやすいガスは、ターゲット２７が溶融する前に排気され得る。ガスボンベ９から不活性ガスを給気し得る。 In particular, the target generation control unit 74 may set the initial pressure setting value of the pressure regulator 721 so that the pressure in the tank 261 becomes a value close to a vacuum state (for example, 1 hPa).
The gas that easily reacts with the target 27 in the tank 261 can be exhausted before the target 27 is melted. An inert gas can be supplied from the gas cylinder 9.

更に、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の温度がターゲット２７の融点以上の値となるように、温度制御部７１４を介してヒータ７１１の初期温度設定値を設定してもよい。ターゲット２７がスズであれば、ヒータ７１１の初期温度設定値は、例えば２３２℃以上３００℃未満の温度であってもよい。或いは、ヒータ７１１の初期温度設定値は、３００℃以上の温度であってもよい。
タンク２６１に収容されたターゲット２７は、その融点以上に加熱され得る。加熱されたターゲット２７は、溶融し得る。 Further, the target generation control unit 74 may set an initial temperature setting value of the heater 711 via the temperature control unit 714 so that the temperature of the target 27 becomes equal to or higher than the melting point of the target 27. If the target 27 is tin, the initial temperature setting value of the heater 711 may be a temperature of 232 ° C. or higher and lower than 300 ° C., for example. Alternatively, the initial temperature setting value of the heater 711 may be a temperature of 300 ° C. or higher.
The target 27 accommodated in the tank 261 can be heated above its melting point. The heated target 27 can be melted.

ステップＳ２において、ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５よりターゲット生成信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ターゲット生成信号は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５へのターゲット供給をターゲット生成装置７に実行させるための制御信号であってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成信号が入力されるまで待機してもよい。ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の温度がターゲット２７の融点以上の所定範囲内で維持されるように、ヒータ７１１による加熱を継続して制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成信号が入力されたならばステップＳ３に移行してもよい。 In step S <b> 2, the target generation control unit 74 may determine whether a target generation signal is input from the EUV light generation control unit 5.
The target generation signal may be a control signal for causing the target generation apparatus 7 to execute target supply to the plasma generation region 25 in the chamber 2.
The target generation control unit 74 may wait until a target generation signal is input. The target generation control unit 74 may continuously control the heating by the heater 711 so that the temperature of the target 27 is maintained within a predetermined range equal to or higher than the melting point of the target 27.
If the target generation signal is input, the target generation control unit 74 may proceed to step S3.

ステップＳ３において、ターゲット生成制御部７４は、温度制御部７１４を介してタンク２６１の温度を確認してもよい。ターゲット生成制御部７４は、温度制御部７１４を介して温度設定値を適宜修正し、ヒータ７１１による加熱を制御してもよい。   In step S <b> 3, the target generation control unit 74 may check the temperature of the tank 261 via the temperature control unit 714. The target generation control unit 74 may appropriately correct the temperature setting value via the temperature control unit 714 and control heating by the heater 711.

ステップＳ４において、ターゲット生成制御部７４は、ピエゾ電源７３２を介してピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。
ピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与え得る。ノズル孔２６２ａから溶融ターゲット２７が噴出されていれば、ノズル２６２の振動によって溶融ターゲット２７が分離されて、ドロップレット２７１が形成され得る。
なお、ターゲット生成制御部７４は、ピエゾ電源７３２からピエゾ素子７３１への電力供給を所定周波数で行ってもよい。この所定周波数は、ノズル孔２６２ａから噴出される溶融ターゲット２７が周期的に分離されるような周波数であってもよい。 In step S <b> 4, the target generation control unit 74 may supply power to the piezo element 731 via the piezo power source 732.
The piezo element 731 can give vibration to the nozzle 262. If the melting target 27 is ejected from the nozzle hole 262a, the melting target 27 is separated by the vibration of the nozzle 262, and the droplet 271 can be formed.
Note that the target generation control unit 74 may supply power from the piezoelectric power source 732 to the piezoelectric element 731 at a predetermined frequency. The predetermined frequency may be a frequency at which the melt target 27 ejected from the nozzle hole 262a is periodically separated.

ステップＳ５において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１内の圧力がターゲット供給可能な圧力となる圧力設定値を圧力調節器７２１に設定してもよい。圧力調節器７２１は、設定された圧力設定値となるようにタンク２６１内の圧力を制御してもよい。 ターゲット供給可能な圧力は、溶融ターゲット２７が一定量でノズル孔２６２ａから噴出すると共に、プラズマ生成領域２５に所定速度で到達するような圧力であってもよい。
タンク２６１に収容された溶融ターゲット２７は加圧され得る。加圧された溶融ターゲット２７は、タンク２６１からノズル２６２に向かって流れ、ノズル孔２６２ａから一定量で噴出され得る。一定量で噴出された溶融ターゲット２７は、ピエゾ素子７３１から一定周期で振動が与えられ、一定周期で均一なドロップレット２７１が形成され得る。形成されたドロップレット２７１は、チャンバ２内へ出力され、プラズマ生成領域２５に所定速度で到達し得る。 In step S <b> 5, the target generation control unit 74 may set a pressure setting value at which the pressure in the tank 261 becomes a pressure at which the target can be supplied to the pressure regulator 721. The pressure regulator 721 may control the pressure in the tank 261 so that the set pressure setting value is obtained. The pressure at which the target can be supplied may be a pressure such that the molten target 27 is ejected from the nozzle hole 262a in a constant amount and reaches the plasma generation region 25 at a predetermined speed.
The melting target 27 accommodated in the tank 261 can be pressurized. The pressurized molten target 27 can flow from the tank 261 toward the nozzle 262, and can be ejected from the nozzle hole 262a in a certain amount. The molten target 27 ejected in a certain amount is vibrated at a constant cycle from the piezo element 731, and a uniform droplet 271 can be formed at a constant cycle. The formed droplets 271 are output into the chamber 2 and can reach the plasma generation region 25 at a predetermined speed.

ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するのに同期してパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５を照射するように、レーザ装置３におけるパルスレーザ光３１の出射タイミングを制御してもよい。
プラズマ生成領域２５に照射されたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１を照射し得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１は、プラズマ化されＥＵＶ光２５１を生成し得る。 The EUV light generation controller 5 emits the pulse laser beam 31 in the laser device 3 so that the pulse laser beam 33 irradiates the plasma generation region 25 in synchronization with the droplet 271 reaching the plasma generation region 25. May be controlled.
The pulse laser beam 33 irradiated to the plasma generation region 25 can irradiate the droplet 271 that has reached the plasma generation region 25. The droplets 271 irradiated with the pulse laser beam 33 can be converted into plasma to generate EUV light 251.

ステップＳ６において、ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５よりターゲット生成停止信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ターゲット生成停止信号は、プラズマ生成領域２５へのターゲット供給をターゲット生成装置７に停止させるための制御信号であってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成停止信号が入力されなければ、ステップＳ３に移行してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成停止信号が入力されれば、本処理を終了してもよい。 In step S <b> 6, the target generation control unit 74 may determine whether a target generation stop signal is input from the EUV light generation control unit 5.
The target generation stop signal may be a control signal for causing the target generation apparatus 7 to stop target supply to the plasma generation region 25.
If the target generation stop signal is not input, the target generation control unit 74 may move to step S3. On the other hand, the target generation control unit 74 may end this process if a target generation stop signal is input.

［４．３ 課題］
ＥＵＶ光生成装置１は、複数のドロップレット２７１をチャンバ２内に出力し得る。この複数のドロップレット２７１は、それぞれが均一な大きさであることが望ましい。
ターゲット生成装置７からチャンバ２内にドロップレット２７１が出力される周期（以下、ドロップレット２７１の「生成周期」ともいう。）は、例えば１０μｓ程度と、非常に短くてもよい。ドロップレット２７１の大きさは、例えば直径２０μｍ程度と、非常に小さくてもよい。
よって、チャンバ２内に出力された複数のドロップレット２７１が、それぞれ均一な大きさであるかを正確に計測する技術が望まれている。
チャンバ２内に出力されるドロップレット２７１の大きさを、高精度で計測し得る技術を提供することが望ましい。 [4.3 Issues]
The EUV light generation apparatus 1 can output a plurality of droplets 271 into the chamber 2. It is desirable that each of the plurality of droplets 271 has a uniform size.
The cycle in which the droplets 271 are output from the target generation device 7 into the chamber 2 (hereinafter also referred to as “the generation cycle” of the droplets 271) may be very short, for example, about 10 μs. The size of the droplet 271 may be very small, for example, about 20 μm in diameter.
Therefore, a technique for accurately measuring whether or not the plurality of droplets 271 output into the chamber 2 have a uniform size is desired.
It is desirable to provide a technique capable of measuring the size of the droplet 271 output into the chamber 2 with high accuracy.

また、ＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１がチャンバ２内に出力されると、タンク２６１内に収容されたターゲット２７の残量は減少し得る。このタンク２６１内に収容されたターゲット２７の残量は、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中でもリアルタイムで正確に計測され得ることが望ましい。ターゲット２７の残量をリアルタイムで正確に計測できないと、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中にターゲット２７の供給が突如停止する事態を招き得る。   In addition, when the droplet 271 is output into the chamber 2, the EUV light generation apparatus 1 can reduce the remaining amount of the target 27 accommodated in the tank 261. It is desirable that the remaining amount of the target 27 accommodated in the tank 261 can be accurately measured in real time even while the EUV light generation apparatus 1 is in operation. If the remaining amount of the target 27 cannot be accurately measured in real time, the supply of the target 27 may suddenly stop during operation of the EUV light generation apparatus 1.

タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量は、図３に示すように、タンク２６１に液面レベルセンサ８を設けて計測し得る。
ＥＵＶ光生成装置１の稼働中、タンク２６１内に収容されたターゲット２７は溶融し得る。このため、溶融ターゲット２７は、液面レベルセンサ８を構成する金属材料と反応し得る。液面レベルセンサ８と反応した溶融ターゲット２７は、固体の不純物を生成し、ノズル２６２を詰まらせ得る。
液面レベルセンサ８を溶融ターゲット２７と反応し難い材料で構成したとしても、溶融ターゲット２７の液面が液面レベルセンサ８より下面となれば、当該ターゲット２７の残量を正確に計測することは困難であり得る。
よって、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量をＥＵＶ光生成装置１の稼働中でもリアルタイムで正確に計測する技術が望まれている。
タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量を、高精度で計測し得る技術を提供することが望ましい。 The remaining amount of the target 27 accommodated in the tank 261 can be measured by providing the liquid level sensor 8 in the tank 261 as shown in FIG.
During the operation of the EUV light generation apparatus 1, the target 27 accommodated in the tank 261 can be melted. For this reason, the melting target 27 can react with the metal material constituting the liquid level sensor 8. The molten target 27 that has reacted with the liquid level sensor 8 can produce solid impurities and clog the nozzle 262.
Even if the liquid level sensor 8 is made of a material that does not easily react with the molten target 27, the remaining amount of the target 27 can be accurately measured if the liquid level of the molten target 27 is lower than the liquid level sensor 8. Can be difficult.
Therefore, a technique for accurately measuring the remaining amount of the target 27 accommodated in the tank 261 in real time even while the EUV light generation apparatus 1 is in operation is desired.
It is desirable to provide a technique capable of measuring the remaining amount of the target 27 accommodated in the tank 261 with high accuracy.

［５．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム］
［５．１ 構成］
図５を用いて、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成について説明する。
第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムは、ターゲット生成装置７と、ドロップレット画像計測部４１と、ドロップレットカウンタ部４２と、ドロップレット出力計算制御部４３とを備えてもよい。 [5. Target remaining amount measurement system provided in EUV light generation apparatus of first embodiment]
[5.1 Configuration]
The configuration of the target remaining amount measuring system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG.
The target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment includes a target generation apparatus 7, a droplet image measurement unit 41, a droplet counter unit 42, and a droplet output calculation control unit 43. You may prepare.

ドロップレット画像計測部４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の画像データを計測してもよい。
ドロップレット画像計測部４１は、チャンバ２に設けられてもよい。
ドロップレット画像計測部４１は、光源部４１１と、撮像部４１２と、画像取得制御部４１３とを備えてもよい。
光源部４１１と撮像部４１２とは、チャンバ２内に出力されたターゲット２７の進行経路であるターゲット進行経路２７２を挟んで互いに対向配置されてもよい。
光源部４１１と撮像部４１２との対向方向は、ターゲット進行経路２７２と直交してもよい。 The droplet image measurement unit 41 may measure the image data of the droplet 271 output into the chamber 2.
The droplet image measurement unit 41 may be provided in the chamber 2.
The droplet image measurement unit 41 may include a light source unit 411, an imaging unit 412, and an image acquisition control unit 413.
The light source unit 411 and the imaging unit 412 may be disposed to face each other across a target travel path 272 that is a travel path of the target 27 output into the chamber 2.
The facing direction of the light source unit 411 and the imaging unit 412 may be orthogonal to the target travel path 272.

光源部４１１は、ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１にパルス光を照射してもよい。
光源部４１１は、光源４１１ａと、照明光学系４１１ｂと、ウインドウ４１１ｃとを含んでもよい。 The light source unit 411 may irradiate the droplet 271 traveling on the target traveling path 272 with pulsed light.
The light source unit 411 may include a light source 411a, an illumination optical system 411b, and a window 411c.

光源４１１ａは、例えば、キセノンフラッシュランプ等のパルス点灯する光源であってもよい。
光源４１１ａの点灯を開始させてから終了させるまでの時間を、「点灯時間Δτ」ともいう。光源４１１ａの点灯時間Δτは、ドロップレット２７１の生成周期（例えば１０μｓ程度）よりも十分に短くてもよい。光源４１１ａの点灯時間Δτは、例えば１０ｎｓ〜１００ｎｓであってもよい。
光源４１１ａは、ドロップレット出力計算制御部４３と接続されてもよい。光源４１１ａは、ドロップレット出力計算制御部４３からの点灯信号に基づいてパルス点灯して、パルス光を発光してもよい。 The light source 411a may be a pulsed light source such as a xenon flash lamp.
The time from the start of lighting of the light source 411a to the end thereof is also referred to as “lighting time Δτ”. The lighting time Δτ of the light source 411a may be sufficiently shorter than the generation period of the droplets 271 (for example, about 10 μs). The lighting time Δτ of the light source 411a may be, for example, 10 ns to 100 ns.
The light source 411a may be connected to the droplet output calculation control unit 43. The light source 411a may emit a pulsed light by performing pulse lighting based on a lighting signal from the droplet output calculation control unit 43.

照明光学系４１１ｂは、コリメータ等の光学系であってよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。照明光学系４１１ｂは、光源４１１ａから発光されたパルス光を、ウインドウ４１１ｃを介してターゲット進行経路２７２上に導いてもよい。   The illumination optical system 411b may be an optical system such as a collimator, and may be configured by an optical element such as a lens. The illumination optical system 411b may guide the pulsed light emitted from the light source 411a onto the target travel path 272 via the window 411c.

上記構成によって光源部４１１は、ドロップレット出力計算制御部４３の点灯信号に基づいてパルス光をターゲット進行経路２７２に向かって照射し得る。ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１が、光源部４１１と撮像部４１２との間を進行すると、光源部４１１から照射されたパルス光が、当該ドロップレット２７１を照射し得る。   With the above configuration, the light source unit 411 can irradiate the pulsed light toward the target traveling path 272 based on the lighting signal from the droplet output calculation control unit 43. When the droplet 271 traveling on the target traveling path 272 travels between the light source unit 411 and the imaging unit 412, the pulsed light emitted from the light source unit 411 can irradiate the droplet 271.

撮像部４１２は、光源部４１１によってパルス光が照射されたドロップレット２７１の影を撮像してもよい。
撮像部４１２は、イメージセンサ４１２ａと、転写光学系４１２ｂと、ウインドウ４１２ｃとを含んでもよい。 The imaging unit 412 may image the shadow of the droplet 271 irradiated with the pulsed light by the light source unit 411.
The imaging unit 412 may include an image sensor 412a, a transfer optical system 412b, and a window 412c.

転写光学系４１２ｂは、一対のレンズ等の光学素子であってもよい。このレンズは、シリンドリカルレンズであってもよい。転写光学系４１２ｂは、ウインドウ４１２ｃを介して導かれたドロップレット２７１の影を、イメージセンサ４１２ａの受光面に結像してもよい。   The transfer optical system 412b may be an optical element such as a pair of lenses. This lens may be a cylindrical lens. The transfer optical system 412b may image the shadow of the droplet 271 guided through the window 412c on the light receiving surface of the image sensor 412a.

イメージセンサ４１２ａは、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の２次元イメージセンサであってもよい。イメージセンサ４１２ａは、転写光学系４１２ｂによって結像されたドロップレット２７１の影の像を、撮像してもよい。イメージセンサ４１２ａの時間的な撮像間隔（以下、ドロップレット画像計測部４１の「計測間隔Ｋ」ともいう）は、光源４１１ａの点灯時間Δτよりも十分に長くてもよい。例えば０．１ｓ〜１ｓであってもよい。   The image sensor 412a may be a two-dimensional image sensor such as a CCD (Charge-Coupled Device) or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). The image sensor 412a may capture a shadow image of the droplet 271 formed by the transfer optical system 412b. The temporal imaging interval of the image sensor 412a (hereinafter also referred to as “measurement interval K” of the droplet image measurement unit 41) may be sufficiently longer than the lighting time Δτ of the light source 411a. For example, it may be 0.1 s to 1 s.

