JP5876711B2 - チャンバ装置および極端紫外光生成装置 - Google Patents
チャンバ装置および極端紫外光生成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5876711B2 JP5876711B2 JP2011251786A JP2011251786A JP5876711B2 JP 5876711 B2 JP5876711 B2 JP 5876711B2 JP 2011251786 A JP2011251786 A JP 2011251786A JP 2011251786 A JP2011251786 A JP 2011251786A JP 5876711 B2 JP5876711 B2 JP 5876711B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- chamber
- euv light
- supply unit
- etching gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 32
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 27
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 27
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 22
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成システムの全体説明
3.1 構成
3.2 動作
4.H*生成器を含むEUV光生成装置
4.1 構成
4.2 動作
4.3 作用
5.H*生成器を含むEUV光生成チャンバ
5.1 EUV光集光ミラーの変形例
5.1.1 変形例1
5.1.2 変形例2
5.1.3 変形例3
6.磁場生成器とともに用いられるEUV光生成チャンバ
6.1 EUV光集光ミラーの変形例
6.1.1 変形例1
6.1.2 変形例2
7.H*生成器
7.1 タングステンフィラメントによるH*生成器
7.2 タングステンフィラメントによるH*生成器の他の例
7.3 タングステンシリンダによるH*生成器
7.4 マイクロ波によるH*生成器
8.ヘッドバリエーション
8.1 第1例
8.2 第2例
8.3 第3例
9.その他
9.1 H*生成器の設置
以下で例示する実施の形態は、主として、極端紫外光生成装置におけるデブリのエッチングに関する。
本開示において使用される用語を、以下のように定義する。「ドロップレット」とは、溶融したターゲット物質の液滴である。その形状は、表面張力によって略球形であり得る。「プラズマ生成領域」とは、プラズマが生成される空間として予め設定された3次元空間である。レーザ光の光路において、レーザ光の生成源側を「上流」とし、レーザ光の到達目標側を「下流」とする。「所定繰返し周波数」とは、必ずしも一定の繰返し周波数でなくてもよい。H*は、水素ラジカルを意味する。オブスキュレーション領域とは、集光ミラーによって集光されるEUV光の立体空間のうち露光装置において利用されない角度範囲に対応する空間領域のことをいう。したがって、露光装置における露光に影響を与えることなく、このオブスキュレーション領域内に部材を配置したり、集光ミラーの反射面におけるオブスキュレーション領域と対応する領域を変形したりすることが可能である。
以下、実施の形態1にかかるLLP方式のEUV光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。
図1に、LPP方式のEUV光生成装置1の概略構成を模式的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい(EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、以下、EUV光生成システム11と称する)。図1に示し、かつ以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。EUV光生成装置1は、ターゲット供給装置(例えばドロップレット生成器26)を更に含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えばチャンバ2に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか2つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経てウィンドウ21を透過し、その後、チャンバ2に入射してもよい。パルスレーザ光31は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光光学系22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのドロップレット27に照射されてもよい。
つぎに、本開示の実施の形態2にかかるEUV光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明において、上述と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
図2は、実施の形態2にかかるEUV光生成装置のチャンバ2AをEUV光252の中心軸を含む面で切断した際の構成を概略的に示す。図3は、図2に示されるチャンバ2AをEUV光252の中心軸を含み且つ図2とは異なる面で切断した際の構成を概略的に示す。図2および図3では、図1と同様の構成については、必要に応じてその図示が簡略化または省略されている。図4は、露光装置6内に投影されるEUV光252のファーフィールドパターンFFPの一例を示す。
水素ガス供給装置40は、ガス管41を介してラジカル供給部42へ水素ガスを供給してもよい。電力供給部は、たとえばEUV光生成制御システム5の制御の下、ラジカル供給部42へ電力を供給してもよい。ラジカル供給部42は、ガス管41を介して流入した水素ガスを、供給された電力を用いてラジカル化してもよい。これにより生成された水素ラジカルFHは、ラジカル供給部42の先端部からミラー面123aへ向けて放出されてもよい。
ラジカル供給部42からミラー面123aに向けて放出された水素ラジカルFHは、ミラー面123aの表面を流れる際、ミラー面123aの表面に付着したSnデブリと反応し得る。水素とSnとの反応性生物はSnH4ガスであってもよい(4H*+Sn→SnH4)。ミラー面123aに付着したデブリがガスとして除去され得る。その結果、EUV光集光ミラー123の反射率の低下を抑制することが可能となる。
