KR20120006046A - Ｅｕｖ 생성 챔버에서 백스플래시를 방지하기 위한 액적 캐처용 시스템, 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

콜렉터 미러, 타겟 물질 경로를 따라서 복수의 액적을 배출하도록 정렬된 액적 배출부를 구비한 액적 생성 시스템 및 제 1 캐치;를 포함하는 극 자외광 챔버에서 극 자외광을 생성하는 시스템 및 방법으로서, 상기 제 1 캐치는, 상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 제 1 개방 단부, 상기 제 1 개방 단부에 대향하는 인클로우징된 제 2 단부, 및 상기 제 1 캐치의 제 2 단부를 향해있는 적어도 하나의 내부 표면을 구비하는 시스템 및 방법을 제공한다.

Description

ＥＵＶ 생성 챔버에서 백스플래시를 방지하기 위한 액적 캐처용 시스템, 방법 및 장치{SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR DROPLET CATCHER FOR PREVENTION OF BACKSPLASH IN A EUV GENERATION CHAMBER}
본 발명은 일반적으로 레이저 산출 플라즈마 극 자외선 시스템, 방법, 및 장치에 관한 것이고, 특히 레이저 산출 플라즈마 극 자외선 시스템에서의 액적 관리를 위한 시스템, 방법 및 장치에 관한 것이다.
레이저 산출 플라즈마(LLP) 극 자외선(EUV) 시스템은 소스 레이저로 플라즈마 타겟 물질의 액적을 조광함으로써 플라즈마를 산출한다. 결과인 플라즈마는, 원하는 파장의, 광, 본 예시에서, EUV(예를 들면, 약 50nm 미만의 파장 및 약 13.5nm 이하의 파장에서의 광을 포함하는)를 방출한다.
플라즈마 타겟 물질의 액적은 액적으로부터의 찌꺼기를 야기할 수 있다. 찌꺼기는 콜렉터 미러 및 기타 LLP 시스템 챔버의 내부 표면 상에 증착될 수 있다. 증착된 찌꺼기는 또한 출력된 EUV 광의 양을 감소시킬 수 있다.
또한 타겟 물질의 일부 액적은 소스 레이저에 의해 조광되지 않고, 그 결과, LPP 챔버의 내부 표면상에 증착될 수 있는 스플래시, 기타 미세-입자 및 찌꺼기를 산출할 수 있다.
상술한 관점에서, LPP EUV 광원에서 동작하는 프로세스동안 생성된 미세-입자 및 찌꺼기의 더 나은 제공을 위한 요구가 있다.
폭넓게 말하면, 본 발명은 개선된 캐치 시스템과 LPP EUV 시스템에서 사용되지 않은 액적을 캡처하는 방법을 제공함으로써 이러한 요구를 만족시킨다. 본 발명은, 프로세스, 장치, 시스템, 또는 디바이스와 같은 다양한 방식으로 구현될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 본 발명의 다수의 발명의 실시예가 하기에 기술된다.
하나의 실시예는 콜렉터 미러, 타겟 물질 경로와 상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 제 1 개방 단부를 포함하는 제 1 캐치를 따라서 있는 복수의 액적을 출력하기 위해 정렬된 액적 배출부를 구비한 액적 생성 시스템, 인클로우징된 제 2 단부를 포함하고, 상기 제 2 단부는 상기 제 1 개방 단부와 상기 제 1 캐치의 제 2 단부를 향해있는 적어도 하나의 내부 표면으로부터 대향해 있는 극 자외광 챔버를 제공한다. 적어도 하나의 내부 표면은 적어도 하나의 스텝을 포함한다.
제 1 캐치는 또한 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 중심 축을 포함할 수 있다. 제 1 캐치는 또한 타겟 물질 경로에 대해 선택된 각도로 있는 중심 축을 포함하고, 상기 선택된 각도는 약 1 내지 약 30°사이이다. 제 1 캐치는 또한 하나 이상의 차폐장치(baffle)를 포함할 수 있고, 차폐장치 각각은 제 1 단부, 제 2 단부, 제 1 표면 및 상기 제 1 표면에 대향하는 제 2 표면을 구비하고, 상기 제 1 단부는 상기 제 1 캐치의 내부 표면에 부착되고, 상기 제 2 표면은 상기 제 1 캐치의 내부 표면에 대해 예각을 형성한다.
제 1 개방 단부는 제 1 폭을 구비하고, 제 1 캐치는 적어도 하나의 스텝에서 제 2 폭을 구비하며, 상기 제 2 폭은 상기 제 1 폭보다 더 크다. 제 1 캐치는 또한 상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 중심 축을 구비한 제 1 부분 및 상기 타겟 물질 경로에 대해 약 1 내지 약 45° 사이의 각도를 형성하는 제 2 부분을 포함할 수 있다.
제 1 캐치는 또한 제 1 개방 단부에 대향하는 제 2 단부와 상기 제 2 단부에 인접한 다량의 액체를 포함할 수 있다. 제 2 단부에 인접한 다량의 액체는 복수의 액적을 형성하기 위해 사용되는 액체 상태의 타겟 물질이 될 수 있다. 제 2 단부에 인접한 다량의 액체는 제 1 캐치의 내부 표면의 적어도 일부를 따라서 뻗어나갈수 있다. 제 2 단부에 인접한 다량의 액체는 액체 커튼을 포함할 수 있다. 액체 커튼은 복수의 액적을 형성하는데에 사용되는 액체 상태의 타겟 물질을 포함한다.
타겟 물질 경로는 실질적으로 수평이다. 타겟 물질 경로는 실질적으로 수직이다. 타겟 물질 경로는 실질적으로 수직 및 실질적으로 수평 사이의 임의의 각도가 될 수 있다.
제 1 캐치는 또한 제 1 개방 단부에 대향하는 제 2 단부와 상기 제 2 단부에 인접한 제 1 회전 실린더를 포함할 수 있다. 제 1 회전 실린더는 타겟 물질 경로가 실질적으로 제 1 회전 실린더의 제 1 회전 표면에 대해 거의 관계가 없도록 배치된다. 제 1 회전 실린더는 제 1 회전 실린더의 제 1 회전 표면이 복수의 액적의 속도와 실질적으로 같은 표면 속도를 가지도록 제 1 회전 실린더를 구동시킬 수 있는 실린더 드라이브에 결합될 수 있다. 제 2 회전 실린더가 또한 포함될 수 있고, 상기 제 2 회전 실린더는 제 1 회전 실린더의 제 1 회전 표면과 접촉하는 제 2 회전 표면을 가진다.
제 1 캐치보다 실질적으로 더 큰 폭을 구비하고, 제 2 액적 복구 튜브가 제 1 캐치를 둘러싸는 제 2 캐치가 포함될 수 있다. 제 1 캐치는 배출부를 포함할 수 있다. 제 1 캐치로부터의 배출부는 고정 밸브(freeze valve)를 포함할 수 있다. 제 1 캐치의 제 1 개방 단부는 약 20 내지 약 100mm 사이의 폭을 가진다. 챔버는 또한 복수의 타겟 물질 액적의 적어도 일부를 타겟 물질의 용융 온도 보다 더 낮은 온도로 냉각하기 위한 온도 제어 시스템을 포함할 수 있다.
또다른 실시예는 극 자외광 챔버에서의 액적 생성기로부터 복수의 액적을 배출시키는 단계를 포함하고, 액적은 타겟 물질 경로를 따라 출력되고, 광원을 액적 중 선택된 것에 포커싱하고, 선택된 액적을 조광하고, 콜렉터 미러에서의 조광된 액적으로부터 생성된 플라즈마로부터 방출된 극 자외광을 집속하고, 상기 집속된 극 자외광을 극 자외선 챔버의 배출부를 향해 포커싱하고, 및 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 제 1 개방 단부, 인클로징된 제 2 단부를 구비한 제 1 캐치에서의 액적 중 선택되지 않은 일 세트의 액적을 복구하고, 상기 제 2 단부는 상기 제 1 개방 단부와 상기 제 1 캐치의 제 2 단부를 향해있는 적어도 하나의 내부 표면에 대향하는 방법을 제공한다.
상기 방법은 또한 선택되지 않은 액적으로부터 미세 액적의 백스플래시(backsplash)를 실질적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 실질적으로 미세액적의 백스플래시를 제거하는 단계는 제 1 캐치의 길이, 제 1 캐치에서의 스텝, 캐치에서의 하나 이상의 차폐장치, 제 1 캐치에서의 다량의 액체, 또는 제 1 캐치에서의 이동 표면 중 적어도 하나에 미세 액적을 트래핑하는 단계를 포함할 수 있다.
실질적으로 미세 액적의 백스플래시를 제거하는 단계는 선택되지 않은 액적을 타겟 물질의 용융 온도보다 낮은 온도로 냉각하는 단계를 포함할 수 있다. 선택되지 않은 액적을 타겟 물질의 용융 온도보다 낮은 온도로 냉각하는 단계는 냉각된 가스 흐름을 선택되지 않은 액적을 향해 지향시키는 단계 또는 제 1 캐치를 상기 타겟 물질의 용융 온도보다 낮은 온도로 냉각시키는 단계 중 적어도 하나를 포함한다.
