JP6945054B2 - ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許出願公開第２０１７／０５３７８０号明細書
概要
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、ターゲット物質を収容するタンク本体部と、タンク本体部に接続され、溶融したターゲット物質をろ過するフィルタ及びフィルタを通過したターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、タンク本体部を加熱するメインヒータと、連通部を加熱するサブヒータと、制御部と、を備え、制御部は、ターゲット物質が溶融する前からメインヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融するまでサブヒータをターゲット物質の融点より低い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融した後にサブヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定してもよい。
本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、内部空間に供給されるターゲット物質にレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、を備え、ターゲット供給装置は、ターゲット物質を収容するタンク本体部と、タンク本体部に接続され、溶融したターゲット物質をろ過するフィルタ及びフィルタを通過したターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、タンク本体部を加熱するメインヒータと、連通部を加熱するサブヒータと、制御部と、を備え、制御部は、ターゲット物質が溶融する前からメインヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融するまでサブヒータをターゲット物質の融点より低い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融した後にサブヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定してもよい。
本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光し、極端紫外光生成装置は、内部空間に供給されるターゲット物質にレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、を備え、ターゲット供給装置は、ターゲット物質を収容するタンク本体部と、タンク本体部に接続され、溶融したターゲット物質をろ過するフィルタ及びフィルタを通過したターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、タンク本体部を加熱するメインヒータと、連通部を加熱するサブヒータと、制御部と、を備え、制御部は、ターゲット物質が溶融する前からメインヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融するまでサブヒータをターゲット物質の融点より低い温度に設定し、タンク本体部内のターゲット物質が溶融した後にサブヒータをターゲット物質の融点より高い温度に設定してもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図３は、比較例のターゲット供給装置の概略構成を示す模式図である。 図４は、比較例のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。 図５は、実施形態１における制御部の動作を示すフローチャートである。 図６は、実施形態１のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。 図７は、実施形態２における制御部の動作を示すフローチャートである。 図８は、実施形態２のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。
実施形態
１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 比較例の極端紫外光生成装置の構成
３．２ 比較例の極端紫外光生成装置の動作
３．３ 課題
４．実施形態１
４．１ 実施形態１の極端紫外光生成装置の動作
４．２ 作用・効果
５．実施形態２
５．１ 実施形態２の極端紫外光生成装置の動作
５．２ 作用・効果
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下本明細書では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
２．電子デバイスの製造装置の説明
図１に示すように、電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 比較例の極端紫外光生成装置の構成
図２は、本例の極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００には、レーザ装置３０が接続されている。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０、制御部２０、及びレーザ光デリバリ光学系５０を含む。
チャンバ１０は、密閉可能な容器である。チャンバ１０にはサブチャンバ１５が連設されており、サブチャンバ１５にターゲット供給装置４０が設けられている。ターゲット供給装置４０は、タンク４１を含む。ターゲット供給装置４０は、ドロップレットＤＬをチャンバ１０の内部空間に供給するよう構成され、例えば、サブチャンバ１５の壁を貫通するように取り付けられている。ドロップレットＤＬは、ターゲットとも呼ばれ、ターゲット供給装置４０から供給される。
タンク４１は、その内部にドロップレットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノンのいずれか、または、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。また、タンク４１の内部は、ガス圧を調整する圧力調節器４３と配管を介して連通している。圧力調節器４３は、制御部２０に接続されている。また、タンク４１にはメインヒータ４４Ｍ及びサブヒータ４４Ｓが取り付けられている。メインヒータ４４Ｍは、メインヒータ電源４５Ｍから供給される電流により加熱され、サブヒータ４４Ｓは、サブヒータ電源４５Ｓから供給される電流により加熱される。メインヒータ電源４５Ｍは、メイン温度制御部４６Ｍに接続されて、メイン温度制御部４６Ｍに制御される。サブヒータ電源４５Ｓは、サブ温度制御部４６Ｓに接続されて、サブ温度制御部４６Ｓに制御される。メイン温度制御部４６Ｍ及びサブ温度制御部４６Ｓは制御部２０に接続されて、制御部２０に制御される。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。
ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、タンク４１の一部とされる。ノズル４２は、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４９が取り付けられている。ピエゾ素子４９は、ピエゾ電源４９Ｅに接続されており、ピエゾ電源４９Ｅから印加される電圧で駆動する。ピエゾ電源４９Ｅは、制御部２０に接続されている。このピエゾ素子４９の動作により、ノズル４２から吐出されるターゲット物質はドロップレットＤＬにされる。
また、チャンバ１０には、ターゲット回収部１４が設けられている。ターゲット回収部１４は不要なドロップレットＤＬを回収する。
また、チャンバ１０の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は、ウィンドウ１２によって塞がれ、ウィンドウ１２をレーザ装置３０から出射されるパルス状のレーザ光３０１が透過する。チャンバ１０の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー１１が配置される。ＥＵＶ集光ミラー１１は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー１１の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ集光ミラー１１は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、その第２の焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー１１の中央部には貫通孔が設けられ、貫通孔を上記のパルス状のレーザ光３０１が通過する。
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間と露光装置２００の内部空間とを連通させる接続部１９を含む。接続部１９の内部には、アパーチャが形成された壁が設けられる。この壁は、アパーチャがＥＵＶ集光ミラー１１の第２の焦点位置に位置するように配置されることが好ましい。
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６を含む。圧力センサ２６は、チャンバ１０の内部空間の圧力を計測する。さらにＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０に取り付けられるターゲットセンサ２７を含む。ターゲットセンサ２７は、例えば撮像機能を有し、ドロップレットＤＬの存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成される。圧力センサ２６及びターゲットセンサ２７は、制御部２０に接続されている。
また、チャンバ１０内には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａおよび高反射ミラー１３Ｂを有する。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光３０１を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光する光を反射する。これらレーザ光集光ミラー１３Ａおよび高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ１０内でのレーザ集光位置が制御部２０から指定された位置になるように調整される。
