WO2016103456A1

WO2016103456A1 - 極端紫外光生成装置

Info

Publication number: WO2016103456A1
Application number: PCT/JP2014/084540
Authority: WO
Inventors: 博梅田; 一磨上鉄穴
Original assignee: ギガフォトン株式会社
Priority date: 2014-12-26
Filing date: 2014-12-26
Publication date: 2016-06-30
Also published as: US20170231075A1; JPWO2016103456A1; US9961755B2

Abstract

　ＥＵＶ光を安定的に生成する。　極端紫外光生成装置は、グランドに接地され、内部に供給された金属のターゲットにレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、前記グランドに接地されていると共に前記チャンバに固定され、前記チャンバ内に供給する前記ターゲットをノズルから出力するターゲット供給部と、前記ノズルのターゲット出力側に配置され、負の第１電位を印加することで前記ターゲットに静電気力を加える引出電極と、前記引出電極に前記第１電位を印加する第１電源と、前記引出電極によって引き出された前記ターゲットが通過する位置に配置され、前記第１電位よりも低い負の第２電位を印加することで前記ターゲットを加速させる加速電極部と、前記加速電極部に前記第２電位を印加する第２電源と、前記加速電極部の内部に配置され、前記ターゲットに電子を放出する電荷中和器と、を備えてもよい。

Description

極端紫外光生成装置

　本開示は、極端紫外光生成装置に関する。

　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

特許出願公開第２０１４－１４３１５０号特許出願公開第２０１２－９９４５１号特許出願公開第２０１０－８０９４０号特許出願公開第２０１２－２１６５８６号米国特許第６１８６１９２号米国特許第７４０５４１６号米国特許出願公開第２０１０／２８４７７４号米国特許第７８３８８５４号

概要

　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、グランドに接地され、内部に供給された金属のターゲットにレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、前記グランドに接地されていると共に前記チャンバに固定され、前記チャンバ内に供給する前記ターゲットをノズルから出力するターゲット供給部と、前記ノズルのターゲット出力側に配置され、負の第１電位を印加することで前記ターゲットに静電気力を加える引出電極と、前記引出電極に前記第１電位を印加する第１電源と、前記引出電極によって引き出された前記ターゲットが通過する位置に配置され、前記第１電位よりも低い負の第２電位を印加することで前記ターゲットを加速させる加速電極部と、前記加速電極部に前記第２電位を印加する第２電源と、前記加速電極部の内部に配置され、前記ターゲットに電子を放出する電荷中和器と、を備えてもよい。

　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。図２は、電荷中和器を含むＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。図３は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット生成装置の構成を説明するための図を示す。図４は、図３に示されたターゲット生成制御部におけるターゲット生成に係る処理の概要を説明するためのフローチャートを示す。図５は、引出電極及び加速電極部のそれぞれに印加される第１電位及び第２電位の推移と、フローティング電源の動作タイミングと、タンク内の圧力の推移との関係を説明するためのタイムチャートを示す。図６は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット生成装置の構成を説明するための図を示す。図７は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。

実施形態

～内容～
　１．概要
　２．用語の説明
　３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　　３．１　構成
　　３．２　動作
　４．電荷中和器を含むＥＵＶ光生成装置
　　４．１　構成
　　４．２　動作
　５．課題
　６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット生成装置
　　６．１　構成
　　６．２　動作
　　６．３　作用
　７．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット生成装置
　８．その他
　　８．１　各制御部のハードウェア環境
　　８．２　その他の変形例

　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．概要］
　本開示は、以下の実施形態を単なる例として少なくとも開示し得る。

　本開示のＥＵＶ光生成装置１は、グランドに接地され、内部に供給された金属のターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されることでＥＵＶ光２５２が生成されるチャンバ２と、グランドに接地されていると共にチャンバ２に固定され、チャンバ２内に供給するターゲット２７をノズル２６２から出力するターゲット供給部２６と、ノズル２６２のターゲット２７の出力側に配置され、負の第１電位Ｐ１を印加することでターゲット２７に静電気力を加える引出電極７５２と、引出電極７５２に第１電位Ｐ１を印加する第１電源７５５と、引出電極７５２によって引き出されたターゲット２７が通過する位置に配置され、第１電位Ｐ１よりも低い負の第２電位Ｐ２を印加することでターゲット２７を加速させる加速電極部７５３と、加速電極部７５３に第２電位Ｐ２を印加する第２電源７５６と、加速電極部７５３の内部に配置され、ターゲット２７に電子を放出する電荷中和器７５４と、を備えてもよい。
　このような構成により、ＥＵＶ光生成装置１は、簡易な装置構成であってもターゲット２７を所望の進行速度でプラズマ生成領域２５に安定して供給し、ＥＵＶ光２５２を安定して生成し得る。

［２．用語の説明］
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されるターゲットの一形態である。
　「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
　「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。

［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
　［３．１　構成］
　図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
　ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

　更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

　［３．２　動作］
　図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の出力タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［４．電荷中和器を含むＥＵＶ光生成装置］
　［４．１　構成］
　図２を用いて、電荷中和器７３４を含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
　図２は、電荷中和器７３４を含むＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
　図２では、ターゲット２７の軌道２７２に沿った方向をＹ軸方向とし、Ｙ軸方向に垂直であってＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を出力する方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に直交する方向とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。

　ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、上述のように、内部に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されることでＥＵＶ光２５２が生成されるレーザチャンバであってもよい。
　チャンバ２は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ２の中心軸は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ出力する方向と略一致してもよい。
　チャンバ２の内部空間を形成する壁２ａは、導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。
　チャンバ２の内部空間を形成する壁２ａは、グランドに接地されてもよい。グランドの接地電位は、０Ｖであってもよい。

　チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光光学系２３ａと、ターゲット回収部２８と、プレート２２５及びプレート２３５とが備えられてもよい。
　チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット生成装置７とが備えられてもよい。

　プレート２３５は、チャンバ２の内側面に固定されてもよい。
　プレート２３５の中央には、その厚さ方向にパルスレーザ光３３が通過可能な孔２３５ａが設けられてもよい。孔２３５ａの開口方向は、図１における貫通孔２４及びプラズマ生成領域２５を通る軸と略同一の方向であってもよい。
　プレート２３５の一方の面には、ＥＵＶ集光光学系２３ａが設けられてもよい。
　プレート２３５の他方の面には、プレート２２５が設けられてもよい。

　プレート２３５の一方の面に設けられたＥＵＶ集光光学系２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ホルダ２３１とを含んでもよい。
　ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を保持してもよい。
　ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、プレート２３５に固定されてもよい。

　プレート２３５の他方の面に設けられたプレート２２５は、図示しない３軸ステージによって位置及び姿勢が変更可能であってもよい。
　３軸ステージは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向の３軸方向にプレート２２５を動かすアクチェータを含んでもよい。３軸ステージのアクチュエータは、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御によって、プレート２２５を動かしてもよい。それにより、プレート２２５の位置及び姿勢が変更されてもよい。
　プレート２２５には、レーザ光集光光学系２２ａが設けられてもよい。

　レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ホルダ２２３と、ホルダ２２４とを含んでもよい。
　レーザ光集光ミラー２２は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過したパルスレーザ光３２が入射するように配置されてもよい。
　レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２とを含んでもよい。

　ホルダ２２３は、軸外放物面ミラー２２１を保持してもよい。
　軸外放物面ミラー２２１を保持するホルダ２２３は、プレート２２５に固定されてもよい。
　ホルダ２２４は、平面ミラー２２２を保持してもよい。
　平面ミラー２２２を保持するホルダ２２４は、プレート２２５に固定されてもよい。

　軸外放物面ミラー２２１は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１及び平面ミラー２２２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
　平面ミラー２２２は、孔２３５ａ及び軸外放物面ミラー２２１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
　軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５が３軸ステージを介してプレート２２５の位置及び姿勢を変更することに伴って、調整され得る。当該調整は、レーザ光集光ミラー２２からの出射光であるパルスレーザ光３３が、プラズマ生成領域２５で集光するように実行され得る。

　ターゲット回収部２８は、チャンバ２内に出力されたターゲット２７が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。

　レーザ光進行方向制御部３４は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１とレーザ装置３との間に設けられていてもよい。
　レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１が入射するように配置されてよい。
　レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１と、高反射ミラー３４２と、ホルダ３４３と、ホルダ３４４とを含んでもよい。

　ホルダ３４３は、高反射ミラー３４１を保持してもよい。
　ホルダ３４４は、高反射ミラー３４２を保持してもよい。
　ホルダ３４３及びホルダ３４４は、ＥＵＶ光生成制御部５に接続された図示しないアクチュエータによって位置及び姿勢が変更可能であってもよい。

　高反射ミラー３４１は、パルスレーザ光３１が出射されるレーザ装置３の出射口及び高反射ミラー３４２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
　高反射ミラー３４２は、チャンバ２のウインドウ２１及び高反射ミラー３４１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
　高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御により、ホルダ３４３及びホルダ３４４の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、レーザ光進行方向制御部３４からの出射光であるパルスレーザ光３２が、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過するように実行され得る。

　ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６に設けられた図示しない露光装置制御部との間で各種信号を送受信してもよい。
　例えば、ＥＵＶ光生成制御部５には、露光装置６に出力されるＥＵＶ光２５２に係る制御指令を示す信号であるＥＵＶ光出力指令信号が、露光装置制御部から送信されてもよい。ＥＵＶ光出力指令信号には、ＥＵＶ光２５２の目標出力開始タイミング、目標繰り返し周波数、目標パルスエネルギ等の各種目標値が含まれていてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置制御部から送信された各種信号に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１の各構成要素の動作を統括的に制御してもよい。

　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３との間で制御信号の送受を行ってもよい。例えば、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１を出力する契機を与えるトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１の出力に係るレーザ装置３の動作を制御してもよい。なお、レーザ装置３は、ＣＯ_２レーザであってもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光光学系２２ａを動かすそれぞれのアクチェータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１～３３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成装置７に含まれるターゲット生成制御部７４との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成装置７に含まれる各構成要素の動作を間接的に制御してもよい。
　なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図７を用いて後述する。

