TWI481315B - 用於具有熱壁及冷收集器鏡之雷射生成電漿極紫外線腔室的系統、方法與裝置 - Google Patents

用於具有熱壁及冷收集器鏡之雷射生成電漿極紫外線腔室的系統、方法與裝置 Download PDF

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Description

用於具有熱壁及冷收集器鏡之雷射生成電漿極紫外線腔室的系統、方法與裝置 相關申請案之相互參考
本申請案主張建檔於2010年3月16日且標題為“用於具有熱壁及冷收集器鏡之雷射生成電漿極紫外線腔室的系統、方法與裝置”之美國實用專利申請第12/725167號案的優先權，並且同時也主張建檔於2009年4月9日且其標題為“極紫外線光輸出”之美國暫定專利申請第61/168033號案的優先權，其整體內容併入此處作為參考。本申請案同時也主張建檔於2009年4月9日且標題為“用於具有熱壁及冷收集器鏡之雷射生成電漿極紫外線腔室的系統、方法與裝置”之美國暫定專利申請第61/168012號案的優先權，其整體內容併入此處作為參考。本申請案同時也主張建檔於2009年4月9日且其標題為“用於微滴捕捉器以防止極紫外線產生腔室內回濺之系統、方法與裝置”之美國暫定專利申請第61/168000號案之優先權，其整體內容亦併入此處作為參考。
本發明係有關用於具有熱壁及冷收集器鏡之雷射生成電漿極紫外線腔室的系統、方法與裝置。
 發明背景
本發明一般係有關雷射生成電漿極紫外線之系統、方法與裝置，並且尤其是，有關用於雷射生成電漿極紫外線系統中之微滴管理的系統、方法與裝置。
雷射生成電漿(LPP)極紫外線(EUV)系統藉由以雷射源照射一電漿靶材的微滴而產生電漿。該產生的電漿以所需的波長放射光，在這實例中，極紫外線EUV，例如，較小於大約50奈米波長並且包含是在大約13.5奈米附近或較小之波長的光。
遺憾地，照射電漿靶材之微滴可能導致來自該微滴之殘粒。該殘粒可能被沈積在收集器鏡上以及極紫外線腔室的其他內部表面上。被沈積在收集器鏡上之殘粒可能降低極紫外線光輸出數量。
進一步地，一些靶材之微滴不被雷射源照射並且結果可能產生濺污以及其他的細微粒以及可能沈積在雷射生成電漿腔室內部表面上之殘粒。
鑑於上面之所述，需要提供在雷射生成電漿極紫外線腔室中之操作程序期間所產生的細微粒以及殘粒之較佳控制。
 發明概要
一般說來，本發明可藉由提供一雷射生成電漿極紫外線系統中之改進的極紫外線光腔室而滿足這些需求。應了解，本發明可以許多的方式被實施，包括如一處理程序、一裝置、一系統、電腦可讀取媒體、或一設備。本發明許多的發明實施例將在下面被說明。
本發明一實施例提供一極紫外線光腔室，該極紫外線光腔室包括一收集器、一冷卻系統(其被耦合至該收集器背部且可操作以冷卻收集器之反射表面)、以及耦合至該極紫外線光腔室之一緩衝氣源。
該腔室同時也可包含被耦合至該極紫外線光腔室的一靶材凝集器系統。該腔室同時也可包括被安置在該收集器以及極紫外線光腔室之一輸出之間的多數個緩衝板。該腔室同時也可包含被耦合至該緩衝板之至少一部份的一熱源。該熱源可加熱至少一部份的緩衝板至大於收集器反射表面之溫度。該熱源可加熱至少一部份的緩衝板至靶材之融化溫度。
該等緩衝板各者之至少第一部份可大致地對齊於一照射區域。該等緩衝板之至少一者的至少一第二部份大致地不對齊於該照射區域。該等緩衝板可在一傳送區域的一邊緣開始並且該等緩衝板延伸至該極紫外線光腔室之一內部表面。該等緩衝板各是與一相鄰緩衝板分隔開一對應的間隔。在相鄰緩衝板之間各對應的間隔可具有相等的寬度或不同的寬度。
該腔室同時也可包括被耦合至極紫外線光腔室之一靶材凝集器系統。該靶材凝集器系統可包括耦合至該極紫外線光腔室的一真空源。
本發明另一實施例提供一極紫外線光腔室，該腔室包括一收集器以及多數個被安置在該收集器以及該極紫外線光腔室的一輸出之間的緩衝板。各緩衝板之至少一第一部份是大致地對齊於一照射區域並且多數緩衝板的至少一者之至少一第二部份是大致地不對齊於該照射區域。
本發明另一實施例提供一種產生一極紫外線光的方法，該方法包括下列步驟：自極紫外線雷射腔室中之一微滴產生器輸出靶材之微滴；將一雷射源聚焦在一照射區域中該等微滴之所選擇的一者上；照射該等多數個微滴之該選擇的一者；將自該被照射之微滴所放射的一極紫外線光收集在一收集器中；該收集器之一反射表面被冷卻；一靶材殘量被沈積在收集器反射表面上；靶材殘量自該被照射的微滴被放射；將一含氫氣體注入該極紫外線雷射腔室內並且在該收集器反射表面上之第一數量的靶材殘量被轉換成為一氫化物並且該第一數量之靶材殘量的氫化物自收集器反射表面被蒸發；該第一數量的靶材殘量之蒸發的氫化物自該極紫外線雷射腔室被移除。
該方法同時也可包括收集安置在該收集器鏡以及該極紫外線雷射腔室的一輸出之間的多數個緩衝板上之一第二數量的靶材殘量。該方法同時也可包括加熱該等多數個緩衝板之至少一部份至該靶材殘量之一融化溫度。液化的靶材殘量可在靶材凝集器系統中被捕捉。
該方法同時也可包括下列步驟：將極紫外線雷射腔室之非關鍵性內部表面加熱至較大於該收集器反射表面溫度之溫度。該極紫外線雷射腔室之非關鍵性內部表面包括除了收集器之外的表面。將第一數量之靶材殘量所蒸發的氫化物自該極紫外線雷射腔室予以移除之步驟可包括分解在該極紫外線雷射腔室之被加熱的非關鍵性內部表面上之蒸發的氫化物。
該方法同時也可包括將極紫外線雷射腔室非關鍵性內部表面加熱至等於或大於靶材殘量之融化溫度的溫度。該液化靶材殘量可在靶材凝集器系統中被捕捉。
本發明另一實施例還提供一種產生一極紫外線光之方法，該方法包括下列步驟：自一極紫外線雷射腔室中之微滴產生器輸出靶材之微滴；將一雷射源聚焦在一照射區域中多數個微滴之所選擇的一者上；照射該等多數個微滴之該選擇的一者；將自該等被照射的微滴所放射的一極紫外線光收集在一收集器中並且收集被安置在該收集器和該極紫外線雷射腔室的一輸出之間的一組緩衝板上之一數量的靶材殘量。
本發明之其他論點以及優點將自下面的詳細說明、配合相關附圖、作為範例展示之本發明原理而更明顯。
圖式簡單說明
本發明將藉由下面配合相關附圖之詳細說明而容易地了解。
第1圖是依據揭示內容實施例的一雷射-生成-電漿極紫外線光源之分解圖。
第2A圖是依據揭示內容實施例之可被使用於此處所說明的一些或所有實施例中之簡化式靶材分配器構件的分解圖。
