JP2014102981A - ターゲット供給装置 - Google Patents
ターゲット供給装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014102981A JP2014102981A JP2012254187A JP2012254187A JP2014102981A JP 2014102981 A JP2014102981 A JP 2014102981A JP 2012254187 A JP2012254187 A JP 2012254187A JP 2012254187 A JP2012254187 A JP 2012254187A JP 2014102981 A JP2014102981 A JP 2014102981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- nozzle
- droplet
- hole
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 28
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 48
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 12
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】ターゲット供給装置は、ノズルを備えたタンクと、第1貫通孔が設けられ、前記第1貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第1電極と、第2貫通孔が設けられた本体部、および、前記第2貫通孔の周縁から前記ノズルに近づく方向に延びる筒状に形成された捕集部を備え、前記第2貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第2電極と、前記タンク内部に設置された第3電極と、前記第2電極を加熱する加熱部と、を備えてもよい。
【選択図】図3
Description
1.概要
2.EUV光生成装置の全体説明
2.1 構成
2.2 動作
3.ターゲット供給装置を含むEUV光生成装置
3.1 用語の説明
3.2 第1実施形態
3.2.1 概略
3.2.2 構成
3.2.3 動作
3.3 第2実施形態
3.3.1 概略
3.3.2 構成
3.3.3 動作
3.4 第3実施形態
3.4.1 構成
3.4.2 動作
3.5 変形例
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、ノズルを備えたタンクと、第1貫通孔が設けられ、前記第1貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第1電極と、第2貫通孔が設けられた本体部、および、前記第2貫通孔の周縁から前記ノズルに近づく方向に延びる筒状に形成された捕集部を備え、前記第2貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第2電極と、前記タンク内部に設置された第3電極と、前記第2電極を加熱する加熱部と、を備えてもよい。
2.1 構成
図1は、例示的なLPP方式のEUV光生成装置1の構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。EUV光生成装置1およびレーザ装置3を含むシステムを、以下、EUV光生成システム11と称する。図1を参照に、以下に詳細に説明されるように、EUV光生成装置1は、チャンバ2を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。EUV光生成装置1は、ターゲット供給装置7をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置7は、例えばチャンバ2に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置7から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか2つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過して、チャンバ2に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光光学系22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのドロップレット27に照射されてもよい。
3.1 用語の説明
以下、図2、図3、図4、図5,図6における紙面上方向を+Z方向と表現し、下方向を−Z方向と表現し、上方向と下方向とをZ軸方向と表現する場合がある。同様に、図2、図3、図4、図5,図6における紙面右方向を+X方向と表現し、左方向を−X方向と表現し、右方向と左方向とをX軸方向と表現する場合がある。図7における紙面左斜め上方向を+Z方向と表現し、右斜め下方向を−Z方向と表現し、左斜め上方向と右斜め下方向とをZ軸方向と表現する場合がある。同様に、図7における紙面右斜め上方向を+X方向と表現し、左斜め下方向を−X方向と表現し、右斜め上方向と左斜め下方向とをX軸方向と表現する場合がある。同様に、図2、図3、図4、図5,図6、図7における紙面手前方向を+Y方向と表現し、奥方向を−Y方向と表現し、手前方向と奥方向とをY軸方向と表現する場合がある。なお、これらの表現は、重力方向10Bとの関係を表すものではない。
