JP2014032778A - ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法 - Google Patents

ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014032778A
JP2014032778A JP2012171428A JP2012171428A JP2014032778A JP 2014032778 A JP2014032778 A JP 2014032778A JP 2012171428 A JP2012171428 A JP 2012171428A JP 2012171428 A JP2012171428 A JP 2012171428A JP 2014032778 A JP2014032778 A JP 2014032778A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
potential
pressure
electrode
generator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012171428A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Yabu
隆之 薮
Tamotsu Abe
保 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Priority to JP2012171428A priority Critical patent/JP2014032778A/ja
Priority to US13/953,350 priority patent/US9310686B2/en
Publication of JP2014032778A publication Critical patent/JP2014032778A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/02Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B5/00Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
    • B05B5/025Discharge apparatus, e.g. electrostatic spray guns
    • B05B5/0255Discharge apparatus, e.g. electrostatic spray guns spraying and depositing by electrostatic forces only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B5/00Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
    • B05B5/025Discharge apparatus, e.g. electrostatic spray guns
    • B05B5/053Arrangements for supplying power, e.g. charging power
    • B05B5/0531Power generators
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】ターゲット物質を適切に出力し得るターゲット供給方法を提供すること。
【解決手段】ターゲット供給方法は、ノズルを有するターゲット生成器と、圧力センサおよびアクチュエータを有する圧力制御器と、電極と、電圧印加部と、タイマとを含むターゲット供給装置を用い、前記アクチュエータが前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げることと、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電位印加部が前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することと、前記ターゲット生成器内部の圧力が前記設定圧力まで上がったことを検出すると、前記静電気力によって前記ターゲット物質を引き出すために、前記電位印加部が前記ターゲット物質に一定の第1電位を印加するとともに、前記電極に第1パルス電圧を印加することとを含んでもよい。
【選択図】図4

Description

本開示は、ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、70nm〜45nmの微細加工、さらには32nm以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば32nm以下の微細加工の要求に応えるべく、波長13nm程度の極端紫外光(以下、EUV光という場合がある。)を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
EUV光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたLPP(Laser Produced Plasma)方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたDPP(Discharge Produced Plasma)方式の装置と、軌道放射光を用いたSR(Synchrotron Radiation)方式の装置との3種類の装置が知られている。
米国特許第7405416号明細書
概要
本開示の一態様によるターゲット供給方法は、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内部の圧力を検出する圧力センサおよび前記ターゲット生成器内部の圧力を制御するアクチュエータを有する圧力制御器と、前記ノズルのノズル孔から、静電気力によって前記ターゲット物質を引き出す電極と、前記電極と前記ターゲット生成器内部の前記ターゲット物質とに電位を印加する電位印加部と、タイマとを含むターゲット供給装置を用い、前記圧力センサによる前記ターゲット生成器内部の圧力の検出結果に基づいて、前記アクチュエータが前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げることと、前記タイマの時間に基づいて、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電位印加部が前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することと、前記圧力センサの検出結果に基づいて、前記ターゲット生成器内部の圧力が前記設定圧力まで上がったことを検出すると、前記静電気力によって前記ターゲット物質を引き出すために、前記電位印加部が前記ターゲット物質に一定の第1電位を印加するとともに、前記電極に第1パルス電圧を印加することと、を含んでもよい。