第2B和2C圖是依據揭示內容實施例在一極紫外線腔室中一些構件之更詳細的分解圖。
第3圖是依據揭示內容實施例展示在產生極紫外線所 進行之操作方法的流程圖。
第4圖是依據揭示內容實施例展示在移除收集器鏡上之細微粒所進行的操作方法之流程圖。
第5A-5F圖展示依據揭示內容實施例之一極紫外線腔室中的一中間導管緩衝板組件圖式。
第6圖展示依據揭示內容實施例之一極紫外線腔室中的一中間導管緩衝板組件圖式。
第7圖是展示依據揭示內容實施例在捕捉以及移除緩衝板組件中之第三部份細微粒所進行的操作方法之流程圖。
第8圖是依據揭示內容實施例之包括極紫外線腔室的整合系統之方塊圖。
 較佳實施例之詳細說明
接著將說明用以捕捉在一雷射生成電漿極紫外線系統中未使用的微滴之改進接口系統及方法的一些實施範例。熟習本技術者應明白，本發明可被實施而不需此處設定的一些或所有特定細節。
一雷射生成電漿技術涉及產生一靶材微滴流並且以光脈波，例如，零個、一個或多個前脈波之後接著一主要脈波，照射一些或所有的微滴。更理論性說，雷射生成電漿光源藉由將光或雷射能量沉積進入具有至少一個極紫外線放射元素(例如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))的靶材中以產生具有幾十個電子伏特(eV)的電子溫度之一高度離子化電漿之方式而產生極紫外線發射。在這些離子的降激過程和再結合期間所產生之能量幅射於所有方向自電漿被放射。
一接近正交入射鏡(一“收集器鏡”)被置放在離開電漿一相對短的距離(例如，10-50公分)，以收集、引導以及聚焦該極紫外線光至一中間的位置或焦點。在晶圓照相平版印刷製程中，該收集的極紫外線光接著可自該中間位置被轉送至一組光學掃描器並且最後至一目標，例如，一半導體晶圓。
該收集器鏡包括一精緻且相對昂貴之多層塗層以有效地反射極紫外線光。保持該收集器鏡表面相對地乾淨以及保護該表面使無不需要電漿產生的殘粒是極紫外線光源開發者面對之挑戰。
在一配置範例，其是目前在中間位置以產生大約100W為目標所發展者。一脈動、聚焦的10-12kW二氧化碳驅動雷射(或其他適當的雷射，例如，一準分子雷射)是與一微滴產生器同步以連續地放射每秒大約10,000-200,000錫微滴。就相對長的時間週期之時序和位置上而論，這配置需要相對高的重覆率(例如，10-200千赫或更高)以產生穩定的微滴流並且以高精確度以及良好的重複性而將該等微滴傳送至一照射位置。
第1圖是依據所揭示內容的實施例之雷射-生成-電漿極紫外線光源20的分解圖。雷射生成電漿光源20包括用以產生一串列之光脈波且將該光脈波傳送進入一極紫外線腔室26中之一光脈波產生系統22。各光脈波23自光脈波產生系統22沿著一光束路徑行進並且進入極紫外線腔室26中以照射在照射區域28之一分別的目標微滴。
供第1圖所展示的光脈波產生系統22中所使用之適當的雷射，可包括一脈波雷射裝置，例如，一脈衝氣體放電二氧化碳雷射裝置，該脈衝氣體放電二氧化碳雷射裝置，例如，利用直流電或射頻激發，以相對高功率，例如，大約為10千瓦或較高以及高脈波重覆率(例如，大約50千赫或更多)操作而產生大約9.3微米或大約10.6微米之射線。在一特定實作例中，光脈波產生系統22中之雷射可以是一軸流式射頻泵送二氧化碳雷射，該軸流式射頻泵送二氧化碳雷射具有多數個放大級之MOPA組態以及具有一種子脈衝，其可藉由，例如，以100千赫操作之低能量以及高重覆率的一Q-切換式主震盪器(MO)被啟動。由於該主震盪器，雷射脈波接著可在抵達照射區域28之前被放大、成形、並且被聚焦。
連續泵送二氧化碳放大器可被使用於光脈波產生系統22中。例如，具有一震盪器以及三個放大器(O-PA1-PA2-PA3組態)之適當的二氧化碳雷射裝置被揭示在2008年10月21日頒佈之共有的美國專利第7439530號案中，其標題為“雷射生成電漿極紫外線光源驅動雷射系統”，其整體內容將配合此處作為參考。
另外地，光脈波產生系統22中之雷射可被組態如所謂的“自我標定”雷射系統，於其中該微滴被視為光學腔室之一鏡子。在一些“自我標定”配置中，一主震盪器可以不是必需的。自我標定雷射系統被揭示在2009年2月17日頒佈之共有的美國專利第7491954號案中，其標題為，“用於極紫外線光源之驅動雷射傳送系統”，其整體內容將配合此處作為參考。
依據本申請，其他型式的雷射同時也可適用於光脈波產生系統22中，例如，以高功率和高脈波重覆率操作之準分子或分子氟雷射。其他範例包括：固態雷射，例如，具有纖維材質、棒狀或碟狀之作用媒體；MOPA組態準分子雷射系統，例如，如於美國專利第6625191、6549551、及6567450號案之展示，其整體內容將配合此處作為參考，一準分子雷射具有一個或多個腔室，例如，一震盪器腔室以及一個或多個放大腔室(平行或串接的放大腔室)，一主震盪器/功率震盪器(MOPO)配置，一主震盪器/功率環式放大器(MOPRA)配置，一功率震盪器/功率放大器(POPA)配置，或種入一個或多個準分子或分子氟放大器或震盪器腔室之一固態雷射。其他的設計也是可行的。
再次參看至第1圖，極紫外線光源20同時也可包括一靶材傳送系統24，例如，傳送一靶材之微滴進入照射區域28之腔室26內部，其中微滴102A、102B將與一個或多個光脈波23相互作用，例如，一個或多個前脈波以及隨後的一個或多個主脈波，以終極地產生一電漿並且產生一極紫外線放射物34。極紫外線腔室26保持在接近真空(例如，在大約50mT和1500mT之間)以供電漿之形成。靶材可包括，但不是必然地受限定於，例如，包括錫、鋰、氙等等，或其結合之一種材料。該極紫外線放射元素，例如，錫、鋰、氙等等，可以是包括在液態微滴102A、102B之內的液態微滴及/或固態微粒形式。
作為範例，該錫元素可被使用，如純錫，如錫化合物，例如，四溴化錫(SnBr4 )、二溴化錫(SnBr2 )、四氫化錫(SnH4 )，如錫合金，例如，錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金、或其結合。依據所使用之材料，靶材可以各種溫度被呈現至照射區域28，包括室溫或接近室溫(例如，錫合金，四溴化錫)，或在一提高的溫度(例如，純錫)，或在室溫之下的溫度(例如，四氫化錫)，以及在一些情況中，可以是相對的易揮發，例如，四溴化錫。更多關於雷射生成電漿極紫外線光源中的這些材料之使用的詳細說明被提供在2008年12月18日頒布之共有的美國專利第7465946號案中，其標題為，“用於極紫外線光源之不同燃料”，其內容配合此處作為參考。