イメージセンサ４１２ａは、ドロップレット出力計算制御部４３と接続されてもよい。イメージセンサ４１２ａは、ドロップレット出力計算制御部４３からのシャッタ信号に基づいてシャッタを開閉して、ドロップレット２７１の影の像を撮像してもよい。イメージセンサ４１２ａは、シャッタが開いている間のみ撮像するようにしてもよい。シャッタは、電気的シャッタであっても機械的シャッタであってもよい。
イメージセンサ４１２ａの１回の撮像においてシャッタが開いてから閉じるまでに要する時間を、１回の「撮像時間Δｔ」ともいう。 The image sensor 412a may be connected to the droplet output calculation control unit 43. The image sensor 412a may open and close the shutter based on the shutter signal from the droplet output calculation control unit 43 to capture a shadow image of the droplet 271. The image sensor 412a may capture an image only while the shutter is open. The shutter may be an electrical shutter or a mechanical shutter.
The time required for the image sensor 412a to take a single image after the shutter is opened and closed is also referred to as one “imaging time Δt”.

イメージセンサ４１２ａは、画像取得制御部４１３と接続されてもよい。イメージセンサ４１２ａは、撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像信号を、１回の撮像毎に画像取得制御部４１３に出力してもよい。   The image sensor 412a may be connected to the image acquisition control unit 413. The image sensor 412a may output an image signal related to the shadow image of the captured droplet 271 to the image acquisition control unit 413 for each imaging.

上記構成によって撮像部４１２は、ドロップレット出力計算制御部４３のシャッタ信号に基づいてパルス光が照射されたドロップレット２７１の影を撮像し得る。撮像部４１２は、撮像したドロップレット２７１の影の画像信号を画像取得制御部４１３に出力し得る。   With the above configuration, the imaging unit 412 can capture the shadow of the droplet 271 irradiated with pulsed light based on the shutter signal of the droplet output calculation control unit 43. The imaging unit 412 can output the image signal of the shadow of the captured droplet 271 to the image acquisition control unit 413.

画像取得制御部４１３は、イメージセンサ４１２ａから出力された画像信号からドロップレット２７１の影の像に係る画像データ（ビットマップデータ等）を生成してもよい。画像取得制御部４１３は、生成した画像データを当該画像データの識別情報に対応付けて記憶してもよい。画像データの識別情報は、画像データの生成時刻に関する情報等であってもよい。
画像取得制御部４１３は、ドロップレット出力計算制御部４３と接続されてもよい。画像取得制御部４１３は、ドロップレット出力計算制御部４３からの制御信号に基づいて、生成した画像データをドロップレット出力計算制御部４３に出力してもよい。
なお、画像取得制御部４１３のハードウェア構成については、図１７を用いて後述する。 The image acquisition control unit 413 may generate image data (bitmap data or the like) related to the shadow image of the droplet 271 from the image signal output from the image sensor 412a. The image acquisition control unit 413 may store the generated image data in association with the identification information of the image data. The identification information of the image data may be information related to the generation time of the image data.
The image acquisition control unit 413 may be connected to the droplet output calculation control unit 43. The image acquisition control unit 413 may output the generated image data to the droplet output calculation control unit 43 based on a control signal from the droplet output calculation control unit 43.
The hardware configuration of the image acquisition control unit 413 will be described later with reference to FIG.

上記構成によってドロップレット画像計測部４１は、ドロップレット出力計算制御部４３のシャッタ信号に基づいて、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の像に係る画像データを計測し、ドロップレット出力計算制御部４３に出力し得る。   With the above configuration, the droplet image measurement unit 41 measures image data related to the image of the droplet 271 output into the chamber 2 based on the shutter signal of the droplet output calculation control unit 43, and controls droplet output calculation. The data can be output to the unit 43.

ドロップレットカウンタ部４２は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の個数Ｎをカウントしてもよい。
ドロップレットカウンタ部４２は、チャンバ２に設けられてもよい。
ドロップレットカウンタ部４２は、光源部４２１と、受光部４２２と、カウンタ回路４２３とを備えてもよい。
光源部４２１と受光部４２２とは、ターゲット進行経路２７２を挟んで互いに対向配置されてもよい。
光源部４２１と受光部４２２との対向方向は、ターゲット進行経路２７２と直交してもよい。 The droplet counter unit 42 may count the number N of droplets 271 output into the chamber 2.
The droplet counter unit 42 may be provided in the chamber 2.
The droplet counter unit 42 may include a light source unit 421, a light receiving unit 422, and a counter circuit 423.
The light source unit 421 and the light receiving unit 422 may be disposed to face each other with the target travel path 272 interposed therebetween.
The facing direction of the light source unit 421 and the light receiving unit 422 may be orthogonal to the target travel path 272.

光源部４２１は、ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１に連続レーザ光を照射してもよい。
光源部４２１は、光源４２１ａと、照明光学系４２１ｂと、ウインドウ４２１ｃとを含んでもよい。 The light source unit 421 may irradiate the droplet 271 traveling on the target traveling path 272 with continuous laser light.
The light source unit 421 may include a light source 421a, an illumination optical system 421b, and a window 421c.

光源４２１ａは、例えば、ＣＷ（Continuous Wave）レーザ発振器等の連続レーザ光を出射する光源であってもよい。連続レーザ光のビーム径は、ドロップレット２７１の直径（例えば２０μｍ）よりも十分に大きい。連続レーザ光のビーム径は、例えば１ｍｍ程度であってもよい。   The light source 421a may be a light source that emits continuous laser light, such as a CW (Continuous Wave) laser oscillator. The beam diameter of the continuous laser light is sufficiently larger than the diameter of the droplet 271 (for example, 20 μm). The beam diameter of the continuous laser beam may be about 1 mm, for example.

照明光学系４２１ｂは、レンズ等の光学素子であってもよい。このレンズは、シリンドリカルレンズであってもよい。照明光学系４２１ｂは、光源４２１ａから出射された連続レーザ光を、ウインドウ４２１ｃを介してターゲット進行経路２７２上に集光してもよい。   The illumination optical system 421b may be an optical element such as a lens. This lens may be a cylindrical lens. The illumination optical system 421b may condense the continuous laser light emitted from the light source 421a onto the target travel path 272 via the window 421c.

上記構成によって光源部４２１は、連続レーザ光をターゲット進行経路２７２に向かって出射し得る。ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１が、光源部４２１と受光部４２２との間を進行すると、光源部４２１から出射された連続レーザ光が、当該ドロップレット２７１を照射し得る。   With the above configuration, the light source unit 421 can emit continuous laser light toward the target traveling path 272. When the droplet 271 traveling on the target traveling path 272 travels between the light source unit 421 and the light receiving unit 422, the continuous laser light emitted from the light source unit 421 can irradiate the droplet 271.

受光部４２２は、光源部４２１から出射された連続レーザ光を受光し、連続レーザ光の光強度を検出してもよい。
受光部４２２は、光センサ４２２ａと、受光光学系４２２ｂと、ウインドウ４２２ｃとを含んでもよい。 The light receiving unit 422 may receive the continuous laser light emitted from the light source unit 421 and detect the light intensity of the continuous laser light.
The light receiving unit 422 may include an optical sensor 422a, a light receiving optical system 422b, and a window 422c.

受光光学系４２２ｂは、コリメータ等の光学系であってもよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。受光光学系４２２ｂは、光源部４２１から出射された連続レーザ光を、ウインドウ４２２ｃを介して光センサ４２２ａに導いてもよい。   The light receiving optical system 422b may be an optical system such as a collimator, or may be configured by an optical element such as a lens. The light receiving optical system 422b may guide the continuous laser light emitted from the light source unit 421 to the optical sensor 422a through the window 422c.

光センサ４２２ａは、フォトダイオードを含む受光素子であってもよい。光センサ４２２ａは、受光光学系４２２ｂによって導かれた連続レーザ光の光強度を検出してもよい。光センサ４２２ａは、カウンタ回路４２３と接続されてもよい。光センサ４２２ａは、検出した光強度の検出信号をカウンタ回路４２３に出力してもよい。
なお、光センサ４２２ａの構成については、図１８を用いて後述する。 The optical sensor 422a may be a light receiving element including a photodiode. The optical sensor 422a may detect the light intensity of the continuous laser light guided by the light receiving optical system 422b. The optical sensor 422a may be connected to the counter circuit 423. The optical sensor 422a may output a detection signal of the detected light intensity to the counter circuit 423.
The configuration of the optical sensor 422a will be described later with reference to FIG.

上記構成によって受光部４２２は、光源部４２１から出射された連続レーザ光の光強度を検出し得る。ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１が光源部４２１と受光部４２２との間を進行すると、ドロップレット２７１を照射した連続レーザ光の受光部４２２における光強度は低下し得る。受光部４２２は、ドロップレット２７１による光強度の低下に応じた検出信号をカウンタ回路４２３に出力し得る。   With the above configuration, the light receiving unit 422 can detect the light intensity of the continuous laser light emitted from the light source unit 421. When the droplet 271 traveling along the target traveling path 272 travels between the light source unit 421 and the light receiving unit 422, the light intensity in the light receiving unit 422 of the continuous laser light irradiated on the droplet 271 can be reduced. The light receiving unit 422 can output a detection signal corresponding to a decrease in light intensity by the droplet 271 to the counter circuit 423.

カウンタ回路４２３には、受光部４２２によって出力された検出信号が入力されてもよい。カウンタ回路４２３は、入力された検出信号において、ドロップレット２７１によって光強度が低下した回数をカウントしてもよい。カウンタ回路４２３は、カウントした光強度の低下回数を、ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１の個数Ｎとみなしてカウントしてもよい。
カウンタ回路４２３は、ドロップレット出力計算制御部４３と接続されてもよい。カウンタ回路４２３は、カウントしたドロップレット２７１の個数Ｎをドロップレット出力計算制御部４３に出力してもよい。 The detection signal output by the light receiving unit 422 may be input to the counter circuit 423. The counter circuit 423 may count the number of times the light intensity is reduced by the droplet 271 in the input detection signal. The counter circuit 423 may count the number of times of decrease in the counted light intensity as the number N of the droplets 271 traveling on the target traveling path 272.
The counter circuit 423 may be connected to the droplet output calculation control unit 43. The counter circuit 423 may output the counted number N of droplets 271 to the droplet output calculation control unit 43.

上記構成によってドロップレットカウンタ部４２は、ドロップレット出力計算制御部４３の制御信号に基づいて、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の個数Ｎをカウントし、ドロップレット出力計算制御部４３に出力し得る。   With the above configuration, the droplet counter unit 42 counts the number N of droplets 271 output into the chamber 2 based on the control signal of the droplet output calculation control unit 43, and outputs it to the droplet output calculation control unit 43. Can do.

ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット画像計測部４１に点灯信号及びシャッタ信号を出力して、ドロップレット画像計測部４１の動作を制御してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、内部にタイマＴを含んでもよい。タイマＴは、点灯信号及びシャッタ信号の出力タイミングを計るためのタイマであってもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、点灯時間Δτ、撮像時間Δｔ、計測間隔Ｋが経過したことを計時し得る。 The droplet output calculation control unit 43 may control the operation of the droplet image measurement unit 41 by outputting a lighting signal and a shutter signal to the droplet image measurement unit 41.
The droplet output calculation control unit 43 may include a timer T therein. The timer T may be a timer for measuring the output timing of the lighting signal and the shutter signal. The droplet output calculation control unit 43 can time that the lighting time Δτ, the imaging time Δt, and the measurement interval K have elapsed.

ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット画像計測部４１から出力された画像データを記憶してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレットカウンタ部４２から出力されたドロップレット２７１の個数Ｎを記憶してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の画像データ及び個数Ｎを対応付けて記憶してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の画像データ及び個数Ｎとそれらの取得時刻とを更に対応付けて記憶してもよい。   The droplet output calculation control unit 43 may store the image data output from the droplet image measurement unit 41. The droplet output calculation control unit 43 may store the number N of droplets 271 output from the droplet counter unit 42. The droplet output calculation control unit 43 may store the image data and the number N of the droplets 271 in association with each other. The droplet output calculation control unit 43 may further store the image data and the number N of the droplets 271 and their acquisition times in association with each other.

ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット直径算出部４３１を含んでもよい。ドロップレット直径算出部４３１は、ドロップレット２７１の直径を計算するプログラムであってもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット直径算出部４３１を用いて、記憶した画像データに含まれるドロップレット２７１の直径を算出してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の直径に基づいて当該ドロップレット２７１の体積を算出してもよい。 The droplet output calculation control unit 43 may include a droplet diameter calculation unit 431. The droplet diameter calculation unit 431 may be a program that calculates the diameter of the droplet 271.
The droplet output calculation control unit 43 may use the droplet diameter calculation unit 431 to calculate the diameter of the droplet 271 included in the stored image data. The droplet output calculation control unit 43 may calculate the volume of the droplet 271 based on the diameter of the droplet 271.

ドロップレット出力計算制御部４３は、直径算出の基になった画像データに対応付けて記憶したドロップレット２７１の個数Ｎと、当該画像データに基づいて算出したドロップレット２７１の体積とに基づいて、ドロップレット２７１の出力積算量を計算してもよい。
ドロップレット２７１の出力積算量は、ノズル２６２からチャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の体積を累積させて得られた量であってもよい。ドロップレット２７１の出力積算量は、タンク２６１に収容されたターゲット２７の消費量に相当してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、計算したドロップレット２７１の出力積算量をターゲット生成制御部７４に出力してもよい。
なお、ドロップレット出力計算制御部４３のハードウェア構成については、図１７を用いて後述する。 The droplet output calculation control unit 43 is based on the number N of droplets 271 stored in association with the image data on which the diameter is calculated and the volume of the droplets 271 calculated based on the image data. The output integrated amount of the droplet 271 may be calculated.
The accumulated output amount of the droplets 271 may be an amount obtained by accumulating the volume of the droplets 271 output from the nozzle 262 into the chamber 2. The integrated output amount of the droplets 271 may correspond to the consumption amount of the target 27 accommodated in the tank 261.
The droplet output calculation control unit 43 may be connected to the target generation control unit 74. The droplet output calculation control unit 43 may output the calculated output integrated amount of the droplet 271 to the target generation control unit 74.
The hardware configuration of the droplet output calculation control unit 43 will be described later with reference to FIG.

ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システム全体の動作を統括的に制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット出力計算制御部４３から出力されたドロップレット２７１の出力積算量を記憶してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の初期量を予め記憶していてもよい。
ターゲット２７の初期量は、チャンバ２内にドロップレット２７１を出力する前に、タンク２６１に収容されたターゲット２７の量であってもよい。タンク２６１にターゲット２７を投入した直後であれば、ターゲット２７の初期量は、タンク２６１への投入量に相当してもよい。例えば、ターゲット２７の初期量は、ターゲット２７をタンク２６１に投入する際に予め計測しておき、この計測値をターゲット生成制御部７４に入力することによって定められてもよい。この計測値の入力は、オペレータの操作によって行われてもよいし、ＥＵＶ光生成制御部５やネットワークを介して行われてもよい。 The target generation control unit 74 may comprehensively control the operation of the entire target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1.
The target generation control unit 74 may store the integrated output amount of the droplets 271 output from the droplet output calculation control unit 43.
The target generation control unit 74 may store an initial amount of the target 27 in advance.
The initial amount of the target 27 may be the amount of the target 27 accommodated in the tank 261 before outputting the droplet 271 into the chamber 2. If the target 27 is just after being introduced into the tank 261, the initial amount of the target 27 may correspond to the amount of introduction into the tank 261. For example, the initial amount of the target 27 may be determined by measuring in advance when the target 27 is put into the tank 261 and inputting the measured value to the target generation control unit 74. The input of the measurement value may be performed by an operator's operation or may be performed via the EUV light generation control unit 5 or a network.

ターゲット生成制御部７４は、ターゲット残量算出部７４１を含んでもよい。ターゲット残量算出部７４１は、タンク２６１内のターゲット２７の残量を計算するプログラムであってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット残量算出部７４１を用いて、ドロップレット２７１の出力積算量とターゲット２７の初期量とに基づいて、タンク２６１に収容されているターゲット２７の残量を算出してもよい。ターゲット生成制御部７４は、算出したターゲット２７の残量を記憶してもよい。ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の残量を算出した時刻を、ターゲット２７の残量と対応付けて記憶してもよい。
その他のターゲット生成制御部７４の構成やターゲット生成装置７の構成は、図３と同様であってもよい。 The target generation control unit 74 may include a target remaining amount calculation unit 741. The target remaining amount calculation unit 741 may be a program that calculates the remaining amount of the target 27 in the tank 261.
The target generation control unit 74 uses the target remaining amount calculation unit 741 to calculate the remaining amount of the target 27 accommodated in the tank 261 based on the integrated output amount of the droplet 271 and the initial amount of the target 27. May be. The target generation control unit 74 may store the calculated remaining amount of the target 27. The target generation control unit 74 may store the time when the remaining amount of the target 27 is calculated in association with the remaining amount of the target 27.
Other configurations of the target generation control unit 74 and the target generation device 7 may be the same as those in FIG.

［５．２ 動作］
図５〜図８を用いて、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作について説明する。
図６を用いて、ターゲット生成制御部７４のターゲット残量管理に係る処理について説明する。
ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力された、ターゲット残量計測を実行するための制御信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。 [5.2 Operation]
The operation of the target remaining amount measuring system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.
With reference to FIG. 6, processing related to target remaining amount management of the target generation control unit 74 will be described.
The target generation control unit 74 may perform the following processing when a control signal output from the EUV light generation control unit 5 for executing target remaining amount measurement is input.

ステップＳ１０において、ターゲット生成制御部７４は、予め記憶したターゲット２７の初期量Ｖ０を読み込んでもよい。
このターゲット２７の初期量Ｖ０は、前回のターゲット残量管理処理において算出し記憶しておいたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓとしてもよい。ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓが記憶されていない場合には、ターゲット２７の初期量Ｖ０は、タンク２６１へターゲット２７を投入した量としてもよい。 In step S10, the target generation control unit 74 may read the initial amount V0 of the target 27 stored in advance.
The initial amount V0 of the target 27 may be the remaining amount Vres of the target 27 calculated and stored in the previous target remaining amount management process. When the remaining amount Vres of the target 27 is not stored, the initial amount V0 of the target 27 may be the amount that the target 27 is thrown into the tank 261.