또한, 또다른 실시예는 콜렉터 미러 및 극 자외광 챔버의 내부 표면 중 적어도 일부를 덮는 다중 미세 입자 캐치를 포함하는 극 자외광 챔버를 제공한다.
또다른 실시예는 콜렉터 미러 및 타겟 물질 생성기 시스템을 포함하는 극 자외광 챔버를 제공하고, 여기서 상기 타겟 물질 생성기 시스템은 타겟 물질 경로를 따라서 타겟 물질을 방출하도록 지향되고, 여기서 타겟 물질 경로는 XY 평면에 대해 약 1°내지 약 90°사이의 각도를 형성하고, 여기서 XY 평면은 Z축에 대해 직교하고 Z축은 콜렉터 미러로부터 반사된 EUV 광에 대한 광 경로이다.
본 발명의 다른 측면들과 이점은 본 발명의 원리를 예시의 방식으로 설명하면서, 첨부도면과 함께 취해진 하기의 상세한 설명으로부터 명확하게 될 것이다.
본 발명에 따르면, LPP EUV 시스템에서의 개선된 EUV 광 챔버를 제공함으로써 LPP EUV 챔버에서 동작하는 프로세스동안 생성된 미세-입자 및 찌꺼기에 대한 제어를 개선할 수 있다.
본 발명은 첨부도면과 함께 하기의 상세한 설명에 의해 용이하게 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른, 레이저 산출 플라즈마 EUV 광원의 개략도이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따라 본 문에 기술된 실시예의 일부 또는 모두에서 사용될 수 있는 간략화된 타겟 물질 배출기의 컴포넌트의 개략도이다.
도 2b 및 2c는 본 발명의 실시예에 따른 EUV 챔버에서의 컴포넌트 중 일부의 보다 상세한 개략도이다.
도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 제 1 캐치의 또다른 개략도이다.
도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 제 1 캐치의 또다른 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른, EUV 생성시 수행되는 방법 동작을 예시한 플로우 차트이다.
도 4a-4d는 본 발명의 실시예에 따른 대안의 제 1 캐치의 개략도이다.
도 4e는 본 발명의 실시예에 따른 대안의 제 1 캐치의 개략도이다.
도 4f는 본 발명의 실시예에 따른 사용되지 않은 액적을 냉각시킴으로써 캐치 내부로부터의 백스플래시를 감소시킬때 수행되는 방법 동작을 예시하는 플로우 차트이다.
도 4g는 본 발명의 실시예에 따른 대안의 제 1 캐치의 개략도이다.
도 5 및 6은 본 발명의 실시예에 따른 대안의 제 1 캐치의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 제 1 캐치에서의 액체 커튼의 개략도이다.
도 8 및 9는 본 발명의 실시예에 따른 제 1 캐치에서의 회전 실린더의 개략도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 EUV 챔버를 포함하는 집적 시스템의 블록도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 EUV 챔버에서의 타겟 물질 경로의 간략화된 개략도이다.
도 12a는 본 발명의 실시예에 따른 EUV 챔버의 섹트의 간략화된 단면도이다.
도 12b 및 12c는 본 발명의 실시예에 따른 추가적인 단면의 상세도이다.
LPP EUV 시스템에서 사용되지 않은 액적을 캡처하기 위한 개선된 캐치 시스템 및 방법을 위한 다수의 예시적 실시예가 기술된다. 당업자에게 본 발명이 본문에 설명된 특정한 상세의 일부 또는 모두가 없이도 실시될 수 있다는 것이 명료하다.
하나의 LPP 기술은 타겟 물질의 스트림을 생성하는 단계 및 예를 들면 메인 펄스에 의해 후속되는 제로, 하나 이상의 프리펄스(들)과 같은 광 펄스로 액적의 일부 또는 모두를 조광하는 단계를 포함한다. 보다 이론적인 측면에서, LPP 광원은 적어도 하나의 EUV 방출 엘리먼트(예를 들면, 크세논(Xe), 주석(Sn), 또는 리튬(Li))를 구비한 타겟 물질로 광 또는 레이저 에너지를 가하고, 수십 eV의 전자 온도(electron temperature)를 가진 고 이온화된 플라즈마를 생성함으로써 EUV 방사선을 생성한다. 이러한 이온들의 하방천이(de-excitation) 및 재조합동안 생성된 에너지 방사선이 모든 방향으로 플라즈마로부터 방출된다.
거의-직교-입사 미러("콜렉터 미러")가 EUV 광을 중간 위치 또는 초점으로 집속, 지향 및 포커싱하도록 플라즈마로부터 상대적으로 짧은 거리(예를 들면, 10-50cm)에 배치된다. 집속된 EUV 광은 포토리소그래피 프로세스에서 중간 위치로부터 일 세트의 스캐너 광학기기로 최종적으로 반도체 웨이퍼와 같은 타겟으로 중계될 수 있다.
콜렉터 미러는 효율적으로 EUV 광을 반사하기 위해 정밀하고 상대적으로 비싼 다층 코팅을 포함한다. 콜렉터 미러의 표면을 상대적으로 깨끗하게 유지하고 원하지 않는 플라즈마-생성 찌꺼기로부터 표면을 보호하는것이 EUV 광원 개발자들이 직면한 도전이다.
현재 중간 위치에서의 약 100W를 산출하는 목적을 가지고 개발중인 예시적인 배치에서, 펄싱되고 포커싱된 10-12kW CO2 드라이브 레이저(또는 엑시머 레이저와 같은 적절한 기타 레이저)가 초당 약 10,000-200,000 주석 액적을 순차적으로 조광하기 위해 액적 생성기로 동기화된다. 이러한 배치는 상대적으로 높은 반복률(예를 들면 10-200kHz 이상)로 안정된 액적 스트림을 산출하고 액적을 상대적으로 긴 시간동안 타이밍과 위치의 측면에서 높은 정확도와 양호한 반복성을 가지고 조강 위치로 액적을 전달할 필요가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른, 레이저 산출 플라즈마 EUV 광원(20)의 개략도이다. LPP 광원(20)은 광 펄스의 트레인을 생성하고 광 펄스를 EUV 챔버(26)로 전달하기 위한 광 펄스 생성 시스템(22)을 포함한다. 각각의 광 펄스(23)는 광 펄스 생성 시스템(22)으로부터 EUV 챔버(26)로 조광 영역(28)에서 각각의 타겟 액적을 조광하기 위해 빔 경로를 따라 이동한다.
도 1에 도시된 광 펄스 생성 시스템(22)에서 사용하는 적절한 레이저는 예를 들면 DC 또는 RF 여기로 약 9.3㎛ 또는 약 10.6㎛에서의 방사선을 산출하고, 약 10kW 이상의 상대적으로 고 파워와 약 10kHz 이상의 고 펄스 반복률에서 동작하는 예를 들면 펄싱된 가스 방전 CO2레이저 디바이스와 같은 펄싱된 레이저 디바이스를 포함한다. 하나의 특정한 실시예에서, 광 펄스 생성 시스템(22)에서의 레이저는 다중 스테이지 증폭을 가진 MOPA 구성을 구비하고 저 에너지 및 예를 들면 100kHz 동작을 할 수 있는 고 반복률을 가진 Q-스위칭 마스터 오실레이터(MO)에 의해 시작되는 시드 펄스를 구비한 축방향-흐름 RF-펌핑된 CO2 레이저가 될 수 있다. MO로부터, 레이저 펄스는 증폭되고, 형성되고, 조광 영역(28)에 도달하기 전에 포커싱된다.
연속하여 펌핑된 CO2 증폭기가 광 펄스 생성 시스템(22)에 사용될 수 있다. 예를 들면, 오실레이터와 3개의 증폭기(O-PA1-PA2-PA3 구성)를 가진 적절한 CO2 레이저 디바이스가 본문에 그 전체가 참조에 의해 통합된 공동계류중인 "LPP EUV 광원 드라이브 레이저 시스템"이라는 이름으로 2005년 6월 29일 출원된 미국특허출원 제 11/174,299, Attorney Docket 제2005-0044-01에 개시 및 요구된다.
대안으로, 광 펄스 생성 시스템(22)에서 레이저는 액적이 광 캐비티 중 하나의 미러로서 기능하는 소위 "셀프-타겟팅" 레이저 시스템으로서 구성될 수 있다. 일부 "셀프-타겟팅" 배치에서, 마스터 오실레이터는 필요하지 않을 수 있다. 셀프 타겟팅 레이저 시스템은 본문에 그 전체가 참조에 의해 통합된 공동계류중인 "EUV 광원용 드라이브 레이저 전달 시스템"이라는 이름으로 2006년 10월 13일 출원된 미국특허출원 제 11/580,414, Attorney Docket 제2006-0025-01에 개시 및 요구된다.