進一步地參看至第1圖，極紫外線光源20包括一收集器鏡30。收集器鏡30是一接近正交入射角收集器鏡，該鏡具有一扁長球體型之反射表面(亦即，對其主軸轉動之橢圓)。其實際形狀以及幾何形狀當然是可取決於腔室尺度和聚焦位置而改變。在一個或多個實施例中，收集器鏡30可包括依層次之多階層塗層。該層次之多階層塗層可包括鉬和矽之交錯層，並且在一些情況中，可包括一個或多個高溫擴散障壁層、平滑層、覆蓋層及/或蝕刻阻止層。
收集器鏡30同時也包括一孔口32。該孔口32允許利用光脈波產生系統22產生的光脈波23通過而至照射區域28。收集器鏡30可以是一扁長球體型鏡，該鏡具有在照射區域28之內或接近該照射區域的第一聚焦點以及在中間區域40的第二聚焦點。極紫外線光34自極紫外線光源20在或接近中間區域40處被輸出並且利用極紫外線光34被輸入至裝置42。作為範例，接收極紫外線光34之裝置42可以是一積體電路平版印刷工具。
應了解，其他光學也可代替該扁長球體型鏡30被使用以供收集以及引導極紫外線光34至一中間位置而依序地利用極紫外線光傳送至一裝置。作為範例，該收集器鏡30可以是對其主軸轉動之拋物線狀體。另外地，收集器鏡30可被組態以將具有一環形截面的一光束傳送至中間位置40(例如，建檔於2006年8月16日之待決美國專利申請第11/505177號案，其標題為“極紫外線光鏡”，代理人號碼2006-0027-01，其內容將配合此處作為參考)。
極紫外線光源20同時也可包括一極紫外線控制器60。極紫外線控制器60可包括一點燃控制系統65以供觸發光脈波產生系統22中之一個或多個照射燈及/或雷射裝置以因而產生供傳送進入腔室26之光脈波23。
極紫外線光源20同時也可包括一微滴位置檢測系統，該系統包括一個或多個微滴成像裝置70。微滴成像裝置70可使用CCD或其他成像技術及/或提供指示相對於照射區域28之一個或多個微滴102A、102B的位置及/或時序之輸出的背光頻閃觀測儀照明及/或光簾以捕捉影像。成像裝置70被耦合至並且輸出微滴位置以及時序資料至一微滴位置檢測回授系統62。微滴位置檢測回授系統62可計算一微滴位置以及軌道，因而可自其中計算一微滴誤差。該微滴誤差可依據一微滴之微滴基本成分或平均微滴資料被計算。微滴位置誤差接著可被提供作為至極紫外線控制器60的輸入。極紫外線控制器60可提供一位置、方向及/或時序修正信號至光脈波產生系統22以控制光源時序電路及/或控制光束位置以及成形系統以改變被傳送至照射區域28之腔室26中之光脈波軌道及/或聚焦功率或焦點。
極紫外線光源20同時也可包括一個或多個極紫外線度量衡儀器以供量測利用光源20所產生的極紫外線光之各種性質。這些性質可包括，例如，強度(例如，總強度或在一特定頻帶之內的強度)、頻寬、極化度、光束位置、指示等等。對於極紫外線光源20而言，儀器可被組態，以當下游工具(例如，晶圓製版技術光掃描器)是正連線被使用時，可操作，例如，使用一選截鏡以取樣一部份的極紫外線輸出，或取樣“未收集”的極紫外線光，及/或當下游工具(例如，晶圓製版技術光掃描器)是離線時，該等儀器亦可操作，例如，量測極紫外線光源20之整體的極紫外線輸出。
極紫外線光源20同時也可包括一微滴控制系統90，其可反應於來自極紫外線控制器60的一信號(在一些實作例中，其可包括上述之微滴誤差，或從該處導出的一些數量)，而操作，例如，用以修改來自一靶材分配器92之靶材的釋出點及/或修改微滴形成時序，以更正微滴102A、102B到達所需照射區域28的誤差及/或藉由光脈波產生系統22使微滴102A、102B的產生同步化。
第2A圖是依據所揭示內容之實施例的一簡化式靶材分配器92之構件分解圖，該分配器92可被使用於此處說明的一些或所有上述實施例中。靶材分配器92可包括保持靶材96之流體形式的一導管或貯存器94。流體靶材96可以是一液體，例如，在一壓力P之下的融化金屬(例如，融化的錫)。貯存器94可包括一洞孔98而允許該加壓的流體靶材96流經洞孔98以建立一連續的液流100。該連續液流100接著分成微滴102A、102B之液流。靶材分配器92可進一步地包括一子系統，該子系統具有可操作耦合至流體靶材96及/或洞孔98之一可電致動元件104以及驅動該可電致動元件104的信號產生器106以在流體中產生一擾流。
更多關於各種微滴分配器組態以及它們相對優點之詳細說明可被發現在建檔於2008年6月19日之待決美國專利申請第12/214736號案中，其標題為“用於雷射生成電漿極紫外線光源中之靶材傳送的系統與方法”，其代理人號碼是2006-0067-02；建檔於2007年7月13日之美國專利申請第11/827803號案中，其標題為“具有使用調變擾流波生成之微滴流的雷射生成電漿極紫外線光源”，其代理人號碼是2007-0030-01；建檔於2006年2月21日之待決美國專利申請第11/358988號案，其標題為“具有前脈波之雷射生成電漿極紫外線光源”，其代理人號碼是2005-0085-01；頒佈於2008年7月29日之共有美國專利第7405416號案，其標題為“用於極紫外線電漿來源目標傳送之方法與裝置”；以及頒佈於2008年5月13日之共有美國專利第7372056號案，其標題為“雷射生成電漿極紫外線電漿來源材料目標傳送系統”，其整體內容將配合此處作為參考。
微滴102A、102B之直徑是在大約20和100微米之間。微滴102A、102B藉著將靶材96加壓經由洞孔98而被生成。藉由範例，在一實施例中，洞孔98可具有較小於大約50微米之直徑。微滴102A、102B以大約每秒30至70米之速率被射出。由於微滴102A、102B之高速率，微滴維持在近乎直線的微滴路線209上並且不打擊在收集器鏡30上，而不論微滴流程是否以水平地、垂直地、或以一些其他的方向被生成。在一實施例中，不是所有藉由靶材分配器92以連續模式被生成的微滴102A、102B被使用於電漿產生中。如果極紫外線源藉由較少於100%之工務週期而工作，則一部份之微滴102c將通過照射區域28並且隨後被收集。如果未使用的微滴102c被允許衝擊極紫外線源腔室的相對壁面，則它們將產生在廣泛的空間散佈區域上之大量快速移動的碎粒。這些碎粒231的主要部份將被沈積在極紫外線收集器鏡30以及診斷埠與裝置70上，因此影響它們的性能。