　ターゲット生成装置７は、チャンバ２内に供給するターゲット２７を生成し、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給する装置であってもよい。ターゲット生成装置７は、いわゆる静電引出方式でターゲット２７を供給する装置であってもよい。
　ターゲット生成装置７が供給するターゲット２７の材料は、金属材料であってもよい。ターゲット２７を構成する金属材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含む材料であってもよい。好適には、ターゲット２７を構成する金属材料は、スズであってもよい。
　ターゲット生成装置７は、チャンバ２の側面部に設けられていてもよい。
　ターゲット生成装置７は、ターゲット供給部２６と、ヒータ７１１と、圧力調節器７２１と、配管７２２及び７２３と、ガスボンベ７２４とを備えてもよい。更に、ターゲット生成装置７は、ホルダ７３１と、引出電極７３２と、加速電極７３３と、電荷中和器７３４と、第１～第４電源７３５～７３８と、フィードスルー７３９ａ及び７３９ｂと、ターゲット生成制御部７４とを備えてもよい。

　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７を収容すると共に、当該ターゲット２７をドロップレット２７１としてチャンバ２内に出力してもよい。
　ターゲット供給部２６は、チャンバ２の側面部の壁２ａに固定されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、チャンバ２と同様に、グランドに接地されてもよい。ターゲット供給部２６は、チャンバ２と同様の接地電位に保たれ得る。
　ターゲット供給部２６は、タンク２６１と、ノズル２６２とを含んでもよい。

　タンク２６１は、ターゲット２７を溶融状態で内部に収容してもよい。
　タンク２６１は、中空の筒形状に形成されてもよい。
　タンク２６１は、導電性を有すると共にターゲット２７と反応し難い材料を用いて形成されてもよい。ターゲット２７がスズの場合、タンク２６１は、モリブデン又はタングステンを用いて形成されてもよい。
　なお、タンク２６１に収容されたターゲット２７の電位は、チャンバ２と同様の接地電位であり得る。

　ノズル２６２は、タンク２６１に収容されたターゲット２７をチャンバ２内に出力してもよい。
　ノズル２６２は、筒形状のタンク２６１の底面部に設けられていてもよい。
　ノズル２６２は、チャンバ２の壁２ａの孔を通してチャンバ２の内部に配置されてもよい。壁２ａの孔は、ターゲット供給部２６が設置されることで塞がれ得る。それにより、チャンバ２の内部は大気と隔絶され得る。
　ノズル２６２は、導電性を有すると共にターゲット２７と反応し難い材料を用いて形成されてもよい。ノズル２６２は、タンク２６１と同様の材料を用いて形成されてもよい。
　ノズル２６２は、ノズル本体部２６２ａと、ノズル出力部２６２ｂとを含んでもよい。

　ノズル本体部２６２ａは、中空の略円筒形状に形成されてもよい。
　ノズル本体部２６２ａの一端は、タンク２６１のチャンバ２側の底面部に固定されてもよい。ノズル本体部２６２ａは、タンク２６１と一体的に形成されてもよい。
　ノズル本体部２６２ａの他端には、ノズル出力部２６２ｂが固定されてもよい。
　ノズル本体部２６２ａの一端側にあるタンク２６１がチャンバ２の外部に位置し、ノズル本体部２６２ａの他端側にあるノズル出力部２６２ｂがチャンバ２の内部に位置してもよい。
　ノズル本体部２６２ａの中心軸は、チャンバ２内に出力されたターゲット２７の進行経路であるターゲット軌道２７２と略一致してもよい。ノズル本体部２６２ａの中心軸の延長線上には、チャンバ２の内部にあるプラズマ生成領域２５が位置してもよい。

　ノズル出力部２６２ｂは、略円板状に形成されてもよい。略円板状のノズル出力部２６２ｂの中央部分には、ターゲット２７が通過する貫通孔が形成されてもよい。
　ノズル出力部２６２ｂに形成された貫通孔は、当該貫通孔の中心軸がノズル本体部２６２ａの中心軸と略一致するように形成されてもよい。
　ノズル出力部２６２ｂに形成された貫通孔には、突出部２６２ｃが設けられてもよい。
　突出部２６２ｃは、中空の略円錐台形状に形成されてもよい。
　突出部２６２ｃは、ノズル出力部２６２ｂに形成された貫通孔のプラズマ生成領域２５側の開口周縁を基端として、先端がプラズマ生成領域２５側に向かって突出するように形成されてもよい。
　突出部２６２ｃの先端部分には、プラズマ生成領域２５側に向かって開口するノズル孔が形成されてもよい。ノズル孔の直径は、例えば３μｍ～１５μｍであってもよい。
　なお、タンク２６１内の圧力が所定の目標圧力に達すると、タンク２６１内のターゲット２７はノズル出力部２６２ｂの当該ノズル孔から突出し得る。このとき、ノズル出力部２６２ｂの当該ノズル孔から突出したターゲット２７の電位は、チャンバ２及びターゲット供給部２６と同様の接地電位であり得る。

　ヒータ７１１は、タンク２６１を加熱してもよい。
　ヒータ７１１は、筒形状のタンク２６１の外側側面部に固定されてもよい。
　ヒータ７１１は、図示しないヒータ電源に接続されてもよい。ヒータ電源は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。ヒータ電源は、ターゲット生成制御部７４からの制御により、ヒータ７１１に電力を供給してもよい。
　ヒータ７１１は、タンク２６１内の温度がターゲット２７の融点以上の温度に保たれるようにタンク２６１を加熱してもよい。ターゲット２７がスズの場合、ヒータ７１１は、タンク２６１内の温度が２６０℃～２９０℃に保たれるようにタンク２６１を加熱してもよい。

　配管７２２は、タンク２６１と圧力調節器７２１とを連結してもよい。
　配管７２２は、タンク２６１のノズル２６２とは反対側の底面部から圧力調節器７２１に延びるように形成されてもよい。
　配管７２２の圧力調節器７２１側の端部は、圧力調節器７２１の内部で配管７２３と連結されてもよい。配管７２２と配管７２３とが連結された部分を、連結点Ｃともいう。
　配管７２２は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管７２２には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管７２２内の温度は、タンク２６１内の温度と同じ温度に保たれてもよい。

　配管７２３は、ガスボンベ７２４と圧力調節器７２１とを連結してもよい。
　配管７２３は、ガスボンベ７２４から圧力調節器７２１の内部を通って圧力調節器７２１の外部まで延びるように形成されてもよい。圧力調節器７２１の外部まで延びた配管７２３の先端には、排気口７２３ａが設けられてもよい。
　排気口７２３ａには、図示しない排気ポンプが連結されてもよい。排気ポンプは、圧力制御部７２１ｄと接続されてもよい。
　配管７２３は、配管７２２と同様に、ヒータや断熱材等が設けられ、タンク２６１内の温度と同じ温度に保たれてもよい。

　ガスボンベ７２４は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されていてもよい。
　ガスボンベ７２４は、圧力調節器７２１を介して、タンク２６１内に不活性ガスを給気してもよい。

　圧力調節器７２１は、タンク２６１内に給気する不活性ガスのガス圧を加減することで、タンク２６１内の圧力を調節してもよい。
　圧力調節器７２１は、配管７２２を介してタンク２６１の内部と連通してもよい。圧力調節器７２１は、配管７２３を介してガスボンベ７２４と連通してもよい。
　圧力調節器７２１は、その内部に延びた配管７２２及び７２３の一部の他に、圧力センサ７２１ａと、第１バルブ７２１ｂと、第２バルブ７２１ｃと、圧力制御部７２１ｄとを含んでもよい。

　圧力センサ７２１ａは、配管７２２を介して連結するタンク２６１内の圧力を検出してもよい。
　圧力センサ７２１ａは、圧力調節器７２１内の連結点Ｃとタンク２６１との間の配管７２２に設けられてもよい。
　圧力センサ７２１ａは、圧力制御部７２１ｄに接続されてもよい。圧力センサ７２１ａは、検出した圧力の検出信号を圧力制御部７２１ｄに出力してもよい。

　第１バルブ７２１ｂは、圧力調節器７２１内の連結点Ｃとガスボンベ７２４との間の配管７２３に設けられてもよい。
　第２バルブ７２１ｃは、圧力調節器７２１内の連結点Ｃと排気口７２３ａとの間の配管７２３に設けられてもよい。
　第１及び第２バルブ７２１ｂ及び７２１ｃは、電磁駆動弁であってもよい。第１及び第２バルブ７２１ｂ及び７２１ｃは、例えばソレノイドバルブであってもよい。
　第１及び第２バルブ７２１ｂ及び７２１ｃは、それぞれ圧力制御部７２１ｄと接続されてもよい。第１及び第２バルブ７２１ｂ及び７２１ｃの開閉動作は、圧力制御部７２１ｄによって制御されてもよい。

　圧力制御部７２１ｄは、ターゲット生成制御部７４と接続されてもよい。圧力制御部７２１ｄには、タンク２６１内の目標圧力の値を含む制御信号がターゲット生成制御部７４から入力されてもよい。
　圧力制御部７２１ｄには、タンク２６１内の圧力の検出信号が圧力センサ７２１ａから入力されてもよい。
　圧力制御部７２１ｄは、入力された当該検出信号により示される圧力検出値が、入力された当該目標圧力の値に近付くよう、第１及び第２バルブ７２１ｂ及び７２１ｃのそれぞれの開閉動作を制御してもよい。それにより、圧力制御部７２１ｄは、タンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気して、タンク２６１内の圧力を目標圧力に調節し得る。

