JP6360489B2 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許第７８７２２４５号 米国特許第８１３８４８７号 米国特許出願公開第２０１２／０２０５５５９号

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部でターゲットにレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるチャンバと、前記チャンバの内部に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部によって供給され前記レーザ光が照射されなかった前記ターゲットを、前記ターゲットとの接触角が９０°より大きい受面で受けて回収容器内に回収するターゲット回収部と、を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ターゲット生成装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す。 図３は、ターゲット回収部の構成を示す。 図４は、ターゲット生成制御部におけるターゲット供給に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図５は、第１実施例のターゲット回収部の構成を示す。 図６は、受け部材の受面にターゲットが衝突するときの様子を説明するための図を示す。 図７は、溶融スズに対する各種材料の接触角を示す。 図８は、第２実施例のターゲット回収部の構成を示す。 図９は、第３実施例のターゲット回収部の構成を示す。 図１０は、第４実施例のターゲット回収部の構成を示す。 図１１は、第５実施例のターゲット回収部の構成を示す。 図１２は、ダンパ材で覆われた受け部材の受面にターゲットが衝突するときの様子を説明するための図を示す。 図１３は、第６実施例のターゲット回収部の構成を示す。 図１４は、第７実施例のターゲット回収部の構成を示す。 図１５は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。

実施形態

〜内容〜
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ターゲット回収部を含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 課題
５．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット回収部
５．１ ターゲット回収部の第１実施例
５．２ ターゲット回収部の第２実施例
５．３ ターゲット回収部の第３実施例
５．４ ターゲット回収部の第４実施例
６．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット回収部
６．１ ターゲット回収部の第５実施例
６．２ ターゲット回収部の第６実施例
７．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット回収部
７．１ ターゲット回収部の第７実施例
８．その他
８．１ 各制御部のハードウェア環境
８．２ その他の変形例

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。

本開示におけるＥＵＶ光生成装置１は、内部でターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されるとＥＵＶ光２５２が生成されるチャンバ２と、チャンバ２の内部にターゲット２７を供給するターゲット供給部２６と、ターゲット供給部２６によって供給されパルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を、ターゲット２７との接触角が９０°より大きい受面Ｓで受けて回収容器２８１内に回収するターゲット回収部２８と、を備えてもよい。
よって、本開示におけるＥＵＶ光生成装置１は、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を回収するとき、当該ターゲット２７の飛散物２７４がターゲット回収部２８の外部に飛散することを抑止し得る。

［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。

［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

［３．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［４．ターゲット回収部を含むＥＵＶ光生成装置］
［４．１ 構成］
図２及び図３を用いて、ターゲット生成装置７及びターゲット回収部２８を含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
図２では、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出する方向をＺ軸とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。

ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ２の中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向であってもよい。

筒形状のチャンバ２の側面部には、チャンバ２外からチャンバ２内へターゲット２７を供給するためのターゲット供給孔２ａが設けられてもよい。チャンバ２が中空の球形状であれば、ターゲット供給孔２ａは、チャンバ２の壁部であってウインドウ２１及び接続部２９の設置されていない位置に設けられてもよい。

チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光光学系２３ａと、ターゲット回収部２８と、プレート２２５と、プレート２３５とを備えてもよい。

プレート２３５は、チャンバ２の内側面に固定されてもよい。プレート２３５の中央には、その厚さ方向にパルスレーザ光３３が通過可能な孔２３５ａが設けられてもよい。孔２３５ａの開口方向は、図１における貫通孔２４及びプラズマ生成領域２５を通る軸と同一方向であってもよい。
プレート２３５の一方の面には、ＥＵＶ集光光学系２３ａが設けられてもよい。
プレート２３５の他方の面には、図示しない３軸ステージを介してプレート２２５が設けられてもよい。

プレート２３５の一方の面に設けられたＥＵＶ集光光学系２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ホルダ２３１とを含んでもよい。
ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を保持してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、プレート２３５に固定されてもよい。

プレート２３５の他方の面に設けられたプレート２２５は、３軸ステージによって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。
プレート２２５には、レーザ光集光光学系２２ａが設けられてもよい。

レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ホルダ２２３と、ホルダ２２４とを含んでもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２を含んでもよい。

ホルダ２２３は、軸外放物面ミラー２２１を保持してもよい。軸外放物面ミラー２２１を保持するホルダ２２３は、プレート２２５に固定されてもよい。
ホルダ２２４は、平面ミラー２２２を保持してもよい。平面ミラー２２２を保持するホルダ２２４は、プレート２２５に固定されてもよい。

軸外放物面ミラー２２１は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１及び平面ミラー２２２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
平面ミラー２２２は、孔２３５ａ及び軸外放物面ミラー２２１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置及び姿勢は、プレート２２５の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２に入射したパルスレーザ光３２の反射光であるパルスレーザ光３３が、プラズマ生成領域２５で集光するように実行され得る。

ターゲット回収部２８は、チャンバ２の側面側に設けられていてもよい。
ターゲット回収部２８は、チャンバ２内にドロップレット２７１として出力されたターゲット２７の進行経路であるターゲット進行経路２７２の延長線上に配置されてもよい。
ターゲット回収部２８は、図３に示すように、回収容器２８１と、温度調節機構２８２とを含んでもよい。
なお、回収容器２８１及び温度調節機構２８２の詳細な構成については、図３を用いて後述する。

また、チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット生成装置７とを備えてもよい。

レーザ光進行方向制御部３４は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１とレーザ装置３との間に設けられていてもよい。
レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２と、ホルダ３４３及びホルダ３４４とを含んでもよい。

ホルダ３４３は、高反射ミラー３４１を保持してもよい。ホルダ３４４は、高反射ミラー３４２を保持してもよい。
ホルダ３４３及びホルダ３４４は、ＥＵＶ光生成制御部５に接続された図示しないアクチュエータによって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。

高反射ミラー３４１は、パルスレーザ光３１が出射されるレーザ装置３の出射口及び高反射ミラー３４２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４２は、チャンバ２のウインドウ２１及び高反射ミラー３４１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５によりホルダ３４３及びホルダ３４４の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２に入射したパルスレーザ光３１の反射光であるパルスレーザ光３２が、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過するように実行され得る。

ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３との間で制御信号の送受を行い、レーザ装置３の動作を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光光学系２２ａのそれぞれのアクチュエータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１〜３３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成装置７の後述するターゲット生成制御部７４との間で制御信号の送受を行い、ターゲット生成装置７の動作を制御してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図１５を用いて後述する。

ターゲット生成装置７は、チャンバ２の側面側に設けられていてもよい。
ターゲット生成装置７は、ターゲット供給部２６と、ヒータ７１１と、ヒータ電源７１２と、圧力調節器７２１、配管７２２と、ガスボンベ７２３と、ピエゾ素子７３１と、ピエゾ電源７３２と、ターゲット生成制御部７４とを備えてもよい。

ターゲット供給部２６は、タンク２６１と、ノズル２６２とを含んでもよい。
タンク２６１は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク２６１の内部には、ターゲット２７が収容されてもよい。
ターゲット２７を収容するタンク２６１の少なくとも内面は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。ターゲット２７と反応し難い材料は、例えば、炭化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウム、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。

ノズル２６２は、筒形状のタンク２６１の底面部に設けられていてもよい。ノズル２６２は、チャンバ２のターゲット供給孔２ａを通してチャンバ２の内部に配置されてもよい。ターゲット供給孔２ａは、ターゲット供給部２６が設置されることで塞がれ得る。それにより、チャンバ２の内部は大気と隔絶され得る。
ノズル２６２の内部は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。

パイプ状のノズル２６２の一端は、中空のタンク２６１に固定されてもよい。パイプ状のノズル２６２の他端には、図示しないノズル孔が設けられていてもよい。ノズル２６２の一端側にあるタンク２６１がチャンバ２の外部に位置し、ノズル２６２の他端側にあるノズル孔がチャンバ２の内部に位置してもよい。ノズル２６２の中心軸方向の延長線上には、チャンバ２の内部にあるプラズマ生成領域２５及びターゲット回収部２８が位置してもよい。タンク２６１、ノズル２６２、及びチャンバ２は、その内部が互いに連通してもよい。
ノズル孔は、溶融したターゲット２７をチャンバ２内へジェット状に噴出するような形状で形成されてもよい。

ヒータ７１１は、筒形状のタンク２６１の外側側面部に固定されてもよい。タンク２６１に固定されたヒータ７１１は、タンク２６１を加熱してもよい。ヒータ７１１は、ヒータ電源７１２と接続されてもよい。
ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１に電力を供給してもよい。ヒータ７１１に電力を供給するヒータ電源７１２は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１への電力供給をターゲット生成制御部７４によって制御されてもよい。

筒形状のタンク２６１の外側側面部には、図示しない温度センサが固定されてもよい。タンク２６１に固定された温度センサは、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。温度センサは、タンク２６１の温度を検出し、検出信号をターゲット生成制御部７４に出力してもよい。ターゲット生成制御部７４は、温度センサから出力された検出信号に基づいて、タンク２６１内の温度が目標温度になるようヒータ７１１へ供給する電力を制御してもよい。それにより、タンク２６１内の温度は、目標温度に調節され得る。

