KR102369935B1 - 드립 홀을 갖는 콜렉팅 미러를 포함하는 euv 광 발생 장치 - Google Patents
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Abstract
가까운 제1 초점 및 먼 제2 초점을 갖는 콜렉팅 미러, 레이저를 발생시켜 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점으로 조사하는 레이저 발생부, 및 드롭릿을 발생시켜 상기 제1 초점으로 발사하는 드롭릿 발생부를 포함하는 EUV 광 발생 장치가 설명된다. 상기 콜렉팅 미러는 오목한 반사면, 상기 반사면의 중앙의 관통 홀, 및 상기 관통 홀과 상기 반사면의 외주면 사이에 배치된 드립 홀을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 LPP (laser produced plasma) 타입의 EUV 광 발생 장치에 관한 것으로, 특히 드립 홀을 갖는 콜렉팅 미러 및 블로킹 바를 포함하는 EUV 광 발생 장치에 관한 것이다.
LPP 타입의 EUV 광 발생 장치는 드롭릿 상태의 타겟 물질에 레이저를 조사하여 플라즈마를 발생시킴으로써 EUV 빛을 생성한다. 드롭릿 상태의 타겟 물질은 액상이므로, 상기 EUV 광 발생 장치의 내부에 잔류하여 EUV 빛의 발생 효율을 저하시키고, 또한 상기 EUV 광 발생 장치의 여러 구성 요소들(elements)을 오염시킨다. 상기 EUV 광 발생 장치의 EUV 광 발생 효율을 높이기 위하여 상기 EUV 광 발생 장치의 내부에 잔존하는 타겟 물질 잔류물이 제거되어야 한다. 통상적으로, 상기 EUV 광 발 생 장치의 내부에 잔존하는 타겟 물질 잔류물을 제거하기 위하여, 오염된 구성 요소들은 주기적으로 교환된다. 본 발명의 기술적 사상은 상기 EUV 광 발생 장치의 내부에 잔존하는 타겟 물질을 짧은 시간 내에 간단하고 효과적으로 제거할 수 있는 다양한 구성 요소(elements)들을 제안한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 EUV 광 발생 장치의 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있는 구성 요소들, 콜렉팅 미러, EUV 광 발생 장치, 및 EUV 광을 이용하는 포토리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 드립 홀, 레저버, 히터들, 가스 블로우 유닛들, 및/또는 가진기들을 가진 콜렉팅 미러를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 수직으로 길게 늘어진 모양을 갖는 블로킹 바를 포함하는 EUV 광 발생 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 중앙의 제1 블라인드 영역 및 상부의 제2 블라인드 영역을 가진 필드 미러를 포함하는 EUV 광 발생 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다양한 과제들은 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당 업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치는 가까운 제1 초점 및 먼 제2 초점을 갖는 콜렉팅 미러, 레이저를 발생시켜 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점으로 조사하는 레이저 발생부, 및 드롭릿을 발생시켜 상기 제1 초점으로 발사하는 드롭릿 발생부를 포함한다. 상기 콜렉팅 미러는 오목한 반사면, 상기 반사면의 중앙의 관통 홀, 및 상기 관통 홀과 상기 반사면의 외주면 사이에 배치된 드립 홀을 포함할 수 있다.
상기 콜렉팅 미러는 상기 반사면의 상기 외주면을 둘러싸는 다수의 가스 블로우 유닛들을 더 포함할 수 있다.
상기 가스 블로우 유닛들은 상기 관통 홀 또는 상기 드립 홀을 향하여 상기 반사면 상으로 가스 또는 플라즈마를 블로우할 수 있다.
상기 관통 홀 또는 상기 드립 홀의 상부에 위치한 상기 가스 블로우 유닛들은 상기 관통 홀 또는 상기 드립 홀의 하부에 위치한 상기 가스 블로우 유닛들보다 강하게 상기 가스 또는 상기 플라즈마를 블로우할 수 있다.
상기 다수의 가스 블로우 유닛들은 각각 독립적으로 컨트롤 될 수 있다.
상기 EUV 광 발생 장치는 상기 레이저 발생부로부터 상기 콜렉팅 미러의 상기 관통 홀을 관통하여 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점을 통과한 상기 레이저의 광 축의 연장선 상에 위치한 블로킹 바를 더 포함할 수 있다. 상기 블로킹 바는 수직으로 장변을 갖고 수평으로 단변을 갖도록 수직으로 늘어진 바 모양을 가질 수 있다.
상기 블로킹 바는 상기 레이저 발생부로부터 상기 콜렉팅 미러의 상기 관통 홀 및 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점을 통과하는 상기 레이저를 차단하는 제1 부분, 및 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점으로부터 상기 콜렉팅 미러의 상기 드립 홀의 주변로부터 반사된 EUV 광의 일부를 차단하는 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 제1 부분은 상기 블로킹 바의 상반부에 해당하고, 및 상기 제2 부분은 상기 블로킹 바의 하반부에 해당할 수 있다.
상기 블로킹 바는 상기 콜렉팅 미러의 상기 관통 홀로부터 상기 콜렉팅 미러의 상기 제2 초점을 연결하는 제1 광 축 상의 제1 부분 및 상기 콜렉팅 미러의 상기 드립 홀로부터 상기 콜렉팅 미러의 상기 제2 초점을 연결하는 제2 광 축 상의 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 EUV 광 발생 장치는 다수 개의 필드 패싯 미러들 및 블라인드 영역을 가진 필드 미러를 더 포함할 수 있다.
상기 필드 패싯 미러들은 수평으로 길게 늘어진 바 모양 또는 스틱 모양을 가질 수 있다.
상기 블라인드 영역은 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점으로부터 상기 제2 초점을 통과하는 제1 광 축의 연장선 상에 위치하는 제1 블라인드 영역, 및 상기 콜렉팅 미러의 상기 드립 홀로부터 상기 제2 초점을 통과하는 제2 광 축의 연장선 상에 위치하는 제2 블라인드 영역을 포함할 수 있다.
상기 EUV 광 발생 장치는 상기 다수 개의 필드 패싯 미러들에 각각 해당하는 다수 개의 퓨필 패싯 미러들을 포함하는 퓨필 미러를 더 포함할 수 있다.
상기 콜렉팅 미러는 후면 상의 히터들을 더 포함할 수 있다.
상기 콜렉팅 미러는 상기 드립 홀 하부에 설치된 레저버를 더 포함할 수 있다.
상기 레저버는 상기 레저버를 가열하는 레저버 히터를 포함할 수 있다.
상기 레저버는 상기 콜렉팅 미러로부터 분리될 수 있다.
상기 콜렉팅 미러는 후면 상에 설치된 가진기들을 더 포함할 수 있다.
상기 가진기들은 상기 콜렉팅 미러의 상기 후면의 상반부에 진동을 가하는 상부 가진기들 및 상기 콜렉팅 미러의 상기 후면의 하반부에 진동을 가하는 하부 가진기들을 포함할 수 있다.
상기 가진기들은 상기 콜렉팅 미러의 상기 후면 및 상기 콜렉팅 미러의 외주면 상에 진동을 가할 수 있도록 상기 콜렉팅 미러의 상기 외주면 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치는 오목한 반사면, 중앙의 제1 홀, 및 상기 반사면의 외주면과 상기 제1 홀 사이의 제2 홀을 포함하는 콜렉팅 미러, 상기 콜렉팅 미러는 상기 반사면으로부터 가까운 제1 초점 및 상기 반사면으로부터 먼 제2 초점을 갖고, 및 상기 제1 초점과 상기 제2 초점 사이에 배치된 블로킹 바를 포함할 수 있다. 상기 블로킹 바는 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점과 상기 제2 초점을 연결하는 제1 광 축 상에 위치한 제1 부분, 및 상기 콜렉팅 미러의 상기 제2 홀과 상기 제2 초점을 연결하는 제2 광 축 상에 위치한 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 콜렉팅 미러는 상기 제2 홀의 하부에 설치된 레저버를 더 포함할 수 있다.
상기 레저버는 레저버 히터를 포함할 수 있다.
상기 콜렉팅 미러는 외주면 상에 설치된 가스 블로우 유닛들을 더 포함할 수 있다.
상기 콜렉팅 미러는 외주면 또는 후면 상에 설치된 가진기들을 더 포함할 수 있다.
상기 콜렉팅 미러는 후면 상에 설치된 히터들을 더 포함할 수 있다.
상기 콜렉팅 미러는 미러 기판 상에 적층된 다층의 제1 반사 층들, 다층의 제2 반사 층들, 및 상기 다층의 제1 반사 층들과 상기 다층의 제2 반사 층들 사이의 다층의 배리어 층들을 포함할 수 있다. 상기 배리어 층들은 탄화물 또는 질화물을 포함할 수 있다.
상기 콜렉팅 미러는 캡핑 층을 더 포함할 수 있다. 상기 캡핑 층은 루데늄 (Ru) 또는 실리콘 산화물 (SiO2)을 포함할 수 있다.
상기 EUV 광 발생 장치는 상기 콜렉팅 미러의 상기 반사면에 의해 반사된 EUV 광을 받는 필드 미러를 더 포함할 수 있다. 상기 필드 미러는 다수의 필드 패싯 미러들 및 블라인드 영역을 가질 수 있다. 상기 블라인드 영역은 상기 제1 광 축의 연장선 상에 위치하는 제1 블라인드 영역, 및 상기 제2 광축의 연장선 상에 위치한 제2 블라인드 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 블라인드 영역은 상기 블로킹 바의 상기 제1 부분에 의해 블라인드된 영역이고, 및 상기 제2 블라인드 영역은 상기 블로킹 바의 상기 제2 부분에 의해 블라인드된 영역일 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 EUV 광 발생 장치는 드립 홀을 가진 콜렉팅 미러를 포함하므로, 상기 콜렉팅 미러 상에 잔존하는 오염 물질을 상기 드립 홀을 통하여 제거할 수 있다. 따라서, 상기 콜렉팅 미러를 교체하지 않고 상기 오염 물질을 제거할 수 있으므로 상기 EUV 광 발생 장치를 이용하는 포토리소그래피 공정의 생산성이 향상될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 EUV 광 발생 장치는 상기 드립 홀 하부에 설치된 레저버를 포함하므로 상기 오염 물질을 용이하게 포집 및 제거할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 EUV 광 발생 장치의 상기 콜렉팅 미러 및 상기 레저버는 히터들을 포함하므로, 상기 오염 물질을 액화시켜 용이하게 제거할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 EUV 광 발생 장치의 상기 콜렉팅 미러는 가스 블로우 유닛들 및/또는 가진기들을 포함하므로, 상기 오염 물질을 빠르게 제거할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 EUV 광 발생 장치는 블로킹 바를 포함하므로 상기 드립 홀에 의해 발생하는 광학적 불균형을 해소할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 EUV 광 발생 장치는 상기 블로킹 바에 대응하는 블라인드 영역을 가진 필드 미러를 포함하므로 상기 드립 홀 또는 상기 블로킹 바에 의해 발생하는 광학적 불균형을 해소할 수 있다.
기타 언급되지 않은 본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예들에 의한 효과들은 본문 내에서 언급될 것이다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 2a 내지 2c는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 콜렉팅 미러의 정면도, 후면도이고, 및 측단면도이다.
도 3a 내지 3c는 상기 콜렉팅 미러의 가스 블로우 유닛들로부터 상기 콜렉팅 미러의 반사면 상으로 가스 또는 플라즈마가 블로우되는 것과 상기 콜렉팅 미러의 상기 반사면 상에 존재하는 오염 물질이 레저버로 수용되는 것을 설명하는 도면들이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 콜렉팅 미러의 반사 층들을 설명하는 개념적인 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 블로킹 바를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 필드 미러를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 퓨필 미러를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 포토리소그래피 장치를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 9a 및 9b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 포토리소그래피 장치(1000)를 이용하여 상기 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정을 개념적으로 설명하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치(100)의 콜렉팅 미러(30)를 클리닝하는 방법을 설명하는 플로우 차트이다.