殘量之另一來源是照射區域28。當以強烈的光脈波照射微滴102A、102B時，微滴102A、102B在一側上被加熱因而導致快速之非對稱的材料膨脹以及極紫外線光射線230。如上所述地，極紫外線光射線230被收集在收集器鏡30中。因膨脹結果，當微滴102A、102B自靶材分配器92被輸出時，一主要數量的微滴材料以可與微滴102A、102B速率比較的速度在遠離光脈波23之方向被加速。這材料行進而遠離照射區域28，直至這材料打擊一些表面為止，在該點上，其可在各種方向被反射或被回濺。該回濺的靶材231可被沈積在收集器鏡30上。
第2B和2C圖是依據被揭示內容的實施例之在極紫外線腔室中的一些構件之更詳細的分解圖。如上所述地，靶材分配器92輸出微滴102A、102B之一液流，但不是所有的微滴被照射(亦即，被使用)以產生極紫外線34。作為範例，未使用的微滴102C不被進入的光脈波23所照射。
未使用的微滴102C在第一接口210中被捕捉，以便在極紫外線腔室26之內使未使用微滴的任何回濺最小化。回濺236可以是細微粒或液體微滴的形式。未使用的微滴102C打擊第一接口210之底部211。細微粒236可自該底部反射多次且離開第一接口210之壁面，並且一部份之細微粒222，如於第2C圖之展示，可跑回進入極紫外線腔室26中且一部份的細微粒231可沉積在各種表面上，例如，在收集器鏡30上。細微粒220以陰影方式被展示以展示一些被接口210所捕捉或被阻止的細微粒之回濺。
第一接口210可以是具有圓形、橢圓形、卵形、矩形、正方形，或任何其他適當的形狀之截面之一延伸的通管。如於第2C圖之展示，第一接口210包括朝向靶材分配器92之方向的一開口端224。開口端224可以是大致地以微滴路線209為中心。第一接口210同時也包括一中心線223，將在下面更詳細地說明，該中心線223可以或不用對齊於微滴路線209。
回濺可藉由使用具有一相對大的縱橫比L/W之第一接口210而被降低或使最小化，其中該縱橫比L/W，例如，較大於大約3並且最好是較大於大約8，其中L是第一接口之長度且W是垂直於L之第一接口的最大內部尺度。如所展示地，在打擊第一接口210的內壁之後，未使用的微滴102c隨即降低它們的速率且該等未使用的微滴可在第一接口被捕捉。
如於第2B圖之展示，被照射之微滴同時也可在被照射之後產生細微粒232。細微粒232可被分佈在極紫外線腔室26四周。一部份之細微粒231可被沈積在收集器鏡30上。一部份之細微粒232可在選擇性的第二接口240中被捕捉。第一接口210和第二接口240同時也可被加熱或被冷卻。
第一及第二接口210、240的部分或全部，可具有雙重壁面。在雙重壁面之間的間隔可被充填著，或被設計以通過一種或多種熱換流體，例如水、錫、鎵、錫-鎵合金，等等，以供用於接口210、240之有效的熱量管理(亦即，加熱或冷卻)。
第3圖是依據被揭示內容之實施例，其展示在產生極紫外線34中被進行之操作方法300的流程圖。此處展示之操作只是範例，應了解，一些操作亦可具有附屬之操作，並且在其他的實例中，此處所說明之某些操作亦可不被包括在所展示的操作中。考慮到這點，接著方法與操作300將被說明。
在操作305中，一光脈波23被引導至極紫外線腔室26中的照射區域28。在操作310中，微滴102A、102B微滴流中被選擇的一者被傳送至照射區域28之時間是大致地相同於操作315中之光脈波23抵達照射區域以及極紫外線光34自被照射的微滴所產生之時間。
在操作320中，第一部份的細微粒231、第二部份的細微粒232以及第三部份的細微粒233被驅離被照射的微滴。第一部份的細微粒231被驅逐出照射區域28並且接近收集器鏡30。第二部份之細微粒232被驅逐出照射區域28並且接近接口210、240。第三部份之細微粒233被驅逐出照射區域28並且接近極紫外線腔室26之第二區域235B。極紫外線腔室26被分成為一主要區域235A以及一第二區域235B。主要區域235A包括收集器鏡30以及照射區域28。第二區域235A包括在出口40A以及照射區域28之間的極紫外線腔室26之部份。
在操作325中，第二部份的細微粒232以及微滴102A、102B之微滴流的未使用微滴102C如上述地在第一及/或第二接口210、240中被捕捉。捕捉第二部份的細微粒232以及未使用的微滴102C大致地限制細微粒和微滴236之任何回濺。
在操作330中，第一部份之細微粒231收集在收集器鏡30上。在操作335中，第三部份之細微粒233打擊在極紫外線腔室26之第二區域235B中的任何表面上。
第三部份的細微粒233被分成為第四部份233A以及第五部份233B。在操作340中，第四部份之細微粒233A打擊以及收集在極紫外線腔室26第二區域235B中的表面236A上。在操作345中，第五部份的細微粒233B打擊在極紫外線腔室26第二區域235B中之表面235A上並且反射而離開該處。在操作350中，第五部份的微粒233B最後經過出口40A而離開極紫外線腔室26。
在操作355中，來自照射區域28之極紫外線利用鏡收集器30被收集。在操作360中以及在操作365中，鏡收集器30將極紫外線34聚焦至一中間位置40，來自極紫外線腔室之極紫外線34經過出口40A被輸出並且操作方法可結束。
第4圖是依據揭示內容之實施例，其展示在收集器鏡30上移除細微粒231所進行之操作方法400的流程圖。此處展示之操作只是範例，應了解，一些操作亦可具有附屬的操作並且在其他實例中，此處說明的某些操作可以不被包括在所展示的操作中。考慮到這點，接著將說明方法與操作400。
在操作405中，一蝕刻劑及/或緩衝氣體被引介進入極紫外線腔室26中。作為範例，氬(Ar)、氦(He)及/或氫(H)緩衝氣體可被包括在極紫外線腔室26中以減速或停止藉由電漿放射之快速離子以及細微粒231，因而使快速離子和細微粒231不至於損害收集器鏡30。氫氣，並且尤其是氫自由基可被使用於清潔/蝕刻極紫外線腔室26中之光學表面。極紫外線腔室內部之氫氣壓力可以是在大約300至大約800mT之間並且流進以及流出極紫外線腔室之氣體是在每分鐘大約50以及大約100標準公升(SLM)之間。
在操作410中，光脈波23是指向極紫外線腔室26中之照射區域28。在操作415中，微滴102A、102B微滴流之所選擇的一者被傳送至照射區域28之時間是大致地相同於操作420中之光脈波23抵達照射區域以及電漿自照射的微滴所產生之時間。照射該微滴產生之靶材殘量包括微滴碎粒和微粒231、232、233以及自照射區域28往外被放射之快速移動離子。
在操作425中，緩衝氣體與電漿以及快速移動離子及極紫外線光34光子互相作用並且產生氫自由基。在操作430中，包括一些快速移動離子之第一部份的細微粒231被驅逐離開照射區域28中被照射的微滴並且接近收集器鏡30。在操作435中，包括一些快速移動離子之第一部份的細微粒231收集在收集器鏡30表面上，因而降低收集器鏡之反射能力。
在操作440中，收集器鏡30被冷卻至較低於極紫外線EUV腔室之其他內部表面的溫度。該收集器鏡30被冷卻至低於大約攝氏50度或更冷。四氫化錫之形成以及消滅是與溫度相關的。對於較高的溫度，形成速率減慢且消滅速率增加。再次聲明地，在較熱表面上的錫是較不可能與氫結合以形成四氫化錫氣體並且接近熱表面之四氫化錫是更可能裂開(亦即，分解)成為錫以及氫氣以將錫沉積在熱表面上並且釋出氫成為氫氣體。因此，當收集器鏡30溫度增加時，則錫之移除速率減低。相反地，當收集器鏡30溫度被降低時，沈積錫的移除速率增加。進一步地，其餘內部表面(例如，導管壁面以及緩衝板)之較高的相對溫度降低自那些表面的錫移除率。在較冷的收集器鏡30以及相對較熱的導管壁之間的溫度差量導致錫經由四氫化錫自較冷之收集器鏡30輸送至較熱的導管壁。可能更重要地，這溫度差異大致地防止錫藉由四氫化錫自導管壁輸送至收集器鏡30。
作為範例，收集器鏡30可包括用以冷卻收集器鏡30背部之一背部冷卻機構。收集器鏡30背部是相對於被使用以收集以及反射極紫外線光34之收集器鏡的部份。背部冷卻機構可包括一冷卻外罩30A，該外罩被耦合至用以使一冷卻流體經由冷卻鏡外罩30A而循環的一冷卻流體源30B。不同地或另外地，一冷卻氣體流30C可自一冷卻氣體源30D被引導向收集器鏡30背部。其他適當的冷卻機構或其組合同時也可被使用。
在操作445中，氫自由基與收集器鏡30表面上之靶材沈積物231起作用並且產生靶材之氫化物。作為範例，如果靶材是錫，則氫自由基是用於錫-四氫化物(四氫化錫)。在操作450中，靶材之氫化物以氣體方式退出收集器鏡表面。在沒提高溫度(例如，較低於大約攝氏50度)，氫化物反應更快的繼續進行。對於錫靶材之反應是：
錫(固態)+氫自由基>>四氫化錫(氣體)。
再次參看至極紫外線腔室26中包括錫之靶材的範例，錫-四氫化物(四氫化錫)可吸收極紫外線光34並且可在極紫外線腔室中表面上分解而再沉積錫。因此，在極紫外線腔室26中靶材氫化物數量的降低將改進極紫外線光34之輸出。在操作455中，極紫外線腔室26中之非關鍵性表面被保持在比收集器鏡30之溫度較高的溫度，以便在操作460中，促進靶材氫化物之分解並且將靶材沉積在非關鍵性表面上。非關鍵性表面包括腔室壁26A、235A以及不包括光學或檢測器的其他表面。
作為範例，非關鍵性表面26A、235A可被保持在靶材融化點之上(例如，對於錫靶材為大約攝氏232度之上)。保持非關鍵性表面26A、235A在靶材融化點之上將在一選擇性的操作465中允許形成液體靶材。在操作470中，液體靶材接著可自非關鍵性表面26A、235A使用重力流、濕氣等等被移除且移出靶材凝集器系統237中之極紫外線腔室26，並且操作方法可結束。
如上所述地，在第3圖之操作345和350中，第五部份之細微粒233B打擊在極紫外線腔室26之第二區域235B中之表面235A上以及自該表面235A反射出去並且最後經由出口40A離開極紫外線腔室26。當第五部份之細微粒233B經由出口40A離開極紫外線腔室26時，第五部份的細微粒233B可能污染其後使用極紫外線光34的處理裝置42。當極紫外線光路線246是在大致地垂直方向時，這污染可能被惡化，並且當極紫外線光路線246是在大致地垂直方向且其後的處理裝置42是在極紫外線腔室26之下以至於重力協助第五部份之細微粒233B的行進及脫離時，這污染將特別地被 惡化。
第5A-5F圖展示依據揭示內容之實施例，在極紫外線腔室26中之一中間導管緩衝板組件500。第5A圖是中間導管緩衝板組件500之側面分解圖。第5B圖是中間導管緩衝板組件500之更詳細的側面分解圖。第5C圖是中間導管緩衝板組件500之透視圖。第5D圖是中間導管緩衝板組件500之側視圖。第5E圖是中間導管緩衝板組件500之截面圖。第5F圖是中間導管緩衝板組件500之進一步的詳細之側面分解圖。
首先參看至第5A圖，緩衝板組件500被安置在極紫外線腔室26之中間導管區域235’中。極紫外線腔室26之第二區域235被分成二個部份：中間導管區域235’以及一尾部導管區域235”。中間導管區域235’開始於照射區域28且朝向極紫外線腔室26之出口40A延伸。尾部導管區域235”在中間導管區域235’以及極紫外線腔室26出口40A之間延伸。中間導管區域235’以及尾部導管區域235”不具有特定長度並且因此中間導管區域235’可大致地包括極紫外線腔室26的所有第二區域235。
緩衝板組件500包括一串列之通路以及結構(將在下面更詳細地被說明)，該等通路以及結構大致地接收、減速以及捕捉當一微滴在照射區域28中被照射時所產生的所有第三部份之細微粒233。緩衝板組件500可自照射區域28以及收集器鏡30延伸至中間位置40或極紫外線腔室26之第二區域235之任何部份。同時緩衝板組件500可自照射區域28以及收集器鏡30延伸至中間位置40，緩衝板組件不阻止或阻擋該極紫外線光34自收集器鏡30經由一個三維、圓錐形之傳送區域502傳送至中間位置40。
緩衝板組件500中之通路可開始於傳送區域502之邊緣504A、504B，且緩衝板組件500中之通路延伸至極紫外線腔室26之內部表面235C。下面將更詳細地說明在緩衝板組件500中之通路以及形成其之結構的實施範例。參看至第5C圖，緩衝板組件500以三維繪圖形式被展示。緩衝板組件500是圍繞著但不是突出進入傳送區域502之一串列的同心緩衝板500A-500H。緩衝板組件500大致地自傳送區域502的邊緣504A、504B延伸至腔室內部表面235C。
參看至第5B和5F圖，緩衝板組件500以展示該串列之同心緩衝板500A-500H的側面圖方式被展示。第一部份之緩衝板500A、500H是單階緩衝板且第二部份之緩衝板500B-500G是多階緩衝板。單階緩衝板500A、500H具有一啟始對應緩衝板角度αA、αH，其在接近傳送區域502的邊緣504A、504B以及極紫外線腔室26之內部表面235C的緩衝板組件500末端之間是相同的。啟始對應緩衝板角度αA、αH可大致地對齊單階緩衝板500A、500H與照射區域28。