3.2.1 概略
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置において、ノズルを備えたタンクと、第1貫通孔が設けられ、前記第1貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第1電極と、第2貫通孔が設けられた本体部、および、前記第2貫通孔の周縁から前記ノズルに近づく方向に延びる筒状に形成された捕集部を備え、前記第2貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第2電極と、前記タンク内部に設置された第3電極と、前記第2電極を加熱する加熱部と、を備えてもよい。
図2は、第1実施形態に係るターゲット供給装置を含むEUV光生成装置の構成を概略的に示す。図3は、第1実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
EUV光生成装置1Aは、図2に示すように、チャンバ2と、ターゲット供給装置7Aとを備えてもよい。ターゲット供給装置7Aは、ターゲット生成部70Aと、ターゲット制御装置90Aとを備えてもよい。ターゲット制御装置90Aには、レーザ装置3と、EUV光生成制御システム5Aとが電気的に接続されてもよい。
ターゲット生成器71Aは、内部にターゲット物質270を収容するためのタンク711Aを備えてもよい。タンク711Aは、筒状であってもよい。タンク711Aには、当該タンク711A内のターゲット物質270を、ドロップレット27としてチャンバ2内に出力するためのノズル712Aが設けられていてもよい。ターゲット生成器71Aは、タンク711Aがチャンバ2外部に位置し、ノズル712Aがチャンバ2内部に位置するように設けられてもよい。ノズル712Aの軸は、図3に示すように、ドロップレット27の設定軌道CAと一致してもよい。設定軌道CAは、Z軸方向と一致してもよい。
ノズル本体713Aは、略円筒状に形成されてもよい。ノズル本体713Aは、タンク711Aの下面からチャンバ2内に突出するように設けられてもよい。
出力部714Aは、略円板状に形成されてもよい。出力部714Aの外径は、ノズル本体713Aの外径と略等しくてもよい。出力部714Aは、ノズル本体713Aの先端面に密着するように設けられてもよい。出力部714Aの中央部分には、円錐台状の突出部715Aが設けられてもよい。突出部715Aは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部715Aには、突出部715Aにおける円錐台上面部を構成する先端部の略中央部に開口するノズル孔716Aが設けられてもよい。ノズル孔716Aの直径は、6μm〜15μmであってもよい。
出力部714Aは、出力部714Aとターゲット物質270との接触角が90°以上の材料で構成されるのが好ましい。あるいは、出力部714Aの少なくとも表面が、当該接触角が90°以上の材料でコーティングされてもよい。接触角が90°以上の材料は、SiC、SiO2、Al2O3、モリブデン、タングステンであってもよい。
圧力センサ723Aは、配管725Aに設けられてもよい。圧力センサ723Aは、ターゲット制御装置90Aに電気的に接続されてもよい。圧力センサ723Aは、配管725A内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号をターゲット制御装置90Aに送信してもよい。
第1ヒータ731Aは、タンク711Aの外周面に設けられてもよい。
第1ヒータ電源732Aは、第1温度コントローラ734Aからの信号に基づいて、第1ヒータ731Aに電力を供給して第1ヒータ731Aを発熱させてもよい。それにより、タンク711A内のターゲット物質270が、タンク711Aを介して加熱され得る。
第1温度センサ733Aは、タンク711Aの外周面におけるノズル712A側に設けられてもよいし、タンク711A内に設けられてもよい。第1温度センサ733Aは、タンク711Aにおける主に第1温度センサ733Aの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第1温度コントローラ734Aに送信するよう構成されてもよい。第1温度センサ733Aの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク711A内のターゲット物質270の温度とほぼ同一の温度となり得る。
第1温度コントローラ734Aは、第1温度センサ733Aからの信号に基づいて、ターゲット物質270の温度を所定温度に制御するための信号を第1ヒータ電源732Aに出力するよう構成されてもよい。
第2板状部773Aは、略円板状に形成されてもよい。第2板状部773Aの外径は、第1電極751Aの第1板状部760Aの外径と略等しくてもよい。第2板状部773Aの中央には、円形状の第2貫通孔776Aが形成されてもよい。第2貫通孔776Aの直径は、第1電極751Aの第1貫通孔763Aの直径よりも大きくてもよい。