配管７２２は、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２の反対側と、圧力調節器７２１とを連結してもよい。配管７２２は、タンク２６１を含むターゲット供給部２６と圧力調節器７２１とを連通させ得る。
配管７２２は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管７２２には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管７２２内の温度は、ターゲット供給部２６のタンク２６１内の温度と同じ温度に保たれてもよい。

ガスボンベ７２３は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されていてもよい。
ガスボンベ７２３は、圧力調節器７２１を介して、タンク２６１内に不活性ガスを給気してもよい。

圧力調節器７２１は、上述のように、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２とは反対側に配管７２２を介して設けられてもよい。
圧力調節器７２１は、給気及び排気用の電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。圧力調節器７２１は、圧力センサを用いてタンク２６１内の圧力を検出してもよい。
圧力調節器７２１は、ガスボンベ７２３に連結されてもよい。圧力調節器７２１は、ガスボンベ７２３に充填された不活性ガスを、タンク２６１内に給気してもよい。
圧力調節器７２１は、図示しない排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器７２１は、排気ポンプを動作させて、タンク２６１内のガスを排気してもよい。
圧力調節器７２１は、タンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気することによって、タンク２６１内の圧力を加圧又は減圧し得る。

圧力調節器７２１は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。圧力調節器７２１は、検出した圧力の検出信号をターゲット生成制御部７４に出力してもよい。圧力調節器７２１には、ターゲット生成制御部７４から出力された制御信号が入力されてもよい。
ターゲット生成制御部７４から出力される制御信号は、圧力調節器７２１から出力された検出信号に基づいて、タンク２６１内の圧力が目標圧力になるよう圧力調節器７２１の動作を制御するための制御信号であってもよい。
圧力調節器７２１は、ターゲット生成制御部７４の制御信号に基づいてタンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気してもよい。それにより、タンク２６１内の圧力は、目標圧力に調節され得る。

ピエゾ素子７３１は、パイプ状のノズル２６２の外側側面部に固定されてもよい。ノズル２６２に固定されたピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与えてもよい。ノズル２６２に振動を与えるピエゾ素子７３１は、ピエゾ電源７３２と接続されてもよい。
ピエゾ電源７３２は、ピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。ピエゾ素子７３１に電力を供給するピエゾ電源７３２は、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。ピエゾ電源７３２には、ターゲット生成制御部７４から出力された制御信号が入力されてもよい。
ターゲット生成制御部７４から出力される制御信号は、ピエゾ電源７３２が所定波形でピエゾ素子７３１に電力を供給するための制御信号であってもよい。
ピエゾ電源７３２は、ターゲット生成制御部７４の制御信号に基づいてピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。ピエゾ素子７３１は、所定波形に応じてノズル２６２に振動を与えてもよい。それにより、ノズル２６２からジェット状に噴出したターゲット２７の流れには定在波が与えられ、当該ターゲット２７が周期的に分離され得る。分離されたターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。

ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５との間で制御信号の送受を行い、ターゲット生成装置７全体の動作を統括的に制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ヒータ電源７１２に制御信号を出力して、ヒータ電源７１２及びヒータ７１１の動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、圧力調節器７２１に制御信号を出力して、圧力調節器７２１及びガスボンベ７２３の動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ピエゾ電源７３２に制御信号を出力して、ピエゾ電源７３２及びピエゾ素子７３１の動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、温度調節機構２８２に含まれる後述の温度制御部２８２ｄに制御信号を出力して、温度調節機構２８２の動作を制御してもよい。
なお、ターゲット生成制御部７４のハードウェア構成については、図１５を用いて後述する。

図３を用いて、ターゲット回収部２８の構成について説明する。
上述のように、ターゲット回収部２８は、回収容器２８１と、温度調節機構２８２とを含んでもよい。

回収容器２８１は、チャンバ２内にドロップレット２７１として出力されたターゲット２７を回収する容器であってもよい。このターゲット２７は、ターゲット供給部２６によってプラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７のうち、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７であってもよい。
すなわち、回収容器２８１は、ターゲット供給部２６によって供給されたターゲット２７のうちＥＵＶ光２５１の生成に寄与しなかったターゲット２７を回収してもよい。
回収容器２８１に回収されたターゲット２７を「回収ターゲット２７３」ともいう。

回収容器２８１は、筒形状に形成されてもよい。筒形状の回収容器２８１の中心軸は、ターゲット進行経路２７２と一致してもよい。回収容器２８１の開口部２８１ａは、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５と対向してもよい。回収容器２８１の底面部２８１ｂは、チャンバ２の壁２ｂの内面側に位置してもよい。回収容器２８１の側面部２８１ｃは、底面部２８１ｂから開口部２８１ａに向って延びるように設けられてもよい。
回収容器２８１は、ターゲット２７を開口部２８１ａから内部に導入し、当該ターゲット２７を、底面部２８１ｂ及び側面部２８１ｃで形成される空間に貯留してもよい。回収容器２８１は、チャンバ２の内部でターゲット２７を回収し得る。

温度調節機構２８２は、回収容器２８１内の温度を調節してもよい。
温度調節機構２８２は、ヒータ２８２ａと、ヒータ電源２８２ｂと、温度センサ２８２ｃと、温度制御部２８２ｄとを含んでもよい。

ヒータ２８２ａは、回収容器２８１の外表面を覆うように設けられてもよい。ヒータ２８２ａは、底面部２８１ｂ及び側面部２８１ｃの外表面に固定されてもよい。回収容器２８１に固定されたヒータ２８２ａは、回収容器２８１を加熱してもよい。ヒータ２８２ａは、ヒータ電源２８２ｂと接続されてもよい。
ヒータ電源２８２ｂは、ヒータ２８２ａに電力を供給してもよい。ヒータ２８２ａに電力を供給するヒータ電源２８２ｂは、温度制御部２８２ｄと接続されてもよい。ヒータ電源２８２ｂは、ヒータ２８２ａへの電力供給を温度制御部２８２ｄによって制御されてもよい。

温度センサ２８２ｃは、回収容器２８１の底面部２８１ｂや側面部２８１ｃに固定されてもよい。温度センサ２８２ｃは、底面部２８１ｂや側面部２８１ｃの内部に埋め込まれて固定されもよい。温度センサ２８２ｃは、底面部２８１ｂや側面部２８１ｃの内側表面に固定され、回収ターゲット２７３と直接接していてもよい。
温度センサ２８２ｃは、温度制御部２８２ｄと接続されてもよい。温度センサ２８２ｃは、回収容器２８１の温度を検出し、検出信号を温度制御部２８２ｄに出力してもよい。

温度制御部２８２ｄには、温度センサ２８２ｃから出力された検出信号が入力されてもよい。温度制御部２８２ｄは、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。温度制御部２８２ｄは、温度センサ２８２ｃから出力された検出信号をターゲット生成制御部７４に出力してもよい。温度制御部２８２ｄには、ターゲット生成制御部７４から出力された制御信号が入力されてもよい。
ターゲット生成制御部７４から出力される制御信号は、温度センサ２８２ｃから出力された検出信号に基づいて、回収容器２８１内の温度が目標温度になるようヒータ電源２８２ｂの動作を制御するための制御信号であってもよい。当該制御信号には、回収容器２８１内の温度を目標温度にするための温度設定値が含まれてもよい。
温度制御部２８２ｄは、ターゲット生成制御部７４の制御信号に含まれる温度設定値に応じて、ヒータ電源２８２ｂからヒータ２８２ａへ供給する電力を制御してもよい。それにより、回収容器２８１内の温度は、目標温度に調節され得る。

目標温度は、ターゲット２７の融点以上の温度であってもよい。ターゲット２７がスズであれば、目標温度は、例えば２３２℃以上２７０℃未満の温度であってもよい。或いは、目標温度は、２７０℃以上の温度であってもよい。目標温度に調節された回収容器２８１では、回収ターゲット２７３を溶融させ得る。

［４．２ 動作］
図４を用いて、ターゲット生成装置７を含むＥＵＶ光生成装置１の動作の概要について説明する。具体的には、図２〜図４を用いて、ターゲット生成制御部７４のターゲット供給に係る処理について説明する。
ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたターゲット生成装置７の起動信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。

ステップＳ１において、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成装置７の初期設定を行ってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成装置７の各構成部を起動し、各構成部の動作チェックを行ってもよい。そして、ターゲット生成制御部７４は、各構成部を初期化して初期設定値を設定してもよい。

特に、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１内の圧力が真空状態に近い圧力値となるように、圧力調節器７２１の初期圧力設定値を設定してもよい。真空状態に近い圧力値は、例えば１ｈＰａ程度であってもよい。
タンク２６１内に存在するターゲット２７と反応しやすいガスは、ターゲット２７が溶融する前に排気され得る。この際、ガスボンベ７２３から不活性ガスをタンク２６１内に数回給気して、タンク２６１内のパージ動作を行うようにしてもよい。