　ホルダ７３１は、引出電極７３２及び加速電極７３３を保持してもよい。
　ホルダ７３１は、電気絶縁性を有する材料を用いて形成されてもよい。
　ホルダ７３１は、底面が開放された中空の略円筒形状に形成されてもよい。
　ホルダ７３１の中心軸は、ノズル本体部２６２ａの中心軸と略一致してもよい。
　ホルダ７３１の一端側の内周側面は、ノズル本体部２６２ａの外周側面に固定されてもよい。ホルダ７３１の他端側は、プラズマ生成領域２５に向かって開口していてもよい。
　ホルダ７３１の内周側面には、ノズル出力部２６２ｂ、引出電極７３２、及び加速電極７３３がそれぞれ間隔をあけて固定されてもよい。ノズル出力部２６２ｂ、引出電極７３２、及び加速電極７３３のそれぞれは、互いに電気的に絶縁され得る。
　また、ホルダ７３１の内周側面には、図示しない複数の溝が形成されていてもよい。複数の溝は、ノズル出力部２６２ｂ、引出電極７３２、及び加速電極７３３のそれぞれの間隔における沿面距離を長くし得る。それにより、複数の溝は、ノズル出力部２６２ｂ、引出電極７３２、及び加速電極７３３のそれぞれの間での放電を抑制し得る。

　引出電極７３２は、ノズル出力部２６２ｂから出力されたターゲット２７をチャンバ２内に引き出すような静電気力を発生させる電極であってもよい。
　引出電極７３２は、ターゲット軌道２７２上に設けられてもよい。
　引出電極７３２は、ノズル出力部２６２ｂの突出部２６２ｃと間隔をあけて、当該突出部２６２ｃに対向して配置されてもよい。
　引出電極７３２は、略円板形状に形成されてもよい。略円板形状の引出電極７３２の中央部分には、貫通孔７３２ａが形成されてもよい。貫通孔７３２ａは、ノズル出力部２６２ｂからドロップレット２７１として出力されたターゲット２７を通過させる孔であってもよい。貫通孔７３２ａの中心軸は、ターゲット軌道２７２と略一致してもよい。

　引出電極７３２は、チャンバ２の壁２ａに設けられたフィードスルー７３９ａを介して、第１電源７３５に接続されてもよい。引出電極７３２には、第１電源７３５によって負の第１電位が印加されてもよい。
　負の第１電位が印加された引出電極７３２は、ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出した接地電位のターゲット２７との間に電位差を生じさせ得る。当該電位差によって、当該引出電極７３２と当該ターゲット２７との間には、静電気力が発生し得る。
　それにより、当該ターゲット２７は、ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から引き出されてドロップレット２７１を形成し、引出電極７３２の貫通孔７３２ａを通過し得る。この際、当該ドロップレット２７１は、正に帯電されてもよい。

　加速電極７３３は、引出電極７３２によって引き出されたターゲット２７であるドロップレット２７１を加速させるような静電気力を発生させる電極であってもよい。具体的には、加速電極７３３は、引出電極７３２の貫通孔７３２ａを通過したドロップレット２７１に静電気力を加えて、当該ドロップレット２７１を加速させる電極であってもよい。
　加速電極７３３は、引出電極７３２のプラズマ生成領域２５側の面に対向して配置されてもよい。加速電極７３３は、引出電極７３２と間隔をあけて、ターゲット軌道２７２上に設けられてもよい。
　加速電極７３３は、略円板形状に形成されてもよい。略円板形状の加速電極７３３の中央部分には、貫通孔７３３ａが形成されてもよい。貫通孔７３３ａは、引出電極７３２の貫通孔７３２ａを通過したドロップレット２７１を通過させる孔であってもよい。貫通孔７３３ａの中心軸は、ターゲット軌道２７２と略一致してもよい。

　加速電極７３３は、チャンバ２の壁２ａに設けられたフィードスルー７３９ａを介して、第２電源７３６に接続されてもよい。加速電極７３３には、第２電源７３６によって負の第２電位が印加されてもよい。負の第２電位は、第１電源７３５が引出電極７３２に印加する負の第１電位よりも低い電位であってもよい。
　負の第２電位が印加された加速電極７３３は、正に帯電された状態で引出電極７３２の貫通孔７３２ａを通過したドロップレット２７１との間に電位差を生じさせ得る。当該電位差によって、当該加速電極７３３と当該ドロップレット２７１との間には、静電気力が発生し得る。
　それにより、当該ドロップレット２７１は、正に帯電された状態で加速され、加速電極７３３の貫通孔７３３ａを通過し得る。貫通孔７３３ａを通過したドロップレット２７１は、正に帯電された状態で電荷中和器７３４に進入し得る。

　電荷中和器７３４は、正に帯電された状態で進入したドロップレット２７１を電気的に中性な状態にする機器であってもよい。
　電荷中和器７３４は、加速電極７３３のプラズマ生成領域２５側の面に対向して配置されてもよい。電荷中和器７３４は、加速電極７３３と間隔をあけて、ターゲット軌道２７２上に設けられてもよい。
　電荷中和器７３４は、フィラメント７３４ａと、捕集電極７３４ｂとを含んでもよい。
　フィラメント７３４ａ及び捕集電極７３４ｂは、ターゲット軌道２７２を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。

　フィラメント７３４ａは、タングステン等を用いて形成されたコイル状の金属線であってもよい。
　フィラメント７３４ａの一端は、接地されてもよい。
　フィラメント７３４ａの他端は、当該フィラメント７３４ａに流れる電流量を制限する抵抗Ｒ０に接続されてもよい。フィラメント７３４ａの他端が接続された抵抗Ｒ０は、チャンバ２の壁２ａに設けられたフィードスルー７３９ｂを介して第３電源７３７に接続されてもよい。フィラメント７３４ａには、第３電源７３７によって電流が供給されてもよい。
　電流が供給されたフィラメント７３４ａは、ターゲット軌道２７２に向かって熱電子を放出し得る。

　捕集電極７３４ｂは、フィラメント７３４ａから放出された熱電子を捕集する電極であってもよい。
　捕集電極７３４ｂは、フィードスルー７３９ｂを介して第４電源７３８に接続されてもよい。捕集電極７３４ｂには、第４電源７３８によって正の所定電位が印加されてもよい。
　正の所定電位が印加された捕集電極７３４ｂは、フィラメント７３４ａから放出された熱電子を静電気力により引き付けて捕集し得る。それにより、フィラメント７３４ａと捕集電極７３４ｂとの間には、熱電子が流れ得る。

　第１電源７３５は、引出電極７３２に対して、負の第１電位を印加してもよい。負の第１電位は、チャンバ２及びターゲット供給部２６が接地されたグランドの接地電位より低い電位であってもよい。
　第１電源７３５の出力端子は、引出電極７３２に接続されてもよい。第１電源７３５の基準電位端子は、グランドに接地されてもよい。
　第１電源７３５は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。第１電源７３５は、ターゲット生成制御部７４からの制御により、引出電極７３２に当該第１電位を印加してもよい。

　第２電源７３６は、加速電極７３３に対して、負の第２電位を印加してもよい。負の第２電位は、負の第１電位よりも低い電位であってもよい。
　第２電源７３６の出力端子は、加速電極７３３に接続されてもよい。第２電源７３６の基準電位端子は、グランドに接地されてもよい。
　第２電源７３６は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。第２電源７３６は、ターゲット生成制御部７４からの制御により、加速電極７３３に当該第２電位を印加してもよい。

　第３電源７３７は、電荷中和器７３４のフィラメント７３４ａに対して、電流を供給してもよい。
　第３電源７３７の出力端子は、抵抗Ｒ０を介して電荷中和器７３４のフィラメント７３４ａに接続されてもよい。第３電源７３７の基準電位端子は、グランドに接地されてもよい。
　第３電源７３７は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。第３電源７３７は、ターゲット生成制御部７４からの制御により、フィラメント７３４ａに電流を供給してもよい。

　第４電源７３８は、電荷中和器７３４の捕集電極７３４ｂに対して、正の所定電位を印加してもよい。
　第４電源７３８の出力端子は、電荷中和器７３４の捕集電極７３４ｂに接続されてもよい。第４電源７３８の基準電位端子は、グランドに接地されてもよい。
　第４電源７３８は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。第４電源７３８は、ターゲット生成制御部７４からの制御により、捕集電極７３４ｂに当該正の所定電位を印加してもよい。

　ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５との間で各種信号の送受を行ってもよい。
　例えば、ターゲット生成制御部７４には、ドロップレット２７１のチャンバ２内への出力に係る制御指令を示す信号であるターゲット出力信号が、ＥＵＶ光生成制御部５から入力されてもよい。ターゲット出力信号は、ＥＵＶ光出力指令信号に含まれる各種目標値に応じてドロップレット２７１が出力されるよう、ターゲット生成装置７の動作を制御する信号であってもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５からの各種信号に基づいて、ターゲット生成装置７に含まれる各構成要素の動作を制御してもよい。

　ターゲット生成制御部７４は、ヒータ７１１に接続された電源に制御信号を出力して、タンク２６１内の温度が所定の目標温度になるようヒータ７１１の動作を制御してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、圧力制御部７２１ｄに制御信号を出力して、タンク２６１内の圧力が所定の目標圧力となるよう圧力調節器７２１の動作を制御してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、第１電源７３５に制御信号を出力して、引出電極７３２に負の第１電位が印加されるよう第１電源７３５の動作を制御してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、第２電源７３６に制御信号を出力して、加速電極７３３に負の第２電位が印加されるよう第２電源７３６の動作を制御してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、第３電源７３７に制御信号を出力して、フィラメント７３４ａに電流が供給されるよう第３電源７３７の動作を制御してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、第４電源７３８に制御信号を出力して、捕集電極７３４ｂに正の所定電位が印加されるよう第４電源７３８の動作を制御してもよい。
　なお、ターゲット生成制御部７４のハードウェア構成については、図７を用いて後述する。

　［４．２　動作］
　電荷中和器７３４を含むＥＵＶ光生成装置１のターゲット生成に係る動作の概要について説明する。
　ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット出力信号が入力されたか否かを判定してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、ターゲット出力信号が入力されると、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット出力停止信号が入力されるまで、以下のような処理を行ってもよい。
　ターゲット出力停止信号は、ドロップレット２７１のチャンバ２内への出力を停止させる制御指令を示す信号であってもよい。