筒状部774Aは、第2板状部773Aの面方向外側端部の上面から当該面方向と直交する方向(+Z方向)に延びる略円筒状に形成されてもよい。本体部770Aは、第1板状部760Aから所定距離離れた位置で当該第1板状部760Aと対向するように、筒状部774Aが固定部754Aに固定されてもよい。
ここで、先端部777Aの先端を尖らせないで平面状に形成した場合、設定軌道CAから外れたドロップレット27が先端部777Aに付着すると、当該ドロップレット27は、そのまま先端部777A上に残り得る。これに対して、先端部777Aを尖らせることによって、設定軌道CAから外れたドロップレット27が先端部777Aに付着すると、当該ドロップレット27は、捕集部771Aの外周面に沿って流れ、溝部779A内に溜まり得る。
このような固定によって、第1貫通孔763Aの軸は、ノズル712Aの軸と略一致し得る。
このような固定によって、捕集部771Aの軸と第2貫通孔776Aの軸とは、ノズル712Aの軸と略一致し得る。第2電極752Aの第2板状部773Aと第1電極751Aの第1板状部760Aとの距離は、突出部715Aと第1板状部760Aとの距離よりも大きくなり得る。
第2ヒータ電源802Aは、第2温度コントローラ804Aからの信号に基づいて、第2ヒータ801Aを発熱させてもよい。それにより、捕集部771Aの先端部777Aに付着したドロップレット27や、溝部779A内に溜まったターゲット物質271Aが、第2電極752Aを介して加熱され得る。
第2温度センサ803Aは、筒状部774Aの外周面に設けられてもよいし、捕集部771Aの内周面や溝部779A内に設けられてもよい。第2温度センサ803Aには、フィードスルー806Aを介して第2温度コントローラ804Aが電気的に接続されてもよい。第2温度センサ803Aは、第2電極752Aにおける主に第2温度センサ803Aの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第2温度コントローラ804Aに送信するよう構成されてもよい。第2温度センサ803Aの設置位置およびその近傍の位置の温度は、溝部779A内のターゲット物質271Aの温度とほぼ同一の温度となり得る。
第2温度コントローラ804Aは、第2温度センサ803Aからの信号に基づいて、先端部777Aに付着したドロップレット27や溝部779A内に溜まったターゲット物質271Aの温度を所定温度に制御するための信号を第2ヒータ電源802Aに出力するよう構成されてもよい。
図4は、第1〜第3実施形態の課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がドロップレットを出力しているときの状態を示す。
なお、以下において、ターゲット物質270がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置7Aの動作を説明する。
EUV光生成装置のターゲット供給装置は、図4に示すように、第2電極752以外の構成については、第1実施形態のEUV光生成装置1Aと同様のものを適用してもよい。
第2電極752は、第2貫通孔772を有する第2板状部770のみから構成されてもよい。
そして、ターゲット物質270に高電圧を印加した状態において、パルス電圧生成器755Aは、第1電極751Aに印加する電圧を高電圧から低電圧(例えば、45kV)に降下させ、所定時間保持して、再び高電圧に戻してもよい。このとき、第1電極751Aの電圧降下のタイミングに同期して、ターゲット物質270が静電気力によってドロップレット27の形状で引き出され得る。ドロップレット27は、正極に帯電し得る。そして、ドロップレット27は、接地(0kV)された第2電極752によって加速し、第2電極752の第2貫通孔772を通過し得る。第2貫通孔772を通過したドロップレット27は、プラズマ生成領域に到達したときにパルスレーザ光が照射され得る。
この設定軌道CAから中心位置がずれたドロップレット27を第1電極751Aによって引き出すと、ドロップレット27の軌道CA1が設定軌道CAより左側にずれ得る。軌道CA1が設定軌道CAからずれると、ドロップレット27は、静電力によって第2貫通孔772の外縁側に引き寄せられ、第2板状部770上に付着し得る。一旦、ドロップレット27が第2板状部770に付着すると、ターゲット物質が固化し得る。固化したターゲット物質には電界が集中し、次に出力されるドロップレット27を当該固化したターゲット物質に引き寄せる力が発生し得る。この発生した力によってドロップレット27が樹枝状に堆積し、ドロップレット27が第2貫通孔772を通過してターゲット供給装置から出力されなくなり得る。
この図4に示す課題を解決するために、図3に示すように、ターゲット供給装置7Aに捕集部771A、第2温度制御部80Aを設けてもよい。
ノズル712Aからドロップレット27が引き出されたとき、ドロップレット27の軌道が設定軌道CAからZ軸方向と略直交する方向にずれることがあり得る。このドロップレット27は、捕集部771Aの外周面に付着し得る。捕集部771Aがターゲット物質270の融点以上の所定の温度まで加熱されているため、ドロップレット27は、捕集部771Aに付着すると、固化することなく重力によって流れ得る。その結果、ターゲット物質271Aが液体の状態で溝部779A内に溜まり得る。これにより、次に出力されるドロップレット27を捕集部771Aに引き寄せる力の発生が防止され得る。