更に、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７の温度がターゲット２７の融点以上の値となるよう、ヒータ７１１の初期温度設定値を設定してもよい。ヒータ７１１の初期温度設定値は、例えば２３２℃以上２７０℃未満の温度であってもよい。

更に、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット２７を回収したときに回収ターゲット２７３の温度がターゲット２７の融点以上の値となるように、温度制御部２８３ｄを介してヒータ２８２ａの初期温度設定値を設定してもよい。ヒータ２８２ａの初期温度設定値は、例えば２３２℃以上２７０℃未満の温度であってもよい。

ステップＳ２において、ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５よりターゲット生成信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ターゲット生成信号は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５へのターゲット供給をターゲット生成装置７に実行させるための制御信号であってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成信号が入力されるまで待機してもよい。ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１内の温度がターゲット２７の融点以上の所定範囲内で維持されるように、ヒータ７１１による加熱を継続して制御してもよい。ターゲット生成制御部７４は、回収容器２８１内の温度がターゲット２７の融点以上の所定範囲内で維持されるように、ヒータ２８２ａによる加熱を継続して制御してもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成信号が入力されたと判定されたならば、ステップＳ３に移行してもよい。

ステップＳ３において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１の温度を確認してもよい。ターゲット生成制御部７４は、温度設定値を適宜修正し、ヒータ７１１による加熱を制御してもよい。タンク２６１に収容されたターゲット２７は、その融点以上に加熱され得る。加熱されたターゲット２７は、溶融し得る。

ステップＳ４において、ターゲット生成制御部７４は、回収容器２８１の温度を確認してもよい。ターゲット生成制御部７４は、温度制御部２８２ｄを介して温度設定値を適宜修正し、ヒータ２８２ａによる加熱を制御してもよい。回収容器２８１に回収された回収ターゲット２７３は、その融点以上に加熱され得る。加熱された回収ターゲット２７３は、溶融し得る。

ステップＳ５において、ターゲット生成制御部７４は、ピエゾ電源７３２を介してピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。
ピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与え得る。溶融したターゲット２７がノズル孔２６２ａから噴出されていれば、溶融したターゲット２７がノズル２６２の振動によって分離されて、ドロップレット２７１が形成され得る。
なお、ターゲット生成制御部７４は、ピエゾ素子７３１へ所定波形の電力が供給されるようにピエゾ電源７３２の動作を制御してもよい。
この所定波形は、ドロップレット２７１が所定の生成周波数で生成されるような波形であってもよい。所定の生成周波数は、例えば５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであってもよい。

ステップＳ６において、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１内の圧力がターゲット供給可能な圧力となる圧力設定値を圧力調節器７２１に設定してもよい。圧力調節器７２１は、設定された圧力設定値となるようにタンク２６１内の圧力を制御してもよい。
ターゲット供給可能な圧力は、溶融状態のターゲット２７が一定量でノズル孔２６２ａから噴出すると共に、プラズマ生成領域２５に所定速度で到達するような圧力であってもよい。所定速度は、例えば６０ｍ／ｓ〜１００ｍ／ｓであってもよい。
タンク２６１に収容された溶融状態のターゲット２７は加圧され得る。加圧されたターゲット２７は、タンク２６１からノズル２６２に向かって流れ、ノズル孔２６２ａから一定量で噴出され得る。一定量で噴出されたターゲット２７は、ピエゾ素子７３１から一定周期で振動が与えられ、一定周期で均一なドロップレット２７１が形成され得る。形成されたドロップレット２７１は、チャンバ２内に出力され得る。形成されたドロップレット２７１の直径は、例えば２０μｍ〜３０μｍであってもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するのに同期してパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５を照射するように、レーザ装置３におけるパルスレーザ光３１の出力タイミングを制御してもよい。
プラズマ生成領域２５に照射されたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１を照射し得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１は、プラズマ化されＥＵＶ光２５１を生成し得る。

また、パルスレーザ光３３が照射されなかったドロップレット２７１は、プラズマ生成領域２５を通過してターゲット進行経路２７２を進行し、ターゲット回収部２８に到達し得る。ターゲット回収部２８に到達したドロップレット２７１は、回収容器２８１の開口部２８１ａから入射して、回収容器２８１内に貯留され得る。このとき、回収容器２８１の温度は、ターゲット２７の融点以上の所定範囲内で維持されていてもよい。このため、回収容器２８１に入射したドロップレット２７１は、溶融した状態で回収ターゲット２７３として回収容器２８１内に貯留され得る。

ステップＳ７において、ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５よりターゲット生成停止信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ターゲット生成停止信号は、プラズマ生成領域２５へのターゲット供給をターゲット生成装置７に停止させるための制御信号であってもよい。
ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成停止信号が入力されたと判定されなければ、ステップＳ３に移行してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット生成停止信号が入力されたと判定されたならば、本処理を終了してもよい。

［４．３ 課題］
ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット２７を複数のドロップレット２７１としてプラズマ生成領域２５に供給し得る。ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７にパルスレーザ光３３を照射し、当該ターゲット２７をプラズマ化してＥＵＶ光２５１を生成し得る。
しかし、ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７に対して一部にはパルスレーザ光３３を照射しないことがあり得る。パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７は、ターゲット回収部２８によって回収され得る。
パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７がターゲット回収部２８に回収されるとき、当該ターゲット２７は、回収容器２８１の開口部２８１ａから回収容器２８１の内部に入射し得る。

このとき、入射したターゲット２７は、図３に示すように、回収容器２８１に貯留された回収ターゲット２７３の液面２７３ａに衝突し得る。液面２７３ａを形成する溶融状態の回収ターゲット２７３は、衝突したターゲット２７の衝撃力によって飛沫となり、飛散物２７４として跳ね上がることがあり得る。
跳ね上がった飛散物２７４は、開口部２８１ａを通過してターゲット回収部２８の外部に向かって飛散し得る。

溶融状態の回収ターゲット２７３が貯留されていない場合も、回収容器２８１に入射したターゲット２７は、底面部２８１ｂ又は側面部２８１ｃに衝突し得る。底面部２８１ｂ又は側面部２８１ｃに衝突したターゲット２７は、底面部２８１ｂ又は側面部２８１ｃの表面で破壊されると共に飛散物２７４となって跳ね上がることがあり得る。或いは、底面部２８１ｂ又は側面部２８１ｃで破壊されたターゲット２７はそのまま固着し得る。固着したターゲット２７に対して新たに入射したターゲット２７が衝突すると、新たに入射したターゲット２７は、固着したターゲット２７上で破壊されて更に固着すると共に、更に飛散物２７４となって跳ね上がることが有り得る。
跳ね上がった飛散物２７４は、開口部２８１ａを通過してターゲット回収部２８の外部に向かって飛散し得る。

飛散物２７４は、直径が数μｍ程度の微粒子であり得る。飛散物２７４は、チャンバ２内に設けられた各種光学系に付着し、その性能を低下させ得る。特に、チャンバ２内に設けられたＥＵＶ集光ミラー２３に飛散物２７４が付着すると、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下すると、ＥＵＶ光２５１の出力が低下して問題となり得る。
よって、ターゲット回収部２８の外部に飛散物２７４を飛散させることなく、パルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット２７を効率的に回収し得る技術が望まれている。

［５．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット回収部］

図５〜図１０を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８について説明する。

第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８は、ターゲット２７を回収する際、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７の軌道を変化させてもよい。同時に、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８は、入射したターゲット２７がターゲット回収部２８の衝突位置で留まって固着することを防止してもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８の実施態様を、第１〜第４実施例として説明する。図２及び図３に示したターゲット回収部２８と同様の構成については説明を省略する。

［５．１ ターゲット回収部の第１実施例］
図５〜図７を用いて、第１実施例のターゲット回収部２８の構成について説明する。
第１実施例のターゲット回収部２８は、図５に示すように、回収容器２８１と、温度調節機構２８２と、受け部２８３と、抑止部２８４とを含んでもよい。
図５に示す第１実施例のターゲット回収部２８の構成において、図３に示したターゲット回収部２８と同一の構成については説明を省略する。

図５に示す回収容器２８１の構成は、図３に示した回収容器２８１の構成と同一であってもよい。
図５に示す温度調節機構２８２の構成は、図３に示した温度調節機構２８２の構成と同一であってもよい。

受け部２８３は、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７を受けてもよい。受け部２８３は、回収容器２８１の内部に設けられてもよい。
受け部２８３は、受け部材２８３ａと、支持部材２８３ｂとを含んでもよい。
受け部材２８３ａは、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７を、直に衝突させて当該ターゲット２７を受けてもよい。受け部材２８３ａは、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７を受ける面である受面Ｓを含んでもよい。