애플리케이션에 따라, 다른 유형의 레이저가 또한 고 파워 및 고 펄스 반복률에서 동작하는 엑시머 또는 분자 플루오르 레이저와 같은, 광 펄스 생성 시스템(22)에서 사용하기에 적합할 수 있다. 다른 예시는, 예를 들면, 파이버, 로드 또는 디스크 형상의 액티브 미디어를 구비한, 솔리드 스테이트 레이저, 예를 들면 그 전체가 참조에 의해 본문에 통합된 미국특허 제 6,625,191 및 6,549,551, 및 6,567,450에 도시된 바와 같은, MOPA 구성 엑시머 레이저 시스템, 예를 들면 오실레이터 챔버 및 하나 이상의 증폭 챔버(병렬 또는 직렬로 된 증폭 챔버를 가진)와 같은 하나 이상의 챔버를 가진 엑시머 레이저, 마스터 오실레이터/파워 오실레이터(MOPO) 배치, 마스터 오실레이터/파워 링 증폭기(MOPRA) 배치, 마스터 오실레이터/파워 증폭기(POPA) 배치를 포함하고, 또는 하나 이상의 엑시머 또는 분자 플루오르 증폭기 또는 오실레이터 챔버를 시딩하는 솔리드 스테이트 레이저가 적합할 수 있다. 다른 설계들도 가능하다.
도 1을 다시 참조하면, EUV 광원(20)은 또한 예를 들면 액적(102A, 102B)이 최종적으로 플라즈마를 산출하고 EUV 방출(34)을 생성하기 위해 예를 들면 하나 이상의 프리-펄스 및 그에 따른 하나 이상의 메인 펄스와 같은 하나 이상의 광 펄스(23)와 상호작용하는 조광 영역(28)에 대한 챔버(26) 내부로 타겟 물질의 액적을전달하는, 타겟 물질 전달 시스템(24)을 포함한다. 타겟 물질은 주석, 리튬, 크세논 등 또는 그의 조합을 포함하는 물질을 포함하지만 그에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 주석, 리튬, 크세논 등과 같은 EUV 방출 원소는 액체 액적 및/또는 액체 액적(102A, 102B) 내에 함유된 고체 입자의 형태일 수 있다.
예를 들면, 주석 원소는 순수한 주석, 예를 들면 SnBr4, SnBr2,SnH4와 같은 주석 화합물, 예를 들면 주석-갈륨 합금, 주석-인듐 합금, 주석-인듐-갈륨 합금과 같은 주석 합금 또는 그의 조합으로서 사용될 수 있다. 사용되는 물질에 따라, 타겟 물질이 실온 또는 실온에 가까운 온도(예를 들면 주석 합금, SnBr4), 고온(elevated temperature)(예를 들면, 순수 주석), 또는 실온 이하의 온도(예를 들면, SnH4)를 포함하는 다양한 온도에서 조광 영역(28)으로 제공되고, 일부 경우에, 예를 들면, SnBr4의 경우 상대적으로 휘발성이 될 수 있다. LPP EUV 광원에서의 이들 물질의 사용에 관한 보다 상세사항은 본문에 그 전체가 참조에 의해 통합된 공동계류중인 "EUV 광원용 대체 연료"이라는 이름으로 2006년 4월 17일 출원된 미국특허출원 제 11/406,216, Attorney Docket 제2006-0003-01에서 제공된다.
도 1을 더 참조하면, EUV 광원(20)은 콜렉터 미러(30)를 포함한다. 콜렉터 미러(30)는 장축 타원체(즉, 자신의 주축에 관해 회전된 타원)의 형태인 반사면을 가진 거의-수직 입사 콜렉터 미러이다. 실제 형상과 지오메트리는 물론 챔버의 크기와 초점 위치에 따라 변할 수 있다. 콜렉터 미러(30)는 하나 이상의 실시예에서 그레이딩된 다층 코팅을 포함한다. 그레이딩된 다층 코팅은 몰리브덴 및 실리콘이 교차하는 층, 그리고 일부의 경우 하나 이상의 고온 확산 배리어층, 평활(smoothing) 층, 캡핑층 및/또는 에칭 조리개층을 포함할 수 있다.
콜렉터 미러(30)는 또한 어퍼처(32)를 포함한다. 어퍼처(32)는 광 펄스 생성 시스템(22)에 의해 생성된 광 펄스(23)가 조광 영역(28)을 통과할 수 있도록 한다. 콜렉터 미러(30)는 조광 영역(28) 내에 또는 그에 인접하여 제 1 초점을, 중간 영역(40)에 제 2 초점을 가지는 장축 타원체 미러가 될 수 있다. EUV 광(34)은 EUV 광원(20)으로부터 중간 영역에서 또는 그에 인접하여 출력되어 EUV 광(34)을 활용하는 디바이스(42)로 입력된다. 예시에 의해, EUV 광(34)을 수신하는 디바이스(42)는 집적 회로 리소그래피 툴이 될 수 있다.
다른 광학기기는 EUV 광을 활용하는 디바이스로의 후속 전달을 위해 EUV 광(34)을 중간 위치로 집속 및 지향시키는 장축 타원형 미러(30)의 위치에서 사용될 수 있다. 예시에 의해, 콜렉터 미러는 자신의 주축에 관해 회전된 포물선형이 될 수 있다. 대안으로, 콜렉터 미러(30)는 링 형상 단면을 가진 빔을 중간 위치(40)로 전달하도록 구성될 수 있다(본문에 그 전체가 참조에 의해 통합된 공동계류중인 "EUV 광학기기"라는 이름으로 2006년 8월 16일 출원된 미국특허출원 제 11/505,177, Attorney Docket 제2006-0027-01).
EUV 광원(20)은 또한 EUV 컨트롤러(60)를 포함할 수 있다. EUV 컨트롤러(60)는 광 펄스 생성 시스템(22)에서 하나 이상의 램프 및/또는 레이저 디바이스를 트리거하여 그에 의해 챔버(26)로 전달하기 위한 광 펄스(23)를 생성하기 위한 점화 제어 시스템(65)을 포함할 수 있다.
EUV 광원(20)은 또한 하나 이상의 액적 이미저(70)를 포함하는 액적 위치 검출 시스템을 포함할 수 있다. 액적 이미저(70)는 CCD 또는 기타 이미징 기술 및/또는 조광 영역(28)에 대해 하나 이상의 액적(102A, 102B)의 위치 및/또는 타이밍을 지시하는 출력을 제공하는 백라이트 스트로보스코픽 조명 및/또는 광 커튼을 이용하여 이미지를 캡처할 수 있다. 이미저(70)는 액적 위치 검출 피드백 시스템(62)에 결합되어 액적 위치 및 타이밍 데이터를 액적 위치 검출 피드백 시스템(62)에 출력한다. 액적 위치 검출 피드백 시스템(62)은 액적 위치 및 궤적을 연산할 수 있고, 이로부터 액적 에러가 연산될 수 있다. 액적 에러는 액적 베이시스에 의해 액적에 대해 또는 평균 액적 데이터에 대해 연산될 수 있다. 액적 위치 에러는 그런다음 EUV 컨트롤러(60)로의 입력으로서 제공된다. EUV 컨트롤러(60)는 소스 타이밍 회로를 제어하기 위해 및/또는 챔버(26)에서의 조광 영역(28)으로 전달되는 광 펄스의 궤적 및/또는 포컬 파워 또는 초점을 변화시키기 위한 빔 위치 및 형성 시스템을 제어하기 위해 광 펄스 생성 시스템(22)으로 위치, 방향, 및/또는 타이밍 보정 신호를 제공할 수 있다.
EUV 광원(20)은 또한 광원(20)에 의해 생성된 EUV 광의 다양한 속성을 측정하기 위해 하나 이상의 EUV 측정 기기를 포함할 수 있다. 이들 속성은 예를 들면 강도(예를 들면, 총 강도 또는 특정 스펙트럼 대역 내에서의 강도), 스펙트럼 대역폭, 편광, 빔 위치, 포인팅 등을 포함한다. EUV 광원(20)에 대해, 기기(들)는 예를 들면 포토리소그래피 스캐너와 같은 다운 스트림 툴이 예를 들면 픽오프 미러를 이용하여 EUV 출력의 일부를 샘플링하거나 또는 "보정되지 않은" EUV 광을 샘플링 함으로써 온라인이 되어있는 동안 동작하도록 구성될 수 있고 및/또는 포토리소그래피 스캐너와 같은 다운 스트림 툴이 예를 들면 EUV 광원(20)의 전체 EUV 출력을 측정함으로써 오프라인이 되는 동안 동작할 수 있다.