つぎに、上述した実施の形態におけるチャンバ2Aの具体例について、図面を参照して詳細に説明する。
また、図8に示されるEUV光集光ミラー123の変形例を、以下に例を挙げて説明する。
図10は、変形例1としてEUV光集光ミラー223の一例を示す。図10に示されるように、EUV光集光ミラー223は、ミラー面123aの中央に形成された貫通孔24からオブスキュレーション領域253の延在方向に沿って互いに反対方向に延びる2つの溝224を備えてもよい。ラジカル供給部42は、図9と同様に、溝224内に配置されてもよい。
図11は、変形例2としてEUV光集光ミラー323の一例を示す。図11に示されるように、貫通孔24からオブスキュレーション領域253に沿って延びる溝224は、片側だけでもよい。
図12は、変形例3としてEUV光集光ミラー423の一例を示す。図12に示されるように、オブスキュレーション領域253内であってミラー面123aの中央から外れた位置に開口する貫通孔124は、複数設けられてもよい。ラジカル供給部42は、複数ある貫通孔124の少なくとも1つに配置されてもよい。
図13は、実施の形態4にかかるチャンバ2Cの構成を概略的に示す。図13に示されるように、チャンバ2Cは、プラズマ生成時に発生したイオンデブリをトラップする磁場生成器とともに用いられてもよい。チャンバ2Cは、図5に示されたチャンバ2Bと同様の構成を備えてもよい。ただし、チャンバ2Cは、EUV光集光ミラー123の代わりに、EUV光集光ミラー523を備えてもよい。また、チャンバ2Cは、イオンデブリをトラップする磁場Bを生成する一対のコイル161aおよび161bと、磁場Bにトラップされたイオンデブリを回収するデブリ回収部162とをさらに備えてもよい。
また、図14に示されるEUV光集光ミラー523の変形例を、以下に例を挙げて説明する。
図15は、変形例1としてEUV光集光ミラー623の一例を示す。図15に示されるように、EUV光集光ミラー623は、貫通孔124および切欠き部524の代わりに、ミラー面123aの外周端から中央へ向かって延びる切り込み部624を備えてもよい。切り込み部624の位置は、デブリ回収部162に対応する位置であってもよい。この切り込み部624は、ラジカル供給部42が配置されるとともに、磁場Bに沿って流れるイオンデブリがミラー面123aをスパッタするのを抑制するために設けられてもよい。イオンデブリがミラー面123aをスパッタすると、ミラー面123aが加熱されて歪み、ミラー面123aによって反射されるEUV光の波面が乱れことがある。波面が乱れたEUV光では適正な露光ができない場合がある。なお、切り込み部624はオブスキュレーション領域253内に形成されるとよい。
図16は、変形例2としてEUV光集光ミラー723の一例を示す。図16に示されるように、EUV光集光ミラー723は、2つの半円凹面ミラー723aおよび723bと、半円凹面ミラー723aおよび723bを互いに離間した状態で保持するリング状ミラー結合プレート725とを備えてもよい。半円凹面ミラー723aと723bとによってはさまれた空間726は、貫通孔24および124と切欠き部524との機能を有してもよい。すなわち、この空間726に、コーン状フード50のコーン部51およびラジカル供給部42が配置されてもよい。また、空間726を設けることによって、磁場Bに沿って流れるイオンデブリがミラー面123aをスパッタするのを抑制してもよい。
ここで、上述した実施の形態におけるラジカル供給部について、具体例を挙げて説明する。
図17は、タングステンフィラメントを用いたラジカル供給部の一例を示す。図17に示されるように、ラジカル供給部42Aは、ボックス423と、シリンダ421と、キャップ状のヘッド部400とを含んでもよい。ボックス423の内部空間は、ガス管41を介して水素ガス供給装置40と接続されていてもよい。ボックス423の内部には、電源451に接続された電極424aおよび424bが配設されていてもよい。電源451は、EUV光生成制御システム5の制御の下、電極424aおよび424bへ電力を供給してもよい。
図18は、タングステンフィラメントを用いたラジカル供給部の他の一例を示す。図18に示されるように、ラジカル供給部42Bは、図17に示されたラジカル供給部42Aと同様の構成を備えてもよい。ただし、ラジカル供給部42Bでは、タングステンフィラメント426がヘッド部400内に配置されてもよい。タングステンフィラメント426を吹き出し口401のより近傍に配置することで、吹き出し口401から放出する水素ガスFhに対する水素ラジカルFHの割合を増大させることができる。その結果、ミラー面123aに付着するSnデブリをより多くエッチング除去することが可能となる。
図19は、タングステンシリンダを用いたラジカル供給部の一例を示す。図19に示されるように、ラジカル供給部42Cは、タングステンフィラメント426の代わりに、ヒータ522と、タングステンシリンダ523とを備えてもよい。
図20は、マイクロ波を用いたラジカル供給部の一例を示す。図20に示されるように、ラジカル供給部42Dは、ボックス423の代わりに、中空のマイクロ波生成器623を備えてもよい。なお、ラジカル供給部42Dでは、タングステンフィラメント426が省略されてもよい。
つぎに、上述したヘッド部400の具体例を、以下に図面を参照して詳細に説明する。
図21は、第1例によるヘッド部410の概略構成を示す。図22は、図21に示されるヘッド部410を、吹き出し口401を含み、シリンダ421の中心軸と垂直な面で切断した際の断面構成を概略的に示す。図21および図22に示されるように、ヘッド部410は、円筒キャップ状の形状を有してもよい。円筒キャップの底面は、シリンダ421と連結されてもよい。ヘッド部410の側面には、1つの吹き出し口401が形成されていてもよい。この吹き出し口401は、たとえばミラー面123aおいてSnデブリの付着量が多い部位に向けて配置されてもよい。そのようにすることで、EUV集光ミラーの一部の反射率が低下するのを抑制できる。例えば、吹き出し口401はミラー面123aにおいてパルスレーザ光33が通過する貫通孔24へ向くように配置されてもよい。Snデブリは、ドロップレット27におけるパルスレーザ光33の入射方向に多く拡散することが分かっている。このため、吹き出し口401を、ミラー面123aにおけるパルスレーザ光33の通過孔24に向けることで、Snデブリが多く飛来する部位の反射率低下を抑制してもよい。または、ミラー面123aにおけるオブスキュレーション領域253以外の部分に向けて配置されてもよい。オブスキュレーション領域253以外のミラー面123aは露光に使用されるEUV光を反射するため、この部分の反射率低下を抑制するようにしてもよい。あるいは、吹き出し口401は、実施の形態4においてイオンデブリがミラー面123aに到達する部位及びその周辺部に向けて配置されてもよい。実施の形態4のようにイオンデブリの進路付近のEUV集光ミラーに切欠き部524を設けても、切欠き部524の周辺は僅かなイオンデブリによりスパッタされる場合がある。そのような場合、スパッタ後に失活したSnデブリがスパッタされた部分の周辺部に付着することがある。そのため、吹き出し口401をこの部分に向けることで、反射率低下を抑制するようにしてもよい。例えば、吹き出し口401は切欠き部524の縁部に向くように配置されてもよい。