受け部材２８３ａの受面Ｓは、ターゲット進行経路２７２の延長線上に位置してもよい。受面Ｓは、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５と対向して配置されてもよい。受面Ｓは、ターゲット進行経路２７２に対し、所定の傾斜角度で傾斜して配置されてもよい。受面Ｓの傾斜角度は、受面Ｓに入射したターゲット２７の受面Ｓでの衝突により発生する飛散物２７４がターゲット回収部２８の外部に飛散しないような角度であってもよい。受面Ｓは、所定の傾斜角度で傾斜して配置されることにより、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７の軌道を変化させ得る。
なお、受け部材２８３ａの受面Ｓにターゲット２７が衝突するときの様子については、図６を用いて後述する。

受け部材２８３ａの受面Ｓは、コーティング材２８７ａでコートされてもよい。コーティング材２８７ａは、液体であるターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料であってもよい。コーティング材２８７ａがコートされた受面Ｓは、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７に対して濡れ難くなり得る。このため、受面Ｓに入射したターゲット２７は、破壊された後、重力によって受面Ｓ上を底面部２８１ｂ側に移動し、回収容器２８１に到達し得る。それにより、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７は、受面Ｓで留まって固着し難くなり得る。
なお、コーティング材２８７ａの詳細については、図７を用いて後述する。

支持部材２８３ｂは、受け部材２８３ａを回収容器２８１に対して着脱可能に固定してもよい。支持部材２８３ｂは、受け部材２８３ａと一体成形されてもよい。

抑止部２８４は、受け部２８３で受けたターゲット２７がターゲット回収部２８の外部に飛散することを抑止してもよい。
図５に示す抑止部２８４は、受面Ｓに入射したターゲット２７の受面Ｓでの衝突により発生した飛散物２７４が、ターゲット回収部２８の外部に飛散することを抑止してもよい。
抑止部２８４は、回収容器２８１と一体成形されてもよい。
抑止部２８４は、筒形状に形成されてもよい。筒形状の抑止部２８４の中心軸は、回収容器２８１の中心軸と一致してもよい。筒形状の抑止部２８４は、回収容器２８１の開口部２８１ａの周縁を基端として、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５に向かって先端が延びるように形成されてもよい。筒形状の抑止部２８４の内径は、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５に向かうに従って縮小するように形成されてもよい。

抑止部２８４の内周面は、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５に向かうに従って内径が小さくなるテーパ面２８４ｂであってもよい。
テーパ面２８４ｂは、回収容器２８１の底面部２８１ｂ又は側面部２８１ｃと対向してもよい。
テーパ面２８４ｂは、受け部材２８３ａの受面Ｓと対向してもよい。ターゲット進行経路２７２に対するテーパ面２８４ｂの傾斜角度は、ターゲット進行経路２７２に対する受面Ｓの傾斜角度以上であってもよい。テーパ面２８４ｂは、受け部材２８３ａの受面Ｓと平行であってもよい。
テーパ面２８４ｂは、受面Ｓに入射したターゲット２７の飛散物２７４を、底面部２８１ｂ側に更に反射し得る。それにより、当該飛散物２７４は、ターゲット回収部２８の外部に飛散されなくなり得る。

ターゲット供給部２６側に位置する抑止部２８４の先端には、開口部２８４ａが設けられてもよい。開口部２８４ａの直径は、ターゲット２７の直径よりも十分に大きくてもよい。開口部２８４ａの直径は、例えば３０ｍｍであってもよい。
開口部２８４ａは、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７を、受け部２８３の受け部材２８３ａに導入し得る。

図６を用いて、受け部材２８３ａの受面Ｓにターゲット２７が衝突するときの様子について説明する。

ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７は、受面Ｓの法線方向に対して入射角度θで入射すると、受面Ｓに衝突し得る。
このとき、ターゲット２７は、受面Ｓでの衝突により破壊され得る。破壊されたターゲット２７は、受面Ｓ上を移動するターゲット２７と、受面Ｓで反射されて飛散する飛散物２７４とに分かれ得る。この飛散物２７４は、複数の微粒子からなる。
複数の微粒子からなる飛散物２７４は、ターゲット２７の入射角度θに等しい反射角度θの方向を中心軸とする円錐状の広がりをもって飛散し得る。この飛散物２７４は、図５に示すように、抑止部２８４のテーパ面２８４ｂにて底面部２８１ｂ側に更に反射され得る。テーパ面２８４ｂにて反射された飛散物２７４は、回収容器２８１に到達し得る。

受面Ｓのターゲット進行経路２７２に対する傾斜角度は、ターゲット２７の入射角度θが０°＜θ＜９０°となるような角度であってもよい。
仮にターゲット２７の入射角度θがθ＝０°となるよう受面Ｓの傾斜角度を設定すると、受面Ｓはターゲット進行経路２７２に対して直交し得る。このため、ターゲット２７の受面Ｓでの衝突により発生した飛散物２７４は、開口部２８４ａを通過してターゲット回収部２８の外部に飛散し得る。

仮にターゲット２７の入射角度θがθ＝９０°となるよう受面Ｓの傾斜角度を設定すると、受面Ｓはターゲット進行経路２７２に対して平行となり得る。このため、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７は、受面Ｓで受けられることなく、回収ターゲット２７３の液面２７３ａに衝突し得る。液面２７３ａを形成する回収ターゲット２７３は、衝突したターゲット２７の衝撃力によって飛沫となり、飛散物２７４として跳ね上がり得る。跳ね上がった飛散物２７４は、開口部２８４ａを通過してターゲット回収部２８の外部に飛散し得る。

このように、受面Ｓのターゲット進行経路２７２に対する傾斜角度は、ターゲット２７の入射角度θが０°＜θ＜９０°となるような角度であってもよい。
更に好適には、受面Ｓのターゲット進行経路２７２に対する傾斜角度は、ターゲット２７の入射角度θが４５°＜θ＜９０°となるような角度であってもよい。このとき、受面Ｓのターゲット進行経路２７２に対する傾斜角度は、更に鋭角となり得る。このため、ターゲット２７の受面Ｓでの衝突により発生した飛散物２７４は、回収容器２８１の底面部２８１ｂ側に向かって飛散し易くなり得る。そして、当該飛散物２７４は、抑止部２８４が備えるテーパ面２８４ｂの底面部２８１ｂ側で反射され易くなり得る。テーパ面２８４ｂの底面部２８１ｂ側で反射された飛散物２７４は、回収容器２８１に到達し易くなり得る。それにより、飛散物２７４がターゲット回収部２８の外部に飛散することを一層抑止し得る。

図７を用いて、コーティング材２８７ａの詳細について説明する。
図７は、溶融スズに対する各種材料の接触角を示す表である。図７の表は、「ぬれ技術ハンドブック〜基礎・測定評価・データ〜」（監修：石井淑夫、小石眞純、角田光雄、発行所：株式会社テクノシステム）に基づいている。
一般に、接触角αが０°＜α≦９０°の範囲にある状態は浸漬濡れという。このとき、固体は液体に濡れ易い。浸漬濡れでは、固体は液体に浸漬して浸み込み易い。
一方、接触角αが９０°＜α≦１８０°の範囲にある状態は付着濡れという。このとき、固体は液体に濡れ難い。付着濡れでは、固体表面に接触した液体は重力方向に移動し易い。

ターゲット２７は、スズであってもよい。ターゲット回収部２８に入射するターゲット２７は、ドロップレット２７１の形態を成す溶融スズであってもよい。
受け部材２８３ａの受面Ｓにコートするコーティング材２８７ａは、溶融スズに濡れ難い材料であってもよい。溶融スズに濡れ難い材料とは、ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料であってもよい。

ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料は、例えば図７に示すように、炭化珪素、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭素、真空加熱処理を施さない酸化モリブデンであり得る。炭素には、例えば黒鉛、ダイアモンド、グラシーカーボン、ダイアモンドライクカーボン等が含まれていてもよい。なお、酸化モリブデンは、真空加熱処理を施すと、表面の吸着層や酸化物層が除去され、溶融スズが濡れ易くなり得る。

なお、ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料は、受け部材２８３ａの受面Ｓにコートするコーティング材２８７ａとして用いることに限定されない。ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料は、受け部材２８３ａ自体の構成材料として用いてもよい。
受け部材２８３ａ自体の構成材料として黒鉛を用いる場合には、発塵性が少なく、且つ、ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料を表面にコートしてもよい。発塵性が少なく、且つ、ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料は、例えば、ダイアモンド、グラシーカーボン、ダイアモンドライクカーボン、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化珪素、炭化珪素、窒化珪素であってもよい。