そして、ドロップレット27が先端面717Aにおける内縁側の円環状の領域の全てに接触すると、ドロップレット27の中心位置が設定軌道CAと略一致し得る。その結果、ドロップレット27は、捕集部771Aと接触せずに第2貫通孔776Aを通過して、ターゲット供給装置7Aから出力され得る。
3.3.1 概略
本開示の第2実施形態のターゲット供給装置において、前記第2電極は、前記本体部における前記捕集部の外側から前記捕集部と同じ方向に延びる筒状に形成され、その延出方向の先端が前記捕集部の延出方向の先端よりも前記ノズルの近くに位置するように設けられた電界緩和部を備えてもよい。
図5は、第2実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
第2実施形態のEUV光生成装置1Dは、図5に示すように、ターゲット供給装置7Dのターゲット生成部70D以外の構成については、第1実施形態のEUV光生成装置1Aと同様のものを適用してもよい。
第2実施形態では、設定出力方向10Aが重力方向10Bと一致するようにチャンバ2が設置されてもよい。
静電引出部75Dは、第1電極751Dと、第2電極752D以外の構成については、第1実施形態の静電引出部75Aと同様のものを適用してもよい。
第2筒状部762Dは、第1板状部760Aの第1面と反対の第2面から、ノズル712Aから離れる方向に延びる略円筒状に形成されてもよい。第2筒状部762Dの軸は、第1筒状部761Dの軸と略一致してもよい。第2筒状部762Dの内径および外径は、第1筒状部761Dの内径および外径とそれぞれ略等しくてもよい。第2筒状部762Dの軸方向の寸法は、第1筒状部761Dの軸方向の寸法よりも大きくてもよい。
なお、第1筒状部761Dおよび第2筒状部762Dのうち少なくとも一方は、第1板状部760Aと別体で構成され、溶接などによって第1板状部760Aと接合されてもよい。
第2板状部773Dは、略円板状に形成されてもよい。第2板状部773Dの外径は、第1電極751Dの第1板状部760Aの外径と略等しくてもよい。
第4筒状部774Dは、第2板状部773Dの面方向内側から当該面方向と直交する方向(図5中下方)に延びる略円筒状に形成されてもよい。
突出部775Dは、第4筒状部774Dの内周面から突出するように設けられてもよい。突出部775Dは、略円環状に形成されてもよい。突出部775Dで囲まれる空間は、第2貫通孔776Dを構成してもよい。第2貫通孔776Dの直径は、第1電極751Dの第1貫通孔763Aの直径よりも大きくてもよい。
第3筒状部772Dの内周面および第4筒状部774Dの内周面と、捕集部771Dの外周面との間には、溝部779Dが形成され得る。溝部779Dには、設定軌道CAから外れたドロップレット27がターゲット物質271Dとして溜まり得る。
このような固定によって、捕集部771Dの軸と第2貫通孔776Dの軸とは、ノズル712Aの軸と略一致し得る。第2筒状部762Dの先端部765Dは、第2板状部773Dから所定距離離れ得る。第2筒状部762Dの先端部765Dは、第3筒状部772Dの先端部778Dより下方(−Z方向)に位置し得る。第2電極752Dの第2板状部773Dと第1電極751Dの第1板状部760Aとの距離は、突出部715Aと第1板状部760Aとの距離よりも大きくなり得る。
第3筒状部772Dの先端部778Dおよび第4筒状部774Dの先端部780Dは、滑らかな曲面状に形成されてもよい。このように、先端部778Dおよび先端部780Dを曲面状に形成することによって、当該各部分に電界が集中することを抑制できる。
また、第3筒状部772Dの先端部778Dは、捕集部771Dの先端部777Dよりもノズル712Aの近くに位置し得る。このように、先端部778Dを先端部777Dよりもノズル712Aの近くに位置させることで、ドロップレット27が先端部777D上に残らないように先端部777Dを尖らせた場合でも、当該先端部777Dに電界が集中することを緩和できる。
第2筒状部762D、捕集部771Dおよび第3筒状部772Dは、第1電極751Dと第2電極752Dとの間におけるドロップレット27の設定軌道CAを囲み得る。第2筒状部762D、捕集部771Dおよび第3筒状部772Dは、本開示の第2囲み部702Dを構成し得る。
なお、捕集部771D、第3筒状部772D、第4筒状部774Dのうち少なくとも1つは、第2板状部773Dと別体で構成され、溶接などによって第2板状部773Dと接合されてもよい。
第2温度センサ803Aは、第4筒状部774Dの外周面に設けられてもよいし、捕集部771Dの内周面や溝部779D内に設けられてもよい。
円環部材805Dは、第2板状部773Dと略等しい略円環状に形成されてもよい。円環部材805Dは、第2板状部773Dとの間に第2ヒータ801Aを挟み込むように設けられてもよい。
図6は、第2,第3実施形態の課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がドロップレットを出力しているときの状態を示す。
以下において、第1実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
図6に示すターゲット供給装置は、図4に示すターゲット供給装置と同様の構成を有してもよい。
