TWI469692B - 用於產生極紫外線之裝置及方法 - Google Patents

用於產生極紫外線之裝置及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI469692B
TWI469692B TW100110591A TW100110591A TWI469692B TW I469692 B TWI469692 B TW I469692B TW 100110591 A TW100110591 A TW 100110591A TW 100110591 A TW100110591 A TW 100110591A TW I469692 B TWI469692 B TW I469692B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber
target material
laser
subsystem
light
Prior art date
Application number
TW100110591A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201143539A (en
Inventor
Abhiram Govindaraju
William N Partlo
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201143539A publication Critical patent/TW201143539A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI469692B publication Critical patent/TWI469692B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

用於產生極紫外線之裝置及方法 技術領域
本發明揭露的標的物係關於高功率極紫外線光源之真空室。
 背景
極紫外(「EUV」)光，舉例而言，具有約50 nm或更短之波長(有時亦稱為軟性X射線)，以及包括波長約13 nm之光線的電磁輻射，可用於光石印術(photolithography)製程，以供在例如矽晶圓的基板中產生極小特徵。
產生EUV光的方法包括但毋須受限於將一材料轉換成具有一例如氙、鋰，或錫之元素的電漿狀態，此元素具有EUV範圍內之發射譜線。在一此類方法中，通常稱為雷射產生電漿(「LPP」)，所需的電漿可藉由利用可稱為驅動雷射之放大光束照射一靶材料來產生，該靶材料為例如材料之液滴、流或團簇的形式。對此方法而言，電漿一般係在例如真空室之密封槽中產生，且使用各種不同形式的計量設備來監測。
輸出波長約10600 nm之放大光束的CO2 放大器及雷射，在LPP製桯中作為驅動雷射照射靶材料時可顯現一些優點。此對於例如含錫材料的一些靶材料而言特別真實。舉例而言，一優點為在驅動雷射輸入功率與輸出EUV功率之間，產生相當高之轉換效率的能力。CO2 驅動放大器及雷射之另一優點為相對長波長光線(例如與198 nm之深UV相較)，自例如已塗覆錫碎屑之反射光學器件的相對粗糙表面反射的能力。此10600 nm輻射的特性可容許反光鏡被應用於近似用於例如轉向、調焦及/或調整放大光束之焦度的電漿。
 發明概要
對一些一般層面而言，一裝置包括一具有增益介質(gain medium)的光源，用於沿著光束路徑產生光源波長之放大光束以照射一室中的靶材料及產生極紫外線；以及一子系統，其覆蓋於至少一部分之該室的一內部表面上，且被建構以降低自內部表面沿著光束路徑返回的具光源波長之光通量。
實施可包括一或多個下述特徵。光源可為雷射光源且放大光束可為雷射光束。
子系統可包括至少一輪葉。該至少一輪葉可被建構成自室壁延伸入放大光束的路徑。該至少一輪葉可具有界定一供放大光束之中心通過的中心開放區域的錐形。
子系統可被建構以將該靶材料之一化合物化學分解為至少一氣體及至少一固體，使得可自室內去除氣體。靶材料化合物可包括氫化錫，且該至少一氣體可為氫，且該至少一固體可為凝結錫。凝結錫可為熔融態。
光源波長可在紅外線波長範圍內。
光源可包括一或多個功率放大器。光源可包括種植一或多個功率放大器的主控振盪器。
子系統可接觸內室表面。子系統可包括在內室表面上的一塗層。該塗層可為抗反射塗層。該塗層可為吸收抗反射塗層。該塗層可為干涉塗層。
在其他一般層面，極紫外線係藉由下述方式產生：在一真空室之內部，在靶位置上製造一靶材料；供應泵能量(pump energy)至一驅動雷射系統中至少一光學放大器的增益介質，藉此產生一光源波長之放大光束；沿著一光束路徑導引該放大光束，藉此照射該靶材料以產生極紫外線；以及降低自該真空室之一內部表面至該光束路徑之一光源波長的光流。
實施可包括一或多個下述特徵。舉例而言，當放大光束越過靶位置且撞擊該靶材料，可收集自該靶材料射出之所產生的極紫外線。
該具光源波長之光通量可藉由沿著不同於光束路徑之路徑導引至少一部分之該放大光束來降低。該具光源波長之光通量可藉由在一室內子系統之二輪葉之間反射至少一部分之該放大光束來降低。
該放大光束可為一雷射束。
該靶材料之一化合物可被化學分解成至少一氣體及至少一固體，使得可自室內去除氣體。該靶材料化合物可藉由化學分解氫化錫成氫及凝結錫而被化學分解。凝結錫可捕集於一室內子系統內，其降低自該真空室至該光束路徑的該具光源波長之光通量。
圖式說明
第1圖為雷射產生電漿極紫外線光源之方塊圖；第2A圖為可使用於第1圖之光源的示範性驅動雷射系統之方塊圖；第2B圖為可使用於第1圖之光源的示範性驅動雷射系統之方塊圖；第3圖為可使用於第1圖之光源的真空室之副室的立體圖；第4圖為可使用於第1圖之光源的包括示範性室內子系統之副室的立體圖；第5圖為第4圖的副室之前視平面圖；第6圖為可合併於第4圖及第5圖之副室的室內子系統之立體圖；第7圖為第6圖之室內子系統的分解立體圖；第8A圖為第6圖及第7圖之室內子系統的立體截面圖；第8B圖為第8A圖之室內子系統的細部立體截面圖；第9A圖為可用於第6圖至第8B圖之室內子系統的輪葉之前視平面圖；第9B圖為第9A圖之輪葉的側視平面圖；第10圖為顯示真空室內放大光束之路徑之第6圖至第8B圖之室內子系統的立體圖；第11圖為第10圖之室內子系統及放大光束之立體截面圖；第12圖為第11圖之室內子系統及放大光束之細部立體截面圖；以及第13圖為包括可使用於第1圖之光源的示範性室內子系統之副室的立體圖。
 發明說明
參考第1圖，LPP EUV光源100係藉由利用一沿著光束路徑朝向靶材料114行進的放大光束110，照射靶位置105之靶材料114來形成。當放大光束110撞擊靶材料114時，將靶材料114轉換成具有一元素的電漿狀態，該元素具有EUV範圍內之發射譜線。光源100包括一驅動雷射系統115，其由於雷射系統115內一或多增益介質內的居量反轉以產生放大光束110。
靶位置105係位在真空室130之內部107。真空室130包括主室132及副室134。副室134將一室內子系統190容置於其內部192，其中，室內子系統190係設置於副室內部192，以降低當放大光束110撞擊室130之內壁時，在內壁產生的閃光(反射)，以藉此降低沿著光束路徑反射回去的光量，且降低自雷射作用。室內子系統190可為任何造成閃光及自雷射作用降低之增添至副室內部192者。因此，室內子系統190可為例如捕獲光線的硬質元件，例如突伸入副室內部192之一組固定平面。如下文中詳細的描述，此等固定平面可為被被塑造成具有尖銳邊緣的輪葉，該等尖銳邊緣突伸入放大光束行進入副室134的路徑，使得輪葉間的空間形成非常深的腔室，幾乎沒有光線沿著其進入的路徑自該等腔室逸出。
接下來在描述副室134及室內子系統190之設計及操作之前，描述光源100之其他特徵。
光源100包括界於雷射系統115與靶位置105之間的光束傳送系統，該光束傳送系統包括光束傳輸系統120及調焦總成122。光束傳輸系統120接收來自雷射系統115之放大光束110，以且依需要轉向及調整放大光束110並輸出放大光束110至調焦總成122。調焦總成122接收放大光束110且將光束110調焦至靶位置105。
光源100包括靶材料傳送系統125，例如傳送具有液滴、液體流、固體顆粒或團簇、包含在液滴內之固體顆粒或包含在液體流內之固體顆粒形式的靶材料114。
靶材料114可包括例如水、錫、鋰、氙或任何材料，其當轉換成電漿狀態時，具有在EUV範圍內的發射譜線。舉例而言，成分錫可以用作純(Sn)；用作錫化合物，例如SnBr4 、SnBr2 、SnH4 ；用作錫合金，例如錫鎵合金、錫銦合金、錫銦鎵合金，或此等合金之任一組合。靶材料114可包括塗覆有例如錫之上述成分的導線。若靶材料是固態，其可具有任何適當的形狀，例如環、球或立方體。靶材料114可藉由靶材料傳送系統125傳送入室130的內部107且至靶位置105。靶位置105亦意指照射位置，靶材料114被放大光束110照射以產生電漿之處。
在一些實施例中，雷射系統115可包括光學放大器、雷射，及/或燈，用於提供一或多種主要脈衝，且在一些例子中，用於提供一或多種預脈衝。每一光學放大器包括一增益介質，其能夠在高增益、激發源及內部光學之下光學放在所欲的波長。光學放大器可具有或不具有雷射反射鏡或其他形成雷射共振腔(laser cavity)之回饋裝置。因此，即使無雷射共振腔，由於雷射放大器之增益介質的居量反轉(population inversion)，雷射系統115產生放大光束110。再者，若有雷射共振腔，雷射系統115可產生放大光束110，其為同調雷射束以提供足夠的回饋予雷射系統115。專門術語「放大光束」一詞涵括下述之一或多者：來自雷射系統115的光，其僅放大但不必然為同調雷射振盪；以及來自雷射系統115的光，其被放大且亦為同調雷射振盪。
雷射系統115中的光學放大器可包括充填氣體作為增益介質，其包括CO2 且可以大於或等於1000之增益，放大波長界於約9100至約11000 nm的光，以及尤其是約10600 nm。用於雷射系統115之適當放大器及雷射可包括脈衝雷射裝置，舉例而言，在例如10 kW或更高的相對高功率及例如50 kHz或更高的高脈衝重複率下操作，利用DC或RF激發，產生約9300 nm或約10600 nm之輻射的脈衝、氣體放電CO2 雷射裝置。在雷射系統115中的光學放大器亦可包括例如水之冷卻系統，其可在以較高功率操作雷射系統115時使用。
參考第2A圖，在一特定實施例中，雷射系統115具有含多階段放大之主控振盪器/功率放大器(MOPA)配置且具有藉由Q-交換主控振盪器(MO)200啟動之種籽脈衝(seed pulse)，該MO 200具有低能量及例如可進行100 kHz操作的高重複率。自MO 200，可利用例如RF泵激(RF-pumped)、快速軸向流動之CO2 放大器202、204、206放大雷射脈衝，以產生沿著光束路徑212行進之放大光束210。
雖然顯示有三個光學放大器202、204、206，少至一個放大器及超過三個放大器有可能被使用於實施例中。在一些實施例中，每一CO2 放大器202、204、206可為具有藉由內部鏡折疊之10米放大器長度的RF泵激軸向流動之CO2 雷射立方體。
或者，且參考第2B圖，驅動雷射系統115可建構成所謂的「自標定(self-targeting)」雷射系統，其中靶材料114供作光學共振腔(optical cavity)之一鏡。在一些「自標定」配置中，可不需要主控振盪器。雷射系統115包括沿著光束路徑262串聯設置之一連串的放大器室250、252、254，每一室具有自己的增益介質及激發源，舉例而言，泵激電極(pumping electrode)。每一放大器室250、252、254，可為RF泵激、快速軸向流動之CO2 放大器室，其具有用於放大具有例如10600 nm之波長λ的光之例如1,000-10,000的組合式單程增益(combined one pass gain)。每一放大器室250、252、254可設計成無雷射共振腔(共振器)鏡，以致於當單獨設立時，其等不包括使放大光束通過增益介質一次以上所需的光學元件。然而，如上所述，雷射共振腔可如下述般形成。
在此實施例中，雷射共振腔可藉由在雷射系統115增設後部分反射光學件264且將靶材料114放置在靶位置105。光學件264可為例如平面鏡、曲面鏡、相位共軛鏡，或對於約10600 nm之波長(若使用CO2 放大器室之放大光束110的波長)具有約95%之反射率的角形反射器。
靶材料114及後部分反射光學件264作用以使部分放大光束110反射回到雷射系統115內，以形成雷射共振腔。因此，於靶位置105處存在靶材料114，提供足夠回饋以使雷射系統115產生同調雷射振盪，且在此例子中，放大光束110可視為一雷射束。當靶材料114不存在於靶位置105時，雷射系統115仍可被泵激以產生放大光束110，但其不會產生同調雷射振盪，除非光源100內一些其他元件提供足夠的回饋。尤其，在放大光束110與靶材料114交叉期間，靶材料114可沿著光束路徑262反射光，與光學件264共同合作以建立一通過放大器室250、252、254之光學共振腔。當每一室250、252、254內的增益介質被激發產生一雷射束以照射靶材料114，產生一電漿，且在室130內產生一EUV光發射時，此配置經建構以使靶材料114的反射率足以使腔室(由光學件264及液滴形成)中的光增益超過光損失。利用此配置，光學件264，放大器250、252、254，及靶材料114組合以形成一所謂的「自標定」雷射系統，其中靶材料114用作光學共振腔之一鏡(一所謂的電漿鏡或機械式q-開關)。自標定雷射系統係揭露於2006年10月13日提出申請之美國專利申請案第11/580,414號，發明名稱為「用於EUV光源之驅動雷射傳送系統(Drive Laser Delivery Systems for EUV Light Source)」，代理人案件編號2006-0025-01，其全部內容藉此併入本文中以供參考。
依應用而定，其他形式之放大器或雷射亦可適用，例如在高功率及高脈衝重複率下操作之準分子或分子氟雷射。可適用之例子包括例如具有纖維或碟形增益介質之固態雷射，例如顯示於美國專利第6,625,191、6,549,551及6,567,450號中的建構MOPA之準分子雷射系統；具有例如一振盪器室及一或多放大室(並聯或串聯之放大室)之一或多室之準分子雷射；主控振盪器/功率振盪器(MOPO)配置，功率振盪器/功率放大器(POPA)配置；或種植一或多個準分子雷射或分子氟放大器或振盪器室的固態雷射。其他設計是可能的。
在照射位置，藉由調焦總成122適當調焦之放大光束110，係用於產生具有某些依靶材料114組成而定之特性的電漿。此等特性可包括藉由電漿產生之EUV光的波長及自電漿釋出之碎屑的形式及量。
光源100包括具有收集鏡135，其具有孔徑140以容許放大光束110通過且到達靶位置105。收集鏡135可為例如具有位在靶位置105之主焦點及位在中間位置145之次焦點(亦稱為中間焦點)之橢球面鏡，在該中間位置EUV光可自光源100輸出且可輸入例如積體電路石版印刷術工具(未顯示)。光源100亦可包括一開端式、中空圓錐罩筒150(例如一氣體錐)，其自收集鏡135朝向靶位置105傾斜以降低進入調焦總成122及/或光束傳輸系統120之電漿產生的碎屑的量，同時容許放大光束110到達靶位置105。為了此目的，氣體流可設置在朝向靶位置105之罩筒。
光源100亦可包括一主控制器155，其係連接至一液滴位置偵測回饋系統156、雷射控制系統157，及光束控制系統158。光源100可包括一或多個靶或液滴成像器160，其提供例如相對於靶位置105的液滴位置之輸出指示，且提供此輸出至液滴位置偵測回饋系統156，其可例如計算液滴位置及彈道，由此可依逐滴之基礎或依平均計算一液滴位置錯誤。因此液滴位置偵測回饋系統156提供該液滴位置錯誤作為一輸出至主控制器155。因此主控制器155可提供一雷射位置、方向，及計時校正訊號至雷射控制系統157，該雷射控制系統可用於例如控制雷射計時電路及/或用於光束控制系統158以控制光束傳輸系統120之放大光束位置及成形，以改變室130內之光束焦點的位置及/或焦度。
靶材料傳送系統125包括靶材料傳送控制系統126，其可回應來自主控制器155之訊號來操作，以例如改良液滴傳送機構127釋出時之釋出點，以改正液滴到達所欲靶位置105上的誤差。
此外，光源100可包括光源偵測器165，其測量一或多個EUV光參數，包括但不限制於脈衝能、為波長函數為能量分布、在特定波長帶內的能量、在特定波長帶以外的能量，以及EUV強度及/或平均功率之角分布。光源偵測器165產生供主控制器155使用之回饋訊號。回饋訊號可為例如參數誤差之指示，例如雷射脈衝之計時及焦點，以在用於有效且有效率的EUV光產生的適當地點及時間，適當地截取液滴。
光源100亦可包括導引雷射175，其可用於對準光源100之不同區段或有助於使放大光束110轉向靶位置105。關於導引雷射175，光源100包括計量系統124，其係位在調焦總成122內以自導引雷射175及放大光束110取樣一部分的光。在其他實施例中，計量系統124係位在光束傳輸系統120內。計量系統124可包括一光學元件，其取樣一子集光或使一子集光改道，此光學元件可由任何可耐受導引雷射束及放大光束110之功率的材料製成。因為主控制器155分析來自導引雷射175之被取樣的光，且使用此資訊經由光束控制系統158調整調焦總成122內的元件，光束分析系統係由計量系統124及主控制器155形成。
因此，總而言之，光源100產生一放大光束110，其沿著光束路徑朝向位在靶位置105之靶材料114照射，以將靶材料轉換成在EUV範圍內發光的電漿。放大光束110在特定波長(其亦稱為光源波長)下操作，該特定波長係以雷射系統115之設計及特性為基礎而決定。此外，當靶材料提供足夠的回饋回到雷射系統115以產生同調雷射光或若驅動雷射系統115包括適當的光學回饋以形成雷射共振腔，放大光束110可為雷射束。
再次參考第1圖，主室132容置收集鏡135、傳送機構127、靶成像器160、靶材料114，及靶位置105。副室134容置室內子系統190及中間位置145。主室及副室132、134的圓柱壁係經由例如水冷卻來冷卻，以避免在室132、134內過熱，且尤其是避收集鏡135之過熱。
參考第3圖，副室334包括圓柱壁300，其界定室內部192。副室334包括與主室132流動地連接之第一槽305及與第一槽305流動地連接之第二槽310。主室及副室132、134被密封以與大氣隔絕。第二槽310之前環狀壁315使第一槽305與第二槽310分隔。第一槽305包括用於抽真空之開口320，及容許收集鏡135之成像及分析的開口325。
在此特殊設計中，副室334缺少室內子系統190。因此，在操作包括副室334之光源100的期間，可引發數個問題。在操作期間，將放大光束110調焦至靶位置105，之後，光束發散入副室334且朝向第二槽310之前環狀壁315。與前環狀壁315交互作用之此發散光束110部分係由前環狀壁315(及潛在藉由副室334內其他特徵)反射，且可沿著光束路徑，沿著光束110行進且朝向驅動雷射系統115被導回。此回饋光造成驅動雷射系統115內的自雷射作用，且此自雷射作用降低雷射系統115內側之光束110放大作用(且因此降低雷射功率)，且因此轉移較少的功率至靶材料114。
另外，如上述所討論者，靶材料114可為例如純錫(Sn)，或例如SnBr4 、SnBr2 、SnH4 之錫化合物，或例如錫鎵合金、錫銦合金、錫銦鎵合金之錫合金，或此等合金之任何組合。
當錫液滴(靶材料114)通過當光束110撞擊錫液滴所形成之電漿時，可產生錫蒸氣。此錫蒸氣可凝結在真空室130內光學表面(例如收集鏡135)上，且造成此等光學表面的無效率。為了自此等光學表面去除凝結錫，可將緩衝氣體(例如H2 )之蝕刻劑施用至光學表面以清潔光學表面。當H2 用於蝕刻時，因為收集鏡135總是維持在零度以下的溫度，可形成SnHx 化合物，且當H2 自由期與錫反應時，產生SnHx ，其中x可為1、2、4等。SnH4 是此等產生之化合物中最穩定的。
再者，有一危險性存在，若錫化合物用作靶材料114，則錫化合物(為碎屑或微液滴形式)將經由開口320被泵激出室130之外並進入真空泵，其可造成真空泵之故障及破壞。
SnH4 在約50℃之溫度下開始化學分解成凝結Sn及氫。再者，凝結Sn在高於約250℃之其熔點之下轉變為熔融態。因此，若SnH4 撞擊溫度250℃之表面，會形成熔融Sn及氫。凝結(及熔融)Sn可聚積在室130之表面上，以致使其無法經由開口320被抽空至真空泵內。然而，因為室壁係保持低於化合物的分解溫度，SnH4 無法化學分解且因此SnH4 在蒸氣態下保持為固體，其經由開口320被抽空至室外且進入真空泵。
因此，參考第4及5圖，副室134係設計成具有室內子系統190容置於界定室內部192之圓柱壁400內。室內子系統190係建構以降低自雷射作用，以及將固體形式之靶材料分解成保持被捕獲在室內部192內之熔融形式，以及可自副室134經由開口420被抽空至真空泵內之安全蒸氣(例如H2 )。如同副室334，副室134包括用於抽真空之開口420及容許收集鏡135之成像的開口425。副室134之壁400可由任何適當的硬質材料製成，例如不銹鋼。
取代前環狀壁315以分隔第一及第二槽，副室134包括室內子系統190。室內子系統190係利用適當的附接裝置，堅固地懸掛在內部192內，該附接裝置例如連接室內子系統190之外表面與內部192之表面的托架430、432、434。如本文中所示，室內子系統190係定位在開口420之下游。然而，只要室內子系統190覆蓋至少一部分之真空室130的內部表面且係建構以降低沿著光束路徑自內部表面返回之光源波長之放大光束110(其可為雷射束)通量，可將室內子系統190設計成定位在主室132內，在副室134內的另一位置，或者在另一新的室中。
參考第6至9B圖，室內子系統190包括與一或多個支撐件或托架610、612、614、616、618、620交錯之一或多個固定環狀錐形輪葉600、602、604、606、608。每一固定輪葉600-608及托架610-620可由例如不銹鋼或鉬之硬質材料製成。每一輪葉600-608為錐形，包括中心開放區域且在個別邊緣701、703、705、707、709固持於定位(參見第7圖)，該個別邊緣係夾置於鄰近的托架之間。因此，邊緣701係夾置在托架610與612之間，邊緣703係夾置於托架612與614之間，邊緣705係夾置於托架614與616之間，邊緣707係夾置於托架616與618之間，以及邊緣709係夾置於托架618與620之間。
每一輪葉600-608包括個別的中心開放區域711、713、715、717、719，其提供極紫外線自靶材料114發射的通路。在一些實施例中，每一輪葉600-608係建構成具有錐角(其為外部錐形表面與垂直於光束路徑之平面間的角度)，其不同於其他輪葉的錐角。因此，如第9B圖所示，輪葉608具有錐角900，其不同於其他輪葉600、602、604、606之錐角。
再者，在一些實施例中，每一輪葉600-608係建構成具有環狀寬度(亦即，由沿著垂直於光束路徑之平面延伸的直徑截取之錐形表面的寬度)其不同於其他輪葉的環狀寬度。或者，以另一方式放置，每一輪葉600-608係建構成具有開放區域，該開放區域具有一直徑(沿著垂直於光束路徑之平面截取)，其不同於其他開放區域的直徑。因此，如第9B圖所示，輪葉608具有其開放區域719之直徑905，其不同於其他輪葉600、602、604、606之開放區域711、713、715、717的直徑。
開放區域直徑可分級，以致於例如輪葉600之開放區域直徑大於輪葉602之開放區域直徑，輪葉602之開放區域直徑大於輪葉604之開放區域直徑等等。錐角亦可分級，以致於角度自輪葉600至輪葉608逐漸變小。將輪葉之此二幾何特徵(錐角及開放區域直徑)分級的原因在於入射之放大光束當其通過室內子系統190時發散且分級之幾何特徵係建構成如下文中更詳細地討論般，儘可能收集發散的光束。
無論如何，開放區域直徑、錐角，及分級程度(若有的話)之此等參數可依據使用於光源100之放大光束110的形式(例如驅動雷射系統115之形式)及幾何(例如光束之數值孔徑)而定來選擇。因此，例如顯示於本文中之室內子系統190之設計係建構成用於包括CO2 放大器之驅動雷射系統115且產生具有約0.21之數值孔徑的放大光束110。
再次參考第8A及8B圖，每一托架612、614、616、618可包括個別斜角內環狀表面812、814、816、818。此等斜角表面，如下文中更詳細討論般，藉由將一入射光束分成二自每一托架之表面812、814、816、818以不同角度反射之射出光束，提供發散之放大光束的額外轉向。
亦參考第10至12圖，在光源100之操作中，放大光束110沿著光束路徑1000行進以致於其被調焦在靶位置105，藉此照射靶材料114(在第10圖中未顯示)。靶材料114係轉換成電漿狀態，其具有一元件，其具有EUV範圍內的發射譜線，且因此EUV光1005係自靶材料114發射且藉由收集鏡135收集。另一方面，發散之放大光束1010遠離靶位置105朝向副室134(第10圖中未顯示)且朝向室內子系統190行進。靶材料114體積小於主焦點處放大光束110之焦點區域(亦即束腰部)。因此，當放大光束110之中心部分與靶材料114交互作用時，未交互作用之放大光束110開始經過此焦點區域向外發散以成為發散的放大光束1010。放大光束110之交互作用部分自靶材料114反射且可導引返回雷射系統用於放大作用。
當放大光束1010經過子系統190之開放區域行進時，其藉由連續的輪葉600、602、604、606、608被偏移(反射)。尤其參考第12圖，光束1010之示範性入射光線1200通過輪葉600但撞擊輪葉602之側表面，其中光線1200在輪葉602與輪葉600之間彈跳數次。入射光線1200反射偏離托架612之斜角內環狀表面812，以形成射出光線射出光線1205。因為輪葉600及602之每一錐形表面的不同角度，射出光線1205之路徑射出光線未與入射光線1200之路俓一致，且因此射出光線1205不會沿著光束路徑朝向收集鏡135(其位在靶位置105內部)之主焦點返回行進，且因此射出光線1205不會返回行進入驅動雷射系統115。
此外，光線1200、1205在每次彈跳離開輪葉600或602時喪失一小百分比之功率(例如約10%)之功率。因此，將部分能量賦予輪葉，藉此使輪葉600、602、604、606、608發熱。再者，當輪葉600、602、604、606、608加熱至高於靶材料化合物之分解溫度(且更明確的是高於使成分熔融之溫度(例如對Sn而言是高於250℃)，任何撞擊輪葉之化合物(例如SnH4 )將分解成熔融元素(例如Sn)及氫再者，熔融元素係留下聚積在托架610、612、614、616、618、620之下內部表面1210，同時氫被經由開口420抽空至真空泵內。
亦參考第13圖，在其他實施例中，室內子系統190可為一或多塗層1300，其係施用於至少一部分之室內壁且使通過靶位置105之雷射光重定向，否則將撞擊室內壁。舉例而言，塗層可為由透明薄膜結構組成之抗反射塗層，該薄膜結構具有相對折射指數的交錯層，例如介電堆。層厚度係經選擇以在自界面反射之光束中產生破壞性干涉，以及在對應的透射光束中產生建設性干涉。此使得結構的性能隨著波長及入射角改變，以致於顏色效應通常出現在傾斜角度。塗層1300必須能夠有效地塗覆內壁且因此塗層的形式可依內壁使用之材料而定來選擇。
作為另一例子，塗層可為使用例如氮化鈦及氮化鈮之藉由濺鍍沉積製造的化合物薄膜之吸收抗反射塗層。作為另一例子，塗層可為干涉塗層。
室內子系統190可使用任何適當之經設計的高功率光束截止器來設計，該截止器避免背面反射、過熱或過量雜訊。舉例而言，室內子系統190可為以吸收材料襯墊之深黑腔室以截止光束。作為另一例子，室內子系統190可建構成折射或反射光。
雖然顯示於第1圖之偵測器165係定位以接收直接來自靶位置105的光，偵測器165可替換成定位以取樣在中間焦點145或其他位置或在其等之下游的光。
一般而言，靶材料114的照射亦可在靶位置105產生 碎屑，但此碎屑可污染光學元件的表面，包括但不限制於收集鏡135。因此，可將能夠與靶材料114之組成分反應的氣態蝕刻劑源引入室130，以清潔污染物，如美國專利第7,491,954號所述，其全文併入本文中以供參考。舉例而言，在一應用中，靶材料可包括Sn且蝕刻劑可為HBr、Br2 、Cl2 、HCl、H2 、HCF3 ，或此等化合物之某一組合。
光源100亦可包括一或多個加熱器170，其引發及/或增加光學元件表面上的沉積靶材料與蝕刻劑之間的化學反應速率。對一包括Li之電漿靶材料而言，加熱器170可設計成將一或多個光學元件的表面加熱至約400至550℃，以使Li自表面蒸發，換言之，不需要使用蝕刻劑。可適用之加熱器的形式包括輻射加熱器、微波加熱器、RF加熱器、歐姆加熱器，或此等加熱器之組合。此加熱器可被導引至一特定光學元件表面，且因此是定向的，或其可為無定向的且加熱整個室130或室130之實質部分。
在其他實施例中，靶材料114包括鋰、鋰化合物、氙，或氙化合物。
在未限制自靶材料114發射的EUV光1005之下，藉由使用其他裝置可限制發散之放大光束1010。此可藉由下述步驟來完成：測定間歇容積(intermittent volume)，其中在收歛的EUV光1005與經過副室134之發散的放大光束1010之間存在有環狀間隙，以及捕獲在副室134中未捕獲之發散的放大光束1010。即使利用額外的捕獲及/或限制，仍可有顯著量的光束(例如約1.5kW之雷射功率)通過中間焦點145，且此光束可通過中間焦點145被捕獲。
參考第11圖，室內子系統190可包括額外的鰭片1150，其可突伸入子系統190之中心，以將副室134之一閘閥(未顯示)保持在發散之放大光束1010的影子中。額外的鰭片1150可由不銹鋼製成以供隨著放大光束1010之每次反射而反射約90%之功率。
其他實施例係在下述申請專利範圍的範圍內。
100．．．LPP EUV光源
105．．．靶位置
107．．．內部
110．．．放大光束
114．．．靶材料
115．．．驅動雷射系統
120．．．光束傳輸系統
122．．．調焦總成
124．．．計量系統
125．．．靶材料傳送系統
126．．．靶材料傳送控制系統
127．．．液滴傳送機構
130．．．真空室
132．．．主室
134．．．副室
135．．．收集鏡
140．．．孔徑
145．．．中間位置
150．．．中空圓錐罩筒
155．．．主控制器
156．．．液滴位置偵測回饋系統
157．．．雷射控制系統
158．．．光束控制系統
160．．．靶或液滴成像器
165．．．光源偵測器
170．．．加熱器
175．．．導引雷射
190．．．室內子系統
192．．．內部
200．．．Q-交換主控振盪器(MO)
202．．．CO2 放大器
204．．．CO2 放大器
206．．．CO2 放大器
201．．．放大光束
212．．．光束路徑
250．．．放大器室
252．．．放大器室
254．．．放大器室
262．．．光束路徑
264．．．後部分反射光學件
300．．．圓柱壁
305．．．第一槽
310．．．第二槽
315．．．前環狀壁
320．．．開口
325．．．開口
334．．．副室
400．．．圓柱壁
420．．．開口
425．．．開口
430．．．托架
432．．．托架
434．．．托架
600．．．輪葉
602．．．輪葉
604．．．輪葉
606．．．輪葉
608．．．輪葉
610．．．支撐件或托架
612．．．支撐件或托架
614．．．支撐件或托架
616．．．支撐件或托架
618．．．支撐件或托架
620．．．支撐件或托架
701．．．邊緣
703．．．邊緣
705．．．邊緣
707．．．邊緣
709．．．邊緣
711．．．開放區域
713．．．開放區域
715．．．開放區域
717．．．開放區域
719．．．開放區域
812．．．斜角內環狀表面
814．．．斜角內環狀表面
816．．．斜角內環狀表面
818．．．斜角內環狀表面
900．．．錐角
905．．．直徑
1000．．．光束路徑
1005．．．EUV光
1010．．．發散之放大光束
1150．．．鰭片
1200．．．入射光線
1205．．．射出光線
1210．．．下內部表面
1300．．．塗層
第1圖為雷射產生電漿極紫外線光源之方塊圖；
第2A圖為可使用於第1圖之光源的示範性驅動雷射系統之方塊圖；
第2B圖為可使用於第1圖之光源的示範性驅動雷射系統之方塊圖；
第3圖為可使用於第1圖之光源的真空室之副室的立體圖；
第4圖為可使用於第1圖之光源的包括示範性室內子系統之副室的立體圖；
第5圖為第4圖的副室之前視平面圖；
第6圖為可合併於第4圖及第5圖之副室的室內子系統之立體圖；
第7圖為第6圖之室內子系統的分解立體圖；
第8A圖為第6圖及第7圖之室內子系統的立體截面圖；
第8B圖為第8A圖之室內子系統的細部立體截面圖；
第9A圖為可用於第6圖至第8B圖之室內子系統的輪葉之前視平面圖；
第9B圖為第9A圖之輪葉的側視平面圖；
第10圖為顯示真空室內放大光束之路徑之第6圖至第8B圖之室內子系統的立體圖；
第11圖為第10圖之室內子系統及放大光束之立體截面圖；
第12圖為第11圖之室內子系統及放大光束之細部立體截面圖；以及
第13圖為包括可使用於第1圖之光源的示範性室內子系統之副室的立體圖。
100‧‧‧LPP EUV光源
105‧‧‧靶位置
107‧‧‧內部
110‧‧‧放大光束
114‧‧‧靶材料
115‧‧‧驅動雷射系統
120‧‧‧光束傳輸系統
122‧‧‧調焦總成
124‧‧‧計量系統
125‧‧‧靶材料傳送系統
126‧‧‧靶材料傳送控制系統
127‧‧‧液滴傳送機構
130‧‧‧真空室
132‧‧‧主室
134‧‧‧副室
135‧‧‧收集鏡
140‧‧‧孔徑
145‧‧‧中間位置
150‧‧‧中空圓錐罩筒
155‧‧‧主控制器
156‧‧‧液滴位置偵測回饋系統
157‧‧‧雷射控制系統
158‧‧‧光束控制系統
160‧‧‧靶或液滴成像器
165‧‧‧光源偵測器
170‧‧‧加熱器
175‧‧‧導引雷射
190‧‧‧室內子系統
192‧‧‧內部

Claims (25)

  1. 一種用於產生極紫外線之裝置，包含：一界定一內部表面之室，該室容納一具有一形狀之收集鏡，該形狀界定一位在一靶位置之主焦點及一位在一中間位置之次焦點；一光源，其係組構用以沿著一光束路徑產生一放大光束通過該收集鏡之一孔徑以於該靶位置照射該室中的一靶材料及產生極紫外線，該光源包括一用於放大一源波長之光的增益介質；以及一子系統，其覆蓋該室的該內部表面之至少一部分，該子系統包括多數環狀特徵，各環狀特徵具有一容許產生的極紫外線通至該次焦點之中心開放區域，且各環狀特徵自一室壁延伸入該放大光束之一路徑，其中該子系統被組構用以降低自該室的內部表面沿著該光束路徑向該光源返回的該源波長之該放大光束的通量。
  2. 如請求項1之裝置，其中該光源為一雷射源且該放大光束為一雷射束。
  3. 如請求項1之裝置，其中該子系統的各環狀特徵包含至少一錐形輪葉。
  4. 如請求項3之裝置，其中各錐形輪葉具有一錐角，其不同於其他錐形輪葉之錐角。
  5. 如請求項3之裝置，其中各錐形輪葉具有不同的環狀寬度。
  6. 如請求項1之裝置，其中該中心開放區域容許該放大光 束之中心部分通過。
  7. 如請求項1之裝置，其中該子系統係組構用以將該靶材料之一化合物化學分解成至少一氣體及至少一固體，使得可自該室之內部去除該氣體。
  8. 如請求項7之裝置，其中該靶材料化合物包括氫化錫，及該至少一氣體為氫，及該至少一固體為凝結錫。
  9. 如請求項8之裝置，其中該凝結錫為熔融態。
  10. 如請求項1之裝置，其中該源波長是紅外線範圍的波長。
  11. 如請求項1之裝置，其中該光源包括一或多個功率放大器。
  12. 如請求項1之裝置，其中該光源包括一主控振盪器，其播植一或多個功率放大器。
  13. 如請求項1之裝置，其中該子系統接觸內室表面。
  14. 如請求項1之裝置，其進一步包含一塗層，該塗層係經組構用以降低自該內部表面沿著該光束路徑向該光源返回的該源波長之該放大光束的通量。
  15. 如請求項14之裝置，其中該塗層為一抗反射塗層。
  16. 如請求項14之裝置，其中該塗層為一吸收抗反射塗層。
  17. 如請求項14之裝置，其中該塗層為一干涉塗層。
  18. 一種用於產生極紫外線之方法，該方法包含：在一真空室之內部在一靶位置產生一靶材料；供應泵能量至一驅動雷射系統中至少一光學放大器的一增益介質，藉此產生一源波長之放大光束； 沿著一光束路徑導引該放大光束，藉此照射該靶材料以產生極紫外線；容許產生的極紫外線通過一覆蓋該室的該內部表面之至少一部分的室子系統之多數環狀特徵的一中心開放區域，且各環狀特徵自一室壁延伸入該放大光束之一路徑；及藉由在該室子系統的兩個輪葉之間反射至少一部分之該放大光束來降低自該真空室之一內部表面至該光束路徑之該源波長之光通量。
  19. 如請求項18之方法，進一步包含當該放大光束橫越該靶位置並撞擊該靶材料時，收集自該靶材料發射之產生的極紫外線。
  20. 如請求項18之方法，其中降低該源波長之光通量包括沿著不同於該光束路徑之一路徑導引至少一部分之該放大光束。
  21. 如請求項18之方法，其中供應泵能量至該至少一光學放大器之該增益介質產生該源波長之雷射束。
  22. 如請求項18之方法，進一步包含將該靶材料之一化合物化學分解成至少一氣體及至少一固體，使得可自該室之內部去除該氣體。
  23. 如請求項22之方法，其中化學分解該化合物包括將氫化錫化學分解成氫及凝結錫。
  24. 如請求項23之方法，進一步包含在一室之子系統內捕獲該凝結錫，其降低自該真空室之該內部表面至該光束路 徑之該源波長之光通量。
  25. 如請求項18之方法，其中降低該源波長之光通量包括破壞性地干涉在一塗層施加至該真空室之該內部表面的介面處反射之光束。
TW100110591A 2010-04-05 2011-03-28 用於產生極紫外線之裝置及方法 TWI469692B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/753,938 US8368039B2 (en) 2010-04-05 2010-04-05 EUV light source glint reduction system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201143539A TW201143539A (en) 2011-12-01
TWI469692B true TWI469692B (zh) 2015-01-11

Family

ID=44708533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100110591A TWI469692B (zh) 2010-04-05 2011-03-28 用於產生極紫外線之裝置及方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8368039B2 (zh)
JP (1) JP5593554B2 (zh)
KR (1) KR101747120B1 (zh)
TW (1) TWI469692B (zh)
WO (1) WO2011126947A1 (zh)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8304752B2 (en) * 2009-04-10 2012-11-06 Cymer, Inc. EUV light producing system and method utilizing an alignment laser
JP5670174B2 (ja) * 2010-03-18 2015-02-18 ギガフォトン株式会社 チャンバ装置および極端紫外光生成装置
US8575576B2 (en) * 2011-02-14 2013-11-05 Kla-Tencor Corporation Optical imaging system with laser droplet plasma illuminator
US9516730B2 (en) * 2011-06-08 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for buffer gas flow stabilization in a laser produced plasma light source
EP2533078B1 (en) * 2011-06-09 2014-02-12 ASML Netherlands BV Radiation source and lithographic apparatus
DE102012205308B4 (de) * 2012-03-30 2018-05-30 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh Vorrichtung zur Verstärkung eines Laserstrahls
US9396902B2 (en) * 2012-05-22 2016-07-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Gallium ION source and materials therefore
US8598552B1 (en) * 2012-05-31 2013-12-03 Cymer, Inc. System and method to optimize extreme ultraviolet light generation
JP6182601B2 (ja) 2012-06-22 2017-08-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源及びリソグラフィ装置
US8872122B2 (en) * 2013-01-10 2014-10-28 Asml Netherlands B.V. Method of timing laser beam pulses to regulate extreme ultraviolet light dosing
US8872123B2 (en) * 2013-01-10 2014-10-28 Asml Netherlands B.V. Method of timing laser beam pulses to regulate extreme ultraviolet light dosing
US8901523B1 (en) * 2013-09-04 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Apparatus for protecting EUV optical elements
KR102197066B1 (ko) 2014-07-01 2020-12-30 삼성전자 주식회사 플라즈마 광원, 그 광원을 구비한 검사 장치 및 플라즈마 광 생성 방법
US9357625B2 (en) * 2014-07-07 2016-05-31 Asml Netherlands B.V. Extreme ultraviolet light source
DE102016213830B3 (de) * 2016-07-27 2017-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Quell-Hohlkörper sowie EUV-Plasma-Lichtquelle mit einem derartigen Quell-Hohlkörper
EP3291650B1 (en) * 2016-09-02 2019-06-05 ETH Zürich Device and method for generating uv or x-ray radiation by means of a plasma
US10310380B2 (en) * 2016-12-07 2019-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High-brightness light source
US10524345B2 (en) * 2017-04-28 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Residual gain monitoring and reduction for EUV drive laser
US11333621B2 (en) 2017-07-11 2022-05-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction
US10149374B1 (en) * 2017-08-25 2018-12-04 Asml Netherlands B.V. Receptacle for capturing material that travels on a material path
US11317500B2 (en) 2017-08-30 2022-04-26 Kla-Tencor Corporation Bright and clean x-ray source for x-ray based metrology
NL2022007A (en) * 2017-12-15 2019-06-21 Asml Netherlands Bv Regeneration of a debris flux measurement system in a vacuum vessel
US10959318B2 (en) 2018-01-10 2021-03-23 Kla-Tencor Corporation X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator
KR102555241B1 (ko) * 2018-08-08 2023-07-13 삼성전자주식회사 극자외선 생성 장치
NL2024077A (en) * 2018-10-25 2020-05-13 Asml Netherlands Bv Target material supply apparatus and method
US11272607B2 (en) 2019-11-01 2022-03-08 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with low atomic number cryogenic target
US11259394B2 (en) 2019-11-01 2022-02-22 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with liquid sheet jet target
US11143604B1 (en) 2020-04-06 2021-10-12 Kla Corporation Soft x-ray optics with improved filtering
US20220350266A1 (en) * 2021-04-30 2022-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for mitigating tin debris
JP2023148403A (ja) * 2022-03-30 2023-10-13 ウシオ電機株式会社 光源装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200403905A (en) * 2000-10-16 2004-03-01 Cymer Inc Extreme ultraviolet light source
US20070170377A1 (en) * 2006-01-24 2007-07-26 Masaki Nakano Extreme ultra violet light source device
TW200822813A (en) * 2006-10-13 2008-05-16 Cymer Inc Drive laser delivery systems for EUV light source
US20080179548A1 (en) * 2003-04-08 2008-07-31 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590131A (ja) * 1991-09-26 1993-04-09 Canon Inc Ｘ線露光装置
US6567450B2 (en) 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6625191B2 (en) 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6549551B2 (en) 1999-09-27 2003-04-15 Cymer, Inc. Injection seeded laser with precise timing control
JP4320999B2 (ja) * 2002-02-04 2009-08-26 株式会社ニコン Ｘ線発生装置及び露光装置
JP4262032B2 (ja) * 2003-08-25 2009-05-13 キヤノン株式会社 Ｅｕｖ光源スペクトル計測装置
US7109503B1 (en) 2005-02-25 2006-09-19 Cymer, Inc. Systems for protecting internal components of an EUV light source from plasma-generated debris
JP2006202671A (ja) * 2005-01-24 2006-08-03 Ushio Inc 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法
US7449703B2 (en) 2005-02-25 2008-11-11 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling
US7365349B2 (en) 2005-06-27 2008-04-29 Cymer, Inc. EUV light source collector lifetime improvements
US7402825B2 (en) 2005-06-28 2008-07-22 Cymer, Inc. LPP EUV drive laser input system
JP4710463B2 (ja) 2005-07-21 2011-06-29 ウシオ電機株式会社 極端紫外光発生装置
US7372058B2 (en) * 2005-09-27 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Ex-situ removal of deposition on an optical element
US7468521B2 (en) * 2005-12-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008041742A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Ushio Inc 極端紫外光光源装置
JP4888046B2 (ja) * 2006-10-26 2012-02-29 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
US20080237498A1 (en) * 2007-01-29 2008-10-02 Macfarlane Joseph J High-efficiency, low-debris short-wavelength light sources
WO2008143556A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Volvo Aero Corporation A masking arrangement for a gas turbine engine
US7908116B2 (en) * 2007-08-03 2011-03-15 Ecofactor, Inc. System and method for using a network of thermostats as tool to verify peak demand reduction
US7655925B2 (en) * 2007-08-31 2010-02-02 Cymer, Inc. Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
JP2009099390A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Tokyo Institute Of Technology 極端紫外光光源装置および極端紫外光発生方法
US8536551B2 (en) * 2008-06-12 2013-09-17 Gigaphoton Inc. Extreme ultra violet light source apparatus
US8198612B2 (en) * 2008-07-31 2012-06-12 Cymer, Inc. Systems and methods for heating an EUV collector mirror
US8519366B2 (en) 2008-08-06 2013-08-27 Cymer, Inc. Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source
CN103257532B (zh) * 2008-09-11 2015-04-22 Asml荷兰有限公司 辐射源和光刻设备
EP2170021B1 (en) * 2008-09-25 2015-11-04 ASML Netherlands B.V. Source module, radiation source and lithographic apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200403905A (en) * 2000-10-16 2004-03-01 Cymer Inc Extreme ultraviolet light source
US20080179548A1 (en) * 2003-04-08 2008-07-31 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US20070170377A1 (en) * 2006-01-24 2007-07-26 Masaki Nakano Extreme ultra violet light source device
TW200822813A (en) * 2006-10-13 2008-05-16 Cymer Inc Drive laser delivery systems for EUV light source

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130022404A (ko) 2013-03-06
KR101747120B1 (ko) 2017-06-27
TW201143539A (en) 2011-12-01
JP5593554B2 (ja) 2014-09-24
US8368039B2 (en) 2013-02-05
US20110240890A1 (en) 2011-10-06
JP2013524531A (ja) 2013-06-17
WO2011126947A1 (en) 2011-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI469692B (zh) 用於產生極紫外線之裝置及方法
JP5468143B2 (ja) 極紫外光源のための計測法
TWI469691B (zh) 用於極端紫外光源之射束輸送系統
US8847183B2 (en) System, method and apparatus for laser produced plasma extreme ultraviolet chamber with hot walls and cold collector mirror
US8304752B2 (en) EUV light producing system and method utilizing an alignment laser
KR101703788B1 (ko) 레이저 생성 플라즈마 ｅｕｖ 광원
US20180081280A1 (en) Wavelength-based optical filtering