上記構成により、第１実施例のターゲット回収部２８では、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７が受け部材２８３ａの受面Ｓに直に衝突し得る。受面Ｓに衝突したターゲット２７は、破壊され得る。破壊されたターゲット２７は、受面Ｓ上を移動するターゲット２７と、受面Ｓで反射されて飛散する飛散物２７４とに分かれ得る。
受面Ｓ上を移動するターゲット２７は、コーティング材２８７ａによって受面Ｓで留まって固着することなく、受面Ｓに沿って底面部２８１ｂ側に移動し得る。受面Ｓに沿って底面部２８１ｂ側に移動したターゲット２７は、受面Ｓから落下して回収容器２８１に到達し得る。このため、新たに入射したターゲット２７が受面Ｓに固着したターゲット２７に衝突することを防止し得る。それにより、新たに入射したターゲット２７が、固着したターゲット２７上に更に固着することを防止し得ると共に飛散物２７４となって飛散することを防止し得る。
一方、受面Ｓで反射されて飛散する飛散物２７４は、抑止部２８４のテーパ面２８４ｂにて底面部２８１ｂ側に更に反射され得る。テーパ面２８４ｂにて反射された飛散物２７４は、回収容器２８１に到達し得る。
よって、第１実施例のターゲット回収部２８は、飛散物２７４がターゲット回収部２８の外部に飛散することを抑止し得る。

［５．２ ターゲット回収部の第２実施例］
図８を用いて、第２実施例のターゲット回収部２８の構成について説明する。
第２実施例のターゲット回収部２８は、図８に示すように、回収容器２８１と、温度調節機構２８２と、受け部２８３と、抑止部２８４と、ガイド部２８５とを含んでもよい。
図８に示す第２実施例のターゲット回収部２８の構成において、図５に示した第１実施例のターゲット回収部２８と同一の構成については説明を省略する。

図８に示す温度調節機構２８２の構成は、図５に示した温度調節機構２８２の構成と同一であってもよい。
図８に示す受け部２８３の構成は、図５に示した受け部２８３の構成と同一であってもよい。

図８に示す回収容器２８１は、底面部２８１ｂ及び側面部２８１ｃの内面がコーティング材２８７ａでコートされていてもよい。
回収容器２８１は、チャンバ２の外部に配置されてもよい。
回収容器２８１のその他の構成は、図５に示した回収容器２８１の構成と同一であってもよい。

図８に示す抑止部２８４は、テーパ面２８４ｂがコーティング材２８７ａでコートされていてもよい。
抑止部２８４は、チャンバ２の外部に配置されてもよい。
抑止部２８４のその他の構成は、図５に示した抑止部２８４の構成と同一であってもよい。

ガイド部２８５は、ターゲット進行経路２７２から外れてターゲット回収部２８に入射したターゲット２７を、回収容器２８１の開口部２８１ａ又は抑止部２８４の開口部２８４ａに導いてもよい。
ガイド部２８５は、チャンバ２の内部に配置されてもよい。ガイド部２８５は、抑止部２８４及び回収容器２８１と一体成形されてもよい。
ガイド部２８５は、筒形状に形成されてもよい。筒形状のガイド部２８５の中心軸は、回収容器２８１の中心軸と一致してもよい。筒形状のガイド部２８５は、抑止部２８４の開口部２８４ａの周縁を基端として、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５に向かって先端が延びるように形成されてもよい。筒形状のガイド部２８５の内径は、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５に向かうに従って拡大するように形成されてもよい。

ガイド部２８５の内周面は、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５に向かうに従って内径が大きくなるテーパ面２８５ｂであってもよい。
テーパ面２８５ｂは、コーティング材２８７ａでコートされていてもよい。
テーパ面２８５ｂは、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５と対向してもよい。
テーパ面２８５ｂは、受け部材２８３ａの受面Ｓと対向してもよい。ターゲット進行経路２７２に対するテーパ面２８５ｂの傾斜角度は、ターゲット進行経路２７２に対する受面Ｓの傾斜角度以下であってもよい。
テーパ面２８５ｂは、ターゲット進行経路２７２から外れてターゲット回収部２８に入射したターゲット２７を、底面部２８１ｂ側にある抑止部２８４の開口部２８４ａに向かって反射し得る。それにより、ターゲット進行経路２７２から外れてターゲット回収部２８に入射したターゲット２７は、開口部２８４ａに導かれ得る。

ターゲット供給部２６側に位置するガイド部２８５の先端には、開口部２８５ａが設けられてもよい。開口部２８５ａの直径は、抑止部２８４の開口部２８４ａの直径よりも大きくてもよい。
開口部２８５ａは、ターゲット進行経路２７２を通ってターゲット回収部２８に入射したターゲット２７を、開口部２８４ａに導入し得る。また、開口部２８５ａは、ターゲット進行経路２７２から外れてターゲット回収部２８に入射したターゲット２７を、テーパ面２８５ｂを介して開口部２８４ａに導入し得る。開口部２８４ａに導入されたターゲット２７は、受け部２８３の受け部材２８３ａに受けられ得る。

上記構成により、第２実施例のターゲット回収部２８では、ターゲット進行経路２７２から外れて入射したターゲット２７が、ガイド部２８５のテーパ面２８５ｂに衝突し得る。テーパ面２８５ｂに衝突したターゲット２７は破壊され得る。破壊されたターゲット２７は、コーティング材２８７ａがコートされたテーパ面２８５ｂで留まることなく底面部２８１ｂ側に反射され得る。テーパ面２８５ｂで反射されたターゲット２７は、抑止部２８４の開口部２８４ａに導かれ得る。
また、第２実施例のターゲット回収部２８では、ターゲット進行経路２７２を通って入射したターゲット２７は、ガイド部２８５のテーパ面２８５ｂを介さずに抑止部２８４の開口部２８４ａに導かれ得る。
開口部２８４ａに導かれたターゲット２７は、受け部２８３が備える受け部材２８３ａの受面Ｓに衝突し得る。受面Ｓに衝突したターゲット２７は、第１実施例のターゲット回収部２８と同様に、受面Ｓで固着せずに底面部２８１ｂ側に移動し、又は、抑止部２８４のテーパ面２８４ｂを介して回収容器２８１に到達し得る。
よって、第２実施例のターゲット回収部２８は、第１実施例のターゲット回収部２８と同様に、飛散物２７４がターゲット回収部２８の外部に飛散することを抑止し得る。更に、第２実施例のターゲット回収部２８は、ターゲット進行経路２７２から外れて入射したターゲット２７も、外部に飛散させることなく回収し得る。

［５．３ ターゲット回収部の第３実施例］
図９を用いて、第３実施例のターゲット回収部２８の構成について説明する。
第３実施例のターゲット回収部２８は、図９に示すように、回収容器２８１と、温度調節機構２８２と、受け部２８３と、第２受け部２８８と、第３受け部２８９と、抑止部２８４と、ガイド部２８５とを含んでもよい。
図９に示す第３実施例のターゲット回収部２８の構成において、図８に示した第２実施例のターゲット回収部２８と同一の構成については説明を省略する。

図９に示す回収容器２８１の構成は、図８に示した回収容器２８１の構成と同一であってもよい。
図９に示す温度調節機構２８２の構成は、図８に示した温度調節機構２８２の構成と同一であってもよい。
図９に示す受け部２８３の構成は、図８に示した受け部２８３の構成と同一であってもよい。
図９に示す抑止部２８４の構成は、図８に示した抑止部２８４の構成と同一であってもよい。
図９に示すガイド部２８５の構成は、図８に示したガイド部２８５の構成と同一であってもよい。

図９に示す第２受け部２８８は、抑止部２８４のテーパ面２８４ｂで反射された飛散物２７４を受けてもよい。
第２受け部２８８は、第２受け部材２８８ａと、第２支持部材２８８ｂとを含んでもよい。

第２受け部材２８８ａは、テーパ面２８４ｂで反射された飛散物２７４を受ける面を含んでもよい。テーパ面２８４ｂで反射された飛散物２７４を受ける面は、テーパ面２８４ｂ及び第３受け部２８９と対向していてもよい。テーパ面２８４ｂで反射された飛散物２７４を受ける面は、ターゲット進行経路２７２に対し、所定の傾斜角度で傾斜して配置されてもよい。テーパ面２８４ｂで反射された飛散物２７４を受ける面は、コーティング材２８７ａでコートされていてもよい。
第２受け部材２８８ａは、テーパ面２８４ｂで反射された飛散物２７４を、第３受け部２８９に反射してもよい。

第２支持部材２８８ｂは、第２受け部材２８８ａを回収容器２８１に対して着脱可能に固定してもよい。第２支持部材２８８ｂは、第２受け部材２８８ａと一体成形されてもよい。

図９に示す第３受け部２８９は、第２受け部２８８の第２受け部材２８８ａで反射された飛散物２７４を受けてもよい。
第３受け部２８９は、第３受け部材２８９ａと、第３支持部材２８９ｂとを含んでもよい。

第３受け部材２８９ａは、第２受け部材２８８ａで反射された飛散物２７４を受ける面を含んでもよい。第２受け部材２８８ａで反射された飛散物２７４を受ける面は、第２受け部材２８８ａ及び底面部２８１ｂと対向してもよい。第２受け部材２８８ａで反射された飛散物２７４を受ける面は、ターゲット進行経路２７２に対し、所定の傾斜角度で傾斜して配置されてもよい。第２受け部材２８８ａで反射された飛散物２７４を受ける面は、コーティング材２８７ａでコートされていてもよい。
第３受け部材２８９ａは、第２受け部材２８８ａで反射された飛散物２７４を、底面部２８１ｂに反射してもよい。