　ターゲット生成制御部７４は、ヒータ７１１に接続された電源に制御信号を出力して、タンク２６１内の温度が所定の目標温度になるようヒータ７１１の加熱動作を制御してもよい。所定の目標温度は、ターゲット２７の融点以上の所定範囲内にある温度であってもよい。ターゲット２７がスズの場合、所定の目標温度は、２６０℃～２９０℃の温度であってもよい。
　なお、ターゲット生成制御部７４は、タンク２６１内の温度がターゲット２７の融点以上の所定範囲内で維持されるようヒータ７１１の動作を継続して制御してもよい。

　ターゲット生成制御部７４は、第１電源７３５に制御信号を出力して、引出電極７３２に負の第１電位が印加されるよう第１電源７３５の動作を制御してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、第２電源７３６に制御信号を出力して、加速電極７３３に負の第２電位が印加されるよう第２電源７３６の動作を制御してもよい。
　ターゲット２７が出力されるノズル出力部２６２ｂから加速電極７３３までのターゲット軌道２７２上には、ノズル出力部２６２ｂから加速電極７３３に向かって負の電位勾配が形成され得る。

　ターゲット生成制御部７４は、第３電源７３７に制御信号を出力して、フィラメント７３４ａに電流が供給されるよう第３電源７３７の動作を制御してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、第４電源７３８に制御信号を出力して、捕集電極７３４ｂに正の所定電位が印加されるよう第４電源７３８の動作を制御してもよい。
　フィラメント７３４ａから熱電子が放出され捕集電極７３４ｂに向かって移動し得る。

　ターゲット生成制御部７４は、圧力調節器７２１の圧力制御部７２１ｄに制御信号を出力して、タンク２６１内の圧力が所定の目標圧力になるよう圧力調節器７２１の動作を制御してもよい。所定の目標圧力は、ターゲット２７がノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出すると共に、引出電極７３２との電位差による静電気力によって当該ノズル孔から分離し、ドロップレット２７１を形成し得るような圧力であってもよい。言い換えると、所定の目標圧力は、静電気力が加えられたターゲット２７がノズル出力部２６２ｂからドロップレット２７１として出力され得るような圧力であってもよい。

　タンク２６１内の圧力が所定の目標圧力に達すると、タンク２６１内のターゲット２７は、ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から滴下しない程度に突出し得る。
　このとき、ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出するターゲット２７の電位は、接地電位であり得る。
　ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出したターゲット２７には、負の第１電位が印加された引出電極７３２との間に電位差が生じ得る。当該ターゲット２７には、当該電位差によって発生する静電気力が作用し得る。
　当該ターゲット２７が出力されるノズル出力部２６２ｂのノズル孔は、引出電極７３２側に突出した突出部２６２ｃに設けられてもよい。突出部２６２ｃには電界集中が生じ易いことから、当該突出部２６２ｃに設けられたノズル孔から突出したターゲット２７には、より大きな静電気力が作用し得る。
　当該ターゲット２７は、当該静電気力によって引出電極７３２側に引っ張られ、やがてノズル出力部２６２ｂから分離し得る。
　分離されたターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。この際、ドロップレット２７１は正に帯電してもよい。当該ドロップレット２７１は、ターゲット軌道２７２上を進行し、正に帯電された状態で貫通孔７３２ａを通過し得る。

　正に帯電された状態で引出電極７３２の貫通孔７３２ａを通過した当該ドロップレット２７１は、加速電極７３３に接近し得る。
　加速電極７３３に接近したドロップレット２７１には、負の第２電位が印加された加速電極７３３との間に電位差が生じ得る。当該ドロップレット２７１には、当該電位差によって発生する静電気力が作用し得る。
　当該ドロップレット２７１は、当該静電気力によって加速電極７３３側に引っ張られて、加速され得る。当該ドロップレット２７１は、ターゲット軌道２７２上を進行し、正に帯電された状態で貫通孔７３３ａを通過し得る。

　正に帯電された状態で加速電極７３３の貫通孔７３３ａを通過した当該ドロップレット２７１は、電荷中和器７３４に進入し得る。
　電荷中和器７３４に進入したドロップレット２７１には、フィラメント７３４ａと捕集電極７３４ｂとの間を通過する際に熱電子が照射され、電気的に中性な状態になり得る。
　電気的に中性な状態になったドロップレット２７１は、電荷中和器７３４を通過してプラズマ生成領域２５に供給され得る。なお、ドロップレット２７１の中和に寄与しなかった熱電子は捕集電極７３４ｂにおいて捕集されてもよい。

　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３にトリガ信号を出力して、パルスレーザ光３１がプラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１を照射するようレーザ装置３の動作を制御してもよい。
　レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、パルスレーザ光３１を出力し得る。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経由して、パルスレーザ光３２としてチャンバ２内に導入され得る。チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２ａにて集光され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に導かれ得る。当該パルスレーザ光３３は、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に供給されるタイミングに同期してプラズマ生成領域２５に導かれ得る。プラズマ生成領域２５に導かれたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１を照射し得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１は、プラズマ化してＥＵＶ光２５１を含む光を放射し得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射され、ＥＵＶ光２５２として中間集光点２９２に集光されて露光装置６に導出され得る。

［５．課題］
　上述のように、ドロップレット２７１は、正に帯電された状態で加速電極７３３の貫通孔７３３ａを通過し、電荷中和器７３４に進入し得る。電荷中和器７３４に進入したドロップレット２７１は、当該電荷中和器７３４のフィラメント７３４ａと捕集電極７３４ｂとの間を通過する際に熱電子が照射され、電気的に中性な状態になり得る。
　ドロップレット２７１に熱電子を照射するために、電荷中和器７３４は、一端が接地されたフィラメント７３４ａと、正の所定電位が印加された捕集電極７３４ｂとを含み得る。すなわち、電荷中和器７３４の内部には、正の所定電位が印加された捕集電極７３４ｂと、一端が接地されたフィラメント７３４ａとの間に電位勾配が存在し得る。そして、電荷中和器７３４に進入し熱電子が十分に照射される前のドロップレット２７１は正に帯電された状態であり得る。この時、電荷中和器７３４に進入し熱電子が十分に照射される前のドロップレット２７１と捕集電極７３４ｂとは、電気的に同じ極性を有し得る。よって、電荷中和器７３４に進入し熱電子が十分に照射される前のドロップレット２７１と捕集電極７３４ｂとの間には、斥力が生じることがあり得る。それにより、電荷中和器７３４に進入したドロップレット２７１は、当該斥力によって進行速度が低下したり、所望のターゲット軌道２７２から外れたりしまうことがあり得る。
　また、ドロップレット２７１は、当該斥力によって電荷中和器７３４内の熱電子照射領域から外れて進行することがあり得る。この場合、ドロップレット２７１は、十分に中性化されずに帯電した状態で電荷中和器７３４を通過することがあり得る。そのため、帯電したドロップレット２７１と、先行するドロップレット２７１がプラズマ化して発生したイオンや、後続する帯電したドロップレット２７１との間に斥力が生じることがあり得る。それにより、電荷中和器７３４を通過したドロップレット２７１は、プラズマ生成領域２５に至るまでの間に、当該斥力によって進行速度が低下したり、所望のターゲット軌道２７２から更に外れたりしまうことがあり得る。

　その結果、電荷中和器７３４を含むＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１を所望の進行速度でプラズマ生成領域２５に安定して供給できず、ＥＵＶ光２５２を安定して生成できないことがあり得る。
　よって、電荷中和器７３４に進入したドロップレット２７１を所望の進行速度でプラズマ生成領域２５に安定して供給することによって、ＥＵＶ光２５２を安定して生成し得る技術が望まれている。

［６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット生成装置］
　図３～図５を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット生成装置７について説明する。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット生成装置７は、図２に示されたターゲット生成装置７に対して、ホルダ７３１、引出電極７３２、加速電極７３３、及び電荷中和器７３４に相当する構成が主に異なってもよい。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

　［６．１　構成］
　図３を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット生成装置７の構成について説明する。
　図３は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット生成装置７の構成を説明するための図を示す。
　図３のターゲット生成装置７は、ターゲット供給部２６と、ヒータ７１１と、圧力調節器７２１と、配管７２２及び７２３と、ガスボンベ７２４とを備えてもよい。これらの各構成要素は、図２に示されたターゲット生成装置７と同様であってもよい。
　更に、図３のターゲット生成装置７は、ホルダ７５１と、引出電極７５２と、加速電極部７５３と、電荷中和器７５４と、第１及び第２電源７５５及び７５６と、フローティング電源７５７と、フィードスルー７５９ａ～７５９ｄと、ターゲット生成制御部７４とを備えてもよい。

　ホルダ７５１は、引出電極７５２、加速電極部７５３、及び電荷中和器７５４を保持してもよい。
　ホルダ７５１は、金属カバー７５１１と、第１絶縁ホルダ７５１２と、第２絶縁ホルダ７５１３とを含んでもよい。

　金属カバー７５１１は、引出電極７５２、加速電極部７５３、及び電荷中和器７５４を内部に収容してもよい。
　金属カバー７５１１は、中空の略円筒形状に形成されてもよい。
　金属カバー７５１１の一端側の底面部中央には、取付部７５１１ａが設けられてもよい。
　取付部７５１１ａは、中空の略円筒形状に形成されてもよい。取付部７５１１ａは、金属カバー７５１１の一端側の底面部中央付近を基端として、先端が金属カバー７５１１の中心軸方向に沿ってターゲット供給部２６側に延びるように形成されてもよい。取付部７５１１ａの先端側の内周側面は、ノズル本体部２６２ａの外周側面に固定されてもよい。
　金属カバー７５１１の他端側の底面部中央には、貫通孔７５１１ｂが設けられてもよい。貫通孔７５１１ｂは、プラズマ生成領域２５に向かって開口し、ドロップレット２７１を通過させてもよい。
　金属カバー７５１１の中心軸は、ノズル本体部２６２ａの中心軸と略一致してもよい。
　金属カバー７５１１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６と同様に、グランドに接地されてもよい。金属カバー７５１１の電位は、チャンバ２及びターゲット供給部２６と同様に、接地電位であり得る。

　第１絶縁ホルダ７５１２は、加速電極部７５３を金属カバー７５１１内に収容するように保持してもよい。
　第１絶縁ホルダ７５１２は、底面が開放された中空の略円筒形状に形成されてもよい。
　第１絶縁ホルダ７５１２は、金属カバー７５１１の内部に配置されてもよい。
　第１絶縁ホルダ７５１２の外周側面は、金属カバー７５１１の内周側面から離間してもよい。
　第１絶縁ホルダ７５１２の中心軸は、金属カバー７５１１の中心軸と略一致してもよい。
　第１絶縁ホルダ７５１２の一端面は、貫通孔７５１１ｂが形成された金属カバー７５１１の底面部の内表面に固定されてもよい。
　第１絶縁ホルダ７５１２の他端面には、加速電極部７５３のプラズマ生成領域２５側の外表面が固定されてもよい。
　第１絶縁ホルダ７５１２は、電気絶縁性を有する材料を用いて形成されてもよく、金属カバー７５１１と加速電極部７５３との間を絶縁し得る。

　第２絶縁ホルダ７５１３は、引出電極７５２を金属カバー７５１１内に収容するように保持してもよい。
　第２絶縁ホルダ７５１３は、底面が開放された中空の略円筒形状に形成されてもよい。第２絶縁ホルダ７５１３の外径は、第１絶縁ホルダ７５１２の外径と略同一であってもよい。
　第２絶縁ホルダ７５１３は、金属カバー７５１１の内部に配置されてもよい。
　第２絶縁ホルダ７５１３の外周側面は、金属カバー７５１１の内周側面から離間してもよい。
　第２絶縁ホルダ７５１３の中心軸は、金属カバー７５１１の中心軸と略一致してもよい。
　第２絶縁ホルダ７５１３の一端面は、第１絶縁ホルダ７５１２に固定された加速電極部７５３のターゲット供給部２６側の表面に固定されてもよい。
　第２絶縁ホルダ７５１３の他端面には、引出電極７５２のプラズマ生成領域２５側の外表面が固定されてもよい。
　第２絶縁ホルダ７５１３は、電気絶縁性を有する材料を用いて形成されてもよく、引出電極７５２と加速電極部７５３との間を絶縁し得る。第２絶縁ホルダ７５１３は、金属カバー７５１１と引出電極７５２との間を絶縁し得る。

　引出電極７５２は、図３に示された引出電極７３２と同様に構成されてもよい。
　すなわち、引出電極７５２は、ターゲット軌道２７２上に、ノズル出力部２６２ｂの突出部２６２ｃと間隔をあけて当該突出部２６２ｃに対向して配置されてもよい。
　引出電極７５２は、略円板形状に形成され、その中央部分には、図２に示された貫通孔７３２ａの同様の貫通孔７５２ａが形成されてもよい。
　また、引出電極７５２の外径は、第２絶縁ホルダ７５１３の外径と略同一であってもよい。

　引出電極７５２は、金属カバー７５１１に設けられたフィードスルー７５９ａ及びチャンバ２の壁２ａに設けられた図示しないフィードスルーを介して、第１電源７５５に接続されてもよい。引出電極７５２には、第１電源７５５によって負の第１電位Ｐ１が印加されてもよい。
　負の第１電位Ｐ１が印加された引出電極７５２は、ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出した接地電位のターゲット２７との間に電位差を生じさせ得る。当該電位差によって、当該引出電極７５２と当該ターゲット２７との間には、静電気力が発生し得る。
　それにより、当該ターゲット２７は、ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から引き出されてドロップレット２７１を形成し、引出電極７５２の貫通孔７５２ａを通過し得る。この際、当該ドロップレット２７１は、正に帯電されてもよい。

　加速電極部７５３は、引出電極７５２によって引き出されたターゲット２７であるドロップレット２７１を加速させる部材であってもよい。具体的には、引出電極７５２の貫通孔７５２ａを通過するドロップレット２７１を加速させる部材であってもよい。
　加速電極部７５３は、ターゲット軌道２７２上に設けられてもよい。
　加速電極部７５３は、中空の略円筒形状に形成されてもよい。加速電極部７５３の外径は、第１絶縁ホルダ７５１２及び第２絶縁ホルダ７５１３の外径と略同一であってもよい。
　加速電極部７５３の中心軸は、ターゲット軌道２７２と略一致してもよい。
　加速電極部７５３の内部には、電荷中和器７５４が配置されてもよい。
　加速電極部７５３は、第１加速電極７５３１と、第２加速電極７５３２と、金属管７５３３とを含んでもよい。

　第１加速電極７５３１は、引出電極７５２のプラズマ生成領域２５側の面に対向して配置されてもよい。
　第１加速電極７５３１は、引出電極７５２との間に第２絶縁ホルダ７５１３を挟むことによって、当該引出電極７５２と間隔をあけて設けられてもよい。
　第１加速電極７５３１は、略円筒形状に形成された加速電極部７５３の引出電極７５２側の底面板を構成してもよい。
　第１加速電極７５３１は、略円板形状に形成されてもよい。略円板形状の第１加速電極７５３１の中央部分には、第１貫通孔７５３１ａが形成されてもよい。第１貫通孔７５３１ａは、引出電極７５２の貫通孔７５２ａを通過したドロップレット２７１を加速電極部７５３の内部に導入する孔であってもよい。第１貫通孔７５３１ａの中心軸は、ターゲット軌道２７２と略一致してもよい。

　第１加速電極７５３１は、金属カバー７５１１に設けられたフィードスルー７５９ｂ及びチャンバ２の壁２ａに設けられた図示しないフィードスルーを介して、第２電源７５６に接続されてもよい。第１加速電極７５３１には、第２電源７５６によって負の第２電位Ｐ２が印加されてもよい。負の第２電位Ｐ２は、第１電源７５５が引出電極７５２に印加する負の第１電位Ｐ１よりも十分に低い電位であってもよい。
　負の第２電位Ｐ２が印加された第１加速電極７５３１は、正に帯電された状態で引出電極７５２の貫通孔７５２ａを通過したドロップレット２７１との間に電位差を生じさせ得る。当該電位差によって、当該第１加速電極７５３１と当該ドロップレット２７１との間には、静電気力が発生し得る。
　それにより、当該ドロップレット２７１は、正に帯電された状態で加速され、第１加速電極７５３１の第１貫通孔７５３１ａに進入し得る。第１貫通孔７５３１ａに進入したドロップレット２７１は、正に帯電された状態で加速電極部７５３の内部に導入され得る。

　金属管７５３３は、第１加速電極７５３１と第２加速電極７５３２とを連結させてもよい。
　金属管７５３３は、略円筒形状に形成された加速電極部７５３の側面部を構成してもよい。
　金属管７５３３は、底面が開放された中空の略円筒形状に形成されてもよい。
　金属管７５３３の第１加速電極７５３１側の端面は、当該第１加速電極７５３１と溶接又はロウ付けによって接合されてもよい。金属管７５３３の第２加速電極７５３２側の端面は、当該第２加速電極７５３２と溶接又はロウ付けによって接合されてもよい。
　金属管７５３３の中心軸は、ターゲット軌道２７２と略一致してもよい。

　金属管７５３３は、第１加速電極７５３１に接合されているため、第１加速電極７５３１と略同電位を有してもよい。第１加速電極７５３１に負の第２電位Ｐ２が印加されると、金属管７５３３においても負の第２電位Ｐ２が印加されてもよい。
　このため、第１加速電極７５３１及び金属管７５３３の間には、電位差が殆ど生じなくなり得る。

　第２加速電極７５３２は、金属カバー７５１１の貫通孔７５１１ｂに対向して配置されてもよい。第２加速電極７５３２は、貫通孔７５１１ｂが形成された金属カバー７５１１の底面部との間に第１絶縁ホルダ７５１２を挟むことによって、当該貫通孔７５１１ｂと間隔をあけて設けられてもよい。
　第２加速電極７５３２は、略円筒形状に形成された加速電極部７５３の貫通孔７５１１ｂ側の底面板を構成してもよい。
　第２加速電極７５３２は、略円板形状に形成されてもよい。略円板形状の第２加速電極７５３２の中央部分には、第２貫通孔７５３２ａが形成されてもよい。第２貫通孔７５３２ａは、第１加速電極７５３１の第１貫通孔７５３１ａから加速電極部７５３の内部に導入されたドロップレット２７１を加速電極部７５３の外部に導出する孔であってもよい。第２貫通孔７５３２ａの中心軸は、ターゲット軌道２７２と略一致してもよい。

　第２加速電極７５３２は、金属管７５３３を介して第１加速電極７５３１に接続されてもよい。第２加速電極７５３２は、第１加速電極７５３１及び金属管７５３３と略同電位を有してもよい。第１加速電極７５３１に負の第２電位Ｐ２が印加されると、第２加速電極７５３２においても負の第２電位Ｐ２が印加されてもよい。
　このため、第１加速電極７５３１、金属管７５３３、及び第２加速電極７５３２のそれぞれの間には、電位差が殆ど生じなくなり得る。よって、第１加速電極７５３１、金属管７５３３、及び第２加速電極７５３２によって囲われた空間は、電位勾配が殆ど無い略同電位な空間となり得る。

　電荷中和器７５４は、加速電極部７５３の内部に配置されてもよい。
　電荷中和器７５４は、正に帯電された状態で加速電極部７５３の内部に導入されたドロップレット２７１を電気的に中性な状態にする機器であってもよい。
　電荷中和器７５４は、フィラメント７５４ａを含んでもよい。

　フィラメント７５４ａは、タングステン等を用いて形成されたコイル状の金属線であってもよい。
　フィラメント７５４ａは、ターゲット軌道２７２を挟んで金属管７５３３の内周側面と対向するように配置されてもよい。
　フィラメント７５４ａの一端は、第１加速電極７５３１及び第２加速電極７５３２の少なくとも１つに接続されてもよい。図３に示されたフィラメント７５４ａの一端は、第１加速電極７５３１に接続されてもよい。
　フィラメント７５４ａの他端は、フィードスルー７５９ｄ、フィードスルー７５９ｃ、及びチャンバ２の壁２ａに設けられた図示しないフィードスルーを介して、フローティング電源７５７に接続されてもよい。フィラメント７５４ａには、フローティング電源７５７によって電流が供給されてもよい。
　電流が供給されたフィラメント７５４ａは、ターゲット軌道２７２に向かって熱電子を放出し得る。当該熱電子は加速電極部７５３内部に拡散し得る。