このようなターゲット供給装置において、ターゲット物質270がノズル712Aからドロップレット27の形状で引き出されると、正極に帯電したターゲット物質のミスト279が生成され得る。ミスト279の大きさは、ドロップレット27の大きさよりも小さくなり得る。ミスト279は、ノズル712Aと第1電極751Aとの間や第1電極751Aと第2電極752との間において、Z軸方向と略直交する方向に移動し得る。ミスト279は、第1固定部材790Aの内周面や第2固定部材791Aの内周面に付着し得る。第1固定部材790Aの内周面や第2固定部材791Aの内周面にミスト279が付着すると、これらの内周面が正極に帯電し得る。
この帯電によって、ノズル712Aと第1電極751Aとの間の電気絶縁耐圧、および、第1電極751Aと第2電極752との間の少なくともいずれか一方の電気絶縁耐圧が低下し、絶縁破壊を誘発し得る。ドロップレット27の設定軌道CA上での電位分布が変化し、帯電したドロップレット27の出力方向がZ軸方向と略直交する方向に変化し得る。
このような課題を解決するため、図5に示すように、ターゲット供給装置7Dに第1囲み部701Dおよび第2囲み部702Dを設けてもよい。
ドロップレット27の軌道が設定軌道CAからずれた場合、このドロップレット27は、捕集部771Dの外周面に付着し得る。捕集部771Dがターゲット物質270の融点以上の所定の温度まで加熱されているため、ドロップレット27は、捕集部771Dに付着すると、固化することなく重力によって流れ得る。その結果、ターゲット物質271Dが液体の状態で溝部779D内に溜まり得る。これにより、次に出力されるドロップレット27を捕集部771Dに引き寄せる力の発生が防止され得る。
そして、ドロップレット27の中心位置が設定軌道CAと略一致すると、ドロップレット27は、捕集部771Dと接触せずに第2貫通孔776Dを通過して、ターゲット供給装置7Dから出力され得る。
さらに、ターゲット供給装置7Dは、ノズル712Aと第1電極751Dとの間の電気絶縁耐圧、および、第1電極751Dと第2電極752Dとの間の電気絶縁耐圧が低下することを防止し、絶縁破壊の発生を防止し得る。また、帯電したドロップレット27の出力方向の変化を抑制し得る。
3.4.1 構成
図7は、第3実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
第3実施形態のEUV光生成装置1Eは、図7に示すように、ターゲット供給装置7Eのターゲット生成部70E以外の構成については、第1実施形態のEUV光生成装置1Aと同様のものを適用してもよい。
第3実施形態では、設定出力方向10Aが重力方向10Bに対して斜めとなるようにチャンバ2が設置されてもよい。
静電引出部75Eは、第1電極751Eと、第2電極752Eと、固定部754E以外の構成については、第1実施形態の静電引出部75Aと同様のものを適用してもよい。
第1板状部760Eは、略円板状に形成されてもよい。第1板状部760Eの外径は、出力部714Aの外径よりも大きくてもよい。第1板状部760Eの中央には、円形状の第1貫通孔763Eが形成されてもよい。
第1筒状部761Eは、第1板状部760Eの面方向外側の端部から当該面方向と直交する方向に延びる略円筒状に形成されてもよい。
第1筒状部761Eは、第1板状部760Eがノズル712Aから所定距離離れた位置で当該ノズル712Aと対向するように、先端側が固定部754Eの溝に固定されてもよい。
第1貫通孔763Eの縁は、滑らかな曲面状に形成されてもよい。このように、第1貫通孔763Eの縁を曲面状に形成することによって、当該部分に電界が集中することを抑制できる。
第2板状部773Eは、略円板状に形成されてもよい。第2板状部773Eの外径は、第1板状部760Eの外径よりも大きくてもよい。第2板状部773Eの中央には、円形状の第2貫通孔776Eが形成されてもよい。第2貫通孔776Eの内径は、第1電極751Eの第1貫通孔763Eの内径よりも大きくてもよい。
第3筒状部774Eは、第2板状部773Eの面方向内側の端部より若干外側から当該面方向と直交する方向(図7中右斜め下方向)に延びる略円筒状に形成されてもよい。
捕集部771Eは、第2板状部773Eにおける第2貫通孔776Eの周縁から、第2筒状部785Eと同じ方向(+Z方向)に延びる略円錐台筒状に形成されてもよい。捕集部771Eの先端部777Eは、尖っていてもよい。このように先端部777Eを尖らせることによって、先端部777Eは、第2実施形態の先端部777Dと同様の作用効果を奏し得る。
電界緩和部772Eの内周面と、捕集部771Eの外周面との間には、溝部779Eが形成され得る。
電界緩和部772Eの基端には、溝部779E内に流入したドロップレット27を溝部779Eから排出するための貫通孔781Eが設けられてもよい。貫通孔781Eから排出されたドロップレット27は、重力によって第2板状部773Eに沿って流れ、ターゲット物質271Eとして貯留部782Eに溜まり得る。
固定部754Eは、絶縁性の材料によって、略円板状に形成されてもよい。なお、固定部754Eは、略円筒状に形成されてもよい。
固定部754Eには、嵌合孔792Eが設けられてもよい。嵌合孔792Eの直径は、ノズル本体713Aの外径および出力部714Aの外径と略等しくてもよい。固定部754Eの外径は、第1筒状部761Eの外径より大きくてもよい。固定部754Eの外径は、第2筒状部785Eの外径と略等しくてもよい。