図23は、第2例によるヘッド部411の概略構成を示す。なお、図23では、図22と同様に、吹き出し口401および402を含み、ヘッド部411をシリンダ421の中心軸と垂直な面で切断した際の断面構成を概略的に示す。図23に示されるように、ヘッド部411は、円筒キャップ状の形状を有してもよい。円筒キャップの底面は、シリンダ421と連結されてもよい。ヘッド部411の側面には、2つの吹き出し口401および402が形成されていてもよい。各吹き出し口401および402は、たとえば図14に示されるように、ミラー面123aの外周端(切欠き部524、切り込み部624および空間726を含んでもよい)付近を向くように配設されてもよい。ただし、これに限らず、吹き出し口401および402がミラー面123aにおけるパルスレーザ光33の通過孔24付近へ向くように配設されてもよい。
図24は、第3例によるヘッド部412の概略構成を示す。なお、図24では、図22と同様に、吹き出し口401〜404を含み、ヘッド部412をシリンダ421の中心軸と垂直な面で切断した際の断面構成を概略的に示す。図24に示されるように、ヘッド部412は、円筒キャップ状の形状を有してもよい。円筒キャップの底面は、シリンダ421と連結されてもよい。ヘッド部412の側面には、複数(たとえば4つ)の吹き出し口401〜404が形成されていてもよい。各吹き出し口401〜404の間隔は、均等であってもよい。これにより、たとえば図9に示されるように、ミラー面123a全体に対して水素ラジカルFHが流れるように、吹き出し口401〜404を配設することが可能となる。
9.1 H*生成器の設置
上述した実施の形態におけるEUV光集光ミラーの取り出しについて、以下に図面を用いて説明する。以下では、図5に示されたチャンバ2Bを例に挙げるが、これに限るものではない。
2、2A〜2C チャンバ
21 ウィンドウ
22 レーザ光集光光学系
23、123、223、323、523、623、723 EUV光集光ミラー
23a ミラー台
123a ミラー面
161a、161b コイル
231、232 穴
24、124 貫通孔
224 溝
524 切欠き部
624 切り込み部
723a、723b 半円凹面ミラー
726 空間
725 リング状ミラー結合プレート
25 プラズマ生成領域
251 EUV光
252 反射されたEUV光
253 オブスキュレーション領域
26 ドロップレット生成器
26a 2軸移動機構
27 ドロップレット
28 ターゲット回収部
29 接続部
291 壁
292 中間焦点(IF)
3 レーザ装置(メインパルスレーザ装置)
31、33 パルスレーザ光(メインパルスレーザ光)
34 レーザ光進行方向制御部
4 ターゲットセンサ
5 EUV光生成制御システム
6 露光装置
61 露光装置コントローラ
40 水素ガス供給装置
41 ガス管
42、42A〜42D ラジカル供給部
43、43A スライドステージ
44、44A 支持傾斜台
400、411〜413 ヘッド部
401〜404 吹き出し口
421 シリンダ
423 ボックス
424a、424b 電極
425a、425b 配線
426 タングステンフィラメント
451 電源
522 ヒータ
523 タングステンシリンダ
623 マイクロ波生成器
452 マイクロ波電源
50 コーン状フード
51 コーン部
51a、52a 開口
52 円筒部
100 ダンパ
150 排気装置
B 磁場
FFP ファーフィールドパターン
Fh 水素ガス
FH 水素ラジカル
Claims (9)
- オブスキュレーション領域を有する外部装置と共に用いられるチャンバ装置であって、
EUV光の生成が内部の所定の領域で行われるチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、前記所定の領域で生成されたEUV光を集光する集光ミラーと、
前記集光ミラーに付着したデブリのエッチングが可能なエッチングガスを供給する少なくとも1つのエッチングガス供給部と、
前記エッチングガス供給部を保持するスライドステージと、
前記スライドステージをスライド可能に支持する支持部と、
を備え、
前記集光ミラーは、該集光ミラーのミラー面の中央部から外れた領域で該集光ミラーを貫通するように開口する少なくとも1つの第1貫通孔を含み、
前記集光ミラーは、前記少なくとも1つの第1貫通孔が前記オブスキュレーション領域に実質的に対応する領域内に位置するように前記チャンバ内に固定され、
前記エッチングガス供給部は、前記第1貫通孔の少なくとも1つに配置され、
前記支持部は、前記第1貫通孔の延在方向と平行な方向に沿って前記スライドステージをスライド可能である、
チャンバ装置。 - 前記エッチングガス供給部は、前記エッチングガスを放出する吹き出し口を有し、
前記吹き出し口は、前記集光ミラーの前記ミラー面と実質的に平行な方向、もしくは、前記ミラー面に前記エッチングガスを吹き付けるように、前記ミラー面に向けて傾いた方向に開口している、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記所定の領域を通り且つ前記オブスキュレーション領域の長手方向と一部が実質的に平行な方向の磁場を形成する磁場生成装置をさらに備え、
前記吹き出し口は、前記オブスキュレーション領域と前記ミラー面の外周端とが交わる部分へ向けて開口している、
請求項2記載のチャンバ装置。 - 前記エッチングガス供給部は、前記エッチングガスを生成する生成部と、生成された前記エッチングガスを放出する吹き出し口を含む放出部とを含む、請求項1記載のチャンバ装置。
- 前記エッチングガス供給部は、前記生成部へ水素ガスを供給する水素ガス供給部と、前記生成部に接続された電源とをさらに含み、
前記生成部は、フィラメントであり、
前記エッチングガスは、前記水素ガスを前記電源から供給される電力で前記フィラメントを加熱することにより励起した水素ラジカルを含む、
請求項4記載のチャンバ装置。 - 前記所定の領域へターゲット物質を供給するターゲット供給部をさらに備え、
前記デブリは、前記ターゲット物質をプラズマ化することで発生したデブリである、
請求項5記載のチャンバ装置。 - 前記ターゲット物質は、Snである、請求項6記載のチャンバ装置。
- 前記所定の領域へターゲット物質を供給するターゲット供給部をさらに備え、