　第１電源７５５は、引出電極７５２に対して、負の第１電位Ｐ１を印加してもよい。負の第１電位Ｐ１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６が接地されたグランドの接地電位より十分に低い電位であってもよい。負の第１電位Ｐ１の大きさは、例えば数ｋＶであってもよい。
　第１電源７５５の出力端子は、引出電極７５２に接続されてもよい。第１電源７５５の基準電位端子は、グランドに接地されてもよい。
　第１電源７５５は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。第１電源７５５は、ターゲット生成制御部７４からの制御により、引出電極７５２に当該第１電位Ｐ１を印加してもよい。

　第２電源７５６は、加速電極部７５３に対して、負の第２電位Ｐ２を印加してもよい。具体的には、第２電源７５６は、加速電極部７５３の第１加速電極７５３１に対して、負の第２電位Ｐ２を印加してもよい。負の第２電位Ｐ２は、第１電源７５５によって引出電極７５２に印加される負の第１電位Ｐ１よりも十分に低い電位であってもよい。負の第２電位Ｐ２の大きさは、例えば数十ｋＶであってもよい。
　第２電源７５６の出力端子は、加速電極部７５３の何れかの部材に接続されてもよい。図３では、第２電源７５６の出力端子は、第１加速電極７５３１に接続される例を示す。第２電源７５６の基準電位端子は、グランドに接地されてもよい。
　第２電源７５６は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。第２電源７５６は、ターゲット生成制御部７４からの制御により、第１加速電極７５３１に当該第２電位Ｐ２を印加してもよい。

　フローティング電源７５７は、電荷中和器７５４のフィラメント７５４ａに対して電流を供給してもよい。
　フローティング電源７５７の負側の出力端子は、チャンバ２の壁２ａに設けられた図示しないフィードスルー、フィードスルー７５９ｃ、及びフィードスルー７５９ｄを介して、電荷中和器７５４のフィラメント７５４ａの一端に接続されてもよい。当該フィラメント７５４ａの他端は、第２電源７５６によって負の第２電位Ｐ２が印加される第１加速電極７５３１に接続されてもよい。
　フローティング電源７５７の正側の出力端子は、抵抗Ｒを介して、第２電源７５６と第１加速電極７５３１との間の接続ケーブルに接続されてもよい。
　フローティング電源７５７の出力電圧は、第２電源７５６によって第１加速電極７５３１に印加される負の第２電位Ｐ２と接地電位との電位差よりも極めて小さくてもよい。フローティング電源７５７の出力電圧は、例えば数Ｖ～数十Ｖであってもよい。
　それにより、フローティング電源７５７は、負の第２電位Ｐ２を基準として当該出力電圧を発生させ、当該出力電圧と当該抵抗Ｒとによって実質的に定まる電流をフィラメント７５４ａに供給し得る。その結果、ターゲット生成装置７は、その装置構成を、フィラメント７５４ａが熱電子を放出し得る程度の微弱な電流を当該フィラメント７５４ａに供給すれば足りる簡易な構成とし得る。加えて、ターゲット生成装置７は、加速電極部７５３内の空間において、フィラメント７５４ａによって発生する電位勾配は僅かであり得る。このため、ターゲット生成装置７は、加速電極部７５３内の空間を電位勾配の殆ど無い実質的に略同電位の空間とし得る。
　また、フローティング電源７５７は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。フローティング電源７５７は、ターゲット生成制御部７４からの制御により、フィラメント７５４ａに電流を供給してもよい。

　ターゲット生成制御部７４は、第１電源７５５に制御信号を出力して、引出電極７５２に負の第１電位Ｐ１が印加されるよう第１電源７５５の動作を制御してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、第２電源７５６に制御信号を出力して、第１加速電極７５３１に負の第２電位Ｐ２が印加されるよう第２電源７５６の動作を制御してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、フローティング電源７５７に制御信号を出力して、フィラメント７５４ａに電流が供給されるようフローティング電源７５７の動作を制御してもよい。それにより、ターゲット生成制御部７４は、電荷中和器７５４をＯＮにしてもよい。

　ターゲット生成装置７を含む第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

　［６．２　動作］
　図４及び図５を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット生成装置７の動作について説明する。
　図４は、図３に示されたターゲット生成制御部７４におけるターゲット生成に係る処理の概要を説明するためのフローチャートを示す。
　ターゲット生成装置７を含む第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作において、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様の動作については説明を省略する。

　ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット出力信号が入力されたか否かを判定してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、ターゲット出力信号が入力されると、図２に示されたターゲット生成制御部７４と同様に、タンク２６１内の温度が所定の目標温度になるようヒータ７１１の動作を制御してもよい。
　タンク２６１内に収容された金属のターゲット２７は、溶融された状態となり得る。

　続いて、ターゲット生成制御部７４は、図４に示されるように以下のような処理を行ってもよい。

　ステップＳ１において、ターゲット生成制御部７４は、第１電源７５５に制御信号を出力して、引出電極７５２に印加される負の第１電位Ｐ１がＰ１ｔとなるよう第１電源７５５の動作を制御してもよい。
　Ｐ１ｔは、第１電位Ｐ１の目標値であってもよい。Ｐ１ｔは、ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出した接地電位のターゲット２７が引出電極７５２との間の電位差によって引き出されてドロップレット２７１を形成し得るような第１電位Ｐ１であってもよい。
　引出電極７５２は、負の第１電位Ｐ１としてＰ１ｔが印加された状態となり得る。ノズル出力部２６２ｂから引出電極７５２に向かって負の電位勾配が形成され得る。

　また、ターゲット生成制御部７４は、第２電源７５６に制御信号を出力して、加速電極部７５３の第１加速電極７５３１に印加される負の第２電位Ｐ２がＰ２ｔとなるよう第２電源７５６の動作を制御してもよい。
　Ｐ２ｔは、第２電位Ｐ２の目標値であってもよい。Ｐ２ｔは、引出電極７５２によって形成されたドロップレット２７１が所望の進行速度でプラズマ生成領域２５に供給されるように当該ドロップレット２７１を加速させ得るような第２電位Ｐ２であってもよい。Ｐ２ｔは、Ｐ１ｔよりも十分に低い電位であってもよい。
　第１及び第２加速電極７５３１及び７５３２並びに金属管７５３３は、それぞれ負の第２電位Ｐ２としてＰ２ｔが印加された状態となり得る。ノズル出力部２６２ｂから第１加速電極７５３１に向かって負の電位勾配が形成される一方、加速電極部７５３内の空間は実質的に略同電位となり得る。

　更に、ターゲット生成制御部７４は、電荷中和器７５４をＯＮにしてもよい。
　具体的には、ターゲット生成制御部７４は、フローティング電源７５７に制御信号を出力して、電荷中和器７５４のフィラメント７５４ａに電流が供給されるようフローティング電源７５７をＯＮにしてもよい。
　フィラメント７５４ａには、フィラメント７５４ａが熱電子を放出し得る程度の微弱な電流が流れ得る。フィラメント７５４ａは、加速電極部７５３内のターゲット軌道２７２に向かって熱電子を放出し得る。当該熱電子は、加速電極部７５３内部に拡散し、加速電極部７５３内壁において捕集され得る。加速電極部７５３内の電位分布は、フィラメント７５４ａに流れる電流の影響を無視できる程度に実質的に略同電位のままであり得る。

　ステップＳ２において、ターゲット生成制御部７４は、圧力調節器７２１の圧力制御部７２１ｄに制御信号を出力して、タンク２６１内の圧力Ｐｒが所定の目標圧力Ｐｒｔとなるよう圧力調節器７２１の動作を制御してもよい。
　Ｐｒｔは、ターゲット２７がノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出すると共に、引出電極７５２との電位差による静電気力によって当該ノズル孔から分離し、ドロップレット２７１を形成し得るような圧力Ｐｒであってもよい。言い換えると、Ｐｒｔは、ターゲット２７がノズル出力部２６２ｂから静電気力によってドロップレット２７１として出力され得るような圧力Ｐｒであってもよい。更に、Ｐｒｔは、出力されたドロップレット２７１が、所望の大きさ及び出力間隔でプラズマ生成領域２５に供給され得るような圧力Ｐｒであってもよい。

　タンク２６１内の圧力ＰｒがＰｒｔに達すると、タンク２６１内のターゲット２７は、ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出し得る。
　このとき、ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出するターゲット２７の電位は、接地電位であり得る。
　ノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出したターゲット２７には、負の第１電位Ｐ１としてＰ１ｔが印加された引出電極７５２との間に電位差が生じ得る。当該ターゲット２７には、当該電位差によって発生する静電気力が作用し得る。
　当該ターゲット２７は、当該静電気力によって引出電極７５２側に引っ張られ、やがてノズル出力部２６２ｂから分離し得る。
　分離されたターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。この際、ドロップレット２７１は正に帯電してもよい。当該ドロップレット２７１は、ターゲット軌道２７２上を進行し、正に帯電された状態で貫通孔７５２ａを通過し得る。

　正に帯電された状態で引出電極７５２の貫通孔７５２ａを通過した当該ドロップレット２７１は、第１加速電極７５３１に接近し得る。
　第１加速電極７５３１に接近したドロップレット２７１には、負の第２電位Ｐ２としてＰ２ｔが印加された第１加速電極７５３１との間に電位差が生じ得る。当該ドロップレット２７１には、当該電位差によって発生する静電気力が作用し得る。
　当該ドロップレット２７１は、当該静電気力によって第１加速電極７５３１側に引っ張られて加速され、第１加速電極７５３１の第１貫通孔７５３１ａに進入し得る。第１貫通孔７５３１ａに進入したドロップレット２７１は、正に帯電された状態で第１貫通孔７５３１ａを通過し、加速電極部７５３の内部に導入され得る。