單階緩衝板500A是具有角度，以至於它們至極紫外線腔室壁面235C的附著點對齊於利用第一部份相鄰緩衝板被形成的一陰影部份。此一角度大致地防止壁面直接地對於來自照射區域28的微滴碎粒之任何直線暴露。微滴碎粒(例如，細微粒)因此必須首先打擊緩衝板中之第一階，因此在抵達壁面235C之前損失能量。藉由在微滴碎粒衝擊極紫外線腔室壁235C之前使微滴碎粒轉向離開一緩衝板之至少一表面以降低能量，將降低使微滴碎粒轉向離開極紫外線腔室壁並且返回收集器鏡30之可能性。進一步地，在抵達收集器鏡30之前，任何微滴碎粒之折向也必須彈跳離開緩衝板表面至少一次，因此進一步地降低能量以及增加微滴碎粒將黏貼在緩衝板500A-500G表面並且不返回至收集器鏡30之可能性。
多階緩衝板500B-500G具有多數個對應的緩衝板角度αB-αG以及θB-θG，以至於多階緩衝板之角度在傳送區域502的邊緣504A、504B以及極紫外線腔室26內部表面235C之間改變。對應的啟始緩衝板角度αB-αG可大致地對齊對應的第一部份500B’-500G’之緩衝板500A-500H與照射區域28，如利用自照射區域朝向各個緩衝板500A-500G延伸之陰影線的展示。對應的第二緩衝板角度θB-θG使得緩衝板500A-500H之對應的第二部份500B”-500G”遠離照射區域28形成角度，以便促進反射以及捕捉自照射區域被放射的細微粒233。
應了解，由於緩衝板500A-500H被展示為筆直且甚至是多數個筆直的部份，如第5B圖展示之曲型緩衝板501D-501H可被使用。曲型緩衝板501D-501H之曲度可在傳送區域502的邊緣504A、504B以及極紫外線腔室26內部表面235C之間變化。至少一啟始部份的曲型緩衝板501A-501H可大致地對齊於照射區域28。曲線以及筆直的緩衝板部份之組合可被使用或筆直及/或曲線及/或多階緩衝板之組合可被包括在緩衝板組件500中。緩衝板500A-500H可大致均勻地被隔開，如第5C和5E圖之展示，或不規則地被隔開，如第5B和5F圖之展示。
一個或多個部份及/或一個或多個緩衝板500A-500H可如所需地被加熱或被冷卻以改進自照射區域28被放射的細微粒233之捕捉。不同部份的緩衝板500A-500H可如所需依製造性、性能以及耐久性或其他理由而利用不同材料被製造。作為範例，緩衝板500A-500H可利用一種或多種鉬、不鏽鋼(例如，SS-304、316、鈦、鎳、銅或鋁或相似材料)被製造。
緩衝板組件500同時也可包括孔洞或間隔或被移除之選擇的緩衝板部份以提供用於接取診斷檢測器(例如，極紫外線檢測器)、一個或多個針孔攝影機、真空潛望鏡、微滴成像以及檢測和操縱、靶材接口、真空埠、窗口以及用於極紫外線腔室26之接取、設計、構造以及操作所需的任何其他接取。
第6圖展示依據被揭示內容實施例之一極紫外線腔室26中之中間導管緩衝板組件500。第7圖是展示依據被揭示內容實施例之在緩衝板組件500中進行捕捉以及移除第三部份之細微粒233C的操作方法700之流程圖。此處展示之操作是作為範例，如應了解地，一些操作亦可具有附屬操作以及在其他實例中，此處說明的某些操作亦可不被包括在所展示之操作中。考慮到這點，接著將說明方法與操作700。
在操作705中，光脈波23是指向極紫外線腔室26中之照射區域28。在操作710中，微滴102A、102B的微滴流之選擇的一者被傳送至照射區域28的時間是大致地相同於在操作715中之光脈波23抵達照射區域以及一電漿自被照射的微滴所產生的時間。
在操作720中，第三部份的細微粒233(如上面第2B和5A圖所說明者)自照射區域28朝向緩衝板組件500被放射。在操作725中，第三部份之細微粒233打擊在緩衝板500D”上並且在點602朝向緩衝板500E”反射。在操作730中，當細微粒233在點604反射開時，第三部份的細微粒233在緩衝板組件500中被捕捉並且抵達緩衝板500D”和緩衝板500E”之間的間隔605中之部份。
在一選擇性的操作735中，一部份的緩衝板組件500及/或極紫外線腔室可被加熱。部份的緩衝板組件500及/或極紫外線腔室可被加熱，例如，利用加熱裝置622。加熱裝置622可以是任何適當的加熱裝置，例如，加熱裝置622可以是一電阻式加熱裝置或雙重壁面外罩型式加熱裝置或其組合。加熱裝置622可耦合至一加熱裝置控制/來源626，其可提供一電流至一電阻式加熱裝置622或一加熱媒體以經由該雙重外罩加熱裝置622而循環。
在操作740中，累積的細微粒610可被移除至一靶材凝集器系統237。移除累積的細微粒610可包括加熱該累積的細微粒610至融化溫度以及以液體形式移除該累積的細微粒610。該靶材凝集器系統237同時也可包括一真空源而用 於經由收回埠620將該累積的微粒610以固體或液體形式汲取進入靶材凝集器系統237中。
第8圖是依據揭示的內容實施例之包括極紫外線腔室26的整合系統800之方塊圖。整合系統800包括極紫外線腔室26、光脈波產生系統22、採用輸出極紫外線光34之裝置42、以及整合系統控制器810。該整合系統控制器810耦合至極紫外線腔室、光脈波產生系統與採用輸出極紫外線光之裝置42。整合系統控制器810包括或耦合至(例如，經由有線或無線網路812)使用者界面814。使用者界面814提供使用者可讀取輸出以及指示並且可接收使用者輸入且提供使用者接取至整合系統控制器810。
整合系統控制器810可包括一特殊用途電腦或一般用途電腦。整合系統控制器810可執行電腦程式816以監視、控制以及收集且儲存資料818(例如，性能歷史、性能或缺陷分析、操作員日誌以及歷史等等)以供用於極紫外線腔室26、光脈波產生系統22以及裝置42。作為範例，如果收集的資料要求構件之操作調整的話，則整合系統控制器810可調整極紫外線腔室26、光脈波產生系統22及/或裝置42及/或其中的構件(例如，第一接口210及/或第二接口240、靶材分配器92、緩衝板組件500，等等)之操作。
關於上面之實施例，應了解，本發明可採用涉及將資料儲存在電腦系統中的各種電腦實作之操作。這些操作是物理量所需的物理處理之操作。通常，雖然不必然是，這些量採用可儲存、轉移、組合、比較、以及以不同樣方式 被操作之電氣或磁信號形式。進一步地，所進行之處理通常是有關於，例如，產生、辨識、決定或比較。
在此處說明之形成本發明部份的任何操作是有用的機器操作。本發明同時也是有關於用以進行這些操作之一裝置或一設備。該設備可以特殊地被構成以供用於所需的用途，例如，一特殊用途電腦。當定義作為一特殊用途電腦時，該電腦同時也可進行不是特殊用途部份之其他處理、程式執行或例行程序，而仍然可供特殊用途之操作。另外地，該等操作也可被處理，例如，藉由選擇性地利用儲存在電腦記憶體、快取記憶體、或由網路上得到的一個或多個電腦程式被致動或被組態的一般用途電腦被處理。當資料由網路上被得到時，該資料可利用網路上的其他電腦被處理，例如，一大群的計算資源。
本發明之實施例同時也可被定義作為將資料自一個狀態轉換至另一狀態的機器。該被轉換之資料可被儲存在儲存部且接著利用一處理器被操作。該處理器因此將資料自一者轉換至另一者。仍然進一步地，該等方法可藉由一個機器或經由網路連接之多個處理器被處理。各機器可將資料自一種狀態或事物轉換至另一種態樣，並且同時也可處理資料、儲存資料在儲存部、經網路發送資料、顯示結果、或將結果傳至另一機器。
本發明可藉由其他電腦系統組態被執行，該組態包括手持裝置、微處理機系統、微處理機為基礎或可程控的消費者電器、迷你電腦、中央處理機電腦以及其類似者。本發明同時也可在分佈式計算環境中被執行，於其中任務藉著經由網路連接的遠端處理裝置被進行。
本發明同時也可作為電腦可讀取媒體上之電腦可讀取碼而被實施。該電腦可讀取媒體是任何可儲存資料之資料儲存裝置，該儲存之資料可在隨後利用電腦系統被讀取。該電腦可讀取媒體之範例包括：硬碟驅動器、網路附帶儲存部(NAS)、唯讀記憶體、隨機存取記憶體、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD、快閃記憶體、磁帶、以及其他光學與非光學之資料儲存裝置。該電腦可讀取媒體同時也可被分佈在耦合網路之電腦系統上，因而該電腦可讀取碼以分佈之形式被儲存且被執行。
應進一步地了解，在上面圖形中因操作所表示之指令並不需依所展示之順序進行，並且操作所表示之所有的處理程序也不一定是實施本發明所必須的。
為清楚地了解本發明，雖然上面已詳細地說明本發明，但應了解，在本發明附加的申請專利範圍範疇內可進行某些變化以及修改。因此，本發明實施例將被考慮作為展示而不是限定，並且本發明將不受限於此處所給予的說明，而是可在附加申請專利範圍之範疇以及等效範圍內被修改。
20．．．雷射生成電漿光源
22．．．光脈波產生系統
23．．．光脈波
24．．．靶材傳送系統
26．．．極紫外線腔室
28．．．照射區域
30．．．收集器鏡
30A．．．冷卻鏡外罩
30B．．．冷卻流體源
30C．．．冷卻氣體流
30D．．．冷卻氣體源
32．．．孔口
34‧‧‧極紫外線
40‧‧‧中間區域
40A‧‧‧出口
42‧‧‧裝置
60‧‧‧極紫外線控制器
62‧‧‧微滴位置檢測回授系統
70‧‧‧成像裝置
90‧‧‧微滴控制系統
92‧‧‧靶材分配器
94‧‧‧流體貯存器
96‧‧‧保持靶材
98‧‧‧洞孔
100‧‧‧微滴串流
102A‧‧‧微滴
102B‧‧‧微滴
102C‧‧‧未使用微滴
104‧‧‧可電致動元件
106‧‧‧信號產生器
200‧‧‧微滴流
209‧‧‧微滴路線
210‧‧‧第一接口
210‧‧‧第一接口
211‧‧‧接口底部
220‧‧‧細微粒
222‧‧‧細微粒
223‧‧‧中心線
224‧‧‧開口端
230‧‧‧極紫外線光射線
231‧‧‧細微粒
232‧‧‧細微粒
233‧‧‧細微粒
235‧‧‧極紫外線腔室第二區域
235’‧‧‧中間導管區域
235”‧‧‧尾部導管區域
235C‧‧‧極紫外線腔室內部表面
236‧‧‧回濺細微粒
237‧‧‧靶材凝集器系統
240‧‧‧第二接口
300‧‧‧產生極紫外線之操作方法流程圖
305-365‧‧‧產生極紫外線之操作方法流程步驟
400‧‧‧移除細微粒之操作方法流程圖
405-470‧‧‧移除細微粒之操作方法流程步驟
500‧‧‧緩衝板組件
500A-500H‧‧‧同心緩衝板
502‧‧‧傳送區域
504A、504B‧‧‧傳送區域邊緣
605‧‧‧緩衝板間隔
615‧‧‧細微粒
622‧‧‧加熱裝置
626‧‧‧加熱裝置控制
700‧‧‧捕捉及移除細微粒之操作方法流程圖
705-740‧‧‧捕捉及移除細微粒之操作方法流程步驟
800‧‧‧整合系統
810‧‧‧控制器
812‧‧‧網路
814‧‧‧使用者界面
816‧‧‧電腦程式
818‧‧‧資料
第1圖是依據揭示內容實施例的一雷射-生成-電漿極紫外線光源之分解圖。
第2A圖是依據揭示內容實施例之可被使用於此處所說明的一些或所有實施例中之簡化式靶材分配器構件的分解圖。
第2B和2C圖是依據揭示內容實施例在一極紫外線腔室中一些構件之更詳細的分解圖。
第3圖是依據揭示內容實施例展示在產生極紫外線所進行之操作方法的流程圖。
第4圖是依據揭示內容實施例展示在移除收集器鏡上之細微粒所進行的操作方法之流程圖。
第5A-5F圖展示依據揭示內容實施例之一極紫外線腔室中的一中間導管緩衝板組件圖式。
第6圖展示依據揭示內容實施例之一極紫外線腔室中的一中間導管緩衝板組件圖式。
第7圖是展示依據揭示內容實施例在捕捉以及移除緩衝板組件中之第三部份細微粒所進行的操作方法之流程圖。
第8圖是依據揭示內容實施例之包括極紫外線腔室的整合系統之方塊圖。
20．．．雷射生成電漿光源
22．．．光脈波產生系統
23．．．光脈波
24．．．靶材傳送系統
26．．．極紫外線腔室
28．．．照射區域
32．．．孔口
34．．．極紫外線
40．．．中間區域
40A．．．出口
42．．．裝置
60．．．極紫外線控制器
62．．．微滴位置檢測回授系統
70．．．成像裝置
90．．．微滴控制系統
92．．．靶材分配器
102A．．．微滴
102B．．．微滴
102C．．．未使用微滴
200．．．微滴流

Claims (20)

  1. 一種極紫外光腔室，其包括：一具有在一照射區域內之焦點的收集器鏡；一耦合至該收集器鏡之背部的冷卻系統，該冷卻系統可操作以保持該收集器鏡之一反射表面低於50℃；一含有一數量之含錫靶材的靶材分配器系統；一耦合至該極紫外光腔室的緩衝氣源；以及安置在該收集器鏡與該極紫外光腔室的一輸出之間的多數個緩衝板，其中該等多數個緩衝板中之各者的至少一第一部份實質上對齊於該照射區域，且其中該等多數個緩衝板中之至少一者的至少一第二部份實質上不對齊於該照射區域。
  2. 依據申請專利範圍第1項之腔室，其進一步地包括耦合至該極紫外光腔室之一靶材凝集器系統。
  3. 依據申請專利範圍第1項之腔室，其中該等多數個緩衝板中的各者係與該極紫外光腔室之一內部表面接觸。
  4. 依據申請專利範圍第3項之腔室，其進一步地包括耦合至該等多數個緩衝板之至少一部份的一熱源，其中該熱源能夠加熱該等多數個緩衝板之該至少一部份而不加熱該收集器鏡。
  5. 依據申請專利範圍第4項之腔室，其中該熱源能夠將該等多數個緩衝板之至少一部份加熱至大於該收集器鏡之溫度而不加熱該收集器鏡。
  6. 依據申請專利範圍第4項之腔室，其中該熱源能夠將該 等多數個緩衝板之至少一部份加熱至該靶材之熔化溫度。
  7. 依據申請專利範圍第3項之腔室，其中該等多數個緩衝板開始於一傳送區域的一邊緣，並且該等緩衝板延伸至該極紫外光腔室之該內部表面。
  8. 依據申請專利範圍第3項之腔室，其中該等多數個緩衝板中之各者係以多數個間隔中之一對應間隔而與該等多數個緩衝板中之相鄰的一者隔開。
  9. 一種極紫外光腔室，其包括：一收集器鏡；以及安置在該收集器鏡以及該極紫外光腔室的一輸出之間的多數個緩衝板，其中該等多數個緩衝板中之各者的至少一第一部份實質地對齊於一照射區域，並且其中該等多數個緩衝板中之至少一個的至少一第二部份實質上不對齊於該照射區域。
  10. 一種產生極紫外光之方法，其包括下列步驟：自一極紫外線雷射腔室中之一微滴產生器輸出一含錫靶材之多數個微滴；將一來源雷射聚焦在一照射區域中之該等多數個微滴之選擇的一者上；照射在照射區域中之該等多數個微滴中之該選擇的一者；將自經照射之該微滴所放射的一極紫外光收集在一具有在該照射區域內之焦點的收集器鏡中； 保持該收集器鏡之一反射表面低於50℃；沈積一第一數量的靶材殘量在該收集器鏡的該反射表面上，該靶材殘量自經照射的該微滴被放射；將一含氫氣體注入該極紫外線雷射腔室內；轉換該收集器鏡之該反射表面上的該第一數量之靶材殘量的一第一部份成為一氫化物；自該收集器鏡的該反射表面蒸發該第一數量之靶材殘量的該第一部份之該氫化物；自該極紫外線雷射腔室移除該第一數量之靶材殘量的該第一部份之經蒸發的該氫化物；以及該極紫外線雷射腔室包括安置在該收集器鏡與該極紫外線雷射腔室的一輸出之間的多數個緩衝板，其中該等多數個緩衝板中之各者的至少一第一部份實質上對齊於該照射區域，且其中該等多數個緩衝板中之至少一者的至少一第二部份實質上不對齊於該照射區域。
  11. 依據申請專利範圍第10項之方法，其進一步地包括收集安置在該收集器鏡以及該極紫外線雷射腔室的一輸出之間的該等多數個緩衝板上之一第二數量的靶材殘量。
  12. 依據申請專利範圍第11項之方法，其進一步地包括加熱該等多數個緩衝板之至少一部份至該第二數量的靶材殘量之一熔化溫度。
  13. 依據申請專利範圍第12項之方法，其進一步地包括捕捉經熔化的該第二數量之靶材殘量於一靶材凝集器系統中。
  14. 依據申請專利範圍第10項之方法，其進一步地包括加熱該極紫外線雷射腔室的多數個非關鍵性內部表面至大於該收集器鏡之該反射表面溫度的溫度，該極紫外線雷射腔室之該等多數個非關鍵性內部表面包含該收集器鏡之外的表面。
  15. 依據申請專利範圍第14項之方法，其中自該極紫外線雷射腔室將該第一數量的靶材殘量之經蒸發的該氫化物移除之步驟，包含分解在該極紫外線雷射腔室之經加熱的該等多數個非關鍵性內部表面上之經蒸發的該氫化物。
  16. 依據申請專利範圍第10項之方法，其進一步地包括加熱該極紫外線雷射腔室的多數個非關鍵性內部表面至一等於或大於該靶材殘量之一熔化溫度的溫度，該極紫外線雷射腔室之該等多數個非關鍵性內部表面包含除了該收集器鏡之外的表面。
  17. 一種產生極紫外光之方法，其包括下列步驟：自一極紫外線雷射腔室中的一微滴產生器輸出一含錫靶材之多數個微滴；將一來源雷射聚焦在一照射區域中之該等多數個微滴之選擇的一者上；照射在照射區域中之該等多數個微滴之該選擇的一者；將自經照射的該微滴所放射的一極紫外光收集在一收集器鏡中； 保持該收集器鏡低於50℃，該收集器鏡具有一在該照射區域內之焦點；以及收集安置在該收集器鏡以及該極紫外線雷射腔室的一輸出之間的多數個緩衝板上之一數量的靶材殘量，該等多數個緩衝板中的各者係與該極紫外光腔室之一內部表面接觸，其中該等多數個緩衝板中之各者的至少一第一部份實質上對齊於該照射區域，且其中該等多數個緩衝板中之至少一者的至少一第二部份實質上不對齊於該照射區域。
  18. 一種腔室，其包含：配置在該腔室內之一第一表面；一冷卻系統，其可操作來保持該第一表面小於一靶材之一熔化溫度；含有一數量之該靶材的一靶材分配器系統，該靶材之一第一部分沉積在該第一表面之至少一部份上；耦接至該腔室之一含氫氣源；以及含括在該腔室內之一氫自由基產生器，該氫自由基產生器能夠自該含氫氣源產生氫自由基，該等氫自由基能夠與沉積在該第一表面上之該靶材之第一部分起反應，以形成該靶材之一揮發性氫化物。
  19. 一種腔室，其包含：配置在該腔室內之一反光第一表面；一冷卻系統，其可操作來保持該第一表面小於一靶材之一熔化溫度； 含有一數量之該靶材的一靶材分配器系統，該靶材之一第一部分沉積在該第一表面之至少一部份上；耦接至該腔室之一含氫氣源；含括在該腔室內之一氫自由基產生器，該氫自由基產生器能夠自該含氫氣源產生氫自由基，該等氫自由基能夠與沉積在該第一表面上之該靶材之第一部分起反應，以形成該靶材之一揮發性氫化物；以及耦接至配置在該腔室內的一第二表面之一熱源，其中該熱源能夠加熱該第二表面而不加熱該第一表面。
  20. 一種自一表面移除殘留物之方法，其包含下列步驟：保持一第一表面小於一靶材之一熔化溫度，該第一表面配置在一腔室內；將一第一數量之該靶材沉積在該第一表面上；將一含氫氣體注入該腔室；在該腔室內自該含氫氣體產生氫自由基；將該第一表面上之該第一數量之靶材的一第一部分轉換成一氫化物，其中該等氫自由基與該第一數量之靶材的該第一部分起反應以形成該氫化物；及從該第一表面蒸發該第一數量之靶材殘量的該第一部份之該氫化物；以及自該腔室移除該第一數量之靶材殘量的該第一部份之經蒸發的該氫化物。
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