また、チャンバ１０には、エッチングガスをチャンバ１０の内部空間に供給するガス供給部６３が配置されている。ガス供給部６３は、配管を介してエッチングガス供給タンク６４に接続されている。上記ターゲット物質がスズである場合、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスである。バランスガスには、窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれてもよい。
ガス供給部６３は、チャンバ１０内に供給するエッチングガスがＥＵＶ集光ミラー１１の反射面近傍を流れるように調整されている。ドロップレットＤＬを構成するターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでプラズマ化するとスズ微粒子及びスズイオンが生じ、スズ微粒子及びスズイオンが水素と反応すると常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）になる。なお、ガス供給部６３とエッチングガス供給タンク６４との間の配管には、不図示の流量調節器が設けられている。
また、チャンバ１０には、排気部６１が設けられている。排気部６１は、チャンバ１０内の残留ガスを排気するよう構成される。排気部６１の排気口は、例えば互いに対向するチャンバ１０の壁に形成されている。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じた微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応した生成物と、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ１０内で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。また、排気部６１は排気装置６２に接続されており、排気部６１から廃棄される残留ガスは、排気装置６２で所定の排気処理が施される。なお、一対の排気部６１の少なくとも一方に、微粒子をトラップするヒータ等のトラップ機構が設けられてもよい。
レーザ装置３０から出射するレーザ光３０１は、レーザ光デリバリ光学系５０で進行方向が調整される。レーザ光デリバリ光学系５０は、レーザ光３０１の進行方向調整するための複数のミラー５１Ａ，５１Ｂを含み、これらミラー５１Ａ，５１Ｂの少なくとも一部の位置が不図示のアクチュエータで調整される。
レーザ装置３０は、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光３０１を出射する。マスターオシレータは、例えば、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合された気体を放電によって励起することで、レーザ光を出射するレーザ装置である。あるいは、マスターオシレータは、量子カスケードレーザ装置でもよい。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光３０１を出射する。なお、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を有してもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続したパルス状のレーザ光を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光３０１の出射が抑制される動作を意味する。
制御部２０は、ＣＰＵ（中央処理装置）等を有するコンピュータから成る。この制御部２０は、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御するよう構成され、さらに後述するようにレーザ装置３０をも制御する。制御部２０には、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力に係る信号や、ターゲットセンサ２７によって撮像されたドロップレットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からのバースト信号等が入力する。制御部２０は、上記イメージデータ等を処理するよう構成され、例えば、ドロップレットＤＬが出力されるタイミング、ドロップレットＤＬの出力方向等を制御するよう構成される。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、後述のように他の制御が追加される。
次に、ターゲット供給装置４０の構成についてより詳細に説明する。
図３は、比較例のターゲット供給装置の概略構成を示す模式図である。図３に示すように、ターゲット供給装置４０のタンク４１は、主に、筐体４１１、蓋体４１２、及び上記のノズル４２を含む。筐体４１１は、大径部４１１Ｌと大径部４１１Ｌよりも直径の小さな小径部４１１Ｓとが接続された形状である。小径部４１１Ｓは大径部４１１Ｌの下端に接続されている。大径部４１１Ｌの上部の開口は蓋体４１２により塞がれている。蓋体４１２には開口が形成されており、この開口に上記の圧力調節器４３に繋がる配管が挿通されている。小径部４１１Ｓの下部の開口はノズル４２で塞がれている。ノズル４２には、ノズル孔が形成されている。本実施形態のタンク４１は、蓋体４１２がチャンバ１０の外側に露出しており、筐体４１１及びノズル４２は、チャンバ１０の空間内に配置されている。筐体４１１及び蓋体４１２は、例えば、モリブデンやタングステンから構成される。
タンク４１は、図３において破線で示すタンク本体部４０１、連通部４０２に分けられる。タンク本体部４０１はタンク４１の上部側に位置し、連通部４０２はタンク本体部４０１に接続されてタンク４１の下部側に位置する。タンク本体部４０１は、上記筐体４１１のうち大径部４１１Ｌと蓋体４１２とを含む。連通部４０２は、筐体４１１のうち小径部４１１Ｓとノズル４２とフィルタ４８とを含む。従って、連通部４０２の容量はタンク本体部４０１の容量より小さい。フィルタ４８は、連通部４０２のタンク本体部４０１側の境界に配置されている。フィルタ４８は、溶融したターゲット物質をろ過する。ノズル４２は、フィルタ４８と通過したターゲット物質をノズル孔から上記のように吐出する。
フィルタ４８は、例えば、金属酸化物を捕集するために、多孔質の材料で作られる。このフィルタ４８には、例えば、口径が３μｍ〜１０μｍ程度の無数の貫通細孔が設けられている。また、フィルタ４８は、ターゲット物質との反応性が低い材料で形成されていることが好ましい。フィルタ４８を構成する材料の線熱膨張係数と筐体４１１を構成する材料の線熱膨張係数との差は、筐体４１１を構成する材料の線熱膨張係数の２０％より小さいことが好ましい。
ノズル４２は、その先端部とターゲット物質との接触角が９０°以上の材料で構成されることが好ましい。ターゲット物質がスズである場合、ノズル４２の先端部を構成する材料としては、例えば、炭化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、モリブデン、タングステン等が挙げられる。
メインヒータ４４Ｍは、第１ヒータ４４１と第２ヒータ４４２とを含み、タンク本体部４０１に配置される。具体的には、第１ヒータ４４１がタンク本体部４０１の蓋体４１２側、すなわちタンク本体部４０１の上部側に配置され、第２ヒータ４４２がタンク本体部４０１の連通部４０２側、すなわちタンク本体部４０１の下部側に配置される。
タンク本体部４０１における第１ヒータ４４１が配置される部位の近傍には第１温度センサ４７１が配置され、タンク本体部４０１における第２ヒータ４４２が配置される部位の近傍には第２温度センサ４７２が配置されている。
メインヒータ電源４５Ｍは、第１ヒータ電源４５１と第２ヒータ電源４５２とを含む。第１ヒータ４４１は、第１ヒータ電源４５１に接続され、第１ヒータ電源４５１から印加される電流により加熱する。第２ヒータ４４２は、第２ヒータ電源４５２に接続され、第２ヒータ電源４５２から印加される電流により加熱する。
第１ヒータ電源４５１は、第１温度制御部４６１に接続され、第１温度制御部４６１からの信号により第１ヒータ４４１に印加する電流が制御される。また、第１温度制御部４６１は、制御部２０及び第１温度センサ４７１に接続され、第１ヒータ電源４５１が第１ヒータ４４１に印加する電流を制御部２０及び第１温度センサ４７１からの信号に基づいて制御する。第２ヒータ電源４５２は、第２温度制御部４６２に接続され、第２温度制御部４６２からの信号により第２ヒータ４４２に印加する電流が制御される。また、第２温度制御部４６２は、制御部２０及び第２温度センサ４７２に接続され、第２ヒータ電源４５２が第２ヒータ４４２に印加する電流を制御部２０及び第２温度センサ４７２からの信号に基づいて制御する。
サブヒータ４４Ｓは、第３ヒータ４４３と第４ヒータ４４４とを含み、連通部４０２に配置される。具体的には、第３ヒータ４４３が連通部４０２のタンク本体部４０１側、すなわち連通部４０２の上部側に配置され、第４ヒータ４４４が連通部４０２のノズル４２側、すなわち連通部４０２の下部側に配置される。本実施形態では、第４ヒータ４４４は、連通部４０２の一部であるノズル４２に直接配置されている。
連通部４０２における第３ヒータ４４３が配置される部位の近傍には第３温度センサ４７３が配置され、連通部４０２における第４ヒータ４４４が配置される部位の近傍には第４温度センサ４７４が配置されている。本実施形態では、第４温度センサ４７４は、ノズル４２に直接配置されている。
サブヒータ電源４５Ｓは、第３ヒータ電源４５３と第４ヒータ電源４５４とを含む。第３ヒータ４４３は、第３ヒータ電源４５３に接続され、第３ヒータ電源４５３から印加される電流により加熱する。第４ヒータ４４４は、第４ヒータ電源４５４に接続され、第４ヒータ電源４５４から印加される電流により加熱する。
第３ヒータ電源４５３は、第３温度制御部４６３に接続され、第３温度制御部４６３からの信号により第３ヒータ４４３に印加する電流が制御される。また、第３温度制御部４６３は、制御部２０及び第３温度センサ４７３に接続され、第３ヒータ電源４５３が第３ヒータ４４３に印加する電流を制御部２０及び第３温度センサ４７３からの信号に基づいて制御する。第４ヒータ電源４５４は、第４温度制御部４６４に接続され、第４温度制御部４６４からの信号により第４ヒータ４４４に印加する電流が制御される。また、第４温度制御部４６４は、制御部２０及び第４温度センサ４７４に接続され、第４ヒータ電源４５４が第４ヒータ４４４に印加する電流を制御部２０及び第４温度センサ４７４からの信号に基づいて制御する。