前記ターゲット物質に外部から供給するレーザ光を照射することでプラズマ化し、該プラズマからEUV光を生成するチャンバ装置であって、
前記集光ミラーは、前記ミラー面と反対側から当該集光ミラーを介して前記所定の領域へレーザ光を通過させるための第2貫通孔を備え、
前記第1貫通孔は、前記第2貫通孔とは異なる位置に配置されている、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 請求項1記載のチャンバ装置と、
レーザ光を出力するレーザ装置と、
前記レーザ装置から出力された前記レーザ光を前記チャンバ装置へ導く光学系と、
を備える、極端紫外光生成装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251786A JP5876711B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 |
US13/562,950 US8884257B2 (en) | 2011-11-17 | 2012-07-31 | Chamber apparatus and extreme ultraviolet light generation system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251786A JP5876711B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013109854A JP2013109854A (ja) | 2013-06-06 |
JP5876711B2 true JP5876711B2 (ja) | 2016-03-02 |
Family
ID=48425905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011251786A Active JP5876711B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8884257B2 (ja) |
JP (1) | JP5876711B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9560730B2 (en) * | 2013-09-09 | 2017-01-31 | Asml Netherlands B.V. | Transport system for an extreme ultraviolet light source |
US9557650B2 (en) | 2013-09-09 | 2017-01-31 | Asml Netherlands B.V. | Transport system for an extreme ultraviolet light source |
US9301382B2 (en) * | 2013-12-02 | 2016-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
US10237960B2 (en) * | 2013-12-02 | 2019-03-19 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
JP6383736B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-08-29 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP6416932B2 (ja) * | 2014-12-17 | 2018-10-31 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2016157315A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びその設計方法 |
US9776218B2 (en) * | 2015-08-06 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Controlled fluid flow for cleaning an optical element |
KR102369935B1 (ko) | 2015-08-31 | 2022-03-03 | 삼성전자주식회사 | 드립 홀을 갖는 콜렉팅 미러를 포함하는 euv 광 발생 장치 |
JP6556254B2 (ja) * | 2015-11-25 | 2019-08-07 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US9888554B2 (en) * | 2016-01-21 | 2018-02-06 | Asml Netherlands B.V. | System, method and apparatus for target material debris cleaning of EUV vessel and EUV collector |
WO2017187571A1 (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置 |
US10606180B2 (en) | 2017-03-08 | 2020-03-31 | Asml Netherlands B.V. | EUV cleaning systems and methods thereof for an extreme ultraviolet light source |
US10656539B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-05-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Radiation source for lithography process |
US11347154B2 (en) | 2018-02-13 | 2022-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning a structure surface in an EUV chamber |
US11153957B2 (en) * | 2018-10-31 | 2021-10-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus and method for generating an electromagnetic radiation |
