JP2012216586A - 異方性磁石の成形方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁粉を含む原料粉末を金型に充填し、磁場中で加圧して成形体を作製する第1工程と、成形体及び金型に磁場を印加して成形体及び金型を脱磁する第2工程と、を有し、金型の開口の幅をx(mm)、第1工程において原料粉末を充填するときの前記金型の残留磁化をβ(G)、第2工程における印加する磁場の強さをγ(G)、下記式(1)によって算出される値をXとしたときに、下記式(2)を満たす、異方性磁石の成形方法を提供する。
X=γx/β2 (1)
X≧0.5 (2)
【選択図】なし
Description
X=γx/β2 (1)
X≧0.5 (2)
X=γx/β2 (1)
X≧0.5 (2)
<準備工程>
ストリップキャスト法によって、主成分としてNd2Fe14Bを含有する、下記組成を有する合金を調製した。
B : 1.1質量%
Ga: 0.35質量%
Nb: 0.30質量%
Cu: 0.03質量%
Fe及び不可避不純物:残部
混合粉末を、図1及び図2に示すような金型10の幅xが1mmを有する開口14からキャビティ12内に充填した。充填は、フィーダーを用い、開口14に向けて混合粉末をその自重により自然落下させることによって行った。これによって、金型10のキャビティ12内に所定量の混合粉末を充填した。
充填した後、金型10に対し配向磁界20000Gの条件で磁場を印加しながら、成形圧力500MPaで3秒間加圧する磁場中成形を行った。これによって、所定の方向に配向した磁粉を含む所定形状の成形体を作製した。
金型10のキャビティ12内に成形体を作製した後、成形体をキャビティ12内に保持したままの状態で、金型10及び成形体に成形工程とは逆の磁界(5000G)を0.5秒間印加して、金型10及び成形体の脱磁を行った。脱磁後の金型10の残留磁化βは、ガウスメーターを用いて表面磁束を測定することによって求めた。測定結果は表1に示す通りであった。
金型10及び成形体の脱磁を行った後、金型10のキャビティ12から四角柱状の成形体を取り出した。この成形体は、図6(a)に示す異方性磁石200と同様の形状を有していた。
成形体を取り出した金型10に、第1脱磁工程とは逆の磁界(2000G)を0.5秒間印加して、金型10の脱磁を行った。脱磁後の金型10の残留磁化βは、ガウスメーターを用いて表面磁束を測定することによって求めた。測定結果は表1に示す通りであった。
第2脱磁工程で脱磁した金型10に、第1充填工程と同様にして金型10のキャビティ12に開口14から、混合粉末を充填して充填量を測定した。目標充填量に対する、実際の充填量の体積比率(磁粉充填率)を求めた。結果は表1に示す通りであった。
第1脱磁工程における磁界強度を調整して、第1脱磁工程後の金型の残留磁化βを表1に示す値に変更したこと以外は、製造例1と同様にして、各工程を行って異方性磁石を成形した。
105μm以下の粒径を有する磁粉を用いたこと以外は、製造例1と同様にして、異方性磁石の成形及び第2充填工程を行った。磁粉充填率の結果は、表1に示すとおりであった。
開口14の幅xが1mmの金型10に代えて、開口14の幅xが3mmの金型10を用いたこと以外は、製造例1と同様にして、異方性磁石の成形及び第2充填工程を行った。磁粉充填率の結果は、表1に示すとおりであった。
開口14の幅xが1mmの金型10に代えて、開口14の幅xが0.5mmの金型10を用いたことと、印加する磁場の強さγを表1に示す値に変更したこと以外は、製造例1と同様にして、各工程を行って異方性磁石を成形した。磁粉充填率の結果は、表1に示すとおりであった。
原料をSmFeN系の磁粉を用いたこと以外は、製造例1と同様にして、各工程及び異方性磁石の成形を行った。磁粉充填率の結果は、表1に示すとおりであった。SmFeN系の磁粉としては、以下の手順で得られた混合粉末を用いた。まず、ストリップキャスト法によって作製したSm−Zr−Co−Fe系合金を機械粉砕した後、Ar雰囲気中において700℃で1時間の熱処理を施し、続いて大気圧の窒素フロー雰囲気中において400℃で20時間の窒化処理を施し、平均粒径60μmの希土類窒化磁石粉末を得た。この磁石粉末の原子百分率で表した組成は7.1Sm−2.8Zr−4.3Co−15.0N−70.8Feであった。この磁石粉末にビスフェノール型エポキシ樹脂粉末を混合した。混合物中の樹脂粉末量は2.5重量%であった。この磁粉全量に対し、ステアリン酸亜鉛を0.1質量%添加して、磁粉とステアリン酸亜鉛とを混合して混合粉末を得た。
開口14の幅xが1mmの金型10に代えて、開口14の幅xが5mmの金型10を用いたこと、印加磁場の強度を20000から18000に変えたこと、原料をNdFeB系の磁粉を用いたこと以外は、製造例1と同様にして、各工程を行って異方性磁石を成形した。磁粉充填率の結果は、表1に示すとおりであった。NdFeB系の磁粉としては、以下の手順で得られた微粉末を用いた。原子百分率で表した組成が14.7Nd−77.6Fe−1.6Co−6.1Bである鋳塊を粉末冶金法により作製し、これを粗粉砕した後、粉砕助剤としてステアリン酸亜鉛を0.1%添加し、不活性ガスによるジェットミル粉砕を行って、平均粒径約4μmの微粉末を得た。
Claims (3)
- 磁粉を含む原料粉末を金型に充填し、磁場中で加圧して成形体を作製する第1工程と、
前記成形体及び前記金型に磁場を印加して前記成形体及び前記金型を脱磁する第2工程と、を有し、
前記金型の開口の幅をx(mm)、
前記第1工程において前記原料粉末を充填するときの前記金型の残留磁化をβ(G)、
前記第2工程における前記印加する磁場の強さをγ(G)、
下記式(1)によって算出される値をXとしたときに、下記式(2)を満たす、異方性磁石の成形方法。
X=γx/β2 (1)
X≧0.5 (2) - 前記磁粉が、希土類異方性磁粉である、請求項1に記載の異方性磁石の成形方法。
- 前記第2工程の後、前記成形体を前記金型から取り出した後に、前記金型に磁場を印加して脱磁し、前記金型の残留磁化を低減する第3工程と、を更に有する、請求項1又は2に記載の異方性磁石の成形方法。
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JP2011079304A JP2012216586A (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 異方性磁石の成形方法 |
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JP (1) | JP2012216586A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9961755B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-05-01 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0935977A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 異方性焼結磁石の製造方法 |
JP2006097091A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Tdk Corp | 成形装置及び成形方法 |
JP2012079822A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Tdk Corp | 希土類異方性磁石の製造方法 |
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2011
- 2011-03-31 JP JP2011079304A patent/JP2012216586A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0935977A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 異方性焼結磁石の製造方法 |
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US9961755B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-05-01 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
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