ステップＳ２０において、ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット出力計算処理の実行開始信号をドロップレット出力計算制御部４３に出力してもよい。
ドロップレット出力計算処理の実行開始信号は、ターゲット生成制御部７４がドロップレット出力計算制御部４３にドロップレット出力計算処理を実行させるための制御信号であってもよい。
ドロップレット出力計算処理は、チャンバ２内へ出力されたドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍを計算する処理であってもよい。ドロップレット出力計算制御部４３によってドロップレット出力計算処理が実行され得る。
なお、ドロップレット出力計算処理は、図７を用いて後述する。 In step S <b> 20, the target generation control unit 74 may output an execution start signal for the droplet output calculation process to the droplet output calculation control unit 43.
The execution start signal of the droplet output calculation process may be a control signal that causes the target generation control unit 74 to cause the droplet output calculation control unit 43 to execute the droplet output calculation process.
The droplet output calculation process may be a process of calculating the output integrated amount Vsum of the droplet 271 output into the chamber 2. The droplet output calculation control unit 43 can execute a droplet output calculation process.
The droplet output calculation process will be described later with reference to FIG.

ステップＳ３０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ２０で計算したドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍを読み込んでもよい。   In step S30, the target generation control unit 74 may read the output integrated amount Vsum of the droplet 271 calculated in step S20.

ステップＳ４０において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１に収容されているターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを算出してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ１０で読み込んだ初期量Ｖ０から、ステップＳ３０で読み込んだ出力積算量Ｖｓｕｍを減算することによって、残量Ｖｒｅｓを算出してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、算出したターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを記憶してもよい。 In step S <b> 40, the target generation control unit 74 may calculate the remaining amount Vres of the target 27 accommodated in the tank 261.
The target generation control unit 74 may calculate the remaining amount Vres by subtracting the output integrated amount Vsum read in step S30 from the initial amount V0 read in step S10.
The target generation control unit 74 may store the calculated remaining amount Vres of the target 27.

ステップＳ５０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ４０で算出したターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを外部表示装置に表示してもよい。
外部表示装置は、オペレータが操作可能なＥＵＶ光生成装置１の操作端末に設けられた表示装置であってもよい。外部表示装置は、ＥＵＶ光生成装置１とネットワーク介して接続された情報端末の表示装置であってもよい。 In step S50, the target generation control unit 74 may display the remaining amount Vres of the target 27 calculated in step S40 on the external display device.
The external display device may be a display device provided in an operation terminal of the EUV light generation apparatus 1 that can be operated by an operator. The external display device may be a display device of an information terminal connected to the EUV light generation apparatus 1 via a network.

ステップＳ６０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ４０で算出したターゲット２７の残量ＶｒｅｓがＶＬより小さいか否かを判定してもよい。
ＶＬは、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓにおける下限量であってもよい。この下限量は、ＥＵＶ光生成装置１が計画的に停止可能な最低限の量であってもよい。
計画的に停止可能な最低限の量は、ターゲット生成装置７の交換若しくはターゲット２７の再収容に要するリードタイム、又は、半導体チップの生産計画等に基づいて決定されてもよい。例えば、計画的に停止可能な最低限の量は、オペレータの操作によってターゲット生成制御部７４に入力されてもよいし、ＥＵＶ光生成制御部５やネットワークを介して入力されてもよい。
計画的に停止可能な最低限の量は、例えば、直径Ｄ＝２０μｍのドロップレット２７１を、生成周波数ｆ＝１００ｋＨｚで１週間出力したときの量である０．２５３Ｌ（リットル）であってもよい。
ドロップレット２７１の「生成周波数ｆ」は、ターゲット生成装置７からチャンバ２内に単位時間当たりに出力されるドロップレット２７１の個数Ｎであってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、残量Ｖｒｅｓが下限量ＶＬより小さくなければステップＳ２０に移行してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、残量Ｖｒｅｓが下限量ＶＬより小さければステップＳ７０に移行してもよい。 In step S60, the target generation control unit 74 may determine whether or not the remaining amount Vres of the target 27 calculated in step S40 is smaller than VL.
VL may be a lower limit amount in the remaining amount Vres of the target 27. This lower limit amount may be a minimum amount that the EUV light generation apparatus 1 can stop systematically.
The minimum amount that can be systematically stopped may be determined based on the lead time required for replacement of the target generation device 7 or re-accommodation of the target 27, a production plan of semiconductor chips, or the like. For example, the minimum amount that can be systematically stopped may be input to the target generation control unit 74 by an operator's operation, or may be input via the EUV light generation control unit 5 or a network.
The minimum amount that can be systematically stopped may be, for example, 0.253 L (liter), which is the amount when a droplet 271 having a diameter D = 20 μm is output for one week at a generation frequency f = 100 kHz. .
The “generation frequency f” of the droplets 271 may be the number N of droplets 271 output from the target generation device 7 into the chamber 2 per unit time.
If the remaining amount Vres is not smaller than the lower limit amount VL, the target generation control unit 74 may proceed to step S20. On the other hand, the target generation control unit 74 may proceed to step S70 if the remaining amount Vres is smaller than the lower limit amount VL.

ステップＳ７０において、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓが少ないことをＥＵＶ光生成制御部５に通知してもよい。同時に、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓが少ないことを外部表示装置に表示してもよい。   In step S70, the target generation control unit 74 may notify the EUV light generation control unit 5 that the remaining amount Vres of the target 27 is small. At the same time, the target generation control unit 74 may display on the external display device that the remaining amount Vres of the target 27 is small.

図７を用いて、ドロップレット出力計算制御部４３のドロップレット出力計算処理について説明する。
ドロップレット出力計算制御部４３は、図６のステップＳ２０において出力されたドロップレット出力計算処理の実行開始信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。 The droplet output calculation process of the droplet output calculation control unit 43 will be described with reference to FIG.
When the droplet output calculation control unit 43 receives the execution start signal of the droplet output calculation process output in step S20 of FIG. 6, the droplet output calculation control unit 43 may perform the following processing.

ステップＳ２０１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、出力積算量Ｖｓｕｍ＝０として出力積算量Ｖｓｕｍをリセットしてもよい。   In step S201, the droplet output calculation control unit 43 may reset the output integrated amount Vsum by setting the output integrated amount Vsum = 0.

ステップＳ２０２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、タイマＴをリセットすると共に、タイマＴの計時をスタートしてもよい。   In step S202, the droplet output calculation control unit 43 may reset the timer T and start counting the timer T.

ステップＳ２０３において、ドロップレット出力計算制御部４３は、カウンタ回路４２３をリセットすると共に、カウンタ回路４２３のカウントをスタートしてもよい。   In step S203, the droplet output calculation control unit 43 may reset the counter circuit 423 and start counting of the counter circuit 423.

ステップＳ２０４において、ドロップレット出力計算制御部４３は、イメージセンサ４１２ａのシャッタを開くタイミングであれば、当該シャッタを開くためのシャッタ信号をイメージセンサ４１２ａに出力してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該シャッタを開くためのシャッタ信号を出力した際のタイマＴの値を記憶してもよい。 In step S204, the droplet output calculation control unit 43 may output a shutter signal for opening the shutter to the image sensor 412a at the timing for opening the shutter of the image sensor 412a.
The droplet output calculation control unit 43 may store the value of the timer T when the shutter signal for opening the shutter is output.

ステップＳ２０５において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット画像計測部４１の光源４１１ａを点灯するタイミングであれば、所定の点灯時間Δτだけ点灯信号を当該光源４１１ａに出力してもよい。光源４１１ａは、点灯時間Δτが経過するまでの間、ターゲット進行経路２７２にパルス光を発光し得る。   In step S205, the droplet output calculation control unit 43 may output a lighting signal to the light source 411a for a predetermined lighting time Δτ as long as the light source 411a of the droplet image measurement unit 41 is turned on. The light source 411a can emit pulsed light to the target traveling path 272 until the lighting time Δτ elapses.

ステップＳ２０６において、ドロップレット出力計算制御部４３は、所定の撮像時間Δｔが経過するとイメージセンサ４１２ａのシャッタを閉じるためのシャッタ信号をイメージセンサ４１２ａに出力してもよい。
撮像時間Δｔは、ステップＳ２０４でイメージセンサ４１２ａのシャッタを開いてから、このステップＳ２０６でシャッタを閉じるまでの時間であってもよい。イメージセンサ４１２ａは、撮像時間Δｔの間に結像されたドロップレット２７１の影の像を撮像し得る。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該シャッタを閉じるためのシャッタ信号を出力した際のタイマＴの値を記憶してもよい。 In step S206, the droplet output calculation control unit 43 may output a shutter signal for closing the shutter of the image sensor 412a to the image sensor 412a when a predetermined imaging time Δt has elapsed.
The imaging time Δt may be the time from when the shutter of the image sensor 412a is opened in step S204 until the shutter is closed in step S206. The image sensor 412a can capture a shadow image of the droplet 271 formed during the imaging time Δt.
The droplet output calculation control unit 43 may store the value of the timer T when the shutter signal for closing the shutter is output.

ステップＳ２０７において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２０６で撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像データを画像取得制御部４１３から取得してもよい。   In step S207, the droplet output calculation control unit 43 may acquire the image data related to the shadow image of the droplet 271 captured in step S206 from the image acquisition control unit 413.

ステップＳ２０８において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２０７で取得した画像データにドロップレット２７１が含まれているか否かを判定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていればステップＳ２０９に移行してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていなければステップＳ２１０に移行してもよい。 In step S208, the droplet output calculation control unit 43 may determine whether or not the droplet 271 is included in the image data acquired in step S207.
The droplet output calculation control unit 43 may proceed to step S209 if the acquired image data includes the droplet 271. On the other hand, the droplet output calculation control unit 43 may proceed to step S210 if the acquired image data does not include the droplet 271.

ステップＳ２０９において、ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データに含まれるドロップレット２７１の直径Ｄを算出してもよい。
なお、ドロップレット２７１の直径Ｄを算出する処理については、図８Ａを用いて後述する。 In step S209, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the diameter D of the droplet 271 included in the acquired image data.
The process of calculating the diameter D of the droplet 271 will be described later with reference to FIG. 8A.

ステップＳ２１０において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０に設定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２０７で取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていなければ、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０とみなし得る。 In step S210, the droplet output calculation control unit 43 may set the diameter D of the droplet 271 to D = 0.
If the droplet data 271 is not included in the image data acquired in step S207, the droplet output calculation control unit 43 can regard the diameter D of the droplet 271 as D = 0.

ステップＳ２１１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２０９又はステップＳ２１０で算出したドロップレット２７１の直径Ｄに基づいて、ドロップレット２７１の体積Ｖを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の体積Ｖを、Ｖ＝（４／３）π（Ｄ／２）３の式で算出してもよい。 In step S211, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the volume V of the droplet 271 based on the diameter D of the droplet 271 calculated in step S209 or step S210.
The droplet output calculation control unit 43 may calculate the volume V of the droplet 271 using the equation V = (4/3) π (D / 2) 3 .

ステップＳ２１２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２０６で記憶したタイマＴの値とステップＳ２１２でのタイマＴの値との差分であるΔＴが、所定の計測間隔Ｋより大きいか否かを判定してもよい。
このステップＳ２１２は、１回の撮像が終了してから計測間隔Ｋが経過したか否かを判定することに相当し得る。ΔＴが計測間隔Ｋより大きければ、計測間隔Ｋを経過したことに相当し得る。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ΔＴが計測間隔Ｋより大きくなければ待機してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、ΔＴが計測間隔Ｋより大きければステップＳ２１３に移行してもよい。 In step S212, the droplet output calculation control unit 43 determines whether or not ΔT, which is the difference between the timer T value stored in step S206 and the timer T value in step S212, is greater than a predetermined measurement interval K. You may judge.
This step S212 may correspond to determining whether or not the measurement interval K has elapsed since the completion of one imaging. If ΔT is larger than the measurement interval K, it may correspond to the elapse of the measurement interval K.
The droplet output calculation control unit 43 may stand by if ΔT is not larger than the measurement interval K. On the other hand, the droplet output calculation control unit 43 may move to step S213 if ΔT is larger than the measurement interval K.

ステップＳ２１３において、ドロップレット出力計算制御部４３は、タイマＴをリセットすると共に、タイマＴの計時をスタートしてもよい。   In step S213, the droplet output calculation control unit 43 may reset the timer T and start counting the timer T.

ステップＳ２１４において、ドロップレット出力計算制御部４３は、カウンタ回路４２３から出力されたドロップレット２７１の個数Ｎを読み込んでもよい。   In step S214, the droplet output calculation control unit 43 may read the number N of droplets 271 output from the counter circuit 423.

ステップＳ２１５において、ドロップレット出力計算制御部４３は、カウンタ回路４２３をリセットすると共に、カウンタ回路４２３のカウントをスタートしてもよい。   In step S215, the droplet output calculation control unit 43 may reset the counter circuit 423 and start counting of the counter circuit 423.

ステップＳ２１６において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２１１で算出したドロップレット２７１の体積ＶとステップＳ２１４で読み込んだドロップレット２７１の個数Ｎとに基づいて、出力積算量Ｖｓｕｍを更新してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の体積Ｖとドロップレットの個数Ｎとを乗算した値Ｖ・Ｎを出力積算量Ｖｓｕｍに加算することによって、出力積算量Ｖｓｕｍを更新してもよい。
Ｖ・Ｎは、計測間隔Ｋの間で、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の量に相当し得る。 In step S216, the droplet output calculation control unit 43 updates the output integrated amount Vsum based on the volume V of the droplet 271 calculated in step S211 and the number N of droplets 271 read in step S214. Good.
The droplet output calculation control unit 43 may update the output integrated amount Vsum by adding a value V · N obtained by multiplying the volume V of the droplet 271 and the number N of droplets to the output integrated amount Vsum. .
V · N may correspond to the amount of droplets 271 output into the chamber 2 during the measurement interval K.

ステップＳ２１７において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ターゲット生成制御部７４から出力される、ドロップレット出力計算処理の実行停止信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ドロップレット出力計算処理の実行停止信号は、ターゲット生成制御部７４がドロップレット出力計算制御部４３にドロップレット出力計算処理を実行停止させるための制御信号であってもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該実行停止信号が入力されればドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍの計算を停止してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、当該実行停止信号が入力されなければステップＳ２０４に移行してもよい。 In step S217, the droplet output calculation control unit 43 may determine whether or not an execution stop signal of the droplet output calculation process output from the target generation control unit 74 has been input.
The execution stop signal for the droplet output calculation process may be a control signal for the target generation control unit 74 to cause the droplet output calculation control unit 43 to stop executing the droplet output calculation process.
The droplet output calculation control unit 43 may stop calculating the output integrated amount Vsum of the droplet 271 when the execution stop signal is input. On the other hand, the droplet output calculation control unit 43 may move to step S204 if the execution stop signal is not input.

図８Ａ及び図８Ｂを用いて、ドロップレット出力計算制御部４３がドロップレット２７１の直径Ｄを算出する処理について説明する。   A process in which the droplet output calculation control unit 43 calculates the diameter D of the droplet 271 will be described with reference to FIGS. 8A and 8B.

ステップＳ２９０１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、図７のステップＳ２０７で取得した画像データに含まれるドロップレット２７１の影の像から当該ドロップレット２７１の直径Ｄを算出してもよい。   In step S2901, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the diameter D of the droplet 271 from the shadow image of the droplet 271 included in the image data acquired in step S207 of FIG.

撮像部４１２を構成するイメージセンサ４１２ａで撮像されたドロップレット２７１の画像データは、１回の撮像において図８Ｂに例示するような画像を示してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、画像データに含まれるドロップレット２７１の像において、ドロップレット２７１の進行方向に垂直な方向におけるドロップレット２７１の像の幅をドロップレット２７１の直径Ｄとしてもよい。
略球形の１つのドロップレット２７１に対応する影が１つの像として略球形に撮像されていれば、ドロップレット出力計算制御部４３は、次のような方法で直径Ｄを算出してもよい。すなわち、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の像の進行方向における幅と当該進行方向に垂直な方向における幅との平均値をドロップレット２７１の直径Ｄとしてもよい。 The image data of the droplet 271 captured by the image sensor 412a configuring the imaging unit 412 may indicate an image illustrated in FIG. 8B in one imaging.
The droplet output calculation control unit 43 may set the width of the image of the droplet 271 in the direction perpendicular to the traveling direction of the droplet 271 as the diameter D of the droplet 271 in the image of the droplet 271 included in the image data.
If a shadow corresponding to one substantially spherical droplet 271 is captured in a substantially spherical shape as one image, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the diameter D by the following method. That is, the droplet output calculation control unit 43 may use the average value of the width in the traveling direction of the image of the droplet 271 and the width in the direction perpendicular to the traveling direction as the diameter D of the droplet 271.

図８Ｂに示すように、イメージセンサ４１２ａの撮像時間Δｔをどのように設定するかによって、１回の撮像で取得された画像データには、複数のドロップレット２７１が含まれ得る。
第１実施形態では、１回の撮像で取得される画像データに複数のドロップレット２７１が含まれるように、イメージセンサ４１２ａの撮像時間Δｔを次のように設定してもよい。 As shown in FIG. 8B, depending on how the imaging time Δt of the image sensor 412a is set, a plurality of droplets 271 may be included in the image data acquired by one imaging.
In the first embodiment, the imaging time Δt of the image sensor 412a may be set as follows so that a plurality of droplets 271 are included in image data acquired by one imaging.