３．２ 比較例の極端紫外光生成装置の動作
ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、新しいターゲット供給装置がチャンバ１０に取り付けられる。その後、チャンバ１０内の大気が排気される。大気が排気された後のチャンバ１０の内部空間の圧力は、例えば１０Ｐａ〜８０Ｐａの範囲内である。
ここでターゲット供給装置４０がターゲット物質を吐出するまでの動作を詳細に説明する。
チャンバ１０の内部空間の圧力が上記のように所定の圧力にされると、制御部２０がメインヒータ４４Ｍ、サブヒータ４４Ｓの設定温度を上げる。図４は、比較例のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。図４に示すように、制御部２０は、昇温の開始時である経過時間ｔ０において、それぞれの温度制御部を制御してそれぞれのヒータを昇温させる。なお、以下の説明において、経過時間とは、昇温の開始からの時間を意味する。
具体的には、経過時間ｔ０において、制御部２０は、第１温度制御部４６１に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ１１を含む信号を出す。この速度Ｈ１１は経過時間ｔ１における第１ヒータ４４１の設定温度が温度ＴＨとなる速度である。すると第１温度制御部４６１は、第１ヒータ電源４５１を制御して、第１ヒータ４４１の昇温の速度がＨ１１になるように、第１ヒータ電源４５１から第１ヒータ４４１に電流を印加させる。なお、上記のように、第１温度センサ４７１が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第１温度制御部４６１に入力する。このため、第１温度制御部４６１が第１ヒータ電源４５１を制御する際、第１温度制御部４６１は目標温度となるように第１温度センサ４７１からの信号に基づいてフィードバック制御をする。従って、第１温度制御部４６１が第１ヒータ電源４５１から第１ヒータ４４１に電流を印加させる際には、電流値がゼロとなる期間があってもよい。
また、経過時間ｔ０において、制御部２０は、第２温度制御部４６２に温度ＴＨ２及び昇温の速度Ｈ１２を含む信号を出す。この速度Ｈ１２は経過時間ｔ１における第２ヒータ４４２の設定温度が温度ＴＨ２になる速度である。すると第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の昇温の速度がＨ１２になるように、第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる。なお、上記のように、第２温度センサ４７２が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第２温度制御部４６２に入力する。このため、第２温度制御部４６２が第２ヒータ電源４５２を制御する際、第２温度制御部４６２は目標温度となるように第２温度センサ４７２からの信号に基づいてフィードバック制御をする。従って、第２温度制御部４６２が第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる際には、電流値がゼロとなる期間があってもよい。
また、経過時間ｔ０において、制御部２０は、第３温度制御部４６３に温度ＴＨ３及び昇温の速度Ｈ１３を含む信号を出す。この速度Ｈ１３は経過時間ｔ１における第３ヒータ４４３の設定温度が温度ＴＨ３になる速度である。すると第３温度制御部４６３は、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の昇温の速度がＨ１３になるように、第３ヒータ電源４５３から第３ヒータ４４３に電流を印加させる。なお、上記のように、第３温度センサ４７３が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第３温度制御部４６３に入力する。このため、第３温度制御部４６３が第３ヒータ電源４５３を制御する際、第３温度制御部４６３は目標温度となるように第３温度センサ４７３からの信号に基づいてフィードバック制御をする。従って、第３温度制御部４６３が第３ヒータ電源４５３から第３ヒータ４４３に電流を印加させる際には、電流値がゼロとなる期間があってもよい。
また、経過時間ｔ０において、制御部２０は、第４温度制御部４６４に温度ＴＨ４及び昇温の速度Ｈ１４を含む信号を出す。この速度Ｈ１４は経過時間ｔ１における第４ヒータ４４４の設定温度が温度ＴＨ４になる速度である。すると第４温度制御部４６４は、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の昇温の速度がＨ１４になるように、第４ヒータ電源４５４から第４ヒータ４４４に電流を印加させる。なお、上記のように、第４温度センサ４７４が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第４温度制御部４６４に入力する。このため、第４温度制御部４６４が第４ヒータ電源４５４を制御する際、第４温度制御部４６４は目標温度となるように第４温度センサ４７４からの信号に基づいてフィードバック制御をする。従って、第４温度制御部４６４が第４ヒータ電源４５４から第４ヒータ４４４に電流を印加させる際には、電流値がゼロとなる期間があってもよい。
こうして、経過時間ｔ１において、第１ヒータ４４１の設定温度は温度ＴＨになる。また、経過時間ｔ１において、第２ヒータ４４２の設定温度は温度ＴＨよりも低い温度ＴＨ２になる。また、経過時間ｔ１において、第３ヒータ４４３の設定温度は温度ＴＨ２よりも低い温度ＴＨ３になる。また、経過時間ｔ１において、第４ヒータ４４４の設定温度は温度ＴＨ３よりも低い温度ＴＨ４になる。この温度ＴＨ４は、ターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度である。
次に制御部２０は、経過時間ｔ１において、第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４のそれぞれの設定温度を経過時間ｔ１における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第１温度制御部４６１は、第１ヒータ４４１の設定温度を温度ＴＨにする。また、第２温度制御部４６２は、第２ヒータ４４２の設定温度を温度ＴＨ２にし、第３温度制御部４６３は、第３ヒータ４４３の設定温度を温度ＴＨ３にし、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＨ４にする。
次に制御部２０は、経過時間ｔ２において、次のようにそれぞれのヒータの設定温度を制御する。この経過時間ｔ１から経過時間ｔ２までの期間Ｔ１１は、タンク４１内のターゲット物質が、設定温度になるまでの期間である。上記のように４つのヒータのうち最も設定温度の低い第４ヒータ４４４の設定温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高い温度であるため、経過時間ｔ２において、ターゲット物質は溶融している。
制御部２０は、経過時間ｔ２においても、第１ヒータ４４１の設定温度を経過時間ｔ２における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第１温度制御部４６１は、第１ヒータ４４１の設定温度を温度ＴＨのままにする。つまり、第１温度制御部４６１は、経過時間ｔ１から経過時間ｔ２を経過しても第１ヒータ４４１の設定温度を温度ＴＨにする。
また、制御部２０は、経過時間ｔ２において、第２温度制御部４６２に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ２２を含む信号を出す。この速度Ｈ２２は経過時間ｔ３における第２ヒータ４４２の設定温度が温度ＴＨになる速度である。すると第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の昇温の速度がＨ２２になるように、第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる。
また、制御部２０は、経過時間ｔ２において、第３温度制御部４６３に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ２３を含む信号を出す。この速度Ｈ２３は経過時間ｔ４における第３ヒータ４４３の設定温度が温度ＴＨになる速度である。すると第３温度制御部４６３は、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の昇温の速度がＨ２３になるように、第３ヒータ電源４５３から第３ヒータ４４３に電流を印加させる。
また、制御部２０は、経過時間ｔ２において、第４温度制御部４６４に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ２４を含む信号を出す。この速度Ｈ２４は経過時間ｔ５における第４ヒータ４４４の設定温度が温度ＴＨになる速度である。すると第４温度制御部４６４は、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の昇温の速度がＨ２４になるように、第４ヒータ電源４５４から第４ヒータ４４４に電流を印加させる。
次に、制御部２０は、経過時間ｔ３において、第２ヒータ４４２の設定温度を経過時間ｔ３における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第２温度制御部４６２は、経過時間ｔ３後も第２ヒータ４４２の設定温度を温度ＴＨのままにする。
次に、制御部２０は、経過時間ｔ４において、第３ヒータ４４３の設定温度を経過時間ｔ４における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第３温度制御部４６３は、経過時間ｔ４後も第３ヒータ４４３の設定温度を温度ＴＨのままにする。
次に、制御部２０は、経過時間ｔ５において、第４ヒータ４４４の設定温度を経過時間ｔ５における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第４温度制御部４６４は、経過時間ｔ５後も第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＨのままにする。
このように経過時間ｔ５までに第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４が温度ＴＨに設定される。そして、経過時間ｔ５から経過時間ｔ６まで、第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４の設定温度が温度ＴＨのままにされる。
次に経過時間ｔ６において、制御部２０は、第１温度制御部４６１から第４温度制御部４６４に温度Ｔｏｐ及び降温の速度Ｈ３を含む信号を出す。この速度Ｈ３は経過時間ｔ７における第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４の設定温度が温度Ｔｏｐになる速度である。すると第１温度制御部４６１は、第１ヒータ電源４５１を制御して、第１ヒータ４４１の降温の速度がＨ３になるように、第１ヒータ電源４５１から第１ヒータ４４１に電流を印加させる。また、第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の降温の速度がＨ３になるように、第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる。また、第３温度制御部４６３は、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の降温の速度がＨ３になるように、第３ヒータ電源４５３から第３ヒータ４４３に電流を印加させる。また、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の降温の速度がＨ３になるように、第４ヒータ電源４５４から第４ヒータ４４４に電流を印加させる。なお、上記のように、それぞれの温度制御部がヒータ電源からヒータに電流を印加させる際に、電流値がゼロとなる期間があってもよい。
次に、制御部２０は、経過時間ｔ７以降、第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４の設定温度を温度Ｔｏｐのままとする。従って、第１温度制御部４６１から第４温度制御部４６４は、その後の第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４の設定温度を温度Ｔｏｐのままにする。
なお、上記の温度制御の際、第１温度センサ４７１が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第１温度制御部４６１に入力し、第１温度制御部４６１は目標温度となるように第１温度センサ４７１からの信号に基づいてフィードバック制御をする。また、上記の温度制御の際、第２温度センサ４７２が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第２温度制御部４６２に入力し、第２温度制御部４６２は目標温度となるように第２温度センサ４７２からの信号に基づいてフィードバック制御をする。また、上記の温度制御の際、第３温度センサ４７３が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第３温度制御部４６３に入力し、第３温度制御部４６３は目標温度となるように第３温度センサ４７３からの信号に基づいてフィードバック制御をする。また、上記の温度制御の際、第４温度センサ４７４が検知する筐体４１１の温度にかかる情報を含む信号が第４温度制御部４６４に入力し、第４温度制御部４６４は目標温度となるように第４温度センサ４７４からの信号に基づいてフィードバック制御をする。
そして、経過時間ｔ７以降に、制御部２０は、タンク４１内の圧力が圧力調節器４３を制御し、圧力調節器４３はタンク４１内の圧力を例えば１０ＭＰａ程度まで上昇させる。すると、溶融したターゲット物質がフィルタ４８を通過する。このときターゲット物質内の酸化物等の不純物がフィルタ４８で除去される。こうしてターゲット物質はろ過される。フィルタ４８を通過したターゲット物質は、ノズル４２のノズル孔から所定の速度で吐出する。ノズル４２の孔から吐出するターゲット物質はジェットの形態をとってもよい。
また、制御部２０は、ドロップレットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４９Ｅを介してピエゾ素子４９に所定波形の電圧を印加する。ピエゾ素子４９の振動は、ノズル４２を経由してノズルの孔から出力されるターゲット物質のジェットへと伝搬し得る。ターゲット物質のジェットは、この振動により所定周期で分断され、ターゲット物質から液滴のドロップレットＤＬが生成される。
こうして、ターゲット供給装置４０からターゲット物質が供給される。
ターゲット物質が供給されドロップレットＤＬが生成されると、制御部２０は、発光トリガをレーザ装置３０に出力する。発光トリガが入力されると、レーザ装置３０は、パルス状のレーザ光３０１を出射する。出射されたレーザ光３０１は、レーザ光デリバリ光学系５０とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射される。
制御部２０は、レーザ光３０１がプラズマ生成領域ＡＲで集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、制御部２０は、ドロップレットＤＬにレーザ光３０１が照射されるように、ターゲットセンサ２７からの信号に基づいて、レーザ装置３０からレーザ光３０１を出射させる。このため、レーザ光集光ミラー１３Ａで収束されるレーザ光３０１は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットＤＬに照射される。この照射により生成されたプラズマから、ＥＵＶ光を含む光が放射する。
プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ集光ミラー１１によって中間集光点ＩＦで集光された後、露光装置２００に入射される。
なお、チャンバ内の不要な微粒子を含む残留ガスは、排気部６１から排出され排気装置６２で処理される。
３．３ 課題
上記のように連通部４０２の容量はタンク本体部４０１の容量より小さいため、連通部４０２がタンク本体部４０１に比べて温まり易い。また、タンク本体部４０１の蓋体４１２が大気に接しており、ここから熱が逃げ易い。従って、比較例のように経過時間ｔ０から経過時間ｔ１において、タンク４１の上部に配置されたヒータの設定温度が高くされても、タンク４１内の温度は連通部４０２と近いタンク４１の下部側から温まり得る。この場合、タンク４１の蓋体４１２側のターゲット物質が溶融せずに、タンク４１の連通部４０２側のターゲット物質が溶融し得る。すると溶融したターゲット物質が熱膨張し、溶融していないターゲット物質が蓋になり、溶融したターゲット物質が不要にフィルタ４８を通過し得る。このようにターゲット物質がフィルタ４８を通過すると、ターゲット物質は連通部４０２内の酸素と反応し酸化し得る。また、既にターゲット物質が連通部４０２に配置されている場合には、フィルタ４８を通過したターゲット物質が連通部４０２に配置されているターゲット物質を押圧し、ノズル４２からターゲット物質が不要に吐出する可能性がある。また、経過時間ｔ７以降において、それぞれのヒータの設定温度が一律Ｔｏｐにされている、上記のように熱が逃げやすいタンク４１の上部におけるターゲット物質の温度が低下し易く、タンク４１の上部においてターゲット物質の溶け残りが発生し得る。
そこで、以下の実施形態では、ターゲット物質の不要な酸化及びターゲット物質の不要な吐出が抑制され得るターゲット供給装置が例示される。
４．実施形態１
４．１ 実施形態１の極端紫外光生成装置の動作
次に、実施形態１のターゲット供給装置の動作を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。なお、本実施形態のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成は比較例のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成と同様であるため、本実施形態のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成の説明は省略される。
比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作と同様にチャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力にされると、制御部２０がメインヒータ４４Ｍ、サブヒータ４４Ｓの設定温度を上げる。図５は、本実施形態における制御部の動作を示すフローチャートであり、図６は、本実施形態のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。なお、本実施形態では、後述のように第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度が同じである例について説明するため、図６では、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度を示す線が纏めて記載されている。また、図６における各経過時間と昇温や高温の速度は、図４の説明で用いた符号と同一であっても、図４において説明した経過時間や昇温や高温の速度と同一とは限らない。
＜ステップＳＴ０＞
図５、図６に示すように、制御部２０は、経過時間ｔ０において、それぞれのヒータが所定の速度で昇温するよう、それぞれの温度制御部を制御する。
具体的には、経過時間ｔ０において、制御部２０は、第１温度制御部４６１に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ１を含む信号を出す。この速度Ｈ１は経過時間ｔ３における第１ヒータ４４１の設定温度が温度ＴＨになる速度である。すると第１温度制御部４６１は、第１ヒータ電源４５１を制御して、第１ヒータ４４１の昇温の速度がＨ１になるように、第１ヒータ電源４５１から第１ヒータ４４１に電流を印加させる。温度ＴＨは、ターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高い温度であり、ターゲット物質がスズである場合、温度ＴＨは、例えば２８０℃以上３２０℃以下である。