JP2021152601A (ja) | 2020-03-24 | 2021-09-30 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7671349B2 (en) | 2003-04-08 | 2010-03-02 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
US7655925B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
JP5426317B2 (ja) * | 2008-10-23 | 2014-02-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
JP2010123929A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-06-03 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光光源装置 |
JP5455661B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2014-03-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US8138487B2 (en) * | 2009-04-09 | 2012-03-20 | Cymer, Inc. | System, method and apparatus for droplet catcher for prevention of backsplash in a EUV generation chamber |
JP5670174B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-02-18 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 |
JP5705592B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-04-22 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
-
2011
- 2011-11-17 JP JP2011251786A patent/JP5876711B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-31 US US13/562,950 patent/US8884257B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8884257B2 (en) | 2014-11-11 |
JP2013109854A (ja) | 2013-06-06 |
US20130126761A1 (en) | 2013-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5876711B2 (ja) | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 | |
US8759804B2 (en) | Chamber apparatus and extreme ultraviolet light generation system | |
US10379443B2 (en) | Radiation source device, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2013135033A (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
US8669542B2 (en) | Extreme ultraviolet light source apparatus | |
JP5856898B2 (ja) | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 | |
JP2012178534A (ja) | 光学システムおよびそれを用いた極端紫外光生成システム | |
JP6731541B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
WO2015097794A1 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
US8698113B2 (en) | Chamber apparatus and extreme ultraviolet (EUV) light generation apparatus including the chamber apparatus | |
WO2013041323A1 (en) | Radiation source | |
JP6305426B2 (ja) | Euvリソグラフィ装置用ビーム搬送装置 | |
JP6441946B2 (ja) | レーザシステム | |
JP6541785B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
US20190289707A1 (en) | Extreme ultraviolet light generation system | |
WO2016098240A1 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP6646676B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
US12007693B2 (en) | Laser focussing module | |
JP6977047B2 (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成装置の制御方法 | |
JP6895518B2 (ja) | 極端紫外光センサユニット | |
JP2017520010A (ja) | クリーニング装置及び関連する低圧チャンバ装置 | |
JP7368984B2 (ja) | 極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 | |
NL2012720A (en) | Radiation source device, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141010 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5876711 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |