TWI690242B - 包含具有洩孔之聚光鏡的極紫外光產生器 - Google Patents

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Abstract

一種極紫外（EUV）光產生器包含：聚光鏡，具有第一焦點以及第二焦點，第一焦點比第二焦點更接近聚光鏡；雷射器，產生雷射光束且朝向聚光鏡的第一焦點輻射雷射光束；以及液滴產生器，產生液滴且在聚光鏡的第一焦點處排出液滴，其中聚光鏡包含凹面的反射表面、在反射表面中心的通孔以及在通孔與反射表面的外部圓周表面之間的洩孔。

Description

包含具有洩孔之聚光鏡的極紫外光產生器 [相關申請案的交叉參考]
2015年8月31日於韓國智慧財產局申請的且標題為「包含具有洩孔之聚光鏡的極紫外光產生器」的韓國專利申請案第10-2015-0122923號以全文引用的方式併入本文中。
實施例是關於一種雷射產生電漿(laser produced plasma,LPP)類型的極紫外(extreme ultraviolet,EUV)光產生器，且特別是關於一種包含具有洩孔的聚光鏡以及阻擋條(blocking bar)的EUV光產生器。
一種雷射產生電漿(LPP)類型的極紫外(EUV)光產生器藉由雷射器應用液滴狀態的標靶材料以產生電漿，從而產生EUV光。由於液滴狀態的標靶材料處於液態，故標靶材料可殘留在EUV光產生器內部，從而降低EUV光產生效率且污染EUV光產生器的若干配置元件。為了改良EUV光產生器的EUV光產生效率，應移除殘留在EUV光產生器內部的標靶材料的殘餘物。
實施例提供一種光微影設備，所述光微影設備使用能夠有效地移除極紫外(EUV)光產生器、聚光鏡、EUV光產生器以及EUV光中的經污染材料的元件。
實施例提供一種具有洩孔、儲集器、多個加熱器、多個鼓風單元及/或多個振動器的聚光鏡。
實施例提供一種包含具有垂直長條形狀的阻擋條的EUV光產生器。
實施例提供一種包含場鏡的EUV光產生器，所述場鏡在場鏡中心具有第一盲區且在其上部部分中具有第二盲區。
根據實施例的一態樣，一種EUV光產生器包含：聚光鏡，具有第一焦點以及第二焦點，第一焦點比第二焦點更接近所述聚光鏡；雷射器，產生雷射光束且朝向聚光鏡的第一焦點輻射所述雷射光束；以及液滴產生器，產生液滴且在聚光鏡的第一焦點處排出液滴，其中所述聚光鏡包含凹面的反射表面、在反射表面中心的通孔以及在所述通孔與所述反射表面的外部圓周表面之間的洩孔。
根據實施例的另一態樣，一種EUV光產生器包含：聚光鏡，包含經配置成凹面的反射表面、在其中心的第一孔以及在反射表面的外部圓周表面與第一孔之間的第二孔，所述聚光鏡具有接近所述反射表面的第一焦點以及遠離所述反射表面的第二焦點；以及阻擋條，安置於第一焦點與第二焦點之間，其中所述阻 擋條包含安置於連接聚光鏡的第一焦點與其第二焦點的第一光軸上的第一部分，以及安置於連接聚光鏡的第二孔與其第二焦點的第二光軸上的第二部分。
根據實施例的又一態樣，一種EUV光產生器包含：聚光鏡，具有第一焦點以及第二焦點，第一焦點比第二焦點更接近所述聚光鏡；雷射器，產生雷射光束且朝向聚光鏡的第一焦點輻射所述雷射光束；以及液滴產生器，產生液滴且在聚光鏡的第一焦點處排出液滴，其中所述聚光鏡包含面向第一焦點的凹面的反射表面、穿過反射表面中心的通孔以及穿過反射表面的洩孔，所述洩孔與所述通孔間隔開且完全分離。
10:雷射器
20:液滴產生器
30:聚光鏡
31:鏡基板
32:反射表面
33:反射層
33a:第一反射層
33b:第二反射層
33c:阻障層
33d:罩蓋層
35:通孔
35a:側壁
36:洩孔
40:鼓風單元
50:加熱器
55:振動器
60:儲集器
65:儲集器加熱器
70:液滴收集器
80:阻擋條
80a:阻擋條的第一部分
80b:阻擋條的第二部分
90:場鏡
91:場分面鏡
92:盲區
92a:中心盲區
92b:上部盲區
95:光瞳鏡
96:光瞳分面鏡
100:極紫外光產生器
200:照明鏡面系統
210、220、230、240:照明鏡
300:標線片臺
400:遮障件
500:投影鏡面系統
510、520、530、540、550、560:投影鏡
600:晶圓載物台
1000:光微影設備
D:液滴
E:EUV光
F1:第一焦點
F2:第二焦點
L:雷射光束
Lx1:第一光軸
Lx2:第二光軸
M:經污染材料
OP:光學圖案
PP:光學圖案
R:標線片
S:狹縫
S10、S20、S30、S40、S50、S60、S70、S80:操作
W:晶圓
藉由參考隨附圖式詳細描述例示性實施例，特徵對於一般技術者將變得顯而易見，其中：
圖1說明根據一實施例的極紫外(EUV)光產生器的概念圖。
圖2A至圖2C分別說明根據一實施例的聚光鏡的正視圖、後視圖以及橫截面圖。
圖3A至圖3C說明用於描述自聚光鏡的鼓風單元將氣體或電漿吹送至聚光鏡的反射表面上以及將殘留在聚光鏡的反射表面上的經污染材料容納於儲集器中的概念圖。
圖4說明用於概念地描述根據一實施例的聚光鏡的反射層的縱向截面圖。
圖5說明根據一實施例的阻擋條的概念圖。
圖6說明根據一實施例的場鏡的概念圖。
圖7說明根據一實施例的光瞳鏡的概念圖。
圖8說明根據一實施例的光微影設備的概念圖。
圖9A以及圖9B說明用於描述根據一實施例的使用光微影設備在晶圓上形成光阻圖案的光微影過程的概念圖。
圖10說明用於描述根據一實施例的清潔EUV光產生器的聚光鏡的方法的流程圖。
在下文中參考隨附圖式來更充分地描述實例實施例；然而，實例實施例可以不同形式予以體現，且不應被視作限於本文所闡述的實施例。更確切地，提供此等實施例以使得本發明詳盡且完整，且將向熟習此項技術者充分地傳達例示性實施方案。
圖1是說明根據一實施例的極紫外(EUV)光產生器100的概念圖。參考圖1，根據實施例的EUV光產生器100可包含雷射器10、液滴產生器20、聚光鏡30、液滴收集器70、阻擋條80、場鏡90以及光瞳鏡95。
舉例而言，雷射器10可產生CO2雷射或ND：YAG雷射。自雷射器10產生的雷射光束L可自聚光鏡30的後表面朝向聚光鏡30的第一焦點F1輻射。換言之，聚光鏡30的後表面(圖2B中所說明)面向雷射器10，因此雷射光束L自雷射器10在自聚光鏡30的後表面朝向聚光鏡30的反射表面32(圖2A中所說明)定向的方向上傳遞。就此而言，應注意，圖1中的聚光鏡30以示 意性方式加以說明以闡明反射表面32的結構，且未必說明反射表面32相對於雷射器10的定向。
液滴產生器20可朝向液滴收集器70連續地排出(例如，射出)以液滴D狀態形成的標靶材料。舉例而言，標靶材料可包含液態的錫(Sn)。液滴D可穿過聚光鏡30的第一焦點F1。液滴D可在聚光鏡30的第一焦點F1處曝露於自雷射器10輻射的雷射光束L且經輻射以形成電漿。
液滴收集器70可收集曝露於雷射光束L且由雷射光束L輻射的液滴D。在一些實施例中，液滴收集器70可包含磁性材料，使得例如可有效地收集液滴D的殘餘物。
聚光鏡30可包含具有面向阻擋條80的凹面的拋物表面的反射表面32以及具有圓形輪緣形狀的多個鼓風單元40。聚光鏡30可具有接近反射表面32的第一焦點F1以及遠離反射表面32的第二焦點F2。舉例而言，在第一焦點F1處產生的EUV光E可藉由聚光鏡30的反射表面32朝向第二焦點F2反射。聚光鏡30的中心可具有穿過反射表面32的通孔35。自雷射器10輻射的雷射光束L可朝向聚光鏡30的第一焦點F1穿過通孔35。
聚光鏡30可更包含穿過反射表面32的洩孔36。洩孔36可安置於聚光鏡30的中心與聚光鏡30的外部圓周表面之間。舉例而言，洩孔36可安置於通孔35與鼓風單元40的最下端之間。參考圖2C，洩孔36可立體地、幾何地及/或重力地安置在通常安裝於EUV光產生器100內部的聚光鏡30的最下部分處。