도 2a 내지 2c는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 콜렉팅 미러의 정면도, 후면도이고, 및 측단면도이다.
도 3a 내지 3c는 상기 콜렉팅 미러의 가스 블로우 유닛들로부터 상기 콜렉팅 미러의 반사면 상으로 가스 또는 플라즈마가 블로우되는 것과 상기 콜렉팅 미러의 상기 반사면 상에 존재하는 오염 물질이 레저버로 수용되는 것을 설명하는 도면들이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 콜렉팅 미러의 반사 층들을 설명하는 개념적인 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 블로킹 바를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 필드 미러를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 퓨필 미러를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 포토리소그래피 장치를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 9a 및 9b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 포토리소그래피 장치(1000)를 이용하여 상기 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정을 개념적으로 설명하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치(100)의 콜렉팅 미러(30)를 클리닝하는 방법을 설명하는 플로우 차트이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ′포함한다(comprises)′ 및/또는 ′포함하는(comprising)′은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 ′접속된(connected to)′ 또는 ′커플링된(coupled to)′ 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 ′직접 접속된(directly connected to)′ 또는 ′직접 커플링된(directly coupled to)′으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. ′및/또는′은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below)' 또는 '아래(beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다. 따라서, 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치(100)를 개념적으로 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치(100)(EUV light generator)는 레이저 발생부(10)(laser generator), 드롭릿 발생부(20)(droplet generator), 콜렉팅 미러(30)(collecting mirror), 드롭릿 콜렉터(70)(droplet collector), 블로킹 바(80)(blocking bar), 필드 미러(90)(field mirror), 및 퓨필 미러(95)(pupil mirror)를 포함할 수 있다.
상기 레이저 발생부(10)는 예를 들어, CO2 레이저 또는 ND:YAG 레이저를 발생시킬 수 있다. 상기 레이저 발생부(10)로부터 발생된 레이저(L)는 상기 콜렉팅 미러(30)의 뒷면으로부터 상기 콜렉팅 미러(30)의 제1 초점(F1)을 향하여 조사될 수 있다.
상기 드롭릿 발생부(20)는 타겟 물질을 드롭릿(D) 상태로 만들어 상기 드롭릿 콜렉터(70)로 점사할 수 있다. 예를 들어, 상기 타겟 물질은 액상의 주석(Sn)을 포함할 수 있다. 상기 드롭릿(D)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 제1 초점(F1)을 통과할 수 있다. 상기 드롭릿(D)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 제1 초점(F1)에서 상기 레이저 발생부(10)로부터 조사된 상기 레이저(L)에 노출, 조사되어 플라즈마를 형성할 수 있다.
상기 드롭릿 콜렉터(70)는 상기 레이저(L)에 노출, 조사된 상기 드롭릿(D)을 포집할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 드롭릿 콜렉터(70)는 상기 드롭릿(D)을 더 효과적으로 포집할 수 있도록 자성체를 포함할 수 있다.
상기 콜렉팅 미러(30)는 오목한 파라볼릭 반사면(32) 및 원형 림 모양의 가스 블로우 유닛들(40)을 포함할 수 있다. 상기 콜렉팅 미러(30)는 상기 반사면(32)과 가까운 상기 제1 초점(F1) 및 상기 반사면(32)으로부터 먼 제2 초점(F2)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 초점(F1)으로부터 발생한 EUV 광(E)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 반사면(32)에 의해 상기 제2 초점(F2)을 향하도록 반사될 수 있다. 상기 콜렉팅 미러(30)는 중앙에 상기 반사면(32)을 관통하는 관통 홀(35)을 가질 수 있다. 상기 레이저 발생부(10)로부터 조사된 상기 레이저(L)는 상기 관통 홀(35)을 통과하여 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 제1 초점(F1)을 지날 수 있다. 상기 콜렉팅 미러(30)는 상기 반사면(32)을 관통하는 (36)(drip hole)을 포함할 수 있다. 상기 드립 홀(36)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 중앙과 상기 콜렉팅 미러(30)의 외주면의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 드립 홀(36)은 상기 관통 홀(35)과 최하단의 상기 가스 블로우 유닛(40) 사이에 위치할 수 있다. 도 2c를 더 참조하여, 상기 드립 홀(36)은 3차원적 및 기하학적으로, 상기 EUV 광 발생 장치(100) 내부에 정상적으로 설치된 상기 콜렉팅 미러(30)의 최하부에 위치할 수 있다.
상기 블로킹 바(80)는 상기 레이저 발생부(10)로부터 조사되어 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 관통 홀(35)을 통과한 상기 레이저(L)의 연장선 상에 위치할 수 있다. 상기 블로킹 바(80)는 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 제1 초점(F1)을 통과한 상기 레이저(L) 및 상기 콜렉팅 미러(30)로부터 반사된 상기 EUV 광(E)의 일부를 차단할 수 있다.
상기 필드 미러(90)는 상기 콜렉팅 미러(30)에 의해 반사된 상기 EUV 광(E)을 받아 상기 퓨필 미러(95)로 반사할 수 있다.
상기 퓨필 미러(95)는 상기 필드 미러(90)로부터 반사된 상기 EUV 광(E)을 포토리소그래피 장치(도 8의 1000)의 조명계(illumination system), 예를 들어 조영 시스템(도 8의 200)으로 반사할 수 있다.
도 2a 내지 2c는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 콜렉팅 미러(30)의 정면도, 후면도이고, 및 측단면도이다.
도 2a를 참조하면, 상기 콜렉팅 미러(30)는 다수의 상기 가스 블로우 유닛들(40) 및 가진기들(55)(vibrators)을 포함할 수 있다. 상기 가스 블로우 유닛들(40)은 상기 외주면 상에 설치될 수 있고, 및 수소, 헬륨, 아르곤, 질소, 또는 그 혼합물 같은 가스 또는 플라즈마를 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 반사면(32) 상으로 블로우할 수 있다. 상기 플라즈마는 수소 리모트 플라즈마를 포함할 수 있다. 상기 가진기들(55)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 외주면에의 상부 및 하부 및/또는 좌반부와 우반부에 각각 진동을 가할 수 있다. 예를 들어, 상기 가진기들(55)은 PZT (piezoelectric translator) 액츄레이터(actuator) 같은 압전 소자를 포함할 수 있다. 상기 가진기(55)들은 광학적인 정렬에 영향을 주지 않도록 미세한 진동을 상기 콜렉팅 렌즈(30)에 가할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 콜렉팅 미러(30)는 후면 상에 배치된 다수 개의 히터들(50) 및 상기 가진기들(55)을 포함할 수 있다. 상기 히터들(50)은 상기 콜렉팅 미러(30)를 상기 타겟 물질의 녹는 점보다 높게 가열할 수 있다. 예를 들어, 상기 타겟 물질이 주석(Sn)을 포함하는 경우, 상기 히터들(50)은 상기 콜렉팅 미러(30)를 약 230℃이상으로 가열할 수 있다. 상기 히터들(50)은 히팅 코일을 포함할 수 있다. 상기 히터들(50)은 다수 개의 세그먼트들 별로 독립적으로 컨트롤될 수 있다. 상기 가진기들(55)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 후면의 상부 및 하부 및/또는 좌반부 및 우반부 상에 설치될 수 있다. 따라서, 상기 가진기들(55)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 후면의 상부 및 하부 및/또는 좌반부 및 우반부에 직접적으로 진동을 가할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 상기 콜렉팅 미러(30)는 상기 드립 홀(36)의 하부에 설치된 레저버(60)(reservoir), 상기 히터들(50) 및 상기 가진기들(55)을 포함할 수 있다. 상기 레저버(60)는 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 반사면(32) 상에서 상기 히터들(50)에 의해 가열되어 녹아 흘러 내리는 오염 물질(M)을 수용할 수 있다. 상기 오염 물질(M)은 상기 타켓 물질을 포함할 수 있다. 상기 레저버(60)는 외면을 감싸는 레저버 히터(65)를 포함할 수 있다. 상기 레저버 히터(65)는 가열 코일을 포함할 수 있고, 및 상기 레저버(60) 내에서 굳은 상기 오염 물질(M)을 가열하여 녹일 수 있다. 상기 레저버(60)는 상기 콜렉팅 미러(30)로부터 분리될 수 있다. 상기 레저버(60)는 녹는 점이 높은 내열성 금속들(refractory metals) 중 하나를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 레저버 히터(65)는 상기 레저버(60)의 내부에 수용된 상기 오염 물질(M)을 녹일 수 있도록 상기 레저버(60)의 내부에 설치될 수도 있다.
도 3a 내지 3c는 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 가스 블로우 유닛들(40)로부터 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 반사면(32) 상으로 가스 또는 플라즈마가 블로우되는 것과 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 반사면(32) 상에 존재하는 오염 물질(M)이 상기 레저버(60)로 수용되는 것을 설명하는 도면들이다. 상기 가스 블로우 유닛들(40)은 전체적으로 또는 각각 독립적으로 컨트롤 될 수 있다. 도 3a 및 3c를 참조하면, 상기 가스 블로우 유닛들(40)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 드립 홀(36)을 향하도록 가스 또는 플라즈마를 블로우할 수 있다. 도 3b 및 3c를 참조하면, 상기 가스 블로우 유닛들(40)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 중앙의 관통 홀(35)을 향하도록 가스 또는 플라즈마를 블로우할 수 있다. 예를 들어, 상기 콜렉팅 미러(30)의 상부에 위치한 상기 가스 블로우 유닛들(40)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 하부에 위치한 상기 가스 블로우 유닛들(40)보다 강하게 가스 또는 플라즈마를 블로우할 수 있다. 따라서, 전체적인 상기 가스의 흐름은 상기 드립 홀(36)에 수렴할 수 있다. 상기 가진기들(55)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 가스 블로우 유닛들(40)의 외곽에 돌출하도록 설치될 수 있다. 상기 가진기들(55)은 상기 콜렉팅 미러(30)에 진동을 가할 수 있다. 상기 가진기들(55)에 의해 상기 콜렉팅 미러(30)가 진동하여 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 반사면(32) 상의 오염 물질(M)이 중력, 및 상기 가스 또는 플라즈마의 흐름에 의해보다 효과적으로 상기 드립 홀(36)의 내부로 배출, 제거될 수 있다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 콜렉팅 미러(30)의 반사 층들(33)을 설명하는 개념적인 종단면도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 상기 콜렉팅 미러(30)는 미러 기판(31) 및 상기 미러 기판(31) 상에 적층된 다층의 반사 층들(33)을 포함할 수 있다. 상기 반사 층들(33)은 제1 반사 층(33a), 제2 반사 층(33b), 및 상기 제1 반사 층(33a)과 상기 제2 반사 층(33b) 사이의 배리어 층(33c)들을 포함할 수 있다. 상기 배리어 층(33c)들은 수 백 ℃ 이상의 고온에서도 안정적인 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 상기 배리어 층(33c)들은 고온에서 상기 제1 반사 층들(33a) 및/또는 상기 제2 반사 층들(33b)의 원자들이 확산 또는 이동하는 것을 방지하여 상기 반사 층들(33)을 유지시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 히터들(50)이 상기 콜렉팅 미러(30)를 가열하여 상기 반사 층들(33)이 고온 상태가 되더라도, 상기 배리어 층들(33c)에 의해 상기 콜렉팅 미러(30)의 반사 능력이 유지될 수 있다. 상기 제1 반사층(33a)은 몰리브데늄(Mo)을 포함할 수 있고, 상기 제2 반사층(33b)은 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 배리어 층(33c)은 고온에서 안정적인 상태를 유지할 수 있는 탄화물(carbide material) 또는 질화물 (nitride material)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 배리어 층(33c)은 보론 카바이드(B4C), 몰리브덴 카바이드(Mo2C), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 나이트라이드 (Si3N4), 또는 그 조합 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 반사 층(33)은 맨 위의 캡핑층(33d)을 더 포함할 수 있다. 상기 캡핑층(33d)은 루데늄(Ru) 또는 실리콘 산화물(SiO2)을 포함할 수 있다. 상기 배리어 층(33c)은 고온에서 상기 제1 반사층(33a)과 상기 제2 반사층(33b)의 원자들이 확산하는 것을 방지할 수 있다. 상기 미러 기판(31)는 내열성 금속 (refractory metal) 또는 내열성 무기물(heat-resistive inorganic material)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 제1 반사 층(33a)은 약 2.09㎚의 두께를 가질 수 있고, 상기 제2 반사층 (33b)은 약 4.14㎚의 두께를 가질 수 있고, 및 상기 배리어 층(33c)은 약 0.25㎚ 또는 약 0.40㎚의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사 층(33a)의 위 및 상기 제2 반사 층(33b)의 아래에 개재된 상기 배리어 층(33c)은 약 0.25㎚의 두께를 가질 수 있고, 및 상기 제2 반사 층(33b)의 위 및 상기 제1 반사 층(33a)의 아래에 개재된 상기 배리어 층(33c)은 약 0.40㎚의 두께를 가질 수 있다. 한 층의 상기 제1 반사 층(33a), 한 층의 상기 제2 반사 층(33b) 및 두 층의 상기 배리어 층들(33c)은 약 6.88㎚ 정도의 총 두께를 가질 수 있다. 상기 캡핑 층(33d)은 약 1.70㎚의 두께를 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 블로킹 바(80)를 개념적으로 도시한 도면이다. 도 5를 참조하면, 상기 블로킹 바(80)는 수직으로 장축을 갖고 수평으로 단축을 갖도록 수직으로 늘어진 바 모양을 가질 수 있다. 상기 블로킹 바(80)가 직사각형 또는 직육면체 모양을 갖는 것으로 도시되었으나, 상기 블로킹 바(80)는 이에 한정되지 않고 다양한 기하학적 모양을 가질 수 있다. 상기 블로킹 바(80)의 상반부, 예를 들어 제1 부분(80a)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 관통 홀(35), 상기 제1 초점(F1), 및 상기 제2 초점(F2)을 연결하는 제1 광 축(Lx1) 상에 위치할 수 있다. 상기 블로킹 바(80)의 상기 제1 부분(80a)은 상기 레이저 발생부(10)로부터 조사된 상기 레이저(L)가 상기 필드 미러(90)에 전사되는 것을 차단할 수 있다. 상기 블로킹 바(80)의 하반부, 예를 들어 제2 부분(80b)은 상기 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 드립 홀(36)과 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 제2 초점(F2)을 연결하는 제2 광 축(Lx2) 상에 위치할 수 있다. 따라서, 상기 블로킹 바(80)의 상기 제2 부분(80b)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 드립 홀(36)에 해당하는 상기 EUV 광(E)의 광학적 이미지가 상기 필드 미러(90)에 전사되는 것을 차단할 수 있다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 필드 미러(90)를 개념적으로 도시한 도면이다. 도 6을 참조하면, 상기 필드 미러(90)는 다수의 행 및 다수의 열을 이루며 정렬된 다수의 필드 패싯 미러들(91) 및 상기 필드 패싯 미러들(91)이 배치되지 않은 블라인드 영역(80)을 포함할 수 있다. 상기 필드 패싯 미러들(91)은 수평으로 길게 늘어진 바 모양 또는 스틱 모양을 가질 수 있다. 상기 필드 패싯 미러들(91)은 균일한 광량을 반사, 전달할 수 있도록 동일한 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 필드 패싯 미러들(91)은 동일한 모양을 갖도록 동일한 수평 길이 및 동일한 수직 폭을 가질 수 있다. 상기 블라인드 영역(92)은 중앙 블라인드 영역(92a) 및 상부 블라인드 영역(92b)를 포함할 수 있다. 상기 중앙 블라인드 영역(92a)은 상기 블로킹 바(80)의 상반부, 즉 상기 제1 부분(80a)에 의해 상기 레이저(L) 또는 상기 EUV 광(E)이 차단되어 블라인드된 영역에 해당할 수 있고, 및 상기 상부 블라인드 영역(92b)은 상기 블로킹 바(80)의 하반부, 즉 상기 제2 부분(80b)에 의해 상기 EUV 광(E)이 차단되어 블라인드된 영역에 해당할 수 있다. 예를 들어, 상기 중앙 블라인드 영역(92a)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 제1 초점(F1)으로부터 상기 제2 초점(F2)을 통과한 상기 제1 광 축(Lx1)의 연장선 상에 위치할 수 있고, 및 상기 상부 블라인드 영역(92b)은 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 드립 홀(36)로부터 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 제2 초점(F2)을 통과한 상기 제2 광 축(Lx2)의 연장선 상에 위치할 수 있다. 상기 필드 미러(90)가 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 제1 초점(F1)으로부터 상기 제2 초점(F2)보다 먼 곳에 위치되므로, 상기 상부 블라인드 영역(92b)은 상기 중앙 블라인드 영역(92a)의 상부에 위치할 수 있다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 퓨필 미러(95)를 개념적으로 도시한 도면이다. 도 7을 참조하면, 상기 퓨필 미러(95)는 다수 개의 퓨필 패싯 미러들(96)을 포함할 수 있다. 상기 퓨필 패싯 미러들(96)은 상기 필드 패싯 미러들(91)과 각각 대응될 수 있다. 상기 퓨필 패싯 미러들(96)은 동일한 광량을 반사하여 상기 EUV 광(E)의 전체적인 에너지 분포를 균일하게 할 수 있다. 상기 퓨필 미러(95)는 상기 EUV 광(E)을 포토리소그래피 장치(도 8의 1000)의 조명 시스템, 예를 들어 조영 미러 시스템(도 8의 200)으로 전달할 수 있다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 포토리소그래피 장치(1000)를 개념적으로 도시한 도면이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치(100)를 가진 포토리소그래피 장치(1000)는 EUV 광 발생 장치(100), 조영 미러 시스템(200, illumination mirror system), 레티클 스테이지(300), 블라인더(400, blinder), 투사 미러 시스템(500, projection mirror system), 및 웨이퍼 스테이지(600, wafer stage)를 포함할 수 있다. 상기 EUV 광 발생 장치(100)는 본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예들에 의한 드롭릿 발생부(20A-20F)들 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 EUV 광 발생 장치(100)에서 발생된 상기 EUV 광(E)은 상기 조영 미러 시스템(200)으로 조사될 수 있다. 상기 조영 미러 시스템(200)은 다수 개의 조영 미러들(210-240)을 포함할 수 있다. 상기 조영 미러들(210-240)은, 예를 들어, 상기 EUV 광(E)이 조사 경로 밖으로 손실되는 것을 줄이기 위하여 상기 EUV 광(E)을 컨덴싱 및 전달할 수 있다. 또한, 상기 조영 미러들(210-240)은, 예를 들어, 상기 EUV 광(E)의 인텐시티 분포를 전체적으로 균일하게 조절할 수 있다. 따라서, 다수 개의 상기 조영 미러들(210-240)은 각각, 상기 EUV 광(E)의 경로를 다양화시키기 위하여 오목 미러 및/또는 볼록 미러를 포함할 수 있다. 상기 레티클 스테이지(300)는 하면에 레티클(R)을 장착하고 수평 방향으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 도면에서 화살표 방향으로 이동할 수 있다. 상기 레티클 스테이지(140)는 정전척(ESC, electro static chuck)을 포함할 수 있다. 상기 레티클(R)은 일면에 광학적 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 레티클(R)은 광학적 패턴들이 형성된 면이 아래쪽을 향하도록 상기 레티클 스테이지(300)의 하면 상에 장착될 수 있다. 상기 블라인더(400)가 상기 레티클 스테이지(300)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 블라인더(4000)는 슬릿(S)을 포함할 수 있다. 상기 슬릿(S)은 어퍼쳐(aperture) 모양을 가질 수 있다. 상기 슬릿(S)은 상기 조영 미러 시스템(200)으로부터 상기 레티클 스테이지(300) 상의 상기 레티클(R)로 전달되는 상기 EUV 광(E)의 모양을 성형할 수 있다. 상기 조영 미러 시스템(200)으로부터 전달된 상기 EUV 광(E)은 상기 슬릿(S)을 통과하여 상기 레티클 스테이지(300) 상의 상기 레티클(R)의 표면으로 조사될 수 있다. 상기 레티클 스테이지(300) 상의 상기 레티클(R)로부터 반사되는 상기 EUV 광(E)은 상기 슬릿(S)을 통과하여 상기 투사 미러 시스템(500)으로 전달될 수 있다. 상기 투사 미러 시스템(500)은 상기 레티클(R)로부터 반사되어 상기 슬릿(S)을 통과한 상기 EUV 광(E)을 받아 웨이퍼(W)로 전달할 수 있다. 상기 투사 미러 시스템(500)도 다수 개의 투사 미러들(510-560)을 포함할 수 있다. 다수 개의 상기 투사 미러들(171-176)은 다양한 수차들(aberration)을 보정할 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(600)는 수평 방향으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 도면에서 화살표 방향으로 이동할 수 있다. 도면에서, 상기 EUV 광(E)이 진행하는 경로들은 본 발명의 기술적 사상을 이해하기 쉽도록 하기 위하여 개념적으로 도시된 것이다.
도 9a 및 9b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 포토리소그래피 장치(1000)를 이용하여 상기 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정을 개념적으로 설명하는 도면이다. 도 9a는 도 8의 상기 레티클 스테이지(300) 상의 레티클(R)의 하면도(bottom view)이고, 및 도 9b는 상기 웨이퍼(W)의 상면도(top view)이다. 도 8, 9a, 및 9b를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 포토리소그래피 장치(1000)를 이용한 포토리소그래피 공정은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치(100)를 이용하여 EUV 광(E)을 발생시키고, EUV 광(E)을 포토리소그래피 장치(1000)의 조영 미러 시스템(200) 및 블라인더(400)의 슬릿(S)을 통하여 레티클(R) 상에 조사하고, 및 상기 레티클(R)로부터 반사된 EUV 광(E)을 투사 미러 시스템(500)을 통하여 웨이퍼 (W) 상에 조사하는 것을 포함할 수 있다. 상기 웨이퍼(W) 상에는 포토레지스트 층이 형성될 수 있다.
도 8 및 9a를 참조하면, 상기 레티클 스테이지(300)는 X 방향(또는 -X 방향)으로 이동할 수 있다. 따라서, 상기 레티클(R) 상의 광학적 패턴(OP)이 상기 슬릿(S)을 통하여 스캔될 수 있다. 상기 레티클(R)로부터 반사된 EUV 광(E)은 광학적 패턴 정보를 가질 수 있고, 및 상기 투사 미러 시스템(500)을 통하여 웨이퍼 스테이지(600) 상의 웨이퍼(W) 표면 상으로 조사될 수 있다.
도 8 및 9b를 참조하면, 상기 웨이퍼 스테이지(600)는 상기 레티클 스테이지(300)의 이동할 때 동시에 X 방향 (또는 -X 방향)으로 이동할 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(600)는 상기 레티클 스테이지(300) 보다 느리게 이동할 수 있다. 따라서, 상기 레티클(R) 상의 광학적 패턴(OP)은 상기 웨이퍼 (W) 상에 축소되어 전사(transferred)될 수 있다. 상기 웨이퍼(W) 상의 상기 포토레지스트 층은 가상적인 광학적 패턴(PP)을 가질 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(600)는 상기 레티클 스테이지(300)가 이동하지 않을 때, Y 방향 (또는 -Y 방향)으로 이동할 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(600)는 상기 EUV 광(E)의 초점 위치를 결정하고 수평을 유지하기 위하여 전체적 또는 부분적으로 상승 또는 하강할 수 있다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치(100)의 콜렉팅 미러(30)를 클리닝하는 방법을 설명하는 플로우 차트이다. 도 10을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 EUV 광 발생 장치(100)의 콜렉팅 미러(30)를 클리닝하는 방법은, 포토리소그래피 공정을 중단하고(S10), 및 도 2a 내지 2c 및/또는 도 3a 내지 3c를 더 참조하여, 상기 히터(50)를 이용하여 상기 콜렉팅 미러(30)를 가열하는 것을 포함할 수 있다.(S20) 상기 콜렉팅 미러(30)는 히터(50)를 이용하여 상기 콜렉팅 미러(30)의 반사면 (32) 상에 존재하는 오염 물질(M)의 녹는점 이상으로 가열될 수 있다. 예를 들어, 상기 오염 물질(M)이 주석(Sn)을 포함하는 경우, 상기 콜렉팅 미러(30)는 약 200 이상 500℃ 이하로 가열될 수 있다. 가열된 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 반사면(32) 상에 존재하는 오염 물질(M)이 녹아 흐를 수 있다.
상기 방법은 도 2a 내지 2c 및/또는 도 3a 내지 3c를 더 참조하여, 상기 가진기(55)를 이용하여 상기 콜렉팅 미러(30)를 진동시키는 것을 포함할 수 있다.(S30) 이 단계(S30)는 상기 콜렉팅 미러(30)를 지속적으로 가열하면서 동시에 수행될 수 있다. 상기 콜렉팅 미러(30)의 진동에 의해 상기 오염 물질(M)이 상기 레저버(60)로 보다 용이하게 흘러 수용될 수 있다.
상기 방법은 상기 히터(50) 및 상기 가진기(55)를 멈추고(S40), 및 상기 콜렉팅 미러(30)를 상온으로 냉각시키는 것을 포함할 수 있다.(S50)
상기 방법은 도 3a 내지 3c를 더 참조하여, 상기 가스 블로우 유닛(40)을 이용하여 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 반사면(32) 상으로 가스 또는 플라즈마를 블로우하는 것을 포함할 수 있다.(S60) 상기 가스는 수소, 헬륨, 아르곤, 질소, 또는 그 혼합물 같은 가스들을 포함할 수 있다. 상기 플라즈마는 수소 라디칼 또는 수소 리모트 플라즈마를 포함할 수 있다. 본 공정에서, 상기 콜렉팅 미러(30)의 상기 반사면(32) 상에 존재하는 얇은 오염 물질(M)들이 제거될 수 있다. 이 단계는 생략될 수도 있다.
이후, 상기 방법은 상기 가스 또는 플라즈마 블로우를 멈추고(S70), 및 포토리소그래피 공정을 수행(S80)하는 것을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 본 발명의 일 실시예에 의한 EUV 발생 장치(100)의 콜렉팅 미러(30)를 클리닝하는 방법은 도 10을 참조하여 설명된 상기 방법과 비교하여, 상기 오염 물질(M)을 상기 레저버(60)로 수용한 다음, 상기 EUV 광 발생 장치(100)로부터 상기 콜렉팅 미러(30)를 분리해내고, 상기 콜렉팅 미러(30)로부터 상기 레저버(60)를 분리하여 내부의 오염 물질(M)을 제거하고, 상기 레저버(60)를 상기 콜렉팅 미러(30)에 결합하고, 및 상기 콜렉팅 미러(30)를 상기 EUV 광 발생 장치(100)에 설치하는 것을 더 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 본 발명의 일 실시예에 의한 EUV 발생 장치(100)의 콜렉팅 미러(30)를 클리닝하는 방법은 도 10을 참조하여 설명된 상기 방법과 비교하여, 상기 오염 물질(M)을 상기 레저버(60)로 수용한 다음, 상기 콜렉팅 미러(30)로부터 상기 레저버(60)를 분리하여 내부의 오염 물질(M)을 제거하고, 및 상기 레저버(60)를 상기 콜렉팅 미러(30)에 결합하는 것을 더 포함할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: EUV 광 발생 장치
10: 레이저 발생부 20: 드롭릿 발생부
30: 콜렉팅 미러 31: 미러 기판
32: 반사면 33: 반사 층
33a: 제1 반사층 33b: 제2 반사층
33c: 배리어 층 33d: 캡핑층
35: 관통 홀 36: 드립 홀
40: 가스 블로우 유닛 50: 히터
55: 가진기 60: 레저버
65: 레저버 히터 70: 드롭릿 콜렉팅 유닛
80: 블로킹 바 80a: 제1 부분
80b: 제2 부분 90: 필드 미러
91: 필드 패싯 미러들 92: 블라인드 영역
92a: 중앙부 92b: 상부
95: 퓨필 미러 96: 퓨필 패싯 미러들
200: 조영 미러 시스템 210-240: 조영 미러들
300: 레티클 스테이지 400: 블라인더
500: 투사 미러 시스템 510-560: 투사 미러들
600: 웨이퍼 스테이지 1000: 포토리소그래피 장치
D: 드롭릿 E: EUV 광
F1: 제1 초점 F2: 제2 초점
L: 레이저 Lx1: 제1 광축
Lx2: 제2 광축 M: 오염 물질
R: 레티클 S: 슬릿
W: 웨이퍼
10: 레이저 발생부 20: 드롭릿 발생부
30: 콜렉팅 미러 31: 미러 기판
32: 반사면 33: 반사 층
33a: 제1 반사층 33b: 제2 반사층
33c: 배리어 층 33d: 캡핑층
35: 관통 홀 36: 드립 홀
40: 가스 블로우 유닛 50: 히터
55: 가진기 60: 레저버
65: 레저버 히터 70: 드롭릿 콜렉팅 유닛
80: 블로킹 바 80a: 제1 부분
80b: 제2 부분 90: 필드 미러
91: 필드 패싯 미러들 92: 블라인드 영역
92a: 중앙부 92b: 상부
95: 퓨필 미러 96: 퓨필 패싯 미러들
200: 조영 미러 시스템 210-240: 조영 미러들
300: 레티클 스테이지 400: 블라인더
500: 투사 미러 시스템 510-560: 투사 미러들
600: 웨이퍼 스테이지 1000: 포토리소그래피 장치
D: 드롭릿 E: EUV 광
F1: 제1 초점 F2: 제2 초점
L: 레이저 Lx1: 제1 광축
Lx2: 제2 광축 M: 오염 물질
R: 레티클 S: 슬릿
W: 웨이퍼
Claims (20)
- 가까운 제1 초점 및 먼 제2 초점을 갖는 콜렉팅 미러;
레이저를 발생시켜 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점으로 조사하는 레이저 발생부; 및
드롭릿을 발생시켜 상기 제1 초점으로 발사하는 드롭릿 발생부를 포함하고,
상기 콜렉팅 미러는:
오목한 반사면;
상기 반사면의 중앙의 관통 홀; 및
상기 관통 홀과 상기 반사면의 외주면 사이에 배치된 드립 홀을 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제1항에 있어서,
상기 콜렉팅 미러는 상기 반사면의 상기 외주면을 둘러싸는 다수의 가스 블로우 유닛들을 더 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제2항에 있어서,
상기 가스 블로우 유닛들은 상기 관통 홀 또는 상기 드립 홀을 향하여 상기 반사면 상으로 가스 또는 플라즈마를 블로우하는 EUV 광 발생 장치. - 제3항에 있어서,
상기 관통 홀 또는 상기 드립 홀의 상부에 위치한 상기 가스 블로우 유닛들은 상기 관통 홀 또는 상기 드립 홀의 하부에 위치한 상기 가스 블로우 유닛들보다 강하게 상기 가스를 블로우하는 EUV 광 발생 장치. - 제4항에 있어서,
