JP2023071522A - Ｅｕｖ光生成装置、電子デバイス製造方法、及び検査方法 - Google Patents

Abstract

【解決手段】ターゲットにパルスレーザ光を照射することにより、ターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成装置１であって、チャンバ２と、ターゲット２７をチャンバ内のプラズマ生成領域２５に供給するターゲット供給部２６と、ターゲットに照射するパルスレーザ光を生成するパルスレーザ装置３と、ターゲットの大きさ又はターゲットの大きさに関連する関連情報に基づいて、ターゲット供給部によって生成されるターゲットの生成周波数を、パルスレーザ光の照射周波数の自然数倍に変更するプロセッサ５と、を備える。【効果】デブリの発生量の増加を抑制する、及びＥＵＶ光の出力の低下を抑制する。【選択図】図１

Description

本開示は、ＥＵＶ光生成装置、電子デバイス製造方法、及び検査方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。

特開２００６－１２８１５７号公報 米国特許出願公開第２０１０／０２９４９５３号明細書 米国特許出願公開第２０１７／０１７１９５５号明細書

概要

本開示の１つの観点に係るＥＵＶ光生成装置は、ターゲットにパルスレーザ光を照射することにより、ターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成装置であって、チャンバと、ターゲットをチャンバ内のプラズマ生成領域に供給するターゲット供給部と、ターゲットに照射するパルスレーザ光を生成するパルスレーザ装置と、ターゲットの大きさ又はターゲットの大きさに関連する関連情報に基づいて、ターゲット供給部によって生成されるターゲットの生成周波数を、パルスレーザ光の照射周波数の自然数倍に変更するプロセッサと、を備えるＥＵＶ光生成装置。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、ターゲットをチャンバ内のプラズマ生成領域に供給するターゲット供給部と、ターゲットに照射するパルスレーザ光を生成するパルスレーザ装置と、ターゲットの大きさに基づいて、ターゲットの生成周波数を、パルスレーザ光の照射周波数の自然数倍に変更するプロセッサと、を備えるＥＵＶ光生成装置によって、ターゲットにパルスレーザ光を照射することによりターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を生成し、ＥＵＶ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にＥＵＶ光を露光することを含む。

本開示の１つの観点に係る検査方法は、チャンバと、ターゲットをチャンバ内のプラズマ生成領域に供給するターゲット供給部と、ターゲットに照射するパルスレーザ光を生成するパルスレーザ装置と、ターゲットの大きさに基づいて、ターゲットの生成周波数を、パルスレーザ光の照射周波数の自然数倍に変更するプロセッサと、を備えるＥＵＶ光生成装置によって、ターゲットにパルスレーザ光を照射することによりターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を生成し、ＥＵＶ光を検査用光源として検査装置に出力し、検査装置内で、マスクにＥＵＶ光を露光してマスクを検査することを含む。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図３は、図２とは異なる視点から見た場合のＥＵＶ光生成装置の断面図である。 図４は、ＥＵＶ光生成システムの動作を示すメインフローチャートである。 図５は、図４に示すターゲット生成の処理を示すフローチャートである。 図６は、ターゲット生成メカニズムを概念的に示す図である。 図７は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図８は、ターゲットの大きさに基づいて、ターゲット生成プロセッサが実施するターゲット生成処理を示すフローチャートの一例である。 図９は、ノズル孔の径の大径化が原因でターゲットの径が大きくなった場合に、生成周波数を大きくする場合の模式図である。 図１０は、ノズル孔の径の小径化が原因でターゲットの径が小さくなった場合に、生成周波数を小さくする場合の模式図である。 図１１は、ターゲットの大きさの関連情報に基づいてターゲット生成処理を実施するターゲット生成プロセッサの一例の構成を示す図である。 図１２は、ターゲット生成処理に用いる参照テーブルの一例である。 図１３は、経過時間とノズル孔の径との関連性を示した図である。 図１４は、経過時間に基づいて、ターゲット生成プロセッサが実施するターゲット生成処理を示すフローチャートである。 図１５は、リフィル機構を備えるターゲット供給部の構成を示す図である。 図１６は、リフィル機構がリザーバに補給する固体スズの総質量の時間変化の一例を示すグラフである。 図１７は、ターゲット物質の補給量又は補給間隔に基づいて、ターゲット生成プロセッサが実施するターゲット生成処理を示すフローチャートである。 図１８は、図１５とは別のリフィル機構を備えるターゲット供給部の構成を示す図である。 図１９は、ターゲット物質が液体スズである場合における供給質量と時間間隔を示すグラフである。 図２０は、ターゲットがターゲット検出部を通過する様子を模式的に示した図である。 図２１は、信号強度と時間との関係を示すグラフである。 図２２は、通過タイミング信号の信号強度に基づいて、ターゲット生成プロセッサが実施するターゲット生成処理を示すフローチャートである。 図２３は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。 図２４は、画像計測部がミスト状ターゲットを検出する様子を模式的に示す図である。 図２５は、ＥＵＶ光生成装置に接続された露光装置の構成を概略的に示す図である。 図２６は、ＥＵＶ光生成装置に接続された検査装置の構成を概略的に示す図である。

実施形態

＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 課題
３．第１の実施形態のＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 作用・効果
４．第２の実施形態のＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．第３の実施形態のＥＵＶ光生成装置
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．第４の実施形態のＥＵＶ光生成装置
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．第５の実施形態のＥＵＶ光生成装置
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
８．その他

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのパルスレーザ装置（以下、単にレーザ装置という）３と共に用いられる。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能に構成されている。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられている。ターゲット供給部２６から出力されるターゲット２７の材料は、スズを含む。ターゲット２７の材料は、スズと、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、又はキセノンとの組合せを含むこともできる。ターゲット２７は、ドロップレット状である。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられている。ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられている。貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５、及びターゲットセンサ４等を含む。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７を撮像し、ターゲット画像ＴＰを出力する撮像機能を有し、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されている。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と外部装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられている。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されている。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えている。

１．２ 動作
図１に示すように、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つの光路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射される。

ターゲット供給部２６Ａは、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射する。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、外部装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ターゲットセンサ４が出力するターゲット画像ＰＴ等を処理する。また、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１Ａの構成を示す断面図である。図３は、図２とは異なる視点から見た場合のＥＵＶ光生成装置１Ａの断面図である。図２及び図３において、ＥＵＶ光の出力方向をＺ方向とし、ターゲット２７の出力方向と反対の方向をＹ方向とする。Ｚ方向とＹ方向との両方に垂直な方向をＸ方向とする。図２はＸ方向に見たＥＵＶ光生成装置１Ａを示す。図３はＺ方向に見たＥＵＶ光生成装置１Ａを示し、ターゲット生成システム２６０、ターゲット検出部４１、及び画像計測部４３の配置を示す断面図である。

ＥＵＶ光生成装置１Ａは、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａと、遅延回路７２と、チャンバ２Ａと、ターゲット生成システム２６０と、レーザ光進行方向制御部３４Ａと、ターゲット検出部４１と、画像計測部４３と、を含む。ターゲット検出部４１と画像計測部４３とは、図１に示すターゲットセンサ４を構成する。

チャンバ２Ａの内部には、集光ユニット２２Ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１と、プレート８２及び８３と、ステージ８４と、接続部２９とが設けられている。

プレート８２は、チャンバ２Ａに固定されている。プレート８２には、プレート８３が支持されている。集光ユニット２２Ａは、レーザ光集光ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２２を含む。

ステージ８４は、プレート８２に対するプレート８３の位置を調整可能である。プレート８３の位置が調整されることにより、レーザ光集光ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２２の位置が調整される。レーザ光集光ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２２の位置は、これらのミラーによって反射されたパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５で集光するように調整される。

ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してプレート８２に固定されている。

レーザ装置３Ａは、ＭＯＰＡ（Ｍａｓｔｅｒ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）システムであってもよい。レーザ装置３Ａは、パルスレーザ光３１を出力するように構成されている。レーザ装置３Ａは、図示せぬマスターオシレータと、図示せぬ光アイソレータと、複数台の図示せぬＣＯ_２レーザ増幅器とを含んだ構成であってもよい。マスターオシレータには固体レーザを採用することができる。マスターオシレータが出力するパルスレーザ光３１の波長は、例えば１０．５９μｍであり、パルス発振の繰り返し周波数は、例えば１００ｋＨｚである。

レーザ光進行方向制御部３４Ａは、高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されたパルスレーザ光３１をチャンバ２Ａの内部に向けて反射するようにパルスレーザ光３１の光路に配置されている。

図２及び図３に示すように、ターゲット生成システム２６０は、ターゲット生成プロセッサ５２Ａと、ターゲット供給部２６Ａと、不活性ガス供給部２９０と、ヒータ電源５３と、ピエゾ電源５４と、を含む。

ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、ターゲット生成システム２６０を制御する。ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、一例として、制御プログラムが記憶された記憶装置と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）とを、含む処理装置である。ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。

ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、記憶装置としてメモリ５２３を備えており、メモリ５２３には、初期設定情報が記憶されている。初期設定情報は、不活性ガス供給部２９０を制御するための圧力値、ヒータ電源５３を制御するための温度情報、ピエゾ電源５４を制御するための駆動周波数などの各種設定情報を含む。ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、初期設定情報に基づいて、ターゲット生成システム２６０の各部を制御する。なお、初期設定情報は、メモリ５２３に予め記憶されていてもよいし、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａから入力されるようにしてもよい。また、初期設定情報は、ターゲット生成プロセッサ５２Ａの外部の記憶装置に記憶されていてもよい。なお、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａについても、記憶装置とＣＰＵとを含む処理装置で構成される点はターゲット生成プロセッサ５２Ａと同様である。

ターゲット供給部２６Ａは、リザーバ２６７と、ヒータ２６１と、温度センサ２６２と、圧力調節器２６３と、ピエゾ素子２６４と、ノズル２６５と、フィルタ２６６と、を含む。

リザーバ２６７は、ターゲット２７の材料を貯蔵する。リザーバ２６７には、ターゲット２７の材料を溶解するために用いるヒータ２６１と、リザーバ２６７の温度を計測する温度センサ２６２とが固定されている。温度センサ２６２から出力される出力信号は、ターゲット生成プロセッサ５２Ａに入力される。ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、温度センサ２６２からの出力信号に基づいて、ヒータ電源５３に駆動信号を出力する。