EUV 광원(20)은 또한, EUV 컨트롤러(60)로부터의 신호(일부 실시예에서 상술한 액적 오차, 또는 그로부터 도출된 일부 수량을 포함하는)에 응답하여 동작할 수 있는, 타겟 물질 배출기(92)로부터의 타겟 물질의 배출 포인트를 변형시키고 및/또는 액적 형성 타이밍을 변조시키고, 원하는 조광 영역(28)에 도달한 액적(102A, 102B)에서의 오차를 보정하고 및/또는 광 펄스 생성 시스템(22)으로 액적(02A, 102B) 생성을 동기화하기 위한 액적 제어 시스템(90)을 포함할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따라 본문에 기술된 실시예들 중 일부 또는 모두에서 사용되는 간략화된 타겟 물질 배출기(92)의 컴포넌트의 개략도이다. 타겟 물질 배출기(92)는 유체 형태의 타겟 물질(96)을 담고있는 도관 또는 저장통(reservoir)(94)을 포함한다. 유체 타겟 물질(96)은 압력(P)하에서의 용융 금속(예를 들면 용융 주석)과 같은 액체가 될 수 있다. 저장통(94)은 가압된 유체 타겟 물질(96)이 연속한 스트림(100)을 구축하는 오리피스(98)를 통해 흐르도록 허용하는 오리피스(98)를 포함한다. 연속한 스트림(100)은 그 결과로서 액적(102A, 102B) 스트림으로 분리된다. 타겟 물질 배출기(92)는 유체 타겟 물질(92) 및/또는 오리피스(98) 및 전기-작동 엘리먼트(104)를 가동시키는 신호 생성기(106)와 결합되는, 동작가능한 전기-작동 엘리먼트(104)를 구비한 유체에서 요란을 일으키는 서브 시스템을 더 포함한다.
다양한 액적 배출기 구성 및 그의 상대적 이점에 관한 보다 상세사항은 (본문에 그 전체가 참조에 의해 통합된 공동계류중인, "레이저 산출 플라즈마 EUV 광원에서의 타겟 물질 전달용 시스템 및 방법"이라는 이름으로 2008년 6월 19일 출원된 미국특허출원 제 12/214,736, Attorney Docket 제2006-0067-02; "변조된 요란파를 이용하여 산출된 액적 스트림을 구비한 레이저 산출 플라즈마 EUV 광원"이라는 이름으로 2007년 7월 13일 출원된 미국특허출원 제 11/827,803, Attorney Docket 제2007-0030-01; "프리-펄스를 가진 레이저 산출 플라즈마 EUV 광원"이라는 이름으로 2006년 2월 21일 출원된 미국특허출원 제 11/358,988, Attorney Docket 제2005-0085-01; "EUV 플라즈마 소스 타겟 전달용 방법 및 장치"라는 이름으로 2005년 2월 25일 출원된 미국특허출원 제 11/067,124, Attorney Docket 제2004-0008-01; "LPP EUV 플라즈마 소스 물질 타겟 전달 시스템"이라는 이름으로 2005년 6월 29일 출원된 미국특허출원 제 11/174,443, Attorney Docket 제2005-0003-01에서 볼 수 있다.
액적(102A, 102B)은 약 20 내지 100㎛ 사이의 직경이다. 액적(102A, 102B)은 오리피스(98)를 통해 타겟 물질(96)을 가압함으로써 산출된다. 예시에 의해, 오리피스(98)는 하나의 실시예에서 약 50㎛ 미만의 직경을 가질 수 있다. 액적(102A, 102B)은 약 20-70m/s의 속도로 발사된다. 액적(102A, 102B)의 고속에 의해, 액적은 거의 직선 타겟 물질 경로(209)로 유지되고, 액적 스트림이 수평, 수직 또는 기타 방위로 산출될지라도, 콜렉터 미러(30) 상에 충돌하지 않는다. 하나의 실시예에서, 연속 모드에서 타겟 물질 배출기(92)에 의해 산출된 액적(102A, 102B) 모두가 플라즈마 생성에 사용되는 것은 아니다. EUV 소스가 100% 미만의 듀티 사이클로 작동한다면, 액적(102C)의 일부가 조광 영역(28)을 통과하여 집속될 수 있다. 사용되지 않은 액적(102C)이 EUV 소스 챔버의 대향하는 벽에 충격을 가하도록 허용되면, 그것들은 넓은 공간 분포로 빠르게 이동하는 다량의 파편을 산출한다. 이들 파편(231) 중 대부분은 EUV 콜렉터 미러(30), 진단 포트 및 디바이스(70) 상에 증착되어 그것들의 성능에 영향을 준다.
찌꺼기의 또다른 소스는 조광 영역(28)이다. 강한 광 펄스로 조광될 때, 액적(102A, 102B)이 급속한 비대칭적 물질 팽창 및 EUV 광 방출(230)을 가져오는 한 측면 상에서 가열된다. 상술한 바와 같이, EUV 광 방출(230)은 콜렉터 미러(30)에서 집속된다. 팽창 결과로서, 다량의 액적 물질은 그것들이 타겟 물질 배출기(92)로부터 출력될 때 액적(102A, 102B)의 속도에 비견할수 있는 속도로 광 펄스(23)로부터 이격되는 방향으로 가속된다. 이러한 물질은 그것이 다양한 방향으로 반사 또는 백스플래시될 수 있는 포인트에서, 일부 표면에 부딪칠때까지 조광 영역(28)으로부터 이격하여 이동한다. 백스플래시된 타겟 물질(231)은 콜렉터 미러(30) 상에 증착될 수 있다.
도 2b 및 2c는 본 발명의 실시예에 따른 EUV 챔버에서의 일부 컴포넌트의 보다 상세한 개략도이다. 상술한 바와 같이, 타겟 물질 배출기(92)는 액적(102A, 102B)의 스트림이지만, 모든 액적이 EUV(34)를 생성하도록 조광(즉, 사용)되는 것은 아니다. 예시에 의해, 사용되지 않은 액적(102C)은 인입 광 펄스(23)에 의해 조광되지 않는다.
사용되지 않은 액적(102C)은 EUV 챔버(260 내에서 사용되지 않은 액적의 임의의 백스플래시를 최소화하기 위해 제 1 캐치(210)에서 캡처된다. 백스플래시(236)는 미세 액적 또는 액체 액적의 형태일 수 있다. 사용되지 않은 액적(102C)은 제 1 캐치(210)의 바닥(211)에 부딪힌다. 미세 액적(236)은 수차례 제 1 캐치(210)의 바닥 및 벽으로부터 반사되고, 도 2c에 도시된 바와 같이 미세 입자(222)의 일부는 다시 EUV 챔버(26)로 탈출하고 미세 액적(231)의 일부는 콜렉터 미러(30) 상과 같은 다양한 표면 상에 증착될 수 있다. 미세 액적(220)은 캐치(210)에 의해 캡처 또는 차단되는 미세 액적의 백스플래시 중 일부를 예시하기 위해 점선으로 도시된다.
제 1 캐치(210)는 원형, 타원형, 달걀형, 장방형, 정방형, 또는 임의의 기타 적절한 형상이 될 수 있는 단면을 가진 기다란 튜브가 될 수 있다. 도 2c에 도시된 바와 같이, 제 1 캐치(210)는 타겟 물질 배출기(92)를 향해있는 개방 단부(224)를 포함한다. 개방 단부(224)는 실질적으로 타겟 물질 경로(209) 상에 중심을 두고 있다. 제 1 캐치(210)는 또한 하기에 보다 상세히 기술되는 바와 같이 타겟 물질 경로(209)와 정렬되거나 또는 정렬되지 않을수 있는 중심선(223)을 포함한다.
백스플래시는 예를 들면, 약 3보다 더 큰, 바람직하게는 약 8보다 더 큰, 상대적으로 큰 가로세로비 L/W를 가진 튜브를 이용하여 감소 또는 최소화되고, 여기서 L은 튜브 길이고 W는 제 1 단부(즉, 입구)에서 L에 직교하는 내부 튜브 크기이다. 제 1 캐치(210)의 내벽에 부딪힐때, 사용되지 않은 액적(102C) 및/또는 미세 액적 및/또는 액적의 파편은 자신들의 속도를 감소시키고 사용되지 않은 액적은 도시된 바와 같이 제 1 캐치에서 캡처될 수 있다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 조광된 액적은 또한 조광된 후에 미세 액적(232)을 생성할 수 있다. 미세 액적(232)은 EUV 챔버(26) 주위에 분포될 수 있다. 미세 액적(232)의 일부는 콜렉터 미러(30) 상에 증착될 수 있다. 미세 액적(232)의 일부는 제 2 캐치(240)에서 캡처될 수 있다. 제 1 캐치(210) 및 제 2 캐치(240)는 또한 가열될 수 있다.
제 1 및 제 2 캐치(210, 240)의 일부 또는 전부는 이중 벽을 가질 수 있다. 이중 벽 사이의 공간은 캐치(210, 240)의 효율적인 열관리를 위해 하나 이상의 열교환 유체, 공기와 같은 가스, 질소, 물, 주석, 갈륨, 주석-갈륨 합금 등으로 채워지거나 또는 그를 통과시키도록 설계될 수 있다.
