WO2019162994A1 - ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、電子デバイスの製造方法 Download PDF

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temperature
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control unit
target
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岩本　文男
白石　裕
司 堀
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ギガフォトン株式会社
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
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    • G—PHYSICS
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    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • the present disclosure relates to a target supply device, an extreme ultraviolet light generation device, and an electronic device manufacturing method.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • Type devices and SR Synchrotron Radiation
  • a target supply device includes a tank main body that stores a target material, a filter that is connected to the tank main body and filters the melted target material, and a nozzle that discharges the target material that has passed through the filter. And a main heater that heats the tank main body, a sub-heater that heats the communication portion, and a control unit.
  • the control unit sets the main heater to a temperature higher than the melting point of the target material before the target material melts.
  • Set the sub-heater to a temperature lower than the melting point of the target material until the target material in the tank body melts, and set the sub-heater to a temperature higher than the melting point of the target material after the target material in the tank body melts Good.
  • An extreme ultraviolet light generation apparatus includes a chamber in which extreme ultraviolet light is generated by irradiating a target material supplied to an internal space with laser light, and a target supply that supplies the target material into the chamber.
  • a target supply device including a tank main body that stores the target material, a filter that is connected to the tank main body and that filters the melted target material, and a nozzle that discharges the target material that has passed through the filter.
  • a main heater that heats the tank main body, a sub-heater that heats the communication portion, and a control unit. The control unit sets the main heater to a temperature higher than the melting point of the target material before the target material melts.
  • the sub-heater may be set to a temperature above the melting point of the target material after the target material present in the tank body portion is melted.
  • An electronic device manufacturing method includes generating an extreme ultraviolet light using an extreme ultraviolet light generation apparatus, outputting the extreme ultraviolet light to an exposure apparatus, and manufacturing the electronic device in the exposure apparatus.
  • the extreme ultraviolet light is exposed to the top, and the extreme ultraviolet light generation device supplies the target material into the chamber in which extreme ultraviolet light is generated by irradiating the target material supplied to the internal space with laser light.
  • a target supply device including a tank main body portion for storing the target material, a filter connected to the tank main body portion for filtering the melted target material, and a nozzle for discharging the target material that has passed through the filter Including a communication part including a main heater for heating the tank main body part, a sub-heater for heating the communication part, and a control part. Set the main heater to a temperature higher than the melting point of the target material before the target material melts, and set the sub-heater to a temperature lower than the melting point of the target material until the target material in the tank body melts.
  • the sub-heater may be set to a temperature higher than the melting point of the target material after the target material is melted.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of an entire electronic device manufacturing apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of the entire extreme ultraviolet light generation apparatus.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of a target supply device of a comparative example.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a state of a set temperature of the target supply device of the comparative example.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating the operation of the control unit according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a state of a set temperature of the target supply device according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating the operation of the control unit according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a state of a set temperature of the target supply device according to the second embodiment.
  • EUV Extreme UltraViolet
  • the electronic device manufacturing apparatus includes an EUV light generation apparatus 100 and an exposure apparatus 200.
  • the exposure apparatus 200 includes a mask irradiation unit 210 including a plurality of mirrors 211 and 212 and a workpiece irradiation unit 220 including a plurality of mirrors 221 and 222.
  • the mask irradiation unit 210 illuminates the mask pattern of the mask table MT with the EUV light 101 incident from the EUV light generation apparatus 100 via the reflection optical system.
  • the workpiece irradiation unit 220 forms an image of the EUV light 101 reflected by the mask table MT on a workpiece (not shown) disposed on the workpiece table WT via a reflection optical system.
  • the workpiece is a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer coated with a photoresist.
  • the exposure apparatus 200 exposes the workpiece with the EUV light 101 reflecting the mask pattern by moving the mask table MT and the workpiece table WT in parallel in synchronization.
  • a semiconductor device can be manufactured by transferring a device pattern to a semiconductor wafer by the exposure process as described above.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing an overall schematic configuration example of the extreme ultraviolet light generating device of this example.
  • a laser device 30 is connected to the EUV light generation apparatus 100 of the present embodiment.
  • the EUV light generation apparatus 100 includes a chamber 10, a control unit 20, and a laser light delivery optical system 50.
  • the chamber 10 is a container that can be sealed.
  • a sub-chamber 15 is connected to the chamber 10, and a target supply device 40 is provided in the sub-chamber 15.
  • the target supply device 40 includes a tank 41.
  • the target supply device 40 is configured to supply the droplet DL to the internal space of the chamber 10, and is attached so as to penetrate the wall of the sub chamber 15, for example.
  • the droplet DL is also called a target and is supplied from the target supply device 40.
  • the tank 41 stores therein a target material that becomes a droplet DL.
  • the target material may include, but is not limited to, any of tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the inside of the tank 41 communicates with a pressure regulator 43 that adjusts the gas pressure through a pipe.
  • the pressure regulator 43 is connected to the control unit 20.
  • the tank 41 is provided with a main heater 44M and a sub heater 44S.
  • the main heater 44M is heated by the current supplied from the main heater power source 45M, and the sub heater 44S is heated by the current supplied from the sub heater power source 45S.
  • the main heater power supply 45M is connected to the main temperature control unit 46M and controlled by the main temperature control unit 46M.
  • the sub heater power supply 45S is connected to the sub temperature control unit 46S and controlled by the sub temperature control unit 46S.
  • the main temperature control unit 46M and the sub temperature control unit 46S are connected to the control unit 20 and controlled by the control unit 20. By this heating, the target material in the tank 41 is melted.
  • the nozzle 42 is attached to the tank 41 and is a part of the tank 41.
  • the nozzle 42 discharges a target material.
  • a piezo element 49 is attached to the nozzle 42.
  • the piezo element 49 is connected to a piezo power source 49E and is driven by a voltage applied from the piezo power source 49E.
  • the piezo power supply 49E is connected to the control unit 20. By the operation of the piezo element 49, the target material discharged from the nozzle 42 is made into a droplet DL.
  • the chamber 10 is provided with a target recovery unit 14.
  • the target collection unit 14 collects unnecessary droplets DL.
  • At least one through hole is provided in the wall of the chamber 10.
  • the through hole is closed by the window 12, and the pulsed laser light 301 emitted from the laser device 30 is transmitted through the window 12.
  • an EUV collector mirror 11 having a spheroidal reflecting surface is disposed.
  • the EUV collector mirror 11 has first and second focal points.
  • the EUV collector mirror 11 may be arranged such that its first focal point is located in the plasma generation region AR and its second focal point is located in the intermediate focal point IF.
  • a through hole is provided in the central portion of the EUV collector mirror 11, and the pulsed laser beam 301 passes through the through hole.
  • the EUV light generation apparatus 100 includes a connection unit 19 that allows the internal space of the chamber 10 and the internal space of the exposure apparatus 200 to communicate with each other.
  • a wall in which an aperture is formed is provided inside the connecting portion 19. This wall is preferably arranged so that the aperture is located at the second focal position of the EUV collector mirror 11.
  • the EUV light generation apparatus 100 includes a pressure sensor 26.
  • the pressure sensor 26 measures the pressure in the internal space of the chamber 10.
  • the EUV light generation apparatus 100 includes a target sensor 27 attached to the chamber 10.
  • the target sensor 27 has an imaging function, for example, and is configured to detect the presence, locus, position, speed, etc. of the droplet DL.
  • the pressure sensor 26 and the target sensor 27 are connected to the control unit 20.
  • the laser focusing optical system 13 includes a laser beam focusing mirror 13A and a high reflection mirror 13B.
  • the laser beam focusing mirror 13A reflects and focuses the laser beam 301 that passes through the window 12.
  • the high reflection mirror 13B reflects the light collected by the laser beam focusing mirror 13A.
  • the positions of the laser beam focusing mirror 13A and the high reflection mirror 13B are adjusted by the laser beam manipulator 13C so that the laser beam focusing position in the chamber 10 becomes a position designated by the control unit 20.
  • a gas supply unit 63 that supplies an etching gas to the internal space of the chamber 10 is disposed.
  • the gas supply unit 63 is connected to an etching gas supply tank 64 through a pipe.
  • the etching gas is a balance gas having a hydrogen gas concentration of about 3%, for example.
  • the balance gas may include nitrogen (N 2 ) gas or argon (Ar) gas.
  • the gas supply unit 63 is adjusted so that the etching gas supplied into the chamber 10 flows in the vicinity of the reflection surface of the EUV collector mirror 11.
  • tin fine particles and tin ions are generated.
  • the tin fine particles and tin ions react with hydrogen, they become gas stannane (SnH 4 ) at room temperature.
  • a pipe between the gas supply unit 63 and the etching gas supply tank 64 is provided with a flow controller (not shown).
  • the chamber 10 is provided with an exhaust part 61.
  • the exhaust unit 61 is configured to exhaust the residual gas in the chamber 10.
  • the exhaust port of the exhaust part 61 is formed in the walls of the chamber 10 facing each other, for example.
  • the residual gas includes fine particles and charged particles generated by converting the target material into plasma, products obtained by reacting them with the etching gas, and unreacted etching gas. Note that some of the charged particles are neutralized in the chamber 10, and the neutralized charged particles are also included in the residual gas.
  • the exhaust unit 61 is connected to an exhaust unit 62, and the residual gas discarded from the exhaust unit 61 is subjected to a predetermined exhaust process by the exhaust unit 62.
  • at least one of the pair of exhaust portions 61 may be provided with a trap mechanism such as a heater for trapping fine particles.
  • the traveling direction of the laser light 301 emitted from the laser device 30 is adjusted by the laser light delivery optical system 50.
  • the laser light delivery optical system 50 includes a plurality of mirrors 51A and 51B for adjusting the traveling direction of the laser light 301, and the positions of at least some of these mirrors 51A and 51B are adjusted by an actuator (not shown).
  • the laser device 30 includes a master oscillator that is a light source that performs a burst operation.
  • the master oscillator emits a pulsed laser beam 301 when burst is on.
  • the master oscillator is a laser device that emits laser light by exciting a gas in which helium, nitrogen, or the like is mixed with carbon dioxide gas, for example, by discharge.
  • the master oscillator may be a quantum cascade laser device.
  • the master oscillator emits a pulsed laser beam 301 by a Q switch method.
  • the master oscillator may include an optical switch, a polarizer, and the like.
  • the burst operation means an operation in which a continuous pulsed laser beam is emitted at a predetermined repetition frequency when the burst is on, and the emission of the laser beam 301 is suppressed when the burst is off.
  • the control unit 20 is composed of a computer having a CPU (Central Processing Unit) and the like.
  • the control unit 20 is configured to control the entire EUV light generation apparatus 100, and also controls the laser apparatus 30 as will be described later.
  • the control unit 20 includes a signal related to the pressure in the internal space of the chamber 10 measured by the pressure sensor 26, a signal related to the image data of the droplet DL imaged by the target sensor 27, and a burst signal from the exposure apparatus 200. Etc. input.
  • the control unit 20 is configured to process the image data and the like. For example, the control unit 20 is configured to control the timing at which the droplet DL is output, the output direction of the droplet DL, and the like.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls are added as described later.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a target supply device of a comparative example.
  • the tank 41 of the target supply device 40 mainly includes a housing 411, a lid body 412, and the nozzle 42 described above.
  • the housing 411 has a shape in which a large-diameter portion 411L and a small-diameter portion 411S having a smaller diameter than the large-diameter portion 411L are connected.
  • the small diameter part 411S is connected to the lower end of the large diameter part 411L.
  • the upper opening of the large-diameter portion 411L is closed by a lid 412.
  • An opening is formed in the lid body 412, and a pipe connected to the pressure regulator 43 is inserted into the opening.
  • the lower opening of the small diameter portion 411 ⁇ / b> S is blocked by the nozzle 42.
  • a nozzle hole is formed in the nozzle 42.
  • the lid 412 is exposed to the outside of the chamber 10, and the housing 411 and the nozzle 42 are disposed in the space of the chamber 10.
  • casing 411 and the cover body 412 are comprised from molybdenum or tungsten, for example.
  • the tank 41 is divided into a tank main body portion 401 and a communication portion 402 indicated by broken lines in FIG.
  • the tank body 401 is located on the upper side of the tank 41, and the communication part 402 is connected to the tank body 401 and located on the lower side of the tank 41.
  • the tank main body 401 includes a large-diameter portion 411L and a lid body 412 in the housing 411.
  • the communication part 402 includes a small diameter part 411 ⁇ / b> S, a nozzle 42, and a filter 48 in the housing 411. Therefore, the capacity of the communication part 402 is smaller than the capacity of the tank main body part 401.
  • the filter 48 is disposed at the boundary of the communication unit 402 on the tank main body 401 side. The filter 48 filters the melted target material.
  • the nozzle 42 discharges the target material that has passed through the filter 48 from the nozzle hole as described above.
  • the filter 48 is made of a porous material, for example, to collect metal oxides.
  • the filter 48 is provided with innumerable through pores having a diameter of about 3 ⁇ m to 10 ⁇ m, for example.
  • the filter 48 is preferably formed of a material having low reactivity with the target substance.
  • the difference between the linear thermal expansion coefficient of the material constituting the filter 48 and the linear thermal expansion coefficient of the material constituting the housing 411 is preferably smaller than 20% of the linear thermal expansion coefficient of the material constituting the housing 411.
  • the nozzle 42 is preferably made of a material having a contact angle of 90 ° or more between the tip portion and the target substance.
  • examples of the material constituting the tip portion of the nozzle 42 include silicon carbide, silicon oxide, aluminum oxide, molybdenum, tungsten, and the like.
  • the main heater 44M includes a first heater 441 and a second heater 442, and is disposed in the tank body 401.
  • the first heater 441 is disposed on the lid body 412 side of the tank body 401, that is, the upper side of the tank body 401
  • the second heater 442 is disposed on the communication part 402 side of the tank body 401, ie, the tank body. It is arranged on the lower side of the part 401.
  • a first temperature sensor 471 is disposed in the vicinity of the portion of the tank body 401 where the first heater 441 is disposed, and a second temperature sensor 472 is disposed in the vicinity of the portion of the tank body 401 where the second heater 442 is disposed. Is arranged.
  • the main heater power supply 45M includes a first heater power supply 451 and a second heater power supply 452.
  • the first heater 441 is connected to the first heater power supply 451 and is heated by a current applied from the first heater power supply 451.
  • the second heater 442 is connected to the second heater power supply 452 and is heated by a current applied from the second heater power supply 452.
  • the first heater power supply 451 is connected to the first temperature control unit 461, and the current applied to the first heater 441 is controlled by a signal from the first temperature control unit 461.
  • the first temperature control unit 461 is connected to the control unit 20 and the first temperature sensor 471, and a signal from the control unit 20 and the first temperature sensor 471 is a current that the first heater power supply 451 applies to the first heater 441. Control based on.
  • the second heater power supply 452 is connected to the second temperature control unit 462, and the current applied to the second heater 442 is controlled by a signal from the second temperature control unit 462.
  • the second temperature control unit 462 is connected to the control unit 20 and the second temperature sensor 472, and a signal from the control unit 20 and the second temperature sensor 472 indicates a current applied by the second heater power supply 452 to the second heater 442. Control based on.
  • the sub heater 44 ⁇ / b> S includes a third heater 443 and a fourth heater 444, and is disposed in the communication unit 402.
  • the third heater 443 is disposed on the tank body 401 side of the communication portion 402, that is, the upper side of the communication portion 402
  • the fourth heater 444 is disposed on the nozzle 42 side of the communication portion 402, that is, the lower portion of the communication portion 402. Placed on the side.
  • the fourth heater 444 is directly disposed on the nozzle 42 that is a part of the communication portion 402.
  • the third temperature sensor 473 is disposed in the vicinity of the portion where the third heater 443 is disposed in the communication portion 402, and the fourth temperature sensor 474 is disposed in the vicinity of the portion where the fourth heater 444 is disposed in the communication portion 402. Has been. In the present embodiment, the fourth temperature sensor 474 is disposed directly on the nozzle 42.
  • the sub heater power supply 45S includes a third heater power supply 453 and a fourth heater power supply 454.
  • the third heater 443 is connected to the third heater power supply 453, and is heated by the current applied from the third heater power supply 453.
  • the fourth heater 444 is connected to the fourth heater power source 454 and is heated by a current applied from the fourth heater power source 454.
  • the third heater power supply 453 is connected to the third temperature control unit 463, and the current applied to the third heater 443 is controlled by a signal from the third temperature control unit 463.
  • the third temperature control unit 463 is connected to the control unit 20 and the third temperature sensor 473, and a signal from the control unit 20 and the third temperature sensor 473 indicates a current applied by the third heater power source 453 to the third heater 443.
  • the fourth heater power supply 454 is connected to the fourth temperature control unit 464, and the current applied to the fourth heater 444 is controlled by a signal from the fourth temperature control unit 464.
  • the fourth temperature control unit 464 is connected to the control unit 20 and the fourth temperature sensor 474, and a signal from the control unit 20 and the fourth temperature sensor 474 is a current that the fourth heater power supply 454 applies to the fourth heater 444. Control based on.
  • a new target supply device is attached to the chamber 10 at the time of new introduction or maintenance. Thereafter, the atmosphere in the chamber 10 is exhausted.
  • the pressure in the internal space of the chamber 10 after the atmosphere is exhausted is, for example, in the range of 10 Pa to 80 Pa.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a state of a set temperature of the target supply device of the comparative example.
  • the control unit 20 controls each temperature control unit to raise the temperature of each heater at an elapsed time t ⁇ b> 0 that is the start of temperature increase.
  • the elapsed time means the time from the start of temperature increase.
  • the control unit 20 outputs a signal including the temperature TH and the temperature increase rate H11 to the first temperature control unit 461.
  • This speed H11 is a speed at which the set temperature of the first heater 441 at the elapsed time t1 becomes the temperature TH.
  • the first temperature control unit 461 controls the first heater power supply 451 to apply a current from the first heater power supply 451 to the first heater 441 so that the temperature increase rate of the first heater 441 becomes H11.
  • a signal including information related to the temperature of the housing 411 detected by the first temperature sensor 471 is input to the first temperature control unit 461.
  • the first temperature control unit 461 controls the first heater power supply 451
  • the first temperature control unit 461 performs feedback control based on a signal from the first temperature sensor 471 so as to reach the target temperature. Therefore, when the first temperature control unit 461 applies a current from the first heater power supply 451 to the first heater 441, there may be a period in which the current value is zero.
  • the control unit 20 outputs a signal including the temperature TH2 and the temperature increase rate H12 to the second temperature control unit 462.
  • This speed H12 is a speed at which the set temperature of the second heater 442 at the elapsed time t1 becomes the temperature TH2.
  • the second temperature control unit 462 controls the second heater power supply 452 to apply a current from the second heater power supply 452 to the second heater 442 so that the temperature increase rate of the second heater 442 becomes H12.
  • a signal including information related to the temperature of the housing 411 detected by the second temperature sensor 472 is input to the second temperature control unit 462.
  • the second temperature control unit 462 controls the second heater power supply 452
  • the second temperature control unit 462 performs feedback control based on a signal from the second temperature sensor 472 so as to reach the target temperature. Therefore, when the second temperature control unit 462 applies a current from the second heater power supply 452 to the second heater 442, there may be a period in which the current value is zero.
  • the control unit 20 outputs a signal including the temperature TH3 and the temperature increase rate H13 to the third temperature control unit 463.
  • This speed H13 is a speed at which the set temperature of the third heater 443 at the elapsed time t1 becomes the temperature TH3.
  • the third temperature control unit 463 controls the third heater power supply 453 to apply a current from the third heater power supply 453 to the third heater 443 so that the rate of temperature rise of the third heater 443 becomes H13.
  • a signal including information related to the temperature of the housing 411 detected by the third temperature sensor 473 is input to the third temperature control unit 463.
  • the third temperature control unit 463 controls the third heater power supply 453, the third temperature control unit 463 performs feedback control based on the signal from the third temperature sensor 473 so as to reach the target temperature. Therefore, when the third temperature control unit 463 applies a current from the third heater power supply 453 to the third heater 443, there may be a period in which the current value is zero.
  • the control unit 20 outputs a signal including the temperature TH4 and the temperature increase rate H14 to the fourth temperature control unit 464.
  • This speed H14 is a speed at which the set temperature of the fourth heater 444 at the elapsed time t1 becomes the temperature TH4.
  • the fourth temperature control unit 464 controls the fourth heater power supply 454 to apply a current from the fourth heater power supply 454 to the fourth heater 444 so that the temperature increase rate of the fourth heater 444 becomes H14.
  • a signal including information related to the temperature of the housing 411 detected by the fourth temperature sensor 474 is input to the fourth temperature control unit 464.
  • the fourth temperature control unit 464 controls the fourth heater power supply 454, the fourth temperature control unit 464 performs feedback control based on a signal from the fourth temperature sensor 474 so as to reach the target temperature. Therefore, when the fourth temperature control unit 464 applies a current from the fourth heater power supply 454 to the fourth heater 444, there may be a period in which the current value is zero.
  • the set temperature of the first heater 441 becomes the temperature TH.
  • the set temperature of the second heater 442 becomes a temperature TH2 lower than the temperature TH.
  • the set temperature of the third heater 443 becomes a temperature TH3 lower than the temperature TH2.
  • the set temperature of the fourth heater 444 becomes a temperature TH4 lower than the temperature TH3. This temperature TH4 is higher than the melting point Tmp of the target material.
  • the control unit 20 keeps the set temperatures of the first heater 441 to the fourth heater 444 at the temperature TH that is the set temperature at the elapsed time t1. Accordingly, the first temperature control unit 461 sets the set temperature of the first heater 441 to the temperature TH.
  • the second temperature control unit 462 sets the set temperature of the second heater 442 to the temperature TH2
  • the third temperature control unit 463 sets the set temperature of the third heater 443 to the temperature TH3
  • the fourth temperature control unit 464 The set temperature of the fourth heater 444 is set to the temperature TH4.
  • the control unit 20 controls the set temperature of each heater as follows at the elapsed time t2.
  • a period T11 from the elapsed time t1 to the elapsed time t2 is a period until the target material in the tank 41 reaches the set temperature. Since the set temperature of the fourth heater 444 having the lowest set temperature among the four heaters is higher than the melting point Tmp of the target material as described above, the target material is melted at the elapsed time t2.
  • the controller 20 keeps the set temperature of the first heater 441 at the temperature TH that is the set temperature at the elapsed time t2 even at the elapsed time t2. Therefore, the first temperature control unit 461 keeps the set temperature of the first heater 441 at the temperature TH. That is, the first temperature control unit 461 sets the set temperature of the first heater 441 to the temperature TH even when the elapsed time t2 has elapsed from the elapsed time t1.
  • control unit 20 outputs a signal including the temperature TH and the temperature increase rate H22 to the second temperature control unit 462 at the elapsed time t2.
  • This speed H22 is a speed at which the set temperature of the second heater 442 at the elapsed time t3 becomes the temperature TH.
  • the second temperature control unit 462 controls the second heater power supply 452 to apply a current from the second heater power supply 452 to the second heater 442 so that the temperature increase rate of the second heater 442 becomes H22. .
  • control unit 20 outputs a signal including the temperature TH and the temperature increase rate H23 to the third temperature control unit 463 at the elapsed time t2.
  • This speed H23 is a speed at which the set temperature of the third heater 443 at the elapsed time t4 becomes the temperature TH.
  • the third temperature control unit 463 controls the third heater power supply 453 to apply a current from the third heater power supply 453 to the third heater 443 so that the temperature increase rate of the third heater 443 becomes H23. .
  • control unit 20 issues a signal including the temperature TH and the temperature increase rate H24 to the fourth temperature control unit 464 at the elapsed time t2.
  • This speed H24 is a speed at which the set temperature of the fourth heater 444 at the elapsed time t5 becomes the temperature TH.
  • the fourth temperature control unit 464 controls the fourth heater power supply 454 to apply a current from the fourth heater power supply 454 to the fourth heater 444 so that the temperature increase rate of the fourth heater 444 becomes H24. .
  • control unit 20 keeps the set temperature of the second heater 442 at the temperature TH that is the set temperature at the elapsed time t3 at the elapsed time t3. Accordingly, the second temperature control unit 462 keeps the set temperature of the second heater 442 at the temperature TH even after the elapsed time t3.
  • the control unit 20 keeps the set temperature of the third heater 443 at the temperature TH that is the set temperature at the elapsed time t4 at the elapsed time t4. Therefore, the third temperature control unit 463 keeps the set temperature of the third heater 443 at the temperature TH even after the elapsed time t4.
  • the control unit 20 keeps the set temperature of the fourth heater 444 at the temperature TH that is the set temperature at the elapsed time t5 at the elapsed time t5. Therefore, the fourth temperature control unit 464 keeps the set temperature of the fourth heater 444 at the temperature TH even after the elapsed time t5.
  • the first heater 441 to the fourth heater 444 are set to the temperature TH by the elapsed time t5. From the elapsed time t5 to the elapsed time t6, the set temperature of the first heater 441 to the fourth heater 444 is kept at the temperature TH.
  • the control unit 20 outputs a signal including the temperature Top and the temperature drop rate H3 from the first temperature control unit 461 to the fourth temperature control unit 464.
  • This speed H3 is a speed at which the set temperature of the first heater 441 to the fourth heater 444 at the elapsed time t7 becomes the temperature Top.
  • the first temperature control unit 461 controls the first heater power supply 451 to apply a current from the first heater power supply 451 to the first heater 441 so that the temperature lowering speed of the first heater 441 becomes H3.
  • the second temperature control unit 462 controls the second heater power supply 452 to apply a current from the second heater power supply 452 to the second heater 442 so that the rate of temperature decrease of the second heater 442 becomes H3.
  • the third temperature control unit 463 controls the third heater power supply 453 to apply a current from the third heater power supply 453 to the third heater 443 so that the rate of temperature decrease of the third heater 443 becomes H3.
  • the fourth temperature control unit 464 controls the fourth heater power supply 454 to apply a current from the fourth heater power supply 454 to the fourth heater 444 so that the rate of temperature decrease of the fourth heater 444 is H3. . As described above, there may be a period in which the current value is zero when each temperature control unit applies a current from the heater power supply to the heater.
  • the control unit 20 keeps the set temperature of the first heater 441 to the fourth heater 444 at the temperature Top. Accordingly, the first temperature control unit 461 to the fourth temperature control unit 464 keep the set temperature of the subsequent first heater 441 to the fourth heater 444 at the temperature Top.
  • a signal including information on the temperature of the housing 411 detected by the first temperature sensor 471 is input to the first temperature control unit 461, and the first temperature control unit 461 becomes the target temperature.
  • feedback control is performed based on the signal from the first temperature sensor 471.
  • a signal including information related to the temperature of the casing 411 detected by the second temperature sensor 472 is input to the second temperature control unit 462, and the second temperature control unit 462 becomes the target temperature.
  • feedback control is performed based on the signal from the second temperature sensor 472.
  • a signal including information related to the temperature of the casing 411 detected by the third temperature sensor 473 is input to the third temperature control unit 463, and the third temperature control unit 463 becomes the target temperature.
  • feedback control is performed based on the signal from the third temperature sensor 473.
  • a signal including information on the temperature of the housing 411 detected by the fourth temperature sensor 474 is input to the fourth temperature control unit 464, and the fourth temperature control unit 464 becomes the target temperature.
  • feedback control is performed based on the signal from the fourth temperature sensor 474.
  • the control unit 20 controls the pressure regulator 43 by the pressure in the tank 41, and the pressure regulator 43 increases the pressure in the tank 41 to, for example, about 10 MPa. Then, the melted target material passes through the filter 48. At this time, impurities such as oxide in the target material are removed by the filter 48. Thus, the target material is filtered.
  • the target material that has passed through the filter 48 is discharged from the nozzle hole of the nozzle 42 at a predetermined speed.
  • the target material discharged from the hole of the nozzle 42 may take the form of a jet.
  • control unit 20 applies a voltage having a predetermined waveform to the piezo element 49 via the piezo power source 49E in order to generate the droplet DL.
  • the vibration of the piezo element 49 can propagate through the nozzle 42 to the jet of the target material output from the nozzle hole.
  • the jet of the target material is divided at a predetermined period by this vibration, and droplet DL of the droplet is generated from the target material.
  • the target material is supplied from the target supply device 40.
  • the control unit 20 When the target material is supplied and the droplet DL is generated, the control unit 20 outputs a light emission trigger to the laser device 30.
  • a light emission trigger When a light emission trigger is input, the laser device 30 emits a pulsed laser beam 301.
  • the emitted laser beam 301 is incident on the laser focusing optical system 13 via the laser beam delivery optical system 50 and the window 12.
  • the control unit 20 controls the laser beam manipulator 13C of the laser focusing optical system 13 so that the laser beam 301 is focused in the plasma generation region AR.
  • the control unit 20 causes the laser device 30 to emit laser light 301 based on a signal from the target sensor 27 so that the droplet DL is irradiated with the laser light 301. For this reason, the laser beam 301 converged by the laser beam focusing mirror 13A is irradiated to the droplet DL in the plasma generation region AR. Light including EUV light is emitted from the plasma generated by this irradiation.
  • the EUV light 101 is collected at the intermediate focusing point IF by the EUV collector mirror 11 and then incident on the exposure apparatus 200.