また、制御部２０は、第２温度制御部４６２から第４ヒータ４４４に温度ＴＬ及び昇温の速度Ｈ１を含む信号を出す。この速度Ｈ１は経過時間ｔ１における第２ヒータ４４２から第４ヒータ４４４の設定温度が温度ＴＬになる速度である。すると第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の昇温の速度がＨ１になるように、第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる。また、第３温度制御部４６３は、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の昇温の速度がＨ１になるように、第３ヒータ電源４５３から第３ヒータ４４３に電流を印加させる。また、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の昇温の速度がＨ１になるように、第４ヒータ電源４５４から第４ヒータ４４４に電流を印加させる。つまり、経過時間ｔ０から経過時間ｔ１までは、すべてのヒータが同じ速度で昇温することになる。
こうして、経過時間ｔ１において、それぞれのヒータの温度が概ね温度ＴＬになる。この温度ＴＬは、ターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも低い温度であり、ターゲット物質がスズである場合、温度ＴＬは、例えば２００℃以上２２０℃以下である。
＜ステップＳＴ１＞
経過時間ｔ１では、第１温度制御部４６１は、速度Ｈ１で第１ヒータ４４１が昇温するように第１ヒータ電源４５１を制御している。また、経過時間ｔ１において、制御部２０は、第２ヒータ４４２から第４ヒータ４４４の設定温度を経過時間ｔ１における設定温度である温度ＴＬのままとする。従って、第２温度制御部４６２は、第２ヒータ４４２の設定温度を温度ＴＬにし、第３温度制御部４６３は、第３ヒータ４４３の設定温度を温度ＴＬにし、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＬにする。このとき、第２ヒータ４４２から第４ヒータ４４４の温度が多少変化してもよい。例えば、温度ＴＬが２１０℃であり、第２ヒータ４４２から第４ヒータ４４４の温度が温度ＴＬに対して５℃程度温度が変化してもよい。
＜ステップＳＴ２＞
経過時間ｔ２では、第１温度制御部４６１は、速度Ｈ１で第１ヒータ４４１が昇温するように第１ヒータ電源４５１を制御している。また、経過時間ｔ２において、制御部２０は、第２温度制御部４６２に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ２を含む信号を出す。この速度Ｈ２は経過時間ｔ４における第２ヒータ４４２の設定温度が温度ＴＨになる速度である。すると第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の昇温の速度がＨ２になるように、第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる。なお、経過時間ｔ１から経過時間ｔ２までの期間は、例えば１０分以上３０分以下であることが好ましい。また、経過時間ｔ２では、第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４は、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＬのままにする。
＜ステップＳＴ３＞
経過時間ｔ３において、制御部２０は、第１ヒータ４４１の設定温度を経過時間ｔ３における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第１温度制御部４６１は、第１ヒータ４４１の設定温度を温度ＴＨにする。なお、経過時間ｔ３以降、第１ヒータ４４１の設定温度は温度ＴＨのままである。従って、ターゲット物質がスズである場合、第１ヒータ４４１は、経過時間ｔ３以降、例えば２８０℃以上３２０℃以下に保たれる。この第１ヒータ４４１の温度をＴｏｐ１とする。従って、温度Ｔｏｐ１は温度ＴＨである。また、経過時間ｔ３以降の第１ヒータ４４１の温度Ｔｏｐ１が多少変化してもよい。例えば、温度ＴＨに対して５℃程度温度が変化してもよい。なお、図５の例では、経過時間ｔ３は、経過時間ｔ２の後であるが、経過時間ｔ２と経過時間ｔ３の順が入れ替わってもよい。すなわちステップＳＴ２とステップＳＴ３との順番が入れ替わってもよい。
＜ステップＳＴ４＞
経過時間ｔ４において、制御部２０は、第２ヒータ４４２の設定温度を経過時間ｔ４における設定温度である温度ＴＨのままとする。従って、第２温度制御部４６２は、第２ヒータ４４２の設定温度を温度ＴＨにする。この経過時間ｔ４は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が全て溶融する経過時間ｔｍよりも前の時間である。経過時間ｔｍは、第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２の設定温度、タンク本体部４０１の容量、及びターゲット物質の融点等から、実験等で予め求められている時間である。つまり、制御部２０は、メインヒータ４４Ｍである第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２を、ターゲット物質が溶融する前からターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度に設定している。なお、経過時間ｔ４を経過後に第２ヒータ４４２の温度が多少変化してもよい。例えば、温度ＴＨに対して５℃程度温度が変化してもよい。また、図６に示すように、経過時間ｔ４において、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度は温度ＴＬのままである。
＜ステップＳＴ５＞
経過時間ｔ５において、制御部２０は、第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４に温度ＴＳ及び昇温の速度Ｈ３を含む信号を出す。この速度Ｈ３は経過時間ｔ６における第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度が温度ＴＳになる速度である。すると第３温度制御部４６３は、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の昇温の速度がＨ３になるように、第３ヒータ電源４５３に電流を印加させる。また、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の昇温の速度がＨ３になるように、第４ヒータ電源４５４に電流を印加させる。
経過時間ｔ５は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融する経過時間ｔｍよりも後の時間である。つまり、制御部２０は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融するまで、サブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４をターゲット物質の融点より低い温度ＴＬに設定する。上記のように第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の温度が温度ＴＬに対して５℃程度温度が変化してもよいため、経過時間ｔ１から経過時間ｔ５での第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度を第２の温度範囲とする。また、経過時間ｔ１から経過時間ｔ５までを第２所定期間とする。この場合、制御部２０は、サブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより低い第２温度範囲で、ターゲット物質が溶融する前から溶融する後まで第２所定期間保持することになる。ターゲット物質がスズである場合、第２温度範囲は、２００℃以上２２０℃以下である。なお、経過時間ｔｍから経過時間ｔ５までの期間は、例えば１０分以上１２０分以下であることが好ましい。
また、経過時間ｔ５は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融する経過時間ｔｍよりも後であり、サブヒータ４４Ｓが加熱を開始する経過時間ｔ０からの予め定められた所定の時間である。従って、サブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度になる時間もタンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融する経過時間ｔｍよりも後の予め定められた所定の時間となる。つまり、本実施形態では、制御部２０は、ターゲット物質が溶融した後における予め定められた所定の時間にサブヒータ４４Ｓの設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度にする。
＜ステップＳＴ６＞
経過時間ｔ６において、制御部２０は、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度を経過時間ｔ６における設定温度である温度ＴＳのままとする。従って、第３温度制御部４６３は、第３ヒータ４４３の設定温度を温度ＴＳにし、第４温度制御部４６４は、第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＳにする。この温度ＴＳは、ターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高く温度ＴＨより低い温度であり、ターゲット物質がスズである場合、温度ＴＳは、例えば２４０℃以上２７０℃以下である。なお、経過時間ｔ６以降、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度は温度ＴＳのままである。この第３ヒータ４４３の温度をＴｏｐ３とし、第４ヒータ４４４の温度をＴｏｐ４とする。従って、温度Ｔｏｐ３、温度Ｔｏｐ４は温度ＴＳである。また、経過時間ｔ６以降の第３ヒータ４４３の温度Ｔｏｐ３及び第４ヒータ４４４の温度Ｔｏｐ４が多少変化してもよい。例えば、第３ヒータ４４３の温度Ｔｏｐ３及び第４ヒータ４４４の温度Ｔｏｐ４が、温度ＴＳに対して５℃程度温度が変化してもよい。なお、図６の例では、温度Ｔｏｐ３と温度Ｔｏｐ４とが同じ温度にされているが、制御部２０は、温度Ｔｏｐ４をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く温度Ｔｏｐ３より低い温度にしてもよい。また、図６に示すように、経過時間ｔ６において、第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２の設定温度は温度ＴＨのままである。
＜ステップＳＴ７＞