도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 제 1 캐치(210)의 또다른 개략도이다. 도 2e에 도시된 바와 같이, 제 2 캐치(240)는 선택적이다.
도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 제 1 캐치(210)의 또다른 개략도이다. 캐치(210)는 타겟 물질 경로(209)에 대해 약간의 각도를 이루어(예를 들면 각도(213)) 사용되지 않은 액적(102C)이 먼저 제 1 캐치(210)의 내벽에 충격을 가하도록 할 수 있다. 제 1 충격이 제 1 캐치(210)의 내벽에 가해지면, 사용되지 않은 액적(102C)은 보다 덜 제 1 캐치로부터 다시 편향되거나 또는 일부 스플래시된 물질이 제 1 캐치로부터 나와 다시 콜렉터 미러(30)를 향해 탈출하는 것을 허용하는 스플래시를 일으키도록 충분한 에너지를 가지고 제 1 캐치의 대향하는 단부에 충격을 가할 수 있다. 제 1 캐치(210)의 바닥(211)은 사용되지 않은 액적(102C)이 상기 제 1 캐치의 바닥을 벗어나 저장통(212)으로 통과하도록 개방될 수 있다. 저장통(212)은 미리 캡처된 사용되지 않은 액적을 포함하는 액체 형태의 다량의 타겟 물질(242)을 포함한다. 도 2d에 더 도시된 바와 같이, 타겟 물질 배출기(92)는 거의 수평 방향으로 제 1 캐치(210)를 향해 액적(102A, 102B)의 스트림을 배출할 수 있다.
본 구성에서, 수평면 상의 콜렉터 광학기기의 사영 외부에 배치된 액적 생성기로, 수평 방향으로 속도(v)를 가진 생성기(92)에 의해 생성된 액적(102A, 102B)이 하기에 주어진 크기(d)만큼 액적 생성기(L)로부터의 일정한 거리에서 원래 타겟 물질 경로로부터 수직 방향으로 편향된다:
Figure pct00001

여기서 g는 중력가속도이다.
따라서, 20m/s의 액적 속도 및 L=30mm의 액적 생성기로부터의 거리에 대해, 수평 방향으로부터의 편차는 단지 1.1mm이 된다. 따라서, 실제 액적 속도에 대해, 수평 방향으로 발사된 액적은 플라즈마 포인트에 도달하고 후속하여 실질적으로 직선 수평선으로 캐치에 도달한다. 유사한 논의가 액적 생성기의 다른 수직이 아닌 방향에 대해 적용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라, EUV(34) 생성시 수행된 방법 동작(300)을 예시하는 플로우 차트이다. 본문에 예시된 동작은 예를 들면 그것은 일부 동작이 서브 동작을 가지고, 다른 예시에서, 본 문에 기술된 특정 동작은 예시된 동작에 포함되지 않는다. 이를 염두에 두고, 방법 및 동작(300)이 설명된다. 동작(305)에서, 광 펄스(23)는 EUV(26)에서 조광 영역(28)으로 지향된다. 동작(310)에서, 액적(102A, 102B)의 스트림 중 선택된 하나는 광 펄스가 조광 영역에 도달하는 것과 거의 동시에 조광 영역(28)에 전달되고, EUV(34)는 동작(315)에서 조광된 액적으로부터 생성된다.
동작(320)에서, 제 1 부분 미세 액적(232)은 조광된 액적으로부터 생성된다. 동작(325)에서, 미세 액적의 제 2 부분(232) 및 액적(102A, 102B)의 스트림 중 사용되지 않은 액적(102C)이 제 1 및/또는 제 2 캐치(210, 240)에서 캡처된다. 상술한 바와 같이, 미세 액적과 액적(236)의 백스플래시가 거의 캡처된다.
동작(330)에서, 조광 영역(28)으로부터의 EUV는 콜렉터 미러(30)에 의해 집속된다. 콜렉터 미러(30)는 EUV(34)를 동작(335)에서 중간 위치(40)로 포커싱하고, EUV(34)는 EUV 챔버로부터 배출된다.
도 4a-4d 및 4g는 본 발명의 실시예에 따른 대안의 제 1 캐치(410, 420, 430, 440, 496)의 개략도이다. 대안의 제 1 캐치(410, 420, 430, 440, 496)는 실질적으로 제 1 캐치의 바닥 단부로부터 백스플래시의 대부분을 실질적으로 차단하기위해 제 1 캐치의 바닥 단부(211)을 향해 방향지어있는 하나 이상의 내부 표면을 포함한다. 도 4a를 참조하면, 대안의 제 1 캐치(410)는 캐치의 내부 표면을 따라서 있는 차폐장치(412)를 포함한다. 차폐장치(412)는 캐치의 바닥으로 사용되지 않은 액적 스트림(102C)의 충격으로부터의 백스플래터(backsplatter)(414)를 캡처한다. 차폐장치(412)는 타겟 물질 경로에 직교하는 표면을 차단하지 않도록 캐치(410)의 내부 표면으로 예각을 형성하고, 캐치의 바닥을 향해 일정한 각도를 이룬다.
도 4b를 참조하면, 또다른 대안의 제 1 캐치(420)는 선택적으로 캐치의 내부 표면을 따라서 있는 차폐장치(412)를 포함한다. 대안의 제 1 캐치(420)는 또한 실질적으로 타겟 물질 경로(209)에 정렬된 제 1 부분(420A)과 각도(423)로 타겟 물질 경로에 대해 각도를 가진 제 2 부분(420B)을 포함한다. 각도(423)는 타겟 물질 경로(209)에 대해 약 1 내지 45° 사이에 있을 수 있다. 각도가 있는 부분(420B)은 사용되지 않은 액적(102C)으로 하여금 제 1 캐치(420)의 배부 표면 및 각도(423)에 영향을 주도록 한다. 일정한 각도로 제 1 캐치(420)의 내부 표면에 영향을 주는 것은 보다 점진적으로 사용되지 않은 액적을 느리게 하고 백스플래터(424A, 424B)를 감소시키고, 사용되지 않은 액적의 부분(424C)으로 하여금 캐치(420)의 내부 표면의 대향하는 측으로 반사하도록 한다. 사용되지 않은 액적 및 백스플래터(424A, 424B)는 캐치(420)의 바닥에서 캡처된다. 액체 타겟 물질(242)의 일부는 캐치(420)의 바닥에서 유지되어 상술한 바와 같이 백스플래터를 더 감소시킨다.
도 4c를 참조하면, 또다른 대안의 제 1 캐치(430)는 선택적으로 하나 이상의 스텝(432)을 포함한다. 스텝(432)은 바닥을 향해 더 넓은 폭 또는 직경을 가지고 및 캐치의 개구에 인접하여 더 협소한 폭 또는 직경을 가진 내부 표면을 따라 캐치(430)의 폭과 직경을 감소시킨다. 스텝(432)은 상술한 차폐장치(412)와 유사하게 백스플래터를 감소시킨다.
도 4d를 참조하면, 또다른 대안의 제 1 캐치(440)는 대안의 제 1 캐치(410, 420, 및 430)의 조합이다. 조합한 제 1 캐치(440)는 상술한 바와 같은 하나 이상의 스텝(432), 다중 차폐장치(412), 및 각도가 있는 부분(420B)을 포함한다.
도 4g를 참조하면, 또다른 대안의 제 1 캐치(496)는 대안의 제 1 캐치(420, 430)의 조합이다. 조합한 제 1 캐치(496)는 상술한 바와 같은 하나 이상의 스텝(432) 및 각도가 있는 부분(420B)을 포함한다. 일정한 각도로 제 1 캐치(496)의 내부 표면에 영향을 주는 것은 보다 점진적으로 사용되지 않은 액적을 느리게 하고 백스플래터(496A, 496B)를 감소시키고, 사용되지 않은 액적의 일부분(424C)으로 하여금 캐치(420)의 내부 표면의 대향하는 측으로 반사하도록 한다. 사용되지 않은 액적 및 백스플래터(496A, 496B)는 캐치(496)의 바닥에서 캡처된다. 스텝(432)은 상술한 차폐장치(412)와 유사하게 백스플래터(496B)를 감소시킨다.
예를 들면, 2개의 캐치(210, 240)는 티타늄 또는 액체 타겟 물질과 호환하는 기타 적절한 물질로 제조될 수 있다. 캐치(210, 240)는 타겟 물질의 용융점 이상에서 가열될 수 있다. 예를 들면, 주석 타겟 물질(96)에 대해, 약 232 및 약 400℃ 사이의 온도이다. 약 232℃보다 낮은 온도에서, 스플래시된 주석은 동결되거나 굳을 수 있고 스플래시된 물질은 축적되기 때문에 그것은 결과적으로 캐치(210)를 막는다.