イメージセンサ４１２ａの撮像範囲Ａｙ×Ｂｚにおいて、ドロップレット２７１の進行方向における撮像範囲の長さをＡとする。順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１間の距離であって、ドロップレット２７１の進行方向における距離をｄとする。ドロップレット２７１の進行速度をｖとする。ここで、転写光学系４１２ｂが拡大光学系である場合、Ａはドロップレット２７１の進行方向における撮像範囲の実際の長さに換算した値としてよい。また、Ａ及びｄは、イメージセンサ４１２ａが撮像する、ピクセル数単位の量で定義されてもよい。Ａ及びｄがピクセル数単位の量で定義される場合、ｖも単位時間当たりの通過ピクセル数として定義されてもよい。
このとき、第１実施形態では、撮像時間Δｔを次式の関係を満たすように設定してもよい。
Δｔ＜ｄ／ｖ
上記右辺のｄ／ｖは、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が、分別不可能なまでに重ならない時間を意味し得る。
これにより、撮像部４１２を構成するイメージセンサ４１２ａは、１回の撮像において、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が重ならないように撮像し得る。 In the imaging range Ay × Bz of the image sensor 412a, A is the length of the imaging range in the traveling direction of the droplet 271. The distance between two adjacent droplets 271 that are sequentially output, and the distance in the traveling direction of the droplets 271 is defined as d. Let the traveling speed of the droplet 271 be v. Here, when the transfer optical system 412b is a magnifying optical system, A may be a value converted to the actual length of the imaging range in the traveling direction of the droplet 271. In addition, A and d may be defined by the amount of the number of pixels captured by the image sensor 412a. If A and d are defined in terms of the number of pixels, v may also be defined as the number of passing pixels per unit time.
At this time, in the first embodiment, the imaging time Δt may be set so as to satisfy the relationship of the following equation.
Δt <d / v
The d / v on the right side may mean a time in which images of two adjacent droplets 271 that are sequentially output do not overlap until they cannot be separated.
Thereby, the image sensor 412a which comprises the imaging part 412 can image so that the image of the two adjacent droplets 271 output sequentially may not overlap in one imaging.

更に、第１実施形態では、撮像時間Δｔを次式の関係を満たすように設定してもよい。
Δｔ＞（ｄ−Ａ）／ｖ
上記右辺の（ｄ−Ａ）／ｖは、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が撮像範囲の中に含まれ得る時間を意味し得る。
これにより、撮像部４１２を構成するイメージセンサ４１２ａは、１回の撮像において、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が撮像範囲に含まれるように撮像し得る。
よって、撮像時間Δｔが、（ｄ−Ａ）／ｖ＜Δｔ＜ｄ／ｖであれば、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の像が重ならず毎回撮像範囲に含まれるように撮像し得る。
なお、ｄ≦Ａの場合、撮像時間Δｔは、０＜Δｔ＜ｄ／ｖと設定されてもよい。
上記のように設定された撮像時間Δｔで、撮像部４１２は、計測間隔Ｋごとに繰り返しドロップレット２７１の撮像を行い得る。 Furthermore, in the first embodiment, the imaging time Δt may be set so as to satisfy the relationship of the following equation.
Δt> (d−A) / v
The (d−A) / v on the right side may mean a time during which images of two adjacent droplets 271 sequentially output can be included in the imaging range.
Thereby, the image sensor 412a which comprises the imaging part 412 can image so that the image of two adjacent droplets 271 output sequentially may be included in the imaging range in one imaging.
Therefore, if the imaging time Δt is (d−A) / v <Δt <d / v, imaging is performed so that the images of two adjacent droplets 271 sequentially output are included in the imaging range each time without overlapping. Can do.
When d ≦ A, the imaging time Δt may be set as 0 <Δt <d / v.
With the imaging time Δt set as described above, the imaging unit 412 can repeatedly image the droplet 271 at each measurement interval K.

なお、ドロップレット２７１の進行速度ｖは、予め定められた速度に設定されてもよい。
また、ドロップレット２７１の進行速度ｖは、次のような方法で算出されてもよい。特に、図８Ｂに示すように、１回の撮像で取得される画像データにおいて１つのドロップレット２７１に対応する影が１つの像として撮像されていれば、進行速度ｖは、次のような方法で算出されてもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、異なるタイミングで同一のドロップレット２７１を撮像して取得された２つの画像データを比較してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、当該２つの画像データ間における特定のドロップレット２７１の像の変位を、計測間隔Ｋの間にドロップレット２７１が進行した距離として算出してもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、算出したドロップレット２７１の進行距離を計測間隔Ｋで除算することによって、ドロップレット２７１の進行速度ｖを算出し得る。 The traveling speed v of the droplet 271 may be set to a predetermined speed.
Further, the traveling speed v of the droplet 271 may be calculated by the following method. In particular, as shown in FIG. 8B, if the shadow corresponding to one droplet 271 is captured as one image in the image data acquired by one imaging, the traveling speed v is determined by the following method. It may be calculated by
The droplet output calculation control unit 43 may compare two pieces of image data acquired by imaging the same droplet 271 at different timings. The droplet output calculation control unit 43 may calculate the displacement of the image of the specific droplet 271 between the two image data as the distance traveled by the droplet 271 during the measurement interval K. The droplet output calculation control unit 43 can calculate the traveling speed v of the droplet 271 by dividing the calculated traveling distance of the droplet 271 by the measurement interval K.

［５．３ 作用］
第１実施形態では、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中にリアルタイムで、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１の直径Ｄを個別に計測し得る。よって、第１実施形態では、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１が均一な大きさであるかをＥＵＶ光生成装置１の稼働中でもリアルタイムで正確に計測し得る。
更に、第１実施形態では、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中にリアルタイムで、チャンバ２内に実際に出力された２つのドロップレット２７１間の距離を計測し得る。
また、第１実施形態では、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中にリアルタイムで、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１を検出してその個数Ｎをカウントし得る。このため、第１実施形態では、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍを計算し得る。よって、第１実施形態では、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中でもリアルタイムでターゲット２７の残量を正確に計測し得る。 [5.3 Action]
In the first embodiment, the diameter D of the droplet 271 actually output in the chamber 2 can be individually measured in real time during operation of the EUV light generation apparatus 1. Therefore, in the first embodiment, it is possible to accurately measure in real time whether the droplets 271 actually output in the chamber 2 have a uniform size even while the EUV light generation apparatus 1 is in operation.
Furthermore, in the first embodiment, the distance between the two droplets 271 actually output into the chamber 2 can be measured in real time during operation of the EUV light generation apparatus 1.
In the first embodiment, the number N of the droplets 271 actually output in the chamber 2 can be detected in real time while the EUV light generation apparatus 1 is in operation. For this reason, in the first embodiment, the output integrated amount Vsum of the droplets 271 actually output in the chamber 2 can be calculated. Therefore, in the first embodiment, the remaining amount of the target 27 can be accurately measured in real time even while the EUV light generation apparatus 1 is in operation.

［５．４ 第１実施形態の変形例］
図９を用いて、第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムについて説明する。
第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成は、図９のようにドロップレット形成機構７３及びドロップレットカウンタ部４２の構成が、図５に示す第１実施形態の構成と異なる。その他の構成は、図５の第１実施形態の構成と同様である。
第１実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作は、図６〜図８の第１実施形態の動作と一部同様である。
第１実施形態と同様の構成及び動作については説明を省略する。 [5.4 Modification of First Embodiment]
With reference to FIG. 9, a description will be given of a target remaining amount measuring system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to a modification of the first embodiment.
The configuration of the remaining target amount measurement system included in the EUV light generation apparatus 1 according to the modification of the first embodiment is similar to the configuration of the droplet forming mechanism 73 and the droplet counter unit 42 shown in FIG. It differs from the configuration of one embodiment. Other configurations are the same as those of the first embodiment of FIG.
The operation of the remaining target amount measurement system included in the EUV light generation apparatus 1 according to the modification of the first embodiment is partly the same as the operation of the first embodiment of FIGS.
The description of the same configuration and operation as in the first embodiment is omitted.

図５の第１実施形態に係るドロップレット形成機構７３は、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット２７１を形成し得る。
図９の変形例に係るドロップレット形成機構７３は、静電引出し方式によりドロップレット２７１を形成してもよい。
図９の変形例に係るドロップレット形成機構７３は、ターゲット帯電電極７３３と、ＤＣ電圧電源７３４と、引出電極７３５と、パルス電圧電源７３６とを含んでもよい。 The droplet forming mechanism 73 according to the first embodiment of FIG. 5 can form the droplet 271 by a continuous jet method.
The droplet forming mechanism 73 according to the modification of FIG. 9 may form the droplet 271 by an electrostatic extraction method.
The droplet forming mechanism 73 according to the modified example of FIG. 9 may include a target charging electrode 733, a DC voltage power source 734, an extraction electrode 735, and a pulse voltage power source 736.

ターゲット帯電電極７３３は、タンク２６１内のノズル２６２付近に固定されてもよい。タンク２６１内に固定されたターゲット帯電電極７３３は、ＤＣ電圧電源７３４と接続されてもよい。ＤＣ電圧電源７３４は、ターゲット帯電電極７３３に電圧を印加してもよい。
これに伴って、ターゲット帯電電極７３３と接するターゲット２７にも電圧が印加され得る。 The target charging electrode 733 may be fixed near the nozzle 262 in the tank 261. The target charging electrode 733 fixed in the tank 261 may be connected to the DC voltage power source 734. The DC voltage power source 734 may apply a voltage to the target charging electrode 733.
Accordingly, a voltage can be applied to the target 27 in contact with the target charging electrode 733.

引出電極７３５は、円環形状に形成されてもよい。引出電極７３５は、ノズル孔２６２ａと間隔をあけてターゲット進行経路２７２上に設けられてもよい。円環形状の引出電極７３５の中心軸とノズル２６２の中心軸とは同一直線上にあってもよい。
引出電極７３５は、パルス電圧電源７３６と接続されてもよい。パルス電圧電源７３６は、パルス電圧を引出電極７３５に印加してもよい。
パルス電圧が印加された引出電極７３５は、ターゲット２７との間に静電気力を発生させ得る。ターゲット２７と引出電極７３５との間に静電気力が発生することによって、ターゲット２７は、ノズル孔２６２ａから突出し、やがて分離され得る。分離されたターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。このとき、ドロップレット２７１は帯電していてもよい。 The extraction electrode 735 may be formed in an annular shape. The extraction electrode 735 may be provided on the target travel path 272 with a gap from the nozzle hole 262a. The central axis of the annular extraction electrode 735 and the central axis of the nozzle 262 may be on the same straight line.
The extraction electrode 735 may be connected to a pulse voltage power source 736. The pulse voltage power source 736 may apply a pulse voltage to the extraction electrode 735.
The extraction electrode 735 to which the pulse voltage is applied can generate an electrostatic force between the extraction electrode 735 and the target 27. When an electrostatic force is generated between the target 27 and the extraction electrode 735, the target 27 protrudes from the nozzle hole 262a and can be separated soon. The separated target 27 can form a free interface by its surface tension to form a droplet 271. At this time, the droplet 271 may be charged.

パルス電圧電源７３６は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。ターゲット生成制御部７４は、チャンバ２内にドロップレット２７１を出力すべきタイミングに合わせて、パルス電圧電源７３６に出力要求信号を出力してもよい。
パルス電圧電源７３６は、ターゲット生成制御部７４からの出力要求信号に基づいて、引出電極７３５に対してパルス電圧を印加してもよい。
静電引き出し方式においては、引出電極７３５に任意のタイミングでパルス電圧を印加することで、引出電極７３５とターゲット２７との間に静電気力を生じさせ、任意のタイミングでドロップレット２７１を出力し得る。 The pulse voltage power source 736 may be connected to the target generation control unit 74. The target generation control unit 74 may output an output request signal to the pulse voltage power source 736 in accordance with the timing at which the droplet 271 should be output into the chamber 2.
The pulse voltage power source 736 may apply a pulse voltage to the extraction electrode 735 based on the output request signal from the target generation control unit 74.
In the electrostatic extraction method, an electrostatic force can be generated between the extraction electrode 735 and the target 27 by applying a pulse voltage to the extraction electrode 735 at an arbitrary timing, and the droplet 271 can be output at an arbitrary timing. .

パルス電圧電源７３６と接続されたターゲット生成制御部７４は、パルス電圧電源７３６との接続から分岐して、ドロップレットカウンタ部４２のカウンタ回路４２３と接続されてもよい。ターゲット生成制御部７４は、パルス電圧電源７３６に出力する出力要求信号をカウンタ回路４２３にも同時に出力し得る。   The target generation control unit 74 connected to the pulse voltage power source 736 may be branched from the connection with the pulse voltage power source 736 and connected to the counter circuit 423 of the droplet counter unit 42. The target generation control unit 74 can simultaneously output the output request signal output to the pulse voltage power source 736 to the counter circuit 423.

図９の変形例に係るドロップレットカウンタ部４２は、光源部４２１及び受光部４２２を備えずに、カウンタ回路４２３を備えてもよい。
カウンタ回路４２３は、パルス電圧電源７３６と接続されたターゲット生成制御部７４から出力要求信号が入力されてもよい。カウンタ回路４２３は、入力された出力要求信号をカウントして、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の個数Ｎとみなしてもよい。 The droplet counter unit 42 according to the modification of FIG. 9 may include the counter circuit 423 without including the light source unit 421 and the light receiving unit 422.
The counter circuit 423 may receive an output request signal from the target generation control unit 74 connected to the pulse voltage power source 736. The counter circuit 423 may count the input output request signal and regard it as the number N of droplets 271 output into the chamber 2.

上記構成によって、第１実施形態の変形例では、ドロップレットカウンタ部４２が光源部４２１及び受光部４２２を備えなくとも、ドロップレット２７１の個数Ｎをカウントし得ると共に出力積算量Ｖｓｕｍを計算し得る。
よって、第１実施形態の変形例では、ドロップレットカウンタ部４２から光源部４２１及び受光部４２２を省き得るため、ＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムを簡略化し得る。 With the above configuration, in the modification of the first embodiment, even if the droplet counter unit 42 does not include the light source unit 421 and the light receiving unit 422, the number N of droplets 271 can be counted and the output integrated amount Vsum can be calculated. .
Therefore, in the modification of the first embodiment, since the light source unit 421 and the light receiving unit 422 can be omitted from the droplet counter unit 42, the target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 can be simplified.

［６．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム］
［６．１ 構成］
図１０を用いて、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成について説明する。
第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成は、図１０のようにドロップレットカウンタ部４２を省いている構成が、図５に示す第１実施形態の構成と異なる。その他の構成は、第１実施形態の構成と同様である。
第１実施形態と同様の構成については説明を省略する。 [6. Target remaining amount measurement system provided in EUV light generation apparatus of second embodiment]
[6.1 Configuration]
The configuration of the target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
In the configuration of the target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the second embodiment, the configuration in which the droplet counter unit 42 is omitted as shown in FIG. 10 is the same as the configuration of the first embodiment shown in FIG. Different. Other configurations are the same as those of the first embodiment.
The description of the same configuration as in the first embodiment is omitted.

第１実施形態では、ドロップレット２７１の個数Ｎは、ドロップレットカウンタ部４２のカウンタ回路４２３によって実際にカウントされてもよい。第１実施形態では、ドロップレット出力計算制御部４３は、カウンタ回路４２３で実際にカウントされた個数Ｎを用いて、ターゲット２７の出力積算量Ｖｓｕｍを計算してもよい。
第２実施形態では、ドロップレット２７１の個数Ｎは、ドロップレット２７１の生成周波数ｆ及び計測間隔Ｋから算出してもよい。第２実施形態では、ドロップレット出力計算制御部４３は、生成周波数ｆ及び計測間隔Ｋから算出した個数Ｎを用いて、ターゲット２７の出力積算量Ｖｓｕｍを計算してもよい。 In the first embodiment, the number N of droplets 271 may be actually counted by the counter circuit 423 of the droplet counter unit 42. In the first embodiment, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the output integrated amount Vsum of the target 27 using the number N actually counted by the counter circuit 423.
In the second embodiment, the number N of droplets 271 may be calculated from the generation frequency f of the droplets 271 and the measurement interval K. In the second embodiment, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the output integrated amount Vsum of the target 27 using the number N calculated from the generation frequency f and the measurement interval K.

なお、第１実施形態では、ドロップレット画像計測部４１の光源４１１ａの点灯時間Δτが、ドロップレット２７１の生成周期（例えば１０μｓ程度）よりも十分に短くてもよい（例えば１０ｎｓ〜１００ｎｓ）。
第２実施形態では、ドロップレット画像計測部４１の光源４１１ａの点灯時間Δτは、ドロップレット２７１の生成周期と同程度か短くてもよい。ドロップレット２７１の生成周期は、例えば１０μｓ程度でもよい。第２実施形態の点灯時間Δτは、例えば１〜５μｓ程度でもよい。但し、これらの値は例示に過ぎず、実施する装置に合わせて適宜選択されるとよい。 In the first embodiment, the lighting time Δτ of the light source 411a of the droplet image measuring unit 41 may be sufficiently shorter (for example, 10 ns to 100 ns) than the generation period of the droplet 271 (for example, about 10 μs).
In the second embodiment, the lighting time Δτ of the light source 411 a of the droplet image measurement unit 41 may be approximately the same as or shorter than the generation cycle of the droplet 271. The generation cycle of the droplets 271 may be about 10 μs, for example. The lighting time Δτ of the second embodiment may be about 1 to 5 μs, for example. However, these values are merely examples, and may be appropriately selected according to the apparatus to be implemented.

［６．２ 動作］
図１０〜図１２を用いて、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作について説明する。
第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作は、図１１及び図１２のようにドロップレット出力計算処理及びドロップレットの直径算出に係る処理が、図７及び図８に示す第１実施形態の動作と異なる。その他の動作は、第１実施形態の動作と同様である。
第１実施形態と同様の動作については説明を省略する。 [6.2 Operation]
The operation of the target remaining amount measuring system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.
The operation of the target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the second embodiment is similar to the droplet output calculation process and the droplet diameter calculation process illustrated in FIGS. 8 is different from the operation of the first embodiment shown in FIG. Other operations are the same as those in the first embodiment.
The description of the same operation as that of the first embodiment is omitted.