ノズル２６５は、リザーバ２６７内部の溶解したターゲット２７の材料を吐出するノズル孔２６８を備えている。ターゲット供給部２６Ａは、ノズル２６５のノズル孔２６８がチャンバ２Ａの内部に配置されるように、チャンバ２Ａに取り付けられている。フィルタ２６６は、ノズル２６５の上流側に配置されており、ターゲット２７の材料に含まれる不純物を除去する。以下、ターゲット２７の材料をターゲット物質と称する場合がある。

圧力調節器２６３は、不活性ガス供給部２９０からリザーバ２６７内に供給される不活性ガスの圧力を調節するように、不活性ガス供給部２９０とリザーバ２６７との間の配管上に設置されている。圧力調節器２６３は、ターゲット生成プロセッサ５２Ａと接続されている。リザーバ２６７に圧力が加わると、ノズル２６５からターゲット物質が吐出される。

ノズル２６５には、ノズル孔２６８の付近に、ピエゾ素子２６４が配置されている。ピエゾ素子２６４には、ピエゾ素子２６４に対して駆動電力を供給するピエゾ電源５４が接続されている。ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、ピエゾ電源５４を介して、ピエゾ素子２６４に設定された駆動周波数に対応する電気信号を入力する。ピエゾ素子２６４は、入力された電気信号により振動する。ピエゾ素子２６４の振動がノズル２６５に伝達されて、ノズル２６５が振動する。ノズル２６５の振動数と、ピエゾ素子２６４の駆動周波数とは正確には異なるが、これらは正の相関を有しており、ピエゾ素子２６４の駆動周波数が大きいほど、ノズル２６５の振動数も大きくなる。

ノズル２６５の振動数は、ターゲット２７の生成周波数ｆを規定する。複数のターゲット２７は、間隔を空けてプラズマ生成領域２５に周期的に供給される。ターゲット２７の生成周波数ｆとは、ターゲット供給部２６Ａによって生成され、プラズマ生成領域２５に供給されるターゲット２７の単位時間当たりの数である。ノズル２６５の振動数と、生成周波数ｆも正確には異なるが、これらも正の相関を有しており、ノズル２６５の振動数が大きいほど、生成周波数ｆも大きくなる。

ターゲット供給部２６Ａは、図示しないＸＺステージを備えている。ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、ＸＺステージの制御により、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５を通るようにターゲット２７の軌道２７０（以下、ターゲット軌道２７０という）を調整する。

ターゲット検出部４１は、チャンバ２Ａに取り付けられている。ターゲット検出部４１は、ターゲット検出領域Ｒを通過するターゲット２７を検出するセンサである。ターゲット検出領域Ｒは、チャンバ２Ａ内の所定領域であって、ターゲット供給部２６Ａとプラズマ生成領域２５との間にあるターゲット軌道２７０上の所定位置に位置する。

図３に示すように、ターゲット検出部４１は、受光部４１Ａと発光部４１Ｂとを含む。受光部４１Ａは、容器４１１と、光センサ４１２と、受光光学系４１３とを含む。発光部４１Ｂは、容器４１５と、光源４１６と、照明光学系４１７とを含む。発光部４１Ｂは、ターゲット検出領域Ｒを通過するターゲット２７を照明する。光源４１６は、パルスレーザと異なり、レーザの出力が時間で変化せずに一定の値のまま出力されるＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｗａｖｅ）レーザである。照明光学系４１７は、シリンドリカルレンズを含む。光源４１６が出力する照明光は、照明光学系４１７によって集光される。照明光学系４１７の集光位置はターゲット軌道２７０上であることが好ましい。より詳細には、図３で示すように、いったん絞られた照明光は、ターゲット２７を照明したことで回折して広がっていく。照明光の光束で最も絞られたビームウエストの位置がターゲット検出領域Ｒと重なっていることが好ましい。

受光部４１Ａと発光部４１Ｂとは、ターゲット軌道２７０を挟んで互いに反対側に配置されるウインドウ２１ａとウインドウ２１ｂとに取り付けられている。ウインドウ２１ａとウインドウ２１ｂとは、チャンバ２Ａに設けられている。

受光部４１Ａは、発光部４１Ｂからの照明光を受光光学系４１３で集光し、光センサ４１２で受光する。光センサ４１２は例えばフォトダイオードなどの光電変換素子で構成されており、受光量に応じた信号強度の受光信号を出力する。ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒを通過すると、光センサ４１２の出力は変動する。受光部４１Ａは、光センサ４１２の出力変動に基づいて、ターゲット２７の通過を知らせる通過タイミング信号Ｔ１を出力する。

画像計測部４３は、ターゲット２７の進行方向においてターゲット検出部４１よりも下流側に配置されている。画像計測部４３は、プラズマ生成領域２５付近のチャンバ２Ａの壁面部に取り付けられている。画像計測部４３は、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７を撮像し、ターゲット画像ＴＰを出力する。画像計測部４３は、光源部４３６と、撮像部４３１とを含む。光源部４３６と撮像部４３１とは、ターゲット軌道２７０上のプラズマ生成領域２５を挟んで互いに対向配置されている。光源部４３６と撮像部４３１との対向方向は、ターゲット軌道２７０と直交する。

光源部４３６は、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７を撮像するためのパルス光を出力する。光源部４３６は、ウインドウ４３７と、光源４３８と、照明光学系４３９と、を含む。光源４３８は、例えば、キセノンフラッシュランプやレーザ光源等のパルス点灯する光源であってもよい。光源４３８は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａと接続されている。光源４３８には、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａから出力された点灯信号ＬＵが入力される。光源４３８は、入力される点灯信号ＬＵに基づいてパルス光を発光する。

照明光学系４３９は、例えばコリメータレンズ等を含む光学系である。コリメータレンズは、光源４３８が発光するパルス光を平行光化する。照明光学系４３９は、光源４３８から発光されたパルス光を、ウインドウ４３７を介してターゲット軌道２７０上のプラズマ生成領域２５に導く。プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７にパルス光が照射されると、パルス光の一部が遮られ、ターゲット２７の投影像が撮像部４３１に投影される。

撮像部４３１は、ターゲット２７の投影像を撮像する。撮像部４３１は、ウインドウ４３３と、イメージセンサ４３４と、転写光学系４３５と、を含む。ターゲット２７の投影像を含むパルス光は、ウインドウ４３３を介して撮像部４３１内の転写光学系４３５に入射する。転写光学系４３５は、例えば複数枚のレンズを含む。転写光学系４３５は、ターゲット２７の投影像を、イメージセンサ４３４の受光面に結像させる。

イメージセンサ４３４は、ＣＣＤ等の２次元イメージセンサである。イメージセンサ４３４は、受光面に結像されたターゲット２７の投影像に応じた画像信号を出力する。イメージセンサ４３４は、シャッタ４３２を備えている。シャッタ４３２は、電気的シャッタであっても機械的シャッタであってもよい。撮像部４３１には、遅延回路７２を介して、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａから出力された撮像タイミング信号ＴＳ２が入力される。シャッタ４３２は、撮像タイミング信号ＴＳ２によって開閉が制御される。イメージセンサ４３４は、シャッタ４３２が開いている間のみ撮像する。撮像部４３１と光源部４３６の動作は、撮像タイミング信号ＴＳ２と点灯信号ＬＵによって同期する。

ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されるように、レーザ装置３の照射タイミングを制御する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、ターゲット検出部４１からの通過タイミング信号ＴＳ１を受信すると、レーザ装置３に対して照射タイミングを規定する発光トリガ信号ＴＲを出力する。遅延回路７２は、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒからプラズマ生成領域２５に到達するまでの遅延時間分、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａから入力された発光トリガ信号ＴＲを遅延させて出力する。これにより、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射される。

また、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、ターゲット検出部４１からの通過タイミング信号ＴＳ１を受信すると、撮像部４３１に対して撮像タイミング信号ＴＳ２を出力する。遅延回路７２は、上記の遅延時間分、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａから入力された撮像タイミング信号ＴＳ２を遅延させて出力する。これにより、撮像部４３１は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達したタイミングでターゲット２７の投影像を撮像することができる。

ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、図２に示す外部装置６からバースト信号ＢＴを受信する。バースト信号ＢＴは、外部装置６がＥＵＶ光生成装置１に対してＥＵＶ光の生成及び停止を要求する信号である。ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、バースト信号ＢＴがオンの間、ＥＵＶ光を生成し、バースト信号ＢＴがオフの間、ＥＵＶ光の生成を停止する。

２．２ 動作
図４は、ＥＵＶ光生成システム１１Ａの動作を示すメインフローチャートである。図５は、図４に示すターゲット生成の処理を示すフローチャートである。

図４のステップＳ１０において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、起動指示が入力されると、ＥＵＶ光生成システム１１Ａを起動する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、起動後、ターゲット生成プロセッサ５２Ａに対してターゲット生成を開始させる開始信号を出力する。

ステップＳ２０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａからの開始信号が入力されると、ターゲット生成を開始する。

ステップＳ３０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、ＥＵＶ光生成を開始する。具体的には、ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、レーザ装置３を作動させ、ターゲット２７に対するパルスレーザ光３３の照射を開始させる。ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されると、ターゲット２７がプラズマ化してＥＵＶ光２５２が生成される。ＥＵＶ光２５２は、外部装置６に出力される。パルスレーザ光３３は、例えば、ピコ秒オーダーのパルス時間幅を有する。ピコ秒オーダーとは、１ｐｓ以上、１ｎｓ未満を意味する。パルスレーザ光３３は、１ｎｓ以上、１μｓ未満のパルス幅を有してもよい。

ステップＳ２０のターゲット生成は、図５に示すフローチャートに従って行われる。まず、ステップＳ２１０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、初期設定が終了しているか否かを判定する。初期設定が終了していない場合（ステップＳ２１０でＮＯ）は、ステップＳ２２０の初期設定に移行する。

ステップＳ２２０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、メモリ５２３に記憶された初期設定情報に基づいて初期設定を行う。初期設定には、ヒータ２６１の温度調整、リザーバ２６７の圧力調整、ピエゾ素子２６４の駆動周波数の調整等が含まれる。