현저한 양이 축적되면, 저장통(212)에서 복구된 액체 물질(242)은 가열된 튜브(244)를 통해 배출된다. 튜브(244)는, 튜브내의 물질이 용융점 이하일 때 튜브 내의 액체 물질이 동결 또는 경화되어 이는 튜브(244)를 폐쇄시키기 때문에 튜브(244)는 고정 밸브로서 기능할 수 있다. 튜브(244)가 가열될 때, 튜브 내의 물질(242)은 용융되거나 액화되고 튜브는 개방되어 액체 물질이 저장통(212) 또는 캐치(210, 240)로 흘러갈 수 있도록 한다.
도 4e는 본 발명의 실시예에 따른 대안의 제 1 캐치(450)의 개략도이다. 캐치(450)의 제 1 단부(224)로 들어가는 사용되지 않은 액적(102C)의 방향으로의 가스 흐름(451) 또한 캐치에서 백스플래시함으로써 생성된 매우 느린 액적 파편이 캐치를 벗어나는 것을 방지하는 것을 도울 수 있다. 이러한 가스 흐름은 EUV 챔버(26)를 진공 또는 거의 진공(예를 들면 10torr 미만)으로 펌핑함으로써 이루어질 수 있다. 진공은 캐치(450)의 바닥(211)에 또는 그에 인접해 있는 개구(452)를 통해 도출된다. 캐치(450)를 통해 펌핑된 가스는 버퍼 가스 또는 콜렉터 미러(30)의 표면으로부터 타겟 물질을 에칭하는 데에 사용되는 가스가 될 수 있다.
버퍼 또는 부식 가스의 상당한 부분적 압력이 EUV 챔버(26)에서 허용되면, 백스플래싱이 사용되지 않은 액적(102C) 또는 타겟 물질 액적(102A, 102B)의 모두를 냉각시킴으로써 억제될 수 있다. 예를 들면, 작은 크기(예를 들면, 약 30㎛ 미만)의 주석 액적은 냉각 가스 흐름 또는 냉각 매스 또는 표면(예를 들면 열 싱크 또는 냉각된 제 1 캐치)와 같은 냉각 시스템에 의해 냉각될 수 있다. 타겟 물질 액적(102A-102C)은, 액적(102C)이 캐치(210)의 바닥(211)에 도달하는 시간까지 액적이 예를 들면 실질적으로 고체 주석 구로 경화되도록 타겟 물질의 용융 온도 이하의 온도로 냉각될 수 있다. 유사한 프로세스와 결과가 주석이 아닌 타겟 물질로 얻어질 수 있다. 그 결과, 실질적으로 캐치(210)의 바닥(211) 및 측면들에 충격을 가하는 액적(102C)에 의해 야기된 모든 백스플래슁이 제거된다.
도 4f는 본 발명의 실시예에 따라 액적(102A-102C)의 적어도 일부를 냉각시킴으로써 캐치(450)의 내부로부터 백스플래슁을 감소시킬때 수행되는 방법 동작(480)을 예시하는 플로우 차트이다. 본문에 예시된 동작은 예를 들면 그것은 일부 동작이 서브 동작을 가지고, 다른 예시에서, 본 문에 기술된 특정 동작은 예시된 동작에 포함되지 않는다. 이를 염두에 두고, 방법 및 동작(480)이 설명된다.
동작(482)에서, 다량의 가스(454)가 거의 타겟물질의 용융보다 낮은 온도로 냉각된다. 동작(484)에서, 냉각된 가스 흐름(451)은 도 4e에 도시된 가스 노즐(250)과 같은 것을 통해 액적(102C)을 향해 지향된다. 가스 노즐(250)은 또한 실질적으로 모든 타겟 물질 액적이 실질적으로 경화하도록 타겟 물질 소스에서 방출된 모든 액적(102A-102C)에서 냉각 가스 흐름(451) 또는 기타 냉각 프로세스를 지향시킬 수 있다. 타겟 물질 액적(102A-102C)은 조광 영역(28)을 통과하기 전후에 냉각될 수 있다.
동작(486)에서, 캐치(450)는 타겟 물질의 거의 용융 온도보다 낮은 온도로 냉각된다. 동작(486)은 동작(482, 484)과 조합된 선택적 동작이 될 수 있다는 것을 또한 이해해야 한다. 대안으로, 동작(~486)은 동작(482, 484) 대신에 대안의 동작이 될 수 있다.
예를 들면, 도 4f를 참조하면, 캐치(450)는 캐치(450)의 벽(457)과 이중 벽(455) 사이에 공간(456)을 형성하는 이중 벽(455)을 포함할 수 있다. 온도 제어 시스템(460)은 캐치(450) 또는 그의 일부를 바람직한 온도로 가열 또는 냉각시키기 위해 공간(456)에 결합될 수 있다. 바람직한 온도를 가진 유체, 가스 또는 액체는 캐치(450)의 온도를 제어하기 위해 공간(456)을 통해 온도 제어 시스템(460)으로부터 순환될 수 있다.
대안으로, 벽(457)은 저항 코팅(457A, 457B) 또는 내열 소자를 포함하고, 온도 제어 시스템(460)은 저항 코팅에 결합될 수 있다. 온도 제어 시스템(460)은 벽(457)을 가열하기 위해 적절한 전기 신호를 적용하여 캐치(450) 또는 캐치의 적어도 일부를 원하는 온도로 가열한다. 예를 들면, 온도 제어 시스템(460)은 제 1 온도(예를 들면 타겟 물질의 용융온도 이하)에서 공간(456) 및 캐치(450)의 대응하는 부분의 온도를 유지하고, 동시에 또는 후속하여, 또는 순차적으로, 캐치(450)의 대응하는 바닥부분을 상이한 온도(예를 들면, 타겟 물질의 용융 온도 이상)로 가열하기 위해 적절한 신호를 저항 코팅(457B)에 적용할 수 있다. 예를 들면 가열된 액체, 가스, 복사 히터 또는 카트리지 히터를 포함하는, 다른 유형의 적절한 가열 소자가 또한 캐치를 가열하기 위해 사용될 수 있다.
동작시(488), 타겟 물질(242A)의 경화된 사용되지 않은 액적이 캐치(450)의 바닥(211)에 축적된다. 동작(490)에서, 캐치(450)의 바닥(211)에서의 축적된 타겟 물질(242A)은 타겟 물질의 용융 온도 이상으로 가열된다. 예를 들면, 캐치(450)의 바닥(211)은 온도 제어 시스템(460)이 원하는 온도로 캐치(450)의 바닥을 가열시키기 위해 적절한 전기 신호를 저항 코팅(457B)으로 적용함으로써 축적된 타겟 물질(242A)의 용융점 이상의 온도로 가열될 수 있다.
캐치(450)의 바닥(211)에서의 타겟 물질(242)의 액체 축적물은 동작(492)에서 배출부(458)를 통해 캐치(459)로부터 제거된다. 배출부(458)는 도 2b, 4e에 도시된 바와 같은 고정 밸브(244)를 포함할 수 있다.
도 5 및 6은 각각 본 발명의 실시예에 따른 대안의 제 1 캐치(510, 610)의 개략도이다. 대안의 제 1 캐치(510, 610)는 타겟 물질 경로(209)가 거의 수평이 되도록 거의 수평 방향이 된다. 대안의 제 1 캐치(610)는 인입 액적(102C)이 매우 작은 각도(604)로 액체 타겟 물질(242)의 표면 상에 충돌하는 방식으로 다량의 타겟 물질(242)이 대안의 제 1 캐치(610)에 저장되도록 수평(602)에 대해 작은 각도(604)로 방향을 이룬다. 각도(604)는 약 1°와 30°이하의 각도 사이, 또는 바람직하게는 약 1°와 약 5°사이가 될 수 있다. 이러한 방향은 충돌을 위해 액적(102C)에 대해 상대적으로 큰 표면 길이와 영역을 제공한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 제 1 캐치(210)에서의 액체 커튼(710)의 개략도이다. 액체 커튼(710)은 액적(102C)의 타겟 물질(96)로 형성될 수 있다. 액체 커튼(710)은 타겟 물질 경로(209)에 대해 거의 수직이 될 수 있다. 액체 커튼(710)은 타겟 물질 경로에 대해 수직일 필요는 없지만, 타겟 물질 경로에 대해 적절한 각도가 될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
액체 커튼(710)은 캐치(210)의 바닥 단부 또는 캐치의 길이를 따라서 있는 임의의 위치에서 형성될 수 있다. 액체 커튼(710)은 제 1 양의 커튼 물질(704)이 방향을 향하는 제 1 저장통(702)으로부터 흐르거나, 또는 또다른 공급처로부터 공급될 수 있다. 커튼(710)은 제 1 저장통(702)으로부터 집속 저장통(706)으로 흐른다. 액적(102C)은 액체에 접촉할 때 보다 덜 백스플래시하는 경향을 가지고 따라서 커튼은 백스플래시와 미세 액적 생성 양을 감소시킨다.