阻擋條80可安置在自雷射器10輻射且穿過聚光鏡30的通孔35的雷射光束L的延伸線上。阻擋條80可阻擋穿過聚光鏡 30的第一焦點F1的雷射光束L以及由聚光鏡30反射的EUV光E中的一些。
場鏡90可接收由聚光鏡30反射的EUV光E且將其反射至光瞳鏡95。光瞳鏡95可將由場鏡90反射的EUV光E反射至光微影設備1000(參見圖8)的照明系統，例如照明鏡面系統200(參見圖8)。
圖2A至圖2C分別為說明根據一實施例的聚光鏡30的正視圖、後視圖以及側向橫截面圖。
參考圖2A，聚光鏡30可包含多個鼓風單元40以及多個振動器55。鼓風單元40可安裝在外部圓周表面上，且可例如將氫氣、氦氣、氬氣、氮氣或其混合氣體或電漿吹送至聚光鏡30的反射表面32上。電漿可包含氫遠端電漿。舉例而言，所述多個鼓風單元40可為彼此鄰近(例如，接觸)以沿著例如反射表面32的整個圓周延伸的多個單元。振動器55可分別使外部圓周表面的上部部分以及下部部分及/或左半球以及右半球經受振動。舉例而言，振動器55可彼此等距地定位，例如，四個振動器55可沿著反射表面32的圓周彼此等距地定位。舉例而言，振動器55可包含壓電裝置，例如壓電轉換器(PZT)或致動器。振動器55可使聚光鏡30經受細微振動，使得光學佈置不受影響。
參考圖2B，聚光鏡30可包含安置在聚光鏡30的後表面上的多個加熱器50以及多個振動器55。加熱器50可以比標靶材料的熔融溫度高的溫度加熱聚光鏡30。舉例而言，所述多個加熱器50可經佈置成彼此相鄰以重疊聚光鏡30背對阻擋條80的整個表面。舉例而言，當標靶材料包含錫(Sn)時，加熱器50可以約 230℃或大於約230℃加熱聚光鏡30。加熱器50可包含加熱線圈。構成加熱器50的多個部分可各自為獨立受控的。振動器55可安裝在聚光鏡30的後表面的上部部分以及下部部分及/或左半球以及右半球中。因此，振動器55可直接使聚光鏡30的後表面的上部部分以及下部部分及/或左半球以及右半球經受振動。
參考圖2C，聚光鏡30可包含凹面形狀的反射表面32以面向阻擋條80(在圖1中)，而加熱器50可在反射表面32的相反表面上。儲集器60可安裝在洩孔36、加熱器50以及振動器55下方。儲集器60可容納由加熱器50加熱以熔融且在聚光鏡30的反射表面32上朝向洩孔36流動的經污染材料M。經污染材料M可包含標靶材料。儲集器60可包含儲集器加熱器65以圍封其外表面。儲集器加熱器65可包含加熱線圈，且可加熱在儲集器60中固化的經污染材料M且使其熔融。儲集器60可與聚光鏡30分離。儲集器60可包含具有較高熔融溫度的難熔金屬中的一者。在一些實施例中，儲集器加熱器65可安裝在儲集器60內部以使容納在儲集器60內部的經污染材料M熔融。
圖3A至圖3C為用於描述自聚光鏡30的鼓風單元40將氣體或電漿吹送至聚光鏡30的反射表面32上以及將殘留在聚光鏡30的反射表面32上的經污染材料M容納於儲集器60中的概念圖。鼓風單元40可整體或單獨地受控。
參考圖3A以及圖3C，鼓風單元40可沿著聚光鏡30的反射表面32朝向聚光鏡30的洩孔36吹送氣體或電漿。參考圖3B以及圖3C，鼓風單元40可朝向聚光鏡30的通孔35吹送氣體或電漿。舉例而言，安置於聚光鏡30的上部部分中的鼓風單元40 可比安置於聚光鏡30的下部部分中的鼓風單元40更有力地吹送氣體或電漿。因此，來自鼓風單元40的氣體的總體流動可會聚在洩孔36處(參見圖3A以及圖3C中的虛線箭頭)。振動器55可經安裝成在聚光鏡30的鼓風單元40的一外部區域處突起。振動器55可使聚光鏡30經受振動。藉由經由振動器55使聚光鏡30振動，可鬆動聚光鏡30的反射表面32上的經污染材料M，接著藉由自鼓風單元40吹送的氣體來有效地排出至洩孔36中，從而藉由重力經移除至儲集器60中。
如圖3C中進一步所說明，通孔35可包含自反射表面32朝向阻擋條80突起的側壁35a。側壁35a防止反射表面32上的經污染材料M經由通孔35朝向雷射器10掉落。因此，經污染材料M繞過通孔35朝向洩孔36流動以經移除至儲集器60中。
圖4為用於概念地描述根據一實施例的聚光鏡30的反射層33的縱向橫截面圖。參考圖4，根據實施例的聚光鏡30可包含鏡基板31以及堆疊在鏡基板31上的多層反射層33。反射層33可包含第一反射層33a、第二反射層33b以及插在第一反射層33a與第二反射層33b之間的阻障層33c。阻障層33c可在數百度或更高的高溫下維持穩定狀態。因此，阻障層33c可防止第一反射層33a及/或第二反射層33b在高溫下擴散或移動且維持反射層33。
舉例而言，儘管反射層33藉由加熱器50加熱聚光鏡30而處於高溫狀態，但聚光鏡30的反射能力可藉由阻障層33c得以維持。舉例而言，第一反射層33a可包含鉬(Mo)且第二反射層33b可包含矽(Si)。舉例而言，阻障層33c可包含在高溫下維持穩定狀態的碳化物材料或氮化物材料。舉例而言，阻障層33c可 包含碳化硼(B4C)、碳化鉬(Mo2C)、碳化矽(SiC)、氮化矽(Si3N4)或其一組合中的任一者。反射層33可進一步包含其頂部處的罩蓋層33d。罩蓋層33d可包含釕(Ru)或二氧化矽(SiO2)。阻障層33c可防止第一反射層33a以及第二反射層33b中的原子在高溫下擴散。鏡基板31可包含難熔金屬或耐熱無機材料。
在實施例中，第一反射層33a可具有約2.09奈米的厚度，第二反射層33b可具有約4.14奈米的厚度，且阻障層33c可具有約0.25奈米或0.40奈米的厚度。舉例而言，安置在第一反射層33a上方且在第二反射層33b下方的阻障層33c可具有約0.25奈米的厚度，且安置在第二反射層33b的上部部分上方且在第一反射層33a下方的阻障層33c可具有約0.40奈米的厚度。一個第一反射層33a、一個第二反射層33b以及兩個阻障層33c可具有約6.88奈米的總厚度。罩蓋層33d可具有約1.70奈米的厚度。
圖5為說明根據實施例的阻擋條80的概念圖。參考圖5，阻擋條80可具有垂直長條形狀以具有垂直長軸以及橫向短軸。阻擋條80經說明為具有矩形或長方體形狀，但不限於此。阻擋條80可具有各種幾何形狀，且可包含第一部分80a以及第二部分80b。
詳言之，阻擋條的第一部分80a可安置於連接聚光鏡30的通孔35、第一焦點F1以及第二焦點F2的第一光軸Lx1(圖1中的虛線)上。阻擋條80的第一部分80a可阻止自雷射器10輻射的雷射光束L傳遞至場鏡90。阻擋條80的第二部分80b可安置於連接聚光鏡30的洩孔36以及聚光鏡30的第二焦點F2的第二光軸Lx2上。因此，阻擋條80的第二部分80b可阻止對應於聚光鏡30的洩孔36的EUV光E的光學影像轉印至場鏡90。舉例而 言，如圖1以及圖5中所說明，第一部分80a以及第二部分80b可彼此連續以定義第一焦點F1與第二焦點F2之間與第一光軸Lx1以及第二光軸Lx2兩者重疊的單一矩形。
圖6為說明根據實施例的場鏡90的概念圖。
參考圖6，場鏡90可包含以多個列以及多個行佈置的多個場分面鏡91，以及並未安置場分面鏡91的盲區92。場分面鏡91可具有側向長條或棒狀。場分面鏡91可各自具有相同的表面積以反射且遞送恆定的光量。舉例而言，場分面鏡91可各自具有相同的水平長度以及垂直寬度以具有相同的形狀。盲區92可包含中心盲區92a(也稱作第一盲區)以及上部盲區92b(也稱作第二盲區)。中心盲區92a可對應於藉由經由阻擋條80的第一部分80a阻擋雷射光束L或EUV光E而盲化的區域，且上部盲區92b可對應於藉由經由阻擋條80的第二部分80b阻擋EUV光E而盲化的區域。舉例而言，中心盲區92a可安置於自第一焦點F1穿過至聚光鏡30的第二焦點F2的第一光軸Lx1的延伸線上，且上部盲區92b可安置於自聚光鏡30的洩孔36穿過至聚光鏡30的第二焦點F2的第二光軸Lx2的延伸線上。由於場鏡90安置於比第二焦點F2距聚光鏡30的第一焦點F1更遠的位置中，因此上部盲區92b可安置在中心盲區92a上方。
圖7為說明根據實施例的光瞳鏡95的概念圖。參考圖7，光瞳鏡95可包含多個光瞳分面鏡96。光瞳分面鏡96可分別對應於場鏡90的場分面鏡91。光瞳分面鏡96可反射相同的光量，使得EUV光E的總體能量分佈均勻。光瞳鏡95可將EUV光E遞送至光微影設備1000(參見圖8)的照明系統，例如照明鏡面系統 200(參見圖8)。
圖8為說明根據一實施例的光微影設備1000的概念圖。參考圖8，根據實施例的具有EUV光產生器100的光微影設備1000可包含EUV光產生器100、照明鏡面系統200、標線片臺(reticle stage)300、遮障件400、投影鏡面系統500以及晶圓載物台600。EUV光產生器100可包含液滴產生器20。自EUV光產生器100產生的EUV光E可朝向照明鏡面系統200輻射。照明鏡面系統200可包含多個照明鏡210至照明鏡240。舉例而言，照明鏡210至照明鏡240可使EUV光E聚焦且遞送EUV光E，使得EUV光在輻射路徑外的耗損減少。另外，舉例而言，照明鏡210至照明鏡240可整體且均勻地控制EUV光E的強度分佈。因此，多個照明鏡210至照明鏡240可各自包含凹面鏡及/或凸面鏡，使得可改變EUV光E的路徑。
標線片臺300可將標線片(reticle)R安裝在其下表面上且在水平方向上移動。舉例而言，標線片臺300可在圖式中的箭頭方向上移動。標線片臺300可包含靜電夾盤(electrostatic chuck,ESC)。標線片R可在其一個表面上包含多個光學圖案。標線片R可安裝在標線片臺300的下表面上，使得形成於表面上的光學圖案朝下。
遮障件400可安置在標線片臺300下方，例如安置在標線片臺300與照明鏡面系統200之間。遮障件400可包含狹縫S。所述狹縫S可具有孔隙形狀。狹縫S可形成自照明鏡面系統200傳遞至標線片臺300的標線片R的EUV光E的形狀。自照明鏡面系統200遞送的EUV光E可穿過狹縫S以輻射標線片臺300上的 標線片R的一表面。自標線片臺300的標線片R反射的EUV光E可穿過狹縫S以傳遞至投影鏡面系統500。
投影鏡面系統500可接收由標線片R反射且穿過狹縫S的EUV光E且將其遞送至晶圓W。投影鏡面系統500亦可包含多個投影鏡510至投影鏡560。所述多個投影鏡510至投影鏡560可校正各種像差。晶圓載物台600可在水平方向上移動。舉例而言，晶圓載物台600可在圖式中的箭頭方向上移動。在圖式中，概念地說明EUV光E行進的路徑以易於理解實施例。
圖9A以及圖9B為用於概念地描述根據一實施例的使用光微影設備1000在晶圓W上形成光阻圖案的光微影過程的視圖。圖9A為圖8中展示的標線片臺300上的標線片R的仰視圖，且圖9B為晶圓W的俯視圖。
參考圖8、圖9A以及圖9B，根據實施例的使用光微影設備1000的光微影過程可包含：使用根據實施例的EUV光產生器100產生EUV光E；用通過光微影設備1000的照明鏡面系統200以及遮障件400中的狹縫S的EUV光E輻射標線片R；以及用藉由標線片R反射通過投影鏡面系統500的EUV光E輻射晶圓W。由此，可在晶圓W上形成光阻層。
參考圖8以及圖9A，標線片臺300可在X方向(或-X方向)上移動。因此，可經由狹縫S掃描標線片R的光學圖案OP。由標線片R反射的EUV光E可具有關於光學圖案的資訊，且可經由投影鏡面系統500輻射晶圓載物台600上的晶圓W的表面。
參考圖8以及圖9B，在標線片臺300移動時，晶圓載物台600可在X方向(或-X方向)上移動。晶圓載物台600可比標 線片臺300移動得更慢。因此，標線片R的光學圖案OP可減少且轉印至晶圓W上。晶圓W上的光阻可具有虛擬的光學圖案PP。當標線片臺300未移動時，晶圓載物台600可在Y方向(或-Y方向)上移動。晶圓載物台600可判定EUV光E的焦點位置，且可整體或部分地升高或降低。
圖10為用於描述根據一實施例的清潔EUV光產生器100的聚光鏡30的方法的流程圖。
參考圖10，根據實施例的清潔EUV光產生器100的聚光鏡30的方法可包含停止第一光微影過程(S10)。接著，參考圖2A至圖2C及/或圖3A至圖3C，所述方法可包含使用加熱器50加熱聚光鏡30(S20)。使用加熱器50加熱聚光鏡30將聚光鏡30的反射表面32上的經污染材料M加熱至等於或高於其熔融溫度的溫度。舉例而言，當經污染材料M包含錫(Sn)時，可將聚光鏡30加熱至約200℃至約500℃的溫度。聚光鏡30的反射表面32上的經加熱的經污染材料M可熔融，從而允許其經由洩孔36流動至聚光鏡30外。
接著，參考圖2A至圖2C及/或圖3A至圖3C，所述方法可包含使用振動器55使聚光鏡30振動(S30)。可在持續加熱聚光鏡30時執行操作(S30)。聚光鏡30的振動可有助於熔融的經污染材料M流向洩孔36以及儲集器60。
接著，上述方法可包含中止加熱器50以及振動器55的操作(S40)。一旦執行操作(S40)，即可將聚光鏡30冷卻至室溫(S50)。
接著，參考圖3A至圖3C，上述方法可包含使用鼓風單 元40將氣體或電漿吹至聚光鏡30的反射表面32上(S60)。氣體可包含例如氫氣、氦氣、氬氣、氮氣或其混合氣體。所述電漿可包含例如氫自由基電漿或氫遠端電漿。在此過程中，可在操作(S30)之後移除殘留在聚光鏡30的反射表面32上的較薄經污染材料M。可省略操作(S60)。隨後，上述方法可保持吹送氣體或電漿(S70)，且執行第二光微影過程(S80)。
在一些實施例中，例如相較於參考圖10的上述方法，根據實施例的一種清潔EUV光產生器100的聚光鏡30的方法可進一步包含：將經污染材料M容納於儲集器60中；使聚光鏡30自EUV光產生器100分離；使儲集器60與聚光鏡30分離且移除儲集器60內部的經污染材料M；耦接儲集器60與聚光鏡30；以及將聚光鏡30安裝在EUV光產生器100中。在一些其他實施例中，例如相較於參考圖10的上述方法，根據實施例的一種清潔EUV光產生器100的聚光鏡30的方法可進一步包含：將經污染材料M容納於儲集器60中；使儲集器60與聚光鏡30分離且移除儲集器60內部的經污染材料M；以及耦接儲集器60與聚光鏡30。
根據實施例的EUV光產生器包含具有洩孔的聚光鏡，從而允許經由洩孔移除殘留在聚光鏡上的經污染材料。因此，由於可在不替換聚光鏡的情況下移除經污染材料，故使用EUV光產生器的光微影過程的效率可得以改良。
根據實施例的EUV光產生器包含安裝在洩孔下方的儲集器，從而容易地收集以及移除經污染材料。另外，在根據實施例的EUV光產生器中，聚光鏡以及儲集器包含加熱器，從而使經污染材料液化且容易地移除經污染材料。在根據實施例的EUV光產 生器中，聚光鏡包含鼓風單元及/或振動器，從而快速地移除經污染材料。根據實施例的EUV光產生器包含阻擋條，從而使由洩孔造成的光學不平衡得以平衡。根據實施例的EUV光產生器包含具有對應於阻擋條的盲區的場鏡，從而使由洩孔或阻擋條造成的光學不平衡得以平衡。在此處未描述的其他功效已在上述實施方式中描述。
藉助於概述以及回顧，可以規律間隔替換EUV光產生器的混雜有標靶材料的殘餘物的元件以自EUV光產生器內部移除標靶材料的殘餘物，舉例而言，EUV光產生器的聚光鏡上的標靶材料的殘餘物可減小聚光鏡的效率。然而，替換EUV光產生器的元件可減小產率且增加成本。因此，根據實施例，可使EUV光產生器的元件上的標靶材料的殘餘物熔融且在較短時間中容易地移除所述殘餘物。