まず、ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、リザーバ２６７内のターゲット物質が融点以上の所定温度になるように、温度センサ２６２の検出値に基づいてヒータ電源５３を介してヒータ２６１を制御する。ターゲット物質としてスズ（Ｓｎ）が用いられる場合は、所定温度は２３２℃から３００℃である。ヒータ２６１が駆動されると、リザーバ２６７に貯蔵されたターゲット物質は融解して液状になる。

また、初期設定において、ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、ノズル孔２６８からターゲット物質を吐出させるために、圧力調節器２６３を介して、リザーバ２６７内の圧力を目標圧力に設定する。圧力調節器２６３は、ターゲット生成プロセッサ５２Ａからの制御信号に基づいて、リザーバ２６７内のガスを給排気して、リザーバ２６７内の圧力を目標圧力に設定する。リザーバ２６７内の圧力は、ノズル孔２６８から吐出されるターゲット物質の吐出圧力を規定し、結果的にプラズマ生成領域２５に向かうドロップレット状のターゲット２７の速度を規定する。目標圧力は、例えば、数ＭＰａから４０ＭＰａの範囲の圧力である。ターゲット２７の目標速度は、例えば、６０ｍ／ｓから１２０ｍ／ｓの範囲の速度である。

さらに、初期設定において、ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、ピエゾ素子２６４の駆動周波数を設定する。上述したとおり、ピエゾ素子２６４の駆動周波数は、生成周波数ｆを規定する。ピエゾ素子２６４の駆動周波数は、ターゲット２７が目標の生成周波数ｆで生成されるように調整される。ピエゾ素子２６４の駆動周波数の初期設定は、ターゲット供給部２６Ａを動作させ、プラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給しながら行われる。ターゲット物質を融解させた状態でリザーバ２６７内に圧力を加え、かつ、ピエゾ素子２６４を振動させると、ノズル２６５が振動し、複数のターゲット２７が周期的にプラズマ生成領域２５に供給される。

ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、画像計測部４３から入力されるターゲット画像ＴＰを解析し、プラズマ生成領域２５を順次通過する複数のターゲット２７の間隔から、ターゲット２７の生成周期の実測値を算出する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、算出した生成周期の実測値と、生成周期の目標値との差を算出し、目標値との差をターゲット生成プロセッサ５２Ａに出力する。ターゲット生成プロセッサ５２Ａは、ターゲット２７の生成周期の実測値が目標値となるように、ピエゾ素子２６４の駆動周波数を調整する。これにより、ターゲット２７の生成周波数ｆが目標値に設定される。

初期設定が終了した場合は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａは、ステップＳ２３０の基本動作を実行する。

ステップＳ２３０の基本動作は、初期設定で調整された温度、圧力、及び駆動周波数で、ヒータ２６１、圧力調節器２６３、及びピエゾ素子２６４を駆動する動作である。基本動作では、プラズマ生成領域２５に対して、目標の生成周波数ｆでターゲット２７が供給される。

また、ステップＳ２１０において初期設定が終了している場合（ステップＳ２１０でＹＥＳ）は、ステップＳ２２０の初期設定を行わずに、ステップＳ２３０に移行する。

２．３ 課題
このような比較例に係るＥＵＶ光生成装置１Ａにおいては、長期間使用した場合、ターゲット２７の体積が変化する場合があった。その理由としては、ターゲット供給部２６Ａのノズル孔２６８の径の変化とフィルタ２６６の目詰まり等が考えられる。ノズル孔２６８の径の変化は、１つは、ノズル孔２６８を通過するターゲット物質により内壁が少しずつ浸食された場合に生じる大径化である。もう１つは、ノズル孔２６８の内壁にターゲット物質と他の金属との化合物膜が堆積した場合に生じる小径化である。

図６は、ターゲット２７の生成メカニズムを概念的に示す。リザーバ２６７の圧力によって、融解したターゲット物質はノズル２６５から吐出する。ノズル２６５から吐出直後のターゲット物質の形態は、軸方向が吐出方向に延びる柱状体である。ピエゾ素子２６４から加わる振動によってノズル２６５が振動すると、柱状体のターゲット物質が、ターゲット２７よりも体積が小さいドロップレット１２７に分断される。複数のドロップレット１２７のうち、隣接するいくつかのドロップレット１２７同士がターゲット軌道２７０を進行する過程で結合し、ドロップレット１２７よりも体積が大きなドロップレット状のターゲット２７となる。

図６において、ノズル孔２６８の径をｄ、ターゲット軌道２７０方向の速度をＶ、ターゲット２７の生成周波数をｆとすると、ターゲット２７の径Ｄは、以下の式（１）及び式（２）で算出することができる。ここで、ｄ及びＤはそれぞれ直径である。

ターゲット２７の速度Ｖは吐出圧力で規定され、ターゲット２７の生成周波数ｆはピエゾ素子２６４の駆動周波数で規定される。吐出圧力及び駆動周波数が一定、すなわち、Ｖ／ｆが一定の場合において、ノズル孔２６８の径ｄが大きくなると、単位時間当たりのターゲット物質の吐出量が多くなるため、ターゲット２７の径Ｄは大きくなる。また、同様にＶ／ｆが一定の場合を考えると、ノズル孔２６８の径ｄが小さくなると、単位時間当たりのターゲット物質の吐出量が少なくなるため、ターゲット２７の径Ｄは小さくなる。径Ｄが大きいほど、ターゲット２７の体積は大きい。さらに、ノズル孔２６８の径ｄが変化しない場合でも、フィルタ２６６が目詰まりすると、ターゲット物質の吐出速度が低下し、ターゲット２７の体積は小さくなる。

ターゲット２７の体積が大きすぎると、パルスレーザ光３３を照射した際のデブリの発生量が増加する場合がある。また、ターゲット２７の体積が小さすぎると、ＥＵＶ光の出力が低下する場合があり、ターゲット２７の体積変化はＥＵＶ光の出力を不安定にする場合があった。

３．第１の実施形態のＥＵＶ光生成装置
図７に示す第１の実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂについて説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

３．１ 構成
第１の実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂと比較例に係るＥＵＶ光生成装置１Ａとの構成上の相違点は、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂのみである。機能的には、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、ターゲット２７の大きさに基づいて、ターゲット２７の生成周波数ｆを変更する機能を有する点で、比較例のターゲット生成プロセッサ５２Ａと相違する。こうした機能を実現するために、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、制御プログラム及び初期設定情報に改良が加えられている。

３．２ 動作
第１の実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂの動作について説明する。ＥＵＶ光生成装置１Ｂにおいても、ＥＵＶ光生成に係るメインフローチャートは、図４に示す比較例に係るＥＵＶ光生成装置１Ａのメインフローチャートと同様である。相違点は、ステップＳ２０のターゲット生成の内容が、図５に示すフローチャートから、一例として図８に示すフローチャートに変更されている。

図８に示す第１の実施形態のフローチャートと図５に示す比較例のフローチャートの相違点は、以下の２点である。第１の相違点は、ステップＳ２２０の初期設定が、ステップＳ２２０Ｂの初期設定に変更されている点である。第２の相違点は、ステップＳ２３０の基本動作が開始された後に、ターゲット２７の生成周波数ｆの変更制御のステップが追加されている点である。

ステップＳ２２０Ｂにおいて、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂにおいても、ヒータ２６１の温度、リザーバ２６７の圧力、及びピエゾ素子２６４の駆動周波数を目標値に調整する初期設定は同様に行われる。相違点は、生成周波数ｆの変更制御に用いる情報として、ターゲット２７の径Ｄの許容範囲が設定される点である。メモリ５２３には、径Ｄの許容範囲の情報として、許容範囲の上限値Ｄｍａｘと下限値Ｄｍｉｎとが記憶されている。ステップＳ２２０Ｂの初期設定において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、径Ｄの許容範囲を読み込む。また、ステップＳ２２０Ｂにおいて、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、照射周波数Ｆと、生成周波数ｆとの周波数比Ｎ（＝ｆ／Ｆ）を算出する。ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、ステップＳ２２０Ｂの初期設定が終了すると、ステップＳ２３０に移行する。

ステップＳ２３０における基本動作は、図５に示した比較例に係る基本動作と同様である。ピエゾ素子２６４の駆動周波数は、初期設定が終了した直後においては、ターゲット２７の生成周波数ｆが初期の目標値となるように調整されている。ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、ステップＳ２３０の基本動作を開始した後、ステップＳ２４０以降の生成周波数ｆの変更制御を開始する。

ステップＳ２４０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、まず、画像計測部４３が計測したターゲット画像ＴＰをＥＵＶ光生成プロセッサ５Ａから取得する。そして、ターゲット画像ＴＰからターゲット２７の径Ｄ（ｔ）を計測する。径Ｄ（ｔ）は、複数のターゲット２７について計測される。

ステップＳ２５０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、複数のターゲット２７の径Ｄ（ｔ）の平均値Ｄｕ（ｔ）を算出する。

ステップＳ２６０及びステップＳ２７０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、ターゲット２７の径Ｄが許容範囲に入っているか否かを判定する。

まず、ステップＳ２６０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、平均値Ｄｕ（ｔ）と許容範囲の上限値Ｄｍａｘとを比較する。そして、平均値Ｄｕ（ｔ）が上限値Ｄｍａｘ以下の場合（ステップＳ２６０でＹＥＳ）は、ステップＳ２７０に移行し、上限値Ｄｍａｘを超えた場合（ステップＳ２６０でＮＯ）は、ステップＳ２６１に移行する。

また、ステップＳ２７０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、平均値Ｄｕ（ｔ）と許容範囲の下限値Ｄｍｉｎとを比較する。そして、平均値Ｄｕ（ｔ）が下限値Ｄｍｉｎ以上の場合（ステップＳ２７０でＹＥＳ）は、平均値Ｄｕ（ｔ）は許容範囲内であるため、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、生成周波数ｆの変更をせずに、図４に示すステップＳ３０に復帰する。一方、平均値Ｄｕ（ｔ）が下限値Ｄｍｉｎ未満の場合（ステップＳ２７０でＮＯ）は、ステップＳ２７１に移行する。

ステップＳ２６１では、平均値Ｄｕ（ｔ）が許容範囲の上限値Ｄｍａｘを超えているため、平均値Ｄｕ（ｔ）が許容範囲に収まるように、生成周波数ｆを大きくする。一方、ステップＳ２７１では、平均値Ｄｕ（ｔ）が許容範囲の下限値Ｄｍｉｎ未満のため、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、平均値Ｄｕ（ｔ）が許容範囲に収まるように、生成周波数ｆを小さくする。

ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、ステップＳ２６１及びＳ２７１において、ピエゾ素子２６４の駆動周波数を調整することにより、生成周波数ｆを変更する。ステップＳ２２０Ｂの初期設定において、生成周波数ｆが目標値になるように、ピエゾ素子２６４の駆動周波数が初期の目標値に調整されている。ステップＳ２６１及びステップＳ２７１における生成周波数ｆの変更は、ピエゾ素子２６４の駆動周波数の目標値を変更することにより、生成周波数ｆの目標値を変更することを意味する。ターゲット生成においては、生成周波数ｆの目標値が変更された後も、基本動作は継続される。

また、生成周波数ｆは、パルスレーザ光３３の照射周波数Ｆの自然数倍に変更される。すなわち、ステップＳ２６１において、生成周波数ｆを大きくする場合は、変更前の周波数比Ｎに１を加算し、加算した値に照射周波数Ｆを掛けた値を変更後の生成周波数ｆとする。例えば、変更前の生成周波数ｆの目標値が１２０ｋＨｚで、照射周波数Ｆが２０ｋＨｚの場合は、変更前の周波数比Ｎは６となる。生成周波数ｆを大きくする場合は、Ｎ＋１＝６＋１＝７、ｆ＝Ｎ×Ｆ＝２０ｋＨｚ×７＝１４０ｋＨｚとなり、生成周波数ｆが１２０ｋＨｚから１４０ｋＨｚに変更される。

一方、ステップＳ２７１において、生成周波数ｆを小さくする場合は、初期の周波数比Ｎから１を減算し、減算した値に照射周波数Ｆを掛けた値を、変更後の生成周波数ｆとする。例えば、変更前の生成周波数ｆの目標値が１２０ｋＨｚ、照射周波数Ｆが２０ｋＨｚ、変更前の周波数比Ｎが６とする。生成周波数ｆを小さくする場合は、Ｎ－１＝６－１＝５、ｆ＝Ｎ×Ｆ＝２０ｋＨｚ×５＝１００ｋＨｚとなり、生成周波数ｆが１２０ｋＨｚから１００ｋＨｚに変更される。ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、こうした処理を、ターゲット２７の径ｄが許容範囲内になるまで繰り返す。

図８に示す生成周波数ｆの変更制御について、図９を用いて概念的に説明する。図９は、ノズル孔２６８の径ｄの大径化が原因でターゲット２７の径Ｄが大きくなった場合に、生成周波数ｆを大きくする場合の模式図である。

図９において、時刻ｔ１を初期状態とし、初期状態のノズル孔２６８の径をｄ（ｔ１）とし、ターゲット２７の径をＤ（ｔ１）とする。ｆ１は、生成周波数ｆの初期の目標値である。そして、経時により時刻ｔ１から時刻ｔ２に変化したときに、ノズル孔２６８の径ｄがｄ（ｔ１）よりも大径化し、ｄ（ｔ２）に変化したとする。この場合は、ターゲット２７の径Ｄは、Ｄ（ｔ１）よりも大きなＤ（ｔ２）に変化する。時刻ｔ２においても、ｆ１は変化しないため、パルスレーザ光３３の照射周波数Ｆと生成周波数ｆとは初期状態と同様に同期している。そのため、パルスレーザ光３３はターゲット２７に照射されるが、ターゲット２７の体積が大きくなっているため、時刻ｔ１よりもデブリの発生量が増加する。

時刻ｔ２におけるターゲット２７の径Ｄ（ｔ２）が上限値Ｄｍａｘを超えた場合、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、図８のステップＳ２６１に示したとおり、ピエゾ素子２６４の駆動周波数を大きくして、生成周波数ｆを大きくする。変更後の生成周波数ｆであるｆ２は、変更前のｆ１よりも大きく、かつ、照射周波数Ｆの自然数倍の値である。時刻ｔ３は、生成周波数ｆをｆ２に変更後の時刻である。生成周波数ｆが大きくなると、ターゲット２７の径Ｄ（ｔ３）は小さくなる。ｆ２は照射周波数Ｆの自然数倍であるため、生成周波数ｆが変更された後も、ターゲット２７にパルスレーザ光３３は照射される。時刻ｔ３のターゲット２７の径Ｄ（ｔ３）は、時刻ｔ２の径Ｄ（ｔ２）よりも小さくなっているため、時刻ｔ２と比較して、時刻ｔ３のデブリの発生量が低下する。

図９において、生成周波数ｆは、時刻ｔ１及びｔ２における初期状態ｆ１と変更後の時刻ｔ３におけるｆ２とがともに、照射周波数Ｆの自然数倍である。ｆ１とｆ２のそれぞれと照射周波数Ｆの関係は式（３）で示される。ｎ_１及びｎ_２はともに自然数である。また、ターゲット２７の径Ｄについて、時刻ｔ３の径Ｄ（ｔ３）は、時刻ｔ２の径Ｄ２（ｔ２）との関係は式（４）で示される。

図９は、生成周波数ｆを大きくする例であるため、ｎ_２はｎ_１よりも大きい。また、時刻ｔ３においては、時刻ｔ１及びｔ２よりも生成周波数ｆが大きくなる分、パルスレーザ光３３が照射されないターゲット２７の数は多くなる。図９において、パルスレーザ光３３が照射されるターゲット２７を符号２７Ａで示し、パルスレーザ光３３が照射されないターゲット２７を符号２７Ｂで示す。図９では一例として、生成周波数ｆがｆ１の場合は、２個のターゲット２７Ａの間に存在するターゲット２７Ｂの数が１個であるのに対して、ｆ２に変更後は、ターゲット２７Ｂの数が２個に増加している。このように、生成周波数ｆを大きくした場合は、パルスレーザ光３３が照射されないターゲット２７Ｂの数が増加する。

図９の例は図８のステップＳ２６１に対応し、生成周波数ｆを大きくする例である。ステップＳ２６１と反対にステップＳ２７１に示したように、ノズル孔２６８の径ｄの小径化が原因でターゲット２７が小さくなった場合には、ターゲット２７を大きくするために生成周波数ｆを小さくする。この場合は、上記式（３）及び式（４）において、ｎ_２はｎ_１よりも小さくなり、ｆ２はｆ１よりも小さくなる。

また、図１０は、図９の例とは反対に、ターゲット２７の径Ｄが小さくなった場合に生成周波数ｆを小さくする場合の模式図である。さらに、図１０の例は、図９の例と異なり、ターゲット２７の径Ｄが小さくなる原因が、ノズル孔２６８の径ｄの大径化ではなく、フィルタ２６６の目詰まりである場合の例である。

図１０において、初期状態の時刻ｔ１から時間が経過した時刻ｔ２では、不純物の堆積が進み、フィルタ２６６の一部が閉塞されている。ノズル孔２６８の径ｄは、時刻ｔ１及びｔ２で変化はなく、ｄ（ｔ１）である。フィルタ２６６が一部閉塞されると、ノズル孔２６８から吐出されるターゲット物質の吐出速度が低下する。これにより、ターゲット物質の単位時間当たりの吐出量が低下するため、ターゲット２７の径Ｄが小さくなり、ターゲット２７が単位時間に進む距離であるＶ／ｆも小さくなる。図１０の例では、ターゲット２７の速度Ｖは、時刻ｔ１のＶ（ｔ_１）から時刻ｔ２において速度Ｖ（ｔ_２）に低下している。ただし、時刻ｔ１及び時刻ｔ２において、生成周波数ｆは、ｆ１で変化しないため、パルスレーザ光３３の照射周波数Ｆと生成周波数ｆとは同期している。しかし、ターゲット２７の径Ｄの小径化により体積が小さくなると、ＥＵＶ光の出力が低下する。

時刻ｔ２におけるターゲット２７の径Ｄ（ｔ２）が下限値Ｄｍｉｎ未満になった場合、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、図８のステップＳ２７１に示したとおり、ピエゾ素子２６４の駆動周波数を小さくして、生成周波数ｆを小さくする。変更後の生成周波数ｆであるｆ２は、変更前のｆ１よりも小さく、かつ、照射周波数Ｆの自然数倍の値である。時刻ｔ３は、生成周波数ｆをｆ２に変更後の時刻である。この場合、生成周波数ｆが小さくなると、ターゲット２７の径Ｄ（ｔ３）は大きくなる。ｆ２は照射周波数Ｆの自然数倍であるため、生成周波数ｆが変更された後も、ターゲット２７にパルスレーザ光３３は照射される。図１０の例において、時刻ｔ３のターゲット２７の径Ｄ（ｔ３）は、時刻ｔ２の径Ｄ（ｔ２）よりも大きくなっているため、時刻ｔ２と比較して、時刻ｔ３におけるＥＵＶ光の出力は増加する。図９の例とは反対に、図１０の例では、上記式（３）及び式（４）において、ｎ_２はｎ_１より小さくなり、ｆ２はｆ１よりも小さくなる。

３．３ 作用・効果
以上説明したように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂは、ターゲット２７にパルスレーザ光３３を照射することにより、ターゲット２７をプラズマ化してＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成装置であって、チャンバ２Ａと、ターゲット２７をチャンバ２Ａ内のプラズマ生成領域２５に供給するターゲット供給部２６Ａと、ターゲット２７に照射するパルスレーザ光３３を生成するレーザ装置３Ａと、ターゲット２７の大きさに基づいて、ターゲット供給部２６Ａによって生成されるターゲット２７の生成周波数ｆを、パルスレーザ光３３の照射周波数Ｆの自然数倍に変更するターゲット生成プロセッサ５２Ｂと、を備える。ここで、ターゲット２７の径Ｄは、本開示のターゲットの大きさの一例であり、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、本開示のプロセッサの一例である。

このような本実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂによれば、ノズル孔２６８の径ｄの変化又はフィルタ２６６の目詰まり等の原因でターゲット２７の体積が変化した場合でも、生成周波数ｆを変更することにより、次の効果が得られる。すなわち、デブリの発生量の増加を抑制する効果、及びＥＵＶ光の出力の低下を抑制する効果である。

また、第１の実施形態においては、ターゲット２７を撮像し、ターゲット画像ＴＰを出力する画像計測部４３をさらに備え、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、ターゲット画像ＴＰからターゲット２７の大きさを計測する。ターゲット画像ＴＰからターゲット２７の大きさを直接的に計測するため、ターゲット画像ＴＰを用いない場合と比較して、ターゲット２７の大きさが許容範囲内か否かの判定精度を高くできる場合がある。

また、第１の実施形態において、ターゲット２７の大きさの許容範囲が予め設定されており、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、ターゲット２７の大きさが許容範囲の上限値Ｄｍａｘを超えた場合に、生成周波数ｆを大きくし、かつ、ターゲット２７の大きさが許容範囲の下限値Ｄｍｉｎ未満の場合に、生成周波数ｆを小さくする。許容範囲を設定することで、許容範囲内については生成周波数ｆの変更をしないため、例えば許容範囲の代わりに１つの閾値に合わせる制御と比較して、制御の負荷を抑制することができる。

また、第１の実施形態において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、計測した複数のターゲット２７の大きさの一例である径Ｄの平均値Ｄｕと上限値Ｄｍａｘ及び下限値Ｄｍｉｎとを比較する。これにより、計測値に変動があっても、比較的安定した制御が可能になる。ここで、平均値Ｄｕは、本開示の代表値の一例である。代表値としては、平均値Ｄｕの他に、複数の計測値の中央値を使用してもよい。

また、ターゲット２７の大きさとして、ターゲット２７の径Ｄを用いているが、ターゲット２７の体積でもよい。この場合は、例えば、撮像方向が異なる複数の画像計測部４３を設ける。そして、各画像計測部４３が撮像したターゲット画像ＴＰのそれぞれから径Ｄを計測し、計測した複数の径Ｄから計算によりターゲット２７の体積を求める。また、ターゲット回収部２８にターゲット２７の衝突時の圧力を計測する圧力センサを設け、圧力センサが計測した圧力値からターゲット２７の体積を計算により求めてもよい。圧力値から体積を計算する方法は、例えば、圧力値からターゲット２７の質量を計算し、質量とターゲット物質の密度から体積を求める。

４．第２の実施形態のＥＵＶ光生成装置
次に、第２の実施形態のＥＵＶ光生成装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

４．１ 構成
第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の基本的な構成は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂとほぼ同様であるため、全体構成の説明を省略する。第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置と第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂとの構成上の相違点は、図１１に示すターゲット生成プロセッサ５２Ｃのみである。ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ターゲット２７の大きさに基づいて、ターゲット２７の生成周波数ｆを変更する機能を有する点で、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂと共通するが、その実現方法が異なる。この実現方法の変更に応じて、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、制御プログラム及び初期設定情報に改良が加えられている。

すなわち、第２の実施形態のターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ターゲット２７の大きさそのものではなく、ターゲット２７の大きさに関連する関連情報に基づいて、ターゲット２７の生成周波数ｆを変更する。より具体的には、第２の実施形態においては、関連情報は、予め設定された時点からの経過時間ｔであり、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、経過時間ｔに基づいて、生成周波数ｆを変更する。第１実施形態で示したように、ノズル孔２６８の径ｄは時の経過によって変化し、フィルタ２６６も時の経過によって目詰まりが進む。そのため、経過時間ｔは、ターゲット２７の大きさに関連する関連情報と言える。

図１１に示すように、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、タイマー５２２を有している。タイマー５２２は、予め設定された時点からの経過時間ｔを計測する経過時間計測部の一例である。本例では、経過時間ｔとして、ターゲット供給部２６Ａの動作時間の累積値を用いる。ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ターゲット供給部２６Ａの動作時間をタイマー５２２に計測させ、計測値に基づいてメモリ５２３の経過時間ｔを更新する。

また、メモリ５２３には、初期設定情報及び経過時間ｔに加えて、参照テーブル５２４が記憶されている。図１２に示すように、参照テーブル５２４は、経過時間ｔと比較される複数の参照時間ＲＸと、複数の参照時間ＲＸのそれぞれに対応して設定される複数の生成周波数ｆとの対応関係を記録したものである。なお、本例では、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃの内部の記憶装置であるメモリ５２３が対応関係を記憶しているが、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃの外部の記憶装置が対応関係を記憶してもよい。

例えば、参照テーブル５２４は、図１３に示すように、経過時間ｔが大きくなるほど、ノズル孔２６８の径ｄが大きくなるという関係を前提として作成される。図１３に示す関係を前提とする場合は、経過時間ｔが大きくなるほど、ターゲット２７の径Ｄは大きくなるため、径Ｄを小さくするために、生成周波数ｆは大きくする必要がある。そのため、参照テーブル５２４において、参照時間ＲＸが大きくなるほど、生成周波数ｆは大きくなる。参照時間ＲＸと生成周波数ｆは１対１で対応している。参照番号ＲＮは、参照時間ＲＸと生成周波数ｆとの組み合わせ毎に割り当てられる番号である。

参照テーブル５２４は、例えば、経過時間ｔに応じたターゲット２７の大きさの変化を実測し、実測値に基づいて、経過時間ｔに応じて適切な生成周波数ｆを割り当てることにより作成される。

４．２ 動作
次に、図１４に示すフローチャートを用いて、第２の実施形態のＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。

第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置においても、ＥＵＶ光生成に係るメインフローチャートは、図４に示す比較例に係るＥＵＶ光生成装置１Ａのメインフローチャートと同様である。相違点は、ステップＳ２０のターゲット生成の内容が、図５に示すフローチャートから、一例として図１４に示すフローチャートに変更されている。

図１４に示す第２の実施形態のフローチャートと図８に示す第１の実施形態のフローチャートの相違点は、以下の２点である。第１の相違点は、ステップＳ２２０Ｂの初期設定が、ステップＳ２２０Ｃに変更されている点である。第２の相違点は、ステップＳ３３０以降のターゲット２７の生成周波数ｆの変更制御が異なる点である。

ステップＳ２２０Ｃの初期設定において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃにおいても、ヒータ２６１の温度、リザーバ２６７の圧力、及びピエゾ素子２６４の駆動周波数を目標値に調整する初期設定は第１実施形態と同様に行われる。相違点は、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、許容範囲の代わりに、参照テーブル５２４を読み出す。ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ステップＳ２２０Ｃの初期設定が終了すると、ステップＳ２３０に移行する。

ステップＳ２３０における基本動作は、第１実施形態と同様である。ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ステップＳ２３０の基本動作を開始した後、ステップＳ３１０に移行する。

ステップＳ３１０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、参照テーブル５２４の参照番号ＲＮｋを選択する。経過時間ｔは動作時間の累積値である。そのため、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ＥＵＶ光生成装置が停止された場合には、停止時の参照番号ＲＮｋのｋの値をメモリ５２３に記憶する。ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ＥＵＶ光生成装置を再起動した場合は、ステップＳ２１０でＮＯに進み、ステップＳ２２０Ｃ及びステップＳ２３０を経て、ステップＳ３１０に移行する。ステップＳ３１０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、前回の停止時にメモリ５２３に記憶したｋの値を読み出し、そのｋの値に対応する参照番号ＲＮｋを選択する。そして、参照番号ＲＮｋに対応する参照時間ＲＴｋと生成周波数ｆｋの組み合わせを読み出す。

ステップＳ３２０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、タイマー５２２を作動させ、経過時間ｔの計測を開始する。ステップＳ３２０の後、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ステップＳ３３０以降の生成周波数ｆの変更制御を開始する。

ステップＳ３３０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、経過時間ｔと選択された参照番号ＲＮｋに対応する参照時間ＲＸｋとを比較する。経過時間ｔが参照時間ＲＸｋに達しない場合は、生成周波数ｆを変更せずに、図４に示すステップＳ３０に復帰する。経過時間ｔが参照時間ＲＸｋに達した場合（Ｓ３３０でＹＥＳ）は、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ステップＳ３４０に移行する。

ステップＳ３４０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、参照時間ＲＸｋに応じた生成周波数ｆｋに生成周波数ｆを変更する。生成周波数ｆを変更した場合は、ステップＳ３５０に移行する。

ステップＳ３５０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ｋの値に１を加算することにより、参照番号ＲＮｋを更新する。ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ステップＳ３５０の後、ステップＳ２１０に復帰する。そして、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、ステップＳ２１０において、初期設定が終了している場合（ステップＳ２１０でＹＥＳ）は、ステップＳ３３０に移行する。ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、以上の処理をＥＵＶ光生成装置が停止するまで繰り返す。

４．３ 作用・効果
以上説明したように、第１の実施形態では、画像データに基づくターゲット２７の大きさに基づいて生成周波数ｆを変更したが、第２の実施形態では、ターゲット２７の大きさを計測せず、予め設定された時点からの経過時間ｔに基づいて、生成周波数ｆを変更する。第２の実施形態においても、デブリの発生量の増加を抑制する効果、及びＥＵＶ光の出力を安定化させる効果については、第１実施形態と同様である。

また、第２の実施形態においては、経過時間ｔとして、ターゲット供給部２６Ａの動作時間の累積値を使用している。上述したとおり、ターゲット２７の径Ｄが変化する原因は、ノズル孔２６８の径ｄの変化とフィルタ２６６の目詰まりとが考えられる。これらはいずれもターゲット供給部２６Ａの動作時間との相関が高いと考えられる。そのため、経過時間ｔとして、ターゲット供給部２６Ａの動作時間の累積値を使用することで、動作時間の累積値を使用しない場合に比べて、適切な生成周波数ｆの変更制御が可能になると考えられる。

なお、経過時間ｔとしては、ターゲット供給部２６Ａが停止している停止期間を含めてもよい。ターゲット供給部２６Ａが停止していても、ノズル孔２６８の径ｄの変化又はフィルタ２６６の目詰まり等が進行する場合がある。経過時間ｔに停止期間を含めることは、こうした場合に有効である。