도 8 및 9는 본 발명의 실시예에 따른 제 1 캐치(210)에서의 회전 실린더(802)의 개략도이다. 회전 실린더(802)는 캐치(210)의 바닥 단부에 인접하여 배치된다. 제 1 회전 실린더(802)는 캐치(210)에서의 백스플래시를 최소화한다. 제 1 실린더(802)가 방향(804)으로 회전하여 실린더의 외부 표면이 액적(102C)과 동일한 속도로 또는 그에 인접한 속도로 이동하여, 액적(102C)이 제 1 실린더(802)의 회전 표면에 충돌할 때 생성되는 백스플래시가 매우 작거나 또는 없도록 한다. 타겟 물질 경로(209)는 실질적으로 제 1 회전 실린더(802)의 회전 표면과 관계가 없다.
제 1 실린더(802)의 외부 표면 상에 축적된 물질(806)이 블레이드(812)에 의해 제거될 수 있다. 대안으로, 제 1 실린더(802)의 외부 표면 상에 축적된 물질(908)이 방향(804)에 대향하는 방향(904)으로 회전하는 제 2 실린더(902)에 의해 제거될 수 있다. 제 1 실린더(802)와 제 2 실린더(902) 중 하나 또는 그 둘 모두는 물질(806, 908)을 집속 및 배출하기위해 필요한 만큼 가열 또는 냉각될 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 EUV 챔버(26)를 포함하는 집적 시스템(1000)의 블록도이다. 집적 시스템(1000)은 EUV 챔버(26), 광펄스 생성 시스템(22), 출력 EUV 광(34)을 이용하는 디바이스(42), 및 EUV 챔버에 결합된 집적 시스템 컨트롤러(1010)를 포함하고, 상기 광 펄스 생성 시스템과 디바이스는 출력 EUV 광을 활용한다. 집적 시스템 컨트롤러(1010)는 사용자 인터페이스(1014)를 포함하거나 이에 결합된다(예를 들면 유선 또는 무선 네트워크(1012)를 통해). 사용자 인터페이스(1014)는 사용자 판독가능 출력과 지시를 제공하고 사용자 입력을 수신하여 집적 시스템 컨트롤러(1010)에 사용자 액세스를 제공한다.
집적 시스템 컨트롤러(1010)는 전용 컴퓨터 또는 범용 컴퓨터를 포함할 수 있다. 집적 시스템 컨트롤러(1010)는 EUV 챔버(26), 광 펄스 생성 시스템(22) 및 디바이스(42)용 데이터(1018)(예를 들면 성능 히스토리, 성능 및 결함 분석, 오퍼레이터 로그, 및 히스토리 등)를 모니터링, 제어 및 수집, 저장하기 위한 컴퓨터 프로그램(1016)을 실행할 수 있다. 예를 들면, 집적 시스템 컨트롤러(1010)는, 수집된 데이터가 그의 동작에 대한 조정을 지시하면, EUV 챔버(26), 광 펄스 생성 시스템(22) 및/또는 디바이스(42) 및/또는 그 안의 컴포넌트(예를 들면, 제 1 캐치(210) 및/또는 제 2 캐치(240), 타겟 물질 배출기(92) 등)의 동작들을 조정할 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 EUV 챔버(26)에서의 타겟 물질 경로(394)의 간략화된 개략도이다. 타겟 물질 경로(394)는 Z축에 대해 직교하는 X-Y 평면에 대해 임의의 각도
Figure pct00002
가 될 수 있다. EUV 광 경로 및 소스 레이저는 Z축을 따른다. 각도
Figure pct00003
는 약 1° 내지 90°사이에 있을 수 있다. X-Y평면에 대한 각도
Figure pct00004
는 약 45°와 같은 각도가 될 수 있고, 콜렉터 미러(30)에서의 개구(1104)를 통과하는 타겟 물질 경로(394')를 포함하는 약 45°와 같은 각도가 될 수 있다.
타겟 물질 경로를 XY평면에 대해 각도를 조정하는 것은 액적(102A)이 콜렉터 미러(30)로부터 이격하는 방향(1106, 1106')으로, 타겟 물질 경로(394, 394')을 따르도록 할 수 있다. 콜렉터 미러(30)로부터 이격하는 방향(1106, 1106')으로 액적(102A)을 지향시키는 것은 콜렉터 미러(30) 상에 집속하는 미세 액적 및 찌꺼기의 양을 감소시킨다. 콜렉터 미러(30) 상에 집속하는 미세 액적의 양은 액적(102)의 모멘텀이 콜렉터(30)로부터 이격하기 때문에 감소된다. 액적의 모멘텀은 액적(102A)이 콜렉터 미러(30)의 제 1 초점(31)에서 조광될 때 생성되는 미세 액적의 모멘텀에 포함된다.
방향(1106, 1106')에서의 액적(102A)의 모멘텀은 또한 콜렉터 미러(30)의 제 1 초점(31)으로부터 이격된다. 이러한 추가된 모멘텀은, 모멘텀이 콜렉터 미러(30)의 제 1 초점(31)으로부터 이격하는 보다 많은 미세 입자들을 전달하기 때문에 조광되는 후속하는 액적과 간섭할 수 있는 미세 액적의 양을 감소시킨다.
도 12a는 본 발명의 실시예에 따른 EUV 챔버(26)의 섹션 12-12의 간략화된 단면도이다. 섹션 12-12는 도 1에서 위에 도시된다. 도 12b 및 12c는 본 발명의 실시예에 따른 추가적인 단면도 12B-12B의 상세도이다. EUV 챔버 벽(1201)의 단면이 도시된다. EUV 챔버 벽(1201) 내부에 미세 액적 및 액적 트랩 시스템(1202)이 있다. 트랩 시스템(1202)은 콜렉터 미러(30) 또는 액적 캐치(210) 또는 모니터링 또는 제어 시스템용 기기(70)와 같은 기타 목적에 필요하지 않은 EUV 챔버의 전체 내부 표면 또는 그의 일부를 덮을 수 있다.
도 12b 및 12c를 참조하면, 트랩 시스템(1202)은 다수의 미세 액적 캐치(1204)를 포함한다. 각각의 미세 액적 캐치(1204)는 약 1mm 내지 약 10mm 사이의 직경을 가진다. 각각의 미세 액적 캐치(1204)는 약 3 내지 약 8 이상의 가로세로비를 가진다. 예를 들면, 미세 액적 캐치(1204)는 약 5mm의 직경과 약 15 내지 약 40mm 사이의 깊이(1206)를 가질 수 있다.
미세 액적 캐치(1204)는 임의의 적절한 형상을 가질수 있다. 도 12b에 도시된 바와 같이, 미세 액적 캐치(1204)는 6각형 형상을 가진다. 도 12c에 도시된 바와 같이, 미세 액적 캐치(1204')는 둥근 또는 보다 많은 관 모양의 형상을 가진다.
각각의 미세 액적 캐치의 개방 단부는 직접 EUV 챔버의 Z축을 향해 지향될 수 있다. 예를 들면, 미세 액적 캐치(1204)의 각각의 중심선(1208)은 EUV 챔버의 Z축에 수직이 될 수 있다.
대안으로, 각각의 미세 액적 캐치(1204)의 중심선(1208)은 EUV 챔버의 제 1 초점(31)으로부터 조금 이격된 일부 각도 또는 EUV 챔버의 제 1 초점(31)을 향해 지향될 수 있다.
미세 액적 캐치(1204)는 상술한 액적 캐치(210, 240)와 유사한 기능을 수행하여, 다수의 설계 고려사항(예를 들면, 물질, 각도, 피처 등)이 유사하게 미세 액적 캐치(1204)에 적용될 수 있다. 미세 액적 캐치(1204)는 미세 액적이 미세 액적 캐치(1204)의 내부 표면 상에 충격을 가하도록 미세 액적을 캡처하는 다수의 내부 표면을 제공하고, 미세 액적이 미세 액적 캐치를 굴절 또는 그로부터 반사되지 않도록 하기 위해 이들 충격이 미세 액적에 의해 전달된 에너지를 없앤다. 이러한 방식으로, 미세 액적 캐치(1204)는 미세 액적을 트랩핑하고 콜렉터 미러(30) 상으로 다시 굴절시킬 수 있는 미세 액적의 수를 감소시킨다.
미세 액적 캐치(1204)는 상술한 액적 캐치(210, 240)와 유사한 바람직한 기능에 필요한 것 만큼 액티브 또는 패시브하게 가열 또는 냉각될 수 있다. 미세 액적 캐치(1204)는 액적 캐치(210, 240)과 독립적으로 동작될 수 있고, 대향하는 방식으로 균일하게 가열 또는 냉각될 수 있어서 액적 캐치(210)가 가열될 때 미세 액적 캐치(1204)는 액티브 또는 패시브하게 가열 또는 냉각되도록 할 수 있다.
본 발명이 이해의 명료화를 목적으로 일부 상세하게 기술되었지만, 특정한 변형 및 변조가 첨부된 청구범위의 범위 내에서 실시될 수 있다는 것이 명확할 것이다. 따라서, 본 실시예는 예시로서 간주되어야지 한정으로 간주되면 안되고, 본 발명의 본문에 주어진 상세에 한정되지 않으며, 첨부된 청구범위의 범위 및 등가물내에서 변조될 수 있다.

Claims (31)

  1. 콜렉터 미러;
    타겟 물질 경로를 따라서 복수의 액적을 배출하도록 정렬된 액적 배출부를 구비한 액적 생성 시스템; 및
    제 1 캐치;를 포함하고,
    상기 제 1 캐치는,
    상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 제 1 개방 단부;
    상기 제 1 개방 단부에 대향하는 인클로우징된 제 2 단부; 및
    상기 제 1 캐치의 제 2 단부를 향해있는 적어도 하나의 내부 표면;을 구비하고, 상기 적어도 하나의 내부 표면은 적어도 하나의 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 캐치는 상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 중심 축을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 캐치는 상기 타겟 물질 경로에 대해 약 1°내지 약 30°사이의 선택된 각도에서의 중심 축을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 캐치는 복수의 차폐장치를 더 포함하고, 상기 복수의 차폐장치 각각은 제 1 단부, 제 2 단부, 제 1 표면 및 상기 제 1 표면에 대향하는 제 2 표면을 더 포함하고, 상기 제 1 단부는 상기 제 1 캐치의 내부 표면에 부착되고, 상기 제 2 표면은 상기 제 1 캐치의 내부 표면에 대해 예각을 형성하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 개방 단부는 제 1 폭을 가지고 상기 제 1 캐치는 적어도 하나의 스텝에서 제 2 폭을 가지며, 상기 제 2 폭은 상기 제 1 폭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  6. 제 1 항에 있어서, 제 1 캐치는 상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 중심 축을 구비하는 제 1 부분과 상기 타겟 물질 경로에 약 1°내지 45°사이의 각도를 형성하는 제 2 부분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 캐치는 상기 제 1 개방 단부에 대향하는 제 2 단부를 더 포함하고, 상기 제 2 단부에 인접한 다량의 액체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단부에 인접한 다량의 액체는 복수의 액적을 형성하는데 사용되는 액체 상태의 타겟 물질인 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단부에 인접한 다량의 액체는 상기 제 1 캐치의 내부 표면의 적어도 일부를 따라서 뻗어있는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단부에 인접한 다량의 액체는 액체 커튼을 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 액체 커튼은 상기 복수의 액적을 생성하는 데에 사용되는 액체 상태의 타겟 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 타겟 물질 경로는 실질적으로 수평인 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 타켓 물질 경로는 실질적으로 수직인 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 캐치는 상기 제 1 개방 단부에 대향하는 제 2 단부를 더 포함하고, 상기 제 2 단부에 인접한 제 1 회전 실린더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 회전 실린더는 상기 타겟 물질 경로가 실질적으로 상기 제 1 회전 실린더의 제 1 회전 표면과 관계없도록 배치되는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 회전 실린더는 상기 제 1 회전 실린더의 상기 제 1 회전 표면이 상기 복수의 액적의 속도와 실질적으로 동일한 표면 속도를 가지도록 상기 제 1 회전 실린더를 구동시킬수 있는 실린더 드라이브에 결합되는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 회전 실린더의 상기 제 1 회전 표면과 접촉하는 제 2 회전 표면을 가진 제 2 회전 실린더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  18. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 캐치보다 실질적으로 더 큰 폭을 가진 제 2 캐치를 더 포함하고, 상기 제 2 캐치는 상기 제 1 캐치를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  19. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 캐치로부터의 배출구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 제 1 캐치로부터의 배출부는 고정 밸브(freeze valve)를 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  21. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 캐치의 제 1 개방 단부는 약 20 내지 100mm 사이의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  22. 제 1 항에 있어서, 복수의 타겟 물질 액적 중 적어도 일부를 상기 타겟 물질의 용융 온도보다 낮은 온도로 냉각시키기 위한 온도 제어 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  23. 극 자외광 생성 방법으로서,
    극 자외광 챔버에서의 액적 생성기로부터 복수의 액적을 배출하는 단계로서, 상기 복수의 액적은 타겟 물질 경로를 따라 배출되는 단계;
    상기 복수의 액적 중 선택된 하나 상에 광원을 포커싱하는 단계;
    상기 복수의 액적 중 선택된 하나를 조광하는 단계;
    조광된 액적으로부터 생성된 플라즈마로부터 방출된 극 자외광을 콜렉터 미러에서 집속하는 단계;
    상기 집속된 극 자외광을 상기 극 자외광 챔버의 배출부를 향해 포커싱하는 단계; 및
    제 1 캐치에서 복수의 액적 중 복수의 선택되지 않은 액적을 복구하는 단계;를 포함하고,
    상기 제 1 캐치는,
    상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 제 1 개방 단부;
    상기 제 1 개방 단부로부터 대향하는 인클로징된 제 2 단부; 및
    상기 제 1 캐치의 제 2 단부를 향해있는 적어도 하나의 내부 표면;
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 생성 방법.
  24. 제 23 항에 있어서, 복수의 선택되지 않은 액적으로부터 미세 액적의 백스플래시를 실질적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 생성 방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 미세 액적의 백스플래시를 실질적으로 제거하는 단계는,
    상기 제 1 캐치의 길이;
    상기 제 1 캐치에서의 스텝;
    상기 캐치에서의 복수의 차폐장치;
    상기 제 1 캐치에서의 다량의 액체; 또는
    상기 제 1 캐치에서의 이동 표면;
    중 적어도 하나에서 상기 미세 액적을 트래핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 생성 방법.
  26. 제 24 항에 있어서, 미세 액적의 백스플래시를 실질적으로 제거하는 단계는 복수의 선택되지 않은 액적을 상기 타겟 물질의 용융 온도보다 더 낮은 온도로 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 생성 방법.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 복수의 선택되지 않은 액적을 상기 타겟 물질의 용융 온도보다 더 낮은 온도로 냉각시키는 단계는 냉각된 가스 흐름을 상기 복수의 선택되지 않은 액적을 향해 지향시키는 단계 또는 상기 제 1 캐치를 상기 타겟 물질의 용융 온도보다 더 낮은 온도로 냉각시키는 단계 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 생성 방법.
  28. 콜렉터 미러;
    타겟 물질 경로를 따라서 복수의 액적을 배출하도록 정렬된 액적 배출부를 구비한 액적 생성 시스템; 및
    제 1 캐치; 및
    제 2 캐치;를 포함하고,
    상기 제 1 캐치는,
    상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 제 1 개방 단부; 및
    상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 중심 축을 구비한 제 1 부분 및 상기 타겟 물질 경로에 대해 약 1° 내지 약 45°사이의 각도를 형성하는 제 2 부분;을 구비하고,
    상기 제 2 캐치는 상기 제 1 캐치 보다 실질적으로 더 큰 폭을 가지고, 상기 제 1 캐치를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  29. 극 자외광 생성 방법으로서,
    극 자외광 챔버에서의 액적 생성기로부터 복수의 액적을 배출하는 단계로서, 상기 복수의 액적은 타겟 물질 경로를 따라 배출되는 단계;
    상기 복수의 액적 중 선택된 하나 상에 광원을 포커싱하는 단계;
    상기 복수의 액적 중 선택된 하나를 조광하는 단계;
    조광된 액적으로부터 방출된 극 자외광을 콜렉터 미러에서 집속하는 단계;
    상기 집속된 극 자외광을 상기 극 자외광 챔버의 배출부를 향해 포커싱하는 단계; 및
    제 1 캐치에서 복수의 액적 중 복수의 선택되지 않은 액적을 복구하는 단계; 및
    제 2 캐치에서 복수의 미세 액적을 복구하는 단계;를 포함하고,
    상기 제 1 캐치는,
    상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 제 1 개방 단부; 및
    상기 타겟 물질 경로에 실질적으로 정렬된 중심 축을 구비한 제 1 부분 및 상기 타겟 물질 경로에 대해 약 1° 내지 약 45°사이의 각도를 형성하는 제 2 부분;을 구비하고,
    상기 제 2 캐치는 상기 제 1 캐치보다 실질적으로 더 큰 폭을 가지고, 상기 제 1 캐치를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 극 자외광 생성 방법.
  30. 콜렉터 미러; 및
    상기 극 자외광 챔버의 내부 표면의 적어도 일부를 덮는 복수의 미세 액적 캐치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
  31. 콜렉터 미러; 및
    타겟 물질 생성기 시스템;을 포함하고,
    상기 타겟 물질 생성기 시스템은 타겟 물질 경로를 따라서 타겟 물질을 방출하도록 지향되고, 상기 타겟 물질 경로는 XY 평면에 대해 약 1°내지 약 90°사이의 각도를 형성하고, 상기 XY 평면은 Z축에 대해 직교하고 상기 Z축은 콜렉터 미러로부터 반사된 EUV 광에 대한 광 경로인 것을 특징으로 하는 극 자외광 챔버.
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