JP6448661B2 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents
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Description
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成システムの全体説明
3.1 構成
3.2 動作
4.関連技術におけるEUV光生成システム
4.1 構成
4.2 動作
4.3 課題
5.実施形態1
5.1 構成
5.2 動作
5.3 効果
6.実施形態2
6.1 構成
6.2 動作・効果
7.実施形態3
7.1 構成
7.2 動作・効果
8.実施形態4
8.1 構成
8.2 動作・効果
9.実施形態5
9.1 構成
9.2 動作・効果
10.実施形態6
10.1 構成
10.2 動作・効果
11.実施形態7
LPP方式のEUV光生成装置は、ターゲット供給部から出力したターゲットがプラズマ生成領域に到達した時にパルスレーザ光を照射し、プラズマ化することによってEUV光を生成してもよい。EUV光生成装置は、ターゲットの通過タイミングを計測するタイミングセンサの検出信号に応じて、レーザ装置からパルスレーザ光を出力することでターゲットにパルスレーザ光を同期させてもよい。
本開示において、「プラズマ生成領域」は、EUV光を生成するためのプラズマの生成が開始される領域を意味し得る。プラズマ生成領域においてプラズマの生成が開始されるためには、プラズマ生成領域にターゲットが供給され、かつ、ターゲットがプラズマ生成領域に到達するタイミングでプラズマ生成領域にパルスレーザ光が集光される必要があり得る。
3.1 構成
図1に、例示的なLPP方式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含んでもよい。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
4.1 構成
図2Aは、関連技術におけるEUV光生成システム11の構成例の断面図を示す。図2Aにおいて、Y軸方向は、ターゲット27の軌道271に沿った方向である。Z軸方向は、Y軸方向に垂直であって、パルスレーザ光33の照射方向に沿った方向である。X軸方向は、Y軸方向及びZ軸方向と垂直である。
図2Bは、関連技術におけるEUV光生成制御部5による、ターゲット供給部26及びレーザ装置3の制御を説明するブロック図を示す。EUV光生成制御部5は、ターゲット供給制御部51とレーザ制御部55とを含んでもよい。ターゲット供給制御部51は、ターゲット供給部26の動作を制御してもよい。レーザ制御部55は、レーザ装置3の動作を制御してもよい。
ターゲット27にパルスレーザ光を照射してプラズマを生成すると、後に照射されるべきターゲット27の軌道271が、正常なターゲット27の軌道271からずれ得る。原因は、プラズマ生成に伴う圧力波255がターゲット供給部26を振動させ、ターゲット27の軌道271を乱す為と説明され得る。
5.1 構成
図3Aは、本実施形態のEUV光生成システム11の一部構成を示す。図3Bは、遮蔽カバー266の斜視図を示す。以下においては、図2A〜図2Cを参照して説明した関連技術との相違点を主に説明する。
ターゲット供給部26から出力されたターゲット27は、遮蔽カバー266のターゲット入射側端に形成されたフランジ662を通って、遮蔽カバー266内に入ってもよい。ターゲット27は、側面部663内を通過し、遮蔽カバー266のターゲット出射側端に形成された出射面部664に至ってもよい。ターゲット27は、出射面部664に形成された貫通孔661を通過してもよい。
圧力波255は、遮蔽カバー266によって伝搬が妨げられ得る。遮蔽カバー266は、ターゲット供給部26に到達する圧力波255を大きく減衰させ得る。その結果、遮蔽カバー266は、圧力波255によるターゲット供給部26の振動を抑制し、ターゲット軌道271の乱れを抑制し得る。遮蔽カバー266がチャンバ2に固定されている構成において、遮蔽カバー266からステージ268へ伝わる振動は、チャンバ2及びステージ268の可動部によって減衰され得る。
6.1 構成
図4A〜図4Eは、本実施形態の遮蔽カバー266の固定態様を示す。以下において、実施形態1との相違点を主に説明する。図4Aに示すように、遮蔽カバー266は、ダンパ680を介して、遮蔽カバー266の支持部に固定されてもよい。例えば、遮蔽カバー266は、ダンパ680を介してチャンバ2の壁部241の内面に固定されてもよい。遮蔽カバー266は、ダンパ680にのみ支持され、チャンバ2に直接接触していなくてもよい。
プラズマ生成に伴い発生する圧力波255がターゲット供給部26に伝搬するのを抑制する遮蔽カバー266は、圧力波255によって振動し得る。遮蔽カバー266の振動は、ダンパ680によって減衰され得る。したがって、遮蔽カバー266の振動が、チャンバ2を介して、ターゲット供給部26に伝わることを抑制し得る。
プラズマからの飛散物やターゲット回収器28によって反跳したターゲット27の一部は、ノズル265のノズル孔62に付着し、ターゲット27の軌道271を乱し得る。そのため、本実施形態のEUV光生成システム11は、ノズル265近傍にパージガスを供給し、遮蔽カバー266によってパージガス供給路の一部を構成することで、ノズル孔62への付着物によるターゲット軌道271の乱れを抑制してもよい。以下においては、実施形態1との相違点を主に説明する。
7.1 構成
パージガスは、ガス供給器522から、ガス導入管521を介して、ガス導入口523に流れてもよい。パージガスは、ガス導入口523から、ターゲット供給部26の収容空間248に流出してもよい。パージガスは、遮蔽カバー266の貫通孔661に流れ、貫通孔661からプラズマ生成領域25に向かって噴出してもよい。
ノズル265は、プラズマからの高速イオンや高速中性粒子によってスパッタされ得る。これにより、ノズル265の濡れ性が上がり、飛散物が付着しやすくなり得る。本実施形態のEUV光生成システム11は、遮蔽カバー266に加えてプラズマシールドをさらに含み、プラズマからの高速粒子によるノズル265のスパッタを抑制してもよい。以下においては、実施形態3との相違点を主に説明する。
図6は、本実施形態のEUV光生成システム11の一部構成を示す。プラズマシールド280は、遮蔽カバー266により一部が画定されるターゲット供給部26の収容空間248内に配置されてもよい。プラズマシールド280は、遮蔽カバー266とターゲット供給部26との間に配置されてもよい。プラズマシールド280は、ターゲット供給部26の保持容器267に固定されてもよい。プラズマシールド280と保持容器267とで画定される空間249内にターゲット供給部26が収容されてもよい。
ガス導入口523から流入したパージガスは、遮蔽カバー266の貫通孔661に流れ、貫通孔661からプラズマ生成領域25に向かって噴出してもよい。貫通孔661におけるパージガスの流れは、ノズル265の付着物を低減し得る。さらに、プラズマシールド280は、遮蔽カバー266の貫通孔661から噴出するパージガスで防ぐことができなかった高速イオンや高速中性粒子が、ノズル265をスパッタするのを抑制し得る。
9.1 構成
図7は、本実施形態のEUV光生成システム11の一部構成を示す。以下においては、実施形態4との相違点を主に説明する。遮蔽カバー266は、ステージ268に固定されてもよい。遮蔽カバー266は、ダンパを介してステージ268に固定されてもよい。遮蔽カバー266は、ステージ268の移動により、ターゲット供給部26のノズル265と共に移動し得る。
遮蔽カバー266の貫通孔661は、ステージ268の移動により、ノズル265と共に移動し得る。そのため、チャンバ2に固定された遮蔽カバー266と比較して、遮蔽カバー266の貫通孔661を小さくし得る。小さい貫通孔661は、圧力波255及び粒子がターゲット供給部26に到達することをさらに抑制し得る。ステージ268を移動する可動部は、圧力波255による遮蔽カバー266の振動を減衰させ得る。
チャンバ2は、プラズマからの熱によって膨張・変形し得る。本実施形態のEUV光生成システム11は、遮蔽カバー266に加えてヒートシールド256をさらに含み、チャンバ2の膨張・変形を抑制してもよい。以下においては、実施形態3との相違点を主に説明する。
図8Aは、本実施形態のEUV光生成システム11の構成例の断面図を示す。チャンバ2内に、ヒートシールド256が配置されてもよい。ヒートシールド256は、遮蔽カバー266とプラズマ生成領域25との間に配置されてもよい。ヒートシールド256は、プラズマ生成領域25を収容してもよい。
ヒートシールド256は、チャンバ2の熱変形を低減すると共に、遮蔽カバー266に到達する圧力波255を減衰させ得る。ヒートシールド256は、圧力波255がチャンバ2の壁面に到達するのを抑制し得る。ヒートシールド256は、ターゲット供給部26に伝わる圧力波255及び圧力波255に起因するターゲット供給部26の振動をさらに低減し得る。
圧力波255は、プラズマ生成領域25から様々な方向に伝搬し、チャンバ2の内部で反射され得る。例えば、チャンバ2の内部で複雑に反射された圧力波255が強め合って、チャンバ2を振動させ得る。このような振動は、チャンバ2及びチャンバ2が取り付けられた部材を介してターゲット供給部26に伝わり得る。EUV光生成システム11は、圧力波255を減衰する圧力波減衰体を含んでもよい。以下においては、実施形態3との相違点を主に説明する。
Claims (15)
- レーザ装置から出力されたパルスレーザ光をターゲットに照射することによって、プラズマを生成し、極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内のプラズマ生成領域に、ターゲットを供給する、ターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間に位置し、検出領域を通過する前記ターゲットを検出するターゲットセンサと、
前記検出領域と前記ターゲット供給部との間に配置され、前記ターゲットが通過する貫通孔を含み、前記プラズマ生成領域から前記ターゲット供給部に伝わる圧力波を低減する遮蔽カバーと、
前記遮蔽カバーと前記ターゲット供給部との間に配置され、前記ターゲットが通過する開口を含み、前記プラズマ生成領域から前記ターゲット供給部に到達する粒子を低減するプラズマシールドと、
前記プラズマ生成領域と前記遮蔽カバーとの間に配置され、前記プラズマ生成領域を収容し、前記ターゲットが通過する貫通孔を有し、前記プラズマ生成領域から前記チャンバへ伝わる熱を低減する、ヒートシールドとを含む、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記遮蔽カバーは、ダンパを介して前記チャンバに固定される、極端紫外光生成装置。 - 請求項2に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ターゲット供給部を移動するステージと、
前記チャンバに固定され、前記ステージを支持する支持部と、
をさらに含む極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記遮蔽カバーを挟んで前記プラズマ生成領域の反対側に位置し、前記ターゲット供給部と前記遮蔽カバーとの間にパージガスを供給するガス導入部を含む、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、前記遮蔽カバーのプラズマ生成領域側に配置された圧力波減衰体をさらに含む、極端紫外光生成装置。
- 請求項3に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記遮蔽カバーは、前記ステージに固定されている、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ターゲット供給部を移動するステージと、
前記チャンバに固定され、前記ステージを支持する支持部と、
をさらに含み、
前記遮蔽カバーは、前記ステージに固定されている、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記遮蔽カバーは、金属で構成されている、極端紫外光生成装置。 - 請求項4に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記パージガスは、水素を含む、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プラズマシールドの開口は、前記遮蔽カバーの貫通孔より小さく形成されている、極端紫外光生成装置。 - 請求項3に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プラズマシールドは、前記ステージに固定され前記ターゲット供給部と共に移動するよう構成されている、極端紫外光生成装置。 - 請求項5に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記圧力波減衰体は、ポーラス状の部材で構成されている、極端紫外光生成装置。 - 請求項12に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ポーラス状の部材は、多孔質セラミックスまたは発泡金属を含む、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ヒートシールドの貫通孔は、前記遮蔽カバーの貫通孔よりも大きく形成されている、極端紫外光生成装置。 - レーザ装置から出力されたパルスレーザ光をターゲットに照射することによって、プラズマを生成し、極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内のプラズマ生成領域に、ターゲットを供給する、ターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間に位置し、検出領域を通過する前記ターゲットを検出するターゲットセンサと、
前記検出領域と前記ターゲット供給部との間に配置され、前記ターゲットが通過する貫通孔を含み、前記プラズマ生成領域から前記ターゲット供給部に伝わる圧力波を低減する遮蔽カバーと、
前記遮蔽カバーのプラズマ生成領域側に配置された圧力波減衰体とを含む、極端紫外光生成装置。
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