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内部の圧力を検出する圧力センサおよび前記ターゲット生成器内部の圧力を制御するアクチュエータを有する圧力制御器と、前記ノズルのノズル孔から、静電気力によって前記ターゲット物質を引き出す電極と、前記電極と前記ターゲット生成器内部の前記ターゲット物質とに電位を印加する電位印加部と、タイマと、前記圧力センサによる前記ターゲット生成器内部の圧力の検出結果および前記タイマの時間に基づいて、前記圧力制御器および前記電位印加部を制御する制御部であって、前記制御部は、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げることと、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することと、前記ターゲット生成器内部の圧力が前記設定圧力まで上がったことを検出すると、前記静電気力によって前記ターゲット物質を引き出すために、前記ターゲット物質に一定の第1電位を印加するとともに、前記電極に第1パルス電圧を印加することとを行ってもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図1は、例示的なLPP方式のEUV光生成装置の構成を概略的に示す。 図2は、第1実施形態および第2実施形態に係るターゲット供給装置を含むEUV光生成装置の構成を概略的に示す。 図3は、第1実施形態に係るターゲット供給方法を示すフローチャートである。 図4は、第1実施形態に係るターゲット供給方法を示すタイミングチャートである。 図5Aは、第1実施形態に係るドロップレットが引き出される前の状態を表す。 図5Bは、第1実施形態に係るターゲット供給装置が動作している最中の状態を表す。 図6は、課題を有するターゲット供給方法を示すタイミングチャートである。 図7は、課題を概略的に示し、ドロップレットが第1電極と接触している状態を表す。 図8は、第2実施形態に係るターゲット供給方法を示すフローチャートである。 図9は、第2実施形態に係るターゲット供給方法を示すタイミングチャートである。 図10Aは、課題を概略的に示し、ドロップレットが第1電極と接触している状態を表す。 図10Bは、変形例に係るターゲット供給装置が動作している最中の状態を表す。
実施形態
内容
1.概要
2.EUV光生成装置の全体説明
2.1 構成
2.2 動作
3.ターゲット供給装置を含むEUV光生成装置
3.1 第1実施形態
3.1.1 概略
3.1.2 構成
3.1.3 動作
3.2 第2実施形態
3.2.1 概略
3.2.2 構成
3.2.3 動作
3.3 変形例
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
1.概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給方法は、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内部の圧力を検出する圧力センサおよび前記ターゲット生成器内部の圧力を制御するアクチュエータを有する圧力制御器と、前記ノズルのノズル孔から、静電気力によって前記ターゲット物質を引き出す電極と、前記電極と前記ターゲット生成器内部の前記ターゲット物質とに電位を印加する電位印加部と、タイマとを含むターゲット供給装置を用い、前記圧力センサによる前記ターゲット生成器内部の圧力の検出結果に基づいて、前記アクチュエータが前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げることと、前記タイマの時間に基づいて、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電位印加部が前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することと、前記圧力センサの検出結果に基づいて、前記ターゲット生成器内部の圧力が前記設定圧力まで上がったことを検出すると、前記静電気力によって前記ターゲット物質を引き出すために、前記電位印加部が前記ターゲット物質に一定の第1電位を印加するとともに、前記電極に第1パルス電圧を印加することと、を含んでもよい。
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内部の圧力を検出する圧力センサおよび前記ターゲット生成器内部の圧力を制御するアクチュエータを有する圧力制御器と、前記ノズルのノズル孔から、静電気力によって前記ターゲット物質を引き出す電極と、前記電極と前記ターゲット生成器内部の前記ターゲット物質とに電位を印加する電位印加部と、タイマと、前記圧力センサによる前記ターゲット生成器内部の圧力の検出結果および前記タイマの時間に基づいて、前記圧力制御器および前記電位印加部を制御する制御部であって、前記制御部は、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げることと、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することと、前記ターゲット生成器内部の圧力が前記設定圧力まで上がったことを検出すると、前記静電気力によって前記ターゲット物質を引き出すために、前記ターゲット物質に一定の第1電位を印加するとともに、前記電極に第1パルス電圧を印加することとを行ってもよい。
2.EUV光生成装置の全体説明
2.1 構成
図1は、例示的なLPP方式のEUV光生成装置1の構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。EUV光生成装置1およびレーザ装置3を含むシステムを、以下、EUV光生成システム11と称する。図1を参照に、以下に詳細に説明されるように、EUV光生成装置1は、チャンバ2を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。EUV光生成装置1は、ターゲット供給装置7をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置7は、例えばチャンバ2に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置7から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか2つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
チャンバ2の壁には、少なくとも1つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置3から出力されたパルスレーザ光32が通過してもよい。あるいは、チャンバ2には、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光32が透過する少なくとも1つのウインドウ21が設けられてもよい。チャンバ2の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するEUV集光ミラー23が配置されてもよい。EUV集光ミラー23は、第1焦点および第2焦点を有し得る。EUV集光ミラー23の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。EUV集光ミラー23は、例えば、その第1焦点がプラズマ生成位置またはその近傍のプラズマ生成領域25に位置し、その第2焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置(中間焦点(IF)292)に位置するように配置されるのが好ましい。所望の集光位置は中間焦点(IF)292と呼んでもよい。EUV集光ミラー23の中央部には、パルスレーザ光33が通過するための貫通孔24が設けられてもよい。
EUV光生成装置1は、EUV光生成制御システム5を含んでいてもよい。また、EUV光生成装置1は、ターゲットセンサ4を含んでもよい。ターゲットセンサ4は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ4は、撮像機能を有してもよい。
さらに、EUV光生成装置1は、チャンバ2内部と露光装置6内部とを連通させるための接続部29を含んでもよい。接続部29内部には、アパーチャが形成された壁291が設けられてもよい。壁291は、そのアパーチャがEUV集光ミラー23の第2焦点位置に位置するように配置されてもよい。
さらに、EUV光生成装置1は、レーザ光進行方向制御部34、レーザ光集光光学系22、ドロップレット27を回収するためのターゲット回収装置28等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部34は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
2.2 動作
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過して、チャンバ2に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光光学系22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのドロップレット27に照射されてもよい。
ターゲット供給装置7からは、ドロップレット27がチャンバ2内部のプラズマ生成領域25に向けて出力されてもよい。ドロップレット27には、パルスレーザ光33に含まれる少なくとも1つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光33が照射されたドロップレット27はプラズマ化し、そのプラズマからEUVを含む光251(以下、「EUV光を含む光」を「EUV光」と表現する場合がある)が放射され得る。EUV光251は、EUV集光ミラー23によって集光されるとともに反射されてもよい。EUV集光ミラー23で反射されたEUV光252は、中間焦点292を通って露光装置6に出力されてもよい。なお、1つのドロップレット27に、パルスレーザ光33に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
EUV光生成制御システム5は、EUV光生成システム11全体の制御を統括してもよい。EUV光生成制御システム5は、ターゲットセンサ4によって撮像されたドロップレット27のイメージデータ等を処理してもよい。EUV光生成制御システム5は、例えば、ドロップレット27を出力するタイミングやドロップレット27の出力速度等を制御してもよい。また、EUV光生成制御システム5は、例えば、レーザ装置3のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光32の進行方向やパルスレーザ光33の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
3.ターゲット供給装置を含むEUV光生成装置
3.1 第1実施形態
3.1.1 概略
本開示の第1実施形態のターゲット供給方法において、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電位印加部が前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することは、前記圧力を前記設定圧力まで上げることを開始する前から前記圧力が前記設定圧力まで上がるまでの間に、前記電位印加部が、前記ターゲット物質に前記第1電位と同じ一定の第2電位または前記第1電位と異なる一定の第2電位を印加するとともに、前記電極に前記第1パルス電圧と同じ第2パルス電圧または前記第1パルス電圧と異なる第2パルス電圧を印加することにより行われてもよい。
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置において、前記制御部は、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することを、前記圧力を前記設定圧力まで上げることを開始する前であることを検出し、かつ、前記圧力が前記設定圧力まで上がる前であることを検出すると、前記ターゲット物質に前記第1電位と同じ一定の第2電位または前記第1電位と異なる一定の第2電位を印加するとともに、前記電極に前記第1パルス電圧と同じ第2パルス電圧または前記第1パルス電圧と異なる第2パルス電圧を印加することにより行ってもよい。
3.1.2 構成
図2は、第1実施形態および後述する第2実施形態に係るターゲット供給装置を含むEUV光生成装置の構成を概略的に示す。
EUV光生成装置1Aは、図2に示すように、チャンバ2と、ターゲット供給装置7Aとを備えてもよい。ターゲット供給装置7Aは、ターゲット生成部70Aと、制御部としてのターゲット制御装置80Aと、タイマ81Aとを備えてもよい。ターゲット制御装置80Aには、レーザ装置3と、EUV光生成制御システム5Aとが電気的に接続されてもよい。
ターゲット生成部70Aは、ターゲット生成器71Aと、圧力制御器72Aと、温度調整部73Aと、静電引出部75Aとを備えてもよい。
ターゲット生成器71Aは、内部にターゲット物質270を収容するためのタンク711Aを備えてもよい。タンク711Aは、筒状であってもよい。タンク711Aには、当該タンク711A内のターゲット物質270を、ドロップレット271Aとしてチャンバ2内に出力するためのノズル712Aが設けられていてもよい。ターゲット生成器71Aは、タンク711Aがチャンバ2外部に位置し、ノズル712Aがチャンバ2内部に位置するように設けられてもよい。圧力制御器72Aは、タンク711Aに連結されてもよい。
チャンバ2の設置形態によっては、予め設定されるドロップレット271Aの出力方向(ノズル712Aの軸方向(設定出力方向10Aと称する))は、必ずしも重力方向10Bと一致するとは限らない。重力方向10Bに対して、斜め方向や水平方向に、ドロップレット271Aが出力されるよう構成されてもよい。なお、第1実施形態では、ドロップレット271Aの設定出力方向10Aが重力方向10Bに対して斜めとなるようにチャンバ2が設置されてもよい。
ノズル712Aは、ノズル本体713Aと、保持部714Aと、出力部715Aとを備えてもよい。ノズル本体713Aは、タンク711Aの下面からチャンバ2内に突出するように設けられてもよい。保持部714Aは、ノズル本体713Aの先端に設けられてもよい。保持部714Aは、ノズル本体713Aよりも直径が大きい円筒状に形成されてもよい。
出力部715Aは、略円板状に形成されてもよい。出力部715Aは、ノズル本体713Aの先端面に密着するように、保持部714Aによって保持されてもよい。出力部715Aの中央部分には、円錐台状の突出部716A(図5A参照)が設けられてもよい。出力部715Aは、突出部716Aがチャンバ2内に突出するように設けられてもよい。突出部716Aは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部716Aには、突出部716Aにおける円錐台上面部を構成する先端部の略中央部に開口するノズル孔718A(図5A参照)が設けられてもよい。ノズル孔718Aの直径は、6〜15μmであってもよい。出力部715Aは、出力部715Aとターゲット物質270との接触角が90°以上の材料で構成されるのが好ましい。あるいは、出力部715Aの少なくとも表面が、当該接触角が90°以上の材料でコーティングされてもよい。接触角が90°以上の材料は、SiC、SiO、Al、モリブデン、タングステンであってもよい。
タンク711Aと、ノズル712Aと、出力部715Aとは、電気絶縁材料で構成されてもよい。これらが、電気絶縁材料ではない材料、例えばモリブデンなどの金属材料で構成される場合には、チャンバ2とターゲット生成器71Aとの間や、出力部715Aと後述する第1電極751Aとの間に電気絶縁材料が配置されてもよい。この場合、タンク711Aと後述するパルス電圧生成器753Aとが電気的に接続されてもよい。
圧力制御器72Aは、アクチュエータ722Aと、圧力センサ723Aとを備えてもよい。アクチュエータ722Aには、配管724Aを介して、不活性ガスボンベ721Aが接続されてもよい。アクチュエータ722Aは、ターゲット制御装置80Aに電気的に接続されてもよい。アクチュエータ722Aは、ターゲット制御装置80Aから送信される信号に基づいて、不活性ガスボンベ721Aから供給される不活性ガスの圧力を制御して、タンク711A内の圧力を調節するよう構成されてもよい。
圧力センサ723Aは、配管724Aに設けられてもよい。圧力センサ723Aは、ターゲット制御装置80Aに電気的に接続されてもよい。圧力センサ723Aは、配管724A内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号をターゲット制御装置80Aに送信してもよい。
温度調整部73Aは、タンク711A内のターゲット物質270の温度を調節するよう構成されてもよい。温度調整部73Aは、ヒータ731Aと、ヒータ電源732Aと、温度センサ733Aと、温度コントローラ734Aとを備えてもよい。ヒータ731Aは、タンク711Aの外周面に設けられてもよい。ヒータ電源732Aには、ヒータ731Aと、温度コントローラ734Aとが電気的に接続されてもよい。ヒータ電源732Aは、温度コントローラ734Aからの信号に基づいて、ヒータ731Aに電力を供給してヒータ731Aを発熱させてもよい。それにより、タンク711A内のターゲット物質270が、タンク711Aを介して加熱され得る。
温度センサ733Aは、タンク711Aの外周面におけるノズル712A側に設けられてもよいし、タンク711A内に設けられてもよい。温度センサ733Aには、温度コントローラ734Aが電気的に接続されてもよい。温度センサ733Aは、タンク711Aの温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を温度コントローラ734Aに送信するよう構成されてもよい。タンク711Aの温度は、ターゲット物質270の温度とほぼ同一の温度となり得る。温度コントローラ734Aには、ターゲット制御装置80Aが電気的に接続されてもよい。温度コントローラ734Aは、温度センサ733Aからの信号に基づいて、ターゲット物質270の温度を所定温度に調節するための信号をヒータ電源732Aに出力するよう構成されてもよい。
静電引出部75Aは、第1電極751Aと、第2電極752Aと、パルス電圧生成器753Aと、電圧源754Aとを備えてもよい。後に説明するように、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位との間の電位差を利用して、ドロップレット271Aを出力部715Aから引き出してもよい。
第2電極752Aは、タンク711A内のターゲット物質270中に配置されてもよい。第2電極752Aには、フィードスルーを介して電圧源754Aが電気的に接続されてもよい。
パルス電圧生成器753Aおよび電圧源754Aは、本開示の電位印加部であってもよい。パルス電圧生成器753Aおよび電圧源754Aは、接地されてもよい。パルス電圧生成器753Aおよび電圧源754Aには、ターゲット制御装置80Aが電気的に接続されてもよい。
タイマ81Aは、ターゲット制御装置80Aに電気的に接続されてもよい。タイマ81Aは、時間を計時して、計時した時間に対応する信号をターゲット制御装置80Aに送信してもよい。タイマ81Aは、現在時刻を測る時計であってもよいし、当該タイマ81Aの操作開始からの時間を測るストップウォッチであってもよい。
ターゲット制御装置80Aは、制御部であってもよい。ターゲット制御装置80Aは、温度コントローラ734Aに信号を送信して、ターゲット生成器71A内のターゲット物質270の温度を制御してもよい。ターゲット制御装置80Aは、アクチュエータ722Aに信号を送信して、ターゲット生成器71A内の圧力を制御してもよい。ターゲット制御装置80Aは、パルス電圧生成器753Aおよび電圧源754Aに信号をそれぞれ送信して、第1電極751Aおよび第2電極752Aに印加する電位を制御してもよい。
3.1.3 動作
図3は、ターゲット供給方法を示すフローチャートである。図4は、ターゲット供給方法を示すタイミングチャートである。図5Aは、ドロップレットが引き出される前の状態を表す。図5Bは、ターゲット供給装置が動作している最中の状態を表す。
なお、以下に示す動作において、ターゲット制御装置80Aは、圧力センサ723Aから送信される信号を受信して、この受信した信号に基づいて、ターゲット生成器71A内の圧力を判断してもよい。ターゲット制御装置80Aは、タイマ81Aから送信される信号を受信して、この受信した信号に基づいて、時刻を判断してもよい。
EUV光生成制御システム5Aは、ターゲット供給装置7Aのターゲット制御装置80Aにターゲット出力信号を送信してもよい。このとき、ターゲット生成器71A内の圧力は、大気圧であってもよい。
ターゲット制御装置80Aは、ターゲット供給装置7Aからターゲット出力信号を受信すると、図3に示すように、パルス電圧生成器753Aと電圧源754Aに信号を送信して、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位をそれぞれグランド(0V)に設定してもよい(ステップS1)。
ターゲット制御装置80Aは、温度コントローラ734Aに信号を送信して、ターゲット生成器71A内のターゲット物質270の温度が、当該ターゲット物質270の融点以上の温度になるように、ヒータ電源732Aを制御してもよい。
ターゲット制御装置80Aは、温度センサ733Aで検出した温度がターゲット物質270の融点以上で安定したと判断した場合、ターゲット生成器71A内の圧力を圧力PL1に設定してもよい(ステップS2)。ここで、温度センサ733Aで検出した温度が当該融点以上の所定温度を中心とした所定範囲内の温度であり、かつ、当該所定範囲内の温度で維持された時間が所定時間以上となったときに、温度センサ733Aで検出した温度がターゲット物質270の融点以上で安定したと判断してもよい。ターゲット生成器71A内の圧力を圧力PL1に設定することは、ターゲット制御装置80Aがアクチュエータ722Aに信号を送信して、不活性ガスボンベ721Aから供給される不活性ガスの圧力を制御することにより行われてもよい。以上の処理によって、図4に示すように、時刻T0において、第1電極751Aおよび第2電極752Aの電位がそれぞれグランドとなり、ターゲット生成器71A内の圧力が圧力PL1となり得る。圧力PL1の大きさは、図5Aに示すように、ノズル孔718Aにターゲット物質270が到達し、かつ、ターゲット物質270がドロップレット271Aとして分断されない大きさであってもよい。圧力PL1は、例えば、100kPaであってもよい。
ターゲット制御装置80Aは、図3に示すように、パルス電圧生成器753Aと電圧源754Aに信号を送信して、時刻T1になったときに、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位をそれぞれ電位VHに設定してもよい(ステップS3)。電位VHは、5kVであってもよい。ステップS3において第2電極752Aに設定される電位VHは、本開示におけるターゲット物質270に印加する一定の第1電位であってもよい。このステップS3の処理によって、図4に示すように、時刻T1において、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位が電位VHに上がり得る。
ターゲット制御装置80Aは、図3および図4に示すように、パルス電圧生成器753Aに信号を送信して、時刻T2となったときに、第1電極751Aに対し所定の周波数でパルス状の電圧を印加してもよい(ステップS4)。ステップS4において印加するパルス状の電圧は、本開示における第1パルス電圧であってもよい。パルス状の電位の最大値は、電位VHであってもよい。パルス状の電位の最小値は、電位VLであってもよい。電位VLは、本開示における第2電位であってもよい。電位VLの大きさは、第1電極751Aと第2電極752Aとの電位差(VD1=VH−VL)によって、ドロップレット271Aを出力部715Aから引き出し可能な大きさであってもよい。第1電極751Aの電位が電位VLに維持されることで、電位差VD1が生じ続ける第1時間ΔTV1は、後述する時刻T3から時刻T4までの昇圧に要する時間ΔTP1より短くてもよい。パルス状の電圧の周期F1は、昇圧に要する時間ΔTP1より短くてもよい。パルス状の電圧の周波数は、50kHz〜100kHzであってもよい。
このとき、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差VD1が生じるため、ノズル712Aからドロップレット271Aが引き出され得る。しかし、ターゲット生成器71A内の圧力が圧力PL1であるため、図5Aに示すように、ノズル孔718Aからターゲット物質270が出力されない状態が継続し得る。
ターゲット制御装置80Aは、図3に示すように、アクチュエータ722Aに信号を送信して、時刻T3になったときに、ターゲット生成器71A内の圧力を設定圧力PDに設定してもよい(ステップS5)。このステップS5におけるターゲット生成器71A内の圧力を設定することは、ステップS2と同様の方法によって行われてもよい。設定圧力PDは、本開示における設定圧力であってもよい。設定圧力PDの大きさは、ノズル孔718Aからターゲット物質270が分断されて、ドロップレット271Aが引き出される大きさであってもよい。設定圧力PDは、例えば、0.5MPa〜1MPaであってもよい。
このステップS5の処理によって、図4に示すように、ターゲット生成器71A内の圧力が徐々に上がり、時刻T4において設定圧力PDに到達し得る。また、昇圧に要する時間ΔTP1内において、すなわちターゲット生成器71A内の圧力が圧力PL1から設定圧力PDに上がる途中において、第2電極752Aに一定の電位を印加するとともに、第1電極751Aにパルス状の電圧を印加し得る。このことにより、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位とが同じ電位VHの期間に、ターゲット生成器71A内の圧力によってターゲット物質270がノズル孔718Aの開口面から押し出されて徐々に大きくなり、ドロップレット271Aが形成され得る。そして、第1電極751Aの電位が電位VLに下がったときに、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差VD1が生じ、図5Bに示すように、この電位差VD1によって出力部715Aからドロップレット271Aを引き出され得る。
ここで、上述したように、周期F1が昇圧に要する時間ΔTP1より短いため、昇圧に要する時間ΔTP1中に、ドロップレット271Aが少なくとも1回出力し得る。
時刻T4の後、ターゲット生成器71A内の圧力が設定圧力PDに維持され続け得る。また、第2電極752Aに一定の電位VHが印加され続け、かつ、第1電極751Aに周期F1のパルス状の電圧が印加され続け得る。
その結果、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位が、両方ともに電位VHとなる第2時間ΔTV2において、突出部716Aの先端にドロップレット271Aが形成され得る。そして、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差VD1が生じる第1時間ΔTV1において、ドロップレット271Aを出力し得る。
ターゲット制御装置80Aは、ドロップレット271Aの生成を停止するか否かを判断してもよい(ステップS6)。ターゲット制御装置80Aは、EUV光生成制御システム5Aからターゲット出力停止信号を受信した場合、ドロップレット271Aの生成を停止すると判断してもよい。
ステップS6において、ターゲット制御装置80Aは、ドロップレット271Aの生成を停止しないと判断した場合、所定時間経過後にステップS6の処理を再度行ってもよい。一方、ステップS6において、ターゲット制御装置80Aは、ドロップレット271Aの生成を停止すると判断した場合、アクチュエータ722Aに信号を送信して、ターゲット生成器71A内の圧力を圧力PL2に設定してもよい(ステップS7)。このステップS7の処理によって、図4に示すように、時刻T5から時刻T6の期間において、ターゲット生成器71A内の圧力が設定圧力PDから圧力PL2に下がり得る。圧力PL2の大きさは、ノズル孔718Aにターゲット物質270が到達し、かつ、ターゲット物質270がドロップレット271Aとして分断されない大きさであってもよい。圧力PL2の大きさは、圧力PL1よりも小さくてもよいし、同じであってもよいし、大きくてもよい。
そして、遅くとも、ターゲット生成器71A内の圧力が圧力PL2に到達した時刻T6以降、ドロップレット271Aの生成が停止し得る。
ターゲット制御装置80Aは、図3に示すように、第1電極751Aの電位を電位VHに設定してもよい(ステップS8)。このステップS8の処理によって、図4に示すように、時刻T7から時刻T8の間において、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位は、電位VHに維持され得る。その後、ターゲット制御装置80Aは、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位をグランドに設定して(ステップS9)、処理を終了してもよい。このステップS9の処理によって、時刻T8以降は、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位は、グランドに維持され得る。
上述のように、ターゲット供給装置7Aのターゲット制御装置80Aは、ターゲット生成器71A内の圧力が圧力PL1の状態において、第2電極752Aに電位VHを印加してもよい。ターゲット制御装置80Aは、第2電極752Aに電位VHを印加している状態において、最大値が電位VHであり最小値が電位VLのパルス状の電圧を、第1電極751Aに印加してもよい。ターゲット制御装置80Aは、第1電極751Aにパルス状の電圧を印加している状態において、ターゲット生成器71A内の圧力を設定圧力PDまで上げてもよい。すなわち、ターゲット供給装置7Aは、昇圧に要する時間ΔTP1内において、第1電極751Aに電位VLを印加するとともに、第2電極752Aに電位VLよりも高い電位VHを印加してもよい。ターゲット供給装置7Aは、ターゲット生成器71A内の圧力が設定圧力PDまで上がった後に、第2電極752Aに一定の電位VHを印加するとともに、第1電極751Aにパルス状の電圧を印加してもよい。
ここで、ドロップレットを生成する際、図6に示すような制御を行うことが考えられ得る。図6は、課題を有するターゲット供給方法を示すタイミングチャートである。図7は、課題を概略的に示し、ドロップレットが第1電極と接触している状態を表す。
すなわち、ターゲット制御装置は、時刻T0において、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位をグランドにするとともに、ターゲット生成器71A内の圧力を圧力PL1にしてもよい。ターゲット制御装置は、時刻T91において、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位を電位VHにしてもよい。ターゲット制御装置は、時刻T92から時刻T93の間において、ターゲット生成器71A内の圧力を圧力PL1から設定圧力PDに上げてもよい。ターゲット制御装置は、時刻T93においてターゲット生成器71A内の圧力が設定圧力PDまで上がった後、ターゲット生成器71A内の圧力を設定圧力PDに維持してもよい。
この時刻T92から時刻T94の間において、ターゲット生成器71A内の圧力が設定圧力PDであるため、ターゲット物質270がノズル孔718Aの開口面から押し出されて徐々に大きくなり得る。しかし、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差が生じていないため、ターゲット物質270は、ドロップレット271Aとしてノズル712Aから分断して引き出されない。そして、第1実施形態の場合と異なり、時刻T92から時刻T93までの昇圧に要する時間ΔTP9中において、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差が生じていないため、第1実施形態の場合と比べて、ノズル孔718Aから押し出されるターゲット物質270の量が多くなり得る。
その結果、図7に示すように、突出部716Aの先端にドロップレット271Aよりも大きいドロップレット279Aが生成され得る。ドロップレット279Aの設定出力方向10Aが重力方向10Bに対して斜めとなっている場合、ドロップレット279Aが第1電極751Aと接触して、ターゲット物質270と第1電極751Aとが短絡し得る。
ターゲット制御装置は、ターゲット生成器71A内の圧力が設定圧力PDで維持されている時刻T94となったときに、ドロップレット279Aを出力するために、第1電極751Aに周期F9のパルス状の電圧を印加するようにパルス電圧生成器753Aを制御してもよい。このとき、第1電極751Aと第2電極752Aとが短絡し得るため、図6に二点鎖線で示すように、第1電極751Aにパルス状の電圧が印加されないことがあり得る。その結果、ドロップレット279Aが出力しないことがあり得る。