このような固定によって、捕集部771Eの軸と第2貫通孔776Eの軸とは、ノズル712Aの軸と略一致し得る。第2電極752Eの第2板状部773Eと第1電極751Eの第1板状部760Eとの距離は、突出部715Aと第1板状部760Eとの距離よりも大きくなり得る。
電界緩和部772Eの先端部778Eおよび第3筒状部774Eの先端部780Eは、滑らかな曲面状に形成されてもよい。このように、先端部778Eおよび先端部780Eを曲面状に形成することによって、当該各部分に電界が集中することを抑制できる。
また、先端部778Eを先端部777Eよりもノズル712Aの近くに位置させることで、先端部777Eを尖らせた場合でも、先端部777Eに電界が集中することを緩和できる。
第2筒状部785E、捕集部771Eおよび電界緩和部772Eは、第1電極751Eと第2電極752Eとの間におけるドロップレット27の設定軌道CAを囲み得る。第2筒状部785E、捕集部771Eおよび電界緩和部772Eは、本開示の第2囲み部702Eを構成し得る。
第2ヒータ電源802Aは、第2温度コントローラ804Aからの信号に基づいて、第2ヒータ801Aおよび第3ヒータ805Eに電力を供給してもよい。それにより、捕集部771Eの先端部777Eに付着したドロップレット27や、貯留部782E内に溜まったターゲット物質271Eが、第2電極752Eを介して加熱され得る。
第2温度センサ803Aは、第2板状部773Eにおける第3筒状部774Eの近傍に設けられてもよい。第2温度センサ803Aは、検出した温度に対応する信号を第2温度コントローラ804Aに送信するよう構成されてもよい。第2温度センサ803Aが検出した温度は、貯留部782E内のターゲット物質271Eの温度とほぼ同一の温度となり得る。
以下において、第1,第2実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
ターゲット供給装置7Eにおいて、第2温度制御部80Eは、第2電極752Eをターゲット物質270の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。ターゲット供給装置7Eは、ターゲット生成器71A内のターゲット物質270をドロップレット27の形状で引き出してもよい。
ドロップレット27の軌道が設定軌道CAからずれた場合、このドロップレット27は、捕集部771Eの外周面に付着し得る。ドロップレット27は、捕集部771Eに付着すると、固化することなく重力によって流れ、溝部779E内に流入し得る。そして、溝部779E内に流入したドロップレット27は、重力によって貫通孔781Eから排出され、液体のターゲット物質271Eとして貯留部782Eに溜まり得る。その結果、次に出力されるドロップレット27を捕集部771Eに引き寄せる力の発生が防止され得る。
ノズル712Aの先端に付着したドロップレット27の中心位置が設定軌道CAと略一致すると、ドロップレット27は、捕集部771Eと接触せずに第2貫通孔776Eを通過して、ターゲット供給装置7Eから出力され得る。
さらに、ターゲット供給装置7Eは、ノズル712Aと第1電極751Eとの間の電気絶縁耐圧、および、第1電極751Eと第2電極752Eとの間の電気絶縁耐圧が低下することを防止し、絶縁破壊の発生を防止し得る。また、帯電したドロップレット27の出力方向の変化を抑制し得る。
なお、ターゲット供給装置としては、以下のような構成としてもよい。
第1実施形態において、第1電極751Aの代わりに、第2実施形態の第1電極751Dを適用してもよい。第2実施形態において、第1電極751Dの代わりに、第1実施形態の第1電極751Aを適用してもよい。
捕集部771A,771D,771Eの先端部777A,777D,777Eを尖らせなくてもよい。
第3筒状部772Dの先端部778D、電界緩和部772Eの先端部778Eを曲面状に形成しなくてもよい。
Claims (2)
- ノズルを備えたタンクと、
第1貫通孔が設けられ、前記第1貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第1電極と、
第2貫通孔が設けられた本体部、および、前記第2貫通孔の周縁から前記ノズルに近づく方向に延びる筒状に形成された捕集部を備え、前記第2貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第2電極と、
前記タンク内部に設置された第3電極と、
前記第2電極を加熱する加熱部と、を備えるターゲット供給装置。 - 請求項1に記載のターゲット供給装置において、
前記第2電極は、前記本体部における前記捕集部の外側から前記捕集部と同じ方向に延びる筒状に形成され、その延出方向の先端が前記捕集部の延出方向の先端よりも前記ノズルの近くに位置するように設けられた電界緩和部を備えるターゲット供給装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012254187A JP6103894B2 (ja) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | ターゲット供給装置 |
