JP6058324B2 - ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置 - Google Patents

ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6058324B2
JP6058324B2 JP2012199775A JP2012199775A JP6058324B2 JP 6058324 B2 JP6058324 B2 JP 6058324B2 JP 2012199775 A JP2012199775 A JP 2012199775A JP 2012199775 A JP2012199775 A JP 2012199775A JP 6058324 B2 JP6058324 B2 JP 6058324B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
pressure
output
generator
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012199775A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014056891A (ja
Inventor
隆之 薮
隆之 薮
能史 植野
能史 植野
健 児玉
健 児玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Priority to JP2012199775A priority Critical patent/JP6058324B2/ja
Priority to US14/024,306 priority patent/US8841639B2/en
Publication of JP2014056891A publication Critical patent/JP2014056891A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6058324B2 publication Critical patent/JP6058324B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本開示は、ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外光（以下、ＥＵＶ光という場合がある。）を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。
米国特許第７４０５４１６号明細書
概要
本開示の一態様によるターゲット供給装置の制御方法は、イメージセンサを含むＥＵＶ光生成装置に備えられ、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内部の圧力を制御する圧力制御部と、を含むターゲット供給装置を用い、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部を加圧することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から出力することと、前記イメージセンサが検出した前記ノズル孔から出力するターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することと、前記出力方向と前記設定方向との差が前記所定範囲に入るまで、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の圧力を維持することと、を含んでもよい。
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、イメージセンサを含むＥＵＶ光生成装置に備えられ、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内部の圧力を制御する圧力制御部と、前記圧力制御部を制御する制御部であって、前記ターゲット生成器内部を加圧することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から出力することと、前記イメージセンサが検出した前記ノズル孔から出力するターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することと、前記出力方向と前記設定方向との差が前記所定範囲に入るまで、前記ターゲット生成器内部の圧力を維持することとを行う制御部とを含んでもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図２は、第１実施形態および第２実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図３は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図４Ａは、第１実施形態の課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がジェットを出力していないときの状態を示す。 図４Ｂは、前記課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がジェットを出力しているときの状態を示す。 図５は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートである。 図６は、ターゲット供給装置の制御方法を示すタイミングチャートである。 図７Ａは、ターゲット供給装置がジェットを出力していないときの状態を示す。 図７Ｂは、ターゲット供給装置がジェットを出力しているときの状態であって、ジェットの軌道が設定軌道からずれている状態を示す。 図７Ｃは、ターゲット供給装置がジェットを出力しているときの状態であって、ジェットの軌道が設定軌道とほぼ一致している状態を示す。 図７Ｄは、図７Ｃの状態からジェットの出力を停止した状態を示す。 図８は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図９は、ターゲット供給装置のノズルの構成を概略的に示す。 図１０Ａは、第２実施形態の課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がドロップレットを生成していないときの状態を示す。 図１０Ｂは、前記課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置が生成したドロップレットが静電引出部で放出される前の状態を示す。 図１１は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートである。 図１２は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートであって、図１１に続く処理を表す。 図１３は、ターゲット供給装置の制御方法を示すタイミングチャートである。 図１４Ａは、ターゲット供給装置がドロップレットを生成していないときの状態を示す。 図１４Ｂは、ターゲット供給装置が生成したドロップレットが静電引出部で放出される前の状態であって、ドロップレットの中心位置がノズル孔の中心軸からずれている状態を示す。 図１４Ｃは、ターゲット供給装置が生成したドロップレットが静電引出部で放出される前の状態であって、ドロップレットの中心位置がノズル孔の中心軸とほぼ一致している状態を示す。 図１４Ｄは、図１４Ｃの状態からドロップレットの生成を停止した状態を示す。
実施形態
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１ 第１実施形態
３．１．１ 概略
３．１．２ 構成
３．１．３ 動作
３．２ 第２実施形態
３．２．１ 概略
３．２．２ 構成
３．２．３ 動作
３．３ 変形例
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置の制御方法は、イメージセンサを含むＥＵＶ光生成装置に備えられ、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内部の圧力を制御する圧力制御部と、を含むターゲット供給装置を用い、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部を加圧することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から出力することと、前記イメージセンサが検出した前記ノズル孔から出力するターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することと、前記出力方向と前記設定方向との差が前記所定範囲に入るまで、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の圧力を維持することと、を含んでもよい。
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、イメージセンサを含むＥＵＶ光生成装置に備えられ、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内部の圧力を制御する圧力制御部と、前記圧力制御部を制御する制御部であって、前記ターゲット生成器内部を加圧することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から出力することと、前記イメージセンサが検出した前記ノズル孔から出力するターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することと、前記出力方向と前記設定方向との差が前記所定範囲に入るまで、前記ターゲット生成器内部の圧力を維持することとを行う制御部とを含んでもよい。
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過するように、レーザ装置３等が配置されてもよい。あるいは、チャンバ２には、その貫通孔を塞ぐように、かつ、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過するように、少なくとも１つのウインドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１焦点および第２焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１焦点がプラズマ生成位置またはその近傍のプラズマ生成領域２５に位置し、その第２焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）中間焦点２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。所望の集光位置は中間焦点（ＩＦ）２９２と呼んでもよい。なお、プラズマの生成については、後に説明する。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、貫通孔２４が設けられてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、パルスレーザ光３３が貫通孔２４を通過するように配置されてもよい。
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでいてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２焦点位置に位置するように配置されてもよい。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収装置２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
２．２ 動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶを含む光２５１（以下、「ＥＵＶ光を含む光」を「ＥＵＶ光」と表現する場合がある）が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１ 第１実施形態
３．１．１ 概略
本開示の第１実施形態のターゲット供給装置の制御方法において、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から出力することは、前記ターゲット物質をジェット状に出力することにより行われ、前記ターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することは、前記ジェット状に出力するターゲット物質の軌道と設定軌道との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することにより行われてもよい。
本開示の第１実施形態のターゲット供給装置において、前記制御部は、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズル孔から出力することを、前記ターゲット物質をジェット状に出力することにより行い、前記ターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することを、前記ジェット状に出力するターゲット物質の軌道と設定軌道との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することにより行ってもよい。
３．１．２ 構成
図２は、第１実施形態および後述する第２実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ａとを備えてもよい。ターゲット制御装置８０Ａには、レーザ装置３と、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａとが電気的に接続されてもよい。
ターゲット生成部７０Ａは、図２および図３に示すように、ターゲット生成器７１Ａと、圧力制御部７２Ａと、温度制御部７３Ａと、ピエゾ部７５Ａとを備えてもよい。
ターゲット生成器７１Ａは、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７１１Ａを備えてもよい。タンク７１１Ａは、筒状であってもよい。タンク７１１Ａには、当該タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０を、ドロップレット２７としてチャンバ２内に出力するためのノズル７１２Ａが設けられていてもよい。ターゲット生成器７１Ａは、タンク７１１Ａがチャンバ２外部に位置し、ノズル７１２Ａがチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。
ノズル７１２Ａは、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料で構成されるのが好ましい。具体的には、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料とは、ターゲット物質２７０との接触角が９０°を超える材料であってもよい。接触角が９０°以上の材料は、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。
ノズル７１２Ａのノズル孔７１３Ａは、内壁面７１４Ａ（図４（Ａ）参照）と、開口部７１５Ａ（図４（Ａ）参照）とを備えてもよい。内壁面７１４Ａは、ノズル孔７１３Ａの軸がノズル７１２Ａの軸と一致する筒状に形成されてもよい。開口部７１５Ａは、ノズル孔７１３Ａの第１の端に設けられてもよい。
チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるドロップレット２７の出力方向（ノズル７１２Ａの軸方向（設定出力方向１０Ａと称する））は、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ドロップレット２７が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。
タンク７１１Ａの端部７１９Ａには、図２および図３に示すように、配管７２７Ａを介して不活性ガスボンベ７２１Ａが接続されてもよい。配管７２７Ａは、第１の端が不活性ガスボンベ７２１Ａに連結されてもよい。配管７２７Ａは、第２の端がタンク７１１Ａ内に位置するように、端部７１９Ａに連結されてもよい。このような構成によって、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の不活性ガスが、ターゲット生成器７１Ａ内に供給され得る。
配管７２７Ａには、圧力制御部７２Ａが設けられてもよい。圧力制御部７２Ａは、第１バルブＶ１と、第２バルブＶ２と、圧力センサ７２２Ａとを備えてもよい。
第１バルブＶ１は、配管７２７Ａに設けられてもよい。
配管７２７Ａにおける第１バルブＶ１よりタンク７１１Ａ側には、配管７２８Ａが連結されてもよい。配管７２８Ａは、第１の端が配管７２７Ａの側面に連結されてもよい。配管７２８Ａは、第２の端が開放されてもよい。第２バルブＶ２は、配管７２８Ａの途中に設けられてもよい。
第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、ゲートバルブ、ボールバルブ、バタフライバルブなどのいずれかであってもよい。第１バルブＶ１と第２バルブＶ２とは、同じ種類のバルブであってもよいし、異なる種類のバルブであってもよい。
第１バルブＶ１および第２バルブＶ２には、ターゲット制御装置８０Ａが電気的に接続されてもよい。第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、ターゲット制御装置８０Ａから送信される信号に基づいて、それぞれ独立して開閉を切り替えられてもよい。
第１バルブＶ１が開くと、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の不活性ガスが、配管７２７Ａを介してターゲット生成器７１Ａ内に供給され得る。第２バルブＶ２が閉じると、配管７２７Ａ内に存在する不活性ガスが、配管７２８Ａの第２の端から当該配管７２７Ａの外部に排出されることを防止し得る。このことにより、第１バルブＶ１が開くとともに、第２バルブＶ２が閉じると、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の圧力まで上がり得る。その後、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力は、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の圧力で維持され得る。
第１バルブＶ１が閉じると、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の不活性ガスが、配管７２７Ａを介してターゲット生成器７１Ａ内に供給されることを防止し得る。第２バルブＶ２が開くと、配管７２７Ａの内部と当該配管７２７Ａの外部との間の圧力差によって、配管７２７Ａ内に存在する不活性ガスが、配管７２８Ａの第２の端から当該配管７２７Ａの外部に排出され得る。このことにより、第１バルブＶ１が閉じるとともに、第２バルブＶ２が開くと、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が下がり得る。
配管７２７Ａにおける配管７２８Ａよりタンク７１１Ａ側には、配管７２９Ａが連結されてもよい。配管７２９Ａは、第１の端が配管７２７Ａの側面に連結されてもよい。配管７２８Ａの第２の端には、圧力センサ７２２Ａが設けられてもよい。圧力センサ７２２Ａには、ターゲット制御装置８０Ａが電気的に接続されてもよい。圧力センサ７２２Ａは、配管７２９Ａ内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号をターゲット制御装置８０Ａに送信してもよい。配管７２９Ａ内の圧力は、配管７２７Ａの圧力およびターゲット生成器７１Ａ内の圧力とほぼ同一の圧力となり得る。
温度制御部７３Ａは、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御するよう構成されてもよい。温度制御部７３Ａは、ヒータ７３１Ａと、ヒータ電源７３２Ａと、温度センサ７３３Ａと、温度コントローラ７３４Ａとを備えてもよい。ヒータ７３１Ａは、タンク７１１Ａの外周面に設けられてもよい。ヒータ電源７３２Ａは、温度コントローラ７３４Ａからの信号に基づいて、ヒータ７３１Ａに電力を供給してヒータ７３１Ａを発熱させてもよい。それにより、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０が、タンク７１１Ａを介して加熱され得る。
温度センサ７３３Ａは、タンク７１１Ａの外周面におけるノズル７１２Ａ側に設けられてもよいし、タンク７１１Ａ内に設けられてもよい。温度センサ７３３Ａは、タンク７１１Ａにおける主に温度センサ７３３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を温度コントローラ７３４Ａに送信するよう構成されてもよい。温度センサ７３３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度とほぼ同一の温度となり得る。
温度コントローラ７３４Ａは、温度センサ７３３Ａからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に制御するための信号をヒータ電源７３２Ａに出力するよう構成されてもよい。
ピエゾ部７５Ａは、ピエゾ素子７５１Ａと、電源７５２Ａとを備えてもよい。ピエゾ素子７５１Ａは、チャンバ２内において、ノズル７１２Ａの外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７５１Ａの代わりに、高速でノズル７１２Ａに振動を加えることが可能な機構が設けられてもよい。電源７５２Ａは、フィードスルー７５３Ａを介してピエゾ素子７５１Ａに電気的に接続されてもよい。電源７５２Ａは、ターゲット制御装置８０Ａに電気的に接続されてもよい。
ターゲット生成部７０Ａは、コンティニュアスジェット方式でジェット２７Ａを生成し、ノズル７１２Ａから出力したジェット２７Ａを振動させることで、ドロップレット２７を生成するよう構成されてもよい。
チャンバ２には、図３に示すように、第１ターゲットセンサ４１Ａと、第２ターゲットセンサ４２Ａとが設けられてもよい。第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａは、本開示のイメージセンサであってもよい。
第１ターゲットセンサ４１Ａは、ターゲット生成器７１Ａに対して−Ｘ方向側（図３における左側）に設けられてもよい。第２ターゲットセンサ４２Ａは、ターゲット生成器７１Ａに対して−Ｙ方向側（図３における紙面奥側）に設けられてもよい。第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａは、ノズル７１２Ａから出力するジェット２７Ａを、−Ｘ方向側および−Ｙ方向側からそれぞれ検出できるように設けられてもよい。
第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａは、ターゲット制御装置８０Ａに電気的に接続されてもよい。第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａは、検出したジェット２７Ａの形状に対応する信号をターゲット制御装置８０Ａに送信してもよい。
ターゲット制御装置８０Ａは、本開示の制御部であってもよい。ターゲット制御装置８０Ａには、タイマ８１Ａが電気的に接続されてもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、温度コントローラ７３４Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御してもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、圧力制御部７２Ａの第１バルブＶ１および第２バルブＶ２に信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を制御してもよい。
３．１．３ 動作
図４Ａは、第１実施形態の課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がジェットを出力していないときの状態を示す。図４Ｂは、前記課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がジェットを出力しているときの状態を示す。図５は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートである。図６は、ターゲット供給装置の制御方法を示すタイミングチャートである。図７Ａは、ターゲット供給装置がジェットを出力していないときの状態を示す。図７Ｂは、ターゲット供給装置がジェットを出力しているときの状態であって、ジェットの軌道が設定軌道からずれている状態を示す。図７Ｃは、ターゲット供給装置がジェットを出力しているときの状態であって、ジェットの軌道が設定軌道とほぼ一致している状態を示す。図７Ｄは、図７Ｃの状態からジェットの出力を停止した状態を示す。
なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置７Ａの制御方法を説明する。ターゲット制御装置８０Ａは、圧力センサ７２２Ａから送信される信号を受信して、この受信した信号に基づいて、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を判断してもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、タイマ８１Ａから送信される信号を受信して、この受信した信号に基づいて、時刻を判断してもよい。
まず、第１実施形態のターゲット供給装置の制御方法が解決しようとする課題について説明する。
ＥＵＶ光生成装置１の作業者は、新しいターゲット生成器７１Ａあるいはメンテナンスを行ったターゲット生成器７１Ａをチャンバ２に取り付けてもよい。
ターゲット供給装置７Ａのターゲット制御装置８０Ａは、温度制御部７３Ａを制御して、図４Ａに示すように、ターゲット物質２７０が溶融するまでターゲット物質２７０を加熱してもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、ジェット２７Ａを出力するために、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＪに設定してもよい。圧力ＰＪは、１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下であってもよい。ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＪに到達すると、図４Ｂに示すように、ノズル７１２Ａのノズル孔７１３Ａからジェット２７Ａが出力し得る。
このとき、ジェット２７Ａの軌道Ｃ１が設定軌道ＣＡからずれることがあり得る。設定軌道ＣＡは、ノズル７１２Ａの中心軸と一致するように設定されてもよい。この軌道Ｃ１が設定軌道ＣＡからずれる原因は、以下のように推測し得る。
ターゲット生成器７１Ａ内の圧力によって、ターゲット物質２７０が図４Ａに示す状態から押し出されるとき、ノズル７１２Ａの内壁面７１４Ａには、ターゲット物質２７０と接触する領域と、ターゲット物質２７０と接触しない領域とが存在し得る。この場合、内壁面７１４Ａのうちターゲット物質２７０と接触した領域は、ターゲット物質２７０が濡れやすくなり得る。その結果、ターゲット物質２７０が内壁面７１４Ａの一部のみを伝って、開口部７１５Ａの一部のみに到達し得る。例えば、ターゲット物質２７０が内壁面７１４Ａのうち図４Ｂにおける右側の領域のみを伝って、開口部７１５Ａのうち右側の領域のみに到達し得る。この右側の領域のみ到達した当該ターゲット物質２７０が、ジェット２７Ａとして出力するとき、当該ジェット２７Ａの軌道Ｃ１が設定軌道ＣＡから右側にずれ得る。
この設定軌道ＣＡから軌道Ｃ１にずれたジェット２７Ａが出力している状態において、ターゲット制御装置８０Ａがピエゾ部７５Ａを制御してノズル７１２Ａに振動を加えると、この振動により生成されたドロップレット２７が意図しない方向に出力され得る。
このような課題を解決するため、ＥＵＶ光を生成するためのドロップレット２７の出力処理を開始する前に、図５および図６に示すターゲット供給装置７Ａの制御方法を行ってもよい。
ターゲット供給装置７Ａのターゲット制御装置８０Ａは、ノズル７１２Ａがチャンバ２内部に位置し、かつ、チャンバ２内部が真空の状態において、ドロップレット２７を生成する処理の前処理として、図５に示すような処理を行ってもよい。
ターゲット制御装置８０Ａは、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＬに設定してもよい（ステップＳ１）。ターゲット制御装置８０Ａは、圧力制御部７２Ａの第１バルブＶ１と第２バルブＶ２とに信号を送信して、第１バルブＶ１と第２バルブＶ２との開度を調整してもよい。これにより、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の不活性ガスがターゲット生成器７１Ａ内に供給され、図６に示すように、時刻Ｔ０において、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＬまで上がり得る。圧力ＰＬは、図７Ａに示すように、ターゲット物質２７０の端部がノズル孔７１３Ａにおける開口部７１５Ａと反対の端（上端）に位置する大きさであってもよい。圧力ＰＬは、例えば大気圧以下であってもよく、０．０５ＭＰａであってもよい。
ターゲット制御装置８０Ａは、図５に示すように、温度コントローラ７３４Ａにスズの融点Ｔｍ以上の目標温度Ｔｓを設定してもよい（ステップＳ２）。スズの融点Ｔｍは、２３２℃であってもよい。目標温度Ｔｓは、２８０℃〜３５０℃であってもよい。このステップＳ２の処理により、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０の温度Ｔが上がり得る。
ターゲット制御装置８０Ａは、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０の温度Ｔが所定の温度範囲内にあるか否かを判断してもよい（ステップＳ３）。所定の温度範囲は、下限温度Ｔｓｍｉｎ以上、上限温度Ｔｓｍａｘ以下であってもよい。所定の温度範囲の中心値である目標温度Ｔｓは、３１５℃であってもよい。
ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ３の判断基準を満たすと判断すると、この温度制御をそのまま継続してもよい（ステップＳ４）。ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ３の判断基準を満たさないと判断すると、ステップＳ２の処理を行ってもよい。このステップＳ２の処理が行われると、温度Ｔが下限温度Ｔｓｍｉｎより低い場合には、ターゲット物質２７０の温度が上がり得る。温度Ｔが上限温度Ｔｓｍａｘより高い場合には、ターゲット物質２７０の温度が下がり得る。
ターゲット制御装置８０Ａは、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＪに設定してもよい（ステップＳ５）。ターゲット制御装置８０Ａは、第１バルブＶ１と第２バルブＶ２とに信号を送信して、第１バルブＶ１と第２バルブＶ２との開度を調整してもよい。圧力ＰＪは、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０がノズル７１２Ａからジェット２７Ａとして出力する大きさであってもよい。圧力ＰＪは、上述したように、１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下であってもよい。
このステップＳ５の処理が行われると、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力は、図６に示すように、時刻Ｔ１から上がり始め、時刻Ｔ２に圧力ＰＪに到達し得る。ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＪに到達すると、図７Ｂに示すように、ターゲット物質２７０が押され、ノズル孔７１３Ａからジェット２７Ａが出力し得る。このとき、上述したように、ジェット２７Ａの軌道Ｃ１が設定軌道ＣＡに対してずれ得る。
第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａは、図５に示すように、ジェット２７Ａを観測してもよい（ステップＳ６）。第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａは、ジェット２７Ａを−Ｘ方向側および−Ｙ方向側からそれぞれ観測（検出）し得る。第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａは、ジェット２７Ａの観測結果（検出結果）に対応する信号を、ターゲット制御装置８０Ａに送信してもよい。
ターゲット制御装置８０Ａは、ジェット２７Ａの方向を計算してもよい（ステップＳ７）。ターゲット制御装置８０Ａは、第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａから送信される信号に基づいて、ジェット２７Ａを−Ｘ方向側および−Ｙ方向側から観測したときのジェット２７Ａの出力状態を計算してもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、この計算した出力状態に基づいて、ジェット２７Ａの方向として軌道Ｃ１を計算してもよい。このとき、第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａによる異なる２方向からの観測結果に基づいて、ターゲット制御装置８０Ａは、高精度にジェット２７Ａの方向を計算し得る。
ターゲット制御装置８０Ａは、ノズル孔７１３Ａから出力しているジェット２７Ａの軌道Ｃ１と設定軌道ＣＡとのなす角度Δθが、所定の角度範囲内にあるか否かを判断してもよい（ステップＳ８）。図７Ｂに示す角度Δθが所定の角度範囲内にあるかの判断は、当該角度Δθの絶対値が閾角度Δθｍａｘ以下か否かを判断することにより行われてもよい。閾角度Δθｍａｘは、数度（例えば、０°≦Δθｍａｘ≦３°）であってもよい。
ここで、図７Ｂに示すように、ジェット２７Ａの軌道Ｃ１が設定軌道ＣＡからずれた状態で当該ジェット２７Ａが出力し続けると、内壁面７１４Ａにおけるターゲット物質２７０と接触している領域がノズル孔７１３Ａの周方向に沿って徐々に広がり得る。その結果、ターゲット物質２７０が内壁面７１４Ａの全域と接触し、当該内壁面７１４Ａの全域を伝って開口部７１５Ａの全域に到達し得る。この開口部７１５Ａの全域に到達したターゲット物質２７０がジェット２７Ａとして出力されるとき、図７Ｃに示すように、当該ジェット２７Ａの軌道Ｃ１が設定軌道ＣＡとほぼ一致し得る。すなわち、角度Δθの絶対値がほぼ０となり得る。
ターゲット制御装置８０Ａは、図５に示すように、ステップＳ８の判断基準を満たさないと判断した場合、ステップＳ６の処理を行ってもよい。例えば、ジェット２７Ａが図７Ｂに示すように出力している場合、角度Δθが所定の角度範囲内にないと判断し得る。
一方、ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ８の判断基準を満たすと判断した場合、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＬに設定してもよい（ステップＳ９）。例えば、ターゲット制御装置８０Ａは、図６に示すような時刻Ｔ３において、ジェット２７Ａが図７Ｃに示すように出力している場合、角度Δθが所定の角度範囲内にあると判断し得る。
ステップＳ９の処理が行われると、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力は、図６に示すように、時刻Ｔ４から下がり始め、時刻Ｔ５に圧力ＰＬに到達し得る。ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＬに到達するまでの間に、図７Ｄに示すように、ターゲット物質２７０が内壁面７１４Ａの全域に接触した状態で、ジェット２７Ａの出力が停止し得る。
この後、ターゲット制御装置８０Ａは、ＥＵＶ光を生成するために、ターゲット生成部７０Ａを制御してドロップレット２７を生成してもよい。このとき、上述のターゲット供給装置７Ａの制御方法によって、内壁面７１４Ａの全域がターゲット物質２７０と濡れやすくなっているため、図７Ｄに示すように、ターゲット物質２７０が内壁面７１４Ａの全域に接触した状態からジェット２７Ａの出力が開始され得る。その結果、ジェット２７Ａの軌道Ｃ１が設定軌道ＣＡとほぼ一致した状態で出力され、ドロップレット２７が意図する方向に（プラズマ生成領域２５に）出力され得る。
上述のように、ドロップレット２７を出力する処理の前処理として、ターゲット制御装置８０Ａがノズル孔７１３Ａから出力するターゲット物質２７０の出力方向と設定方向との差が所定範囲に入るまで、ターゲット生成器７１Ａ内部の圧力を圧力ＰＪに維持する処理を行うので、当該前処理後にドロップレット２７が適切に出力し得る。
ターゲット制御装置８０Ａは、ジェット２７Ａの軌道Ｃ１と設定軌道ＣＡとのなす角度Δθが所定の角度範囲内にあるか否かを判断することで、コンティニュアスジェット方式においてドロップレット２７を適切に出力し得る。
３．２ 第２実施形態
３．２．１ 概略
本開示の第２実施形態のターゲット供給装置の制御方法において、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から出力することは、前記ターゲット物質を前記ノズル孔から押し出して、前記ターゲット物質を前記ノズルの先端に付着させることにより行われ、前記ターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することは、前記ノズルの先端に付着したターゲット物質の位置と前記ノズル孔の中心軸との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することにより行われてもよい。
本開示の第２実施形態のターゲット供給装置において、前記制御部は、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズル孔から出力することを、前記ターゲット物質を前記ノズル孔から押し出して、前記ターゲット物質を前記ノズルの先端に付着させることにより行い、前記ターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することを、前記ノズルの先端に付着したターゲット物質の位置と前記ノズル孔の中心軸との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することにより行ってもよい。
３．２．２ 構成
図８は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。図９は、ターゲット供給装置のノズルの構成を概略的に示す。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂは、図８に示すように、ターゲット供給装置７Ｂのターゲット生成部７０Ｂと、ターゲット制御装置８０Ｂ以外の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様のものを適用してもよい。
第２実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。
ターゲット生成部７０Ｂは、ターゲット生成器７１Ｂと、圧力制御部７２Ａと、温度制御部７３Ａと、静電引出部７５Ｂとを備えてもよい。
ターゲット生成器７１Ｂは、図８および図９に示すように、タンク７１１Ｂを備えてもよい。タンク７１１Ｂは、筒状であってもよい。タンク７１１Ｂには、ノズル７１２Ｂが設けられていてもよい。ターゲット生成器７１Ｂは、タンク７１１Ｂがチャンバ２外部に位置し、ノズル７１２Ｂがチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。
ノズル７１２Ｂは、ノズル本体７１３Ｂと、保持部７１４Ｂと、出力部７１５Ｂとを備えてもよい。ノズル本体７１３Ｂは、タンク７１１Ｂの下面からチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。保持部７１４Ｂは、ノズル本体７１３Ｂの先端に設けられてもよい。保持部７１４Ｂは、ノズル本体７１３Ｂよりも直径が大きい円筒状に形成されても
よい。
出力部７１５Ｂは、略円板状に形成されてもよい。出力部７１５Ｂは、ノズル本体７１３Ｂの先端面に密着するように、保持部７１４Ｂによって保持されてもよい。出力部７１５Ｂの中央部分には、円錐台状の突出部７１６Ｂが設けられてもよい。出力部７１５Ｂは、突出部７１６Ｂがチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。
突出部７１６Ｂは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部７１６Ｂには、突出部７１６Ｂにおける円錐台上面部を構成する先端部の略中央部に開口するノズル孔７１７Ｂが設けられてもよい。ノズル孔７１７Ｂの直径は、６〜１５μｍであってもよい。ノズル孔７１７Ｂは、内壁面７１７Ｂ１（図１０（Ａ）参照）と、開口部７１７Ｂ２（図１０（Ａ）参照）とを備えてもよい。内壁面７１７Ｂ１は、ノズル孔７１７Ｂの軸がノズル７１２Ｂの軸と一致する筒状に形成されてもよい。開口部７１７Ｂ２は、内壁面７１７Ｂ１の第１の端に設けられてもよい。出力部７１５Ｂは、出力部７１５Ｂとターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料で構成されるのが好ましい。あるいは、出力部７１５Ｂの少なくとも表面が、当該濡れ性が低い材料でコーティングされてもよい。当該濡れ性が低い材料は、第１実施形態において、ノズル７１２Ａの材料として例示した材料と同じであってもよい。
タンク７１１Ｂと、ノズル７１２Ｂと、出力部７１５Ｂとは、電気絶縁材料で構成されてもよい。これらが、電気絶縁材料ではない材料、例えばモリブデンなどの金属材料で構成される場合には、チャンバ２とターゲット生成器７１Ｂとの間や、出力部７１５Ｂと後述する第１電極７５１Ｂとの間に電気絶縁材料が配置されてもよい。この場合、タンク７１１Ｂと後述するパルス電圧生成器７５３Ｂとが電気的に接続されてもよい。
また、突出部７１６Ｂの先端には、静電引出部７５Ｂによって突出部７１６Ｂから引き出される前のドロップレット２７Ｂが付着してもよい。
保持部７１４Ｂには、２個の貫通孔７１０Ｂが設けられてもよい。貫通孔７１０Ｂは、突出部７１６Ｂの先端に付着したドロップレット２７Ｂを、第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａが観測できるように、設けられてもよい。
静電引出部７５Ｂは、第１電極７５１Ｂと、第２電極７５２Ｂと、パルス電圧生成器７５３Ｂと、電圧源７５４Ｂとを備えてもよい。後に説明するように、第１電極７５１Ｂの電位と第２電極７５２Ｂの電位との間の電位差を利用して、ドロップレット２７Ｂを出力部７１５Ｂから引き出してもよい。
第１電極７５１Ｂの中央には、円形状の貫通孔７５５Ｂが形成されてもよい。第１電極７５１Ｂは、出力部７１５Ｂとの間に隙間が形成されるように、保持部７１４Ｂによって保持されてもよい。第１電極７５１Ｂは、貫通孔７５５Ｂの中心軸と、突出部７１６Ｂの軸とが一致するように保持されるのが好ましい。ドロップレット２７Ｂは円形状の貫通孔７５５Ｂを通過し得る。第１電極７５１Ｂには、フィードスルー７５８Ｂを介してパルス電圧生成器７５３Ｂが電気的に接続されてもよい。
第２電極７５２Ｂは、タンク７１１Ｂ内のターゲット物質２７０中に配置されてもよい。第２電極７５２Ｂには、フィードスルー７５９Ｂを介して電圧源７５４Ｂが電気的に接続されてもよい。
パルス電圧生成器７５３Ｂおよび電圧源７５４Ｂは、接地されてもよい。パルス電圧生成器７５３Ｂおよび電圧源７５４Ｂには、ターゲット制御装置８０Ｂが電気的に接続されてもよい。
３．２．３ 動作
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
図１０Ａは、第２実施形態の課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がドロップレットを生成していないときの状態を示す。図１０Ｂは、前記課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置が生成したドロップレットが静電引出部で放出される前の状態を示す。図１１は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートである。図１２は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートであって、図１１に続く処理を表す。図１３は、ターゲット供給装置の制御方法を示すタイミングチャートである。図１４Ａは、ターゲット供給装置がドロップレットを生成していないときの状態を示す。図１４Ｂは、ターゲット供給装置が生成したドロップレットが静電引出部で放出される前の状態であって、ドロップレットの中心位置がノズル孔の中心軸からずれている状態を示す。図１４Ｃは、ターゲット供給装置が生成したドロップレットが静電引出部で放出される前の状態であって、ドロップレットの中心位置がノズル孔の中心軸とほぼ一致している状態を示す。図１４Ｄは、図１４Ｃの状態からドロップレットの生成を停止した状態を示す。
まず、第２実施形態のターゲット供給装置の制御方法が解決しようとする課題について説明する。
ターゲット供給装置７Ｂのターゲット制御装置８０Ｂは、例えば新しいターゲット生成器７１Ｂがチャンバ２に取り付けられた後、図１０Ａに示すように、ターゲット物質２７０が溶融するまでターゲット物質２７０を加熱してもよい。ターゲット制御装置８０Ｂは、ドロップレット２７Ｂを生成するために、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力を圧力ＰＳに設定してもよい。ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力が圧力ＰＳに到達した際、ターゲット物質２７０が当該ターゲット物質２７０のノズル孔７１７Ｂにおける表面張力を打ち破ってもよい。その結果、ターゲット物質２７０がノズル孔７１７Ｂから押し出され、図１０Ｂに示すように、突出部７１６Ｂの先端にドロップレット２７Ｂが生成され得る。ノズル孔７１７Ｂの直径が１０μｍの場合、圧力ＰＳは、０．２５ＭＰａであってもよい。
このとき、ドロップレット２７Ｂの中心位置Ｃ２がノズル孔７１７Ｂの中心軸ＣＢからずれることがあり得る。ノズル孔７１７Ｂの中心軸ＣＢは、ノズル７１２Ｂの中心軸と一致するように設定されてもよい。この中心位置Ｃ２がノズル孔７１７Ｂの中心軸ＣＢからずれる原因は、以下のように推測し得る。
ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力によって、ドロップレット２７Ｂが生成されるとき、突出部７１６Ｂの先端面７１８Ｂのうち内縁側の円環状の領域には、ドロップレット２７Ｂと接触する領域と、ドロップレット２７Ｂと接触しない領域とが存在し得る。この場合、先端面７１８Ｂにおける内縁側の円環状の領域のうちドロップレット２７Ｂと接触した領域は、ターゲット物質２７０が濡れやすくなり得る。その結果、例えば図１０Ｂに示すように、ドロップレット２７Ｂの中心位置Ｃ２がノズル孔７１７Ｂの中心軸ＣＢから右側にずれ得る。
このノズル孔７１７Ｂの中心軸ＣＢから中心位置Ｃ２がずれたドロップレット２７Ｂを静電引出部７５Ｂによって引き出すと、ドロップレット２７Ｂが意図しない方向に出力され得る。
このような課題を解決するため、ＥＵＶ光を生成するためのドロップレット２７Ｂの引き出し処理を開始する前に、図１１および図１２に示すターゲット供給装置７Ｂの制御方法を行ってもよい。
ターゲット供給装置７Ｂのターゲット制御装置８０Ｂは、第１実施形態と同様のステップＳ１〜ステップＳ５の処理を行ってもよい。
ステップＳ１の処理が行われると、図１３に示すように、時刻Ｔ０において、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＬまで上がり得る。圧力ＰＬは、図１４Ａに示すように、ターゲット物質２７０の端部がノズル孔７１７Ｂの内壁面７１７Ｂ１における開口部７１７Ｂ２と反対の端（上端）に位置する大きさであってもよい。
ステップＳ５の処理が行われると、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力は、図１３に示すように、時刻Ｔ１１から上がり始め、時刻Ｔ１２に圧力ＰＪに到達し得る。ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力が圧力ＰＪに到達すると、ターゲット物質２７０が押され、ノズル孔７１７Ｂから図示しないジェットが出力し得る。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力が圧力ＰＪに到達すると、図１１に示すように、タイマ８１Ａによって時間の計測を開始してもよい（ステップＳ１１）。ターゲット制御装置８０Ｂは、タイマ８１Ａによる計測時間Ｋｔが、下限時間Ｋｍｉｎより長く、かつ、上限時間Ｋｍａｘより短いか否かを判断してもよい（ステップＳ１２）。下限時間Ｋｍｉｎおよび上限時間Ｋｍａｘは、数分〜数十分であってもよい。すなわち、時刻Ｔ１２から後述する時刻Ｔ１３までの長さが、数分〜数十分であってもよい。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１２の判断基準を満たさないと判断した場合、ステップＳ１２の処理を行ってもよい。なお、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１２の判断基準を満たさないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１２の処理を行ってもよい。ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１２の判断基準を満たすと判断した場合、図１２に示すように、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力を圧力ＰＳに設定してもよい（ステップＳ１３）。
以上のステップＳ１１〜ステップＳ１３の処理が行われると、図１３に示すように、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力は、時刻Ｔ１３から下がり始め、時刻Ｔ１４に圧力ＰＳに到達し得る。この時刻Ｔ１３から時刻Ｔ１４の間に、ジェットの出力が停止し得る。さらに、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力が圧力ＰＳに到達すると、突出部７１６Ｂの先端にドロップレット２７Ｂが形成され得る。ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力が圧力ＰＳで維持されている間、ドロップレット２７Ｂは徐々に大きくなり得る（徐々に成長し得る）。
ターゲット制御装置８０Ｂは、図１２に示すように、ドロップレット２７Ｂの直径Ｄが所定の設定範囲内にあるか否かを判断してもよい（ステップＳ１４）。所定の設定範囲は、ドロップレット２７Ｂによって、ノズル孔７１７Ｂの開口部７１７Ｂ２全体が塞がれる大きさであってもよい。所定の設定範囲は、下限値Ｄｍｉｎ以上、上限値Ｄｍａｘ以下であってもよい。下限値Ｄｍｉｎは、１００μｍであってもよい。上限値Ｄｍａｘは、１ｍｍであってもよい。
ターゲット制御装置８０Ｂがドロップレット２７Ｂの直径Ｄを検出する方法としては、以下のような方法を適用してもよい。
第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａは、徐々に成長するドロップレット２７Ｂの形状を検出して、この検出結果に対応する信号をターゲット制御装置８０Ｂに送信してもよい。第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａは、所定時間毎に、ドロップレット２７Ｂの形状を検出してもよい。ターゲット制御装置８０Ｂは、第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａから送信される信号に基づいて、ドロップレット２７Ｂの直径Ｄが所定の設定範囲内にあるか否かを判断してもよい。
また、他の方法としては、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力が圧力ＰＳに到達してからの経過時間と、ドロップレット２７Ｂの直径Ｄとの関係を実験で求めてもよい。この実験結果から、直径Ｄが下限値Ｄｍｉｎとなる下限時間と、直径Ｄが上限値Ｄｍａｘとなる上限時間とを求め、当該下限時間と上限時間とを図示しないメモリに記憶してもよい。ターゲット制御装置８０Ｂは、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力が圧力ＰＳに到達してからの経過時間をタイマ８１Ａで計測して、当該経過時間が下限時間以上、上限時間以下となったときに、ドロップレット２７Ｂの直径Ｄが所定の設定範囲内にあると判断してもよい。
ターゲット制御装置８０ＢがステップＳ１４の判断基準を満たさないと判断すると、当該ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１４の処理を行ってもよい。なお、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１４の判断基準を満たさないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１４の処理を行ってもよい。
ターゲット制御装置８０ＢがステップＳ１４の判断基準を満たすと判断した場合、第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａは、突出部７１６Ｂに付着したドロップレット２７Ｂを観測してもよい（ステップＳ１５）。
ターゲット制御装置８０Ｂは、第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａの観測結果に基づいて、ドロップレット２７Ｂの中心位置Ｃ２を計算してもよい（ステップＳ１６）。
ターゲット制御装置８０Ｂは、第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａから送信される信号に基づいて、ドロップレット２７Ｂを−Ｘ方向側および−Ｙ方向側から観測したときのドロップレット２７Ｂの付着位置を計算してもよい。ターゲット制御装置８０Ｂは、この計算した付着位置に基づいて、ドロップレット２７Ｂの中心位置Ｃ２を計算してもよい。このとき、第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａの観測結果に基づいて、ターゲット制御装置８０Ｂは、高精度に中心位置Ｃ２を計算し得る。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ドロップレット２７Ｂの中心位置Ｃ２とノズル孔７１７Ｂの中心軸ＣＢとの差ΔＣが、所定の範囲内にあるか否かを判断してもよい（ステップＳ１７）。図１４Ｂに示す差ΔＣが所定の範囲内にあるかの判断は、当該差ΔＣの絶対値が閾値ΔＣｍａｘ以下か否かを判断することにより行われてもよい。閾値ΔＣｍａｘは、数μｍであってもよい。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１７の判断基準を満たさないと判断した場合、当該判断基準を満たすまで、ステップＳ５、ステップＳ１１〜ステップＳ１７の処理を行ってもよい。
このステップＳ５、ステップＳ１１〜ステップＳ１７の処理を行うと、例えば、図１３に示すように、時刻Ｔ１５〜時刻Ｔ１６、時刻Ｔ１９〜時刻Ｔ２０、時刻Ｔ２３〜時刻Ｔ２４において、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力が圧力ＰＳから圧力ＰＪに上がり得る。
時刻Ｔ１６〜時刻Ｔ１７、時刻Ｔ２０〜時刻Ｔ２１、時刻Ｔ２４〜時刻Ｔ２５において、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力が圧力ＰＪに維持され、ノズル孔７１７Ｂからジェットが出力し得る。このジェットの出力に伴い、突出部７１６Ｂに付着したドロップレット２７Ｂがチャンバ２内に出力し得る。
時刻Ｔ１７〜時刻Ｔ１８、時刻Ｔ２１〜時刻Ｔ２２、時刻Ｔ２５〜時刻Ｔ２６において、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力が圧力ＰＪから圧力ＰＳに下がり、ジェットの出力が停止し得る。
時刻Ｔ１８〜時刻Ｔ１９、時刻Ｔ２２〜時刻Ｔ２３、時刻Ｔ２６〜時刻Ｔ２７において、ドロップレット２７Ｂが徐々に成長し得る。
このようにジェットの出力、ドロップレット２７Ｂの成長を繰り返し行うことにより、ターゲット物質２７０が先端面７１８Ｂの周方向に沿って徐々に広がり得る。その結果、ターゲット物質２７０が先端面７１８Ｂにおける内縁側の円環状の領域の全てに接触し、図１４Ｃに示すように、中心位置Ｃ２とノズル孔７１７Ｂの中心軸ＣＢとがほぼ一致するようにドロップレット２７Ｂが７１６Ａに成長し得る。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１７の判断基準を満たすと判断した場合、図１２に示すように、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力を圧力ＰＬに設定してもよい（ステップＳ９）。例えば、ターゲット制御装置８０Ｂは、図１３に示すような時刻Ｔ２７において、図１４Ｃに示すように、中心位置Ｃ２とノズル孔７１７Ｂの中心軸ＣＢとがほぼ一致するようにドロップレット２７Ｂが７１６Ａに付着している場合、差ΔＣが所定の範囲内にあると判断し得る。この図１４Ｃに示す状態では、先端面７１８Ｂにおける内縁側の円環状の領域の全てがターゲット物質２７０と濡れやすくなり得る。
ステップＳ９の処理が行われると、ターゲット生成器７１Ｂ内の圧力は、図１３に示すように、時刻Ｔ２８から下がり始め、時刻Ｔ２９に圧力ＰＬに到達し得る。ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＬに到達するまでの間に、ドロップレット２７Ｂがノズル孔７１７Ｂ内に引き込まれ、図１４Ｄに示すように、ターゲット物質２７０がノズル孔７１７Ｂの内壁面７１７Ｂ１の全域に接触し、かつ、突出部７１６Ｂにドロップレット２７Ｂが付着しない状態となり得る。
この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、ＥＵＶ光を生成するために、第１電極７５１Ｂと第２電極７５２Ｂとの電位差を利用して、ドロップレット２７Ｂを出力部７１５Ｂから連続的に引き出してもよい。このとき、上述のターゲット供給装置７Ｂの制御方法によって、先端面７１８Ｂにおける内縁側の円環状の領域の全てがターゲット物質２７０と濡れやすくなっているため、中心位置Ｃ２とノズル孔７１７Ｂの中心軸ＣＢとがほぼ一致するように、ドロップレット２７Ｂが突出部７１６Ｂに生成され得る。その結果、ドロップレット２７Ｂが意図する方向に（プラズマ生成領域２５に）引き出され得る。
上述のように、ターゲット制御装置８０Ｂは、ドロップレット２７Ｂの中心位置Ｃ２とノズル孔７１７Ｂの中心軸ＣＢとの差ΔＣが所定の範囲内にあるか否かを判断することで、第１電極７５１Ｂと第２電極７５２Ｂとの電位差を利用してドロップレット２７Ｂを引き出す構成において、ドロップレット２７Ｂを適切に出力し得る。
３．３ 変形例
なお、ターゲット供給装置の制御方法としては、以下のような構成としてもよい。
第１実施形態において、第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａによってジェット２７Ａを観測せずに、ジェット２７Ａを出力しているノズル７１２Ａに振動を加え、この振動により生成したドロップレット２７を観測してもよい。この場合、設定軌道ＣＡに対するジェット２７Ａの軌道Ｃ１のずれを判断する代わりに、設定軌道ＣＡに対するドロップレット２７の軌道のずれを判断してもよい。
第１，第２実施形態において、２つのターゲットセンサ（第１ターゲットセンサ４１Ａおよび第２ターゲットセンサ４２Ａ）を設けたが、１つあるいは３つ以上のターゲットセンサを設けてもよい。
第１，第２実施形態において、ターゲット供給装置７Ａ、ターゲット供給装置７Ｂは、図７Ｄ、図１４Ｄに示す状態から、温度を下げてターゲット物質２７０を固化させてもよい。その後、ターゲット供給装置７Ａ、ターゲット供給装置７Ｂは、ターゲット物質２７０を溶融するまで加熱して、ＥＵＶ光を生成するために、ドロップレット２７を出力したり、ドロップレット２７Ｂを引き出したりしてもよい。
第１実施形態において、ターゲット供給装置として、ピエゾ素子などによりノズル７１２Ａに押圧力を加えることでドロップレットを生成する、オンデマンド方式のものを用いてもよい。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
１Ａ，１Ｂ…ＥＵＶ光生成装置、４１Ａ，４１Ｂ…第１，第２ターゲットセンサ（イメージセンサ）、７Ａ，７Ｂ…ターゲット供給装置、７１Ａ…ターゲット生成器、７２Ａ…圧力制御部、７１２Ａ，７１２Ｂ…ノズル、７１３Ａ，７１７Ｂ…ノズル孔。

Claims (4)

  1. イメージセンサを含むＥＵＶ光生成装置に備えられ、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、
    前記ターゲット生成器内部の圧力を制御する圧力制御部と、を含むターゲット供給装置を用い、
    前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部を加圧することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から出力することと、
    前記イメージセンサが検出した前記ノズル孔から出力するターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することと、
    前記出力方向と前記設定方向との差が前記所定範囲に入るまで、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の圧力を維持することと、を含むターゲット供給装置の制御方法。
  2. 請求項１に記載のターゲット供給装置の制御方法において、
    前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から出力することは、前記ターゲット物質をジェット状に出力することにより行われ、
    前記ターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することは、前記ジェット状に出力するターゲット物質の軌道と設定軌道との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することにより行われるターゲット供給装置の制御方法。
  3. イメージセンサを含むＥＵＶ光生成装置に備えられ、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、
    前記ターゲット生成器内部の圧力を制御する圧力制御部と、
    前記圧力制御部を制御する制御部であって、前記ターゲット生成器内部を加圧することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から出力することと、前記イメージセンサが検出した前記ノズル孔から出力するターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することと、前記出力方向と前記設定方向との差が前記所定範囲に入るまで、前記ターゲット生成器内部の圧力を維持することとを行う制御部とを含むターゲット供給装置。
  4. 請求項３に記載のターゲット供給装置において、
    前記制御部は、
    前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズル孔から出力することを、前記ターゲット物質をジェット状に出力することにより行い、
    前記ターゲット物質の出力方向と設定方向との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することを、前記ジェット状に出力するターゲット物質の軌道と設定軌道との差が、所定範囲に入っているか否かを判断することにより行うターゲット供給装置。
JP2012199775A 2012-09-11 2012-09-11 ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置 Active JP6058324B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012199775A JP6058324B2 (ja) 2012-09-11 2012-09-11 ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置
US14/024,306 US8841639B2 (en) 2012-09-11 2013-09-11 Control method for target supply device, and target supply device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012199775A JP6058324B2 (ja) 2012-09-11 2012-09-11 ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014056891A JP2014056891A (ja) 2014-03-27
JP6058324B2 true JP6058324B2 (ja) 2017-01-11

Family

ID=50232245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012199775A Active JP6058324B2 (ja) 2012-09-11 2012-09-11 ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8841639B2 (ja)
JP (1) JP6058324B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9544983B2 (en) * 2014-11-05 2017-01-10 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of supplying target material
WO2016079838A1 (ja) * 2014-11-20 2016-05-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2016121040A1 (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、その処理装置および処理方法
JP6824985B2 (ja) * 2015-12-17 2021-02-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Ｅｕｖソースのためのノズル及び液滴発生器
JP2022080420A (ja) 2020-11-18 2022-05-30 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999063790A1 (fr) * 1998-05-29 1999-12-09 Nikon Corporation Source lumineuse plasmatique excitee au laser, appareil d'exposition et son procede de fabrication, et procede de fabrication d'un dispositif
JP4273574B2 (ja) * 1999-05-27 2009-06-03 株式会社ニコン Ｘ線発生装置及びこれを有するｘ線露光装置及びｘ線の発生方法
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
US7405416B2 (en) 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
US6792076B2 (en) * 2002-05-28 2004-09-14 Northrop Grumman Corporation Target steering system for EUV droplet generators
JP2010062141A (ja) * 2008-08-04 2010-03-18 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP5551426B2 (ja) * 2008-12-19 2014-07-16 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
JP5603135B2 (ja) * 2009-05-21 2014-10-08 ギガフォトン株式会社 チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法
WO2010137625A1 (ja) * 2009-05-27 2010-12-02 ギガフォトン株式会社 ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置
JP5511705B2 (ja) * 2011-02-10 2014-06-04 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
JP5789443B2 (ja) * 2011-08-03 2015-10-07 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、そのノズルのクリーニング機構、および、そのノズルのクリーニング方法
JP5881345B2 (ja) * 2011-09-13 2016-03-09 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP5881353B2 (ja) * 2011-09-27 2016-03-09 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置
JP6077822B2 (ja) * 2012-02-10 2017-02-08 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8841639B2 (en) 2014-09-23
JP2014056891A (ja) 2014-03-27
US20140070021A1 (en) 2014-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6058324B2 (ja) ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置
JP6054067B2 (ja) Ｅｕｖ光生成装置、ターゲット回収装置、および、ターゲット回収方法
JP5789443B2 (ja) ターゲット供給装置、そのノズルのクリーニング機構、および、そのノズルのクリーニング方法
JP6055017B2 (ja) ターゲット供給装置、チャンバ装置および極端紫外光生成装置
JP6469577B2 (ja) 極紫外光源のためのターゲット材料供給装置
JP6077822B2 (ja) ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法
JP6383736B2 (ja) 極端紫外光生成装置
US9538629B2 (en) Chamber for extreme ultraviolet light generation apparatus, and extreme ultraviolet light generation apparatus
JP6068044B2 (ja) ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置
US20120205559A1 (en) Target supply device and extreme ultraviolet light generation apparatus
JP6103894B2 (ja) ターゲット供給装置
JP5393517B2 (ja) 極端紫外光源装置
JP6689281B2 (ja) 極端紫外光生成装置
JP5901058B2 (ja) ターゲット供給装置
US20160165708A1 (en) Target supply apparatus and euv light generating apparatus
US9233782B2 (en) Target supply device
JP5946649B2 (ja) ターゲット供給装置
US9310686B2 (en) Target supply device and target supply method
WO2019162994A1 (ja) ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、電子デバイスの製造方法
JP2014143150A (ja) ターゲット供給装置およびｅｕｖ光生成チャンバ
JP2014102980A (ja) ターゲット供給装置
EP3858113A1 (en) Target formation apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150804

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20160323

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20160323

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160526

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160601

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160907

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6058324

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250