図１１を用いて、ドロップレット出力計算制御部４３のドロップレット出力計算処理について説明する。
ドロップレット出力計算制御部４３は、図６のステップＳ２０において出力されたドロップレット出力計算処理の実行開始信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。 The droplet output calculation process of the droplet output calculation control unit 43 will be described with reference to FIG.
When the droplet output calculation control unit 43 receives the execution start signal of the droplet output calculation process output in step S20 of FIG. 6, the droplet output calculation control unit 43 may perform the following processing.

ステップＳ２２１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、出力積算量Ｖｓｕｍ＝０として出力積算量Ｖｓｕｍをリセットしてもよい。   In step S221, the droplet output calculation control unit 43 may reset the output integrated amount Vsum by setting the output integrated amount Vsum = 0.

ステップＳ２２２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、タイマＴをリセットすると共に、タイマＴの計時をスタートしてもよい。   In step S222, the droplet output calculation control unit 43 may reset the timer T and start counting the timer T.

ステップＳ２２３において、ドロップレット出力計算制御部４３は、イメージセンサ４１２ａのシャッタを開くタイミングであれば、当該シャッタを開くためのシャッタ信号をイメージセンサ４１２ａに出力してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該シャッタを開くためのシャッタ信号を出力した際のタイマＴの値を記憶してもよい。 In step S223, the droplet output calculation control unit 43 may output a shutter signal for opening the shutter to the image sensor 412a at the timing for opening the shutter of the image sensor 412a.
The droplet output calculation control unit 43 may store the value of the timer T when the shutter signal for opening the shutter is output.

ステップＳ２２４において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット画像計測部４１の光源４１１ａを点灯するタイミングであれば、所定の点灯時間Δτだけ点灯信号を当該光源４１１ａに出力してもよい。   In step S224, the droplet output calculation control unit 43 may output a lighting signal to the light source 411a for a predetermined lighting time Δτ as long as the light source 411a of the droplet image measurement unit 41 is turned on.

ステップＳ２２５において、ドロップレット出力計算制御部４３は、所定の撮像時間Δｔが経過するとイメージセンサ４１２ａのシャッタを閉じるためのシャッタ信号をイメージセンサ４１２ａに出力してもよい。
撮像時間Δｔは、ステップＳ２２３でイメージセンサ４１２ａのシャッタを開いてから、このステップＳ２２５でシャッタを閉じるまでの時間であってもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該シャッタを閉じるためのシャッタ信号を出力した際のタイマＴの値を記憶してもよい。 In step S225, the droplet output calculation control unit 43 may output a shutter signal for closing the shutter of the image sensor 412a to the image sensor 412a when a predetermined imaging time Δt has elapsed.
The imaging time Δt may be the time from when the shutter of the image sensor 412a is opened in step S223 until the shutter is closed in step S225.
The droplet output calculation control unit 43 may store the value of the timer T when the shutter signal for closing the shutter is output.

ステップＳ２２６において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２５で撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像データを画像取得制御部４１３から取得してもよい。   In step S226, the droplet output calculation control unit 43 may acquire image data related to the shadow image of the droplet 271 captured in step S225 from the image acquisition control unit 413.

ステップＳ２２７において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２６で取得した画像データにドロップレット２７１が含まれているか否かを判定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていればステップＳ２２８に移行してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていなければステップＳ２２９に移行してもよい。 In step S227, the droplet output calculation control unit 43 may determine whether or not the droplet 271 is included in the image data acquired in step S226.
If the droplet 271 is included in the acquired image data, the droplet output calculation control unit 43 may proceed to step S228. On the other hand, if the droplet output 271 is not included in the acquired image data, the droplet output calculation control unit 43 may proceed to step S229.

ステップＳ２２８において、ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データに含まれるドロップレット２７１の直径Ｄと、ドロップレット２７１の生成周波数ｆとを算出してもよい。
なお、ドロップレット２７１の直径Ｄ及びドロップレット２７１の生成周波数ｆを算出する処理については、図１２Ａを用いて後述する。 In step S228, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the diameter D of the droplet 271 and the generation frequency f of the droplet 271 included in the acquired image data.
The process of calculating the diameter D of the droplet 271 and the generation frequency f of the droplet 271 will be described later with reference to FIG. 12A.

ステップＳ２２９において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０に設定し、ドロップレット２７１の生成周波数ｆをｆ＝０に設定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２６で取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていなければ、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０及びドロップレット２７１の生成周波数ｆをｆ＝０とみなし得る。 In step S229, the droplet output calculation control unit 43 may set the diameter D of the droplet 271 to D = 0 and set the generation frequency f of the droplet 271 to f = 0.
If the droplet 271 is not included in the image data acquired in step S226, the droplet output calculation control unit 43 sets the diameter D of the droplet 271 to D = 0 and the generation frequency f of the droplet 271 to f = 0. Can be considered.

ステップＳ２３０において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８又はステップＳ２２９で算出したドロップレット２７１の直径Ｄに基づいて、ドロップレット２７１の体積Ｖを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の体積Ｖを、Ｖ＝（４／３）π（Ｄ／２）３の式で算出してもよい。 In step S230, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the volume V of the droplet 271 based on the diameter D of the droplet 271 calculated in step S228 or step S229.
The droplet output calculation control unit 43 may calculate the volume V of the droplet 271 using the equation V = (4/3) π (D / 2) 3 .

ステップＳ２３１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２５で記憶したタイマＴの値とステップＳ２３０でのタイマＴの値との差分であるΔＴが、所定の計測間隔Ｋより大きいか否かを判定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ΔＴが計測間隔Ｋより大きくなければ待機してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、ΔＴが計測間隔Ｋより大きければステップＳ２３２に移行してもよい。 In step S231, the droplet output calculation control unit 43 determines whether ΔT, which is the difference between the timer T value stored in step S225 and the timer T value in step S230, is greater than a predetermined measurement interval K. You may judge.
The droplet output calculation control unit 43 may stand by if ΔT is not larger than the measurement interval K. On the other hand, the droplet output calculation control unit 43 may proceed to step S232 if ΔT is larger than the measurement interval K.

ステップＳ２３２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、タイマＴをリセットすると共に、タイマＴの計時をスタートしてもよい。   In step S232, the droplet output calculation control unit 43 may reset the timer T and start measuring the timer T.

ステップＳ２３３において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８で算出したドロップレット２７１の生成周波数ｆと計測間隔Ｋとに基づいて、ドロップレット２７１の個数Ｎを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の生成周波数ｆと計測間隔Ｋとを乗算した値Ｋ・ｆを、ドロップレット２７１の個数Ｎとしてもよい。 In step S233, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the number N of droplets 271 based on the generation frequency f of the droplet 271 calculated in step S228 and the measurement interval K.
The droplet output calculation control unit 43 may use a value K · f obtained by multiplying the generation frequency f of the droplet 271 by the measurement interval K as the number N of droplets 271.

ステップＳ２３４において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２３０で算出したドロップレット２７１の体積ＶとステップＳ２３３で算出したドロップレット２７１の個数Ｎとに基づいて、出力積算量Ｖｓｕｍを更新してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の体積Ｖとドロップレットの個数Ｎとを乗算した値Ｖ・Ｎを出力積算量Ｖｓｕｍに加算することによって、出力積算量Ｖｓｕｍを更新してもよい。 In step S234, the droplet output calculation control unit 43 may update the output integrated amount Vsum based on the volume V of the droplet 271 calculated in step S230 and the number N of droplets 271 calculated in step S233. Good.
The droplet output calculation control unit 43 may update the output integrated amount Vsum by adding a value V · N obtained by multiplying the volume V of the droplet 271 and the number N of droplets to the output integrated amount Vsum. .

ステップＳ２３５において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ターゲット生成制御部７４から出力される、ドロップレット出力計算処理の実行停止信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、当該実行停止信号が入力されればドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍの計算を停止してもよい。一方、ドロップレット出力計算制御部４３は、当該実行停止信号が入力されなければステップＳ２２３に移行してもよい。 In step S235, the droplet output calculation control unit 43 may determine whether or not an execution stop signal of the droplet output calculation process output from the target generation control unit 74 has been input.
The droplet output calculation control unit 43 may stop calculating the output integrated amount Vsum of the droplet 271 when the execution stop signal is input. On the other hand, if the execution stop signal is not input, the droplet output calculation control unit 43 may proceed to step S223.

図１２Ａ及び図１２Ｂを用いて、ドロップレット出力計算制御部４３がドロップレット２７１の直径Ｄ及びドロップレット２７１の生成周波数ｆを算出する処理について説明する。   A process in which the droplet output calculation control unit 43 calculates the diameter D of the droplet 271 and the generation frequency f of the droplet 271 will be described with reference to FIGS. 12A and 12B.

第２実施形態の点灯時間Δτは、ドロップレット２７１の生成周期と同程度か短くてもよい。このため、第２実施形態では、図１２Ｂに示すように、１回の撮像で取得された画像データには、１つのドロップレット２７１の影の像が、複数連なった像として撮像される場合があり得る。１つのドロップレット２７１の影の像が複数連なった像を、１つのドロップレット２７１の「影像軌跡」ともいう。
このとき、以下の処理を行って、ドロップレット２７１の直径Ｄ及びドロップレット２７１の生成周波数ｆを算出してもよい。 The lighting time Δτ of the second embodiment may be approximately the same as or shorter than the generation period of the droplets 271. For this reason, in the second embodiment, as shown in FIG. 12B, in the image data acquired by one imaging, a shadow image of one droplet 271 may be captured as a series of images. possible. An image in which a plurality of shadow images of one droplet 271 is connected is also referred to as a “shadow locus” of one droplet 271.
At this time, the diameter D of the droplet 271 and the generation frequency f of the droplet 271 may be calculated by performing the following processing.

ステップＳ２２８１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、図１１のステップＳ２２７で取得した画像データに含まれる複数のドロップレット２７１の影の像から、１つのドロップレット２７１の影像軌跡を特定してもよい。１つのドロップレット２７１の影像軌跡は、例えば、図１２Ｂにおいては影像軌跡２７１ｅに相当し得る。   In step S2281, the droplet output calculation control unit 43 may identify the image locus of one droplet 271 from the shadow images of the plurality of droplets 271 included in the image data acquired in step S227 of FIG. Good. The image trajectory of one droplet 271 may correspond to, for example, the image trajectory 271e in FIG. 12B.

ステップＳ２２８２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８１で特定した影像軌跡からドロップレット２７１の直径Ｄを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の進行方向に垂直な方向における影像軌跡の幅をドロップレット２７１の直径Ｄとしてもよい。 In step S2282, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the diameter D of the droplet 271 from the image locus specified in step S2281.
The droplet output calculation control unit 43 may set the width of the image locus in the direction perpendicular to the traveling direction of the droplet 271 as the diameter D of the droplet 271.

ステップＳ２２８３において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８１で特定した影像軌跡の長さＬを算出してもよい。
影像軌跡の長さＬは、ドロップレット２７１の進行方向における影像軌跡の長さであってもよい。 In step S2283, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the length L of the image locus specified in step S2281.
The length L of the image trajectory may be the length of the image trajectory in the traveling direction of the droplet 271.

ステップＳ２２８４において、ドロップレット出力計算制御部４３は、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の影像軌跡間の距離ｄを算出してもよい。
図１２Ｂの例では、ステップＳ２２８１で特定した影像軌跡２７１ｅと、これの直近の影像軌跡２７１ｆとの間の距離ｄを算出してもよい。
影像軌跡間の距離ｄは、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の影像軌跡間の距離であって、ドロップレット２７１の進行方向における距離であってもよい。 In step S2284, the droplet output calculation control unit 43 may calculate a distance d between the image trajectories of two adjacent droplets 271 that are sequentially output.
In the example of FIG. 12B, the distance d between the image locus 271e specified in step S2281 and the nearest image locus 271f may be calculated.
The distance d between the image trajectories is a distance between the image trajectories of two adjacent droplets 271 that are sequentially output, and may be a distance in the traveling direction of the droplets 271.

ステップＳ２２８５において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８２で算出した直径Ｄと、ステップＳ２２８３で算出した長さＬとに基づいて、ドロップレット２７１の進行速度ｖを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の進行速度ｖを次式から算出してもよい。
ｖ＝（Ｌ−Ｄ）／Δτ
上記右辺の（Ｌ−Ｄ）は、点灯時間Δτの間に１つのドロップレット２７１が進行した距離を意味し得る。 In step S2285, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the traveling speed v of the droplet 271 based on the diameter D calculated in step S2282 and the length L calculated in step S2283.
The droplet output calculation control unit 43 may calculate the traveling speed v of the droplet 271 from the following equation.
v = (L−D) / Δτ
(LD) on the right side can mean the distance that one droplet 271 travels during the lighting time Δτ.

ステップＳ２２８６において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２２８４で算出した距離ｄと、ステップＳ２２８５で算出した進行速度ｖとに基づいて、ドロップレット２７１の生成周波数ｆを算出してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の生成周波数ｆを次式から算出してもよい。
ｆ＝ｖ／ｄ In step S2286, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the generation frequency f of the droplet 271 based on the distance d calculated in step S2284 and the traveling speed v calculated in step S2285.
The droplet output calculation control unit 43 may calculate the generation frequency f of the droplet 271 from the following equation.
f = v / d

なお、第２実施形態の撮像時間Δｔも、第１実施形態と同様に、次式を満たし得る。
（ｄ−Ａ）／ｖ＜Δｔ＜ｄ／ｖ
このため、第２実施形態においても、撮像部４１２を構成するイメージセンサ４１２ａは、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の影像軌跡を、互いの影像軌跡が重ならないようにして毎回撮像し得る。 Note that the imaging time Δt of the second embodiment can also satisfy the following equation, as in the first embodiment.
(D−A) / v <Δt <d / v
Therefore, also in the second embodiment, the image sensor 412a configuring the imaging unit 412 captures the image trajectories of two adjacent droplets 271 that are sequentially output so that the image trajectories do not overlap each other. obtain.

［６．３ 作用］
第２実施形態では、ドロップレットカウンタ部４２を備えなくとも、ドロップレット２７１の直径Ｄ及び生成周波数ｆを算出し得ると共に出力積算量Ｖｓｕｍを計算し得る。
よって、第２実施形態は、ドロップレットカウンタ部４２全体を省き得るため、ＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムを更に簡略化し得る。 [6.3 Action]
In the second embodiment, even if the droplet counter unit 42 is not provided, the diameter D and the generation frequency f of the droplet 271 can be calculated and the output integrated amount Vsum can be calculated.
Therefore, since the second embodiment can omit the entire droplet counter unit 42, the target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 can be further simplified.

［６．４ 第２実施形態の変形例］
図１３を用いて、第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システムについて説明する。
第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成は、図１０の第２実施形態の構成と同様である。
第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作は、図１３のようにドロップレット出力計算処理が、図１１に示す第２実施形態の動作と異なる。その他の動作は、第２実施形態と同様である。
第２実施形態と同様の構成及び動作については説明を省略する。 [6.4 Modification of Second Embodiment]
A target remaining amount measuring system provided in an EUV light generation apparatus according to a modification of the second embodiment will be described with reference to FIG.
The configuration of the target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the modification of the second embodiment is the same as the configuration of the second embodiment in FIG.
The operation of the remaining target amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the modification of the second embodiment differs from the operation of the second embodiment shown in FIG. 11 in the droplet output calculation process as shown in FIG. Other operations are the same as those in the second embodiment.
The description of the same configuration and operation as in the second embodiment is omitted.

第２実施形態では、ドロップレット２７１の生成周波数ｆは、順次出力された隣り合う２つのドロップレットの影像軌跡間の距離ｄとドロップレット２７１の進行速度ｖとから算出してもよい。
第２実施形態の変形例では、ドロップレット２７１の生成周波数ｆが固定値であってもよい。 In the second embodiment, the generation frequency f of the droplet 271 may be calculated from the distance d between the image trajectories of two adjacent droplets that are sequentially output and the traveling speed v of the droplet 271.
In the modification of the second embodiment, the generation frequency f of the droplet 271 may be a fixed value.

図１３を用いて、ドロップレット出力計算制御部４３のドロップレット出力計算処理について説明する。
ドロップレット出力計算制御部４３は、図６のステップＳ２０において出力されたドロップレット出力計算処理の実行開始信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。 The droplet output calculation process of the droplet output calculation control unit 43 will be described with reference to FIG.
When the droplet output calculation control unit 43 receives the execution start signal of the droplet output calculation process output in step S20 of FIG. 6, the droplet output calculation control unit 43 may perform the following processing.

ステップＳ２４１において、ドロップレット出力計算制御部４３は、図１１のステップＳ２１１と同様の処理を行ってもよい。   In step S241, the droplet output calculation control unit 43 may perform the same process as in step S211 of FIG.

ステップＳ２４２において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の生成周波数ｆをｆ＝ｆ０に設定してもよい。
生成周波数ｆ０は、予め定められた生成周波数ｆの固定値であってもよい。生成周波数ｆ０は、例えば、オペレータの操作によってターゲット生成制御部７４に入力されてもよいし、ＥＵＶ光生成制御部５やネットワークを介して入力されてもよい。 In step S242, the droplet output calculation control unit 43 may set the generation frequency f of the droplet 271 to f = f0.
The generation frequency f0 may be a fixed value of a predetermined generation frequency f. The generation frequency f0 may be input to the target generation control unit 74 by an operator's operation, or may be input via the EUV light generation control unit 5 or a network, for example.

ステップＳ２４３〜ステップＳ２４８において、ドロップレット出力計算制御部４３は、図１１のステップＳ２２２〜ステップＳ２２７と同様の処理を行ってもよい。   In step S243 to step S248, the droplet output calculation control unit 43 may perform the same processing as in step S222 to step S227 in FIG.

ステップＳ２４９において、ドロップレット出力計算制御部４３は、取得した画像データに含まれるドロップレット２７１の直径Ｄを算出してもよい。
なお、ドロップレット２７１の直径Ｄを算出する処理については、図１２ＡのステップＳ２２８１及びステップＳ２２８２と同様である。 In step S249, the droplet output calculation control unit 43 may calculate the diameter D of the droplet 271 included in the acquired image data.
Note that the process of calculating the diameter D of the droplet 271 is the same as steps S2281 and S2282 in FIG. 12A.

ステップＳ２５０において、ドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０に設定してもよい。
ドロップレット出力計算制御部４３は、ステップＳ２４７で取得した画像データにドロップレット２７１が含まれていなければ、ドロップレット２７１の直径ＤをＤ＝０とみなし得る。 In step S250, the droplet output calculation control unit 43 may set the diameter D of the droplet 271 to D = 0.
If the droplet data 271 is not included in the image data acquired in step S247, the droplet output calculation control unit 43 can regard the diameter D of the droplet 271 as D = 0.

ステップＳ２５１〜ステップＳ２５６において、ドロップレット出力計算制御部４３は、図１１のステップＳ２３０〜ステップＳ２３５と同様の処理を行ってもよい。   In step S251 to step S256, the droplet output calculation control unit 43 may perform the same processing as in step S230 to step S235 of FIG.

［７．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット残量計測システム］
［７．１ 構成］
図１４を用いて、第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成について説明する。
第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの構成は、図１４のように圧力調節機構７２及びターゲット生成制御部７４の構成が、図１０に示す第２実施形態の構成と異なる。その他の構成は、第２実施形態の構成と同様である。
第２実施形態と同様の構成については説明を省略する。 [7. Target remaining amount measurement system provided in EUV light generation apparatus of third embodiment]
[7.1 Configuration]
The configuration of the target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the third embodiment will be described with reference to FIG.
The configuration of the target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the third embodiment is the same as that of the second embodiment shown in FIG. Different from the configuration. Other configurations are the same as those of the second embodiment.
The description of the same configuration as that of the second embodiment is omitted.

第１実施形態では、ターゲット残量管理処理（図６のステップＳ１０）の初期量Ｖ０は、前回のターゲット残量管理処理において算出し記憶しておいた残量Ｖｒｅｓを用いてもよい。
第２実施形態では、ターゲット残量管理処理の初期量Ｖ０は、第１実施形態と同様でもよい。
第３実施形態では、ターゲット残量管理処理の初期量Ｖ０を、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを算出する前に圧力調節機構７２を用いて実際に計測してもよい。 In the first embodiment, the remaining amount Vres calculated and stored in the previous remaining target amount management process may be used as the initial amount V0 of the remaining target amount management process (step S10 in FIG. 6).
In the second embodiment, the initial amount V0 of the target remaining amount management process may be the same as in the first embodiment.
In the third embodiment, the initial amount V0 of the target remaining amount management process may be actually measured using the pressure adjustment mechanism 72 before calculating the remaining amount Vres of the target 27.

図１４の第３実施形態に係る圧力調節機構７２は、圧力調節器７２１と、配管７２２〜７２５と、継手７２６ａ及び継手７２６ｂと、圧力センサ７２７と、ガスタンク７２８と、排気ポンプ７２９と、バルブＶ１〜Ｖ４とを含んでもよい。   14 includes a pressure regulator 721, pipes 722 to 725, a joint 726a and a joint 726b, a pressure sensor 727, a gas tank 728, an exhaust pump 729, and a valve V1. ~ V4 may be included.

圧力調節器７２１及び配管７２２は、図１０の第２実施形態と同様の構成であってもよい。
配管７２３は、圧力調節器７２１と配管７２２とを継手７２６ａを介して連結してもよい。
配管７２４は、圧力センサ７２７とガスタンク７２８とを連結してもよい。
配管７２５は、ガスタンク７２８と排気ポンプ７２９とを連結してもよい。
継手７２６ａ及び圧力調節器７２１の間の配管７２３と、圧力センサ７２７及びガスタンク７２８の間の配管７２４とは継手７２６ｂを介して連結されてもよい。
ターゲット供給部２６のタンク２６１、圧力調節器７２１、圧力センサ７２７、ガスタンク７２８、及び排気ポンプ７２９は、その内部が配管７２２〜７２５によって互いに連通してもよい。
配管７２２〜７２５は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管７２２〜７２５には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管７２２〜７２５内の温度は、ターゲット供給部２６のタンク２６１内の温度と同じ温度に保たれてもよい。 The pressure regulator 721 and the pipe 722 may have the same configuration as that of the second embodiment in FIG.
The pipe 723 may connect the pressure regulator 721 and the pipe 722 via a joint 726a.
The pipe 724 may connect the pressure sensor 727 and the gas tank 728.
The pipe 725 may connect the gas tank 728 and the exhaust pump 729.
A pipe 723 between the joint 726a and the pressure regulator 721 and a pipe 724 between the pressure sensor 727 and the gas tank 728 may be connected via a joint 726b.
The tank 261, the pressure regulator 721, the pressure sensor 727, the gas tank 728, and the exhaust pump 729 of the target supply unit 26 may communicate with each other through pipes 722 to 725.
The pipes 722 to 725 may be covered with a heat insulating material (not shown). A heater (not shown) may be installed in the pipes 722 to 725. The temperature in the pipes 722 to 725 may be kept at the same temperature as the temperature in the tank 261 of the target supply unit 26.

圧力センサ７２７は、配管７２２〜７２５を含む圧力調節機構７２の各構成部内やタンク２６１内の空間Ｓｘの圧力を検出してもよい。
タンク２６１内の空間Ｓｘは、タンク２６１内のターゲット２７を収容可能な全空間の内、ターゲット２７が収容されていない部分の空間であってもよい。
圧力センサ７２７は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。圧力センサ７２７は、検出した圧力の検出信号をターゲット生成制御部７４に出力してもよい。 The pressure sensor 727 may detect the pressure in the space Sx in each component of the pressure adjustment mechanism 72 including the pipes 722 to 725 or in the tank 261.
The space Sx in the tank 261 may be a space in a portion where the target 27 is not accommodated in the entire space in which the target 27 in the tank 261 can be accommodated.
The pressure sensor 727 may be connected to the target generation control unit 74. The pressure sensor 727 may output a detection signal of the detected pressure to the target generation control unit 74.

ガスタンク７２８は、所定容積の内部空間を含んでもよい。
ガスタンク７２８の外周部は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。ガスタンク７２８の外周部には、図示しないヒータが設置されてもよい。ガスタンク７２８内の温度は、ターゲット供給部２６のタンク２６１内の温度と同じ温度に保たれてもよい。 The gas tank 728 may include an internal space having a predetermined volume.
The outer periphery of the gas tank 728 may be covered with a heat insulating material (not shown). A heater (not shown) may be installed on the outer periphery of the gas tank 728. The temperature in the gas tank 728 may be kept at the same temperature as the temperature in the tank 261 of the target supply unit 26.

排気ポンプ７２９は、配管７２２〜７２５を含む圧力調節機構７２の各構成部内やタンク２６１内の空間Ｓｘのガスを排気してもよい。排気ポンプ７２９は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。   The exhaust pump 729 may exhaust the gas in the space Sx in each component of the pressure adjustment mechanism 72 including the pipes 722 to 725 or in the tank 261. The exhaust pump 729 may be connected to the target generation control unit 74.

バルブＶ１は、継手７２６ａとタンク２６１との間の配管７２２に設けられてもよい。
バルブＶ２は、継手７２６ｂと圧力調節器７２１との間の配管７２３に設けられてもよい。
バルブＶ３は、継手７２６ｂとガスタンク７２８との間の配管７２４に設けられてもよい。
バルブＶ４は、ガスタンク７２８と排気ポンプ７２９との間の配管７２５に設けられてもよい。
バルブＶ１〜Ｖ４は、その開閉動作によって配管７２２〜７２５内のガスの流れを規制してもよい。
バルブＶ１〜Ｖ４は、ソレノイドバルブであってもよい。バルブＶ１〜Ｖ４は、それぞれターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。 The valve V1 may be provided in a pipe 722 between the joint 726a and the tank 261.
The valve V2 may be provided in the pipe 723 between the joint 726b and the pressure regulator 721.
The valve V3 may be provided in the pipe 724 between the joint 726b and the gas tank 728.
The valve V4 may be provided in a pipe 725 between the gas tank 728 and the exhaust pump 729.
The valves V1 to V4 may regulate the gas flow in the pipes 722 to 725 by opening and closing operations thereof.
The valves V1 to V4 may be solenoid valves. The valves V1 to V4 may be connected to the target generation control unit 74, respectively.

ターゲット生成制御部７４は、排気ポンプ７２９に作動信号又は作動停止信号を出力して、排気ポンプ７２９の排気動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ１〜Ｖ４にバルブ開信号又はバルブ閉信号をそれぞれ出力して、バルブＶ１〜Ｖ４の開閉動作をそれぞれ制御してもよい。 The target generation control unit 74 may control an exhaust operation of the exhaust pump 729 by outputting an operation signal or an operation stop signal to the exhaust pump 729.
The target generation control unit 74 may control the opening / closing operation of the valves V1 to V4 by outputting a valve opening signal or a valve closing signal to the valves V1 to V4, respectively.

ターゲット生成制御部７４は、ターゲット初期量算出部７４２を含んでもよい。ターゲット初期量算出部７４２は、タンク２６１内に収容されたターゲット２７の初期量Ｖ０を算出するプログラムであってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット初期量算出部７４２を用いて、圧力調節機構７２の各構成部内やタンク２６１内の空間Ｓｘの容積及び圧力に基づいて、タンク２６１内に収容されたターゲット２７の初期量Ｖ０を算出してもよい。ターゲット生成制御部７４は、算出したターゲット２７の初期量Ｖ０を記憶してもよい。ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の初期量Ｖ０を算出した時刻を更に対応付けて記憶してもよい。 The target generation control unit 74 may include a target initial amount calculation unit 742. The target initial amount calculation unit 742 may be a program that calculates the initial amount V0 of the target 27 accommodated in the tank 261.
The target generation control unit 74 uses the target initial amount calculation unit 742 to determine the target 27 stored in the tank 261 based on the volume and pressure of the space Sx in each component of the pressure adjustment mechanism 72 and the tank 261. The initial amount V0 may be calculated. The target generation control unit 74 may store the calculated initial amount V0 of the target 27. The target generation control unit 74 may further store the time when the initial amount V0 of the target 27 is calculated in association with each other.

［７．２ 動作］
図１４〜図１６を用いて、第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作について説明する。
第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット残量計測システムの動作は、図１５及び図１６のようにターゲット残量管理処理及びターゲット初期量計測に係る処理が、第２実施形態の動作と異なる。その他の動作は、第２実施形態と同様である。
第２実施形態と同様の動作については説明を省略する。 [7.2 Operation]
The operation of the target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.
The operation of the target remaining amount measurement system provided in the EUV light generation apparatus 1 according to the third embodiment is the same as that of the second embodiment with respect to the target remaining amount management process and the process related to the target initial amount measurement as shown in FIGS. Different from operation. Other operations are the same as those in the second embodiment.
Description of operations similar to those of the second embodiment is omitted.

図１５を用いて、ターゲット生成制御部７４のターゲット残量管理に係る処理について説明する。
ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力された、ターゲット残量計測を実行するための制御信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。 With reference to FIG. 15, processing related to target remaining amount management of the target generation control unit 74 will be described.
The target generation control unit 74 may perform the following processing when a control signal output from the EUV light generation control unit 5 for executing target remaining amount measurement is input.

ステップＳ１１において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１内に収容されたターゲット２７の初期量Ｖ０を計測する処理を実行してもよい。
なお、ターゲット２７の初期量Ｖ０を計測する処理については、図１６を用いて後述する。 In step S <b> 11, the target generation control unit 74 may execute a process of measuring the initial amount V <b> 0 of the target 27 accommodated in the tank 261.
The process of measuring the initial amount V0 of the target 27 will be described later with reference to FIG.

ステップＳ２０において、ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット出力計算処理の実行開始信号をドロップレット出力計算制御部４３に出力してもよい。
当該実行開始信号が入力されたドロップレット出力計算制御部４３は、ドロップレット出力計算処理を実行し得る。
第３実施形態のドロップレット出力計算処理は、第２実施形態のドロップレット出力計算処理（図１１）又は第２実施形態の変形例のドロップレット出力計算処理（図１３）と同様であってもよい。 In step S <b> 20, the target generation control unit 74 may output an execution start signal for the droplet output calculation process to the droplet output calculation control unit 43.
The droplet output calculation control unit 43 to which the execution start signal is input can execute a droplet output calculation process.
The droplet output calculation process of the third embodiment may be the same as the droplet output calculation process of the second embodiment (FIG. 11) or the droplet output calculation process of the modification of the second embodiment (FIG. 13). Good.

ステップＳ３０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ２０で計算したドロップレット２７１の出力積算量Ｖｓｕｍを読み込んでもよい。   In step S30, the target generation control unit 74 may read the output integrated amount Vsum of the droplet 271 calculated in step S20.

ステップＳ４０において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを算出してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ１０で計測した初期量Ｖ０から、ステップＳ３０で読み込んだ出力積算量Ｖｓｕｍを減算することによって、残量Ｖｒｅｓを算出してもよい。 In step S <b> 40, the target generation control unit 74 may calculate the remaining amount Vres of the target 27 accommodated in the tank 261.
The target generation control unit 74 may calculate the remaining amount Vres by subtracting the output integrated amount Vsum read in step S30 from the initial amount V0 measured in step S10.

ステップＳ５０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ４０で算出したターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを外部表示装置に表示してもよい。   In step S50, the target generation control unit 74 may display the remaining amount Vres of the target 27 calculated in step S40 on the external display device.

ステップＳ６０において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ４０で算出したターゲット２７の残量ＶｒｅｓがＶＬより小さいか否かを判定してもよい。
ＶＬは、図６の説明と同様、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓにおける下限量であってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、残量Ｖｒｅｓが下限量ＶＬより小さくなければステップＳ２０に移行してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、残量Ｖｒｅｓが下限量ＶＬより小さければステップＳ７０に移行してもよい。 In step S60, the target generation control unit 74 may determine whether or not the remaining amount Vres of the target 27 calculated in step S40 is smaller than VL.
Similarly to the description of FIG. 6, the VL may be a lower limit amount in the remaining amount Vres of the target 27 accommodated in the tank 261.
If the remaining amount Vres is not smaller than the lower limit amount VL, the target generation control unit 74 may proceed to step S20. On the other hand, the target generation control unit 74 may proceed to step S70 if the remaining amount Vres is smaller than the lower limit amount VL.

ステップＳ７０において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓが少ないことをＥＵＶ光生成制御部５に通知してもよい。同時に、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓが少ないことを外部表示装置に表示してもよい。   In step S <b> 70, the target generation control unit 74 may notify the EUV light generation control unit 5 that the remaining amount Vres of the target 27 accommodated in the tank 261 is small. At the same time, the target generation control unit 74 may display on the external display device that the remaining amount Vres of the target 27 accommodated in the tank 261 is small.

図１６を用いて、ターゲット生成制御部７４のターゲット２７の初期量Ｖ０を計測する処理について説明する。   A process of measuring the initial amount V0 of the target 27 in the target generation control unit 74 will be described with reference to FIG.

ステップＳ１１０１において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ１及びバルブＶ２に閉信号を出力して、バルブＶ１及びバルブＶ２を閉じてもよい。加えて、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ３及びバルブＶ４に開信号を出力して、バルブＶ３及びバルブＶ４を開いてもよい。
バルブＶ１よりタンク２６１側の配管７２２及びバルブＶ２より圧力調節器７２１側の配管７２３を除く配管７２２〜７２５、圧力センサ７２７、並びにガスタンク７２８は、排気ポンプ７２９と連通し得る。 In step S1101, the target generation control unit 74 may output a close signal to the valves V1 and V2 to close the valves V1 and V2. In addition, the target generation control unit 74 may output an open signal to the valves V3 and V4 to open the valves V3 and V4.
The pipes 722 to 725 excluding the pipe 722 on the tank 261 side from the valve V1 and the pipe 723 on the pressure regulator 721 side from the valve V2, the pressure sensor 727, and the gas tank 728 can communicate with the exhaust pump 729.

ステップＳ１１０２において、ターゲット生成制御部７４は、排気ポンプ７２９に作動信号を出力して、排気ポンプ７２９の排気動作を作動させてもよい。
バルブＶ１よりタンク２６１側の配管７２２及びバルブＶ２より圧力調節器７２１側の配管７２３を除く配管７２２〜７２５内の空間、並びにガスタンク７２８内の空間を、「空間Ｓ１」ともいう。
排気ポンプ７２９ポンプの排気動作により、空間Ｓ１のガスが排気され得る。 In step S1102, the target generation control unit 74 may output an operation signal to the exhaust pump 729 to operate the exhaust operation of the exhaust pump 729.
The space in the pipes 722 to 725 excluding the pipe 722 on the tank 261 side from the valve V1 and the pipe 723 on the pressure regulator 721 side from the valve V2, and the space in the gas tank 728 are also referred to as “space S1”.
The gas in the space S1 can be exhausted by the exhaust operation of the exhaust pump 729 pump.

ステップＳ１１０３において、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さいか否かを判定してもよい。
ＰＬは、真空状態に近い圧力値であってもよい。ＰＬは、例えば１ｈＰａ程度であってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さくなければ待機してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さくなればステップＳ１１０４に移行してもよい。
ステップＳ１１０２で内部のガスが排気された空間Ｓ１の圧力が、真空状態に近い圧力まで減圧され得る。 In step S1103, the target generation control unit 74 may determine whether or not the detection value P of the pressure sensor 727 is smaller than PL.
PL may be a pressure value close to a vacuum state. The PL may be about 1 hPa, for example.
The target generation control unit 74 may stand by if the detection value P of the pressure sensor 727 is not smaller than PL. On the other hand, the target generation control unit 74 may proceed to step S1104 if the detected value P of the pressure sensor 727 becomes smaller than PL.
The pressure in the space S1 from which the internal gas is exhausted in step S1102 can be reduced to a pressure close to a vacuum state.

ステップＳ１１０４において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ１に開信号を出力して、バルブＶ１を開いてもよい。
バルブＶ１よりタンク２６１側の配管７２２内の空間、及びタンク２６１内の空間Ｓｘを、「空間Ｓ２」ともいう。
ステップＳ１１０３で減圧された空間Ｓ１の圧力と空間Ｓ２の圧力との圧力差によって、空間Ｓ２のガスが、空間Ｓ１を介して排気され得る。 In step S1104, the target generation control unit 74 may output an open signal to the valve V1 to open the valve V1.
The space in the pipe 722 on the tank 261 side from the valve V1 and the space Sx in the tank 261 are also referred to as “space S2”.
The gas in the space S2 can be exhausted through the space S1 due to the pressure difference between the pressure in the space S1 decompressed in step S1103 and the pressure in the space S2.

ステップＳ１１０５において、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さいか否かを判定してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さくなければ待機してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値ＰがＰＬより小さくなればステップＳ１１０６に移行してもよい。
ステップＳ１１０４で排気された空間Ｓ１及び空間Ｓ２の圧力が、真空状態に近い圧力まで減圧され得る。 In step S1105, the target generation control unit 74 may determine whether or not the detection value P of the pressure sensor 727 is smaller than PL.
The target generation control unit 74 may stand by if the detection value P of the pressure sensor 727 is not smaller than PL. On the other hand, the target generation control unit 74 may proceed to step S1106 if the detection value P of the pressure sensor 727 becomes smaller than PL.
The pressure in the space S1 and the space S2 exhausted in step S1104 can be reduced to a pressure close to a vacuum state.

ステップＳ１１０６において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ３に閉信号を出力して、バルブＶ３を閉じてもよい。
バルブＶ１より継手７２６ａ側の配管７２２内の空間、バルブＶ２より継手７２６ａ側の配管７２３内の空間、及びバルブＶ３より圧力センサ７２７側の配管７２４内の空間を、「空間Ｓ３」ともいう。
バルブＶ３を閉じることにより、空間Ｓ２及び空間Ｓ３が、真空状態に近い圧力のまま密閉され得る。
更に、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ４に閉信号を出力して、バルブＶ４を閉じてもよい。
バルブＶ３よりガスタンク７２８側の配管７２４内の空間、及びガスタンク７２８内の空間を、「空間Ｓ４」ともいう。
バルブＶ４を閉じることにより、空間Ｓ４が、真空状態に近い圧力のまま密閉され得る。 In step S1106, the target generation control unit 74 may output a close signal to the valve V3 to close the valve V3.
The space in the pipe 722 on the joint 726a side from the valve V1, the space in the pipe 723 on the joint 726a side from the valve V2, and the space in the pipe 724 on the pressure sensor 727 side from the valve V3 are also referred to as “space S3”.
By closing the valve V3, the space S2 and the space S3 can be sealed with a pressure close to a vacuum state.
Further, the target generation control unit 74 may output a close signal to the valve V4 to close the valve V4.
The space in the pipe 724 on the gas tank 728 side from the valve V3 and the space in the gas tank 728 are also referred to as “space S4”.
By closing the valve V4, the space S4 can be sealed with a pressure close to a vacuum state.

ステップＳ１１０７において、ターゲット生成制御部７４は、排気ポンプ７２９に作動停止信号を出力して、排気ポンプ７２９の排気動作を停止してもよい。   In step S1107, the target generation control unit 74 may output an operation stop signal to the exhaust pump 729 to stop the exhaust operation of the exhaust pump 729.

ステップＳ１１０８において、ターゲット生成制御部７４は、圧力調節器７２１に圧力設定値Ｐ１を設定してもよい。圧力調節器７２１は、圧力設定値Ｐ１に相当する不活性ガスをガスボンベ９から給気し得る。
圧力設定値Ｐ１は、ＰＬよりも十分に大きい圧力の値であってもよい。Ｐ１は、例えば１０１３ｈＰａ程度であってもよい。 In step S1108, the target generation control unit 74 may set the pressure setting value P1 in the pressure regulator 721. The pressure regulator 721 can supply an inert gas corresponding to the pressure set value P <b> 1 from the gas cylinder 9.
The pressure set value P1 may be a pressure value sufficiently larger than PL. P1 may be about 1013 hPa, for example.

ステップＳ１１０９において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ２に開信号を出力して、バルブＶ２を開いてもよい。
バルブＶ２より圧力調節器７２１側の配管７２３及び圧力調節器７２１と、ステップＳ１１０６で密閉された空間Ｓ２及び空間Ｓ３とが連通し得る。
これにより、圧力調節器７２１は、空間Ｓ２及び空間Ｓ３の圧力が圧力値Ｐ１となるまで、不活性ガスを空間Ｓ２及び空間Ｓ３に給気し得る。 In step S1109, the target generation control unit 74 may output an open signal to the valve V2 to open the valve V2.
The piping 723 and the pressure regulator 721 on the pressure regulator 721 side from the valve V2 can communicate with the space S2 and the space S3 sealed in step S1106.
Thereby, the pressure regulator 721 can supply the inert gas to the space S2 and the space S3 until the pressure in the space S2 and the space S3 reaches the pressure value P1.

ステップＳ１１１０において、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値Ｐが、ステップＳ１１０９で給気された不活性ガスの圧力値Ｐ１と同等になったか否かを判定してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値Ｐが不活性ガスの圧力値Ｐ１と同等でなければ待機してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値Ｐが不活性ガスの圧力値Ｐ１と同等になればステップＳ１１１１に移行してもよい。
ステップＳ１１０９で圧力調節器７２１と連通した空間Ｓ２及び空間Ｓ３の圧力が、ステップＳ１１０８で圧力調節器７２１に設定された不活性ガスの圧力値Ｐ１まで加圧され得る。 In step S1110, the target generation control unit 74 may determine whether or not the detection value P of the pressure sensor 727 is equal to the pressure value P1 of the inert gas supplied in step S1109.
The target generation control unit 74 may stand by if the detection value P of the pressure sensor 727 is not equal to the pressure value P1 of the inert gas. On the other hand, the target generation control unit 74 may proceed to step S1111 if the detected value P of the pressure sensor 727 becomes equal to the pressure value P1 of the inert gas.
The pressure in the space S2 and the space S3 communicated with the pressure regulator 721 in step S1109 can be increased to the inert gas pressure value P1 set in the pressure regulator 721 in step S1108.

ステップＳ１１１１において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ２に閉信号を出力して、バルブＶ２を閉じてもよい。
ステップＳ１１１０において加圧された空間Ｓ２及び空間Ｓ３が、圧力値Ｐ１のまま密閉され得る。 In step S1111, the target generation control unit 74 may output a close signal to the valve V2 to close the valve V2.
The space S2 and the space S3 pressurized in step S1110 can be sealed with the pressure value P1.

ステップＳ１１１２において、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値Ｐを読み込むと共に、読み込んだ検出値ＰをＰ２として記憶してもよい。
ステップＳ１１１１で密閉された空間Ｓ２及び空間Ｓ３の圧力が、圧力値Ｐ２として記憶され得る。 In step S1112, the target generation control unit 74 may read the detection value P of the pressure sensor 727 and store the read detection value P as P2.
The pressures in the space S2 and the space S3 sealed in step S1111 can be stored as the pressure value P2.

ステップＳ１１１３において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ３に開信号を出力して、バルブＶ３を開いてもよい。
ステップＳ１１１１で密閉された空間Ｓ２及び空間Ｓ３と、ステップＳ１１０６で密閉された空間Ｓ４とが連通し得る。
ステップＳ１１１１で密閉された空間Ｓ２及び空間Ｓ３から、ステップＳ１１０６で密閉された空間Ｓ４に、その圧力差によって不活性ガスが流入し得る。そして、空間Ｓ２及び空間Ｓ３の圧力と空間Ｓ４の圧力とは、圧力値Ｐ２よりも低い圧力で平衡状態となり得る。 In step S1113, the target generation control unit 74 may open the valve V3 by outputting an open signal to the valve V3.
The space S2 and the space S3 sealed in step S1111 can communicate with the space S4 sealed in step S1106.
An inert gas can flow into the space S4 sealed in step S1106 from the spaces S2 and S3 sealed in step S1111 due to the pressure difference. The pressure in the space S2 and the space S3 and the pressure in the space S4 can be in an equilibrium state at a pressure lower than the pressure value P2.

ステップＳ１１１４において、ターゲット生成制御部７４は、圧力センサ７２７の検出値Ｐを読み込むと共に、読み込んだ検出値ＰをＰ３として記憶してもよい。
ステップＳ１１１３で連通した空間Ｓ２〜Ｓ４の圧力が、圧力値Ｐ３として記憶され得る。 In step S1114, the target generation control unit 74 may read the detection value P of the pressure sensor 727 and store the read detection value P as P3.
The pressure in the spaces S2 to S4 communicated in step S1113 can be stored as the pressure value P3.

ステップＳ１１１５において、ターゲット生成制御部７４は、空間Ｓ２及び空間Ｓ３の容積Ｖｘを算出してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、空間Ｓ２及び空間Ｓ３内の容積Ｖｘを次式から算出してもよい。
Ｖｘ＝Ｐ３・Ｖｇ／（Ｐ２−Ｐ３）
Ｖｇは、空間Ｓ４の容積であってもよい。Ｐ２及びＰ３は、ステップＳ１１１２及びステップＳ１１１４で読み込んだ圧力値であってもよい。
なお、ターゲット生成制御部７４は、断熱膨張の式（ＰＶγ＝一定）からＶｘを算出してもよい。 In step S1115, the target generation control unit 74 may calculate the volume Vx of the space S2 and the space S3.
The target generation control unit 74 may calculate the volume Vx in the space S2 and the space S3 from the following equation.
Vx = P3 · Vg / (P2-P3)
Vg may be the volume of the space S4. P2 and P3 may be the pressure values read in step S1112 and step S1114.
The target generation control unit 74 may calculate Vx from the adiabatic expansion formula (PV γ = constant).

ステップＳ１１１６において、ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ１１１５で算出した容積Ｖｘと所定値Ｖｉｎとに基づいて、ターゲット２７の初期量Ｖ０を算出してもよい。
所定値Ｖｉｎは、バルブＶ１よりタンク２６１側の配管７２２内の空間、タンク２６１内の全収容空間、及び空間Ｓ３の容積である。Ｖｉｎは、予め算出されてもよい。
ターゲット生成制御部７４は、初期量Ｖ０を次式から算出してもよい。
Ｖ０＝Ｖｉｎ−Ｖｘ
右辺（Ｖｉｎ−Ｖｘ）は、前回のターゲット残量管理処理において算出した残量Ｖｒｅｓに相当し得る。 In step S1116, the target generation control unit 74 may calculate the initial amount V0 of the target 27 based on the volume Vx calculated in step S1115 and the predetermined value Vin.
The predetermined value Vin is the space in the pipe 722 closer to the tank 261 than the valve V1, the total accommodating space in the tank 261, and the volume of the space S3. Vin may be calculated in advance.
The target generation control unit 74 may calculate the initial amount V0 from the following equation.
V0 = Vin−Vx
The right side (Vin−Vx) may correspond to the remaining amount Vres calculated in the previous target remaining amount management process.

ステップＳ１１１７において、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ３に閉信号を出力して、バルブＶ３を閉じてもよい。
空間Ｓ２及び空間Ｓ３と、空間Ｓ４との連通を遮断し、ガスタンク７２８への不活性ガスの流れを遮断し得る。
更に、ターゲット生成制御部７４は、バルブＶ１及びバルブＶ２に開信号を出力して、バルブＶ１及びバルブＶ２を開いてもよい。
圧力調節器７２１と、空間Ｓ２及び空間Ｓ３とが連通し得る。
以上の処理以降、ターゲット２７をチャンバ２内へ供給する場合は、圧力調節器７２１に圧力値を設定してもよい。これによって、タンク２６１に収容されたターゲット２７が、設定圧力で加圧され得る。加圧されたターゲット２７は、ノズル２６２を介してチャンバ２内へ供給され得る。 In step S1117, the target generation control unit 74 may output a close signal to the valve V3 to close the valve V3.
The communication between the space S2 and the space S3 and the space S4 can be cut off, and the flow of the inert gas to the gas tank 728 can be cut off.
Furthermore, the target generation control unit 74 may output an open signal to the valves V1 and V2 to open the valves V1 and V2.
The pressure regulator 721 can communicate with the space S2 and the space S3.
After the above processing, when supplying the target 27 into the chamber 2, a pressure value may be set in the pressure regulator 721. As a result, the target 27 accommodated in the tank 261 can be pressurized at the set pressure. The pressurized target 27 can be supplied into the chamber 2 via the nozzle 262.

［７．３ 作用］
第３実施形態では、ターゲット２７の初期量Ｖ０を実際に計測した値を用いて、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓを算出（図１５のステップＳ４０）し得る。
このため、第３実施形態では、第１実施形態及び第２実施形態と比べて、ターゲット２７の残量Ｖｒｅｓをより正確に計測し得る。 [7.3 Action]
In the third embodiment, the remaining amount Vres of the target 27 can be calculated (step S40 in FIG. 15) using a value obtained by actually measuring the initial amount V0 of the target 27.
For this reason, in 3rd Embodiment, the residual amount Vres of the target 27 can be measured more correctly compared with 1st Embodiment and 2nd Embodiment.

［８．その他］
［８．１ 各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。 [8. Others]
[8.1 Hardware environment of each control unit]
Those skilled in the art will appreciate that the subject matter described herein can be implemented by combining program modules or software applications with a general purpose computer or programmable controller. Generally, program modules include routines, programs, components, data structures, etc. that can perform the processes described in this disclosure.

図１７は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図１７の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。   FIG. 17 is a block diagram illustrating an example hardware environment in which various aspects of the disclosed subject matter may be implemented. The exemplary hardware environment 100 of FIG. 17 includes a processing unit 1000, a storage unit 1005, a user interface 1010, a parallel I / O controller 1020, a serial I / O controller 1030, A / D, D / A. Although the converter 1040 may be included, the configuration of the hardware environment 100 is not limited to this.

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。   The processing unit 1000 may include a central processing unit (CPU) 1001, a memory 1002, a timer 1003, and an image processing unit (GPU) 1004. The memory 1002 may include random access memory (RAM) and read only memory (ROM). The CPU 1001 may be any commercially available processor. A dual microprocessor or other multiprocessor architecture may be used as the CPU 1001.

図１７におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。   These components in FIG. 17 may be interconnected to perform the processes described in this disclosure.

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。   In operation, the processing unit 1000 may read and execute a program stored in the storage unit 1005, or the processing unit 1000 may read data together with the program from the storage unit 1005. The unit 1000 may write data to the storage unit 1005. The CPU 1001 may execute a program read from the storage unit 1005. The memory 1002 may be a work area for temporarily storing programs executed by the CPU 1001 and data used for the operation of the CPU 1001. The timer 1003 may measure the time interval and output the measurement result to the CPU 1001 according to the execution of the program. The GPU 1004 may process the image data according to a program read from the storage unit 1005 and output the processing result to the CPU 1001.

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、ターゲット生成制御部７４、温度制御部７１４、ドロップレット出力計算制御部４３、イメージセンサ４１２ａ、及び画像取得制御部４１３等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ヒータ電源７１２、ピエゾ電源７３２、圧力調節器７２１、カウンタ回路４２３、光源４１１ａ、光源４２１ａ、ＤＣ電圧電源７３４、パルス電圧電源７３６、及び排気ポンプ７２９等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、光センサ４２２ａ、及び液面レベルセンサ８等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。   The parallel I / O controller 1020 includes an EUV light generation controller 5, a laser beam traveling direction controller 34, a target generation controller 74, a temperature controller 714, a droplet output calculation controller 43, an image sensor 412a, and image acquisition control. The communication unit 1000 may be connected to a parallel I / O device that can communicate with the processing unit 1000, and communication between the processing unit 1000 and these parallel I / O devices may be controlled. The serial I / O controller 1030 includes processing units such as a heater power supply 712, a piezo power supply 732, a pressure regulator 721, a counter circuit 423, a light source 411a, a light source 421a, a DC voltage power supply 734, a pulse voltage power supply 736, and an exhaust pump 729. 1000 may be connected to a serial I / O device capable of communicating with 1000, and communication between the processing unit 1000 and these serial I / O devices may be controlled. The A / D and D / A converter 1040 are connected to analog devices such as a temperature sensor, a pressure sensor, various vacuum gauge sensors, a target sensor 4, an optical sensor 422a, and a liquid level sensor 8 through an analog port. Alternatively, communication between the processing unit 1000 and these analog devices may be controlled, or A / D and D / A conversion of communication contents may be performed.

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。   The user interface 1010 may display to the operator the progress of the program executed by the processing unit 1000 so that the operator can instruct the processing unit 1000 to stop the program or execute an interrupt routine.

例示的なハードウェア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、ターゲット生成制御部７４、温度制御部７１４、ドロップレット出力計算制御部４３、及び画像取得制御部４１３の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、ターゲット生成制御部７４、温度制御部７１４、ドロップレット出力計算制御部４３、及び画像取得制御部４１３は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。   The exemplary hardware environment 100 includes an EUV light generation control unit 5, a laser light traveling direction control unit 34, a target generation control unit 74, a temperature control unit 714, a droplet output calculation control unit 43, and image acquisition control according to the present disclosure. The configuration of the unit 413 may be applied. Those skilled in the art will appreciate that these controllers may be implemented in a distributed computing environment, i.e., an environment where tasks are performed by processing units connected via a communications network. In the present disclosure, the EUV light generation control unit 5, the laser beam traveling direction control unit 34, the target generation control unit 74, the temperature control unit 714, the droplet output calculation control unit 43, and the image acquisition control unit 413 are Ethernet or the Internet. They may be connected to each other via a communication network. In a distributed computing environment, program modules may be stored in both local and remote memory storage devices.

［８．２ 光センサの電気回路］
ドロップレットカウンタ部４２の受光部４２２に含まれる光センサ４２２ａは、図１８に示すような電気回路で構成されてもよい。
光センサ４２２ａは、フォトダイオードと、増幅器と、コンパレータとを組み合わせた回路であってもよい。
光源部４２１から出射された連続レーザ光がドロップレット２７１に照射された場合、フォトダイオードで受光される光量は、連続レーザ光のみを受光した場合の光量に比べてドロップレット２７１の影の影響で低くなり得る。このため、フォトダイオードで光電変換され増幅器から出力された出力信号Ｖｐは、基準電位Ｖｓより低くてもよい。
一方、光源部４２１から出射された連続レーザ光がドロップレット２７１に照射されていないとき、フォトダイオードで光電変換され増幅器から出力された出力信号Ｖｐは、基準電位Ｖｓより高くてもよい。
コンパレータから出力される検出信号Ｖｃは、出力信号Ｖｐが基準電位Ｖｓより高い電位であれば、ローレベルの電位Ｖｌであり得る。
コンパレータから出力される検出信号Ｖｃは、出力信号Ｖｐが基準電位Ｖｓより低い電位になると、ハイレベルの電位Ｖｈとなり得る。
コンパレータと接続されたカウンタ回路４２３は、ハイレベルの電位Ｖｈのときにドロップレット２７１が出力されたとして、ドロップレット２７１の個数Ｎをカウントし得る。 [8.2 Electrical circuit of optical sensor]
The optical sensor 422a included in the light receiving unit 422 of the droplet counter unit 42 may be configured by an electric circuit as shown in FIG.
The optical sensor 422a may be a circuit in which a photodiode, an amplifier, and a comparator are combined.
When the continuous laser beam emitted from the light source unit 421 is irradiated on the droplet 271, the amount of light received by the photodiode is affected by the shadow of the droplet 271 compared to the amount of light when only the continuous laser beam is received. Can be low. For this reason, the output signal Vp photoelectrically converted by the photodiode and output from the amplifier may be lower than the reference potential Vs.
On the other hand, when the droplet 271 is not irradiated with the continuous laser light emitted from the light source unit 421, the output signal Vp photoelectrically converted by the photodiode and output from the amplifier may be higher than the reference potential Vs.
The detection signal Vc output from the comparator can be a low-level potential Vl if the output signal Vp is a potential higher than the reference potential Vs.
The detection signal Vc output from the comparator can be a high-level potential Vh when the output signal Vp is lower than the reference potential Vs.
The counter circuit 423 connected to the comparator can count the number N of the droplets 271 on the assumption that the droplets 271 are output at the high-level potential Vh.

［８．３ その他の変形例］
ドロップレット画像計測部４１は、イメージセンサ４１２ａの撮像時間Δｔが光源４１１ａの点灯時間Δτと同程度であれば、光源４１１ａから連続レーザ光を出力させてもよい。
ドロップレット画像計測部４１は、光源部４１１と撮像部４１２とをターゲット進行経路２７２を挟んで対向させなくてもよい。例えば、光源部４１１のウインドウ４１１ｃと撮像部４１２のウインドウ４１２ｃとが同じ方向を向くように配置してもよい。撮像部４１２は、ドロップレット２７１の影ではなくドロップレット２７１からの反射光を撮像し得る。光源部４１１のウインドウ４１１ｃと撮像部４１２のウインドウ４１２ｃとの配置は、ドロップレット２７１からの反射光を撮像し得る配置であればよい。 [8.3 Other Modifications]
The droplet image measurement unit 41 may output continuous laser light from the light source 411a as long as the imaging time Δt of the image sensor 412a is approximately the same as the lighting time Δτ of the light source 411a.
The droplet image measurement unit 41 may not make the light source unit 411 and the imaging unit 412 face each other across the target travel path 272. For example, you may arrange | position so that the window 411c of the light source part 411 and the window 412c of the imaging part 412 may face the same direction. The imaging unit 412 can capture the reflected light from the droplet 271 instead of the shadow of the droplet 271. The arrangement of the window 411c of the light source unit 411 and the window 412c of the imaging unit 412 may be an arrangement capable of imaging the reflected light from the droplet 271.

ドロップレットカウンタ部４２は、光源部４２１と受光部４２２とをターゲット進行経路２７２を挟んで対向させなくてもよい。例えば、光源部４２１のウインドウ４２１ｃと受光部４２２のウインドウ４２２ｃとが同じ方向を向くように配置してもよい。受光部４２２は、ドロップレット２７１からの反射光を検出し得る。光源部４２１のウインドウ４２１ｃと受光部４２２のウインドウ４２２ｃとの配置は、ドロップレット２７１からの反射光を検出し得る配置であればよい。   The droplet counter unit 42 may not face the light source unit 421 and the light receiving unit 422 across the target travel path 272. For example, you may arrange | position so that the window 421c of the light source part 421 and the window 422c of the light-receiving part 422 may face the same direction. The light receiving unit 422 can detect the reflected light from the droplet 271. The arrangement of the window 421c of the light source unit 421 and the window 422c of the light receiving unit 422 may be any arrangement that can detect the reflected light from the droplet 271.

イメージセンサ４１２ａのシャッタ開閉を制御するシャッタ信号は、ドロップレット出力計算制御部４３が出力するのではなく、画像取得制御部４１３が出力してもよい。   The shutter signal for controlling the opening and closing of the shutter of the image sensor 412a may be output from the image acquisition control unit 413 instead of being output from the droplet output calculation control unit 43.

ドロップレット出力計算処理（図７、図１１、図１３）は、ターゲット残量管理処理（図６、図１５）の一環として実行されなくてもよい。ドロップレット出力計算制御部４３は、ターゲット生成制御部７４からの実行開始信号によらず、独自にドロップレット出力計算処理を実行してもよい。   The droplet output calculation process (FIGS. 7, 11, and 13) may not be executed as part of the remaining target amount management process (FIGS. 6 and 15). The droplet output calculation control unit 43 may independently execute the droplet output calculation process regardless of the execution start signal from the target generation control unit 74.

ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲット生成制御部７４、温度制御部７１４、ドロップレット出力計算制御部４３、及び画像取得制御部４１３は、その一部又は全部を組み合わせて一体の制御部として構成されてもよい。   The EUV light generation control unit 5, the target generation control unit 74, the temperature control unit 714, the droplet output calculation control unit 43, and the image acquisition control unit 413 are configured as an integrated control unit by combining some or all of them. Also good.

上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。   It will be apparent to those skilled in the art that the embodiments described above can apply each other's techniques to each other, including modifications.

例えば、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレットカウンタ部４２を、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１に適用してもよい。このとき、第３実施形態のドロップレット出力計算制御部４３が行うドロップレット出力計算処理は、第１実施形態のドロップレット出力計算処理（図７）を適用し得る。   For example, the droplet counter unit 42 included in the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment may be applied to the EUV light generation apparatus 1 of the third embodiment. At this time, the droplet output calculation process (FIG. 7) of the first embodiment can be applied to the droplet output calculation process performed by the droplet output calculation control unit 43 of the third embodiment.

第１〜第３実施形態のドロップレット形成機構７３は、コンティニュアスジェット方式を用いたが、第１実施形態の変形例で用いた静電引出し方式を用いてもよい。   Although the droplet forming mechanism 73 of the first to third embodiments uses the continuous jet method, the electrostatic drawing method used in the modification of the first embodiment may be used.

第３実施形態の圧力調節機構７２を、第１及び第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１に適用してもよい。ターゲット２７の初期量Ｖ０が実測に基づいて求められるため、タンク２６１に収容されたターゲット２７の残量Ｖｒｅｓをより正確に算出し得る。   The pressure adjustment mechanism 72 of the third embodiment may be applied to the EUV light generation apparatus 1 of the first and second embodiments. Since the initial amount V0 of the target 27 is obtained based on actual measurement, the remaining amount Vres of the target 27 stored in the tank 261 can be calculated more accurately.

第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット画像計測部４１を用いて残量Ｖｒｅｓを計測するだけではなく、液面レベルセンサ８とも併用して残量Ｖｒｅｓを計測してもよい。   The EUV light generation apparatus 1 of the first to third embodiments not only measures the remaining amount Vres using the droplet image measurement unit 41 but also measures the remaining amount Vres in combination with the liquid level sensor 8. Also good.

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。   The above description is intended to be illustrative only and not limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the embodiments of the present disclosure without departing from the scope of the appended claims.

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。   Terms used throughout this specification and the appended claims should be construed as "non-limiting" terms. For example, the terms “include” or “included” should be interpreted as “not limited to those described as included”. The term “comprising” should be interpreted as “not limited to what is described as having”. Also, the indefinite article “a” or “an” in the specification and the appended claims should be interpreted to mean “at least one” or “one or more”.

１ …ＥＵＶ光生成装置
２ …チャンバ
２６ …ターゲット供給部
２６１ …タンク
２７ …ターゲット
２７１ …ドロップレット
４１ …ドロップレット画像計測部
４１２ …撮像部
４２ …ドロップレットカウンタ部
４３ …ドロップレット出力計算制御部（controller）
４３１ …ドロップレット直径算出部
５ …ＥＵＶ光生成制御部（controller）
７ …ターゲット生成装置
７２ …圧力調節機構
７４ …ターゲット生成制御部（controller）
７４１ …ターゲット残量算出部
７４２ …ターゲット初期量算出部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... EUV light generation apparatus 2 ... Chamber 26 ... Target supply part 261 ... Tank 27 ... Target 271 ... Droplet 41 ... Droplet image measurement part 412 ... Imaging part 42 ... Droplet counter part 43 ... Droplet output calculation control part ( controller)
431 ... droplet diameter calculation unit 5 ... EUV light generation control unit (controller)
7 ... Target generation device 72 ... Pressure adjustment mechanism 74 ... Target generation control unit (controller)
741 ... Target remaining amount calculation unit 742 ... Target initial amount calculation unit

Claims (3)

内部にドロップレットが順次出力されるチャンバであって、
前記出力された隣り合う２つのドロップレットの像が重なることのない撮像時間で、繰り返しドロップレットの撮像を行う撮像部を備え、
前記ドロップレットの進行方向における前記２つのドロップレットの像の距離をｄとし前記ドロップレットの進行速度をｖとすると、
前記撮像部の１回の撮像時間Δｔが、Δｔ＜ｄ／ｖであり、
前記ドロップレットの進行方向における前記撮像部の撮像範囲の長さをＡとすると、
前記撮像部の１回の撮像時間Δｔが、Δｔ＞（ｄ−Ａ）／ｖの関係を満たすように設定されるチャンバと、
前記チャンバ内でレーザ光が照射されると極端紫外光を生成するターゲットを収容し、該ターゲットを前記ドロップレットとして前記チャンバ内へ出力するターゲット生成装置と、
前記チャンバ内に出力され前記撮像部で撮像された前記ドロップレットの画像データを計測するドロップレット画像計測部と、
前記画像データに基づいて前記ドロップレットの直径を算出するドロップレット直径算出部と、
前記チャンバ内に出力された前記ドロップレットの出力積算量を前記直径に基づいて計算するドロップレット出力計算制御部と、
前記ドロップレットを前記チャンバ内へ出力する前に前記ターゲット生成装置に収容された前記ターゲットの初期量と前記出力積算量とに基づいて、前記ターゲット生成装置に収容された前記ターゲットの残量を算出するターゲット残量算出部と、
を備える極端紫外光生成装置。 A chamber in which droplets are sequentially output,
An imaging unit that repeatedly images the droplets in an imaging time in which the images of the two adjacent droplets that are output do not overlap;
When the distance between the images of the two droplets in the traveling direction of the droplet is d and the traveling speed of the droplet is v,
One imaging time Δt of the imaging unit is Δt <d / v,
When the length of the imaging range of the imaging unit in the traveling direction of the droplet is A,
A chamber set so that one imaging time Δt of the imaging unit satisfies a relationship of Δt> (d−A) / v;
A target generating device that accommodates a target that generates extreme ultraviolet light when irradiated with laser light in the chamber, and outputs the target as the droplet into the chamber;
A droplet image measurement unit that measures the image data of the droplet output to the chamber and imaged by the imaging unit;
A droplet diameter calculation unit for calculating the diameter of the droplet based on the image data;
A droplet output calculation control unit that calculates an integrated output amount of the droplets output into the chamber based on the diameter;
Calculate the remaining amount of the target accommodated in the target generation device based on the initial amount of the target accommodated in the target generation device and the integrated output amount before outputting the droplet into the chamber. A target remaining amount calculation unit to perform,
Bei example Ru extremes ultraviolet light generating apparatus. 前記チャンバ内に出力された前記ドロップレットの個数をカウントするドロップレットカウンタ部を更に備え、
前記ドロップレット出力計算制御部は、前記ドロップレットの個数と前記直径とに基づいて前記出力積算量を計算する
請求項１に記載の極端紫外光生成装置。 A droplet counter unit that counts the number of droplets output into the chamber;
The extreme ultraviolet light generation device according to claim 1 , wherein the droplet output calculation control unit calculates the output integrated amount based on the number of the droplets and the diameter. 前記ターゲット生成装置は、
前記ターゲットを収容するタンクと、
前記タンク内へガスを給気すると共に前記タンク内の圧力を調節する圧力調節機構と、
前記ターゲットが収容された前記タンク内に前記ガスが給気された後の該タンク内の圧力に基づいて前記初期量を算出するターゲット初期量算出部と、
を備える
請求項１に記載の極端紫外光生成装置。 The target generator is
A tank containing the target;
A pressure adjusting mechanism for supplying gas into the tank and adjusting the pressure in the tank;
A target initial amount calculation unit that calculates the initial amount based on the pressure in the tank after the gas is supplied into the tank in which the target is accommodated;
The extreme ultraviolet light generation device according to claim 1 .
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10723497B2 (en) * 2014-11-03 2020-07-28 Vanrx Pharmasystems Inc. Apparatus and method for monitoring and controlling the filling of a container with a pharmaceutical fluid in an aseptic environment
WO2014189055A1 (en) * 2013-05-21 2014-11-27 ギガフォトン株式会社 Extreme ultraviolet light generating apparatus
WO2016147255A1 (en) 2015-03-13 2016-09-22 ギガフォトン株式会社 Target image-capture device and extreme-ultraviolet-light generation device
US9678431B2 (en) 2015-03-16 2017-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV lithography system and method with optimized throughput and stability
WO2017130323A1 (en) * 2016-01-27 2017-08-03 ギガフォトン株式会社 Target supply device and extreme ultraviolet light generating device
JP6237825B2 (en) * 2016-05-27 2017-11-29 ウシオ電機株式会社 High temperature plasma raw material supply device and extreme ultraviolet light source device
WO2017208340A1 (en) 2016-05-31 2017-12-07 ギガフォトン株式会社 Extreme ultraviolet light generation device and method for controlling extreme ultraviolet light generation device
WO2018029863A1 (en) * 2016-08-12 2018-02-15 ギガフォトン株式会社 Droplet detector and euv light generation device
JP6839753B2 (en) * 2017-03-09 2021-03-10 ギガフォトン株式会社 Droplet discharge device and calculation method
WO2019175964A1 (en) * 2018-03-13 2019-09-19 ギガフォトン株式会社 Frame, extreme ultraviolet light generation system, and method for manufacturing device
US10925142B2 (en) * 2018-07-31 2021-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV radiation source for lithography exposure process
US10990026B2 (en) * 2018-08-14 2021-04-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography apparatus and cleaning method thereof
US10877190B2 (en) * 2018-08-17 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet radiation source
JP2021183996A (en) 2020-05-21 2021-12-02 ギガフォトン株式会社 Target supply device, target supply method, and electronic device manufacturing method

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060255298A1 (en) 2005-02-25 2006-11-16 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse
US7378673B2 (en) 2005-02-25 2008-05-27 Cymer, Inc. Source material dispenser for EUV light source
US7405416B2 (en) 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
US6855943B2 (en) * 2002-05-28 2005-02-15 Northrop Grumman Corporation Droplet target delivery method for high pulse-rate laser-plasma extreme ultraviolet light source
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
US8829477B2 (en) * 2010-03-10 2014-09-09 Asml Netherlands B.V. Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
US8513629B2 (en) * 2011-05-13 2013-08-20 Cymer, Llc Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
JP5280066B2 (en) * 2008-02-28 2013-09-04 ギガフォトン株式会社 Extreme ultraviolet light source device
US7872245B2 (en) * 2008-03-17 2011-01-18 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source
US8304752B2 (en) * 2009-04-10 2012-11-06 Cymer, Inc. EUV light producing system and method utilizing an alignment laser
JP5603135B2 (en) * 2009-05-21 2014-10-08 ギガフォトン株式会社 Apparatus and method for measuring and controlling target trajectory in chamber apparatus
WO2010137625A1 (en) * 2009-05-27 2010-12-02 ギガフォトン株式会社 Target output device and extreme ultraviolet light source device
JP5687488B2 (en) * 2010-02-22 2015-03-18 ギガフォトン株式会社 Extreme ultraviolet light generator
US9072153B2 (en) * 2010-03-29 2015-06-30 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation system utilizing a pre-pulse to create a diffused dome shaped target
JP2012199512A (en) * 2011-03-10 2012-10-18 Gigaphoton Inc Extreme ultraviolet light generation apparatus and extreme ultraviolet light generation method
US9029813B2 (en) * 2011-05-20 2015-05-12 Asml Netherlands B.V. Filter for material supply apparatus of an extreme ultraviolet light source
JP5856898B2 (en) * 2011-06-02 2016-02-10 ギガフォトン株式会社 Extreme ultraviolet light generation apparatus and extreme ultraviolet light generation method
JP5846572B2 (en) * 2011-07-27 2016-01-20 ギガフォトン株式会社 Chamber apparatus, extreme ultraviolet light generation apparatus, and control method of extreme ultraviolet light generation apparatus

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