次に経過時間ｔ７において、制御部２０は、第２温度制御部４６２に温度Ｔｏｐ２及び降温の速度Ｈ４を含む信号を出す。この速度Ｈ４は経過時間ｔ８における第２ヒータ４４２の設定温度が温度Ｔｏｐ２になる速度である。すると第２温度制御部４６２は、第２ヒータ電源４５２を制御して、第２ヒータ４４２の降温の速度がＨ４になるように、第２ヒータ電源４５２に電流を印加させる。なお、上記のように、第２温度制御部４６２が第２ヒータ電源４５２から第２ヒータ４４２に電流を印加させる際に、電流値がゼロとなる期間があってもよい。経過時間ｔ６から経過時間ｔ７までの期間は、例えば５分以上６０分以下であることが好ましい。上記のように第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２の温度が温度ＴＨに対して５℃程度温度が変化してもよいため、経過時間ｔ４から経過時間ｔ７での第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２の設定温度を第１の温度範囲とする。また、経過時間ｔ４から経過時間ｔ７までを第１所定期間とする。この場合、制御部２０は、メインヒータ４４Ｍである第１ヒータ４４１及び第２ヒータ４４２の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い第１温度範囲で、ターゲット物質が溶融する前から溶融する後まで第１所定期間保持することになる。ターゲット物質がスズである場合、この第１温度範囲は、２８０℃以上３２０℃以下である。上記の第２所定期間もターゲット物質が溶融する前から溶融する後まであるため、第１所定期間と第２所定期間は一部重なっていることになる。
＜ステップＳＴ８＞
次に経過時間ｔ８において、制御部２０は、第２ヒータ４４２の設定温度を経過時間ｔ８における設定温度である温度Ｔｏｐ２のままとする。従って、第２温度制御部４６２は、第２ヒータ４４２の設定温度を温度Ｔｏｐ２にする。この温度Ｔｏｐ２は、第１ヒータ４４１の温度Ｔｏｐ１よりも低く、第３ヒータ４４３の温度Ｔｏｐ３よりも高い温度である。ターゲット物質がスズである場合、温度Ｔｏｐ２は、例えば２７０℃以上３１０℃以下である。そして、制御部２０は、経過時間ｔ８以降、第２ヒータ４４２の設定温度は温度Ｔｏｐ２のままとする。なお、経過時間ｔ８以降の第２ヒータ４４２の温度Ｔｏｐ２が多少変化してもよい。例えば、第２ヒータ４４２の温度Ｔｏｐ２が、５℃程度温度が変化してもよい。
＜ステップＳＴ９＞
制御部２０は、経過時間ｔ８以降、第１ヒータ４４１から第４ヒータ４４４の設定温度を経過時間ｔ８における温度のままにする。従って、経過時間ｔ８以降、本実施形態では、第１ヒータ４４１の設定温度は温度Ｔｏｐ１であり、第２ヒータ４４２の設定温度は温度Ｔｏｐ２であり、第３ヒータ４４３の設定温度は温度Ｔｏｐ３であり、第４ヒータ４４４の設定温度は温度Ｔｏｐ４である。本実施形態では、Ｔｏｐ１＞Ｔｏｐ２＞Ｔｏｐ３＝Ｔｏｐ４である。ただし、Ｔｏｐ３＞Ｔｏｐ４であってもよい。この場合、チャンバ１０から露出している蓋体４１２に近いヒータほど高い温度に設定される。
経過時間ｔ８以降に、制御部２０は、第１温度センサ４７１が検知する温度ＴＡ１が、温度Ｔｏｐ１から３℃の温度範囲内にあるか判断する。また、経過時間ｔ８以降に、制御部２０は、第２温度センサ４７２が検知する温度ＴＡ２が、温度Ｔｏｐ２から３℃の温度範囲内にあるかを判断する。また、経過時間ｔ８以降に、制御部２０は、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３が、温度Ｔｏｐ３から３℃の温度範囲内にあるか判断する。また、経過時間ｔ８以降に、制御部２０は、第４温度センサ４７４が検知する温度ＴＡ４が、温度Ｔｏｐ４から３℃の温度範囲内にあるか判断する。そして、第１温度センサ４７１から第４温度センサ４７４の検知する温度のうち一つでも上記温度範囲内に入っていない場合、再び上記のようにそれぞれの温度センサが検知する温度が設定温度から３℃の範囲内にあるかを判断する。こうして、制御部２０は、すべての温度センサが検知する温度が設定温度から３℃の範囲内に入るまで待つ。そして、すべての温度センサが検知する温度が設定温度から３℃の範囲内に入るとステップＳＴ１０に進む。
＜ステップＳＴ１０＞
ステップＳＴ１０では、制御部２０は、比較例の経過時間ｔ７以降と同様に圧力調節器４３を制御する。従って、溶融したターゲット物質がフィルタ４８を通過して、ノズル４２のノズル孔からターゲット物質が吐出し、ドロップレットＤＬが生成される。
ドロップレットＤＬが生成されると、比較例と同様にして、パルス状のレーザ光３０１がドロップレットＤＬに照射されて、ＥＵＶ光を含む光が放射する。そして、ＥＵＶ光１０１が、露光装置２００に入射される。
４．２ 作用・効果
本実施形態では、制御部２０は、メインヒータ４４Ｍをターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度に設定し、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融するまでサブヒータ４４Ｓをターゲット物質の融点Ｔｍｐより低い温度に設定する。従って、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融により膨張し、タンク本体部４０１の連通部４０２側と反対側にターゲット物質の溶け残りがある場合であっても、ターゲット物質は連通部４０２内のフィルタ４８を容易に通過できない。このため、連通部４０２内に酸素が存在する場合であっても、連通部４０２内に溶融したターゲット物質が侵入することが抑制されることで、ターゲット物質の酸化を抑制し得る。また、連通部４０２内にターゲット物質が存在する場合であっても、サブヒータ４４Ｓがターゲット物質の融点Ｔｍｐより低い温度に設定されることで、ノズル４２からターゲット物質が不要に吐出することを抑制し得る。また、制御部２０が、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融した後にサブヒータ４４Ｓをターゲット物質の融点より高い温度に設定することで、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融後にターゲット物質を適切にノズルから吐出させ得る。
また、本実施形態では、制御部２０は、メインヒータ４４Ｍの設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い第１温度範囲で、ターゲット物質が溶融する前から溶融する後までの第１所定期間保持する。さらに制御部２０は、サブヒータ４４Ｓの設定温度をターゲット物質の融点より低い第２温度範囲で、ターゲット物質が溶融する前から溶融する後まで第２所定期間保持する。従って、タンク本体部４０１内のターゲット物質が十分に溶融した後、サブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高くし得る。
また、本実施形態では、制御部２０は、ターゲット物質が溶融した後における予め定められた所定の時間にサブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度にする。このようにサブヒータ４４Ｓの設定温度が予め定められた所定の時間に昇温されることで、計算を行いながらサブヒータ４４Ｓの設定温度が昇温される時間が決められるより、制御を簡易にし得る。
また、本実施形態では、制御部２０は、第１ヒータ４４１の設定温度を昇温中の一部の期間である経過時間ｔ１から経過時間ｔ２において、第２ヒータ４４２の設定温度を一定の温度範囲である第２温度範囲にする。このように温度制御されることで、連通部４０２から離れている側のターゲット物質を連通部４０２に近い側のターゲット物質よりも先に溶融することができる。従って、タンク本体部４０１内のターゲット物質の全て溶融する前に一部のターゲット物質がフィルタ４８を通過することをより適切に抑制し得る。
また、本実施形態では、タンク本体部４０１における連通部４０２側の一部と連通部４０２とがチャンバ１０内に配置され、タンク本体部４０１の他の一部がチャンバ１０の外に露出している。そして、制御部２０は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融した後のサブヒータ４４Ｓの設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高くメインヒータ４４Ｍの設定温度よりも低い温度にする。タンク本体部４０１のチャンバ１０から露出している部分は、大気にさらされることで温度が低下し易い。一方、連通部４０２はチャンバ１０内に位置しているため温度の低下が抑制されている。従って、制御部２０が上記のように温度を制御することで、メインヒータ４４Ｍとサブヒータ４４Ｓとが同じ温度で制御される場合と比べて、タンク４１内のターゲット物質の温度を均一に近づけ得る。温度の低下が抑制される連通部４０２がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度に設定され、上記のようにタンク４１内のターゲット物質の温度を均一に近づけ得るため、タンク本体部４０１内のターゲット物質の温度が融点より低くなることが抑制され得る。従って、タンク４１内にターゲット物質の溶け残りが生じることを抑制し得る。
このような温度の制御のより具体的な例として、本実施形態では、制御部２０は、ターゲット物質が溶融した後である経過時間ｔ７において、第２ヒータ４４２の設定温度をサブヒータ４４Ｓの設定温度より高く第１ヒータ４４１の設定温度よりも低い温度にする。従って、経過時間ｔ７以降に第１ヒータ４４１と第２ヒータ４４２とが同じ温度に制御される場合と比べて、よりタンク４１内のターゲット物質の温度を均一に近づけることができ、タンク４１内にターゲット物質の溶け残りが生じることをより抑制し得る。
また、本実施形態では、制御部２０は、タンク本体部４０１内のターゲット物質が溶融した後、第４ヒータ４４４の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く第３ヒータ４４３の設定温度以下にする。第３ヒータ４４３は、第４ヒータ４４４よりタンク本体部４０１側に位置するため、第３ヒータ４４３が加熱している連通部４０２の部位は、メインヒータ４４Ｍからの熱の影響を受け易い。従って、上記のように温度が制御されることで、第４ヒータ４４４の設定温度が第３ヒータ４４３の設定温度より高くされる場合と比べて、連通部４０２内のターゲット物質の温度を均一に近づけることができる。
５．実施形態２
５．１ 実施形態２の極端紫外光生成装置の動作
次に、実施形態２の極端紫外光生成装置の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。本実施形態のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成は、実施形態１と同様に比較例のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成と同様とされるため、本実施形態のターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置の構成の説明は省略される。
図７は、本実施形態における制御部の動作を示すフローチャートであり、図８は、本実施形態のターゲット供給装置の設定温度の様子を示す模式図である。図７に示すように、本実施形態のターゲット供給装置４０は、制御部２０の温度制御フローが、ステップＳＴ２１及びステップＳＴ２２を含む点において、実施形態１のターゲット供給装置４０と主に異なる。
＜ステップＳＴ０からステップＳＴ４＞
本実施形態のターゲット供給装置４０では、制御部２０は、ステップＳＴ０からステップＳＴ４を実施形態１のステップＳＴ０からステップＳＴ４と同様に行う。
＜ステップＳＴ２１＞
ステップＳＴ２において、制御部２０が、第２温度制御部４６２に温度ＴＨ及び昇温の速度Ｈ２を含む信号を出力した後、制御部２０は、次の２つの判断を行う。１つは、第３温度センサ４７３が検知する温度が、ターゲット物質の融点Ｔｍｐより高いか否かである。他の１つは、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３の昇温速度が、所定の速度よりも早いか否かである。この所定の速度は、例えば、０．３℃／ｍｉｎである。図８には、経過時間ｔ２から経過時間ｔ６までの第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３のが太線で示されている。実施形態１で説明したように、経過時間ｔ１において、制御部２０は、第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度を温度ＴＬにし、ステップＳＴ２を経過した後もこの状態が続いている。しかし、ｔ２を経過すると、実施形態１で説明したように、第２ヒータ４４２の設定温度が速度Ｈ２で上昇し、ターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高くされる。第２ヒータ４４２の設定温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高くなると、第２ヒータ４４２で加熱されたターゲット物質の熱が連通部４０２まで伝導し、連通部４０２の温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高くなる場合がある。連通部４０２の温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高くなると、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３が融点Ｔｍｐよりも高くなる。
ターゲット物質が固体から液体に溶融している間、ターゲット物質の温度は概ね一定である。従って、上記のように第２ヒータ４４２で加熱されたターゲット物質の熱が連通部４０２まで伝導する場合であっても、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３は、ターゲット物質の融点Ｔｍｐよりも高くなりづらく、概ね一定の温度になる傾向がある。そこで、制御部２０は、第３温度センサ４７３が検知する温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に、ステップＳＴ５に進む。図８では、このタイミングを矢印でＳＴ２１と示している。なお、本実施形態では、ステップＳＴ５に進むタイミングがステップＳＴ４より前になることもあり得る。
＜ステップＳＴ５＞
実施形態１のステップＳＴ５では、ターゲット物質が溶融する経過時間ｔｍより後の予め定められた経過時間ｔ５において、制御部２０が第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４に温度ＴＳ及び昇温の速度Ｈ３を含む信号を出した。本実施形態では、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く、第３温度センサ４７３が検知する温度ＴＡ３の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に、制御部２０は、第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４に温度ＴＳ及び昇温の速度Ｈ３を含む信号を出す。従って、制御部２０が第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４に温度ＴＳ及び昇温の速度Ｈ３を含む信号を出す経過時間が予め定まっていない点において、実施形態１のステップＳＴ５と異なる。つまり、経過時間ｔ５は予め定まっていない。制御部２０が上記信号を出力すると、第３温度制御部４６３は、実施形態１と同様にして、第３ヒータ電源４５３を制御して、第３ヒータ４４３の昇温の速度がＨ３になるように、第３ヒータ電源４５３に電流を印加させる。また、第４温度制御部４６４は、実施形態１と同様にして、第４ヒータ電源４５４を制御して、第４ヒータ４４４の昇温の速度がＨ３になるように、第４ヒータ電源４５４に電流を印加させる。そして、制御部２０は、第３温度制御部４６３及び第４温度制御部４６４に温度ＴＳ及び昇温の速度Ｈ３を含む信号を出した時間を経過時間ｔ５として記憶する。
なお、本実施形態では、ステップＳＴ２１において、制御部２０は、第３温度センサ４７３が検知する温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く、第３温度センサ４７３が検知する温度の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に、ステップＳＴ５に進んだ。しかし、例えば、ステップＳＴ２１において、制御部２０は、第３温度センサ４７３が検知する温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高ければ、第３温度センサ４７３が検知する温度の昇温速度に関わらず、ステップＳＴ５に進んでもよい。ただし、本実施形態のように、第３温度センサ４７３が検知する温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高く、第３温度センサ４７３が検知する温度の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に、ステップＳＴ５に進む方が、誤動作を抑制できる観点から好ましい。
＜ステップＳＴ２２＞
本ステップでは、制御部２０は、経過時間ｔ５と温度ＴＳと昇温の速度Ｈ３とから、経過時間ｔ６を求める。本実施形態においても、温度Ｔｏｐ３及び温度Ｔｏｐ４は温度ＴＳと同じ温度である。経過時間ｔ６は、次の式（１）で求めることができる。
ｔ６＝ｔ５＋（ＴＳ−ＴＬ）／Ｈ３ （１）
また、本ステップにおいて、経過時間ｔ７が求められる。本実施形態の経過時間ｔ７は、上記で求めた経過時間ｔ６に所定の待ち時間Ｗを加えた時間である。この時間Ｗは、ターゲット物質の温度が安定するまでの時間であり、例えば３０分である。
＜ステップＳＴ６、ステップＳＴ７＞
本実施形態のターゲット供給装置４０では、制御部２０は、ステップＳＴ６及びステップＳＴ７を実施形態１のステップＳＴ６及びステップＳＴ７と同様に行う。ただし、ステップＳＴ６及びステップＳＴ７の制御を行う経過時間ｔ６及び経過時間ｔ７は、実施形態１の経過時間ｔ６及び経過時間ｔ７と異なる時間になり得る。
＜ステップＳＴ８＞
本実施形態のターゲット供給装置４０では、制御部２０は、ステップＳＴ８を実施形態１のステップＳＴ８と同様に行う。ただし、上記のようにステップＳＴ７の制御を行う経過時間ｔ７が実施形態１の経過時間ｔ７と異なる時間になり得るため、本実施形態のステップＳＴ８の制御を行う経過時間ｔ８が実施形態１の経過時間ｔ８と異なる時間になり得る。
＜ステップＳＴ９、ステップＳＴ１０＞
本実施形態のターゲット供給装置４０では、制御部２０は、ステップＳＴ９及びステップＳＴ１０を実施形態１のステップＳＴ９及びステップＳＴ１０と同様に行う。そして、実施形態１と同様にして、ドロップレットＤＬが生成されると、パルス状のレーザ光３０１がドロップレットＤＬに照射されて、ＥＵＶ光を含む光が放射し、ＥＵＶ光１０１が、露光装置２００に入射される。
５．２ 作用・効果
本実施形態では、次の点において実施形態１における作用・効果と異なる。本実施形態では、制御部２０は、連通部４０２の温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高くなる場合にサブヒータ４４Ｓである第３ヒータ４４３及び第４ヒータ４４４の設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度にしてもよい。従って、ターゲット物質が融点Ｔｍｐを超えずに、タンク本体部４０１内に溶融していないターゲット物質が存在する状態で、サブヒータ４４Ｓの設定温度を融点Ｔｍｐより高い温度にすることを抑制し得る。また、本実施形態によれば、タンク本体部４０１内のターゲット物質が全体的に溶融した後すぐにサブヒータ４４Ｓの設定温度を融点Ｔｍｐより高い温度にすることができる。従って、ターゲット物質を突出させるまでの動作時間を短縮し得る。
ところで、連通部４０２の温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高いだけでは、何らかの原因により、一部のターゲット物質が溶融していない可能性がある。そこで、本実施形態では、連通部４０２の温度がターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い状態で、連通部４０２の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に、サブヒータ４４Ｓの設定温度をターゲット物質の融点Ｔｍｐより高い温度にする。制御部２０が、このように制御を行うことで、誤動作を抑制し得る。
なお、上記説明において、制御部２０と第１温度制御部４６１から第４温度制御部４６４とを一体とすることも可能である。従って、図３に示すように、制御部２０と第１温度制御部４６１から第４温度制御部４６４とを含めて制御部２０Ｓと理解することもできる。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態や変形例に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
１００・・・極端紫外光生成装置、２００・・・露光装置、１０・・・チャンバ、１１・・・ＥＵＶ集光ミラー、２０・・・制御部、３０・・・レーザ装置、４０・・・ターゲット供給装置、４１・・・タンク、４０１・・・タンク本体部、４０２・・・連通部、４４Ｍ・・・メインヒータ、４４Ｓ・・・サブヒータ、４４１・・・第１ヒータ、４４２・・・第２ヒータ、４４３・・・第３ヒータ、４４４・・・第４ヒータ、４５１・・・第１ヒータ電源、４５２・・・第２ヒータ電源、４５３・・・第３ヒータ電源、４５４・・・第４ヒータ電源、４６１・・・第１温度制御部、４６２・・・第２温度制御部、４６３・・・第３温度制御部、４６４・・・第４温度制御部、４７１・・・第１温度センサ、４７２・・・第２温度センサ、４７３・・・第３温度センサ、４７４・・・第４温度センサ

Claims (16)

  1. ターゲット物質を収容するタンク本体部と、
    前記タンク本体部に接続され、溶融した前記ターゲット物質をろ過するフィルタ及び前記フィルタを通過した前記ターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、
    前記タンク本体部を加熱するメインヒータと、
    前記連通部を加熱するサブヒータと、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融する前から前記メインヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融するまで前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より低い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後に前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定する
    ターゲット供給装置。
  2. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記制御部は、前記メインヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高い第１温度範囲で、前記ターゲット物質が溶融する前から溶融する後までの第１所定期間保持し、前記サブヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より低い第２温度範囲で、前記ターゲット物質が溶融する前から溶融する後まで第２所定期間保持する。
  3. 請求項２に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ターゲット物質はスズであり、
    前記第１温度範囲は、２８０℃以上３２０℃以下である。
  4. 請求項２に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ターゲット物質はスズであり、
    前記第２温度範囲は、２００℃以上２２０℃以下である。
  5. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記制御部は、前記サブヒータが加熱を開始してからの予め定められた所定の時間に前記サブヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高い温度にする。
  6. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記制御部は、前記連通部の温度が前記ターゲット物質の融点より高くなる場合に前記サブヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高い温度にする。
  7. 請求項６に記載のターゲット供給装置であって、
    前記制御部は、前記連通部の温度が前記ターゲット物質の融点より高い状態で、前記連通部の昇温速度が所定の速度よりも早い場合に前記サブヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高い温度にする。
  8. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記メインヒータは、第１ヒータと前記第１ヒータよりも前記連通部側に配置される第２ヒータとを含み、
    前記制御部は、前記第１ヒータの設定温度を昇温中において、前記第２ヒータの設定温度を一定の温度範囲にする。
  9. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記タンク本体部における前記連通部側の一部と前記連通部とがチャンバ内に配置され、前記タンク本体部の他の一部は前記チャンバの外に露出し、
    前記制御部は、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後の前記サブヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高く前記メインヒータの設定温度よりも低い温度にする。
  10. 請求項９に記載のターゲット供給装置であって、
    前記メインヒータは、第１ヒータと前記第１ヒータよりも前記連通部側に配置される第２ヒータとを含み、
    前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融した後において、前記第２ヒータの設定温度を前記サブヒータの設定温度より高く前記第１ヒータの設定温度よりも低い温度にする。
  11. 請求項１０に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ターゲット物質はスズであり、
    前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融した後における前記第１ヒータの設定温度を２８０℃以上３２０℃以下にする。
  12. 請求項１０に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ターゲット物質はスズであり、
    前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融した後における前記第２ヒータの設定温度を２７０℃以上３１０℃以下にする。
  13. 請求項９に記載のターゲット供給装置であって、
    前記サブヒータは、第３ヒータと前記第３ヒータより前記ノズル側に配置される第４ヒータとを含み、
    前記制御部は、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後、前記第４ヒータの設定温度を前記ターゲット物質の融点より高く前記第３ヒータの設定温度以下にする。
  14. 請求項１３に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ターゲット物質はスズであり、
    前記制御部は、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後、前記第３ヒータ及び前記第４ヒータの設定温度を２４０℃以上２７０℃以下にする。
  15. 内部空間に供給されるターゲット物質にレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、
    前記チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、
    前記ターゲット物質を収容するタンク本体部と、
    前記タンク本体部に接続され、溶融した前記ターゲット物質をろ過するフィルタ及び前記フィルタを通過した前記ターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、
    前記タンク本体部を加熱するメインヒータと、
    前記連通部を加熱するサブヒータと、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融する前から前記メインヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融するまで前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より低い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後に前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定する
    極端紫外光生成装置。
  16. 極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光し、
    前記極端紫外光生成装置は、
    内部空間に供給されるターゲット物質にレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、
    前記チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、
    前記ターゲット物質を収容するタンク本体部と、
    前記タンク本体部に接続され、溶融した前記ターゲット物質をろ過するフィルタ及び前記フィルタを通過した前記ターゲット物質を吐出するノズルを含む連通部と、
    前記タンク本体部を加熱するメインヒータと、
    前記連通部を加熱するサブヒータと、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記ターゲット物質が溶融する前から前記メインヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融するまで前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より低い温度に設定し、前記タンク本体部内の前記ターゲット物質が溶融した後に前記サブヒータを前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定する
    電子デバイスの製造方法。

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