本文中已揭露實例實施例，且儘管採用特定術語，但此等術語是僅在一般且描述性的意義上而非出於現實的目的被使用，且應僅在一般且描述性的意義上而非出於限制的目的予以解釋。在一些情況下，如於一般熟習此項技術者截至本申請案申請時所顯而易見，除非另外具體說明，否則結合特定實施例所描述的特徵、特性及/或要素可單獨使用或與結合其他實施例所描述的特徵、特性及/或要素組合使用。因此，熟習此項技術者應理解，在不脫離如以下申請專利範圍中闡述的本發明的精神以及範疇的情況下，可進行各種形式與細節改變。
10‧‧‧雷射器
20‧‧‧液滴產生器
30‧‧‧聚光鏡
32‧‧‧反射表面
35‧‧‧通孔
36‧‧‧洩孔
40‧‧‧鼓風單元
70‧‧‧液滴收集器
80‧‧‧阻擋條
90‧‧‧場鏡
95‧‧‧光瞳鏡
100‧‧‧極紫外光產生器
D‧‧‧液滴
E‧‧‧EUV光
F1‧‧‧第一焦點
F2‧‧‧第二焦點
L‧‧‧雷射光束
Lx1‧‧‧第一光軸
Lx2‧‧‧第二光軸

Claims (25)

  1. 一種極紫外(EUV)光產生器，包括：聚光鏡，具有第一焦點以及第二焦點，所述第一焦點比所述第二焦點更接近所述聚光鏡；雷射器，產生雷射光束且朝向所述聚光鏡的所述第一焦點輻射所述雷射光束；以及液滴產生器，產生液滴且在所述聚光鏡的所述第一焦點處排出所述液滴，其中所述聚光鏡包含：凹面的反射表面，在所述反射表面中心的通孔，以及在所述通孔與所述反射表面的外部圓周表面之間的洩孔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的EUV光產生器，其中所述聚光鏡進一步包括多個鼓風單元，所述鼓風單元圍封所述反射表面的所述外部圓周表面。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的EUV光產生器，其中所述鼓風單元朝向所述通孔或所述洩孔將氣體或電漿吹送至所述反射表面上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的EUV光產生器，其中所述通孔或所述洩孔上方的鼓風單元比所述通孔或所述洩孔下方的鼓風單元更有力地吹送所述氣體。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的EUV光產生器，其中所 述多個鼓風單元中的每一者獨立地受控。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的EUV光產生器，進一步包括第一光軸的延伸線上的阻擋條，所述第一光軸自所述雷射器穿過所述聚光鏡的所述通孔以及所述聚光鏡的所述第一焦點，且所述阻擋條具有垂直長條形狀以具有較大垂直側以及較小橫向側。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的EUV光產生器，其中所述阻擋條包含與來自所述雷射器的穿過所述聚光鏡的所述通孔以及所述聚光鏡的所述第一焦點的所述雷射光束重疊的第一部分，以及與自所述聚光鏡的所述第一焦點輻射且自所述聚光鏡的所述洩孔周圍反射的EUV光重疊的第二部分。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的EUV光產生器，其中所述阻擋條的所述第一部分與所述液滴產生器之間的距離小於所述阻擋條的所述第二部分與所述液滴產生器之間的距離。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的EUV光產生器，其中所述阻擋條包含連接所述聚光鏡的所述通孔與所述聚光鏡的所述第二焦點的所述第一光軸上的第一部分，以及連接所述聚光鏡的所述洩孔與所述聚光鏡的所述第二焦點的第二光軸上的第二部分。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的EUV光產生器，進一步包括具有多個場分面鏡以及盲區的場鏡。