　正に帯電された状態で加速電極部７５３の内部に導入された当該ドロップレット２７１は、実質的に略同電位の加速電極部７５３内をターゲット軌道２７２に沿って進行し得る。この際、当該ドロップレット２７１には、電荷中和器７５４のフィラメント７５４ａから放出された熱電子が照射され、電気的に中性な状態になり得る。
　電気的に中性な状態になったドロップレット２７１は、第２加速電極７５３２の第２貫通孔７５３２ａに進入し得る。第２貫通孔７５３２ａに進入したドロップレット２７１は、十分な速度に加速されており電気的に中性な状態のままで第２貫通孔７５３２ａを通過し、加速電極部７５３の外部に導出され得る。

　加速電極部７５３の外部に導出されたドロップレット２７１は、電気的に中性な状態で金属カバー７５１１の貫通孔７５１１ｂを通過し、ターゲット軌道２７２上を進行してプラズマ生成領域２５に供給され得る。

　ステップＳ３において、ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット２７１が安定して出力されているか否かを判定してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ２においてタンク２６１内の圧力Ｐｒが所定の目標圧力Ｐｒｔとなるよう制御してから所定時間経過したことを判定条件として、ドロップレット２７１が安定して出力されているか否かを判定してもよい。或いは、ターゲット生成制御部７４は、ターゲットセンサ４によってドロップレット２７１を画像計測しその進行速度や出力間隔が安定していることを判定条件として、ドロップレット２７１が安定して出力されているか否かを判定してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット２７１が安定して出力されていなければ、安定して出力されるまで状態を維持して待機してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット２７１が安定して出力されていれば、ステップＳ４に移行してもよい。

　ステップＳ４において、ターゲット生成制御部７４は、レーザ照射ＯＫ信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。ターゲット生成制御部７４は、レーザ照射ＯＫ信号を出力した後もターゲット生成装置７内の各構成要素に対する制御を継続してドロップレット２７１を出力し続けてもよい。
　レーザ照射ＯＫ信号は、ドロップレット２７１が安定して出力されていることによって、プラズマ生成領域２５に供給されたドロップレット２７１に対してパルスレーザ光３３を照射可能であることを通知する信号であってもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ照射ＯＫ信号が入力されると、レーザ装置３にトリガ信号を出力して、レーザ装置３からパルスレーザ光３１を出力させ得る。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、上述のように、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に導かれ、ドロップレット２７１を照射し得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１は、プラズマ化してＥＵＶ光２５１を含む光を放射し得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射され、ＥＵＶ光２５２として中間集光点２９２に集光されて露光装置６に導出され得る。

　ステップＳ５において、ターゲット生成制御部７４は、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット出力停止信号が入力されたか否かを判定してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、ターゲット出力停止信号が入力されていなければ、入力されるまでドロップレット２７１の出力を継続してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、ターゲット出力停止信号が入力されれば、ステップＳ６に移行してもよい。

　ステップＳ６において、ターゲット生成制御部７４は、圧力調節器７２１の圧力制御部７２１ｄに制御信号を出力して、タンク２６１内の圧力Ｐｒが所定の圧力Ｐｒ０となるよう圧力調節器７２１の動作を制御してもよい。
　Ｐｒ０は、ターゲット２７がノズル出力部２６２ｂのノズル孔から突出しない程度の圧力Ｐｒであってもよい。言い換えると、Ｐｒ０は、ドロップレット２７１が静電気力によって出力されないような圧力Ｐｒであってもよい。Ｐｒ０の値は、タンク２６１内の圧力Ｐｒの初期値であってもよい。
　安定して出力されていたドロップレット２７１は、やがて出力が停止し得る。

　ステップＳ７において、ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット２７１の出力が停止しているか否かを判定してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、ステップＳ６においてタンク２６１内の圧力Ｐｒが所定の圧力Ｐｒ０となるよう制御してから所定時間経過したことを判定条件として、ドロップレット２７１の出力が停止したか否かを判定してもよい。或いは、ターゲット生成制御部７４は、ターゲットセンサ４によってドロップレット２７１を画像計測しドロップレット２７１が計測されなくなったことを判定条件として、ドロップレット２７１の出力が停止しているか否かを判定してもよい。
　ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット２７１の出力が停止していなければ停止するまで待機してもよい。一方、ターゲット生成制御部７４は、ドロップレット２７１の出力が停止していれば、ステップＳ８に移行してもよい。

　ステップＳ８において、ターゲット生成制御部７４は、第１電源７５５に制御信号を出力して、引出電極７５２に印加されていた負の第１電位Ｐ１が０となるよう第１電源７５５の動作を制御してもよい。
　引出電極７５２の電位は、チャンバ２及びターゲット供給部２６と略同電位の接地電位となり得る。なお、上述のように、接地電位は０Ｖであってもよい。

　また、ターゲット生成制御部７４は、第２電源７５６に制御信号を出力して、加速電極部７５３に印加されていた負の第２電位Ｐ２が０となるよう第２電源７５６の動作を制御してもよい。
　加速電極部７５３の電位は、チャンバ２及びターゲット供給部２６と略同電位の接地電位となり得る。

　更に、ターゲット生成制御部７４は、電荷中和器７５４をＯＦＦにしてもよい。
　具体的には、ターゲット生成制御部７４は、フローティング電源７５７に制御信号を出力して、電荷中和器７５４のフィラメント７５４ａに電流が供給されないようフローティング電源７５７をＯＦＦにしてもよい。その後、ターゲット生成制御部７４は、本処理を終了してもよい。
　フィラメント７５４ａから放出されていた熱電子は、放出されなくなり得る。

　なお、ステップＳ３までの処理は、ターゲット生成装置７の起動の際に行われる処理であってもよい。ステップＳ４及びＳ５の処理は、ドロップレット２７１が安定して出力されている期間に行われる処理であってもよい。ステップＳ６～Ｓ８の処理は、ターゲット生成装置７の停止の際に行われる処理であってもよい。

　図５は、引出電極７５２及び加速電極部７５３のそれぞれに印加される第１電位Ｐ１及び第２電位Ｐ２の推移と、フローティング電源７５７の動作タイミングと、タンク２６１内の圧力Ｐｒの推移との関係を説明するためのタイムチャートを示す。
　これらの関係は、図４に示された処理によって以下のような関係となり得る。

　ターゲット生成装置７の起動の際、まず、引出電極７５２に印加される第１電位Ｐ１は、０ＶからＰ１ｔに降下し得る。加速電極部７５３に印加される第２電位Ｐ２は、第１電位Ｐ１の降下と略同時に、０ＶからＰ２ｔに降下し得る。
　また、フローティング電源７５７は、引出電極７５２及び加速電極部７５３のそれぞれ印加される第１電位Ｐ１及び第２電位Ｐ２がそれぞれ０Ｖから降下し始めた時点と略同時にＯＮにされ得る。
　一方、タンク２６１内の圧力Ｐｒは、引出電極７５２及び加速電極部７５３のそれぞれ印加される第１電位Ｐ１及び第２電位Ｐ２並びにフローティング電源７５７が安定した後に、Ｐｒ０からＰｒｔに上昇し得る。

　そして、ドロップレット２７１が安定して出力される期間では、引出電極７５２及び加速電極部７５３のそれぞれに印加された第１電位Ｐ１及び第２電位Ｐ２は、Ｐ１ｔ及びＰ２ｔにそれぞれ維持され得る。
　フローティング電源７５７も、ＯＮの状態に維持され得る。
　タンク２６１内の圧力Ｐｒも、Ｐｒｔに維持され得る。

　その後、ターゲット生成装置７の停止の際、まず、タンク２６１内の圧力Ｐｒは、ＰｒｔからＰｒ０に降下し得る。
　一方、引出電極７５２に印加された第１電位Ｐ１は、タンク２６１内の圧力ＰｒがＰｒ０で安定した後に、Ｐ１ｔから０Ｖに上昇し得る。加速電極部７５３に印加された第２電位Ｐ２も、第１電位Ｐ１の上昇と略同時に、Ｐ２ｔから０Ｖに上昇し得る。
　また、フローティング電源７５７は、引出電極７５２及び加速電極部７５３のそれぞれ印加される第１電位Ｐ１及び第２電位Ｐ２がそれぞれＰ１ｔ及びＰ２ｔから上昇し始めた時点と略同時にＯＦＦにされ得る。

　ターゲット生成装置７を含む第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

　［６．３　作用］
　上記構成により、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給部２６がチャンバ２と同様にグランドに接地されているため、ターゲット供給部２６全体をチャンバ２からフローティングして電気的に絶縁しなくてもよい。
　よって、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、複雑な絶縁設計を必要とせず簡易且つコンパクトな装置構成となり得る。
　また、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、引出電極７５２で引き出されたドロップレット２７１が正に帯電し加速電極部７５３によって加速され得る。
　よって、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１の進行速度を高速化することができ、ＥＵＶ光２５２を高繰り返し周波数で出力し得る。
　更に、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、電荷中和器７５４を加速電極部７５３の内部に配置して加速電極部７５３内の空間を実質的に略同電位にし得る。そして、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１において、ドロップレット２７１は、当該電荷中和器７５４によって電気的に中性な状態となってプラズマ生成領域２５に供給され得る。
　よって、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１の進行速度が低下したり、所望のターゲット軌道２７２から外れたりすることを抑制し得る。
　このように、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、簡易な装置構成であってもドロップレット２７１を所望の進行速度でプラズマ生成領域２５に安定して供給し、ＥＵＶ光２５２を安定して生成し得る。

　なお、上述の説明では、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１を安定して出力する期間、引出電極７５２に印加される負の第１電位Ｐ１をＰ１ｔで一定に維持する態様であった。
　しかしながら、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１を安定して出力する期間、当該第１電位Ｐ１をＰ１ｔと０Ｖとの間でパルス状に変化させ、ドロップレット２７１をオンデマンドで出力し得る態様であってもよい。