第３支持部材２８９ｂは、第３受け部材２８９ａを回収容器２８１に対して着脱可能に固定してもよい。第３支持部材２８９ｂは、第３受け部材２８９ａと一体成形されてもよい。

第２受け部２８８及び第３受け部２８９のその他の構成は、受け部２８３の構成と同一であってもよい。

上記構成により、第３実施例のターゲット回収部２８では、抑止部２８４のテーパ面２８４ｂにて反射された飛散物２７４が、底面部２８１ｂ側に向かって更に複数回反射された後、回収容器２８１に到達し得る。テーパ面２８４ｂにて反射された飛散物２７４が更に複数回反射されると、当該飛散物２７４は更に細かく破壊されると共に減速され得る。細かく破壊されると共に減速された飛散物２７４が、回収ターゲット２７３の液面２７３ａに衝突する際には、当該飛散物２７４が液面２７３ａに与える衝撃力は弱くなり得る。このため、液面２７３ａを形成する回収ターゲット２７３の飛散物２７４は、跳ね上がり難くなり得る。
更に、受け部２８３、第２受け部２８８、及び第３受け部２８９は、回収ターゲット２７３の飛散物２７４がターゲット回収部２８の外部へ向かうための経路を、遮断し得る。
よって、第３実施例のターゲット回収部２８は、第２実施例のターゲット回収部２８に比べて、飛散物２７４がターゲット回収部２８の外部に飛散することを更に抑止し得る。

［５．４ ターゲット回収部の第４実施例］
図１０を用いて、第４実施例のターゲット回収部２８の構成について説明する。
第４実施例のターゲット回収部２８は、図１０に示すように、回収容器２８１と、温度調節機構２８２と、受け部２８３と、抑止部２８４と、ガイド部２８５とを含んでもよい。
図１０に示す第４実施例のターゲット回収部２８の構成において、図８に示した第２実施例のターゲット回収部２８と同一の構成については説明を省略する。

図１０に示す回収容器２８１の構成は、図８に示した回収容器２８１の構成と同一であってもよい。
図１０に示す温度調節機構２８２の構成は、図８に示した温度調節機構２８２の構成と同一であってもよい。
図１０に示すガイド部２８５の構成は、図８に示したガイド部２８５の構成と同一であってもよい。

図１０に示す受け部２８３は、図８に示した受け部２８３のように、回収容器２８１とは別体の部材である受け部材２８３ａ及び支持部材２８３ｂによって構成されていなくてもよい。図１０に示す受け部２８３は、回収容器２８１と一体成形されていてもよい。

図１０に示す受け部２８３は、その受面Ｓが、回収容器２８１の側面部２８１ｃの内周面の一部から内側に向かって突出するように形成されていてもよい。
図１０に示す受け部２８３及び抑止部２８４は、少なくとも当該受け部２８３の受面Ｓ及び当該抑止部２８４のテーパ面２８４ｂを内壁面とする管路を形成していてもよい。当該管路は、ガイド部２８５と回収容器２８１とを連通させる管路であってもよい。当該管路は、入射したターゲット２７を、その内壁面で複数回反射させた後に、回収容器２８１へ導入してもよい。

受け部２８３及び抑止部２８４のその他の構成は、図８に示した受け部２８３及び抑止部２８４の構成と同一であってもよい。

上記構成により、第４実施例のターゲット回収部２８では、第３実施例のターゲット回収部２８と同様に、第２実施例のターゲット回収部２８よりもターゲット２７を多数回反射させた後に、回収容器２８１へ導入し得る。
よって、第４実施例のターゲット回収部２８は、第２実施例のターゲット回収部２８に比べて、飛散物２７４がターゲット回収部２８の外部に飛散することを更に抑止し得る。
更に、第４実施例のターゲット回収部２８は、第３実施例のターゲット回収部２８に比べて、部品点数が少なくて済み、且つ、簡易な構造であるため、低コスト化を図り得る。

［６．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット回収部］

図１１〜図１３を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８について説明する。

第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８は、ターゲット２７を回収する際、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７の軌道を変化させてもよい。同時に、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８は、入射したターゲット２７がターゲット回収部２８の衝突位置で留まって固着することを防止してもよい。同時に、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８は、入射したターゲット２７がターゲット回収部２８に衝突する際の衝撃を緩和させてもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８の実施態様を、第５及び第６実施例として説明する。図２及び図３に示したターゲット回収部２８、並びに図５〜図１０に示した第１〜第４実施例のターゲット回収部２８と同様の構成については説明を省略する。

［６．１ ターゲット回収部の第５実施例］
図１１及び図１２を用いて、第５実施例のターゲット回収部２８の構成について説明する。
第５実施例のターゲット回収部２８は、図１１に示すように、回収容器２８１と、温度調節機構２８２と、受け部２８３と、抑止部２８４と、ガイド部２８５とを含んでもよい。
図１１に示す第５実施例のターゲット回収部２８の構成において、図８に示した第２実施例のターゲット回収部２８と同一の構成については説明を省略する。

図１１に示す温度調節機構２８２の構成は、図８に示した温度調節機構２８２の構成と同一であってもよい。

図１１に示す受け部２８３は、受け部材２８３ａの受面Ｓがコーティング材２８７ａではなくダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。ダンパ材２８７ｂは、衝撃を吸収する材料であってもよい。同時に、ダンパ材２８７ｂは、液体であるターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料であってもよい。

ダンパ材２８７ｂは、黒鉛化フェルトであってもよい。黒鉛化フェルトは、直径５μｍ程度の炭素繊維が３次元の網目状に絡まり合って形成されたフェルト材であってもよい。黒鉛化フェルトは、溶融スズとの接触角が１４９°であり、ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料であり得る。
また、ダンパ材２８７ｂは、多孔質構造のセラミック材やガラス材であってもよい。ダンパ材２８７ｂは、例えば、ダンパ材２８７ｂは、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化珪素等で形成された多孔質構造のセラミック材やガラス材であってもよい。ダンパ材２８７ｂは、石英のガラス繊維からなる織布であってもよい。

ダンパ材２８７ｂで覆われた受面Ｓは、図１２に示すように、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７が衝突したときの衝撃を吸収し得る。受面Ｓに衝突したターゲット２７に作用する外力は、ダンパ材２８７ｂで覆われていない場合に比べて緩和され得る。このため、受面Ｓに衝突したターゲット２７は、ダンパ材２８７ｂで覆われていない場合に比べて、破壊され難くなり得る。受面Ｓに衝突したターゲット２７が破壊される場合でも、ダンパ材２８７ｂで覆われていない場合に比べて、受面Ｓでの衝突により発生する飛散物２７４の量及び飛散速度が、著しく抑制され得る。

また、ダンパ材２８７ｂで覆われた受面Ｓは、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７に対して濡れ難くなり得る。このため、受面Ｓに衝突して破壊されたターゲット２７は、受面Ｓで留まって固着することなく、受面Ｓに沿って底面部２８１ｂ側に移動し得る。受面Ｓに沿って底面部２８１ｂ側に移動したターゲット２７は、受面Ｓから落下して回収容器２８１に到達し得る。それにより、新たに入射したターゲット２７が、固着したターゲット２７上に更に固着することを防止し得ると共に飛散物２７４となって飛散することを防止し得る。

衝撃を吸収し、且つ、ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料は、受け部材２８３ａの受面Ｓを覆うダンパ材２８７ｂとして用いることに限定されない。衝撃を吸収し、且つ、ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料は、受け部材２８３ａ自体の構成材料として用いてもよい。衝撃を吸収し、且つ、ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料は、抑止部２８４又はガイド部２８５自体の構成材料として用いてもよい。

図１１に示す受け部２８３のその他の構成は、図８に示す受け部２８３の構成と同一であってもよい。

図１１に示す回収容器２８１は、底面部２８１ｂ及び側面部２８１ｃの内面がコーティング材２８７ａでコートされていなくてもよい。底面部２８１ｂ及び側面部２８１ｃの内面は、図示していないがダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。
回収容器２８１のその他の構成は、図８に示した回収容器２８１の構成と同一であってもよい。

図１１に示す抑止部２８４は、テーパ面２８４ｂがダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。テーパ面２８４ｂの受面Ｓとの対向面が、ダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。
ダンパ材２８７ｂで覆われたテーパ面２８４ｂは、受面Ｓでの衝突により発生した飛散物２７４が、テーパ面２８４ｂに衝突したときの衝撃を吸収し得る。それにより、テーパ面２８４ｂでの衝突により発生する飛散物２７４の量及び飛散速度を抑制し得る。加えて、受面Ｓでの衝突により発生した飛散物２７４が、テーパ面２８４ｂで留まって固着することを抑制し得る。
抑止部２８４のその他の構成は、図８に示した抑止部２８４の構成と同一であってもよい。