US14/083,020 US8921815B2 (en) | 2012-11-20 | 2013-11-18 | Target supply device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012254187A JP6103894B2 (ja) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | ターゲット供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014102981A true JP2014102981A (ja) | 2014-06-05 |
JP6103894B2 JP6103894B2 (ja) | 2017-03-29 |
Family
ID=50727044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012254187A Active JP6103894B2 (ja) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | ターゲット供給装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8921815B2 (ja) |
JP (1) | JP6103894B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016103456A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US10251253B2 (en) | 2015-09-11 | 2019-04-02 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5984132B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2016-09-06 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
JP6182601B2 (ja) | 2012-06-22 | 2017-08-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源及びリソグラフィ装置 |
JP6329623B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-05-23 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、及びターゲット供給方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011216860A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-27 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 |
JP2012212654A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-11-01 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001108799A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | X線発生装置、x線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
US7405416B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
US6738452B2 (en) * | 2002-05-28 | 2004-05-18 | Northrop Grumman Corporation | Gasdynamically-controlled droplets as the target in a laser-plasma extreme ultraviolet light source |
JP4646743B2 (ja) * | 2004-09-08 | 2011-03-09 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5076087B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2012-11-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 |
JPWO2010137625A1 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-11-15 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置 |
JP5662214B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-01-28 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
-
2012
- 2012-11-20 JP JP2012254187A patent/JP6103894B2/ja active Active
-
2013
