JP5901058B2 - ターゲット供給装置 - Google Patents
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Description
本開示の他の1つの観点に係るターゲット供給装置は、ターゲット物質を放出するための貫通孔が形成されたノズル部と、導電性部材を含み、前記ターゲット物質が通過するように貫通孔が設けられ、前記ノズル部を覆うように設けられるカバーと、第1電極であって、前記カバーに対して前記ノズル部とは反対側に設置され、且つ前記ターゲット物質が通過するように貫通孔が設けられた第1電極と、前記第1電極の電位を、前記カバーに含まれる前記導電性部材の第1の電位より低い第2の電位となるように制御する電位制御部と、を備え、前記第1電極は、前記カバーの外側に配置されてもよい。
1.概要
2.極端紫外光生成システムの全体説明
2.1 構成
2.2 動作
3.第1電極を有するターゲット供給装置
3.1 構成
3.2 動作
3.3 第1電極の例
4.加速電極(以下、第3電極と記載する)を含むターゲット供給装置
5.リザーバの全体を遮蔽するカバーが設けられたターゲット供給装置
5.1 構成
5.2 動作
6.第1電極にパルス電圧を印加するターゲット供給装置
7.他のターゲット供給方式
LPP式のEUV光生成装置においては、ターゲット供給装置がターゲット物質を出力し、プラズマ生成領域に到達させてもよい。ターゲット物質がプラズマ生成領域に到達した時点で、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することで、ターゲット物質がプラズマ化し、このプラズマからEUV光が放射され得る。
2.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給装置26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置26から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
3.1 構成
図2は、第1の実施形態に係るターゲット供給装置を含むEUV光生成装置の構成を示す一部断面図である。図3は、図2に示すターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。図2に示すように、チャンバ2の内部には、レーザ光集光光学系22aと、EUV集光ミラー23と、ターゲット回収部28と、EUV集光ミラーホルダ41と、プレート42及び43と、ビームダンプ44と、ビームダンプ支持部材45とが設けられてもよい。
ノズル板62は、リザーバ61の出力側の端部付近に固定されていてもよい。ノズル板62には、液体のターゲット物質が通過するための貫通孔が形成されていてもよい。また、ノズル板62は、ターゲット物質に電界を集中させるために、出力側に突き出た先端部62bを有してもよい。上記貫通孔はこの先端部62bに開口していてもよい。
不活性ガスボンベ54は、不活性ガスを供給するための配管によって圧力調節器53に接続されていてもよい。圧力調節器53は、さらに、不活性ガスを供給するための配管によってリザーバ61の内部と連通してもよい。
DC電源59の出力端子は、フランジ84に設けられたフィードスルー59aを介して、第1電極68に電気的に接続されてもよい。
圧力調節器53は、ターゲット制御部52から出力される制御信号に応じて、不活性ガスボンベ54から供給される不活性ガスの圧力を調整して、リザーバ61内部へ導入された不活性ガスによりリザーバ61内の溶融したターゲット物質を加圧するよう構成されてもよい。以上のように不活性ガスがターゲット物質を加圧することにより、ノズル板62の貫通孔が開口する先端部62bからターゲット物質を僅かに突出させてもよい。
図5Aは、第1の実施形態に係るターゲット供給装置において用いられる第1電極の例を示す平面図である。図5Bは、図5Aに示す第1電極をカバーに装着した状態を示す断面図である。
図7は、第2の実施形態に係るターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。第2の実施形態においては、第1電極68が、カバー67の外側(カバー67に対してターゲット27の進行方向下流側)の位置に、第1リング69を介して固定されてもよい。また、第2電極66に対してターゲット27の進行方向下流側の位置に、第3電極64が設けられてもよい。第3電極64は、電気絶縁部材65の内側に保持されてもよい。
また、第1電極68の電位P2を、カバー67の電位P1よりも低い電位に制御することにより、第3電極64の付近に荷電粒子が到達することが抑制され得る。従って、第3電極64の電位を安定させ、第3電極64によって加速されるターゲット27の速度のばらつきを低減し得る。
その他の点に関しては、第1の実施形態と同様でよい。なお、第3電極64は、第1の実施形態に係るターゲット供給装置に含まれていてもよい。
5.1 構成
図8は、第3の実施形態に係るターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。第3の実施形態においては、カバー85がリザーバ61の全体、ノズル板62、電気絶縁部材65、及び第2電極66をカバーしてもよい。カバー85は、さらに、第3電極64及び後述の第4電極70をカバーしてもよい。