また、第２の実施形態においては、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、経過時間ｔが長くなるにつれて、生成周波数ｆを大きくする。そのため、生成周波数ｆを増減させる場合と比べて、生成周波数ｆの変更制御を簡素化できる場合がある。もちろん、ターゲット２７の大きさが変化する原因として、フィルタ２６６の目詰まりが支配的である場合は、経過時間ｔが長くなるにつれて、生成周波数ｆを小さくしてもよい。

また、第２の実施形態においては、経過時間ｔと比較される複数の参照時間ＲＸと、複数の参照時間ＲＸのそれぞれに対応して設定される複数の生成周波数ｆとの対応関係を記録した参照テーブル５２４を用いる。そして、第２の実施形態においては、ターゲット生成プロセッサ５２Ｃは、参照テーブル５２４を予め記憶したメモリ５２３を備えており、参照テーブル５２４を参照して、経過時間ｔに応じた生成周波数ｆに変更する。このように、参照テーブル５２４のような対応関係を用いることにより、経過時間ｔと生成周波数ｆの関係を数式で規定する場合と比べて、より柔軟な対応がしやすい場合がある。例えば、ノズル孔２６８の径ｄの経時変化とフィルタ２６６の目詰まりの経時変化等の複合的な要因によってターゲット２７の径Ｄが変化する場合には、経過時間ｔと生成周波数ｆとの関係が複雑になる場合もあり得る。このような場合に対応関係を記録した参照テーブル５２４等を用いる方法は有効である。また、参照テーブル５２４の方が、数式と比較して、修正及び更新等のメインテナンスがしやすい場合もある。

５．第３の実施形態のＥＵＶ光生成装置
次に、図１５から図１９を用いて、第３の実施形態のＥＵＶ光生成装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

５．１ 構成
第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂと比較して、図１５に示すようにリフィル機構９１Ａを備える点で異なる。また、第３の実施形態は、ターゲット２７の径Ｄに基づいて、生成周波数ｆを変更する点では第１の実施形態と同様であるが、ターゲット２７の径Ｄの計測方法が異なる。第１の実施形態ではターゲット画像ＴＰからターゲット２７の径Ｄを計測している。これに対して、第３の実施形態では、リフィル機構９１Ａの補給量から計算でターゲット２７の径Ｄを算出している。いわば、第１実施形態が直接的にターゲット２７を計測しているのに対して、第３の実施形態は、補給量に基づいて、ターゲット２７の径Ｄを間接的に計測している。以下、相違点を中心説明する。

図１５に示すように、リフィル機構９１Ａは、ターゲット供給部２６Ｄのリザーバ２６７にターゲット物質を補給する機構である。リフィル機構９１Ａは、タンク９７Ａと、計量部９６Ａと、配管９８Ａと、ロードロック室９２Ａと、液面センサ７３Ａとを備えている。タンク９７Ａは、ターゲット２７の材料として、固体のターゲット物質である固体スズを収容する。固体スズは例えば球状である。計量部９６Ａは、タンク９７Ａから配管９８Ａに供給される固体スズの質量を計測する。計量部９６Ａは、例えば、補給される固体スズの個数をカウントする。１個当たりの固体スズの質量が分かっているため、質量と供給される個数とに基づいて供給される固体スズの質量を算出することができる。

ロードロック室９２Ａは、固体スズの供給方向において計量部９６Ａの下流側に設けられる。ロードロック室９２Ａは、開閉可能な供給口を介してリザーバ２６７と接続されており、計量部９６Ａから移送される固体スズを一旦保留する。ロードロック室９２Ａは、室内とタンク９７Ａとを同一圧力にした状態で供給口を開き、固体スズをリザーバ２６７内に補給する。

液面センサ７３Ａは、リザーバ２６７内において液状のターゲット物質の液面を検知する。本例の液面センサ７３Ａは、棒状をしており、長手方向の一か所に液面を検知する検知領域を有している。液面センサ７３Ａは、ターゲット物質の液面の位置が検知領域に達しているか、検知領域に達していないかを検知する。液面センサ７３Ａは、例えば、液面の位置が検知領域に達している場合にターゲット生成プロセッサ５２Ｄに検知信号を出力し、検知領域に達していない場合は検知信号を出力しない。液面センサ７３Ａは、検知領域が、リザーバ２６７内においてターゲット物質が目標値まで充填されている状態の液面の高さに位置するように設けられている。そのため、リザーバ２６７内においてターゲット物質の液面位置が目標の液面の高さを超えている状態では、液面センサ７３Ａからターゲット生成プロセッサ５２Ｄに対して検知信号が出力されるが、ターゲット物質が目標の液面の高さ未満になった場合は、液面センサ７３Ａからターゲット生成プロセッサ５２Ｄに対して検知信号が出力されない。ターゲット生成プロセッサ５２Ｄは検知信号を受信している状態では、ターゲット物質の充填は不要と判定し、検知信号を受信しない状態では、ターゲット物質の充填が必要と判定する。

ノズル２６５からターゲット物質が吐出されると、リザーバ２６７内の液面は下降する。そして、ターゲット生成プロセッサ５２Ｄは、液面センサ７３Ａからの検知信号を受信しない状態になると、リフィル機構９１Ａを作動させ、再び検知信号を受信するまで固体スズをリザーバ２６７に補給する。すなわち、ターゲット生成プロセッサ５２Ｄは、リザーバ２６７内のターゲット物質の液面が目標の液面位置以上に保たれるように、リフィル機構９１Ａに固体スズを補給させる。

リザーバ２６７からのターゲット物質の吐出量をＱｏｕｔ、リフィル機構９１Ａからリザーバ２６７への補給量をＱｉｎとする。補給量Ｑｉｎは、補給時にリザーバ２６７へ供給される固体スズの質量である。ＱｉｎとＱｏｕｔがほぼ等しいとすると、リフィル機構９１Ａの補給量Ｑｉｎとターゲット２７の径Ｄについて、下記の式（５）及び（６）で示される関係が成立する。そのため、Ｑｉｎが分かれば、式（５）及び（６）に基づいて、ターゲット生成プロセッサ５２Ｄは、ターゲット２７の径Ｄを算出することができる。

また、図１６は、リフィル機構９１Ａがリザーバ２６７に補給する固体スズの総質量Ｍの時間変化の一例を示すグラフである。単位時間当たりの補給量Ｑｉｎの質量をΔＭとすると、図１６において時の経過によってΔＭ１よりもΔＭ２が大きくなっている。図１６においてΔｔ１及びΔｔ２は同じ時間である。図１６は、ノズル孔２６８の径ｄ又はターゲット物質の吐出速度が変化した場合に、吐出量Ｑｏｕｔが変化し、それに伴って補給量Ｑｉｎが変化する例を示している。また、単位時間Δｔ当たりの補給量Ｑｉｎの質量ΔＭ、リザーバ２６７のターゲット物質の材料である液体のスズの密度をρとすると、下記の式（７）によって、補給量Ｑｉｎを算出することができる。

５．２ 動作
次に、図１７に示すフローチャートを参照しながら、第３の実施形態のＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。図１７に示すフローチャートと、図８に示す第１の実施形態のフローチャートとの相違点は、ステップＳ５４０とステップＳ５５０のみである。その他は同一であるため、相違点について説明する。

ステップＳ５４０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｄは、計量部９６Ａによって単位時間Δｔ当たりの質量ΔＭを計測し、式（７）に基づいてΔＭから補給量Ｑｉｎを算出する。ステップＳ５４０の後、ステップＳ５５０に移行する。

ステップＳ５５０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｄは、式（６）に基づいて補給量Ｑｉｎから、時刻ｔにおけるターゲット２７の径Ｄ（ｔ）を算出する。ステップＳ２５０以降は、第１の実施形態と同様であり、ターゲット生成プロセッサ５２Ｄは、ターゲット２７の径Ｄ（ｔ）に基づいて、生成周波数ｆを変更する。

（第３の実施形態の変形例）
図１８及び図１９は、第３の実施形態の変形例である。図１５から図１７に示す例では、補給量Ｑｉｎからターゲット２７の径Ｄを算出したが、図１８及び図１９に示す変形例では、補給間隔からターゲット２７の径Ｄを算出する。

図１８に示すように、変形例のリフィル機構９１Ｂは、タンク９７Ｂと、ヒータ２８１と、配管９８Ｂと、バルブ９２Ｂと、液面センサ７３Ｂとを備えている。タンク９７Ｂはヒータ２８１によって加熱することが可能であり、タンク９７Ｂ内にはターゲット物質が収容されている。ターゲット物質は例えば、液体スズである。タンク９７Ｂは配管９８Ｂを介してリザーバ２６７と接続されている。配管９８Ｂの途中には補給の開始と停止をするためのバルブ９２Ｂが設けられている。

リザーバ２６７内のターゲット物質も液体スズであり、液面センサ７３Ｂは、リザーバ２６７内の液体スズの液面を検知する。液面センサ７３Ｂは、液面を検知する検知領域を一か所のみ有している点では図１５で示した液面センサ７３Ａと同様である。しかし、図１５で示した液面センサ７３Ａと異なり、液面センサ７３Ｂは、検知領域が、予め設定された液体スズの液面の下限値の高さに位置するように配置されている。液面センサ７３Ｂは、液体スズの液面が下限値以上の高さにある状態では検知信号を出力し、液体スズの液面が下限値未満の状態では検知信号を出力しない。リフィル機構９１Ｂは、液面センサ７３Ｂからの検知信号を受信しない状態になると、リザーバ２６７内の液体スズの液面が下限値未満になったと判定する。リフィル機構９１Ｂは、液面が下限値未満になった場合は、予め設定された量のターゲット物質を補給する。リフィル機構９１Ｂの１回の補給量Ｑｉｎは一定である。

図１９に示すように、変形例においてはノズル孔２６８の径ｄ等が変化しても、１回の補給量Ｑｉｎに相当する液体スズの質量ｍは一定であるが、補給間隔ｔｄが変化する。図１９に示す例は、ノズル孔２６８の径ｄが大径化することにより、補給間隔ｔｄがｔｄ１からｔｄ２に短くなった例を示す。

変形例の場合は、１回の補給量Ｑｉｎに相当する液体スズの体積は、質量ｍを密度ρで除算することで算出することができる。変形例の補給量Ｑｉｎは、算出したｍ／ρの値をさらに補給間隔ｔｄで除算することにより算出される。この補給量Ｑｉｎを、上記式（６）のＱｉｎに適用すれば、ターゲット２７の径Ｄを算出することができる。変形例は、他の点については図１７のフローチャートと同様である。

５．３ 作用・効果
以上説明したように、第３の実施形態のＥＵＶ光生成装置は、ターゲット供給部２６Ｄ又は２６Ｅを一例として示すターゲット供給部にターゲット２７の材料を補給するリフィル機構９１Ａ又は９１Ｂをさらに備え、ターゲット生成プロセッサ５２Ｄは、リフィル機構９１Ａの補給量Ｑｉｎ又はリフィル機構９１Ｂの補給間隔ｔｄに基づいて、生成周波数ｆを変更する。第３の実施形態は、例えば、第１の実施形態のようにターゲット画像ＴＰを取得できない場合に有効である。

また、補給量Ｑｉｎは、リフィル機構９１Ａの単位時間当たりの補給量Ｑｉｎであり、補給間隔ｔｄは、リフィル機構９１Ｂの１回当たりの補給量Ｑｉｎが固定されている場合の補給間隔ｔｄである。ターゲット生成プロセッサ５２Ｄは、補給量Ｑｉｎ又は補給間隔ｔｄに基づいて、ターゲット２７の大きさを算出する。第３の実施形態は、補給量Ｑｉｎ又は補給間隔ｔｄをターゲット２７の大きさに換算することで、第１の実施形態の共通部分を流用することができる。

また、第３の実施形態は、ターゲット２７の大きさの許容範囲を用いているため、第１の実施形態において許容範囲を用いる例と同様の効果がある。

また、第３の実施形態において、補給量Ｑｉｎ又は補給間隔ｔｄからターゲット２７の大きさを計測しているが、ターゲット２７の大きさを計測しなくてもよい。例えば、第２の実施形態のように、補給量Ｑｉｎと生成周波数ｆとの対応関係を記録した参照テーブルを用い、参照テーブルによって生成周波数ｆの変更制御を行ってもよい。補給量Ｑｉｎ又は補給間隔ｔｄは、ターゲット２７の大きさと相関関係を有する。そのため、補給量Ｑｉｎ又は補給間隔ｔｄは、本開示の「ターゲットの大きさに関連する関連情報」の一例でもある。

６．第４の実施形態のＥＵＶ光生成装置
次に、第４の実施形態のＥＵＶ光生成装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

６．１ 構成
第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂと同様であるため、説明を省略する。第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置は、ターゲット供給部２６Ａからプラズマ生成領域２５に向かうターゲット２７を光学的に検出し、通過するターゲット２７の大きさに応じた信号強度を有する通過タイミング信号を出力するターゲット検出部４１を備える。なお、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置は全体構成図を省略しているため、第４の実施形態のターゲット生成プロセッサについては、便宜上、第１の実施形態と同じ符号を付して、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂとして説明する。以下に示すように、第４の実施形態のターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、生成周波数ｆの変更制御の内容が第１の実施形態のターゲット生成プロセッサ５２Ｂとは異なる。第４の実施形態のターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、信号強度に基づいて、生成周波数ｆを変更する。ターゲット検出部４１が出力する通過タイミング信号の信号強度に基づいて、ターゲット２７の生成周波数ｆを変更する点で、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂと異なる。

図２０から図２２を用いて第４の実施形態を説明する。図２０は、ターゲット２７がターゲット検出部４１を通過する様子を模式的に示した図である。第１の実施形態で説明したとおり、ターゲット検出部４１の光センサ４１２は、受光量に応じた信号強度の受光信号を出力する。ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒを通過すると、ターゲット２７は、発光部４１Ｂから受光部４１Ａに向かう照明光を遮るため、光センサ４１２の出力である受光信号の信号強度が変化する。ターゲット検出部４１は、ターゲット２７が通過する場合の信号強度の変化に基づいてターゲット２７を検出する。

図２１は、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒを通過する場合において、光センサ４１２が出力する受光信号の信号強度Ｉの経時的な変化を示すグラフである。図２１において、信号強度Ｉ_０は、ターゲット２７が通過していない場合に光センサ４１２が出力する信号強度であり、信号強度Ｉ_０がベースラインとなる。ターゲット２７が通過していない場合はターゲット２７によって照明光が遮られないため、ベースラインの信号強度Ｉ_０は、信号強度Ｉの最大値を示す。ターゲット検出領域Ｒをターゲット２７が通過すると、ターゲット２７によって照明光の一部が遮られるため、信号強度Ｉが低下する。そして、ターゲット２７の大きさが大きいほど、信号強度Ｉは低下し、ベースラインである信号強度Ｉ_０からの変化量ΔＩは大きくなる。一方、ターゲット２７の大きさが小さいほど、信号強度Ｉの低下は小さく、ベースラインである信号強度Ｉ_０からの変化量ΔＩは小さい。

このようにターゲット２７の大きさと変化量ΔＩの大きさには相関があるため、変化量ΔＩは、本開示の「ターゲットの大きさと関連する関連情報」の一例である。第４の実施形態では、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、信号強度Ｉに基づいて、生成周波数ｆを変更する。具体的には、本例では、信号強度Ｉのベースラインからの変化量ΔＩを算出し、変化量ΔＩに基づいて、生成周波数ｆを変更する。

第４の実施形態では、変化量ΔＩの許容範囲がターゲット生成プロセッサ５２Ｂのメモリ５２３に設定されている。図２１に示すように、変化量ΔＩの許容範囲の下限値はΔＩｍｉｎであり、上限値はΔＩｍａｘである。

６．２ 動作
次に、第４の実施形態のＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。具体的には、図２２を用いて、第４の実施形態に係るターゲット生成プロセッサ５２Ｂの動作について説明する。

図２２は、第４の実施形態のフローチャートである。ステップＳ２１０及びステップＳ２３０については、第１の実施形態と同様である。第４の実施形態では、ステップＳ２２０Ｅの初期設定において、変化量ΔＩの許容範囲として、上限値ΔＩｍａｘ及び下限値ΔＩｍｉｎが読み出される。

ステップＳ２３０が終了すると、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、ステップＳ６５０以降の生成周波数ｆの変更制御を実行する。ステップＳ６５０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、ターゲット２７毎の通過タイミング信号を取得して、ベースラインからの信号強度Ｉの変化量ΔＩを算出する。算出された変化量ΔＩはメモリ５２３に記憶される。

ステップＳ６６０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、複数のターゲット２７についての複数の変化量ΔＩの平均値ΔＩμを算出する。

ステップＳ６７０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、平均値ΔＩμと上限値ΔＩｍａｘとを比較する。平均値ΔＩμが上限値を超えた場合（ステップＳ６７０でＮＯ）は、ターゲット２７が大きすぎると考えられる。この場合は、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、生成周波数ｆを大きくする。これにより、ターゲット２７の大きさを小さくすることができる。ステップＳ６７０において、平均値ΔＩμが上限値以下の場合（ステップＳ６７０でＹＥＳ）は、ステップＳ６８０に移行する。

ステップＳ６８０において、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、平均値ΔＩμと下限値ΔＩｍｉｎとを比較する。平均値ΔＩμが下限値未満の場合（ステップＳ６８０でＮＯ）は、ターゲット２７が小さすぎると考えられる。この場合は、ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、生成周波数ｆを小さくする。これにより、ターゲット２７の大きさを大きくすることができる。ステップＳ６８０において、平均値ΔＩμが下限値以上の場合（ステップＳ６８０でＹＥＳ）は、生成周波数ｆを変更せずに、ステップＳ６８０に移行する。

６．３ 作用・効果
以上説明したように、第４の実施形態のＥＵＶ光生成装置は、通過タイミング信号を検出するターゲット検出部４１を備えており、ターゲット２７の通過タイミング信号の信号強度Ｉに基づいて、生成周波数ｆを変更するターゲット生成プロセッサ５２Ｂ、を備える。このため、第４の実施形態は、ターゲット画像ＴＰからターゲット２７の大きさを計測できない場合に有効である。

第４の実施形態は、図２２に示すように許容範囲を用いている。そのため、第１の実施形態と同様に許容範囲を用いる効果が得られる。また、第４の実施形態は、複数の信号強度Ｉの変化量ΔＩの代表値を許容範囲の上限値Ｉｍａｘ又は下限値Ｉｍｉｎと比較する。これについても第１の実施形態と同様な効果が得られる。

なお、第４の実施形態では、関連情報として信号強度Ｉの変化量ΔＩを用い、変化量ΔＩに基づいて、生成周波数ｆを変更する例で説明したが、信号強度Ｉ又は変化量ΔＩと生成周波数ｆとの対応関係を記録した参照テーブルを用いて生成周波数ｆを変更してもよい。

７．第５の実施形態のＥＵＶ光生成装置
次に、第５の実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｆについて説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
７．１ 構成
図２３は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｆの構成を概略的に示す図である。第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｆは、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂのレーザ装置３Ａ及びレーザ光進行方向制御部３４Ａの代わりに、レーザ装置３Ｆ及びレーザ光進行方向制御部３４Ｆを備える点で異なる。

レーザ装置３Ｆは、プリパルスレーザ３Ｐと、メインパルスレーザ３Ｍとを含む。プリパルスレーザ３Ｐは、プリパルスレーザ光３１Ｐを出力するように構成されている。メインパルスレーザ３Ｍは、メインパルスレーザ光３１Ｍを出力するように構成されている。プリパルスレーザ３Ｐは、例えば、ＹＡＧレーザ装置、あるいは、Ｎｄ：ＹＶＯ４を用いたレーザ装置で構成される。メインパルスレーザ３Ｍは、例えば、ＣＯ２レーザ装置で構成される。メインパルスレーザ３Ｍは、ＹＡＧレーザ装置、あるいは、Ｎｄ：ＹＶＯ４を用いたレーザ装置で構成されてもよい。

レーザ光進行方向制御部３４Ｆは、高反射ミラー３４３、３４４、及び３４５と、コンバイナ３４６とを含む。高反射ミラー３４３及び３４４は、メインパルスレーザ光３１Ｍの光路に配置されている。高反射ミラー３４５は、プリパルスレーザ光３１Ｐの光路に配置されている。

コンバイナ３４６は、高反射ミラー３４５によって反射されたプリパルスレーザ光３１Ｐと、高反射ミラー３４４によって反射されたメインパルスレーザ光３１Ｍと、の光路に配置されている。コンバイナ３４６は、プリパルスレーザ光３１Ｐを高い反射率で反射し、メインパルスレーザ光３１Ｍを高い透過率で透過させるように構成されている。高反射ミラー３４４とコンバイナ３４６とは、メインパルスレーザ光３１Ｍ及びプリパルスレーザ光３１Ｐをチャンバ２Ａの内部に向けて反射するように構成されている。コンバイナ３４６は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍの光路軸をほぼ一致させるように構成されている。

第５の実施形態は、第１の実施形態と同様の画像計測部４３を備えている。図２４は、画像計測部４３がミスト状ターゲットを検出する様子を模式的に示す図である。画像計測部４３は、第１の実施形態のドロップレット状のターゲット２７の代わりに、ターゲットとしてプリパルスレーザ光３１Ｐに照射されて拡散状態となったミスト状のターゲット２７Ａを撮像する。ターゲット生成プロセッサ５２Ｂは、画像計測部４３から出力されたターゲット画像ＴＰを用い、ターゲット画像ＴＰからミスト状のターゲット２７Ａの大きさを計測する。その他の点は第１の実施形態と同様である。

７．２ 動作
次に、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｆの動作は、第１の実施形態とほぼ同様である。相違点は、第１の実施形態がドロップレット状のターゲット２７の径Ｄに基づいて、生成周波数ｆを変更するのに対して、第５の実施形態はミスト状のターゲット２７Ａの径Ｄに基づいて生成周波数ｆを変更する。

７．３ 作用・効果
第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｆも、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第５の実施形態と、第２の実施形態から第４の実施形態とを組み合わせてもよい。

８．その他
図２５は、ＥＵＶ光生成装置１Ｂに接続された露光装置６Ａの構成を概略的に示す。図２４において、外部装置６としての露光装置６Ａは、マスク照射部６８とワークピース照射部６９とを含む。マスク照射部６８は、ＥＵＶ光生成装置１Ｂから入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６Ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。

図２６は、ＥＵＶ光生成装置１Ｂに接続された検査装置６Ｂの構成を概略的に示す。図２６において、外部装置６としての検査装置６Ｂは、照明光学系６３と検出光学系６６とを含む。ＥＵＶ光生成装置１ＢはＥＵＶ光を検査用光源として検査装置６Ｂに出力する。照明光学系６３は、ＥＵＶ光生成装置１Ｂから入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６４に配置されたマスク６５を照射する。ここでいうマスク６５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６６は、照明されたマスク６５からのＥＵＶ光を反射して検出器６７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６７はマスク６５の画像を取得する。検出器６７は例えばＴＤＩ（ｔｉｍｅ ｄｅｌａｙ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６５の画像により、マスク６５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６Ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。

なお、検査装置６Ｂにおいて、上述のＥＵＶ集光ミラー２３は、斜入射型であってもよい。また、図２５及び図２６において、ＥＵＶ光生成装置１Ｂの代わりに、第２～５の実施形態のＥＵＶ光生成装置の何れかが用いられてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の各実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. ターゲットにパルスレーザ光を照射することにより、前記ターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成装置であって、
   チャンバと、
   前記ターゲットを前記チャンバ内のプラズマ生成領域に供給するターゲット供給部と、
   前記ターゲットに照射するパルスレーザ光を生成するパルスレーザ装置と、
   前記ターゲットの大きさ又は前記ターゲットの大きさに関連する関連情報に基づいて、前記ターゲット供給部によって生成される前記ターゲットの生成周波数を、前記パルスレーザ光の照射周波数の自然数倍に変更するプロセッサと、
   を備えるＥＵＶ光生成装置。
2. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記ターゲットを撮像し、ターゲット画像を出力する画像計測部をさらに備え、
   前記プロセッサは、前記ターゲット画像から前記ターゲットの大きさを計測する、ＥＵＶ光生成装置。
   
3. 請求項２に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記ターゲットの大きさの許容範囲が予め設定されており、
   前記プロセッサは、前記ターゲットの大きさが前記許容範囲の上限値を超えた場合に、前記生成周波数を大きくし、かつ、前記ターゲットの大きさが前記許容範囲の下限値未満の場合に、前記生成周波数を小さくする、ＥＵＶ光生成装置。
4. 請求項３に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記プロセッサは、計測した複数の前記ターゲットの大きさの代表値を前記上限値又は前記下限値と比較する、ＥＵＶ光生成装置。
5. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   予め設定された時点からの経過時間を計測する経過時間計測部をさらに備え、
   前記関連情報は、前記経過時間であり、
   前記プロセッサは、前記経過時間に基づいて、前記生成周波数を変更する、ＥＵＶ光生成装置。
6. 請求項５に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記経過時間は、前記ターゲット供給部の動作時間の累積値である、ＥＵＶ光生成装置。
7. 請求項６に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記プロセッサは、前記経過時間が長くなるにつれて、前記生成周波数を大きくする、ＥＵＶ光生成装置。
8. 請求項６に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記経過時間と比較される複数の参照時間と、前記複数の参照時間のそれぞれに対応して設定される複数の生成周波数との対応関係を予め記憶した記憶装置を備えており、
   前記プロセッサは、前記対応関係を参照して、前記経過時間に応じた前記生成周波数に変更する、ＥＵＶ光生成装置。
9. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記ターゲット供給部に前記ターゲットの材料を補給するリフィル機構をさらに備え、
   前記プロセッサは、前記リフィル機構の補給量又は補給間隔に基づいて、前記生成周波数を変更する、ＥＵＶ光生成装置。
10. 請求項９に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記補給量は、前記リフィル機構の単位時間当たりの補給量であり、
    前記補給間隔は、前記リフィル機構の１回当りの補給量が固定されている場合の補給間隔であり、
    前記プロセッサは、前記補給量又は前記補給間隔に基づいて、前記ターゲットの大きさを算出する、ＥＵＶ光生成装置。
11. 請求項１０に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記ターゲットの大きさの許容範囲が予め設定されており、
    前記プロセッサは、前記算出されたターゲットの大きさが前記許容範囲の上限値を超えた場合に、前記生成周波数を大きくし、かつ、前記ターゲットの大きさが前記許容範囲の下限値を下回った場合に前記生成周波数を小さくする、ＥＵＶ光生成装置。
12. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記ターゲット供給部から前記プラズマ生成領域に向かう前記ターゲットを光学的に検出し、前記ターゲットの大きさに応じた信号強度を有する通過タイミング信号を出力するターゲット検出部をさらに備え、
    前記プロセッサは、前記信号強度に基づいて、前記生成周波数を変更する、ＥＵＶ光生成装置。
13. 請求項１２に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記関連情報は前記信号強度であり、
    ベースラインからの前記信号強度の変化量の許容範囲が予め設定されており、
    前記プロセッサは、前記変化量が前記許容範囲の上限値を超えた場合に、前記生成周波数を大きくし、かつ、前記変化量が前記許容範囲の下限値未満の場合に前記生成周波数を小さくする、ＥＵＶ光生成装置。
14. 請求項１３に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記変化量を複数回計測し、計測した複数の前記変化量の代表値を前記上限値又は前記下限値と比較する、ＥＵＶ光生成装置。
15. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記ターゲットはドロップレット状であり、前記ターゲットの大きさは、前記ターゲット供給部によって生成されるドロップレット状のターゲットの大きさである、ＥＵＶ光生成装置。
16. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記パルスレーザ装置は、前記パルスレーザ光として、プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光とを生成し、
    前記ターゲット供給部によって生成されるドロップレット状の前記ターゲットに対して前記プリパルスレーザ光を照射した後、前記プリパルスレーザ光の照射により前記ターゲットが拡散状態となったミスト状ターゲットに対して前記メインパルスレーザ光を照射する、ＥＵＶ光生成装置。
17. 請求項１６に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記ミスト状ターゲットを撮像し、ターゲット画像を出力する画像計測部をさらに備え、
    前記プロセッサは、前記ターゲット画像から前記ミスト状ターゲットの大きさを計測し、前記ミスト状ターゲットの大きさに基づいて、前記生成周波数を変更する、ＥＵＶ光生成装置。
18. 請求項１７に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記ミスト状ターゲットの大きさの許容範囲が予め設定されており、
    前記プロセッサは、前記ミスト状ターゲットの大きさが前記許容範囲の上限値を超えた場合に、前記生成周波数を大きくし、かつ、前記ミスト状ターゲットの大きさが前記許容範囲の下限値を下回った場合に前記生成周波数を小さくする、ＥＵＶ光生成装置。
19. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    ターゲットを前記チャンバ内のプラズマ生成領域に供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲットに照射するパルスレーザ光を生成するパルスレーザ装置と、
    前記ターゲットの大きさに基づいて、前記ターゲットの生成周波数を、前記パルスレーザ光の照射周波数の自然数倍に変更するプロセッサと、
    を備えるＥＵＶ光生成装置によって、
    前記ターゲットにパルスレーザ光を照射することにより前記ターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を生成し、
    前記ＥＵＶ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記ＥＵＶ光を露光することを含む電子デバイスの製造方法。
20. 検査方法であって、
    チャンバと、
    ターゲットを前記チャンバ内のプラズマ生成領域に供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲットに照射するパルスレーザ光を生成するパルスレーザ装置と、
    前記ターゲットの大きさに基づいて、前記ターゲットの生成周波数を、前記パルスレーザ光の照射周波数の自然数倍に変更するプロセッサと、
    を備えるＥＵＶ光生成装置によって、
    前記ターゲットにパルスレーザ光を照射することにより前記ターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を生成し、
    前記ＥＵＶ光を検査用光源として検査装置に出力し、前記検査装置内で、マスクに前記ＥＵＶ光を露光して前記マスクを検査することを含む検査方法。

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