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的EUV光產生器，其中所述多個場分面鏡具有橫向長條形狀或棒狀。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的EUV光產生器，其中所述盲區包含在所述聚光鏡的所述第一焦點與所述第二焦點之間 延伸的第一光軸上的第一盲區，以及在所述聚光鏡的所述洩孔與所述第二焦點之間延伸的第二光軸上的第二盲區。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的EUV光產生器，進一步包括包含分別對應於所述多個場分面鏡的多個光瞳分面鏡的光瞳鏡。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的EUV光產生器，其中所述聚光鏡進一步包含其後表面上的多個加熱器。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的EUV光產生器，其中所述聚光鏡進一步包含所述洩孔下方的儲集器。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的EUV光產生器，其中所述儲集器包含儲集器加熱器以加熱所述儲集器。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的EUV光產生器，其中所述儲集器與所述聚光鏡是可分離的。
  18. 如申請專利範圍第1項所述的EUV光產生器，其中所述聚光鏡進一步包含其後表面上的多個振動器。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的EUV光產生器，其中所述多個振動器包含所述聚光鏡的所述後表面的上部部分上的多個上部部分振動器，以及所述聚光鏡的所述後表面的下部部分上的多個下部部分振動器。
  20. 如申請專利範圍第18項所述的EUV光產生器，其中所述多個振動器在所述聚光鏡的外部圓周表面上以使所述聚光鏡的所述後表面以及所述外部圓周表面經受振動。
  21. 一種極紫外(EUV)光產生器，包括：聚光鏡，包含： 凹面的反射表面，在所述反射表面中心的通孔，以及在所述反射表面的外部圓周表面與所述通孔之間的洩孔，所述聚光鏡的第一焦點比所述聚光鏡的第二焦點更接近所述反射表面；以及在所述第一焦點與所述第二焦點之間的阻擋條，所述阻擋條包含：連接所述聚光鏡的所述第一焦點與其所述第二焦點的第一光軸上的第一部分，以及連接所述聚光鏡的所述洩孔與其所述第二焦點的第二光軸上的第二部分。
  22. 一種極紫外(EUV)光產生器，包括：聚光鏡，具有第一焦點以及第二焦點，所述第一焦點比所述第二焦點更接近所述聚光鏡；雷射器，產生雷射光束且朝向所述聚光鏡的所述第一焦點輻射所述雷射光束；以及液滴產生器，產生液滴且在所述聚光鏡的所述第一焦點處排出所述液滴，其中所述聚光鏡包含：面向所述第一焦點的凹面的反射表面，穿過所述反射表面中心的通孔，以及穿過所述反射表面的洩孔，所述洩孔與所述通孔間隔開且完全分離。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的EUV光產生器，其中 所述聚光鏡進一步包含其後表面上的多個振動器，所述聚光鏡的所述後表面面向所述雷射器。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的EUV光產生器，其中所述振動器沿著所述聚光鏡的周界等距佈置。
  25. 如申請專利範圍第23項所述的EUV光產生器，其中所述聚光鏡進一步包括沿著所述反射表面的外部圓周表面的多個鼓風單元，所述多個鼓風單元面朝所述洩孔。
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