  • the residual gas containing unnecessary fine particles in the chamber is exhausted from the exhaust unit 61 and processed by the exhaust device 62.
  • the capacity of the communication part 402 is smaller than the capacity of the tank main body 401 as described above, the communication part 402 is likely to be warmed compared to the tank main body 401. Further, the lid body 412 of the tank main body 401 is in contact with the atmosphere, and heat can easily escape from here. Therefore, even if the set temperature of the heater arranged at the upper part of the tank 41 is increased from the elapsed time t0 to the elapsed time t1 as in the comparative example, the temperature in the tank 41 is close to the communicating part 402 on the lower side of the tank 41. Can warm up from.
  • the target material on the side of the communication portion 402 of the tank 41 can be melted without melting the target material on the lid 412 side of the tank 41. Then, the melted target material is thermally expanded, the unmelted target material becomes a lid, and the melted target material can pass through the filter 48 unnecessarily.
  • the target material can react with oxygen in the communication portion 402 and be oxidized.
  • the target material is already disposed in the communication portion 402
  • the target material that has passed through the filter 48 presses the target material disposed in the communication portion 402, and the target material is unnecessarily discharged from the nozzle 42. there is a possibility.
  • the set temperature of each heater is uniformly Top, and as described above, the temperature of the target material at the upper part of the tank 41 where heat easily escapes is likely to decrease. Undissolved material can occur.
  • a target supply device that can suppress unnecessary oxidation of the target material and unnecessary discharge of the target material is exemplified.
  • Embodiment 1 4.1 Operation of Extreme Ultraviolet Light Generation Device of Embodiment 1
  • symbol is attached
  • the configuration of the extreme ultraviolet light generation device including the target supply device of the present embodiment is the same as the configuration of the extreme ultraviolet light generation device including the target supply device of the comparative example, and thus the extreme ultraviolet light generation device including the target supply device of the present embodiment is included. The description of the configuration of the ultraviolet light generation device is omitted.
  • FIG. 5 is a flowchart showing the operation of the control unit in the present embodiment
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing the state of the set temperature of the target supply device of the present embodiment.
  • the set temperatures of the third heater 443 and the fourth heater 444 are set.
  • the lines shown are listed together. 6 is the same as the elapsed time, the temperature increase, and the high temperature rate described in FIG. 4, even if the elapsed time, the temperature increase and the high temperature rate are the same as those used in the description of FIG. Not exclusively.
  • Step ST0> As shown in FIGS. 5 and 6, the control unit 20 controls each temperature control unit so that each heater is heated at a predetermined speed at the elapsed time t ⁇ b> 0.
  • the control unit 20 outputs a signal including the temperature TH and the temperature increase rate H1 to the first temperature control unit 461.
  • This speed H1 is a speed at which the set temperature of the first heater 441 at the elapsed time t3 becomes the temperature TH.
  • the first temperature control unit 461 controls the first heater power supply 451 to apply a current from the first heater power supply 451 to the first heater 441 so that the temperature increase rate of the first heater 441 becomes H1.
  • the temperature TH is higher than the melting point Tmp of the target material. When the target material is tin, the temperature TH is, for example, 280 ° C. or higher and 320 ° C. or lower.
  • control unit 20 outputs a signal including the temperature TL and the temperature increase rate H1 from the second temperature control unit 462 to the fourth heater 444.
  • This speed H1 is a speed at which the set temperature of the second heater 442 to the fourth heater 444 at the elapsed time t1 becomes the temperature TL.
  • the second temperature control unit 462 controls the second heater power supply 452 to apply a current from the second heater power supply 452 to the second heater 442 so that the temperature increase rate of the second heater 442 becomes H1.
  • the third temperature control unit 463 controls the third heater power supply 453 to apply a current from the third heater power supply 453 to the third heater 443 so that the rate of temperature rise of the third heater 443 becomes H1.
  • the fourth temperature control unit 464 controls the fourth heater power supply 454 to apply a current from the fourth heater power supply 454 to the fourth heater 444 so that the temperature increase rate of the fourth heater 444 becomes H1. Let That is, from the elapsed time t0 to the elapsed time t1, all the heaters are heated at the same speed.
  • the temperature of each heater becomes approximately the temperature TL.
  • This temperature TL is a temperature lower than the melting point Tmp of the target material.
  • the temperature TL is, for example, 200 ° C. or higher and 220 ° C. or lower.
  • the first temperature control unit 461 controls the first heater power supply 451 so that the temperature of the first heater 441 is increased at the speed H1. Further, at the elapsed time t1, the control unit 20 keeps the set temperature of the second heater 442 to the fourth heater 444 at the temperature TL that is the set temperature at the elapsed time t1. Accordingly, the second temperature control unit 462 sets the set temperature of the second heater 442 to the temperature TL, the third temperature control unit 463 sets the set temperature of the third heater 443 to the temperature TL, and the fourth temperature control unit 464 The set temperature of the fourth heater 444 is set to the temperature TL.
  • the temperature of the second heater 442 to the fourth heater 444 may slightly change.
  • the temperature TL may be 210 ° C.
  • the temperature of the second heater 442 to the fourth heater 444 may change by about 5 ° C. with respect to the temperature TL.
  • Step ST2> At the elapsed time t2, the first temperature control unit 461 controls the first heater power supply 451 so that the temperature of the first heater 441 is increased at the speed H1. Further, at the elapsed time t2, the control unit 20 outputs a signal including the temperature TH and the temperature increase rate H2 to the second temperature control unit 462.
  • This speed H2 is a speed at which the set temperature of the second heater 442 at the elapsed time t4 becomes the temperature TH.
  • the second temperature control unit 462 controls the second heater power supply 452 to apply a current from the second heater power supply 452 to the second heater 442 so that the temperature increase rate of the second heater 442 becomes H2. .
  • the period from elapsed time t1 to elapsed time t2 is 10 minutes or more and 30 minutes or less, for example.
  • the third temperature control unit 463 and the fourth temperature control unit 464 keep the set temperatures of the third heater 443 and the fourth heater 444 at the temperature TL.
  • Step ST3> At the elapsed time t3, the control unit 20 keeps the set temperature of the first heater 441 at the temperature TH that is the set temperature at the elapsed time t3. Accordingly, the first temperature control unit 461 sets the set temperature of the first heater 441 to the temperature TH. Note that after the elapsed time t3, the set temperature of the first heater 441 remains at the temperature TH. Therefore, when the target material is tin, the first heater 441 is maintained at, for example, 280 ° C. or more and 320 ° C. or less after the elapsed time t3. The temperature of the first heater 441 is Top1. Therefore, the temperature Top1 is the temperature TH.
  • the temperature Top1 of the first heater 441 after the elapsed time t3 may slightly change.
  • the temperature may change by about 5 ° C. with respect to the temperature TH.
  • the elapsed time t3 is after the elapsed time t2, but the order of the elapsed time t2 and the elapsed time t3 may be switched. That is, the order of step ST2 and step ST3 may be switched.
  • Step ST4> At the elapsed time t4, the control unit 20 keeps the set temperature of the second heater 442 at the temperature TH that is the set temperature at the elapsed time t4. Accordingly, the second temperature control unit 462 sets the set temperature of the second heater 442 to the temperature TH.
  • This elapsed time t4 is a time before the elapsed time tm at which the target material in the tank body 401 is completely melted.
  • the elapsed time tm is a time determined in advance through experiments or the like from the set temperature of the first heater 441 and the second heater 442, the capacity of the tank main body 401, the melting point of the target material, and the like.
  • the control unit 20 sets the first heater 441 and the second heater 442, which are the main heater 44M, to a temperature higher than the melting point Tmp of the target material before the target material melts.
  • the temperature of the second heater 442 may slightly change after the elapsed time t4 has elapsed. For example, the temperature may change by about 5 ° C. with respect to the temperature TH.
  • the set temperatures of the third heater 443 and the fourth heater 444 remain at the temperature TL.
  • Step ST5> At the elapsed time t5, the control unit 20 outputs a signal including the temperature TS and the temperature increase rate H3 to the third temperature control unit 463 and the fourth temperature control unit 464.
  • This speed H3 is a speed at which the set temperature of the third heater 443 and the fourth heater 444 at the elapsed time t6 becomes the temperature TS.
  • the third temperature control unit 463 controls the third heater power supply 453 to apply a current to the third heater power supply 453 so that the temperature increase rate of the third heater 443 becomes H3.
  • the fourth temperature control unit 464 controls the fourth heater power supply 454 to apply a current to the fourth heater power supply 454 so that the rate of temperature rise of the fourth heater 444 becomes H3.
  • the elapsed time t5 is a time later than the elapsed time tm when the target material in the tank body 401 is melted. That is, the control unit 20 sets the third heater 443 and the fourth heater 444, which are the sub heaters 44S, to a temperature TL lower than the melting point of the target material until the target material in the tank body 401 is melted. As described above, since the temperature of the third heater 443 and the fourth heater 444 may change by about 5 ° C. with respect to the temperature TL, the third heater 443 and the fourth heater from the elapsed time t1 to the elapsed time t5. The set temperature of 444 is set as the second temperature range.
  • the elapsed time t1 to the elapsed time t5 are set as the second predetermined period.
  • the control unit 20 sets the third heater 443 and the fourth heater 444, which are the sub-heaters 44S, in the second temperature range lower than the melting point Tmp of the target material, from before the target material melts to after the melt. 2 Hold for a predetermined period.
  • the second temperature range is 200 ° C. or higher and 220 ° C. or lower.
  • the period from elapsed time tm to elapsed time t5 is, for example, not less than 10 minutes and not more than 120 minutes.
  • the elapsed time t5 is later than the elapsed time tm at which the target material in the tank main body 401 is melted, and is a predetermined time from the elapsed time t0 at which the sub heater 44S starts heating. Therefore, the time when the set temperature of the third heater 443 and the fourth heater 444 as the sub-heater 44S is higher than the melting point Tmp of the target material is also previously set after the elapsed time tm when the target material in the tank body 401 is melted. It is a predetermined time. That is, in the present embodiment, the control unit 20 sets the set temperature of the sub-heater 44S to a temperature higher than the melting point Tmp of the target material for a predetermined time after the target material is melted.
  • Step ST6> At the elapsed time t6, the control unit 20 keeps the set temperatures of the third heater 443 and the fourth heater 444 at the temperature TS that is the set temperature at the elapsed time t6. Therefore, the third temperature control unit 463 sets the set temperature of the third heater 443 to the temperature TS, and the fourth temperature control unit 464 sets the set temperature of the fourth heater 444 to the temperature TS.
  • This temperature TS is higher than the melting point Tmp of the target material and lower than the temperature TH.
  • the temperature TS is, for example, 240 ° C. or higher and 270 ° C. or lower.
  • the set temperatures of the third heater 443 and the fourth heater 444 remain at the temperature TS.
  • the temperature of the third heater 443 is Top3, and the temperature of the fourth heater 444 is Top4. Therefore, the temperature Top3 and the temperature Top4 are the temperature TS. Further, the temperature Top3 of the third heater 443 and the temperature Top4 of the fourth heater 444 after the elapsed time t6 may slightly change. For example, the temperature Top3 of the third heater 443 and the temperature Top4 of the fourth heater 444 may change by about 5 ° C. with respect to the temperature TS. In the example of FIG.
  • the temperature Top3 and the temperature Top4 are set to the same temperature, but the control unit 20 may set the temperature Top4 higher than the melting point Tmp of the target material and lower than the temperature Top3. Further, as shown in FIG. 6, at the elapsed time t6, the set temperatures of the first heater 441 and the second heater 442 remain at the temperature TH.
  • Step ST7> the control unit 20 outputs a signal including the temperature Top2 and the temperature decrease rate H4 to the second temperature control unit 462.
  • This speed H4 is a speed at which the set temperature of the second heater 442 at the elapsed time t8 becomes the temperature Top2.
  • the second temperature control unit 462 controls the second heater power supply 452 to apply a current to the second heater power supply 452 so that the rate of temperature decrease of the second heater 442 becomes H4.
  • the second temperature controller 462 applies a current from the second heater power supply 452 to the second heater 442, there may be a period in which the current value is zero.
  • the period from the elapsed time t6 to the elapsed time t7 is preferably, for example, not less than 5 minutes and not more than 60 minutes.
  • the first heater 441 and the second heater 442 may change by about 5 ° C. with respect to the temperature TH, the first heater 441 and the second heater from the elapsed time t4 to the elapsed time t7.
  • the set temperature of 442 is set as the first temperature range. Further, the elapsed time t4 to the elapsed time t7 are set as the first predetermined period.
  • the control unit 20 sets the set temperature of the first heater 441 and the second heater 442, which are the main heaters 44M, in the first temperature range higher than the melting point Tmp of the target material, from before the target material melts to after it melts.
  • the first predetermined period is held.
  • the first temperature range is 280 ° C. or higher and 320 ° C. or lower. Since the second predetermined period is also from before the target material is melted to after it is melted, the first predetermined period and the second predetermined period partially overlap.
  • the control unit 20 keeps the set temperature of the second heater 442 at the temperature Top2, which is the set temperature at the elapsed time t8. Accordingly, the second temperature control unit 462 sets the set temperature of the second heater 442 to the temperature Top2.
  • This temperature Top2 is lower than the temperature Top1 of the first heater 441 and higher than the temperature Top3 of the third heater 443.
  • the temperature Top2 is, for example, 270 ° C. or higher and 310 ° C. or lower.
  • the controller 20 keeps the set temperature of the second heater 442 at the temperature Top2 after the elapsed time t8.
  • the temperature Top2 of the second heater 442 after the elapsed time t8 may slightly change.
  • the temperature Top2 of the second heater 442 may change by about 5 ° C.
  • the control unit 20 keeps the set temperature of the first heater 441 to the fourth heater 444 at the temperature at the elapsed time t8. Therefore, after the elapsed time t8, in this embodiment, the set temperature of the first heater 441 is the temperature Top1, the set temperature of the second heater 442 is the temperature Top2, and the set temperature of the third heater 443 is the temperature Top3.
  • the control unit 20 determines whether the temperature TA1 detected by the first temperature sensor 471 is within a temperature range of 3 ° C. from the temperature Top1. Further, after the elapsed time t8, the control unit 20 determines whether the temperature TA2 detected by the second temperature sensor 472 is within a temperature range of 3 ° C. from the temperature Top2. Further, after the elapsed time t8, the control unit 20 determines whether the temperature TA3 detected by the third temperature sensor 473 is within a temperature range of 3 ° C. from the temperature Top3. Further, after the elapsed time t8, the control unit 20 determines whether the temperature TA4 detected by the fourth temperature sensor 474 is within a temperature range of 3 ° C.
  • the control unit 20 waits until the temperature detected by all the temperature sensors falls within the range of 3 ° C. from the set temperature. And if the temperature which all the temperature sensors detect enters in the range of 3 degreeC from setting temperature, it will progress to step ST10.
  • step ST10 the control unit 20 controls the pressure regulator 43 in the same manner as after the elapsed time t7 of the comparative example. Accordingly, the melted target material passes through the filter 48, and the target material is discharged from the nozzle hole of the nozzle 42, thereby generating a droplet DL.
  • the pulsed laser beam 301 is irradiated onto the droplet DL, and light including EUV light is emitted. Then, EUV light 101 enters the exposure apparatus 200.
  • the control unit 20 sets the main heater 44M to a temperature higher than the melting point Tmp of the target material, and moves the sub-heater 44S to the target material until the target material in the tank body 401 melts.
  • the temperature is set lower than the melting point Tmp. Therefore, even if the target material in the tank main body 401 expands due to melting and the target material remains undissolved on the side opposite to the communication portion 402 side of the tank main body 401, the target material remains in the communication portion 402.
  • the filter 48 cannot be easily passed. For this reason, even when oxygen is present in the communication portion 402, the target material can be prevented from being oxidized by preventing the molten target material from entering the communication portion 402.
  • the sub heater 44S is set to a temperature lower than the melting point Tmp of the target material, thereby suppressing the target material from being unnecessarily discharged from the nozzle 42. obtain.
  • the control unit 20 sets the sub-heater 44S to a temperature higher than the melting point of the target material after the target material in the tank main body 401 is melted, so that the target material is appropriately set after the target material in the tank main body 401 is melted. Can be discharged from the nozzle.
  • the control unit 20 holds the set temperature of the main heater 44M in a first temperature range higher than the melting point Tmp of the target material for a first predetermined period from before the target material melts to after the melt. . Further, the control unit 20 holds the set temperature of the sub-heater 44S in a second temperature range lower than the melting point of the target material for a second predetermined period from before the target material melts to after it melts. Therefore, after the target material in the tank body 401 is sufficiently melted, the set temperature of the third heater 443 and the fourth heater 444 as the sub heater 44S can be set higher than the melting point Tmp of the target material.
  • the control unit 20 sets the set temperatures of the third heater 443 and the fourth heater 444, which are the sub heaters 44S, at a predetermined time after the target material is melted from the melting point Tmp of the target material. Increase the temperature.
  • the control can be simplified rather than determining the time during which the set temperature of the sub-heater 44S is raised while performing the calculation.
  • control unit 20 sets the set temperature of the second heater 442 to a constant temperature from the elapsed time t1 to the elapsed time t2, which is a part of the temperature increase of the first heater 441.
  • the second temperature range is set.
  • a part of the tank body 401 on the side of the communication part 402 and the communication part 402 are disposed in the chamber 10, and another part of the tank body 401 is exposed outside the chamber 10. Yes.
  • the control unit 20 sets the set temperature of the sub heater 44S after the target material in the tank body 401 is melted to a temperature higher than the melting point Tmp of the target material and lower than the set temperature of the main heater 44M.
  • the portion of the tank body 401 that is exposed from the chamber 10 is likely to be lowered in temperature by being exposed to the atmosphere.
  • the communication part 402 since the communication part 402 is located in the chamber 10, the temperature drop is suppressed.
  • the control unit 20 controls the temperature as described above, the temperature of the target material in the tank 41 can be made closer to uniform as compared with the case where the main heater 44M and the sub heater 44S are controlled at the same temperature. Since the communication part 402 in which the decrease in temperature is suppressed is set to a temperature higher than the melting point Tmp of the target material, and the temperature of the target material in the tank 41 can be made closer to the uniform as described above, the target material in the tank body 401 It can be suppressed that the temperature of the lower than the melting point. Accordingly, it is possible to suppress the remaining of the target material from being dissolved in the tank 41.
  • the control unit 20 sets the set temperature of the second heater 442 to the set temperature of the sub heater 44S at the elapsed time t7 after the target material is melted.
  • the temperature is set higher and lower than the set temperature of the first heater 441. Therefore, compared with the case where the first heater 441 and the second heater 442 are controlled to the same temperature after the elapsed time t7, the temperature of the target material in the tank 41 can be made closer to the tank 41, so that It can suppress more that the target substance remains undissolved.
  • the control unit 20 sets the set temperature of the fourth heater 444 higher than the melting point Tmp of the target material and lower than the set temperature of the third heater 443. . Since the third heater 443 is positioned closer to the tank body 401 than the fourth heater 444, the portion of the communication portion 402 that is heated by the third heater 443 is easily affected by the heat from the main heater 44M. Therefore, by controlling the temperature as described above, the temperature of the target material in the communication portion 402 is made closer to the uniform temperature as compared with the case where the set temperature of the fourth heater 444 is higher than the set temperature of the third heater 443. be able to.
  • Embodiment 2 5.1 Operation of Extreme Ultraviolet Light Generation Device of Embodiment 2
  • the configuration of the extreme ultraviolet light generation device of Embodiment 2 will be described.
  • symbol is attached
  • the configuration of the extreme ultraviolet light generation device including the target supply device of the present embodiment is the same as the configuration of the extreme ultraviolet light generation device including the target supply device of the comparative example as in the first embodiment, The description of the configuration of the extreme ultraviolet light generation device including the target supply device is omitted.
  • FIG. 7 is a flowchart showing the operation of the control unit in the present embodiment
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing the set temperature of the target supply apparatus of the present embodiment.
  • the target supply device 40 of the present embodiment is mainly different from the target supply device 40 of the first embodiment in that the temperature control flow of the control unit 20 includes step ST21 and step ST22.
  • Step ST0 to Step ST4 In the target supply device 40 of the present embodiment, the control unit 20 performs steps ST0 to ST4 in the same manner as steps ST0 to ST4 of the first embodiment.
  • step ST21> after the control unit 20 outputs a signal including the temperature TH and the rate of temperature increase H2 to the second temperature control unit 462, the control unit 20 makes the following two determinations. One is whether or not the temperature detected by the third temperature sensor 473 is higher than the melting point Tmp of the target material. The other is whether or not the temperature increase rate of the temperature TA3 detected by the third temperature sensor 473 is faster than a predetermined rate. This predetermined speed is, for example, 0.3 ° C./min. In FIG. 8, the temperature TA3 detected by the third temperature sensor 473 from the elapsed time t2 to the elapsed time t6 is indicated by a thick line.
  • the control unit 20 sets the set temperatures of the third heater 443 and the fourth heater 444 to the temperature TL, and this state continues even after step ST2.
  • the set temperature of the second heater 442 increases at the speed H2, and is higher than the melting point Tmp of the target material.
  • the set temperature of the second heater 442 becomes higher than the melting point Tmp of the target material
  • the heat of the target material heated by the second heater 442 is conducted to the communication part 402, and the temperature of the communication part 402 is higher than the melting point Tmp of the target material. May be higher.
  • the temperature TA3 detected by the third temperature sensor 473 becomes higher than the melting point Tmp.
  • the control unit 20 performs step Proceed to ST5.
  • this timing is indicated by ST21 as an arrow. In the present embodiment, the timing of proceeding to step ST5 may be before step ST4.
  • step ST5 of the first embodiment the control unit 20 causes the third temperature control unit 463 and the fourth temperature control unit 464 to increase the temperature TS and the temperature rise at a predetermined elapsed time t5 after the elapsed time tm when the target material melts.
  • a signal including the temperature rate H3 was issued.
  • the control unit 20 when the temperature TA3 detected by the third temperature sensor 473 is higher than the melting point Tmp of the target material, and the temperature increase rate of the temperature TA3 detected by the third temperature sensor 473 is faster than a predetermined speed, the control unit 20 outputs a signal including the temperature TS and the temperature increase rate H3 to the third temperature control unit 463 and the fourth temperature control unit 464.
  • the third temperature control unit 463 controls the third heater power supply 453 in the same manner as in the first embodiment so that the temperature increase rate of the third heater 443 becomes H3.
  • a current is applied to the third heater power source 453.
  • the fourth temperature control unit 464 controls the fourth heater power source 454 in the same manner as in the first embodiment, and controls the fourth heater power source 454 so that the rate of temperature rise of the fourth heater 444 becomes H3. Apply current. And the control part 20 memorize
  • step ST21 the control unit 20 determines that the temperature detected by the third temperature sensor 473 is higher than the melting point Tmp of the target material, and the temperature increase rate of the temperature detected by the third temperature sensor 473 is a predetermined value. When it is faster than the speed, the process proceeds to step ST5. However, for example, in step ST21, if the temperature detected by the third temperature sensor 473 is higher than the melting point Tmp of the target material, the control unit 20 performs the step regardless of the temperature increase rate of the temperature detected by the third temperature sensor 473. You may proceed to ST5.
  • step ST5 when the temperature detected by the third temperature sensor 473 is higher than the melting point Tmp of the target material and the temperature increase rate of the temperature detected by the third temperature sensor 473 is faster than a predetermined speed, It is preferable to proceed to step ST5 from the viewpoint of suppressing malfunction.
  • Step ST22> the control unit 20 obtains the elapsed time t6 from the elapsed time t5, the temperature TS, and the temperature increase rate H3. Also in this embodiment, the temperature Top3 and the temperature Top4 are the same temperature as the temperature TS.
  • the elapsed time t7 of the present embodiment is a time obtained by adding a predetermined waiting time W to the elapsed time t6 obtained above. This time W is a time until the temperature of the target material is stabilized, for example, 30 minutes.
  • Step ST6 In the target supply device 40 of the present embodiment, the control unit 20 performs step ST6 and step ST7 in the same manner as step ST6 and step ST7 of the first embodiment.
  • the elapsed time t6 and the elapsed time t7 for performing the control in steps ST6 and ST7 can be different from the elapsed time t6 and the elapsed time t7 in the first embodiment.
  • Step ST8> In the target supply device 40 of the present embodiment, the control unit 20 performs step ST8 in the same manner as step ST8 of the first embodiment. However, since the elapsed time t7 for performing the control of step ST7 can be different from the elapsed time t7 of the first embodiment as described above, the elapsed time t8 for performing the control of step ST8 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment. The time may be different from the time t8.
  • Step ST9, Step ST10> In the target supply device 40 of the present embodiment, the control unit 20 performs step ST9 and step ST10 in the same manner as step ST9 and step ST10 of the first embodiment.
  • the pulsed laser beam 301 is irradiated onto the droplet DL, and light including EUV light is emitted, and the EUV light 101 is emitted from the exposure apparatus. 200 is incident.
  • the control unit 20 sets the set temperatures of the third heater 443 and the fourth heater 444, which are the sub-heaters 44S, to be higher than the melting point Tmp of the target material when the temperature of the communication unit 402 is higher than the melting point Tmp of the target material. It may be at temperature. Therefore, the target temperature of the sub-heater 44S can be suppressed to be higher than the melting point Tmp in a state where the target material does not exceed the melting point Tmp and there is an unmelted target material in the tank body 401. Further, according to the present embodiment, the set temperature of the sub-heater 44S can be set higher than the melting point Tmp immediately after the target material in the tank main body 401 is totally melted. Therefore, the operation time until the target material is projected can be shortened.
  • the control part 20 can suppress malfunction by performing control in this way.
  • control unit 20 and the first temperature control unit 461 to the fourth temperature control unit 464 can be integrated. Therefore, as shown in FIG. 3, the control unit 20 ⁇ / b> S including the control unit 20 and the first temperature control unit 461 to the fourth temperature control unit 464 can be understood as the control unit 20 ⁇ / b> S.
  • A, B and C should be interpreted as “A”, “B”, “C”, “A + B”, “A + C”, “B + C”, or “A + B + C”. Furthermore, it should be construed to include combinations of those with other than “A”, “B”, and “C”.

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Abstract

ターゲット供給装置は、ターゲット物質を収容するタンク本体部と、タンク本体部に接続され、溶融したターゲット物質をろ過するフィルタ及びフィルタを通過したターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、タンク本体部を加熱するメインヒータと、連通部を加熱するサブヒータと、制御部と、を備え、制御部は、ターゲット物質が溶融する前からメインヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融するまでサブヒータをターゲット物質の融点より低い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融した後にサブヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定してもよい。

Description

ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、電子デバイスの製造方法
　本開示は、ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ　ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許出願公開第２０１７／０５３７８０号明細書
概要
　本開示の一態様によるターゲット供給装置は、ターゲット物質を収容するタンク本体部と、タンク本体部に接続され、溶融したターゲット物質をろ過するフィルタ及びフィルタを通過したターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、タンク本体部を加熱するメインヒータと、連通部を加熱するサブヒータと、制御部と、を備え、制御部は、ターゲット物質が溶融する前からメインヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融するまでサブヒータをターゲット物質の融点より低い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融した後にサブヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定してもよい。
　本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、内部空間に供給されるターゲット物質にレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、を備え、ターゲット供給装置は、ターゲット物質を収容するタンク本体部と、タンク本体部に接続され、溶融したターゲット物質をろ過するフィルタ及びフィルタを通過したターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、タンク本体部を加熱するメインヒータと、連通部を加熱するサブヒータと、制御部と、を備え、制御部は、ターゲット物質が溶融する前からメインヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融するまでサブヒータをターゲット物質の融点より低い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融した後にサブヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定してもよい。
　本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光し、極端紫外光生成装置は、内部空間に供給されるターゲット物質にレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、を備え、ターゲット供給装置は、ターゲット物質を収容するタンク本体部と、タンク本体部に接続され、溶融したターゲット物質をろ過するフィルタ及びフィルタを通過したターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、タンク本体部を加熱するメインヒータと、連通部を加熱するサブヒータと、制御部と、を備え、制御部は、ターゲット物質が溶融する前からメインヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融するまでサブヒータをターゲット物質の融点より低い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融した後にサブヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定してもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図３は、比較例のターゲット供給装置の概略構成を示す模式図である。 図４は、比較例のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。 図５は、実施形態１における制御部の動作を示すフローチャートである。 図６は、実施形態１のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。 図７は、実施形態２における制御部の動作を示すフローチャートである。 図８は、実施形態２のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。
実施形態
１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
　３．１　比較例の極端紫外光生成装置の構成
　３．２　比較例の極端紫外光生成装置の動作
　３．３　課題
４．実施形態１
　４．１　実施形態１の極端紫外光生成装置の動作
　４．２　作用・効果
５．実施形態２
　５．１　実施形態２の極端紫外光生成装置の動作
　５．２　作用・効果
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
　以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
　本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下本明細書では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
２．電子デバイスの製造装置の説明
　図１に示すように、電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
　３．１　比較例の極端紫外光生成装置の構成
　図２は、本例の極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００には、レーザ装置３０が接続されている。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０、制御部２０、及びレーザ光デリバリ光学系５０を含む。
　チャンバ１０は、密閉可能な容器である。チャンバ１０にはサブチャンバ１５が連設されており、サブチャンバ１５にターゲット供給装置４０が設けられている。ターゲット供給装置４０は、タンク４１を含む。ターゲット供給装置４０は、ドロップレットＤＬをチャンバ１０の内部空間に供給するよう構成され、例えば、サブチャンバ１５の壁を貫通するように取り付けられている。ドロップレットＤＬは、ターゲットとも呼ばれ、ターゲット供給装置４０から供給される。
　タンク４１は、その内部にドロップレットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノンのいずれか、または、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。また、タンク４１の内部は、ガス圧を調整する圧力調節器４３と配管を介して連通している。圧力調節器４３は、制御部２０に接続されている。また、タンク４１にはメインヒータ４４Ｍ及びサブヒータ４４Ｓが取り付けられている。メインヒータ４４Ｍは、メインヒータ電源４５Ｍから供給される電流により加熱され、サブヒータ４４Ｓは、サブヒータ電源４５Ｓから供給される電流により加熱される。メインヒータ電源４５Ｍは、メイン温度制御部４６Ｍに接続されて、メイン温度制御部４６Ｍに制御される。サブヒータ電源４５Ｓは、サブ温度制御部４６Ｓに接続されて、サブ温度制御部４６Ｓに制御される。メイン温度制御部４６Ｍ及びサブ温度制御部４６Ｓは制御部２０に接続されて、制御部２０に制御される。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。
　ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、タンク４１の一部とされる。ノズル４２は、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４９が取り付けられている。ピエゾ素子４９は、ピエゾ電源４９Ｅに接続されており、ピエゾ電源４９Ｅから印加される電圧で駆動する。ピエゾ電源４９Ｅは、制御部２０に接続されている。このピエゾ素子４９の動作により、ノズル４２から吐出されるターゲット物質はドロップレットＤＬにされる。
　また、チャンバ１０には、ターゲット回収部１４が設けられている。ターゲット回収部１４は不要なドロップレットＤＬを回収する。
　また、チャンバ１０の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は、ウィンドウ１２によって塞がれ、ウィンドウ１２をレーザ装置３０から出射されるパルス状のレーザ光３０１が透過する。チャンバ１０の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー１１が配置される。ＥＵＶ集光ミラー１１は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー１１の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ集光ミラー１１は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、その第２の焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー１１の中央部には貫通孔が設けられ、貫通孔を上記のパルス状のレーザ光３０１が通過する。
　また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間と露光装置２００の内部空間とを連通させる接続部１９を含む。接続部１９の内部には、アパーチャが形成された壁が設けられる。この壁は、アパーチャがＥＵＶ集光ミラー１１の第２の焦点位置に位置するように配置されることが好ましい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６を含む。圧力センサ２６は、チャンバ１０の内部空間の圧力を計測する。さらにＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０に取り付けられるターゲットセンサ２７を含む。ターゲットセンサ２７は、例えば撮像機能を有し、ドロップレットＤＬの存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成される。圧力センサ２６及びターゲットセンサ２７は、制御部２０に接続されている。
　また、チャンバ１０内には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａおよび高反射ミラー１３Ｂを有する。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光３０１を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光する光を反射する。これらレーザ光集光ミラー１３Ａおよび高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ１０内でのレーザ集光位置が制御部２０から指定された位置になるように調整される。
　また、チャンバ１０には、エッチングガスをチャンバ１０の内部空間に供給するガス供給部６３が配置されている。ガス供給部６３は、配管を介してエッチングガス供給タンク６４に接続されている。上記ターゲット物質がスズである場合、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスである。バランスガスには、窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれてもよい。
　ガス供給部６３は、チャンバ１０内に供給するエッチングガスがＥＵＶ集光ミラー１１の反射面近傍を流れるように調整されている。ドロップレットＤＬを構成するターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでプラズマ化するとスズ微粒子及びスズイオンが生じ、スズ微粒子及びスズイオンが水素と反応すると常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）になる。なお、ガス供給部６３とエッチングガス供給タンク６４との間の配管には、不図示の流量調節器が設けられている。
　また、チャンバ１０には、排気部６１が設けられている。排気部６１は、チャンバ１０内の残留ガスを排気するよう構成される。排気部６１の排気口は、例えば互いに対向するチャンバ１０の壁に形成されている。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じた微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応した生成物と、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ１０内で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。また、排気部６１は排気装置６２に接続されており、排気部６１から廃棄される残留ガスは、排気装置６２で所定の排気処理が施される。なお、一対の排気部６１の少なくとも一方に、微粒子をトラップするヒータ等のトラップ機構が設けられてもよい。
　レーザ装置３０から出射するレーザ光３０１は、レーザ光デリバリ光学系５０で進行方向が調整される。レーザ光デリバリ光学系５０は、レーザ光３０１の進行方向調整するための複数のミラー５１Ａ，５１Ｂを含み、これらミラー５１Ａ，５１Ｂの少なくとも一部の位置が不図示のアクチュエータで調整される。
　レーザ装置３０は、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光３０１を出射する。マスターオシレータは、例えば、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合された気体を放電によって励起することで、レーザ光を出射するレーザ装置である。あるいは、マスターオシレータは、量子カスケードレーザ装置でもよい。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光３０１を出射する。なお、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を有してもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続したパルス状のレーザ光を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光３０１の出射が抑制される動作を意味する。
　制御部２０は、ＣＰＵ（中央処理装置）等を有するコンピュータから成る。この制御部２０は、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御するよう構成され、さらに後述するようにレーザ装置３０をも制御する。制御部２０には、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力に係る信号や、ターゲットセンサ２７によって撮像されたドロップレットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からのバースト信号等が入力する。制御部２０は、上記イメージデータ等を処理するよう構成され、例えば、ドロップレットＤＬが出力されるタイミング、ドロップレットＤＬの出力方向等を制御するよう構成される。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、後述のように他の制御が追加される。
　次に、ターゲット供給装置４０の構成についてより詳細に説明する。
　図３は、比較例のターゲット供給装置の概略構成を示す模式図である。図３に示すように、ターゲット供給装置４０のタンク４１は、主に、筐体４１１、蓋体４１２、及び上記のノズル４２を含む。筐体４１１は、大径部４１１Ｌと大径部４１１Ｌよりも直径の小さな小径部４１１Ｓとが接続された形状である。小径部４１１Ｓは大径部４１１Ｌの下端に接続されている。大径部４１１Ｌの上部の開口は蓋体４１２により塞がれている。蓋体４１２には開口が形成されており、この開口に上記の圧力調節器４３に繋がる配管が挿通されている。小径部４１１Ｓの下部の開口はノズル４２で塞がれている。ノズル４２には、ノズル孔が形成されている。本実施形態のタンク４１は、蓋体４１２がチャンバ１０の外側に露出しており、筐体４１１及びノズル４２は、チャンバ１０の空間内に配置されている。筐体４１１及び蓋体４１２は、例えば、モリブデンやタングステンから構成される。
　タンク４１は、図３において破線で示すタンク本体部４０１、連通部４０２に分けられる。タンク本体部４０１はタンク４１の上部側に位置し、連通部４０２はタンク本体部４０１に接続されてタンク４１の下部側に位置する。タンク本体部４０１は、上記筐体４１１のうち大径部４１１Ｌと蓋体４１２とを含む。連通部４０２は、筐体４１１のうち小径部４１１Ｓとノズル４２とフィルタ４８とを含む。従って、連通部４０２の容量はタンク本体部４０１の容量より小さい。フィルタ４８は、連通部４０２のタンク本体部４０１側の境界に配置されている。フィルタ４８は、溶融したターゲット物質をろ過する。ノズル４２は、フィルタ４８と通過したターゲット物質をノズル孔から上記のように吐出する。
　フィルタ４８は、例えば、金属酸化物を捕集するために、多孔質の材料で作られる。このフィルタ４８には、例えば、口径が３μｍ～１０μｍ程度の無数の貫通細孔が設けられている。また、フィルタ４８は、ターゲット物質との反応性が低い材料で形成されていることが好ましい。フィルタ４８を構成する材料の線熱膨張係数と筐体４１１を構成する材料の線熱膨張係数との差は、筐体４１１を構成する材料の線熱膨張係数の２０％より小さいことが好ましい。
　ノズル４２は、その先端部とターゲット物質との接触角が９０°以上の材料で構成されることが好ましい。ターゲット物質がスズである場合、ノズル４２の先端部を構成する材料としては、例えば、炭化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、モリブデン、タングステン等が挙げられる。
　メインヒータ４４Ｍは、第１ヒータ４４１と第２ヒータ４４２とを含み、タンク本体部４０１に配置される。具体的には、第１ヒータ４４１がタンク本体部４０１の蓋体４１２側、すなわちタンク本体部４０１の上部側に配置され、第２ヒータ４４２がタンク本体部４０１の連通部４０２側、すなわちタンク本体部４０１の下部側に配置される。
　タンク本体部４０１における第１ヒータ４４１が配置される部位の近傍には第１温度センサ４７１が配置され、タンク本体部４０１における第２ヒータ４４２が配置される部位の近傍には第２温度センサ４７２が配置されている。
　メインヒータ電源４５Ｍは、第１ヒータ電源４５１と第２ヒータ電源４５２とを含む。第１ヒータ４４１は、第１ヒータ電源４５１に接続され、第１ヒータ電源４５１から印加される電流により加熱する。第２ヒータ４４２は、第２ヒータ電源４５２に接続され、第２ヒータ電源４５２から印加される電流により加熱する。
　第１ヒータ電源４５１は、第１温度制御部４６１に接続され、第１温度制御部４６１からの信号により第１ヒータ４４１に印加する電流が制御される。また、第１温度制御部４６１は、制御部２０及び第１温度センサ４７１に接続され、第１ヒータ電源４５１が第１ヒータ４４１に印加する電流を制御部２０及び第１温度センサ４７１からの信号に基づいて制御する。第２ヒータ電源４５２は、第２温度制御部４６２に接続され、第２温度制御部４６２からの信号により第２ヒータ４４２に印加する電流が制御される。また、第２温度制御部４６２は、制御部２０及び第２温度センサ４７２に接続され、第２ヒータ電源４５２が第２ヒータ４４２に印加する電流を制御部２０及び第２温度センサ４７２からの信号に基づいて制御する。
　サブヒータ４４Ｓは、第３ヒータ４４３と第４ヒータ４４４とを含み、連通部４０２に配置される。具体的には、第３ヒータ４４３が連通部４０２のタンク本体部４０１側、すなわち連通部４０２の上部側に配置され、第４ヒータ４４４が連通部４０２のノズル４２側、すなわち連通部４０２の下部側に配置される。本実施形態では、第４ヒータ４４４は、連通部４０２の一部であるノズル４２に直接配置されている。
　連通部４０２における第３ヒータ４４３が配置される部位の近傍には第３温度センサ４７３が配置され、連通部４０２における第４ヒータ４４４が配置される部位の近傍には第４温度センサ４７４が配置されている。本実施形態では、第４温度センサ４７４は、ノズル４２に直接配置されている。
　サブヒータ電源４５Ｓは、第３ヒータ電源４５３と第４ヒータ電源４５４とを含む。第３ヒータ４４３は、第３ヒータ電源４５３に接続され、第３ヒータ電源４５３から印加される電流により加熱する。第４ヒータ４４４は、第４ヒータ電源４５４に接続され、第４ヒータ電源４５４から印加される電流により加熱する。
　第３ヒータ電源４５３は、第３温度制御部４６３に接続され、第３温度制御部４６３からの信号により第３ヒータ４４３に印加する電流が制御される。また、第３温度制御部４６３は、制御部２０及び第３温度センサ４７３に接続され、第３ヒータ電源４５３が第３ヒータ４４３に印加する電流を制御部２０及び第３温度センサ４７３からの信号に基づいて制御する。第４ヒータ電源４５４は、第４温度制御部４６４に接続され、第４温度制御部４６４からの信号により第４ヒータ４４４に印加する電流が制御される。また、第４温度制御部４６４は、制御部２０及び第４温度センサ４７４に接続され、第４ヒータ電源４５４が第４ヒータ４４４に印加する電流を制御部２０及び第４温度センサ４７４からの信号に基づいて制御する。
　３．２　比較例の極端紫外光生成装置の動作
　ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、新しいターゲット供給装置がチャンバ１０に取り付けられる。その後、チャンバ１０内の大気が排気される。大気が排気された後のチャンバ１０の内部空間の圧力は、例えば１０Ｐａ～８０Ｐａの範囲内である。
　ここでターゲット供給装置４０がターゲット物質を吐出するまでの動作を詳細に説明する。
　チャンバ１０の内部空間の圧力が上記のように所定の圧力にされると、制御部２０がメインヒータ４４Ｍ、サブヒータ４４Ｓの設定温度を上げる。図４は、比較例のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。図４に示すように、制御部２０は、昇温の開始時である経過時間ｔ０において、それぞれの温度制御部を制御してそれぞれのヒータを昇温させる。なお、以下の説明において、経過時間とは、昇温の開始からの時間を意味する。
　具体的には、経過時間ｔ０において、制御部２０は、第１温度制御部４６１に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ１１を含む信号を出す。この速度Ｈ１１は経過時間ｔ１における第１ヒータ４４１の設定温度が温度ＴＨとなる速度である。すると第１温度制御部４６１は、第１ヒータ電源４５１を制御して、第１ヒータ４４１の昇温の速度がＨ１１になるように、第１ヒータ電源４５１から第１ヒータ４４１に電流を印加させる。なお、上記のように、第１温度センサ４７１が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第１温度制御部４６１に入力する。このため、第１温度制御部４６１が第１ヒータ電源４５１を制御する際、第１温度制御部４６１は目標温度となるように第１温度センサ４７１からの信号に基づいてフィードバック制御をする。従って、第１温度制御部４６１が第１ヒータ電源４５１から第１ヒータ４４１に電流を印加させる際には、電流値がゼロとなる期間があってもよい。
　また、経過時間ｔ０において、制御部２０は、第２温度制御部４６２に温度ＴＨ２及び昇温の速度Ｈ１２を含む信号を出す。この速度Ｈ１２は経過時間ｔ１における第２ヒータ４４２の設定温度が温度ＴＨ２になる速度である。すると第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の昇温の速度がＨ１２になるように、第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる。なお、上記のように、第２温度センサ４７２が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第２温度制御部４６２に入力する。このため、第２温度制御部４６２が第２ヒータ電源４５２を制御する際、第２温度制御部４６２は目標温度となるように第２温度センサ４７２からの信号に基づいてフィードバック制御をする。従って、第２温度制御部４６２が第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる際には、電流値がゼロとなる期間があってもよい。
　また、経過時間ｔ０において、制御部２０は、第３温度制御部４６３に温度ＴＨ３及び昇温の速度Ｈ１３を含む信号を出す。この速度Ｈ１３は経過時間ｔ１における第３ヒータ４４３の設定温度が温度ＴＨ３になる速度である。すると第３温度制御部４６３は、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の昇温の速度がＨ１３になるように、第３ヒータ電源４５３から第３ヒータ４４３に電流を印加させる。なお、上記のように、第３温度センサ４７３が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第３温度制御部４６３に入力する。このため、第３温度制御部４６３が第３ヒータ電源４５３を制御する際、第３温度制御部４６３は目標温度となるように第３温度センサ４７３からの信号に基づいてフィードバック制御をする。従って、第３温度制御部４６３が第３ヒータ電源４５３から第３ヒータ４４３に電流を印加させる際には、電流値がゼロとなる期間があってもよい。
　また、経過時間ｔ０において、制御部２０は、第４温度制御部４６４に温度ＴＨ４及び昇温の速度Ｈ１４を含む信号を出す。この速度Ｈ１４は経過時間ｔ１における第４ヒータ４４４の設定温度が温度ＴＨ４になる速度である。すると第４温度制御部４６４は、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の昇温の速度がＨ１４になるように、第４ヒータ電源４５４から第４ヒータ４４４に電流を印加させる。なお、上記のように、第４温度センサ４７４が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第４温度制御部４６４に入力する。このため、第４温度制御部４６４が第４ヒータ電源４５４を制御する際、第４温度制御部４６４は目標温度となるように第４温度センサ４７４からの信号に基づいてフィードバック制御をする。従って、第４温度制御部４６４が第４ヒータ電源４５４から第４ヒータ４４４に電流を印加させる際には、電流値がゼロとなる期間があってもよい。
　こうして、経過時間ｔ１において、第１ヒータ４４１の設定温度は温度ＴＨになる。また、経過時間ｔ１において、第２ヒータ４４２の設定温度は温度ＴＨよりも低い温度ＴＨ２になる。また、経過時間ｔ１において、第３ヒータ４４３の設定温度は温度ＴＨ２よりも低い温度ＴＨ３になる。また、経過時間ｔ１において、第４ヒータ４４４の設定温度は温度ＴＨ３よりも低い温度ＴＨ４になる。この温度ＴＨ４は、ターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度である。
　次に制御部２０は、経過時間ｔ１において、第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４のそれぞれの設定温度を経過時間ｔ１における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第１温度制御部４６１は、第１ヒータ４４１の設定温度を温度ＴＨにする。また、第２温度制御部４６２は、第２ヒータ４４２の設定温度を温度ＴＨ２にし、第３温度制御部４６３は、第３ヒータ４４３の設定温度を温度ＴＨ３にし、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＨ４にする。
　次に制御部２０は、経過時間ｔ２において、次のようにそれぞれのヒータの設定温度を制御する。この経過時間ｔ１から経過時間ｔ２までの期間Ｔ１１は、タンク４１内のターゲット物質が、設定温度になるまでの期間である。上記のように４つのヒータのうち最も設定温度の低い第４ヒータ４４４の設定温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高い温度であるため、経過時間ｔ２において、ターゲット物質は溶融している。
　制御部２０は、経過時間ｔ２においても、第１ヒータ４４１の設定温度を経過時間ｔ２における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第１温度制御部４６１は、第１ヒータ４４１の設定温度を温度ＴＨのままにする。つまり、第１温度制御部４６１は、経過時間ｔ１から経過時間ｔ２を経過しても第１ヒータ４４１の設定温度を温度ＴＨにする。
　また、制御部２０は、経過時間ｔ２において、第２温度制御部４６２に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ２２を含む信号を出す。この速度Ｈ２２は経過時間ｔ３における第２ヒータ４４２の設定温度が温度ＴＨになる速度である。すると第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の昇温の速度がＨ２２になるように、第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる。
　また、制御部２０は、経過時間ｔ２において、第３温度制御部４６３に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ２３を含む信号を出す。この速度Ｈ２３は経過時間ｔ４における第３ヒータ４４３の設定温度が温度ＴＨになる速度である。すると第３温度制御部４６３は、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の昇温の速度がＨ２３になるように、第３ヒータ電源４５３から第３ヒータ４４３に電流を印加させる。
　また、制御部２０は、経過時間ｔ２において、第４温度制御部４６４に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ２４を含む信号を出す。この速度Ｈ２４は経過時間ｔ５における第４ヒータ４４４の設定温度が温度ＴＨになる速度である。すると第４温度制御部４６４は、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の昇温の速度がＨ２４になるように、第４ヒータ電源４５４から第４ヒータ４４４に電流を印加させる。
　次に、制御部２０は、経過時間ｔ３において、第２ヒータ４４２の設定温度を経過時間ｔ３における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第２温度制御部４６２は、経過時間ｔ３後も第２ヒータ４４２の設定温度を温度ＴＨのままにする。
　次に、制御部２０は、経過時間ｔ４において、第３ヒータ４４３の設定温度を経過時間ｔ４における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第３温度制御部４６３は、経過時間ｔ４後も第３ヒータ４４３の設定温度を温度ＴＨのままにする。
　次に、制御部２０は、経過時間ｔ５において、第４ヒータ４４４の設定温度を経過時間ｔ５における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第４温度制御部４６４は、経過時間ｔ５後も第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＨのままにする。
　このように経過時間ｔ５までに第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４が温度ＴＨに設定される。そして、経過時間ｔ５から経過時間ｔ６まで、第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４の設定温度が温度ＴＨのままにされる。
　次に経過時間ｔ６において、制御部２０は、第１温度制御部４６１から第４温度制御部４６４に温度Ｔｏｐ及び降温の速度Ｈ３を含む信号を出す。この速度Ｈ３は経過時間ｔ７における第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４の設定温度が温度Ｔｏｐになる速度である。すると第１温度制御部４６１は、第１ヒータ電源４５１を制御して、第１ヒータ４４１の降温の速度がＨ３になるように、第１ヒータ電源４５１から第１ヒータ４４１に電流を印加させる。また、第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の降温の速度がＨ３になるように、第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる。また、第３温度制御部４６３は、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の降温の速度がＨ３になるように、第３ヒータ電源４５３から第３ヒータ４４３に電流を印加させる。また、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の降温の速度がＨ３になるように、第４ヒータ電源４５４から第４ヒータ４４４に電流を印加させる。なお、上記のように、それぞれの温度制御部がヒータ電源からヒータに電流を印加させる際に、電流値がゼロとなる期間があってもよい。
　次に、制御部２０は、経過時間ｔ７以降、第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４の設定温度を温度Ｔｏｐのままとする。従って、第１温度制御部４６１から第４温度制御部４６４は、その後の第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４の設定温度を温度Ｔｏｐのままにする。
　なお、上記の温度制御の際、第１温度センサ４７１が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第１温度制御部４６１に入力し、第１温度制御部４６１は目標温度となるように第１温度センサ４７１からの信号に基づいてフィードバック制御をする。また、上記の温度制御の際、第２温度センサ４７２が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第２温度制御部４６２に入力し、第２温度制御部４６２は目標温度となるように第２温度センサ４７２からの信号に基づいてフィードバック制御をする。また、上記の温度制御の際、第３温度センサ４７３が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第３温度制御部４６３に入力し、第３温度制御部４６３は目標温度となるように第３温度センサ４７３からの信号に基づいてフィードバック制御をする。また、上記の温度制御の際、第４温度センサ４７４が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第４温度制御部４６４に入力し、第４温度制御部４６４は目標温度となるように第４温度センサ４７４からの信号に基づいてフィードバック制御をする。
　そして、経過時間ｔ７以降に、制御部２０は、タンク４１内の圧力が圧力調節器４３を制御し、圧力調節器４３はタンク４１内の圧力を例えば１０ＭＰａ程度まで上昇させる。すると、溶融したターゲット物質がフィルタ４８を通過する。このときターゲット物質内の酸化物等の不純物がフィルタ４８で除去される。こうしてターゲット物質はろ過される。フィルタ４８を通過したターゲット物質は、ノズル４２のノズル孔から所定の速度で吐出する。ノズル４２の孔から吐出するターゲット物質はジェットの形態をとってもよい。
　また、制御部２０は、ドロップレットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４９Ｅを介してピエゾ素子４９に所定波形の電圧を印加する。ピエゾ素子４９の振動は、ノズル４２を経由してノズルの孔から出力されるターゲット物質のジェットへと伝搬し得る。ターゲット物質のジェットは、この振動により所定周期で分断され、ターゲット物質から液滴のドロップレットＤＬが生成される。
　こうして、ターゲット供給装置４０からターゲット物質が供給される。
　ターゲット物質が供給されドロップレットＤＬが生成されると、制御部２０は、発光トリガをレーザ装置３０に出力する。発光トリガが入力されると、レーザ装置３０は、パルス状のレーザ光３０１を出射する。出射されたレーザ光３０１は、レーザ光デリバリ光学系５０とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射される。
　制御部２０は、レーザ光３０１がプラズマ生成領域ＡＲで集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、制御部２０は、ドロップレットＤＬにレーザ光３０１が照射されるように、ターゲットセンサ２７からの信号に基づいて、レーザ装置３０からレーザ光３０１を出射させる。このため、レーザ光集光ミラー１３Ａで収束されるレーザ光３０１は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットＤＬに照射される。この照射により生成されたプラズマから、ＥＵＶ光を含む光が放射する。
　プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ集光ミラー１１によって中間集光点ＩＦで集光された後、露光装置２００に入射される。
　なお、チャンバ内の不要な微粒子を含む残留ガスは、排気部６１から排出され排気装置６２で処理される。
　３．３　課題
　上記のように連通部４０２の容量はタンク本体部４０１の容量より小さいため、連通部４０２がタンク本体部４０１に比べて温まり易い。また、タンク本体部４０１の蓋体４１２が大気に接しており、ここから熱が逃げ易い。従って、比較例のように経過時間ｔ０から経過時間ｔ１において、タンク４１の上部に配置されたヒータの設定温度が高くされても、タンク４１内の温度は連通部４０２と近いタンク４１の下部側から温まり得る。この場合、タンク４１の蓋体４１２側のターゲット物質が溶融せずに、タンク４１の連通部４０２側のターゲット物質が溶融し得る。すると溶融したターゲット物質が熱膨張し、溶融していないターゲット物質が蓋になり、溶融したターゲット物質が不要にフィルタ４８を通過し得る。このようにターゲット物質がフィルタ４８を通過すると、ターゲット物質は連通部４０２内の酸素と反応し酸化し得る。また、既にターゲット物質が連通部４０２に配置されている場合には、フィルタ４８を通過したターゲット物質が連通部４０２に配置されているターゲット物質を押圧し、ノズル４２からターゲット物質が不要に吐出する可能性がある。また、経過時間ｔ７以降において、それぞれのヒータの設定温度が一律Ｔｏｐにされている、上記のように熱が逃げやすいタンク４１の上部におけるターゲット物質の温度が低下し易く、タンク４１の上部においてターゲット物質の溶け残りが発生し得る。
　そこで、以下の実施形態では、ターゲット物質の不要な酸化及びターゲット物質の不要な吐出が抑制され得るターゲット供給装置が例示される。
４．実施形態１
　４．１　実施形態１の極端紫外光生成装置の動作
　次に、実施形態１のターゲット供給装置の動作を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。なお、本実施形態のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成は比較例のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成と同様であるため、本実施形態のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成の説明は省略される。
　比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作と同様にチャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力にされると、制御部２０がメインヒータ４４Ｍ、サブヒータ４４Ｓの設定温度を上げる。図５は、本実施形態における制御部の動作を示すフローチャートであり、図６は、本実施形態のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。なお、本実施形態では、後述のように第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度が同じである例について説明するため、図６では、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度を示す線が纏めて記載されている。また、図６における各経過時間と昇温や高温の速度は、図４の説明で用いた符号と同一であっても、図４において説明した経過時間や昇温や高温の速度と同一とは限らない。
＜ステップＳＴ０＞
　図５、図６に示すように、制御部２０は、経過時間ｔ０において、それぞれのヒータが所定の速度で昇温するよう、それぞれの温度制御部を制御する。
　具体的には、経過時間ｔ０において、制御部２０は、第１温度制御部４６１に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ１を含む信号を出す。この速度Ｈ１は経過時間ｔ３における第１ヒータ４４１の設定温度が温度ＴＨになる速度である。すると第１温度制御部４６１は、第１ヒータ電源４５１を制御して、第１ヒータ４４１の昇温の速度がＨ１になるように、第１ヒータ電源４５１から第１ヒータ４４１に電流を印加させる。温度ＴＨは、ターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高い温度であり、ターゲット物質がスズである場合、温度ＴＨは、例えば２８０℃以上３２０℃以下である。
　また、制御部２０は、第２温度制御部４６２から第４ヒータ４４４に温度ＴＬ及び昇温の速度Ｈ１を含む信号を出す。この速度Ｈ１は経過時間ｔ１における第２ヒータ４４２から第４ヒータ４４４の設定温度が温度ＴＬになる速度である。すると第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の昇温の速度がＨ１になるように、第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる。また、第３温度制御部４６３は、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の昇温の速度がＨ１になるように、第３ヒータ電源４５３から第３ヒータ４４３に電流を印加させる。また、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の昇温の速度がＨ１になるように、第４ヒータ電源４５４から第４ヒータ４４４に電流を印加させる。つまり、経過時間ｔ０から経過時間ｔ１までは、すべてのヒータが同じ速度で昇温することになる。
　こうして、経過時間ｔ１において、それぞれのヒータの温度が概ね温度ＴＬになる。この温度ＴＬは、ターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも低い温度であり、ターゲット物質がスズである場合、温度ＴＬは、例えば２００℃以上２２０℃以下である。
＜ステップＳＴ１＞
　経過時間ｔ１では、第１温度制御部４６１は、速度Ｈ１で第１ヒータ４４１が昇温するように第１ヒータ電源４５１を制御している。また、経過時間ｔ１において、制御部２０は、第２ヒータ４４２から第４ヒータ４４４の設定温度を経過時間ｔ１における設定温度である温度ＴＬのままとする。従って、第２温度制御部４６２は、第２ヒータ４４２の設定温度を温度ＴＬにし、第３温度制御部４６３は、第３ヒータ４４３の設定温度を温度ＴＬにし、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＬにする。このとき、第２ヒータ４４２から第４ヒータ４４４の温度が多少変化してもよい。例えば、温度ＴＬが２１０℃であり、第２ヒータ４４２から第４ヒータ４４４の温度が温度ＴＬに対して５℃程度温度が変化してもよい。
＜ステップＳＴ２＞
　経過時間ｔ２では、第１温度制御部４６１は、速度Ｈ１で第１ヒータ４４１が昇温するように第１ヒータ電源４５１を制御している。また、経過時間ｔ２において、制御部２０は、第２温度制御部４６２に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ２を含む信号を出す。この速度Ｈ２は経過時間ｔ４における第２ヒータ４４２の設定温度が温度ＴＨになる速度である。すると第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の昇温の速度がＨ２になるように、第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる。なお、経過時間ｔ１から経過時間ｔ２までの期間は、例えば１０分以上３０分以下であることが好ましい。また、経過時間ｔ２では、第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４は、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＬのままにする。
＜ステップＳＴ３＞
　経過時間ｔ３において、制御部２０は、第１ヒータ４４１の設定温度を経過時間ｔ３における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第１温度制御部４６１は、第１ヒータ４４１の設定温度を温度ＴＨにする。なお、経過時間ｔ３以降、第１ヒータ４４１の設定温度は温度ＴＨのままである。従って、ターゲット物質がスズである場合、第１ヒータ４４１は、経過時間ｔ３以降、例えば２８０℃以上３２０℃以下に保たれる。この第１ヒータ４４１の温度をＴｏｐ１とする。従って、温度Ｔｏｐ１は温度ＴＨである。また、経過時間ｔ３以降の第１ヒータ４４１の温度Ｔｏｐ１が多少変化してもよい。例えば、温度ＴＨに対して５℃程度温度が変化してもよい。なお、図５の例では、経過時間ｔ３は、経過時間ｔ２の後であるが、経過時間ｔ２と経過時間ｔ３の順が入れ替わってもよい。すなわちステップＳＴ２とステップＳＴ３との順番が入れ替わってもよい。
＜ステップＳＴ４＞
　経過時間ｔ４において、制御部２０は、第２ヒータ４４２の設定温度を経過時間ｔ４における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第２温度制御部４６２は、第２ヒータ４４２の設定温度を温度ＴＨにする。この経過時間ｔ４は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が全て溶融する経過時間ｔｍよりも前の時間である。経過時間ｔｍは、第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２の設定温度、タンク本体部４０１の容量、及びターゲット物質の融点等から、実験等で予め求められている時間である。つまり、制御部２０は、メインヒータ４４Ｍである第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２を、ターゲット物質が溶融する前からターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度に設定している。なお、経過時間ｔ４を経過後に第２ヒータ４４２の温度が多少変化してもよい。例えば、温度ＴＨに対して５℃程度温度が変化してもよい。また、図６に示すように、経過時間ｔ４において、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度は温度ＴＬのままである。
＜ステップＳＴ５＞
　経過時間ｔ５において、制御部２０は、第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４に温度ＴＳ及び昇温の速度Ｈ３を含む信号を出す。この速度Ｈ３は経過時間ｔ６における第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度が温度ＴＳになる速度である。すると第３温度制御部４６３は、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の昇温の速度がＨ３になるように、第３ヒータ電源４５３に電流を印加させる。また、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の昇温の速度がＨ３になるように、第４ヒータ電源４５４に電流を印加させる。
　経過時間ｔ５は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融する経過時間ｔｍよりも後の時間である。つまり、制御部２０は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融するまで、サブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４をターゲット物質の融点より低い温度ＴＬに設定する。上記のように第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の温度が温度ＴＬに対して５℃程度温度が変化してもよいため、経過時間ｔ１から経過時間ｔ５での第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度を第２の温度範囲とする。また、経過時間ｔ１から経過時間ｔ５までを第２所定期間とする。この場合、制御部２０は、サブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより低い第２温度範囲で、ターゲット物質が溶融する前から溶融する後まで第２所定期間保持することになる。ターゲット物質がスズである場合、第２温度範囲は、２００℃以上２２０℃以下である。なお、経過時間ｔｍから経過時間ｔ５までの期間は、例えば１０分以上１２０分以下であることが好ましい。
　また、経過時間ｔ５は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融する経過時間ｔｍよりも後であり、サブヒータ４４Ｓが加熱を開始する経過時間ｔ０からの予め定められた所定の時間である。従って、サブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度になる時間もタンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融する経過時間ｔｍよりも後の予め定められた所定の時間となる。つまり、本実施形態では、制御部２０は、ターゲット物質が溶融した後における予め定められた所定の時間にサブヒータ４４Ｓの設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度にする。
＜ステップＳＴ６＞
　経過時間ｔ６において、制御部２０は、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度を経過時間ｔ６における設定温度である温度ＴＳのままとする。従って、第３温度制御部４６３は、第３ヒータ４４３の設定温度を温度ＴＳにし、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＳにする。この温度ＴＳは、ターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高く温度ＴＨより低い温度であり、ターゲット物質がスズである場合、温度ＴＳは、例えば２４０℃以上２７０℃以下である。なお、経過時間ｔ６以降、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度は温度ＴＳのままである。この第３ヒータ４４３の温度をＴｏｐ３とし、第４ヒータ４４４の温度をＴｏｐ４とする。従って、温度Ｔｏｐ３、温度Ｔｏｐ４は温度ＴＳである。また、経過時間ｔ６以降の第３ヒータ４４３の温度Ｔｏｐ３及び第４ヒータ４４４の温度Ｔｏｐ４が多少変化してもよい。例えば、第３ヒータ４４３の温度Ｔｏｐ３及び第４ヒータ４４４の温度Ｔｏｐ４が、温度ＴＳに対して５℃程度温度が変化してもよい。なお、図６の例では、温度Ｔｏｐ３と温度Ｔｏｐ４とが同じ温度にされているが、制御部２０は、温度Ｔｏｐ４をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く温度Ｔｏｐ３より低い温度にしてもよい。また、図６に示すように、経過時間ｔ６において、第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２の設定温度は温度ＴＨのままである。
＜ステップＳＴ７＞
　次に経過時間ｔ７において、制御部２０は、第２温度制御部４６２に温度Ｔｏｐ２及び降温の速度Ｈ４を含む信号を出す。この速度Ｈ４は経過時間ｔ８における第２ヒータ４４２の設定温度が温度Ｔｏｐ２になる速度である。すると第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の降温の速度がＨ４になるように、第２ヒータ電源４５２に電流を印加させる。なお、上記のように、第２温度制御部４６２が第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる際に、電流値がゼロとなる期間があってもよい。経過時間ｔ６から経過時間ｔ７までの期間は、例えば５分以上６０分以下であることが好ましい。上記のように第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２の温度が温度ＴＨに対して５℃程度温度が変化してもよいため、経過時間ｔ４から経過時間ｔ７での第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２の設定温度を第１の温度範囲とする。また、経過時間ｔ４から経過時間ｔ７までを第１所定期間とする。この場合、制御部２０は、メインヒータ４４Ｍである第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い第１温度範囲で、ターゲット物質が溶融する前から溶融する後まで第１所定期間保持することになる。ターゲット物質がスズである場合、この第１温度範囲は、２８０℃以上３２０℃以下である。上記の第２所定期間もターゲット物質が溶融する前から溶融する後まであるため、第１所定期間と第２所定期間は一部重なっていることになる。
＜ステップＳＴ８＞
　次に経過時間ｔ８において、制御部２０は、第２ヒータ４４２の設定温度を経過時間ｔ８における設定温度である温度Ｔｏｐ２のままとする。従って、第２温度制御部４６２は、第２ヒータ４４２の設定温度を温度Ｔｏｐ２にする。この温度Ｔｏｐ２は、第１ヒータ４４１の温度Ｔｏｐ１よりも低く、第３ヒータ４４３の温度Ｔｏｐ３よりも高い温度である。ターゲット物質がスズである場合、温度Ｔｏｐ２は、例えば２７０℃以上３１０℃以下である。そして、制御部２０は、経過時間ｔ８以降、第２ヒータ４４２の設定温度は温度Ｔｏｐ２のままとする。なお、経過時間ｔ８以降の第２ヒータ４４２の温度Ｔｏｐ２が多少変化してもよい。例えば、第２ヒータ４４２の温度Ｔｏｐ２が、５℃程度温度が変化してもよい。
＜ステップＳＴ９＞
　制御部２０は、経過時間ｔ８以降、第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４の設定温度を経過時間ｔ８における温度のままにする。従って、経過時間ｔ８以降、本実施形態では、第１ヒータ４４１の設定温度は温度Ｔｏｐ１であり、第２ヒータ４４２の設定温度は温度Ｔｏｐ２であり、第３ヒータ４４３の設定温度は温度Ｔｏｐ３であり、第４ヒータ４４４の設定温度は温度Ｔｏｐ４である。本実施形態では、Ｔｏｐ１＞Ｔｏｐ２＞Ｔｏｐ３＝Ｔｏｐ４である。ただし、Ｔｏｐ３＞Ｔｏｐ４であってもよい。この場合、チャンバ１０から露出している蓋体４１２に近いヒータほど高い温度に設定される。
　経過時間ｔ８以降に、制御部２０は、第１温度センサ４７１が検知する温度ＴＡ１が、温度Ｔｏｐ１から３℃の温度範囲内にあるか判断する。また、経過時間ｔ８以降に、制御部２０は、第２温度センサ４７２が検知する温度ＴＡ２が、温度Ｔｏｐ２から３℃の温度範囲内にあるかを判断する。また、経過時間ｔ８以降に、制御部２０は、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３が、温度Ｔｏｐ３から３℃の温度範囲内にあるか判断する。また、経過時間ｔ８以降に、制御部２０は、第４温度センサ４７４が検知する温度ＴＡ４が、温度Ｔｏｐ４から３℃の温度範囲内にあるか判断する。そして、第１温度センサ４７１から第４温度センサ４７４の検知する温度のうち一つでも上記温度範囲内に入っていない場合、再び上記のようにそれぞれの温度センサが検知する温度が設定温度から３℃の範囲内にあるかを判断する。こうして、制御部２０は、すべての温度センサが検知する温度が設定温度から３℃の範囲内に入るまで待つ。そして、すべての温度センサが検知する温度が設定温度から３℃の範囲内に入るとステップＳＴ１０に進む。
＜ステップＳＴ１０＞
　ステップＳＴ１０では、制御部２０は、比較例の経過時間ｔ７以降と同様に圧力調節器４３を制御する。従って、溶融したターゲット物質がフィルタ４８を通過して、ノズル４２のノズル孔からターゲット物質が吐出し、ドロップレットＤＬが生成される。
　ドロップレットＤＬが生成されると、比較例と同様にして、パルス状のレーザ光３０１がドロップレットＤＬに照射されて、ＥＵＶ光を含む光が放射する。そして、ＥＵＶ光１０１が、露光装置２００に入射される。
　４．２　作用・効果
　本実施形態では、制御部２０は、メインヒータ４４Ｍをターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度に設定し、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融するまでサブヒータ４４Ｓをターゲット物質の融点Ｔｍｐより低い温度に設定する。従って、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融により膨張し、タンク本体部４０１の連通部４０２側と反対側にターゲット物質の溶け残りがある場合であっても、ターゲット物質は連通部４０２内のフィルタ４８を容易に通過できない。このため、連通部４０２内に酸素が存在する場合であっても、連通部４０２内に溶融したターゲット物質が侵入することが抑制されることで、ターゲット物質の酸化を抑制し得る。また、連通部４０２内にターゲット物質が存在する場合であっても、サブヒータ４４Ｓがターゲット物質の融点Ｔｍｐより低い温度に設定されることで、ノズル４２からターゲット物質が不要に吐出することを抑制し得る。また、制御部２０が、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融した後にサブヒータ４４Ｓをターゲット物質の融点より高い温度に設定することで、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融後にターゲット物質を適切にノズルから吐出させ得る。
　また、本実施形態では、制御部２０は、メインヒータ４４Ｍの設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い第１温度範囲で、ターゲット物質が溶融する前から溶融する後までの第１所定期間保持する。さらに制御部２０は、サブヒータ４４Ｓの設定温度をターゲット物質の融点より低い第２温度範囲で、ターゲット物質が溶融する前から溶融する後まで第２所定期間保持する。従って、タンク本体部４０１内のターゲット物質が十分に溶融した後、サブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高くし得る。
　また、本実施形態では、制御部２０は、ターゲット物質が溶融した後における予め定められた所定の時間にサブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度にする。このようにサブヒータ４４Ｓの設定温度が予め定められた所定の時間に昇温されることで、計算を行いながらサブヒータ４４Ｓの設定温度が昇温される時間が決められるより、制御を簡易にし得る。
　また、本実施形態では、制御部２０は、第１ヒータ４４１の設定温度を昇温中の一部の期間である経過時間ｔ１から経過時間ｔ２において、第２ヒータ４４２の設定温度を一定の温度範囲である第２温度範囲にする。このように温度制御されることで、連通部４０２から離れている側のターゲット物質を連通部４０２に近い側のターゲット物質よりも先に溶融することができる。従って、タンク本体部４０１内のターゲット物質の全て溶融する前に一部のターゲット物質がフィルタ４８を通過することをより適切に抑制し得る。
　また、本実施形態では、タンク本体部４０１における連通部４０２側の一部と連通部４０２とがチャンバ１０内に配置され、タンク本体部４０１の他の一部がチャンバ１０の外に露出している。そして、制御部２０は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融した後のサブヒータ４４Ｓの設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高くメインヒータ４４Ｍの設定温度よりも低い温度にする。タンク本体部４０１のチャンバ１０から露出している部分は、大気にさらされることで温度が低下し易い。一方、連通部４０２はチャンバ１０内に位置しているため温度の低下が抑制されている。従って、制御部２０が上記のように温度を制御することで、メインヒータ４４Ｍとサブヒータ４４Ｓとが同じ温度で制御される場合と比べて、タンク４１内のターゲット物質の温度を均一に近づけ得る。温度の低下が抑制される連通部４０２がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度に設定され、上記のようにタンク４１内のターゲット物質の温度を均一に近づけ得るため、タンク本体部４０１内のターゲット物質の温度が融点より低くなることが抑制され得る。従って、タンク４１内にターゲット物質の溶け残りが生じることを抑制し得る。
　このような温度の制御のより具体的な例として、本実施形態では、制御部２０は、ターゲット物質が溶融した後である経過時間ｔ７において、第２ヒータ４４２の設定温度をサブヒータ４４Ｓの設定温度より高く第１ヒータ４４１の設定温度よりも低い温度にする。従って、経過時間ｔ７以降に第１ヒータ４４１と第２ヒータ４４２とが同じ温度に制御される場合と比べて、よりタンク４１内のターゲット物質の温度を均一に近づけることができ、タンク４１内にターゲット物質の溶け残りが生じることをより抑制し得る。
　また、本実施形態では、制御部２０は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融した後、第４ヒータ４４４の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く第３ヒータ４４３の設定温度以下にする。第３ヒータ４４３は、第４ヒータ４４４よりタンク本体部４０１側に位置するため、第３ヒータ４４３が加熱している連通部４０２の部位は、メインヒータ４４Ｍからの熱の影響を受け易い。従って、上記のように温度が制御されることで、第４ヒータ４４４の設定温度が第３ヒータ４４３の設定温度より高くされる場合と比べて、連通部４０２内のターゲット物質の温度を均一に近づけることができる。
５．実施形態２
　５．１　実施形態２の極端紫外光生成装置の動作
　次に、実施形態２の極端紫外光生成装置の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。本実施形態のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成は、実施形態１と同様に比較例のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成と同様とされるため、本実施形態のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成の説明は省略される。
　図７は、本実施形態における制御部の動作を示すフローチャートであり、図８は、本実施形態のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。図７に示すように、本実施形態のターゲット供給装置４０は、制御部２０の温度制御フローが、ステップＳＴ２１及びステップＳＴ２２を含む点において、実施形態１のターゲット供給装置４０と主に異なる。
＜ステップＳＴ０からステップＳＴ４＞
　本実施形態のターゲット供給装置４０では、制御部２０は、ステップＳＴ０からステップＳＴ４を実施形態１のステップＳＴ０からステップＳＴ４と同様に行う。
＜ステップＳＴ２１＞
　ステップＳＴ２において、制御部２０が、第２温度制御部４６２に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ２を含む信号を出力した後、制御部２０は、次の２つの判断を行う。１つは、第３温度センサ４７３が検知する温度が、ターゲット物質の融点Ｔｍｐより高いか否かである。他の１つは、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３の昇温速度が、所定の速度よりも早いか否かである。この所定の速度は、例えば、０．３℃／ｍｉｎである。図８には、経過時間ｔ２から経過時間ｔ６までの第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３のが太線で示されている。実施形態１で説明したように、経過時間ｔ１において、制御部２０は、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＬにし、ステップＳＴ２を経過した後もこの状態が続いている。しかし、ｔ２を経過すると、実施形態１で説明したように、第２ヒータ４４２の設定温度が速度Ｈ２で上昇し、ターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高くされる。第２ヒータ４４２の設定温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高くなると、第２ヒータ４４２で加熱されたターゲット物質の熱が連通部４０２まで伝導し、連通部４０２の温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高くなる場合がある。連通部４０２の温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高くなると、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３が融点Ｔｍｐよりも高くなる。
　ターゲット物質が固体から液体に溶融している間、ターゲット物質の温度は概ね一定である。従って、上記のように第２ヒータ４４２で加熱されたターゲット物質の熱が連通部４０２まで伝導する場合であっても、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３は、ターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高くなりづらく、概ね一定の温度になる傾向がある。そこで、制御部２０は、第３温度センサ４７３が検知する温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に、ステップＳＴ５に進む。図８では、このタイミングを矢印でＳＴ２１と示している。なお、本実施形態では、ステップＳＴ５に進むタイミングがステップＳＴ４より前になることもあり得る。
　＜ステップＳＴ５＞
　実施形態１のステップＳＴ５では、ターゲット物質が溶融する経過時間ｔｍより後の予め定められた経過時間ｔ５において、制御部２０が第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４に温度ＴＳ及び昇温の速度Ｈ３を含む信号を出した。本実施形態では、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に、制御部２０は、第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４に温度ＴＳ及び昇温の速度Ｈ３を含む信号を出す。従って、制御部２０が第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４に温度ＴＳ及び昇温の速度Ｈ３を含む信号を出す経過時間が予め定まっていない点において、実施形態１のステップＳＴ５と異なる。つまり、経過時間ｔ５は予め定まっていない。制御部２０が上記信号を出力すると、第３温度制御部４６３は、実施形態１と同様にして、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の昇温の速度がＨ３になるように、第３ヒータ電源４５３に電流を印加させる。また、第４温度制御部４６４は、実施形態１と同様にして、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の昇温の速度がＨ３になるように、第４ヒータ電源４５４に電流を印加させる。そして、制御部２０は、第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４に温度ＴＳ及び昇温の速度Ｈ３を含む信号を出した時間を経過時間ｔ５として記憶する。
　なお、本実施形態では、ステップＳＴ２１において、制御部２０は、第３温度センサ４７３が検知する温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く、第３温度センサ４７３が検知する温度の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に、ステップＳＴ５に進んだ。しかし、例えば、ステップＳＴ２１において、制御部２０は、第３温度センサ４７３が検知する温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高ければ、第３温度センサ４７３が検知する温度の昇温速度に関わらず、ステップＳＴ５に進んでもよい。ただし、本実施形態のように、第３温度センサ４７３が検知する温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く、第３温度センサ４７３が検知する温度の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に、ステップＳＴ５に進む方が、誤動作を抑制できる観点から好ましい。
＜ステップＳＴ２２＞
　本ステップでは、制御部２０は、経過時間ｔ５と温度ＴＳと昇温の速度Ｈ３とから、経過時間ｔ６を求める。本実施形態においても、温度Ｔｏｐ３及び温度Ｔｏｐ４は温度ＴＳと同じ温度である。経過時間ｔ６は、次の式（１）で求めることができる。
ｔ６＝ｔ５＋（ＴＳ－ＴＬ）／Ｈ３　　　（１）
また、本ステップにおいて、経過時間ｔ７が求められる。本実施形態の経過時間ｔ７は、上記で求めた経過時間ｔ６に所定の待ち時間Ｗを加えた時間である。この時間Ｗは、ターゲット物質の温度が安定するまでの時間であり、例えば３０分である。
＜ステップＳＴ６、ステップＳＴ７＞
　本実施形態のターゲット供給装置４０では、制御部２０は、ステップＳＴ６及びステップＳＴ７を実施形態１のステップＳＴ６及びステップＳＴ７と同様に行う。ただし、ステップＳＴ６及びステップＳＴ７の制御を行う経過時間ｔ６及び経過時間ｔ７は、実施形態１の経過時間ｔ６及び経過時間ｔ７と異なる時間になり得る。
＜ステップＳＴ８＞
　本実施形態のターゲット供給装置４０では、制御部２０は、ステップＳＴ８を実施形態１のステップＳＴ８と同様に行う。ただし、上記のようにステップＳＴ７の制御を行う経過時間ｔ７が実施形態１の経過時間ｔ７と異なる時間になり得るため、本実施形態のステップＳＴ８の制御を行う経過時間ｔ８が実施形態１の経過時間ｔ８と異なる時間になり得る。
＜ステップＳＴ９、ステップＳＴ１０＞
　本実施形態のターゲット供給装置４０では、制御部２０は、ステップＳＴ９及びステップＳＴ１０を実施形態１のステップＳＴ９及びステップＳＴ１０と同様に行う。そして、実施形態１と同様にして、ドロップレットＤＬが生成されると、パルス状のレーザ光３０１がドロップレットＤＬに照射されて、ＥＵＶ光を含む光が放射し、ＥＵＶ光１０１が、露光装置２００に入射される。
　５．２　作用・効果
　本実施形態では、次の点において実施形態１における作用・効果と異なる。本実施形態では、制御部２０は、連通部４０２の温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高くなる場合にサブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度にしてもよい。従って、ターゲット物質が融点Ｔｍｐを超えずに、タンク本体部４０１内に溶融していないターゲット物質が存在する状態で、サブヒータ４４Ｓの設定温度を融点Ｔｍｐより高い温度にすることを抑制し得る。また、本実施形態によれば、タンク本体部４０１内のターゲット物質が全体的に溶融した後すぐにサブヒータ４４Ｓの設定温度を融点Ｔｍｐより高い温度にすることができる。従って、ターゲット物質を突出させるまでの動作時間を短縮し得る。
　ところで、連通部４０２の温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高いだけでは、何らかの原因により、一部のターゲット物質が溶融していない可能性がある。そこで、本実施形態では、連通部４０２の温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い状態で、連通部４０２の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に、サブヒータ４４Ｓの設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度にする。制御部２０が、このように制御を行うことで、誤動作を抑制し得る。
　なお、上記説明において、制御部２０と第１温度制御部４６１から第４温度制御部４６４とを一体とすることも可能である。従って、図３に示すように、制御部２０と第１温度制御部４６１から第４温度制御部４６４とを含めて制御部２０Ｓと理解することもできる。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態や変形例に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
　本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
１００・・・極端紫外光生成装置、２００・・・露光装置、１０・・・チャンバ、１１・・・ＥＵＶ集光ミラー、２０・・・制御部、３０・・・レーザ装置、４０・・・ターゲット供給装置、４１・・・タンク、４０１・・・タンク本体部、４０２・・・連通部、４４Ｍ・・・メインヒータ、４４Ｓ・・・サブヒータ、４４１・・・第１ヒータ、４４２・・・第２ヒータ、４４３・・・第３ヒータ、４４４・・・第４ヒータ、４５１・・・第１ヒータ電源、４５２・・・第２ヒータ電源、４５３・・・第３ヒータ電源、４５４・・・第４ヒータ電源、４６１・・・第１温度制御部、４６２・・・第２温度制御部、４６３・・・第３温度制御部、４６４・・・第４温度制御部、４７１・・・第１温度センサ、４７２・・・第２温度センサ、４７３・・・第３温度センサ、４７４・・・第４温度センサ

 

Claims (16)

  1. 　ターゲット物質を収容するタンク本体部と、
    　前記タンク本体部に接続され、溶融した前記ターゲット物質をろ過するフィルタ及び前記フィルタを通過した前記ターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、
    　前記タンク本体部を加熱するメインヒータと、
    　前記連通部を加熱するサブヒータと、
    　制御部と、
    を備え、
    　前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融する前から前記メインヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融するまで前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より低い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後に前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定する
    ターゲット供給装置。
  2. 　請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記制御部は、前記メインヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高い第１温度範囲で、前記ターゲット物質が溶融する前から溶融する後までの第１所定期間保持し、前記サブヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より低い第２温度範囲で、前記ターゲット物質が溶融する前から溶融する後まで第２所定期間保持する。
  3. 　請求項２に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記ターゲット物質はスズであり、
    　前記第１温度範囲は、２８０℃以上３２０℃以下である。
  4. 　請求項２に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記ターゲット物質はスズであり、
    　前記第２温度範囲は、２００℃以上２２０℃以下である。
  5. 　請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記制御部は、前記サブヒータが加熱を開始してからの予め定められた所定の時間に前記サブヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高い温度にする。
  6. 　請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記制御部は、前記連通部の温度が前記ターゲット物質の融点より高くなる場合に前記サブヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高い温度にする。
  7. 　請求項６に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記制御部は、前記連通部の温度が前記ターゲット物質の融点より高い状態で、前記連通部の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に前記サブヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高い温度にする。
  8. 　請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記メインヒータは、第１ヒータと前記第１ヒータよりも前記連通部側に配置される第２ヒータとを含み、
    　前記制御部は、前記第１ヒータの設定温度を昇温中において、前記第２ヒータの設定温度を一定の温度範囲にする。
  9. 　請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記タンク本体部における前記連通部側の一部と前記連通部とがチャンバ内に配置され、前記タンク本体部の他の一部は前記チャンバの外に露出し、
    　前記制御部は、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後の前記サブヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高く前記メインヒータの設定温度よりも低い温度にする。
  10. 　請求項９に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記メインヒータは、第１ヒータと前記第１ヒータよりも前記連通部側に配置される第２ヒータとを含み、
    　前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融した後において、前記第２ヒータの設定温度を前記サブヒータの設定温度より高く前記第１ヒータの設定温度よりも低い温度にする。
  11. 　請求項１０に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記ターゲット物質はスズであり、
    　前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融した後における前記第１ヒータの設定温度を２８０℃以上３２０℃以下にする。
  12. 　請求項１０に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記ターゲット物質はスズであり、
    　前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融した後における前記第２ヒータの設定温度を２７０℃以上３１０℃以下にする。
  13. 　請求項９に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記サブヒータは、第３ヒータと前記第３ヒータより前記ノズル側に配置される第４ヒータとを含み、
    　前記制御部は、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後、前記第４ヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高く前記第３ヒータの設定温度以下にする。
  14. 　請求項１３に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記ターゲット物質はスズであり、
    　前記制御部は、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後、前記第３ヒータ及び前記第４ヒータの設定温度を２４０℃以上２７０℃以下にする。
  15. 　内部空間に供給されるターゲット物質にレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、
    　前記チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
    を備え、
    　前記ターゲット供給装置は、
    　前記ターゲット物質を収容するタンク本体部と、
    　前記タンク本体部に接続され、溶融した前記ターゲット物質をろ過するフィルタ及び前記フィルタを通過した前記ターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、
    　前記タンク本体部を加熱するメインヒータと、
    　前記連通部を加熱するサブヒータと、
    　制御部と、
    を備え、
    　前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融する前から前記メインヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融するまで前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より低い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後に前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定する
    極端紫外光生成装置。
  16. 　極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
    　前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光し、
    　前記極端紫外光生成装置は、
    　内部空間に供給されるターゲット物質にレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、
    　前記チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
    を備え、
    　前記ターゲット供給装置は、
    　前記ターゲット物質を収容するタンク本体部と、
    　前記タンク本体部に接続され、溶融した前記ターゲット物質をろ過するフィルタ及び前記フィルタを通過した前記ターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、
    　前記タンク本体部を加熱するメインヒータと、
    　前記連通部を加熱するサブヒータと、
    　制御部と、
    を備え、
    　前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融する前から前記メインヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融するまで前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より低い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後に前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定する
    電子デバイスの製造方法。

     
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111503899A (zh) * 2020-04-08 2020-08-07 华帝股份有限公司 一种燃气换热设备的快速加热温度控制方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019150441A1 (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013201118A (ja) * 2012-02-23 2013-10-03 Gigaphoton Inc ターゲット物質精製装置、および、ターゲット供給装置
JP2014035948A (ja) * 2012-08-09 2014-02-24 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置
WO2016001973A1 (ja) * 2014-06-30 2016-01-07 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、ターゲット物質の精製方法、ターゲット物質の精製プログラム、ターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体、および、ターゲット生成器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5662214B2 (ja) * 2011-03-18 2015-01-28 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013201118A (ja) * 2012-02-23 2013-10-03 Gigaphoton Inc ターゲット物質精製装置、および、ターゲット供給装置
JP2014035948A (ja) * 2012-08-09 2014-02-24 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置
WO2016001973A1 (ja) * 2014-06-30 2016-01-07 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、ターゲット物質の精製方法、ターゲット物質の精製プログラム、ターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体、および、ターゲット生成器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111503899A (zh) * 2020-04-08 2020-08-07 华帝股份有限公司 一种燃气换热设备的快速加热温度控制方法

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