ターゲット制御部52は、圧力調節器53、DC高圧電源55及びパルス電圧電源58に制御信号を出力するよう構成されてもよい。これにより、ノズル板62から帯電したターゲット27が引き出されて、引き出されたターゲット27が第2電極66の貫通孔66aを通過し得る。第2電極66の貫通孔66aを通過したターゲット27は、基準電位(0V)が印加された第3電極64と第2電極66との間の電界の作用によって加速され、第3電極64の貫通孔64aを通過し得る。
F=QE
ここで、電界Eは、平板電極70aに与えられる電位Paと平板電極70bに与えられる電位Pbとの間の電位差(Pa−Pb)と、それらの電極間のギャップ長Gとによって、次式で表され得る。
E=(Pa−Pb)/G
F=ma (m:ターゲットの質量、a:加速度)
また、ターゲット27が電界から脱出するときのX軸方向速度成分Vxは次式から導かれ得る。
Vx=aL/Vz (L:電極70のZ方向の長さ)
V=(Vz2+Vx2)1/2
このように、電位差(Pa−Pb)を与えてターゲット27の軌道の一部に電界を作用させることによって、ターゲット27の進行方向を変更させてもよい。また、電位差(Pa−Pb)を調節することによって、進行方向の変更量を制御してもよい。電界から脱出したターゲット27は、速度Vで移動して、レーザ光が照射される位置に到達するように制御されてもよい。同様に、Y軸方向に関しても、Y軸方向に一対の平板電極を配置し、前記と同様にターゲット27に電界を作用することによって、ターゲット27の進行方向を制御することが可能である。
また、第1電極68の電位P2を、カバー85の電位P1よりも低い電位に制御することにより、第4電極70の付近に荷電粒子が到達することが抑制され得る。従って、第4電極70を所望の電位に制御し、第4電極70によって進行方向を変更されるターゲット27を所望の軌道に制御し得る。
その他の点に関しては、第2の実施形態と同様でよい。なお、第4電極70は、第1及び第2の実施形態に係るターゲット供給装置に含まれていてもよい。
図10は、第4の実施形態に係るターゲット供給装置を含むEUV光生成装置の構成を示す一部断面図である。第4の実施形態においては、DC電源59(図2参照)の代わりに、パルス電源59bが第1電極68に電気的に接続されてもよい。このパルス電源59bにより、第1電極68に一定の電位を印加するのではなく、パルス状の電位信号を印加してもよい。
その他の点に関しては、第1の実施形態と同様でよい。
図12は、第5の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。第5の実施形態においては、リザーバ(図示せず)にノズル管74が接続されてもよい。ノズル管74に、ターゲット27が出力される開口74aが形成されてもよい。ノズル管74に、PZT素子76等の圧電性セラミックス素子が固定されてもよい。PZT素子76には、PZT駆動電源77が電気的に接続されてもよい。PZT駆動電源77は、ターゲット制御部52に信号線を介して接続されてもよい。さらに、第1の実施形態において説明した圧力調節器53(図3参照)が、リザーバ内の液体ターゲット物質を加圧してもよい。
Claims (4)
- ターゲット物質を放出するための貫通孔が形成されたノズル部と、
導電性部材を含み、前記ターゲット物質が通過するように貫通孔が設けられ、前記ノズル部を覆うように設けられるカバーと、
第1電極であって、前記カバーに対して前記ノズル部とは反対側に設置され、且つ前記ターゲット物質が通過するように貫通孔が設けられた前記第1電極と、
前記ノズル部に対向して設けられた第2電極と、
電位制御部であって、
前記第1電極の電位を、前記カバーに含まれる前記導電性部材の第1の電位より低い第2の電位となるように制御し、
前記ターゲット物質の電位を、前記第1の電位より高い第3の電位となるように制御し、
前記第2電極の電位を、前記第1の電位より高く且つ前記第3の電位以下である第4の電位から、前記第1の電位以上で且つ前記第4の電位より低い第5の電位に、パルス状に制御する前記電位制御部と、
を備えるターゲット供給装置。 - 前記電位制御部は、前記ノズル部から前記ターゲット物質を出力してから一定時間、前記第1電極の電位を前記第2の電位より高い第6の電位となるように制御し、その後、前記第1電極の電位を前記第2の電位となるように制御する、請求項1記載のターゲット供給装置。
- 前記第6の電位と前記第1の電位との差は、前記第6の電位と前記第2の電位との差より小さい、請求項2記載のターゲット供給装置。
- ターゲット物質を放出するための貫通孔が形成されたノズル部と、
導電性部材を含み、前記ターゲット物質が通過するように貫通孔が設けられ、前記ノズル部を覆うように設けられるカバーと、
第1電極であって、前記カバーに対して前記ノズル部とは反対側に設置され、且つ前記ターゲット物質が通過するように貫通孔が設けられた第1電極と、
前記第1電極の電位を、前記カバーに含まれる前記導電性部材の第1の電位より低い第2の電位となるように制御する電位制御部と、
を備え、
前記第1電極は、前記カバーの外側に配置された、ターゲット供給装置。
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