JP2022080420A - ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ドロップレットが不安定な状態となる時間を短くすることで、ＥＵＶ光生成装置の不具合を抑制し得るターゲット供給装置を提供する。【解決手段】ターゲット供給装置４０は、ターゲット物質を貯蔵するタンク４１と、タンク内の圧力を調節する圧力調節器４３と、タンク内のターゲット物質をろ過するフィルタ５１ａと、フィルタを通過したターゲット物質のドロップレットを吐出するノズル４２とを備える。また、ターゲット供給装置は、ノズルからのドロップレットの吐出を検出するドロップレット検出器と、タンク内の圧力がターゲットセンサによってドロップレットの吐出がターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の圧力から目標圧力に昇圧する前までの間において、タンク内の圧力の昇圧速度がドロップレットの吐出の検出前よりもドロップレットの吐出の検出後において速くなるように、圧力調節器を制御するプロセッサ１２０とを備える。【選択図】図３

Description

本開示は、ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。

米国特許第８８４１６３９号明細書 米国特許第１０２２５９１７号明細書

概要

本開示の一態様によるターゲット供給装置は、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、タンク内のターゲット物質をろ過するフィルタと、フィルタを通過したターゲット物質のドロップレットを吐出するノズルと、ノズルからのドロップレットの吐出を検出するドロップレット検出器と、タンク内の圧力がドロップレット検出器によってドロップレットの吐出がターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の圧力から目標圧力に昇圧する前までの間において、タンク内の圧力の昇圧速度がドロップレットの吐出の検出前よりもドロップレットの吐出の検出後において速くなるように、圧力調節器を制御するプロセッサと、を備えてもよい。

本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、プラズマ生成領域を含むチャンバ装置と、プラズマ生成領域にターゲット物質のドロップレットを供給するターゲット供給装置と、プラズマ生成領域においてドロップレットからプラズマが生成されるようにドロップレットにレーザ光を照射するレーザ装置と、を備え、ターゲット供給装置は、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、タンク内のターゲット物質をろ過するフィルタと、フィルタを通過したターゲット物質のドロップレットを吐出するノズルと、ノズルからのドロップレットの吐出を検出するドロップレット検出器と、タンク内の圧力がドロップレット検出器によってドロップレットの吐出がターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の圧力から目標圧力に昇圧する前までの間において、タンク内の圧力の昇圧速度がドロップレットの吐出の検出前よりもドロップレットの吐出の検出後において速くなるように、圧力調節器を制御するプロセッサと、を備えてもよい。

本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、プラズマ生成領域を含むチャンバ装置と、プラズマ生成領域にターゲット物質のドロップレットを供給するターゲット供給装置と、プラズマ生成領域においてドロップレットからプラズマが生成されるようにドロップレットにレーザ光を照射するレーザ装置と、を備え、ターゲット供給装置は、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、タンク内のターゲット物質をろ過するフィルタと、フィルタを通過したターゲット物質のドロップレットを吐出するノズルと、ノズルからのドロップレットの吐出を検出するドロップレット検出器と、タンク内の圧力がドロップレット検出器によってドロップレットの吐出がターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の圧力から目標圧力に昇圧する前までの間において、タンク内の圧力の昇圧速度がドロップレットの吐出の検出前よりもドロップレットの吐出の検出後において速くなるように、圧力調節器を制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成装置によって、ターゲット物質にレーザ光を照射することによってプラズマを生成し、プラズマから生成される極端紫外光を露光装置に出射し、電子デバイスを製造するために、露光装置によって感光基板上に極端紫外光を露光することを含んでもよい。

本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、プラズマ生成領域を含むチャンバ装置と、プラズマ生成領域にターゲット物質のドロップレットを供給するターゲット供給装置と、プラズマ生成領域においてドロップレットからプラズマが生成されるようにドロップレットにレーザ光を照射するレーザ装置と、を備え、ターゲット供給装置は、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、タンク内のターゲット物質をろ過するフィルタと、フィルタを通過したターゲット物質のドロップレットを吐出するノズルと、ノズルからのドロップレットの吐出を検出するドロップレット検出器と、タンク内の圧力がドロップレット検出器によってドロップレットの吐出がターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の圧力から目標圧力に昇圧する前までの間において、タンク内の圧力の昇圧速度がドロップレットの吐出の検出前よりもドロップレットの吐出の検出後において速くなるように、圧力調節器を制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成装置によって、ターゲット物質にレーザ光を照射することによってプラズマを生成し、プラズマから生成される極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含んでもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、図１に示す電子デバイスの製造装置とは別の電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図３は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図４は、圧力調節器の概略構成例を示す模式図である。 図５は、比較例におけるタンク内の圧力と、当該圧力が昇圧する時刻との関係を示す図である。 図６は、ノズルから吐出したドロップレットが不安定な状態であることの一例を示す図である。 図７は、ノズルから吐出したドロップレットが不安定な状態であることの別の一例を示す図である。 図８は、実施形態１のプロセッサの制御フローチャートの一例を示す図である。 図９は、実施形態１におけるタンク内の圧力と、当該圧力が昇圧する時刻との関係を示す図である。 図１０は、実施形態２のプロセッサの制御フローチャートの一例を示す図である。 図１１は、ドロップレットが再吐出する場合におけるタンク内の圧力と、当該圧力が昇圧する時刻との関係を示す図である。 図１２は、実施形態３における極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図１３は、実施形態３のプロセッサの制御フローチャートの一例を示す図である。

実施形態

１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２の極端紫外光生成装置の説明
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．実施形態３の極端紫外光生成装置の説明
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。

２．電子デバイスの製造装置の説明
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。

図２は、図１に示す電子デバイス製造装置とは別の電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び検査装置３００を含む。検査装置３００は、反射光学系である複数のミラー３１１，３１３，３１５を含む照明光学系３１０と、照明光学系３１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー３２１，３２３、及び検出器３２５を含む検出光学系３２０とを含む。照明光学系３１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１をミラー３１１，３１３，３１５で反射して、マスクステージ３３１に配置されているマスク３３３を照射する。マスク３３３は、パターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系３２０は、マスク３３３からのパターンを反映したＥＵＶ光１０１をミラー３２１，３２３で反射して検出器３２５の受光面に結像させる。ＥＵＶ光１０１を受光した検出器３２５は、マスク３３３の画像を取得する。検出器３２５は、例えばＴＤＩ（Time Delay Integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク３３３の画像により、マスク３３３の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置２００を用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造することができる。

３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。また、以下では、図１に示すように外部装置としての露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００を用いて説明する。なお、図２に示すように外部装置としての検査装置３００にＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００についても、露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００と同様の作用・効果を得ることができる。

図３は、本例のＥＵＶ光生成装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図３に示すように、ＥＵＶ光生成装置１００は、レーザ装置ＬＤ、チャンバ装置１０、プロセッサ１２０、及びレーザ光デリバリ光学系３０を主な構成として含む。

チャンバ装置１０は、密閉可能な容器である。チャンバ装置１０は、低圧雰囲気の内部空間を囲う内壁１０ｂを含む。チャンバ装置１０はサブチャンバ１５を含み、サブチャンバ１５にターゲット供給装置４０が配置されている。ターゲット供給装置４０は、サブチャンバ１５の壁を貫通するように取り付けられている。ターゲット供給装置４０は、タンク４１、ノズル４２、及び圧力調節器４３を含み、ドロップレットＤＬをチャンバ装置１０の内部空間に供給している。ドロップレットＤＬは、ターゲットとも呼ばれる。

タンク４１は、その内部にドロップレットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズを含む。タンク４１の内部は、タンク４１内の圧力を調節する圧力調節器４３と連通している。タンク４１には、ヒータ４４及び温度センサ４５が取り付けられている。ヒータ４４は、ヒータ電源４６から供給される電流により、タンク４１を加熱する。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。温度センサ４５は、タンク４１を介してタンク４１内のターゲット物質の温度を測定する。圧力調節器４３、温度センサ４５、及びヒータ電源４６は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。

また、タンク４１は、タンク４１内及びノズル４２に連通する連通部を含む。連通部は、タンク４１内からノズル４２に向かってターゲット物質が流れる流路である。連通部は連通部の他の部分よりも径が大きい拡径部を含み、拡径部にはフィルタ部５１が隙間なく収容されている。

フィルタ部５１は、フィルタ５１ａ及びフィルタホルダ５１ｂを含む。

フィルタ５１ａは、フィルタ５１ａを通過したターゲット物質をろ過し、ターゲット物質からパーティクルを除去する。パーティクルは、酸化スズといった金属酸化物である。このようなフィルタ５１ａは、例えば、パーティクルを捕集するために、多孔質部材で構成されている。従って、フィルタ５１ａには無数の貫通孔が位置しており、例えば貫通孔の口径は概ね３μｍ以上１０μｍ以下である。フィルタ５１ａの厚みは、概ね５ｍｍである。フィルタ５１ａは、多孔質ガラスであってもよい。或いは、フィルタ５１ａは、複数の多孔質の板状部材が積層された構造を有してもよいし、複数の多孔質のセラミックスであってもよい。

フィルタ５１ａは筒状のフィルタホルダ５１ｂの中空部に配置され、フィルタ５１ａの外周面はフィルタホルダ５１ｂの内周面に隙間なく密着しており、当該外周面及び当該内周面の間は封止されている。また、フィルタホルダ５１ｂの外面は拡径部における内面に隙間なく密着しており、当該外面及び当該内面の間は封止されている。

ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、フィルタ５１ａを通過したターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４７が取り付けられている。ピエゾ素子４７は、ピエゾ電源４８に電気的に接続されており、ピエゾ電源４８から印加される電圧で駆動される。ピエゾ電源４８は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。ピエゾ素子４７の動作により、ノズル４２から吐出するターゲット物質はドロップレットＤＬにされる。

タンク４１、ノズル４２、及びフィルタホルダ５１ｂのそれぞれの材質は、ターゲット物質であるスズとの反応性が低い材質である。このような材質には、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはタンタル（Ｔａ）が挙げられる。

図４は、圧力調節器４３の概略構成例を示す模式図である。

圧力調節器４３は、ガス供給源５３及びタンク４１内と連通する配管４３ａと、配管４３ａに設けられるバルブ４３ｂと、配管４３ａに連通する配管４３ｃと、配管４３ｃに設けられるバルブ４３ｄと、配管４３ａにおいてバルブ４３ｂとタンク４１との間に設けられる圧力センサ４３ｅとを含む。

ガス供給源５３は、アルゴン（Ａｒ）ガス、及びヘリウム（Ｈｅ）ガス等の不活性ガスが充填されているボンベである。配管４３ａは、ガス供給源５３からタンク４１内に不活性ガスを供給する供給路である。配管４３ａは配管４３ｃの一端に連通し、配管４３ｃの他端には排気口４３ｆが設けられている。配管４３ｃは、排気口４３ｆを介してタンク４１内の不活性ガスを排気する排気路である。

バルブ４３ｂ，４３ｄは、配管４３ａ，４３ｃを開閉する調節弁である。図４では、バルブ４３ｂは配管４３ａにおいて配管４３ａ及び配管４３ｃの連通部とガス供給源５３との間に設けられている例を示している。バルブ４３ｂは、圧力センサ４３ｅよりも供給路における上流側に設けられていればよい。それぞれのバルブ４３ｂ，４３ｄには、不図示のアクチュエータが取り付けられている。それぞれのアクチュエータは、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。それぞれのアクチュエータはプロセッサ１２０から入力される信号に基づいてバルブ４３ｂ，４３ｄを開閉し、開閉によってタンク４１内は加圧或いは減圧される。加圧の場合、バルブ４３ｄのアクチュエータはバルブ４３ｄを閉じ、バルブ４３ｂのアクチュエータはバルブ４３ｂの開き具合を調節する。また、減圧の場合、バルブ４３ｂのアクチュエータはバルブ４３ｂを閉じ、バルブ４３ｄのアクチュエータはバルブ４３ｄの開き具合を調節する。バルブ４３ｂの開き具合によって加圧によるタンク４１内の圧力の昇圧速度が調節され、バルブ４３ｄの開き具合によって減圧によるタンク４１内の圧力の降圧速度が調節される。なお、バルブ４３ｂがバルブ４３ｄよりも大きく開くことでタンク４１内が加圧されてもよいし、バルブ４３ｄがバルブ４３ｂよりも大きく開くことで、タンク４１内が減圧されてもよい。また、圧力調節器４３の構成は、ガス供給源５３からの不活性ガスの供給によってタンク４１内を加圧し、タンク４１内からの不活性ガスの排気によってタンク４１内を減圧すれば特に限定されない。従って、圧力調節器４３では、バルブ４３ｂ，４３ｄではなく、三方弁が配管４３ａ及び配管４３ｃの連通部に設けられてもよい。

圧力センサ４３ｅは、配管４３ａを介してタンク４１内の圧力を計測する。圧力センサ４３ｅは、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。なお、圧力センサ４３ｅは、タンク４１に設けられてもよい。

図３に戻り、チャンバ装置１０の説明を続ける。チャンバ装置１０は、ターゲット回収部１４を含む。ターゲット回収部１４は、チャンバ装置１０の内壁１０ｂに取り付けられる箱体である。ターゲット回収部１４は、チャンバ装置１０の内壁１０ｂに連続する開口１０ａを介してチャンバ装置１０の内部空間に連通している。ターゲット回収部１４及び開口１０ａは、ノズル４２の直下に配置される。ターゲット回収部１４は、開口１０ａを通過してターゲット回収部１４に到達する不要なドロップレットＤＬを回収し、この不要なドロップレットＤＬが溜まるドレインタンクである。

チャンバ装置１０の内壁１０ｂには、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。この貫通孔は、ウィンドウ１２によって塞がれ、ウィンドウ１２をレーザ装置ＬＤから出射されるパルス状のレーザ光９０が透過する。

また、チャンバ装置１０の内部空間には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを含む。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光９０を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光する光を反射する。レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ装置１０の内部空間でのレーザ光９０の集光位置がプロセッサ１２０から指定された位置になるように調節される。当該集光位置はノズル４２の直下に位置するように調節されており、レーザ光９０が当該集光位置においてドロップレットＤＬを構成するターゲット物質を照射すると、照射によってプラズマが生成されると共に、プラズマからＥＵＶ光１０１が放射される。以下においては、プラズマが生成される領域を、プラズマ生成領域ＡＲと呼ぶことがある。

チャンバ装置１０の内部空間には、例えば、回転楕円面形状の反射面７５ａを含むＥＵＶ光集光ミラー７５が配置される。反射面７５ａは、プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから放射されるＥＵＶ光１０１を反射する。反射面７５ａは、第１焦点及び第２焦点を有する。反射面７５ａは、例えば、その第１焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、その第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されてもよい。図３では、第１焦点及び第２焦点を通る直線が焦点直線Ｌ０として示されている。

また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ装置１０の内部空間及び露光装置２００の内部空間を連通させる接続部１９を含む。接続部１９の内部には、アパーチャが形成された壁が配置されている。この壁は、アパーチャが第２焦点に位置するように配置されることが好ましい。接続部１９はＥＵＶ光生成装置１００におけるＥＵＶ光１０１の出射口であり、ＥＵＶ光１０１は接続部１９から出射されて露光装置２００に入射する。

また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６及びターゲットセンサ２７を含む。圧力センサ２６及びターゲットセンサ２７は、チャンバ装置１０に取り付けられ、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。圧力センサ２６は、チャンバ装置１０の内部空間の圧力を計測する。ターゲットセンサ２７は、例えば撮像機能を含み、プロセッサ１２０からの指示によってノズル４２のノズル孔から吐出するドロップレットＤＬの存在、軌跡、位置、流速等を検出する。ターゲットセンサ２７は、チャンバ装置１０の内部に配置されてもよいし、チャンバ装置１０の外部に配置されチャンバ装置１０の壁に設けられる不図示のウィンドウを介してドロップレットＤＬを検出してもよい。ターゲットセンサ２７は、不図示の受光光学系と、例えばＣＣＤ（Charge-Coupled Device）またはフォトダイオード等の不図示の撮像部とを含む。受光光学系は、ドロップレットＤＬの検出精度を向上させるために、ドロップレットＤＬの軌跡及びその周囲における像を撮像部の受光面に結像する。ドロップレットＤＬがターゲットセンサ２７の視野を確保するために配置されるターゲットセンサ２７の不図示の光源部による光の集光領域を通過するときに、撮像部はドロップレットＤＬの軌跡及びその周囲を通る光の変化を検出する。撮像部は、検出した光の変化を、ドロップレットＤＬのイメージデータに関わる信号としての電気信号に変換する。撮像部は、この電気信号をプロセッサ１２０に出力する。

レーザ装置ＬＤは、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光９０を出射する。マスターオシレータは、例えば、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合された気体を放電によって励起することで、レーザ光９０を出射するレーザ装置である。或いは、マスターオシレータは、量子カスケードレーザ装置でもよい。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光９０を出射してもよい。また、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を含んでもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続したパルス状のレーザ光９０を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光９０の出射を抑制する動作である。

レーザ装置ＬＤから出射するレーザ光９０の進行方向は、レーザ光デリバリ光学系３０によって調節される。レーザ光デリバリ光学系３０は、レーザ光９０の進行方向を調節する複数のミラー３０Ａ，３０Ｂを含む。これらミラー３０Ａ，３０Ｂの少なくとも１つの位置は、不図示のアクチュエータで調節される。ミラー３０Ａ，３０Ｂの少なくとも１つの位置が調節されることで、レーザ光９０がウィンドウ１２から適切にチャンバ装置１０の内部空間に伝搬し得る。

本開示のプロセッサ１２０は、制御プログラムが記憶された記憶装置１２０ａと、制御プログラムを実行するＣＰＵ１２０ｂとを含む処理装置である。プロセッサ１２０は、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光生成装置１００の幾つかの構成を制御する。また、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御する。プロセッサ１２０には、圧力センサ２６で計測されたチャンバ装置１０の内部空間の圧力に係る信号や、ターゲットセンサ２７によって撮像されたドロップレットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からのバースト信号や、圧力センサ４３ｅで計測されたタンク４１内の圧力に係る信号等が入力される。プロセッサ１２０は、上記各種信号を処理し、例えば、ドロップレットＤＬが出力されるタイミング、ドロップレットＤＬの出力方向等を制御してもよい。さらに、プロセッサ１２０は、レーザ装置ＬＤの発振タイミング、レーザ光９０の進行方向、レーザ光９０の集光位置等を制御してもよい。さらに、プロセッサ１２０は、圧力センサ４３ｅからの信号を基に、バルブ４３ｂ，４３ｄの開閉及びバルブ４３ｂ，４３ｄの開き具合等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて後述のように他の制御が追加されてもよい。

チャンバ装置１０には、エッチングガスをチャンバ装置１０の内部空間に供給する中心側ガス供給部８１が配置されている。上記のように、ターゲット物質はスズを含むため、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が１００％と見做せる水素含有ガスである。或いは、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスでもよい。バランスガスには、窒素（Ｎ_２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれている。ところで、ドロップレットＤＬを構成するターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子及びスズの荷電粒子が生じる。これら微粒子及び荷電粒子を構成するスズは、チャンバ装置１０の内部空間に供給されたエッチングガスに含まれる水素と反応する。スズが水素と反応すると、常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ_４）になる。

中心側ガス供給部８１は、円錐台の側面状の形状をしており、コーンと呼ばれる場合がある。中心側ガス供給部８１は、ＥＵＶ光集光ミラー７５の中央部に形成された貫通孔７５ｃを挿通している。

中心側ガス供給部８１は、ノズルである中心側ガス供給口８１ａを含む。中心側ガス供給口８１ａは、反射面７５ａの第１焦点及び第２焦点を通る焦点直線Ｌ０上に設けられる。焦点直線Ｌ０は、反射面７５ａの中心軸方向に沿って設けられている。

中心側ガス供給口８１ａは、反射面７５ａの中心側からプラズマ生成領域ＡＲに向かってエッチングガスを供給する。中心側ガス供給口８１ａは、焦点直線Ｌ０に沿って反射面７５ａの中心側から反射面７５ａから離れる方向にエッチングガスを供給することが好ましい。中心側ガス供給口８１ａは、中心側ガス供給部８１の不図示の配管を介してタンクである不図示のガス供給装置に接続されており、ガス供給装置からエッチングガスを供給される。ガス供給装置は、プロセッサ１２０によって駆動を制御される。不図示の配管には、バルブである不図示の供給ガス流量調節部が配置されてもよい。

中心側ガス供給口８１ａは、エッチングガスをチャンバ装置１０の内部空間に供給するガス供給口であると共に、レーザ光９０がチャンバ装置１０の内部空間に出射する出射口でもある。レーザ光９０は、ウィンドウ１２と中心側ガス供給口８１ａとを通過してチャンバ装置１０の内部空間に向かって進行する。

チャンバ装置１０の内壁１０ｂには、排気口１０Ｅが連続している。焦点直線Ｌ０上には露光装置２００が配置されるため、排気口１０Ｅは、焦点直線Ｌ０上ではなく焦点直線Ｌ０の側方における内壁１０ｂに設けられている。排気口１０Ｅの中心軸に沿う方向は、焦点直線Ｌ０に直交している。また、排気口１０Ｅは、焦点直線Ｌ０に垂直な方向から見る場合において、プラズマ生成領域ＡＲを基準として反射面７５ａとは反対側に設けられている。排気口１０Ｅは、チャンバ装置１０の内部空間の後述する残留ガスを排気する。排気口１０Ｅは排気管１０Ｐに接続されており、排気管１０Ｐは排気ポンプ６０に接続されている。

上記のようにターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマ化する際、排ガスとしての残留ガスがチャンバ装置１０の内部空間に生成される。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じたスズの微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応したスタンナンと、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ装置１０の内部空間で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。残留ガスは、排気口１０Ｅと排気管１０Ｐとを介して排気ポンプ６０に吸引される。

３．２ 動作
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ装置１０の内部空間の大気が排気される。その際、大気成分の排気のために、チャンバ装置１０の内部空間のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが用いられることが好ましい。その後、チャンバ装置１０の内部空間の圧力が所定の圧力以下になると、プロセッサ１２０は、ガス供給装置から中心側ガス供給部８１を介してチャンバ装置１０の内部空間へのエッチングガスの導入を開始させる。このときプロセッサ１２０は、チャンバ装置１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、不図示の供給ガス流量調節部や排気ポンプ６０を制御してもよい。その後、プロセッサ１２０は、エッチングガスの導入開始から所定時間が経過するまで待機する。

また、プロセッサ１２０は、排気ポンプ６０により、チャンバ装置１０の内部空間の気体を排気口１０Ｅから排気させ、圧力センサ２６で計測されたチャンバ装置１０の内部空間の圧力の信号に基づいて、チャンバ装置１０の内部空間の圧力を略一定に保つ。

また、プロセッサ１２０は、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱及び維持するために、ヒータ電源４６からヒータ４４に電流を印加させ、ヒータ４４を昇温させる。このとき、プロセッサ１２０は、温度センサ４５からの出力に基づいて、ヒータ電源４６からヒータ４４へ印加される電流の値を調節し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質がスズである場合、スズの融点２３１．９３℃以上の温度であり、例えば２４０℃以上２９０℃以下である。

また、プロセッサ１２０は、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の流速で吐出するように、圧力調節器４３によってガス供給源５３から不活性ガスをタンク４１内に供給し、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を調節する。この圧力下で、ターゲット物質は、フィルタ５１ａによってパーティクルを除去されたうえでノズル４２のノズル孔から吐出される。ノズル孔から吐出するターゲット物質は、ジェットの形態をとってもよい。このとき、プロセッサ１２０は、ドロップレットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４８からピエゾ素子４７に所定波形の電圧を印加させる。ピエゾ電源４８は、電圧値の波形が例えば正弦波状、矩形波状、或いはのこぎり波状となるように、電圧を印加させる。ピエゾ素子４７の振動は、ノズル４２を経由してノズル４２のノズル孔から吐出するターゲット物質へと伝搬し得る。ターゲット物質は、この振動により所定周期で分断され、液滴のドロップレットＤＬとなる。

ターゲットセンサ２７は、チャンバ装置１０の内部空間の所定位置を通過するドロップレットＤＬの通過タイミングを検出する。プロセッサ１２０は、ターゲットセンサ２７からの信号に同期した発光トリガ信号をレーザ装置ＬＤに出力する。発光トリガ信号が入力されると、レーザ装置ＬＤは、パルス状のレーザ光９０を出射する。出射されたレーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射する。また、レーザ光９０は、レーザ集光光学系１３から出射部である中心側ガス供給部８１に進行する。レーザ光９０は、中心側ガス供給部８１における出射口である中心側ガス供給口８１ａからプラズマ生成領域ＡＲに向かって焦点直線Ｌ０に沿って出射され、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットＤＬを照射する。このとき、プロセッサ１２０は、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲに集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、プロセッサ１２０は、ドロップレットＤＬをレーザ光９０が照射するように、ターゲットセンサ２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光９０を出射するタイミングを制御する。これにより、レーザ光集光ミラー１３Ａによって集光するレーザ光９０は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットＤＬを照射する。この照射により生成されたプラズマから、ＥＵＶ光を含む光が放射される。

プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。

ターゲット物質がプラズマ化する際、上記のようにスズの微粒子が生じる。この微粒子は、チャンバ装置１０の内部空間に拡散する。チャンバ装置１０の内部空間に拡散する微粒子は、中心側ガス供給部８１から供給される水素を含むエッチングガスと反応してスタンナンになる。エッチングガスとの反応により得られたスタンナンの多くは、未反応のエッチングガスの流れに乗って、排気口１０Ｅに流入する。また、未反応の荷電粒子、微粒子、及びエッチングガスの少なくとも一部は、排気口１０Ｅに流入する。

排気口１０Ｅに流入した未反応のエッチングガス、微粒子、荷電粒子、及びスタンナン等は、残留ガスとして排気管１０Ｐから排気ポンプ６０内に流入し無害化等の所定の排気処理が施される。

ところで、比較例のＥＵＶ光生成装置１００では、プロセッサ１２０は以下の手順で圧力調節器４３によってタンク４１内を加圧してドロップレットＤＬを吐出する。図５は、タンク４１内の圧力と、当該圧力が昇圧する時刻との関係を示す図である。以下において、タンク４１内の圧力を、圧力Ｐと呼ぶ場合がある。図５に示す実線Ｌ１は、圧力センサ４３ｅで計測された圧力値、すなわち時間の経過に伴う圧力Ｐの変化の様子を示す。以下において、時刻とは加圧が開始されてからの時刻を意味する。図５に示す時刻ｔ０，ｔ１，ｔ２，ｔ３は、０分，１０分，２０分，３０分であることを示す。

加圧の開始時刻である時刻ｔ０においては、ヒータ４４はヒータ電源４６から供給される電流によりタンク４１をすでに加熱しており、タンク４１内のターゲット物質は溶融している状態である。また、バルブ４３ｂ，４３ｄは、閉状態である。

時刻ｔ０においては、プロセッサ１２０は、バルブ４３ｂのアクチュエータに信号を出力し、圧力Ｐが所定圧Ｐ１に所定の昇圧速度で昇圧するようにアクチュエータを介してバルブ４３ｂの開き具合を制御する。所定の昇圧速度は、時刻ｔ１１における圧力Ｐが所定圧Ｐ１となる速度である。バルブ４３ｂが開くと、ガス供給源５３から配管４３ａを介して不活性ガスがタンク４１内に供給される。従って、圧力調節器４３は、時刻ｔ１１までタンク４１内を所定の昇圧速度で所定圧Ｐ１に加圧している。例えば、時刻ｔ１１は１分であり、所定圧Ｐ１は１ＭＰａである。なお、プロセッサ１２０には、圧力センサ４３ｅで計測された圧力Ｐに係る信号が入力されている。このため、プロセッサ１２０がバルブ４３ｂを制御する際、プロセッサ１２０は圧力Ｐが所定圧Ｐ１となるように圧力センサ４３ｅからの信号に基づいてフィードバック制御をする。こうして、時刻ｔ１１において、圧力Ｐは昇圧して所定圧Ｐ１になる。

圧力Ｐが所定圧Ｐ１であることを示す信号が圧力センサ４３ｅからプロセッサ１２０に入力されると、プロセッサ１２０は、バルブ４３ｂのアクチュエータに信号を出力し、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までアクチュエータを介してバルブ４３ｂを開状態のままに制御する。これにより、圧力Ｐは、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２まで所定圧Ｐ１のままとなる。例えば、時刻ｔ１２は、８分である。時刻ｔ０から時刻ｔ１２において、タンク４１内のターゲット物質は、昇圧によってタンク４１内においてフィルタ５１ａに浸透すると共に、フィルタ５１ａからノズル孔までの空間に充填される。また、プロセッサ１２０は、上記したフィードバック制御によってバルブ４３ｂの開き具合を制御する。これにより、圧力Ｐの低下が抑制される。

時刻ｔ１２において、プロセッサ１２０は、バルブ４３ｂのアクチュエータに信号を出力し、圧力Ｐが所定圧Ｐ１から第１目標圧力Ｐ２に第１昇圧速度で昇圧するように、アクチュエータを介してバルブ４３ｂの開き具合を制御する。第１昇圧速度は、時刻ｔ１３における圧力Ｐが第１目標圧力Ｐ２となる速度である。バルブ４３ｂが再び開くと、不活性ガスがガス供給源５３から配管４３ａを介してタンク４１内に再び供給される。従って、圧力調節器４３は、時刻ｔ１２から時刻ｔ１３においてタンク４１内を第１昇圧速度で第１目標圧力Ｐ２にまで加圧している。例えば、第１目標圧力Ｐ２は１０ＭＰａであり、時刻ｔ１３は３２分である。第１昇圧速度は、バルブ４３ｂの開き具合によって調節される。開き具合は、圧力センサ４３ｅからの信号を基にプロセッサ１２０によって制御される。こうして、時刻ｔ１３において、昇圧した圧力Ｐは第１目標圧力Ｐ２になる。

圧力Ｐが第１目標圧力Ｐ２であることを示す信号が圧力センサ４３ｅからプロセッサ１２０に入力されると、プロセッサ１２０は、上記したフィードバック制御によってバルブ４３ｂの開き具合を制御する。これにより、圧力Ｐの低下が抑制され、圧力Ｐは第１目標圧力Ｐ２のままとなる。圧力Ｐが第１目標圧力Ｐ２となる時刻ｔ１３以降において、ターゲット供給装置４０は、第１目標圧力Ｐ２を維持する。

ところで、時刻ｔ１２以降において第１昇圧速度で昇圧している圧力Ｐがある圧力以上となると、ターゲット物質は当該圧力による加圧によってノズル４２のノズル孔から吐出する。ピエゾ素子４７は時刻ｔ０から駆動しており、ピエゾ素子４７の振動は、ノズル４２を経由してノズル４２のノズル孔から吐出するターゲット物質へと伝搬し得る。従って、ターゲット物質は、この振動により所定周期で分断され、液滴のドロップレットＤＬとしてノズル４２のノズル孔から吐出する。図５では、ドロップレットＤＬが吐出された時刻を、時刻ｔ１２及び時刻ｔ１３の間の時刻ｔ１４としている。従って、時刻ｔ０から時刻ｔ１４においてドロップレットＤＬは吐出しておらず、時刻ｔ１４はドロップレットＤＬの吐出開始時刻であり、時刻ｔ１４以降においてドロップレットＤＬは吐出し続けることとなる。例えば、時刻ｔ１４は、１３分である。吐出するドロップレットＤＬは、プラズマ生成領域ＡＲに向かって進行する。また、ドロップレットＤＬの軌道は、円形のノズル孔の中心軸に沿う傾向にある。

３．３ 課題
比較例のターゲット供給装置４０では、昇圧速度は、ドロップレットＤＬの吐出の前後で変わらず第１昇圧速度のままである。タンク４１内の圧力Ｐが時刻ｔ１４から時刻ｔ１３において第１昇圧速度で昇圧している際に、ノズル孔から吐出するドロップレットＤＬは不安定な状態となることがある。不安定な状態として、図６に示すように、ドロップレットＤＬの軌道は、破線で示すようにノズル孔の中心軸に沿う安定状態からずれ、ドロップレットＤＬが進行するほど安定状態から一点鎖線で示すようにずれてしまうことが挙げられる。或いは、図７に示すように、ドロップレットＤＬは、ノズル孔から噴霧状態で吐出してしまい、細かな飛沫４００として飛散してしまうことが挙げられる。飛沫４００の形状を円で図示しているが、形状は特に限定されない。図７においても、安定状態におけるドロップレットＤＬの軌道を破線で示している。

不安定な状態は、時刻ｔ１４以降において常に発生し続けているのではなく、時間の経過と共に徐々に解消される傾向にある。従って、ドロップレットＤＬが時刻ｔ１４にて吐出された後の過程において、図６に示すドロップレットＤＬの軌道のずれや図７に示すドロップレットＤＬの飛散は徐々に解消され、ドロップレットＤＬは不安定な状態からドロップレットＤＬの軌道がノズル孔の中心軸に沿う安定状態に移行する傾向となる。上記を鑑みて、不安定な状態は、時刻ｔ１４からの所定時間の間に発生すると推測される。

不安定な状態では、上記のようにドロップレットＤＬの軌道がノズル孔の中心軸からずれてしまう、或いはドロップレットＤＬが飛散してしまう。これにより、ドロップレットＤＬは、ＥＵＶ光集光ミラー７５の反射面７５ａやターゲットセンサ２７における不図示のウィンドウに付着しこれらを汚染してしまうことがある。これにより、反射面７５ａの反射率が低下したり、ターゲットセンサ２７における検出感度が低下したりしてしまうことがある。このようにチャンバ装置１０の内部空間の構造物の汚染等は、チャンバ装置１０の不具合となり得る。また、ドロップレットＤＬが不安定な状態である時間が長いほど、汚染が広がり得る。

そこで、以下の実施形態では、ドロップレットＤＬが不安定な状態となる時間を短くすることで、ドロップレットＤＬの不安定な状態によるＥＵＶ光生成装置１００の不具合を抑制し得るターゲット供給装置４０が例示される。

４．実施形態１の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

４．１ 構成
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００の構成は、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の構成と同様であるため、説明を省略する。

４．２ 動作
次に、本実施形態におけるタンク４１内の圧力Ｐを制御するプロセッサ１２０の動作について説明する。

図８は、本実施形態のプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。図８に示すように、本実施形態の制御フローは、ステップＳＰ１１～ステップＳＰ１７を含んでいる。本実施形態の制御フローは、ターゲット供給装置４０がＥＵＶ光生成装置１００に初めて設置されて、ＥＵＶ光生成装置１００においてターゲット物質がタンク４１内に初めて充填されてフィルタ５１ａに浸透し、ターゲット供給装置４０の設置からノズル４２が初めてドロップレットＤＬを吐出する場合に用いられる。

また、図９は、ステップＳＰ１１～ステップＳＰ１５における圧力Ｐと、圧力が昇圧する時刻との関係を示す図である。図９に示す実線Ｌ２は、ステップＳＰ１１～ステップＳＰ１５における圧力Ｐの変化の様子を示す。図９では、本実施形態と比較例とを比較するため、図５において実線Ｌ１で示した圧力Ｐの変化を破線Ｌ１として示している。

図８に示すスタートの状態は、比較例における時刻ｔ０と同じである。また、本実施形態のスタートの状態では、プロセッサ１２０には、ターゲットセンサ２７から信号が入力されている。

（ステップＳＰ１１）
本ステップでは、プロセッサ１２０は、時刻ｔ０から時刻ｔ１２における圧力Ｐの変化が比較例における変化と同じとなるように、圧力調節器４３を制御する。従って、圧力Ｐは、時刻ｔ０から時刻ｔ１１において昇圧して所定圧Ｐ１になり、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２まで所定圧Ｐ１のままとなる。プロセッサ１２０は、上記のように圧力調節器４３を制御すると、制御フローをステップＳＰ１２に進める。

（ステップＳＰ１２）
本ステップでは、時刻ｔ１２において、比較例と同様に、プロセッサ１２０は、バルブ４３ｂのアクチュエータに信号を出力し、圧力Ｐが所定圧Ｐ１から第１目標圧力Ｐ２まで第１昇圧速度で昇圧するように、アクチュエータを介してバルブ４３ｂの開き具合を制御する。従って、圧力調節器４３は、時刻ｔ１２からタンク４１内を第１昇圧速度で加圧する。本実施形態のターゲット供給装置４０では、第１昇圧速度は、概ね０．００２ＭＰａ／ｓ以上０．００６７ＭＰａ／ｓ以下であることが好ましいが、０．００２ＭＰａ／ｓ未満であってもよい。第１昇圧速度は予め記憶装置１２０ａに記憶されており、プロセッサ１２０は記憶装置１２０ａから第１昇圧速度を読み出せばよい。第１昇圧速度が０．００２ＭＰａ／ｓ以上０．００６７ＭＰａ／ｓ以下であることによって、タンク４１内のターゲット物質において気泡の発生が抑制され、当該抑制によってタンク４１内のターゲット物質におけるパーティクルの生成が抑制される。また、パーティクルの生成が抑制されると、フィルタ５１ａを通過してしまったパーティクルによるノズル孔の詰まりが抑制される。プロセッサ１２０は、上記のように圧力調節器４３を制御すると、制御フローをステップＳＰ１３に進める。

（ステップＳＰ１３）
本ステップでは、ドロップレットＤＬの吐出の検出を示す信号がターゲットセンサ２７からプロセッサ１２０に入力されると、プロセッサ１２０は制御フローをステップＳＰ１４に進める。時刻ｔ１４において、ターゲット供給装置４０の設置からドロップレットＤＬが初めて吐出されると、本実施形態のターゲット供給装置４０では、ドロップレットＤＬがターゲットセンサ２７によって初めて検出される。ターゲットセンサ２７の検出領域はノズル孔の直下に位置しており、ターゲットセンサ２７はプロセッサ１２０からの指示によって吐出直後のドロップレットＤＬを撮像によって検出するドロップレット検出器である。従って、時刻ｔ１４は、ターゲット供給装置４０の設置からターゲットセンサ２７がドロップレットＤＬを初めて検出した時刻とみなせる。図５では時刻ｔ１４におけるタンク４１内の圧力を圧力Ｐ３としており、圧力Ｐ３でドロップレットＤＬは初めて吐出し、圧力Ｐ３以上でドロップレットＤＬは吐出し続けることとなる。例えば、圧力Ｐ３は３ＭＰａである。

また、本ステップでは、ドロップレットＤＬの吐出の検出を示さない信号がターゲットセンサ２７からプロセッサ１２０に入力されると、プロセッサ１２０は制御フローをステップＳＰ１６に進める。時刻ｔ１２から時刻ｔ１４においてドロップレットＤＬが吐出されないため、プロセッサ１２０は時刻ｔ１２から時刻ｔ１４において制御フローをステップＳＰ１６に進める。なお、ドロップレットＤＬは液滴であり、液滴は間隔をあけて吐出する。間隔は、概ね０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下である。ドロップレットＤＬが当該間隔よりも十分に大きいターゲットセンサ２７の検出領域に侵入すると、ターゲットセンサ２７は、少なくとも１つのドロップレットＤＬを検出する。従って、ターゲットセンサ２７がドロップレットＤＬを検出していない状態は、ドロップレットＤＬがノズル孔から吐出する前、或いは吐出したドロップレットＤＬがターゲットセンサ２７の検出領域に侵入する前の状態であることを示す。

（ステップＳＰ１４）
本ステップでは、プロセッサ１２０は、バルブ４３ｂのアクチュエータに信号を出力し、圧力Ｐが時刻ｔ１４の後において時刻ｔ１４における圧力Ｐ３から第１目標圧力Ｐ２まで第２昇圧速度で昇圧するように、アクチュエータを介してバルブ４３ｂの開き具合を制御する。従って、圧力調節器４３は、時刻ｔ１４の後からタンク４１内を第２昇圧速度で加圧している。第２昇圧速度は、第１昇圧速度よりも速く、時刻ｔ１３よりも早い時刻ｔ１５で圧力Ｐが第１目標圧力Ｐ２となる速度である。第２昇圧速度は、概ね０．２ＭＰａ／ｓ以上１ＭＰａ／ｓ以下であることが好ましいが、１ＭＰａ／ｓを超えてもよい。第２昇圧速度は予め記憶装置１２０ａに記憶されており、プロセッサ１２０は記憶装置１２０ａから第２昇圧速度を読み出せばよい。例えば、時刻ｔ１５は、１６分である。本実施形態のプロセッサ１２０は、ドロップレットＤＬの吐出の検出を示す信号がターゲットセンサ２７からプロセッサ１２０に入力されてから所定時間経過後に圧力Ｐの昇圧速度をドロップレットＤＬの吐出の検出前よりも速くする。所定時間は、概ね１ｍｓ以上１ｓ以下である。所定時間は第１昇圧速度及び第２昇圧速度で圧力Ｐが昇圧している時間よりも非常に短いため、図９において昇圧速度の切り替えのタイミングは時刻ｔ１４と重ねている。また、本実施形態の昇圧速度が切り替わった際の圧力は、上記したように所定時間が非常に短く、所定時間における昇圧が小さいため、概ね圧力Ｐ３とみなせる。上記のように、本実施形態のターゲット供給装置４０では、ターゲット供給装置４０の設置から初めてターゲットセンサ２７によってドロップレットＤＬの吐出が検出された際の圧力Ｐ３から第１目標圧力Ｐ２に圧力Ｐを昇圧する前までの間において、圧力Ｐの昇圧速度はドロップレットＤＬの吐出の検出前よりもドロップレットＤＬの吐出の検出後において速くなり、圧力Ｐは検出前に比べて検出後において速く昇圧する。

ドロップレットＤＬが初めて吐出する時刻ｔ１４における圧力Ｐ３の下限値は、フィルタ５１ａの入口からノズル孔までのコンダクタンスに依存する。下限値は、概ね２．８３ＭＰａであるが、ターゲット供給装置４０によって異なる。このため、昇圧速度の切り替えのタイミングの指標は、下限値を用いるよりも、上記のようにドロップレットＤＬの吐出の検出を用いることが好ましい。

次に、第２昇圧速度の前に第１昇圧速度を用いる理由について説明する。

フィルタ５１ａとノズル孔との間には、空間が設けられている。ドロップレットＤＬの吐出の検出前において第１昇圧速度が用いられずに第２昇圧速度が用いられてしまうと、第１昇圧速度が用いられる場合に比べて、圧力Ｐが急に昇圧し、ターゲット物質が空間に勢いよく侵入してしまうことがある。この侵入によって、空間における大気の一部はノズル孔から吐出されるが、大気の残りの一部は気泡としてターゲット物質内に侵入してしまうことがある。これにより、吐出するドロップレットＤＬは、不安定な状態となる懸念がある。しかしながら、第１昇圧速度が用いられると、第２昇圧速度が用いられる場合に比べてターゲット物質はゆっくりと空間に侵入し、タンク４１内においてフィルタ５１ａに浸透すると共に、フィルタ５１ａからノズル孔までの空間に充填される。これにより、空間における大気はノズル孔から吐出され、ターゲット物質への気泡の侵入が抑制される。従って、ドロップレットＤＬの不安定な状態の発生が抑制される。

また、ドロップレットＤＬの吐出の検出前において第１昇圧速度が用いられずに第２昇圧速度が用いられてしまうと、第１昇圧速度が用いられる場合に比べて、圧力Ｐが急に昇圧してしまう。昇圧によってフィルタ５１ａの上流と下流とで圧力差が発生してしまい、当該圧力差によってフィルタ５１ａに衝撃が急に加わってしまうことがある。しかしながら、第１昇圧速度が用いられると、圧力差の発生が抑制され、フィルタ５１ａへの急な衝撃が抑制される。

プロセッサ１２０は、上記のように圧力調節器４３を制御すると、制御フローをステップＳＰ１５に進める。

（ステップＳＰ１５）
本ステップでは、プロセッサ１２０は、圧力センサ４３ｅから入力される信号によって示される圧力Ｐが第１目標圧力Ｐ２未満である場合には、制御フローをステップＳＰ１５に戻す。従って、圧力調節器４３は、タンク４１内を引き続き第２昇圧速度で第１目標圧力Ｐ２まで加圧する。一方、圧力Ｐが第１目標圧力Ｐ２になると、プロセッサ１２０は、上記したフィードバック制御によってバルブ４３ｂの開き具合を制御する。これにより、圧力Ｐの低下が抑制され、圧力Ｐは第１目標圧力Ｐ２のままとなる。圧力Ｐが第１目標圧力Ｐ２となる時刻ｔ１５以降において、ターゲット供給装置４０は、第１目標圧力Ｐ２を維持する。プロセッサ１２０は、上記のようにバルブ４３ｂを制御すると、制御フローを終了する。

（ステップＳＰ１６）
本ステップでは、プロセッサ１２０は、圧力センサ４３ｅから入力される信号によって示される圧力Ｐが第２目標圧力Ｐ４未満である場合には、制御フローをステップＳＰ１３に戻す。第２目標圧力Ｐ４は、ターゲットセンサ２７によってドロップレットＤＬの吐出がターゲット供給装置４０の設置から初めて検出される際に想定される圧力Ｐ３よりも大きく、第１目標圧力Ｐ２以下である。第２目標圧力Ｐ４は、例えば５ＭＰａである。第２目標圧力Ｐ４は記憶装置１２０ａに記憶されており、プロセッサ１２０は第２目標圧力Ｐ４を読み出す。圧力Ｐが第２目標圧力Ｐ４以上となっても、ドロップレットＤＬが吐出されない場合、例えばノズル孔がパーティクルによって詰まっていることが想定される。

本ステップでは、プロセッサ１２０は、圧力センサ４３ｅから入力される信号によって示される圧力Ｐが第２目標圧力Ｐ４以上である場合には、制御フローをステップＳＰ１７に進める。

（ステップＳＰ１７）
本ステップでは、プロセッサ１２０は、バルブ４３ｂのアクチュエータに信号を出力し、アクチュエータを介してバルブ４３ｂを閉じる。また、プロセッサ１２０は、バルブ４３ｄのアクチュエータに信号を出力し、圧力Ｐが降圧するように、アクチュエータを介してバルブ４３ｄの開き具合を制御する。バルブ４３ｂが閉じると、ガス供給源５３から配管４３ａを介してタンク４１内への不活性ガスの供給が停止する。また、バルブ４３ｄが開くと、タンク４１内の不活性ガスは配管４３ａ，４３ｃを介して排気される。従って、圧力調節器４３は、タンク４１内を減圧している。例えば、ノズル孔がパーティクルによって詰まっている等してドロップレットＤＬが吐出されない状態で、圧力Ｐが第２目標圧力Ｐ４以上となると、ターゲット供給装置４０は動作不良を起こしている懸念がある。この場合において、ノズル孔の閉塞がオーバーホールによってしか解消しない可能性がある。他の可能性として、ドロップレットＤＬは、第２目標圧力Ｐ４以上の圧力Ｐによってパーティクルと共にノズル孔から押し出されてパーティクルと共に吐出するが、ドロップレットＤＬが飛散してしまう可能性がある。ドロップレットＤＬが飛散すると、チャンバ装置１０の内部空間の構造物が汚染されてしまう懸念がある。いずれの可能性にしても、ドロップレットＤＬが吐出されない状態で、圧力Ｐを第２目標圧力Ｐ４以上とするのは好ましくない。そこで、本ステップでは、プロセッサ１２０は、圧力Ｐがターゲットセンサ２７によってドロップレットＤＬの吐出がターゲット供給装置４０の設置から初めて検出される際に想定される圧力Ｐ３よりも降圧するように、バルブ４３ｄのアクチュエータを介してバルブ４３ｄの開き具合を制御する。当該圧力Ｐ３は記憶装置１２０ａに記憶されており、プロセッサ１２０は当該圧力Ｐ３を読み出す。上記によって、昇圧動作が停止される。プロセッサ１２０は、上記のように圧力調節器４３を制御すると、制御フローを終了する。

４．３ 作用・効果
本実施形態のターゲット供給装置４０は、ターゲット物質を貯蔵するタンク４１と、タンク４１内の圧力Ｐを調節する圧力調節器４３と、タンク４１内のターゲット物質をろ過するフィルタ５１ａと、フィルタ５１ａを通過したターゲット物質のドロップレットＤＬを吐出するノズル４２とを備える。また、ターゲット供給装置４０は、ノズル４２からのドロップレットＤＬの吐出を検出するターゲットセンサ２７と、圧力Ｐがターゲットセンサ２７によってドロップレットＤＬの吐出がターゲット供給装置４０の設置から初めて検出された際の圧力Ｐ３から第１目標圧力Ｐ２に昇圧するまでの間において、圧力Ｐの昇圧速度がドロップレットＤＬの吐出の検出前よりもドロップレットＤＬの吐出の検出後において速くなるように、圧力調節器４３を制御するプロセッサ１２０とを備える。

上記の構成によって、昇圧速度がドロップレットＤＬの吐出の検出前とドロップレットＤＬの吐出の検出後とにおいて同じ場合、或いは昇圧速度がドロップレットＤＬの吐出の検出前とドロップレットＤＬの吐出の検出後において遅くなる場合に比べて、圧力ＰはドロップレットＤＬの吐出の検出前に比べてドロップレットＤＬの吐出の検出後において速く昇圧する。圧力Ｐが速く昇圧すると、ドロップレットＤＬがノズル孔から勢いよく吐出され、ドロップレットＤＬの軌道がノズル孔の中心軸に沿い、ドロップレットＤＬが不安定な状態となる時間が短くなり得る。不安定な時間が短くなると、チャンバ装置１０の内部空間の構造物の汚染が抑制され得、チャンバ装置１０の不具合の発生が抑制され得る。

上記の不安定な状態はノズル孔の縁におけるターゲット物質の濡れ状態等に起因することが考えられるが、不安定な状態の発生の予測は困難である。このため、上記のように、ターゲットセンサ２７がノズル４２からのドロップレットＤＬの吐出を検出し、検出した後において昇圧速度が切り替わることで、予測が不要となり得る。

また、ドロップレットＤＬの吐出の検出直前までに第１昇圧速度が用いられても、フィルタ５１ａからノズル孔までの空間における大気は気泡としてターゲット物質に侵入してしまい、吐出するドロップレットＤＬの軌道は気泡によって乱れてしまう懸念がある。特に、気泡がターゲット物質に侵入している状態でドロップレットＤＬが第２昇圧速度で昇圧する圧力Ｐによって吐出する場合、気泡がターゲット物質に侵入していない場合に比べて、吐出するドロップレットＤＬの軌道は大きく乱れてしまい、チャンバ装置１０の内部空間の構造物の汚染が広がる懸念がある。しかしながら、本実施形態のターゲット供給装置４０では、プロセッサ１２０は、ターゲットセンサ２７によってドロップレットＤＬの吐出がターゲット供給装置４０の設置から初めて検出されてから所定時間経過後に、圧力Ｐの昇圧速度をドロップレットＤＬの吐出の検出前よりも速くしている。所定時間が確保されることで、空間における大気はノズル孔から吐出され、ターゲット物質への気泡の侵入が抑制される。侵入が抑制されると、ドロップレットＤＬが第２昇圧速度で昇圧する圧力Ｐによって吐出する場合であっても、軌道の乱れが抑制され得、チャンバ装置１０の内部空間の構造物の汚染の広がりが抑制され得る。

また、本実施形態のターゲット供給装置４０では、プロセッサ１２０は、ターゲットセンサ２７によってドロップレットＤＬの吐出が検出されず、圧力Ｐが第２目標圧力Ｐ４以上である場合において、圧力Ｐが降圧するように、圧力調節器４３を制御している。ドロップレットＤＬが吐出されない状態で、圧力Ｐが第２目標圧力Ｐ４以上となると、ターゲット供給装置４０は動作不良を起こしている可能性がある。しかしながら、本実施形態のターゲット供給装置４０では、上記の構成によって、昇圧動作が停止され、チャンバ装置１０の動作不良の発生が抑制され得る。

また、本実施形態のターゲット供給装置４０では、プロセッサ１２０は、圧力Ｐがターゲットセンサ２７によってドロップレットＤＬの吐出がターゲット供給装置４０の設置から初めて検出される際に想定される圧力Ｐ３よりも降圧するように、圧力調節器４３を制御する。この構成によって、チャンバ装置１０の動作不良の発生がより抑制され得る。

本実施形態のターゲット供給装置４０では、上記したように、ターゲットセンサ２７がターゲット供給装置４０設置後初めてのドロップレットＤＬの吐出の検出を示す信号がターゲットセンサ２７からプロセッサ１２０に入力されてから所定時間経過後に、プロセッサ１２０は、昇圧速度が切り替えているが、これに限定される必要はない。

以下に、切り替えのタイミングについて、説明する。

本実施形態のターゲット供給装置４０では、プロセッサ１２０は、圧力Ｐが圧力Ｐ３から遅くとも第１目標圧力Ｐ２の概ね９０％の圧力に昇圧するまでに、圧力Ｐの昇圧速度をドロップレットＤＬの吐出の検出前よりも速くしてもよい。このような構成によっても、圧力Ｐが第１昇圧速度で第１目標圧力Ｐ２に昇圧する場合に比べて、ドロップレットＤＬが不安定な状態となる時間が短くなり得る。なお、昇圧速度が切り替わる場合の圧力は第１目標圧力Ｐ２の９０％としているが、この数値は特に限定されない。

或いは、本実施形態のターゲット供給装置４０では、プロセッサ１２０は、圧力Ｐが圧力Ｐ３から圧力Ｐ３の概ね１３０％の圧力に昇圧するまでに、圧力Ｐの昇圧速度をドロップレットＤＬの吐出の検出前よりも速くしてもよい。このような構成によっても、圧力Ｐが第１昇圧速度で第１目標圧力Ｐ２に昇圧する場合に比べて、ドロップレットＤＬが不安定な状態となる時間が短くなり得る。なお、プロセッサ１２０は、圧力Ｐが圧力Ｐ３の概ね１３０％の圧力以上に昇圧した際に、圧力Ｐの昇圧速度をドロップレットＤＬの吐出の検出前よりも速くしてもよい。上記において、昇圧速度が切り替わる場合の圧力は圧力Ｐ３の１３０％としているが、この数値は特に限定されない。

上記した、昇圧速度が切り替わる場合の圧力は、圧力Ｐ３の１００％以上第１目標圧力Ｐ２の１００％未満の圧力であればよい。従って、プロセッサ１２０は、圧力Ｐがターゲットセンサ２７によってドロップレットＤＬの吐出がターゲット供給装置４０の設置から初めて検出される際の圧力Ｐ３から第１目標圧力Ｐ２に昇圧する前に、圧力Ｐの昇圧速度をドロップレットＤＬの吐出の検出前よりもドロップレットＤＬの吐出の検出後において速くすればよい。

また、本実施形態のターゲット供給装置４０では、時刻ｔ１２から時刻ｔ１４においてタンク４１内の圧力が昇圧する速度を第１昇圧速度として説明したが、これに限定はされない。第１昇圧速度は、ターゲットセンサ２７によってドロップレットＤＬの吐出がターゲット供給装置４０の設置から初めて検出される直前の速度であればよい。従って、圧力Ｐが時刻ｔ０から時刻ｔ１４において徐々に昇圧するのであれば、時刻ｔ０から時刻ｔ１４に昇圧する圧力Ｐの昇圧速度が第１昇圧速度となる。また、圧力Ｐが第１目標圧力Ｐ２となる時刻ｔ１５以降において、ターゲット供給装置４０は、第１目標圧力Ｐ２を必ずしも維持する必要はない。

また、本実施形態のターゲット供給装置４０では、上記した制御フローは、ターゲット供給装置４０の吐出状態を確認するために、ターゲット供給装置４０の設置からノズル４２が初めてドロップレットＤＬを吐出する場合において用いられてもよいし、ＥＵＶ光１０１を生成するためにドロップレットＤＬを吐出する場合に用いられてもよい。

また、本実施形態のターゲット供給装置４０では、ターゲットセンサ２７の撮像部は、ノズル孔を向いてドロップレットＤＬを撮像するよりも、ノズル孔から吐出するドロップレットＤＬの進行方向に向いてドロップレットＤＬを撮像する、或いはドロップレットＤＬの軌道に概ね直交する方向に向いてドロップレットＤＬを撮像することが好ましい。撮像部を含むターゲットセンサ２７は、拡大レンズ系やレーザカーテンなどをさらに含んでもよい。撮像部は、ＣＣＤやＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の画像センサを含んで構成されてもよいが、ラインセンサ等の受光素子を含んで構成されてもよい。ドロップレット検出器としてのターゲットセンサ２７は、受光光学系及び撮像部の代わりに、非接触近接スイッチを含んでもよい。また、ドロップレット検出器としてターゲットセンサ２７を用いて説明したが、ターゲットセンサ２７とは別にドロップレット検出器が配置されていてもよい。

５．実施形態２の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成装置１００の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

５．１ 構成
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、記憶装置１２０ａの構成が、実施形態１の記憶装置１２０ａの構成とは異なる。

記憶装置１２０ａは、ターゲット供給装置４０の吐出情報を記憶する。吐出情報には、ターゲット供給装置４０の設置からの吐出回数が含まれる。１回の吐出は、タンク４１内の圧力Ｐが時刻ｔ０において昇圧してからステップＳＰ１５にて説明したように第１目標圧力Ｐ２に到達したことを示す。ドロップレットＤＬの吐出が１回行われると、記憶装置１２０ａは、現在の吐出回数を１つ加算する。吐出回数が０であればドロップレットＤＬがターゲット供給装置４０の設置から初めて吐出することとなり、吐出回数が１以上であればドロップレットＤＬが再吐出することとなる。ドロップレットＤＬの再吐出は、タンク４１が空となった後に貯蔵されるターゲット物質が吐出する状況ではない。ドロップレットＤＬの再吐出では、タンク４１が空となる前において、圧力Ｐは、上記したように第１目標圧力Ｐ２に到達した後に圧力Ｐ３未満に降圧し、降圧した後に圧力Ｐ３よりも低い圧力から圧力Ｐ３以上に昇圧する状況である。なお、ドロップレットＤＬの再吐出では、タンク４１が空となる前において、圧力Ｐは、圧力Ｐ３以上に昇圧した後に圧力Ｐ３未満に降圧し、降圧した後に圧力Ｐ３よりも低い圧力から圧力Ｐ３以上に昇圧する状況でもよい。なお、吐出情報には、吐出回数ではなく、過去のドロップレットＤＬの吐出の有無を示す情報が含まれていてもよい。また、吐出情報には、チャンバ装置１０へのターゲット供給装置４０の設置日時、及び、タンク４１内への圧力調節器４３による吐出開始日時がさらに記憶されてもよい。

５．２ 動作
次に、本実施形態におけるタンク４１内の圧力Ｐを制御するプロセッサ１２０の動作について説明する。

図１０は、本実施形態のプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。図１０に示すように、本実施形態の制御フローは、ステップＳＰ３１～ステップＳＰ３４を含んでいる。また、後述するが、本実施形態の制御フローは、実施形態１で説明したステップＳＰ１１～ステップＳＰ１７をさらに含んでいる。図１１は、ステップＳＰ３１～ステップＳＰ３４における圧力Ｐと、圧力が昇圧する時刻との関係を示す図である。図１１に示す実線Ｌ３は、ステップＳＰ３１～ステップＳＰ３４における圧力Ｐの変化の様子を示す。図１１では、本実施形態と実施形態１とで比較するため、図９において実線Ｌ２で示した圧力Ｐの変化を破線Ｌ２として示している。

図１０に示すスタートの状態は、実施形態１におけるスタートの状態であり、加圧開始直後である時刻ｔ０である。

（ステップＳＰ３１）
本ステップでは、プロセッサ１２０は、記憶装置１２０ａから吐出情報を読み出す。吐出情報において、吐出回数が０であれば、ターゲット供給装置４０はドロップレットＤＬをターゲット供給装置４０の設置から初めて吐出することになり、プロセッサ１２０は制御フローを実施形態１にて説明したステップＳＰ１１に進める。ステップＳＰ１１以降の制御フローは、実施形態１にて説明したステップＳＰ１２～ステップＳＰ１７を含み、図８にて図示しているため、図１０では図示を省略していると共に、以下においても説明を省略する。吐出回数が１以上であれば、ターゲット供給装置４０はドロップレットＤＬを再吐出することになり、プロセッサ１２０は制御フローをステップＳＰ３２に進める。

（ステップＳＰ３２）
本ステップでは、プロセッサ１２０は、バルブ４３ｂのアクチュエータに信号を出力し、圧力Ｐが時刻ｔ０以降において第１目標圧力Ｐ２まで第２昇圧速度で昇圧するように、アクチュエータを介してバルブ４３ｂの開き具合を制御する。従って、ターゲット供給装置４０がドロップレットＤＬを再吐出する場合、ターゲット供給装置４０がドロップレットＤＬをターゲット供給装置４０の設置から初めて吐出する場合とは異なり、ターゲットセンサ２７によるドロップレットＤＬの吐出の検出の有無に関わらず、圧力調節器４３は時刻ｔ０からタンク４１内を第２昇圧速度で加圧する。従って、プロセッサ１２０は、圧力Ｐが圧力Ｐ３よりも低い圧力から昇圧させる場合に、昇圧速度を第２昇圧速度にしている。

本ステップでは、ターゲット供給装置４０はドロップレットＤＬを再吐出する状態であるため、フィルタ５１ａにはターゲット物質が浸透していると共に、フィルタ５１ａとノズル孔との間の空間には既にターゲット物質が充填されている。従って、圧力Ｐが時刻ｔ０以降において第２昇圧速度で昇圧しても、タンク４１内のターゲット物質において気泡の発生が抑制され、当該抑制によってタンク４１内のターゲット物質におけるパーティクルの生成が抑制される。また、パーティクルの生成が抑制されると、パーティクルによるノズル孔の詰まりが抑制される。また、上記のようにターゲット物質がフィルタ５１ａからノズル孔までの空間に充填されているため、ターゲット物質への空間における大気の一部である気泡の侵入が抑制され、吐出するドロップレットＤＬの軌道の乱れが抑制される。また、上記のようにターゲット物質が空間に充填されているため、第２昇圧速度が用いられても、フィルタ５１ａの上流と下流とにおける圧力差の発生が抑制され、フィルタ５１ａへの急な衝撃が抑制される。

プロセッサ１２０は、上記のように圧力調節器４３を制御すると、制御フローをステップＳＰ３３に進める。

（ステップＳＰ３３）
本ステップでは、圧力Ｐの昇圧によってドロップレットＤＬが吐出され、ドロップレットＤＬの吐出の検出を示す信号がターゲットセンサ２７からプロセッサ１２０に入力されると、プロセッサ１２０は制御フローをステップＳＰ３４に進める。図１１ではドロップレットＤＬを検出した時刻を、時刻ｔ２１としている。時刻ｔ２１は、第２昇圧速度が用いられているため、時刻ｔ１４よりも早く、例えば０．４分である。

（ステップＳＰ３４）
本ステップでは、プロセッサ１２０は、圧力センサ４３ｅから入力される信号によって示される圧力Ｐが第１目標圧力Ｐ２未満である場合には、制御フローをステップＳＰ３４に戻す。従って、圧力調節器４３は、タンク４１内を引き続き第２昇圧速度で第１目標圧力Ｐ２まで加圧する。一方、圧力Ｐが第１目標圧力Ｐ２になると、プロセッサ１２０は、上記したフィードバック制御によってバルブ４３ｂの開き具合を制御する。これにより、圧力Ｐの低下が抑制され、圧力Ｐは第１目標圧力Ｐ２のままとなる。図１１では、圧力Ｐが第２昇圧速度で第１目標圧力Ｐ２に到達した時刻を時刻ｔ２２としている。時刻ｔ２２は、時刻ｔ１５よりも早く、例えば０．８分である。従って、圧力Ｐは時刻ｔ２２以降において第１目標圧力Ｐ２のままとなる。プロセッサ１２０は、上記のようにバルブ４３ｂの制御により第１目標圧力Ｐ２を維持する。プロセッサ１２０は、上記のように圧力調節器４３を制御すると、制御フローを終了する。

また、ステップＳＰ３３では、ドロップレットＤＬの吐出の検出を示さない信号がターゲットセンサ２７からプロセッサ１２０に入力されると、プロセッサ１２０は制御フローをステップＳＰ１６に進める。ステップＳＰ１６以降の制御フローは、実施形態１にて説明したステップＳＰ１７を含み、上記にて説明しているためここでは説明を省略する。

５．３ 作用・効果
本実施形態のターゲット供給装置４０では、プロセッサ１２０は、ターゲットセンサ２７によるドロップレットＤＬの吐出の検出がターゲット供給装置４０の設置から初めての検出ではない状態において、タンク４１内の圧力Ｐがターゲットセンサ２７によってドロップレットＤＬの吐出がターゲット供給装置４０の設置から初めて検出された際の圧力よりも低い圧力から昇圧させる場合に、昇圧速度を第２昇圧速度にしている。

上記のように、ドロップレットＤＬの不安定な状態は、ノズル孔の縁における濡れ状態等に起因することが考えられる。ドロップレットＤＬが再吐出する場合、ノズル孔の縁は、前回の吐出時に比べてさらに濡れた状態として形成されている。従って、ドロップレットＤＬが再吐出する場合においては、ドロップレットＤＬの不安定な状態は、ドロップレットＤＬがターゲット供給装置４０の設置から初めて吐出する場合に比べて抑制され得る。また、ドロップレットＤＬが一度吐出していれば、フィルタ５１ａからノズル孔までの空間における気泡はノズル孔から吐出されてしまい、ドロップレットＤＬの再吐出時におけるターゲット物質への気泡の侵入が抑制される。このような状態で、圧力Ｐの昇圧速度が加圧開始直後から第２昇圧速度となることで、ターゲットセンサ２７によるドロップレットＤＬの吐出の検出に関わらず、圧力Ｐは第１目標圧力Ｐ２まで昇圧し得る。また、本実施形態のターゲット供給装置４０では、圧力Ｐは、第１昇圧速度及び第２昇圧速度によって昇圧する場合に比べて、第１目標圧力Ｐ２まで短時間に昇圧し得る。従って、本実施形態のターゲット供給装置４０では、ドロップレットＤＬの再吐出時において、ドロップレットＤＬをすぐにプラズマ生成領域ＡＲに供給できる。

なお、吐出回数が１回以上である場合において、プロセッサ１２０は、圧力Ｐの昇圧速度を圧力調節器４３による加圧開始直後から第２昇圧速度にしているがこれに限定される必要はない。プロセッサ１２０は、ドロップレットＤＬの吐出の検出を示す信号がターゲットセンサ２７からプロセッサ１２０に入力される前から圧力Ｐの昇圧速度を第２昇圧速度にしていればよい。

また、吐出情報を記憶する記憶装置としてプロセッサ１２０の記憶装置１２０ａを用いて説明したが、記憶装置は記憶装置１２０ａとは別の装置としてプロセッサ１２０の外部に設けられてもよい。この場合、記憶装置は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。記憶装置は、例えば非一過性（non-transitory）の記録媒体であり、RAM（Random Access Memory）やROM（Read Only Memory）等の半導体記録媒体が好適であるが、光学式記録媒体や磁気記録媒体等の任意の形式の記録媒体を包含し得る。なお、「非一過性」の記録媒体とは、一過性の伝搬信号（transitory, propagating signal）を除く全てのコンピュータ読み取り可能な記録媒体を含み、揮発性の記録媒体を除外するものではない。

６．実施形態３の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態３のＥＵＶ光生成装置１００の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

６．１ 構成
図１２は、実施形態３におけるＥＵＶ光生成装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、ドロップレット検出器の構成が、実施形態１のドロップレット検出器の構成とは異なる。

本実施形態のドロップレット検出器は、ターゲットセンサ２７ではなく、ノズル孔からチャンバ装置１０の内部空間に放出される不活性ガスを検出するガス検出器５５である。不活性ガスは、ターゲット物質がフィルタ５１ａからノズル孔までの空間に充填される前に当該空間に滞留しており、ドロップレットＤＬの吐出によってノズル孔からチャンバ装置１０の内部空間に押し出されて、ドロップレットＤＬと共に放出される。ガス検出器５５は、チャンバ装置１０の内部空間に配置されており、チャンバ装置１０の内部空間における不活性ガスを検出し、不活性ガスの検出によってドロップレットＤＬの吐出を検出する。ガス検出器５５は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。プロセッサ１２０は、ガス検出器５５からの信号を基にチャンバ装置１０の内部空間における不活性ガスの増加を検出する。

ガス検出器５５は、例えば、ガス分析計、或いは真空ゲージである。真空ゲージは、例えば、ピラニ真空計、或いはイオンゲージである。

６．２ 動作
次に、本実施形態におけるタンク４１内の圧力Ｐを制御するプロセッサ１２０の動作について説明する。

図１３は、本実施形態のプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。本実施形態の制御フローは、実施形態１における制御フローチャートにおけるステップＳＰ１３に代わって、ステップＳＰ４１を含む点で、第１実施形態における制御フローチャートと異なる。また、本実施形態のスタート状態では、実施形態１とは異なり、プロセッサ１２０にはガス検出器５５から信号が入力されている。

（ステップＳＰ４１）
本ステップでは、ガス検出器５５からプロセッサ１２０に信号が入力され、チャンバ装置１０の内部空間における不活性ガスが増加している場合、プロセッサ１２０は制御フローをステップＳＰ１４に進める。

また、本ステップでは、チャンバ装置１０の内部空間における不活性ガスが増加していない場合、プロセッサ１２０は制御フローをステップＳＰ１６に進める。

６．３ 作用・効果
本実施形態のターゲット供給装置４０では、ドロップレット検出器であるガス検出器５５は、チャンバ装置１０の内部空間の不活性ガスを検出する。ドロップレットＤＬの吐出によってタンク４１内から不活性ガスがチャンバ装置１０の内部空間に放出されると、チャンバ装置１０の内部空間における不活性ガスは増加する。従って、ガス検出器５５が用いられても、ドロップレットＤＬの吐出が検出され得る。また、チャンバ装置１０の内部空間が低圧に保たれている場合、ノズル４２から微量の不活性ガスが放出されても、不活性ガスは瞬時にチャンバ装置１０の内部空間に拡散する傾向にある。この場合、ガス検出器５５は、不活性ガスを検出できればチャンバ装置１０の内部空間のどこに配置されていてもよい。従って、ドロップレット検出器の配置場所が１か所に決められている場合に比べて、配置の自由度が高まり得る。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (17)

1. ターゲット物質を貯蔵するタンクと、
   前記タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、
   前記タンク内の前記ターゲット物質をろ過するフィルタと、
   前記フィルタを通過した前記ターゲット物質のドロップレットを吐出するノズルと、
   前記ノズルからの前記ドロップレットの吐出を検出するドロップレット検出器と、
   前記タンク内の前記圧力が前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出がターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の圧力から目標圧力に昇圧する前までの間において、前記タンク内の前記圧力の昇圧速度が前記ドロップレットの吐出の検出前よりも前記ドロップレットの吐出の検出後において速くなるように、前記圧力調節器を制御するプロセッサと、
   を備える
   ターゲット供給装置。
2. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記プロセッサは、前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出されてから所定時間経過後に、前記昇圧速度を前記ドロップレットの吐出の検出前よりも速くする。
3. 請求項２に記載のターゲット供給装置であって、
   前記所定時間は、１ｍｓ以上１ｓ以下である。
4. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記プロセッサは、前記タンク内の前記圧力が前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の前記圧力から前記目標圧力の概ね９０％の圧力に昇圧するまでに、前記昇圧速度を前記ドロップレットの吐出の検出前よりも速くする。
5. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記プロセッサは、前記タンク内の前記圧力が前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の前記圧力から当該圧力の概ね１３０％の圧力に昇圧するまでに、前記昇圧速度を前記ドロップレットの吐出の検出前よりも速くする。
6. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記プロセッサは、前記ドロップレット検出器による前記ドロップレットの吐出の検出が前記ターゲット供給装置の設置から初めての検出ではない状態において、前記タンク内の前記圧力が前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の前記圧力よりも低い圧力から昇圧させる場合に、前記昇圧速度を前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出された後において速くした速度にする。
7. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記プロセッサは、前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が検出されず、前記タンク内の前記圧力が前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出される際に想定される前記タンク内の前記圧力よりも大きい圧力以上である場合において、前記タンク内の前記圧力が降圧するように、前記圧力調節器を制御する。
8. 請求項７に記載のターゲット供給装置であって、
   前記プロセッサは、前記タンク内の前記圧力が前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出される際に想定される前記タンク内の前記圧力よりも降圧するように、前記圧力調節器を制御する。
9. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記ドロップレット検出器は、前記ドロップレットの撮像によって前記ドロップレットの吐出を検出する。
10. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ドロップレット検出器は、前記ドロップレットの吐出によって前記タンク内から前記ノズルを介して放出されるガスの検出によって前記ドロップレットの吐出を検出する。
11. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記圧力調節器は、
    ガス供給源及び前記タンクに連通し、前記ガス供給源から前記タンクにガスを供給する供給路と、
    排気口を含み、前記供給路に連通し、前記排気口を介して前記タンク内の前記ガスを排気する排気路と、
    前記供給路に設けられる加圧用バルブと、
    前記排気路に設けられる減圧用バルブと、
    前記供給路に設けられる圧力センサと、
    を備える。
12. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ドロップレットの吐出の検出後における前記昇圧速度は、０．２ＭＰａ／ｓ以上１ＭＰａ／ｓ以下である。
13. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ドロップレットの吐出の検出前における前記昇圧速度は、０．００２ＭＰａ／ｓ以上０．００６７ＭＰａ／ｓ以下である。
14. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ドロップレットの吐出の検出前における前記昇圧速度は、前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出される直前の速度である。
15. プラズマ生成領域を含むチャンバ装置と、
    前記プラズマ生成領域にターゲット物質のドロップレットを供給するターゲット供給装置と、
    前記プラズマ生成領域において前記ドロップレットからプラズマが生成されるように前記ドロップレットにレーザ光を照射するレーザ装置と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、
    前記ターゲット物質を貯蔵するタンクと、
    前記タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、
    前記タンク内の前記ターゲット物質をろ過するフィルタと、
    前記フィルタを通過した前記ターゲット物質の前記ドロップレットを吐出するノズルと、
    前記ノズルからの前記ドロップレットの吐出を検出するドロップレット検出器と、
    前記タンク内の前記圧力が前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の圧力から目標圧力に昇圧する前までの間において、前記タンク内の前記圧力の昇圧速度が前記ドロップレットの吐出の検出前よりも前記ドロップレットの吐出の検出後において速くなるように、前記圧力調節器を制御するプロセッサと、
    を備える
    極端紫外光生成装置。
16. プラズマ生成領域を含むチャンバ装置と、
    前記プラズマ生成領域にターゲット物質のドロップレットを供給するターゲット供給装置と、
    前記プラズマ生成領域において前記ドロップレットからプラズマが生成されるように前記ドロップレットにレーザ光を照射するレーザ装置と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、
    前記ターゲット物質を貯蔵するタンクと、
    前記タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、
    前記タンク内の前記ターゲット物質をろ過するフィルタと、
    前記フィルタを通過した前記ターゲット物質の前記ドロップレットを吐出するノズルと、
    前記ノズルからの前記ドロップレットの吐出を検出するドロップレット検出器と、
    前記タンク内の前記圧力が前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の圧力から目標圧力に昇圧する前までの間において、前記タンク内の前記圧力の昇圧速度が前記ドロップレットの吐出の検出前よりも前記ドロップレットの吐出の検出後において速くなるように、前記圧力調節器を制御するプロセッサと、
    を備える極端紫外光生成装置によって、前記ターゲット物質に前記レーザ光を照射することによって前記プラズマを生成し、前記プラズマから生成される極端紫外光を露光装置に出射し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置によって感光基板上に前記極端紫外光を露光すること
    を含む電子デバイスの製造方法。
17. プラズマ生成領域を含むチャンバ装置と、
    前記プラズマ生成領域にターゲット物質のドロップレットを供給するターゲット供給装置と、
    前記プラズマ生成領域において前記ドロップレットからプラズマが生成されるように前記ドロップレットにレーザ光を照射するレーザ装置と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、
    前記ターゲット物質を貯蔵するタンクと、
    前記タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、
    前記タンク内の前記ターゲット物質をろ過するフィルタと、
    前記フィルタを通過した前記ターゲット物質の前記ドロップレットを吐出するノズルと、
    前記ノズルからの前記ドロップレットの吐出を検出するドロップレット検出器と、
    前記タンク内の前記圧力が前記ドロップレット検出器によって前記ドロップレットの吐出が前記ターゲット供給装置の設置から初めて検出された際の圧力から目標圧力に昇圧する前までの間において、前記タンク内の前記圧力の昇圧速度が前記ドロップレットの吐出の検出前よりも前記ドロップレットの吐出の検出後において速くなるように、前記圧力調節器を制御するプロセッサと、
    を備える極端紫外光生成装置によって、前記ターゲット物質に前記レーザ光を照射することによって前記プラズマを生成し、前記プラズマから生成される極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写すること
    を含む電子デバイスの製造方法。
    

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