図１１に示すガイド部２８５は、テーパ面２８５ｂがダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。ダンパ材２８７ｂで覆われたテーパ面２８５ｂは、ターゲット進行経路２７２から外れてターゲット回収部２８に入射したターゲット２７が衝突したときの衝撃を吸収し得る。それにより、テーパ面２８５ｂでの衝突により発生する飛散物２７４の量及び飛散速度を抑制し得る。加えて、ターゲット進行経路２７２から外れてターゲット回収部２８に入射したターゲット２７が、テーパ面２８５ｂで留まって固着することを抑制し得る。
ガイド部２８５のその他の構成は、図８に示したガイド部２８５の構成と同一であってもよい。

上記構成により、第５実施例のターゲット回収部２８では、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７が受け部材２８３ａの受面Ｓに直に衝突し得る。
このとき、受面Ｓのダンパ材２８７ｂによって、ターゲット２７が受面Ｓに衝突したときの衝撃は吸収され得る。このため、受面Ｓでの衝突により発生する飛散物２７４は、第２実施例のターゲット回収部２８に比べて、その量及び飛散速度が著しく抑制され得る。
また、このとき、受面Ｓのダンパ材２８７ｂによって、受面Ｓはターゲット２７に対して濡れ難くなり得る。このため、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７は、第２実施例のターゲット回収部２８と同様に、受面Ｓで留まって固着し難くなり得る。
よって、第５実施例のターゲット回収部２８は、第２実施例のターゲット回収部２８に比べて、飛散物２７４がターゲット回収部２８の外部に飛散することを更に抑止し得る。

また、第５実施例のターゲット回収部２８では、ターゲット進行経路２７２から外れてターゲット回収部２８に入射したターゲット２７が、ガイド部２８５のテーパ面２８５ｂを介して、受け部材２８３ａの受面Ｓに衝突し得る。
このとき、テーパ面２８５ｂのダンパ材２８７ｂによって、ターゲット２７がテーパ面２８５ｂに衝突したときの衝撃は吸収され得る。このため、テーパ面２８５ｂでの衝突により発生する飛散物２７４は、第２実施例のターゲット回収部２８に比べて、その量及び飛散速度が著しく抑制され得る。
また、このとき、テーパ面２８５ｂのダンパ材２８７ｂによって、テーパ面２８５ｂはターゲット２７に対して濡れ難くなり得る。このため、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７は、第２実施例のターゲット回収部２８と同様に、テーパ面２８５ｂで留まって固着し難くなり得る。
よって、第５実施例のターゲット回収部２８は、第２実施形態のターゲット回収部２８に比べて、ターゲット進行経路２７２から外れて入射したターゲット２７を、外部に飛散させることなく回収し易くなり得る。

［６．２ ターゲット回収部の第６実施例］
図１３を用いて、第６実施例のターゲット回収部２８の構成について説明する。
第６実施例のターゲット回収部２８は、図１３に示すように、回収容器２８１と、温度調節機構２８２と、受け部２８３と、第２受け部２８８と、第３受け部２８９と、抑止部２８４と、ガイド部２８５とを含んでもよい。
図１３に示す第６実施例のターゲット回収部２８の構成において、図９に示した第３実施例のターゲット回収部２８と同一の構成については説明を省略する。

図１３に示す回収容器２８１の構成は、図９に示した回収容器２８１の構成と同一であってもよい。
図１３に示す温度調節機構２８２の構成は、図９に示した温度調節機構２８２の構成と同一であってもよい。
図１３に示す受け部２８３の構成は、図９に示した受け部２８３の構成と同一であってもよい。
図１３に示すガイド部２８５の構成は、図９に示したガイド部２８５の構成と同一であってもよい。

図１３に示す抑止部２８４は、テーパ面２８４ｂの受面Ｓとの対向面が、ダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。
ダンパ材２８７ｂで覆われたテーパ面２８４ｂは、受面Ｓでの衝突により発生した飛散物２７４が、テーパ面２８４ｂに衝突したときの衝撃を吸収し得る。それにより、テーパ面２８４ｂへの衝突により発生する飛散物２７４の量及び飛散速度を抑制し得る。加えて、受面Ｓでの衝突により発生した飛散物２７４が、テーパ面２８４ｂで留まって固着することを抑制し得る。
抑止部２８４のその他の構成は、図９に示した抑止部２８４の構成と同一であってもよい。

図１３に示す第２受け部２８８は、テーパ面２８４ｂでの衝突により発生する飛散物２７４を受ける第２受け部材２８８ａの面が、ダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。
図１３に示す第３受け部２８９は、第２受け部材２８８ａでの衝突により発生する飛散物２７４を受ける第３受け部材２８９ａの面が、ダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。
ダンパ材２８７ｂで覆われた第２受け部材２８８ａ及び第３受け部材２８９ａの各面は、当該各面に飛散物２７４が衝突したときの衝撃を吸収し得る。それにより、当該各面での衝突により発生する飛散物２７４の量及び飛散速度を抑制し得る。加えて、当該各面に衝突した飛散物２７４が、当該各面で留まって固着することを抑制し得る。
第２受け受け部２８８及び第３受け部２８９のその他の構成は、図９に示した第２受け受け部２８８及び第３受け部２８９の構成と同一であってもよい。

上記構成により、第６実施例のターゲット回収部２８では、受面Ｓでの衝突により発生した飛散物２７４が、抑止部２８４、第２受け部２８８、及び第３受け部２８９にそれぞれ衝突したときの衝撃力を吸収し得る。それにより、抑止部２８４、第２受け部２８８、及び第３受け部２８９での衝突により発生する飛散物２７４の量及び飛散速度を、第３実施例のターゲット回収部２８に比べて抑制し得る。
よって、第６実施例のターゲット回収部２８は、第３実施例のターゲット回収部２８に比べて、飛散物２７４がターゲット回収部２８の外部に飛散することを更に抑止し得る。

［７．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット回収部］

図１４を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８について説明する。

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出する方向であるＺ方向を、水平方向に対して傾斜させてもよい。このため、チャンバ２は、その中心軸方向が水平方向に対して傾斜するように設けられてもよい。チャンバ２の側面部に設けられたターゲット供給部２６は、ノズル２６２の中心軸方向が重力方向に対して傾斜するように設けられてもよい。ターゲット進行経路２７２は、重力方向に対して傾斜され得る。

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット回収部２８の実施態様を、第７実施例として説明する。図２及び図３に示したターゲット回収部２８、図５〜図１０に示した第１〜第４実施例のターゲット回収部２８、並びに図１１〜図１３に示した第５及び第６実施例のターゲット回収部２８と同様の構成については説明を省略する。

［７．１ ターゲット回収部の第７実施例］
図１４を用いて、第７実施例のターゲット回収部２８の構成について説明する。
第７実施例のターゲット回収部２８は、図１４に示すように、回収容器２８１と、温度調節機構２８２と、受け部２８３と、抑止部２８４と、ガイド部２８５と、配管２８６と、を含んでもよい。

図１４に示す温度調節機構２８２の構成は、図１１に示した温度調節機構２８２の構成と同一であってもよい。

図１４に示す回収容器２８１は、その中心軸方向が重力方向に平行となるように配置されていてもよい。
回収容器２８１は、底面部２８１ｂ及び側面部２８１ｃの内面がダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。
回収容器２８１のその他の構成は、図１１に示した回収容器２８１の構成と同一であってもよい。

図１４に示すガイド部２８５は、その中心軸方向がターゲット進行経路２７２と一致するように配置されていてもよい。ガイド部２８５の中心軸方向は、重力方向に対して傾斜し得る。
ガイド部２８５は、配管２８６の端部を基端として、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５に向かって先端が延びるように形成されてもよい。
ガイド部２８５は、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７を、配管２８６を介して抑止部２８４の開口部２８４ａに導いてもよい。ガイド部２８５は、当該ターゲット２７のテーパ面２８５ｂでの衝突により発生した飛散物２７４を、配管２８６を介して開口部２８４ａに導いてもよい。
ガイド部２８５のその他の構成は、図１１に示したガイド部２８５の構成と同一であってもよい。

配管２８６は、回収容器２８１とガイド部２８５とを連結してもよい。
配管２８６は、チャンバ２の外部に配置されてもよい。
配管２８６の内周面は、ダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。
配管２８６は、ガイド部２８５の開口部２８５ａとは反対側の端部を基端として、回収容器２８１と一体成形された抑止部２８４に向かって先端が延びるように形成されてもよい。ガイド部２８５を基端として延びる配管２８６は、ターゲット進行経路２７２の延長線上で屈曲されて、先端が抑止部２８４に向かって延びるように形成されていてもよい。配管２８６は、回収容器２８１及び抑止部２８４とガイド部２８５とを連通させ得る。
配管２８６の屈曲部は、ターゲット進行経路２７２の延長線と、回収容器２８１及び抑止部２８４の中心軸の延長線との交点に位置してもよい。
配管２８６の屈曲部は、配管受け部２８６ａを含んでもよい。

配管受け部２８６ａは、ターゲット回収部２８に入射したターゲット２７又はその飛散物２７４を受けてもよい。配管受け部２８６ａは、入射したターゲット２７又はその飛散物２７４を、受面Ｓで衝突させることによって受けてもよい。配管受け部２８６ａの受面Ｓは、ダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。ダンパ材２８７ｂで覆われた受面Ｓは、入射したターゲット２７又はその飛散物２７４が衝突したときの衝撃を吸収し得る。

配管受け部２８６ａの受面Ｓは、ターゲット供給部２６及びプラズマ生成領域２５と対向して配置されてもよい。受面Ｓは、受け部２８３の後述する受面Ｐと対向して配置されていてもよい。
配管受け部２８６ａの受面Ｓは、ターゲット進行経路２７２の延長線上に位置してもよい。受面Ｓは、ターゲット進行経路２７２に対し、所定の傾斜角度で傾斜して配置されてもよい。受面Ｓの傾斜角度は、受面Ｓでの衝突により発生する飛散物２７４が、ターゲット回収部２８の外部に飛散しないような角度であってもよい。受面Ｓのターゲット進行経路２７２に対する傾斜角度は、ターゲット２７の入射角度θが０°＜θ＜９０°となるような角度であってもよい。更に好適には、受面Ｓのターゲット進行経路２７２に対する傾斜角度は、ターゲット２７の入射角度θが４５°＜θ＜９０°となるような角度であってもよい。
配管受け部２８６ａの受面Ｓは、受面Ｓに衝突したターゲット２７又はその飛散物２７４を、受け部２８３の受面Ｐに向かって反射してもよい。

図１４に示す受け部２８３は、配管受け部２８６ａの受面Ｓで反射されたターゲット２７又はその飛散物２７４を受けてもよい。
受け部２８３の受け部材２８３ａは、配管受け部２８６ａの受面Ｓで反射されたターゲット２７又はその飛散物２７４を、受面Ｐで衝突させることによって受けてもよい。受け部材２８３ａの受面Ｐのその他の構成は、図１１に示した受け部２８３の受面Ｓの構成と同一であってもよい。
受け部２８３のその他の構成は、図１１に示した受け部２８３の構成と同一であってもよい。

図１４に示す抑止部２８４は、受面Ｐでの衝突により発生した飛散物２７４が、ターゲット回収部２８の外部に飛散することを抑止してもよい。
抑止部２８４は、回収容器２８１の開口部２８１ａの周縁を基端として、回収容器２８１の中心軸方向である反重力方向に向かって先端が延びるように形成されてもよい。抑止部２８４の先端は、配管２８６の端部に接続されてもよい。
抑止部２８４のテーパ面２８４ｂは、受け部２８３の受面Ｐとの対向面以外にもダンパ材２８７ｂで覆われていてもよい。
抑止部２８４のその他の構成は、図１１に示した抑止部２８４の構成と同一であってもよい。

上記構成により、第７実施例のターゲット回収部２８では、重力方向に対して傾斜したターゲット進行経路２７２を通って入射したターゲット２７や、当該ターゲット進行経路２７２から外れて入射したターゲット２７を、外部に飛散させることなく回収し得る。

［８．その他］
［８．１ 各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図１５は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図１５の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図１５におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、ターゲット生成制御部７４、及び温度制御部２８２ｄ等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ヒータ電源７１２、ヒータ電源２８２ｂ、ピエゾ電源７３２、及び圧力調節器７２１等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサ、圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、及び温度センサ２８２ｃ等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウェア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、ターゲット生成制御部７４、及び温度制御部２８２ｄの構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、ターゲット生成制御部７４、及び温度制御部２８２ｄは、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

［８．２ その他の変形例］
コーティング材２８７ａは、ターゲット２７との接触角が９０°より大きい材料であり、且つ、ターゲット２７と反応し難い材料であってもよい。ターゲット２７が、スズである場合、コーティング材２８７ａは、溶融スズに濡れ難く材料であり、且つ、溶融スズと反応し難い材料であってもよい。溶融スズに濡れ難く材料であり、且つ、溶融スズと反応し難い材料は、例えば、炭化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭素、真空加熱処理を施さない酸化モリブデンであってもよい。ダンパ材２８７ｂも同様に、衝撃を吸収すると共にターゲット２７との接触角が９０°より大きく、且つ、ターゲット２７と反応し難い材料であってもよい。

第７実施例のターゲット回収部２８は、ダンパ材２８７ｂに覆われた配管受け部２８６ａの受面Ｓを備えるため、受け部２８３を設けなくてもよい。
第７実施例のターゲット回収部２８は、回収容器２８１、抑止部２８４、ガイド部２８５、及び配管２８６の内周面の必ずしも全てが、ダンパ材２８７ｂで覆われていなくてもよい。第７実施例のターゲット回収部２８は、ターゲット２７又はその飛散物２７４が衝突する領域だけをダンパ材２８７ｂで覆ってもよい。また、ダンパ材２８７ｂの代りにコーティング材２８７ａでコートしてもよい。

上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

例えば、第５実施例の受け部２８３を第６実施例の受け部２８３に適用し、第６実施例の受け部２８３の受面Ｓをダンパ材２８７ｂで覆ってもよい。
また、第３又は第６実施例の第２受け部２８８及び第３受け部２８９を、第７実施例のターゲット回収部２８に適用し、第７実施例のターゲット回収部２８が第２受け部２８８及び第３受け部２８９を含むようにしてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ …ＥＵＶ光生成装置
２ …チャンバ
２６ …ターゲット供給部
２７ …ターゲット
２８ …ターゲット回収部
２８１ …回収容器
２８４ …抑止部
２８４ａ …開口部
２８５ …ガイド部
２８７ａ …コーティング材
２８７ｂ …ダンパ材
５ …ＥＵＶ光生成制御部
７ …ターゲット生成装置
７４ …ターゲット生成制御部
Ｓ …受面

Claims (20)

1. 内部でターゲットにレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるチャンバと、
   前記チャンバの内部に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
   前記ターゲット供給部によって供給され前記レーザ光が照射されなかった前記ターゲットを、前記ターゲットとの接触角が９０°より大きく、入射した前記ターゲットの衝撃を吸収するダンパ材で形成された受面で受けて回収容器内に回収するターゲット回収部と、
   を備える極端紫外光生成装置。
2. 前記受面に入射した前記ターゲットの入射角度θは、０°＜θ＜９０°である
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記受面に入射した前記ターゲットの入射角度θは、４５°＜θ＜９０°である
   請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
4. 前記ダンパ材は、炭素繊維又は石英のガラス繊維によって形成される、
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
5. 前記ダンパ材は、炭素繊維又は石英のガラス繊維によって形成される織布である、
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
6. 前記ダンパ材は、多孔質構造である、
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
7. 前記ダンパ材は、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム又は酸化珪素によって形成されたセラミック材又はガラス材である、
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
8. 前記ターゲット回収部は、
   前記ターゲットを前記回収容器に導入する開口部を含み、前記受面で反射した前記ターゲットが前記ターゲット回収部の外へ飛散することを抑止する抑止部と、
   前記ターゲットを前記抑止部の前記開口部に導くガイド部と、
   を備える請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
9. 前記ガイド部の上端に形成された開口部の直径は、前記抑止部の開口部の直径より大きい、
   請求項８に記載の極端紫外光生成装置。
10. 前記ガイド部の内径が前記ターゲット供給部に向かうにしたがって大きくなる、
    請求項８に記載の極端紫外光生成装置。
11. 内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるチャンバと、
    前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
    前記プラズマ生成領域を通過した前記ターゲットを回収するターゲット回収部であって、
    前記ターゲットとの接触角が９０°より大きい材料で形成され、入射した前記ターゲットの衝撃を吸収するよう構成されたダンパ材を含む受け部と、
    前記ダンパ材に衝突した前記ターゲットを回収する回収容器と、を備えたターゲット回収部と、
    を含む極端紫外光生成装置。
12. 前記ターゲット回収部は、前記回収容器の温度を前記ターゲットの融点以上の温度に調節する温度調節機構を備える
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。
13. 前記ターゲット回収部は、前記回収容器に接続されるガイド部を含み、
    前記ガイド部は、前記プラズマ生成領域に向かって先端が延びる筒形状に形成される、
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。
14. 前記受け部は、支持部材を介して前記回収容器に固定される、
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。
15. 前記支持部材は、前記受け部を前記回収容器に脱着可能に固定する、
    請求項１４に記載の極端紫外光生成装置。
16. 前記受け部は、前記ターゲットの進行経路に対して所定の傾斜角度で傾斜して配置され、
    前記ターゲット回収部は、複数の前記受け部を含む、
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。
17. 前記ダンパ材は、炭素繊維又は石英のガラス繊維によって形成される、
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。
18. 前記ダンパ材は、炭素繊維又は石英のガラス繊維によって形成される織布である、
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。
19. 前記ダンパ材は、多孔質構造である、
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。
20. 前記ダンパ材は、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム又は酸化珪素によって形成されたセラミック材又はガラス材である、
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。