これに対し、第1実施形態では、昇圧に要する時間ΔTP1において第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差VD1を生じ得る。このことにより、ターゲット供給装置7Aは、昇圧に要する時間ΔTP1内に少なくとも1回ドロップレット271Aを出力し得る。このため、ドロップレット271Aの設定出力方向10Aが重力方向10Bに対して斜めとなっている場合であっても、ターゲット生成器71A内の圧力が設定圧力PDまで上がった時刻T3において、突出部716Aの先端に付着したドロップレット271Aと第1電極751Aとの接触により、ターゲット物質270と第1電極751Aとが短絡することを抑制し得る。したがって、ターゲット供給装置7Aは、ドロップレット271Aを適切に出力し得る。
ターゲット供給装置7Aのターゲット制御装置80Aは、ターゲット生成器71A内の圧力を上げ始める時刻T3の前から、第1電極751Aに周期F1のパルス状の電圧を印加してもよい。
このことにより、圧力制御器72Aが圧力を上げ始めてから、ターゲット生成器71A内の圧力が実際に上がるまでのタイミングが分からない場合であっても、ターゲット供給装置7Aは、昇圧に要する時間ΔTP1内に少なくとも1回ドロップレット271Aを出力し得る。
なお、第1実施形態では、時刻T4の前と時刻T4の後とにおいて、同じ周期F1のパルス状の電圧を第1電極751Aに印加したが、すなわち本開示における第1パルス電圧と第2パルス電圧とが同じであったが、時刻T4の後に、時刻T4の前とは周期が異なるパルス状の電圧を、第2パルス電圧として第1電極751Aに印加してもよい。
また、第1実施形態では、時刻T4の前と時刻T4の後とにおいて、同じ大きさの電位VHを第2電極752Aに印加したが、すなわち本開示における第1電位と第2電位とが同じ大きさであったが、時刻T4の前において、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差が生じる大きさであれば、時刻T4の前に第2電極752Aに印加する第2電位は、電位VHでなくてもよい。
3.2 第2実施形態
3.2.1 概略
本開示の第2実施形態のターゲット供給方法において、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電位印加部が前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することは、前記圧力を前記設定圧力まで上げることを開始する前から前記圧力が前記設定圧力まで上がるまでの間に、前記電位印加部が、前記ターゲット物質に前記第1電位と同じ一定の第2電位または前記第1電位と異なる一定の第2電位を印加するとともに、前記電極に前記第2電位よりも低い一定の第3電位を印加することにより行われてもよい。
本開示の第2実施形態のターゲット供給装置において、前記制御部は、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することを、前記圧力を前記設定圧力まで上げることを開始する前であることを検出し、かつ、前記圧力が前記設定圧力まで上がる前であることを検出すると、前記ターゲット物質に前記第1電位と同じ一定の第2電位または前記第1電位と異なる一定の第2電位を印加するとともに、前記電極に前記第2電位よりも低い一定の第3電位を印加することにより行ってもよい。
3.2.2 構成
第2実施形態のEUV光生成装置1Bにおいて、図2に示すように、ターゲット供給装置7Bの制御部としてのターゲット制御装置80B以外の構成については、第1実施形態のEUV光生成装置1Aと同様のものを適用してもよい。
3.2.3 動作
以下において、第1実施形態と同様の動作については、説明を省略する。図8は、第2実施形態に係るターゲット供給方法を示すフローチャートである。図9は、第2実施形態に係るターゲット供給方法を示すタイミングチャートである。
ターゲット生成器71A内の圧力は、大気圧であってもよい。
ターゲット制御装置80Bは、図8に示すように、ステップS1の処理およびステップS2の処理を行ってもよい。以上の処理によって、図9に示すように、時刻T0において、第1電極751Aと第2電極752Aの電位がそれぞれグランドとなり、ターゲット生成器71A内の圧力が圧力PL1となり得る。
ターゲット制御装置80Bは、時刻T11になったときに、図8に示すように、第2電極752Aの電位を電位VHに設定してもよい(ステップS11)。このステップS11の処理によって、時刻T11において、第2電極752Aの電位が電位VHに上がり得る。そして、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に、電位差VD2(電位差VD2=電位VH−0(グランド))が生じ得る。この電位差VD2は、電位差VD1より大きくてもよい。なお、第1電極751Aの電位であるグランドは、本開示の第3電位であってもよい。
ターゲット制御装置80Bは、時刻T12になったときに、図8に示すように、ステップS5の処理(ターゲット生成器71A内の圧力を設定圧力PDに設定する処理)を行ってもよい。ターゲット制御装置80Bは、ターゲット生成器71A内の圧力が設定圧力PDに到達したか否かを判断してもよい(ステップS12)。このステップS12において、ターゲット制御装置80Bは、設定圧力PDに到達していないと判断した場合、所定時間経過後にステップS12の処理を再度行ってもよい。
ステップS12において、ターゲット制御装置80Bは、設定圧力PDに到達したと判断した場合、ステップS4の処理(第1電極751Aに対し所定の周波数でパルス状の電圧を印加する処理)を行ってもよい。
ステップS12において設定圧力PDに到達したと判断するまでの間、図9に示すように、ターゲット生成器71A内の圧力が徐々に上がり、時刻T13において設定圧力PDに到達し得る。また、昇圧に要する時間ΔTP2(時刻T12から時刻T13までの時間)内において、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差VD2が生じ得る。
このことにより、ターゲット生成器71A内の圧力によって突出部716Aの先端にドロップレット271Aが形成され、電位差VD2によって出力部715Aからドロップレット271Aを出力し得る。
ここで、昇圧に要する時間ΔTP2の間、電位差VD2が生じ続け得る。このことにより、突出部716Aの先端に所定の大きさのドロップレット271Aが形成された後に、電位差VD2によって当該ドロップレット271Aを出力部715Aから出力する処理が繰り返される。
また、ステップS4の処理によって、最大値が電位VH、最小値が電位VL、周期F1のパルス状の電圧が第1電極751Aに印加され得る。そして、第1電極751Aの電位が電位VLとなったときに、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差VD1が生じ得る。このとき、ターゲット生成器71A内の圧力が設定圧力PDであるため、第1電極751Aの電位と第2電極752Aの電位が、両方ともに電位VHとなる第2時間ΔTV2において、突出部716Aの先端にドロップレット271Aが形成され得る。そして、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差VD1が生じる第1時間ΔTV1において、ドロップレット271Aを出力し得る。
ターゲット制御装置80Bは、ステップS6の処理を行い、ドロップレット271Aの生成を停止しないと判断した場合、所定時間経過後にステップS6の処理を再度行ってもよい。一方、ステップS6において、ターゲット制御装置80Bは、ドロップレット271Aの生成を停止すると判断した場合、第1電極751Aの電位をグランドに設定してもよい(ステップS13)。ターゲット制御装置80Bは、ステップS7の処理(ターゲット生成器71A内の圧力を圧力PL2に設定する処理)を行ってもよい。このステップS13およびステップS7の処理によって、図9に示すように、時刻T15において第1電極751Aの電位がグランドまで下がり得るとともに、時刻T16においてターゲット生成器71A内の圧力が圧力PL2まで下がり得る。
そして、ターゲット生成器71A内の圧力が圧力PL2に到達した時刻T16以降、ドロップレット271Aの生成が停止し得る。
ターゲット制御装置80Bは、図8に示すように、第2電極752Aの電位をグランドに設定して(ステップS14)、処理を終了してもよい。以上のステップS14の処理によって、図9に示すように、時刻T17以降は、第1電極751Aの電位および第2電極752Aの電位は、グランドとなり得る。
上述のように、ターゲット供給装置7Bのターゲット制御装置80Bは、ターゲット生成器71A内の圧力が圧力PL1の状態において、第2電極752Aに電位VHを印加してもよい。ターゲット制御装置80Bは、第2電極752Aに電位VHを印加している状態において、第1電極751Aの電位をグランドにしてもよい。ターゲット制御装置80Bは、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差VD2が生じている状態において、ターゲット生成器71A内の圧力を設定圧力PDまで上げてもよい。
このことにより、昇圧に要する時間ΔTP2において第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差VD2を生じ得る。ターゲット供給装置7Bは、昇圧に要する時間ΔTP2内に少なくとも1回ドロップレット271Aを出力し得る。このため、ドロップレット271Aの設定出力方向10Aが重力方向10Bに対して斜めとなっている場合であっても、ターゲット生成器71A内の圧力が設定圧力PDまで上がった時刻T13において、突出部716Aの先端に付着したドロップレット271Aと第1電極751Aとの接触により、ターゲット物質270と第1電極751Aとが短絡することを抑制し得る。したがって、ターゲット供給装置7Bは、ドロップレット271Aを適切に出力し得る。
なお、第2実施形態では、時刻T11から時刻T13の間において、第1電極751Aの電位をグランドとしたが、第2電極752Aの電位よりも低ければ、グランドでなくてもよい。例えば、第1電極751Aの電位は、電位VLであってもよい。
また、第2実施形態では、時刻T14の前と時刻T14の後とにおいて、同じ大きさの電位VHを第2電極752Aに印加したが、すなわち本開示における第1電位と第2電位とが同じ大きさであったが、時刻T14の前において、第1電極751Aと第2電極752Aとの間に電位差が生じる大きさであれば、時刻T14の前に第2電極752Aに印加する第2電位は、電位VHでなくてもよい。
3.3 変形例
なお、ターゲット供給装置としては、以下のような構成としてもよい。
図10Aは、課題を概略的に示し、ドロップレットが第1電極と接触している状態を表す。図10Bは、変形例に係るターゲット供給装置が動作している最中の状態を表す。
ドロップレット279Aの設定出力方向10Aが重力方向10Bと同じとなっている場合、図6における時刻T92から時刻T94までの時間の長さによっては、図10Aに示すように、ドロップレット279Aが引き出されないまま大きくなり得る。その結果、ドロップレット279Aが第1電極751Aと接触して、ターゲット物質270と第1電極751Aとが短絡し得る。
これに対して、設定出力方向10Aが重力方向10Bと同じになっている場合において、第1実施形態または第2実施形態のターゲット供給方法を用いることにより、ターゲット供給装置は、図10Bに示すように、ドロップレット271Aが第1電極751Aと接触する大きさとなる前に、ドロップレット271Aを出力し得る。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「1つの」は、「少なくとも1つ」又は「1又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
7A,7B…ターゲット供給装置、71A…ターゲット生成器、72A…圧力制御器、81A…タイマ、722A…アクチュエータ、723A…圧力センサ、751A…第1電極(電極)、753A…パルス電圧生成器(電位印加部)、754A…電圧源(電位印加部)、80A,80B…ターゲット制御装置(制御部)、タイマ81A。

Claims (6)

  1. ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、
    前記ターゲット生成器内部の圧力を検出する圧力センサおよび前記ターゲット生成器内部の圧力を制御するアクチュエータを有する圧力制御器と、
    前記ノズルのノズル孔から、静電気力によって前記ターゲット物質を引き出す電極と、
    前記電極と前記ターゲット生成器内部の前記ターゲット物質とに電位を印加する電位印加部と、
    タイマとを含むターゲット供給装置を用い、
    前記圧力センサによる前記ターゲット生成器内部の圧力の検出結果に基づいて、前記アクチュエータが前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げることと、
    前記タイマの時間に基づいて、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電位印加部が前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することと、
    前記圧力センサの検出結果に基づいて、前記ターゲット生成器内部の圧力が前記設定圧力まで上がったことを検出すると、前記静電気力によって前記ターゲット物質を引き出すために、前記電位印加部が前記ターゲット物質に一定の第1電位を印加するとともに、前記電極に第1パルス電圧を印加することと、を含むターゲット供給方法。
  2. 請求項1に記載のターゲット供給方法において、
    前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電位印加部が前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することは、
    前記圧力を前記設定圧力まで上げることを開始する前から前記圧力が前記設定圧力まで上がるまでの間に、前記電位印加部が、前記ターゲット物質に前記第1電位と同じ一定の第2電位または前記第1電位と異なる一定の第2電位を印加するとともに、前記電極に前記第1パルス電圧と同じ第2パルス電圧または前記第1パルス電圧と異なる第2パルス電圧を印加することにより行われるターゲット供給方法。
  3. 請求項1に記載のターゲット供給方法において、
    前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電位印加部が前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することは、
    前記圧力を前記設定圧力まで上げることを開始する前から前記圧力が前記設定圧力まで上がるまでの間に、前記電位印加部が、前記ターゲット物質に前記第1電位と同じ一定の第2電位または前記第1電位と異なる一定の第2電位を印加するとともに、前記電極に前記第2電位よりも低い一定の第3電位を印加することにより行われるターゲット供給方法。
  4. ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、
    前記ターゲット生成器内部の圧力を検出する圧力センサおよび前記ターゲット生成器内部の圧力を制御するアクチュエータを有する圧力制御器と、
    前記ノズルのノズル孔から、静電気力によって前記ターゲット物質を引き出す電極と、
    前記電極と前記ターゲット生成器内部の前記ターゲット物質とに電位を印加する電位印加部と、
    タイマと、
    前記圧力センサによる前記ターゲット生成器内部の圧力の検出結果および前記タイマの時間に基づいて、前記圧力制御器および前記電位印加部を制御する制御部であって、
    前記制御部は、
    前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げることと、
    前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することと、
    前記ターゲット生成器内部の圧力が前記設定圧力まで上がったことを検出すると、前記静電気力によって前記ターゲット物質を引き出すために、前記ターゲット物質に一定の第1電位を印加するとともに、前記電極に第1パルス電圧を印加することとを行うターゲット供給装置。
  5. 請求項4に記載のターゲット供給装置において、
    前記制御部は、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することを、
    前記圧力を前記設定圧力まで上げることを開始する前であることを検出し、かつ、前記圧力が前記設定圧力まで上がる前であることを検出すると、前記ターゲット物質に前記第1電位と同じ一定の第2電位または前記第1電位と異なる一定の第2電位を印加するとともに、前記電極に前記第1パルス電圧と同じ第2パルス電圧または前記第1パルス電圧と異なる第2パルス電圧を印加することにより行うターゲット供給装置。
  6. 請求項4に記載のターゲット供給装置において、
    前記制御部は、前記ターゲット生成器内部の圧力を設定圧力まで上げる途中であることを検出すると、前記電極と前記ターゲット物質とに異なる電位を印加することを、
    前記圧力を前記設定圧力まで上げることを開始する前であることを検出し、かつ、前記圧力が前記設定圧力まで上がる前であることを検出すると、前記ターゲット物質に前記第1電位と同じ一定の第2電位または前記第1電位と異なる一定の第2電位を印加するとともに、前記電極に前記第2電位よりも低い一定の第3電位を印加することにより行うターゲット供給装置。
JP2012171428A 2012-08-01 2012-08-01 ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法 Pending JP2014032778A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012171428A JP2014032778A (ja) 2012-08-01 2012-08-01 ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法
US13/953,350 US9310686B2 (en) 2012-08-01 2013-07-29 Target supply device and target supply method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012171428A JP2014032778A (ja) 2012-08-01 2012-08-01 ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014032778A true JP2014032778A (ja) 2014-02-20

Family

ID=50024523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012171428A Pending JP2014032778A (ja) 2012-08-01 2012-08-01 ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9310686B2 (ja)
JP (1) JP2014032778A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9925547B2 (en) * 2014-08-26 2018-03-27 Tsi, Incorporated Electrospray with soft X-ray neutralizer
US11550233B2 (en) * 2018-08-14 2023-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography system and operation method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010137625A1 (ja) * 2009-05-27 2010-12-02 ギガフォトン株式会社 ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7405416B2 (en) 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
JP5551426B2 (ja) * 2008-12-19 2014-07-16 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010137625A1 (ja) * 2009-05-27 2010-12-02 ギガフォトン株式会社 ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140034759A1 (en) 2014-02-06
US9310686B2 (en) 2016-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6944010B2 (ja) 極端紫外線光源用のターゲット
US8841641B2 (en) Extreme ultraviolet light source apparatus
JP6034598B2 (ja) Euv光生成装置の洗浄方法
JP6054067B2 (ja) Euv光生成装置、ターゲット回収装置、および、ターゲット回収方法
JP6469577B2 (ja) 極紫外光源のためのターゲット材料供給装置
JP5662214B2 (ja) ターゲット供給装置
TW201247033A (en) Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
JP5511705B2 (ja) ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
JP6077822B2 (ja) ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法
JP6103894B2 (ja) ターゲット供給装置
JP5982137B2 (ja) ターゲット供給装置
JP6058324B2 (ja) ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置
JP5901058B2 (ja) ターゲット供給装置
JP6101451B2 (ja) ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
JP6068044B2 (ja) ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置
JP2014032778A (ja) ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法
US8927951B2 (en) Target supply device
JP5881353B2 (ja) ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置
JP2014143150A (ja) ターゲット供給装置およびeuv光生成チャンバ
JP7161999B2 (ja) 極端紫外光生成装置及びターゲット供給装置
WO2019092831A1 (ja) 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
JP2022504135A (ja) ターゲット材料送達システムの寿命を延長する装置及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150701

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20160323

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20160323

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160427

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160428

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20161026