［７．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるターゲット生成装置］
　図６を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット生成装置７について説明する。
　図６は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット生成装置７の構成を説明するための図を示す。
　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット生成装置７は、図３～図５に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるターゲット生成装置７に対して、電荷中和器７５４に係る構成が異なってもよい。
　具体的には、第２実施形態に係るターゲット生成装置７は、図３に示されたフィラメント７５４ａを含む電荷中和器７５４の代りに、紫外線照射部７５４ｂ及び金属部材７５４ｃを含む電荷中和器７５４を備えてもよい。更に、第２実施形態に係るターゲット生成装置７は、図３に示された抵抗Ｒとフローティング電源７５７と当該フローティング電源７５７及びフィラメント７５４ａ間の接続ケーブルとの代りに、紫外線光源７６１と光ファイバ７６２とを備えてもよい。
　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図３～図５に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

　図６の紫外線光源７６１は、１９３ｎｍ～４００ｎｍの波長範囲を有する紫外線を出力する光源であってもよい。紫外線光源７６１は、レーザ装置、水銀ランプ、又は重水素ランプであってもよい。
　紫外線光源７６１は、ターゲット生成制御部７４に接続されてもよい。紫外線光源７６１は、ターゲット生成制御部７４からの制御により、紫外線を出力してもよい。

　図６の光ファイバ７６２は、紫外線光源７６１から出力された紫外線を伝送する光ファイバであってもよい。
　光ファイバ７６２は、例えば合成石英を用いて構成されてもよい。
　光ファイバ７６２は、電荷中和器７５４に含まれる紫外線照射部７５４ｂと紫外線光源７６１とを光学的に連結してもよい。紫外線光源７６１から延びた光ファイバ７６２は、チャンバ２の壁２ａに設けられた図示しないフィードスルー、フィードスルー７５９ｃ、及びフィードスルー７５９ｄを介して、紫外線照射部７５４ｂに接続されてもよい。

　図６の電荷中和器７５４は、光電効果を利用した電荷中和器であってもよい。
　電荷中和器７５４は、図３に示された電荷中和器７５４と同様に、加速電極部７５３の内部に配置されてもよい。
　電荷中和器７５４は、上述のように、紫外線照射部７５４ｂと、金属部材７５４ｃとを含んでもよい。
　紫外線照射部７５４ｂ及び金属部材７５４ｃは、ターゲット軌道２７２を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。

　紫外線照射部７５４ｂは、紫外線光源７６１から延びる光ファイバ７６２の先端に設けられてもよい。
　紫外線照射部７５４ｂは、紫外線光源７６１から出力された紫外線を加速電極部７５３内の金属部材７５４ｃに照射するスリーブであってもよい。

　金属部材７５４ｃは、紫外線照射部７５４ｂによって紫外線が照射されると光電効果によって電子を放出する金属板を含んでもよい。
　金属部材７５４ｃの金属板は、紫外線を照射される面が紫外線照射部７５４ｂに露出して対向するよう配置されてもよい。
　金属部材７５４ｃの金属板は、紫外線照射部７５４ｂによって照射される紫外線のエネルギ以下の仕事関数を有する金属材料を用いて形成されてもよい。当該金属材料は、例えば、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）であってもよい。紫外線照射部７５４ｂによって照射される紫外線の波長が３０３ｎｍ以下である場合、当該金属材料はＰｔであってもよい。紫外線照射部７５４ｂによって照射される紫外線の波長が２７３ｎｍ以下である場合、当該金属材料はＷであってもよい。紫外線照射部７５４ｂによって照射される紫外線の波長が３０５ｎｍ以下である場合、当該金属材料はＮｉであってもよい。

　金属部材７５４ｃは、第１加速電極７５３１、金属管７５３３、及び第２加速電極７５３２の少なくとも１つに接続されてもよい。図６に示された金属部材７５４ｃは、第１加速電極７５３１に電気的に接続されてもよい。金属部材７５４ｃは、第１加速電極７５３１と略同電位を有してもよい。第１加速電極７５３１に負の第２電位Ｐ２が印加されると、金属部材７５４ｃにおいても負の第２電位Ｐ２が印加されてもよい。
　このため、第１加速電極７５３１、第２加速電極７５３２、及び金属管７５３３と、金属部材７５４ｃとの間には、電位差が殆ど生じなくなり得る。よって、加速電極部７５３及び金属部材７５４ｃの間の空間は、電位勾配が殆ど無い略同電位の空間となり得る。

　ターゲット生成制御部７４は、紫外線光源７６１に制御信号を出力して、紫外線照射部７５４ｂから金属部材７５４ｃに紫外線が照射されるよう紫外線光源７６１の動作を制御してもよい。それにより、ターゲット生成制御部７４は、電荷中和器７５４をＯＮにしてもよい。

　具体的には、ターゲット生成制御部７４は、電荷中和器７５４をＯＮにする場合、紫外線光源７６１に制御信号を出力して、紫外線照射部７５４ｂから金属部材７５４ｃに紫外線が照射されるよう紫外線光源７６１から紫外線を出力させてもよい。
　紫外線光源７６１から出力された紫外線は、光ファイバ７６２を介して紫外線照射部７５４ｂから放射され得る。紫外線照射部７５４ｂから放射された紫外線は、金属部材７５４ｃを照射し得る。紫外線が照射された金属部材７５４ｃは、光電効果によって電子を放出し得る。当該電子は加速電極部７５３内に拡散し得る。加速電極部７５３内の空間の電位は、第１加速電極７５３１及び金属部材７５４ｃが略同電位であるため、電位勾配が殆ど無い実質的に略同電位な空間のままであり得る。
　よって、正に帯電された状態で加速電極部７５３の内部に導入されたドロップレット２７１は、所望のターゲット軌道２７２から外れたり減速したりせずに電気的に中性な状態になって、加速電極部７５３の外部に導出され得る。

　ターゲット生成装置７を含む第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成及び動作については、図３～図５に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

　上記構成によって、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態と同様の効果に加え、電荷中和器７５４内部の電位勾配を更に低減し得る。
　このため、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１の進行速度が低下したり、所望のターゲット軌道２７２から外れたりすることを更に抑制し得る。
　このように、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１においても、簡易な装置構成であってもドロップレット２７１を所望の進行速度でプラズマ生成領域２５に安定して供給し、ＥＵＶ光２５２を安定して生成し得る。

［８．その他］
　［８．１　各制御部のハードウェア環境］
　当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

　図７は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図７の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。

　処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

　図７におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

　動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、露光装置制御部、ＥＵＶ光生成制御部５、圧力制御部７２１ｄ、及びターゲット生成制御部７４等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、レーザ光進行方向制御部３４、圧力調節器７２１、第１～第４電源７３５～７３８、第１及び第２電源７５５及び７５６、フローティング電源７５７、並びに紫外線光源７６１等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサ、圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、及び圧力センサ７２１ａ等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

　ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

　例示的なハードウェア環境１００は、本開示における露光装置制御部、ＥＵＶ光生成制御部５、圧力制御部７２１ｄ、及びターゲット生成制御部７４等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部、ＥＵＶ光生成制御部５、圧力制御部７２１ｄ、及びターゲット生成制御部７４等は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

　［８．２　その他の変形例］
　金属管７５３３は、金属線を網状に編み込むことによって形成されてもよい。すなわち、金属管７５３３の構成は、加速電極部７５３内の空間が実質的に略同電位となれば、特に限定されない。
　ＥＵＶ光生成制御部５及びターゲット生成制御部７４は、その一部又は全部を組み合わせて一体の制御部として構成されてもよい。

　上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

　１　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成装置
　２　　　　　　　　　…チャンバ
　２６　　　　　　　　…ターゲット供給部
　２７　　　　　　　　…ターゲット
　２５２　　　　　　　…ＥＵＶ光
　７５２　　　　　　　…引出電極
　７５３　　　　　　　…加速電極部
　７５３１　　　　　　…第１加速電極
　７５３１ａ　　　　　…第１貫通孔
　７５３２　　　　　　…第２加速電極
　７５３２ａ　　　　　…第２貫通孔
　７５４　　　　　　　…電荷中和器
　７５４ａ　　　　　　…フィラメント
　７５４ｂ　　　　　　…紫外線照射部
　７５４ｃ　　　　　　…金属部材
　７５５　　　　　　　…第１電源
　７５６　　　　　　　…第２電源
　７５７　　　　　　　…フローティング電源

Claims

　グランドに接地され、内部に供給された金属のターゲットにレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、
　前記グランドに接地されていると共に前記チャンバに固定され、前記チャンバ内に供給する前記ターゲットをノズルから出力するターゲット供給部と、
　前記ノズルのターゲット出力側に配置され、負の第１電位を印加することで前記ターゲットに静電気力を加える引出電極と、
　前記引出電極に前記第１電位を印加する第１電源と、
　前記引出電極によって引き出された前記ターゲットが通過する位置に配置され、前記第１電位よりも低い負の第２電位を印加することで前記ターゲットを加速させる加速電極部と、
　前記加速電極部に前記第２電位を印加する第２電源と、
　前記加速電極部の内部に配置され、前記ターゲットに電子を放出する電荷中和器と、
　を備える極端紫外光生成装置。
　前記加速電極部は、
　　前記引出電極によって引き出された前記ターゲットを内部に導入する第１貫通孔が設けられた第１加速電極と、
　　前記第１貫通孔から導入された前記ターゲットを外部に導出する第２貫通孔が設けられた第２加速電極と、
　を含み、
　前記第１加速電極及び前記第２加速電極には、前記第２電位が印加されており、
　前記電荷中和器は、前記第１加速電極と前記第２加速電極との間に配置されている
　請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
　前記電荷中和器は、フィラメントを含み、
　前記フィラメントの一端は、前記第１加速電極及び前記第２加速電極の少なくとも一方に接続され、
　前記フィラメントの他端は、前記第２電源と接続されたフローティング電源に接続されている
　請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
　前記電荷中和器は、
　　前記第１加速電極及び前記第２加速電極の少なくとも１つに接続された金属部材と、
　　前記金属部材に紫外線を照射する紫外線照射部と、
　を含む請求項２に記載の極端紫外光生成装置。