상기 다수의 가스 블로우 유닛들은 각각 독립적으로 컨트롤 될 수 있는 EUV 광 발생 장치. - 제1항에 있어서,
상기 레이저 발생부로부터 상기 콜렉팅 미러의 상기 관통 홀을 관통하여 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점을 통과한 상기 레이저의 광 축의 연장선 상에 위치한 블로킹 바를 더 포함하고, 및
상기 블로킹 바는 수직으로 장변을 갖고 수평으로 단변을 갖도록 수직으로 늘어진 바 모양을 가진 EUV 광 발생 장치. - 제6항에 있어서,
상기 블로킹 바는 상기 레이저 발생부로부터 상기 콜렉팅 미러의 상기 관통 홀 및 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점을 통과하는 상기 레이저를 차단하는 제1 부분, 및 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점으로부터 상기 콜렉팅 미러의 상기 드립 홀의 주변로부터 반사된 EUV 광의 일부를 차단하는 제2 부분을 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제1 부분은 상기 블로킹 바의 상반부에 해당하고, 및
상기 제2 부분은 상기 블로킹 바의 하반부에 해당하는 EUV 광 발생 장치. - 제6항에 있어서,
상기 블로킹 바는 상기 콜렉팅 미러의 상기 관통 홀로부터 상기 콜렉팅 미러의 상기 제2 초점을 연결하는 제1 광 축 상의 제1 부분 및 상기 콜렉팅 미러의 상기 드립 홀로부터 상기 콜렉팅 미러의 상기 제2 초점을 연결하는 제2 광 축 상의 제2 부분을 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제1항에 있어서,
다수 개의 필드 패싯 미러들 및 블라인드 영역을 가진 필드 미러를 더 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제10항에 있어서,
상기 필드 패싯 미러들은 수평으로 길게 늘어진 바 모양 또는 스틱 모양을 가진 EUV 광 발생 장치. - 제10항에 있어서,
상기 블라인드 영역은 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점으로부터 상기 제2 초점을 통과하는 제1 광 축의 연장선 상에 위치하는 제1 블라인드 영역, 및 상기 콜렉팅 미러의 상기 드립 홀로부터 상기 제2 초점을 통과하는 제2 광 축의 연장선 상에 위치하는 제2 블라인드 영역을 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제1항에 있어서,
상기 콜렉팅 미러는 후면 상의 히터들을 더 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제1항에 있어서,
상기 콜렉팅 미러는 상기 드립 홀 하부에 설치된 레저버를 더 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제14항에 있어서,
상기 레저버는 상기 레저버를 가열하는 레저버 히터를 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제1항에 있어서,
상기 콜렉팅 미러는 후면 상에 설치된 가진기들을 더 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 오목한 반사면, 중앙의 제1 홀, 및 상기 반사면의 외주면과 상기 제1 홀 사이의 제2 홀을 포함하는 콜렉팅 미러, 상기 콜렉팅 미러는 상기 반사면으로부터 가까운 제1 초점 및 상기 반사면으로부터 먼 제2 초점을 갖고; 및
상기 제1 초점과 상기 제2 초점 사이에 배치된 블로킹 바를 포함하고,
상기 블로킹 바는 상기 콜렉팅 미러의 상기 제1 초점과 상기 제2 초점을 연결하는 제1 광 축 상에 위치한 제1 부분; 및
상기 콜렉팅 미러의 상기 제2 홀과 상기 제2 초점을 연결하는 제2 광 축 상에 위치한 제2 부분을 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제17항에 있어서,
상기 콜렉팅 미러는 상기 제2 홀의 하부에 설치된 레저버를 더 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제18항에 있어서,
상기 레저버는 레저버 히터를 포함하는 EUV 광 발생 장치. - 제17항에 있어서,
상기 콜렉팅 미러의 상기 반사면에 의해 반사된 EUV 광을 받는 필드 미러를 더 포함하고,
상기 필드 미러는 다수의 필드 패싯 미러들 및 블라인드 영역을 갖고,
상기 블라인드 영역은 상기 제1 광 축의 연장선 상에 위치하는 제1 블라인드 영역, 및 상기 제2 광축의 연장선 상에 위치한 제2 블라인드 영역을 포함하는 EUV 광 발생 장치.
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| TW105127171A TWI690242B (zh) | 2015-08-31 | 2016-08-25 | 包含具有洩孔之聚光鏡的極紫外光產生器 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020150122923A KR102369935B1 (ko) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | 드립 홀을 갖는 콜렉팅 미러를 포함하는 euv 광 발생 장치 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170025860A KR20170025860A (ko) | 2017-03-08 |
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ID=58098008
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| US10955750B2 (en) * | 2019-07-16 | 2021-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography system and method thereof |
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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