- 2013-11-18 US US14/083,020 patent/US8921815B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011216860A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-27 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 |
JP2012212654A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-11-01 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016103456A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US9961755B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-05-01 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
US10251253B2 (en) | 2015-09-11 | 2019-04-02 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
US10506697B2 (en) | 2015-09-11 | 2019-12-10 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140138560A1 (en) | 2014-05-22 |
JP6103894B2 (ja) | 2017-03-29 |
US8921815B2 (en) | 2014-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6103894B2 (ja) | ターゲット供給装置 | |
JP6054067B2 (ja) | Euv光生成装置、ターゲット回収装置、および、ターゲット回収方法 | |
JP5921876B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
TWI479955B (zh) | 用以產生電漿極紫外線光之方法及裝置 | |
JP6469577B2 (ja) | 極紫外光源のためのターゲット材料供給装置 | |
TWI382790B (zh) | 具有使用經調變的擾動波而製造之微滴流的雷射生成式電漿超紫外線(euv)光源 | |
JP5511705B2 (ja) | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 | |
JP6283684B2 (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成装置の制御方法 | |
JP5876711B2 (ja) | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 | |
JP5662214B2 (ja) | ターゲット供給装置 | |
JP6077822B2 (ja) | ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法 | |
JP5789443B2 (ja) | ターゲット供給装置、そのノズルのクリーニング機構、および、そのノズルのクリーニング方法 | |
JP5982137B2 (ja) | ターゲット供給装置 | |
JP5901058B2 (ja) | ターゲット供給装置 | |
JP6101451B2 (ja) | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 | |
JP2014102980A (ja) | ターゲット供給装置 | |
JP5881353B2 (ja) | ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置 | |
JP2010146956A (ja) | 極端紫外光源装置 | |
US9125285B2 (en) | Target supply device and EUV light generation chamber | |
JP2014032778A (ja) | ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法 | |
JP2022504135A (ja) | ターゲット材料送達システムの寿命を延長する装置及び方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151006 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20160323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160921 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160923 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6103894 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |